JPH09265931A

JPH09265931A - 画像取得装置及び方法

Info

Publication number: JPH09265931A
Application number: JP8103314A
Authority: JP
Inventors: Kenji Norimatsu; 松研二則
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1996-03-29
Filing date: 1996-03-29
Publication date: 1997-10-07

Abstract

(57)【要約】【課題】電子ビームテスタにおいて、配線の電位情報
を欠落させることなく、一度に取得できる電位コントラ
スト画像の領域を広くする事が可能となリ、解析時間の
短縮が可能となった。【解決手段】以下（１）〜（３）の方法で電位コント
ラスト画像の取得を行う。（１）偏向コイル制御装置９で偏向コイル４を制御する
か、又は、デバイスの搭載されているステージを回転さ
せることにより、電子ビーム２の走査方向が配線パター
ンの方向と平行にならないように角度を付ける。（２）レンズ制御装置９で集束レンズ４及び対物レンズ
５を制御することにより、電子ビームの径を走査線の間
隔にほぼ等しくなるように変化させ、走査領域全面に電
子ビームが照射できるようにする。（３）これら両方を組み合わせる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被測定デバイスの
試験や評価解析を行なうための画像取得装置及びその方
法に係わる。より詳細には、特に、半導体デバイスの内
部配線電圧の測定を行うことにより電位コントラスト画
像を取得する際に使用される電子ビームテスタに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】現在、一般的に用いられている電子ビー
ムテスタでは、ＩＣ、ＬＳＩ等の被測定半導体デバイス
に電子ビームを照射して、内部配線から反射される二次
電子のエネルギーを解析することによって、配線電圧を
測定している。そして、電子ビームを被測定半導体デバ
イス上で走査して内部配線の位置座標を自動的に検出す
ることにより、電位コントラスト画像を取得するように
している。このような電子ビームテスタは、半導体デバ
イスの設計検証及び評価、不良解析等に用いられる。

【０００３】実際の半導体テバイスの解析では、まず、
電子ビームテスタの観測画面を見ながら試料ステージを
移動させる。その際、目的の場所を検索するのが簡単に
行えるように、試料ステージの移動軸と電子ビームのス
キャン方向（電子ビームテスタで取得する画像の座標
軸）とをなるべく一致させて使用する構成となってい
る。また、半導体デバイスのレイアウトパターンの座標
軸も、同様な理由から電子ビームテスタで取得する画像
の座標軸となるべく一致させた状態て使用していた。

【０００４】このとき、電位コントラスト画像は、通常
の走査型電子顕微鏡と同じく、電子ビームを二次元走査
した際に試料表面よリ放出される二次電子を検出するこ
とによリ得ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来、電位コントラス
ト画像を構成する走査線の数は、走査する領域の大きさ
に関係なく固定されて、一定数のままで使用されてい
た。また、電子ビーム幅は、サブミクロン配線を観測す
るため、０．１μｍ程度にビーム径を絞って一定の固定
幅で使用されていた。したがって、従来、電子ビームテ
スタで電位コントラスト画像を利用して解析を行なう場
合には、走査倍率の変更等によって電子ビームの走査間
隔を広くすることで走査領域を大きくすれば、それだけ
広い領域の情報を一度に取得することができる。一定数
の少ない画像取得回数で広範囲を迅速に解析するために
は、できるだけ広い走査領域で画像を取得する事が望ま
しいが、実際には、分解能の点から、電子ビームの走査
間隔には限界があり、最大走査領域は制限されていた。

【０００６】以下に具体例を示す。

【０００７】一般に、半導体デバイスの配線は、縦又は
横の配線で構成される場合がほとんどで、斜めの配線は
ほとんど用いられない。例えば、一画像を５１２本の走
査線で構成するように固定されており、また、電子ビー
ム幅が、０．ｌμｍ程度に絞って固定されている場合を
想定する。この場合、走査領域が５ｍｍ²として電位コ
ントラスト画像を取得するには、走査線は約１０μｍ間
隔で走査されることになる。ここで、走査領域を広くす
るためには、前述のように、走査線の数及び電子ビーム
幅は固定されてるので、走査間隔を広く設定しなくては
ならず、したがって、被測定半導体デバイスは粗く走査
されることなる。

【０００８】図１０に、走査の説明図を示すが、説明を
わかりやすくするため、寸法、尺度等は実際のものとは
必ずしも一致しない。

【０００９】図１０（ａ）に示されるように、半導体デ
バイス上の配線が電子ビームの走線間隔に比べて相対的
に太い場合は、走査線によって電位情報を欠落せずに取
得することができる。一方、図１０（ｂ）に示すよう
に、半導体デバイス上の配線が電子ビームの走線間隔に
比べて相対的に細い場合には、電子ビームの走査線と走
査線との間に平行となっている配線パターンには、電子
ビームが照射されない場合が生じ、このような配線の電
位情報は電位コントラスト画像に一切含まれない事にな
る。

【００１０】以上の理由によリ、広範囲の走査領域を走
査しようとすると、分解能が低下するので、実際には観
測する配線の幅や密度に応じて最大の走査領域は制限さ
れていた。そのため、従来の電子ビームテスタて電位コ
ントラスト画像を用いて解析を行なう場合、広範囲の走
査領域をカバーするためには、狭い領域の画像を複数枚
取得して、それらを合成しなければならず、解析に時間
がかかってしまう。よって、画像取得回数を少なくして
広い領域の電位コントラスト画像を取リ込むことによリ
解析時間を短縮することができる手法が従来から求めら
れていた。

【００１１】本発明は、このような課題を解決しようと
するものであり、電子ビームテスタで電位コントラスト
画像を取得する際に、なるべく広い走査領域の画像を一
度に且つその領域に含まれる配線の電位情報を欠落させ
ることなく取得するようにして、解析時間を短縮するよ
うにした画像取得装置及び方法を提供する事を目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明においては、以下
（１）〜（３）の方法で電位コントラスト画像の取得を
行う。（１）偏向コイル制御装置９で偏向コイル４を制御する
か、又は、デバイスの搭載されているステージを回転さ
せることにより、電子ビーム２の走査方向が配線パター
ンの方向と平行にならないように角度を付ける。（２）レンズ制御装置９で集束レンズ４及び対物レンズ
５を制御することにより、電子ビームの径を走査線の間
隔にほぼ等しくなるように変化させ、走査領域全面に電
子ビームが照射できるようにする。（３）これら両方を組み合わせる。

【００１３】このような電子ビームテスタにおいては、
配線パターンと所望の角度をなすように走査角度を付与
すること、及び／又は、ビーム幅を走査間隔とほぼ等し
くすることにより、走査ビームが必ず配線パターンと交
差するように走査され、配線の電位情報を欠落させるこ
となく、一度に取得できる電位コントラスト画像の領域
を広くする事が可能となリ、解析時間の短縮が可能とな
った。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態のいくつ
かを詳述する。

【００１５】図１に、本発明による電子ビームテスタの
システム構成図を示す。

【００１６】電子銃１は、電子ビーム２を発生する装置
である。集束レンズ３及び対物レンズ５は、本実施例で
は一つずつ設けられているが、複数で構成されていても
良い。レンズ制御装置９は、これらレンズにより電子ビ
ーム２のビーム幅を制御する。偏向コイル４及び偏向コ
イル制御装置１０により、電子ビーム２を走査するよう
に制御する。電子光学系の操作装置１１には、キーボー
ド、マウス等の入力手段が設けられており、レンズ制御
装置９及び偏向コイル制御装置１０を制御する。被測定
デバイス６は、例えば、半導体デバイスのように測定さ
れる試料である。二次電子７は、被測定デバイスから反
射される。一般に、半導体デバイスの場合、配線電位が
高い場合は発生する二次電子は低エネルギとなり、配線
電位が低い場合は発生する二次電子は高エネルギとな
る。二次電子検出器８は、被測定デバイスから放出され
た二次電子７を検出する。データ処理装置１２は、二次
電子検出器８の出力を解析して、表示装置１３に表示す
る。表示装置１３としては、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ
等の周知の装置がある。ステージ１４は、被測定デバイ
スを搭載する装置である。

【００１７】次に、このような電子ビームテスタの動作
を説明する。

【００１８】電子銃１より放出された電子ビーム２は集
束レンズ３及び対物レンズ５により集束されて細く絞り
込まれる。細く集束された電子ビームは、更に偏向コイ
ル４によリ被測定半導体デバイス６上を二次元的に走査
され、そのとき被測定半導体デバイス６より放出された
二次電子７を二次電子検出器８によリ検出される。二次
電子検出器８により検出された信号は、データ処理装置
１２により画像信号に変換された後、表示装置１３に表
示されて画像として観測することが可能となる。

【００１９】図２に、本発明の第１の実施の形態を示
す。なお、以下の走査の説明図は、説明をわかりやすく
したものであり、寸法や尺度は実際のものと必ずしも一
致しない。

【００２０】まず、画像を取得する際、走査方向に角度
をつける走査角度付与指示又は走査角度に関するデータ
が設定される。設定方法としては、例えば、電子光学系
の操作装置１１の入力手段等によって入力された値を用
いる方法、又は、制御装置にあらかじめ記憶されたデフ
ォルト値を用いる方法などがある。すると、偏向コイル
制御装置１０は、偏向コイル４を制御して、被測定半導
体デバイス６上での電子ビーム２の走査方向を配線パタ
ーンに対して斜めに角度をつけるようにする信号を発生
させる。これにより、図２に示すように、被測定半導体
デバイス６上での電子ビーム２の走査方向が配線パター
ンと平行にならず、配線パターンに対して斜めに角度を
もって走査されることになる。ここで、走査線と配線パ
ターンとの角度は、縦横両方に等しい解像度を得るには
４５度にすればよく、縦又は横の一方の解像度を高くす
るには０度から４５度の範囲又は４５度から９０度の範
囲に角度を設定することにより適宜選択することができ
る。

【００２１】前述のように、配線パターンは縦又は横の
方向に構成されている場合がほとんどであるので、配線
パターンは走査線間に埋もれることなく電子ビームで必
ずトレースされ、電位情報が欠落されることが防げる。

【００２２】また、この第１の実施態様の変形として、
電子ビームを斜めに走査するために、被測定半導体デバ
イスを搭載しているステージ１４を回転させるようにし
ても良い。そのためには、例えば、ステージ駆動装置１
５及びステージ制御装置１６を設けて、操作装置１１等
からの指令に応じて、ステージ制御装置１６によりステ
ージ駆動装置１５を制御して、ステージ１４を回転させ
るように構成することができる。

【００２３】次に、図３に、本発明の第２の実施の形態
を示す。

【００２４】ここでは、画像を取得する際、電子ビーム
幅の調整指示又は電子ビーム幅に関するデータが設定さ
れる。設定方法としては、例えば、電子光学系の操作装
置１１の入力手段等によって入力された値を用いる方
法、又は、制御装置にあらかじめ記憶されたデフォルト
値を用いる方法などがある。次に、操作装置１１は、そ
の走査領域の大きさに応じて走査間隔を算出する。そし
て、レンズ制御装置９は、この走査間隔に電子ビーム２
のビーム幅がほぼ等しくなるよう集束レンズ３または対
物レンズ５にビーム幅を変更するように制御する。例え
ば、被測定半導体デバイスの走査領域の大きさに従い電
子ビームテスタの走査倍率を変更する指示がなされる。

【００２５】このようにして、図３（ａ）に示すよう
に、電子ビーム幅は、走査間隔とほぼ同程度になるの
で、画像取得の際に配線パターンに必ずビームが照射さ
れ、画像に被測定半導体デバイス６の電位情報が欠落な
く検出されるようになる。ここで電子ビーム幅について
は、図３（ｂ）に示すように、電子ビームの走査線と走
査線との間に配線パターンよりも狭い又は同程度のわず
かな間隔があっても差し支えない。また、図３（ｃ）に
示すように、走査線どうしがわずかに重なっていても良
い。

【００２６】次に、図４に、本発明の第３の実施の形態
を示す。これは、上記第１及び第２の実施の態様を組み
合わせたもので、電子ビーム幅を広くして、かつ、被測
定半導体デバイスの配線パターンに対して斜めにしたも
のである。

【００２７】この場合は、操作装置１１の入力手段、又
は、制御装置に記憶されたデフォルト値等により、走査
方向に角度をつける操作角度付与指示又は走査角度に関
するデータが設定され、かつ、電子ビーム幅の調整指示
又は電子ビーム幅に関するデータが設定される。これら
のデータは、適宜その組合わせを設定・記憶しておき、
入力を簡略化するようにしても良い。

【００２８】また、この場合も、上記第１及び第２の実
施の形態と同様に、走査方法やビーム幅等には様々な変
形が適用できる。

【００２９】図５〜７は、上記のような実施の形態の変
形例である。

【００３０】上記第１〜第３の実施の態様では、電子ビ
ームを一方向のみに走査したが、図５では、この方向と
ほぼ直角方向にさらに走査して電位情報を取得するもの
である。走査方向については、この場合特に直角に限定
されることなく、求める縦方向又は横方向の解像度等に
応じて、適宜角度を付けることができる。また、電子ビ
ーム幅については、例えば所望の解像度により、必要に
応じて、縦と横の幅を異ならせても良い。

【００３１】このように、２方向から測定することによ
り、一層情報の欠落がなくなり、また、厳密な測定解析
が可能となる。

【００３２】また、図６のように、正方形、長方形、又
は菱形に電子ビームを走査しても良い。走査の方法は渦
巻き状でも、同心状でも良い。

【００３３】また、図７のように、円形に電子ビームを
走査しても良い。走査の方法は渦巻き状でも、同心状で
も良い。

【００３４】これらの、実施の形態の変形例は、レンズ
制御装置９が、集束レンズ３及び対物レンズ５を制御
し、また、偏向コイル制御装置１０が偏向コイル４を制
御することにより実現することが可能である。また、前
述したように、ステージ１４を制御して走査方向を制御
しても良い。

【００３５】以上説明した実施の形態以外にも本発明は
さらに種々の変形が可能である。

【００３６】例えば、図８に示されるように、各実施の
形態における電子ビームの断面については、通常円形で
あるが楕円又は長方形等でもよい。この場合、走査方向
に対して幅を広くしたものでも、逆に狭くしたもので
も、必要に応じて選択できる。

【００３７】また、被測定デバイスとしては、主に半導
体デバイスを対象として説明してきたが、本発明は、他
に、電子・光学回路基板等の評価測定にも応用すること
ができる。

【００３８】また、走査線として、電子ビーム以外に
も、レーザービームを用いることもできる。この場合
は、被測定デバイスからの反射光を解析することにより
画像を得ることができる。

【００３９】図９に、本発明によるレーザビームテスタ
のシステム構成図を示す。

【００４０】レーザ９０１は、レーザビーム９０２を発
生する装置である。集束レンズ９０３及び対物レンズ９
０５は、本実施例では一つずつ設けられているが、複数
で構成されていても良い。レンズ制御装置９０９は、こ
れらレンズによりレーザビーム９０２のビーム幅を制御
する。偏向素子９０４及び偏向素子制御装置９１０によ
り、レーザビーム９０２を走査するように制御する。レ
ーザ光学系の操作装置９１１には、キーボード、マウス
等の入力手段が設けられており、レンズ制御装置９０９
及び偏向素子制御装置９１０を制御する。被測定デバイ
ス９０６は、例えば、半導体デバイスのように測定され
る試料である。二次レーザ９０７は、被測定デバイスか
ら反射される。一般に、半導体デバイスの場合、配線電
位が高い場合は発生する二次光子は低エネルギとなり、
配線電位が低い場合は発生する二次光子は高エネルギと
なる。二次光子検出器９０８は、被測定デバイスから放
出された二次光子９０７を検出する。データ処理装置９
１２は、二次光子検出器９０８の出力を解析して、表示
装置９１３に表示する。表示装置９１３としては、液晶
ディスプレイ、ＣＲＴ等の周知の装置がある。ステージ
９１４は、被測定デバイスを搭載する装置である。

【００４１】次に、このようなレーザビームテスタの動
作を説明する。

【００４２】レーザ９０１より放出されたレーザビーム
９０２は集束レンズ９０３及び対物レンズ９０５により
集束されて細く絞り込まれる。細く集束されたレーザビ
ームは、更に偏向素子９０４によリ被測定半導体デバイ
ス９０６上を二次元的に走査され、そのとき被測定半導
体デバイス９０６より放出された二次光子９０７を二次
光子検出器９０８によリ検出される。二次光子検出器９
０８により検出された信号は、データ処理装置９１２に
より画像信号に変換された後、表示装置９１３に表示さ
れて画像として観測することが可能となる。

【００４３】このようなレーザビームテスタにおいて、
上述の電子ビームテスタに係る実施の形態のように、走
査方法及び電子ビーム幅を適宜設定することにより、同
様の作用・効果を得ることができる。

【００４４】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、電子ビ
ームを配線パターンに対して斜めに走査角度を付けるよ
うにしたこと、又は、電子ビーム幅を適宜変更して走査
領域全体を走査するようにしたこと、又は、これら両方
を採用したことにより、電子ビームテスタで配線の電位
情報を欠落させることなく、一度に取得できる電位コン
トラスト画像の領域を広くする事が可能となリ、電位コ
ントラスト画像を用いた故障解析を行う際の画像取得回
数を減らす事ができ、解析の時間短縮が可能となった。

【００４５】さらに、本発明は、照射ビームとしてレー
ザビームを用いることにより、レーザビームテスタにも
応用することができる。また、被測定デバイスとして
は、半導体デバイスだけでなく、電子回路又は光学回路
基板等さまざまなものに応用することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子ビームテスタのシステムの構
成図。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係る、走査角度を
付けた走査説明図。

【図３】本発明の第２の実施の形態に係る、電子ビーム
幅を改良した走査説明図。

【図４】本発明の第３の実施の形態に係る、走査角度を
付け及び電子ビーム幅を改良した走査説明図。

【図５】本発明の第１〜第３の実施の形態の変形例に係
る、２方向による走査説明図。

【図６】本発明の第１〜第３の実施の形態の変形例に係
る、正方形、長方形又は菱形の走査説明図。

【図７】本発明の第１〜第３の実施の形態の変形例に係
る、円形又は楕円形の走査説明図。

【図８】本発明の電子ビームの断面図

【図９】本発明に係るレーザビームテスタのシステムの
構成図。

【図１０】従来の走査説明図。

【符号の説明】

１電子銃２電子ビーム３集束レンズ４偏向コイル５対物レンズ６被測定デバイス７二次電子８二次電子検出器９レンズ制御装置１０偏向コイル制御装置１１電子光学系の操作装置１２データ処理装置１３表示装置１４ステージ１５ステージ駆動装置１６ステージ制御装置９０１レーザ９０２レーザビーム９０３集束レンズ９０４偏向素子９０５対物レンズ９０６被測定デバイス９０７二次光子９０８二次光子検出器９０９レンズ制御装置９１０偏向素子制御装置９１１レーザ光学系の操作装置９１２データ処理装置９１３表示装置９１４ステージ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】照射ビーム発生手段と、前記照射ビーム発生手段で発生した照射ビームのビーム
幅を調整する調整手段と、前記照射ビームを走査する走査手段と、前記照射ビームの走査方向が被測定デバイス表面のパタ
ーン方向と所望の角度をなすように走査角度を付与する
走査方向制御手段と、前記照射ビームを被測定デバイス表面に照射して該被測
定デバイス表面からの反射を検出する検出手段とを備え
た画像取得装置。
【請求項２】前記照射ビームを前記被測定デバイス表面
に二次元的に走査して、電位の二次元的な分布をコント
ラスト画像によリ求める処理手段と、該コントラスト画
像を表示する表示手段とをさらに備えたことを特徴とす
る請求項１に記載の画像取得装置。
【請求項３】前記走査方向制御手段が前記走査手段を制
御することより、前記走査角度を付与するようにしたこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の画像取得装置。
【請求項４】ステージ駆動手段とステージ制御手段とを
さらに備え、該ステージ制御手段がステージ駆動手段を
制御して被測定デバイスの搭載されているステージを回
転させることより、前記走査角度を付与するようにした
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像取得装
置。
【請求項５】前記走査角度は、該走査角度の付与指示又
は該走査角度に関するデータを設定する設定手段によ
り、設定されることを特徴とする請求項１又は２に記載
の画像取得装置。
【請求項６】前記走査角度が、４５度であることを特徴
とする請求項１又は２に記載の画像取得装置。
【請求項７】照射ビーム発生手段と、前記照射ビーム発生手段で発生した照射ビームのビーム
幅を調整する調整手段と、前記照射ビームを走査する走査手段と、前記照射ビーム幅が走査間隔にほぼ等しくなるように前
記調整手段を制御するビーム幅制御手段と、前記照射ビームを被測定デバイス表面に照射して該被測
定デバイス表面からの反射を検出する検出手段とを備え
た画像取得装置。
【請求項８】前記照射ビームを前記被測定デバイス表面
に二次元的に走査して、電位の二次元的な分布をコント
ラスト画像によリ求める処理手段と、該コントラスト画
像を表示する表示手段とをさらに備えたことを特徴とす
る請求項７に記載の画像取得装置。
【請求項９】前記照射ビーム幅は、該照射ビーム幅の調
整指示又は該照射ビーム幅に関するデータを設定する設
定手段により、設定されることを特徴とする請求項７又
は８に記載の画像取得装置。
【請求項１０】照射ビーム発生手段と、前記照射ビーム発生手段で発生した照射ビームのビーム
幅を調整する調整手段と、前記照射ビームを走査する走査手段と、前記照射ビームの走査方向が被測定デバイス表面のパタ
ーン方向と所望の角度をなすように走査角度を付与する
走査方向制御手段と、前記照射ビーム幅が走査間隔にほぼ等しくなるように前
記調整手段を制御するビーム幅制御手段と、前記照射ビームを被測定デバイス表面に照射して該被測
定デバイス表面からの反射を検出する検出手段とを備え
た画像取得装置。
【請求項１１】前記照射ビームを前記被測定デバイス表
面に二次元的に走査して、電位の二次元的な分布をコン
トラスト画像によリ求める処理手段と、該コントラスト
画像を表示する表示手段を備えたことを特徴とする請求
項１０に記載の画像取得装置。
【請求項１２】前記走査方向制御手段が前記走査手段を
制御することより、前記走査角度を付与するようにした
ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の画像取得
装置。
【請求項１３】ステージ駆動手段とステージ制御手段と
をさらに備え、該ステージ制御手段がステージ駆動手段
を制御して被測定デバイスの搭載されているステージを
回転させることより、前記走査角度を付与するようにし
たことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の画像取
得装置。
【請求項１４】前記走査角度は、該走査角度の付与指示
又は該走査角度に関するデータを設定する設定手段によ
り、設定されることを特徴とする請求項１０又は１１に
記載の画像取得装置。
【請求項１５】前記走査角度が、４５度であることを特
徴とする請求項１０又は１１に記載の画像取得装置。
【請求項１６】前記照射ビーム幅は、該照射ビーム幅の
調整指示又は該照射ビーム幅に関するデータを設定する
設定手段により、設定されることを特徴とする請求項１
０又は１１に記載の画像取得装置。
【請求項１７】前記照射ビームを、２方向に走査するこ
とを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の画
像取得装置。
【請求項１８】前記照射ビームを、長方形、正方形、菱
形、円形、楕円形に同心状又は渦巻き状に走査すること
を特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の画像
取得装置。
【請求項１９】前記照射ビームの断面を、楕円形又は長
方形にすることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれ
かに記載の画像取得装置。
【請求項２０】前記照射ビームとして電子ビームを用い
ることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれかに記載
の画像取得装置
【請求項２１】前記被測定デバイス表面からの反射とし
て、二次電子を検出することを特徴とする請求項２０に
記載の画像取得装置
【請求項２２】前記照射ビームとしてレーザビームを用
いることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれかに記
載の画像取得装置
【請求項２３】前記被測定デバイス表面からの反射とし
て、反射光を検出することを特徴とする請求項２２に記
載の画像取得装置
【請求項２４】前記被測定デバイスは、半導体デバイス
であることを特徴とする請求項１乃至２３のいずれかに
記載の画像取得装置。
【請求項２５】照射ビームを被測定デバイス表面に照射
して、該被測定デバイス表面からの反射を検出すること
により、該被測定デバイス表面のパターンを検出する画
像取得方法において、前記照射ビームの走査方向が被測定デバイス表面のパタ
ーン方向と所望の角度をなすように走査角度を付与して
前記照射ビームを走査するようにした画像取得方法。
【請求項２６】照射ビームを被測定デバイス表面に照射
して、該被測定デバイス表面からの反射を検出すること
により該被測定デバイス表面のパターンを検出する画像
取得方法において、前記照射ビーム幅を走査線の間隔にほぼ等しくなるよう
に調整して前記照射ビームを走査するようにした画像取
得方法。
【請求項２７】照射ビームを被測定デバイス表面に照射
して、該被測定デバイス表面からの反射を検出すること
により該被測定デバイス表面のパターンを検出する画像
取得方法において、前記照射ビームの走査方向が被測定デバイス表面のパタ
ーン方向と所望の角度をなすように走査角度を付与し
て、かつ、前記照射ビーム幅を走査線の間隔にほぼ等しくなるよう
に調整して前記照射ビームを走査するようにした画像取
得方法。