JP2000268319A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁膜の上に形成される磁性膜を、高精度の
パターンで形成する。 【解決手段】 絶縁膜２５は、コイル膜２３を支持し、
第１のヨーク部２１１の上方に備えられ、ＡＢＳ１３、
１４側に立ち上がり傾斜部２５０を有している。第２の
磁性膜２２の第２のポール部２２０は、ギャップ膜２４
を介して、第１のポール部２１０と対向している。第２
のヨーク部２２１は、絶縁膜２５の上に備えられ、第２
のポール部２２０に連続し、後方で第１のヨーク部２１
１と結合されている。反射防止膜４は、絶縁膜２５の立
ち上がり傾斜部２５０に備えられ、第２の磁性膜２２に
よって覆われている。
パターンで形成する。 【解決手段】 絶縁膜２５は、コイル膜２３を支持し、
第１のヨーク部２１１の上方に備えられ、ＡＢＳ１３、
１４側に立ち上がり傾斜部２５０を有している。第２の
磁性膜２２の第２のポール部２２０は、ギャップ膜２４
を介して、第１のポール部２１０と対向している。第２
のヨーク部２２１は、絶縁膜２５の上に備えられ、第２
のポール部２２０に連続し、後方で第１のヨーク部２１
１と結合されている。反射防止膜４は、絶縁膜２５の立
ち上がり傾斜部２５０に備えられ、第２の磁性膜２２に
よって覆われている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドの製造方法において、通
常、上部磁性膜となる第２の磁性膜は、ウエハー上に、
第１の磁性膜（下部磁性膜）、ギャップ膜、及び、コイ
ル膜を支持する絶縁膜を形成した後に形成される。第２
の磁性膜を形成するに当たっては、絶縁膜を含むウエハ
ーの全面に、第２の磁性膜のためのメッキ下地膜を、例
えば、スパッタ等の手段によって形成する。次に、メッ
キ下地膜の表面にフォトレジストを塗布し、塗布された
フォトレジストにフォトリソグラフィ工程を施して、第
２の磁性膜のためのレジストフレームを作成する。次
に、レジストフレームによって囲まれた領域内に、第２
の磁性膜を電気メッキ等の手段によって形成する。レジ
ストフレームの外部にもメッキ膜が析出するが、このメ
ッキ膜は除去される。
常、上部磁性膜となる第２の磁性膜は、ウエハー上に、
第１の磁性膜（下部磁性膜）、ギャップ膜、及び、コイ
ル膜を支持する絶縁膜を形成した後に形成される。第２
の磁性膜を形成するに当たっては、絶縁膜を含むウエハ
ーの全面に、第２の磁性膜のためのメッキ下地膜を、例
えば、スパッタ等の手段によって形成する。次に、メッ
キ下地膜の表面にフォトレジストを塗布し、塗布された
フォトレジストにフォトリソグラフィ工程を施して、第
２の磁性膜のためのレジストフレームを作成する。次
に、レジストフレームによって囲まれた領域内に、第２
の磁性膜を電気メッキ等の手段によって形成する。レジ
ストフレームの外部にもメッキ膜が析出するが、このメ
ッキ膜は除去される。
【０００３】第２の磁性膜形成工程において生じる問題
点の一つは、レジストフレームを形成するためのフォト
リソグラフィ工程において、露光光が絶縁膜の表面で反
射し、その反射光のために、フォトマスクで画定される
べき領域外まで、フォトレジストが露光されてしまい、
レジストフレームのパターン精度、延ては第２の磁性膜
のパターン精度が低下してしまうことである。
点の一つは、レジストフレームを形成するためのフォト
リソグラフィ工程において、露光光が絶縁膜の表面で反
射し、その反射光のために、フォトマスクで画定される
べき領域外まで、フォトレジストが露光されてしまい、
レジストフレームのパターン精度、延ては第２の磁性膜
のパターン精度が低下してしまうことである。
【０００４】この問題は、特に、ポール部において、顕
著になる。ポール部では、第２の磁性膜は、ギャップ膜
を介して、第１の磁性膜に対向している。ポール部の後
方には絶縁膜が位置しており、絶縁膜はギャップ膜の面
からある角度で傾斜しながら立ち上がっている。立ち上
がり開始点がスロートハイト(Throat Hight)零点に対応
し、立ち上がり角度がエイペックス角(Apex Angle)に対
応する。
著になる。ポール部では、第２の磁性膜は、ギャップ膜
を介して、第１の磁性膜に対向している。ポール部の後
方には絶縁膜が位置しており、絶縁膜はギャップ膜の面
からある角度で傾斜しながら立ち上がっている。立ち上
がり開始点がスロートハイト(Throat Hight)零点に対応
し、立ち上がり角度がエイペックス角(Apex Angle)に対
応する。
【０００５】第２の磁性膜は、スロートハイト零点まで
はギャップ膜及び第１の磁性膜と平行なポール部を構成
し、スロートハイト零点から絶縁膜の上面に向かって、
エイペックス角で傾斜するように形成される。
はギャップ膜及び第１の磁性膜と平行なポール部を構成
し、スロートハイト零点から絶縁膜の上面に向かって、
エイペックス角で傾斜するように形成される。
【０００６】従って、第２の磁性膜のためのレジストフ
レームをフォトリソグラフィによって形成する場合、ス
ロートハイト零点から絶縁膜の上面に向かってエイペッ
クス角で傾斜する傾斜部分に付着したフォトレジストを
も露光しなければならない。
レームをフォトリソグラフィによって形成する場合、ス
ロートハイト零点から絶縁膜の上面に向かってエイペッ
クス角で傾斜する傾斜部分に付着したフォトレジストを
も露光しなければならない。
【０００７】このとき、傾斜部分には、既に、メッキ下
地膜が付着しているから、露光光がメッキ下地膜によっ
て反射される。反射された露光光の一部は、ポール部の
方向に反射される。このため、ポール部の露光パターン
が、フォトマスクによる露光パターンとは異なる結果と
なり、ポール部に対応するレジストフレームに、パター
ン崩れを生じる。
地膜が付着しているから、露光光がメッキ下地膜によっ
て反射される。反射された露光光の一部は、ポール部の
方向に反射される。このため、ポール部の露光パターン
が、フォトマスクによる露光パターンとは異なる結果と
なり、ポール部に対応するレジストフレームに、パター
ン崩れを生じる。
【０００８】ポール部におけるレジストフレームのパタ
ーン崩れは、記録トラック幅を、例えば１．０μｍ以下
まで超狭小化して高密度記録を図ろうとする場合に極め
て大きな障害となる。
ーン崩れは、記録トラック幅を、例えば１．０μｍ以下
まで超狭小化して高密度記録を図ろうとする場合に極め
て大きな障害となる。
【０００９】特開平９ー１８０１２７号公報は、上部磁
性膜用マスクとなるフォトレジストを塗布する前に、反
射防止膜を形成しておき、この反射防止膜上にフォトレ
ジストを塗布し、このフォトレジストを露光、現像する
ことにより、第２の磁性膜用マスクとなるレジストフレ
ームを形成する技術を開示している。レジストフレーム
を形成した後、反射防止膜を、アッシング等の手段によ
って除去し、次に、第２の磁性膜をメッキ等の手段によ
って形成する。
性膜用マスクとなるフォトレジストを塗布する前に、反
射防止膜を形成しておき、この反射防止膜上にフォトレ
ジストを塗布し、このフォトレジストを露光、現像する
ことにより、第２の磁性膜用マスクとなるレジストフレ
ームを形成する技術を開示している。レジストフレーム
を形成した後、反射防止膜を、アッシング等の手段によ
って除去し、次に、第２の磁性膜をメッキ等の手段によ
って形成する。
【００１０】上述した従来技術の場合、反射防止膜は、
レジストフレームによって囲まれた内部パターンの全面
に存在する。レジストフレームの内部パターンには、上
部磁性膜のポール部に対応するポール部領域と、ヨーク
部に対応する第２のヨーク部とが存在する。従って、反
射防止膜は、ポール部領域と、第２のヨーク部との両領
域において除去する必要がある。
レジストフレームによって囲まれた内部パターンの全面
に存在する。レジストフレームの内部パターンには、上
部磁性膜のポール部に対応するポール部領域と、ヨーク
部に対応する第２のヨーク部とが存在する。従って、反
射防止膜は、ポール部領域と、第２のヨーク部との両領
域において除去する必要がある。
【００１１】ところが、レジストフレームにおいて、ポ
ール部領域と、第２のヨーク部とでは、開口面積が著し
く異なる。しかも、高密度記録に対応するため、ポール
部領域の開口面積は、例えば、１μｍ以下の微小寸法に
狭小化される傾向にある。このため、レジストフレーム
によって囲まれた内部パターンに付着している反射防止
膜を除去する場合、第２のヨーク部と、ポール部領域と
では、エッチングレートが著しく異なり、ポール部領域
では、第２のヨーク部よりも、長時間のエッチング時間
を必要とする。この結果、ポール部領域において、反射
防止膜を除去する間に、レジストフレームが大きくエッ
チングされてしまい、レジストフレーム間隔が広がって
しまう。即ち、ポール幅狭小化のために設けた筈の反射
防止膜が、除去工程を必要とするために、レジストフレ
ーム間隔を拡大させ、ポール幅狭小化の障害となってし
まうのである。
ール部領域と、第２のヨーク部とでは、開口面積が著し
く異なる。しかも、高密度記録に対応するため、ポール
部領域の開口面積は、例えば、１μｍ以下の微小寸法に
狭小化される傾向にある。このため、レジストフレーム
によって囲まれた内部パターンに付着している反射防止
膜を除去する場合、第２のヨーク部と、ポール部領域と
では、エッチングレートが著しく異なり、ポール部領域
では、第２のヨーク部よりも、長時間のエッチング時間
を必要とする。この結果、ポール部領域において、反射
防止膜を除去する間に、レジストフレームが大きくエッ
チングされてしまい、レジストフレーム間隔が広がって
しまう。即ち、ポール幅狭小化のために設けた筈の反射
防止膜が、除去工程を必要とするために、レジストフレ
ーム間隔を拡大させ、ポール幅狭小化の障害となってし
まうのである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、絶縁
膜の上に形成される磁性膜を、高精度のパターンで形成
し得る薄膜磁気ヘッド、及び、その製造方法を提供する
ことである。
膜の上に形成される磁性膜を、高精度のパターンで形成
し得る薄膜磁気ヘッド、及び、その製造方法を提供する
ことである。
【００１３】本発明のもう一つの課題は、絶縁膜の上に
形成される磁性膜のポール部を高精度のパターンで形成
し得る薄膜磁気ヘッド、及び、その製造方法を提供する
ことである。
形成される磁性膜のポール部を高精度のパターンで形成
し得る薄膜磁気ヘッド、及び、その製造方法を提供する
ことである。
【００１４】本発明の更にもう一つの課題は、狭小化さ
れた記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッド、及び、そ
の製造方法を提供することである。
れた記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッド、及び、そ
の製造方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、２つの態様に係る薄膜磁気ヘッド、及
び、その製造方法を開示する。
め、本発明は、２つの態様に係る薄膜磁気ヘッド、及
び、その製造方法を開示する。
【００１６】第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドは、スラ
イダと、薄膜磁気ヘッド素子とを含む。前記スライダ
は、媒体対向面側に空気ベアリング面を有する。
イダと、薄膜磁気ヘッド素子とを含む。前記スライダ
は、媒体対向面側に空気ベアリング面を有する。
【００１７】前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜
と、コイル膜と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性
膜とを含み、前記スライダによって支持されている。前
記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク部
とを含む。前記第１のポール部は、前記空気ベアリング
面側の端部によって構成される。前記第１のヨーク部
は、前記第１のポール部に連続し、前記空気ベアリング
面を基準にして前記第１のポール部の後方に延びてい
る。
と、コイル膜と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性
膜とを含み、前記スライダによって支持されている。前
記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク部
とを含む。前記第１のポール部は、前記空気ベアリング
面側の端部によって構成される。前記第１のヨーク部
は、前記第１のポール部に連続し、前記空気ベアリング
面を基準にして前記第１のポール部の後方に延びてい
る。
【００１８】前記ギャップ膜は、少なくとも前記第１の
ポール部の面上に備えられている。前記絶縁膜は、前記
コイル膜を支持し、前記第１のヨーク部の上方に備えら
れ、前記空気ベアリング面側に立ち上がり傾斜部を有す
る。
ポール部の面上に備えられている。前記絶縁膜は、前記
コイル膜を支持し、前記第１のヨーク部の上方に備えら
れ、前記空気ベアリング面側に立ち上がり傾斜部を有す
る。
【００１９】前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、
第２のヨーク部とを含む。前記第２のポール部は、前記
ギャップ膜を介して、前記第１のポール部と対向する。
前記第２のヨーク部は、前記絶縁膜の上に備えられ、前
記第２のポール部に連続し、後方で前記第１のヨーク部
と結合されている。
第２のヨーク部とを含む。前記第２のポール部は、前記
ギャップ膜を介して、前記第１のポール部と対向する。
前記第２のヨーク部は、前記絶縁膜の上に備えられ、前
記第２のポール部に連続し、後方で前記第１のヨーク部
と結合されている。
【００２０】上述した構造は、薄膜磁気ヘッドにおい
て、通常採用される構造である。本発明の特徴は、上述
した構造において、反射防止膜は除去せずに、そのまま
残しておく点にある。即ち、反射防止膜は、絶縁膜の立
ち上がり傾斜部に備えられ、第２の磁性膜によって覆わ
れている。上記構造によれば、製造方法上、種々の利点
が得られる。
て、通常採用される構造である。本発明の特徴は、上述
した構造において、反射防止膜は除去せずに、そのまま
残しておく点にある。即ち、反射防止膜は、絶縁膜の立
ち上がり傾斜部に備えられ、第２の磁性膜によって覆わ
れている。上記構造によれば、製造方法上、種々の利点
が得られる。
【００２１】まず、反射防止膜は、絶縁膜の立ち上がり
傾斜部に備えられているから、第２の磁性膜のためのフ
ォトリソグラフィ工程を実行してレジストフレームを形
成する際、露光光が、絶縁膜の傾斜部分で反射される割
合が、著しく小さくなる。このため、特に、第２の磁性
膜において、第２のポール部を決めるフォトレジストの
露光パターンが、フォトマスクによる露光パターンによ
ってほぼ定まるようになり、第２のポール部に対応する
レジストフレームのパターンを高精度で設定できるよう
になる。従って、本発明によれば、高精度のパターンを
有する第２のポール部を形成することができる。また、
第２のポール部に対応するレジストフレームのパターン
を高精度で設定できるので、狭小化された記録トラック
幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
傾斜部に備えられているから、第２の磁性膜のためのフ
ォトリソグラフィ工程を実行してレジストフレームを形
成する際、露光光が、絶縁膜の傾斜部分で反射される割
合が、著しく小さくなる。このため、特に、第２の磁性
膜において、第２のポール部を決めるフォトレジストの
露光パターンが、フォトマスクによる露光パターンによ
ってほぼ定まるようになり、第２のポール部に対応する
レジストフレームのパターンを高精度で設定できるよう
になる。従って、本発明によれば、高精度のパターンを
有する第２のポール部を形成することができる。また、
第２のポール部に対応するレジストフレームのパターン
を高精度で設定できるので、狭小化された記録トラック
幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００２２】しかも、反射防止膜を、除去する必要がな
い。このため、第２のヨーク部と、第２のポール部にお
けるエッチングレートの相違に起因するレジストフレー
ムのパターン精度の低下、及び、レジストフレームの高
さ低下等の問題を生じる余地がない。従って、第２のポ
ール部及び第２のヨーク部を高精度のパターンで形成す
ることができる。
い。このため、第２のヨーク部と、第２のポール部にお
けるエッチングレートの相違に起因するレジストフレー
ムのパターン精度の低下、及び、レジストフレームの高
さ低下等の問題を生じる余地がない。従って、第２のポ
ール部及び第２のヨーク部を高精度のパターンで形成す
ることができる。
【００２３】更に、反射防止膜は、第２の磁性膜によっ
て覆われているから、最終製品としての薄膜磁気ヘッド
が、残った反射防止膜による影響を受けることがない。
て覆われているから、最終製品としての薄膜磁気ヘッド
が、残った反射防止膜による影響を受けることがない。
【００２４】第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造に
当たっては、第１の磁性膜、ギャップ膜、コイル膜及び
絶縁膜を形成した後、第２の磁性膜を形成する前、傾斜
部を含む絶縁膜の表面に反射防止膜を形成する。
当たっては、第１の磁性膜、ギャップ膜、コイル膜及び
絶縁膜を形成した後、第２の磁性膜を形成する前、傾斜
部を含む絶縁膜の表面に反射防止膜を形成する。
【００２５】次に、反射防止膜に対し、フォトリソグラ
フィ工程を実行して、反射防止膜が傾斜部に限って残る
ようにパターンニングする。
フィ工程を実行して、反射防止膜が傾斜部に限って残る
ようにパターンニングする。
【００２６】次に、反射防止膜及び絶縁膜を覆うフォト
レジストを塗布し、このフォトレジストに対して第２の
磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行して、レ
ジストフレームを形成する。次に、レジストフレームに
よって囲まれたパターン内に、反射防止膜を覆う前記第
２の磁性膜を形成する。
レジストを塗布し、このフォトレジストに対して第２の
磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行して、レ
ジストフレームを形成する。次に、レジストフレームに
よって囲まれたパターン内に、反射防止膜を覆う前記第
２の磁性膜を形成する。
【００２７】第２の態様は、いわゆるセルフアライメン
ト型（以下ＳＡ型と称する）薄膜磁気ヘッドにかかる。
ＳＡ型の薄膜磁気ヘッドでは、前記絶縁膜は、第１の絶
縁膜と、第２の絶縁膜とを含む。前記第１の絶縁膜は、
前記コイル膜を支持する。前記第２の絶縁膜は、前記空
気ベアリング面側において前記第１の絶縁膜の基部に備
えられ、スロートハイト零点を決定する。
ト型（以下ＳＡ型と称する）薄膜磁気ヘッドにかかる。
ＳＡ型の薄膜磁気ヘッドでは、前記絶縁膜は、第１の絶
縁膜と、第２の絶縁膜とを含む。前記第１の絶縁膜は、
前記コイル膜を支持する。前記第２の絶縁膜は、前記空
気ベアリング面側において前記第１の絶縁膜の基部に備
えられ、スロートハイト零点を決定する。
【００２８】また、前記第２の磁性膜において、前記第
２のヨーク部は、前記第１の絶縁膜の上に備えられ、一
端が前記第２のポール部に結合され、他端が前記第１の
ヨーク部と結合されている。前記反射防止膜は、前記第
２の絶縁膜の表面であって、前記空気ベアリング面側に
備えられ、前記第２のポール部によって覆われている。
２のヨーク部は、前記第１の絶縁膜の上に備えられ、一
端が前記第２のポール部に結合され、他端が前記第１の
ヨーク部と結合されている。前記反射防止膜は、前記第
２の絶縁膜の表面であって、前記空気ベアリング面側に
備えられ、前記第２のポール部によって覆われている。
【００２９】上述のように、反射防止膜は、第２の絶縁
膜の表面であって、空気ベアリング面側に備えられてい
るから、第２の磁性膜に含まれる第２のポール部のため
のフォトリソグラフィ工程を実行してレジストフレーム
を形成する際、露光光が、第２の絶縁膜の傾斜部分で反
射される割合が、著しく小さくなる。このため、特に、
第２のポール部を覆うフォトレジストの露光パターン
が、フォトマスクによる露光パターンによってほぼ定ま
るようになり、第２のポール部に対応するレジストフレ
ームのパターンを高精度で設定できるようになる。従っ
て、高精度のパターンを有する第２のポール部を形成す
ることができる。また、第２のポール部に対応するレジ
ストフレームのパターンを高精度で設定できるので、狭
小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを得
ることができる。
膜の表面であって、空気ベアリング面側に備えられてい
るから、第２の磁性膜に含まれる第２のポール部のため
のフォトリソグラフィ工程を実行してレジストフレーム
を形成する際、露光光が、第２の絶縁膜の傾斜部分で反
射される割合が、著しく小さくなる。このため、特に、
第２のポール部を覆うフォトレジストの露光パターン
が、フォトマスクによる露光パターンによってほぼ定ま
るようになり、第２のポール部に対応するレジストフレ
ームのパターンを高精度で設定できるようになる。従っ
て、高精度のパターンを有する第２のポール部を形成す
ることができる。また、第２のポール部に対応するレジ
ストフレームのパターンを高精度で設定できるので、狭
小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを得
ることができる。
【００３０】しかも、反射防止膜を除去する必要がな
い。このため、第２のヨーク部と、第２のポール部にお
けるエッチングレートの相違に起因するレジストフレー
ムのパターン精度の低下、及び、レジストフレームの高
さ低下等の問題を生じる余地がない。従って、第２のポ
ール部及び第２のヨーク部を高精度のパターンで形成す
ることができる。
い。このため、第２のヨーク部と、第２のポール部にお
けるエッチングレートの相違に起因するレジストフレー
ムのパターン精度の低下、及び、レジストフレームの高
さ低下等の問題を生じる余地がない。従って、第２のポ
ール部及び第２のヨーク部を高精度のパターンで形成す
ることができる。
【００３１】更に、反射防止膜は、第２のポール部によ
って覆われているから、最終製品としての薄膜磁気ヘッ
ドが、残った反射防止膜による影響を受けることがな
い。
って覆われているから、最終製品としての薄膜磁気ヘッ
ドが、残った反射防止膜による影響を受けることがな
い。
【００３２】第２の態様にかかるＳＡ型薄膜磁気ヘッド
の製造に当たっては、第１の磁性膜及びギャップ膜を形
成した後、コイル膜、第１の絶縁膜、及び、第２の磁性
膜を形成する前、ギャップ膜の上に第２の絶縁膜を形成
する。
の製造に当たっては、第１の磁性膜及びギャップ膜を形
成した後、コイル膜、第１の絶縁膜、及び、第２の磁性
膜を形成する前、ギャップ膜の上に第２の絶縁膜を形成
する。
【００３３】そして、第２の絶縁膜を覆う反射防止膜を
形成する。この反射防止膜に対し、フォトリソグラフィ
工程を実行して、反射防止膜が第２の絶縁膜において空
気ベアリング面側に限って残るようにパターンニングす
る。
形成する。この反射防止膜に対し、フォトリソグラフィ
工程を実行して、反射防止膜が第２の絶縁膜において空
気ベアリング面側に限って残るようにパターンニングす
る。
【００３４】次に、反射防止膜を覆うフォトレジストを
塗布し、このフォトレジストに対して第２のポール部の
ためのフォトリソグラフィ工程を実行して、レジストフ
レームを形成する。
塗布し、このフォトレジストに対して第２のポール部の
ためのフォトリソグラフィ工程を実行して、レジストフ
レームを形成する。
【００３５】次に、レジストフレームによって囲まれた
パターン内に、反射防止膜を覆う第２のポール部を形成
する。この後、第１の絶縁膜、コイル膜及び第２のヨー
ク部を形成する。
パターン内に、反射防止膜を覆う第２のポール部を形成
する。この後、第１の絶縁膜、コイル膜及び第２のヨー
ク部を形成する。
【００３６】本発明の他の目的、構成及び利点は、実施
例である添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
例である添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
【００３７】
【発明の実施の形態】＜第１の態様に係る薄膜磁気ヘッ
ド＞図１は本発明の第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドの
斜視図、図２は図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面
図である。これらの図において、寸法は誇張されてい
る。図示された薄膜磁気ヘッドは、スライダ１と、少な
くとも１つの誘導型薄膜磁気変換素子２とを含む。
ド＞図１は本発明の第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドの
斜視図、図２は図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面
図である。これらの図において、寸法は誇張されてい
る。図示された薄膜磁気ヘッドは、スライダ１と、少な
くとも１つの誘導型薄膜磁気変換素子２とを含む。
【００３８】スライダ１は媒体対向面側にレール部１
１、１２を有し、レール部１１、１２の基体表面が空気
ベアリング面（以下ＡＢＳと称する）１３、１４として
用いられる。レール部１１、１２は２本に限らない。例
えば、１〜３本のレール部を有することがあり、レール
部を持たない平面となることもある。また、浮上特性改
善等のために、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付さ
れ、種々の形状を持つＡＢＳとされることもある。何れ
のタイプであっても、本発明の適用が可能である。スラ
イダ１は、AlTiC等のセラミック材料によって構成され
る。
１、１２を有し、レール部１１、１２の基体表面が空気
ベアリング面（以下ＡＢＳと称する）１３、１４として
用いられる。レール部１１、１２は２本に限らない。例
えば、１〜３本のレール部を有することがあり、レール
部を持たない平面となることもある。また、浮上特性改
善等のために、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付さ
れ、種々の形状を持つＡＢＳとされることもある。何れ
のタイプであっても、本発明の適用が可能である。スラ
イダ１は、AlTiC等のセラミック材料によって構成され
る。
【００３９】薄膜磁気変換素子２は、第１の磁性膜２１
と、ギャップ膜２４と、第２の磁性膜２２と、コイル膜
２３と、絶縁膜２５と、保護膜２６とを含み、スライダ
１上に設けられている。第１の磁性膜２１は、第１のポ
ール部２１０、及び、第１のヨーク部２１１を有する。
第１のポール部２１０は、ＡＢＳ１３、１４側の端部に
よって構成されている。第１のヨーク部２１１は、第１
のポール部２１０に連続し、ＡＢＳ１３、１４を基準に
して第１のポール部２１０の後方に延びている。コイル
膜２３は絶縁膜２５によって支持されている。ギャップ
膜２４は、少なくとも第１のポール部２１０の面上に備
えられている。
と、ギャップ膜２４と、第２の磁性膜２２と、コイル膜
２３と、絶縁膜２５と、保護膜２６とを含み、スライダ
１上に設けられている。第１の磁性膜２１は、第１のポ
ール部２１０、及び、第１のヨーク部２１１を有する。
第１のポール部２１０は、ＡＢＳ１３、１４側の端部に
よって構成されている。第１のヨーク部２１１は、第１
のポール部２１０に連続し、ＡＢＳ１３、１４を基準に
して第１のポール部２１０の後方に延びている。コイル
膜２３は絶縁膜２５によって支持されている。ギャップ
膜２４は、少なくとも第１のポール部２１０の面上に備
えられている。
【００４０】絶縁膜２５は、コイル膜２３を支持し、第
１のヨーク部２１１の上方に備えられ、ＡＢＳ１３、１
４側に、ギャップ膜２４の一面から立ち上がり傾斜部２
５０を有している。傾斜部２５０の表面は、一般には、
絶縁膜２５の層数に応じた円弧形状となる。
１のヨーク部２１１の上方に備えられ、ＡＢＳ１３、１
４側に、ギャップ膜２４の一面から立ち上がり傾斜部２
５０を有している。傾斜部２５０の表面は、一般には、
絶縁膜２５の層数に応じた円弧形状となる。
【００４１】第２の磁性膜２２は、第２のポール部２２
０と、第２のヨーク部２２１とを含む。第２のポール部
２２０は、ギャップ膜２４を介して、第１のポール部２
１０と対向している。第２のヨーク部２２１は、絶縁膜
２５の上に備えられ、第２のポール部２２０に連続し、
後方で第１のヨーク部２１１と結合されている。
０と、第２のヨーク部２２１とを含む。第２のポール部
２２０は、ギャップ膜２４を介して、第１のポール部２
１０と対向している。第２のヨーク部２２１は、絶縁膜
２５の上に備えられ、第２のポール部２２０に連続し、
後方で第１のヨーク部２１１と結合されている。
【００４２】第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、第２
の磁性膜２２、コイル膜２３、絶縁膜２５及び保護膜２
６は、当業者に周知の組成材料、厚み及びパターンを有
し、通常の手段に従って製造することができる。その好
ましい具体例を挙げると次の通りである。
の磁性膜２２、コイル膜２３、絶縁膜２５及び保護膜２
６は、当業者に周知の組成材料、厚み及びパターンを有
し、通常の手段に従って製造することができる。その好
ましい具体例を挙げると次の通りである。
【００４３】まず、第１の磁性膜２１はNiFe、CoFe、Co
FeNi等の軟磁性材料を用いて、０．５〜４μｍ程度の膜
厚となるように形成する。形成手段として、メッキ法や
スパッタ法等を用いることができる。
FeNi等の軟磁性材料を用いて、０．５〜４μｍ程度の膜
厚となるように形成する。形成手段として、メッキ法や
スパッタ法等を用いることができる。
【００４４】第２の磁性膜２２はNiFe、CoFe、CoFeNi等
の軟磁性材料を用いて、３〜５μｍ程度の膜厚となるよ
うに形成する。形成手段としては、フレームメッキ法等
を用いることができる。その詳細については、本発明に
係る製造方法において更に具体的に説明する。
の軟磁性材料を用いて、３〜５μｍ程度の膜厚となるよ
うに形成する。形成手段としては、フレームメッキ法等
を用いることができる。その詳細については、本発明に
係る製造方法において更に具体的に説明する。
【００４５】コイル膜２３はＣｕ等の導電性材料から構
成される。コイル膜２３の膜厚は２〜５μｍ程度が好ま
しい。コイル膜２３の形成には、フレームメッキ法等を
用いることが好ましい。
成される。コイル膜２３の膜厚は２〜５μｍ程度が好ま
しい。コイル膜２３の形成には、フレームメッキ法等を
用いることが好ましい。
【００４６】ギャップ膜２４はAl2O3、SiO2等の非磁性
絶縁材料、または、非磁性金属材料によって構成するこ
とができる。Al2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料で構成す
る場合は、スパッタ法等を用いることができる。非磁性
金属材料によって構成する場合は、メッキ法またはスパ
ッタ法を用いることができる。膜厚は０．０１〜０．５
μｍ程度が好ましい。
絶縁材料、または、非磁性金属材料によって構成するこ
とができる。Al2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料で構成す
る場合は、スパッタ法等を用いることができる。非磁性
金属材料によって構成する場合は、メッキ法またはスパ
ッタ法を用いることができる。膜厚は０．０１〜０．５
μｍ程度が好ましい。
【００４７】絶縁膜２５はフォトレジスト材料を硬化さ
せて形成することが好ましい。絶縁膜２５は、コイル膜
２３の層数、及び、コイル支持構造に応じて、その層数
が変化し、膜厚もそれに伴って変化する。一般には、３
〜２０μｍ程度の膜厚を有する。
せて形成することが好ましい。絶縁膜２５は、コイル膜
２３の層数、及び、コイル支持構造に応じて、その層数
が変化し、膜厚もそれに伴って変化する。一般には、３
〜２０μｍ程度の膜厚を有する。
【００４８】保護膜２６はAl2O3、SiO2等の絶縁材料に
よって構成することができる。膜厚は５〜５０μｍ程度
が好ましい。保護膜２６はスパッタ法等によって形成す
ることが好ましい。
よって構成することができる。膜厚は５〜５０μｍ程度
が好ましい。保護膜２６はスパッタ法等によって形成す
ることが好ましい。
【００４９】コイル膜２３は、第１の磁性膜２１、第２
の磁性膜２２及びギャップ膜２４とともに薄膜磁気回路
を構成する。コイル膜２３は、絶縁膜２５によって支持
され、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にまわるよう
に形成されている。コイル膜２３の両端は、取り出し電
極２７、２８に導通されている（図１参照）。コイル膜
２３の巻数および層数は任意である。この実施例では、
２層構造を持つコイル膜２３を示してある。
の磁性膜２２及びギャップ膜２４とともに薄膜磁気回路
を構成する。コイル膜２３は、絶縁膜２５によって支持
され、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にまわるよう
に形成されている。コイル膜２３の両端は、取り出し電
極２７、２８に導通されている（図１参照）。コイル膜
２３の巻数および層数は任意である。この実施例では、
２層構造を持つコイル膜２３を示してある。
【００５０】図示された薄膜磁気ヘッドにおいて、スラ
イダ１は、媒体対向面側にＡＢＳ１３、１４を有し、薄
膜磁気変換素子２はスライダ１上に設けられているか
ら、磁気ディスク等の磁気記録媒体と組み合わせて用い
られる浮上型の薄膜磁気ヘッドとして用いることができ
る。
イダ１は、媒体対向面側にＡＢＳ１３、１４を有し、薄
膜磁気変換素子２はスライダ１上に設けられているか
ら、磁気ディスク等の磁気記録媒体と組み合わせて用い
られる浮上型の薄膜磁気ヘッドとして用いることができ
る。
【００５１】第２の磁性膜２２の第２のヨーク部２２１
は、後方側が第１の磁性膜２１と磁気的に結合されてい
るから、コイル膜２３に書き込み電流を流すことによっ
て発生した磁界を、第２のヨーク部２２１によって、第
１のポール部２１０及び第２のポール部２２０に効率良
く伝送することができる。
は、後方側が第１の磁性膜２１と磁気的に結合されてい
るから、コイル膜２３に書き込み電流を流すことによっ
て発生した磁界を、第２のヨーク部２２１によって、第
１のポール部２１０及び第２のポール部２２０に効率良
く伝送することができる。
【００５２】図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドは、
誘導型磁気変換素子２を書き込み専用とし、読み出し用
としてＭＲ素子３を有する複合型である。薄膜磁気変換
素子２、３は、レール部１１、１２の一方または両者の
媒体移動方向ａ１の端部に設けられている。媒体移動方
向ａ１は、媒体が高速移動した時の空気の流出方向と一
致する。スライダ１の媒体移動方向ａ１の端面には、薄
膜磁気変換素子２に接続された取り出し電極２７、２８
及び薄膜磁気変換素子３に接続された取り出し電極３
３、３４が設けられている。
誘導型磁気変換素子２を書き込み専用とし、読み出し用
としてＭＲ素子３を有する複合型である。薄膜磁気変換
素子２、３は、レール部１１、１２の一方または両者の
媒体移動方向ａ１の端部に設けられている。媒体移動方
向ａ１は、媒体が高速移動した時の空気の流出方向と一
致する。スライダ１の媒体移動方向ａ１の端面には、薄
膜磁気変換素子２に接続された取り出し電極２７、２８
及び薄膜磁気変換素子３に接続された取り出し電極３
３、３４が設けられている。
【００５３】ＭＲ素子３は、これまで、種々の膜構造の
ものが提案され、実用に供されている。例えばパーマロ
イ等による異方性磁気抵抗効果素子を用いたもの、巨大
磁気抵抗（ＧＭＲ）効果膜を用いたもの等がある。本発
明において、何れのタイプであってもよい。ＭＲ素子３
は、第１のシールド膜３１と、第２のシールド膜を兼ね
ている第１の磁性膜２１との間において、絶縁膜３２の
内部に配置されている。絶縁膜３２はアルミナ等によっ
て構成されている。ＭＲ素子３は、リード導体３５（図
２参照）により、取り出し電極３３、３４に接続されて
いる（図１参照）。
ものが提案され、実用に供されている。例えばパーマロ
イ等による異方性磁気抵抗効果素子を用いたもの、巨大
磁気抵抗（ＧＭＲ）効果膜を用いたもの等がある。本発
明において、何れのタイプであってもよい。ＭＲ素子３
は、第１のシールド膜３１と、第２のシールド膜を兼ね
ている第１の磁性膜２１との間において、絶縁膜３２の
内部に配置されている。絶縁膜３２はアルミナ等によっ
て構成されている。ＭＲ素子３は、リード導体３５（図
２参照）により、取り出し電極３３、３４に接続されて
いる（図１参照）。
【００５４】第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドの特徴
は、上述した一般的構造において、反射防止膜４を、除
去せずに、そのまま残しておく点にある。即ち、反射防
止膜４は、絶縁膜２５の立ち上がり傾斜部２５０に備え
られ、第２の磁性膜２２によって覆われている。
は、上述した一般的構造において、反射防止膜４を、除
去せずに、そのまま残しておく点にある。即ち、反射防
止膜４は、絶縁膜２５の立ち上がり傾斜部２５０に備え
られ、第２の磁性膜２２によって覆われている。
【００５５】上述のように、反射防止膜４は、除去され
ることなく、絶縁膜２５の立ち上がり傾斜部２５０に備
えられているから、製造方法上、種々の利点が得られ
る。まず、第２の磁性膜２２のためのフォトリソグラフ
ィ工程を実行してレジストフレームを形成する工程にお
いて、露光が、絶縁膜２５の傾斜部２５０で反射される
割合が、著しく小さくなる。このため、特に、第２のポ
ール部２２０を決めるフォトレジストの露光パターン
が、フォトマスクによる露光パターンによってほぼ定ま
るようになり、第２のポール部２２０に対応するレジス
トフレームのパターンを高精度で設定できるようにな
る。従って、高精度のパターンを有する第２のポール部
２２０を形成することができる。また、第２のポール部
２２０に対応するレジストフレームのパターンを高精度
で設定できるので、例えば、１．０μｍ以下の狭小化さ
れた記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造する
ことができる。
ることなく、絶縁膜２５の立ち上がり傾斜部２５０に備
えられているから、製造方法上、種々の利点が得られ
る。まず、第２の磁性膜２２のためのフォトリソグラフ
ィ工程を実行してレジストフレームを形成する工程にお
いて、露光が、絶縁膜２５の傾斜部２５０で反射される
割合が、著しく小さくなる。このため、特に、第２のポ
ール部２２０を決めるフォトレジストの露光パターン
が、フォトマスクによる露光パターンによってほぼ定ま
るようになり、第２のポール部２２０に対応するレジス
トフレームのパターンを高精度で設定できるようにな
る。従って、高精度のパターンを有する第２のポール部
２２０を形成することができる。また、第２のポール部
２２０に対応するレジストフレームのパターンを高精度
で設定できるので、例えば、１．０μｍ以下の狭小化さ
れた記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造する
ことができる。
【００５６】しかも、反射防止膜４を除去する必要がな
いから、第２のヨーク部２２１と、第２のポール部２２
０におけるエッチングレートの相違に起因するレジスト
フレームのパターン精度の低下、及び、レジストフレー
ムの高さ低下等の問題を生じる余地がない。従って、第
２のポール部２２０及び第２のヨーク部２２１を高精度
のパターンで形成することができる。
いから、第２のヨーク部２２１と、第２のポール部２２
０におけるエッチングレートの相違に起因するレジスト
フレームのパターン精度の低下、及び、レジストフレー
ムの高さ低下等の問題を生じる余地がない。従って、第
２のポール部２２０及び第２のヨーク部２２１を高精度
のパターンで形成することができる。
【００５７】更に、反射防止膜４は、第２の磁性膜２２
によって覆われているから、最終製品としての薄膜磁気
ヘッドが、残った反射防止膜４による影響を受けること
がない。反射防止膜４を、第２の磁性膜２２によって覆
うための手段として、反射防止膜４は、ＡＢＳ１３、１
４を基準にして、後方に向かう方向で見た長さ△Ｒ１も
しくはその幅またはその両方が、第２の磁性膜２２のめ
っき膜厚の２倍以下となるように形成する。かかる構造
によると、通常、フレームめっき膜として形成される第
２の磁性膜２２が、反射防止膜４の長さ方向もしくは幅
方向の両側からその内側に向かって成長し、第２の磁性
膜２２が所定のめっき膜厚となる前に、反射防止膜４の
上で連続するようになる。
によって覆われているから、最終製品としての薄膜磁気
ヘッドが、残った反射防止膜４による影響を受けること
がない。反射防止膜４を、第２の磁性膜２２によって覆
うための手段として、反射防止膜４は、ＡＢＳ１３、１
４を基準にして、後方に向かう方向で見た長さ△Ｒ１も
しくはその幅またはその両方が、第２の磁性膜２２のめ
っき膜厚の２倍以下となるように形成する。かかる構造
によると、通常、フレームめっき膜として形成される第
２の磁性膜２２が、反射防止膜４の長さ方向もしくは幅
方向の両側からその内側に向かって成長し、第２の磁性
膜２２が所定のめっき膜厚となる前に、反射防止膜４の
上で連続するようになる。
【００５８】＜第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法＞次に、図１、２に示した第１の態様に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明する。図３〜図２９は第１の
態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に含まれる工程を
示す図である。図３〜図２９において、図１、２に示さ
れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照
符号を付してある。本発明に係る製造方法はウエハー上
で実行されるが、図はウエハー上の一素子のみを示して
ある。
方法＞次に、図１、２に示した第１の態様に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明する。図３〜図２９は第１の
態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に含まれる工程を
示す図である。図３〜図２９において、図１、２に示さ
れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照
符号を付してある。本発明に係る製造方法はウエハー上
で実行されるが、図はウエハー上の一素子のみを示して
ある。
【００５９】まず、図３〜５を参照して説明する。図３
はある工程における薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部分
の正面断面図、図４は図３の４ー４線に沿った断面図、
図５は図３、図４に示した磁気変換素子部分の平面図で
ある。図３〜図５は図示上の都合から寸法は必ずしも一
致していない。また、寸法は誇張されている。図示する
ように、スライダとなる基体１上に第１の磁性膜２１、
ギャップ膜２４、及び、コイル膜２３を支持する絶縁膜
２５がすでに形成されている。絶縁膜２５を含む全面に
は、第２の磁性膜をメッキによって形成するためのメッ
キ下地膜（シード膜）が形成されている。ＭＲ素子３、
第１のシールド膜３１、絶縁膜３２及びリード導体３５
等も既に形成されている。これらの構成部分は当業者に
周知のプロセスに従って形成する。
はある工程における薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部分
の正面断面図、図４は図３の４ー４線に沿った断面図、
図５は図３、図４に示した磁気変換素子部分の平面図で
ある。図３〜図５は図示上の都合から寸法は必ずしも一
致していない。また、寸法は誇張されている。図示する
ように、スライダとなる基体１上に第１の磁性膜２１、
ギャップ膜２４、及び、コイル膜２３を支持する絶縁膜
２５がすでに形成されている。絶縁膜２５を含む全面に
は、第２の磁性膜をメッキによって形成するためのメッ
キ下地膜（シード膜）が形成されている。ＭＲ素子３、
第１のシールド膜３１、絶縁膜３２及びリード導体３５
等も既に形成されている。これらの構成部分は当業者に
周知のプロセスに従って形成する。
【００６０】絶縁膜２５はギャップ膜２４の面から、あ
る角度θで傾斜しながら膜厚方向に立ち上がる傾斜部２
５０を有する。傾斜部２５０の立ち上がり開始点がスロ
ートハイト零点ＴＨ０に対応し、立ち上がり角度θがエ
イペックス角に対応する。角度θは、１０°〜６０°の
間、特に、３０°〜４５°程度が好ましい。
る角度θで傾斜しながら膜厚方向に立ち上がる傾斜部２
５０を有する。傾斜部２５０の立ち上がり開始点がスロ
ートハイト零点ＴＨ０に対応し、立ち上がり角度θがエ
イペックス角に対応する。角度θは、１０°〜６０°の
間、特に、３０°〜４５°程度が好ましい。
【００６１】次に、図６〜８に示すように、反射防止膜
４を形成する。反射防止膜４は、絶縁膜２５の表面のう
ち、少なくとも、傾斜部２５０を含む表面に形成する。
図示では、反射防止膜４は、絶縁膜２５の全表面を含む
領域を覆うように形成されている。反射防止膜４として
は、これまで提案されたものを用いることができる他、
ポリサルフォンポリマーの誘導体 またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体 から選択された一種を用いることができる。これらは、
スピンコート等の手段によって形成することができる。
４を形成する。反射防止膜４は、絶縁膜２５の表面のう
ち、少なくとも、傾斜部２５０を含む表面に形成する。
図示では、反射防止膜４は、絶縁膜２５の全表面を含む
領域を覆うように形成されている。反射防止膜４として
は、これまで提案されたものを用いることができる他、
ポリサルフォンポリマーの誘導体 またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体 から選択された一種を用いることができる。これらは、
スピンコート等の手段によって形成することができる。
【００６２】次に、傾斜部２５０に反射防止膜４が残る
ように、反射防止膜４をパターンニングする。反射防止
膜４のパターンニングに当たっては、まず、反射防止膜
４の全面にフォトレジストを塗布する。次に、フォトリ
ソグラフィ工程により、傾斜部２５０にのみ、反射防止
膜４のためのマスクとなるフォトレジストが残るよう
に、フォトレジストをパターンニングする。図９〜図１
１はこのようにしてパターンニングされたフォトレジス
トによるマスクパターン５を示している。マスクパター
ン５は、ポール領域Ｐ０に連なる傾斜部２５０を覆い、
ポール領域ＰＯは覆わない形状とする。マスクパターン
５はスロートハイト零点ＴＨ０から後方に向かう方向で
見た長さ△Ｒ１もしくはその幅△Ｗ１またはその両方
が、第２の磁性膜２２のめっき膜厚の２倍以下となるよ
うに形成する。また、反射防止膜４のＡＢＳ１３、１４
側の端部がスロートハイト零点ＴＨＯとそろっている必
要はない。
ように、反射防止膜４をパターンニングする。反射防止
膜４のパターンニングに当たっては、まず、反射防止膜
４の全面にフォトレジストを塗布する。次に、フォトリ
ソグラフィ工程により、傾斜部２５０にのみ、反射防止
膜４のためのマスクとなるフォトレジストが残るよう
に、フォトレジストをパターンニングする。図９〜図１
１はこのようにしてパターンニングされたフォトレジス
トによるマスクパターン５を示している。マスクパター
ン５は、ポール領域Ｐ０に連なる傾斜部２５０を覆い、
ポール領域ＰＯは覆わない形状とする。マスクパターン
５はスロートハイト零点ＴＨ０から後方に向かう方向で
見た長さ△Ｒ１もしくはその幅△Ｗ１またはその両方
が、第２の磁性膜２２のめっき膜厚の２倍以下となるよ
うに形成する。また、反射防止膜４のＡＢＳ１３、１４
側の端部がスロートハイト零点ＴＨＯとそろっている必
要はない。
【００６３】この後、図１２〜図１４に示すように、マ
スクパターン５によって覆われていない反射防止膜４を
除去する。反射防止膜４が、ポリサルフォンポリマーの
誘導体またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体から
選択された一種でなる場合、アッシング等のドライエッ
チングによって除去できる。これにより、図１５〜１７
に示すように、傾斜部２５０にのみ、反射防止膜４が残
ることになる。反射防止膜４には、マスクパターン５の
形状が転写されるので、反射防止膜４は、スロートハイ
ト零点ＴＨ０、もしくは、その近傍から、後方に向かう
方向で見た長さ△Ｒ１、もしくはその幅△Ｗ１、もしく
はその両方が、第２の磁性膜２２のめっき膜厚の２倍以
下となるように形成される。
スクパターン５によって覆われていない反射防止膜４を
除去する。反射防止膜４が、ポリサルフォンポリマーの
誘導体またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体から
選択された一種でなる場合、アッシング等のドライエッ
チングによって除去できる。これにより、図１５〜１７
に示すように、傾斜部２５０にのみ、反射防止膜４が残
ることになる。反射防止膜４には、マスクパターン５の
形状が転写されるので、反射防止膜４は、スロートハイ
ト零点ＴＨ０、もしくは、その近傍から、後方に向かう
方向で見た長さ△Ｒ１、もしくはその幅△Ｗ１、もしく
はその両方が、第２の磁性膜２２のめっき膜厚の２倍以
下となるように形成される。
【００６４】次に、マスクパターン５を除去した後、図
１８〜図２０に示すように、反射防止膜４及び絶縁膜２
５を覆うフォトレジスト６を塗布する。フォトレジスト
６はスピンコート法によって塗布することができる。こ
のフォトレジスト６に対してフォトマスクＰＨＭを当
て、第２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実
行する。これにより、図２１〜２３に示すように、レジ
ストフレーム６０を形成する。ここで、ポール部に連な
る傾斜部２５０に反射防止膜４が存在するので、フォト
レジスト６に対して第２の磁性膜のためのフォトリソグ
ラフィ工程を実行する際、露光光が、絶縁膜２５の傾斜
部２５０に形成されたメッキ下地膜で反射される割合
が、著しく小さくなる。このため、特に、第２のポール
部領域Ｐ０の露光パターンが、フォトマスクＰＨＭによ
る露光パターンによってほぼ定まるようになり、レジス
トフレーム６０によって囲まれた内側のパターン６１の
うち、ポール部領域Ｐ０のパターンを、フォトリソグラ
フィ工程精度によって定まる高精度の形状に設定できる
ようになる。反射防止膜４が、ポリサルフォンポリマー
の誘導体またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体か
ら選択された一種でなる場合、これらの反射防止材料
は、反射率が低いので、ポール領域Ｐ０に対応するレジ
ストフレーム６０のパターンを、より高精度で設定でき
る。
１８〜図２０に示すように、反射防止膜４及び絶縁膜２
５を覆うフォトレジスト６を塗布する。フォトレジスト
６はスピンコート法によって塗布することができる。こ
のフォトレジスト６に対してフォトマスクＰＨＭを当
て、第２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実
行する。これにより、図２１〜２３に示すように、レジ
ストフレーム６０を形成する。ここで、ポール部に連な
る傾斜部２５０に反射防止膜４が存在するので、フォト
レジスト６に対して第２の磁性膜のためのフォトリソグ
ラフィ工程を実行する際、露光光が、絶縁膜２５の傾斜
部２５０に形成されたメッキ下地膜で反射される割合
が、著しく小さくなる。このため、特に、第２のポール
部領域Ｐ０の露光パターンが、フォトマスクＰＨＭによ
る露光パターンによってほぼ定まるようになり、レジス
トフレーム６０によって囲まれた内側のパターン６１の
うち、ポール部領域Ｐ０のパターンを、フォトリソグラ
フィ工程精度によって定まる高精度の形状に設定できる
ようになる。反射防止膜４が、ポリサルフォンポリマー
の誘導体またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体か
ら選択された一種でなる場合、これらの反射防止材料
は、反射率が低いので、ポール領域Ｐ０に対応するレジ
ストフレーム６０のパターンを、より高精度で設定でき
る。
【００６５】図４３は反射防止膜を持たない従来例を示
す。反射防止膜を持たない場合、傾斜部２５０に、既に
形成されているメッキ下地膜によって、露光光ＤＰ１が
反射される。反射された露光光ＤＰ１の一部は、ポール
部の方向にも反射される。このため、ポール部の露光パ
ターンが、フォトマスクＰＨＭによる露光パターンとは
異なる結果となり、ポール部に対応するレジストフレー
ム６０にパターン崩れを生じる。
す。反射防止膜を持たない場合、傾斜部２５０に、既に
形成されているメッキ下地膜によって、露光光ＤＰ１が
反射される。反射された露光光ＤＰ１の一部は、ポール
部の方向にも反射される。このため、ポール部の露光パ
ターンが、フォトマスクＰＨＭによる露光パターンとは
異なる結果となり、ポール部に対応するレジストフレー
ム６０にパターン崩れを生じる。
【００６６】次に、図２４〜２６に示すように、レジス
トフレーム６０によって囲まれたパターン６１の内部
に、第２の磁性膜２２を形成する。反射防止膜４は第２
の磁性膜２２によって覆われる。第２の磁性膜２２は、
スロートハイト零点ＴＨ０まではギャップ膜２４及び第
１の磁性膜２１と平行な第２のポール部２２０を構成
し、スロートハイト零点ＴＨ０から絶縁膜２５の上面に
向かって、エイペックス角θで傾斜するように形成され
る。
トフレーム６０によって囲まれたパターン６１の内部
に、第２の磁性膜２２を形成する。反射防止膜４は第２
の磁性膜２２によって覆われる。第２の磁性膜２２は、
スロートハイト零点ＴＨ０まではギャップ膜２４及び第
１の磁性膜２１と平行な第２のポール部２２０を構成
し、スロートハイト零点ＴＨ０から絶縁膜２５の上面に
向かって、エイペックス角θで傾斜するように形成され
る。
【００６７】ここで、第２のポール部２２０のを画定す
るレジストフレーム６０のパターン（ポール領域Ｐ０）
が、フォトマスクの露光パターンによってほぼ定まる高
精度の寸法、形状に設定されているから、高精度のパタ
ーンを有する第２のポール部２２０を形成することがで
きる。また、第２のポール部２２０に対応するレジスト
フレーム６０のパターン６１を高精度で設定できるの
で、例えば、１．０μｍ以下の狭小化された記録トラッ
ク幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
るレジストフレーム６０のパターン（ポール領域Ｐ０）
が、フォトマスクの露光パターンによってほぼ定まる高
精度の寸法、形状に設定されているから、高精度のパタ
ーンを有する第２のポール部２２０を形成することがで
きる。また、第２のポール部２２０に対応するレジスト
フレーム６０のパターン６１を高精度で設定できるの
で、例えば、１．０μｍ以下の狭小化された記録トラッ
ク幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００６８】しかも、レジストフレーム６０によって囲
まれたパターン６１内に存在する反射防止膜４を第２の
磁性膜２２によって覆うので（図２４〜図２６参照）の
で、第２の磁性膜２２の磁気的特性が反射防止膜４の影
響を受けることがない。実施例では、反射防止膜４は、
その幅△Ｗ１（図２３参照）が、第２の磁性膜２２のめ
っき膜厚の２倍以下となるように形成されているので、
フレームめっき膜として形成された第２の磁性膜２２
が、反射防止膜４の幅方向の両側からその内側に向かっ
て成長し、第２の磁性膜２２が所定のめっき膜厚となる
前に、反射防止膜４の上で連続するようになる。
まれたパターン６１内に存在する反射防止膜４を第２の
磁性膜２２によって覆うので（図２４〜図２６参照）の
で、第２の磁性膜２２の磁気的特性が反射防止膜４の影
響を受けることがない。実施例では、反射防止膜４は、
その幅△Ｗ１（図２３参照）が、第２の磁性膜２２のめ
っき膜厚の２倍以下となるように形成されているので、
フレームめっき膜として形成された第２の磁性膜２２
が、反射防止膜４の幅方向の両側からその内側に向かっ
て成長し、第２の磁性膜２２が所定のめっき膜厚となる
前に、反射防止膜４の上で連続するようになる。
【００６９】次に、図２７〜２９に示すように、レジス
トフレーム６０を除去する。レジストフレーム６０は、
有機溶剤による溶解法、もしくは、アッシング等のドラ
イエッチング法の適用によって除去することができる。
トフレーム６０を除去する。レジストフレーム６０は、
有機溶剤による溶解法、もしくは、アッシング等のドラ
イエッチング法の適用によって除去することができる。
【００７０】しかも、反射防止膜４を除去する必要がな
いので、第２のヨーク部２２１と、第２のポール部２２
０におけるエッチングレートの相違に起因するレジスト
フレーム６０のパターン精度の低下、及び、レジストフ
レーム６０の高さ低下等の問題を生じる余地がない。こ
のため、第２の磁性膜２２のポール部２２０及び第２の
ヨーク部２２１を高精度のパターンで形成することがで
きる。
いので、第２のヨーク部２２１と、第２のポール部２２
０におけるエッチングレートの相違に起因するレジスト
フレーム６０のパターン精度の低下、及び、レジストフ
レーム６０の高さ低下等の問題を生じる余地がない。こ
のため、第２の磁性膜２２のポール部２２０及び第２の
ヨーク部２２１を高精度のパターンで形成することがで
きる。
【００７１】第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４及び第
２の磁性膜２２によって構成されるポール部は、例え
ば、高密度記録を達成する等のために、種々の構造、態
様を取ることがある。本発明は、ポール部の構造または
態様が変化した場合にも、幅広く対応できる。
２の磁性膜２２によって構成されるポール部は、例え
ば、高密度記録を達成する等のために、種々の構造、態
様を取ることがある。本発明は、ポール部の構造または
態様が変化した場合にも、幅広く対応できる。
【００７２】また、実施例は、誘導型磁気変換素子２を
書き込み専用とし、読み出し用としてＭＲ素子３を有す
る複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を示しているので、
ＭＲ素子３を形成する工程も含んでいる。ＭＲ素子３
は、誘導型磁気変換素子２よりも前に形成される。
書き込み専用とし、読み出し用としてＭＲ素子３を有す
る複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を示しているので、
ＭＲ素子３を形成する工程も含んでいる。ＭＲ素子３
は、誘導型磁気変換素子２よりも前に形成される。
【００７３】更に、図示は省略するが、図３〜２９に図
示された工程の後も、図１、２に図示された薄膜磁気ヘ
ッドを得るために必要な工程が実行されることは言うま
でもない。これらの工程には、従来より周知の工程を採
用することができる。
示された工程の後も、図１、２に図示された薄膜磁気ヘ
ッドを得るために必要な工程が実行されることは言うま
でもない。これらの工程には、従来より周知の工程を採
用することができる。
【００７４】＜第２の態様に係るＳＡ型薄膜磁気ヘッド
＞図３０は第２の態様に係るＳＡ型薄膜磁気ヘッドの断
面図、図３１は図３０に示したＳＡ型薄膜磁気ヘッドの
ポール部分の拡大斜視図である。図において、図１、２
に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の
参照符号を付してある。ＳＡ型薄膜磁気ヘッドでは、絶
縁膜は、第１の絶縁膜２５と、第２の絶縁膜２７とを含
む。第１の絶縁膜２５は、コイル膜２３を支持する。第
２の絶縁膜２７は、ＡＢＳ１３、１４側において、第１
の絶縁膜２５の基部に備えられ、スロートハイトＴＨ０
を決定する。
＞図３０は第２の態様に係るＳＡ型薄膜磁気ヘッドの断
面図、図３１は図３０に示したＳＡ型薄膜磁気ヘッドの
ポール部分の拡大斜視図である。図において、図１、２
に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の
参照符号を付してある。ＳＡ型薄膜磁気ヘッドでは、絶
縁膜は、第１の絶縁膜２５と、第２の絶縁膜２７とを含
む。第１の絶縁膜２５は、コイル膜２３を支持する。第
２の絶縁膜２７は、ＡＢＳ１３、１４側において、第１
の絶縁膜２５の基部に備えられ、スロートハイトＴＨ０
を決定する。
【００７５】また、第２の磁性膜２２において、第２の
ヨーク部２２１は、第１の絶縁膜２５の上に備えられ、
一端が第２のポール部２２０に結合され、他端が、後方
結合部２２３により、第１のヨーク部２１１と結合され
ている。反射防止膜４は、第２の絶縁膜２７の表面であ
って、ＡＢＳ１３、１４側に備えられ、第２のポール部
２２０によって覆われている。第１のポール部２１０の
両側には、凹部２８、２９が設けられており、これによ
ってトラック幅の狭小化が図られている。
ヨーク部２２１は、第１の絶縁膜２５の上に備えられ、
一端が第２のポール部２２０に結合され、他端が、後方
結合部２２３により、第１のヨーク部２１１と結合され
ている。反射防止膜４は、第２の絶縁膜２７の表面であ
って、ＡＢＳ１３、１４側に備えられ、第２のポール部
２２０によって覆われている。第１のポール部２１０の
両側には、凹部２８、２９が設けられており、これによ
ってトラック幅の狭小化が図られている。
【００７６】上述のように、反射防止膜４は、第２の絶
縁膜２７の表面であって、ＡＢＳ１３、１４側に備えら
れているから、第２のポール部２２０のためのフォトリ
ソグラフィ工程において、レジストフレームを形成する
際、露光光が、第２の絶縁膜２７の傾斜部分で反射され
る割合が、著しく小さくなる。このため、特に、第２の
ポール部２２０を覆うフォトレジストの露光パターン
が、フォトマスクによる露光パターンによってほぼ定ま
るようになり、第２のポール部２２０に対応するレジス
トフレームのパターンを高精度で設定できるようにな
る。従って、本発明によれば、高精度のパターンを有す
る第２のポール部２２０を形成することができる。ま
た、第２のポール部２２０に対応するレジストフレーム
のパターンを高精度で設定できるので、１．０μｍ以下
の狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッド
を製造することができる。
縁膜２７の表面であって、ＡＢＳ１３、１４側に備えら
れているから、第２のポール部２２０のためのフォトリ
ソグラフィ工程において、レジストフレームを形成する
際、露光光が、第２の絶縁膜２７の傾斜部分で反射され
る割合が、著しく小さくなる。このため、特に、第２の
ポール部２２０を覆うフォトレジストの露光パターン
が、フォトマスクによる露光パターンによってほぼ定ま
るようになり、第２のポール部２２０に対応するレジス
トフレームのパターンを高精度で設定できるようにな
る。従って、本発明によれば、高精度のパターンを有す
る第２のポール部２２０を形成することができる。ま
た、第２のポール部２２０に対応するレジストフレーム
のパターンを高精度で設定できるので、１．０μｍ以下
の狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッド
を製造することができる。
【００７７】しかも、反射防止膜４は、除去する必要は
ない。このため、第２のヨーク部２２１と、第２のポー
ル部２２０とにおけるエッチングレートの相違に起因す
るレジストフレームのパターン精度の低下、及び、レジ
ストフレームの高さ低下等の問題を生じる余地がない。
従って、第２のポール部２２０及び第２のヨーク部２２
１を高精度のパターンで形成することができる。
ない。このため、第２のヨーク部２２１と、第２のポー
ル部２２０とにおけるエッチングレートの相違に起因す
るレジストフレームのパターン精度の低下、及び、レジ
ストフレームの高さ低下等の問題を生じる余地がない。
従って、第２のポール部２２０及び第２のヨーク部２２
１を高精度のパターンで形成することができる。
【００７８】更に、反射防止膜４は、第２のポール部２
２０によって覆われているから、最終製品としての薄膜
磁気ヘッドが、残った反射防止膜４による影響を受ける
ことがない。
２０によって覆われているから、最終製品としての薄膜
磁気ヘッドが、残った反射防止膜４による影響を受ける
ことがない。
【００７９】＜第２の態様にかかるＳＡ型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法＞次に、第２の態様にかかるＳＡ型薄膜磁
気ヘッドの製造方法について、図３２〜４２を参照して
説明する。まず、図３２に示すように、第１の磁性膜２
１及びギャップ膜２４を形成した後、図３３に示すよう
に、ギャップ膜２４の上に第２の絶縁膜２７を、例えば
半球状等適当な形状に形成する。第２の絶縁膜２７はス
ロートハイト零点ＴＨ０の位置を勘案して形成される。
第２の絶縁膜２７を形成する時点では、第１の絶縁膜２
５、及び、第２の磁性膜２２は、未だ形成されていな
い。
ドの製造方法＞次に、第２の態様にかかるＳＡ型薄膜磁
気ヘッドの製造方法について、図３２〜４２を参照して
説明する。まず、図３２に示すように、第１の磁性膜２
１及びギャップ膜２４を形成した後、図３３に示すよう
に、ギャップ膜２４の上に第２の絶縁膜２７を、例えば
半球状等適当な形状に形成する。第２の絶縁膜２７はス
ロートハイト零点ＴＨ０の位置を勘案して形成される。
第２の絶縁膜２７を形成する時点では、第１の絶縁膜２
５、及び、第２の磁性膜２２は、未だ形成されていな
い。
【００８０】次に、図３４に示すように、第２の絶縁膜
２７を覆う反射防止膜４を形成する。反射防止膜４は、
既に説明した方法及び材料を用いて形成される。
２７を覆う反射防止膜４を形成する。反射防止膜４は、
既に説明した方法及び材料を用いて形成される。
【００８１】この反射防止膜４に対し、フォトリソグラ
フィ工程を実行して、反射防止膜４が第２の絶縁膜２７
においてＡＢＳ１３または１４側に限って残るようにパ
ターンニングする。具体的には、反射防止膜４の表面に
フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程を実
行することにより、図３５に示すように、第２の絶縁膜
２７の上にマスクパターン５を形成する。マスクパター
ン５はスロートハイト零点ＴＨ０から後方に向かう方向
で見た長さ△Ｒ１もしくはその幅またはその両方が、第
２の磁性膜２２のめっき膜厚の２倍以下となるように形
成する。その目的は、既に述べた通りである。また、反
射防止膜４のＡＢＳ１３、１４側の端部がスロートハイ
ト零点ＴＨＯとそろっている必要はない。この後、マス
クパターン５によって覆われていない反射防止膜４を除
去する。反射防止膜４が、ポリサルフォンポリマーの誘
導体またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体から選
択された一種でなる場合、アッシング等のドライエッチ
ングによって除去できる。これにより、図３６に示すよ
うに、第２の絶縁膜２７の上にのみ、反射防止膜４が残
ることになる。反射防止膜４には、マスクパターン５の
形状が転写されるので、反射防止膜４は、スロートハイ
ト零点ＴＨ０から、後方に向かう方向で見た長さ△Ｒ１
もしくはその幅またはその両方が、第２の磁性膜２２の
めっき膜厚の２倍以下となるように形成される。
フィ工程を実行して、反射防止膜４が第２の絶縁膜２７
においてＡＢＳ１３または１４側に限って残るようにパ
ターンニングする。具体的には、反射防止膜４の表面に
フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程を実
行することにより、図３５に示すように、第２の絶縁膜
２７の上にマスクパターン５を形成する。マスクパター
ン５はスロートハイト零点ＴＨ０から後方に向かう方向
で見た長さ△Ｒ１もしくはその幅またはその両方が、第
２の磁性膜２２のめっき膜厚の２倍以下となるように形
成する。その目的は、既に述べた通りである。また、反
射防止膜４のＡＢＳ１３、１４側の端部がスロートハイ
ト零点ＴＨＯとそろっている必要はない。この後、マス
クパターン５によって覆われていない反射防止膜４を除
去する。反射防止膜４が、ポリサルフォンポリマーの誘
導体またはマレイミドビニルコポリマーの誘導体から選
択された一種でなる場合、アッシング等のドライエッチ
ングによって除去できる。これにより、図３６に示すよ
うに、第２の絶縁膜２７の上にのみ、反射防止膜４が残
ることになる。反射防止膜４には、マスクパターン５の
形状が転写されるので、反射防止膜４は、スロートハイ
ト零点ＴＨ０から、後方に向かう方向で見た長さ△Ｒ１
もしくはその幅またはその両方が、第２の磁性膜２２の
めっき膜厚の２倍以下となるように形成される。
【００８２】次に、図３７に示すように、反射防止膜４
を覆うフォトレジスト６を塗布し、このフォトレジスト
６に対して、フォトマスクＰＨＭを用いて露光し、第２
のポール部２２０のためのフォトリソグラフィ工程を実
行し、図３８に示すように、レジストフレーム６０を形
成する。ここで、スロートハイト零点ＴＨ０を決める第
２の絶縁膜２７の上に、反射防止膜４が存在するので、
フォトレジスト６に対して第２のポール部のためのフォ
トリソグラフィ工程を実行する際、露光光が、第２の絶
縁膜２７で反射される割合が、著しく小さくなる。この
ため、特に、第２のポール部領域Ｐ０の露光パターン
が、フォトマスクＰＨＭによる露光パターンによってほ
ぼ定まるようになる。このため、ポール部領域Ｐ０のパ
ターンを、フォトリソグラフィ工程精度によって定まる
高精度の形状に設定できるようになる。反射防止膜４
が、ポリサルフォンポリマーの誘導体またはマレイミド
ビニルコポリマーの誘導体から選択された一種でなる場
合、これらの反射防止材料は、反射率が低いので、ポー
ル領域Ｐ０に対応するレジストフレーム６０のパターン
を、より高精度で設定できる。
を覆うフォトレジスト６を塗布し、このフォトレジスト
６に対して、フォトマスクＰＨＭを用いて露光し、第２
のポール部２２０のためのフォトリソグラフィ工程を実
行し、図３８に示すように、レジストフレーム６０を形
成する。ここで、スロートハイト零点ＴＨ０を決める第
２の絶縁膜２７の上に、反射防止膜４が存在するので、
フォトレジスト６に対して第２のポール部のためのフォ
トリソグラフィ工程を実行する際、露光光が、第２の絶
縁膜２７で反射される割合が、著しく小さくなる。この
ため、特に、第２のポール部領域Ｐ０の露光パターン
が、フォトマスクＰＨＭによる露光パターンによってほ
ぼ定まるようになる。このため、ポール部領域Ｐ０のパ
ターンを、フォトリソグラフィ工程精度によって定まる
高精度の形状に設定できるようになる。反射防止膜４
が、ポリサルフォンポリマーの誘導体またはマレイミド
ビニルコポリマーの誘導体から選択された一種でなる場
合、これらの反射防止材料は、反射率が低いので、ポー
ル領域Ｐ０に対応するレジストフレーム６０のパターン
を、より高精度で設定できる。
【００８３】次に、図３９に示すように、レジストフレ
ーム６０によって囲まれたパターン内に、反射防止膜４
を覆う第２のポール部２２０を形成する。後方接続部２
２３を同時に形成してもよい。この後、図４０に示すよ
うに、第２のポール部２２０及び後方接続部２２３の表
面を、絶縁膜３６の成膜と、ＣＭＰ等の手段によって平
坦化する。
ーム６０によって囲まれたパターン内に、反射防止膜４
を覆う第２のポール部２２０を形成する。後方接続部２
２３を同時に形成してもよい。この後、図４０に示すよ
うに、第２のポール部２２０及び後方接続部２２３の表
面を、絶縁膜３６の成膜と、ＣＭＰ等の手段によって平
坦化する。
【００８４】次に、図４１に示すように、コイル膜２
３、第１の絶縁膜２５及び第２のヨーク部２２１を形成
し、さらに、図４２に示すように、保護膜２６を形成す
る。
３、第１の絶縁膜２５及び第２のヨーク部２２１を形成
し、さらに、図４２に示すように、保護膜２６を形成す
る。
【００８５】以上、好適な具体的実施例を参照して本発
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
【００８６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）絶縁膜の上に形成される磁性膜を、高精度のパタ
ーンで形成し得る薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提
供することができる。 （ｂ）絶縁膜の上に形成される磁性膜のポール部を高精
度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッド、及び、その
製造方法を提供することができる。 （ｃ）狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘ
ッド及びその製造方法を提供することができる。
のような効果が得られる。 （ａ）絶縁膜の上に形成される磁性膜を、高精度のパタ
ーンで形成し得る薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提
供することができる。 （ｂ）絶縁膜の上に形成される磁性膜のポール部を高精
度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッド、及び、その
製造方法を提供することができる。 （ｃ）狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘ
ッド及びその製造方法を提供することができる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。
る。
【図３】図１、２に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程の
一つを示す断面図である。
一つを示す断面図である。
【図４】図３の４ー４線に沿って切断したときの端面図
である。
である。
【図５】図３、４に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図
である。
である。
【図６】図３〜５に示した製造工程の後の工程を示す断
面図である。
面図である。
【図７】図６の７ー７線に沿って切断したときの端面図
である。
である。
【図８】図６、７に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図
である。
である。
【図９】図６〜８に示した製造工程の後の工程を示す断
面図である。
面図である。
【図１０】図９の１０ー１０線に沿って切断したときの
端面図である。
端面図である。
【図１１】図９、１０に示した薄膜磁気ヘッド部分の平
面図である。
面図である。
【図１２】図９〜１１に示した製造工程の後の工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１３】図１２の１３ー１３線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図１４】図１２、１３に示した薄膜磁気ヘッド部分の
平面図である。
平面図である。
【図１５】図１２〜１４に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１６】図１５の１６ー１６線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図１７】図１５、１６に示した薄膜磁気ヘッド部分の
平面図である。
平面図である。
【図１８】図１５〜１７に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１９】図１８の１９ー１９線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図２０】図１８、１９に示した薄膜磁気ヘッド部分の
平面図である。
平面図である。
【図２１】図１８〜２０に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２２】図２１の２２ー２２線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図２３】図２１、２２に示した薄膜磁気ヘッド部分の
平面図である。
平面図である。
【図２４】図２１〜２３に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２５】図２４の２５ー２５線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図２６】図２４、２５に示した薄膜磁気ヘッド部分の
平面図である。
平面図である。
【図２７】図２４〜２６に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２８】図２７の２８ー２８線に沿って切断したとき
の端面図である。
の端面図である。
【図２９】図２７、２８に示した薄膜磁気ヘッド部分の
平面図である。
平面図である。
【図３０】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３１】図３０に示した薄膜磁気ヘッドのポール部分
の拡大斜視図である。
の拡大斜視図である。
【図３２】図３０、３１に示した薄膜磁気ヘッドの製造
工程の一つを示す断面図である。
工程の一つを示す断面図である。
【図３３】図３２に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図３４】図３３に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図３５】図３４に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図３６】図３５に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図３７】図３６に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図３８】図３７に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図３９】図３８に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図４０】図３９に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図４１】図４０に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図４２】図４１に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
る。
【図４３】従来製造方法の問題点を説明する断面図であ
る。
る。
２ 薄膜磁気変換素子 ２１ 第１の磁性膜 ２２ 第２の磁性膜 ２１０ 第１のポール部 ２２０ 第２のポール部 ２３ コイル膜 ２４ ギャップ膜 ２５ 絶縁膜 ２５０ 傾斜部 ４ 反射防止膜
Claims (9)
- 【請求項１】 スライダと、薄膜磁気ヘッド素子とを含
む薄膜磁気ヘッドであって、 前記スライダは、媒体対向面側に空気ベアリング面を有
しており、 前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜と、コイル膜
と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性膜と、反射防
止膜とを含み、前記スライダによって支持されており、 前記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク
部とを含み、 前記第１のポール部は、前記空気ベアリング面側の端部
によって構成され、 前記第１のヨーク部は、前記第１のポール部に連続し、
前記空気ベアリング面を基準にして前記第１のポール部
の後方に延びており、 前記ギャップ膜は、少なくとも前記第１のポール部の面
上に備えられており、 前記絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、前記第１のヨー
ク部の上方に備えられ、前記空気ベアリング面側に立ち
上がり傾斜部を有しており、 前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、第２のヨーク
部とを含み、 前記第２のポール部は、前記ギャップ膜を介して、前記
第１のポール部と対向しており、 前記第２のヨーク部は、前記絶縁膜の上に備えられ、前
記第２のポール部に連続し、後方で前記第１のヨーク部
と結合されており、 前記反射防止膜は、前記絶縁膜の前記立ち上がり傾斜部
に備えられ、前記第２の磁性膜によって覆われている薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 スライダと、薄膜磁気ヘッド素子とを含
む薄膜磁気ヘッドであって、 前記スライダは、媒体対向面側に空気ベアリング面を有
しており、 前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜と、コイル膜
と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性膜と、反射防
止膜とを含み、前記スライダによって支持されており、 前記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク
部とを含み、 前記第１のポール部は、前記空気ベアリング面側の端部
によって構成され、 前記第１のヨーク部は、前記第１のポール部に連続し、
前記空気ベアリング面を基準にして前記第１のポール部
の後方に延びており、 前記ギャップ膜は、少なくとも前記第１のポール部の面
上に備えられており、 前記絶縁膜は、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜とを含
み、 前記第１の絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、 前記第２の絶縁膜は、前記空気ベアリング面側において
前記第１の絶縁膜の基部に備えられ、スロートハイトを
決定し、 前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、第２のヨーク
部とを含み、 前記第２のポール部は、前記ギャップ膜を介して、前記
第１のポール部と対向しており、 前記第２のヨーク部は、前記第１の絶縁膜の上に備えら
れ、一端が前記第２のポール部に結合され、他端が前記
第１のヨーク部と結合されており、 前記反射防止膜は、前記第２の絶縁膜の表面であって、
前記空気ベアリング面側に備えられ、前記第２のポール
部によって覆われている薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１または２の何れかに記載された
薄膜磁気ヘッドであって、 前記反射防止膜は、前記空気ベアリング面を基準にして
後方に向かう方向で見た長さ、もしくはその幅、または
その両方が前記第２の磁性膜のめっき膜厚の２倍以下で
ある薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッドであって、 読み取り素子となる磁気抵抗効果素子を含む薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項５】 請求項４に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ膜構造を含む薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 請求項４または５の何れかに記載された
薄膜磁気ヘッドであって、 さらに、第１のシールド膜及び第２のシールド膜を含ん
でおり、 前記磁気抵抗効果素子は、前記第１のシールド膜及び前
記第２のシールド膜の間に配置されており、 前記第１の磁性膜は、前記第２のシールド膜によって構
成されている薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気ヘッド素
子とを含み、 前記スライダは、媒体対向面側に空気ベアリング面を有
しており、 前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜と、コイル膜
と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性膜と、反射防
止膜とを含み、前記スライダによって支持されており、 前記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク
部とを含み、 前記第１のポール部は、前記空気ベアリング面側の端部
によって構成され、 前記第１のヨーク部は、前記第１のポール部に連続し、
前記空気ベアリング面を基準にして前記第１のポール部
の後方に延びており、 前記ギャップ膜は、少なくとも前記第１のポール部の面
上に備えられており、 前記絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、前記第１のヨー
ク部の上方に備えられ、前記空気ベアリング面側に立ち
上がり傾斜部を有しており、 前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、第２のヨーク
部とを含み、 前記第２のポール部は、前記ギャップ膜を介して、前記
第１のポール部と対向しており、 前記第２のヨーク部は、前記絶縁膜の上に備えられ、前
記第２のポール部に連続し、後方で前記第１のヨーク部
と結合されており、 前記反射防止膜は、前記絶縁膜の前記立ち上がり傾斜部
に備えられ、前記第２の磁性膜によって覆われており、 前記薄膜磁気ヘッドの製造に当たり、前記第１の磁性
膜、前記ギャップ膜、前記コイル膜及び前記絶縁膜を形
成した後、前記第２の磁性膜を形成する前、前記傾斜部
を含む前記絶縁膜の表面に反射防止膜を形成し、 前記反射防止膜に対し、フォトリソグラフィ工程を実行
して、前記反射防止膜が前記傾斜部に限って残るように
パターンニングし、 前記反射防止膜及び前記絶縁膜を覆うフォトレジストを
塗布し、このフォトレジストに対して前記第２の磁性膜
のためのフォトリソグラフィ工程を実行して、レジスト
フレームを形成し、 前記レジストフレームによって囲まれた前記パターン内
に、前記反射防止膜を覆う前記第２の磁性膜を形成する
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気ヘッド素
子とを含み、 前記スライダは、媒体対向面側に空気ベアリング面を有
しており、 前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜と、コイル膜
と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性膜と、反射防
止膜とを含み、前記スライダによって支持されており、 前記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク
部とを含み、 前記第１のポール部は、前記空気ベアリング面側の端部
によって構成され、 前記第１のヨーク部は、前記第１のポール部に連続し、
前記空気ベアリング面を基準にして前記第１のポール部
の後方に延びており、 前記ギャップ膜は、少なくとも前記第１のポール部の面
上に備えられており、 前記絶縁膜は、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜とを含
み、前記第１の絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、前記
第２の絶縁膜は、前記空気ベアリング面側において前記
第１の絶縁膜の基部に備えられ、スロートハイト零点を
決定し、 前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、第２のヨーク
部とを含み、 前記第２のポール部は、前記ギャップ膜を介して、前記
第１のポール部と対向しており、 前記第２のヨーク部は、前記第１の絶縁膜の上に備えら
れ、一端が前記第２のポール部に結合され、他端が前記
第１のヨーク部と結合されており、 前記反射防止膜は、前記第２の絶縁膜の表面であって、
前記空気ベアリング面側に備えられ、前記第２のポール
部によって覆われており、 前記薄膜磁気ヘッドの製造に当たり、前記第１の磁性
膜、前記ギャップ膜を形成した後、前記コイル膜、前記
第１の絶縁膜及び、前記第２の磁性膜を形成する前、前
記ギャップ膜の上に第２の絶縁膜を形成し、 前記第２の絶縁膜を覆う反射防止膜を形成し、 前記反射防止膜に対し、フォトリソグラフィ工程を実行
して、前記反射防止膜が前記第２の絶縁膜において前記
空気ベアリング面側に限って残るようにパターンニング
し、 前記反射防止膜を覆うフォトレジストを塗布し、このフ
ォトレジストに対して前記第２のポール部のためのフォ
トリソグラフィ工程を実行して、レジストフレームを形
成し、 前記レジストフレームによって囲まれた前記パターン内
に、前記反射防止膜を覆う前記第２のポール部を形成
し、 この後、前記第１の絶縁膜、前記コイル膜及び前記第２
のヨーク部を形成する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項９】 請求項７または８の何れかに記載された
製造方法であって、 磁気抵抗効果素子を形成する工程を含む薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
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