JP2000356587A - 局在プラズモン共鳴センサー - Google Patents

局在プラズモン共鳴センサー

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JP2000356587A
JP2000356587A JP16754899A JP16754899A JP2000356587A JP 2000356587 A JP2000356587 A JP 2000356587A JP 16754899 A JP16754899 A JP 16754899A JP 16754899 A JP16754899 A JP 16754899A JP 2000356587 A JP2000356587 A JP 2000356587A
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隆之 岡本
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一郎 山口
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Abstract

(57)【要約】 【課題】狭隘な場所に配置することを可能とし、また、
曲面形状を含む任意の形状の試料に対して用いることを
可能とし、また、ガラス管などの管状体の内面において
構築することを可能とする。 【解決手段】ガラス製の基板10aと、基板10aの表
面に膜状に固定された金の微粒子10bとを有して構成
されるセンサー・ユニット10を有し、センサー・ユニ
ット10に対して光を照射し、基板10aに固定された
金の微粒子10bを透過した光の吸光度を測定すること
により、基板10aに固定された金の微粒子10bの近
傍の媒質の屈折率を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、局在プラズモン共
鳴センサーに関し、さらに詳細には、例えば、抗原抗体
反応における抗原の吸着の有無などのように、物質の吸
着の有無を検出するアフィニティー・センサーなどとし
て用いて好適な局在プラズモン共鳴センサーに関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、抗原抗体反応における抗原の
吸着の有無などのように、物質の吸着の有無を検出する
ためのアフィニティー・センサーとして、例えば、表面
プラズモン共鳴センサーが用いられていた。
【0003】一般に、この表面プラズモン共鳴センサー
は、プリズムと当該プリズムの一面に形成されて試料に
接触する金属膜とを有して構成されるセンサー・ユニッ
トと、このセンサー・ユニットのプリズムに入射するた
めの光ビームを発生する光源と、この光源により発生さ
れた光ビームをセンサー・ユニットのプリズムと金属膜
との界面に対して種々の入射角を得ることができるよう
にしてセンサー・ユニットに入射させる光学系手段と、
センサー・ユニットへの光源からの光ビームの入射によ
りプリズムと金属膜との界面で反射した全反射光の強度
を種々の入射角毎に検出する検出手段とを有して構成さ
れている。
【0004】従って、上記したような表面プラズモン共
鳴センサーは、センサー・ユニットがプリズムをその構
成要素として必要としているために、プリズムを配置す
ることが困難な狭隘な場所にセンサー・ユニットを配置
することができないという問題点があった。
【0005】また、表面プラズモン共鳴センサーにより
精度の高い検出結果を得るためには、センサー・ユニッ
トにおいて試料に接触する金属膜を形成するプリズムの
一面を、平滑な平坦面に形成する必要があり、このため
曲面形状の試料に対しては表面プラズモン共鳴センサー
を構築することができないという問題点があった。
【0006】また、センサー・ユニットにおいてプリズ
ムの一面に形成される金属膜は、一般には真空蒸着法を
用いて形成されている。
【0007】ところが、真空蒸着法によってはガラス管
などの管状体の内面などに金属膜を蒸着させることは困
難であり、従って、ガラス管などの管状体の内面におい
ては表面プラズモン共鳴センサーを構築することができ
ないという問題点があった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記したよ
うな従来の技術の有する種々の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、狭隘な場所に配
置することを可能にした局在プラズモン共鳴センサーを
提供しようとするものである。
【0009】また、本発明の目的とするところは、曲面
形状を含む任意の形状の試料に対して用いることを可能
にした局在プラズモン共鳴センサーを提供しようとする
ものである。
【0010】さらに、本発明の目的とするところは、ガ
ラス管などの管状体の内面において構築することを可能
とした局在プラズモン共鳴センサーを提供しようとする
ものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、誘電体、金属または半導体などの任意の
材料の基板の表面に金属微粒子を膜状に固定したものを
センサー・ユニットとして用い、このセンサー・ユニッ
トに対して光を照射し、基板に固定した金属微粒子を透
過した光の吸光度を測定することにより、基板に固定し
た金属微粒子表面近傍、例えば、基板に固定した金属微
粒子の直径程度の距離までにある媒質の屈折率を検出す
るようにしたものであり、その結果、センサー・ユニッ
トの金属微粒子への物質の吸着や堆積を検出することが
できるようになる。
【0012】また、本発明は、基板に固定した金属微粒
子表面近傍、例えば、基板に固定した金属微粒子の直径
程度の距離までにある媒質の屈折率を検出するようにし
たものであるので、センサー・ユニットを液体内に配置
した場合には、当該液体の屈折率を測定することもでき
る。
【0013】ここで、基板の表面に金属微粒子を膜状に
形成する際には、金属微粒子を単層膜として形成し、し
かも、金属微粒子がほとんど凝集せずに、互いに離れた
状態で固定されていることが好ましい。
【0014】図1には、上記した本発明による局在プラ
ズモン共鳴センサーの概念説明図が示されており、基板
2に金や銀などの金属微粒子3を固定してセンサー・ユ
ニット1を構成する。
【0015】そして、このセンサー・ユニット1へ、基
板2に対して透明な波長の光を入射光として入射する。
そうすると、基板2を透過した入射光は金属微粒子3へ
入射され、金属微粒子3を透過した入射光は透過光とし
て外部に出射される。
【0016】ここで、金や銀などの金属微粒子に光を入
射すると、局在プラズモン共鳴により、ある波長におい
て散乱光や吸収が増大し共鳴ピークが現出され、このと
き共鳴波長は周りの媒質の屈折率に依存する。そして、
金属微粒子の周りの媒質の屈折率が大きくなるに従っ
て、共鳴ピークの吸光度は大きくなり、長波長側へシフ
トするようになる。
【0017】なお、孤立した金属微粒子における局在プ
ラズモン共鳴の条件を示すと、以下の通りである。
【0018】まず、金属微粒子が球形であると仮定する
と、その分極率αは数式1で与えられる。
【数1】 ・・・数式1 ここで、aは球の半径、ε、εは、それぞれ金属微
粒子および媒質の誘電率である。
【0019】従って、
【数2】 ・・・数式2 のとき共鳴が生じ、微粒子の分極率は最大になる。
【0020】一方、微粒子の消光断面積Cextは、分
極率αを用いて次式(数式3)で与えられる。
【数3】 ・・・数式3 ここで、λは入射光の波長である。
【0021】従って、数式2で与えられる共鳴条件にお
いて、微粒子の消光断面積Cextは最大となり、次式
(数式4)で与えられる。
【数4】 ・・・数式4 従って、金属微粒子3を透過した透過光の吸収スペクト
ルを分光光度計を用いて測定して、各波長に対する吸光
度を得ると、局在プラズモン現象により、図2に示すよ
うに、金属微粒子3の誘電率と周りの媒質の誘電率との
関係により、所定の波長において共鳴ピークが表れる
(図2における(a))。
【0022】そして、この吸光度は、金属微粒子3に物
質が吸着や堆積していなくて当該金属微粒子3の周りの
媒質が空気の場合に比べて、金属微粒子3に空気より屈
折率の大きな物質が吸着したり堆積したりして当該物質
が当該金属微粒子3の周りの媒質として機能する場合に
は、共鳴ピークの吸光度は大きくなり、長波長側へシフ
トするようになる(図2における(b))。
【0023】従って、本発明においては、センサー・ユ
ニット1から出射される透過光の吸光度を測定すること
により、金属微粒子3の表面近傍、例えば、金属微粒子
3の直径程度の距離までにある媒質の屈折率を検出する
ことができるものであり、その結果、センサー・ユニッ
ト1の基板2に固定された金属微粒子3への物質の吸着
や堆積を検出することができるようになる。
【0024】また、センサー・ユニット1を液体内に配
置した場合には、当該液体の屈折率を測定することもで
きることになる。
【0025】そして、センサー・ユニット1は、プリズ
ムなどを必要とせずに、基板2に金属微粒子3を固定さ
せるだけでよいので、狭隘な場所に配置することができ
るものである。
【0026】また、センサー・ユニット1の基板2は、
曲面形状を含む任意の形状に形成してもよいので、曲面
形状を含む任意の形状の試料に対して用いることができ
るものである。
【0027】さらに、基板2への金属微粒子3の固定は
化学的に行うことができるので、ガラス管などの管状体
の内面において構築することができるものである。
【0028】なお、本発明においては、基板と入射光と
の関係は、図1を参照しながら上記において説明したよ
うに、基板2に対して透明な波長の光を入射光として入
射するようにしてもよいが、図3に示すように、基板
2’に対して反射するような波長の光を、基板2’に固
定された金属微粒子3’側から入射するようにして、セ
ンサー・ユニット1’からの反射光、即ち、金属微粒子
3’を透過した透過光の吸光度を測定するようにしても
よい。
【0029】上記したような観点において、本発明のう
ち請求項1に記載の発明は、任意の基板と、上記基板の
表面に膜状に固定された金属微粒子とを有して構成され
るセンサー・ユニットを有し、上記センサー・ユニット
に対して光を照射し、上記基板に固定された上記金属微
粒子を透過した光の吸光度を測定することにより、上記
基板に固定された上記金属微粒子近傍の媒質の屈折率を
検出するようにしたものである。
【0030】また、本発明のうち請求項2に記載の発明
は、任意の基板と、上記基板の表面に膜状に固定された
金属微粒子とを有して構成されるセンサー・ユニットを
有し、上記センサー・ユニットに対して光を照射し、上
記基板に固定された上記金属微粒子を透過した光の吸光
度を測定することにより、上記基板に固定された上記金
属微粒子近傍の媒質の屈折率を検出し、該検出結果に応
じて、上記センサー・ユニットの上記基板に固定された
上記金属微粒子への物質の吸着または堆積を検出するよ
うにしたものである。
【0031】また、本発明のうち請求項3に記載の発明
は、任意の基板と、上記基板の表面に膜状に固定された
金属微粒子とを有して構成されるセンサー・ユニットを
有し、液体内に配置した上記センサー・ユニットに対し
て光を照射し、上記基板に固定された上記金属微粒子を
透過した光の吸光度を測定することにより、上記基板に
固定された上記金属微粒子近傍の媒質の屈折率を検出
し、該検出結果に応じて、上記センサー・ユニットが配
置された液体の屈折率を測定するようにしたものであ
る。
【0032】また、本発明のうち請求項4に記載の発明
は、本発明のうち請求項1、請求項2または請求項3の
いずれか1項に記載の発明において、上記センサー・ユ
ニットは、上記基板の表面に膜状に固定する金属微粒子
を凝集させずに互いに離隔した状態にある単層膜として
形成するようにしたものである。
【0033】また、本発明のうち請求項5に記載の発明
は、本発明のうち請求項1、請求項2、請求項3または
請求項4のいずれか1項に記載の発明において、上記セ
ンサー・ユニットにおける上記基板は、ガラス製の基板
であるようにしたものである。
【0034】また、本発明のうち請求項6に記載の発明
は、本発明のうち請求項1、請求項2、請求項3、請求
項4または請求項5のいずれか1項に記載の発明におい
て、上記センサー・ユニットにおける上記金属微粒子
は、直径10〜20nmの金の微粒子であるようにした
ものである。
【0035】また、本発明のうち請求項7に記載の発明
は、本発明のうち請求項1、請求項2、請求項3または
請求項4に記載の発明において、上記センサー・ユニッ
トは、上記ガラス製の基板の表面に上記金の微粒子を固
定して金コロイド単層膜を形成してなり、上記金コロイ
ド単層膜は、上記ガラス製の基板を3−aminopr
opyltrimethoxysilaneの10%メ
タノール溶液に10分間浸けた後洗浄し、さらに、直径
約20nmの金コロイド溶液に2時間浸けることにより
作製されるものである。
【0036】また、本発明のうち請求項8に記載の発明
は、本発明のうち請求項1、請求項2、請求項3、請求
項4、請求項5、請求項6または請求項7のいずれか1
項に記載の発明において、上記基板は、曲面形状を含む
任意の形状であるようにしたものである。
【0037】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しなが
ら、本発明による局在プラズモン共鳴センサーの実施の
形態の一例を詳細に説明する。
【0038】図4には、本発明による局在プラズモン共
鳴センサーの実施の形態の一例の概念構成説明図が示さ
れている。
【0039】即ち、局在プラズモン共鳴センサーは、セ
ンサー・ユニット10と、センサー・ユニット10に対
して光ビームを入射するレーザーなどの光源12と、セ
ンサー・ユニット10を透過した光の吸収スペクトルを
測定して吸光度を得るための分光光度計14とを有して
構成されている。
【0040】ここで、センサー・ユニット10は、ガラ
ス製の基板10aに金属微粒子として直径約10〜20
nm、例えば、直径約20nmの金の微粒子10bを多
数固定して構成されていて、ガラス製の基板10aの表
面には多数の金の微粒子10bにより金コロイド単層膜
が形成されることになる。
【0041】ここで、ガラス製の基板10aの表面に金
の微粒子10bを多数固定して金コロイド単層膜を形成
するには、以下に示す手法を用いることができる。
【0042】即ち、ガラス製の基板10aの表面に金の
微粒子10bを固定して形成された金コロイド単層膜
は、ガラス製の基板10aを3−aminopropy
ltrimethoxysilaneの10%メタノー
ル溶液に10分間浸けた後洗浄し、さらに、直径約20
nmの金コロイド溶液に2時間浸けることにより作製さ
れる。
【0043】図5には、ガラス製の基板10aの表面に
金の微粒子10bを固定して形成された金コロイド単層
膜の走査型電子顕微鏡(SEM)による像が示されてい
る。
【0044】この図5に示す走査型電子顕微鏡による像
から明らかなように、金コロイド単層膜を形成する金の
微粒子10bは、ほとんど凝集せずに、互いに離れた状
態で固定されている。
【0045】そして、上記した手法によりガラス製の基
板10aの表面に形成された金コロイド単層膜は、水や
アルコールなどの有機物に対しても安定している。
【0046】以上の構成において、金コロイド単層膜を
形成する金の微粒子10bに物質が吸着あるいは堆積す
ると、透過光の吸光度が変化することになり、金の微粒
子10bに物質が吸着あるいは堆積したことを検出する
ことがきる。
【0047】即ち、このセンサー・ユニット10に対し
て光源12から光ビームを照射し、分光光度計14によ
って基板10aに固定した金の微粒子10bを透過した
光の吸収スペクトルを測定して吸光度を得ることによ
り、基板10aに固定した金の微粒子10bの表面近傍
(具体的には、基板10aに固定した金の微粒子10b
の直径程度の距離まで)にある媒質の屈折率の変化を検
出することができるので、その結果、センサー・ユニッ
ト10の基板10aに固定された金の微粒子10bへの
物質の吸着や堆積を検出することができるようになる。
【0048】例えば、図6に示すように基板10aに固
定された金の微粒子10bにPMMA薄膜100が堆積
した場合には、図7に示すように堆積したPMMA薄膜
100の膜厚が厚くなるに従って、共鳴ピークの吸光度
は大きくなり、長波長側へシフトするようになる。
【0049】従って、この場合には、センサー・ユニッ
ト10から出射される透過光の吸光度の変化を検出する
ことにより、金の微粒子10bにPMMA薄膜100が
堆積したか否か、さらには堆積したPMMA薄膜100
の厚さも検出することができるようになる。
【0050】上記の例は、基板10aに固定された金の
微粒子10bにPMMA薄膜100が堆積した場合であ
るが、他の物質が吸着したり堆積した場合も同様であ
る。
【0051】なお、ガラス製の基板10aの表面に金の
微粒子10bを固定して形成された金コロイド単層膜
は、ガラス製の基板10aを3−aminopropy
ltrimethoxysilaneの10%メタノー
ル溶液に10分間浸けた後洗浄し、さらに、直径約20
nmの金コロイド溶液に2時間浸けることにより作製す
ることができ、しかも、水やアルコールなどの有機物に
対しても安定しているので、図8に示すように所定の溶
媒を溶解した溶液を通過させる管体状にセンサー・ユニ
ット10を構成したり、図9に示すように所定の溶媒を
溶解した溶液を収容する容器状にセンサー・ユニット1
0を構成することができ、この場合には、当該溶液の屈
折率を測定することができるとともに、金の微粒子10
bへの所定の溶媒の吸着や堆積を検出することもでき
る。
【0052】従って、上記した局在プラズモン共鳴セン
サーによれば、図10に示すように、センサー・ユニッ
ト10の基板10aに固定した金の微粒子10bに所定
の受容体102を吸着させた場合には、センサー・ユニ
ット10からの透過光の吸光度が変化するためその受容
体102の吸着を検出でき、また、受容体102に所定
の物質104が吸着した場合にも、センサー・ユニット
10からの透過光の吸光度が変化するためその所定の物
質104の吸着も検出することができるので、抗原抗体
反応における抗原の吸着の有無を検出するアフィニティ
ー・センサーとして用いると効果的である。
【0053】なお、この実施の形態においては、金属微
粒子として金の微粒子を用いたが、これに限られるもの
ではないことは勿論であり、銀やその他の金属微粒子を
用いることができる。
【0054】ただし、金属微粒子として金の微粒子を用
いた場合には、金は安定した物質であるためにその取り
扱いが容易であり、また、金属微粒子として銀の微粒子
を用いた場合には、感度のよい測定を行うことができ
る。
【0055】また、この実施の形態においては、基板と
してガラス製の基板を用いたが、これに限られるもので
はないことは勿論であり、ガラス以外の誘電体や金属ま
たは半導体などの任意の材料の基板を用いることができ
る。
【0056】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、狭隘な場所に配置することを可能にした局
在プラズモン共鳴センサーを提供することができるとい
う優れた効果を奏する。
【0057】また、本発明は、以上説明したように構成
されているので、曲面形状を含む任意の形状の試料に対
して用いることを可能にした局在プラズモン共鳴センサ
ーを提供することができるという優れた効果を奏する。
【0058】さらに、本発明は、以上説明したように構
成されているので、ガラス管などの管状体の内面におい
て構築することを可能とした局在プラズモン共鳴センサ
ーを提供することができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による局在プラズモン共鳴センサーの概
念説明図である。
【図2】本発明による局在プラズモン共鳴センサーの透
過光の吸光度を示すグラフである。
【図3】本発明による局在プラズモン共鳴センサーの概
念説明図である。
【図4】本発明による局在プラズモン共鳴センサーの実
施の形態の一例の概念構成説明図である。
【図5】ガラス製の基板の表面に金の微粒子を固定して
形成された金コロイド単層膜の走査型電子顕微鏡(SE
M)による像である。
【図6】センサー・ユニットの金の微粒子にPMMA薄
膜が堆積した状態を示す概念説明図である。
【図7】センサー・ユニットの金の微粒子にPMMA薄
膜が堆積した局在プラズモン共鳴センサーの透過光の吸
光度を示すグラフである。
【図8】管体状に構成したセンサー・ユニットの概念説
明図である。
【図9】容器状に構成したセンサー・ユニットの概念説
明図である。
【図10】本発明による局在プラズモン共鳴センサーを
アフィニティー・センサーとして用いた場合における概
念説明図である。
【符号の説明】
1,1’ センサー・ユニット 2、2’ 基板 3、3’ 金属微粒子 10 センサー・ユニット 10a ガラス製の基板 10b 金の微粒子 12 光源 14 分光光度計 100 PMMA薄膜 102 受容体 104 物質

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 任意の基板と、前記基板の表面に膜状に
    固定された金属微粒子とを有して構成されるセンサー・
    ユニットを有し、 前記センサー・ユニットに対して光を照射し、前記基板
    に固定された前記金属微粒子を透過した光の吸光度を測
    定することにより、前記基板に固定された前記金属微粒
    子近傍の媒質の屈折率を検出するものである局在プラズ
    モン共鳴センサー。
  2. 【請求項2】 任意の基板と、前記基板の表面に膜状に
    固定された金属微粒子とを有して構成されるセンサー・
    ユニットを有し、 前記センサー・ユニットに対して光を照射し、前記基板
    に固定された前記金属微粒子を透過した光の吸光度を測
    定することにより、前記基板に固定された前記金属微粒
    子近傍の媒質の屈折率を検出し、該検出結果に応じて、
    前記センサー・ユニットの前記基板に固定された前記金
    属微粒子への物質の吸着または堆積を検出するものであ
    る局在プラズモン共鳴センサー。
  3. 【請求項3】 任意の基板と、前記基板の表面に膜状に
    固定された金属微粒子とを有して構成されるセンサー・
    ユニットを有し、 液体内に配置した前記センサー・ユニットに対して光を
    照射し、前記基板に固定された前記金属微粒子を透過し
    た光の吸光度を測定することにより、前記基板に固定さ
    れた前記金属微粒子近傍の媒質の屈折率を検出し、該検
    出結果に応じて、前記センサー・ユニットが配置された
    液体の屈折率を測定するものである局在プラズモン共鳴
    センサー。
  4. 【請求項4】 請求項1、請求項2または請求項3のい
    ずれか1項に記載の局在プラズモン共鳴センサーにおい
    て、 前記センサー・ユニットは、前記基板の表面に膜状に固
    定する金属微粒子を凝集させずに互いに離隔した状態に
    ある単層膜として形成するものである局在プラズモン共
    鳴センサー。
  5. 【請求項5】 請求項1、請求項2、請求項3または請
    求項4のいずれか1項に記載の局在プラズモン共鳴セン
    サーにおいて、 前記センサー・ユニットにおける前記基板は、ガラス製
    の基板であるものである局在プラズモン共鳴センサー。
  6. 【請求項6】 請求項1、請求項2、請求項3、請求項
    4または請求項5のいずれか1項に記載の局在プラズモ
    ン共鳴センサーにおいて、 前記センサー・ユニットにおける前記金属微粒子は、直
    径10〜20nmの金の微粒子であるものである局在プ
    ラズモン共鳴センサー。
  7. 【請求項7】 請求項1、請求項2、請求項3または請
    求項4に記載の局在プラズモン共鳴センサーにおいて、 前記センサー・ユニットは、前記ガラス製の基板の表面
    に前記金の微粒子を固定して金コロイド単層膜を形成し
    てなり、 前記金コロイド単層膜は、前記ガラス製の基板を3−a
    minopropyltrimethoxysilan
    eの10%メタノール溶液に10分間浸けた後洗浄し、
    さらに、直径約20nmの金コロイド溶液に2時間浸け
    ることにより作製されるものである局在プラズモン共鳴
    センサー。
  8. 【請求項8】 請求項1、請求項2、請求項3、請求項
    4、請求項5、請求項6または請求項7のいずれか1項
    に記載の局在プラズモン共鳴センサーにおいて、 前記基板は、曲面形状を含む任意の形状であるものであ
    る局在プラズモン共鳴センサー。
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JP (1) JP3452837B2 (ja)

Cited By (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003268592A (ja) * 2002-01-08 2003-09-25 Fuji Photo Film Co Ltd 構造体及び構造体の製造方法並びにこれを用いたセンサ
KR100405898B1 (ko) * 2001-06-16 2003-11-14 국방과학연구소 콜로이달 골드를 이용하여 표면 플라즈몬 공명 센서로분석 물질을 검출하는 방법
EP1373872A1 (en) * 2001-02-26 2004-01-02 Yeda Research And Development Company, Ltd. Method and apparatus for detecting and quantifying a chemical substance employing a spectral property of metallic islands
US6707549B2 (en) 2001-03-14 2004-03-16 Tdk Corporation Molecular sensor and raman spectroscopy process
JP2005195440A (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Fuji Photo Film Co Ltd 被検体検出方法
JP2006003217A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Kyoto Univ センサチップ及びそれを用いたセンサ装置
JP2006061748A (ja) * 2004-08-24 2006-03-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 金属微粒子薄膜の製法
US7079250B2 (en) 2002-01-08 2006-07-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Structure, structure manufacturing method and sensor using the same
WO2006080382A1 (ja) * 2005-01-31 2006-08-03 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology ラマン散乱増強用チップ及び該チップを具備する分子センシング装置
JP2006224231A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 National Institute For Materials Science 表面非修飾金属ナノ微粒子の単層アレイ構造体の作製法
JP2006280564A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fukuoka Prefecture 金属表面修飾セラミックス系スキャフォールドとその用途
EP1729112A1 (en) 2005-06-01 2006-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Localized plasmon resonance sensor
WO2006135097A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-21 Fujifilm Corporation Sensor, multichannel sensor, sensing apparatus, and sensing method
JP2007010648A (ja) * 2005-06-01 2007-01-18 Canon Inc 局在プラズモン共鳴センサ
JP2007071667A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Hokkaido Univ センシング方法およびセンシング装置
JP2007508536A (ja) * 2003-10-09 2007-04-05 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 化学種又は生物種用の表面プラズモンマイクロセンサ及びナノセンサ
JP2007298342A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Canon Inc 分子間相互作用強度検定方法、及び装置
WO2007148833A1 (en) * 2006-06-22 2007-12-27 Fujifilm Corporation Sensor, sensing system and sensing method
JP2008039692A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Canon Inc 標的物質検出材料、及びその製造方法
JP2008128893A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Canon Inc 検知素子、該検知素子を用いた標的物質検知装置及び標的物質を検知する方法
JP2008157923A (ja) * 2006-12-01 2008-07-10 Canon Inc 化学センシング装置及び化学センシング方法
US7399445B2 (en) 2002-01-11 2008-07-15 Canon Kabushiki Kaisha Chemical sensor
US7403287B2 (en) 2005-06-08 2008-07-22 Canon Kabushiki Kaisha Sensing element used in sensing device for sensing target substance in specimen by using plasmon resonance
EP1950556A1 (en) * 2005-10-25 2008-07-30 Kyushu University, National University Corporation Substrate for analysis for use in raman spectroscopic analysis and substrate assembly for analysis
JPWO2005095927A1 (ja) * 2004-03-31 2008-07-31 オムロン株式会社 局在プラズモン共鳴センサ及び検査装置
US7435488B2 (en) 2004-03-23 2008-10-14 Fujifilm Corporation Fine structural body and method of producing the same
US7501649B2 (en) 2003-01-30 2009-03-10 Fujifilm Corporation Sensor including porous body with metal particles loaded in the pores of the body and measuring apparatus using the same
US7508043B2 (en) 2004-09-13 2009-03-24 Fujifilm Corporation Sensor for analyzing a sample by utilizing localized plasmon resonance
JP2010016733A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Hitachi Maxell Ltd 画像取得装置、変換装置、及び画像取得方法
US7659987B2 (en) 2004-09-16 2010-02-09 Canon Kabushiki Kaisha Device and method for acquiring information on objective substance to be detected by detecting a change of wavelength characteristics on the optical transmittance
US7826042B2 (en) 2004-03-05 2010-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Recognition chip for target substance, and detection method and device for the same
JP2010256126A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute 局在表面プラズモン共鳴測定基板及び局在表面プラズモン共鳴センサ
US7839508B2 (en) 2007-03-05 2010-11-23 Omron Corporation Surface plasmon resonance sensor and sensor chip
US7859672B2 (en) 2007-03-19 2010-12-28 Canon Kabushiki Kaisha Optical element, sensor device, manufacturing method of optical element, detection element, target substance measuring device and detection method
US7898667B2 (en) 2006-12-27 2011-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Optical element and method for preparing the same, sensor apparatus and sensing method
US7906367B2 (en) 2006-03-09 2011-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Method of forming fine particle pattern, and method of producing a device
US7915053B2 (en) 2005-12-22 2011-03-29 Canon Kabushiki Kaisha Substrate for target substance detecting device, target substance detecting device, target substance detecting apparatus and method using the same, and kit therefor
EP2325635A2 (en) 2009-11-19 2011-05-25 Seiko Epson Corporation Sensor chip, sensor cartridge, and analysis apparatus
JP2011128135A (ja) * 2009-11-19 2011-06-30 Seiko Epson Corp センサーチップ、センサーカートリッジ及び分析装置
JP2011180043A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Fujitsu Ltd 観察装置および観察セル
WO2011114812A1 (ja) 2010-03-19 2011-09-22 新日鐵化学株式会社 金属微粒子複合体
US8045141B2 (en) 2006-05-12 2011-10-25 Canon Kabushiki Kaisha Detecting element, detecting device and detecting method
EP2383565A1 (en) 2010-04-28 2011-11-02 Seiko Epson Corporation Optical device, analyzing apparatus and spectroscopic method
US8149410B2 (en) 2006-03-20 2012-04-03 Canon Kabushiki Kaisha Detecting device, detecting unit substrate, detecting unit, detecting unit kit and detecting method
EP2469598A2 (en) 2010-12-24 2012-06-27 Seiko Epson Corporation Sensor chip, detection device, and method of manufacturing sensor chip
WO2012108322A1 (ja) 2011-02-09 2012-08-16 新日鐵化学株式会社 金属微粒子分散複合体及びその製造方法、並びに局在型表面プラズモン共鳴発生基板
US8497987B2 (en) 2010-09-14 2013-07-30 Seiko Epson Corporation Optical device unit and detection apparatus
US8531661B2 (en) 2010-09-14 2013-09-10 Seiko Epson Corporation Optical device unit and detection apparatus
US8773658B2 (en) 2011-04-27 2014-07-08 Seiko Epson Corporation Detection device
US8817263B2 (en) 2012-01-18 2014-08-26 Seiko Epson Corporation Sample analysis element and detecting device
US8823941B2 (en) 2011-04-12 2014-09-02 Seiko Epson Corporation Detection device
US8836946B2 (en) 2011-06-23 2014-09-16 Seiko Epson Corporation Optical device and detection device
US8835185B2 (en) 2006-01-18 2014-09-16 Canon Kabushiki Kaisha Target substance-detecting element
US8836947B2 (en) 2012-01-18 2014-09-16 Seiko Epson Corporation Sample analysis element and detecting device
US8902419B2 (en) 2010-09-14 2014-12-02 Seiko Epson Corporation Detection apparatus
US8970839B2 (en) 2011-04-08 2015-03-03 Seiko Epson Corporation Detection device
US9057697B2 (en) 2011-10-17 2015-06-16 Seiko Epson Corporation Optical device with propagating and localized surface plasmons and detection apparatus
CN104730038A (zh) * 2014-12-25 2015-06-24 中北大学 一种手持式高通量生物传感器
US9222889B2 (en) 2012-05-11 2015-12-29 Seiko Epson Corporation Sample analysis device, testing apparatus, and sensor cartridge
US9228944B2 (en) 2012-04-18 2016-01-05 Seiko Epson Corporation Sample analysis element and detection device
JP2017078573A (ja) * 2015-10-19 2017-04-27 コニカミノルタ株式会社 ガス検知方法及びガス検知装置
CN107546238A (zh) * 2016-06-28 2018-01-05 豪威科技股份有限公司 谐振滤波器图像传感器及相关的制造方法
WO2019031591A1 (ja) 2017-08-10 2019-02-14 イムラ・ジャパン株式会社 電気測定型表面プラズモン共鳴センサ及びそれに用いる電気測定型表面プラズモン共鳴センサチップ
JP2020034543A (ja) * 2018-08-28 2020-03-05 公立大学法人名古屋市立大学 Spr測定用基板及びその製造方法
WO2021075529A1 (ja) 2019-10-18 2021-04-22 イムラ・ジャパン株式会社 電気測定型表面プラズモン共鳴センサ、電気測定型表面プラズモン共鳴センサチップ、及び表面プラズモン共鳴変化の検出方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006010534A (ja) 2004-06-25 2006-01-12 Canon Inc コア・シェル型磁性粒子センサー
JP4838626B2 (ja) 2005-04-28 2011-12-14 キヤノン株式会社 プラズモン共鳴を利用して標的物質を検出する装置に用いられる標的物質検出素子用基板、これを用いた検出素子及び検出装置
WO2006132224A1 (ja) * 2005-06-09 2006-12-14 Tokyo University Of Agriculture And Technology 反射率変化型センサ、光学式測定装置、反射率変化型センサの製造方法、並びに反射率変化型センサ用自己組織化微粒子単層膜、自己組織化微粒子単層膜及びこれら単層膜の製造方法
US8023114B2 (en) 2005-08-01 2011-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Target substance detecting device, target substance detecting method using the same, and detecting apparatus and kit therefor
JP4878238B2 (ja) * 2005-08-01 2012-02-15 キヤノン株式会社 標的物質検出用の素子及びそれを用いた標的物質の検出方法、並びにそのための検出装置及びキット
JP4810304B2 (ja) 2006-05-12 2011-11-09 キヤノン株式会社 化学センサ素子及びその製造方法
JP5178049B2 (ja) 2006-05-12 2013-04-10 キヤノン株式会社 標的物質検出素子、標的物質検出装置、及び標的物質検出方法
US7863059B2 (en) 2007-03-16 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Target substance detection method and target substance detection kit
JP5178254B2 (ja) * 2007-03-16 2013-04-10 キヤノン株式会社 標的物質検出方法
JP2009192259A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Akita Univ センシング装置
WO2019131640A1 (ja) * 2017-12-25 2019-07-04 国立大学法人北海道大学 光吸収デバイスおよびその製造方法ならびに光電極

Cited By (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8071391B2 (en) 2001-02-26 2011-12-06 Yeda Research And Development Company Ltd. Method and apparatus for detecting and quantifying a chemical substance employing an optical transmission property of metallic islands on a transparent substrate
EP1373872A1 (en) * 2001-02-26 2004-01-02 Yeda Research And Development Company, Ltd. Method and apparatus for detecting and quantifying a chemical substance employing a spectral property of metallic islands
EP1373872A4 (en) * 2001-02-26 2009-04-22 Yeda Res & Dev CHEMICAL ANALYSIS METHOD AND DEVICE
US6707549B2 (en) 2001-03-14 2004-03-16 Tdk Corporation Molecular sensor and raman spectroscopy process
KR100405898B1 (ko) * 2001-06-16 2003-11-14 국방과학연구소 콜로이달 골드를 이용하여 표면 플라즈몬 공명 센서로분석 물질을 검출하는 방법
US7079250B2 (en) 2002-01-08 2006-07-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Structure, structure manufacturing method and sensor using the same
JP2003268592A (ja) * 2002-01-08 2003-09-25 Fuji Photo Film Co Ltd 構造体及び構造体の製造方法並びにこれを用いたセンサ
US7733491B2 (en) 2002-01-11 2010-06-08 Canon Kabushiki Kaisha Sensor device and testing method utilizing localized plasmon resonance
US7399445B2 (en) 2002-01-11 2008-07-15 Canon Kabushiki Kaisha Chemical sensor
US7501649B2 (en) 2003-01-30 2009-03-10 Fujifilm Corporation Sensor including porous body with metal particles loaded in the pores of the body and measuring apparatus using the same
JP2007508536A (ja) * 2003-10-09 2007-04-05 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 化学種又は生物種用の表面プラズモンマイクロセンサ及びナノセンサ
JP2005195440A (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Fuji Photo Film Co Ltd 被検体検出方法
US7307731B2 (en) 2004-01-07 2007-12-11 Fujifilm Corporation Method of detecting test bodies
US7826042B2 (en) 2004-03-05 2010-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Recognition chip for target substance, and detection method and device for the same
US8023109B2 (en) 2004-03-05 2011-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Recognition chip for target substance, and detection method and device for the same
US7435488B2 (en) 2004-03-23 2008-10-14 Fujifilm Corporation Fine structural body and method of producing the same
JPWO2005095927A1 (ja) * 2004-03-31 2008-07-31 オムロン株式会社 局在プラズモン共鳴センサ及び検査装置
US7906344B2 (en) 2004-03-31 2011-03-15 Omron Corporation Localized plasmon resonance sensor and examining device
JP4548416B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-22 オムロン株式会社 局在プラズモン共鳴センサ及び検査装置
JP2006003217A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Kyoto Univ センサチップ及びそれを用いたセンサ装置
JP4510550B2 (ja) * 2004-08-24 2010-07-28 日本電信電話株式会社 金属微粒子薄膜中の金属微粒子構造制御方法
JP2006061748A (ja) * 2004-08-24 2006-03-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 金属微粒子薄膜の製法
US7508043B2 (en) 2004-09-13 2009-03-24 Fujifilm Corporation Sensor for analyzing a sample by utilizing localized plasmon resonance
US7659987B2 (en) 2004-09-16 2010-02-09 Canon Kabushiki Kaisha Device and method for acquiring information on objective substance to be detected by detecting a change of wavelength characteristics on the optical transmittance
US7944564B2 (en) 2004-09-16 2011-05-17 Canon Kabushiki Kaisha Device and method for acquiring information on objective substance to be detected by detecting a change of wavelength characteristics on the optical transmittance
US7692787B2 (en) 2005-01-31 2010-04-06 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Chip for Raman scattering enhancement and molecular sensing device including the chip
WO2006080382A1 (ja) * 2005-01-31 2006-08-03 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology ラマン散乱増強用チップ及び該チップを具備する分子センシング装置
JP2006224231A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 National Institute For Materials Science 表面非修飾金属ナノ微粒子の単層アレイ構造体の作製法
JP2006280564A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fukuoka Prefecture 金属表面修飾セラミックス系スキャフォールドとその用途
EP1729112A1 (en) 2005-06-01 2006-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Localized plasmon resonance sensor
JP2007010648A (ja) * 2005-06-01 2007-01-18 Canon Inc 局在プラズモン共鳴センサ
US7599066B2 (en) 2005-06-01 2009-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Localized plasmon resonance sensor
US7403287B2 (en) 2005-06-08 2008-07-22 Canon Kabushiki Kaisha Sensing element used in sensing device for sensing target substance in specimen by using plasmon resonance
US7643156B2 (en) 2005-06-14 2010-01-05 Fujifilm Corporation Sensor, multichannel sensor, sensing apparatus, and sensing method
WO2006135097A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-21 Fujifilm Corporation Sensor, multichannel sensor, sensing apparatus, and sensing method
JP2007071667A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Hokkaido Univ センシング方法およびセンシング装置
EP1950556A1 (en) * 2005-10-25 2008-07-30 Kyushu University, National University Corporation Substrate for analysis for use in raman spectroscopic analysis and substrate assembly for analysis
EP1950556A4 (en) * 2005-10-25 2014-07-02 Univ Kyushu Nat Univ Corp ANALYSIS SUBSTRATE FOR USE IN RAMAN SPECTROSCOPY ANALYSIS AND ANALYSIS SUBSTRATE CONSTRUCTION
US7915053B2 (en) 2005-12-22 2011-03-29 Canon Kabushiki Kaisha Substrate for target substance detecting device, target substance detecting device, target substance detecting apparatus and method using the same, and kit therefor
US8835185B2 (en) 2006-01-18 2014-09-16 Canon Kabushiki Kaisha Target substance-detecting element
US7906367B2 (en) 2006-03-09 2011-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Method of forming fine particle pattern, and method of producing a device
US8149410B2 (en) 2006-03-20 2012-04-03 Canon Kabushiki Kaisha Detecting device, detecting unit substrate, detecting unit, detecting unit kit and detecting method
JP2007298342A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Canon Inc 分子間相互作用強度検定方法、及び装置
US8045141B2 (en) 2006-05-12 2011-10-25 Canon Kabushiki Kaisha Detecting element, detecting device and detecting method
WO2007148833A1 (en) * 2006-06-22 2007-12-27 Fujifilm Corporation Sensor, sensing system and sensing method
US8023115B2 (en) 2006-06-22 2011-09-20 Fujifilm Corporation Sensor, sensing system and sensing method
JP2008039692A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Canon Inc 標的物質検出材料、及びその製造方法
JP2008128893A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Canon Inc 検知素子、該検知素子を用いた標的物質検知装置及び標的物質を検知する方法
US7920266B2 (en) 2006-11-22 2011-04-05 Canon Kabushiki Kaisha Detection element, detection apparatus for detecting target substance, method of detecting target substance and metal-containing member
JP2008157923A (ja) * 2006-12-01 2008-07-10 Canon Inc 化学センシング装置及び化学センシング方法
US7898667B2 (en) 2006-12-27 2011-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Optical element and method for preparing the same, sensor apparatus and sensing method
US7839508B2 (en) 2007-03-05 2010-11-23 Omron Corporation Surface plasmon resonance sensor and sensor chip
US7859672B2 (en) 2007-03-19 2010-12-28 Canon Kabushiki Kaisha Optical element, sensor device, manufacturing method of optical element, detection element, target substance measuring device and detection method
JP2010016733A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Hitachi Maxell Ltd 画像取得装置、変換装置、及び画像取得方法
JP2010256126A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute 局在表面プラズモン共鳴測定基板及び局在表面プラズモン共鳴センサ
US8710427B2 (en) 2009-11-19 2014-04-29 Seiko Epson Corporation Sensor chip, sensor cartridge, and analysis apparatus
JP2011128135A (ja) * 2009-11-19 2011-06-30 Seiko Epson Corp センサーチップ、センサーカートリッジ及び分析装置
US9151666B2 (en) 2009-11-19 2015-10-06 Seiko Epson Corporation Sensor chip, sensor cartridge, and analysis apparatus
US8415611B2 (en) 2009-11-19 2013-04-09 Seiko Epson Corporation Sensor chip, sensor cartridge, and analysis apparatus
EP2325635A2 (en) 2009-11-19 2011-05-25 Seiko Epson Corporation Sensor chip, sensor cartridge, and analysis apparatus
JP2011180043A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Fujitsu Ltd 観察装置および観察セル
WO2011114812A1 (ja) 2010-03-19 2011-09-22 新日鐵化学株式会社 金属微粒子複合体
EP2383565A1 (en) 2010-04-28 2011-11-02 Seiko Epson Corporation Optical device, analyzing apparatus and spectroscopic method
US8848182B2 (en) 2010-04-28 2014-09-30 Seiko Epson Corporation Optical device, analyzing apparatus and spectroscopic method
US8902419B2 (en) 2010-09-14 2014-12-02 Seiko Epson Corporation Detection apparatus
US8531661B2 (en) 2010-09-14 2013-09-10 Seiko Epson Corporation Optical device unit and detection apparatus
US8497987B2 (en) 2010-09-14 2013-07-30 Seiko Epson Corporation Optical device unit and detection apparatus
EP2469598A2 (en) 2010-12-24 2012-06-27 Seiko Epson Corporation Sensor chip, detection device, and method of manufacturing sensor chip
US9228945B2 (en) 2010-12-24 2016-01-05 Seiko Epson Corporation Sensor chip, detection device, and method of manufacturing sensor chip
WO2012108322A1 (ja) 2011-02-09 2012-08-16 新日鐵化学株式会社 金属微粒子分散複合体及びその製造方法、並びに局在型表面プラズモン共鳴発生基板
US8970839B2 (en) 2011-04-08 2015-03-03 Seiko Epson Corporation Detection device
US8823941B2 (en) 2011-04-12 2014-09-02 Seiko Epson Corporation Detection device
US8773658B2 (en) 2011-04-27 2014-07-08 Seiko Epson Corporation Detection device
US8836946B2 (en) 2011-06-23 2014-09-16 Seiko Epson Corporation Optical device and detection device
US9057697B2 (en) 2011-10-17 2015-06-16 Seiko Epson Corporation Optical device with propagating and localized surface plasmons and detection apparatus
US8836947B2 (en) 2012-01-18 2014-09-16 Seiko Epson Corporation Sample analysis element and detecting device
US8817263B2 (en) 2012-01-18 2014-08-26 Seiko Epson Corporation Sample analysis element and detecting device
US9228944B2 (en) 2012-04-18 2016-01-05 Seiko Epson Corporation Sample analysis element and detection device
US9222889B2 (en) 2012-05-11 2015-12-29 Seiko Epson Corporation Sample analysis device, testing apparatus, and sensor cartridge
CN104730038A (zh) * 2014-12-25 2015-06-24 中北大学 一种手持式高通量生物传感器
JP2017078573A (ja) * 2015-10-19 2017-04-27 コニカミノルタ株式会社 ガス検知方法及びガス検知装置
CN107546238A (zh) * 2016-06-28 2018-01-05 豪威科技股份有限公司 谐振滤波器图像传感器及相关的制造方法
CN107546238B (zh) * 2016-06-28 2020-03-10 豪威科技股份有限公司 谐振滤波器图像传感器及相关的制造方法
WO2019031591A1 (ja) 2017-08-10 2019-02-14 イムラ・ジャパン株式会社 電気測定型表面プラズモン共鳴センサ及びそれに用いる電気測定型表面プラズモン共鳴センサチップ
US10983052B2 (en) 2017-08-10 2021-04-20 Imra Japan Kabushikikaisha Electricity measuring type surface plasmon resonance sensor and electricity measuring type surface plasmon resonance sensor chip used in the same
JP2020034543A (ja) * 2018-08-28 2020-03-05 公立大学法人名古屋市立大学 Spr測定用基板及びその製造方法
JP7253169B2 (ja) 2018-08-28 2023-04-06 公立大学法人名古屋市立大学 Spr測定用基板及びその製造方法
WO2021075529A1 (ja) 2019-10-18 2021-04-22 イムラ・ジャパン株式会社 電気測定型表面プラズモン共鳴センサ、電気測定型表面プラズモン共鳴センサチップ、及び表面プラズモン共鳴変化の検出方法

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