JPH03268457A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH03268457A JPH03268457A JP6866690A JP6866690A JPH03268457A JP H03268457 A JPH03268457 A JP H03268457A JP 6866690 A JP6866690 A JP 6866690A JP 6866690 A JP6866690 A JP 6866690A JP H03268457 A JPH03268457 A JP H03268457A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(概要)
機能の異なる二つの半導体素子を同一のパッケージに搭
載する半導体装置に関し、 信頼性及び作業性の向上を図ることを目的とし、同一パ
ッケージ内に下方半導体素子と上方半導体素子とを重ね
た状態で搭載してなる半導体装置において、該下方半導
体素子から離間し、且つ該下方半導体素子より小さい素
子搭載部と該素子搭載部を支持し該パッケージに接続さ
れた脚部とを有するステージ部材を設け、該パッケージ
上に下方半導体素子を配設すると共に、該ステージ部材
上に上方半導体素子を配設してなり、該下方半導体素子
と該パッケージ内のリードがワイヤーで接続された構成
とする。
載する半導体装置に関し、 信頼性及び作業性の向上を図ることを目的とし、同一パ
ッケージ内に下方半導体素子と上方半導体素子とを重ね
た状態で搭載してなる半導体装置において、該下方半導
体素子から離間し、且つ該下方半導体素子より小さい素
子搭載部と該素子搭載部を支持し該パッケージに接続さ
れた脚部とを有するステージ部材を設け、該パッケージ
上に下方半導体素子を配設すると共に、該ステージ部材
上に上方半導体素子を配設してなり、該下方半導体素子
と該パッケージ内のリードがワイヤーで接続された構成
とする。
(産業上の利用分野)
本発明は半導体装置に係り、特に機能の異なる二つの半
導体素子を同一のパッケージに搭載する半導体装置に関
する。
導体素子を同一のパッケージに搭載する半導体装置に関
する。
近年ではN要の多様化に伴い、半導体装置に要求される
機能も多様化し、一つのパッケージ内に機能の異なる二
つの半導体素子を搭載した半導体装置が提供されている
。
機能も多様化し、一つのパッケージ内に機能の異なる二
つの半導体素子を搭載した半導体装置が提供されている
。
しかるに、単に二つの半導体素子をパッケージ内に並べ
て搭載した構成では、パッケージの形状が大きくなって
しまい、実装密度が低下してしまう。
て搭載した構成では、パッケージの形状が大きくなって
しまい、実装密度が低下してしまう。
そこで、実装密度を轟く維持しつつ異なるlll能を有
する半導体素子を同一パッケージに搭載することが望ま
れている。
する半導体素子を同一パッケージに搭載することが望ま
れている。
(従来の技術〕
従来、複数の半導体素子を同一パッケージ内に搭載する
構成としては、■第4図に示すように、パッケージ1上
に下方半導体素子2を搭載すると共に、上方半導体素子
3のパッド部分にバンブ4を設け、下方半導体素子2の
中央部に配線されたパターンに半田(J G′Jする方
法が採られていた。
構成としては、■第4図に示すように、パッケージ1上
に下方半導体素子2を搭載すると共に、上方半導体素子
3のパッド部分にバンブ4を設け、下方半導体素子2の
中央部に配線されたパターンに半田(J G′Jする方
法が採られていた。
また他の方法としては、■第5図に示すように、樹脂等
の接着剤5を用いてパッケージ1上に搭載された下方半
導体素子2上に上方半導体素子3を接着した後、ワイヤ
ーボンディングする方法がある。
の接着剤5を用いてパッケージ1上に搭載された下方半
導体素子2上に上方半導体素子3を接着した後、ワイヤ
ーボンディングする方法がある。
しるかに上記■の構造では、半導体素子2,3がバンブ
4により直接接続される構造であったため各半導体素子
のチップサイズが大きくなるにつれ、下方半導体素子2
がパッケージ1から受ける歪みの影響が大きくなり、半
田バンブによる接続の信頼性が低下するという課題があ
った。また、半田バンブの数が多くなると上下のバンブ
の位置合わせが難しくなり、加えて接合部の検査が困難
であるため接合作業の作業性が悪いという課題があった
。
4により直接接続される構造であったため各半導体素子
のチップサイズが大きくなるにつれ、下方半導体素子2
がパッケージ1から受ける歪みの影響が大きくなり、半
田バンブによる接続の信頼性が低下するという課題があ
った。また、半田バンブの数が多くなると上下のバンブ
の位置合わせが難しくなり、加えて接合部の検査が困難
であるため接合作業の作業性が悪いという課題があった
。
また上記■の411造でも、半導体素子2.3が接着剤
5により直接接着される構成であったため、下方半導体
素子2の活性配線領域に熱歪によるマイクロクランクが
発生しく接着時には加熱処理が行われるため)、配線が
ショートする虞があるという課題があった。更に、接着
剤で上方半導体素子3を固定する際、上方半導体素子3
が傾いてしまうことがあり、この場合ワイヤーボンディ
ングの強度が低下するという課題があった。
5により直接接着される構成であったため、下方半導体
素子2の活性配線領域に熱歪によるマイクロクランクが
発生しく接着時には加熱処理が行われるため)、配線が
ショートする虞があるという課題があった。更に、接着
剤で上方半導体素子3を固定する際、上方半導体素子3
が傾いてしまうことがあり、この場合ワイヤーボンディ
ングの強度が低下するという課題があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、信頼性
及び作業性の向上を図りつる半導体装置を提供すること
を目的とする。
及び作業性の向上を図りつる半導体装置を提供すること
を目的とする。
上記課題を解決するために、本発明では、同一パッケー
ジ(13)内に下方半導体素子(11)と上方半導体素
子(12)とを重ねた状態で搭載してなる半導体装置に
おいて、下方半導体素子(11)から離間し、且つ下方
半導体素子(11)より小さい素子搭載部(16a)と
素子搭載部(16a)を支持しパッケージ(13)に接
続された脚部(16b)とを有するステージ部材(16
)を設け、 パッケージ(13)上に下方4!尋休累了(11)を配
設すると共に、 ステージ部材(16)上に土り半1体素子(12)を配
設してなり、下方半導体素子(11)とパッケージ(1
3)内のリード(15)がワイヤーで接続されているこ
とを特徴とする半導体装置。
ジ(13)内に下方半導体素子(11)と上方半導体素
子(12)とを重ねた状態で搭載してなる半導体装置に
おいて、下方半導体素子(11)から離間し、且つ下方
半導体素子(11)より小さい素子搭載部(16a)と
素子搭載部(16a)を支持しパッケージ(13)に接
続された脚部(16b)とを有するステージ部材(16
)を設け、 パッケージ(13)上に下方4!尋休累了(11)を配
設すると共に、 ステージ部材(16)上に土り半1体素子(12)を配
設してなり、下方半導体素子(11)とパッケージ(1
3)内のリード(15)がワイヤーで接続されているこ
とを特徴とする半導体装置。
(作用)
半導体[fを上記構成とすることにより、下方半導体素
子はパッケージ上に配設され、また上方半導体素子はパ
ッケージに取り付けられたステージ上に配設されたm造
となり、下方半導体素子と下方半導体素子は離間した状
態でパッケージに搭載されることになる。
子はパッケージ上に配設され、また上方半導体素子はパ
ッケージに取り付けられたステージ上に配設されたm造
となり、下方半導体素子と下方半導体素子は離間した状
態でパッケージに搭載されることになる。
J、って、各半導体素子に特性差(たとえば熱膨張係数
の差等)があったとしても、各半導体素子内でこの特性
差が影響しあうようなことはなく、パッケージ又はステ
ージ上の所定位置に各半導体素子を高精度に位置決めし
て搭載することができると共に、マイクロクラック等の
発生を確実に防止することが出来る。
の差等)があったとしても、各半導体素子内でこの特性
差が影響しあうようなことはなく、パッケージ又はステ
ージ上の所定位置に各半導体素子を高精度に位置決めし
て搭載することができると共に、マイクロクラック等の
発生を確実に防止することが出来る。
更に、ステージの素子搭載部を下方半導体素子より小さ
くして下方半導体素子の電極上にステージが位置しない
ようにでき、下方半導体素子の電極に接続されるワイヤ
がステージに接触することなく、ステージを低く形成で
き、パッケージを小型にできる。
くして下方半導体素子の電極上にステージが位置しない
ようにでき、下方半導体素子の電極に接続されるワイヤ
がステージに接触することなく、ステージを低く形成で
き、パッケージを小型にできる。
次に本発明の実施例について図面と共に説明する。第1
図は本発明の一実施例である半導体装置10の断面図、
第2図は半導体装置10の平面図である。この半導体装
置10は、機能の異なる二種類の半導体素子11.12
を同一のパッケージ13に搭載する所謂チップ・オン・
チップ構造の半導体装置である。
図は本発明の一実施例である半導体装置10の断面図、
第2図は半導体装置10の平面図である。この半導体装
置10は、機能の異なる二種類の半導体素子11.12
を同一のパッケージ13に搭載する所謂チップ・オン・
チップ構造の半導体装置である。
パッケージ13はセラミック類であり、アウターリード
14がインサート成形により植設されている。このパッ
ケージ13には、階段状に第1のステージ部13a、第
2のステージ部13b、第3のステージ部13cが形成
されている。
14がインサート成形により植設されている。このパッ
ケージ13には、階段状に第1のステージ部13a、第
2のステージ部13b、第3のステージ部13cが形成
されている。
第1のステージ部13aはパッケージ13の底部にあた
る部分であり、ここには下方半導体素子11がAu3
i共晶又はA9ペーストにより取り付CJられている。
る部分であり、ここには下方半導体素子11がAu3
i共晶又はA9ペーストにより取り付CJられている。
第2のステージ部13bは第1のステージ部13aより
高い位置に形成されており、前記したアウターリード1
4と接続された複数のインナーリード15が形成される
と共に、本発明の要部となる中間ステージ16が配設さ
れる。
高い位置に形成されており、前記したアウターリード1
4と接続された複数のインナーリード15が形成される
と共に、本発明の要部となる中間ステージ16が配設さ
れる。
第3のステージ部13cは第2のステージ部13bより
更に高い位置に形成されており、ここにもアウターリー
ド14と接続された複数のインナーリード17が形成さ
れている。
更に高い位置に形成されており、ここにもアウターリー
ド14と接続された複数のインナーリード17が形成さ
れている。
中間ステージ16は例えばモリブデン板をプレス成形し
たものであり、中央部に矩形の素子搭載部16aを有す
ると共に、素子搭載部16aの四隅には外方に放射状に
延出する4本の脚部16bが形成されている。また素子
搭載部16aは下方半導体素子11よりも小さい形状と
されている。
たものであり、中央部に矩形の素子搭載部16aを有す
ると共に、素子搭載部16aの四隅には外方に放射状に
延出する4本の脚部16bが形成されている。また素子
搭載部16aは下方半導体素子11よりも小さい形状と
されている。
この中間ステージ16をパッケージ13に取り付けるに
は、第2のステージ部13bの四隅位置に形成されたイ
ンナーリード15a上に脚部16bを位置決めし、イン
ナーリード15aに脚部16bを半田付けする。
は、第2のステージ部13bの四隅位置に形成されたイ
ンナーリード15a上に脚部16bを位置決めし、イン
ナーリード15aに脚部16bを半田付けする。
上記中間ステージ16は、パッケージ13に取り付けら
れた状態で下方半導体素子11の上面から離間した位置
に固定されるよう構成されている。
れた状態で下方半導体素子11の上面から離間した位置
に固定されるよう構成されている。
上方半導体素子12はこの中間ステージ16の素子搭載
部16a上にAuS i共晶又はAaペーストを用いて
固定される。AuS i共晶による方法を用いれば、お
のおのの素子11.12を別工程で接合した後、中間ス
テージ16をパッケージ13に取り付けることもできる
。
部16a上にAuS i共晶又はAaペーストを用いて
固定される。AuS i共晶による方法を用いれば、お
のおのの素子11.12を別工程で接合した後、中間ス
テージ16をパッケージ13に取り付けることもできる
。
このAQペーストを用いた上方半導体素子12の固定作
業では、AOペーストを固化させるため加熱処理がされ
るが、上方半導体素子12は下方半導体素子11のF面
から離間した位置に配設された中間ステージ16上に搭
載されるため、各半導体素子11.12が熱膨張等の特
性差を有しているとしても、各半導体素子11.12は
夫々独立したステージ13a、16に搭載されるためH
いに影響を及ぼすようなことはない。
業では、AOペーストを固化させるため加熱処理がされ
るが、上方半導体素子12は下方半導体素子11のF面
から離間した位置に配設された中間ステージ16上に搭
載されるため、各半導体素子11.12が熱膨張等の特
性差を有しているとしても、各半導体素子11.12は
夫々独立したステージ13a、16に搭載されるためH
いに影響を及ぼすようなことはない。
このように、半導体装置10では各半導体素子11.1
2を直接重ね合わせることなく同一パッケージ13内に
搭載するため、接着時に熱膨張差にJ:るマイクロクラ
ックや歪が各半導体素子11゜12に発生することを確
実に防止することができる。また、上下の各半導体素子
11.12を高粘度に位置決めする必要もなくなるため
、作業性の向上を図ることができる。
2を直接重ね合わせることなく同一パッケージ13内に
搭載するため、接着時に熱膨張差にJ:るマイクロクラ
ックや歪が各半導体素子11゜12に発生することを確
実に防止することができる。また、上下の各半導体素子
11.12を高粘度に位置決めする必要もなくなるため
、作業性の向上を図ることができる。
上記のようにパッケージ13に搭載された各半導体素子
11.12は、その上部に形成されているポンディング
パッド18.19とインナーリード15.17がワイヤ
ーボンディングされることによりアウターリード14に
電気的に接続される。
11.12は、その上部に形成されているポンディング
パッド18.19とインナーリード15.17がワイヤ
ーボンディングされることによりアウターリード14に
電気的に接続される。
前記したように中間ステージ16は矩形の素子搭載M1
6aの四隅位置から脚部16bが放射状に延出した構造
とされており、かつ素子搭載部16aは下方半導体素子
11よりも小さな平面形状とされているため、ワイヤー
ボンディング作業の際中間ステージ16が邪魔になるよ
うなことはない。
6aの四隅位置から脚部16bが放射状に延出した構造
とされており、かつ素子搭載部16aは下方半導体素子
11よりも小さな平面形状とされているため、ワイヤー
ボンディング作業の際中間ステージ16が邪魔になるよ
うなことはない。
上記のように各半導体素子11.12がパッケージ13
に搭載されると、バララージ13の上部にはキャップ2
0が取り付けられ半導体装H10が形成される。
に搭載されると、バララージ13の上部にはキャップ2
0が取り付けられ半導体装H10が形成される。
尚、上記した実施例では強度等の面より中間ステージの
材質としてモリブデンを用いたが、これに限られるもの
ではなく、所定の強度及びインナーリードとの接合性の
良い材質であれば他の材質を用いることができるのは勿
論である。また、中周ステージの形状も実施例で示した
ものに限られるものではなく、上方半導体素子を確実に
搭載できワイヤーボンディングの邪魔にならない形状で
あれば他の形状としても良いことは勿論である。
材質としてモリブデンを用いたが、これに限られるもの
ではなく、所定の強度及びインナーリードとの接合性の
良い材質であれば他の材質を用いることができるのは勿
論である。また、中周ステージの形状も実施例で示した
ものに限られるものではなく、上方半導体素子を確実に
搭載できワイヤーボンディングの邪魔にならない形状で
あれば他の形状としても良いことは勿論である。
また、下方半導体素子の電極と上方半導体素子の電極と
をワイヤーにより接続してもよい。
をワイヤーにより接続してもよい。
上述の如く、本発明によれば、上方半導体素子と下方半
導体素子が直接影響を及ぼすことがなくなるため、マイ
クロクラックや歪の発生を防止でき、また各半導体素子
の高精度の位置決めが不要となるため、半導体装置製造
部の作業性を向上できると共に半導体装置の信頼性を向
上することができる等の特長を有する。
導体素子が直接影響を及ぼすことがなくなるため、マイ
クロクラックや歪の発生を防止でき、また各半導体素子
の高精度の位置決めが不要となるため、半導体装置製造
部の作業性を向上できると共に半導体装置の信頼性を向
上することができる等の特長を有する。
第1図は本発明の一実施例である半導体装置の断面図、
第2図は第1図に示す半導体装置のキャップを取り外し
た状態の平面図、 第3図及び第4図は従来の半導体装置の一例を説明する
ための図である。 図において、 10は半導体装置、 11は下方半導体素子、 12は上方半導体素子、 13はパッケージ、 13aは第1のステージ部、 16は中間ステージ、 16aは素子搭載部、 16bは脚部 をボ寸。 損率導体装置 C 本発明の一実施例である半導体装置の断面図第1図 本発明の一実施例である半導体装置の平面図第2図
た状態の平面図、 第3図及び第4図は従来の半導体装置の一例を説明する
ための図である。 図において、 10は半導体装置、 11は下方半導体素子、 12は上方半導体素子、 13はパッケージ、 13aは第1のステージ部、 16は中間ステージ、 16aは素子搭載部、 16bは脚部 をボ寸。 損率導体装置 C 本発明の一実施例である半導体装置の断面図第1図 本発明の一実施例である半導体装置の平面図第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 同一パッケージ(13)内に下方半導体素子(11)
と上方半導体素子(12)とを重ねた状態で搭載してな
る半導体装置において、 該下方半導体素子(11)から離間し、且つ該下方半導
体素子(11)より小さい素子搭載部(16a)と該素
子搭載部(16a)を支持し該パッケージ(13)に接
続された脚部(16b)とを有するステージ部材(16
)を設け、 該パッケージ(13)上に下方半導体素子(11)を配
設すると共に、 該ステージ部材(16)上に上方半導体素子(12)を
配設してなり、該下方半導体素子(11)と該パッケー
ジ(13)内のリード(15)がワイヤーで接続されて
いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6866690A JPH03268457A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6866690A JPH03268457A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03268457A true JPH03268457A (ja) | 1991-11-29 |
Family
ID=13380269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6866690A Pending JPH03268457A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03268457A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5920117A (en) * | 1994-08-02 | 1999-07-06 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of forming the device |
US6414381B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-07-02 | Fujitsu Media Devices Limited | Interposer for separating stacked semiconductor chips mounted on a multi-layer printed circuit board |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP6866690A patent/JPH03268457A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5920117A (en) * | 1994-08-02 | 1999-07-06 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of forming the device |
US6414381B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-07-02 | Fujitsu Media Devices Limited | Interposer for separating stacked semiconductor chips mounted on a multi-layer printed circuit board |
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