JP2000503899A - 基板を処理する装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 処理流体を下から処理槽底部（１）を通して流入させる、処理流体を収容する処理槽（１２）を備えた形式の、基板（２）を処理する装置において、処理槽底部（１）の形状が、処理すべき基板（２）の形状に対応している場合には、処理流体の所要量は僅少となり、かつ処理槽（１２）内の流動状態は最適になる。本発明の択一的又は付加的な実施形態は、処理流体中に含まれた気泡を排出するために脱気溝（１４）を設けることであり、処理槽底部の下側に処理流体用の少なくとも２本の流入管を設けて、各流入管には該流入管に対して直角方向に突出する櫛形状の分配通路を設けることであり、処理槽底部の下側では処理流体の流入域に互いに平行に延びる複数の流入スリットを設けることであり、かつ／又は処理槽底部を処理流体用の入口オリフィス及び／又は流体通路と一体的に構成することである。

Description

【発明の詳細な説明】 基板を処理する装置 本発明は、処理流体を下から処理槽底部を通して流入させる、処理流体を収容 する処理槽内で基板を処理する装置に関する。 同一出願人によるドイツ連邦共和国特許出願公開第４４１３０７７号明細書及 びドイツ連邦共和国特許出願公開第１９５４６９９０号明細書に基づいて、前記 形式の基板処理装置は公知であり、更にまた、同一出願人による未公開のドイツ 連邦共和国特許出願第１９５３７８７９．２号明細書、ドイツ連邦共和国特許出 願第１９６１６４０２．８号明細書、ドイツ連邦共和国特許出願第１９６１５９ ６９．５号明細書又はドイツ連邦共和国特許出願第１９６３７８７５．３号明細 書にも開示されている。これらの基板処理装置は実地において極めて高い評価を 受けている。それにも拘わらずこれらの基板処理装置は比較的高い処理流体容量 を必要とし、この高い容量は高価で環境汚染に繋がり、かつ著しく手間をかけて 再調製されねばならない。そればかりでなく、処理すべき基板を、特に洗浄操作 時に均一にかつ基板全面にわたって一様に処理できるようにするために、処理槽 内における処理流体の流動挙動をできるだけ均等にすることが要求されている。 特開平３−２６６４３１号公報及び特開平５−１３６１１６号公報に基づいて 、明細書冒頭に記載した形式の基板処理装置は公知であり、この場合処理槽底部 の形状は円弧状であり、かつ円形ディスクの形状に対応している。特開平７−２ ４９６０４号公報に基づいて公知になっている処理装置は、カセットの形状に適 合した処理槽底部を有し、しかも前記カセットは流体処理時に処理槽内に配置さ れている。この公知の処理装置では流体は、下から処理槽底部を通して導入され るのではない。処理槽底部は排出口を有しているにすぎず、該排出口を通して、 処理槽内に位置している流体は放出される。米国特許第５０７１４８８号明細書 及び特開平６−２５２１２０号公報に基づいて、流体を下から流入させる処理装 置が公知であり、その場合処理中ウェハはカセット内に配置されており、かつ流 体は流体槽の上部域に設けた出口を介して流出する。特開平４−２６７９８１号 公報に基づいて、明細書冒頭で述べた形式の処理装置が公知であり、この場合、 排気管が設けられており、該排気管は、本来の流体槽の下側の導管域と連通し、 かつ、供給される高熱の温水中で発生する気泡を導出するためのものである。 米国特許第５０１４７２７号明細書、特開平７−１０６２９５号公報及び特開 平５−２５９１４３号公報に基づいて、明細書冒頭で述べた形式の処理装置が公 知であり、この場合下から導入すべき流体は、処理槽 底部の下側で種々異なった分配通路又は分配管に分配される。特開平６−１９６ ４６６号公報では洗浄タンクが開示されており、この場合洗浄液は、ウェハ縁へ 向かって配置されたスリットを通って下から洗浄タンク内へ導入される。特開平 ５−２３２９７８号公報に基づいて公知になっている基板処理装置では、処理槽 底部は、上下に重ねて配置された複数のプレートから成っており、これらのプレ ート内に設けたオリフィスは、下から導入された処理流体を多数の出口オリフィ スに分配するように形成されている。 発明の開示： 本発明の課題は、明細書冒頭で述べた形式の基板処理装置を改良して、設計費 及び製作技術費を僅かにすると共に、できるだけ僅量の処理流体で済ますことが でき、特に基板全面にわたって均等な処理を基板に最適に施せるようにすること である。 前記課題を解決するための本発明の構成手段は、処理流体のために少なくとも ２本の流入管が処理槽底部の下側に設けられており、前記の両流入管が、各流入 管から突出して櫛形状に互いに噛み合う複数の分配通路又は分配管を有している 点にある。このように処理槽底部の下側に設けた流体分配系は、処理槽内へ流体 を均等に流入させることを可能にし、ひいては基板域には無関係に、つまり該基 板域が処理槽壁の近傍に位置しているか、それとも該処理槽壁から隔たって位置 しているかには関わりなく流体によって基板を均等に処理することを可能にする 。少なくとも１本の流入管の櫛形状の複数本の分配管は、前記流入管から殊に直 角に突出しており、かつ、一方の流入管の各分配管がそれぞれ他方の流入管の２ 本の分配管の間に位置するように、同一平面内に配列されているのが有利である 。このようにして同一平面内で交互に、異なった側の分配管に流入管を介して処 理流体が供給されるので、これによって単位面積当り、流出する流体量もしくは 流体圧の平衡化が生じ、従って全面にわたって、処理槽内へ流体をほぼ均等に導 入することが可能である。 本発明の有利な実施形態によれば、分配管だけでなく、該分配管の突出する流 入管も、複数の出口オリフィスを有しているので、底面全体にわたって、処理流 体の流出挙動の均等なディフューザ系が生じる。流入管及び／又は分配管として は、円形管だけでなく、勿論また矩形管、扁平管又は正方形管も使用することが できる。流入管及び分配管におけるオリフィスのサイズ、形状及び数並びにオリ フィスの相互間隔は、実情に応じて選択可能であり、特に、ディフューザ面全体 にわたって単位面積当りほぼ等しい流体量を均等な流体圧で流入させるように選 択可能である。 本発明の有利な実施形態では、流入管及び／又は分配管の横断面積が供給部位 から管終端へ向かって漸減するように形成され、殊に有利には円錐形に形成され ており、これは、ディフューザ全面積にわたって処理流体の均等な圧力状態及び 流出体積を得るために寄与する。 前記の流入系又は処理槽底部の形状に加えて、或いはこれには無関係に前記の 同一課題を解決するための本発明の構成手段は、処理槽底部の下側で処理流体の 流入域に互いに平行に延びる複数の流入スリットが設けられており、該流入スリ ットがディフューザ系又は流入系を処理槽底部の流出面と接続している点にある 。有利には処理すべき基板の縁部へ向かって延びている前記流入スリットは、流 入する処理流体のための整流器として役立つ。前記流入スリットはこの場合、そ の下位に位置している流入系、例えば櫛形状に配列された分配通路を有する前記 ディフューザ系と処理槽底部との間に位置している。処理槽底部が円形の場合、 前記流入スリットの二次的効果は、入口オリフィスと、同一平面内に配置された ディフューザ系との間の間隔を補償もしくは橋渡しする点にある。流入スリット に基づいて処理槽内には、ウェハ軸線方向に関しても均等な最適の流動状態が得 られる。その場合、流入スリットの相互間隔が、処理槽内に配置された基板の間 隔に等しいのが特に有利である。このようにすれば処理流体は規定のようにかつ 所期のように、並列的に相互間隔をおいて配置された基板の間へ流入するので、 これによって処理流体による基板表面の負荷が一層均 等かつ最適に行なわれる。 流体剥離縁を改善するため、かつ一般的には流入スリットの流出オリフィスに おける流体の流出状態を改善するためには、該流出オリフィスを流出域において ノズル状に形成するのが有利である。 基板ホルダーの領域で複数の流入スリット及び／又は別の入口オリフィス、例 えば付加的なノズルが、処理流体を基板ホルダーを介して上位の処理槽域へガイ ドするように構成され、かつ方位づけられているのが有利である。このような処 理流体のガイドは、それ相応に構成された案内子によっても可能である。このよ うに構成すれば、基板ホルダーに基づいて発生する流動死角も避けられる。これ に関する重複説明を避けるために、同一出願人による同日出願のドイツ連邦共和 国特許出願公開第１９６４４２５３号明細書を特に参照されたい。 前記の構成手段に加えて、或いは該構成手段とは択一的に、前記の同一課題を 解決するための本発明の別の構成手段は、処理槽底部が、処理流体用の一体に構 成された入口オリフィス及び流体通路を有している点にある。その場合、処理槽 底部は、入口オリフィスも入口ノズルの形で最適に形成されるように、殊に一体 的に構成かつ成形されている。処理槽底部は、入口オリフィス又は入口ノズルが 内部に一体的に形成された完成した構成エレメントとして製作されるので、組立 の必要はなく、また入口ノズルも、例えば同一出願人による未公開のドイツ連邦 共和国特許出願第１９６１６４０２号明細書に実施例として記載されているよう に、処理槽底部内に組付けられる必要はない。これによって組立経費が著しく削 減され、かつ調節作業も省かれ、ノズル用のねじ山などを形成するための加工ス テップの必要もなくなる。付加的な格別顕著な利点は、入口オリフィス並びに該 入口オリフィスへの供給通路が著しく小さな容積を有することができるので、オ リフィス及び空隙が小さく保たれ、これに伴って無駄な流体容積及び特に気泡の 発生・集合が確実に回避される点にある。そればかりでなく入口オリフィス及び ノズルは、その形状及び処理槽底部内の位置を、処理槽内に格別均等な流れ分布 を生ぜしめるように最適に構成・配置することができる。その場合ノズルの形状 及び／又は処理槽底部内におけるノズルの配置は後調節なしに可能である。 本発明の特に有利な構成では処理槽底部は、入口オリフィスに処理流体を供給 するために一体に形成された複数の流体通路を有している。この構成手段によれ ば、入口オリフィスに流体を供給する流体通路も、処理槽底部の内部に一体的に 形成されている。従って該流体通路は敷設又は組付ける必要はない。これによっ て特に、流体通路、該流体通路の配置及び流体通路直径を各入口オリフィスに最 適に適合させることが可能 であるので、通流不全領域の発生及び気泡形成の要因となる無効空間又は剥離縁 が生じることはない。 処理槽底部は、入口ノズルであれ、或いは入口孔であれ、内部に形成された入 口オリフィス及び／又はやはり内部に形成された流体通路と共に殊に射出成形法 で製作することができる。本発明の別の有利な構成では、処理槽底部は一体的な 入口オリフィス及び流体通路と共にレーザリソグラフィ技術を使用して製作され ている。 本発明の更なる有利な構成では、処理槽底部は、該処理槽底部内へ処理流体を 導入するために少なくとも１つの接続通路を有している。その場合殊に有利には 、該処理槽底部は接続領域に一体的に雌ねじ山を有しており、該雌ねじ山に、処 理流体用の導管が接続され又は螺入される。この構成手段も、処理槽底部を一体 的に構成するために寄与し、かつ簡単に製作することができる。 本発明の極めて有利な構成では、処理槽底部の入口に設けた接続通路は、複数 の区分、殊に４つの区分に分割されている。本発明の実施形態によれば、前記接 続通路から複数の分枝通路が分岐し、これらの分枝通路は殊に、分割された個々 の区分に対応配設されている。これによって処理槽底部の内部に流体分配系を、 簡単かつ最適に実情に適合するように製作することが可能である。その場合、流 体通路又は分枝通路は、通 路終端へ向かって漸減する横断面積を有しているのが有利である。これによって 、既に述べたように、分枝通路全体にわたって均等な圧力分布が得られる。 基板全面にわたって、かつ全ての基板部位に最適の均等処理を施そうとする本 発明の課題を解決するためには、処理流体内に含まれた又は処理流体の導入時に 生成する気泡、所謂「バブル」が、このために設けられた脱気通路又は脱気溝内 へ導出されるのが、著しく有利である。気泡は基板処理に不利な影響を及ぼす。 すなわち処理流体、例えば洗浄流体による基板の不均等負荷が気泡によって生じ たり、或いは該気泡が基板面に時として付着し、処理流体による基板の処理が気 泡付着域では、基板の他領域とは異なることになるからである。 殊に有利には処理槽の側壁に、特に基板面に対して直角に延びる処理槽壁に、 脱気溝又は脱気通路が設けられている。気泡は該脱気溝に集まるので、処理すべ き基板と接触する本来の処理流体はほぼ気泡を有していない。 処理槽底部が円形もしくは円弧横断面形状を有している場合、脱気溝は、両側 方へ高まっていく処理槽底部の上部域に位置している。 処理槽底部の形状は、処理すべき基板の形状に対応しているのが特に有利であ る。このようにすれば処理槽の無駄な容積が回避されるので、これによって処理 槽内の流体容積が減少し、特に基板をめぐる処理槽内の流動特性が改善されて、 より均等な流れ分布が得られ、ひいては基板は基板全面にわたって一層均等に処 理される。これによって、高価な処理流体の所要量を節減できるばかりでなく、 例えば洗浄操作時において、等しい処理成績を伴う処理プロセスを短縮すること も可能である。それというのは少量の処理流体を処理槽から放出、又は処理槽へ 導入すればよいからである。そればかりか処理槽底部を基板形状に適合させるこ とによって、処理槽内の流動挙動、ひいては処理成績も、例えば基板の均等な洗 浄によって改善されるからである。 特にディスク状の基板の場合、例えばディスク状ウェハ、ＣＤ又はＣＤ−ＲＯ Ｍ或いはまたディスク状のマスク又はＬＥＤディスプレイ（発光ダイオード型表 示装置）を処理する場合、処理槽底部の横断面形状は円形又は円弧形であるのが 有利である。その場合円形の処理槽底部の形状は、有利にはディスク状基板に対 して同心的である。このようにすれば、処理槽内で基板を処理するために必要の ない無効空間及び無駄な流体容積が避けられる。円形の処理槽底部における入口 オリフィスは、処理槽内に均等な流動条件を得るために、扁平な又はやや傾斜し た処理槽底部を有する慣用の処理槽の場合よりも最適に配置することができる。 本発明の基板処理装置は、あらゆる種類の基板のた めに使用することができる。基板という概念は、ウェハ、ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、 マスク又はＬＥＤディスプレイを含むのみならず、表面処理、洗浄操作又は嵌挿 操作を施すべき全ての物品も含むものである。 図１は基板形状に適合された底部形状を有する本発明の基板処理装置の概略的 な横断面図である。 図２は処理槽底部の下側に流体分配系を有する本発明の基板処理装置の１実施 形態の概略的な横断面図である。 図３は流入スリットを有するように構成された処理槽底部の平面図である。 図４は処理槽底部の下側に配置された分配通路の１実施形態の平面図である。 図５ａ及び図５ｂは概略的に示した流入スリットのスリットボトムの第１実施 形態の平面図と横断面図である。 図６ａ及び図６ｂは第２実施形態による流入スリットのスリットボトムの平面 図と横断面図である。 図７ａ及び図７ｂは第３実施形態による流入スリットのスリットボトムの平面 図と横断面図である。 図８は一体的な入口オリフィスと入口通路を有する一体的に構成された処理槽 底部の概略的な部分横断面図である。 図９は図８に示した一体的な処理槽底部を一部破断して概略的に示した平面図 である。 図１０は図９の図示に対して横断平面を９０°回動して示した処理槽底部の横 断面図である。 次に図面に基づいて本発明の有利な実施例を詳説する。 図１に示した実施形態では処理槽底部１は、基板２に適合された形状、つまり 円形形状を有している。基板２はその縁部でもって基板ホルダー３上に載ってお り、該基板ホルダーは、図示の実施例ではナイフエッジ状ウェブの形態を有し、 かつ基板の搬入・搬出のために昇降運動可能である。側壁４，５に沿って基板は 、縦列に配列された筋目間を案内され、該筋目は処理槽の両側壁４，５から内向 きに張り出している。 処理流体は供給導管７，８を介して処理槽底部１内へ導入され、かつ該処理槽 底部の流出面に設けた相応の入口オリフィスへ、場合によっては基板ホルダー３ 用のシャフト１０内へも分配される。下から導入された処理流体は次いで基板２ に沿って流れ、該基板を処理又は洗浄して処理槽１２の上縁に設けたオーバーフ ローエッジ１１を介して該処理槽からオーバーフロー槽１３内へ流入する。処理 槽１２の底部形状がウェハ形状に適合されていることに基づいて、該処理槽内に は無効空間は存在せず、かつ基板２に対する流体分布も著しく改善されるので、 処理槽１２内には均等かつ最適の流動状態が発生し、かつ基板２のあらゆる領域 が均等に処理流体で負荷される。 円形、もしくは円形横断面の処理槽底部１の上部域には、処理槽の両側壁４， ５に沿って、又は両側壁近傍に脱気溝１４が位置し、該脱気溝内で、導入された 処理流体内に発生する気泡（該気泡は処理槽１２内へ流入する際にも生じること がある）が集められて、処理槽１２の内部への侵入を抑止される。 図２、図３及び図４には本発明の基板処理装置の１実施形態が図示されており 、この場合、処理槽底部１の下側に位置する流体供給系は、処理槽の異なった側 で延びて夫々別々に処理流体を供給する２本の流入管１５，１６を有しており、 両流入管から、同一平面内で夫々複数の分配通路１７，１８が櫛状に横方向に張 出している。流入管１５，１６の分配通路１７と１８は交互に互い違いに位置し ている。これによってディフューザユニット全体にわたって均等な流体分布もし くは流れ分布又は圧力分布が生じる。分配通路１７，１８の端部では流体圧は最 低である。しかしながら該分配通路に対して平行に、他方の流入管１６；１５か ら分枝する分配通路が位置し、しかも該分配通路は、分枝点では比較的大きな流 体圧を有している。それというのは該分枝点は、流入管１５，１６からまだ大し て隔たってはいないからである。こうして面全体にわたって圧力状態の補償が行 なわれるので、ディフューザ面全体にわたって均等な流動媒体分布が生ぜしめら れる。図４に概略的に平面図で示したディフューザ系 の横断面が図２に示されており、この図面では、ディフューザ系は処理槽１２に 対応した関係にある。 図４に示したディフューザ系と処理槽底部の流出面１９との間には複数の流入 スリット２０が位置し、該流入スリットはスリットボトム２１を形成しかつ図４ に示したディフューザ系を前記処理槽底部の流出面１９と連通している。流入ス リット２０はこの場合、処理すべき基板２の縁部に向かって延びており、しかも ナイフエッジ状ウェブの形状を有する基板ホルダー３は前記流入スリット２０に 対して直角な横方向に延びている。 流入スリット２０は基板２に対する位置関係を、処理流体が該流入スリットか ら基板２間へ流入するように選ばれている。 図５ａ及び図５ｂでは、基板ホルダー３より上位でいかなる死角も考慮に入れ ない流入スリットの配列もしくは流れ分布が図示されている。これに対して図６ ａ及び図６ｂに示した実施形態では、基板ホルダー３をめぐる領域２２が示され ており、該領域２２は、複数のノズル２３を設けた点で流入スリット領域とは相 違し、該ノズル２３は、処理流体が基板ホルダー３の上位域へも流れるように方 位づけられ又は配置されている。ノズル２３は基板ホルダー３の両側で、図６ａ に略示したように夫々１列に配列されている。 図７ａ及び図７ｂに示した実施形態では、基板ホル ダー３の上位でも均等な流れ分布が流体案内子又は流体誘導子２４によって生ぜ しめられ、該流体誘導子は、基板ホルダー３の両側で該基板ホルダーに対して夫 々平行に延びており、かつ基板ホルダー３の上位でも死角のない均等な流れ分布 を得るように成形されている。 図８、図９及び図１０には処理槽底部２５の１実施形態が図示されており、該 処理槽底部内では入口オリフィス２６も、該入口オリフィスに流体を供給する流 体通路２７もインテグラルにかつ一体的に構成されている。 例えば３／４インチ雌ねじ山２９を有する接続通路２８は、図示を省いた流体 供給導管と接続している。該接続通路２８は、図示の実施例では４つの区分３１ ，３２，３３，３４に分割されており、該区分は、処理槽底部２５内に一体に形 成された流体通路３１′，３２′，３３′，３４′に処理流体を供給し、該処理 流体は入口オリフィス２６から流出する（特に図９参照）。図８では、図９のＩ −Ｉ断面線に沿った概略的な横断面図が図示されている。１つの流体通路の個々 のノズル２６は、処理槽底部の流出面１９に沿って等間隔に基板面に対して直角 な方向に配置されており、その場合、特に図１０に基づいても判るように流体通 路３１′，３２′，３３′，３４′は流体通路終端へ向かって先細になっている 。図１０では、図９のＩＩ −ＩＩ断面線に沿った概略的な横断面図が図示されている。特に図１０から判る ように個々の流体通路３１′，３２′，３３′，３４′は、通路終端へ向かって 漸減する横断面積を有している。このことは図８においても、個々の流体通路内 に相応に縮径された流体通路終端横断面を図示することによって、示唆されてい る。 図８から判るように処理槽底部２５は、一体的に製作されたエレメントとして 提供され、かつ支持体部分３５に固定され、該支持体部分内には、基板ホルダー ３用のシャフト３６が形成されている。基板ホルダー３の他方の側では処理槽底 部２５はそれ相応に構成されている。但しこれは図８には図示されていない。 図８に示した実施例では基板ホルダー用のシャフト３６のために複数の入口オ リフィス３７が設けられており、該入口オリフィスを介して処理流体は、基板ホ ルダー用のシャフト３６を洗浄するため、及び基板ホルダー３をめぐって流れを 形成するために前記基板ホルダー用のシャフト３６内へも導入される。図示の実 施例では基板ホルダー用のシャフト３６のための入口オリフィス３７には処理流 体は、処理槽底部２５内に形成された流体通路２７から供給される。その場合前 記処理槽底部２５と支持体部分３５との間の接合部位は流体密ではない。それ故 に処理槽底部２５と支持体部分３５との間には、パッキン３８を設ける必要があ る。 以上のように本発明を、若干の有利な実施例に基づいて説明した。しかしなが ら当業者は、本発明の思想を逸脱すること無しに種々異なった変化態様で実施す ることができる。図示かつ説明した形式で処理槽底部２５を構成することは、図 ８に示した処理槽底部の形状とは異なった形状を有する処理槽についても勿論可 能である。また当業者には、流体通路及び分枝通路並びに出口オリフィス又はノ ズルの配置・構成を、事情及び要求に応じて変化・構成することも可能である。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】１９９８年１２月１４日（１９９８．１２．１４） 【補正内容】 請求の範囲 １．処理流体を収容する処理槽（１２）と、処理流体を下から前記処理槽に流入 させる処理槽底部（２５）とを備えた、基板（２）を処理する装置であって、処 理槽底部（２５）が、処理流体を収容する処理槽（１２）の下側の閉鎖部を形成 し、インテグラルかつ一体に形成された処理流体用の入口オリフィス（２６）、 並びに該入口オリフィス（２６）に処理流体を供給するための、インテグラルか つ一体に形成された流体通路（３１′，３２′，３３′，３４′）を有している ことを特徴とする、基板を処理する装置。 ２．処理槽底部（２５）が、その内部に形成された入口オリフィス（２６）及び ／又は流体通路（３１′，３２′，３３′，３４′）と共に射出成形法で製作さ れている、請求項１記載の装置。 ３．処理槽底部（２５）が、その内部に形成された入口オリフィス（２６）及び ／又は流体通路（３１′，３２′，３３′，３４′）と共にレーザリソグラフィ 技術で製作されている、請求項１又は２記載の装置。 ４．処理槽底部（２５）が、該処理槽底部（２５）内へ処理流体を導入するため に少なくとも１つの接続通路（２８）を有している、請求項１から３までの いずれか１項記載の装置。 ５．接続通路（２８）が複数の区分（３１，３２，３３，３４）に分割されてい る、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。 ６．接続通路（２８）から複数の分枝通路（３１′，３２′，３３′，３４′） が分岐している、請求項５記載の装置。 ７．流体通路又は分枝通路（３１′，３２′，３３′，３４′）が、流れ方向で 通路終端へ向かって漸減する横断面積を有している、請求項５又は６記載の装置 。 ８．流体通路又は分枝通路（３１′〜３４′）が複数の流出オリフィスを有して いる、請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。 ９．処理槽（１２）の側壁（４，５）に、処理流体内に含まれた又は処理流体の 導入時に生成される気泡を排出するための脱気溝（１４）が設けられている、請 求項１から８までのいずれか１項記載の装置。 10．処理槽底部（１）の横断面が円形の場合、脱気溝（１４）が、処理槽底部の 最上部域で処理槽の側壁（４，５）に沿って設けられている、請求項９記載の装 置。 11．処理槽底部（２５）が、丸みを帯びた形状を有している、請求項１から１０ までのいずれか１項記載の装置。 12．基板（２）がディスク状の場合、処理槽底部（１）の横断面形状が円弧形で ある、請求項１１記載の装置。 13．円弧形横断面の処理槽底部（１）の形状が、ディスク状基板（２）に対して 同心的である、請求項１１又は１２記載の装置。 14．基板ホルダー（３）の領域で複数の入口オリフィス（２３）が処理槽底部（ １２）内に配置されており、前記入口オリフィスが処理流体を、基板ホルダー（ ３）より上位の処理槽域へガイドする、請求項１から１３までのいずれか１項記 載の装置。 15．基板ホルダー（３）の領域で又は該領域をめぐって処理流体をガイドするた めに複数の案内子（２４）が設けられている、請求項１から１４までのいずれか １項記載の装置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．処理流体を下から処理槽底部（１）を通して流入させる、処理流体を収容す る処理槽（１２）を備えた形式の、基板（２）を処理する装置において、処理流 体のために少なくとも２本の流入管（１５，１６）が処理槽底部（１）の下側に 設けられており、前記の各流入管が、該流入管から突出する櫛形状の複数の分配 管（１７，１８）を有しており、前記の流入管（１５，１６）と分配管（１７， １８）とが同一平面内に配置されており、かつ一方の流入管（１５）の各分配管 （１７）が、他方の流入管（１６）の２つの分配管（１８）間に配置されている ことを特徴とする、基板を処理する装置。 ２．流入管（１５，１６）及び分配管（１７，１８）が複数の出口オリフィスを 有している、請求項１記載の装置。 ３．流入管（１５，１６）及び／又は分配管（１７，１８）の横断面積が供給部 位から管終端へ向かって漸減している、請求項１又は２記載の装置。 ４．流入管（１５，１６）及び／又は分配管（１７，１８）が円錐形に形成され ている、請求項３記載の装置。 ５．処理流体を下から、複数の流入スリット（２０）を有する処理槽底部（１） を通して流入させる、処 理流体を収容する処理槽（１２）を備えた形式の、基板（２）を処理する装置に おいて、処理槽底部（１）の下側で処理流体の流入域に互いに平行に延びる複数 の流入スリット（２０）が設けられており、該流入スリットがディフューザ系を 処理槽底部の流出面（１９）に接続していることを特徴とする、基板を処理する 装置。 ６．流入スリット（２０）が、処理すべき基板（２）の縁部へ向かって延びてい る、請求項５記載の装置。 ７．流入スリット（２０）の相互間隔が、処理槽内に配置された基板（２）の間 隔に等しい、請求項５又は６記載の装置。 ８．流入スリット（２０）の流出オリフィスがノズル状に形成されている、請求 項５から７までのいずれか１項記載の装置。 ９．基板ホルダー（３）の領域で複数の入口オリフィス（２３）が処理槽底部（ １２）内に配置されており、該入口オリフィスが処理流体を、基板ホルダー（３ ）より上位の処理槽域へガイドする、請求項５から８までのいずれか１項記載の 装置。 10．基板ホルダー（３）の領域で又は該領域をめぐって処理流体をガイドするた めに複数の案内子（２４）が設けられている、請求項５から９までのいずれか１ 項記載の装置。 11．処理流体を下から処理槽底部（２５）を通して流入させる、処理流体を収容 する処理槽（１２）を備た形式の、基板（２）を処理する装置において、処理槽 底部（１）が、一体に形成された処理流体用の複数の入口オリフィス（２６）及 び、該入口オリフィス（２６）に処理流体を供給するために一体に形成された複 数の流体通路（３１′，３２′，３３′，３４′）を有していることを特徴とす る、基板を処理する装置。 12．処理槽底部（２５）が、その内部に形成された入口オリフィス（２６）及び ／又は流体通路（３１′，３２′，３３′，３４′）と共に射出成形法で製作さ れている、請求項１１記載の装置。 13．処理槽底部（２５）が、その内部に形成された入口オリフィス（２６）及び ／又は流体通路（３１′，３２′，３３′，３４′）と共にレーザリソグラフィ 技術で製作されている、請求項１１記載の装置。 14．処理槽底部（２５）が、該処理槽底部（２５）内へ処理流体を導入するため に少なくとも１つの接続通路（２８）を有している、請求項１１から１３までの いずれか１項記載の装置。 15．接続通路（２８）が複数の区分（３１，３２，３３，３４）に分割されてい る、請求項１１から１４までのいずれか１項記載の装置。 16．接続通路（２８）から複数の分枝通路（３１′，３２′，３３′，３４′） が分岐している、請求項１５記載の装置。 17．流体通路又は分枝通路（３１′，３２′，３３′，３４′）が、通路終端へ 向かって漸減する横断面積を有している、請求項１５又は１６記載の装置。 18．処理流体を下から処理槽底部（１）を通して流入させる、処理流体を収容す る処理槽を備えた形式の、基板（２）を処理する装置において、処理槽（１２） の側壁（４，５）に、処理流体内に含まれた又は処理流体の導入時に生成される 気泡を排出するための脱気溝（１４）が設けられていることを特徴とする、基板 を処理する装置。 19．処理槽底部（１）の横断面が円形の場合、脱気溝（１４）が、処理槽底部の 最上部域で処理槽の側壁（４，５）に沿って設けられている、請求項１８記載の 装置。 20．処理槽底部（１）の形状が、処理すべき基板（２）の形状に対応している、 請求項１８又は１９記載の装置。 21．基板（２）がディスク状の場合、処理槽底部（１）の横断面形状が円弧形で ある、請求項２０記載の装置。 22．円弧形横断面の処理槽底部（１）の形状が、ディスク状基板（２）に対して 同心的である、請求項２ ０又は２１記載の装置。