JP2000247916A - フッ素アルコールの製造法 - Google Patents

フッ素アルコールの製造法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】純粋なフッ素アルコールを提供する。 【解決手段】メタノールとテトラフルオロエチレンまた
はヘキサフルオロプロピレンをラジカル発生源の存在下
に反応させて下記式（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ＝１のときＲ1はＦまたはＣＦ3を示す。ｎ＝２のと
きＲ1はＦを示す。〕で表されるフッ素アルコールを製
造する方法において、反応液を塩基の存在下に蒸留もし
くは反応液を塩基と接触させた後蒸留する工程を有する
ことを特徴とする式（１）で表されるフッ素アルコール
の製造法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般式（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ＝１のときＲ1はＦまたはＣＦ3を示す。ｎ＝２のと
きＲ1はＦを示す。〕で表されるフッ素アルコールの製
造法、実質的に不純物を含まない該フッ素アルコールお
よびその基板上にレーザーによる情報の書き込み及び／
又は読みとり可能な記録層が設けられてなる情報記録媒
体製造用の用途に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｈ（ＣＦ2ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ（ｎ＝１、
２）の製造法としては特開昭５４−１５４７０７号公報
および米国特許２５５９６２８号に記載されるように、
メタノールとテトラフルオロエチレンをｔ−ブチルオク
チルパーオキサイドの存在下に反応させることにより、
H(CF2CF2)nCH2OH（ｎは最高１２）のテロマー混合物が
得られることが記載されている。
【０００３】しかしながら、該方法により得られたテロ
マー混合物を蒸留により精製しても、数百ｐｐｍ程度の
蒸発残分の除去ができないため、例えばＣＤ−ＲやＤＶ
Ｄ−Ｒ等の基板上にレーザーによる情報の書き込み及び
／又は読みとり可能な記録層が設けられてなる情報記録
媒体製造時の溶剤として使用した場合、蒸発残分の影響
により高品質の情報記録媒体の製造に適していない欠点
があった。
【０００４】本発明の目的は、蒸発残分やＵＶ吸収成分
などの不純物を実質的に含まない一般式（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔式中、ｎ、Ｒ1は前記に定義された通りである。〕で
表されるフッ素アルコールおよびその製造法、該フッ素
アルコールの基板上にレーザーによる情報の書き込み及
び／又は読みとり可能な記録層が設けられてなる情報記
録媒体の製造用溶剤としての用途並びに該フッ素アルコ
ールを用いて製造された基板上にレーザーによる情報の
書き込み及び／又は読みとり可能な記録層が設けられて
なる情報記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、項１〜項２０
に関する。 項１． メタノールとテトラフルオロエチレンまたはヘ
キサフルオロプロピレンをラジカル発生源の存在下に反
応させて下記式（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ＝１のときＲ1はＦまたはＣＦ3を示す。ｎ＝２のと
きＲ1はＦを示す。〕で表されるフッ素アルコールを製
造する方法において、反応液を塩基の存在下に蒸留もし
くは反応液を塩基と接触させた後蒸留する工程を有する
ことを特徴とする式（１）で表されるフッ素アルコール
の製造法。 項２． 塩基のｐＫｂが２以下である請求項１に記載の
フッ素アルコールの製造法。 項３． 塩基がアルカリ金属アルコラートまたはアルカ
リ金属水酸化物である請求項１または２に記載のフッ素
アルコールの製造法。 項４． 塩基がナトリウムアルコラート、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウムからなる群から選ばれる少なくと
も１種である請求項１〜３のいずれかに記載のフッ素ア
ルコールの製造法。 項５． 蒸留で得られた式（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ、Ｒ1は前記に定義されたとおりである〕で表され
るフッ素アルコール中の蒸発残分が５０ｐｐｍ以下であ
る請求項１〜４のいずれかに記載のフッ素アルコールの
製造法。 項６． 式（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ、Ｒ1は前記に定義されたとおりである〕で表され
るフッ素アルコール中の蒸発残分が２５ｐｐｍ以下であ
る請求項５に記載のフッ素アルコールの製造法。 項７． 式（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ、Ｒ1は前記に定義されたとおりである〕で表され
るフッ素アルコール中の蒸発残分が１０ｐｐｍ以下であ
る請求項５に記載のフッ素アルコールの製造法。 項８． ラジカル発生源が反応開始剤、ＵＶ及び熱から
なる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１〜７
のいずれかに記載のフッ素アルコールの製造法。 項９． ラジカル発生源が、反応温度における半減期が
約１０時間となる反応開始剤である請求項８に記載のフ
ッ素アルコールの製造法。 項１０． ラジカル発生源が過酸化物である、請求項８
または９に記載のフッ素アルコールの製造法。 項１１． ラジカル発生源がパーブチルＤまたはパーブ
チルＩまたはパーブチルＯである請求項８に記載のフッ
素アルコールの製造法。 項１２． ラジカル発生源と共に受酸剤を用いることを
特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のフッ素アル
コールの製造法。 項１３． 蒸発残分が５０ｐｐｍ以下である下記式
（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ＝１のときＲ1はＦまたはＣＦ3を示す。ｎ＝２のと
きＲ1はＦを示す。〕で表されるフッ素アルコール。 項１４． 蒸発残分が２５ｐｐｍ以下である請求項１３
に記載のフッ素アルコール。 項１５． 蒸発残分が１０ｐｐｍ以下である請求項１３
または１４に記載のフッ素アルコール。 項１６． メタノール中での吸光度（１９０〜３００ｎ
ｍ）が０．２ａｂｓ以下である請求項１３〜１５のいず
れかに記載のフッ素アルコール。 項１７． メタノール中での吸光度（２０５ｎｍ）が
０．１abs以下である請求項１３〜１６のいずれかに記
載のフッ素アルコール。 項１８． メタノール中での吸光度（２０５ｎｍ）が−
０．２abs以下である請求項１７に記載のフッ素アルコ
ール。 項１９． 請求項１３〜１８のいずれかに記載のＨＣＦ
2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨの基板上にレーザーによる情報の書き
込み及び／又は読みとり可能な記録層が設けられてなる
情報記録媒体の製造のための使用。 項２０． 請求項１〜１２のいずれかに記載の方法によ
り製造された下記式（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ＝１のときＲ1はＦまたはＣＦ3を示す。ｎ＝２のと
きＲ1はＦを示す。〕で表されるフッ素アルコール、或
いは、請求項１３〜１８のいずれかに記載の下記式
（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ＝１のときＲ1はＦまたはＣＦ3を示す。ｎ＝２のと
きＲ1はＦを示す。〕で表されるフッ素アルコールを用
いて製造された、基板上にレーザーによる情報の書き込
み及び／又は読みとり可能な記録層が設けられてなる情
報記録媒体。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の製造法において、テトラ
フルオロエチレンまたはヘキサフルオロプロピレンに対
しメタノールを過剰量使用する。反応温度は４０〜１４
０℃程度、反応時間は３〜１２時間程度、反応圧力は、
０．２〜１．２ＭＰａ程度である。反応は、例えば高圧
反応釜で行うことができる。反応系内は窒素、アルゴン
等の不活性ガスで置換するのが好ましい。
【０００７】反応終了後、必要に応じて過剰のメタノー
ルを蒸留により除去し、塩基の存在下に蒸留を行う。さ
らに、反応混合物中にＨ（ＣＦ2ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ（ｎ
は３以上）またはＨ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ
（ｎは２以上）の不純物を含む場合、これを蒸留により
除去しておくのが好ましい。
【０００８】蒸留は、Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ
〔ｎ、Ｒ1は前記に定義された通りである。〕で表され
るフッ素アルコールを含む反応混合物を塩基の存在下に
もしくは反応混合物を塩基と接触させた後に行う。反応
混合物中に加える、或いは反応混合物を接触させる塩基
としては、ｐＫｂが２以下である塩基が好適なものとし
て挙げられる。塩基としては、例えばナトリウムメチラ
ート、ナトリウムエチラート、ナトリウムプロピラー
ト、カリウムｔ−ブトキシド、リチウムエチラートなど
のアルカリ金属アルコラート、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化リチウムなどのアルカリ金属水酸化
物、水酸化カルシウム、水酸化アルミニウム、水酸化バ
リウム、水酸化マグネシウム、ソーダライム等が挙げら
れる。塩基の使用量としては、メタノール以外の反応混
合物の重量１ｋｇあたり０．０５〜１．０モル程度、好
ましくは０．１〜０．５モル程度である。
【０００９】受酸剤としては、炭酸カルシウム、炭酸マ
グネシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウムなどのアルカリ金属また
はアルカリ土類金属の炭酸塩及び炭酸水素塩、酸化カル
シウム、水酸化カルシウム、ソーダライム、炭酸バリウ
ムなどが挙げられる。受酸剤は、反応系を強アルカリ性
にすることなく、反応時に発生するＨＦなどの酸をトラ
ップできるものが好ましい。
【００１０】受酸剤の使用量は、特に限定されないが、
テトラフルオロエチレン又はヘキサフルオロプロピレン
１モルあたり、０．００１〜０．１モル程度使用でき
る。
【００１１】ラジカル発生源としては、反応開始剤、Ｕ
Ｖおよび熱からなる群から選ばれる少なくとも１種を使
用できる。ラジカル発生源がＵＶであるとき、中圧又は
高圧水銀灯からのＵＶを例示できる。ラジカル発生源が
熱であるとき、２５０〜３００℃の温度を例示できる。
反応開始剤としては、過酸化物が例示でき、反応温度に
おける半減期が約１０時間となる反応開始剤を好ましく
例示できる。
【００１２】好ましいラジカル発生源としては、パーブ
チルＤ（ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド）、パーブチル
Ｏ（ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエー
ト）またはパーブチルＩ（ｔ−ブチルパーオキシイソプ
ロピルカーボネート）が好ましく例示される。反応開始
剤の使用量は、テトラフルオロエチレン又はヘキサフル
オロプロピレン１モルあたり、通常０．００５〜０．１
モル程度である。
【００１３】本発明で得られるフッ素アルコールの蒸発
残分は、５０ｐｐｍ以下、好ましくは２５ｐｐｍ以下、
より好ましくは１０ｐｐｍ以下である。
【００１４】蒸発残分は、以下のようにして求めること
ができる。即ち、フッ素アルコールを４０℃、５ｍｍＨ
ｇで濃縮したときの残分の重量を測定し、ＨＣＦ2ＣＦ2
ＣＨ 2ＯＨに対するwt.ppmで表わす。
【００１５】本発明で得られる一般式（１）のフッ素ア
ルコールの２０５ｎｍにおけるメタノール中での吸光度
は、０．１abs以下、好ましくは−０．１abs以下、より
好ましくは−０．２abs以下である。メタノール中の吸
光度は、一般式（１）のフッ素アルコール１ｍｌにメタ
ノール３ｍｌを加えたものを測定試料とし、リファレン
スとしてメタノールを用いて測定される。
【００１６】本発明のフッ素アルコールが「実質的に不
純物を含まない」とは、（ｉ）フッ素アルコールの蒸発
残分が５０ｐｐｍ以下、好ましくは２５ｐｐｍ以下、よ
り好ましくは１０ｐｐｍ以下であり、および／または、
（ii）メタノール中での吸光度（２０５ｎｍ）が０．１
abs以下、好ましくは−０．１abs以下、より好ましくは
−０．２abs以下であることを意味する。
【００１７】基板上にレーザーによる情報の書き込み及
び／又は読みとり可能な記録層が設けられてなる情報記
録媒体は、本発明の一般式（１）のフッ素アルコールを
含む溶剤、好ましくは該フッ素アルコールを含むフッ素
系溶剤に色素を溶解し、得られた溶液を基板上に塗布、
乾燥するなどの常法に従い、色素を含む記録層を形成し
て製造できる。該色素としては、シアニン系色素、フタ
ロシアニン系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム
系色素、スクワリリウム系色素、アズレニウム系色素、
インドフェノール系色素、インドアニリン系色素、トリ
フェニルメタン系色素、キノン系色素、アルミニウム系
色素、ジインモニウム系色素、金属錯塩系色素等が挙げ
られる。基板としては、ポリカーボネート、ポリメチル
メタクリレート、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレ
フィン、ポリエステル、ポリ塩化ビニルなどのプラスチ
ック、ガラス、セラミックスが挙げられる。尚、記録層
と基板の間に平面性の改善、接着力の向上、記録層の変
質防止等の目的で下塗層を設けてもよく、記録層の上に
は保護層を設けてもよい。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、基板上にレーザーによ
る情報の書き込み及び／又は読みとり可能な記録層が設
けられてなる情報記録媒体（ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の
光ディスクなど）、フィルムの感光体の製造に好適な実
質的に不純物を含まないＨＣＦ 2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ、Ｈ
（ＣＦ2ＣＦ2）2ＣＨ2ＯＨおよびＨＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2
ＣＨ2ＯＨを容易に製造することができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例を用いて
より詳細に説明する。 実施例１ 高圧反応釜にメタノール（２Ｌ）、パーブチルＤ（４５
ｇ）および炭酸カルシウム（３０ｇ）を仕込む。反応釜
を窒素置換した後テトラフルオロエチレンを初期速度６
００ｇ／ｈｒで仕込み、温度１２５℃、圧力０．８ＭＰ
ａに制御し、６時間反応させた。反応混合物を冷却後蒸
留し、メタノールを分離し、次いでＨ（ＣＦ2ＣＦ2）ｎ
ＣＨ2ＯＨ（ｎは２以上の整数）を分離し、ＨＣＦ2ＣＦ
2ＣＨ2ＯＨの留分（１．２Ｌ）を得た。得られたＨＣＦ
2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨの留分の蒸発残分は６００ｐｐｍ程
度、吸光度（２０５ｎｍ）は２．０absであった。ま
た、キャピラリＧＣ／ＭＡＳＳにより分析したところ、
ホルムアルデヒド、ＨＣＦ2ＣＦ2ＣＨＯ、ＨＣＦ2ＣＨ
ＦＣＨＯ、ＨＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨＯ、ＨＣＦ2Ｃ
ＯＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨＯ、ＨＣＦ2ＣＨ2ＣＯＯＣＨ
＝ＣＨＣＨＯ、ＨＣＦ2ＣＦ2ＣＨ（ＯＨ）ＯＣＨ2ＣＨ
Ｏなどの各種アルデヒド成分が混在することが判明し
た。
【００２０】上記留分について蒸留を繰り返しても、こ
れら不純物の含量、蒸発残分量、吸光度（２０５ｎｍ）
等はほとんど変化しなかった。
【００２１】得られたＨＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨの留分
（１Ｌ）に２８％ナトリウムメチラート（３０ｇ）を加
え、加熱下に蒸留し、実質的に不純物を含まないＨＣＦ
2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨを得た。得られたＨＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2Ｏ
Ｈの蒸発残分は１０ｐｐｍ以下であり、吸光度（２０５
ｎｍ）は−０．２abs以下であった。また、上記のアル
デヒド成分はＧＣ／ＭＡＳＳの検出限界以下であった。
ＧＣ／ＭＡＳＳの分析条件を以下に示す。 １）カラム：Liquid phase DB-1301 フィルム厚み：1.00μｍ カラム寸法：６０ｍ×０．２４７ｍｍ ２）分析条件 キャリアＨｅ：２００ｋＰａ 空気：４０ｋＰａ Ｈ２：５０ｋＰａ 温度：５０℃（５分）から２２０℃１５分（１５℃／分
で昇温） インジェクション：２００℃ 実施例２ Ｈ（ＣＦ2ＣＦ2）ｎＣＨ2ＯＨ（ｎ＝２以上）の留分を
さらに分離してＨ（ＣＦ2ＣＦ2）2ＣＨ2ＯＨの分画を
得、該分画について上記実施例１と同様にナトリウムメ
トキシドを加えて蒸留することにより、蒸発残分が２５
ｐｐｍ以下のＨ（ＣＦ2ＣＦ2）2ＣＨ2ＯＨを得ることが
できる。 実施例３ テトラフルオロエチレンに代えてヘキサフルオロプロピ
レンを用い、実施例１と同様に反応及び蒸留による精製
を行うことにより、蒸発残分は２５ｐｐｍ以下であり、
吸光度（２０５ｎｍ）は０．１abs以下のＨＣＦ（Ｃ
Ｆ3）ＣＦ2ＣＨ2ＯＨを得ることができる。 実施例４ 実施例１で得られた塩基の存在下での蒸留前のＨＣＦ2
ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ留分をソーダライム管を通してＨＦを除
去したところ、ガスクロマトグラフィーの純度は９９．
９７４％から９９．５３６８％に低下した。この純度の
低下したＨＣＦ 2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨを蒸留することによ
り、蒸発残分は５０ｐｐｍ以下であり、吸光度（２０５
ｎｍ）は０．１abs以下のＨＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨを得る
ことができる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１２月６日（１９９９．１２．
６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安原 尚史 大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン 工業株式会社淀川製作所内 (72)発明者 横山 秦典 大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン 工業株式会社淀川製作所内 Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC21 AC30 AD11 BA02 BA29 BA30 BA32 BA80 BA92 BA93 BA95 BC10 FE11 FE71 FE74 4H039 CA12 CA19 CA60 CF10

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】メタノール及びテトラフルオロエチレン若
    しくはヘキサフルオロプロピレンをラジカル発生源の存
    在下に反応させて下記式（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ＝１のときＲ1はＦまたはＣＦ3を示す。ｎ＝２のと
    きＲ1はＦを示す。〕で表されるフッ素アルコールを製
    造する方法において、反応液を塩基の存在下に蒸留もし
    くは反応液を塩基と接触させた後蒸留する工程を有する
    ことを特徴とする式（１）で表されるフッ素アルコール
    の製造法。
  2. 【請求項２】塩基のｐＫｂが２以下である請求項１に記
    載のフッ素アルコールの製造法。
  3. 【請求項３】塩基がアルカリ金属アルコラートまたはア
    ルカリ金属水酸化物である請求項１または２に記載のフ
    ッ素アルコールの製造法。
  4. 【請求項４】塩基がナトリウムアルコラート、水酸化ナ
    トリウム、水酸化カリウムからなる群から選ばれる少な
    くとも１種である請求項１〜３のいずれかに記載のフッ
    素アルコールの製造法。
  5. 【請求項５】蒸留で得られた式（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ、Ｒ1は前記に定義されたとおりである〕で表され
    るフッ素アルコール中の蒸発残分が５０ｐｐｍ以下であ
    る請求項１〜４のいずれかに記載のフッ素アルコールの
    製造法。
  6. 【請求項６】式（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ、Ｒ1は前記に定義されたとおりである〕で表され
    るフッ素アルコール中の蒸発残分が２５ｐｐｍ以下であ
    る請求項５に記載のフッ素アルコールの製造法。
  7. 【請求項７】式（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ、Ｒ1は前記に定義されたとおりである〕で表され
    るフッ素アルコール中の蒸発残分が１０ｐｐｍ以下であ
    る請求項５に記載のフッ素アルコールの製造法。
  8. 【請求項８】ラジカル発生源が反応開始剤、ＵＶ及び熱
    からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１
    〜７のいずれかに記載のフッ素アルコールの製造法。
  9. 【請求項９】ラジカル発生源が、反応温度における半減
    期が約１０時間となる反応開始剤である請求項８に記載
    のフッ素アルコールの製造法。
  10. 【請求項１０】ラジカル発生源が過酸化物である、請求
    項８または９に記載のフッ素アルコールの製造法。
  11. 【請求項１１】ラジカル発生源がパーブチルＤまたはパ
    ーブチルＩまたはパーブチルＯである請求項８に記載の
    フッ素アルコールの製造法。
  12. 【請求項１２】ラジカル発生源と共に受酸剤を用いるこ
    とを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のフッ素
    アルコールの製造法。
  13. 【請求項１３】蒸発残分が５０ｐｐｍ以下である下記式
    （１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ＝１のときＲ1はＦまたはＣＦ3を示す。ｎ＝２のと
    きＲ1はＦを示す。〕で表されるフッ素アルコール。
  14. 【請求項１４】蒸発残分が２５ｐｐｍ以下である請求項
    １３に記載のフッ素アルコール。
  15. 【請求項１５】蒸発残分が１０ｐｐｍ以下である請求項
    １３または１４に記載のフッ素アルコール。
  16. 【請求項１６】メタノール中での吸光度（１９０〜３０
    ０ｎｍ）が０．２ａｂｓ以下である請求項１３〜１５の
    いずれかに記載のフッ素アルコール。
  17. 【請求項１７】メタノール中での吸光度（２０５ｎｍ）
    が０．１abs以下である請求項１３〜１６のいずれかに
    記載のフッ素アルコール。
  18. 【請求項１８】メタノール中での吸光度（２０５ｎｍ）
    が−０．２abs以下である請求項１７に記載のフッ素ア
    ルコール。
  19. 【請求項１９】請求項１３〜１８のいずれかに記載のフ
    ッ素アルコールを用いて製造された基板上にレーザーに
    よる情報の書き込み及び／又は読みとり可能な記録層が
    設けられてなる情報記録媒体の製造のための使用。
  20. 【請求項２０】請求項１〜１２のいずれかに記載の方法
    により製造された下記式（１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ＝１のときＲ1はＦまたはＣＦ3を示す。ｎ＝２のと
    きＲ1はＦを示す。〕で表されるフッ素アルコール、或
    いは、請求項１３〜１８のいずれかに記載の下記式
    （１） Ｈ（ＣＦＲ1ＣＦ2）nＣＨ2ＯＨ （１） 〔ｎ＝１のときＲ1はＦまたはＣＦ3を示す。ｎ＝２のと
    きＲ1はＦを示す。〕で表されるフッ素アルコールを用
    いて製造された、基板上にレーザーによる情報の書き込
    み及び／又は読みとり可能な記録層が設けられてなる情
    報記録媒体。
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