JP3411709B2 - 複合接着シートの製造法 - Google Patents

複合接着シートの製造法

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JP3411709B2
JP3411709B2 JP05021395A JP5021395A JP3411709B2 JP 3411709 B2 JP3411709 B2 JP 3411709B2 JP 05021395 A JP05021395 A JP 05021395A JP 5021395 A JP5021395 A JP 5021395A JP 3411709 B2 JP3411709 B2 JP 3411709B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップをリード
フレームに接着するに際し、特に適する接着部材として
の複合接着シートの製造法に関する。特に、本発明は、
半導体パッケージ、特にLOC(Lead on Chip)構造パッ
ケージにおいて、吸湿後のはんだリフロー時の耐パッケ
ージクラック性が優れ、かつ成形性も良好な耐熱性接着
剤を使用した接着部材としての複合接着シートの製造法
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体用リードフレームとチップ
の接続には、エポキシ系の熱硬化性接着剤や耐熱性ホッ
トメルト接着剤が使用されていた。近年、チップが大き
くなるにつれ、パッケージ中に占めるチップの割合が高
くなってきた。そのため接着剤や封止材が吸湿した場
合、はんだ接続時の熱により吸湿された水分が膨張し、
その結果パッケージにクラックが生じる現象が多発する
ようになった。この現象を防止するため、接着剤を高温
で流れ難くすることも考えられるが、接着剤を流れ難く
すると耐パッケージクラック性は良くなるが、リードフ
レームやチップに対する濡れ性が悪くなる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、耐パッケー
ジクラック性に優れるうえに、リードフレームやチップ
に対する濡れ性にも優れた耐熱性接着剤を使用した接着
部材である複合接着シートの製造法を提供するものであ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
をリードフレームに接着部材で接着し、少なくとも半導
体チップ、半導体チップとリードフレームの接着部を封
止材で封止して半導体パッケージを製造するための接着
部材としての複合シートであって、耐熱性樹脂とポリナ
ジイミドを含んでなる耐熱性接着剤ワニスを耐熱フィル
ム上に塗布した後、残存溶剤量2%以下、はみ出し長さ
1μm〜2mmとなるように加熱乾燥することを特徴と
する複合接着シートの製造法を提供するものである。
【0005】本発明において、用いられる特定の接着剤
のうち耐熱性樹脂成分は、ガラス転移温度150〜35
0℃、吸水率3%以下、はみ出し長さ2mm以下のもの
が好ましい。材料はポリアミド、ポリイミド、その他の
エンジニアリングプラスチック等、特に制限はないが、
ポリアミドおよびポリイミドが好ましい。ここでポリイ
ミドとはポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリ
エーテルイミド等のイミド基を有する樹脂を含む。
【0006】ガラス転移温度は好ましくは170〜30
0℃、より好ましくは200〜290℃である。樹脂の
流動性を表すはみ出し長さは2mm以下、好ましくは1
mm以下、より好ましくは0.5mm以下である。はみ
出し長さは19×50mm、厚さ25μmの接着剤フィ
ルムを350℃、3MPa、1分の条件でプレスした
際、はみ出た接着剤の長さを長辺方向の中央部で測定し
て、はみ出し長さとする。ガラス転移温度が200℃よ
り低い場合、あるいは、はみ出し長さが1mmより多い
場合には吸水率が1.5wt%より少ないことが望まし
い。
【0007】本発明に用いられる耐熱性樹脂成分は、ポ
リイミドまたはポリアミド単独でも良いが、接着力の点
からはアミド基を含むほうが良い。アミド基はイミド基
及びアミド基の合計の10〜90モル%が良く、好まし
くは20〜70モル%、より好ましくは30〜50モル
%である。10%より少ないと接着力が小さく、90%
より多いと吸水率が大きくなる。
【0008】本発明に用いられる耐熱性樹脂成分は、酸
無水物またはジカルボン酸またはそのアミド形成性誘導
体とジアミンまたはジイソシアネートとから合成され
る。本発明において用いられるジアミンとしては、パラ
フェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、メタト
ルイレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルエー
テル(DDE)、4,4’−ジアミノジフェニルメタ
ン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’
−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノベ
ンゾフェノン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、
1,4−ビス(4−アミノクミル)ベンゼン(BA
P)、1,3−ビス(4−アミノクミル)ベンゼン、
1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,
4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−
ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2−ビス
[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
(BAPP)、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノ
キシ)フェニル]プロパン、ビス[4−(3−アミノフ
ェノキシ)フェニル]スルホン(m−APPS)、ビス
[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、
2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、および
【化1】の一般式(1)で表されるジアミン、
【化2】の一般式(2)で表されるシロキサンジアミン
等が挙げられる。
【0009】
【化1】 〔化1においてYは、アミノ基またはイソシアネート基
を示し、R11、R12、R13、R14はそれぞれ独立に水素
もしくは炭素数の1〜4のアルキル基またはアルコキシ
基であって、これらのうち少なくとも2個以上はアルキ
ル基またはアルコキシ基であり、Xは−CH2 −、−C
(CH3 2 −、−O−、−SO2 −、−CO−または
−NHCO−で表される基である。
【0010】
【化2】 〔化2においてR15およびR18は、2価の有機基、R16
およびR17は1価の有機基であり、mは1〜100の整
数である。〕
【0011】上記一般式(2)で表されるシロキサンジ
アミンにおいて、一般式(2)中のR15およびR18とし
てはそれぞれ独立にトリメチレン基、テトラメチレン
基、フェニレン基、トルイレン基等があり、R16および
17としてはそれぞれ独立にメチル基、エチル基、フェ
ニル基等があり、複数個のR16および複数個のR17はそ
れぞれ同一でも異なっていてもよい。一般式(2)にお
いて、R15およびR18がどちらもトリメチレン基であ
り、R16およびR17がどちらもメチル基である場合に、
mが1のもの、平均10前後のもの、平均20前後のも
の、平均30前後のもの、平均50前後のものおよび平
均100前後のものは、それぞれLPー7100、X−
22−161AS,X−22−161A、X−22−1
61B、X−22−161CおよびX−22−161E
(いずれも信越化学工業株式会社商品名)として市販さ
れている。ジイソシアネートとしては、上記に例示した
ジアミンにおいて、アミノ基をイソシアネート基に換え
たものを例示することができる。
【0012】酸無水物としては、無水トリメリット酸、
ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,2−ビスフタル酸ヘキサフルオロイソプロピリ
デン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
エーテル二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)スルホン二無水物(DSDA)、4,4’−ビス
(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルホ
ン二無水物、2,2−ビス[4−(3,4−ジカルボキ
シフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、エチレン
グリコールビストリメリテート二無水物(EBTA)、
デカメチレングリコールビストリメリテート二無水物
(DBTA)、ビスフェノールAビストリメリテート二
無水物(BABT)、2,2−ビス[4−(3,4−ジ
カルボキシフェニルベンゾイルオキシ)フェニル]ヘキ
サフルオロプロパン二無水物、4,4’−[1,4−フ
ェニレンビス(1−メチルエチリデン)]ビスフェニル
ビストリメリテート二無水物等が挙げられる。これらの
なかでは、無水トリメリット酸、DSDAが好ましい。
ジカルボン酸またはそのアミド形成性誘導体としては、
テレフタル酸、イソフタル酸、ビフェニルカルボン酸、
フタル酸、ナフタレンジカルボン酸、ジフェニルエーテ
ルジカルボン酸等があり、これらのジカルボン酸のアミ
ド形成性誘導体としては、これらのジカルボン酸のジク
ロリド、ジアルキルエステル等がある。また、ジアミ
ン、ジカルボン酸の一部をアミノ安息香酸等のアミノカ
ルボン酸で置き換えてもよい。
【0013】これらのジアミン、酸無水物、ジカルボン
酸の中から、得られる樹脂のTgが150℃以上になる
ようにモノマーを適宜選択すればよい。ポリイミドとポ
リアミドを混合する場合には、混合後の接着剤のTgが
150℃以上になればよい。ポリイミドはポリアミド酸
の熱または化学閉環によって得られる。本発明において
用いられるワニスは、必ずしも100%イミド化されて
いなくてもよいが、完全にイミド化されていることが望
ましい。
【0014】本発明において用いられるポリナジイミド
としては、N,N’−(4,4’−ジフェニルメタン)
ビスナジイミド、N,N’−(4,4’−ジフェニルオ
キシ)ビスナジイミド、N,N’−ヘキサメチレンビス
ナジイミド、N,N’−m−ベンジリデンビスナジイミ
ド、オリゴ(アニリン−ホルムアルデヒド)樹脂のポリ
ナジイミド、N,N’−(4,4’−ジフェニルメタ
ン)ビスアリルナジイミド、N,N’−ヘキサメチレン
ビスアリルナジイミド、N,N’−m−ベンジリデンビ
スアリルナジイミド等があり、単一でまたは二種以上混
合して使用される。
【0015】耐熱性樹脂とポリナジイミドの混合割合
は、目的に応じて適宜決定されるが、ポリナジイミドを
耐熱性樹脂100重量部に対して、5〜180重量部で
用いるのが好ましい。ポリナジイミドが少なすぎると流
動性および硬化が十分でなく、多すぎると樹脂組成物が
脆くなる。特に自己支持性のフィルムを製造する場合、
可とう性を十分保有させる点で、ポリナジイミドは耐熱
性樹脂100重量部に対して、100重量部以下の割合
で用いるのが特に好ましい。
【0016】本発明において用いられる接着剤には、ポ
リナジイミドの硬化促進剤やエポキシ樹脂、硬化剤、硬
化促進剤等を添加して用いてもよい。またセラミック
粉、ガラス粉、銀粉、銅粉等のフィラーやカップリング
剤を添加してもよい。
【0017】本発明の複合接着シートは、表面処理した
耐熱フィルムの片側または両側に耐熱性樹脂と、ポリナ
ジイミドを含んでなる耐熱性接着剤ワニスを塗布した
後、加熱することによって得られる。
【0018】本発明において用いられる耐熱フィルム
は、ポリイミド、ポリアミドや、ポリサルフォン、ポリ
フェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリアリレート等のエンジニアリングプラスチック
等のフィルムが挙げられるが、ガラス転移温度(T
g)、吸水率、熱膨張係数の点からポリイミドフィルム
が好ましい。Tgが250℃以上、吸水率が2%以下、
熱膨張係数が3×10-5℃-1以下のフィルムが特に好ま
しい。
【0019】耐熱フィルムは、接着剤との接着力を増す
ために表面処理が必要である。表面処理の方法として
は、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処
理、サンドブラスト等の物理処理、プラズマ処理、コロ
ナ処理等のいずれの処理も使用可能であるが、接着剤の
種類に応じて最も適した処理を用いればよい。本発明の
接着剤については、化学処理またはプラズマ処理が特に
適している。
【0020】耐熱性接着剤ワニスを耐熱フィルムに塗布
する方法は、特に制限はない。ドクターブレードやナイ
フコーター、ダイコーター等いずれの方法で塗布しても
よい。また、ワニス中にフィルムを通して塗工してもよ
いが、厚みの制御が難しいので好ましくはない。接着剤
を塗布したフィルムを溶剤の除去やイミド化のために熱
処理するが、加熱温度はポリアミド酸ワニスであるかポ
リイミドワニスであるかで異なる。ポリアミド酸ワニス
の場合には、イミド化させるためにTg以上の温度が必
要であるが、イミドワニスの場合には、溶剤が除去でき
る温度であればよい。加熱温度は使用溶剤、添加ポリナ
ジイミドの種類等によって異なるが、残存溶剤量2%以
下、はみ出し長さ1μm〜2mmとなるように加熱乾燥
することが必要である。残存溶剤量が2%より多いと貼
りつけ時に発泡が起り、好ましくない。また、はみ出し
長さが2mmより多いと耐パッケージクラック性が悪く
なり、1μmより少ないと濡れが不十分となる。残存溶
剤量は、厚さ25μmの接着剤単独フィルムを250℃
で30分加熱乾燥した前後の重量減少から算出する。接
着剤と耐熱フィルムの接着力を向上させるためには、2
50℃以上の温度で熱処理することが好ましい。
【0021】本発明の複合接着シートは、リードフレー
ム、セラミック板、金属板、金属箔、プラスチックフィ
ルム、プラスチック板、積層板等の被着体に重ねるか、
被着体の間に挟んで接着剤の溶融温度以上の温度で加
熱、加圧することによって接着される。
【0022】
【実施例】
実施例1 攪拌機、温度計、窒素ガス導入管、塩化カルシウム管を
備えた四つ口フラスコに、ビス[4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル]スルホン(p−APPS)を4.3
2g(10ミリモル)およびN,Nージメチルホルムア
ミド(DMF)23.7gを入れ、溶解した。次に、5
℃を越えないように冷却しながらビス(3,4−ジカル
ボキシフェニル)スルホン二無水物(DSDA)3.5
8g(10ミリモル)、を少しずつ加えた後、5℃を越
えないように冷却しながら1時間、次いで、室温で6時
間反応させてポリアミド酸を合成した。得られたポリア
ミド酸のワニスに無水酢酸2.55gおよびピリジン
1.98gを加え、室温で3時間反応させてポリイミド
を合成した。得られたポリイミドのワニスを水に注いで
得られる沈殿を分離、粉砕、乾燥してポリイミド粉末を
得た。このポリイミド粉末をDMFに0.1g/dlの
濃度で溶解し、30℃で測定したときの還元粘度は0.
87dl/gであった。このポリイミド粉末をDMFに
溶解し、得られたワニスをガラス板上に流延した。10
0℃で10分乾燥した後、剥離し、鉄枠にとめて250
℃で1時間乾燥してフィルムを得た。このようにして得
られたフィルムを用いて、ペネトレーション法により、
荷重25kg/cm2 、昇温速度10℃/分の条件で、
ポリイミドのガラス転移温度(Tg)を測定したところ
270℃であった。フィルムを25℃の水中に24時間
浸漬したときの吸水率は、2.3%であった。19×5
0mm、厚さ25μmの接着剤フィルムを350℃、3
MPa、1分の条件でプレスし、はみ出た接着剤の長さ
を長辺方向の中央部で測定したはみ出し長さは0.01
mmであった。上記ポリイミド粉末100gとN,N’
−ヘキサメチレンビスアリルナジイミド50gをNMP
400gに溶解して得たワニスをプラズマ処理したユー
ピレックスSフィルム(宇部興産(株)製ポリイミドフ
ィルム)上に塗布した後、100℃で10分、さらに2
75℃で10分乾燥して複合接着シートを得た。この複
合接着シートのはみ出し長さは0.6mmで、残存溶剤
量は0.2%であった。この複合接着シートを接着部材
として用いて、375℃、3MPdaの条件で、図1の
ように半導体チップをリードフレームに貼りつけたとこ
ろ、リードフレームやチップに対する接着剤の濡れは十
分であった。なお、封止材でモールドしたパッケージを
85℃、85%RHの条件で48h吸湿処理した後、2
45℃の赤外線炉で、はんだリフローを行ったところク
ラックは発生しなかった。図1に於いて、1は接着部
材、2は半導体チップ、3はリードフレーム、4はワイ
ヤ、5は封止材である。
【0023】比較例1 N,N’−ヘキサメチレンビスアリルナジイミドを添加
せずに、実施例1のポリイミドのみを用いて、実施例1
と同様にして複合接着シートを作製した。この複合接着
シートを接着部材として用いて実施例1と同様にして貼
りつけたところ、リードフレームやチップに対する接着
剤の濡れは不十分であった。なお、400℃で貼りつけ
た後、モールドしたパッケージを実施例1と同様にし
て、はんだリフローを行ったところクラックは発生しな
かった。
【0024】実施例2 4,4’−ジアミノ−3,3’,5,5’−テトライソ
プロピルジフェニルメタン(IPDDM)1.83g
(5ミリモル)、2,2−ビス[4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)2.05g
(5ミリモル)をNMP30gに溶解し、トリエチルア
ミン0.50g(5ミリモル)を添加した後、5℃以下
に冷やしながら無水トリメリット酸クロリド2.14g
(10ミリモル)を少しづつ添加した。5℃以下で5時
間反応した後、無水酢酸、ピリジンを添加して実施例1
と同様にしてポリアミドイミド粉末を得た。このポリア
ミドイミドの還元粘度は0.57dl/g,Tgは250℃
であった。また、吸水率は1.0%で、はみ出し長さは
0.3mmであった。N,N’−(4,4’−ジフェニ
ルメタン)ビスアリルナジイミド30gを用い、300
℃で10分乾燥する以外は、実施例1と同様にして複合
接着シートを作製した。この複合接着シートのはみ出し
長さは0.6mmで、残存溶剤量は0.05%であっ
た。この複合接着シートを接着部材として用いて、実施
例1と同様にして半導体チップをリードフレームに貼り
つけたところ、接着剤の濡れは十分であった。なお、封
止材でモールドしたパッケージを実施例1と同様に、は
んだリフローを行ったところクラックは発生しなかっ
た。
【0025】実施例3 ジアミン成分としてBAPP3.69g(9ミリモ
ル)、LP−7100を0.25g(1ミリモル)を用
いる以外は、実施例2と同様にしてポリアミドイミドを
得た。このポリアミドイミドの還元粘度は0.80dl
/g、Tgは215℃であった。また、吸水率は1.5
%で、はみ出し長さは0.4mmであった。上記ポリア
ミドイミド粉末100gとN,N’−(4,4’−ジフ
ェニルメタン)ビスアリルナジイミド30gをDMF4
00gに溶解して得たワニスをシランカップリング剤処
理したユーピレックスSフィルム上に塗布した後、10
0℃で10分、さらに275℃で10分乾燥して複合接
着シートを得た。この複合接着シートのはみ出し長さは
1.0mmで、残存溶剤量は0.15%であった。この
複合接着シートを接着部材として用いて、実施例1と同
様にして半導体チップをリードフレームに貼りつけたと
ころ、接着剤の濡れは十分であった。なお、封止材でモ
ールドしたパッケージを実施例1と同様に、はんだリフ
ローを行ったところクラックは発生しなかった。
【0026】実施例4 N,N’−m−ベンジリデンビスアリルナジイミドを2
0g用いる以外は、実施例3と同様にして複合接着シー
トを得た。この複合接着シートのはみ出し長さは0.7
mmで、残存溶剤量は0.15%であった。この複合接
着シートを接着部材として用いて、実施例1と同様にし
て半導体チップをリードフレームに貼りつけたところ、
接着剤の濡れは十分であった。なお、封止材でモールド
したパッケージを実施例1と同様に、はんだリフローを
行ったところクラックは発生しなかった。
【0027】
【発明の効果】本発明の複合接着シートは、半導体パッ
ケージの吸湿後のはんだリフロー時の耐パッケージクラ
ック性を悪化させることなく、成形性を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体パッケージの断面図である。
【符号の説明】
1 接着部材 2 半導体チップ 3 リードフレーム 4 ワイヤ 5 封止材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C09J 179/08 C09J 179/08 H01L 21/56 H01L 21/56 Z (56)参考文献 特開 平6−248241(JP,A) 特開 平2−88675(JP,A) 特開 平4−291950(JP,A) 特開 平8−245942(JP,A) 特開 昭62−235383(JP,A) 特開 平2−92910(JP,A) 特開 平5−59342(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/52 C08L 79/08 C09J 7/02 C09J 179/08 H01L 21/56

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップをリードフレームに接着部材
    で接着し、少なくとも半導体チップ、半導体チップとリ
    ードフレームの接着部を封止材で封止して、半導体パッ
    ケージを製造するための接着部材としての複合接着シー
    トであって、耐熱性樹脂とポリナジイミドを含んでなる
    耐熱性接着剤ワニスを耐熱フィルム上に塗布した後、残
    存溶剤量2%以下、はみ出し長さ1μm〜2mmとなる
    ように加熱乾燥することを特徴とする複合接着シートの
    製造法。
  2. 【請求項2】耐熱性樹脂が、ガラス転移温度150〜3
    50℃、吸水率3%以下、はみ出し長さ2mm以下の耐
    熱性樹脂であることを特徴とする請求項1記載の複合接
    着シートの製造法。
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