JPH10168204A - 半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体パッケージにおいて接着剤として用い
られる切断性に優れた、切断時にバリや切り屑が発生し
ない半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレー
ム及び半導体装置を提供する。 【解決手段】 表面がプラズマ処理された耐熱性フィル
ムを支持フィルムとして、その片面または両面にアミド
基、エステル基、イミド基またはエーテル基を生成する
反応により得られる耐熱性熱可塑樹脂を接着剤層として
コーティングして得られる切断性に優れた半導体用接着
フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装
置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する利用分野】本発明は、半導体用接着フィ
ルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】現在使用されている、ＬＯＣ（ｌｅａｄ
ｏｎ ｃｈｉｐ）やＣＯＬ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｌｅａ
ｄ）構造の半導体パッケージ、枠タブ構造の半導体パッ
ケージ等において、リードフレームとチップの接着には
フィルム状の接着材が用いられている。フィルム状の接
着剤としては、基材フィルムの片面、または両面にエポ
キシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等
の接着剤をコーティングした構造のものが主に用いられ
ている。通常これらのフィルム状の接着材は、シアーカ
ット、レザーカット等のスリット方法で細幅にスリット
された後、所定の形状に切り抜かれてリードフレームの
所定部分に貼り付けられ使用されるが、スリット時にフ
ィルム状接着剤端部に切断バリや切り屑が多発し、接着
フィルム付きリードフレーム製造において歩留まりが低
下するという問題点がある。

【０００３】現在、これらの切断時の問題は、フィルム
をスリットする刃の材質や形状、及び上刃と下刃の間の
クリアランスを調整することによって一部解決されてい
る。しかしながら、これらの方法ではクリアランスの調
整に時間がかかり、しかもフィルム材の種類によって
は、クリアランス調整後短時間でバリが発生し、再度ク
リアランスの調整が必要となり、生産性が低下するとい
った問題点があり、切断性に優れた接着フィルムの開発
が求められている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の問題
点を改良し、切断性に優れた、切断時にバリや切り屑が
発生しない接着フィルム、このフィルムを用いたリード
フレーム及び半導体装置を提供するものである。請求項
１記載の発明は、前記問題を解決し、切断時にバリが発
生しない半導体用接着フィルムを提供することにある。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の半導体用接着フ
ィルムの支持フィルムがポリイミド樹脂である半導体用
接着フィルムを提供するものである。請求項３記載の発
明は、請求項１または２記載の半導体用接着フィルムを
貼り付けたリードフレームを提供するものである。請求
項４記載の発明は、リードフレームと半導体素子とを請
求項１または２記載の半導体用接着フィルムを介して接
着させてなる半導体装置を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者は、切断時に発
生するバリと接着フィルムの特性との関係について誠意
検討した結果、特定の条件で表面処理した支持フィルム
を使用して接着フィルムを作製すると、バリの発生を低
減することができることを見いだし、この知見に基づい
て本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、表
面がプラズマ処理によって処理された耐熱性フィルムを
支持フィルムとして、その片面または両面にアミド基、
エステル基、イミド基またはエーテル基を生成する反応
により得られる耐熱性熱可塑樹脂を接着剤層としてコー
ティングして得られる、切断性に優れた半導体用接着フ
ィルムに関する。

【０００６】また本発明は、支持フィルムがポリイミド
樹脂である請求項１に記載の半導体用接着フィルムに関
する。また本発明は、請求項１または２記載の半導体用
接着フィルムを貼り付けたリードフレームに関する。ま
た本発明は、リードフレームと半導体素子とを請求項１
または２記載の半導体用接着フィルムを介して接着させ
てなる半導体装置に関する。

【０００７】

【発明の実施の形態】次に、本発明の半導体用接着フィ
ルムについて詳しく説明する。本発明に用いられる支持
フィルムとしてはポリイミド、ポリアミド、ポリサルフ
ォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエー
テルケトン、ポリアリレート、ポリカーボネート等の絶
縁性耐熱性樹脂フィルムが好ましく、耐熱性、電気特性
からポリイミドフィルムがさらに好ましい。支持フィル
ムの厚さは、５〜２００μｍが好ましく、２０〜７５μ
ｍがさらに好ましい。支持フィルムは、プラズマ表面を
処理して用いる。これは、支持フィルムと接着剤層の接
着力を高くし、支持フィルムと接着剤層間の剥離を防ぐ
ためである。

【０００８】プラズマ処理の方法としては、基材フィル
ムを作製した後にフィルムをプラズマ処理装置に通して
表面処理をさせる方法がある。プラズマ処理条件として
は特に制限はないが、例えばプラズマ処理装置内をアル
ゴン、ヘリウム等の希ガスや窒素、またはそれらの混合
気体で置換し、圧力を１０〜７６０Torr、電力密度を１
０００〜２０００ｗ・min／ｍ²とする方法がある。

【０００９】本発明の半導体用接着フィルムの製造法と
しては、前記表面処理された支持フィルムの片面または
両面に、アミド基、エステル基、イミド基またはエーテ
ル基を生成する反応により得られる耐熱性熱可塑樹脂、
例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリ
アミドイミド、ポリエーテル、ポリエーテルイミド、ポ
リエーテルアミド、ポリエーテルアミドイミド等の耐熱
性熱可塑樹脂をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチル
アセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン等の極性溶剤に溶解して作製し
たワニスを塗工した後加熱して溶剤を乾燥させ、２層ま
たは３層の接着フィルムにする。耐熱性熱可塑樹脂を溶
剤に溶解するときの配合は特に制限はないが、樹脂分は
接着材の表面状態、作業性から１５〜３０重量％となる
のが好ましい。

【００１０】塗工方法は特に制限はないが、例えば、ロ
ールコート、リバースロールコート、グラビアコート、
バーコート等が挙げられる。塗工後フィルムを乾燥し、
溶剤を除去して接着剤層を形成する。接着剤層の厚さと
しては１〜７５μｍが好ましく、１０〜３０μｍがさら
に好ましい。このようにして得たフィルムは、図１の様
な構成を取る。このフィルムは、半導体用の接着材とし
て使用することができる。図１において１は支持フィル
ム、２は接着剤層である。

【００１１】また、本発明の耐熱性接着剤付きフィルム
を用いると、信頼性に優れた接着フィルム付のリードフ
レームを作業性、歩留まりよく簡便に製造することがで
きる。例えば、前記耐熱性接着剤付きフィルムを所定の
大きさに打ち抜くか、切り取ったもの（フィルム片）
を、リードフレームに２００℃〜４００℃、５〜１００
Ｋｇ／ｃｍ²で１秒〜５分間加熱溶融し加圧して圧着す
る方法がある。

【００１２】また、本発明の耐熱性接着剤付きフィルム
を用いると、信頼性に優れた高容量の半導体を作業性、
歩留まりよく簡便に製造することができる。例えば、前
記耐熱性接着剤付きフィルムを所定の大きさに打ち抜く
か、切り取ったもの（フィルム片）を、リードフレーム
と半導体素子の間に挟み、２００℃〜４００℃、５〜１
００Ｋｇ／ｃｍ²で１秒〜５分間加熱溶融し加圧して圧
着し、その後リードフレームと半導体素子を金線等で接
合しエポキシ樹脂等の成形材料でトランスファ成形して
封止することにより半導体装置を製造することができ
る。

【００１３】

【実施例】以下、実施例により本発明を説明するが、本
発明はこれらにより何ら制限されるものではない。 実施例１ 温度計、攪拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた５
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−
ビス［４（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
２０５ｇ（０．５モル）、プロピレンオキサイド６９．
６ｇ（１．２モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリドン
１２００ｇに溶解した。この溶液を−５℃に冷却し、こ
の温度でイソフタル酸ジクロライド１０１．５ｇ（０．
５モル）を温度が２０℃を超えないように添加した。そ
の後室温で３時間攪拌を続けた。得られた反応液をメタ
ノール中に投入して、重合体を単離させた。これを乾燥
した後ジメチルホルムアミドに溶解し、これをメタノー
ル中に投入し、減圧乾燥して精製された芳香族ポリアミ
ド粉末を得た。得られた芳香族ポリアミド粉末６０ｇを
Ｎ−メチル−２−ピロリドン１４０ｇに溶解してワニス
を得た。次に、５０μｍの厚さのポリイミドフィルム
（宇部興産社製ユーピレックスＳ）の表面にプラズマ処
理装置で処理を行った。この時、プラズマ処理条件は装
置内がＡｒ／Ｈｅ=６：４（容積比）になるよう置換
し、圧力を７６０Torrとし、電力密度を１５００ｗ・mi
n／ｍ²とした。このフィルムの両面に前記ワニスを９０
μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、ついで３００
℃で１０分乾燥して厚さ２５μｍの接着剤層が両面につ
いた図１の構成の半導体用接着フィルムを得た。得られ
たフィルムを５．０ｍｍ幅にスリットしてフィルムの端
部を顕微鏡で観察したところ、バリはなく切断性は良好
であった。さらに、このフィルムを短冊状に打ち抜き、
厚さ０．２ｍｍの鉄−ニッケル合金製のリードフレーム
の上に０．２ｍｍ間隔、０．２ｍｍ幅のインナーリード
が当たるように乗せて４００℃で２０Ｋｇ／ｃｍ²の圧
力で３秒間加圧して圧着したところ、バリがないために
接着フィルムとインナーリード間にバリが入り込むこと
なく良好な接着状態が得られた。また、このリードフレ
ームの接着剤層面に半導体素子を３５０℃の温度で２０
Ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３秒間加圧して圧着し、その後、
リードフレームと半導体素子を金線でワイヤボンドして
エポキシ樹脂成形材料でトランスファ成形しモールドし
図２に示すような半導体装置を得た。そのとき、接着フ
ィルムとインナーリード間、接着フィルムと半導体素子
間にバリによる接着不良はなく、ワイヤボンディング性
も良好であった。図２において、３は接着剤層、４はシ
リコンチップ、５はリードフレーム、、６は封止材、７
はボンディングワイヤ、８はバスバーである。

【００１４】実施例２ 温度計、攪拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた５
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−
ビス［４（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
１４３．５ｇ（０．３５モル）、１，３−ビス（アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサン３７．２ｇ（０．
１５モル）、プロピレンオキサイド６９．６ｇ（１．２
モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリドン１２００ｇに
溶解した。この溶液を−５℃に冷却し、この温度でイソ
フタル酸ジクロライド１０１．５ｇ（０．５モル）を温
度が２０℃を超えないように添加した。その後室温で３
時間攪拌を続けた。得られた反応液をメタノール中に投
入して、重合体を単離させた。これを乾燥した後ジメチ
ルホルムアミドに溶解し、これをメタノール中に投入
し、減圧乾燥して精製された芳香族ポリアミド粉末を得
た。得られた芳香族ポリアミド粉末６０ｇをＮ−メチル
−２−ピロリドン１４０ｇに溶解してワニスを得た。次
に、５０μｍの厚さのポリイミドフィルム（宇部興産社
製ユーピレックスＳ）の表面にプラズマ処理装置で処理
を行った。この時、プラズマ処理条件は装置内がＡｒ／
Ｈｅ=６：４（容積比）になるよう置換し、圧力を７６
０Torrとし、電力密度を１５００ｗ・min／ｍ²とした。
このフィルムの両面に前記ワニスを９０μｍの厚さに流
延し、１００℃で１０分、ついで３００℃で１０分乾燥
して厚さ２５μｍの接着剤層が両面についたポリイミド
フィルムを得た。得られたフィルムを５．０ｍｍ幅にス
リットしてフィルムの端部を顕微鏡で観察したところ、
バリはなく切断性は良好であった。さらに、このフィル
ムを短冊状に打ち抜き、厚さ０．２ｍｍの鉄−ニッケル
合金製のリードフレームの上に０．２ｍｍ間隔、０．２
ｍｍ幅のインナーリードが当たるように乗せて４００℃
で２０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３秒間加圧して圧着したと
ころ、バリがないために接着フィルムとインナーリード
間にバリが入り込むことなく良好な接着状態が得られ
た。また、このリードフレームの接着剤層面に半導体素
子を３５０℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３秒間
加圧して圧着し、その後、リードフレームと半導体素子
を金線でワイヤボンドしてエポキシ樹脂成形材料でトラ
ンスファ成形しモールドし図２に示すような半導体装置
を得た。そのとき、接着フィルムとインナーリード間、
接着フィルムと半導体素子間にバリによる接着不良はな
く、ワイヤボンディング性も良好であった。

【００１５】実施例３ 温度計、攪拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた５
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−
ビス［４（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
２０５ｇ（０．５モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリ
ドン１２００ｇに溶解した。この溶液を−１０℃に冷却
し、この温度でトリメリット酸無水物モノクロライド１
０５．３ｇ（０．５モル）を温度が−５℃を超えないよ
うに添加した。トリメリット酸無水物モノクロライドが
溶解したら、トリエチルアミン７６ｇを温度が５℃を超
えないように添加した。室温で１時間攪拌後、１８０℃
で９時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反
応液をメタノール中に投入して、重合体を単離させた。
これを乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解し、これ
をメタノール中に投入し、減圧乾燥して精製された芳香
族ポリアミドイミド粉末を得た。得られた芳香族ポリア
ミドイミド粉末６０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン１
４０ｇに溶解してワニスを得た。次に、５０μｍの厚さ
のポリイミドフィルム（宇部興産社製ユーピレックス
Ｓ）の表面にプラズマ処理装置で処理を行った。この
時、プラズマ処理条件は装置内がＡｒ／Ｈｅ=６：４
（容積比）になるよう置換し、圧力を７６０Torrとし、
電力密度を１５００ｗ・min／ｍ²とした。このフィルム
の両面に前記ワニスを９０μｍの厚さに流延し、１００
℃で１０分、ついで３００℃で１０分乾燥して厚さ２５
μｍの接着剤層が両面についたポリイミドフィルムを得
た。得られたフィルムを５．０ｍｍ幅にスリットしてフ
ィルムの端部を顕微鏡で観察したところ、バリはなく切
断性は良好であった。さらに、このフィルムを短冊状に
打ち抜き、厚さ０．２ｍｍの鉄−ニッケル合金製のリー
ドフレームの上に０．２ｍｍ間隔、０．２ｍｍ幅のイン
ナーリードが当たるように乗せて４００℃で２０Ｋｇ／
ｃｍ²の圧力で３秒間加圧して圧着したところ、バリが
ないために接着フィルムとインナーリード間にバリが入
り込むことなく良好な接着状態が得られた。また、この
リードフレームの接着剤層面に半導体素子を３５０℃の
温度で２０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３秒間加圧して圧着
し、その後、リードフレームと半導体素子を金線でワイ
ヤボンドしてエポキシ樹脂成形材料でトランスファ成形
しモールドし図２に示すような半導体装置を得た。その
とき、接着フィルムとインナーリード間、接着フィルム
と半導体素子間にバリによる接着不良はなく、ワイヤボ
ンディング性も良好であった。図２において、３は接着
剤層、４はシリコンチップ、５はリードフレーム、６は
封止材、７はボンディングワイヤ、８はバスバーであ
る。

【００１６】実施例４ 温度計、攪拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた５
リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−
ビス［４（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
２０５ｇ（０．５モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリ
ドン１２００ｇに溶解した。この溶液を−１０℃に冷却
し、この温度で４，４’−オキシジフタル酸二無水物１
５５ｇ（０．５モル）を温度が−５℃を超えないように
添加した。４，４’−オキシジフタル酸二無水物が溶解
したら、トリエチルアミン７６ｇを温度が５℃を超えな
いように添加した。室温で１時間攪拌後、１８０℃で９
時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液
をメタノール中に投入して、重合体を単離させた。これ
を乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解し、これをメ
タノール中に投入し、減圧乾燥して精製された芳香族ポ
リイミド粉末を得た。得られた芳香族ポリイミド粉末６
０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン１４０ｇに溶解して
ワニスを得た。次に、５０μｍの厚さのポリイミドフィ
ルム（宇部興産社製ユーピレックスＳ）の表面にプラズ
マ処理装置で処理を行った。この時、プラズマ処理条件
は装置内がＡｒ／Ｈｅ=６：４（容積比）になるよう置
換し、圧力を７６０Torrとし、電力密度を１５００ｗ・
min／ｍ²とした。このフィルムの両面に前記ワニスを９
０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、ついで３０
０℃で１０分乾燥して厚さ２５μｍの接着剤層が両面に
ついたポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムを
５．０ｍｍ幅にスリットしてフィルムの端部を顕微鏡で
観察したところ、バリはなく切断性は良好であった。さ
らに、このフィルムを短冊状に打ち抜き、厚さ０．２ｍ
ｍの鉄−ニッケル合金製のリードフレームの上に０．２
ｍｍ間隔、０．２ｍｍ幅のインナーリードが当たるよう
に乗せて４００℃で２０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３秒間加
圧して圧着したところ、バリがないために接着フィルム
とインナーリード間にバリが入り込むことなく良好な接
着状態が得られた。また、このリードフレームの接着剤
層面に半導体素子を３５０℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ²
の圧力で３秒間加圧して圧着し、その後、リードフレー
ムと半導体素子を金線でワイヤボンドしてエポキシ樹脂
成形材料でトランスファ成形しモールドし図２に示すよ
うな半導体装置を得た。そのとき、接着フィルムとイン
ナーリード間、接着フィルムと半導体素子間にバリによ
る接着不良はなく、ワイヤボンディング性も良好であっ
た。

【００１７】実施例５ ５０μｍの厚さのポリイミドフィルム（宇部興産社製ユ
ーピレックスＳ）の表面にプラズマ処理装置で処理を行
った。この時、プラズマ処理条件は装置内がＡｒ／Ｈｅ
=６：４（容積比）になるよう置換し、圧力を７６０Tor
rとし、電力密度を１５００ｗ・min／ｍ²とした。この
フィルムの両面に実施例１〜４のワニスを９０μｍの厚
さに流延し、１００℃で１０分、ついで３００℃で１０
分乾燥して厚さ２５μｍの接着剤層が両面についたポリ
イミドフィルムを得た。得られたフィルムを５．０ｍｍ
幅にスリットしてフィルムの端部を顕微鏡で観察したと
ころ、バリはなく切断性は良好であった。さらに、この
フィルムを短冊状に打ち抜き、厚さ０．２ｍｍの鉄−ニ
ッケル合金製のリードフレームの上に０．２ｍｍ間隔、
０．２ｍｍ幅のインナーリードが当たるように乗せて４
００℃で２０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３秒間加圧して圧着
したところ、バリがないために接着フィルムとインナー
リード間にバリが入り込むことなく良好な接着状態が得
られた。また、このリードフレームの接着剤層面に半導
体素子を３５０℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３
秒間加圧して圧着し、その後、リードフレームと半導体
素子を金線でワイヤボンドしてエポキシ樹脂成形材料で
トランスファ成形しモールドし図２に示すような半導体
装置を得た。そのとき、接着フィルムとインナーリード
間、接着フィルムと半導体素子間にバリによる接着不良
はなく、ワイヤボンディング性も良好であった。

【００１８】実施例６ ５０μｍの厚さのポリイミドフィルム（宇部興産社製ユ
ーピレックスＳ）の表面にプラズマ処理装置で処理を行
った。この時、プラズマ処理条件は装置内がＡｒ／Ｈｅ
=８：２（容積比）になるよう置換し、圧力を２０Torr
とし、電力密度を１５００ｗ・min／ｍ²とした。このフ
ィルムの両面に実施例１〜４のワニスを９０μｍの厚さ
に流延し、１００℃で１０分、ついで３００℃で１０分
乾燥して厚さ２５μｍの接着剤層が両面についたポリイ
ミドフィルムを得た。得られたフィルムを５．０ｍｍ幅
にスリットしてフィルムの端部を顕微鏡で観察したとこ
ろ、バリはなく切断性は良好であった。さらに、このフ
ィルムを短冊状に打ち抜き、厚さ０．２ｍｍの鉄−ニッ
ケル合金製のリードフレームの上に０．２ｍｍ間隔、
０．２ｍｍ幅のインナーリードが当たるように乗せて４
００℃で２０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３秒間加圧して圧着
したところ、バリがないために接着フィルムとインナー
リード間にバリが入り込むことなく良好な接着状態が得
られた。また、このリードフレームの接着剤層面に半導
体素子を３５０℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３
秒間加圧して圧着し、その後、リードフレームと半導体
素子を金線でワイヤボンドしてエポキシ樹脂成形材料で
トランスファ成形しモールドし図２に示すような半導体
装置を得た。そのとき、接着フィルムとインナーリード
間、接着フィルムと半導体素子間にバリによる接着不良
はなく、ワイヤボンディング性も良好であった。

【００１９】実施例７ ５０μｍの厚さのポリイミドフィルム（宇部興産社製ユ
ーピレックスＳ）の表面にプラズマ処理装置で処理を行
った。この時、プラズマ処理条件は装置内がＡｒ／Ｈｅ
=６：４（容積比）になるよう置換し、圧力を７６０Tor
rとし、電力密度を１５００ｗ・min／ｍ²とした。この
フィルムの片面に実施例１〜４のワニスを９０μｍの厚
さに流延し、１００℃で１０分、ついで３００℃で１０
分乾燥して厚さ２５μｍの接着剤層が片面についたポリ
イミドフィルムを得た。得られたフィルムを５．０ｍｍ
幅にスリットしてフィルムの端部を顕微鏡で観察したと
ころ、バリはなく切断性は良好であった。さらに、この
フィルムを短冊状に打ち抜き、厚さ０．２ｍｍの鉄−ニ
ッケル合金製のリードフレームの上に０．２ｍｍ間隔
０．２ｍｍ幅のインナーリードが当たるように乗せて４
００℃で２０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３秒間加圧して圧着
したところ、バリがないために接着フィルムとインナー
リード間にバリが入り込むことなく良好な接着状態が得
られた。

【００２０】実施例８ ２５μｍの厚さのポリイミドフィルム（宇部興産社製ユ
ーピレックスＳ）の表面にプラズマ処理装置で処理を行
った。この時、プラズマ処理条件は装置内がＡｒ／Ｈｅ
=６：４になるよう置換し、圧力を７６０Torrとし、電
力密度を１５００ｗ・min／ｍ²とした。このフィルムの
両面に実施例１〜４のワニスを４０μｍの厚さに流延
し、１００℃で１０分、ついで３００℃で１０分乾燥し
て厚さ１２μｍの接着剤層が片面についたポリイミドフ
ィルムを得た。得られたフィルムを５．０ｍｍ幅にスリ
ットしてフィルムの端部を顕微鏡で観察したところ、バ
リはなく切断性は良好であった。さらに、このフィルム
を短冊状に打ち抜き、厚さ０．２ｍｍの鉄−ニッケル合
金製のリードフレームの上に０．２ｍｍ間隔、０．２ｍ
ｍ幅のインナーリードが当たるように乗せて４００℃で
２０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３秒間加圧して圧着したとこ
ろ、バリがないために接着フィルムとインナーリード間
にバリが入り込むことなく良好な接着状態が得られた。
また、このリードフレームの接着剤層面に半導体素子を
３５０℃の温度で２０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３秒間加圧
して圧着し、その後、リードフレームと半導体素子を金
線でワイヤボンドしてエポキシ樹脂成形材料でトランス
ファ成形しモールドし図２に示すような半導体装置を得
た。そのとき、接着フィルムとインナーリード間、接着
フィルムと半導体素子間にバリによる接着不良はなく、
ワイヤボンディング性も良好であった。

【００２１】比較例１ 実施例１〜４において、基材の表面処理をプラズマ処理
から化学処理に変更する以外は実施例１〜４と同じにし
て接着フィルムを作製した。化学処理はシラン系カップ
リング剤の７重量％メタノール溶液を表面処理剤として
基材の表面にロールコータで塗布し、それを２００℃で
５分間乾燥させることにより行った。得られたフィルム
を５．０ｍｍ幅にスリットしてフィルムの端部を顕微鏡
で観察したところ、実施例１〜４では見られなかったバ
リが発生していた。さらに、このフィルムを短冊状に打
ち抜き、厚さ０．２ｍｍの鉄−ニッケル合金製のリード
フレームの上に０．２ｍｍ間隔０．２ｍｍ幅のインナー
リードが当たるように乗せて４００℃で２０Ｋｇ／ｃｍ
²の圧力で３秒間加圧して圧着したところ、バリのため
に良好な接着状態が得られなかった。また、このリード
フレームの接着剤層面に半導体素子を３５０℃の温度で
２０Ｋｇ／ｃｍ²の圧力で３秒間加圧して圧着し、その
後、リードフレームと半導体素子を金線でワイヤボンド
してエポキシ樹脂成形材料でトランスファ成形しモール
ドし図２に示すような半導体装置を得た。そのとき、接
着フィルムとインナーリード間、接着フィルムと半導体
素子間にバリによる接着不良が起こり、ワイヤボンディ
ング性も悪かった。

【００２２】比較例２ 実施例１〜４において、５０μｍの厚さの表面処理をし
ていないポリイミドフィルム（宇部興産社製ユーピレッ
クスＳ）を基材フィルムとした以外は実施例１〜４と同
じにして接着フィルムを作製した。得られたフィルムを
５．０ｍｍ幅にスリットしたところ、全てのフィルムに
おいて支持フィルムと接着剤層の剥離が起きた。そのた
め、リードフレーム及び半導体素子への接着ができなか
った。比較例１，２からわかるように、支持フィルムの
表面処理をしないまたはプラズマ処理以外の方法にする
と、接着フィルムのスリット時に基材フィルムと接着剤
が剥離するかバリが発生する。そのため、リードフレー
ム及び半導体素子との接着が効率よくできない。

【００２３】

【発明の効果】本発明になる半導体用接着フィルムはフ
ィルムの切断時にバリが出ないため、作業性、歩留まり
がよく、半導体の製造に有用である。また、このような
接着フィルムはリードフレーム及び半導体を製造する材
料として有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体用接着フィルムの断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 支持フィルム ２ 接着剤層

【図２】本発明の半導体用接着フィルムを使用した半導
体装置の断面図である。

【符号の説明】

３ 接着剤層 ４ シリコンチップ ５ リードフレーム ６ 封止材 ７ ボンディングワイヤ ８ バスバー

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｊ 7/02 Ｃ０９Ｊ 7/02 Ｚ 177/10 177/10 179/08 179/08 Ｚ Ｂ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表面がプラズマ処理された耐熱性フィルム
   を支持フィルムとして、その片面または両面にアミド
   基、エステル基、イミド基またはエーテル基を生成する
   反応により得られる耐熱性熱可塑樹脂を接着剤層として
   コーティングして得られる切断性に優れた半導体用接着
   フィルム。
2. 【請求項２】支持フィルムが、ポリイミド樹脂である請
   求項１記載の半導体用接着フィルム。
3. 【請求項３】請求項１または２記載の半導体用接着フィ
   ルムを貼り付けたリードフレーム。
4. 【請求項４】リードフレームと半導体素子とを請求項１
   または２記載の半導体用接着フィルムを介して接着させ
   てなる半導体装置。