JP2000294185A - 分析装置および透過電子顕微鏡 - Google Patents
分析装置および透過電子顕微鏡Info
- Publication number
- JP2000294185A JP2000294185A JP11097203A JP9720399A JP2000294185A JP 2000294185 A JP2000294185 A JP 2000294185A JP 11097203 A JP11097203 A JP 11097203A JP 9720399 A JP9720399 A JP 9720399A JP 2000294185 A JP2000294185 A JP 2000294185A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- drift
- signal
- scanning
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子顕微鏡の視野ドリフトや振動の影響を最
小限に抑えることにより高い空間分解能をもつ良質な走
査像を取得できる分析装置を提供する。 【解決手段】 電子線により試料上を繰り返し２次元的
に走査することにより生成される複数の信号のうち１種
類以上の信号に対応する走査像を形成する手段が、信号
を順次積算して画像メモリに記憶する手段を持ち、また
少なくとも１種類の信号に対応する走査像を形成する手
段が、その走査像の時間変化から視野のドリフト量を検
出する手段と、検出されたドリフトを補償するように試
料に対する電子線の走査領域を補正する手段と、前記積
算にあたってドリフトを補償するように画素をずらして
積算する手段を備えることを特徴とする。
小限に抑えることにより高い空間分解能をもつ良質な走
査像を取得できる分析装置を提供する。 【解決手段】 電子線により試料上を繰り返し２次元的
に走査することにより生成される複数の信号のうち１種
類以上の信号に対応する走査像を形成する手段が、信号
を順次積算して画像メモリに記憶する手段を持ち、また
少なくとも１種類の信号に対応する走査像を形成する手
段が、その走査像の時間変化から視野のドリフト量を検
出する手段と、検出されたドリフトを補償するように試
料に対する電子線の走査領域を補正する手段と、前記積
算にあたってドリフトを補償するように画素をずらして
積算する手段を備えることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は試料からの信号を高
い空間分解能でマッピングできる透過電子顕微鏡、ある
いはこれに類する分析装置に関する。
い空間分解能でマッピングできる透過電子顕微鏡、ある
いはこれに類する分析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】試料に電子線を照射すると、照射領域か
ら弾性散乱電子や非弾性散乱電子のほかに２次電子、オ
ージェ電子、特性Ｘ線、カソードルミネッセンス光など
種々の信号が試料の組成や構造に応じて放出される。し
たがって電子線により試料上を２次元的に走査し、得ら
れた信号強度を輝度として画像を形成すれば検出信号に
よる試料のイメージあるいはマッピングが得られる。
ら弾性散乱電子や非弾性散乱電子のほかに２次電子、オ
ージェ電子、特性Ｘ線、カソードルミネッセンス光など
種々の信号が試料の組成や構造に応じて放出される。し
たがって電子線により試料上を２次元的に走査し、得ら
れた信号強度を輝度として画像を形成すれば検出信号に
よる試料のイメージあるいはマッピングが得られる。
【０００３】この原理は走査電子顕微鏡、透過電子顕微
鏡、オージェ電子分光など各種の装置において、試料の
組成や構造の面分布を評価する手段として用いられてお
り、マッピングの空間分解能は、電子線を試料上に集束
したときの信号粒子の放出領域程度になると考えられ
る。この放出領域は、一般には電子線のプローブ径より
広がっており入射電子の拡散や信号粒子の脱出深度等に
よって決まる。
鏡、オージェ電子分光など各種の装置において、試料の
組成や構造の面分布を評価する手段として用いられてお
り、マッピングの空間分解能は、電子線を試料上に集束
したときの信号粒子の放出領域程度になると考えられ
る。この放出領域は、一般には電子線のプローブ径より
広がっており入射電子の拡散や信号粒子の脱出深度等に
よって決まる。
【０００４】透過電子顕微鏡の場合は観察対象となる試
料は非常に薄く、入射電子が広く拡散する前に試料を透
過するので信号粒子の放出領域はほば電子線のプローブ
径と等しくなる。電界放出型電子銃を備えた最新の透過
電子顕微鏡を用いると１ｎｍ以下のプローブ径を作るこ
とは容易であり、したがってマッピングの空間分解能と
して原理的には１ｎｍ以下の値が得られる。
料は非常に薄く、入射電子が広く拡散する前に試料を透
過するので信号粒子の放出領域はほば電子線のプローブ
径と等しくなる。電界放出型電子銃を備えた最新の透過
電子顕微鏡を用いると１ｎｍ以下のプローブ径を作るこ
とは容易であり、したがってマッピングの空間分解能と
して原理的には１ｎｍ以下の値が得られる。
【０００５】一方、例えば走査電子顕微鏡を用いてバル
ク試料からの特性Ｘ線を検出する場合、入射電子が試料
内部で拡散することによりμｍオーダーの空間分解能し
か得られない。これより透過電子顕微鏡によるマッピン
グの空間分解能がいかに優れているかが分かる。
ク試料からの特性Ｘ線を検出する場合、入射電子が試料
内部で拡散することによりμｍオーダーの空間分解能し
か得られない。これより透過電子顕微鏡によるマッピン
グの空間分解能がいかに優れているかが分かる。
【０００６】しかし、現実の透過電子顕微鏡の装置にお
いてはマッピングの空間分解能を制限する因子として、
電子線のプローブ径以外に走査している視野のドリフト
や振動の影響が加わる。視野のドリフトは機械的な力の
不平衡や温度変化に伴う伸縮により、試料あるいはビー
ム位置がゆっくりと変動する現象であり、装置が安定し
た状態であっても１ｎｍ／ｍｉｎ程度の速度をもつ。
いてはマッピングの空間分解能を制限する因子として、
電子線のプローブ径以外に走査している視野のドリフト
や振動の影響が加わる。視野のドリフトは機械的な力の
不平衡や温度変化に伴う伸縮により、試料あるいはビー
ム位置がゆっくりと変動する現象であり、装置が安定し
た状態であっても１ｎｍ／ｍｉｎ程度の速度をもつ。
【０００７】一般に特性Ｘ線の信号量は２次電子の信号
量に比べてかなり小さくマッピングに長時間を要するた
め、ドリフトや不定期に生じる振動の影響を特に受けや
すい。たとえば１ｎｍ以下のプローブ径を用いると、マ
ッピングに要する時間は通常１分よりはるかに長くな
り、この間のドリフト量はプローブ径を大きく上回わっ
てしまう。
量に比べてかなり小さくマッピングに長時間を要するた
め、ドリフトや不定期に生じる振動の影響を特に受けや
すい。たとえば１ｎｍ以下のプローブ径を用いると、マ
ッピングに要する時間は通常１分よりはるかに長くな
り、この間のドリフト量はプローブ径を大きく上回わっ
てしまう。
【０００８】このため従来特性Ｘ線による元素マッピン
グを行うときは、電子線を２次電子像観察などに用いる
プローブ径よりも広げることによってプローブ電流を多
くするように条件が設定されていた。プローブ電流が多
くなれば単位時間当たり発生するＸ線の信号量が増え、
マッピングに要する時間が短縮されるのでドリフトの影
響を軽減できる。しかし、結局広がったプローブ径によ
って空間分解能が低下するので、現実には２次電子像に
比べて桁違いに悪い空間分解能しか得られていなかっ
た。
グを行うときは、電子線を２次電子像観察などに用いる
プローブ径よりも広げることによってプローブ電流を多
くするように条件が設定されていた。プローブ電流が多
くなれば単位時間当たり発生するＸ線の信号量が増え、
マッピングに要する時間が短縮されるのでドリフトの影
響を軽減できる。しかし、結局広がったプローブ径によ
って空間分解能が低下するので、現実には２次電子像に
比べて桁違いに悪い空間分解能しか得られていなかっ
た。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】特性Ｘ線による元素マ
ッピングなどの走査像を得る方法としては、観察領域を
ゆっくり走査して１回の走査でマッピングを形成する方
法と比較的速い速度で繰り返し走査し、この走査像を画
素単位で順次積算して画像を形成する方法がある。いず
れの方法もマッピングに要する時間は基本的に同じであ
るが、ドリフトや振動の影響として前者では画像の歪み
が強調され後者ではボケが強調される。
ッピングなどの走査像を得る方法としては、観察領域を
ゆっくり走査して１回の走査でマッピングを形成する方
法と比較的速い速度で繰り返し走査し、この走査像を画
素単位で順次積算して画像を形成する方法がある。いず
れの方法もマッピングに要する時間は基本的に同じであ
るが、ドリフトや振動の影響として前者では画像の歪み
が強調され後者ではボケが強調される。
【００１０】しかしながら、後者の積算によってマッピ
ング像を形成する場合は、１画素を形成する分析時間を
あらかじめ設定しなくとも積算された画像が充分な画質
に達した時点でオペレータが積算を停止できるという利
点がある。
ング像を形成する場合は、１画素を形成する分析時間を
あらかじめ設定しなくとも積算された画像が充分な画質
に達した時点でオペレータが積算を停止できるという利
点がある。
【００１１】本発明の目的はこのように積算によって走
査像を形成する方法において、視野のドリフトや振動の
影響を軽減して高い空間分解能を達成する手段を提供す
ることである。
査像を形成する方法において、視野のドリフトや振動の
影響を軽減して高い空間分解能を達成する手段を提供す
ることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明は、電子線を試料に照射することにより生成される
複数の信号を並列的に検出できる分析装置において、電
子線により試料上を繰り返し２次元的に走査し、前記複
数の信号に対応する複数の走査像を並列的に形成する手
段と、このうち１種類以上の信号に対応する走査像を形
成する手段は、電子線の繰り返し走査に対応して、画素
毎にその検出信号を順次積算して画像メモリに記憶する
手段をもち、また少なくとも１種類の信号に対応する走
査像を形成する手段は、その走査像の時間変化から視野
のドリフト量を検出する手段と、検出されたドリフトを
補償するように試料に対する電子線の走査領域を補正す
る手段と、前記積算にあたってドリフトを補償するよう
に画素をずらして積算する手段を備えることを特徴とし
ているものである。
発明は、電子線を試料に照射することにより生成される
複数の信号を並列的に検出できる分析装置において、電
子線により試料上を繰り返し２次元的に走査し、前記複
数の信号に対応する複数の走査像を並列的に形成する手
段と、このうち１種類以上の信号に対応する走査像を形
成する手段は、電子線の繰り返し走査に対応して、画素
毎にその検出信号を順次積算して画像メモリに記憶する
手段をもち、また少なくとも１種類の信号に対応する走
査像を形成する手段は、その走査像の時間変化から視野
のドリフト量を検出する手段と、検出されたドリフトを
補償するように試料に対する電子線の走査領域を補正す
る手段と、前記積算にあたってドリフトを補償するよう
に画素をずらして積算する手段を備えることを特徴とし
ているものである。
【００１３】本発明の分析装置によれば、例えば２次電
子など比較的信号量の多い走査像の時間変化から視野の
ドリフト量を検出し、検出されたドリフト量を補償しな
がら特に特性Ｘ線など少ない信号に対応する積算画像を
得ることも可能となる。このドリフトを補償する手段と
しては、例えば電子線の走査位置を補正する手段、画素
をずらして積算する手段、およびこれら両方の手段を用
いることができる。
子など比較的信号量の多い走査像の時間変化から視野の
ドリフト量を検出し、検出されたドリフト量を補償しな
がら特に特性Ｘ線など少ない信号に対応する積算画像を
得ることも可能となる。このドリフトを補償する手段と
しては、例えば電子線の走査位置を補正する手段、画素
をずらして積算する手段、およびこれら両方の手段を用
いることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明においては、前記視野のド
リフト量を検出する手段として、初期の電子線走査で得
られた基準画像と新たな走査によって得られた画像との
マッチングを評価する画像処理手段をもち、かつマッチ
ングの度合いがある一定レベルに達していない走査像は
前記画像の積算にあたって積算対象から除外する機能を
備えることが好ましい。すなわち、視野の変動にはゆる
やかな速度をもつドリフトの他に、内的、外的揺乱に起
因する不定期な視野シフトや振動がある。このような急
激な変動が一回の走査途中に生じた場合、この画像を完
全に修復することは困難あるいは不可能である。そこ
で、マッチングの程度から急激な変動があったと判断さ
れたときにこの走査像を捨てることにより積算画像の画
質低下を防ぐことができる。
リフト量を検出する手段として、初期の電子線走査で得
られた基準画像と新たな走査によって得られた画像との
マッチングを評価する画像処理手段をもち、かつマッチ
ングの度合いがある一定レベルに達していない走査像は
前記画像の積算にあたって積算対象から除外する機能を
備えることが好ましい。すなわち、視野の変動にはゆる
やかな速度をもつドリフトの他に、内的、外的揺乱に起
因する不定期な視野シフトや振動がある。このような急
激な変動が一回の走査途中に生じた場合、この画像を完
全に修復することは困難あるいは不可能である。そこ
で、マッチングの程度から急激な変動があったと判断さ
れたときにこの走査像を捨てることにより積算画像の画
質低下を防ぐことができる。
【００１５】また、前記積算された画像の画質を評価す
るための画像処理手段を備え、その画質が一定レベルに
達したら画像の積算を自動的に停止する手段を有するこ
とも好ましい。上述したように積算によってマッピング
する１つの利点は、測定時間をあらかじめ設定しなくと
もオペレータが積算された画像を評価し一定レベルに達
したと判断した時点で積算を停止できることである。し
かし、空間分解能を上げるために電子線のプローブ径を
小さくすればするほど１画素を形成するために必要な積
算時間が増え測定時間が長くなるため、測定中常時モニ
ターを監視しつづけることはオペレータの大きな負担と
なる。このため、上記のように自動的に画質を評価して
測定を終了できれば、オベレータの負担を軽減するだけ
でなく、たとえば振動の少ない夜間に測定することによ
ってより良質なマッピングを得ることも可能になる。
るための画像処理手段を備え、その画質が一定レベルに
達したら画像の積算を自動的に停止する手段を有するこ
とも好ましい。上述したように積算によってマッピング
する１つの利点は、測定時間をあらかじめ設定しなくと
もオペレータが積算された画像を評価し一定レベルに達
したと判断した時点で積算を停止できることである。し
かし、空間分解能を上げるために電子線のプローブ径を
小さくすればするほど１画素を形成するために必要な積
算時間が増え測定時間が長くなるため、測定中常時モニ
ターを監視しつづけることはオペレータの大きな負担と
なる。このため、上記のように自動的に画質を評価して
測定を終了できれば、オベレータの負担を軽減するだけ
でなく、たとえば振動の少ない夜間に測定することによ
ってより良質なマッピングを得ることも可能になる。
【００１６】また、本発明の分析装置においては、視野
のドリフト量を検出するための信号としては、２次電子
の他にも、例えば透過電子、散乱電子などを用いること
ができる。また、画像の積算対象となる信号としては、
特性Ｘ線の他にも、例えば散乱電子、カソードルミネッ
センス、オージェ電子、あるいはこれらの組み合わせを
用いることができる。
のドリフト量を検出するための信号としては、２次電子
の他にも、例えば透過電子、散乱電子などを用いること
ができる。また、画像の積算対象となる信号としては、
特性Ｘ線の他にも、例えば散乱電子、カソードルミネッ
センス、オージェ電子、あるいはこれらの組み合わせを
用いることができる。
【００１７】
【実施例】次に本発明の実施例を説明するが、本発明は
かかる実施例に限定されるものではない。
かかる実施例に限定されるものではない。
【００１８】（実施例）図１は本発明の一実施例を示す
概略図である。同図において１は透過電子顕微鏡の鏡
体、２は電子銃、３は電子線の偏向器、４は試料、５は
２次電子検出器、６はエネルギー分散型Ｘ線検出器、７
は暗視野ＳＴＥＭ検出器、８は明視野ＳＴＥＭ検出器、
９は画像データの記憶部や電子線走査の制御機構を含む
画像処理／制御部、１０、１１および１２はモニターを
表している。なお、図１において電子レンズ等の詳細な
構成は省略されている。以下に本実施例の動作を説明す
る。
概略図である。同図において１は透過電子顕微鏡の鏡
体、２は電子銃、３は電子線の偏向器、４は試料、５は
２次電子検出器、６はエネルギー分散型Ｘ線検出器、７
は暗視野ＳＴＥＭ検出器、８は明視野ＳＴＥＭ検出器、
９は画像データの記憶部や電子線走査の制御機構を含む
画像処理／制御部、１０、１１および１２はモニターを
表している。なお、図１において電子レンズ等の詳細な
構成は省略されている。以下に本実施例の動作を説明す
る。
【００１９】電子銃１から放出された電子はレンズ系を
通して試料４上に集束され、発生した２次電子およびＸ
線は２次電子検出器５、Ｘ線検出器６により各々検出さ
れる。また試料を透過した電子の中で、散乱電子は暗視
野ＳＴＥＭ検出器７により、散乱されずに透過した電子
は明視野ＳＴＥＭ検出器８により各々検出される。
通して試料４上に集束され、発生した２次電子およびＸ
線は２次電子検出器５、Ｘ線検出器６により各々検出さ
れる。また試料を透過した電子の中で、散乱電子は暗視
野ＳＴＥＭ検出器７により、散乱されずに透過した電子
は明視野ＳＴＥＭ検出器８により各々検出される。
【００２０】図２は測定のフローを示したものであり、
まずステップ１において上述した４つの検出信号の中か
らドリフトを検出するための信号１と積算対象となる信
号２を選択する。通常、信号１は比較的信号量の多い２
次電子や明視野ＳＴＥＭ信号が選択され、信号２として
は特性Ｘ線や暗視野ＳＴＥＭ信号が対象となる。
まずステップ１において上述した４つの検出信号の中か
らドリフトを検出するための信号１と積算対象となる信
号２を選択する。通常、信号１は比較的信号量の多い２
次電子や明視野ＳＴＥＭ信号が選択され、信号２として
は特性Ｘ線や暗視野ＳＴＥＭ信号が対象となる。
【００２１】選択された信号は制御部９に内蔵されたス
イッチング回路により、各々の測定対象として自動的に
設定される。モニター１０には後述するように信号１の
基準画像が表示され、モニター１１には信号１による毎
回のサンプリング画像が表示される。またモニター１２
には信号２による積算画像が表示される。
イッチング回路により、各々の測定対象として自動的に
設定される。モニター１０には後述するように信号１の
基準画像が表示され、モニター１１には信号１による毎
回のサンプリング画像が表示される。またモニター１２
には信号２による積算画像が表示される。
【００２２】つぎにステップ２において観察領域や走査
速度などの走査条件、およびパターンマッチングの画像
処理領域を設定する。さらに設定された走査条件を偏向
器３に伝えて走査を実行し、信号１による基準画像を取
得する。この基準画像データはフレームメモリーに格納
されモニター１０上に表示される。
速度などの走査条件、およびパターンマッチングの画像
処理領域を設定する。さらに設定された走査条件を偏向
器３に伝えて走査を実行し、信号１による基準画像を取
得する。この基準画像データはフレームメモリーに格納
されモニター１０上に表示される。
【００２３】画像処理領域としては観察領域中の任意の
矩形領域を指定できるが、デフォルトとして縦横が観察
領域の１／２サイズで位置は観察領域の中央に設定され
ている。
矩形領域を指定できるが、デフォルトとして縦横が観察
領域の１／２サイズで位置は観察領域の中央に設定され
ている。
【００２４】つぎにステップ３においてサンプリングが
開始され、信号１によるサンプリング画像がモニター１
１に表示される。ステップ４では信号１のサンプリング
画像を上述の基準画像と比較することによりドリフト量
が導出される。ドリフト量を導出する演算は色々ある
が、本実施例では基準画像とサンプリング画像間の相関
関数からパターンマッチングを行う方法を用いた。相関
関数は基準画像をＦＦＴ変換したフーリエパターンとサ
ンプリング画像をＦＦＴ変換したフーリエパターンとの
積を逆ＦＦＴ変換することによって求められる。この相
関関数の係数が最大値を与える２次元座標がドリフトベ
クトルとなる。なお、相関関数の計算にあたっては、各
画素の輝度を積分した値を適当に規格化することによっ
て、電子線の輝度変動による影響を避けている。
開始され、信号１によるサンプリング画像がモニター１
１に表示される。ステップ４では信号１のサンプリング
画像を上述の基準画像と比較することによりドリフト量
が導出される。ドリフト量を導出する演算は色々ある
が、本実施例では基準画像とサンプリング画像間の相関
関数からパターンマッチングを行う方法を用いた。相関
関数は基準画像をＦＦＴ変換したフーリエパターンとサ
ンプリング画像をＦＦＴ変換したフーリエパターンとの
積を逆ＦＦＴ変換することによって求められる。この相
関関数の係数が最大値を与える２次元座標がドリフトベ
クトルとなる。なお、相関関数の計算にあたっては、各
画素の輝度を積分した値を適当に規格化することによっ
て、電子線の輝度変動による影響を避けている。
【００２５】ステップ５においてはステップ４で求めた
最大相関係数があらかじめ設定した基準値以上であれば
ステップ６に進み信号２の積算を実行し、この基準値に
達しない場合は積算を実行せずにステップ３に戻ってつ
ぎのサンプリングに移る。
最大相関係数があらかじめ設定した基準値以上であれば
ステップ６に進み信号２の積算を実行し、この基準値に
達しない場合は積算を実行せずにステップ３に戻ってつ
ぎのサンプリングに移る。
【００２６】ステップ６では検出されたドリフトベクト
ル分だけ信号２のサンプリング画像の画素をずらしてフ
レームメモリ上に積算し、その結果をモニター１２に表
示する。
ル分だけ信号２のサンプリング画像の画素をずらしてフ
レームメモリ上に積算し、その結果をモニター１２に表
示する。
【００２７】さらにステップ７においては偏向器３によ
り、走査領域を上述のドリフトベクトル分だけ補正す
る。
り、走査領域を上述のドリフトベクトル分だけ補正す
る。
【００２８】ステップ８では積算された信号２の画像を
評価し、ある一定レベル以上であれば測定を終了し、そ
れに達していないときはサンプリングを継続するために
ステップ３に戻る。画質の評価には色々な評価基準を選
択できるようになっているが、たとえば画像全体のＳ／
Ｎを評価すればよい。なお、オペレータがモニター１２
を観察してすでに十分な画質に達したと判断したり、あ
るいは何らかの事情により測定を停止したい場合は割り
込み処理により測定を中断し、さらに測定を終了あるい
は再実行できるようになっている。
評価し、ある一定レベル以上であれば測定を終了し、そ
れに達していないときはサンプリングを継続するために
ステップ３に戻る。画質の評価には色々な評価基準を選
択できるようになっているが、たとえば画像全体のＳ／
Ｎを評価すればよい。なお、オペレータがモニター１２
を観察してすでに十分な画質に達したと判断したり、あ
るいは何らかの事情により測定を停止したい場合は割り
込み処理により測定を中断し、さらに測定を終了あるい
は再実行できるようになっている。
【００２９】
【発明の効果】本発明の分析装置によれば、電子顕微鏡
の視野ドリフトや振動の影響を最小限に抑えることによ
り高い空間分解能をもつ良質な走査像を取得できる。
の視野ドリフトや振動の影響を最小限に抑えることによ
り高い空間分解能をもつ良質な走査像を取得できる。
【図１】本発明の一実施例に係る分析装置の構成を示す
模式図である。
模式図である。
【図２】本発明の一実施例に係る分析装置による測定の
フローを示す図である。
フローを示す図である。
１ 透過電子顕微鏡の鏡体 ２ 電子銃 ３ 偏向器 ４ 試料 ５ ２次電子検出器 ６ Ｘ線検出器 ７ 明視野ＳＴＥＭ検出器 ８ 暗視野ＳＴＥＭ検出器 ９ 画像処理／制御装置 １０、１１、１２ 画像モニター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｎ 23/227 Ｇ０１Ｎ 23/227 Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｃ Ｆターム(参考） 2G001 AA03 BA05 BA07 BA09 BA11 BA14 CA03 CA07 FA06 FA21 GA01 GA06 HA01 HA13 JA02 JA13 KA01 2G043 AA01 EA11 FA01 GA21 LA01 NA01 NA04 5C033 FF10 HH08 LL07 SS01 SS10
Claims (5)
- 【請求項１】 電子線を試料に照射することにより生成
される複数の信号を並列的に検出できる分析装置におい
て、 電子線により試料上を繰り返し２次元的に走査し、前記
複数の信号に対応する複数の走査像を並列的に形成する
手段と、このうち１種類以上の信号に対応する走査像を
形成する手段は、電子線の繰り返し走査に対応して、画
素毎にその検出信号を順次積算して画像メモリに記憶す
る手段をもち、また少なくとも１種類の信号に対応する
走査像を形成する手段は、その走査像の時間変化から視
野のドリフト量を検出する手段と、検出されたドリフト
を補償するように試料に対する電子線の走査領域を補正
する手段と、前記積算にあたってドリフトを補償するよ
うに画素をずらして積算する手段を備えること、を特徴
とする分析装置。 - 【請求項２】 前記視野のドリフト量を検出する手段と
して、初期の電子線走査で得られた基準画像と新たな走
査によって得られた画像とのマッチングを評価する画像
処理手段をもち、かつマッチングの度合いがある一定レ
ベルに達していない走査像は前記画像の積算にあたって
積算対象から除外する機能を備えること、を特徴とする
請求項１に記載の分析装置。 - 【請求項３】 前記積算された画像の画質を評価するた
めの画像処理手段を備え、その画質が一定レベルに達し
たら画像の積算を自動的に停止する手段を有すること、
を特徴とする請求項１または２に記載の分析装置。 - 【請求項４】 前記視野のドリフト量を検出するための
信号が２次電子または透過電子または散乱電子であり、
また前記画像の積算対象となる信号が特性Ｘ線または散
乱電子またはカソードルミネッセンスまたはオージェ電
子、あるいはこれらの組み合わせであること、を特徴と
する請求項１〜３のいずれかに記載の分析装置。 - 【請求項５】 前記分析装置が透過電子顕微鏡であるこ
と、を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の分析
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11097203A JP2000294185A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | 分析装置および透過電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11097203A JP2000294185A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | 分析装置および透過電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294185A true JP2000294185A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14186066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11097203A Withdrawn JP2000294185A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | 分析装置および透過電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000294185A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003044821A1 (fr) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Procede d'imagerie d'echantillon et systeme de faisceau de particules chargees |
| US7034296B2 (en) | 2001-11-21 | 2006-04-25 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus |
| US7235784B2 (en) | 2004-10-12 | 2007-06-26 | Hitachi High-Technologies Corporation | Transmission electron microscope and image observation method using it |
| JP2007299768A (ja) * | 2007-07-23 | 2007-11-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料像形成方法及び荷電粒子線装置 |
| JP2007303910A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Shimadzu Corp | 表面分析装置 |
| US7361894B2 (en) | 2002-10-22 | 2008-04-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus |
| JP2009170241A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡装置 |
| WO2010047073A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 回路パターン検査装置，回路パターン検査装置を含む管理システム、および回路パターンの検査方法 |
| JP2010101907A (ja) * | 2010-01-14 | 2010-05-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料像形成方法及び荷電粒子線装置 |
| WO2010070815A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
| JP2010237880A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 画像作成方法、計算装置、画像作成プログラムおよび記憶媒体 |
| JP2015079011A (ja) * | 2015-01-26 | 2015-04-23 | 株式会社リガク | Ｘ線測定装置 |
| WO2020213145A1 (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-22 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
| JP2021056208A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 分析方法および分析装置 |
| US11698336B2 (en) | 2019-09-30 | 2023-07-11 | Jeol Ltd. | Analysis method and analysis apparatus |
| US11735395B2 (en) | 2020-07-31 | 2023-08-22 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device and method of measuring electrical noise |
-
1999
- 1999-04-05 JP JP11097203A patent/JP2000294185A/ja not_active Withdrawn
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003044821A1 (fr) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Procede d'imagerie d'echantillon et systeme de faisceau de particules chargees |
| US7034296B2 (en) | 2001-11-21 | 2006-04-25 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus |
| US7164126B2 (en) | 2001-11-21 | 2007-01-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus |
| US7800059B2 (en) | 2001-11-21 | 2010-09-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus |
| US7361894B2 (en) | 2002-10-22 | 2008-04-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus |
| DE102005048677B4 (de) * | 2004-10-12 | 2008-03-27 | Hitachi High-Technologies Corp. | Transmissionselektronenmikroskop und Bildbetrachtungsverfahren unter Verwendung desselben |
| DE102005048677B8 (de) * | 2004-10-12 | 2008-06-26 | Hitachi High-Technologies Corp. | Transmissionselektronenmikroskop und Bildbetrachtungsverfahren unter Verwendung desselben |
| US7235784B2 (en) | 2004-10-12 | 2007-06-26 | Hitachi High-Technologies Corporation | Transmission electron microscope and image observation method using it |
| JP4706552B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2011-06-22 | 株式会社島津製作所 | 表面分析装置 |
| JP2007303910A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Shimadzu Corp | 表面分析装置 |
| JP2007299768A (ja) * | 2007-07-23 | 2007-11-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料像形成方法及び荷電粒子線装置 |
| JP2009170241A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡装置 |
| WO2010047073A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 回路パターン検査装置，回路パターン検査装置を含む管理システム、および回路パターンの検査方法 |
| JP2010103322A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターン検査装置，回路パターン検査装置を含む管理システム、および回路パターンの検査方法 |
| US8565509B2 (en) | 2008-10-24 | 2013-10-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Circuit pattern inspecting apparatus, management system including circuit pattern inspecting apparatus, and method for inspecting circuit pattern |
| US8125518B2 (en) | 2008-12-15 | 2012-02-28 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope |
| WO2010070815A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
| JP5080657B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2012-11-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
| JP2010237880A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 画像作成方法、計算装置、画像作成プログラムおよび記憶媒体 |
| JP2010101907A (ja) * | 2010-01-14 | 2010-05-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料像形成方法及び荷電粒子線装置 |
| JP2015079011A (ja) * | 2015-01-26 | 2015-04-23 | 株式会社リガク | Ｘ線測定装置 |
| JPWO2020213145A1 (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-22 | ||
| WO2020213145A1 (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-22 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
| KR20210133293A (ko) * | 2019-04-18 | 2021-11-05 | 주식회사 히타치하이테크 | 하전 입자선 장치 |
| JP7162734B2 (ja) | 2019-04-18 | 2022-10-28 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
| KR102643362B1 (ko) | 2019-04-18 | 2024-03-07 | 주식회사 히타치하이테크 | 하전 입자선 장치 |
| US11928801B2 (en) | 2019-04-18 | 2024-03-12 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam apparatus |
| JP2021056208A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 分析方法および分析装置 |
| JP7075601B2 (ja) | 2019-09-30 | 2022-05-26 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 分析方法および分析装置 |
| US11698336B2 (en) | 2019-09-30 | 2023-07-11 | Jeol Ltd. | Analysis method and analysis apparatus |
| US11735395B2 (en) | 2020-07-31 | 2023-08-22 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device and method of measuring electrical noise |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000294185A (ja) | 分析装置および透過電子顕微鏡 | |
| US8993961B2 (en) | Electric charged particle beam microscope and electric charged particle beam microscopy | |
| US20060284088A1 (en) | Focus correction method for inspection of circuit patterns | |
| US7566871B2 (en) | Method and apparatus for pattern inspection | |
| JP3287858B2 (ja) | 電子顕微鏡装置及び電子顕微方法 | |
| JPH04301684A (ja) | ディスプレイの画面欠点検出方法 | |
| US5640539A (en) | IC analysis system having charged particle beam apparatus for improved contrast image | |
| EP1081742A2 (en) | Charged particle beam evaluation method | |
| JP2016045206A (ja) | Ｅｂｓｐパターンの取得方法 | |
| CN111095470A (zh) | 改善的用于电子显微镜的导引 | |
| CN111487257A (zh) | 一种显示面板异常像素实时检测修复方法及装置 | |
| WO2016143467A1 (ja) | 荷電粒子ビーム装置及びそれを用いた画像の形成方法 | |
| US10614998B2 (en) | Charge reduction by digital image correlation | |
| GB2321555A (en) | Charged particle beam apparatus | |
| US20120091339A1 (en) | Charged-particle microscope device, and method of controlling charged-particle beams | |
| JP2020194691A (ja) | 電子顕微鏡における試料観察方法、電子顕微鏡用画像解析装置、電子顕微鏡および電子顕微鏡用画像解析方法 | |
| US8362426B2 (en) | Scanning electron microscope and image signal processing method | |
| JP2011003480A (ja) | Ｓｅｍ式外観検査装置およびその画像信号処理方法 | |
| JP4408908B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JP3751841B2 (ja) | 電子線を用いた検査装置及び電子線を用いた検査方法 | |
| JPH09265931A (ja) | 画像取得装置及び方法 | |
| KR20210147917A (ko) | 동적 밴드 콘트라스트 이미징을 위한 방법 및 시스템 | |
| US20190228948A1 (en) | Scanning Electron Microscope and Measurement Method | |
| WO2021149188A1 (ja) | 荷電粒子線装置及び検査装置 | |
| JP2009302014A (ja) | 電子顕微鏡、観察試料、電子顕微鏡の試料台および半導体ウェハ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060606 |