JP2000256373A - クロロメチルフェニル基含有有機けい素化合物の製造方法 - Google Patents

クロロメチルフェニル基含有有機けい素化合物の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】クロロメチルスチレン誘導体のラジカル重合を
効果的に抑制できるとともに、ヒドロシリル化反応の阻
害もなく、クロロメチルフェニル基を含有する有機けい
素化合物を製造する方法を提供する。 【解決手段】特定化合物の存在下、特定の化学構造を有
するクロロメチルスチレン誘導体と、Si−Hを含有す
る化合物とをヒドロシリル化反応させることを特徴とす
るクロロメチルフェニル基を含有する有機けい素化合物
の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、クロロメチルフェ
ニル基を含有する有機けい素化合物の製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】クロロメチルフェニル基を含有する有機
けい素化合物は、クロロメチルフェニル基上のクロロメ
チル基が高い反応性を持つことから、シランカップリン
グ剤、変性ポリシロキサン、変性ポリシルセスキオキサ
ン、シランカップリング剤の原料、変性ポリシロキサン
の原料、変性ポリシルセスキオキサンの原料として有用
であり、各種基材の表面処理剤、各種樹脂の変性材料な
ど幅広い用途に用いられている。
【0003】このようなクロロメチルフェニル基を含有
する有機けい素化合物の製造方法としては、クロロメチ
ルスチレン誘導体とSi−Hを含有する化合物とを、ヒ
ドロシリル化反応させる方法が知られている.また,ク
ロロメチルスチレン誘導体は、スチリル基という重合性
の部位を持っているため、製造,精製,保存,輸送時に
自発的に重合を起こし易い特性がある。クロロメチルス
チレン誘導体の重合の発生を抑制することを目的とし
て、ニトロフェノール類、ベンゾキノン類などの重合禁
止剤を使用することは従来から知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クロロ
メチルスチレン誘導体とSi−Hを含有する化合物と
を、ヒドロシリル化反応させる場合には、Si−Hを含
有する化合物自身がクロロメチルスチレン誘導体のラジ
カル重合の開始剤になることもあり、前述の重合禁止剤
を用いた通常の重合防止技術では、ヒドロシリル化反応
中に起こるクロロメチルスチレン誘導体の重合を、充分
に抑制することが出来なかった。また、前述の重合禁止
剤の中には、ヒドロシリル化反応を阻害するものもあっ
た。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは従来技術の
問題点に鑑み鋭意研究を重ねた結果、特定化合物の存在
下、一般式(1)で表わされるクロロメチルスチレン誘
導体と、Si−Hを含有する化合物とをヒドロシリル化
反応させる方法であれば、クロロメチルスチレン誘導体
のラジカル重合を効果的に抑制できるとともに、ヒドロ
シリル化反応の阻害もなく、クロロメチルフェニル基を
含有する有機けい素化合物を製造できることを見出し、
この知見に基づき本発明を完成させた。以上の記述から
明らかなように、本発明の目的は、クロロメチルフェニ
ル基を含有する有機けい素化合物をヒドロシリル化反応
で製造する際に、原料であるクロロメチルスチレン誘導
体のラジカル重合を抑制し、且つヒドロシリル化反応を
阻害しない重合禁止剤を提供することにある。
【0006】本発明は下記の構成を有する。一般式
(2)で表されるフェノール誘導体、一般式(3)で表
されるフェノチアジン誘導体および一般式(4)で表わ
されるN−ニトロソフェニルヒドロキシルアミン塩誘導
体から選ばれた1種以上の存在下、一般式(1)で表わ
されるクロロメチルスチレン誘導体と、Si−Hを含有
する化合物とを、ヒドロシリル化反応触媒の存在下にヒ
ドロシリル化反応させることを特徴とするクロロメチル
フェニル基含有有機けい素化合物の製造方法。
【化5】 (1) [式中R1,R2,R3,R4,R5のうち少なくともひと
つは炭素炭素二重結合を有する炭素数が2〜20のアル
キレン基であり,それ以外は水素もしくは炭素数1〜2
0の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基である]
【化6】 (2) [式中R6,R7,R8,R9,R10のうち少なくともふた
つは水酸基であり,それ以外は水素もしくは炭素数1〜
20の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基である]
【化7】 (3) [式中R11,R12,R13,R14,R15,R16,R17,R
18,R19は水素もしくは炭素数1〜20の直鎖もしくは
分岐鎖のアルキル基である]
【化8】 (R20N(NO)O)pq …(4) [式中、R20は炭素数が6〜10のアリール基であり、
pは1〜4であり、qは1〜4であり、Yは陽イオン原
子または分子である。]
【0007】以下、詳細に本発明を説明する。一般式
(1)で表わされるクロロメチルスチレン誘導体として
は、前記一般式(1)で表される化合物であれば、何れ
のものであっても良い.該クロロメチルスチレン誘導体
市販品を使用することができ、具体的には、2−クロ
ロメチルスチレン、3−クロロメチルスチレン、4−ク
ロロメチルスチレン、2−クロロメチル−α−メチルス
チレン、3−クロロメチル−α−メチルスチレン、4−
クロロメチル−α−メチルスチレンなどを挙げることが
できる。一般に流通しているものの中には、位置異性体
が混入しているものもあるが、本発明に使用する場合は
問題ない。
【0008】本発明の製造方法のヒドロシリル化反応に
供されるSi−Hを含有する化合物は市販品を使用する
ことができ、具体的には、Si−H基を有するクロロシ
ラン類、Si−H基を有するアルコキシシラン類、Si
−H基を有するアルキルシラン類、Si−H基を有する
ジアルキルポリシロキサン、Si−H基を有するポリシ
ルセスキオキサンなどを挙げることができる。
【0009】本発明の製造方法に用いるフェノール誘導
体は、前記一般式(2)で表されるものであれば、何れ
のものであっても良い.該フェノール誘導体として具体
的には、2−ヒドロキシ−4−tブチル−フェノール、
3−ヒドロキシ−4−tブチル−フェノール、4−ヒド
ロキシ−3−tブチル−フェノールなどを挙げることが
できる。
【0010】本発明の製造方法に用いるフェノチアジン
誘導体は、前記一般式(3)で表わされるものであれ
ば、何れのものであっても良い.該フェノチアジン誘導
体として具体的には、フェノチアジンなどを挙げること
ができる。
【0011】本発明の製造方法に用いるN−ニトロソフ
ェニルヒドロキシルアミン塩誘導体は、前記一般式
(4)で表わされるものであれば、何れのものであって
も良い.該N−ニトロソフェニルヒドロキシルアミン塩
誘導体として具体的には、N−ニトロソフェニルヒドロ
キシルアミンアンモニウム塩、N−ニトロソフェニルヒ
ドロキシルアミンカリウム塩、N−ニトロソフェニルヒ
ドロキシルアミンナトリウム塩、N−ニトロソフェニル
ヒドロキシルアミンアルミニウム塩などを挙げることが
できる。この中で得に,N−ニトロソフェニルヒドロキ
シルアミンアンモニウム塩、およびN−ニトロソフェニ
ルヒドロキシルアミンアルミニウム塩が好ましい.
【0012】本発明においては、一般式(2)で表され
るフェノール誘導体、一般式(3)で表されるフェノチ
アジン誘導体および一般式(4)で表わされるN−ニト
ロソフェニルヒドロキシルアミン塩誘導体を、クロロメ
チルスチレン誘導体の重合禁止剤として用いる。その使
用にあたっては、その中から1種類を選択して用いても
良く、2種以上を選択して使用しても良い。
【0013】該重合禁止剤の中でも、その中から1種類
を選択して用いる場合には、一般式(2)で表わされる
フェノール誘導体を用いることが好ましい。
【0014】該重合禁止剤の使用量は、特に制限はない
が、反応液に対し1〜100,000ppm(重量換
算)が好ましく、さらに好ましくは100〜20,00
0ppm(重量換算)である。
【0015】本発明の製造方法における反応は、ヒドロ
シリル化反応触媒の存在下におけるヒドロシリル化反応
であり、その際に使用するヒドロシリル化触媒として
は、遷移金属を含有する化合物が使用できる。具体的に
はクロム、マンガン、モリブデン、タングステン、鉄、
コバルト、ニッケル、ルテニウム、オスミウム、コバル
ト、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金などを例
示することができる。これらは、溶媒に溶解させた均一
系触媒という形態、カーボン、シリカなどに担持させた
担持触媒の形態、ホスフィンやアミン、酢酸カリウムな
どを助触媒とした触媒系の形態のいずれをも使用するこ
とができる。
【0016】本発明においては本発明の効果を損なわな
い範囲であれば、前述の本発明に必須の重合禁止剤以外
の重合禁止剤を併用してもよく、分子状酸素を不活性ガ
スで希釈したガスや空気を反応系に導入してもよい。
【0017】本発明の製造方法において、反応溶媒は必
ずしも必要ではないが、必要に応じて適当な溶媒を使用
してもよい。このような溶媒としては反応を阻害するも
のでなければよく、ヘキサンやヘプタンなどの炭化水素
系溶媒、ベンゼンやトルエン、キシレンなどの芳香族系
炭化水素溶媒、ジエチルエーテル、THF、ジオキサンな
どのエ−テル系溶媒、塩化メチレン、四塩化炭素などの
ハロゲン化炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール、
プロパノールなどのアルコール系溶媒、水などを例示す
ることができる。これらの溶媒は単独で使用してもよ
く、その複数を組み合わせて使用してもよい。
【0018】本発明の製造方法におけるヒドロシリル化
反応において、その際の反応温度は特に限定されない
が、通常溶媒を用いる場合には溶媒の沸点以下で行えば
良い。溶剤を使用しない場合であれば、0〜250℃で
反応させることが好ましく、経済性や重合抑制などを考
慮すると20〜100℃で反応させることが好ましい。
【0019】
【実施例】以下に実施例を挙げて詳細に説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。本実
施例に使用した試薬は全て研究用試薬として流通してい
る化合物である. 実施例1 50ml側管付きナスフラスコに、TBC(4-tert-But
yl-catechol)8mg、CMS(4-chloromethylstyren
e)2.0g、MM’(pentamethyldisiloxane)0.2
g、TPP(triphenyphosphineの10wt%トルエン
溶液)10μlをいれ、60℃まで昇温した。スパイヤ
ー触媒(塩化白金酸の10wt% 2−プロパノール溶
液)2μlを添加した後、MM’1.8gを10分間で
滴下した。1時間熟成した後、反応液をサンプリング
し、GCを測定したところ、1-(4-chloromethylphenyleth
yl)pentamethyldisiloxaneと2-(4-chloromethylphenyle
thyl)pentamethyldisiloxaneとの混合物(以下ヒドロシ
リル化生成物と略す)が得られたことが確認できた。ま
た,反応液のGPCを測定したところ,CMSが重合した
ポリスチレンは観測されなかった。
【0020】実施例2 TBC 8mgの代わりにフェノチアジン8mgを入れ
た以外は、実施例1に準拠して反応を行なった。反応液
のGCを測定したところ,ヒドロシリル化生成物が得られ
たことが確認できた。また,反応液のGPCを測定したと
ころ,CMSが重合したポリスチレンは観測されなかっ
た。
【0021】実施例3 TBC 8mgの代わりにN−ニトロソフェニルヒドロ
キシルアミンアンモニウム塩8mgを入れた以外は、実
施例1に準拠して反応を行なった。反応液のGCを測定し
たところ,ヒドロシリル化生成物が得られたことが確認
できた。また,反応液のGPCを測定したところ,CMS
が重合したポリスチレンは観測されなかった。
【0022】比較例1 TBC 8mgを入れない以外は、実施例1に準拠して
反応を行なった。反応液のGCを測定したところ,ヒドロ
シリル化生成物が得られたことが確認できた。しかし,
反応液のGPCを測定したところ,CMSが重合したポリ
スチレンが観測された。
【0023】比較例2 TBC 8mgの代わりにDPPD(N,N-diphenyl-p-ph
enylenediamine)8mgを入れた以外は、実施例1に準
拠して反応を行なった。反応液のGCを測定したところ,
ヒドロシリル化生成物が得られたことが確認できた。し
かし,反応液のGPCを測定したところ,CMSが重合し
たポリスチレンが観測された。
【0024】比較例3 TBC 8mgの代わりに2,6-Di-tert-butyl-p-dimethy
laminophenol8mgを入れた以外は、実施例1に準拠し
て反応を行なった。反応液のGCを測定したところ。ヒド
ロシリル化生成物は得られなかった。
【0025】比較例4 TBC 8mgの代わりに3,5-Di-tert-butyl-4-hydroxy
anisole8mgを入れた以外は、実施例1に準拠して反
応を行なった。反応液のGCを測定したところ、ヒドロシ
リル化生成物は得られなかった。
【0026】比較例5 TBC 8mgの代わりにHQ(Hydroquinone)8mg
を入れた以外は、実施例1に準拠して反応を行なった。
反応液のGCを測定したところ,ヒドロシリル化生成物が
得られたことが確認できた。しかし,反応液のGPCを測
定したところ,CMSが重合したポリスチレンが観測さ
れた。
【0027】比較例6 TBC 8mgの代わりにBQ(p-Benzoquinone)8m
gを入れた以外は、実施例1に準拠して反応を行なっ
た。反応液のGCを測定したところ、ヒドロシリル化生成
物は得られなかった。
【0028】比較例7 TBC 8mgの代わりにジメチルジチオカルバミン酸
銅塩8mgを入れた以外は、実施例1に準拠して反応を
行なった。反応液のGCを測定したところ、ヒドロシリル
化生成物は得られなかった。
【0029】実施例4 300ml 4口フラスコに、数平均分子量680の両末端S
iH変性ジメチルポリシロキサン100gを投入し、乾
燥空気を該ジメチルポリシロキサン中にバブリングし
た。反応物を60℃まで昇温した後、該フラスコに白金
触媒(カルステッド触媒)70μlを投入した。更に、
TBC 0.31gを溶解させたCMS 53.4gを、
該フラスコに約1時間かけて滴下し、1時間熟成した。
反応液のIRを測定し、SiHが消失していることを確認
した。この反応液のGPCを測定したところ、CMSが
重合したポリスチレンは観測されなかった。
【0030】
【発明の効果】本発明は、本発明に必須の重合禁止剤の
存在下、クロロメチルスチレン誘導体と、Si−Hを含
有する化合物とをヒドロシリル化反応させる方法であれ
ば、クロロメチルフェニル基を含有する有機けい素化合
物を製造した場合であっても、ヒドロシリル化反応の阻
害が起こらず、しかも、クロロメチルスチレン誘導体の
重合を顕著に抑制することが可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08F 12/14 C08F 12/14 Fターム(参考) 4H039 CA12 CA19 CA41 CA50 CA92 CF10 4H049 VN01 VP10 VQ12 VQ21 VQ78 VQ79 VR22 VR42 VS12 VS21 VS78 VS79 VT13 VT15 VT16 VT17 VT19 VT24 VT30 VT40 VT42 VT43 VT44 VT45 VT46 VT47 VT48 VT49 VT51 VT53 VU20 VU21 VU22 VU32 VW02 4J011 AA01 NA13 NA15 NA18 NB01 4J100 AB08P CA01 JA15

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(2)で表されるフェノール誘導
    体、一般式(3)で表されるフェノチアジン誘導体およ
    び一般式(4)で表わされるN−ニトロソフェニルヒド
    ロキシルアミン塩誘導体から選ばれた1種以上の存在
    下、一般式(1)で表わされるクロロメチルスチレン誘
    導体と、Si−Hを含有する化合物とを、ヒドロシリル
    化反応触媒の存在下にヒドロシリル化反応させることを
    特徴とするクロロメチルフェニル基含有有機けい素化合
    物の製造方法。 【化1】 (1) [式中R1,R2,R3,R4,R5のうち少なくともひと
    つは炭素炭素二重結合を有する炭素数が2〜20のアル
    キレン基であり,それ以外は水素もしくは炭素数1〜2
    0の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基である] 【化2】 (2) [式中R6,R7,R8,R9,R10のうち少なくともふた
    つは水酸基であり,それ以外は水素もしくは炭素数1〜
    20の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基である] 【化3】 (3) [式中R11,R12,R13,R14,R15,R16,R17,R
    18,R19は水素もしくは炭素数1〜20の直鎖もしくは
    分岐鎖のアルキル基である] 【化4】(R20N(NO)O)pq …(4) [式中、R20は炭素数が6〜10のアリール基であり、
    pは1〜4であり、qは1〜4であり、Yは陽イオン原
    子または分子である。]
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