JP2000243146A - 透明導電性フィルムおよびこれを用いたタッチパネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ペン入力耐久性およびエッチング特性に優れ
た透明導電性フィルム、およびこのフィルムを用いたタ
ッチパネルを提供すること。 【解決手段】 一軸延伸高分子フィルムの少なくとも片
方の面に、非晶質の透明導電性薄膜を形成した透明導電
性フィルムであって、非晶質透明導電性薄膜の表面張力
が３５〜６０ｄｙｎｅ／ｃｍである高性能の透明導電性
フィルムを開示すると共に、これを用いた高性能のタッ
チパネルを開示する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチックフィ
ルムを用いた透明導電性フィルムおよびこれを用いたタ
ッチパネルに関し、特にタッチパネルとして用いた時の
ペン入力耐久性に優れた透明導電性フィルムおよびこれ
を用いたタッチパネルに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】プラスチックフィルム上に透明で電気抵
抗の低い化合物薄膜を形成した透明導電性フィルムは、
その優れた導電性を利用して例えば液晶ディスプレイ、
ＥＬディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ
の如き表示素子の電極や太陽電池の如き光電変換素子の
窓電極、あるいは電磁波シールドの電磁波遮蔽膜やタッ
チパネルなどの入力装置の電極として広く実用化されて
いる。

【０００３】ところで、この種の透明導電性フィルムに
用いられる透明導電層としては、金、銀、白金、パラジ
ウムなどの貴金属薄膜と、酸化インジウム、酸化スズ、
酸化インジウム−スズ、酸化亜鉛などの酸化物半導体薄
膜とを組合わせたものが知られている。

【０００４】また、近年における携帯情報端末の普及に
より、入力や操作性の簡便さが強く求められるにつれ
て、表示画面上の任意の点を押圧することによって簡単
に入力できるペン入力方式のものが広く採用されてい
る。ペン入力方式としては、静電容量方式や光センサー
方式、タッチパネル方式が知られているが、これらの中
でもタッチパネル方式は、位置検出がアナログ的で分解
能が高く、また周辺装置をコンパクトにできるといった
特長を有していることから、ワープロ、パソコン、電子
手帳の如き携帯用や個人用の情報端末に多く使われてい
る。

【０００５】上記タッチパネルに用いられる透明導電性
フィルムは、基本的には導電層（殊に、ＩＴＯ層）／高
分子フィルムの層構成からなり、タッチパネルとして使
用するときは、２枚の透明導電性フィルムの導電層側を
スペーサを介して対向配置して用いられる。

【０００６】通常のタッチパネルは、液晶表示素子の最
上面に重ね合わせて用いられることから、透明性、機械
的性質、表面平滑性、耐溶剤性、耐スクラッチ性、非透
湿性、コストなどの総合的性能を考慮して、二軸廷伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルムが最も汎用されてい
る。

【０００７】そして上記の様なタッチパネルを配設した
液晶表示機器においては、ペン入力による位置検出精度
が経時的に劣化しない様な耐久性が要求されており、耐
久特性として特に重要となるのは、位置検出回路とタッ
チパネルを接続する接続部材の耐久性と、ペン入力によ
る押圧で透明導電性フィルムの透明導電性薄膜にクラッ
クや剥離を生じない、という透明導電性薄膜自体の耐久
性である。

【０００８】上記位置検出回路とタッチパネルの接続に
は、通常銀ペーストが用いられており、銀ペーストと透
明導電性薄膜を強固に接着するには、透明導電性薄膜上
に銀ペーストを塗布し、１５０℃以上の高温で焼成すれ
ばよい。ところが、基材フィルムとして一般的に使用さ
れているポリエステルフィルムは、１５０℃以上の温度
で熱処理するとオリゴマーの析出によってフィルムが白
濁してしまう。そこでオリゴマー析出防止策として、透
明なプラスチックフィルム上に、有機ケイ素化合物の加
水分解によって生成する層を設け、その上に透明導電性
薄膜を形成した透明導電性フィルムが提案されている
（特開昭６０−１３１７１１号公報）。

【０００９】またペン入力用タッチパネルに透明導電性
フィルムを用いたものでは、スペーサーを介して対向さ
せた一対の導電性薄膜同士がペン入力による押圧力で強
く接触するため、薄膜にクラックや剥離が生じて電気抵
抗が増大したり断線を生じるといった問題を生じる。

【００１０】そこで、ペン入力による導電性劣化の問題
を軽減するための耐久特性向上策として、例えば特開平
２−６６８０９号公報には、１２０μｍ以下の厚さの透
明プラスチックフィルム上に透明導電性薄膜を形成し、
粘着剤により他の透明基体と貼り合わせた透明導電性フ
ィルムが提案されている。

【００１１】また特許第２５２５４７５号には、加熱処
理を施すことによりインジウム酸化物の結晶粒径を０．
３μｍ以下とした透明導電性フィルムも提案されてい
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記ペン入
力による導電性劣化の防止策として提案されている、透
明プラスチック上に透明導電性薄膜を形成して、粘着剤
により他の透明基体と貼り合わせる方法では、ペン入力
に対する耐久性が十分とはいえず、しかも、粘着剤を用
いて貼り合わせるため、貼合せ時にゴミなどの異物が混
入し易く、光学欠陥の多い透明導電性フィルムとなって
しまう。

【００１３】また、透明プラスチックフィルム上に有機
ケイ素化合物の加水分解により生成した層を設け、その
上に透明導電性薄膜を積層した透明導電性フィルムで
は、耐久性を確保することの必要上、透明導電性薄膜の
製膜後に、有機ケイ素化合物の加水分解により生成した
層を架橋させるため１５０℃×１０時間もの熱処理が必
要となる。その結果、透明導電性薄膜が結晶質となって
タッチパネル作製時における透明導電性薄膜のエッチン
グ特性が極めて悪くなり、タッチパネルの製造コストが
高くなる。

【００１４】また、加熱処理によりインジウム酸化物の
結晶粒径を０．３μｍ以下とした透明導電性フィルムを
用いる方法でも、透明導電性フィルムが結晶質の透明導
電性薄膜となるため、この場合もタッチパネル作製時の
透明導電性薄膜のエッチング特性が極めて悪くなり、タ
ッチパネルの製造コストが高くなる。

【００１５】本発明は上記の様な従来技術に指摘される
問題点を改善しようとするものであり、透明なプラスチ
ックフィルム上に透明導電性薄膜を形成した透明導電性
フィルムにおいて、特にタッチパネルとして用いたとき
のペン入力耐久性に優れ、且つ低コストで製造すること
のできる透明導電性フィルムを提供し、更には該透明導
電性フィルムを用いた高性能で低コストのタッチパネル
を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、一軸延伸高分子フ
ィルム上に、特定の表面張力を有する非晶質の透明導電
性薄膜を形成すれば上記目的が達成されることを知り、
本発明に想到した。

【００１７】即ち本発明の透明導電性フィルムは、一軸
延伸高分子フィルムの少なくとも片面に非晶質の透明導
電性薄膜を形成した透明導電性フィルムであって、上記
非晶質透明導電性薄膜の表面張力が３５〜６０ｄｙｎｅ
／ｃｍであるところに特徴を有している。

【００１８】上記本発明において、一軸延伸高分子フィ
ルムと非晶質透明導電性薄膜の付着力は１０ｇ／１５ｍ
ｍ以上であることが望ましく、また、該透明導電性フィ
ルムの透明導電性薄膜を形成していない面に、ハードコ
ート処理層、防眩処理層または反射防止処理層を形成し
たものも、本発明の好ましい実施態様に含まれる。更
に、透明導電性フィルムを構成する上記一軸延伸高分子
フィルムを構成する高分子としては、ポリエチレンテレ
フタレートまたはこれを主体とするポリエステルが好ま
しい。

【００１９】また本発明に係るタッチパネルは、表面に
透明導電性薄膜が形成された一対のパネル材を、該透明
導電性薄膜が対向する様にスペーサーを介して重ね合わ
せてなるタッチパネルであって、少なくとも１方のパネ
ル材として、前述した透明導電性フィルムを配置してな
るところに要旨を有している。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。

【００２１】本発明の透明導電性フィルムおよびタッチ
パネルを構成する基材フィルムは一軸延伸高分子フィル
ムであり、該フィルムの少なくとも片面に積層される透
明導電性薄膜は非晶質で、且つその表面張力が３５〜６
０ｄｙｎｅ／ｃｍの範囲にあるもので、該透明導電性フ
ィルムの製法は特に制限されないが、例えば次の様な方
法によって製造される。

【００２２】まず本発明で使用する一軸延伸高分子フィ
ルムは、有機高分子を溶融押出し又は溶液押出しし、必
要により長手方向または幅方向に延伸してから冷却、熱
固定したフィルムであり、有機高分子としては、ポリエ
チレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレ
ート、ポリプロピレンテレフタレート等のポリエステ
ル；ナイロン６、ナイロン４、ナイロン６６、ナイロン
１２等のポリアミド；更にはポリイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケ
トン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアクリ
ル、セルロースプロピオネート、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエーテル
イミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンオ
キサイド、ポリスチレン、シンジオタクチクポリスチレ
ン、ノルボルネン系ポリマー等が挙げられる。また、こ
れらの有機高分子は、他の有機重合体を少量共重合させ
たり、ブレンドしたものであってもよい。

【００２３】これらの高分子の中でも特に好ましいの
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，
６−ナフタレート、ポリプロピレンテレフタレートなど
のポリエステルである。

【００２４】本発明に係る上記一軸延伸高分子フィルム
の好ましい厚みは、１０μｍ超、３００μｍ以下、より
好ましくは７０μｍ以上、２５０μｍ以下であり、１０
μｍ以下ではベースフィルムとしての機械的強度が不足
気味となり、特にタッチパネルとして用いたときのペン
入力に対する変形が過大となり、満足な耐久性が得られ
難くなる。一方３００μｍを超えると、タッチパネルに
用いたときのペン入力時の荷重を過度に大きくしなけれ
ばならず、操作性や感度不良となる。

【００２５】この発明で上記高分子フィルムに積層され
る透明導電性薄膜としては、透明性と導電性を併せ持つ
材料であれば特に制限なく使用できるが、代表的なもの
としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、イン
ジウム−スズ複合酸化物、スズ−アンチモン複合酸化
物、亜鉛−アルミニウム複合酸化物、インジウム−亜鉛
複合酸化物などの薄膜が例示される。これらの化合物薄
膜は、適当な造膜条件を採用することで透明性と導電性
を兼ね備えた透明導電性薄膜になることが知られてい
る。

【００２６】透明導電性薄膜の好ましい膜厚は、４０Å
以上、より好ましくは５０Å以上で、８０００Å以下、
より好ましくは５０００Å以下であり、該膜厚が４０Å
未満の場合は、連続した薄膜になり難くて安定した導電
性が得られにくくなり、逆に８０００Åを超えて過度に
厚くなると透明性が低下する。

【００２７】透明導電性薄膜の形成法としては、真空蒸
着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティ
ング法、スプレー法、ゾル−ゲル法の如き公知の方法
を、上記材料の種類や必要膜厚に応じて適宜選択して採
用すればよい。

【００２８】上記スパッタリング法の場合、化合物を用
いた通常のスパッタリング法、あるいは金属ターゲット
を用いた反応性スパッタリング法などを採用できる。こ
の時、反応性ガスとして酸素、窒素、水蒸気などを導入
したり、オゾン添加やイオンアシスト等を併用すること
も有効である。また本発明の目的を損なわない範囲で、
基板に直流、交流、高周波などのバイアスを印加しても
よい。

【００２９】非晶質の透明導電性薄膜を得るには、透明
導電性薄膜を製膜する際に、基板である一軸延伸高分子
フィルムの温度を１００℃以下に抑えることが必要であ
り、蒸着法やＣＶＤの如き他の方法を採用する場合も同
様である。

【００３０】本発明に係る透明導電性フィルムをタッチ
パネル用として使用するに際し、上記透明導電性薄膜を
位置検出回路に銀ペーストを用いて強固に接着するに
は、透明導電性薄膜の表面張力を３５〜６０ｄｙｎｅ／
ｃｍにすることが重要であり、この範囲の表面張力を確
保することによって、例えば１２０℃以上の焼成温度を
採用した場合でも、銀ペーストと透明導電性薄膜とを強
固に接着することが可能となる。

【００３１】ちなみに、透明導電性薄膜の表面張力が３
５ｄｙｎｅ／ｃｍ未満では、１２０℃を超える焼成温度
では銀ペーストとの接着性が不十分となり、逆に該表面
張力が６０ｄｙｎｅ／ｃｍを超えると、透明導電性薄膜
上の水分などの吸着水量が増大し、やはり銀ペーストと
の接着性が低下してくる。

【００３２】透明導電性薄膜の表面張力を３５〜６０ｄ
ｙｎｅ／ｃｍの範囲にするための手段は特に制限されな
いが、一般的な方法としては、(1)透明導電性薄膜を酸
性もしくはアルカリ性溶液で処理して表面を活性化する
方法、(2)紫外線や電子線を薄膜表面に照射して活性化
する方法、(3)コロナ処理やプラズマ処理を施して活性
化する方法、等が例示される。

【００３３】上記表面活性化処理を実施する際に、酸性
水溶液処理に用いられる酸としては、塩酸、硫酸、フツ
酸、硝酸などが例示され、これらは単独酸として使用し
てもよく、あるいは混酸として使用することもできる。
またアルカリ性水溶液処理に用いられるアルカリとして
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、水酸化カルシウムなどが例示され、これらも単独で
使用し得る他、混合アルカリとして使用できる。また、
これらの酸やアルカリを含む洗浄液を使用してもよい。

【００３４】また、低圧もしくは高圧水銀ランプを用い
て紫外線を照射することにより空気中の酸素を活性酸素
とし、これを透明導電性薄膜表面と反応させることによ
って、表面張力の高い透明導電性薄膜を得ることもでき
る。このときの紫外線照射量としては、５〜２０００ｍ
Ｊ／ｃｍ²の範囲が好ましく、５ｍＪ／ｃｍ²未満の照射
量では表面を十分に活性化できず、また２０００ｍＪ／
ｃｍ²を超えて過度に照射量を多くすることは、表面活
性化処理に時間がかかり過ぎるので実用性を欠く。

【００３５】また電子線照射に用いる電子線源として
は、電子発生方式として熱陰極型、電界放出型、冷陰極
型などが、また高電圧発生方式としてはコッククロフト
・ウォルトン型、変圧器整流型、バンテクラフ型などが
好ましく採用される。電子線のエネルギーは５０ＫｅＶ
〜３０ＭｅＶの範囲が好ましく、５０ＫｅＶ未満の低エ
ネルギーでは透明導電性薄膜の表面活性化が十分でな
く、また３０ＭｅＶを超える高エネルギーを得るには、
非常に高価な設備が必要となるので工業的実用性を欠
く。また電子線照射量は０．１〜５００Ｍｒａｄの範囲
が好ましく、０．１Ｍｒａｄ未満の照射線量では、透明
導電性薄膜の表面活性化が十分でなく、また５００Ｍｒ
ａｄを超える照射線量を得るには処理に時間がかかり過
ぎるので実用的でない。

【００３６】上記の様に事後的に表面張力を高める方法
を採用する方法の他、表面張力の高い材料を透明導電性
薄膜構成素材として使用することも有効であり、例え
ば、透明導電性薄膜として好適に用いられるインジウム
−スズ複合酸化物薄膜のうち、酸化スズの含有率を多く
すると、表面張力の高い透明導電性薄膜を得ることがで
きる。この場合のインジウム−スズ複合酸化物薄膜中の
好ましい酸化スズ含量は１０〜６０重量％、より好まし
くは１５〜５０重量％の範囲である。酸化スズ含量が１
０重量％未満では、前述した表面活性化処理を併用しな
ければ、表面張力を３５〜６０ｄｙｎｅ／ｃｍの範囲内
とすることができず、また６０重量％を超えると薄膜の
導電性が損なわれる。

【００３７】本発明に係る上記透明導電性フィルムにお
いて、ペン入力耐久性を十分に高めるには、一軸延伸高
分子フィルムに対する透明導電性薄膜の付着カを１０ｇ
／１５ｍｍ以上にすることが望ましい。

【００３８】一軸延伸高分子フィルムと透明導電性薄膜
との接着性を更に向上させるため、透明導電性薄膜を製
膜するに先だって一軸延伸高分子フィルムに表面処理を
施しておくことも有効である。そのための具体的な手法
としては、サンドブラスト処理やエンボス加工によって
表面積を増加させる物理的表面粗面化処理法、フィルム
表面にグロー放電やコロナ放電処理を施し、表層部のカ
ルボニル基やカルボキシル基、水酸基などの活性基量を
増大させる放電処理法、或いは、フィルム表面の水酸基
やカルボニル基などの塩性基を増加させるため、酸やア
ルカリで高分子フィルムを処理する化学薬品処理法など
が例示される。

【００３９】これらの中でも、一軸延伸高分子フィルム
と透明導電性薄膜との接着性への寄与、経時安定性、処
理コスト等を総合的に考えて特に好ましいのは、酸性ま
たはアルカリ性水溶液を用いる表面処理法である。

【００４０】ここで用いられる酸性水溶液としては、重
クロム酸アルカリと硫酸の混合水溶液であるクロム酸混
液や塩酸水溶液などが好ましく使用され、アルカリ性水
溶液としては、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウ
ム水溶液などが好ましく用いられる。

【００４１】透明導電性薄膜と一軸延伸高分子フィルム
との付着カを更に強固にするため、透明導電性薄膜と一
軸延伸高分子フィルムとの間にプライマー層を設けるこ
とも有効である。ここで用いられるプライマー層の構成
材としては、透明導電性薄膜と一軸延伸高分子フィルム
の双方に優れた接着性を示すもので、具体的には、ポリ
エステル樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ウレタ
ンアクリル樹脂、シリコンアクリル樹脂、メラミン樹
脂、ポリシロキサン樹脂などが好ましく用いられる。

【００４２】該プライマー層の厚さは特に限定されない
が、０．００５〜１０μｍの範囲が好ましく、より好ま
しくは０．０１〜５μｍの範囲である。０．００５μｍ
未満の薄いプライマー層では、連続した膜になり難いた
め付着力向上効果が有効に発揮され難く、一方１０μｍ
を超える厚膜では、プライマー層の凝集破壊が起り易く
なり、やはり満足のいく付着力向上効果が発揮されな
い。

【００４３】プライマー層を一軸延伸高分子フィルム上
に形成する方法も特に限定されないが、好ましいのはコ
ーティング法である。コーティング法としては、例えば
エアドクタコート法、ナイフコート法、ロッドコート
法、正回転ロールコート法、リバースロールコート法、
グラビアコート法、キスコート法、ビードコート法、ス
リットオリフェスコート法、キャストコート法などが挙
げられる。また、プライマー層に架橋構造を付与する場
合には、コーティング後に加熱したり或いは紫外線や電
子線照射によりエネルギーを印加する方法等を採用すれ
ばよい。

【００４４】上記プライマー層をコーティングするに先
立ち、本発明の目的を損なわない限度で、一軸延伸高分
子フィルム表面にコロナ放電処理やグロー放電処理など
の表面処理を施しても構わない。

【００４５】図１は、本発明に係る透明導電性フィルム
Ｆの基本的な層構造を示す断面説明図であり、一軸延伸
高分子フィルムＡ片面に透明導電性薄膜を形成したもの
であるが、タッチパネルとして組立てた時のペン入力な
どによる傷付きを防止するため、例えば図２に示す如く
透明導電性フィルムＦの透明導電性薄膜Ｂが形成されて
いない面にハードコート処理層（ＨＣ）を設けておくこ
とも、好ましい態様として推奨される。このハードコー
ト処理層としては、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹
脂、アクリル糸樹脂、メラミン系樹脂、エポキシ系樹
脂、シリコン系樹脂、ポリイミド系樹脂などの硬化性樹
脂を、単独もしくは併用した架橋性樹脂硬化物層が好ま
しい。

【００４６】該ハードコート処理層の厚さは１〜５０μ
ｍ、より好ましくは２〜３０μｍの範囲が好ましく、１
μｍ未満ではハードコート処理層としての機能が十分に
発現されず、また５０μｍを超える厚肉になると、樹脂
コーティングの形成速度が著しく遅くなるので生産性の
面で好ましくない。

【００４７】ハードコート処理層の形成法としては、透
明導電性フィルムにおける透明導電性薄膜が形成されて
いない側の面に、上述した様な樹脂をグラビア方式、リ
バース方式、ダイ方式などでコーティングした後、熱、
紫外線、電子線等のエネルギーを印加して硬質皮膜化す
る方法を採用すればよい。

【００４８】更に、タッチパネルの視認性向上のため、
図３に示す如く、透明導電性フィルムＦにおける透明導
電性薄膜Ｂが形成されていない側の面に、防眩処理層
（ＡＧ）Ａ設けることも極めて有効である。防眩処理層
の形成は、硬化性樹脂をコーティングして乾燥した後、
その表面にエンボスロールなどで凹凸を形成してから、
熱や紫外線、電子線等のエネルギーを印加して硬化させ
る方法等によって実現でき、このとき用いられる硬化性
樹脂としては、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、
アクリル系樹脂、メラミン糸樹脂、エポキシ系樹脂、シ
リコン系樹脂、ポリイミド系樹脂などが、単独でもしく
は混合して使用できる。

【００４９】また、タッチパネルとして用いた時の可視
光線透過率を更に向上させるため、図４に示す如く、透
明導電性フィルムＦにおける透明導電性薄膜Ｂが形成さ
れていない側の面に反射防止処理層（ＡＲ）を設けるこ
とも有効である。該反射防止処理層には、基材フィルム
の屈折率とは異なる屈折率を有する素材を単層もしくは
２層以上に積層形成する方法が好ましく採用される。単
層構造の場合は、基材フィルムよりも小さな屈折率を有
する素材を使用するのがよく、また２層以上の多層構造
とする場合は、基材フィルムと隣接する層は基材フィル
ムよりも大さな屈折率を有する素材とし、その上に積層
される層には、これよりも小さな屈折率を有する素材を
選択することが好ましい。

【００５０】この様な反射防止処理層を構成する素材と
しては、有機材料、無機材料の如何を問わず上記屈折率
の関係を満足するものであればよいが、好ましい例とし
ては、ＣａＦ₂，ＭｇＦ₂，ＮａＡｌＦ₄，ＳｉＯ₂，Ｔｈ
Ｆ₄，ＺｒＯ₂，Ｎｄ₂Ｏ₃，ＳｎＯ₂，ＴｉＯ₂，Ｃｅ
Ｏ₂，ＺｎＳ，Ｉｎ₂Ｏ₃などの誘電体が挙げられる。

【００５１】上記反射防止処理層を積層する方法として
は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオン
プレーテイング法などのドライコーティング法でも、グ
ラビア方式、リバース方式、ダイ方式などのウェットコ
ーティング法でも構わない。

【００５２】更に上記反射防止処理層の積層に先立っ
て、コロナ放電処理、プラズマ処理、スパッタエッチン
グ処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、プライマ処
理、易接着処理などの公知の前処理を施してもよい。

【００５３】次に、上記透明導電性フィルムを用いたタ
ッチパネルについて説明する。図５は、本発明に係るタ
ッチパネルを例示する断面説明図であり、透明導電性薄
膜を有する一対のパネル材を、透明導電性薄膜Ｂが対向
する様にスペーサーＳを介して対向配置してなるタッチ
パネルにおいて、１方のパネル材として、前述した本発
明の透明導電性フィルムＦを用いたものである。このタ
ッチパネルは、透明導電性フィルムＦ側からペンにより
文字入力したときに、対向した透明導電性薄膜Ｂ同士が
ペンからの押圧により接触して電気的にＯＮになり、ペ
ンのタッチパネル上での位置を検出できる。このペンタ
ッチ位置を連続的かつ正確に検出することで、ペンの軌
跡から文字を入力できる。この際、ペン接触側のパネル
材が前記本発明の透明導電性フィルムで構成されてお
り、ペン入力耐久性に優れたものであるから、長期にわ
たって安定なタッチパネルとなる。

【００５４】なお図５において、もう一方のパネル材と
しては、ガラス板Ｇよりなる透明基板上に透明導電性薄
膜Ｂを積層したものであるが、本発明の前記透明導電性
フィルムＦを使用してもよい。また、液晶ガラス基板に
おける配向膜設置面の反対側の面上に透明導電性薄膜を
積層したものであっても勿論構わない。

【００５５】

【実施例】以下、実施例をあげて発明をより具体的に説
明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を
受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲
で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それ
らは何れも本発明の技術的範囲に含まれる。なお、下記
実施例において「部」および「％」とあるのは、特記し
ない限り「重量部」および「重量％」を意味する。

【００５６】実施例１ ポリエチレンテレフタレートを、フィルム形成ダイを通
して、水冷した回転急冷ドラム上に押出し、未延伸フィ
ルムを作製する。この未延伸フィルムを幅方向に９０℃
で４．０倍延伸し、更に２２０℃で熱固定してから、２
００℃で４％リラックス処理し、厚さ１８８μｍの一軸
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを得た。

【００５７】この一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルムを、表面清浄化のため洗浄剤（商品名「スキャ
ット２０−Ｘ」、第一工業製薬社製）の１０体積％水溶
液中に２分間浸漬し、更に、表面に付着した洗浄剤を洗
浄するため純水の流水中へ２分間浸漬処理した。該一軸
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを十分に乾燥
した後、インジウム−スズ複合酸化物をターゲットとし
て使用し、高周波マグネトロンスパッタリング法によっ
て３００Å厚、酸化スズ含有率８％のインジウム−スズ
複合酸化物薄膜（透明導電性薄膜）を製膜した。このと
き、真空度は１×１０^-3Ｔｏｒｒとし、ガスとしてＡ
ｒ：６０ｓｃｃｍ，Ｏ₂：２ｓｃｃｍを流した。また製
膜工程中、一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィル
ムの温度は２０℃に保った。

【００５８】上記で得た透明導電性薄膜に、ＵＶオゾン
洗浄機（アイグラフィック社製「ＯＣ−２５０３１５
Ｇ」）を用いて、ＵＶランプ２５Ｗ、３灯、照射時間１
５秒の処理を施した。

【００５９】得られた透明導電性フィルムを一方のパネ
ル材として用い、他方のパネル材としては、ガラス基板
上に上記と同じ方法で４００Å厚の透明導電性薄膜を形
成したものを使用し、これら２枚のパネル板を、直径３
０μｍのエポキシビーズを介して透明導電性薄膜が対向
する様に配置し、タッチパネルを作製した。

【００６０】実施例２ 上記実施例１と同様にして作成した一軸延伸ポリエチレ
ンテレフタレートフィルムを使用し、該一軸延伸ポリエ
チレンテレフタレートフィルム上に、インジウム−スズ
複合酸化物をターゲットに用いて高周波マグネトロンス
パッタリング法により厚さ３００Åのインジウム−スズ
複合酸化物薄膜（透明導電性薄膜）を形成した。

【００６１】このとき、インジウム−スズ複合酸化物タ
ーゲットとしては、酸化スズ含有率が１５、２５、３
５、４５、６０％のものを用い、各ターゲットを用いた
ときのインジウム−スズ複合酸化物薄膜中の酸化スズ含
有量は、夫々１４、２４、３３、４２、５６％であっ
た。なお、真空度は何れの場合も１×１０^-3Ｔｏｒｒに
調整し、ガスとしては、Ａｒ：６０ｓｃｃｍ，Ｏ₂：２
ｓｅｃｍを流し、製膜中、一軸延伸ポリエチレンテレフ
タレートフィルムの温度は２０℃に保った。

【００６２】得られた透明導電性フィルムを使用し、前
記実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。

【００６３】実施例３ 前記実施例１と同様にして得た一軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルムを洗浄した後、４０℃、０．５モ
ル／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液中に２分間浸漬し、そ
の後、表面の水酸化ナトリウムを除去するため純水の流
水中に２分間浸漬した。

【００６４】この一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、インジウム−スズ複合酸化物をターゲッ
トとして用いて、高周波マグネトロンスパックリング法
により、厚さ３００Å、酸化スズ含有率２０％のインジ
ウム−スズ複合酸化物薄膜（透明導電性薄膜）を製膜し
た。このターゲットを用いたときの、インジウム−スズ
複合酸化物薄膜中の酸化スズ含有率は１８％であった。
この時、真空度は１×１０^-3Ｔｏｒｒ、ガスとしてはＡ
ｒ：４０ｓｃｃｍ、Ｏ₂：１ｓｃｃｍで流し、また製膜
中、一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルの温度
は２０℃に保った。この透明導電性フィルムを用い、前
記実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。

【００６５】実施例４ 前記実施例１と同様にして得た一軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルムを洗浄した後、重クロム酸ナトリ
ウム１部、硫酸１０部、水３０部からなるクロム酸混液
中に４０℃で２分間浸漬し、更に表面の残存物を除去す
るため純水の流水中に２分間浸漬処理した以外は、前記
実施例３と同様にしてタッチパネルを作製した。

【００６６】実施例５ 前記実施例１と同様にして得た一軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルムを用い、該フィルムの面上に、プ
ライマー層形成剤として、ポリエステル樹脂（東洋紡績
社製「バイロン２８０」）３部を、メチルエチルケトン
５０部、トルエン５０部、架橋剤（日本ポリウレタン工
業社製「コロネートＬ」）１部に溶解した塗液をグラビ
ア法でコートし、１２０℃×１分間の予備乾燥後、更に
硬化のため１３０℃で５分間加熱処理した。硬化後のプ
ライマー層の厚さは０．０８μｍであった。

【００６７】このプライマー面上に、前記実施例３と同
じ条件でインジウム−スズ複合酸化物薄膜を透明導電性
薄膜として製膜した。このインジウム−スズ複合酸化物
薄膜中の酸化スズ含有率は１８％であった。この透明導
電性フィルムを使用し、前記実施例１と同様にしてタッ
チパネルを作製した。

【００６８】実施例６ 上記実施例５と同様にして作成した透明導電性フィルム
を用い、この透明導電性フィルムをＵＶオゾン洗浄機
（アイグラフィック社製「ＯＣ−２５０３１５Ｇ」）を
用い、ＵＶランプ２５Ｗ、３灯、照射時間１５秒で処理
し、実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。

【００６９】実施例７ 前記実施例２と同様にして作製した一軸延伸ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム／インジウム−スズ複合酸化
物薄膜からなる積層体の、インジウム−スズ複合酸化物
薄膜を形成した面と反対側の面にハードコート処理層を
設けた。ハードコート剤としては、エポキシ変性アクリ
ル樹脂１００部にベンゾフェノン４部を加えた紫外線硬
化型樹脂組成物を用い、リバースコート法により製膜し
てから、８０℃×５分の予備乾燥後、５００ｍＪ／ｃｍ
²の紫外線照射により硬化させた。硬化後の厚さは５μ
ｍである。また、この透明導電性フィルムを使用し、実
施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。但し、イ
ンジウム−スズ複合酸化物ターゲットとしては、酸化ス
ズ含有率２０％のものを使用した。

【００７０】実施例８ 前記実施例２と同様にして作製した一軸延伸ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム／インジウム−スズ複合酸化
物薄膜からなる積層体の、インジウム−スズ複合酸化物
薄膜を形成した面と反対側の面に、防眩処理層を形成し
た。コート剤としては、エポキシアクリル樹脂１００部
にベンゾフェノン２部を加えた紫外線硬化型樹脂組成物
を使用し、リバースコート法で成膜した後、８０℃×５
分の予備乾燥後、エンボスロールで表面に凹凸を形成
し、５００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線照射により硬化させ
た。硬化後の厚さは５μｍである。また、この透明導電
性フィルムを使用し、前記実施例１と同様にしてタッチ
パネルを作製した。但し、インジウム−スズ複合酸化物
ターゲットとしては、酸化スズ含有率２０％のものを使
用した。

【００７１】実施例９ 前記実施例２と同様にして作製した一軸延伸ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム／インジウム−スズ複合酸化
物薄膜からなる積層体のインジウム−スズ複合酸化物薄
膜を形成した面とは反対側の面に、厚さ７３０Åで屈折
率１．８９のＹ₂Ｏ₃層、その上に厚さ１２００Åで屈折
率２．３のＴｉＯ₂層、更にその上に厚さ９４０Åで屈
折率１．４６のＳｉＯ₂を、夫々高周波スパッタリング
法によって製膜し、反射防止処理層とした。各静電体薄
膜を製膜するに際し、いずれも真空度は１×１０^-3Ｔｏ
ｒｒとし、ガスとしてＡｒ：５５ｓｃｃｍ、Ｏ₂：５ｓ
ｃｃｍを流した。また、基板は製膜行程中、加熱もしく
は冷却をすることなく室温のままとした。

【００７２】得られた透明導電性フィルムを使用し、前
記実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。但
し、インジウム−スズ複合酸化物ターゲットとしては酸
化スズ含有率２０％のものを使用した。

【００７３】実施例１０ 一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムに代え
て、ポリエチレン−２，６−ナフタレートを使用し、水
冷した回転急冷ドラム上にフィルム形成ダイを通して押
出し末延伸フィルムを作製した。この未延伸フィルムを
幅方向に１１０℃で４．０倍延伸し、その後２３０℃で
熱固定してから２１０℃で４％リラックス処理し、４７
μｍの一軸延伸ポリエチレン−２，６−ナフタレートフ
ィルムを得た。

【００７４】この一軸延伸ポリエチレン−２，６−ナフ
タレートフィルムを用いた以外は前記実施例２と同様に
して透明導電性薄膜を製膜し、透明導電性フィルムを作
製した。また、この透明導電性フィルムを使用し、前記
実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。このと
き、インジウム−スズ複合酸化物ターゲットとしては酸
化スズ含有率２０％のものを使用した。

【００７５】実施例１１ ノルボルネン系樹脂（商品名「ＺＥＯＮＥＸ」、日本ゼ
オン社製）を水冷した回転急冷ドラム上にフィルム形成
ダイを通して押出し、未延伸フィルムを作製した。この
未延伸フィルムを、幅方向に３．５倍延伸して厚さ１０
０μｍの一軸延伸ＺＥＯＮＥＸフィルムを得た。

【００７６】得られた一軸延伸ＺＥＯＮＥＸフィルム
を、表面の汚れを除去するため洗浄剤（商品名「スキャ
ット２０−Ｘ」、第一工業製薬社製）の１０体積％水溶
液に２分間浸漬した。この一軸延伸ＺＥＯＮＥＸフィル
ム上に、インジウム−スズ複合酸化物をターゲットとし
て用いて、高周波マグネトロンスパッタリング法により
厚さ３００Å、酸化スズ含有率２０％のインジウム−ス
ズ複合酸化物薄膜（透明導電性薄膜）を製膜した。この
時、真空度は１×１０^-3Ｔｏｒｒとし、ガスとしてＡ
ｒ：６０ｓｃｃｍ、Ｏ₂：２ｓｃｃｍを流し、製膜中、
一軸延伸ＺＥＯＮＥＸフィルムの温度は２０℃に保っ
た。また、この透明導電性フィルムを使用し、実施例１
と同様にしてタッチパネルを作製した。

【００７７】比較例１ ＵＶオゾン処理を行わなかった以外は前記実施例１と同
様にして、透明導電性フィルムを作製し、更にこの透明
導電性フィルムを用いて、前記実施例１と同様にしてタ
ッチパネルを作製した。

【００７８】比較例２ 酸化スズ含有率が７０％、８０％または９０％であるイ
ンジウム−スズ複合酸化物ターゲットを使用した以外は
前記実施例２と同様にして、透明導電性フィルムを作製
した。また、この透明導電性フィルムを用いて、実施例
１と同様にしてタッチパネルを作製した。

【００７９】比較例３ ＵＶオゾン処理を行わなかった以外は実施例５と同様に
して、透明導電性フィルムを作製し、この透明導電性フ
ィルムを用いて、実施例１と同様にしてタッチパネルを
作製した。但し、インジウム−スズ複合酸化物ターゲッ
トとしては、酸化スズ含有率９％のものを使用した。

【００８０】比較例４ 前記実施例１と同様にして厚さ１８８μｍの一軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルムを作製し、このフィ
ルムの一方の面に有機ケイ素化合物のブタノール、イソ
プロパノール混合アルコール溶液（濃度１％）を塗工し
た後、１００℃で１分間乾燥した。その後、有機ケイ素
化合物上に前記実施例１と同様にして、インジウム−ス
ズ複合酸化物薄膜からなる透明導電性薄膜を基板温度１
２０℃で製膜した。この積層体を更に１５０℃で１０時
間加熱処理し、得られた透明導電性フィルムを用いて、
実施例１と同様にしてタッチパネルを作製した。

【００８１】参考例１ 一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムに代え
て、ポリエチレンテレフタレートを水冷した回転急冷ド
ラム上にフィルム形成ダイを通して押出して未延伸フィ
ルムを作製し、この未延伸フィルムを長手方向に３．２
倍延伸した後、幅方向に３．５倍延伸し、２３０℃で熱
固定して得た厚さ５０μｍの二軸延伸ポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いた以外は、前記実施例１と同
様にして透明導電性フィルムを作製し、更にこれを用い
てタッチパネルを作製した。

【００８２】上記実施例１〜１１および比較例１〜４、
参考例１の透明導電性フィルムについて、透明導電性薄
膜の組成、透明導電性薄膜のエッチング時間、透明導電
性薄膜の電子線回折像、透明導電性フィルムの光線透過
率、透明導電性薄膜の表面張力、透明導電性薄膜の表面
抵抗率、基材フィルムに対する透明導電性薄膜の付着
カ、銀ペーストと透明導電性薄膜との接着性を、下記の
方法によって測定した。また、各透明導電性フィルムを
用いて作製したタッチパネルについて、ペン入力耐久性
試験を行った。

【００８３】＜透明導電性薄膜中の組成分析＞インジウ
ム−スズ複合酸化物薄膜中の酸化スズの重量％は、薄膜
中のインジウムとスズの組成を原子吸光分析で求め、イ
ンジウムとスズが薄膜中で完全酸化物であると仮定して
Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂の比重（Ｉｎ₂Ｏ₃は７．１８、Ｓｎ
Ｏ₂は６．９５）を用いて算出した値である。

【００８４】＜表面抵抗率＞三菱化学社製の「Ｌｏｔｅ
ｓｔ ＡＭＣＰ−Ｔ４００」を使用し、ＪＩＳ Ｋ７１
９４に準拠した４端子法により側定した。

【００８５】＜光線透通率＞日本電色工業社製の「ＮＤ
Ｈ−１００１ＤＰ」を使用し、ＪＩＳ Ｋ７１０５に準
拠した積分球式光線透過率法により測定した。

【００８６】＜表面張力＞表面張力が既知である水、お
よびヨウ化メテレンの透明導電性薄膜に対する接触角：
θｗ、θｙを接触角計（協和界面科学社製「ＣＡ−Ｘ
型」）を使用し、２５℃、５０％ＲＨの条件で測定し
た。これらの測定値を用い、以下の様にして透明導電性
薄膜の表面張力γｓを算出した。

【００８７】透明導電性薄膜の表面張力γｓは、分散性
成分γｓｄと極性成分γｓｐとの和である。即ち、 γｓ＝γｓｄ＋γｓｐ （式１） また、Ｙｏｕｎｇの式より、 γｓ＝γｓｗ＋γｗ・ｃｏｓθｗ （式２） γｓ＝γｓｙ＋γｙ・ｃｏｓθｙ （式３） ここで、γｓｗは透明導電性薄膜と水との間に働く張
力、γｓｗは透明導電性薄膜とヨウ化メチレンとの間に
働く張力、γｗは水の表面張力、γｙはヨウ化メチレン
の表面張力である。

【００８８】また、Ｆｏｗｋｅｓの式より γ_sw＝γ_s＋γ_w−２×（γ_sd・γ_wd）^1/2−２×（γ_sp・γ_wp）^1/2 （式４） γ_sy＝γ_s＋γ_y−２×（γ_sd・γ_yd）^1/2−２×（γ_sp・γ_yp）^1/2 （式５） である。ここで、γ_wdは水の表面張力の分散性成分、γ
_wpは水の表面張力の極性成分、γ_ydはヨウ化メテレンの
表面張力の分散性成分、γ_ypはヨウ化メチレンの表面張
力の極性成分である。

【００８９】式１〜５の連立方程式を解くことにより、
透明導電性薄膜の表層張力γ_s＝γ_{s d}＋γ_spを算出でき
る。この時、水の表面張力（γ_w）：７２．８ｄｙｎｅ
／ｃｍ、よう化メチレンの表面張力（γ_y）：５０，５
ｄｙｎｅ／ｃｍ、水の表面張力の分散性成分（γ_wd）：
２１．８ｄｙｎｅ／ｃｍ、水の表面張力の極性成分（γ
_wp）：５１．０ｄｙｎｅ／ｃｍ、ヨウ化メチレンの表面
張力の分散性成分（γ_yｄ）：４９．５ｄｙｎｅ／ｃ
ｍ、ヨウ化メテレンの表面張力の極性成分（γ_yp）：
１．３ｄｙｎｅ／ｃｍを用いた。

【００９０】＜付着力測定＞厚さ４０ｃｍのアイオノマ
ーフィルムとポリエステル糸接着剤を使用し、厚さ７５
μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムにラミネー
トした付着力測定用積層体を作製した。

【００９１】この付着力測定用積層体のアイオノマー面
と透明導電性フィルムの透明導電性薄膜面を対向させ、
１３０℃でヒートシールした。この積層体を付着力測定
用積層体と透明導電性フィルムとを１８０度剥離法で剥
離し、そのときの剥離カを付着力とした。この時の剥離
速度は１０００ｍｍ／分とした。

【００９２】＜電子線回折＞プラスチックフィルムおよ
び硬化性高分子硬化層を溶解し、透明導電性薄膜の単独
膜を得るため、透明導電性フィルムを構成する基材フィ
ルムの溶解する溶剤中に２日間浸漬する。溶液中の透明
導電性薄膜をマイクログリツドに乗せ、溶液を乾燥させ
るため１日間風乾する。これを試料とし、電子線回折像
を透過型電子顕微鏡（日本電子社製「ＪＢＭ−２０１
０」）を用いて測定した。電子線条件は、加速電圧２０
０ｋＶ、波長０．００２５ｎｍとした。この回折像か
ら、透明導電性薄膜が結晶質であるか、非晶質であるか
を確認した。

【００９３】＜エッチング時間＞１０ｃｍ×ｌｃｍのサ
イズに切り出した透明導電性フィルムの両端にテスター
を接続し、抵抗を測定しながら４０℃、２０％硫酸水溶
液中に浸漬し、抵抗が１０ＭΩ以上となる時間をエッチ
ング時間とした。

【００９４】＜銀ペーストの密着性＞ステンレス製のス
クリーンメッシュ（２００ｍｅｓｈ/ｉｎｃｈ）を使用
し、銀ペースト（東洋紡績社製「ＤＷ・２５０Ｈ−
５」）を透明導電性薄膜上に塗布し、１２０℃で３０分
間焼成した。焼成後の銀ペーストの厚さは２０μｍであ
る。銀ペーストと透明導電性薄膜の密着性を、JＩＳ
Ｄ０２０２に準拠しクロスカット密着法により５枚の試
験片について測定し、その平均値を算出した。

【００９５】＜ペン入力耐久性試験＞まず、ペン入力試
験前のリニアリティ測定を以下の様にして行った。即
ち、本発明の透明導電性フィルムを１００ｍｍ×１００
ｍｍに切り出し、透明導電性薄膜形成面の両端辺に幅５
ｍｍの電極を銀ペーストを塗布して作成する。この電極
間に定電圧電源により５Ｖを印加し、サンプルの中心部
５０ｍｍ×５０ｍｍの範囲を縦横１ｍｍ間隔で（ｘ１，
ｙｌ）〜（ｘ５０，ｙ５０）の２５００点について電圧
Ｖｉ，ｊ（ｉ，ｊ＝１〜５０）を測定した。

【００９６】各電圧測定点での理論電圧Ｕｉ，ｊ＝Ｖ
１，１＋（Ｖ５０，５０−Ｖ１，１）／５０×（Ｊ−
１）からのズレを△ｉ，ｊ＝（Ｖｉ，ｊ−Ｕｉ，ｊ）／
Ｕｉ，ｊで定義し、この△ｉ，ｊの絶対値の最大値をリ
ニアリティと定義した。

【００９７】ペン入力試験前のリニアリティを測定した
透明導電性フィルムを用い、実施例および比較例に記載
した様にしてタッチパネルを作製した。透明導電性フィ
ルムで構成されたパネル材側から、ポリアセタール樹脂
製のペン先半径０．８ｍｍのタッチペンを使用し、リニ
アリティ測定を行った部位に、プロッタ（ローランド社
製「ＤＸＹ−１１５０」）により、２ｃｍ角サイズのカ
タカナのア〜ンまでの文字を２００，０００字筆記し、
ペン入力試験を行った。この時、ペン荷重は２５０ｇ
ｆ、文字筆記速度は２，０００字／時間とした。

【００９８】ペン入力試験後の透明導電性フィルムのリ
ニアリティを前述と同様の手法で測定し、リニアリティ
が３％を越えた筆記字数をペン入力耐久性とした。

【００９９】実施例１〜１１および比較例１〜５につい
ての測定結果を表１，２に一括して示す。

【０１００】

【表１】

【０１０１】

【表２】

【０１０２】

【発明の効果】本発明の透明導電性フィルムは、一軸延
伸高分子フィルム上に設けた透明導電性薄膜の表面張力
が３５〜６０ｄｙｎｅ／ｃｍであるため、銀ペーストと
の間で高い密着性を示す。また、この透明導電性フィル
ムは、非晶質の透明導電性薄膜を形成したものであるか
ら、導電性、透明性およびエッチング特性に極めて優れ
たものである。更には、一軸延伸高分子フィルムと透明
導電性薄膜との付着カを１０ｇ／１５ｍｍ以上とするこ
とにより、ペン入力用タッチパネルとして用いたとき
に、ペンによる押圧で対向する透明導電性薄膜同士が強
く接触したときでも、透明導電性薄膜に剥離やクラツク
を生じることがなく、ペン入力耐久性に極めて優れた透
明導電性フィルムとなる。

【０１０３】そして、この透明導電性フィルムを使用す
ることにより、ペン入力耐久性、入力感度などに極めて
優れたタッチパネルを低コストで提供し得ることになっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る透明導電性フィルムの基本構造を
示す断面説明図である。

【図２】本発明に係る透明導電性フィルムを例示する断
面説明図である。

【図３】本発明に係る更に他の透明導電性フィルムを例
示する断面説明図である。

【図４】本発明に係る更に他の透明導電性フィルムを例
示する断面説明図である。

【図５】本発明に係るタッチパネルの基本構造を例示す
る断面説明図である。

【符号の説明】

Ｆ 透明導電性フィルム Ａ 一軸延伸高分子フィルム Ｂ 透明導電性薄膜 Ｓ スペーサー Ｇ ガラス板 ＨＣ ハードコート処理層 ＡＧ 防眩処理層 ＡＲ 反射防止処理層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０６Ｆ 3/033 ３６０ Ｇ０６Ｆ 3/033 ３６０Ｈ Ｈ０１Ｈ 13/52 Ｈ０１Ｈ 13/52 Ｅ (72)発明者 横山 誠一郎 滋賀県大津市堅田二丁目１番１号 東洋紡 績株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4F100 AA28B AA33B AK01A AK41A AK42A AR00C BA02 BA03 BA06 BA07 BA10B BA10C BA13 EH66 EJ37A EJ54 EJ59 EJ60 GB41 JA13B JA20B JB02 JG01B JK06B JK12C JK14 JL00 JM02B JN01B JN06C JN30C YY00B 4K029 AA11 AA25 BA50 BB10 BC09 BD00 5B087 AA04 AC09 AE09 CC14 CC18 CC36 5G006 AA01 FB14 FB16 FB17 FB30 5G307 FA02 FB01 FC02 FC03

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一軸延伸高分子フィルムの少なくとも片
   面に非晶質透明導電性薄膜が形成された透明導電性フィ
   ルムであって、該非晶質透明導電性薄膜の表面張力が３
   ５〜６０ｄｙｎｅ／ｃｍであることを特徴とする透明導
   電性フィルム。
2. 【請求項２】 前記一軸延伸高分子フィルムに対する透
   明導電性薄膜の付着力が１０ｇ／１５ｍｍ以上である請
   求項１に記載の透明導電性フィルム。
3. 【請求項３】 前記透明導電性薄膜が、酸化スズ含有率
   １０〜６０重量％のインジウム−スズ複合酸化物薄膜で
   ある請求項１または２に記載の透明導電性フィルム。
4. 【請求項４】 前記一軸延伸高分子フィルムが、一軸延
   伸ポリエステルフィルムである請求項１〜３のいずれか
   に記載の透明導電性フィルム。
5. 【請求項５】 前記一軸延伸高分子フィルムが、ポリエ
   チレンテレフタレートまたはこれを主体とするポリエス
   テルで溝成されている請求項４に記載の透明導電性フィ
   ルム。
6. 【請求項６】 前記透明導電性フィルムにおける透明導
   電性薄膜が形成されていない面に、ハードコート処理層
   が設けられている請求項１〜５のいずれかに記載の透明
   導電性フィルム。
7. 【請求項７】 前記透明導電性フィルムにおける透明導
   電性薄膜が形成されていない面に、防眩処理層が設けら
   れている請求項１〜５のいずれかに記載の透明導電性フ
   ィルム。
8. 【請求項８】 前記透明導電性フィルムにおける透明導
   電性薄膜が形成されていない面に、反射防止処理層が設
   けられている請求項１〜５のいずれかに記載の透明導電
   性フィルム。
9. 【請求項９】 表面に透明導電性薄膜が形成された一対
   のパネル材を、該透明導電性薄膜が対向する様にスペー
   サーを介して重ね合わせてなるタッチパネルにおいて、
   少なくとも１方のパネル材として、前記請求項１〜８の
   いずれかに記載された透明導電性フィルムを用いたもの
   であることを特徴とするタッチパネル。