JP2000294449A

JP2000294449A - 積層体の製造方法及び積層体の製造装置

Info

Publication number: JP2000294449A
Application number: JP9470299A
Authority: JP
Inventors: Kazuyoshi Honda; 和義本田; Noriyasu Echigo; 紀康越後; Masaru Odagiri; 優小田桐; Nobuki Sunanagare; 伸樹砂流; Toru Miyake; 徹三宅
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-04-01
Filing date: 1999-04-01
Publication date: 2000-10-20
Anticipated expiration: 2019-04-01
Also published as: JP3461751B2

Abstract

(57)【要約】【課題】周回する支持体上に、樹脂層と、真空プロセ
スによる金属薄膜層とを含む積層体を製造する方法にお
いて、金属薄膜層の積層の開始又は終了のための遮蔽板
の移動に起因して形成される不安定な金属薄膜領域の発
生を抑え、原料の無駄を少なくし、生産性を向上させ
る。【解決手段】遮蔽板130の移動を支持体111の移動方向
と垂直方向に行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂層と金属薄膜
層とからなる積層体の製造方法及び製造装置に関するも
のである。詳しくは、周回する支持体上で樹脂層と金属
薄膜層とを交互に積層して、積層体を製造する方法及び
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】樹脂層を積層する工程と金属薄膜層を積
層する工程とを一単位として、これを周回する支持体上
で繰り返すことにより、樹脂層と金属薄膜層とが交互に
積層された積層体を製造する方法は、例えば、特開平１
０−２３７６２３号公報（特願平９−４５５９１号）等
で公知ある。

【０００３】樹脂層と金属薄膜層との積層体の製造方法
の一例を図面を用いて説明する。

【０００４】図７は、従来の積層体の製造方法を実施す
るための製造装置の一例の概略を模式的に示した断面図
である。

【０００５】図７において、９１５は真空槽、９１６は
真空槽９１５内部を所定の真空度に維持する真空ポン
プ、９１１は真空槽９１５内に設置された、図中の矢印
方向に回転する円筒形状のキャンローラ、９１２は樹脂
層形成装置、９１３はパターニング材料付与装置、９１
４は金属薄膜形成装置、９１７はパターニング材料除去
装置、９１８は樹脂硬化装置、９１９は表面処理装置、
９２０ａ，９２０ｂは金属薄膜形成領域を他の領域と区
別するための隔壁、９２２は隔壁９２０ａ，９２０ｂに
設けられた開口、９２３は必要時以外に金属薄膜が形成
されるのを防止するために開口９２２を閉じるための遮
蔽板である。

【０００６】樹脂層形成装置９１２は、樹脂層を形成す
るための樹脂材料を蒸発気化又は霧化させて、キャンロ
ーラ９１１表面に向けて放出する。キャンローラ９１１
は所定の温度に冷却されているから、樹脂材料は冷却さ
れてキャンローラ９１１の外周面に膜状に堆積する。

【０００７】堆積した樹脂材料は、必要に応じて樹脂硬
化装置９１８により、電子線又は紫外線等が照射されて
所望の硬度に硬化処理される。

【０００８】次いで、形成された樹脂層は、必要に応じ
て樹脂表面処理装置９１９により、酸素プラズマ処理等
が施され、樹脂層表面が活性化される。

【０００９】パターニング材料付与装置９１３は、オイ
ルマージンと呼ばれる手法により金属薄膜層を所定の形
状にパターニングするための装置である。樹脂層上に予
めパターニング材料を薄く形成した後に、金属薄膜層を
蒸着などによって形成すると、パターニング材料上には
金属薄膜層が形成されない。このようにして形成された
金属薄膜層はパターニング部分が抜けた状態で形成され
ており、所望のパターンを持つ金属薄膜層を形成するこ
とが出来る。パターニング材料は、パターニング材料付
与装置９１３内で気化されてキャンローラ９１１の外周
面に向けて所定位置に形成された細孔から放出される。
これによりパターニング材料が金属薄膜層を形成する面
に予め薄くパターン塗布される。

【００１０】その後、金属薄膜形成装置９１４により金
属薄膜層が蒸着などによって形成される。

【００１１】その後、パターニング材料除去装置９１７
により余剰のパターニング材料が除去される。

【００１２】以上の製造装置９００によれば、遮蔽板９
２３を待避させた状態では、周回するキャンローラ９１
１の外周面上に、樹脂層形成装置９１２による樹脂層
と、金属薄膜形成装置９１４による金属薄膜層とが交互
に積層された積層体が製造され、また、遮蔽板９２３が
開口９２２を遮蔽した状態では、周回するキャンローラ
９１１の外周面上に、樹脂層形成装置９１２による樹脂
層が連続して積層された積層体が製造される。また、キ
ャンローラ９１１の回転と同期させてパターニング材料
付与装置９１３をキャンローラ９１１の回転軸と平行方
向に移動させることにより、パターン位置の異なる金属
薄膜層を形成することができる。

【００１３】このようにして、キャンローラ９１１の外
周面上に金属薄膜層と樹脂層とからなる多層積層体を形
成し、その後、積層体をキャンローラ９１１から取り外
し、平板プレスすることにより、例えば図８のような積
層体母素子９３０を得ることができる。図８において、
９３１は金属薄膜層、９３２は樹脂層、９３３はパター
ン位置であり、矢印９３８はキャンローラ９１１の外周
面の走行方向と一致する。図８の積層体母素子９３０
は、キャンローラ９１１上に、層９３６ａ、層９３５
ａ、層９３４、層９３５ｂ、層９３６ｂの順に積層する
ことにより製造される。ここで、層９３６ａ，９３６ｂ
は遮蔽板９２３を閉じて樹脂層のみを連続して積層した
層であり、層９３４及び層９３５ａ，９３５ｂは、遮蔽
板９２３を待避させて、金属薄膜層と樹脂層とを交互に
積層した層である。また、層９３４は、キャンローラ９
１１の回転と同期させて１回転ごとにパターン位置を変
更して積層してある。

【００１４】この積層体母素子９３０を、例えば切断面
９３９ａ，９３９ｂで切断し、切断面９３９ａに外部電
極を形成することにより、図９に示すようなチップコン
デンサ９４０を多数得ることができる。図９において、
９４１ａ，９４１ｂは金属薄膜層９３１と電気的に接続
して形成された外部電極である。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上記において、図８に
示した積層体母素子９３０を製造する場合、最初に層９
３６ａを積層するときは遮蔽板９２３を閉じておき、層
９３５ａの積層を開始する際に遮蔽板９２３を待避させ
る。遮蔽板９２３を待避させた状態で、層９３５ａ、層
９３４、層９３５ｂを順に積層していき、層９３６ｂの
積層を開始する際に遮蔽板９２３を再び閉じる必要があ
る。このような遮蔽板９２３の開閉操作は、一般にキャ
ンローラ９１１を回転させながら行なわれる。

【００１６】このときの遮蔽板９２３の開閉は、図７に
示したように、キャンローラ９１１の外周面の移動方向
と略平行方向に遮蔽板９２３を移動することにより行な
っていた。従って、遮蔽板９２３の移動方向及び移動速
度と、キャンローラ９１１の外周面の移動方向及び移動
速度の関係によっては、遮蔽板９２３の開閉動作過程時
に形成される金属薄膜層（金属薄膜層の積層開始部及び
積層終了部）が所定の厚みに形成されなかったり、厚み
が不均一になる問題があった。

【００１７】例えば、図７の装置において遮蔽板９２３
を待機状態から閉じる操作を行なう場合、遮蔽板９２３
の移動速度がキャンローラ９１１の外周面の移動速度と
略同一であると、遮蔽板９２３の移動途中に形成される
金属薄膜層は、開口９２２のキャンローラ９１１の外周
面の移動方向の開口幅が狭くなるために厚みが薄くな
り、開口幅が狭くなる結果、蒸着量が不安定となるため
に、厚みむらが大きくなる。しかも、このような金属薄
膜領域がキャンローラ９１１の外周方向に一定の広がり
をもって形成されてしまう。

【００１８】所定の厚みより薄く、かつ厚みむらが大き
な金属薄膜領域が積層体母素子９３０の積層中に存在す
ると、その部分での密着性が悪く、層間剥離を生じる。
層間剥離は例えば金属薄膜層の酸化を招き、最終的に得
られる電子部品等の品質が低下し、歩留まりを低下させ
る。

【００１９】電子部品の品質管理の観点からは、積層体
母素子において、遮蔽板９２３の開閉時に形成される不
安定な金属薄膜領域を含む部分を廃棄してしまう必要が
あるが、廃棄部分が多くなり、原料の無駄と歩留まりの
悪化を招いていた。

【００２０】本発明は、上記の従来の問題点を解決し、
遮蔽板の移動に起因して積層体母素子中に形成される不
安定な金属薄膜領域の発生を抑え、またはその大きさを
小さくすることにより、原料の無駄を少なくし、生産性
を向上させることができる積層体の製造方法、及び製造
装置を提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために以下の構成とするものである。

【００２２】即ち、本発明にかかる積層体の製造方法
は、樹脂層を積層する工程と、金属材料を真空プロセス
により堆積させて金属薄膜層を積層する工程とを有し、
これらを周回する支持体上で行うことにより前記支持体
上に樹脂層と金属薄膜層とを含む積層体を製造するに際
し、前記金属薄膜層の積層の開始又は終了を金属材料供
給源と支持体との間に設置された遮蔽板を移動すること
により行う積層体の製造方法であって、前記遮蔽板の移
動を支持体の移動方向と略垂直方向に行うことを特徴と
する。

【００２３】また、本発明にかかる積層体の製造装置
は、真空槽と、前記真空槽内に設置された周回する支持
体と、前記支持体上に樹脂層を積層する樹脂層形成装置
と、前記支持体上に真空プロセスにより金属薄膜層を積
層する金属薄膜形成装置とを有し、前記支持体上に樹脂
層と金属薄膜層とからなる積層体を製造するための装置
であって、前記金属薄膜形成装置と前記支持体との間
に、金属薄膜層の積層を防止するための遮蔽板が、前記
支持体の移動方向と略垂直方向に移動可能に設置されて
いることを特徴とする。

【００２４】本発明の上記の各構成によれば、遮蔽板を
支持体の移動方向と略垂直方向に移動させるので、金属
薄膜層の積層の開始時及び終了時に、金属薄膜層の厚み
が薄かったり、厚みむらが大きかったりする不安定領域
の発生を抑えることができる。この結果、生産性が向上
し、また、高品質の積層体が得られる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照しなが
ら詳細に説明する。

【００２６】（実施の形態１）図１は、本発明の積層体
の製造方法を実施するための積層体の製造装置の一例を
示した概略断面図である。

【００２７】図１において、１１５は真空槽、１１６は
真空槽１１５内部を所定の真空度に維持する真空ポン
プ、１１１は真空槽１１５内に設置された、図中の矢印
１１１ａの方向に回転する円筒形状のキャンローラ、１
１２は樹脂層形成装置、１１３はパターニング材料付与
装置、１１４は金属薄膜形成装置（金属材料供給源）、
１１７はパターニング材料除去装置、１１８は樹脂硬化
装置、１１９は表面処理装置、１２０は金属薄膜形成領
域を他の領域と区別するための隔壁、１２１は隔壁１２
０に設けられた開口、１３０は必要時以外に金属薄膜が
形成されるのを防止するために開口１２１を閉じるため
の遮蔽板、１３１は遮蔽板１３０に設けられた開口であ
る。なお、説明の便宜のために、図示したように、紙面
左右方向（水平方向）をＸ軸、紙面上下方向（鉛直方
向）をＹ軸、紙面に垂直方向（キャンローラ１１１の回
転軸方向）をＺ軸とする。

【００２８】図２は、図１の遮蔽板１３０、金属薄膜形
成装置１１４、及び開口１２１の概略構成を示した斜視
図である。図２では、遮蔽板１３０の構造が明確になる
ように、隔壁１２０及びその開口１２１は２点鎖線で描
いてある。また、図３は、図２に示した遮蔽板の概略構
成図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。

【００２９】図２に示したように、隔壁１２０は、金属
薄膜形成装置１１４からの金属蒸気又は金属粒子１１４
ａを通過させ、図示しないキャンローラに所定幅で付着
させるための開口１２１を有する。

【００３０】一方、遮蔽板１３０は、図３に示したよう
に、略長方形の板状部材からなり、中央部に開口１３１
が形成され、その両側に遮蔽領域１３２ａ，１３２ｂを
有する。各遮蔽領域１３２ａ，１３２ｂは隔壁１２０の
開口１２１を完全に覆うことができる程度の大きさを有
する。

【００３１】遮蔽板１３０は、図２に示したように、Ｚ
軸と平行な矢印１３９の方向に移動可能に設置される。
遮蔽板１３０の開口１３１を隔壁１２０の開口１２１に
一致するように配置すると、金属薄膜形成装置１１４か
らの金属蒸気又は金属粒子１１４ａをキャンローラの表
面に付着させ、金属薄膜を形成することができる。ま
た、遮蔽板１３０の遮蔽領域１３２ａ，１３２ｂのいず
れかを隔壁１２０の開口１２１に一致するように配置す
ると、金属薄膜形成装置１１４からの金属蒸気又は金属
粒子１１４ａは遮蔽領域１３２ａ又は１３２ｂに遮られ
て、金属薄膜層の形成を防止することができる。

【００３２】即ち、本実施の形態においては、金属薄膜
層を積層しない場合には、開口１２１を遮蔽領域１３２
ａ又は１３２ｂで遮蔽しておき、金属薄膜層の積層を開
始する場合には、遮蔽板１３０を移動方向１３９の向き
に移動させて、開口１２１に遮蔽板の開口１３１を一致
させる。また、金属薄膜層の積層を終了させる場合に
は、遮蔽板１３０を移動方向１３９の向きに移動させ
て、開口１２１を遮蔽領域１３２ａ又は１３２ｂで遮蔽
する。

【００３３】図４は、図１〜図３の装置を用いて、開口
１２１を遮蔽領域１３２ａで遮蔽して樹脂層を連続積層
した後、遮蔽板１３０をＺ軸の正の方向に移動させて開
口１２１に開口１３１を一致させ、金属薄膜層の積層を
開始した場合の、キャンローラ上の金属薄膜層の積層開
始部の状態を模式的に示した図である。図４（Ａ）はキ
ャンローラ上に形成される薄膜積層体を示した斜視図で
あり、図４（Ｂ）は、（Ａ）の薄膜積層体の展開図であ
る。図中、１１１ａはキャンローラ１１１の回転方向を
示し、１１１ｂはこのときのキャンローラ１１１の外周
面の移動方向を示す。１４０は樹脂層のみの連続積層
部、１４１は最外層の樹脂層、１４２は樹脂層１４１上
に積層された金属薄膜層、１４３は金属薄膜層１４２の
積層開始部である。

【００３４】図示したように、遮蔽板をＺ軸の正の方向
に移動させるので、樹脂連続積層部１４０の端部１４４
ａ側から金属薄膜層の積層が開始され、遮蔽板１３０の
開口１３１が開口１２１に完全に一致するとき（即ち、
開口１２１が全開するとき）、端部１４４ｂ近傍の金属
薄膜層の積層が開始される。この間、キャンローラ１１
１の回転速度及び遮蔽板１３０の移動速度をそれぞれ一
定に維持すると、金属薄膜層１４２の積層開始部１４３
は、展開図（図４（Ｂ））上で略直線状となる。

【００３５】また、開口１２１及び開口１３１がいずれ
も矩形状を有し、対応する各辺が略平行になるように配
置し、かつ、遮蔽板１３０をキャンローラの外周面の移
動方向に対して直角方向（Ｚ軸方向）に移動させるの
で、新たに積層が開始される領域のキャンローラの外周
面の移動方向（１１１ｂ方向）幅は常に開口１２１及び
１３１のキャンローラの外周面の移動方向幅と一致す
る。従って、積層開始部１４３からほぼ所定の厚みを有
する金属薄膜層１４２が形成される。即ち、本実施の形
態によれば、積層開始部１４３に、従来のように厚みが
薄かったり、厚みむらが大きかったりする不安定な金属
薄膜層領域はほとんど形成されないか、形成されたとし
てもその幅はごくわずかとなる。

【００３６】更に、金属薄膜層と樹脂層とからなる交互
積層体を積層後、金属薄膜層の積層を終了し、再び樹脂
層のみからなる連続層を積層する場合、遮蔽板１３０
を、金属薄膜層の積層開始時と同方向に更に移動させて
開口１２１を遮蔽するのが好ましい。即ち、上記の例で
あれば、遮蔽板１３０をＺ軸の正の方向に移動させ、開
口１２１を遮蔽領域１３２ｂで遮蔽する。このときの金
属薄膜層の積層終了部の状態を図５に示す。図５（Ａ）
はキャンローラ上に形成される薄膜積層体を示した斜視
図であり、図５（Ｂ）は、（Ａ）の薄膜積層体の展開図
である。図中、１４０’は樹脂層と金属薄膜層との交互
積層部、１４１は最外層の樹脂層、１４２は金属薄膜
層、１４３’は金属薄膜層１４２の積層終了部である。

【００３７】図示したように、遮蔽板をＺ軸の正の方向
に移動させるので、交互積層部１４０’の端部１４４ａ
側から金属薄膜層の積層が終了し、開口１２１が完全に
遮蔽されるとき、端部１４４ｂ近傍の金属薄膜層の積層
が終了する。この間、キャンローラ１１１の回転速度及
び遮蔽板１３０の移動速度をそれぞれ一定に維持する
と、金属薄膜層１４２の積層終了部１４３’は、展開図
（図５（Ｂ））上で略直線状となる。

【００３８】このように、遮蔽板の移動方向を、金属薄
膜形成時と終了時とで同一とすることにより、積層開始
部１４３と積層終了部１４３’の傾斜方向を同一方向と
することができる。更に、金属薄膜層の積層の開始時と
終了時とで、遮蔽板の移動速度とキャンローラの回転速
度を一致させることにより、その傾きまでも一致させる
ことができる。

【００３９】更に、金属薄膜層の積層の開始時と終了時
とで、遮蔽板の移動の開始タイミングをキャンローラの
回転位置に同期させることにより、積層開始部１４３と
積層終了部１４３’の積層体の積層方向の位置を略同一
位置にすることが可能である。例えば、キャンローラ上
に形成された積層体母素子から電子部品を製造するよう
な場合、一般に、製品内に積層開始部１４３又は積層終
了部１４３’を含むと不良品となる可能性が高い。従っ
て、積層開始部１４３と積層終了部１４３’とを厚み方
向で略同一位置に形成できれば、不良品となる領域が少
なくなるので、生産性を向上させることができる。

【００４０】また、図５の場合も図４の金属薄膜層の積
層開始時と同様に、開口１２１及び開口１３１がいずれ
も矩形状を有し、対応する各辺が略平行になるように配
置し、かつ、遮蔽板１３０をキャンローラの外周面の移
動方向に対して直角方向（Ｚ軸方向）に移動させるの
で、積層が終了する領域のキャンローラの外周面の移動
方向（１１１ｂ方向）幅は常に開口１２１及び１３１の
キャンローラの外周面の移動方向幅と一致する。従っ
て、積層終了部１４３’近傍の金属薄膜層はほぼ所定の
厚みを有する。即ち、本実施の形態によれば、積層終了
部１４３’に、従来のように厚みが薄かったり、厚みむ
らが大きかったりする不安定な金属薄膜層領域はほとん
ど形成されないか、形成されたとしてもその幅はごくわ
ずかとなる。

【００４１】以上から明らかなように、遮蔽板１３０
が、図３に示したように、移動方向の略中央部に開口１
３１を有し、その両側に遮蔽領域１３２ａ，１３２ｂを
有する構成とすることにより、開口１２１の遮蔽・全開
・遮蔽という操作を、遮蔽板１３０を同一方向に移動す
ることにより行なうことができる。この結果、積層開始
部１４３と積層終了部１４３’とを厚み方向で略同一位
置に形成することが可能になる。

【００４２】以下に、上記以外の図１の製造装置１００
の各構成要素を説明する。

【００４３】真空槽１１５の内部は真空ポンプ１１６に
より所定の真空度に保たれている。真空槽１１５内の好
ましい真空度は２×１０^-4Ｔｏｒｒ程度である。また、
隔壁１２０で仕切られた金属薄膜形成装置１１４を含む
空間をこれ以外の空間よりわずかに低圧に維持しておく
のが好ましい。こうしておくことで、金属薄膜形成装置
１１４からの金属蒸気流又は金属粒子流が、金属薄膜形
成装置１１４を含む空間外に不用意に漏れ出すのを防止
することができる。

【００４４】キャンローラ１１１の外周面は、平滑に、
好ましくは鏡面状に仕上げられており、好ましくは−２
０〜４０℃、特に好ましくは−１０〜１０℃に冷却され
ている。回転速度は自由に設定できるが、１５〜１００
ｒｐｍ程度、周速度は好ましくは２０〜３００ｍ／ｍｉ
ｎである。

【００４５】樹脂層形成装置１１２は、樹脂層を形成す
る樹脂材料を蒸発気化又は霧化させて、キャンローラ１
１１表面に向けて放出する。樹脂材料は、キャンローラ
１１１の外周面に付着して樹脂層を形成する。このよう
な方法によれば、厚みが極めて薄く均一で、ピンホール
等の欠点のない良好な樹脂層が得られる。樹脂材料とし
ては、このように蒸発気化又は霧化した後、堆積して薄
膜を形成できるものであれば特に限定されず、得られる
積層体の用途に応じて適宜選択できるが、反応性モノマ
ー樹脂であるのが好ましい。例えば、電子部品材料用途
に使用する場合には、アクリレート樹脂またはビニル樹
脂を主成分とするものが好ましく、具体的には、多官能
（メタ）アクリレートモノマー、多官能ビニルエーテル
モノマーが好ましく、中でも、シクロペンタジエンジメ
タノールジアクリレート、シクロヘキサンジメタノール
ジビニルエーテルモノマー等若しくはこれらの炭化水素
基を置換したモノマーが電気特性、耐熱性、安定性等の
点で好ましい。樹脂材料を飛散させる手段としては、ヒ
ータ等の加熱手段、超音波又はスプレー等による気化又
は霧化させる方法が用いられる。特に、ヒータ等の加熱
手段により樹脂材料を蒸発気化させる方法が、形成され
る樹脂層の厚み及びその均一性、欠点の発生防止、装置
の簡素化の観点から好ましい。

【００４６】堆積した樹脂材料は、必要に応じて樹脂硬
化装置１１８により所望の硬化度に硬化処理してもい。
硬化処理としては、樹脂材料を重合及び／又は架橋する
処理が例示できる。樹脂硬化装置としては、例えば電子
線照射装置、紫外線照射装置、又は熱硬化装置等を用い
ることができる。硬化処理の程度は、製造する積層体の
要求特性により適宜変更すれば良いが、例えばコンデン
サなどの電子部品用の積層体を製造するのであれば、硬
化度が５０〜９５％、更には５０〜７５％になるまで硬
化処理するのが好ましい。硬化度が上記範囲より小さい
と、後工程において外力等が加わると容易に変形した
り、金属薄膜層の破断又は短絡等を生じてしまう。一
方、硬化度が上記範囲より大きいと、後工程において外
力等が加わると割れるなどの問題が生じることがある。
なお、本発明の硬化度は、赤外分光光度計でＣ＝Ｏ基の
吸光度とＣ＝Ｃ基（１６００ｃｍ^-1）の比をとり、各々
のモノマーと硬化物の比の値をとり、減少分吸光度を１
から引いたものと定義する。

【００４７】本発明において、樹脂層の厚みは特に制限
はないが、１μｍ以下、更に０．７μｍ以下、特に０．
４μｍ以下であることが好ましい。本発明の方法によっ
て得られる積層体の小型化・高性能化の要求に答えるた
めには樹脂層の厚みは薄い方が好ましい。例えば、本発
明の製造方法により得られた積層体をコンデンサに使用
する場合、誘電体層となる樹脂層は薄い方が、コンデン
サの静電容量はその厚みに反比例して大きくなる。

【００４８】形成された樹脂層は、必要に応じて表面処
理装置１１９により表面処理される。例えば、酸素雰囲
気下で放電処理又は紫外線照射処理等を行って、樹脂層
表面を活性化させて金属薄膜層との接着性を向上させる
ことができる。

【００４９】パターニング材料付与装置１１３は、パタ
ーニング材料を樹脂層表面に所定の形状に付着させるた
めのものである。パターニング材料が付着した箇所には
金属薄膜層は形成されず、絶縁領域（マージン部）とな
る。この結果、金属薄膜層はパターニング部分が抜けた
状態で形成され、所望のパターンを持つ金属薄膜層を形
成することが出来る。

【００５０】パターニング材料の付与の手段は、蒸発気
化させたパターニング材料を微細孔から噴射して樹脂層
表面で液化させる方法、または液状のパターニング材料
を微細孔から液滴状に噴射する方法等の非接触付着手段
の他、リーバースコート、ダイコート等の塗布による方
法があるが、本発明では、樹脂層表面に外力が付与され
て、樹脂層やその下の金属薄膜層の変形、破断、表面荒
れなどが発生するのを防止するために、非接触付着手段
が好ましい。本実施の形態では、パターニング材料付与
装置１１３内でパターニング材料を加熱し気化させて、
微細孔から噴射させ、キャンローラ１１１上の樹脂層表
面に帯状に液膜状に付着させる手段を採る。帯状のパタ
ーニング材料の液膜は、円周方向の所定の位置に、所定
の幅で、所定の数だけ形成される。このとき、キャンロ
ーラ１１１の回転と同期させてパターニング材料付与装
置１１３をキャンローラ１１１の回転軸と平行方向に移
動させることにより、パターン位置の異なる金属薄膜層
を形成することができる。

【００５１】パターニング材料としては、エステル系オ
イル、グリコール系オイル、フッ素系オイル及び炭化水
素系オイルよりなる群から選ばれた少なくとも一種のオ
イルであることが好ましい。更に好ましくは、エステル
系オイル、グリコール系オイル、フッ素系オイルであ
り、特に、フッ素系オイルが好ましい。上記以外のパタ
ーニング材料を使用すると、積層表面の荒れ、樹脂層や
金属薄膜層のピンホール、金属薄膜層の形成境界部分の
不安定化等の問題を生じることがある。

【００５２】必要に応じてパターニング材料を付着した
後、金属薄膜層形成装置１１４により金属薄膜層が形成
される。金属薄膜層の形成方法としては、蒸着、スパッ
タリング、イオンプレーティング等周知の真空プロセス
手段が適用できるが、本発明では蒸着、特に電子ビーム
蒸着が耐湿性の優れた膜が生産性良く得られる点で好ま
しい。金属薄膜層の材料としては、アルミニウム、銅、
亜鉛、ニッケル、鉄、コバルト、シリコン、ゲルマニウ
ム若しくはその化合物、若しくはこれらの酸化物、若し
くはこれらの化合物の酸化物などが使用できる。中で
も、アルミニウムが接着性と経済性の点で好ましい。な
お、金属薄膜層には、上記以外の他成分を含むものであ
っても構わない。また、金属薄膜層を一種とせず、例え
ばＡｌ層とＣｕ層の混入とすることによって特性の補完
がなされ、使用条件によっては高性能化が図れる場合も
ありうる。

【００５３】金属薄膜層の厚みは、得られる積層体の用
途により適宜決定すればよいが、電子部品用途に使用す
る場合は、１００ｎｍ以下、更に１０〜５０ｎｍ、特に
２０〜４０ｎｍであるのが好ましい。また、膜抵抗は、
上限は２０Ω／□以下、さらに１５Ω／□以下、特に１
０Ω／□以下であるのが好ましく、また下限は１Ω／□
以上、さらに２Ω／□以上、最適には３Ω／□以上であ
るのが好ましい。

【００５４】金属薄膜層を形成した後であって、樹脂層
を積層する前に、残存するパターニング材料を除去する
ことが好ましい。残存したパターニング材料は、積層表
面の荒れ、樹脂層や金属薄膜層のピンホール（積層抜
け）、金属薄膜層の形成境界部分の不安定化等の問題を
発生させる。パターニング材料の除去は、パターニング
材料除去装置１１７により行う。パターニング材料の除
去手段は特に制限はなく、パターニング材料の種類に応
じて適宜選択すればよいが、例えば加熱及び／又は分解
により除去することができる。加熱して除去する方法と
しては、例えば、光照射や電熱ヒータによる方法が例示
できるが、光照射による方法が装置が簡単であり、かつ
除去性能も高い。なお、ここで光とは、遠赤外線及び赤
外線を含む。一方、分解して除去する方法としては、プ
ラズマ照射、イオン照射、電子照射などが使用できる。
このとき、プラズマ照射は、酸素プラズマ、アルゴンプ
ラズマ、窒素プラズマ等が使用できるが、この中でも特
に酸素プラズマが好ましい。

【００５５】以上の装置によれば、遮蔽板１３０の開口
１３１を開口１２１と一致させた状態では、周回するキ
ャンローラ１１１の外周面上に、樹脂層形成装置１１２
による樹脂層と、金属薄膜形成装置１１４による金属薄
膜層とが交互に積層された積層体が製造され、また、遮
蔽板１３０が開口１２１を遮蔽した状態では、周回する
キャンローラ１１１の外周面上に、樹脂層形成装置１１
２による樹脂層が連続して積層された積層体が製造され
る。

【００５６】次に、上記の装置を用いて例えば図９に示
したようなチップコンデンサを製造する方法について説
明する。

【００５７】キャンローラ１１１を回転させながら、キ
ャンローラ１１１上に、層９３６ａ、層９３５ａ、層９
３４、層９３５ｂ、層９３６ｂの順に連続積層する。

【００５８】最初に層９３６ａを積層するときは、開口
１２１を遮蔽板１３０の遮蔽領域１３２ａ（又は１３２
ｂ）で遮蔽した状態で、キャンローラ１１１を回転さ
せ、樹脂層のみを所定数連続積層する。

【００５９】層９３５ａの積層を開始する際、遮蔽板１
３０をＺ軸の正の方向（又は負の方向）に移動して開口
１３１を開口１２１に一致させる。同時にパターニング
材料付与装置１１３からパターニング材料を樹脂層表面
に付与する。この状態で、所定回数キャンローラ１１を
回転させることにより、パターニングされた金属薄膜層
と樹脂層とが交互に積層された層９３５ａが形成され
る。

【００６０】次に、層９３４の積層を開始する。この段
階では、キャンローラ１１１が１回転するごとに、パタ
ーニング材料付与装置１１３をローラ１１１の回転軸方
向に所定幅だけ往復移動させる。このようにすること
で、パターン位置が隣接する層ごとに異なる金属薄膜層
が形成される。

【００６１】次に、層９３５ｂの積層を行なう。このと
きは、パターニング材料付与装置１１３を層９３５ａの
積層時と同じ位置に固定したまま、所定数の積層を行な
う。

【００６２】最後に、層９３６ｂの積層を行なう。この
とき、遮蔽板１３０を、層９３５ａの積層開始時の移動
方向と同方向（Ｚ軸の正の方向（又は負の方向））に移
動して、開口１２１を遮蔽領域１３２ｂ（又は１３２
ａ）で遮蔽する。このとき、キャンローラ１１１の回転
角度に対する遮蔽板１３０の移動開始のタイミング及び
移動速度を、層９３５ａの積層開始時の移動タイミング
及び移動速度と一致させる。この状態でキャンローラ１
１１を回転させて、樹脂層のみが所定数連続積層された
層９３６ｂを形成する。

【００６３】以上により、キャンローラ１１１の外周面
上に、層９３６ａ、層９３５ａ、層９３４、層９３５
ｂ、層９３６ｂが順に積層された積層体が形成される。
積層体内の金属薄膜層の積層開始部１４３（図４参照）
と金属薄膜層の積層終了部１４３’（図５参照）は、積
層方向でほぼ同一位置に形成される。

【００６４】次に、積層体を積層方向に切断することに
より、周方向に複数に分割して、キャンローラ１１１か
ら取り外し、平板プレスして積層体母素子を得る。この
とき、切断は、積層開始部１４３及び積層終了部１４
３’と略一致する位置、又は展開したときにこれと略平
行な位置で行なう。

【００６５】図６は、このようにして得られる積層体母
素子の一例の平面図である。図中、１１１ｂはキャンロ
ーラ１１１の外周面の移動方向、１５１ａ，１５１ｂは
キャンローラ１１１から取り外した際の分割面であり、
これらは積層開始部１４３及び積層終了部１４３’と略
一致するか、これらと平行である。このようにして得た
積層体母素子１５０を、図示していない金属薄膜層のパ
ターン位置との関係を考慮しながら、矢印１１１ｂと平
行な切断面１５２で切断し、切断面に溶射等により外部
電極を形成する。次いで、切断面１５３に相当する位置
で切断し、必要に応じて外装コーティングを行ない図９
に示したようなチップコンデンサ９４０を多数得る。

【００６６】上記のように、金属薄膜層の積層開始部１
４３及び積層終了部１４３’を積層方向でほぼ同一位置
に形成し、分割面１５１ａ，１５１ｂをこれらと略一致
する位置、又は展開したときにこれと略平行な位置とす
ることにより、最終的に得られる良品質のコンデンサの
採り量が増加して、生産性を向上させることができる。

【００６７】なお、上記の方法によれば、分割面１５１
ａ，１５１ｂは矢印１１１ｂに対して傾斜しているか
ら、略直方体形状のコンデンサを得る場合には分割面１
５１ａ，１５１ｂの近傍にコンデンサの形状を構成し得
ない無駄部分が発生することは避けられない。しかしな
がら、従来の金属薄膜層の形成の開始・終了時に発生し
ていた金属薄膜層の不安定領域の大きさから見れば、本
実施の形態のコンデンサとなり得ない無駄部分は無視し
得るほどに小さく、従来に比べて製品の採り量は大幅に
向上する。

【００６８】上記の実施の形態では、支持体として円筒
形状のキャンローラを例示したが、本発明はこれに限定
されない。例えば、２本又はそれ以上のロールの間を周
回するベルト状の支持体、あるいは回転する円盤状支持
体等であってもよい。このような支持体を使用する場合
であっても、遮蔽板を支持体の移動方向と垂直方向に移
動させることにより本発明の効果が得られる。

【００６９】また、遮蔽板１３０は平板形状を例示した
が、キャンローラ１１１の外周面の曲率に応じて、例え
ば断面を略円弧状に変形させても良い。

【００７０】更に、積層の開始に先立って、キャンロー
ラ１１１の外周面上に離型剤を付与しておくと、積層終
了後に積層体を取り外す作業が容易になるので好まし
い。離型剤としては、例えばフッ素系離型剤（例えば、
商品名：“ダイフリー”、ダイキン工業（株）製）等を
使用できる。離型剤の付与方法は、スプレー噴霧法の
他、スパッタ法や蒸着法など、離型剤材料とプロセスの
条件等に適合するものを適宜選択すると良い。

【００７１】

【実施例】（実施例１）図１に示した製造装置を用い
て、図９に示す構成のチップコンデンサを製造した。

【００７２】真空ポンプ１１６により真空槽１１５内を
２×１０^-4Ｔｏｒｒとし、また、キャンローラ１１１の
外周面を５℃にまで冷却した。キャンローラ１１１の直
径は５００ｍｍ、外表面の移動速度は５０ｍ／分とし
た。

【００７３】積層に先立ち、キャンローラ１１１の外周
面にフッ素系離型剤（ダイキン工業（株）製“ダイフリ
ー”）をスプレー塗布し、その後不織布で薄く延ばし
た。

【００７４】まず最初に、樹脂層のみが連続積層された
層（保護層）９３６ａとなる部分を積層した。層９３６
ａは、コンデンサとしての容量を発生することはない
が、容量発生部分である層（素子層）９３４が熱負荷や
外力により損傷を受けるのを防止するのに有効に機能す
る層である。

【００７５】層９３６ａの材料として、ジシクロペンタ
ジエンジメタノールジアクリレートを用い、これを気化
して樹脂層形成装置１１２よりキャンローラ１１１の外
周面に堆積させた。１層当たりの積層厚さは０．６μｍ
である。次いで樹脂硬化装置１１８として、紫外線硬化
装置を用い、上記により堆積させた樹脂層材料を重合
し、硬化度が７０％になるまで硬化させた。この操作
を、キャンローラ１１１を回転させることにより繰返
し、キャンローラ１１１の外周面に厚さ１５μｍの層９
３６ａ部分を形成した。この間、開口１２１は遮蔽領域
１３２ａで遮蔽しておいた。

【００７６】次いで、樹脂層と金属薄膜層とが交互に積
層された層（補強層）９３５ａとなる部分を積層した。
層９３５ａは、容量発生部分である層（素子層）９３４
が熱負荷や外力により損傷を受けるのを防止するのに有
効に機能する層である。また、金属薄膜層を有している
ことにより、外部電極の付着強度の向上にも寄与する。

【００７７】層９３５ａの樹脂層材料は、上記の層９３
６ａの材料と同じものを用いた。樹脂層１層当たりの積
層厚さは０．６μｍである。次いで樹脂硬化装置１１８
により樹脂層の硬化度が７０％になるまで硬化させた。
その後、表面処理装置１１９により、表面を酸素プラズ
マ処理した。次に、パターニング材料付与装置１１３に
より、気化させたパターニング材料を微細孔から噴出さ
せて、樹脂層表面上に帯状に付着させた。パターニング
材料として、フッ素系オイルを使用した。このパターニ
ング材料の蒸気圧が０．１ｔｏｒｒとなる温度は１００
℃である。オイルの平均分子量は１５００である。帯状
のパターニング材料の付着幅は１５０μｍとした。次
に、遮蔽板１３０をＺ軸の正の方向に移動して開口１２
１を開いた。そして、金属薄膜形成装置１１４からアル
ミニウムを金属蒸着させた。積層厚みは３００オングス
トロームとした。その後、パターニング材料除去装置１
１７により、遠赤外線ヒータによる加熱及びプラズマ放
電処理を行ない、残存したパターニング材料を除去し
た。以上の操作を、キャンローラ１１１を回転させるこ
とにより５００回繰り返し、総厚さ３１５μｍの層９３
５ａ部分を形成した。

【００７８】次に、コンデンサとしての容量発生部分と
なる層（素子層）９３４となる部分を積層した。樹脂層
材料は、上記と同じものを用い、１層当たりの積層厚さ
は０．４μｍとした。次いで樹脂硬化装置１１８によ
り、樹脂層を硬化度が７０％になるまで硬化させた。そ
の後、表面処理装置１１９により、表面を酸素プラズマ
処理した。次に、パターニング材料付与装置１１３によ
り、上記と同じパターニング材料を上記と同一幅に帯状
に付着させた。次に、金属薄膜形成装置１１４からアル
ミニウムを金属蒸着させた。積層厚みは３００オングス
トロームとした。その後、パターニング材料除去装置１
１７により、残存したパターニング材料を除去した。以
上の操作を、キャンローラ１１１を回転させることによ
り約２０００回繰り返し、総厚さ８６０μｍの層９３４
部分を形成した。なお、この間、パターニング材料付与
装置１１３を、キャンローラ１１１の回転に同期させ
て、１回転するごとに回転軸方向に１０００μｍ往復移
動させた。

【００７９】次に、パターニング材料付与装置１１３の
移動を停止して、厚さ３１５μｍの層（補強層）９３５
ｂ部分を形成した。形成方法は上記の層９３５ａ部分と
全く同一とした。

【００８０】最後に、厚さ１５μｍの層（保護層）９３
６ｂ部分を形成した。このとき、遮蔽板１３０を、Ｚ軸
の正の方向に移動して、開口１２１を遮蔽領域１３２ｂ
で遮蔽した。このとき、キャンローラ１１１の回転角度
に対する遮蔽板１３０の移動開始のタイミング及び移動
速度を、層９３５ａ部分の積層開始時の移動タイミング
及び移動速度と一致させた。層９３６ｂ部分の形成方法
は上記の層９３６ａ部分と全く同一とした。

【００８１】次いで、円筒状積層体を、金属薄膜層の積
層開始部及び積層終了部に沿った切断面およびこれと等
間隔の切断面で、周方向に８分割して取り外し、加熱下
でプレスして図６に示すような平板状の積層体母素子１
５０を得た。これを、切断面１５２で切断し、切断面に
黄銅を金属溶射して外部電極を形成した。更に、金属溶
射表面に熱硬化性フェノール樹脂中に銅、Ｎｉ、銀の合
金等を分散させた導電性ペーストを塗布し、加熱硬化さ
せ、更にその樹脂表面に溶融ハンダメッキを施した。そ
の後、切断面１５３に相当する箇所で切断し、シランカ
ップリング剤溶液に浸漬して外表面をコーティングし、
図９に示すようなチップコンデンサを得た。

【００８２】得られたチップコンデンサは、積層方向厚
み約１．５ｍｍ、奥行約１．６ｍｍ、幅（両外部電極間
方向）約３．２ｍｍであり、小型ながら容量は０．４７
μＦであった。耐電圧は、５０Ｖであった。また、直流
印加電圧１６Ｖでの絶縁抵抗値は１０¹¹Ωであり、金属
薄膜層同士の短絡、金属薄膜層の破断などは認められな
かった。

【００８３】層９３４、層９３５ａ，９３５ｂ、及び層
９３６ａ，９３６ｂの樹脂層の硬化度は、それぞれ９５
％、９５％、９０％であった。

【００８４】層９３４、及び層９３５ａ，９３５ｂの金
属薄膜層の厚みは３００オングストローム、膜抵抗は６
Ω／□であった。

【００８５】また、積層体母素子１５０において、層９
３４部分の金属薄膜層のマージン部幅は１５０μｍ、層
９３５ａ，９３５ｂの金属薄膜層のマージン部幅は１５
０μｍであった。

【００８６】（実施例２）遮蔽板１３０の移動方向を変
える以外は実施例１と全く同様にして、図９に示す構成
のチップコンデンサを製造した。

【００８７】即ち、補強層９３５ｂ部分の積層工程まで
は実施例１と全く同様に行ない、保護層９３６ｂ部分の
積層に移行する際、遮蔽板１３０をＺ軸の負の方向に移
動して開口１２１を遮蔽領域１３２ａで遮蔽した。この
ときの遮蔽板の移動速度はＺ軸の正の方向の移動の際の
移動速度と同一とした。その後、実施例１と同様にして
積層工程を終了した。得られた円筒状積層体を、金属薄
膜層の積層終了部に沿った切断面およびこれと等間隔の
切断面で、周方向に８分割して取り外し、実施例１と同
様にしてチップコンデンサを得た。

【００８８】（比較例１、２）金属薄膜層の形成の開始
・終了時の遮蔽板の移動を、図７に示した従来の製造装
置のように、キャンローラの外周面の移動方向に平行に
行なう以外は実施例１と同様にして、図９に示す構成の
チップコンデンサを製造した。

【００８９】このとき、開口９２２が全閉状態から全開
されるまで（開放動作という）、及び全開状態から全閉
されるまで（閉塞動作という）の遮蔽板９２３の移動速
度を２通りに変化させた。即ち、比較例１では開放動作
び閉塞動作をいずれもキャンローラ９１１の回転周期の
１５％の時間で行ない、比較例２では開放動作及び閉塞
動作をキャンローラ９１１の回転周期の３０％の時間で
行なった。

【００９０】（評価）実施例１，２及び比較例１，２で
得たチップコンデンサからそれぞれ無作為に２００個抽
出して６０℃、９５％ＲＨ雰囲気中に１０００時間放置
した。放置後のチップコンデンサの形状評価を行ない、
層間剥離を生じたものを不良として、不良率を計算し
た。結果を表１に示す。

【００９１】

【表１】

【００９２】実施例１，２と比較例１，２とを比較する
と明らかなとおり、本発明の方法によれば、金属薄膜層
の積層開始部及び積層終了部の近傍で発生する、金属薄
膜層の厚みが設計値より薄かったり、厚みむらが大きか
ったりする不安定領域の大きさを極めて小さくすること
ができるので、製品不良率が著しく改善されることが分
かる。

【００９３】実施例２の不良率が実施例１より劣ってい
るのは、以下の理由によると考えられる。実施例２で
は、開口１２１を開放するときと閉塞するときの遮蔽板
１３０の移動方向を逆方向にしたので、金属薄膜層の積
層開始部と積層終了部とを積層方向で略一致させること
ができなかった。そして金属薄膜層の積層終了部及びこ
れと平行な方向で切断したので、金属薄膜層の積層開始
部を内部に含むチップコンデンサをわずかに含んでい
た。実施例２の不良率が実施例１より大きかったのは、
この積層開始部を内部に含むチップコンデンサの混入に
よるものと考えられる。

【００９４】また、比較例２の不良率が比較例１の不良
率より劣っていたのは、キャンローラ９１１の回転周期
に対して開口９２２の開閉動作に要する時間が長かった
ために、遮蔽板９２３の移動時に発生する金属薄膜層の
不安定領域が比較例１より大きくなったためであると推
測される。

【００９５】なお、実施例１，２においてわずかに含ま
れる不良品について詳細に検討した結果、これらの不良
品はいずれも金属薄膜層の積層開始部及び積層終了部の
近傍に集中して発生しており、これ以外の領域からの不
良品の発生はほぼ皆無であることが分かった。本発明の
方法によれば、金属薄膜層の積層開始部及び積層終了部
のキャンローラ１１１上の位置を検知することは可能で
あるから、これらの部分を避けて製品採りを行なうこと
により、製品不良率をほぼ０％にすることが可能であ
る。

【００９６】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、遮蔽板
を支持体の移動方向と略垂直方向に移動させるので、金
属薄膜層の積層の開始時及び終了時に、金属薄膜層の厚
みが薄かったり、厚みむらが大きかったりする不安定領
域の発生を抑えることができる。この結果、生産性が向
上し、また、高品質の積層体が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の積層体の製造方法を実施するための
製造装置の一例を示した概略断面図である。

【図２】図１の製造装置において、遮蔽板、金属薄膜
形成装置、及び開口の概略構成を示した斜視図である。

【図３】図３は、図２に示した遮蔽板の概略構成図で
あり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。

【図４】図１の製造装置によって得られるキャンロー
ラ上の金属薄膜層の積層開始部の状態を模式的に示した
図であり、図４（Ａ）はキャンローラ上の薄膜積層体を
示した斜視図、図４（Ｂ）は（Ａ）の薄膜積層体の展開
図である。

【図５】図１の製造装置によって得られるキャンロー
ラ上の金属薄膜層の積層終了部の状態を模式的に示した
図であり、図５（Ａ）はキャンローラ上の薄膜積層体を
示した斜視図、図５（Ｂ）は（Ａ）の薄膜積層体の展開
図である。

【図６】本発明によって得られる積層体母素子の一例
を示した平面図である。

【図７】従来の積層体の製造方法を実施するための製
造装置の一例を示した概略断面図である。

【図８】従来の方法によって得られる層体母素子の一
例を示した斜視図である。

【図９】チップコンデンサの一般的な構成の一例を示
した概略斜視図である。

【符号の説明】

１００積層体の製造装置１１５真空槽１１６真空ポンプ１１１キャンローラ１１１ａキャンローラの回転方向１１１ｂキャンローラの外周面の移動方向１１２樹脂層形成装置１１３パターニング材料付与装置１１４金属薄膜形成装置１１４ａ金属薄膜形成装置からの金属蒸気又は金属粒
子１１７パターニング材料除去装置１１８樹脂硬化装置１１９表面処理装置１２０隔壁１２１隔壁の開口１３０遮蔽板１３１遮蔽板に設けられた開口１３２ａ，１３２ｂ遮蔽領域１３９遮蔽板の移動方向１４０樹脂層のみの連続積層部１４０’ 樹脂層と金属薄膜層との交互積層部１４１最外層の樹脂層１４２金属薄膜層１４３金属薄膜層の積層開始部１４３’ 金属薄膜層の積層終了部１５０積層体母素子１５１ａ，１５１ｂ分割面１５２，１５３切断面９００積層体の製造装置９１１キャンローラ９１２樹脂層形成装置９１３パターニング材料付与装置９１４金属薄膜形成装置９１５真空槽９１６真空ポンプ９１７パターニング材料除去装置９１８樹脂硬化装置９１９表面処理装置９２０ａ，９２０ｂ隔壁９２２開口９２３遮蔽板９３０積層体母素子９３１金属薄膜層９３２樹脂層９３３パターン位置９３８キャンローラの外周面の走行方向９３９ａ，９３９ｂ切断面９４０チップコンデンサ９４１ａ，９４１ｂ外部電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小田桐優大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者砂流伸樹大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者三宅徹大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5E082 AA01 AB03 BC38 EE05 EE23 EE24 EE25 EE26 EE27 FG03 FG34 FG42 FG56 GG10 GG26 GG27 GG28 HH25 HH47 JJ03 JJ22 JJ26 LL02 LL03 MM06 MM11 MM13 MM23 PP02 PP09 PP10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂層を積層する工程と、金属材料を真
空プロセスにより堆積させて金属薄膜層を積層する工程
とを有し、これらを周回する支持体上で行うことにより
前記支持体上に樹脂層と金属薄膜層とを含む積層体を製
造するに際し、前記金属薄膜層の積層の開始又は終了を
金属材料供給源と支持体との間に設置された遮蔽板を移
動することにより行う積層体の製造方法であって、前記
遮蔽板の移動を支持体の移動方向と略垂直方向に行うこ
とを特徴とする積層体の製造方法。
【請求項２】金属薄膜層の積層を開始する際の遮蔽板
の移動の向きと、終了する際の遮蔽板の移動の向きを同
一とする請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項３】遮蔽板が、移動方向の略中央部に、金属
薄膜層を形成するための開口部を有する請求項１に記載
の積層体の製造方法。
【請求項４】金属薄膜層の積層を開始するための遮蔽
板の移動により形成される金属薄膜層の境界部と、金属
薄膜層の積層を終了するための遮蔽板の移動により形成
される金属薄膜層の境界部とが、積層方向において略同
一位置となるように遮蔽板を移動する請求項１に記載の
積層体の製造方法。
【請求項５】支持体上に形成された積層体を積層方向
に切断して分割するに際して、前記切断を、遮蔽板の移
動により形成された金属薄膜層の境界部で、又はこれと
平行に行う請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項６】積層体の製造を真空中で行う請求項１に
記載の積層体の製造方法。
【請求項７】周回する支持体が、円筒状ドラム又はエ
ンドレスベルトである請求項１に記載の積層体の製造方
法。
【請求項８】真空プロセスが電子ビーム蒸着である請
求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項９】金属材料がアルミニウム、銅、亜鉛、若
しくはニッケル、又はこれらの化合物、又はこれらの酸
化物、又はこれらの化合物の酸化物からなる請求項１に
記載の積層体の製造方法。
【請求項１０】樹脂層の積層を、蒸発した樹脂材料を
支持体表面に付着させることにより行う請求項１に記載
の積層体の製造方法。
【請求項１１】樹脂材料が反応性モノマー樹脂である
請求項１０に記載の積層体の製造方法。
【請求項１２】樹脂材料を付着させた後、これを硬化
処理する請求項１０に記載の積層体の製造方法。
【請求項１３】硬化処理が、付着した樹脂材料を重合
及び／又は架橋させる処理である請求項１２に記載の積
層体の製造方法。
【請求項１４】樹脂材料の硬化度が５０〜９５％にな
るまで硬化処理する請求項１２に記載の積層体の製造方
法。
【請求項１５】樹脂層の積層後、表面処理を行う請求
項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項１６】表面処理が、酸素を含む雰囲気での、
放電処理又は紫外線照射処理である請求項１５に記載の
積層体の製造方法。
【請求項１７】金属薄膜層を積層するに先だって、樹
脂層表面にパターニング材料を付着させる請求項１に記
載の積層体の製造方法。
【請求項１８】樹脂層の厚みが１μｍ以下である請求
項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項１９】樹脂層の厚みが０．７μｍ以下である
請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項２０】金属薄膜層の厚みが１００ｎｍ以下で
ある請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項２１】金属薄膜層の膜抵抗が２Ω／□以上で
ある請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項２２】積層体が電子部品用積層体である請求
項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項２３】積層体がコンデンサ用積層体である請
求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項２４】真空槽と、前記真空槽内に設置された
周回する支持体と、前記支持体上に樹脂層を積層する樹
脂層形成装置と、前記支持体上に真空プロセスにより金
属薄膜層を積層する金属薄膜形成装置とを有し、前記支
持体上に樹脂層と金属薄膜層とからなる積層体を製造す
るための装置であって、前記金属薄膜形成装置と前記支持体との間に、金属薄膜
層の積層を防止するための遮蔽板が、前記支持体の移動
方向と略垂直方向に移動可能に設置されていることを特
徴とする積層体の製造装置。
【請求項２５】金属薄膜層の形成の開始時又は終了時
に、前記遮蔽板を前記支持体の移動方向と略垂直方向に
移動する請求項２４に記載の積層体の製造装置。
【請求項２６】前記遮蔽板が、移動方向の略中央部に
開口を有し、その両側に遮蔽領域を有する請求項２４に
記載の積層体の製造装置。
【請求項２７】前記真空プロセスが電子ビーム蒸着で
ある請求項２４に記載の積層体の製造装置。