JP2002088325A - 半導体用接着フィルムの製造方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体用接着フィルムの製造方法及び半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容易な工程による半導体用接着フィルムの製
造方法及びこれを用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】 （１）１８０℃での貯蔵弾性率が０．１
〜１０ＭＰａで損失弾性率のピーク温度が−８０〜５０
℃である熱可塑性接着剤の層を基材に形成して単層の接
着フィルムを作製する工程及び（２）耐熱性フィルムの
両面に前記接着フィルムの接着剤層面を重ね合わせて、
熱可塑性接着剤の損失弾性率のピーク温度より５０〜２
００℃高い温度で圧着する工程からなる半導体用接着フ
ィルムの製造方法及びこのフィルムを用いた半導体装
置。
造方法及びこれを用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】 （１）１８０℃での貯蔵弾性率が０．１
〜１０ＭＰａで損失弾性率のピーク温度が−８０〜５０
℃である熱可塑性接着剤の層を基材に形成して単層の接
着フィルムを作製する工程及び（２）耐熱性フィルムの
両面に前記接着フィルムの接着剤層面を重ね合わせて、
熱可塑性接着剤の損失弾性率のピーク温度より５０〜２
００℃高い温度で圧着する工程からなる半導体用接着フ
ィルムの製造方法及びこのフィルムを用いた半導体装
置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体用接着フィ
ルムの製造方法及び半導体装置に関する。
ルムの製造方法及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体チップをセラミック基板等
の実装用基板、リードフレーム、銅板等の放熱板に接着
する接着剤として、銀ペーストに代表される液状の接着
剤が使われているが、銀フィラーの分散が均一でないこ
と、ペーストの保存安定性に留意しなければならないこ
と、半導体チップ実装の作業性がＬＯＣ等に比較して劣
ること等の問題から、近年、接着フィルムの需要が高ま
っている。
の実装用基板、リードフレーム、銅板等の放熱板に接着
する接着剤として、銀ペーストに代表される液状の接着
剤が使われているが、銀フィラーの分散が均一でないこ
と、ペーストの保存安定性に留意しなければならないこ
と、半導体チップ実装の作業性がＬＯＣ等に比較して劣
ること等の問題から、近年、接着フィルムの需要が高ま
っている。
【０００３】接着フィルムは、接着剤層のみからなる単
層のものと、支持フィルムの両面に接着剤層を形成した
３層のものに大別できる。単層のものは、伸びたり、打
ち抜き性に劣る等して取扱いが困難であるため、３層の
接着フィルムが好まれる。支持フィルムの両面に熱可塑
性接着剤層を有する３層の接着フィルムは、一般的に、
支持フィルムの両面に熱可塑性接着剤のワニスを塗布、
乾燥することにより製造される。しかしながら、熱可塑
性接着剤が乾燥温度付近でタック性を有する場合や損失
弾性率のピーク温度（Ｔｇ）が乾燥温度よりも著しく低
い場合、この方法での３層の接着フィルムの製造は、乾
燥炉の中で接着剤がロールに付着する等して困難であっ
た。
層のものと、支持フィルムの両面に接着剤層を形成した
３層のものに大別できる。単層のものは、伸びたり、打
ち抜き性に劣る等して取扱いが困難であるため、３層の
接着フィルムが好まれる。支持フィルムの両面に熱可塑
性接着剤層を有する３層の接着フィルムは、一般的に、
支持フィルムの両面に熱可塑性接着剤のワニスを塗布、
乾燥することにより製造される。しかしながら、熱可塑
性接着剤が乾燥温度付近でタック性を有する場合や損失
弾性率のピーク温度（Ｔｇ）が乾燥温度よりも著しく低
い場合、この方法での３層の接着フィルムの製造は、乾
燥炉の中で接着剤がロールに付着する等して困難であっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題を解決する半導体用接着フィルムの製造方法及びこれ
を用いた半導体装置を提供するものである。
題を解決する半導体用接着フィルムの製造方法及びこれ
を用いた半導体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記の半導体
用接着フィルムの製造方法及び半導体装置に関する。 （１）１８０℃での貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａで
損失弾性率のピーク温度が−８０〜５０℃である熱可塑
性接着剤の層を基材に形成して単層の接着フィルムを作
製する工程及び（２）耐熱性フィルムの両面に前記接着
フィルムの接着剤層面を重ね合わせて、熱可塑性接着剤
の損失弾性率のピーク温度より５０〜２００℃高い温度
で圧着する工程からなる半導体用接着フィルムの製造方
法。 （２）圧着温度が１８０℃以下である（１）に記載の半
導体用接着フィルムの製造方法。 （３）熱可塑性接着剤が、テトラカルボン酸二無水物と
ジアミン又はジイソシアナートとポリエステルとを反応
させて得られる共重合体を含む（１）に記載の半導体用
接着フィルムの製造方法。 （４）熱可塑性接着剤が、テトラカルボン酸二無水物と
ジアミン又はジイソシアナートとポリエーテルとを反応
させて得られる共重合体を含む（１）に記載の半導体用
接着フィルムの製造方法。 （５）（１）〜（４）のいずれかの製造方法によって得
られた半導体用接着フィルムを用いた半導体装置。
用接着フィルムの製造方法及び半導体装置に関する。 （１）１８０℃での貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａで
損失弾性率のピーク温度が−８０〜５０℃である熱可塑
性接着剤の層を基材に形成して単層の接着フィルムを作
製する工程及び（２）耐熱性フィルムの両面に前記接着
フィルムの接着剤層面を重ね合わせて、熱可塑性接着剤
の損失弾性率のピーク温度より５０〜２００℃高い温度
で圧着する工程からなる半導体用接着フィルムの製造方
法。 （２）圧着温度が１８０℃以下である（１）に記載の半
導体用接着フィルムの製造方法。 （３）熱可塑性接着剤が、テトラカルボン酸二無水物と
ジアミン又はジイソシアナートとポリエステルとを反応
させて得られる共重合体を含む（１）に記載の半導体用
接着フィルムの製造方法。 （４）熱可塑性接着剤が、テトラカルボン酸二無水物と
ジアミン又はジイソシアナートとポリエーテルとを反応
させて得られる共重合体を含む（１）に記載の半導体用
接着フィルムの製造方法。 （５）（１）〜（４）のいずれかの製造方法によって得
られた半導体用接着フィルムを用いた半導体装置。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明において、単層の接着フィ
ルムは１８０℃での貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａで
損失弾性率のピーク温度が−８０〜５０℃である熱可塑
性接着剤を適当な有機溶剤に溶解して接着剤ワニスと
し、基材に接着剤ワニスを塗布した後、乾燥して有機溶
剤を除去することにより得られる。図１に単層の接着フ
ィルムの構成を示す。図において１は熱可塑性接着剤
層、２は基材である。
ルムは１８０℃での貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａで
損失弾性率のピーク温度が−８０〜５０℃である熱可塑
性接着剤を適当な有機溶剤に溶解して接着剤ワニスと
し、基材に接着剤ワニスを塗布した後、乾燥して有機溶
剤を除去することにより得られる。図１に単層の接着フ
ィルムの構成を示す。図において１は熱可塑性接着剤
層、２は基材である。
【０００７】熱可塑性接着剤を構成する樹脂としては、
ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性
ポリフェニレンエーテル、熱可塑性ポリエステル、ポリ
テトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂、ポリフェニレ
ンスルフィド、ポリスルホン、非晶質ポリアリレート、
ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエー
テルケトン、液晶ポリエステル、ポリアミドイミド、ポ
リエーテルアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエ
ステルアミドイミド、ポリイミド、ポリアリルエートル
ニトリル、ポリベンゾイミダゾール等があるが、テトラ
カルボン酸二無水物とジアミン又はジイソシアナートと
ポリエステルとを反応させて得られる共重合体及びテト
ラカルボン酸二無水物とジアミン又はジイソシアナート
とポリエーテルとを反応させて得られる共重合体が好ま
しい。
ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性
ポリフェニレンエーテル、熱可塑性ポリエステル、ポリ
テトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂、ポリフェニレ
ンスルフィド、ポリスルホン、非晶質ポリアリレート、
ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエー
テルケトン、液晶ポリエステル、ポリアミドイミド、ポ
リエーテルアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエ
ステルアミドイミド、ポリイミド、ポリアリルエートル
ニトリル、ポリベンゾイミダゾール等があるが、テトラ
カルボン酸二無水物とジアミン又はジイソシアナートと
ポリエステルとを反応させて得られる共重合体及びテト
ラカルボン酸二無水物とジアミン又はジイソシアナート
とポリエーテルとを反応させて得られる共重合体が好ま
しい。
【０００８】テトラカルボン酸二無水物としては、ピロ
メリット酸二無水物、３，３′,４，４′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、３，３′,４，４′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビスフ
タル酸ヘキサフルオロイソプロピリデン二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、
４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジ
フェニルスルホン二無水物、２，２−ビス［４−（３，
４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無
水物、エチレングリコールビストリメリテート二無水物
（ＥＢＴＡ）、デカメチレングリコールビストリメリテ
ート二無水物（ＤＢＴＡ）、ビスフェノールＡビストリ
メリテート二無水物（ＢＡＢＴ）、２，２−ビス［４−
（３，４−ジカルボキシフェニルベンゾイルオキシ）フ
ェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４′−
［１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］
ビスフェニルビストリメリテート二無水物等が使用で
き、２種以上を併用してもよい。これらのテトラカルボ
ン酸二無水物は、遊離酸（テトラカルボン酸）、ジエス
テル、ジクロライド等の誘導体を使用することもでき
る。
メリット酸二無水物、３，３′,４，４′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、３，３′,４，４′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビスフ
タル酸ヘキサフルオロイソプロピリデン二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、
４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジ
フェニルスルホン二無水物、２，２−ビス［４−（３，
４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無
水物、エチレングリコールビストリメリテート二無水物
（ＥＢＴＡ）、デカメチレングリコールビストリメリテ
ート二無水物（ＤＢＴＡ）、ビスフェノールＡビストリ
メリテート二無水物（ＢＡＢＴ）、２，２−ビス［４−
（３，４−ジカルボキシフェニルベンゾイルオキシ）フ
ェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４′−
［１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］
ビスフェニルビストリメリテート二無水物等が使用で
き、２種以上を併用してもよい。これらのテトラカルボ
ン酸二無水物は、遊離酸（テトラカルボン酸）、ジエス
テル、ジクロライド等の誘導体を使用することもでき
る。
【０００９】なお、これらの中でも、エチレングリコー
ルビストリメリテート二無水物（ＥＢＴＡ）、デカメチ
レングリコールビストリメリテート二無水物（ＤＢＴ
Ａ）又はビスフェノールＡビストリメリテート二無水物
（ＢＡＢＴ）が好ましく、ＢＡＢＴがより好ましい。こ
れらの量はテトラカルボン酸二無水物成分の総量に対し
て、ＥＢＴＡ、ＤＢＴＡ及びＢＡＢＴから選ばれるテト
ラカルボン酸二無水物を５０モル％以上とすることが好
ましい。５０モル％より少ないと、得られる共重合体の
Ｔｇが高くなり、接着性が低下するので好ましくない。
また、接着剤の接着性、耐熱性等の特性は損なわない範
囲で、テトラカルボン酸二無水物のほかに、無水トリメ
リット酸等のトリカルボン酸無水物を併用してもよい。
ルビストリメリテート二無水物（ＥＢＴＡ）、デカメチ
レングリコールビストリメリテート二無水物（ＤＢＴ
Ａ）又はビスフェノールＡビストリメリテート二無水物
（ＢＡＢＴ）が好ましく、ＢＡＢＴがより好ましい。こ
れらの量はテトラカルボン酸二無水物成分の総量に対し
て、ＥＢＴＡ、ＤＢＴＡ及びＢＡＢＴから選ばれるテト
ラカルボン酸二無水物を５０モル％以上とすることが好
ましい。５０モル％より少ないと、得られる共重合体の
Ｔｇが高くなり、接着性が低下するので好ましくない。
また、接着剤の接着性、耐熱性等の特性は損なわない範
囲で、テトラカルボン酸二無水物のほかに、無水トリメ
リット酸等のトリカルボン酸無水物を併用してもよい。
【００１０】用いることができるジアミンとしては、
１，２−ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロパ
ン、１，２−ジアミノ−２−メチルプロパン、１，４−
ジアミノブタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−
ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９
−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１
２−ジアミノドデカン等のアルキレンジアミン、イソホ
ロンジアミン、フェニレンジアミン、トルイレンジアミ
ン、キシリレンジアミン、ナフタレンジアミン、ジシク
ロヘキシルメタンジアミン、４，４′−ジアミノジフェ
ニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、４，４′−ジ
アミノジベンズアニリド、３，３′−ジアミノフェニル
スルホン、３，３′−ジアミノベンゾフェノン、３，
３′−ジメチルジフェニル−４，４′−ジアミン、３，
３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジアミノジ
フェニルメタン、３，３′，５，５′−テトライソプロ
ピル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、１，４−
ビス（４−アミノクミル）ベンゼン、１，３−ビス（４
−アミノクミル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス
［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテ
ル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］ビフェニル、次式で表されるシロキサンジアミン
１，２−ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロパ
ン、１，２−ジアミノ−２−メチルプロパン、１，４−
ジアミノブタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−
ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９
−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１
２−ジアミノドデカン等のアルキレンジアミン、イソホ
ロンジアミン、フェニレンジアミン、トルイレンジアミ
ン、キシリレンジアミン、ナフタレンジアミン、ジシク
ロヘキシルメタンジアミン、４，４′−ジアミノジフェ
ニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、４，４′−ジ
アミノジベンズアニリド、３，３′−ジアミノフェニル
スルホン、３，３′−ジアミノベンゾフェノン、３，
３′−ジメチルジフェニル−４，４′−ジアミン、３，
３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジアミノジ
フェニルメタン、３，３′，５，５′−テトライソプロ
ピル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、１，４−
ビス（４−アミノクミル）ベンゼン、１，３−ビス（４
−アミノクミル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス
［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテ
ル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］ビフェニル、次式で表されるシロキサンジアミン
【００１１】
【化１】
【００１２】（式中、Ｒ1 及びＲ2 は２価の有機基、Ｒ
3 及びＲ4 は１価の有機基を示し、ｍは１〜１００の整
数を示す。）等があり、これらは２種以上併用してもよ
い。また、用いることができるジイソシアナートとして
は、上に示したジアミンにおいて、「アミノ」を「イソ
シアナト」と読み替えたもの、あるいは「アミン」を
「イソシアナート」と読み替えたものを挙げることがで
きる。
3 及びＲ4 は１価の有機基を示し、ｍは１〜１００の整
数を示す。）等があり、これらは２種以上併用してもよ
い。また、用いることができるジイソシアナートとして
は、上に示したジアミンにおいて、「アミノ」を「イソ
シアナト」と読み替えたもの、あるいは「アミン」を
「イソシアナート」と読み替えたものを挙げることがで
きる。
【００１３】また、用いることができるポリエステル
は、ジカルボン酸とジオールとの反応によって得ること
ができる。ジカルボン酸としては、コハク酸、グルタル
酸、アジピン酸、スペリン酸、アゼライン酸、セバチン
酸、デカンジカルボン酸等の脂肪族カルボン酸や、テレ
フタル酸、イソフタル酸、フタル酸、ナフタレンジカル
ボン酸等の芳香族ジカルボン酸等が挙げられる。これら
のジカルボン酸は単独で用いてもよいし、２種以上を組
み合わせて用いてもよい。得られる共重合体を柔軟にす
るためには脂肪族ジカルボン酸が好ましい。
は、ジカルボン酸とジオールとの反応によって得ること
ができる。ジカルボン酸としては、コハク酸、グルタル
酸、アジピン酸、スペリン酸、アゼライン酸、セバチン
酸、デカンジカルボン酸等の脂肪族カルボン酸や、テレ
フタル酸、イソフタル酸、フタル酸、ナフタレンジカル
ボン酸等の芳香族ジカルボン酸等が挙げられる。これら
のジカルボン酸は単独で用いてもよいし、２種以上を組
み合わせて用いてもよい。得られる共重合体を柔軟にす
るためには脂肪族ジカルボン酸が好ましい。
【００１４】ジオールとしては、エチレングリコール、
プロピレングリコール、ブタンジオール、１，３−ブチ
レングリコール、２−メチル−１，３−プロパンジオー
ル、ネオペンチルグリコール、３−メチル−１，５−ペ
ンタンジオール、ヘキサンジオール、２，２−ジエチル
−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−ヘ
キサンジオール、３，３−ジメチロールヘプタン、ノナ
ンジオール、２−メチル−１，８−オクタンジオール、
デカンジオール等が挙げられる。これらのジオールは単
独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いても
よい。
プロピレングリコール、ブタンジオール、１，３−ブチ
レングリコール、２−メチル−１，３−プロパンジオー
ル、ネオペンチルグリコール、３−メチル−１，５−ペ
ンタンジオール、ヘキサンジオール、２，２−ジエチル
−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−ヘ
キサンジオール、３，３−ジメチロールヘプタン、ノナ
ンジオール、２−メチル−１，８−オクタンジオール、
デカンジオール等が挙げられる。これらのジオールは単
独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いても
よい。
【００１５】上記ポリエステルの使用量（重量）は、樹
脂原料の総重量、すなわち、テトラカルボン酸二無水物
とジアミン又はジイソシアナートとポリエステルとの合
計重量に対して３０〜７０重量％が好ましい。この場合
に、接着性及び耐熱性の良好なものが得られるからであ
る。また、用いることのできるポリエーテルとしては次
式で示した化合物が挙げられる。
脂原料の総重量、すなわち、テトラカルボン酸二無水物
とジアミン又はジイソシアナートとポリエステルとの合
計重量に対して３０〜７０重量％が好ましい。この場合
に、接着性及び耐熱性の良好なものが得られるからであ
る。また、用いることのできるポリエーテルとしては次
式で示した化合物が挙げられる。
【００１６】Ｒ−Ｑ1 −Ｏ−［Ｑ2 −Ｏ−］p −Ｑ3 −
Ｒ （ここで、Ｑ1 ,Ｑ2 及びＱ3 は炭素数１〜１０のアル
キレン基、ＲはＯＨまたはＣＯＯＨ、ｐは０〜１００の
整数を示す。） 両末端がヒドロキシル基を有するポリエーテルとして
は、ＨＯ−［（ＣＨ2 ）4 −Ｏ］n −Ｈ（Ｍｗ＝２５
０、６５０、１０００、１８００、２９００または４５
００） 等が挙げられる。これらのポリエーテルを単独で用いて
もよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
Ｒ （ここで、Ｑ1 ,Ｑ2 及びＱ3 は炭素数１〜１０のアル
キレン基、ＲはＯＨまたはＣＯＯＨ、ｐは０〜１００の
整数を示す。） 両末端がヒドロキシル基を有するポリエーテルとして
は、ＨＯ−［（ＣＨ2 ）4 −Ｏ］n −Ｈ（Ｍｗ＝２５
０、６５０、１０００、１８００、２９００または４５
００） 等が挙げられる。これらのポリエーテルを単独で用いて
もよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１７】両末端がカルボキシル基を有するポリエー
テルとしては、 ＨＯＯＣ−（ＣＨ2 ）2 −Ｏ−［（ＣＨ2 ）4 −Ｏ］n
−（ＣＨ2 ）2 −ＣＯＯＨ（Ｍｗ＝３５０、１１００ま
たは２１００） 等が挙げられる。これらのポリエーテルを単独で用いて
もよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。上記
ポリエーテルの使用量（重量）は、樹脂原料の総重量、
すなわち、テトラカルボン酸二無水物とジアミン又はジ
イソシアナートとポリエーテルとの合計重量に対して３
０〜７０重量％が好ましい。この場合に、接着性及び耐
熱性の良好なものが得られるからである。
テルとしては、 ＨＯＯＣ−（ＣＨ2 ）2 −Ｏ−［（ＣＨ2 ）4 −Ｏ］n
−（ＣＨ2 ）2 −ＣＯＯＨ（Ｍｗ＝３５０、１１００ま
たは２１００） 等が挙げられる。これらのポリエーテルを単独で用いて
もよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。上記
ポリエーテルの使用量（重量）は、樹脂原料の総重量、
すなわち、テトラカルボン酸二無水物とジアミン又はジ
イソシアナートとポリエーテルとの合計重量に対して３
０〜７０重量％が好ましい。この場合に、接着性及び耐
熱性の良好なものが得られるからである。
【００１８】本発明に用いる熱可塑性接着剤は１８０℃
での貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａとされ、１〜８Ｍ
Ｐａであることが好ましい。０．１ＭＰａより低いと、
圧着時に柔らかくなりすぎるために圧着後の接着剤層の
厚み精度が落ちて生産性が低下し、１０ＭＰａより高い
と、接着性が低下して圧着不良となる問題が生じる。ま
た、本発明に用いる熱可塑性接着剤は、損失弾性率のピ
ーク温度が−８０〜５０℃とされ、−６０〜３０℃であ
ることが好ましい。−８０℃より低いと耐熱性に劣り、
半導体用接着フィルムとしての信頼性が低下する。５０
℃より高いと、本発明で規定する圧着温度範囲内での圧
着性が低下し、圧着により３層の接着フィルムを製造す
るメリットがなくなる。
での貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａとされ、１〜８Ｍ
Ｐａであることが好ましい。０．１ＭＰａより低いと、
圧着時に柔らかくなりすぎるために圧着後の接着剤層の
厚み精度が落ちて生産性が低下し、１０ＭＰａより高い
と、接着性が低下して圧着不良となる問題が生じる。ま
た、本発明に用いる熱可塑性接着剤は、損失弾性率のピ
ーク温度が−８０〜５０℃とされ、−６０〜３０℃であ
ることが好ましい。−８０℃より低いと耐熱性に劣り、
半導体用接着フィルムとしての信頼性が低下する。５０
℃より高いと、本発明で規定する圧着温度範囲内での圧
着性が低下し、圧着により３層の接着フィルムを製造す
るメリットがなくなる。
【００１９】本発明に用いる熱可塑性接着剤を溶解する
有機溶剤は、接着剤を構成する樹脂の種類により適宜選
択する必要がある。好ましい有機溶剤としては、Ｎ−メ
チルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極性溶剤、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグ
ライム等のエーテル系有機溶剤、ベンゼン、トルエン、
キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メ
チルセロソルブ、セロソルブアセテート、これらの混合
溶剤等が挙げられる。基材に接着剤ワニスを塗布する方
法としては、特に制限はなく、例えば、コンマコート、
ロールコート、リバースロールコート、グラビアコー
ト、バーコート等による塗布が挙げられる。
有機溶剤は、接着剤を構成する樹脂の種類により適宜選
択する必要がある。好ましい有機溶剤としては、Ｎ−メ
チルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極性溶剤、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグ
ライム等のエーテル系有機溶剤、ベンゼン、トルエン、
キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メ
チルセロソルブ、セロソルブアセテート、これらの混合
溶剤等が挙げられる。基材に接着剤ワニスを塗布する方
法としては、特に制限はなく、例えば、コンマコート、
ロールコート、リバースロールコート、グラビアコー
ト、バーコート等による塗布が挙げられる。
【００２０】基材としては、ポリテトラフルオロエチレ
ンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポ
リエチレンナフタレートフィルム、ポリエチレンフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィ
ルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ
サルフォンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィ
ルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリアリ
レートフィルム等が使用できるが、表面処理を施した前
記フィルムが好ましく、離型処理を施したポリエチレン
テレフタレートフィルムがより好ましい。また、用いる
基材は溶融温度が圧着温度よりも高いものを用いるのが
好ましい。前記の基材としては、例えば、ユーピレック
ス（宇部興産株式会社製商品名）、カプトン（東レ・デ
ュポン株式会社製商品名）、アピカル（鐘淵化学工業株
式会社製商品名）等のポリイミドフィルム、ルミラー
（東レ・デュポン株式会社製商品名）、ピューレックス
（帝人株式会社製商品名）等のポリエチレンテレフタレ
ートフィルム等を使用することができる。接着剤の厚み
は、接着性等から２〜１５０μｍの範囲が好ましく、特
に制限するものではない。塗布した接着剤ワニスの乾燥
は、特に制限するものではないが、例えば、約６０〜１
５０℃で数分〜数時間加熱した後、約１５０〜２５０℃
で数分〜数時間加熱して溶剤を除去するのが好ましい。
ンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポ
リエチレンナフタレートフィルム、ポリエチレンフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィ
ルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ
サルフォンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィ
ルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリアリ
レートフィルム等が使用できるが、表面処理を施した前
記フィルムが好ましく、離型処理を施したポリエチレン
テレフタレートフィルムがより好ましい。また、用いる
基材は溶融温度が圧着温度よりも高いものを用いるのが
好ましい。前記の基材としては、例えば、ユーピレック
ス（宇部興産株式会社製商品名）、カプトン（東レ・デ
ュポン株式会社製商品名）、アピカル（鐘淵化学工業株
式会社製商品名）等のポリイミドフィルム、ルミラー
（東レ・デュポン株式会社製商品名）、ピューレックス
（帝人株式会社製商品名）等のポリエチレンテレフタレ
ートフィルム等を使用することができる。接着剤の厚み
は、接着性等から２〜１５０μｍの範囲が好ましく、特
に制限するものではない。塗布した接着剤ワニスの乾燥
は、特に制限するものではないが、例えば、約６０〜１
５０℃で数分〜数時間加熱した後、約１５０〜２５０℃
で数分〜数時間加熱して溶剤を除去するのが好ましい。
【００２１】本発明において、塗工、乾燥した後の単層
の接着フィルムにタック性がある場合や、汚染を防ぐた
めに保護フィルムを貼り付けてもよい。保護フィルムと
しては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエ
チレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレ
ートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレン
フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフ
ィルム、ポリアミドフィルム、ポリサルフォンフィル
ム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエーテ
ルエーテルケトンフィルム、ポリアリレートフィルム等
が使用できる。
の接着フィルムにタック性がある場合や、汚染を防ぐた
めに保護フィルムを貼り付けてもよい。保護フィルムと
しては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエ
チレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレ
ートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレン
フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフ
ィルム、ポリアミドフィルム、ポリサルフォンフィル
ム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエーテ
ルエーテルケトンフィルム、ポリアリレートフィルム等
が使用できる。
【００２２】本発明において、単層の接着フィルムを図
２に示したように耐熱性フィルム３の両面に圧着し、基
材を除去することにより、３層の接着フィルム４が得ら
れる。圧着後、接着剤層の汚染を防ぐために、基材は使
用する直前に除去してもよい。単層の接着フィルムに保
護フィルムを貼り付けた場合には保護フィルムを剥がし
てから圧着する。
２に示したように耐熱性フィルム３の両面に圧着し、基
材を除去することにより、３層の接着フィルム４が得ら
れる。圧着後、接着剤層の汚染を防ぐために、基材は使
用する直前に除去してもよい。単層の接着フィルムに保
護フィルムを貼り付けた場合には保護フィルムを剥がし
てから圧着する。
【００２３】単層の接着フィルムを耐熱性フィルムに圧
着する温度は、用いる熱可塑性接着剤の損失弾性率のピ
ーク温度より５０〜２００℃高い温度とされ、１００〜
１５０℃高い温度であることが好ましい。５０℃より低
いと接着性が低下し、圧着不良となり、２００℃より高
いと圧着温度が高くなり、例えばラミネートロールが劣
化するなどの問題が生じる。また、圧着温度はラミネー
トロールの劣化防止から１８０℃以下であることが好ま
しく、１５０℃以下であることがより好ましい。
着する温度は、用いる熱可塑性接着剤の損失弾性率のピ
ーク温度より５０〜２００℃高い温度とされ、１００〜
１５０℃高い温度であることが好ましい。５０℃より低
いと接着性が低下し、圧着不良となり、２００℃より高
いと圧着温度が高くなり、例えばラミネートロールが劣
化するなどの問題が生じる。また、圧着温度はラミネー
トロールの劣化防止から１８０℃以下であることが好ま
しく、１５０℃以下であることがより好ましい。
【００２４】本発明に用いる耐熱性フィルムとしては、
ポリイミド、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリフェニ
レンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ
アリレート等のエンジニアリングプラスチック等のフィ
ルムが挙げられる。上記耐熱性フィルムは、接着剤との
接着性を増すために、表面処理を施すことが好ましい。
表面処理の方法としては、アルカリ処理、シランカップ
リング剤処理等の化学処理、サンドブラスト等の物理的
処理、プラズマ処理、コロナ処理等のいずれの処理も可
能である。接着剤の種類に応じて最も適した処理を行え
ばよいが、化学処理またはプラズマ処理が好ましい。
ポリイミド、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリフェニ
レンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ
アリレート等のエンジニアリングプラスチック等のフィ
ルムが挙げられる。上記耐熱性フィルムは、接着剤との
接着性を増すために、表面処理を施すことが好ましい。
表面処理の方法としては、アルカリ処理、シランカップ
リング剤処理等の化学処理、サンドブラスト等の物理的
処理、プラズマ処理、コロナ処理等のいずれの処理も可
能である。接着剤の種類に応じて最も適した処理を行え
ばよいが、化学処理またはプラズマ処理が好ましい。
【００２５】本発明においては、単層の接着フィルムを
耐熱性フィルムの両面に圧着することにより、３層の半
導体用接着フィルムを製造することができる。本発明の
製造方法によって得られる半導体用接着フィルムを用い
て常法により、半導体装置が製造される。
耐熱性フィルムの両面に圧着することにより、３層の半
導体用接着フィルムを製造することができる。本発明の
製造方法によって得られる半導体用接着フィルムを用い
て常法により、半導体装置が製造される。
【００２６】
【実施例】以下実施例により本発明をさらに詳しく説明
するが、本発明の範囲を限定するものではない。貯蔵弾
性率、損失弾性率の測定には動的粘弾性測定装置（レオ
ロジー株式会社製ＤＶＥ ＲＨＥＯ ＳＰＥＣＴＯＬＥＲ
ＤＶＥ−Ｖ４）を用いた。 実施例１ 攪拌機、温度計、窒素ガス導入管及び流出管を備えた
５，０００ｍｌの四つ口フラスコに、ヘキサンジオール
と過剰量のアジピン酸を窒素気流下３時間溶融反応して
得た数平均分子量２，０００の両末端がカルボキシル基
であるポリエステルを２８０ｇ、ビスフェノールＡビス
トリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）を１８１ｇ、スル
ホランを４，５５０ｇ加え、窒素雰囲気下、攪拌しなが
ら１６５℃に昇温した。ジフェニルメタンジイソシアナ
ートを１３９ｇ、触媒として３−メチル−１−フェニル
−３−ホスホレン−１−オキシドを２．９ｇ加え、１６
５℃で３．５時間反応させた後、ベンジルアルコールを
１２０ｇ加えて、室温まで冷却した。得られた反応溶液
を、０℃に冷却した３０重量％メタノール水溶液に注
ぎ、これをミキサーで粉砕し、水洗した後、乾燥して、
ポリエステルを６４重量％含有する共重合体の粉末を得
た。得られた共重合体粉末をゲル浸透クロマトグラフィ
ー（以下、ＧＰＣと略す；溶離液はＴＨＦ、液速度は１
ｍｌ／分、検出はＲＩ検出器）を用いて測定したとこ
ろ、重量平均分子量はポリスチレン換算で８６，０００
であった。
するが、本発明の範囲を限定するものではない。貯蔵弾
性率、損失弾性率の測定には動的粘弾性測定装置（レオ
ロジー株式会社製ＤＶＥ ＲＨＥＯ ＳＰＥＣＴＯＬＥＲ
ＤＶＥ−Ｖ４）を用いた。 実施例１ 攪拌機、温度計、窒素ガス導入管及び流出管を備えた
５，０００ｍｌの四つ口フラスコに、ヘキサンジオール
と過剰量のアジピン酸を窒素気流下３時間溶融反応して
得た数平均分子量２，０００の両末端がカルボキシル基
であるポリエステルを２８０ｇ、ビスフェノールＡビス
トリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）を１８１ｇ、スル
ホランを４，５５０ｇ加え、窒素雰囲気下、攪拌しなが
ら１６５℃に昇温した。ジフェニルメタンジイソシアナ
ートを１３９ｇ、触媒として３−メチル−１−フェニル
−３−ホスホレン−１−オキシドを２．９ｇ加え、１６
５℃で３．５時間反応させた後、ベンジルアルコールを
１２０ｇ加えて、室温まで冷却した。得られた反応溶液
を、０℃に冷却した３０重量％メタノール水溶液に注
ぎ、これをミキサーで粉砕し、水洗した後、乾燥して、
ポリエステルを６４重量％含有する共重合体の粉末を得
た。得られた共重合体粉末をゲル浸透クロマトグラフィ
ー（以下、ＧＰＣと略す；溶離液はＴＨＦ、液速度は１
ｍｌ／分、検出はＲＩ検出器）を用いて測定したとこ
ろ、重量平均分子量はポリスチレン換算で８６，０００
であった。
【００２７】この共重合体粉末４００ｇ、エポキシシラ
ン系カップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコー
ン株式会社製ＳＨ−６０４０）４０ｇ、イミダゾール化
合物（四国化成工業株式会社製キュアゾール２ＰＺ−Ｃ
Ｎ）０．４ｇを、シクロヘキサノン６２９ｇに溶解し、
接着剤ワニス（濃度３７重量％）を作製した。作製した
接着剤ワニスを、離型処理を施したポリエチレンテレフ
タレートフィルム（帝人株式会社製ピューレックスＡ７
１、以下の例においても同じ）上にコンマコーターを用
いて塗布し、熱風循環型乾燥機中で９０℃で１０分間乾
燥した後、２００℃で１０分間乾燥して、膜厚が１５μ
ｍの単層の熱可塑性接着フィルムを作製した。作製した
単層の接着剤フィルムは、１８０℃での貯蔵弾性率が２
ＭＰａ、損失弾性率のピーク温度が−２０℃であった。
ン系カップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコー
ン株式会社製ＳＨ−６０４０）４０ｇ、イミダゾール化
合物（四国化成工業株式会社製キュアゾール２ＰＺ−Ｃ
Ｎ）０．４ｇを、シクロヘキサノン６２９ｇに溶解し、
接着剤ワニス（濃度３７重量％）を作製した。作製した
接着剤ワニスを、離型処理を施したポリエチレンテレフ
タレートフィルム（帝人株式会社製ピューレックスＡ７
１、以下の例においても同じ）上にコンマコーターを用
いて塗布し、熱風循環型乾燥機中で９０℃で１０分間乾
燥した後、２００℃で１０分間乾燥して、膜厚が１５μ
ｍの単層の熱可塑性接着フィルムを作製した。作製した
単層の接着剤フィルムは、１８０℃での貯蔵弾性率が２
ＭＰａ、損失弾性率のピーク温度が−２０℃であった。
【００２８】作製した単層の接着フィルムの接着剤層
を、表面処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産株
式会社製 ユーピレックス２５ＳＧＡ、以下の例におい
ても同じ）の両面に重ね合わせ、圧着張り合わせ装置
（ＭＣＫ株式会社製 型番ＭＲＫ−８００、以下の例に
おいても同じ）を用いて１４０℃に加熱した加熱ロール
間をロール速度０．１ｍ／分で通過させて圧着し半導体
用接着フィルムを作製した。
を、表面処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産株
式会社製 ユーピレックス２５ＳＧＡ、以下の例におい
ても同じ）の両面に重ね合わせ、圧着張り合わせ装置
（ＭＣＫ株式会社製 型番ＭＲＫ−８００、以下の例に
おいても同じ）を用いて１４０℃に加熱した加熱ロール
間をロール速度０．１ｍ／分で通過させて圧着し半導体
用接着フィルムを作製した。
【００２９】実施例２ 実施例１において、圧着張り合わせ装置の温度を８０℃
にした以外は実施例１と同様の操作を行い、半導体用接
着フィルムを作製した。
にした以外は実施例１と同様の操作を行い、半導体用接
着フィルムを作製した。
【００３０】実施例３ 攪拌機、温度計、窒素ガス導入管及び流出管を備えた
５，０００ｍｌの四つ口フラスコに、スルホランを３，
６００ｇ加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら１８０℃に
昇温した。ポリエーテル（ＢＡＳＦ株式会社製ＰＴＨＦ
６５０Ｓ）を６６０ｇ、３，３′，４，４′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物を１６１ｇ、ジフェニ
ルメタンジイソシアナートを３７９ｇ加え、１８０℃で
６．５時間反応させた後、ベンジルアルコールを３２８
ｇ加えて、室温まで冷却した。得られた反応溶液を、６
０℃に加熱した水に注ぎ、これをミキサーで粉砕し、水
洗した後、乾燥して、ポリエーテルを５５重量％含有す
る共重合体の粉末を得た。得られた共重合体粉末をゲル
浸透クロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略す；溶離液
はＴＨＦ、液速度は１ｍｌ／分、検出はＲＩ検出器）を
用いて測定したところ、重量平均分子量はポリスチレン
換算で２６，０００であった。
５，０００ｍｌの四つ口フラスコに、スルホランを３，
６００ｇ加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら１８０℃に
昇温した。ポリエーテル（ＢＡＳＦ株式会社製ＰＴＨＦ
６５０Ｓ）を６６０ｇ、３，３′，４，４′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物を１６１ｇ、ジフェニ
ルメタンジイソシアナートを３７９ｇ加え、１８０℃で
６．５時間反応させた後、ベンジルアルコールを３２８
ｇ加えて、室温まで冷却した。得られた反応溶液を、６
０℃に加熱した水に注ぎ、これをミキサーで粉砕し、水
洗した後、乾燥して、ポリエーテルを５５重量％含有す
る共重合体の粉末を得た。得られた共重合体粉末をゲル
浸透クロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略す；溶離液
はＴＨＦ、液速度は１ｍｌ／分、検出はＲＩ検出器）を
用いて測定したところ、重量平均分子量はポリスチレン
換算で２６，０００であった。
【００３１】この共重合体粉末４００ｇを、Ｎ−メチル
ピロリドン６００ｇに溶解し、接着剤ワニス（濃度４０
重量％）を作製した。作製した接着剤ワニスを離型処理
を施したポリエチレンテレフタレートフィルム上にコン
マコーターを用いて塗布し、熱風循環型乾燥機中で９０
℃で１０分間乾燥した後、２００℃で１０分間乾燥し
て、膜厚が１５μｍの単層の熱可塑性接着フィルムを作
製した。作製した単層の接着剤フィルムは、１８０℃で
の貯蔵弾性率が５ＭＰａ、損失弾性率のピーク温度が５
℃であった。作製した単層の接着フィルムの接着剤層
を、表面処理を施したポリイミドフィルムの両面に重ね
合わせ、圧着張り合わせ装置を用いて１４０℃に加熱し
た加熱ロール間をロール速度０．１ｍ／分で通過させて
圧着し、半導体用接着フィルムを作製した。
ピロリドン６００ｇに溶解し、接着剤ワニス（濃度４０
重量％）を作製した。作製した接着剤ワニスを離型処理
を施したポリエチレンテレフタレートフィルム上にコン
マコーターを用いて塗布し、熱風循環型乾燥機中で９０
℃で１０分間乾燥した後、２００℃で１０分間乾燥し
て、膜厚が１５μｍの単層の熱可塑性接着フィルムを作
製した。作製した単層の接着剤フィルムは、１８０℃で
の貯蔵弾性率が５ＭＰａ、損失弾性率のピーク温度が５
℃であった。作製した単層の接着フィルムの接着剤層
を、表面処理を施したポリイミドフィルムの両面に重ね
合わせ、圧着張り合わせ装置を用いて１４０℃に加熱し
た加熱ロール間をロール速度０．１ｍ／分で通過させて
圧着し、半導体用接着フィルムを作製した。
【００３２】比較例１ 実施例１で作製した接着剤ワニスを、ポリイミドフィル
ム上にコンマコーターを用いて塗布し、熱風循環型乾燥
機中で９０℃で１０分間乾燥した後、１４０℃で１０分
間乾燥して、膜厚が１５μｍの単層の熱可塑性接着剤層
を作製した。ポリイミドフィルムの接着剤層を形成した
面と反対側の面にコンマコーターを用いて実施例１で作
製した接着剤ワニスを塗布し、熱風循環型乾燥機中で９
０℃で１０分間乾燥した後、２００℃で１０分間乾燥し
て、膜厚が１５μｍの３層の接着フィルムを作製した
が、最初に形成した接着剤層が乾燥機内でロールに付着
したために、接着剤層の表面が荒れ、半導体用に使用で
きる接着フィルムが得られなかった。
ム上にコンマコーターを用いて塗布し、熱風循環型乾燥
機中で９０℃で１０分間乾燥した後、１４０℃で１０分
間乾燥して、膜厚が１５μｍの単層の熱可塑性接着剤層
を作製した。ポリイミドフィルムの接着剤層を形成した
面と反対側の面にコンマコーターを用いて実施例１で作
製した接着剤ワニスを塗布し、熱風循環型乾燥機中で９
０℃で１０分間乾燥した後、２００℃で１０分間乾燥し
て、膜厚が１５μｍの３層の接着フィルムを作製した
が、最初に形成した接着剤層が乾燥機内でロールに付着
したために、接着剤層の表面が荒れ、半導体用に使用で
きる接着フィルムが得られなかった。
【００３３】比較例２ ポリアミドイミド樹脂で構成される、１８０℃での貯蔵
弾性率が２０ＭＰａ、損失弾性率のピーク温度が１６５
℃である接着剤をＮ−メチルピロリドンに溶解し、接着
剤ワニス（濃度２５重量％）を作製した。作製した接着
剤ワニスを、離型処理を施したポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上にコンマコーターを用いて塗布し、熱風
循環型乾燥機中で９０℃で１０分間乾燥した後、２００
℃で１０分間乾燥して、膜厚が１５μｍの単層の熱可塑
性接着フィルムを作製した。作製した単層の接着フィル
ムの接着剤層を表面処理を施したポリイミドフィルムの
両面に重ね合わせ、圧着張り合わせ装置を用いて１８０
℃に加熱した加熱ロール間をロール速度０．１ｍ／分で
通過させて圧着を試みたが、３層の接着フィルムを得る
ことができなかった。表１に用いた熱可塑性接着剤の特
性、圧着条件、結果をまとめた。
弾性率が２０ＭＰａ、損失弾性率のピーク温度が１６５
℃である接着剤をＮ−メチルピロリドンに溶解し、接着
剤ワニス（濃度２５重量％）を作製した。作製した接着
剤ワニスを、離型処理を施したポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上にコンマコーターを用いて塗布し、熱風
循環型乾燥機中で９０℃で１０分間乾燥した後、２００
℃で１０分間乾燥して、膜厚が１５μｍの単層の熱可塑
性接着フィルムを作製した。作製した単層の接着フィル
ムの接着剤層を表面処理を施したポリイミドフィルムの
両面に重ね合わせ、圧着張り合わせ装置を用いて１８０
℃に加熱した加熱ロール間をロール速度０．１ｍ／分で
通過させて圧着を試みたが、３層の接着フィルムを得る
ことができなかった。表１に用いた熱可塑性接着剤の特
性、圧着条件、結果をまとめた。
【００３４】
【表１】
【００３５】実施例１〜３では本発明で規定した特性を
有する熱可塑性接着剤を用いて、本発明で規定した製造
方法により３層の半導体用接着フィルムが得られた。比
較例１において、本発明で規定した特性を有する熱可塑
性接着剤を用いたが、本発明で規定した製造方法ではな
かったので、３層の半導体用接着フィルムを得ることが
できなかった。比較例２において、本発明で規定した特
性を有しない熱可塑性接着剤を用いたため、本発明で規
定した製造方法により３層の半導体用接着フィルムを得
ることができなかった。半導体用接着フィルムとしての
実用特性
有する熱可塑性接着剤を用いて、本発明で規定した製造
方法により３層の半導体用接着フィルムが得られた。比
較例１において、本発明で規定した特性を有する熱可塑
性接着剤を用いたが、本発明で規定した製造方法ではな
かったので、３層の半導体用接着フィルムを得ることが
できなかった。比較例２において、本発明で規定した特
性を有しない熱可塑性接着剤を用いたため、本発明で規
定した製造方法により３層の半導体用接着フィルムを得
ることができなかった。半導体用接着フィルムとしての
実用特性
【００３６】実施例１〜３で作製した接着フィルムを幅
１０ｍｍ、長さ８０ｍｍの大きさに切り取り、リードフ
レーム材である銅合金に、１８０℃、０．１５ＭＰａ、
１秒間の条件で圧着し、ＪＩＳ Ｃ６４８１に準じて９
０度ピール強度（測定温度：２５℃、引っ張り速度５０
ｍｍ／分）を測定したところ、すべて５００Ｎ／ｍ以上
であった。また、実施例１〜３で作製した接着フィルム
を１２０℃の温度でリードフレームに０．１５ＭＰａの
圧力で１秒間加圧して圧着した。その上に半導体素子を
乗せ、１８０℃の温度で０．１５ＭＰａの圧力で１秒間
加圧して圧着した。リードフレームと半導体素子を金線
で接合し、エポキシ樹脂成型材料（日立化成工業（株）
製商品名ＣＥＬ−９２００）で封止し、半導体装置を作
製した。これを、８５℃、８５％ＲＨで７２時間吸湿さ
せた後、２４０〜２４５℃にセットされた赤外線リフロ
ー装置（（株）タムラ製作所製 ＴＲＳ３５−２０Ｎ
Ｓ）で３回処理したが、パッケージクラックは生じなか
った。
１０ｍｍ、長さ８０ｍｍの大きさに切り取り、リードフ
レーム材である銅合金に、１８０℃、０．１５ＭＰａ、
１秒間の条件で圧着し、ＪＩＳ Ｃ６４８１に準じて９
０度ピール強度（測定温度：２５℃、引っ張り速度５０
ｍｍ／分）を測定したところ、すべて５００Ｎ／ｍ以上
であった。また、実施例１〜３で作製した接着フィルム
を１２０℃の温度でリードフレームに０．１５ＭＰａの
圧力で１秒間加圧して圧着した。その上に半導体素子を
乗せ、１８０℃の温度で０．１５ＭＰａの圧力で１秒間
加圧して圧着した。リードフレームと半導体素子を金線
で接合し、エポキシ樹脂成型材料（日立化成工業（株）
製商品名ＣＥＬ−９２００）で封止し、半導体装置を作
製した。これを、８５℃、８５％ＲＨで７２時間吸湿さ
せた後、２４０〜２４５℃にセットされた赤外線リフロ
ー装置（（株）タムラ製作所製 ＴＲＳ３５−２０Ｎ
Ｓ）で３回処理したが、パッケージクラックは生じなか
った。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
により、損失弾性率のピーク温度（Ｔｇ）が低く、支持
フィルムの両面に熱可塑性接着剤のワニスを塗布、乾燥
することによる方法で作製困難な３層の半導体用接着フ
ィルムを作製でき、このフィルムを用いて半導体装置が
製造される。
により、損失弾性率のピーク温度（Ｔｇ）が低く、支持
フィルムの両面に熱可塑性接着剤のワニスを塗布、乾燥
することによる方法で作製困難な３層の半導体用接着フ
ィルムを作製でき、このフィルムを用いて半導体装置が
製造される。
【図１】本発明における、単層の熱可塑性接着剤層を有
する接着フィルムの略図である。
する接着フィルムの略図である。
【図２】本発明における半導体用接着フィルムの製造方
法の略図である。
法の略図である。
１ 熱可塑性接着剤層 ２ 基材 ３ 耐熱性フィルム ４ ３層の接着フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J004 AA06 AA11 AA14 AA15 AA16 AB03 CA03 CA06 CC02 DB02 FA05 GA01 5F047 AA02 AA11 AA17 BA37 BB03 BB16
Claims (5)
- 【請求項１】 （１）１８０℃での貯蔵弾性率が０．１
〜１０ＭＰａで損失弾性率のピーク温度が−８０〜５０
℃である熱可塑性接着剤の層を基材に形成して単層の接
着フィルムを作製する工程及び（２）耐熱性フィルムの
両面に前記接着フィルムの接着剤層面を重ね合わせて、
熱可塑性接着剤の損失弾性率のピーク温度より５０〜２
００℃高い温度で圧着する工程からなることを特徴とす
る半導体用接着フィルムの製造方法。 - 【請求項２】 圧着温度が１８０℃以下である請求項１
に記載の半導体用接着フィルムの製造方法。 - 【請求項３】 熱可塑性接着剤が、テトラカルボン酸二
無水物とジアミン又はジイソシアナートとポリエステル
とを反応させて得られる共重合体を含む請求項１に記載
の半導体用接着フィルムの製造方法。 - 【請求項４】 熱可塑性接着剤が、テトラカルボン酸二
無水物とジアミン又はジイソシアナートとポリエーテル
とを反応させて得られる共重合体を含む請求項１に記載
の半導体用接着フィルムの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の製造方
法によって得られた半導体用接着フィルムを用いた半導
体装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000284553A JP2002088325A (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 半導体用接着フィルムの製造方法及び半導体装置 |
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|---|---|
| JP2002088325A true JP2002088325A (ja) | 2002-03-27 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2000284553A Pending JP2002088325A (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 半導体用接着フィルムの製造方法及び半導体装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2002088325A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006225566A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤、接着シート及びそれを使用した半導体装置 |
| JP2006225567A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤、接着シート及びそれを使用した半導体装置 |
| US7103897B2 (en) * | 2003-02-13 | 2006-09-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| JP2006265304A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Tokai Rubber Ind Ltd | 接着剤組成物およびそれを用いたフレキシブル印刷配線板 |
| US8293847B2 (en) | 2006-08-04 | 2012-10-23 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Film-like adhesive, adhesive sheet, and semiconductor device using same |
| JP2016157781A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社巴川製紙所 | 導電性接着シート、シールドプリント配線板および電子機器 |
-
2000
- 2000-09-20 JP JP2000284553A patent/JP2002088325A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7103897B2 (en) * | 2003-02-13 | 2006-09-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| JP2006225566A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤、接着シート及びそれを使用した半導体装置 |
| JP2006225567A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤、接着シート及びそれを使用した半導体装置 |
| JP2006265304A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Tokai Rubber Ind Ltd | 接着剤組成物およびそれを用いたフレキシブル印刷配線板 |
| JP4704082B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-06-15 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | 接着剤組成物およびそれを用いたフレキシブル印刷配線板 |
| US8293847B2 (en) | 2006-08-04 | 2012-10-23 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Film-like adhesive, adhesive sheet, and semiconductor device using same |
| JP2016157781A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社巴川製紙所 | 導電性接着シート、シールドプリント配線板および電子機器 |
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