JP2000509181A - 薄膜磁気記録ヘッド及び同ヘッドを製造するシステム並びに方法 - Google Patents
薄膜磁気記録ヘッド及び同ヘッドを製造するシステム並びに方法Info
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1. 集束粒子ビームで記録ヘッドのポールチップアセンブリを成形する装置で あって、 前記ポールチップアセンブリを有する前記記録ヘッドを受け取ると共に、前記 集束粒子ビームと接触するよう前記記録ヘッドを配置するプラットホームと、 前記記録ヘッドポールチップアセンブリの影像信号を生成すると共に、前記影 像信号に応答して、前記集束粒子ビームに対する前記記録ヘッドポールチップア センブリの相対位置を表す座標信号を生成する手段と、 前記座標信号に応答して、前記記録ヘッドの所定部分に前記集束粒子ビームを 印加する旨の命令を表す切削信号を生成することで、前記記録ヘッドの前記所定 部分を切削して前記ポールチップアセンブリを成形するプロセッサ手段と を含む装置。 2. 影像信号を生成する前記手段が集束粒子ビームの源を含む、請求項1に記 載の装置。 3. 影像信号を生成する前記手段がカメラ素子を含む、請求項1に記載の装置 。 4. 前記記録ヘッド上の静的電荷を中和する電荷中和手段をさらに含む、請求 項1に記載の装置。 5. 前記電荷中和手段が、前記記録ヘッドに向けて電子ビームを提供する電子 銃素子を含む、請求項4に記載の装置。 6. 影像信号を生成する前記手段が、前記ポールチップアセンブリの端部の位 置を表す端部信号を生成する端部検出手段を含む、請求項1に記載の装置。 7. 影像信号を生成する前記手段が、前記ポールチップアセンブリの一部分の 輪郭を表すジオメトリパターン信号を判定するフィーチャ抽出手段を含む、請求 項1に記載の装置。 8. 影像信号を生成する前記手段が、前記ジオメトリパターン信号の関数とし て前記座標信号を生成する手段を含む、請求項6に記載の装置。 9. 前記プロセッサ手段が、切削しようとする前記記録ヘッドの前記所定部分 を表すジオメトリパターンを前記座標信号の関数として生成するトリム輪郭手段 を含む、請求項1に記載の装置。 10. 前記トリム輪郭手段が、前記記録ヘッドを切削するプロセス時間の関数 として前記トリム輪郭信号を生成するアダプタ手段を含む、請求項9に記載の装 置。 11. 前記トリム輪郭手段が、切削しようとする前記記録ヘッドの前記所定部 分の領域の関数として前記トリム輪郭信号を生成するアダプタ手段を含む、請求 項9に記載の装置。 12. 前記パターン認識手段が、前記切削済み記録ヘッドの影像を生成すると 共に、前記影像の関数として切削成功信号を生成する制御手段を含む、請求項1 に記載の装置。 13. 前記プラットホームが、集束粒子ビームの前記源の下方に複数の記録ヘ ッドを配置する搬送トレイ手段を含む、請求項1に記載の装置。 14. 前記プロセッサ手段が、前記記録ヘッドの表面に輪郭形成するための切 削信号を生成する多次元切削素子をさらに含む、請求項1に記載の装置。 15. 前記多次元切削素子が、前記粒子ビームにより前記記録ヘッドの一部分 に搬送されるエネルギを制御する線量制御手段を含む、請求項14に記載の装置 。 16. 前記線量制御手段が、前記集束粒子ビームが前記記録ヘッドに向けられ る時間の尺度を表す停止時間信号を生成する停止制御素子を有する走査発生素子 を含む、請求項14に記載の装置。 17. 前記線量制御手段が、前記記録ヘッドの離散位置に前記集束粒子ビーム を向ける時間の尺度を表すピクセル信号を前記座標信号の関数として生成するピ クセル線量制御手段を含む、請求項14に記載の装置。 18. 減少するビーム尾を有する集束粒子ビームを生成する、集束手段を有す る集束粒子ビームの源をさらに含む、請求項1に記載の装置。 19. 前記集束粒子ビーム源が、集束イオンビームを生成するイオンビーム源 を含む、請求項18に記載の装置。 20. 前記イオンビーム源が第一レンズを含み、前記第一レンズが、前記第一 レンズを負バイアスする電源に接続されている、請求項19に記載の装置。 21. 前記集束粒子ビーム源が、減少するビーム尾電流を有する集束粒子ビー ムを生成する、請求項18に記載の装置。 22. 前記イオンビーム源が液体金属イオン源を含む、請求項19に記載の装 置。 23. 前記イオンビーム源が気体フィールドイオン源を含む、請求項19に記 載の装置。 24. 磁界を提供するための陽極及び陰極を含む薄膜磁気記録ヘッドであって 、 前記極の一方又はそれ以上が、所定の磁界特性を持つ前記磁界を提供する連続傾 斜表面を有する、薄膜磁気記録ヘッド。 25. 前記連続傾斜表面が、前記記録ヘッドの第一表面と前記記録ヘッドの第 二表面との間で谷を形成する、請求項24に記載の薄膜磁気記録ヘッド。 26. 記録ヘッドのポールチップアセンブリを成形する集束粒子ビームを利用 するためのプロセスであって、 前記粒子ビームに接触するようプラットホーム上に前記記録ヘッドを配置する ステップと、 前記記録ヘッドの影像信号を生成するステップと、 前記影像信号に応答して、前記集束粒子ビームに対する前記記録ヘッドポール チップアセンブリの相対位置を表す座標信号を生成するステップと、 前記記録ヘッドの所定部分に前記集束粒子ビームを印加する旨の命令を表す切 削信号を生成することで、前記記録ヘッドの前記所定部分を切削して前記ポール チップアセンブリを成形するステップと を含む、プロセス。 27. 前記記録ヘッド上の電荷を中和する電荷中和手段を提供するさらなるス テップを含む、請求項26に記載のプロセス。 28. 座標信号を生成する前記ステップが、前記記録ヘッドの端部を検出する と共に、前記集束粒子ビームに対する前記記録ヘッドの前記端部の相対位置を表 す端部信号を生成するステップを含む、請求項26に記載のプロセス。 29. 切削信号を生成する前記ステップが、前記影像信号の関数として前記記 録ヘッドのパターン外形を表す外形信号を生成するステップを含む、請求項26 に記載のプロセス。 30. 切削信号を生成する前記ステップが、前記外形信号を、所定の記録ヘッ ドトポロジを表すパターン信号に比較するステップを含む、請求項30に記載の プロセス。 31. 前記外形信号を前記パターンに比較する前記ステップが、前記所定の記 録ヘッドトポロジに前記記録ヘッドを概ね一致させるために前記記録ヘッドに彫 刻すべき一つ又はそれ以上の領域を表す彫刻パターン信号を判定するステップを 含む、請求項30に記載のプロセス。 32. 彫刻パターン信号を判定する前記ステップが、前記記録ヘッドを前記所 定の記録ヘッドトポロジに概ね一致させるための最短時間を有する切削パターン を表す最小彫刻時間信号を判定するステップを含む、請求項30に記載のプロセ ス。 33. 彫刻パターン信号を判定する前記ステップが、前記記録ヘッドを前記所 定の記録ヘッドトポロジに概ね一致させるために取り除くべき最小領域を有する 切削パターンを表す最小彫刻領域信号を判定するステップを含む、請求項30に 記載のプロセス。 34. 切削信号を生成する前記ステップが、前記外形信号を前記パターン信号 のうちの複数に比較して、前記パターン信号のうちの一つを前記比較の目的とし て選択するステップを含む、請求項26に記載のプロセス。 35. 切削信号を生成する前記ステップが、前記粒子ビームを偏向させる位置 を表す命令信号を生成するステップを含む、請求項26に記載のプロセス。 36. 切削信号を生成する前記ステップが、前記プラットホームを移動させる 位置を表す命令信号を生成するステップを含む、請求項26に記載のプロセス。 37. 三次元で彫刻を行うよう前記集束粒子ビームを制御する切削信号を生成 するさらなるステップを含む、請求項26に記載のプロセス。 38. 前記集束粒子ビームを制御する前記ステップが、前記集束粒子ビームに より前記記録ヘッドの一部分に搬送されるエネルギを制御するステップを含む、 請求項37に記載のプロセス。 39. 前記線量を制御する前記ステップが、前記記録ヘッド上のある位置に前 記集束粒子ビームを向ける時間の尺度を表す停止時間を制御するステップを含む 、請求項37に記載のプロセス。 40. 前記線量を制御する前記ステップが、前記記録ヘッドのある位置を表す ピクセル信号を前記位置信号の関数として生成するステップを含む、請求項37 に記載のプロセス。 41. 切削プロセスにより形成される薄膜記録ヘッドであって、 集束粒子ビームの源を提供するステップと、 前記記録ヘッドをプラットホーム上に配して前記記録ヘッドを前記集束粒子ビ ーム源の下方に配置するステップと、 前記集束粒子ビーム源の下方に配置された前記記録ヘッドの影像信号を生成す るステップと、 前記影像信号に応答して、前記集束粒子ビーム源に対する前記記録ヘッドの相 対位置を表す位置信号を生成するステップと、 前記記録ヘッドを向ける位置を表す切削信号を生成することで、前記粒子ビー ムを制御して三次元で彫刻を行わせて前記記録ヘッド上に輪郭付表面を切削する ステップと を含む切削プロセスにより形成される薄膜記録ヘッド。 42. 前記記録ヘッドの上面と前記記録ヘッドの下面との間に輪郭付表面を有 する、請求項41に記載の薄膜記録ヘッド。
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