JP2002063702A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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JP2002063702A JP2000250736A JP2000250736A JP2002063702A JP 2002063702 A JP2002063702 A JP 2002063702A JP 2000250736 A JP2000250736 A JP 2000250736A JP 2000250736 A JP2000250736 A JP 2000250736A JP 2002063702 A JP2002063702 A JP 2002063702A
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thin
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Naoto Matono
直人 的野
Tetsuya Kuwajima
哲哉 桑島
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TDK Corp
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SAE Magnetics HK Ltd
TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁路の途中での磁束の飽和を防止しながら、
記録すべき領域以外の領域におけるデータの書き込みや
消去を防止する。 【解決手段】 上部磁極層１３は、一端部がエアベアリ
ング面３０に配置され、記録トラック幅に等しい一定の
幅を有し、磁極部分を含む第１の部分１３Ａと、第１の
部分１３Ａの他端部に連結され、ヨーク部分を含む第２
の部分１３Ｂとを有している。上部磁極層１３の第１の
部分１３Ａと下部磁極層８とが記録ギャップ層９を介し
て対向する部分では、第１の部分１３Ａ、記録ギャップ
層９および下部磁極層８の記録ギャップ層９側の一部の
幅が等しくされている。上部磁極層１３の第１の部分１
３Ａでは、エアベアリング面３０から所定の位置までの
領域１３Ａｅにおける厚さが、この領域１３Ａｅに隣接
する上部磁極層１３の他の部分における厚さよりも小さ
くなっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗効果素子（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）素子と
も記す。）を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合
型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】記録ヘッドは、それぞれエアベアリング面
側において互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層お
よび上部磁極層と、下部磁極層の磁極部分と上部磁極層
の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層と、少な
くとも一部が下部磁極層および上部磁極層に対して絶縁
された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。
【０００４】ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、下部磁極層の磁極
部分と上部磁極層の磁極部分のエアベアリング面での
幅、すなわち記録トラック幅を数ミクロンからサブミク
ロン寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実
現する必要があり、これを達成するために半導体加工技
術が利用されている。
【０００５】また、従来より、下部磁極層の磁極部分と
上部磁極層の磁極部分との間における磁束の広がりによ
る実効的な記録トラック幅の増加を防止するために、上
部磁極層の磁極部分の幅と下部磁極層の磁極部分の少な
くとも一部の幅を等しくした構造が採用されている。こ
の構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。
【０００６】図２１は、記録ヘッドにおける磁極部分近
傍の構造の一例を示す斜視図である。この例では、下部
磁極層１０８の上に記録ギャップ層１０９が形成されて
いる。記録ギャップ層１０９の上には、図示しない薄膜
コイルと、この薄膜コイルを覆う絶縁層１１２が形成さ
れている。絶縁層１１２のエアベアリング面１３０側の
端部は、エアベアリング面１３０から所定の位置に配置
され、スロートハイトを規定する。なお、スロートハイ
トとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向す
る部分の、エアベアリング面１３０側の端部から反対側
の端部までの長さ（高さ）をいう。記録ギャップ層１０
９および絶縁層１１２の上には上部磁極層１１３が形成
されている。
【０００７】上部磁極層１１３は、磁極部分を含む第１
の部分１１３Ａと、ヨーク部分を含む第２の部分１１３
Ｂとを有している。第１の部分１１３Ａの幅は、一定で
あり、且つ記録トラック幅に等しくなっている。第２の
部分１１３Ｂの幅は、第１の部分１１３Ａとの境界位置
では第１の部分１１３Ａの幅に等しく、エアベアリング
面１３０から遠ざかるに従って徐々に大きくなった後、
一定になっている。
【０００８】第１の部分１１３Ａにおいて、そのエアベ
アリング面１３０側の端部から絶縁層１１２のエアベア
リング面１３０側の端部の位置までの部分は記録ギャッ
プ層１０９の上に配置され、他の部分は絶縁層１１２の
上に配置されている。第２の部分１１３Ｂの大部分は絶
縁層１１２の上に配置されている。第２の部分１１３Ｂ
において、エアベアリング面１３０とは反対側の端部近
傍の部分は記録ギャップ層１０９に形成されたコンタク
トホールを介して下部磁極層１０８に接続されている。
【０００９】上部磁極層１１３の第１の部分１１３Ａと
下部磁極層１０８とが記録ギャップ層１０９を介して対
向する部分では、第１の部分１１３Ａ、記録ギャップ層
１０９および下部磁極層１０８の記録ギャップ層１０９
側の一部の幅が等しくされた構造、すなわちトリム構造
が形成されている。
【００１０】図２１に示したようなトリム構造は、例え
ば以下のような工程によって形成される。すなわち、ま
ず、上部磁極層１１３における第２の部分１１３Ｂのう
ち、幅が変化する部分の途中の位置からエアベアリング
面１３０とは反対側の部分を、フォトレジストよりなる
エッチングマスクで覆う。次に、エッチングマスクによ
って覆われていない上部磁極層１１３の第１の部分１１
３Ａをマスクにして、記録ギャップ層１０９および下部
磁極層１０８の記録ギャップ層１０９側の一部を、ドラ
イエッチングによってエッチングする。記録ギャップ層
１０９のエッチングには例えば反応性イオンエッチング
が用いられ、下部磁極層１０８のエッチングには例えば
イオンビームエッチング（イオンミリング）が用いられ
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜磁気ヘッド
では、上部磁極層１１３の第１の部分１１３Ａの厚さは
一定になっていた。
【００１２】しかしながら、上部磁極層１１３の第１の
部分１１３Ａの幅、すなわち記録トラック幅が例えば１
μｍ以下まで小さくなると、第１の部分１１３Ａの途中
で磁束が飽和し、薄膜コイルで発生した起磁力を効率よ
く記録に利用することができなくなる可能性がある。
【００１３】これを防止するために、上部磁極層１１３
の第１の部分１１３Ａの厚さを大きくすることが考えら
れる。ところが、ハードディスク装置では、下部磁極層
１０８および上部磁極層１１３の各面に垂直な方向とト
ラック方向との間には傾き（スキュー）がある。そのた
め、上部磁極層１１３の第１の部分１１３Ａの厚さを大
きくすると、記録媒体に対して、本来、記録すべき領域
以外の領域にもデータを書き込んでしまう、いわゆるサ
イドライトや、記録すべき領域以外の領域におけるデー
タを消去してしまう、いわゆるサイドイレーズが発生す
るという問題点がある。
【００１４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、トラック幅を小さくした場合でも、
磁路の途中での磁束の飽和を防止することができると共
に、記録すべき領域以外の領域におけるデータの書き込
みや消去を防止できるようにした薄膜磁気ヘッドおよび
その製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に
連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部
分を含む第１および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁
極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギ
ャップ層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層
の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状
態で設けられた薄膜コイルとを備え、第２の磁性層は、
一端部が媒体対向面に配置され、記録トラック幅に等し
い一定の幅を有し、磁極部分を含む第１の部分と、第１
の部分の他端部に連結され、ヨーク部分を含む第２の部
分とを有し、第１の部分の一端部から所定の位置までの
領域における厚さは、この領域に隣接する第２の磁性層
の他の部分における厚さよりも小さいものである。
【００１６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結さ
れ、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含
む第１および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分
と第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ
層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間
に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドを製造
する方法であって、第１の磁性層を形成する工程と、第
１の磁性層の上にギャップ層を形成する工程と、ギャッ
プ層の上に第２の磁性層を形成する工程と、少なくとも
一部が第１および第２の磁性層の間に、この第１および
第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置されるよう
に、薄膜コイルを形成する工程とを備え、第２の磁性層
は、一端部が媒体対向面に配置され、記録トラック幅に
等しい一定の幅を有し、磁極部分を含む第１の部分と、
第１の部分の他端部に連結され、ヨーク部分を含む第２
の部分とを有し、第１の部分の一端部から所定の位置ま
での領域における厚さは、この領域に隣接する第２の磁
性層の他の部分における厚さよりも小さいものである。
【００１７】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、第２の磁性層の第１の部分の一端部から所定の
位置までの領域における厚さが、この領域に隣接する第
２の磁性層の他の部分における厚さよりも小さいことか
ら、第２の磁性層において、磁路の途中での磁束の飽和
を防止しながら、媒体対向面における第１の部分の厚さ
を小さくすることが可能になる。
【００１８】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法において、第１の部分の前記領域における厚さは、前
記領域に隣接する第２の磁性層の他の部分における厚さ
の３０％から９５％の範囲内であってもよい。
【００１９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、前記の所定の位置は、第１の部分の
一端部より０．５μｍ離れた位置から、第１の部分と第
２の部分との境界位置までの範囲内に存在してもよい。
【００２０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、前記の所定の位置は、第１の部分の
一端部より第１の部分の長さの７分の１の距離だけ離れ
た位置から、第１の部分と第２の部分との境界位置まで
の範囲内に存在してもよい。
【００２１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、第１の磁性層の磁極部分におけるギ
ャップ層側の少なくとも一部の幅は、第１の部分の幅と
等しくてもよい。
【００２２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、第２の磁性層となる層を部分的にエッチング
することによって、第１の部分の前記領域における厚さ
を、前記領域に隣接する第２の磁性層の他の部分におけ
る厚さよりも小さくしてもよい。この場合、エッチング
には、エッチングマスクを使用するドライエッチングが
用いられてもよいし、エッチングマスクを使用しない局
部的なエッチングが用いられてもよい。
【００２３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、更に、第１の部分における媒体対向面に隣接する少
なくとも一部をマスクとして、第１の磁性層の磁極部分
におけるギャップ層側の少なくとも一部をエッチングす
ることによって、第１の磁性層の磁極部分におけるギャ
ップ層側の少なくとも一部の幅を第１の部分の幅と等し
くするトリム工程を備えていてもよい。
【００２４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、トリム工程において、同時に、第２の磁性層
となる層を部分的にエッチングすることによって、第１
の部分の前記領域における厚さを、前記領域に隣接する
第２の磁性層の他の部分における厚さよりも小さくして
もよい。この場合、エッチングには、エッチングマスク
を使用するドライエッチングが用いられてもよい。
【００２５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、トリム工程の後に、第２の磁性層となる層を
部分的にエッチングすることによって、第１の部分の前
記領域における厚さを、前記領域に隣接する第２の磁性
層の他の部分における厚さよりも小さくしてもよい。こ
の場合、トリム工程におけるエッチングおよび第２の磁
性層となる層のエッチングには、エッチングマスクを使
用するドライエッチングが用いられてもよい。また、ト
リム工程におけるエッチングには、エッチングマスクを
使用するドライエッチングが用いられ、第２の磁性層と
なる層のエッチングには、エッチングマスクを使用しな
い局部的なエッチングが用いられてもよい。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］始めに、図１ないし図３を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
構成について説明する。図１は本実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの断面図である。図１において、（ａ）はエ
アベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分
のエアベアリング面に平行な断面を示している。また、
図２は本実施の形態における上部磁極層の形状を示す平
面図、図３は本実施の形態における上部磁極層の形状を
示す斜視図である。
【００２７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、ア
ルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よ
りなる基板１と、この基板１の上に形成された絶縁材料
よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に形成された再
生ヘッドと、この再生ヘッドの上に形成された記録ヘッ
ドと、この記録ヘッドを覆う保護層１５とを備えてい
る。また、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体
対向面としてのエアベアリング面３０を備えている。
【００２８】再生ヘッドは、絶縁層２の上に形成された
磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部シール
ド層３の上に形成された絶縁材料よりなる下部シールド
ギャップ膜４と、一端部がエアベアリング面３０に配置
されるように、下部シールドギャップ膜４の上に形成さ
れた再生用のＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）５と、下部
シールドギャップ膜４の上に形成され、ＭＲ素子５に電
気的に接続された一対の電極層６と、下部シールドギャ
ップ膜４、ＭＲ素子５および電極層６を覆うように形成
された上部シールドギャップ膜７と、この上部シールド
ギャップ膜７の上に形成された磁性材料よりなる上部シ
ールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）８
とを備えている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気
抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子ある
いはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗
効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。
【００２９】記録ヘッドは、下部磁極層８と、この下部
磁極層８の上に形成された絶縁材料よりなる記録ギャッ
プ層９と、この記録ギャップ層９の上において、薄膜コ
イルを形成する部分に形成された絶縁層１０と、この絶
縁層１０の上に形成された導電性材料よりなる薄膜コイ
ル１１と、この薄膜コイル１１を覆うように形成された
絶縁層１２と、記録ギャップ層９および絶縁層１２の上
に形成された磁性材料からなる記録ヘッド用の上部磁極
層１３とを備えている。保護層１５は、アルミナ等の絶
縁材料よりなり、上部磁極層１３を覆うように形成され
ている。絶縁層１２のエアベアリング面３０側の端部
は、エアベアリング面３０から所定の位置に配置され、
スロートハイトを規定する。
【００３０】下部磁極層８のエアベアリング面３０側の
一部である磁極部分と、上部磁極層１３のエアベアリン
グ面３０側の一部である磁極部分は、記録ギャップ層９
を介して互いに対向している。上部磁極層１３の磁極部
分は、記録トラック幅に等しい幅を有している。また、
上部磁極層１３のエアベアリング面３０とは反対側の端
部は、記録ギャップ層９に形成されたコンタクトホール
９ａを介して下部磁極層８に接続され、磁気的に連結さ
れている。薄膜コイル１１はコンタクトホール９ａの回
りに巻回されている。
【００３１】このように、本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリ
ング面３０）と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えてい
る。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、エアベアリング面３
０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置さ
れた、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層
３および上部シールド層（下部磁極層８）とを有してい
る。
【００３２】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部
分を含む下部磁極層８および上部磁極層１３と、この下
部磁極層８の磁極部分と上部磁極層１３の磁極部分との
間に設けられた記録ギャップ層９と、少なくとも一部が
下部磁極層８および上部磁極層１３の間に、これらに対
して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１１とを有
している。
【００３３】本実施の形態では、下部磁極層８が本発明
における第１の磁性層に対応し、上部磁極層１３が本発
明における第２の磁性層に対応する。また、エッチング
前の上部磁極層１３は、本発明における第２の磁性層と
なる層に対応する。
【００３４】図２および図３に示したように、上部磁極
層１３は、一端部がエアベアリング面３０に配置され、
記録トラック幅に等しい一定の幅を有し、磁極部分を含
む第１の部分１３Ａと、第１の部分１３Ａの他端部に連
結され、ヨーク部分を含む第２の部分１３Ｂとを有して
いる。第２の部分１３Ｂの幅は、第１の部分１３Ａとの
境界位置では第１の部分１３Ａの幅に等しく、エアベア
リング面３０から遠ざかるに従って徐々に大きくなった
後、一定になっている。
【００３５】第１の部分１３Ａにおいて、そのエアベア
リング面３０側の端部から絶縁層１２のエアベアリング
面３０側の端部の位置までの部分は記録ギャップ層９の
上に配置され、他の部分は絶縁層１２の上に配置されて
いる。第２の部分１３Ｂの大部分は絶縁層１２の上に配
置されている。第２の部分１３Ｂにおいて、エアベアリ
ング面３０とは反対側の端部近傍の部分はコンタクトホ
ール９ａを介して下部磁極層８に接続されている。
【００３６】また、上部磁極層１３の第１の部分１３Ａ
と下部磁極層８とが記録ギャップ層９を介して対向する
部分では、第１の部分１３Ａ、記録ギャップ層９および
下部磁極層８の記録ギャップ層９側の少なくとも一部の
幅が等しくされた構造、すなわちトリム構造が形成され
ている。
【００３７】また、上部磁極層１３の第１の部分１３Ａ
では、エアベアリング面３０から所定の位置までの領域
１３Ａｅにおける厚さは、この領域１３Ａｅに隣接する
上部磁極層１３の他の部分における厚さよりも小さくな
っている。第１の部分１３Ａの領域１３Ａｅにおける厚
さは、領域１３Ａｅに隣接する上部磁極層１３の他の部
分における厚さの３０％から９５％の範囲内であること
が好ましい。
【００３８】また、領域１３Ａｅを規定する前記の所定
の位置（以下、厚さ変化位置と言う。）は、距離を絶対
的な数値で表した場合には、エアベアリング面３０より
０．５μｍ離れた位置から、第１の部分１３Ａと第２の
部分１３Ｂとの境界位置までの範囲内に存在するのが好
ましい。また、厚さ変化位置は、距離を第１の部分１３
Ａの長さ（エアベアリング面３０に垂直な方向の長さ）
に対する割合で表した場合には、エアベアリング面３０
より第１の部分１３Ａの長さの７分の１の距離だけ離れ
た位置から、第１の部分１３Ａと第２の部分１３Ｂとの
境界位置までの範囲内に存在するのが好ましい。
【００３９】次に、図４ないし図７を参照して、本実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明す
る。なお、図４ないし図７において、（ａ）はエアベア
リング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエア
ベアリング面に平行な断面を示している。
【００４０】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図４に示したように、アルティック
（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板
１の上に、スパッタ法等によって、アルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等の絶縁材料よりな
る絶縁層２を、例えば１〜２０μｍの厚さに形成する。
次に、絶縁層２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用
の下部シールド層３を、例えば０．１〜５μｍの厚さに
形成する。下部シールド層３に用いる磁性材料は、Ｆｅ
ＡｉＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、Ｆｅ
Ｎ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒ
Ｔａ等である。下部シールド層３は、スパッタ法または
めっき法等によって形成される。
【００４１】次に、下部シールド層３の上に、スパッタ
法等によって、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁材料よりな
る下部シールドギャップ膜４を、例えば１０〜２００ｎ
ｍの厚さに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４
の上に、スパッタ法等によって、再生用のＭＲ素子５
を、例えば数十ｎｍの厚さに形成する。次に、下部シー
ルドギャップ膜４の上に、スパッタ法等によって、ＭＲ
素子５に電気的に接続される一対の電極層６を、数十ｎ
ｍの厚さに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４
およびＭＲ素子５の上に、スパッタ法等によって、Ａｌ
2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁材料よりなる上部シールドギャ
ップ膜７を、例えば１０〜２００ｎｍの厚さに形成す
る。
【００４２】なお、上記の再生ヘッドを構成する各層
は、レジストパターンを用いた一般的なエッチング方法
やリフトオフ法やこれらを併用した方法によってパター
ニングされる。
【００４３】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる下部磁極層８を、例えば０．５〜４．０μｍの
厚さに形成する。なお、下部磁極層８に用いる磁性材料
は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟
磁性材料である。下部磁極層８は、スパッタ法またはめ
っき法等によって形成される。
【００４４】次に、下部磁極層８の上に、スパッタ法等
によって、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁材料よりなる記
録ギャップ層９を、例えば１０〜５００ｎｍの厚さに形
成する。次に、磁路形成のために、後述する薄膜コイル
の中心部分において、記録ギャップ層９を部分的にエッ
チングしてコンタクトホール９ａを形成する。
【００４５】次に、記録ギャップ層９の上において、薄
膜コイルを形成する部分に、例えば熱硬化させたフォト
レジストよりなる絶縁層１０を形成する。次に、絶縁層
１０の上に、フレームめっき法等によって、Ｃｕ等の導
電性材料よりなる薄膜コイル１１を形成する。次に、絶
縁層１０および薄膜コイル１１を覆うように、例えば熱
硬化させたフォトレジストよりなる絶縁層１２を形成す
る。薄膜コイル１１は、コンタクトホール９ａの回りに
巻回される。
【００４６】次に、エアベアリング面３０から絶縁層１
２の上を経て、コンタクトホール９ａにかけて、磁性材
料からなる記録ヘッド用の上部磁極層１３を、例えば３
〜５μｍの厚さに形成する。なお、上部磁極層１３に用
いる磁性材料は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、
ＦｅＮ等の軟磁性材料である。
【００４７】下部磁極層８および上部磁極層１３のう
ち、エアベアリング面３０側において記録ギャップ層９
を介して互いに対向する部分が、それぞれ下部磁極層８
の磁極部分および上部磁極層１３の磁極部分である。本
実施の形態では、上部磁極層１３の磁極部分は、記録ト
ラック幅に等しい幅を有し、記録トラック幅を規定して
いる。また、下部磁極層８と上部磁極層１３は、コンタ
クトホール９ａを介して互いに磁気的に連結されてい
る。既に説明したように、上部磁極層１３は、第１の部
分１３Ａと第２の部分１３Ｂとを有している。
【００４８】第１の部分１３Ａにおいて、そのエアベア
リング面３０側の端部から絶縁層１２のエアベアリング
面３０側の端部の位置までの部分は記録ギャップ層９の
上に配置され、他の部分は絶縁層１２の上に配置され
る。第２の部分１３Ｂの大部分は絶縁層１２の上に配置
される。第２の部分１３Ｂにおいて、エアベアリング面
３０とは反対側の端部近傍の部分はコンタクトホール９
ａを介して下部磁極層８に接続される。
【００４９】次に、図５に示したように、上部磁極層１
３において、第１の部分１３Ａにおける所定の位置（厚
さ変化位置となる位置）からエアベアリング面３０とは
反対側の部分を、フォトレジストよりなるエッチングマ
スク１４で覆う。図８は、図５に示した状態の積層体の
平面図である。所定の位置は、距離を絶対的な数値で表
した場合には、エアベアリング面３０より０．５μｍ離
れた位置から、第１の部分１３Ａと第２の部分１３Ｂと
の境界位置までの範囲内に存在するのが好ましい。ま
た、所定の位置は、距離を第１の部分１３Ａの長さ（エ
アベアリング面３０に垂直な方向の長さ）に対する割合
で表した場合には、エアベアリング面３０より第１の部
分１３Ａの長さの７分の１の距離だけ離れた位置から、
第１の部分１３Ａと第２の部分１３Ｂとの境界位置まで
の範囲内に存在するのが好ましい。
【００５０】次に、図６に示したように、上部磁極層１
３の第１の部分１３Ａのうち、エッチングマスク１４に
よって覆われていない部分をマスクにして、記録ギャッ
プ層９および下部磁極層８の磁極部分における記録ギャ
ップ層９側の少なくとも一部を、エッチングマスクを使
用するドライエッチングによってエッチングする。この
場合、記録ギャップ層９のエッチングには例えば反応性
イオンエッチングが用いられ、下部磁極層８のエッチン
グには例えばイオンビームエッチング（イオンミリン
グ）が用いられる。このエッチング工程は、本発明にお
けるトリム工程に対応する。
【００５１】上記のエッチングにより、上部磁極層１３
の第１の部分１３Ａと下部磁極層８とが記録ギャップ層
９を介して対向する部分では、第１の部分１３Ａ、記録
ギャップ層９および下部磁極層８の記録ギャップ層９側
の少なくとも一部の幅が等しくされた構造、すなわちト
リム構造が形成される。また、これと同時に、上部磁極
層１３の第１の部分１３Ａの上面では、エアベアリング
面３０から所定の位置までの領域１３Ａｅが部分的にエ
ッチングされる。その結果、領域１３Ａｅにおける厚さ
は、この領域１３Ａｅに隣接する上部磁極層１３の他の
部分における厚さよりも小さくなる。第１の部分１３Ａ
の領域１３Ａｅにおける厚さは、領域１３Ａｅに隣接す
る上部磁極層１３の他の部分における厚さの３０％から
９５％の範囲内であることが好ましい。
【００５２】次に、図７に示したように、エッチングマ
スク１４を除去する。次に、図１に示したように、スパ
ッタ法等によって、全体に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶
縁材料よりなる保護層１５を、例えば５〜５０μｍの厚
さに形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示し
ない電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含む
スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘ
ッドのエアベアリング面３０を形成して本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５３】ここで、第１の部分１３Ａの領域１３Ａｅ
を規定する厚さ変化位置の好ましい範囲と、領域１３Ａ
ｅに隣接する上部磁極層１３の他の部分における厚さに
対する第１の部分１３Ａの領域１３Ａｅにおける厚さの
割合（以下、磁極部分膜厚比と言う。）の好ましい範囲
とを求めるために行った実験の結果について説明する。
【００５４】図９は、第１の部分１３Ａと第２の部分１
３Ｂとの境界位置からの距離で表した厚さ変化位置と、
重ね書きする場合の特性であるオーバーライト特性（図
ではＯＷと記す。）および非線形トランジションシフト
（Non-linear Transition Shift；以下、ＮＬＴＳと記
す。）との関係を調べた実験の結果の一例を示す特性図
である。オーバーライト特性は大きいほど良く、ＮＬＴ
Ｓは小さいほど良い。図９において、厚さ変化位置は、
第１の部分１３Ａと第２の部分１３Ｂとの境界位置より
もエアベアリング面３０側を負の値で表し、境界位置よ
りもエアベアリング面３０とは反対側を正の値で表して
いる。また、図９に示した例では、第１の部分１３Ａの
長さを３．５μｍとしている。図９では、エアベアリン
グ面３０の位置を記号ＡＢＳで示している。また、図９
に示した例では、領域１３Ａｅに隣接する上部磁極層１
３の他の部分における厚さを４．５μｍとし、第１の部
分１３Ａの領域１３Ａｅにおける厚さを３．０μｍとし
ている。この場合、磁極部分膜厚比は約６７％となる。
【００５５】図９から分かるように、第１の部分１３Ａ
に厚さの変化がない場合における特性（図９において記
号ＡＢＳで示した位置における特性）を基準にすると、
厚さ変化位置がエアベアリング面３０より０．５μｍ離
れた位置のときには、ＮＬＴＳが改善されている。この
とき、オーバーライト特性は若干劣化しているが、３０
ｄＢを越える十分な値になっている。厚さ変化位置が上
記の位置よりもエアベアリング面３０から遠ざかり、第
１の部分１３Ａと第２の部分１３Ｂとの境界位置に達す
るまでは、ＮＬＴＳは更に改善され、オーバーライト特
性は更に劣化する。ただし、この範囲でも、オーバーラ
イト特性は３０ｄＢを越える十分な値になっている。し
かし、厚さ変化位置が、第１の部分１３Ａと第２の部分
１３Ｂとの境界位置よりもエアベアリング面３０から遠
ざかると、ＮＬＴＳの更なる改善は見られないのに対
し、オーバーライト特性は劣化する。
【００５６】従って、厚さ変化位置は、距離を絶対的な
数値で表した場合には、エアベアリング面３０より０．
５μｍ離れた位置から、第１の部分１３Ａと第２の部分
１３Ｂとの境界位置までの範囲内に存在するのが好まし
い。また、厚さ変化位置は、距離を第１の部分１３Ａの
長さ（図９に示した例では３．５μｍ）に対する割合で
表した場合には、エアベアリング面３０より第１の部分
１３Ａの長さの７分の１の距離だけ離れた位置から、第
１の部分１３Ａと第２の部分１３Ｂとの境界位置までの
範囲内に存在するのが好ましい。
【００５７】図１０は、磁極部分膜厚比とオーバーライ
ト特性およびＮＬＴＳとの関係を調べた実験の結果の一
例を示す特性図である。なお、図１０に示した例では、
領域１３Ａｅに隣接する上部磁極層１３の他の部分にお
ける厚さを４．５μｍとしている。また、厚さ変化位置
は、第１の部分１３Ａと第２の部分１３Ｂとの境界位置
から１μｍだけエアベアリング面３０側の位置としてい
る。
【００５８】図１０から分かるように、磁極部分膜厚比
が１００％の場合、すなわち第１の部分１３Ａに厚さの
変化がない場合を基準にすると、磁極部分膜厚比が９５
％のときには、ＮＬＴＳが改善され、オーバーライト特
性の劣化はほとんど見られない。磁極部分膜厚比が９５
％よりも小さくなり３０％に達するまでは、磁極部分膜
厚比が１００％の場合を基準にしてＮＬＴＳの改善が見
られる。しかし、磁極部分膜厚比が３０％よりも小さく
なると、磁極部分膜厚比が１００％の場合に比べてＮＬ
ＴＳが劣化する。一方、オーバーライト特性は、磁極部
分膜厚比が５０％以上の場合には、３０ｄＢを越える十
分な値になっている。しかし、磁極部分膜厚比が５０％
よりも小さくなると、オーバーライト特性の劣化が大き
くなる。すなわち、磁極部分膜厚比が４０％の場合には
オーバーライト特性はほぼ３０ｄＢとなり、磁極部分膜
厚比が４０％よりも小さくなると、オーバーライト特性
は更に劣化する。
【００５９】従って、ＮＬＴＳの改善を重視すれば、磁
極部分膜厚比は３０％から９５％の範囲内であることが
好ましい。また、ＮＬＴＳの改善とオーバーライト特性
の劣化防止とを考慮すれば、磁極部分膜厚比は、４０％
から９５％の範囲内であることが好ましく、５０％から
９５％の範囲内であることがより好ましい。
【００６０】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、上部磁極層１３の第１の部分１３Ａにおいて、エア
ベアリング面３０から所定の位置までの領域１３Ａｅに
おける厚さを、この領域１３Ａｅに隣接する上部磁極層
１３の他の部分における厚さよりも小さくしたので、領
域１３Ａｅ以外の部分における上部磁極層１３の厚さを
大きくしながら、エアベアリング面３０における第１の
部分１３Ａの厚さを小さくすることが可能になる。従っ
て、本実施の形態によれば、記録トラック幅を小さくし
た場合でも、磁路の途中での磁束の飽和を防止すること
ができると共に、記録すべき領域以外の領域におけるデ
ータの書き込みや消去を防止することができる。
【００６１】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
について説明する。
【００６２】まず、図１１ないし図１３を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明す
る。図１１は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面
図である。図１１において、（ａ）はエアベアリング面
に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリン
グ面に平行な断面を示している。また、図１２は本実施
の形態における上部磁極層の形状を示す平面図、図１３
は本実施の形態における上部磁極層の形状を示す斜視図
である。
【００６３】図１１ないし図１３に示したように、本実
施の形態では、上部磁極層１３の厚さが２段階で変化し
ている。すなわち、上部磁極層１３では、第２の部分１
３Ｂにおいて幅が変化する部分の途中の位置からエアベ
アリング面３０側の部分の厚さが、他の部分における厚
さよりも小さくなっている。更に、本実施の形態では、
第１の実施の形態と同様に、上部磁極層１３の第１の部
分１３Ａでは、エアベアリング面３０から所定の位置ま
での領域１３Ａｅにおける厚さが、この領域１３Ａｅに
隣接する上部磁極層１３の他の部分における厚さよりも
小さくなっている。
【００６４】次に、図１４ないし図１９を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。なお、図１４ないし図１９において、（ａ）は
エアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部
分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００６５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、エッチング前の上部磁極層１３を形成する工
程までは第１の実施の形態と同様である。
【００６６】本実施の形態では、次に、図１４に示した
ように、上部磁極層１３において、上部磁極層１３にお
ける第２の部分１３Ｂのうち、幅が変化する部分の途中
の位置からエアベアリング面３０とは反対側の部分を、
フォトレジストよりなるエッチングマスク２１で覆う。
【００６７】次に、図１５に示したように、エッチング
マスク２１によって覆われていない上部磁極層１３の第
１の部分１３Ａをマスクにして、記録ギャップ層９およ
び下部磁極層８の記録ギャップ層９側の一部を、エッチ
ングマスクを使用するドライエッチングによってエッチ
ングする。この場合、記録ギャップ層９のエッチングに
は例えば反応性イオンエッチングが用いられ、下部磁極
層８のエッチングには例えばイオンビームエッチングが
用いられる。このエッチング工程は、本発明におけるト
リム工程に対応する。
【００６８】上記のエッチングにより、上部磁極層１３
の第１の部分１３Ａと下部磁極層８とが記録ギャップ層
９を介して対向する部分では、第１の部分１３Ａ、記録
ギャップ層９および下部磁極層８の記録ギャップ層９側
の少なくとも一部の幅が等しくされた構造、すなわちト
リム構造が形成される。また、これと同時に、上部磁極
層１３の上面では、エアベアリング面３０から、エッチ
ングマスク２１のエアベアリング面３０側の端部の位置
までの領域が部分的にエッチングされる。その結果、こ
の領域における厚さは、上部磁極層１３の他の部分にお
ける厚さよりも小さくなる。
【００６９】次に、図１６に示したように、エッチング
マスク２１を除去する。次に、図１７に示したように、
上部磁極層１３において、第１の部分１３Ａにおける所
定の位置（厚さ変化位置となる位置）からエアベアリン
グ面３０とは反対側の部分を、フォトレジストよりなる
エッチングマスク２２で覆う。所定の位置は、第１の実
施の形態の場合と同様である。
【００７０】次に、図１８に示したように、上部磁極層
１３の第１の部分１３Ａのうち、エッチングマスク２２
によって覆われていない部分を、エッチングマスクを使
用するドライエッチングによってエッチングする。この
エッチングには例えばイオンビームエッチングが用いら
れる。
【００７１】上記のエッチングにより、上部磁極層１３
の第１の部分１３Ａの上面では、エアベアリング面３０
から所定の位置までの領域１３Ａｅが部分的にエッチン
グされる。その結果、領域１３Ａｅにおける厚さは、こ
の領域１３Ａｅに隣接する上部磁極層１３の他の部分に
おける厚さよりも小さくなる。領域１３Ａｅに隣接する
上部磁極層１３の他の部分における厚さに対する第１の
部分１３Ａの領域１３Ａｅにおける厚さの割合（磁極部
分膜厚比）は、第１の実施の形態と同様である。
【００７２】次に、図１９に示したように、エッチング
マスク２２を除去する。次に、図１１に示したように、
全体に保護層１５を形成し、その表面を平坦化して、そ
の上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、
上記各層を含むスライダの研磨加工を行って、記録ヘッ
ドおよび再生ヘッドのエアベアリング面３０を形成して
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００７３】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００７４】［第３の実施の形態］次に、本発明の第３
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
について説明する。
【００７５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成
は、第２の実施の形態と同様であり、図１１に示したよ
うになる。
【００７６】次に、図２０を参照して、本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。な
お、図２０において、（ａ）はエアベアリング面に垂直
な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に
平行な断面を示している。
【００７７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、トリム工程を行い、エッチングマスク２１を
除去する工程までは第２の実施の形態と同様である。
【００７８】本実施の形態では、次に、図２０に示した
ように、エッチングマスクを使用しない局部的なエッチ
ングである集束イオンビーム（Focused Ion Beam）３１
によるエッチングを用いて、上部磁極層１３の第１の部
分１３Ａの上面のうち、エアベアリング面３０から所定
の位置までの領域１３Ａｅを部分的にエッチングする。
所定の位置は、第１の実施の形態の場合と同様である。
その結果、領域１３Ａｅにおける厚さは、この領域１３
Ａｅに隣接する上部磁極層１３の他の部分における厚さ
よりも小さくなる。領域１３Ａｅに隣接する上部磁極層
１３の他の部分における厚さに対する第１の部分１３Ａ
の領域１３Ａｅにおける厚さの割合（磁極部分膜厚比）
は、第１の実施の形態と同様である。
【００７９】次に、図１１に示したように、全体に保護
層１５を形成し、その表面を平坦化して、その上に、図
示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を
含むスライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再
生ヘッドのエアベアリング面３０を形成して本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００８０】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第２の実施の形態と同様である。
【００８１】本発明は、上記各実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば上記各実施の形態
では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上
に、書き込み用の誘導型電磁変換素子を積層した構造の
薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆
にしてもよい。
【００８２】つまり、基体側に書き込み用の誘導型電磁
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。
【００８３】また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。
【００８４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の薄膜磁気ヘ
ッドまたはその製造方法によれば、第２の磁性層におい
て、第１の部分の一端部から所定の位置までの領域にお
ける厚さを、この領域に隣接する第２の磁性層の他の部
分における厚さよりも小さくしたので、前記領域以外の
部分における第２の磁性層の厚さを大きくしながら、媒
体対向面における第１の部分の厚さを小さくすることが
可能になる。従って、本発明によれば、トラック幅を小
さくした場合でも、磁路の途中での磁束の飽和を防止す
ることができると共に、記録すべき領域以外の領域にお
けるデータの書き込みや消去を防止することができると
いう効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における上部磁極層
の形状を示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における上部磁極層
の形状を示す斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図８】図５に示した状態の積層体の平面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態における厚さ変化位
置とオーバーライト特性およびＮＬＴＳとの関係を調べ
た実験の結果の一例を示す特性図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態における磁極部分
膜厚比とオーバーライト特性およびＮＬＴＳとの関係を
調べた実験の結果の一例を示す特性図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態における上部磁極
層の形状を示す平面図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態における上部磁極
層の形状を示す斜視図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２０】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図２１】記録ヘッドにおける磁極部分近傍の構造の一
例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…下部磁極層、９…記録ギャップ層、１１…薄
膜コイル、１３…上部磁極層、１３Ａ…第１の部分、１
３Ｂ…第２の部分、１５…保護層、３０…エアベアリン
グ面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桑島 哲哉 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 BA07 BA12 BA22 CA01 CA02 DA08

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
    に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
    対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、前
    記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部
    分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が
    前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第
    ２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コ
    イルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、 前記第２の磁性層は、一端部が媒体対向面に配置され、
    記録トラック幅に等しい一定の幅を有し、磁極部分を含
    む第１の部分と、前記第１の部分の他端部に連結され、
    ヨーク部分を含む第２の部分とを有し、 前記第１の部分の前記一端部から所定の位置までの領域
    における厚さは、この領域に隣接する第２の磁性層の他
    の部分における厚さよりも小さいことを特徴とする薄膜
    磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記第１の部分の前記領域における厚さ
    は、前記領域に隣接する第２の磁性層の他の部分におけ
    る厚さの３０％から９５％の範囲内であることを特徴と
    する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記所定の位置は、前記第１の部分の前
    記一端部より０．５μｍ離れた位置から、前記第１の部
    分と前記第２の部分との境界位置までの範囲内に存在す
    ることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘ
    ッド。
  4. 【請求項４】 前記所定の位置は、前記第１の部分の前
    記一端部より前記第１の部分の長さの７分の１の距離だ
    け離れた位置から、前記第１の部分と前記第２の部分と
    の境界位置までの範囲内に存在することを特徴とする請
    求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記第１の磁性層の磁極部分におけるギ
    ャップ層側の少なくとも一部の幅は、前記第１の部分の
    幅と等しいことを特徴とする請求項１ないし４のいずれ
    かに記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
    に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
    対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、前
    記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部
    分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が
    前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第
    ２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コ
    イルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
    と、 少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
    この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
    配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを
    備え、 第２の磁性層は、一端部が媒体対向面に配置され、記録
    トラック幅に等しい一定の幅を有し、磁極部分を含む第
    １の部分と、前記第１の部分の他端部に連結され、ヨー
    ク部分を含む第２の部分とを有し、 前記第１の部分の前記一端部から所定の位置までの領域
    における厚さは、この領域に隣接する第２の磁性層の他
    の部分における厚さよりも小さいことを特徴とする薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記第１の部分の前記領域における厚さ
    は、前記領域に隣接する第２の磁性層の他の部分におけ
    る厚さの３０％から９５％の範囲内であることを特徴と
    する請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記所定の位置は、前記第１の部分の前
    記一端部より０．５μｍ離れた位置から、前記第１の部
    分と前記第２の部分との境界位置までの範囲内に存在す
    ることを特徴とする請求項６または７記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記所定の位置は、前記第１の部分の前
    記一端部より前記第１の部分の長さの７分の１の距離だ
    け離れた位置から、前記第１の部分と前記第２の部分と
    の境界位置までの範囲内に存在することを特徴とする請
    求項６または７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記第１の磁性層の磁極部分における
    ギャップ層側の少なくとも一部の幅は、前記第１の部分
    の幅と等しいことを特徴とする請求項６ないし９のいず
    れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  11. 【請求項１１】 第２の磁性層となる層を部分的にエッ
    チングすることによって、前記第１の部分の前記領域に
    おける厚さを、前記領域に隣接する第２の磁性層の他の
    部分における厚さよりも小さくすることを特徴とする請
    求項６ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記エッチングには、エッチングマス
    クを使用するドライエッチングが用いられることを特徴
    とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記エッチングには、エッチングマス
    クを使用しない局部的なエッチングが用いられることを
    特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  14. 【請求項１４】 更に、前記第１の部分における媒体対
    向面に隣接する少なくとも一部をマスクとして、前記第
    １の磁性層の磁極部分におけるギャップ層側の少なくと
    も一部をエッチングすることによって、前記第１の磁性
    層の磁極部分におけるギャップ層側の少なくとも一部の
    幅を前記第１の部分の幅と等しくするトリム工程を備え
    たことを特徴とする請求項６ないし９のいずれかに記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記トリム工程において、同時に、第
    ２の磁性層となる層を部分的にエッチングすることによ
    って、前記第１の部分の前記領域における厚さを、前記
    領域に隣接する第２の磁性層の他の部分における厚さよ
    りも小さくすることを特徴とする請求項１４記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記トリム工程におけるエッチングに
    は、エッチングマスクを使用するドライエッチングが用
    いられることを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記トリム工程の後に、第２の磁性層
    となる層を部分的にエッチングすることによって、前記
    第１の部分の前記領域における厚さを、前記領域に隣接
    する第２の磁性層の他の部分における厚さよりも小さく
    することを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記トリム工程におけるエッチングお
    よび第２の磁性層となる層のエッチングには、エッチン
    グマスクを使用するドライエッチングが用いられること
    を特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  19. 【請求項１９】 前記トリム工程におけるエッチングに
    は、エッチングマスクを使用するドライエッチングが用
    いられ、第２の磁性層となる層のエッチングには、エッ
    チングマスクを使用しない局部的なエッチングが用いら
    れることを特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
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