JP2000269408A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は複数の半導体素子をスタックした構造
を有した半導体装置及びその製造方法に関し、小型化を
図りつつ、実装信頼性を向上し、かつ汎用性の高い半導
体素子の使用を可能とすることを課題とする。 【解決手段】 第１及び第２の半導体素子22A と、第１
の半導体素子22A 及び半田ボール24が配設される多層配
線基板23と、第２の半導体素子22B を搭載すると共にこ
れを多層配線基板23に電気的に接続するインターポーザ
と、各半導体素子22A,22B を封止する封止樹脂25とによ
り半導体装置を構成する。また、インターポーザを、第
２の半導体素子22B を搭載するステージ29A 及びこの第
２の半導体素子22B が電気的に接続されるリード部30A
を有したリードフレーム31A と、第２の半導体素子22B
とリード部30A とを電気的に接続するワイヤ28B と、リ
ード部30A と多層配線基板23とを電気的に接続するワイ
ヤ28C とにより構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法に係り、特に複数の半導体素子をスタックした
構造を有した半導体装置及びその製造方法に関する。近
年、半導体分野においては、「より小さく」「より薄
く」「より軽く」する高密度実装方法が要求されてい
る。そのような要求を充たすため、ＭＣＭ(MultiChip M
odule) 構造を有した半導体装置が注目されている。
【０００２】このＭＣＭにおける実装レベルはＣＳＰ(C
hip Size Package) と略同レベルであり、かつ複数の半
導体素子を多層配線基板上にワイヤ・ボンデイング或い
はフリップチップ・ボンデイング等で搭載・実装する構
成とされている。
【０００３】
【従来の技術】図１は、第１の従来例である半導体装置
１Ａを示す断面図である。同図に示す半導体装置１Ａは
ＭＣＭ構造を有しており、かつＢＧＡ(Ball Grid Arra
y) タイプの半導体装置である。同図に示す半導体装置
１Ａは、大略すると複数（同図では２個）の半導体素子
２Ａ，２Ｂ、多層配線基板３Ａ、半田ボール４Ａ、及び
封止樹脂５Ａ等により構成されている。同図に示すよう
に、多層配線基板３Ａ上には複数の半導体素子２Ａ，２
Ｂが表面実装されており、よって半導体装置１ＡはＭＣ
Ｍ構造とされている。
【０００４】各半導体素子２Ａ，２Ｂは、接着剤６によ
り多層配線基板３Ａの上面に接着された上、ワイヤ８を
用いて多層配線基板３Ａに形成されたボンディングパッ
ド７にワイヤボンディングされている。また、多層配線
基板３Ａの下面には外部接続端子として機能する半田ボ
ール４Ａが配設されている。ワイヤ８がボンディングさ
れたボンディングパッド７と半田ボール４Ａは、多層配
線基板３Ａの内部に形成された内部配線により接続され
ており、よって各半導体素子２Ａ，２Ｂは、所定の半田
ボール４Ａと電気的に接続された構成とされている。
【０００５】また、封止樹脂５Ａは多層配線基板３Ａの
上面に各半導体素子２Ａ，２Ｂ及びワイヤ８を覆うよう
に形成されている。これにより、各半導体素子２Ａ，２
Ｂ及びワイヤ８は、封止樹脂５Ａにより保護された構成
となっている。また、図２は第２の従来例である半導体
装置１Ｂを示す断面図である。同図に示す半導体装置１
ＡもＭＣＭ構造及びＢＧＡ(Ball Grid Array) 構造を有
した半導体装置である。この半導体装置１Ｂは、各半導
体素子２Ａ，２Ｂにスタッドバンプ９を形成し、多層配
線基板３Ａにフリップチップボンディングした構成とさ
れている。また、スタッドバンプ９に印加される応力を
緩和するため、各半導体素子２Ａ，２Ｂと多層配線基板
３Ａとの間にはアンダーフィルレジン１４が介装された
構成とされている。
【０００６】しかるに、図１及び図２に示した各半導体
装置１Ａ，１Ｂでは、複数の半導体集積回路チップ２
Ａ，２Ｂを多層配線基板３Ａ上に平面的に並べて搭載す
る構成であるため、各半導体装置１Ａ，１Ｂの平面的な
面積の総和より、多層配線基板３Ａの面積を小さくする
ことは不可能である。このため、図１及び図２に示した
各半導体装置１Ａ，１Ｂでは、装置が大型化してしまう
という問題点があった。
【０００７】そこで、図３に示すような多層配線基板３
Ｂの両面に半導体素子２Ｃ〜２Ｄを搭載したＱＦＰ(Qua
d Flat Package) タイプ（リード１０が封止樹脂５Ｂの
各外周辺から延出した構成）の半導体装置１Ｃが提案さ
れている。しかるに、この半導体装置１Ｃでは実装密度
は上がるが、多層配線基板３Ｂの両面に半導体素子２Ｃ
〜２Ｄを搭載することにより、多層配線基板３Ｂの両面
に封止樹脂５Ｂを形成する必要が生じ、封止樹脂５Ｂの
量も多くなってしまい「重く」「厚い」パッケージにな
ってしまう。
【０００８】また、実装密度を向上しつつ、かつ「より
小さく」「より薄く」「より軽く」を目的としたものと
して、図４に示す半導体装置１Ｄが提案されている。こ
の半導体装置１Ｄは、スタックドＣＳＰと称せられる半
導体パッケージであり、単層の配線基板１１の上部に複
数（本例では２個）の半導体素子２Ｆ，２Ｇを直接積み
重ねた（スタックした）構成とされている。
【０００９】各半導体素子２Ｆ，２Ｇは回路形成面が上
面に位置するよう配設されており、半導体素子２Ｇと配
線基板１１の接合、及び半導体素子２Ｆと半導体素子２
Ｇとの接合には絶縁性接着剤１２が用いられている。ま
た、配線基板１１の上面には配線パターン１３が形成さ
れており、各半導体素子２Ｆ，２Ｇと配線パターン１３
はワイヤ８により電気的に接続されている。
【００１０】また、配線基板１１の下面には半田ボール
４Ｂが形成されており、この半田ボール４Ｂは配線基板
１１に形成された孔１５を介して配線パターン１３に接
続されている。これにより、各半導体素子２Ｆ，２Ｂは
半田ボール４Ｂと電気的に接続された構成とされてい
る。更に、配線基板１１の上面には各半導体素子２Ｆ，
２Ｇ及びワイヤ８を封止する封止樹脂５Ｃが形成されて
いる。本従来例に係る半導体装置１Ｄは、各半導体素子
２Ｆ，２Ｇが配線基板１１の片面にスタックされた構成
であるため、封止樹脂５Ｃも配線基板１１の片面にのみ
配設すればよく、よって「小さく」「薄く」「軽い」パ
ッケージを実現している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、図４に
示す半導体装置１Ｄは各半導体素子２Ｆ，２Ｇが配線基
板１１の片面にスタックされ、よって封止樹脂５Ｃも配
線基板１１の片面にのみ配設すればよいため、「小さ
く」「薄く」「軽い」パッケージを実現できる。しかる
に、半導体装置１Ｄでは、半導体素子２Ｆと半導体素子
２Ｇを直接スタック（接合）した構成であったため、各
半導体素子２Ｆ，２Ｇ間で干渉が生じてしまうという問
題点があった。具体的には、絶縁性接着剤１２を用いて
各半導体素子２Ｆ，２Ｇ間を接合した後、例えば封止樹
脂５Ｃを形成する時、或いは半導体装置１Ｄを実装基板
に実装する時等において各半導体素子２Ｆ，２Ｇには熱
が印加されるが、各半導体素子２Ｆ，２Ｇの熱膨張率に
差がある場合、この熱により半導体素子２Ｆと半導体素
子２Ｇとの間には応力が発生する。そして、この応力に
より、各半導体素子２Ｆ，２Ｇ間に接合不良が発生した
り、また半導体素子２Ｆが接合されている下部に位置す
る半導体素子２Ｇの回路形成面に悪影響が発生するおそ
れがある。
【００１２】また、上記のように半導体装置１Ｄは単層
の配線基板１１を用いていたため、配線パターン１３の
引回し（レイアウト）の自由度は低い。よって、各半導
体素子２Ｆ，２Ｇと配線基板１１の電気的接続を行なう
場合、配線レイアウトはワイヤ８の接続において行なう
必要がある。しかるに、半導体素子２Ｆ，２Ｇが高密度
化しワイヤ数も多数化すると隣接するワイヤ間の距離は
短くなり、ワイヤレイアウトの自由度も低下する。ま
た、半導体装置１Ｄのように複数の半導体素子２Ｆ，２
Ｇがスタックされた構成では、この自由度は更に低下す
る。
【００１３】このため、予めピンレイアウトが決められ
ている比較的安価な汎用性の高い素子を半導体素子２
Ｆ，２Ｇとして半導体装置１Ｄに用いようとしても、ワ
イヤ８が干渉することにより汎用性の高い素子を用いる
ことができないという問題点があった。このため、ワイ
ヤ８が干渉しないようなピンレイアウトを有した半導体
素子２Ｆ，２Ｇを新たに開発する必要があり、半導体装
置１Ｃの開発コスト及び開発に要する時間が増大してし
まうという問題点があった。
【００１４】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、小型化を図りつつ、実装信頼性の向上、及び汎用
性の高い半導体素子の使用を可能とした半導体装置及び
その製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。請求項１記載の発明に係る半導体装
置は、第１の半導体素子と、この第１の半導体素子を上
面に搭載すると共に下面に外部接続端子が配設された多
層配線基板と、第２の半導体素子と、この第２の半導体
素子を前記第１の半導体素子上に離間した状態で重ね合
わされるよう保持すると共に、前記第２の半導体素子と
前記多層配線基板とを電気的に接続するインターポーザ
と、前記第１及び第２の半導体素子を封止するよう、か
つ前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との離
間部分に充填されるよう形成された封止樹脂とを有する
ことを特徴とするものである。
【００１６】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の半導体装置において、前記インターポーザは、前記
第２の半導体素子を搭載するステージと、前記第２の半
導体素子が電気的に接続されるリード部とを有したリー
ドフレームと、前記第２の半導体素子と前記リード部と
を電気的に接続する第１の電気的接続手段と、前記リー
ド部と前記多層配線基板とを電気的に接続する第２の電
気的接続手段とにより構成されることを特徴とするもの
である。
【００１７】また、請求項３記載の発明は、請求項２記
載の半導体装置において、前記第１及び第２の電気的接
続手段を共にワイヤとしたことを特徴とするものであ
る。また、請求項４記載の発明は、請求項２記載の半導
体装置において、前記第１の電気的接続手段を突起電極
とし、前記第２の電気的接続手段をワイヤとしたことを
特徴とするものである。
【００１８】また、請求項５記載の発明は、請求項３記
載の半導体装置において、前記ステージが前記第１の半
導体素子と対向するよう配置すると共に、前記ステージ
の前記第１の半導体素子と対向する面に絶縁材を配設し
たことを特徴とするものである。
【００１９】また、請求項６記載の発明は、請求項３記
載の半導体装置において、前記第１の半導体素子の回路
形成面と、前記第２の半導体素子の回路形成面が対向す
るよう配置したことを特徴とするものである。また、請
求項７記載の発明は、請求項６記載の半導体装置におい
て、前記ステージを前記封止樹脂から露出した構成とし
たことを特徴とするものである。
【００２０】また、請求項８記載の発明は、請求項２乃
至７のいずれかに記載の半導体装置において、前記リー
ドフレームを前記多層配線基板上に保持する保持部材を
設けたことを特徴とするものである。また、請求項９記
載の発明は、請求項１記載の半導体装置において、前記
インターポーザは、前記第２の半導体素子を搭載すると
共に、前記第２の半導体素子が電気的に接続されるリー
ド部とを有した可撓性配線基板と、前記第２の半導体素
子と前記リード部とを電気的に接続する第１の電気的接
続手段と、前記リード部と前記多層配線基板とを電気的
に接続する第２の電気的接続手段とにより構成されるこ
とを特徴とするものである。
【００２１】また、請求項１０記載の発明に係る半導体
装置の製造方法は、多層配線基板の上面に第１の半導体
素子を搭載すると共に該第１の半導体素子と前記多層配
線基板とを電気的に接続する第１の半導体素子搭載工程
と、ステージとリード部とを有するリードフレームの該
ステージに第２の半導体素子を搭載すると共に、該第２
の半導体素子と前記リード部とを第１の電気的接続手段
で接続する第２の半導体素子搭載工程と、保持手段を用
い、前記第１の半導体素子に対し前記第２の半導体素子
が離間するよう前記リードフレームを前記多層配線基板
上に保持するリードフレーム保持工程と、前記リード部
と前記多層配線基板とを第２の電気的接続手段にて接続
する接続工程と、前記第１及び第２の半導体素子を封止
するよう、かつ前記第１の半導体素子と前記第２の半導
体素子との離間部分に樹脂を充填することにより封止樹
脂を形成する樹脂封止工程と、前記多層配線基板の下面
に外部接続端子を形成する端子形成工程とを有すること
を特徴とするものである。
【００２２】また、請求項１１記載の発明は、請求項１
１記載の半導体装置の製造方法において、前記保持手段
として、前記リードフレームを前記多層配線基板上に保
持するダム部材を用いたことを特徴とするものである。
また、請求項１２記載の発明は、請求項１１記載の半導
体装置の製造方法において、前記保持手段として、前記
リードフレームのリード部外側に形成さたれ折り曲げ部
を用いたことを特徴とするものである。
【００２３】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、多層配線基板の上面に第
１の半導体素子を搭載すると共にインターポーザに保持
された第２の半導体素子が第１の半導体素子上に離間し
た状態で重ね合わされるよう配設したことにより、スタ
ックドＣＳＰと同様に半導体装置の小型化を図ることが
できる。
【００２４】また、第１及び第２の半導体素子は、多層
配線基板と電気的に接続された構成としている。多層配
線基板は、その内部配線によって配線の引回しに自由度
を有する。よって、多層配線基板の外部に位置するイン
ターポーザ側で配線の引回しを行なう必要がなくなり、
よって半導体素子として汎用品を用いることが可能とな
る。これにより、半導体装置の低コスト化を図ることが
できる。
【００２５】更に、封止樹脂内において、第１の半導体
素子と第２の半導体素子は離間した状態で配設されるた
め、各半導体素子が相互に干渉することがなくなり、半
導体装置の信頼性を向上させることができる。また、請
求項２乃至請求項４記載の発明によれば、ステージとリ
ード部を有したリードフレームと、第２の半導体素子を
多層配線基板に電気的に接続する第１及び第２の電気的
接続手段とによりインターポーザを構成したことによ
り、リードフレームは半導体装置の構成要素として広く
用いられており、また半導体素子とリード部を接続する
第１の電気的接続手段、及びリード部と多層配線基板を
接続する第２の電気的接続手段も周知の電気的接続手段
（例えば、ワイヤや突起電極）を用いることができる。
よって、新たな製造設備を必要することなく半導体装置
を製造することができ、半導体装置の低コスト化を図る
ことが可能となる。
【００２６】また、請求項５記載の発明によれば、ステ
ージが第１の半導体装置と対向するよう配置するよう配
設することにより、ワイヤを用いた場合にはワイヤとス
テージが近接して接触するおそれがある。しかるに、ス
テージの第１の半導体素子と対向する面に絶縁材を配設
することにより、ワイヤがステージと接触してもワイヤ
とステージが電気的に接続することはなく、半導体装置
の誤動作及び損傷を防止することができる。
【００２７】また、請求項６記載の発明によれば、第１
の半導体素子の回路形成面と第２の半導体素子の回路形
成面が対向するよう配置したことにより、第２の半導体
素子とリード部とを接続するワイヤは、第１の半導体素
子と対向する側にループを形成する構成となる。このた
め、第２の半導体素子の背面側に形成される封止樹脂を
薄く形成することができ、半導体装置の薄型化を図るこ
とができる。
【００２８】また、請求項７記載の発明によれば、ステ
ージを封止樹脂から露出した構成としたことにより、半
導体素子で発生した熱はステージを介して直接外気に放
熱されるため、放熱特性を向上させることができる。ま
た、請求項８記載の発明によれば、リードフレームを多
層配線基板上に保持する保持部材を設けたことにより、
第２の半導体素子を第１の半導体素子から離間した状態
に安定した状態で保持することができる。
【００２９】また、請求項９記載の発明によれば、第２
の半導体素子を搭載すると共に第２の半導体素子が電気
的に接続されるリード部とを有した可撓性配線基板と、
第２の半導体素子を多層配線基板に電気的に接続する第
１及び第２の電気的接続手段とによりインターポーザを
構成したことにより、可撓性配線基板はリードフレーム
に比べて狭ピッチで配設パターンを形成できるため、高
密度化された半導体素子に対応することができる。
【００３０】また、可撓性配線基板は、例えばＴＡＢ(T
ape Automated Bonding)テープ等の半導体装置の構成要
素として広く用いられているものを適用でき、かつ半導
体素子とリード部及びリード部と多層配線基板を接続す
る第１及び第２の電気的接続手段も周知の電気的接続手
段（例えば、ワイヤや突起電極）を用いることができ
る。よって、新たな製造設備を必要することなく半導体
装置を製造することができ、半導体装置の低コスト化を
図ることが可能となる。
【００３１】また、請求項１０記載の発明によれば、第
１の半導体素子搭載工程及び第２の半導体素子搭載工程
が終了した後、リードフレーム保持工程において、保持
手段を用いて第１の半導体素子に対し第２の半導体素子
が離間するようリードフレームを多層配線基板上に保持
するため、続いて実施される接続工程及び樹脂封止工程
では、第２の半導体素子が第１の半導体素子上に保持さ
れた状態で接続処理及び樹脂封止処理を実施することが
でき、各処理を容易に行なうことが可能となる。
【００３２】また、請求項１１記載の発明のように、保
持手段としては、リードフレームを多層配線基板上に保
持するダム部材を用いることができる。また、請求項１
２記載の発明のように、保持手段としては、リードフレ
ームのリード部外側に形成さたれ折り曲げ部を用いるこ
とができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の目実施の形態につ
いて図面と共に説明する。図５は、本発明の第１実施例
である半導体装置２０Ａを示す断面図である。同図に示
す半導体装置２０Ａは、大略すると複数（本実施例では
２個）の半導体素子２２Ａ，２２Ｂ、多層配線基板２
３、半田ボール２４、インターポーザ、及び封止樹脂２
５等により構成されている。同図に示すように、多層配
線基板２３上には複数の半導体素子２２Ａ，２２Ｂが積
み重ねられた構成（スタックされた構成）とされてお
り、よって半導体装置２０ＡはスタックドＣＳＰと類似
した構成とされている。
【００３４】第１の半導体素子２２Ａは例えばシステム
ＩＣであり、図示しない接着剤により多層配線基板２３
の上面に接着されている。第１の半導体素子２２Ａの回
路形成面は図中上面であり、この回路形成面の外周に形
成された電極と多層配線基板２３に形成されたボンディ
ングパッド２７はワイヤ２８Ａにより接続されている。
また、多層配線基板２３の下面には、外部接続端子とし
て機能する複数の半田ボール２４が配設されている。
【００３５】第２の半導体素子２２Ｂは例えばＤＲＡＭ
等のメモリＩＣであり、インターポーザにより第１の半
導体素子２２Ａに対し上方に離間した位置に保持される
と共に多層配線基板２３に電気的に接続された構成とさ
れている。インターポーザは、リードフレーム３１Ａ，
ワイヤ２８（第１の電気的接続手段），ワイヤ２８Ｃ
（第２の電気的接続手段）等により構成されている。リ
ードフレーム３１Ａはステージ２９Ａとリード部３０Ａ
とを有した構成とされており、例えば４２アロイ，銅合
金等の従来から半導体装置のリード材料として一般に用
いられている材料により形成されている。
【００３６】第２の半導体素子２２Ｂは、その背面を図
示しない接着剤によりステージ２９Ａに接合される。ま
た、リードフレーム３１Ａは、多層配線基板２３の上面
に固定されたダム部材３２上に配設された構成とされて
おり、よってリードフレーム３１Ａは多層配線基板２３
に対し図中矢印Ｈ１で示す寸法だけ離間して配設された
構成となっている。これにより、第２の半導体素子２２
Ｂは第１の半導体素子２２Ａに対し上方に所定寸法（例
えば、２００μｍ程度）だけ離間した位置に保持され
る。
【００３７】また、本実施例の構成ではステージ２９Ａ
が第１の半導体素子２２Ａと直接対向した状態となるた
め、ステージ２９Ａの第１の半導体素子２２Ａと対向す
る面に絶縁材３８を配設した構成としている。この絶縁
材３８としては、例えば絶縁性樹脂を用いることがで
き、この絶縁性樹脂を所定の膜厚でコーティングするこ
とにより絶縁材３８は形成される。
【００３８】本実施例のように、ステージ２９Ａが第１
の半導体装置２２Ａと対向するよう配置された構成で
は、ワイヤ２８Ａとステージ２９Ａが近接するため両者
２８，２９Ａが接触するおそれがある。この場合、ステ
ージ２９Ａはもともと導電性を有するリード材料により
形成されているため、ワイヤ２８Ａが接触すると短絡し
てしまい、半導体装置２０Ａの動作不良につながる。
【００３９】しかるに、上記のようにステージ２９Ａの
第１の半導体素子２２Ａと対向する面（下面）に絶縁材
３８を配設することにより、ワイヤ２８Ａがステージ２
９Ａと接触しても、ワイヤ２８Ａとステージ２９Ａが電
気的に接続することはない。これにより、半導体装置２
０Ａに誤動作が発生したり、また各半導体素子２２Ａ，
２２Ｂに損傷が発生することを防止できる。
【００４０】一方、リードフレーム３１Ａを構成するリ
ード部３０Ａは、前記したダム部材３２の上部に載置さ
れており、よってリードフレーム３１Ａは多層配線基板
２３上に安定して保持された構成となっている（後述す
るように、特に封止樹脂２５を配設する前において）。
尚、本実施例では、前記したステージ２９Ａとリード部
３０Ａは、略同一平面上にあるよう構成されている。
【００４１】第２の半導体素子２２Ｂとリード部３０Ａ
は、ワイヤ２８Ｂ（第１の電気的接続手段）により電気
的に接続された構成とされている。また、リード部３０
Ａと多層配線基板２３に形成されたボンディングパッド
２７は、ワイヤ２８Ｃ（第２の電気的接続手段）により
電気的に接続された構成とされている。これにより、第
２の半導体素子２２Ｂは、各ワイヤ２８Ｂ，２８Ｃ、及
びリード部３０Ａを介して多層配線基板２３に電気的に
接続された構成となる。
【００４２】上記のように、各半導体素子２２Ａ，２２
Ｂは、各ワイヤ２８Ａ〜２８Ｃを用いて多層配線基板２
３に接続される。また、各ワイヤ２８Ａ〜２８Ｃがボン
ディングされるボンディングパッド２７と半田ボール２
４が接合される電極３５は、多層配線基板２３の内部に
形成された内部配線により接続されており、よって各半
導体素子２２Ａ，２２Ｂは所定の半田ボール２４に電気
的に接続された構成となっている。
【００４３】尚、各ワイヤ２８Ａ〜２８Ｃは、いわゆる
逆打ちボンディングにより配設されている。即ち、多層
配線基板２３のボンディングパッド２７との接合をファ
ーストボンディングとし、各半導体素子２２Ａ，２２Ｂ
の電極との接合をセカンドボンディングとしている。こ
のように、各ワイヤ２８Ａ〜２８Ｃを逆打ちボンディン
グにより配設することにより、ワイヤーループの高さを
低くすることができ、半導体装置２０Ａの薄型化を図る
ことができる。
【００４４】一方、封止樹脂２５は、例えばエポキシ樹
脂等の絶縁性樹脂よりなり、上記した多層配線基板３Ａ
の片面上に各半導体素子２２Ａ，２２Ｂ，リードフレー
ム３１Ａ，及びワイヤ２８Ａ〜２８Ｃを覆うように形成
されている。これにより、各半導体素子２２Ａ，２Ｂリ
ードフレーム３１Ａ，及びワイヤ２８Ａ〜２８Ｃは、封
止樹脂２５により保護された構成となる。
【００４５】この封止樹脂２５は、第１の半導体素子２
２Ａと第２の半導体素子２２Ｂとの離間部分に充填され
るよう形成されており、よって封止樹脂２５によっても
ステージ２９Ａとワイヤ２８は絶縁された構成となって
いる。また、上記のように封止樹脂２５は多層配線基板
３Ａの片面上にのみ形成されるため、先に図３を用いて
説明した従来の半導体装置１Ｃと異なり、小型・軽量化
を図ることができると共に封止樹脂２５の使用量を低減
することができる。
【００４６】上記したように、本実施例の半導体装置２
０Ａは多層配線基板２３の上面に第１の半導体素子２２
Ａを搭載すると共に、リードフレーム３１Ａに保持され
た第２の半導体素子２２Ｂが第１の半導体素子２２Ａ上
に離間した状態で重ね合わされるよう構成されている。
このため、先に説明したスタックドＣＳＰタイプの半導
体装置１Ｄ（図４参照）と同様に、各半導体装置２２
Ａ，２２Ｂの平面的な面積の総和よりも多層配線基板２
３の面積を小さくすることができ、よって半導体装置２
０Ａの小型化を図ることができる。
【００４７】また、上記のように第１及び第２の半導体
素子２２Ａ，２２Ｂは多層配線基板２３と電気的に接続
された構成としているが、この多層配線基板２３はその
内部に形成された内部配線によって配線の引回しに自由
度を有している。即ち、各半導体素子２２Ａ，２２Ｂと
接続されたワイヤ２８Ａ〜２８Ｃがボンディングされる
ボンディングパッド２７と、半田ボール２４が接合され
る電極３５との間で、配線の引回しを行なうことが可能
となる。
【００４８】よって、各半導体素子２２Ａ，２２Ｂとし
て、予めピンレイアウト（ピンアドレス）が決まってい
る汎用品を用いたとしても、多層配線基板２３内の内部
配線において配線の引回しを行なえばよく、多層配線基
板２３の外部においてワイヤ２８Ａ〜２８Ｃの引回しを
行なう必要はなくなる。これにより、半導体素子２２
Ａ，２２Ｂとして汎用品を用いることが可能となり、半
導体装置２０Ａの低コスト化を図ることができる。
【００４９】尚、多層配線基板２３としては、セラミッ
ク製多層配線基板，ガラスエポキシ製多層配線基板，樹
脂製多層配線基板等、種々の構造の多層配線基板を適用
することが可能である。一方、本実施例に係る半導体装
置２０Ａでは、封止樹脂２５内において、第１の半導体
素子２２Ａと第２の半導体素子２２Ｂは離間した状態で
配設されている。よって、各半導体素子２２Ａ，２２Ｂ
間で熱膨張率に差があり、また封止樹脂２５の形成或い
は半導体装置２０Ａの実装等により各半導体素子２２
Ａ，２２Ｂに熱が印加されたとしても、この熱により第
１の半導体素子２２Ａと第２の半導体素子２２Ｂとの間
に応力が発生するようなことはない。従って、各半導体
素子２２Ａ，２２Ｂが相互に干渉することはなくなり、
半導体装置２０Ａの信頼性を向上させることができる。
【００５０】更に本実施例に係る半導体装置２０Ａで
は、インターポーザをリードフレーム３１Ａと各ワイヤ
２８Ｂ，２８Ｃにより構成している。リードフレーム３
１Ａは半導体装置の構成要素として広く用いられてい
る。また、第２の半導体素子２２Ｂとリード部３０Ａを
接続するワイヤ２８Ｂ、及びリード部３０Ａと多層配線
基板２３を接続するワイヤ２８Ｃも周知のワイヤボンデ
ィング装置を用いてワイヤボンディングできるワイヤを
用いている。よって、新たな製造設備を必要することな
く半導体装置２０Ａを製造するることができ、半導体装
置２０Ａのコスト低減を図ることができる。
【００５１】続いて、本発明の第２実施例について説明
する。図６は、本発明の第２実施例である半導体装置２
０Ｂを示している。尚、図６において、図５に示した第
１実施例である半導体装置２０Ａと同一構成について
は、同一符号を付してその説明を省略する。また、図７
乃至図１０を用いて説明する各実施例についても同様と
する。
【００５２】図５を用いて説明した第１実施例に係る半
導体装置２０Ａでは、第１の半導体素子２２Ａの回路形
成面がステージ２９Ａと対向するよう構成した。これに
対し本実施例に係る半導体装置２０Ｂでは、第１の半導
体素子２２Ａの回路形成面と、第２の半導体素子２２Ｂ
の回路形成面が対向するよう配置したことを特徴とする
ものである。
【００５３】この構成とすることにより、リードフレー
ム３１Ｂのステージ２９Ｂは第２の半導体素子２２Ｂの
外側に位置する構成となる。また、リード部３０Ａの多
層配線基板２３上の高さＨ１は第１実施例に係る半導体
装置２０Ａと同一であるため、本実施例で用いるリード
フレーム３１Ｂはステージ２９Ｂとリード部３０Ａと
で、高さ方向に対して段差を有した構成とされている。
更に、本実施例では、図示されるようにステージ２９Ｂ
を封止樹脂２５から露出した構成としている。
【００５４】本実施例のように、第１の半導体素子２２
Ａの回路形成面と第２の半導体素子２２Ｂの回路形成面
が対向するよう配置したことにより、第２の半導体素子
２２Ｂとリード部３０Ａとを接続するワイヤ２８Ｂは、
第１の半導体素子２２Ａと対向する側にループを形成す
る構成となる。このため、第２の半導体素子２２Ｂの背
面側に形成される封止樹脂を薄く形成することができ、
半導体装置２０Ｂの薄型化を図ることができる。
【００５５】特に、本実施例のように、ステージ２９Ａ
を封止樹脂２５から露出した構成とした場合には、更に
半導体装置２０Ｂの薄型化を図ることができる。また、
ステージ２９Ｂを封止樹脂２５から露出した構成とした
ことにより、ステージ２９Ｂは放熱フィンとしても機能
し、よって各半導体素子２２Ａ，２２Ｂで発生する熱を
ステージ２９Ｂを介して直接外気に放熱することが可能
となり、半導体装置２０Ｂの放熱特性を向上させること
ができる。
【００５６】続いて、本発明の第３実施例について説明
する。図７は、本発明の第３実施例である半導体装置２
０Ｃを示している。本実施例に係る半導体装置２０Ｃ
は、第１及び第２実施例に係る各半導体装置２０Ａ，２
０Ｂにおいて、リードフレーム３１Ａ，３１Ｂを保持す
るために用いていたダム部材３２を除去した構成とした
ことを特徴とするものである。即ち、本実施例では、リ
ードフレーム３１Ｃが多層配線基板２３に対して浮いた
状態となっている（尚、実際はリードフレーム３１Ｃと
多層配線基板２３との間には封止樹脂２５が介在す
る）。この構成とすることにより、部品点数の削減を図
ることができる。尚、この半導体装置２０Ｃの製造方法
については、後に詳述する。
【００５７】続いて、本発明の第４実施例について説明
する。図８は、本発明の第４実施例である半導体装置２
０Ｄを示している。本実施例に係る半導体装置２０Ｄ
は、インターポーザを可撓性配線基板であるＴＡＢ(Tap
e Automated Bonding)基板３３，ワイヤ２８Ｃ，及び突
起電極であるスタッドバンプ３４（例えば金バンプ）等
により構成したことを特徴とするものである。
【００５８】ＴＡＢ基板３３は、樹脂テープとその上部
に形成された配線パターンとにより構成されている。こ
のＴＡＢ基板３３の一部（以下、リード部３０Ｂとい
う）はダム部材３２の上面に接着剤により接着されてい
る。また、ＴＡＢ基板３３の一部は第２の半導体素子２
２Ｂの下部まで延出している。第２の半導体素子２２Ｂ
は、スタッドバンプ３４をこの部位に接合することによ
りＴＡＢ基板３３にフリップチップボンディングされ
る。
【００５９】また、ＴＡＢ基板３３のリード部３０Ｂと
多層配線基板２３に形成されたボンディングパッド２７
との間には、ワイヤ２８Ｃが配設される。これにより、
第２の半導体素子２２Ｂは、スタッドバンプ３４（第１
の電気的接続手段），ＴＡＢ基板３３，及びワイヤ２８
Ｃ（第２の電気的接続手段）を介して多層配線基板２３
に電気的に接続された構成となる。
【００６０】ＴＡＢ基板３３は、配線パターンを薄膜形
成技術を用いて形成できるため、上記したリードフレー
ム３１Ａ，３１Ｃに比べて狭ピッチで配設パターンを形
成できる。よって、インターポーザの一部としてＴＡＢ
基板３３を用いることにより、半導体素子２２Ａ，２２
Ｂが高密度化し電極数が増大しても、これに十分に対応
することができる。
【００６１】また、ＴＡＢ基板３３は、半導体装置の構
成要素として広く用いられているＴＡＢテープ等を適用
することができ、かつ第２の半導体素子２２Ｂとリード
部３０Ｂを接続するスタッドバンプ３４、及びリード部
３０Ｂと多層配線基板２３を接続するワイヤ２８Ｃも半
導体装置の構成要素として広く用いられているものであ
る。よって、新たな製造設備を必要することなく半導体
装置を製造２０Ｄを形成することができ、半導体装置２
０Ｄの低コスト化を図ることができる。
【００６２】続いて、上記した半導体装置２０Ａ〜２０
Ｄの製造方法について説明する。尚、以下の説明では、
図６に示した第２実施例に係る半導体装置２０Ｂ、及び
図７に示した第２実施例に係る半導体装置２０Ｃの製造
方法を例に挙げて説明するものとする。図９は、第２実
施例に係る半導体装置２０Ｂの製造方法を説明するため
の図である。
【００６３】半導体装置２０Ｂを製造するには、先ず図
９（Ａ）に示すように、予め別工程（リードフレーム形
成工程）においてステージ２９Ｂ及びリード部３０Ａが
形成されたリードフレーム３１Ｂに第２の半導体素子２
２Ｂを搭載する。具体的には、接着剤（図示せず）を用
いて、第２の半導体素子２２Ｂをステージ２９Ｂにダイ
ボンディングする。続いて、ステージ２９Ｂ上に搭載さ
れた第２の半導体素子２２Ｂとリード部３０Ａとの間に
ワイヤ２８Ｂ（第１の電気的接続手段）をワイヤボンデ
ィングする（以上の処理を第２の半導体素子搭載工程と
う）。
【００６４】尚、本実施例で用いるリードフレーム３１
Ｂは、ステージ２９Ｂとリード部３０Ａが高さ方向に段
差を有した構成である。しかるに、リードフレーム３１
Ｂを形成するリードフレーム形成工程では、板状基材を
プレス加工により切断或いは塑性変形させて所定形状の
リードフレーム３１Ｂを形成するため、ステージ２９Ｂ
とリード部３０Ａとの間に段差を有するリードフレーム
３１Ｂであっても容易に形成することができる。
【００６５】一方、図９（Ｂ）に示されるように、第１
の半導体素子２２Ａは接着剤（図示せず）を用いて多層
配線基板２３の上面に搭載される。多層配線基板２３は
別工程において製造されるものであり、上面にはボンデ
ィングパッド２７が形成され、また下面には電極３５が
形成され、またボンディングパッド２７と電極３５との
間には内部配線が形成されている。
【００６６】上記のように第１の半導体素子２２Ａが多
層配線基板２３の上面に搭載されると、続いて第１の半
導体素子２２Ａの回路形成面の外周に設けられた電極と
ボンディングパッド２７との間にワイヤ２８Ａがワイヤ
ボンディングされる。このワイヤボンディングの際、ボ
ンディングパッド２７にファーストボンディングを行
い、第１の半導体素子２２Ａにセカンドボンディングを
行なう逆打ちを行なう。これにより、ワイヤ２８Ａのル
ープ高さを低くすることができる。
【００６７】このワイヤボンディング処理が終了する
と、多層配線基板２３の第１の半導体素子２２Ａが配設
された位置の外周にダム部材３２（保持部材）を配設す
る。このダム部材３２の材質としては、絶縁性を有した
樹脂を利用することが考えられる。ダム部材３２は、多
層配線基板２３に接着剤を用いて固定される（以上の処
理を第１の半導体素子搭載工程という）。
【００６８】尚、上記した第１の半導体素子搭載工程と
第２の半導体素子搭載工程は、いずれを先に実施しても
よく、また同時に実施するとも可能である。また、第１
の半導体素子２２Ａと第２の半導体素子２２Ｂの離間距
離は、ダム部材３２の高さを調整することにより、任意
に設定することが可能である。上記の第１及び第２の半
導体素子搭載工程が終了すると、続いて図９（Ｃ）に示
されるように、第２の半導体素子２２Ｂが搭載されたリ
ードフレーム３１Ｂのリード部３０Ａを多層配線基板２
３に設けられたダム部材３２の上部に接着剤を用いて固
定する。これにより、リードフレーム３１Ｂはダム部材
３２に保持された構成となる（リードフレーム保持工
程）。この際、リードフレーム３１Ｂは、第２の半導体
素子２２Ｂの回路形成面が第１の半導体素子２２Ａの回
路形成面と対向するようダム部材３２上に配設される
（即ち、図９（Ｃ）に示されるリードフレーム３１Ｂ
は、図９（Ａ）に示す状態に対し上下を逆とした状態と
なる）。
【００６９】上記のリードフレーム保持工程が終了する
と、図９（Ｄ）に示されるように、リード部３０Ａと多
層配線基板２３のボンディングパッド２７とのにワイヤ
２８Ｃがワイヤボンディングされる（接続工程）。この
ワイヤボンディングの際、ボンディングパッド２７にフ
ァーストボンディングを行い、リード部３０Ａにセカン
ドボンディングを行なう逆打ちを行なう。これにより、
ワイヤ２８Ｃのループ高さを低くすることができる。
【００７０】上記の接続工程が終了すると、続いて第１
及び第２の半導体素子２２Ａ，２２Ｂ，リードフレーム
３１Ｂ，及び各ワイヤ２８Ａ〜２８Ｃを封止するよう、
かつ第１の半導体素子２２Ａと第２の半導体素子２２Ｂ
との離間部分を塞ぐよう、樹脂を充填して封止樹脂２５
を形成する（樹脂封止工程）。本実施例では、ステージ
２９Ｂを封止樹脂２５から露出するよう樹脂封止処理を
行なっている。これは、封止樹脂２５の形成時に用いる
金型にステージ２９Ｂを当接させた状態で樹脂モールド
することにより容易に行なうことができる。
【００７１】続いて、所定位置で多層配線基板２３，ダ
ム部材３２，リードフレーム３１Ｂ，及び封止樹脂２５
をダイシングし、その後に多層配線基板２３の下面に形
成されている電極３５に半田バンプ２４を形成する（端
子形成工程）ことにより、図９（Ｅ）に示す半導体装置
２０Ｂが製造される。上記した製造方法によれば、第１
及び第２の半導体素子搭載工程が終了した後、リードフ
レーム保持工程においてダム部材３２を用いて第１の半
導体素子２２Ａに対し第２の半導体素子２２Ｂが離間す
るようリードフレーム３１Ｂを多層配線基板２３上に保
持するため、後に実施される接続工程及び樹脂封止工程
では、第２の半導体素子２２Ｂが第１の半導体素子２２
Ａ上に保持された状態で各工程を実施することができ製
造処理を容易に行なうことができる。行なうことが可能
となる。
【００７２】続いて、図１０を用いて第３実施例に係る
半導体装置２０Ｃの製造方法について説明する。尚、第
３実施例に係る半導体装置２０Ｃの製造方法は、基本的
な製造工程は図９を用いて説明した第２実施例に係る半
導体装置２０Ｂの製造方法と同一であるため、以下の説
明では第２実施例に係る半導体装置２０Ｂの製造方法と
異なる処理を重点的に説明するものとする。
【００７３】半導体装置２０Ｃを製造するには、予めリ
ードフレーム形成工程においてステージ２９Ｂ，リード
部３０Ａ．及び折り曲げ部３６が形成されたリードフレ
ーム３１Ｃを形成しておく。そして、図１０（Ａ）に示
すように、リードフレーム３１Ｃのステージ２０Ｂに第
２の半導体素子２２Ｂを搭載し、その後ステージ２９Ｂ
上に搭載された第２の半導体素子２２Ｂとリード部３０
Ａとの間にワイヤ２８Ｂをワイヤボンディングする（第
２の半導体素子搭載工程）。
【００７４】ここで、リードフレーム形成工程において
折り曲げ部３６を形成する際、図１０（Ａ）に矢印Ｈ３
で示す寸法は、半導体装置２０Ｃにおいて多層配線基板
２３に対しリード部３０Ａが離間した高さＨ２（図７に
矢印で示す）と等しくなるよう設定する（Ｈ２＝Ｈ
３）。尚、前記したように、リードフレーム３１Ｃを形
成するリードフレーム形成工程では、板状基材をプレス
加工により切断或いは塑性変形させて所定形状のリード
フレーム３１Ｂを形成するため、ステージ２９Ｂとリー
ド部３０Ａとの間に段差を有し、かつ折り曲げ部３６を
有するリードフレーム３１Ｃであっても容易に形成する
ことができる。
【００７５】図１０（Ｂ）は第１の半導体素子搭載工程
を示しているが、この処理はダム部材３２を配設しない
点を除いては図９（Ｂ）の処理と同一であるため、説明
を省略する。第１及び第２の半導体素子搭載工程が終了
すると、続いて図１０（Ｃ）に示されるように、第２の
半導体素子２２Ｂが搭載されたリードフレーム３１Ｃを
多層配線基板２３の上面に接着剤を用いて固定する（リ
ードフレーム保持工程）。この際、リードフレーム３１
Ｃは、図１０（Ａ）に示される状態に対して上下を反対
にした状態で多層配線基板２３上に載置される。
【００７６】これにより、リードフレーム３１Ｃに設け
られた折り曲げ部３６は、第２の半導体素子２２Ｂを第
１の半導体素子２２Ａに対して離間した状態で保持する
脚部として機能することとなる。即ち、第２の半導体素
子２２Ｂは、ダム部材３２等の保持部材を要することな
く、リードフレーム３１Ｃ自体により保持された構成と
なる。更に、図１０（Ａ）に示したように、折り曲げ部
３６は段差高さＨ３（＝Ｈ２）を有しているため、第２
の半導体素子２２Ｂの回路形成面と多層配線基板２３と
の離間距離はＨ２となる。
【００７７】上記のリードフレーム保持工程が終了する
と、図１０（Ｄ）に示されるように、リード部３０Ａと
多層配線基板２３のボンディングパッド２７とのにワイ
ヤ２８Ｃがワイヤボンディングされる（接続工程）。こ
のワイヤボンディングの際、本実施例ではリード部３０
Ａが浮いた状態となっているため、ワイヤボンディング
を確実に行なうためにリードの下部に補強部材３７を挿
入してワイヤボンディング処理を行なっている。尚、こ
の補強部材３７はワイヤボンディング処理の終了後に除
去される。
【００７８】上記の接続工程が終了すると、樹脂封止工
程、端子形成工程等が実施され、これによらり図１０
（Ｅ）に示す半導体装置２０Ｃが製造される。上記した
製造方法によれば、図９を用いて説明した製造方法と同
様に、リードフレーム保持工程後は第１の半導体素子２
２Ａに対して第２の半導体素子２２Ｂは離間した位置に
保持されるため、後に実施される接続工程及び樹脂封止
工程を容易に行なうことができる。更に、本実施例では
第２の半導体素子２２Ｂを第１の半導体素子２２Ａに対
して離間保持する保持手段として、リードフレーム３１
Ｃの折り曲げ部３６を用いているため、部品点数の削減
を図ることができる。
【００７９】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、第２の半導体素子が第１の半導体素子上に
離間した状態で重ね合わされるよう配設したことによ
り、半導体装置の小型化を図ることができる。
【００８０】また、多層配線基板の外部に位置するイン
ターポーザ側で配線の引回しを行なう必要がなくなるた
め、半導体素子として汎用品を用いることが可能とな
り、よって半導体装置の低コスト化を図ることができ
る。更に、封止樹脂内において、第１の半導体素子と第
２の半導体素子は離間した状態で配設されるため、各半
導体素子が相互に干渉することがなくなり、半導体装置
の信頼性を向上さることができる。
【００８１】また、請求項２乃至請求項４記載の発明に
よれば、新たな製造設備を必要することなく半導体装置
を製造るすることができ、半導体装置の低コスト化を図
ることが可能となる。また、請求項５記載の発明によれ
ば、ステージの第１の半導体素子と対向する面に絶縁材
を配設することにより、ワイヤがステージと接触しても
ワイヤとステージが電気的に接続することはなく、半導
体装置の誤動作及び損傷を防止することができる。
【００８２】また、請求項６記載の発明によれば、第２
の半導体素子とリード部とを接続するワイヤは、第１の
半導体素子と対向する側にループを形成する構成となる
ため、第２の半導体素子の背面側に形成される封止樹脂
を薄く形成することができ、半導体装置の薄型化を図る
ことができる。また、請求項７記載の発明によれば、ス
テージを封止樹脂から露出した構成としたことにより、
半導体素子で発生した熱はステージを介して直接外気に
放熱されるため、放熱特性を向上させることができる。
【００８３】また、請求項８記載の発明によれば、リー
ドフレームを多層配線基板上に保持する保持部材を設け
たことにより、第２の半導体素子を第１の半導体素子か
ら離間した状態に安定した状態で保持することができ
る。また、請求項９記載の発明によれば、可撓性配線基
板はリードフレームに比べて狭ピッチで配設パターンを
形成できるため、高密度化された半導体素子に対応する
ことができる。また、新たな製造設備を必要することな
く半導体装置を製造るすることができ、半導体装置の低
コスト化を図ることが可能となる。
【００８４】また、請求項１０記載の発明によれば、接
続工程及び樹脂封止工程を第２の半導体素子が第１の半
導体素子上に保持された状態で実施することができるた
め、各工程で実施される接続処理及び樹脂封止処理を容
易に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の従来例である半導体装置を説明するため
の断面図である。
【図２】第２の従来例である半導体装置を説明するため
の断面図である。
【図３】第３の従来例である半導体装置を説明するため
の断面図である。
【図４】第３の従来例である半導体装置を説明するため
の断面図である。
【図５】本発明の第１実施例である半導体装置を説明す
るたの断面図である。
【図６】本発明の第２実施例である半導体装置を説明す
るたの断面図である。
【図７】本発明の第３実施例である半導体装置を説明す
るたの断面図である。
【図８】本発明の第４実施例である半導体装置を説明す
るたの断面図である。
【図９】図５に示す第１実施例である半導体装置の製造
方法を製造手順に沿って説明するための図である。
【図１０】図７に示す第３実施例である半導体装置の製
造方法を製造手順に沿って説明するための図である。
【符号の説明】
２０Ａ〜２０Ｄ 半導体装置 ２２Ａ 第１の半導体装置 ２２Ｂ 第２の半導体装置 ２３ 多層配線基板 ２４ 半田ボール ２５ 封止樹脂 ２８Ａ〜２８Ｃ ワイヤ ２９Ａ，２９Ｂ ステージ ３０Ａ，３０Ｂ リード部 ３１Ａ〜３１Ｃ リードフレーム ３２ ダム部材 ３３ ＴＡＢ基板 ３４ スタッドバンプ ３６ 折り曲げ部 ３７ 補強部材

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の半導体素子と、 該第１の半導体素子を上面に搭載すると共に下面に外部
    接続端子が配設された多層配線基板と、 第２の半導体素子と、 該第２の半導体素子を前記第１の半導体素子上に離間し
    た状態で重ね合わされるよう保持すると共に、前記第２
    の半導体素子と前記多層配線基板とを電気的に接続する
    インターポーザと、 前記第１及び第２の半導体素子を封止するよう、かつ前
    記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との離間部
    分に充填されるよう形成された封止樹脂と、を有するこ
    とを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記インターポーザは、 前記第２の半導体素子を搭載するステージと、前記第２
    の半導体素子が電気的に接続されるリード部とを有した
    リードフレームと、 前記第２の半導体素子と前記リード部とを電気的に接続
    する第１の電気的接続手段と、 前記リード部と前記多層配線基板とを電気的に接続する
    第２の電気的接続手段と、により構成されることを特徴
    とする半導体装置。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置において、 前記第１及び第２の電気的接続手段を共にワイヤとした
    ことを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 請求項２記載の半導体装置において、 前記第１の電気的接続手段を突起電極とし、前記第２の
    電気的接続手段をワイヤとしたことを特徴とする半導体
    装置。
  5. 【請求項５】 請求項３記載の半導体装置において、 前記ステージが前記第１の半導体素子と対向するよう配
    置すると共に、前記ステージの前記第１の半導体素子と
    対向する面に絶縁材を配設したことを特徴とする半導体
    装置。
  6. 【請求項６】 請求項３記載の半導体装置において、 前記第１の半導体素子の回路形成面と、前記第２の半導
    体素子の回路形成面が対向するよう配置したことを特徴
    とする半導体装置。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の半導体装置において、 前記ステージを前記封止樹脂から露出した構成としたこ
    とを特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項８】 請求項２乃至７のいずれかに記載の半導
    体装置において、 前記リードフレームを前記多層配線基板上に保持する保
    持部材を設けたことを特徴とする半導体装置。
  9. 【請求項９】 請求項１記載の半導体装置において、 前記インターポーザは、 前記第２の半導体素子を搭載すると共に、前記第２の半
    導体素子が電気的に接続されるリード部とを有した可撓
    性配線基板と、 前記第２の半導体素子と前記リード部とを電気的に接続
    する第１の電気的接続手段と、 前記リード部と前記多層配線基板とを電気的に接続する
    第２の電気的接続手段と、により構成されることを特徴
    とする半導体装置。
  10. 【請求項１０】 多層配線基板の上面に第１の半導体素
    子を搭載すると共に該第１の半導体素子と前記多層配線
    基板とを電気的に接続する第１の半導体素子搭載工程
    と、 ステージとリード部とを有するリードフレームの該ステ
    ージに第２の半導体素子を搭載すると共に、該第２の半
    導体素子と前記リード部とを第１の電気的接続手段で接
    続する第２の半導体素子搭載工程と、 保持手段を用い、前記第１の半導体素子に対し前記第２
    の半導体素子が離間するよう前記リードフレームを前記
    多層配線基板上に保持するリードフレーム保持工程と、 前記リード部と前記多層配線基板とを第２の電気的接続
    手段にて接続する接続工程と、 前記第１及び第２の半導体素子を封止するよう、かつ前
    記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との離間部
    分に樹脂を充填することにより封止樹脂を形成する樹脂
    封止工程と、 前記多層配線基板の下面に外部接続端子を形成する端子
    形成工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１１記載の半導体装置の製造方
    法において、 前記保持手段として、前記リードフレームを前記多層配
    線基板上に保持するダム部材を用いたことを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体装置の製造方
    法において、 前記保持手段として、前記リードフレームのリード部外
    側に形成さたれ折り曲げ部を用いたことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
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