JP2978971B2 - 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム位置決め方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム位置決め方法Info
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 74
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 45
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 28
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 51
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 41
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 34
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
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Description
び荷電粒子ビーム位置決め方法に関するものであり、更
に詳しく言えば、絶縁物に覆われた被測定対象物の測定
点に電子ビームを位置合わせをする機能と方法に関する
ものである。
路装置(以下LSIという)等の被測定対象物に荷電粒
子ビームを偏向走査して、そのSEM(Scanning Ele
ctron Microscope )像の画像取得をし、被試験LSI
の画像解析をする電子顕微鏡,電子ビーステスタ及び収
束イオンビーム装置が使用されつつある。
試験や故障診断をする場合、チップ表面の絶縁膜を全部
除去せずに、それを残留させた状態で絶縁膜下の配線と
電子ビームとを位置合わせをしている。これは、絶縁膜
の除去によって、高集積化・超微細化するLSIの破壊
発生の恐れがあるためである。
間接的に照射されるため、反射電子や二次電子の検出量
が少なくなる。これにより、表面が絶縁性の膜で覆われ
ていない場合のように、二次電子信号量を加算平均する
方法では正確に配線位置を検出することができない。
る位置合わせマークの形成をし、該対象物の設計モニタ
画像に指定された測定点を該対象物のSEM像の表示画
面の中心位置に精度良く,かつ、再現性良く一致させる
ことできる位置決め方法が望まれている。
電子ビーム位置決め方法に係る説明図を示している。
I)9の電圧測定やSEM像の観測をする電子ビームテ
スタや走査型電子顕微鏡等の電子ビーム装置は、鏡筒内
に設けられた電子銃1,偏向手段2及び二次電子検出器
3と、その外部に該二次電子検出器3からの反射電子や
二次電子1bの信号処理をする信号処理回路4と、偏向
手段2の駆動制御する偏向制御回路5と、被測定対象物
9のステージを移動制御するステージ移動回路6と、S
EM像を表示するモニタ7と、該電子銃1,偏向制御回
路5,信号処理回路4,ステージ移動回路6及びモニタ
7の入出力を制御する制御計算機8から構成されてい
る。
向手段2等の電子光学系を通して被照射対象9に出射さ
れる。次に被照射対象9からの反射電子や二次電子1b
が、二次電子検出器3により検出される。その後、反射
電子や二次電子1bが信号処理回路4により信号処理さ
れる。これにより、被測定対象物9の配線位置に電子ビ
ーム1aを位置合わせして電圧波形等を測定することが
できる。
例えば、SEM像に表示された形状コントラストを利用
して絶縁膜に覆われた被測定対象物9の被測定点に電子
ビーム1aを位置合わせをする場合には、電子銃1から
電子ビーム1aが出射されると、該電子ビーム1aが偏
向器2により偏向され、それが被測定対象物9の絶縁膜
上に照射される。さらに、被測定対象物9からの反射電
子や絶縁膜下の配線9Aからの二次電子1bが二次電子
検出器3により検出され、その検出器3からの検出信号
が信号処理回路4により画像処理される。なお、SEM
像は制御計算機8を介してモニタ7に表示される。
表面が絶縁性の膜で覆われている被測定対象物9では、
配線9Aを横切るように電子ビーム1aが線(ライン)
走査される。また、検出された二次電子信号量は加算平
均法により信号処理される。これにより得られたSEM
像をモニタ7の中心付近になるように、移動データD12
を演算し、被測定対象物9を載置したXYステージを移
動修正をしていた。
物9の被測定点に電子ビーム1aが位置合わせされてい
る。
ればLSI(半導体集積回路装置)の試験や故障診断を
する場合、チップ表面の絶縁膜を全部除去せずに、それ
を残留させた状態で絶縁膜下の配線9Aと電子ビーム1
aとを位置合わせをしている。これは、絶縁膜の除去に
よって、高集積化・超微細化するLSIの破壊発生の恐
れがあるためである。
ム1aが間接的に照射されるため、反射電子や二次電子
1bの検出量が少なくなる。これにより、配線位置を正
確に求めることができない。これは、絶縁膜を介して配
線9A上に電子ビーム1aが照射されることによって、
配線9Aからの反射電子や二次電子1bの検出量と、絶
縁膜にそれが照射されたときの反射電子や二次電子1b
の検出量とがほとんど差が無くなるためである。
いない場合のように、二次電子信号量を加算平均する方
法では正確に配線位置を検出することができない。これ
により、形状コントラスト方法では十分S/N比が得ら
れないことから正確に絶縁膜下の配線9Aと電子ビーム
1aとを位置合わせをすることが困難になるという問題
がある。
aの位置決めをする方法もあるが該パッドから離れた測
定点における位置合わせ精度が低下をするという問題が
ある。
作されたものであり、被測定対象物の絶縁膜下の配線等
に電子ビームを間接的に位置合わせ処理をすることな
く、予め、該絶縁膜下の配線が露出する位置合わせマー
クの形成をし、該対象物の設計モニタ画像に指定された
測定点を該対象物のSEM像の表示画面の中心部分に精
度良く,かつ、再現性良く一致させることが可能となる
荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム位置決め方法の
提供を目的とする。
電粒子ビーム装置の原理図、図2は、本発明に係る荷電
粒子ビーム位置決め方法の原理図をそれぞれ示してい
る。
ように、被測定対象物18に荷電粒子ビーム11aを出射
する荷電粒子発生源11と、前記荷電粒子ビーム11aを
偏向走査する偏向手段12と、前記荷電粒子11aの偏向
走査に基づいて前記被測定対象物18の二次元画像Aを
取得する画像取得手段13と、前記被測定対象物18の
移動をする移動手段14と、前記荷電粒子発生源11,
偏向手段12,画像取得手段13,移動手段14の入出
力を制御する制御手段15とを具備する荷電粒子ビーム
装置において、前記制御手段15に位置決め制御手段15
Aが設けられ、前記被測定対象物18の位置検出マーク
Mに係る画像取得データD1と、前記被測定対象物18
の設計画像Bに基づく画像表示データD2と、前記被測
定対象物18の測定点Pに係る外部設定データD3とに
基づいて前記荷電粒子ビーム11aのビーム偏向データD
4を出力することを特徴とする。
Aを表示する第1の表示手段16と、前記被測定対象物
18の設計画像Bを表示する第2の表示手段17とが設
けられていることを特徴とする。
14が前記被測定対象物18の画像取得データD1及び
画像表示データD2に基づいて処理された移動制御デー
タD5により制御されることを特徴とする。
のフローチャートに示すように、まず、ステップP1で
予め、絶縁膜に覆われた被測定対象物18に位置合わせ
マークMの作成処理をし、次に、ステップP2で前記位
置合わせマークMが作成された被測定対象物18に荷電
粒子ビーム11aを照射偏向処理をし、さらに、ステップ
P3で前記照射偏向処理に基づいて前記被測定対象物1
8の二次元画像Aの取得処理をし、その後、ステップP
4で前記二次元画像Aの中の位置合わせマークMと前記
被測定対象物18の設計画像Bに指定された測定点Pと
に基づいて荷電粒子ビーム11aの位置合わせ処理をする
ことを特徴とする。
記被測定対象物18の位置合わせマークMの作成処理
は、該被測定対象物18の配線部分が露出する開口部18
Aを設けることにより行うことを特徴とする。
被測定対象物18の位置合わせマークMは、該被測定対
象物18の配線幅Φに基づいて重み付け処理をする。
置合わせマークMが被測定対象物18に複数個設けられ
た場合には、該位置合わせマークMに係る第1の位置座
標データDP1と前記被測定対象物18の測定点Pに係る
第2の位置座標データDP2との変換処理の際に、最小二
乗法により線形近似処理をすることを特徴とする。
置合わせ処理は、前記位置合わせマークMが作成された
被測定対象物18を荷電粒子ビーム11aの偏向可能領域
に移動処理をし、前記偏向可能領域で荷電粒子ビーム11
aの照射偏向処理をし、前記照射偏向処理に基づいて被
測定対象物18の二次元画像Aの取得処理をし、前記取
得処理に基づいて荷電粒子ビーム11aの偏向調整処理を
することを特徴とし、上記目的を達成する。
示すように、荷電粒子発生源11,偏向手段12,画像
取得手段13,移動手段14及び制御手段15が具備さ
れ、該制御手段15に位置決め制御手段15Aが設けられ
ている。
象物18に作成された位置合わせマークMに荷電粒子発
生源11からの荷電粒子ビーム11aが出射されると、該
荷電粒子ビーム11aが偏向手段12により偏向走査され
る。また、荷電粒子11aの偏向走査に基づいて被測定対
象物18の二次元画像Aが画像取得手段13により取得
され、該二次元画像Aが第1の表示手段16により表示
される。一方、第2の表示手段17には該対象物18の
設計画像Bが表示される。この際に、制御手段15を介
して、例えば、被測定対象物18の位置検出マークMに
係る画像取得データD1と、その設計画像Bに基づく画
像表示データD2と、その測定点Pに係る外部設定デー
タD3とに基づいて荷電粒子ビーム11aのビーム偏向デ
ータD4が出力される。
配線が露出した位置合わせマークMに荷電粒子ビーム11
aが直接的に照射される。このことで、反射電子や二次
電子1bの検出量が多くなることから、配線を横切るよ
うに荷電粒子ビーム11aを線走査することにより、該配
線から放出される反射電子や二次電子11bの変化から配
線位置を特定することができる。これを利用して、その
検出量の加算平均処理等をすることにより位置合わせマ
ークMを正確に求めることが可能となる。
データD1及び画像表示データD2に基づいて処理され
た移動制御データD5により移動手段15が制御され、
被測定対象物18が移動手段14により移動される。こ
のことで、第2の表示手段17の設計画像Bに指定した
測定点Pと該対象物のSEM像の中の位置合わせマーク
Mに基づいて,例えば、第1の表示手段16の画面の中
心に荷電粒子ビームを再現性良く一致させることが可能
となる。
法によれば、図2のフローチャートに示すように、予
め、絶縁膜に覆われた被測定対象物18に,例えば、そ
の配線部分を露出する開口部18Aから成る位置合わせマ
ークMが作成処理されている。また、位置合わせマーク
Mが被測定対象物18の配線幅Φに基づいて重み付け処
理される。さらに、位置合わせマークMが被測定対象物
18に複数個設けられた場合には、該位置合わせマーク
Mに係る第1の位置座標データDP1とその測定点Pに係
る第2の位置座標データDP2との変換処理の際に最小二
乗法により線形近似処理される。
ーム11aの偏向可能領域に移動処理され、該偏向可能領
域において、位置合わせマークMが作成された被測定対
象物18に荷電粒子ビーム11aが照射偏向処理されるこ
とで、該照射偏向処理に基づいて被測定対象物18の二
次元画像Aが取得処理され、その後、該取得処理に基づ
いて荷電粒子ビーム11aの偏向調整処理をすることがで
きる。
像Bに指定した測定点Pを該対象物のSEM像の中の位
置合わせマークMに基づいて,例えば、第1の表示手段
16の画面の中心部分に荷電粒子ビーム11aを精度良く
かつ再現性良く位置決めを行うことが可能となる。
て説明する。第3〜第7図は、本発明の実施例に係る荷
電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム位置決め方法を説
明する図であり、第3図は、本発明の実施例に係る電子
ビーム装置の構成図を示している。
面を参照しながら被試験LSI28の電圧測定やSEM
像の観測をする電子ビームテスタや走査型電子顕微鏡等
の電子ビーム装置は、鏡筒20内に電子銃21,電磁偏
向器22A,静電偏向器22B,電子レンズ22C,二次電子
検出器23A及びXYステージ24a等が設けられている。
また、その外部に、偏向駆動制御回路22D,SEM像取
得表示制御回路23B,第1,第2のモニタ26,27,
ステージ制御回路24b,制御計算機25,キーボード2
9及びCADデータ表示制御回路30が設けられてい
る。
1の一実施例であり、荷電粒子ビーム11aの一例となる
電子ビーム21aを被測定対象物18の一例となる被試験
LSI28に出射するものである。電磁偏向器22A,静
電偏向器22B,電子レンズ22C及び偏向駆動制御回路22
Dは偏向手段12の一実施例であり、ビーム偏向データ
D4に基づいて電子ビーム21aを電磁偏向,静電偏向及
び焦点結像するものである。
得表示制御回路23Bは画像取得手段13の一実施例であ
り、被試験LSI28からの二次電子21bを検出し、そ
の二次電子検出信号を信号処理して被試験LSI28の
二次元画像Aの一例となるSEM像を表示するための画
像取得データD1を制御計算機25に出力するものであ
る。
bは移動手段14の一実施例であり、被試験LSI28
が載置されたXYステージ24aを制御計算機25からの
移動制御データD5に基づいて移動制御するものであ
る。なお、移動制御データD5は被試験LSI28の画
像取得データD1及び画像表示データD2に基づいて信
号出力処理される。
であり、電子銃21,電磁偏向器22A,静電偏向器22
B,電子レンズ22C,偏向駆動制御回路22D,SEM像
取得表示制御回路23B,第1,第2のモニタ26,2
7,ステージ制御回路24b,キーボード29及びCAD
データ表示制御回路30の入出力を制御するものであ
る。
25に位置決め制御回路25aが設けられ、被試験LSI
28の位置検出マークMに係る画像取得データD1と、
被試験LSI28の設計画像Bに基づく画像表示データ
D2と、被試験LSI28の測定点Pに係る外部設定デ
ータD3とに基づいて電子ビーム11aのビーム偏向デー
タD4を出力するものである。なお、当該制御回路25a
については図4において、また、位置合わせマークMに
ついては測定点Pと共に図5において詳述する。
一実施例であり、制御計算機25からの取得位置表示デ
ータD6に基づいて、被試験LSI28のSEM(Sca
nning Electron Microscope)像を表示するものであ
る。
一実施例であり、制御計算機25からの画像表示データ
D2に基づいて、被試験LSI28の設計画像Bの一例
となる設計LSIのマスク全体図を画面表示するもので
ある。なお、本発明の実施例では、第2のモニタ27の
画面中に測定点Pが指定される。
機25に制御命令データD3を入力するものであり、例
えば、観測者が第2のモニタ27に表示されるマスク図
の選択をしたり、表示画面中に測定点Pを指定するもの
である。
のCADデータベースに係る設計データD7を入力して
設計表示データD71を制御計算機25に出力するもので
ある。
の内部構成図を示している。図4において、制御計算機
25は位置決め制御回路25a及びデータ制御装置25bか
ら成る。
15Aの一実施例であり、偏向座標算定回路52及び詳細
位置決め回路51から成る。偏向座標算定回路52は第
2のモニタ27に表示されたマスク図の表示画面中に指
定された測定点Pに係る測定点レイアウト座標データD
21と詳細位置決め回路51からのアライメントデータD
22に基づいてビーム偏向データD4を偏向駆動制御回路
22Dに出力するものである。
制御回路23Bからの画像取得データD1と位置合わせマ
ークMの座標を示すマーク座標データD11とに基づいて
アライメントデータD22を出力するものである。
理装置)から成り、画像取得データD1,外部設定デー
タD3及び設計表示データD71に基づいて画像取得デー
タD1,マーク座標データD11,画像表示データD2,
測定点レイアウト座標データD21,移動制御データD5
及び取得位置表示データD6を出力するものである。
係る測定点と位置合わせマークとの説明図であり、同図
(a)は設計画像Bを示している。
LSI28の設計表示データD71に基づく画像表示デー
タD2により表示されるものである。なお、Pは測定点
であり、被試験LSI28の電圧測定やSEM像の観測
をする際に該設計画像Bの表示画面中に指定されたもの
である。また、mはレイアウト座標上の位置合わせマー
クであり、実物の被試験LSI28に作成される位置合
わせマークMの位置座標を示すものである。
示している。同図(b)において、SEM像Aは被試験
LSI28の二次電子検出に基づく画像取得データD1
により表示されるものであり、実際にはSEM像Aの一
部分が第1のモニタ26に拡大表示される。また、Mは
位置合わせマークであり、被試験LSI28の電圧測定
やSEM像の観測をする際に、予め、絶縁膜に覆われた
被試験LSI28の領域に作成されたものである。な
お、位置合わせマークMの作成方法については図7にお
いて詳述する。
7に指定した測定点Pは第1のモニタ26の画面中心に
位置合わせマークMが表示されるように制御系を組むも
のとする。
子ビーム装置によれば、図3に示すように、電子銃2
1,電磁偏向器22A,静電偏向器22B,電子レンズ22
C,二次電子検出器23A,XYステージ24a,偏向駆動
制御回路22D,SEM像取得表示制御回路23B,第1,
第2のモニタ26,27,ステージ制御回路24b,制御
計算機25,キーボード29及びCADデータ表示制御
回路30が具備され、該制御計算機25に位置決め制御
回路25aが設けられている。
SI28に作成された位置合わせマークMに電子銃21
からの電子ビーム21aが出射されると、該電子ビーム21
aが電磁偏向器22A及び静電偏向器22B等により偏向走
査される。また、電子21aの偏向走査に基づいて被試験
LSI28の二次元画像Aが二次電子検出器23A,SE
M像取得表示制御回路23Bにより取得され、該二次元画
像Aが第1のモニタ26により表示される。一方、第2
のモニタ27には該LSI28の設計画像Bが表示され
る。この際に、制御計算機25を介して、例えば、被試
験LSI28の位置検出マークMに係る画像取得データ
D1と、その設計画像Bに基づく画像表示データD2
と、その測定点Pに係る外部設定データD3とに基づい
て電子ビーム21aのビーム偏向データD4が出力され
る。
配線が露出した位置合わせマークMに電子ビーム21aが
直接的に照射される。このことで、反射電子や二次電子
1bの検出量が多くなることから、配線を横切るように
電子ビーム21aを線走査することにより、該配線から放
出される反射電子や二次電子11bの変化から位置合わせ
マーク(配線位置)Mを特定することができる。これを
利用して、その検出量の加算平均処理等をすることによ
り位置合わせマークMを精度良く求めることが可能とな
る。
データD1及び画像表示データD2に基づいて処理され
た移動制御データD5によりステージ制御回路24bが制
御され、被試験LSI28がXYステージ24aにより移
動される。このことで、第2のモニタ27の設計画像B
に指定した測定点Pを該対象物のSEM像を表示する第
1のモニタ26の画面中心において再現性良く一致させ
ることが可能となる。
置決め方法について当該装置の動作を補足しながら説明
をする。
位置決め方法のフローチャートであり、図7はその位置
合わせマークの形成方法の説明をそれぞれ示している。
指定した測定点P=(lx,ly)と被試験LSI28
のSEM像の複数の位置合わせマークMに基づく画面中
心位置に電子ビーム21aを一致させ、その後、電圧測定
等をする場合について説明をする。
膜に覆われた被試験LSI28に位置合わせマークMの
作成処理をする。
せマークMの作成処理は、図7において該LSI28の
配線部分が露出する開口部18Aを設けることにより行
う。例えば、開口部18Aは1〜数μmにフォーカス処理
をしたレーザカッターやFIB(Focused Ion Beam,収
束イオンビーム)装置により除去する。すなわち、同図
7(a)において、開口部18AはSi基板28A,SiO
2 膜28B上のPSG膜28Dに覆われたアルミ配線28Cの
一部が露出するようにレーザービーム光31をスポット
照射する。また、開口部18Aは1画面のSEM像A=
(2〜300 〔μm〕角)の場合、2個以上設け、可能な
らば3個以上設ける。
クMは、該被試験LSI28の配線幅Φに基づいて重み
付け処理をする。すなわち、位置合わせマークMはレー
ザービーム光31がアルミ配線28CとPSG膜28Dとに
またがっているとき(図7(a)のレーザースポット領
域LP参照)には、Si基板28A,SiO2 膜28B上の
PSG膜28Dが除かれずに、アルミ配線28C上のPSG
膜28Dのみが除去されるという性質がある。従って、同
図7(b)において、アルミ配線28Cの配線幅Φが2μ
m以下になるとレーザービーム光31により形成される
開口部(PSG膜除去領域LQ参照)18Aは配線の長手
方向に細長くなる楕円形状となる。このため、位置合わ
せマークMの精度は、配線に対して垂直方向に電子ビー
ム21aを走査すると、高い検出精度が得られる。なお、
本発明の実施例では、位置合わせマークMのマーク座標
データD11と設定精度との関係を予め、制御計算機25
のメモリ等に格納されている。例えば、m番目の位置合
わせマークMのレイアウト座標(lxm, lym)とその精
度(axm, aym)との関係がRAM等に書き込まれてい
る。また、精度(axm,aym)はFIB装置,レーザー
カッターを用いて開口部18Aを形成した場合には1(垂
直方向基準)とし、それ以外の開口手段の場合にはaと
するものとする。
bが多く検出され、電圧コントラストによりSEM像を
二値化をすると位置合わせマークMを容易に行うことが
可能となる。
ステージ座標系の位置合わせ処理をする。ここで、被試
験LSIの第2のモニタ27の画面上の第1の位置合わ
せマークm1に係るレイアウト座標を(lx1,ly1)と
し、そのステージ座標を(gx1, gy1)とする。また、
第2の位置合わせマークm2に係るレイアウト座標を
(lx2,ly2)とし、そのステージ座標を(gx2, gx
2)とする。
において測定点Pの指定処理をする。この際に、キーボ
ード29により測定点P=(lx,ly)を制御命令デ
ータD3にして設定をする。
Mが作成された被試験LSI28を電子ビーム21aの偏
向可能領域に移動処理をする。この際に制御計算機25
はステージ移動制御回路24bに、 gx=gx1+(gx2−gx1)(lx−lx1)/(lx2−lx1)及び gy=gy1+(gy2−gy1)(ly −ly1)/(ly2−ly1) なる内容の移動制御データD5を出力する。これによ
り、XYステージ24aがステージ座標系の(gx,g
y)に移動される。
Mが作成された被試験LSI28に電子ビーム21aを照
射偏向処理をする。この際に、電子銃21から電子ビー
ム21aが被試験LSI28に照射され、その二次電子21
bが二次電子検出器23Aに検出される。
いて被試験LSI28のSEM像Aの取得処理をする。
この際に、ステージ座標系の位置(gx,gy)で取得
された二次電子21bに基づいて、SEM像Aの二値化を
すると位置合わせマークMを抽出することができる。す
なわち、第1の位置座標データDP1の一例となるSEM
像A上のk個の位置合わせマークMの重心をSEM像座
標リスト(sxi, syi),i=1,2,3…kを作成す
る。また、SEM像A上の第1の位置合わせマークM1
に対応するビーム偏向座標を(−sx1, −sy1)、その
第2の位置合わせマークM2に対応するビーム偏向座標
を(sx1, sy1)とし、SEM座標をレイアウト座標に
変換する際の倍率に依存する係数をmx,myとする
と、レイアウト座標系におけるk個の位置合わせマーク
Mの重心座標(lxi, lyi)は、 lxi=lx+mx×sx1 lyi=ly+my×sy1 となる。但し、(lx,ly)は測定点Pのレイアウト
座標である。
xi, lyi)に最も距離が近い位置合わせマークMのマー
ク座標(lxm, lym)から選択して、第2の位置座標デ
ータDP2の一例となる新たな位置合わせマークMの重心
座標(lxi, lyi)を置き換える。これにより、SEM
像Aから抽出した位置合わせマークMの正確なレイアウ
ト座標とSEM像Aとの関係を得ることができる。この
際に、SEM像取得表示制御回路23Bからの画像取得デ
ータD1と位置合わせマークMの座標を示すマーク座標
データD11とに基づくアライメントデータD22が詳細位
置決め回路51から偏向座標算定回路52に出力され
る。また、第2のモニタ27に表示されたマスク図の表
示画面中に指定された測定点P=(lx,ly)に係る
測定点レイアウト座標データD21と詳細位置決め回路5
1からのアライメントデータD22に基づいてビーム偏向
データD4が偏向座標算定回路52から偏向駆動制御回
路22Dに出力される。これにより、第1のモニタ26の
SEM像Aの画面中心位置と第2のモニタ27の測定点
Pとを一致させることができる。
標との関係から最小二乗法による近似処理により、SE
M像A,レイアウト座標間の変換式を求め、測定点P=
(lx,ly)に対応するSEM像Aの画面中心部分に
電子ビーム21aを偏向し、高精度にその位置決めを行う
ことができる。
の電圧測定等の測定処理をする。ここでは、被試験LS
I28に試験電圧等を印加し、その電圧変化を分析する
ことにより行う。
判断処理をする。この際に、測定終了しない場合(N
O)には、ステップPーに戻って処理を継続する。ま
た、測定終了(YES) により、測定処理を終了する。
置決め方法によれば、図6のフローチャートに示すよう
に、予め、絶縁膜に覆われた被試験LSI28に,例え
ば、その配線部分を露出する開口部18Aから成る位置合
わせマークMが作成処理されている。また、位置合わせ
マークMが被試験LSI28の配線幅Φに基づいて重み
付け処理され、さらに、それが被試験LSI28に複数
個設けられた場合には、該位置合わせマークMに係る第
1の位置座標データDP1とその測定点Pに係る第2の位
置座標データDP2とが最小二乗法により線形近似処理さ
れている。
21aの偏向可能領域に移動処理され、該偏向可能領域に
おいて、位置合わせマークMが作成された被試験LSI
28に電子ビーム21aが照射偏向処理されることで、該
照射偏向処理に基づいて被試験LSI28の二次元画像
Aが取得処理され、その後、該取得処理に基づいて電子
ビーム21aの偏向調整処理を行うことができる。
Bに指定した測定点Pを該対象物のSEM像の中の位置
合わせマークMに基づいて,例えば、第1のモニタ26
の画面の中心部分に電子ビーム21aを精度良くかつ再現
性良く位置決めを行うことが可能となる。
置及び電子ビーム位置決め方法について説明をしたが荷
電粒子ビームにイオンビームを用いる収束イオンビーム
装置及び収束イオンビーム位置決め方法においても同様
な効果を得ることができる。
ビーム装置によれば荷電粒子発生源,偏向手段,画像取
得手段,移動手段及び制御手段が具備され、該制御手段
に位置決め制御手段が設けられ、絶縁膜に覆われた被測
定対象物に作成された位置合わせマークに荷電粒子ビー
ムが直接出射偏向されている。
が露出した位置合わせマークに荷電粒子ビームが直接的
に照射されることで、反射電子や二次電子の検出量が多
くなる。このことから、配線を横切るように荷電粒子ビ
ームを線走査することにより、該配線から放出される反
射電子や二次電子の変化から位置合わせマークを特定す
ることができる。
指定した測定点を該対象物のSEM像を表示する第1の
表示手段の画面の中心部分に再現性良く一致させること
が可能となる。また、本発明の荷電粒子ビーム位置決め
方法によれば、予め、絶縁膜に覆われた被測定対象物に
配線幅に基づいて重み付け処理され、その配線部分が露
出する位置合わせマークが作成処理されている。
において、位置合わせマークが作成された被測定対象物
に荷電粒子ビームが照射偏向処理され、該照射偏向処理
に基づいて被測定対象物の二次元画像が取得処理され
る。その後、該取得処理に基づいて荷電粒子ビームの偏
向調整処理をすることにより第2の表示手段の設計画像
に指定した測定点を該対象物のSEM像の中の位置合わ
せマークに基づいて第1の表示手段の画面の中心部分に
精度良くかつ再現性良く行うことが可能となる。
複数個設けられた場合には、該位置合わせマークに係る
第1の位置座標データとその測定点に係る第2の位置座
標データとの変換処理が最小二乗法等により線形近似処
理されることにより精密な荷電粒子ビームの位置決めを
行うことが可能となる。
超微細化する半導体集積回路装置等の画像解析をする電
子顕微鏡,電子ビーステスタ及び収束イオンビーム装置
の性能の向上に寄与するところが大きい。
る。
理図である。
成図である。
である。
クとの説明図である。
のフローチャートである。
方法の説明図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 被測定対象物(18)に荷電粒子ビーム
(11a)を出射する荷電粒子発生源(11)と、前記荷
電粒子ビーム(11a)を偏向走査する偏向手段(12)
と、前記荷電粒子(11a)の偏向走査に基づいて前記被
測定対象物(18)の二次元画像(A)を取得する画像
取得手段(13)と、前記被測定対象物(18)の移動
をする移動手段(14)と、前記荷電粒子発生源(1
1),偏向手段(12),画像取得手段(13),移動
手段(14)の入出力を制御する制御手段(15)とを
具備する荷電粒子ビーム装置において、前記制御手段
(15)に位置決め制御手段(15A)が設けられ、前記
被測定対象物(18)の位置検出マーク(M)に係る画
像取得データ(D1)と、前記被測定対象物(18)の
設計画像(B)に基づく画像表示データ(D2)と、前
記被測定対象物(18)の測定点(P)に係る外部設定
データ(D3)とに基づいて前記荷電粒子ビーム(11
a)のビーム偏向データ(D4)を出力することを特徴
とする荷電粒子ビーム装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の荷電粒子ビーム装置にお
いて、前記二次元画像(A)を表示する第1の表示手段
(16)と、前記被測定対象物(18)の設計画像
(B)を表示する第2の表示手段(17)とが設けられ
ていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 【請求項3】 請求項1記載の荷電粒子ビーム装置にお
いて、前記移動手段(14)が前記被測定対象物(1
8)の画像取得データ(D1)及び画像表示データ(D
2)に基づいて処理された移動制御データ(D5)によ
り制御されることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 【請求項4】 予め、絶縁膜に覆われた被測定対象物
(18)に位置合わせマーク(M)の作成処理をし、前
記位置合わせマーク(M)が作成された被測定対象物
(18)に荷電粒子ビーム(11a)を照射偏向処理を
し、前記照射偏向処理に基づいて前記被測定対象物(1
8)の二次元画像(A)の取得処理をし、前記二次元画
像(A)の中の位置合わせマーク(M)と前記被測定対
象物(18)の設計画像(B)に指定された測定点
(P)とに基づいて前記荷電粒子ビーム(11a)の位置
合わせ処理をすることを特徴とする荷電粒子ビーム位置
決め方法。 - 【請求項5】 請求項4記載の荷電粒子ビーム位置決め
方法において、前記被測定対象物(18)の位置合わせ
マーク(M)の作成処理は、該被測定対象物(18)の
配線部分が露出する開口部(18A)を設けることにより
行うことを特徴とする荷電粒子ビーム位置決め方法。 - 【請求項6】 請求項4記載の荷電粒子ビーム位置決め
方法において、前記被測定対象物(18)の位置合わせ
マーク(M)は、該被測定対象物(18)の配線幅
(Φ)に基づいて重み付け処理をすることを特徴とする
荷電粒子ビーム位置決め方法。 - 【請求項7】 請求項4記載の荷電粒子ビーム位置決め
方法において、前記位置合わせマーク(M)が被測定対
象物(18)に複数個設けられた場合には、該位置合わ
せマーク(M)に係る第1の位置座標データ(DP1)と
前記被測定対象物(18)の測定点(P)に係る第2の
位置座標データ(DP2)との変換処理の際に最小二乗法
により線形近似処理をすることを特徴とする荷電粒子ビ
ーム位置決め方法。 - 【請求項8】 請求項4記載の荷電粒子ビーム位置決め
方法において、前記位置合わせ処理は、前記位置合わせ
マーク(M)が作成された被測定対象物(18)を荷電
粒子ビーム(11a)の偏向可能領域に移動処理をし、前
記偏向可能領域で荷電粒子ビーム(11a)の照射偏向処
理をし、前記照射偏向処理に基づいて被測定対象物(1
8)の二次元画像(A)の取得処理をし、前記取得処理
に基づいて荷電粒子ビーム(11a)の偏向調整処理をす
ることを特徴とする荷電粒子ビーム位置決め方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3009306A JP2978971B2 (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム位置決め方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3009306A JP2978971B2 (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム位置決め方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH04252976A JPH04252976A (ja) | 1992-09-08 |
JP2978971B2 true JP2978971B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=11716787
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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- 1991-01-29 JP JP3009306A patent/JP2978971B2/ja not_active Expired - Fee Related
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