JP2003303407A - 磁気抵抗効果型再生ヘッドの製造方法 - Google Patents

磁気抵抗効果型再生ヘッドの製造方法

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JP2003303407A JP2002104653A JP2002104653A JP2003303407A JP 2003303407 A JP2003303407 A JP 2003303407A JP 2002104653 A JP2002104653 A JP 2002104653A JP 2002104653 A JP2002104653 A JP 2002104653A JP 2003303407 A JP2003303407 A JP 2003303407A
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magnetoresistive
electrode film
electrode
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Yasunobu Yanagisawa
泰伸 柳沢
Satoshi Morinaga
諭 森永
Masatoshi Arasawa
正敏 荒沢
Shuichi Kojima
修一 小島
Makoto Morijiri
誠 森尻
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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】磁気抵抗効果膜と電極膜を連続して形成し
た後、一層目のレジストパターンを用いて電極膜のみを
エッチングし、一層目のレジストパターンを残したま
ま、二層目のレジストパターンを形成し、磁気抵抗効果
膜をエッチングした後、磁区制御膜と外側の電極を形成
することにより、合わせズレがある範囲内であるなら
ば、電極膜と磁区制御膜の位置関係にまったく影響を及
ぼさないようにすることができる。 【効果】レジストパターンを二層重ねるプロセスを採用
することで合わせずれを許容し、磁気抵抗効果膜上への
電極乗り上げを左右対称とし、感度プロファイルが左右
対称なヘッドを歩留まり良く製造することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク記憶
装置に搭載される磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に関
し、特に磁気抵抗効果型再生ヘッドの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク記憶装置の面記録密度の向
上に伴い、複合型薄膜磁気ヘッドとして書き込みを目的
とする誘導型の薄膜磁気ヘッドと、読み出しを目的とす
る磁気抵抗効果型再生ヘッドを基板上に積層した構造の
物が提案され実用化されている。
【０００３】磁気抵抗効果型再生ヘッドは入射した磁束
により抵抗値の変化する磁気抵抗効果膜に電流を流し、
磁束の変化を抵抗変化に変えて読み取る構造となってい
る。これらの磁気抵抗効果膜の抵抗変化が入力磁束と比
例関係を維持するためには、磁気抵抗効果膜中に磁壁が
発生せず、単一の磁区となることが必要であることが知
られている。
【０００４】磁気抵抗効果膜を単一の磁区に保つため
に、磁区制御膜と呼ばれる永久磁石を磁気抵抗効果膜の
両端に配置する構造が主流であり、製造上の簡便さから
磁区制御膜と、電極は同一のレジストパターンを用いて
連続して成膜することにより形成される。このようなプ
ロセスにて形成される構造は一般的にアバッテッドジャ
ンクション構造と呼ばれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】記録密度を向上させる
ためには素子の寸法を縮小していくことが必要である
が、従来から用いられているアバッテッドジャンクショ
ン構造では、磁区制御膜により端部の磁化回転の制限が
生じる。その結果、端部はほとんど感度を持たなくな
り、素子を縮小していくにつれて相対的に感度の小さい
端部領域が素子の大部分を占めるようになり、急激な感
度の低下をもたらす。
【０００６】この問題に対し、磁気抵抗効果膜の端部よ
り内側にまで電極を侵入させ、感度の高いトラック中央
部にのみ電流を流す構造が提案されている。たとえば、
特開平４−３５８３１０号公報などである。
【０００７】このような構造を実現するためには、磁気
抵抗効果膜のエッチングと磁区制御膜形成、電極形成を
２回のフォトリソグラフィー工程により行わなければな
らない。そのため、磁気抵抗効果膜への電極の乗り上げ
量がフォトリソグラフィーの合わせに依存してしまい左
右で乗り上げ量が異なって形成され、感度プロファイル
が左右非対称となる問題が発生する。
【０００８】本発明の目的は、上述した従来の磁気抵抗
効果型再生ヘッドの問題を解決する磁気抵抗効果型再生
ヘッドの製造方法を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では、第一のフォトリソグラフィー工程によ
り、電極乗り上げ部分と電極間隔を決定し、第二のフォ
トリソグラフィー工程により磁区制御膜及び電極膜を形
成するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施例を以下に説
明する。
【００１１】図１(a)において磁気抵抗効果膜２及び電
極膜３を下部ギャップ膜１の上にスパッタリングや真空
蒸着法等の方法で作成する。磁気抵抗効果膜２と電極膜
３は減圧下で連続して成膜し、接触抵抗の増加を防止す
る。下部ギャップ膜１にはAl2O3やSiO2等の酸化物もし
くはこれらの混合物や積層膜が用いられ、スパッタリン
グや真空蒸着法あるいはCVD法などにより5〜30ｎｍ程度
の厚さに形成される。
【００１２】磁気抵抗効果膜２は反強磁性膜、固定層、
導電性非磁性膜および自由層から構成された膜である。
磁気抵抗効果膜２の上には保護膜としてTaを積層した
り、ドライエッチングで除去されにくくエッチング時の
ストッパとなりうるRuを積層しても良い。
【００１３】また、電極膜３は比抵抗が小さく、エレク
トロマイグレーション耐性が高いものが望ましい。たと
えばTa,W,Ir,Rt,Ru,Rh,Nb,Moやこれらの合金、これらの
金属とAu,Ag,Cu等の低抵抗材料との積層膜を用いる。
【００１４】次に露光に対して感度を持たず、現像液に
対する溶解性がレジスト５より大きいレジスト４と、レ
ジスト５を積層して露光・現像を行うことにより図１
(a)の形状のレジストパターンを形成する。
【００１５】次に図１(b)に示すようにミーリング、イ
オンビームエッチング又はドライエッチング等の手法を
組み合わせて電極膜３のみを除去する。レジストパター
ン４，５の下の電極膜３の幅は１００ｎｍ以下とする。
このときに磁気抵抗効果膜２にダメージを与えずに電極
膜３のみを除去することが必要であり、電極膜３をTa/A
u/Ta/Ruなどの多層膜としてTa/Auをイオンビームエッチ
ングにて除去し、残ったTaをRuをエッチングストッパと
して用いてF系のガスを用いたドライエッチングにより
除去する等の手法を用いる。電極膜３のみを除去するた
めにはＳＩＭＳや発光解析による終点検知を行うのが有
効である。
【００１６】この際に、エッチング条件を最適化するこ
とにより、電極膜の端部をより垂直に近ずけることが可
能であり、垂直に近ずければ近ずけるほど電流が磁気抵
抗効果膜２の中央部に集中しやすくなり、感度プロファ
イルが改善される。
【００１７】さらに図１(c)に示すようにレジスト６を
塗布した後、レジスト７を塗布し、感光、現像を行い図
２(d)の構造を形成する。この時、レジスト７によって
形成されるパターンはレジスト４、５によって形成され
た２つのパターンの間を埋めるだけで良く、寸法精度お
よび合わせ精度は低くても構わない。図５(b)のように
レジスト６および７に大きな合わせずれが発生しない限
り、図５(a)のように合わせずれが発生しても、電極膜
３の乗り上げ量には影響を与えない。
【００１８】続いて図２(d)に示したレジストパターン
を用いて磁気抵抗効果膜２のエッチングを、ミーリング
やイオンビームエッチング等のドライエッチングによっ
て行い、引き続き、磁区制御膜８、外側電極膜９をスパ
ッタリング、真空蒸着法、イオンビームデポジション等
によって形成し、図２(e)の状態とする。電極膜３と外
側電極膜９は電気的に接続される。
【００１９】この際、磁区制御膜８はCoCr合金、CoCrPt
合金、Sｍ合金などである。又、外側電極膜９はたとえ
ばTa,W,Ir,Rt,Ru,Rh,Nb,Moやこれらの合金、これらの金
属とAu,Ag,Cu等の低抵抗材料との積層膜を用いる。
【００２０】次にウエハをレジスト剥離液に浸したり、
剥離液を吹き付けることにより図２(f)のようにレジス
トパターンを除去する。
【００２１】さらに上部ギャップ膜１０をAl2O3やSiO2
等の酸化物もしくはこれらの混合物や積層膜を、スパッ
タリングや真空蒸着法あるいはCVD法などにより、磁気
抵抗効果膜２、電極膜３および外側電極膜９の上に5〜3
0ｎｍ程度の厚さに形成することにより、電極膜３が磁
気抵抗効果膜２の上に左右対称に乗り上げた磁気抵抗効
果型ヘッドを形成することができる。
【００２２】上記の実施例において、図示はされていな
いが、下部ギャップ膜１の下には下部磁気シールドが形
成され、上部ギャップ膜１０の上には上部磁気シールド
が形成される。
【００２３】このようにして形成された磁気抵抗効果型
再生ヘッドの上に、誘導型書込みヘッドを積層すること
により、複合ヘッドとしての磁気抵抗効果型ヘッドが完
成する。
【００２４】図３および図４に本発明の第２の実施例を
示す。
【００２５】図３(a)において磁気抵抗効果膜２、反強
磁性膜１１及び電極膜３を下部ギャップ膜１の上にスパ
ッタリングや真空蒸着法等の方法で作成する。磁気抵抗
効果膜２と反強磁性膜１１と電極膜３は減圧下で連続し
て成膜し、接触抵抗の増加を防止する。下部ギャップ膜
１にはAl2O3やSiO2等の酸化物もしくはこれらの混合物
や積層膜が用いられ、スパッタリングや真空蒸着法ある
いはCVD法などにより5〜30ｎｍ程度の厚さに形成され
る。
【００２６】磁気抵抗効果膜２は反強磁性膜、固定層、
導電性非磁性膜および自由層から構成された膜である。
磁気抵抗効果膜２の上には保護膜としてTaを積層した
り、ドライエッチングで除去されにくくエッチング時の
ストッパとなりうるRuを積層しても良い。
【００２７】また、電極膜３は比抵抗が小さく、エレク
トロマイグレーション耐性が高いものが望ましい。たと
えばTa,W,Ir,Rt,Ru,Rh,Nb,Moやこれらの合金、これらの
金属とAu,Ag,Cu等の低抵抗材料との積層膜を用いる。
【００２８】また、反強磁性膜１１は磁気抵抗効果膜２
で用いた反強磁性膜とブロッキング温度が異なる材料を
選択する必要がある。
【００２９】次に露光に対して感度を持たず、現像液に
対する溶解性がレジスト５より大きいレジスト４と、レ
ジスト５を積層して露光・現像を行うことにより図３
(a)の形状のレジストパターンを形成する。
【００３０】次に図３(b)に示すようにミーリング、イ
オンビームエッチング又はドライエッチング等の手法を
組み合わせて電極膜３、反強磁性膜１１のみを除去す
る。電極膜３、反強磁性膜１１のみを除去するためには
ＳＩＭＳや発光解析による終点検知を行うのが有効であ
る。
【００３１】この際に、エッチング条件を最適化するこ
とにより、電極膜及び反強磁性膜の端部をより垂直に近
ずけることが可能であり、垂直に近ずければ近ずけるほ
ど電流が磁気抵抗効果膜２の中央部に集中しやすくな
り、感度プロファイルが改善される。
【００３２】さらに図３(c)に示すようにレジスト６を
塗布した後、レジスト７を塗布し、感光、現像を行い図
４(d)の構造を形成する。
【００３３】この時、レジスト７によって形成されるパ
ターンはレジスト４、５によって形成された２つのパタ
ーンの間を埋めるだけで良く、寸法精度および合わせ精
度は低くても構わない。
【００３４】図４(d)に示したレジストパターンを用い
て磁気抵抗効果膜２のエッチングをミーリングやイオン
ビームエッチング等のドライエッチングによって行い、
引き続き、磁区制御膜８、外側電極膜９をスパッタリン
グ、真空蒸着法、イオンビームデポジション等によって
形成し、図４(e)の状態とする。
【００３５】この際、磁区制御膜８はCoCr合金、CoCrPt
合金、Sｍ合金などである。又、外側電極膜９はたとえ
ばTa,W,Ir,Rt,Ru,Rh,Nb,Moやこれらの合金、これらの金
属とAu,Ag,Cu等の低抵抗材料との積層膜を用いる。
【００３６】次にウエハをレジスト剥離液に浸したり、
剥離液を吹き付けることにより図４(f)のようにレジス
トパターンを除去する。
【００３７】さらに上部ギャップ膜１０をAl2O3やSiO2
等の酸化物もしくはこれらの混合物や積層膜をスパッタ
リングや真空蒸着法あるいはCVD法などにより5〜30ｎｍ
程度の厚さに形成することにより、電極膜３が磁気抵抗
効果膜２の上に左右対称に乗り上げた磁気抵抗効果型再
生ヘッドを形成することができる。
【００３８】上記第２の実施例においても、図示されて
いないが、下部ギャップ膜１の下には下部磁気シールド
が形成され、上部ギャップ膜１０の上には上部磁気シー
ルドが形成される。
【００３９】このようにして形成された磁気抵抗効果型
再生ヘッドの上に、誘導型書込みヘッドを積層すること
により、複合ヘッドとしての磁気抵抗効果型ヘッドが完
成する。
【００４０】このように本発明の製造方法は、記録密度
が向上してトラック幅が小さくなってきたときに一層の
効果を発揮し、ＣＰＰ−ＧＭＲやＴＭＲ素子を設置した
形式の磁気ヘッドにも適用出来るものである。
【００４１】前記第１及び第２の実施例による磁気抵抗
効果型再生ヘッドを搭載した磁気ディスク記憶装置を図
６に示す。複合ヘッドとしての磁気抵抗効果型ヘッド１
００はヘッド支持機構１０３bに支持され、ボイスコイ
ルモータ１０３aにより回転駆動され、スピンドルモー
タ等の駆動部１０２により回転駆動されている磁気ディ
スク１０１の任意のトラックに位置決めされ、情報の記
録再生を行う。
【００４２】
【発明の効果】レジストパターンを二層重ねるプロセス
を採用することで合わせずれを許容し、磁気抵抗効果膜
上への電極乗り上げを左右対称とし、感度プロファイル
が左右対称な磁気抵抗効果型ヘッドを歩留まり良く製造
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す製造工程図であ
る。
【図２】図１に続く本発明の第１の実施例を示す製造工
程図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す製造工程図であ
る。
【図４】図３に続く本発明の第２の実施例を示す製造工
程図である。
【図５】本発明における二層のレジストパターンに合わ
せずれが生じた状態を示す模式図である。
【図６】本発明による磁気抵抗効果型ヘッドを用いた磁
気ディスク記憶装置を示す構成図である。
【符号の説明】
１・・・下部ギャップ膜 ２・・・磁気抵抗効果膜 ３・・・電極膜 ４・・・レジストパターン ５・・・レジストパターン ６・・・レジストパターン ７・・・レジストパターン ８・・・磁区制御膜 ９・・・外側電極膜 １０・・・上部ギャップ膜 １１・・・反強磁性膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒沢 正敏 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージ事業部内 (72)発明者 小島 修一 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージ事業部内 (72)発明者 森尻 誠 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージ事業部内 Ｆターム(参考） 5D034 BA02 BA09 DA07

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下部ギャップ膜の上に磁気抵抗効果膜お
    よび電極膜を形成し、前記電極膜の上に間隔を置いて一
    層目のレジストパターンを形成し、該レジストパターン
    を用いて前記電極膜をエッチングし、前記電極膜が除去
    された前記磁気抵抗効果膜および前記一層目のレジスト
    パターンの上に二層目のレジストパターンを形成し、前
    記一層目および二層目のレジストパターンを用いて前記
    磁気抵抗効果膜をエッチングし、該磁気抵抗効果膜が除
    去された部分に磁区制御膜および外側電極膜を形成し、
    前記一層目および二層目のレジストパターンを除去し、
    前記磁気抵抗効果膜、電極膜および外側電極膜の上に上
    部ギャップ膜を形成することを特徴とする磁気抵抗効果
    型再生ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記下部ギャップ膜の下には下部磁気シ
    ールドが形成され、前記上部ギャップ膜の上には上部磁
    気シールドが形成されることを特徴とする請求項１記載
    の磁気抵抗効果型再生ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記磁気抵抗効果膜と電極膜は真空を破
    ることなく連続して成膜されることを特徴とする請求項
    １または２記載の磁気抵抗効果型再生ヘッドの製造方
    法。
  4. 【請求項４】 下部ギャップ膜の上に反強磁性膜、固定
    層、導電性非磁性膜および自由層を有する磁気抵抗効果
    膜を形成し、該磁気抵抗効果膜の自由層の上に反強磁性
    膜および電極膜を形成し、前記電極膜の上に間隔を置い
    て一層目のレジストパターンを形成し、該レジストパタ
    ーンを用いて前記電極膜と反強磁性膜をエッチングし、
    前記電極膜と反強磁性膜が除去された前記磁気抵抗効果
    膜および前記一層目のレジストパターンの上に二層目の
    レジストパターンを形成し、前記一層目および二層目の
    レジストパターンを用いて前記磁気抵抗効果膜をエッチ
    ングし、該磁気抵抗効果膜が除去された部分に磁区制御
    膜および外側電極膜を形成し、前記一層目および二層目
    のレジストパターンを除去し、前記磁気抵抗効果膜、電
    極膜および外側電極膜の上に上部ギャップ膜を形成する
    ことを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッドの製造方
    法。
  5. 【請求項５】 前記下部ギャップ膜の下には下部磁気シ
    ールドが形成され、前記上部ギャップ膜の上には上部磁
    気シールドが形成されることを特徴とする請求項４記載
    の磁気抵抗効果型再生ヘッドの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記磁気抵抗効果膜、反強磁性膜および
    電極膜は真空を破ることなく連続して成膜されることを
    特徴とする請求項４または５記載の磁気抵抗効果型再生
    ヘッドの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040052005A1 (en) * 2002-09-12 2004-03-18 International Business Machines Corporation Thin film head reader with lead overlay a method of fabrication thereof
US7064935B2 (en) * 2003-06-17 2006-06-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherland B.V. Magnetoresistive sensor having leads with vertical end walls
US7500303B2 (en) * 2006-05-19 2009-03-10 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of fabricating a magnetic sensor on a wafer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000020916A (ja) * 1998-07-01 2000-01-21 Hitachi Ltd 誘導型薄膜磁気ヘッド
US6434814B1 (en) * 1998-12-16 2002-08-20 International Business Machines Corporation Method of manufacturing a magnetic head including a read head with read track width defining layer that planarizes the write gap layer of a write head
JP3909630B2 (ja) * 1999-03-15 2007-04-25 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP3843194B2 (ja) * 1999-05-19 2006-11-08 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7675715B2 (en) 2004-09-15 2010-03-09 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive head and fabricating method thereof, and read write separation type head

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