JP2000241595A - 放射線像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】帯電防止性能に優れた放射線像変換パネルを提
供すること。 【解決手段】 支持体表面に、少なくとも中間導電層
と、輝尽性蛍光体を含む蛍光体層とを順次設けてなる放
射線像変換パネルであって、中間導電層の表面電気抵抗
率（ｌｏｇＳＲ_M）が下記式（１−A）を満たし、且つ中
間導電層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_M）と、中間導
電層以外の層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_E）との関
係が、下記式（１−Ｂ）を満たすことを特徴とする放射
線像変換パネルである。 １４≧ｌｏｇＳＲ_M≧７ 式（１−Ａ） ｌｏｇＳＲ_E≧ｌｏｇＳＲ_M 式（１−Ｂ）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、輝尽性蛍光体を利
用する放射線像変換方法に用いられる放射線像変換パネ
ル（以下、単にパネルということがある。）に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】放射線像を画像として得る方法として、
従来より銀塩感光材料からなる乳剤層を有する放射線写
真フイルムと増感紙との組合わせを用いる、いわゆる放
射線写真法が利用されている。最近、上記放射線写真法
に代る方法の一つとして、たとえば特開昭５５−１２１
４５号公報等に記載されているような、輝尽性蛍光体を
用いる放射線像変換方法が注目されるようになった。こ
の放射線像変換方法は、輝尽性蛍光体を有する放射線像
変換パネル（蓄積性蛍光体シート）を利用するもので、
被写体を透過した放射線、或いは被検体から発せられた
放射線を該パネルの輝尽性蛍光体に吸収させ、そののち
に輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線等の電磁波（励起
光）で時系列的に励起することにより、該輝尽性蛍光体
中に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光（輝尽発
光）として放出させ、この蛍光を光電的に読み取って電
気信号を得て、この得られた電気信号を画像化するもの
である。

【０００３】上述の放射線像変換方法によれば、従来の
放射線写真法による場合に比較して、はるかに少ない被
曝線量で情報量の豊富な放射線画像を得ることができる
という利点がある。従って、この放射線像変換方法は、
特に医療診断を目的とするＸ線撮影等の直接医療用放射
線撮影において利用価値の非常に高いものである。

【０００４】上記の放射線像変換方法に用いる放射線像
変換パネルは、基本構造として、支持体と、その片面に
設けられた蛍光体層とからなるものである。なお、この
蛍光体層の支持体とは反対側の表面（支持体に面してい
ない側の表面）には一般に、高分子物質からなる透明な
保護層が設けられていて、蛍光体層を化学的な変質或い
は物理的な衝撃から保護している。

【０００５】蛍光体層は、輝尽性蛍光体と、これを分散
状態で含有支持する結合剤とからなるものであり、この
輝尽性蛍光体は、Ｘ線等の放射線を吸収したのち、可視
光線及び赤外線等の電磁波（励起光）の照射を受けると
発光（輝尽発光）を示す性質を有するものである。従っ
て、被写体を透過した、或いは被検体から発せられた放
射線は、その放射線量に比例して放射線像変換パネルの
蛍光体層に吸収され、放射線像変換パネル上には被写体
或いは被検体の放射線像が放射線エネルギーの蓄積像と
して形成される。この蓄積像は、上記電磁波で時系列的
に励起することにより輝尽発光として放射させることが
でき、この輝尽発光を光電的に読み取って電気信号に変
換することにより放射線エネルギーの蓄積像を画像化す
ることが可能となる。

【０００６】蛍光体層は、上記のように結合剤を用いて
塗布形成する方法以外に輝尽性蛍光体を支持体の上に蒸
着すること等により形成することもできる。具体的に
は、例えば、蛍光体層の形成を公知のピー・エフ・カル
シアとエル・エッチ・ブリックスナー（Ｐ．Ｆ． ＣＡ
ＲＣＩＡ ＡＮＤ Ｌ．Ｈ．ＢＲＩＸＮＥＲ）が行った
真空蒸着法（ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＡＮＤ ＯＰＴ
ＩＣＳ，Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍ， １１５
（１９８４）８９−９５）を用いることにより行うこと
ができる。

【０００７】放射線像変換方法は、上述のように非常に
有利な画像形成方法であるが、この方法に用いられる放
射線像変換パネルも従来の放射線写真法に用いられる増
感紙と同様に、高感度であって、かつ画質（鮮鋭度、粒
状性等）の優れた画像を与えるものであることが望まれ
る。

【０００８】放射線像変換方法の実施に際して、放射線
像変換パネルは、放射線の照射（放射線像の記録）・励
起光の照射（記録された放射線像の読出し）・消去光の
照射（残存する放射線像の消去）というサイクルで繰り
返し使用される。実際に、放射線画像情報の記録再生装
置内においてパネルは、ロール及びエンドレスベルト等
の搬送手段によって挟持された状態で搬送され、一サイ
クル終了毎に通常は積み重ねられて保存される（以下、
積層状態ということがある。）。

【０００９】このような搬送と保存とからなる繰返しの
使用において、放射線像変換パネルが積み重ねられる際
もしくは積層状態から搬送系に移る際に、一枚のパネル
の表面（蛍光体層表面又は保護層表面）と他のパネルの
裏面（支持体表面）との擦れ、パネルの端縁と他のパネ
ルの表面或いは裏面との擦れ、及びパネルと搬送手段
（ロール、ベルト等）との擦れ等の物理的接触が生じ
る。一般に、放射線像変換パネルの搬送の際に要求され
る柔軟性の点から、支持体材料としてはポリエチレンテ
レフタレートフイルム等のプラスチックフイルム或いは
各種の紙類が使用されるのが望ましい。

【００１０】この物理的接触により高分子物質もしくは
紙類からなるパネルの両面は帯電しやすくなり、一般に
パネルの表面は負に、裏面は正に帯電する傾向にある。
この帯電現象は、放射線像変換方法の実施上種々の問題
を発生させる原因となっている。たとえば、放射線像変
換パネルの表面が帯電すると、パネルを積層状態から搬
送系に移す際にパネル表面と他のパネルの裏面とが相互
に密着してパネルの厚み方向（面方向に対して垂直は方
向）に剥れにくくなり（スタチック密着）、二枚重なっ
た状態で搬送系に送り込まれる結果、それ以後の正常な
操作を行なうことが不可能となる。また、通常、励起光
の照射によるパネルの読出しは蛍光体層側表面から行な
われるが、帯電したパネル表面には空気中の塵埃が付着
しやすく、読出しの際に表面に付着した塵埃によって励
起光が散乱されるため、得られる画像は画質が著しく低
下したものとなる。また、パネル表面がスタチック放電
しやすくなるために得られる画像にスタチックマーク等
が発生して画像ムラを生じたり、さらにはパネル表面か
らの放電によりパネルの取扱い者に衝撃を与えることが
ある。

【００１１】なお、特開昭５６−１２６００号公報に
は、放射線像変換パネルの感度を高める目的で、支持体
と蛍光体層との間に白色顔料を有する光反射層を設ける
ことが開示されている（白色顔料としては具体的にチタ
ン白、鉛白、硫化亜鉛、アルミナ及び酸化マグネシウム
が例示されている。）。また、同じく感度を高める目的
で、プラスチックフイルムからなる支持体に二酸化チタ
ン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化亜鉛等の光反
射性物質を含有させることが提案されている（特願昭５
７−１８２１１１号）。或いはまた、鮮鋭度等の画質を
高める目的で、プラスチックフイルム支持体にカーボン
ブラック等の光吸収性物質を含有させることも行なわれ
ている。しかし、画質向上のために光反射層や支持体に
含有される白色顔料、光反射物質或いは光吸収性物質
は、少量であるため放射線像変換パネルの帯電を十分に
防止することはできない

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、帯電
防止性能に優れた放射線像変換パネルを提供することで
ある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】発明者らは、中間導電層
の表面電気抵抗率について、また、中間導電層以外の層
の表面電気抵抗率との関係について鋭意研究した結果、
本発明に至った。即ち本発明は、＜１＞支持体表面に、
少なくとも中間導電層と輝尽性蛍光体を含む蛍光体層と
を順次設けてなる放射線像変換パネルであって、中間導
電層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_M）が下記式（１−
A）を満たし、且つ中間導電層の表面電気抵抗率（ｌｏ
ｇＳＲ_M）と、中間導電層以外の層の表面電気抵抗率
（ｌｏｇＳＲ_E）との関係が、下記式（１−Ｂ）を満た
すことを特徴とする放射線像変換パネルである。

【００１４】 １４≧ｌｏｇＳＲ_M≧７ 式（１−Ａ） ｌｏｇＳＲ_E≧ｌｏｇＳＲ_M 式（１−Ｂ）

【００１５】＜２＞さらに、支持体裏面にバック導電層
を設けてなり、該バック導電層の表面電気抵抗率（ｌｏ
ｇＳＲ_B）が下記式（４−Ａ）を満たし、且つ該バック
導電層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_B）と、該中間導
電層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_M）との関係が、下
記式（４−Ｂ）を満たすことを特徴とする前記＜１＞に
記載の放射線像変換パネルである。

【００１６】 ｌｏｇＳＲ_B≧１１ 式（４−Ａ） ｌｏｇＳＲ_B≧ｌｏｇＳＲ_M 式（４−Ｂ）

【００１７】本発明は、支持体表面に、少なくとも中間
導電層と輝尽性蛍光体を含む蛍光体層とを順次設けてな
る放射線像変換パネルであって、中間導電層の表面電気
抵抗率を７以上１４以下にし、且つ中間導電層以外の層
の表面電気抵抗率以下にすることにより、該パネルの両
面に発生する帯電による弊害を効果的に防止することが
できる。

【００１８】本発明において、中間導電層は、その表面
電気抵抗率が１４以下である場合、パネル表面及び裏面
に集まった電荷から外部に向かって延びていた電気力線
を、パネルの内方向（パネル表面及び裏面から中間導電
層へ向かう方向）へ向かうようにする（すなわち電気力
線の閉鎖）働きをするため、あたかもパネル表面及び裏
面は、帯電されていない状態になると推定される。従っ
て、中間導電層が存在することにより、パネル表面及び
裏面の静電気による吸着力を低減することができる。放
射線画像情報の記録再生装置内においては通常、パネル
を積層状態から搬送系に移す際に吸盤等によってパネル
の面方向に対して垂直な方向に引き上げることにより一
枚ずつ分離されているが、本発明によれば、この移行過
程で二枚のパネルが重なった状態で同時に搬送系に送り
込まれるのを防ぐことができる。また、本発明によれ
ば、パネルに塵埃等が付着するのを防止できる。さら
に、本発明によれば、パネル表面の放電現象を著しく軽
減することができるから、スタチック放電による感度の
低下及びスタチックマーク等による画像ムラの発生を防
ぎ、かつ人体への衝撃を解消することができる。

【００１９】しかし、中間導電層の表面電気抵抗率が小
さ過ぎる場合には、二枚のパネルが重ね合わされたとき
に見かけの摩擦が大となって面方向にずらしにくくな
る。すなわち、記録再生装置によってはパネルの面方向
に垂直な方向への引き上げと同時に面方向へのずれを利
用して、パネルを一枚ずつ積層状態から搬送系に移す場
合があるが、中間導電層の表面電気抵抗率が小さ過ぎる
とパネルを滑らせて移動させるのに多大な力が必要とな
り、パネルが全く搬送されないことが起こりうる。ま
た、パネル端部で電荷の出入り（特にパネルへの電荷の
注入）が起こりやすくなり、人体にパネル端部が接触し
たときに衝撃が生じやすくなる。

【００２０】本発明において、中間導電層は、その表面
電気抵抗率を７以上とした場合、このようなズリ方向に
おけるパネルの分離し難さ及び電荷の出入りによる衝撃
を効果的に防止することができる。

【００２１】本発明において、中間導電層は、その表面
電気抵抗率が、７〜１４の範囲内にあっても、中間導電
層以外の層の表面電気抵抗率が中間導電層の表面電気抵
抗率よりも低いと、このようなズリ方向におけるパネル
の分離し難くなることを効果的に防止することができな
くなる。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明の放射性像変換パネルは、
支持体表面に、少なくとも中間導電層と輝尽性蛍光体を
含む蛍光体層とを順次設けてなる放射線像変換パネルで
ある。

【００２３】本発明の放射線像変換パネルは、必要に応
じて、支持体の蛍光体層を設ける側（以下、支持体表面
側という。）に接着性付与層、光反射層、保護層等を設
けてもよいし、支持体の蛍光体層を設ける側とは反対側
（以下、支持体裏面側という）に、バック導電層、バッ
ク保護層等を設けてもよい。また、本発明の放射線象変
換パネルは、その少なくとも一辺の端部（側面部）に縁
貼り層を設けてもよい。なお、本発明において、中間層
導電層以外の層とは、蛍光体層は勿論のこと、上記各層
や、支持体を含む概念である。

【００２４】本発明において、表面電気抵抗率は、温度
２３℃、湿度５３％ＲＨの条件下において測定した値で
ある。また、表面電気抵抗率は、表面電気抵抗値（ＳＲ
（Ω・ｃｍ））の対数をとった値、即ちｌｏｇＳＲとし
て表す。

【００２５】以下に各層を説明する。中間導電層につい
て説明する。中間導電層は、導電性を示す層であるが、
その表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_M）が下記式（１−A）
を満たし、且つ該中間導電層の表面電気抵抗率（ｌｏｇ
ＳＲ_M）と、該中間導電層以外の層の表面電気抵抗率
（ｌｏｇＳＲ_E）との関係が、下記式（１−Ｂ）を満た
すことが必要である。

【００２６】 １４≧ｌｏｇＳＲ_M≧７ 式（１−Ａ） ｌｏｇＳＲ_E≧ｌｏｇＳＲ_M 式（１−Ｂ）

【００２７】中間導電層は、式（１−Ａ）及び（１−
Ｂ）で示すとおり、その表面電気伝導率が、パネル表面
の帯電現象を防ぐ点から、１４以下の値である必要があ
り、ズリ方向へのパネルの分離を容易にする点から、７
以上の値が必要である。また、中間導電層は、その表面
電気抵抗率が、中間導電層以外の層の表面電気抵抗率の
値以下でないと、スタチック密着が防止できなくなり、
ズリ方向へのパネルの分離がし難くなる。中間導電層
は、パネル内部における電気力線閉鎖の観点より、その
表面電気抵抗率が、中間導電層以外の層のうちいずれか
の層の表面電気抵抗率より小さいことが好ましく、パネ
ルの表裏面を形成する層の表面電気抵抗率より小さいこ
とがより好ましく、中間導電層以外の全ての層の表面電
気抵抗率より小さいことが特に好ましい。

【００２８】中間導電層は、その表面電気抵抗率（ｌｏ
ｇＳＲ_M）が下記式（２−Ａ）を満たし、且つ該中間導
電層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_M）と、該中間導電
層以外の層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_E）との関係
が、下記式（２−Ｂ）を満たすことが、よりパネル表面
の帯電現象を防ぎ、ズリ方向へのパネルの分離を容易に
する点から好ましい。

【００２９】 １４≧ｌｏｇＳＲ_M≧１０ 式（２−Ａ） ｌｏｇＳＲ_E≧ｌｏｇＳＲ_M 式（２−Ｂ）

【００３０】中間導電層は、その表面電気抵抗率（ｌｏ
ｇＳＲ_M）が下記式（３−Ａ）を満たし、且つ該中間導
電層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_M）と、該中間導電
層以外の層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_E）との関係
が、下記式（３−Ｂ）を満たすことが、さらにパネル表
面の帯電現象を防ぎ、ズリ方向へのパネルの分離を容易
にする点から特に好ましい。

【００３１】 １４≧ｌｏｇＳＲ_M≧１３ 式（３−Ａ） ｌｏｇＳＲ_E＞ｌｏｇＳＲ_M 式（３−Ｂ）

【００３２】中間導電層は、導電性物質を含む層であ
り、実質的に導電性物質のみから構成されていてもよい
し、或いは微粒子状の導電性物質が結合剤中に分散され
た構成であってもよい。

【００３３】中間導電層において、導電性物質として
は、金属酸化物、カーボンブラック、導電性有機物が挙
げられる。中間導電層において、金属酸化物として具体
的には、ＺｎＯ、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂及びＩＴＯ（Ｉｎ₂
Ｏ₃とＳｎＯ₂との混晶）が挙げられる。また、金属酸化
物は、導電性を高める目的で、各種のドーパントを適当
量含有していてもよいが、その代表的な例としては、ア
ンチモン含有二酸化スズ（ＳｎＯ₂／Ｓｂ）が挙げられ
る。中間導電層において、導電性有機物として具体例に
は、アニオン性活性剤（たとえばグアニジン誘導体、含
リンアニオン性活性剤、スルホン酸類等）、カチオン生
活性剤（たとえば第四級アンモニウム塩、ピリジニウム
塩、イミダゾリン誘導体、モルホリン誘導体等）、非イ
オン性活性剤（たとえばポリエチレングリコール、アル
キロールアミド等）が挙げられる。

【００３４】中間導電層において、導電性物質は、上記
物質に限定されるものではなく、金属酸化物、カーボン
ブラック、導電性有機物から選ばれるものであって、導
電性を有し、層として形成した場合に帯電防止機能を生
じうる限りいかなるものであってもよい。

【００３５】中間導電層において、導電性物質の含有量
は、導電性物質の種類によっても異なるが、結合剤を用
いて中間導電層を形成する場合、通常は結合剤の量に対
して０．５〜１００重量％である。また、導電性物質
は、１種単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよ
い。

【００３６】中間導電層は、微粒子状の導電性物質を結
合剤（合成樹脂）とともに適当な溶剤に溶解或いは分散
して塗布液を調製し、この塗布液を支持体表面或いは支
持体表面側の隣接させる層上に通常の塗布手段を用いて
塗布することにより形成することができる。中間導電層
において、結合剤としては、良好な帯電防止効果を得る
ために、導電性物質が中間導電層中に均一に分散してい
ることがよい観点から、ポリプロピレン、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテ
レフタレート等の合成樹脂が好ましい。これらの中で
も、特に好ましいものは、ポリプロピレン、ポリエステ
ル及びポリエチレンテレフタレートである。中間導電層
は、導電性物質として金属酸化物を用いる場合、支持体
表面或いは支持体表面側の隣接させる層上に、真空蒸着
等により直接蒸着させて形成することもできるし、金属
或いは金属酸化物を適当な合成樹脂フイルム上に真空蒸
着等により蒸着させて、この金属或いは金属酸化物の蒸
着フイルムを接着剤等を用いて形成してもよい。

【００３７】中間導電層の層厚は、一般に１〜５０μｍ
が好ましく、２〜３０μｍがより好ましい。

【００３８】支持体について説明する。支持体として
は、セルロースアセテート、ポリエステル、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセ
テート、ポリカーボネート等のプラスチック物質のフイ
ルム；或いは通常の紙、バライタ紙、レジンコート紙、
二酸化チタン等の顔料を含有するピグメント紙、ポリビ
ニルアルコール等をサイジングした紙等の紙類が挙げら
れる。これらの中でも、放射線像変換パネルの情報記録
材料としての特性及び取扱い等を考慮した場合、プラス
チック物質のフイルムが特に好ましい。このプラスチッ
クフイルムには、カーボンブラック等の光吸収性物質が
練り込まれていてもよく、或いは二酸化チタン等の光反
射性物質が練り込まれていてもよい。前者は高鮮鋭度タ
イプの放射線像変換パネルに適した支持体であり、後者
は高感度タイプの放射線像変換パネルに適した支持体で
ある。

【００３９】支持体は、隣接する層との結合を強化する
ため、或いは放射線像変換パネルとしての感度もしくは
画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させるため、支持体表面
にゼラチン等の高分子物質を塗布して接着性付与層、或
いは二酸化チタン等の光反射性物質からなる光反射層を
設けてもよい。

【００４０】支持体は、さらに特開昭５８−２００２０
０号公報に記載されているように、得られる画像の鮮鋭
度を向上させる目的で、支持体表面（支持体表面に接着
性付与層或いは光反射層等が設けられている場合には、
その表面を意味する）には微細な凹凸が均質に形成され
ていてもよい。

【００４１】支持体の層厚は、一般に２０〜５０００μ
ｍが好ましく、５０〜５００μｍがより好ましい。

【００４２】蛍光体層について説明する。蛍光体層は、
輝尽性蛍光体を含む層であり、実質的に輝尽性蛍光体の
みから構成されていてもよいし、或いは微粒子状の輝尽
性蛍光体が結合剤中に分散された構成であってもよい。

【００４３】蛍光体層において、輝尽性蛍光体は、先に
述べたように放射線を照射した後、励起光を照射すると
輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用的な面からは波長
が４００〜９００ｎｍの範囲にある励起光によって３０
０〜５００ｎｍの波長範囲に輝尽発光を示す蛍光体であ
ることが好ましい。輝尽性蛍光体として具体的には、米
国特許第３，８５９，５２７号明細書に記載されている
ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、ＴｈＯ₂：
Ｅｒ、及びＬａ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、特開昭５５−１２
１４２号公報に記載されているＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ、Ｂ
ａＯ・ｘＡｌ₂Ｏ₃：Ｅｕ（ただし、０．８≦ｘ≦１
０）、及び、Ｍ^IIＯ・ｘＳｉＯ₂：Ａ（ただし、Ｍ^IIは
Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、又はＢａであり、Ａは
Ｃｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔｌ、Ｂｉ、又はＭｎ
であり、ｘは、０．５≦ｘ≦２．５である）、特開昭５
５−１２１４３号公報に記載されている（Ｂａ_1-x-y，
Ｍｇ_x，Ｃａ_y）ＦＸ：ａＥｕ²⁺（ただし、ＸはＣｌ及び
Ｂｒのうちの少なくとも一つであり、ｘ及びｙは、０＜
ｘ＋ｙ≦０．６、かつｘｙ≠０であり、ａは、１０^-6≦
ａ≦５×１０^-2である）、特開昭５５−１２１４４号公
報に記載されているＬｎＯＸ：ｘＡ（ただし、ＬｎはＬ
ａ、Ｙ、Ｇｄ、及びＬｕのうちの少なくとも一つ、Ｘは
Ｃｌ及びＢｒのうちの少なくとも一つ、ＡはＣｅ及びＴ
ｂのうちの少なくとも一つ、そして、ｘは０＜ｘ＜０．
１である）、特開昭５５−１２１４５号公報に記載され
ている（Ｂａ_1-x，Ｍ²⁺ _x）ＦＸ：ｙＡ（ただし、Ｍ²⁺は
Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、及びＣｄのうちの少なくとも
一つ、ＸはＣｌ、Ｂｒ、及びＩのうちの少なくとも一
つ、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、
Ｎｄ、Ｙｂ、及びＥｒのうちの少なくもと一つ、そして
ｘは、０≦ｘ≦０．６、ｙは、０≦ｙ≦０．２であ
る）、特開昭５５−１６００７８号公報に記載されてい
るＭ ^IIＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎ［ただし、Ｍ^IIはＢａ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、及びＣｄのうちの少なくとも一
種、ＡはＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｚ
ｎＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｉＯ
₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＧｅＯ₂、ＳｎＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、
Ｔａ₂Ｏ₅、及びＴｈＯ₂のうちの少なくとも一種、Ｌｎ
はＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、
Ｙｂ、Ｅｒ、Ｓｍ、及びＧｄのうちの少なくとも一種、
ＸはＣｌ、Ｂｒ、及びＩのうちの少なくとも一種であ
り、ｘ及びｙはそれぞれ５×１０^-5≦ｘ≦０．５、及び
０＜ｙ≦０．２である］の組成式で表わされる蛍光体、
特開昭５６−１１６７７７号公報に記載されている（Ｂ
ａ_1-x，Ｍ^II _x）Ｆ₂・ａＢａＸ₂：ｙＥｕ，ｚＡ［ただ
し、Ｍ^IIはベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ス
トロンチウム、亜鉛、及びカドミウムのうちの少なくと
も一種、Ｘは、塩素、臭素、及び沃素のうちの少なくと
も一種、Ａはジルコニウム及びスカンジウムのうちの少
なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、及びｚはそれぞれ
０．５≦ａ≦１．２５、０≦ｘ≦１、１０^-6≦ｙ≦２×
１０^-1、及び０＜ｚ≦１０^-2である］の組成式で表わさ
れる蛍光体、

【００４４】特開昭５７−２３６７３号公報に記載され
ている（Ｂａ_1-x，Ｍ^II _x）Ｆ₂・ａＢａＸ₂：ｙＥｕ，ｚ
Ｂ［ただし、Ｍ^IIはベリリウム、マグネシウム、カルシ
ウム、ストロンチウム、亜鉛、及びカドミウムのうちの
少なくとも一種、Ｘは、塩素、臭素、及び沃素のうちの
少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、及びｚはそれぞれ
０．５≦ａ≦１．２５、０≦ｘ≦１、１０^-6≦ｙ≦２×
１０^-1、及び０＜ｚ≦１０^-1である］の組成式で表わさ
れる蛍光体、特開昭５７−２３６７５号公報に記載され
ている（Ｂａ_1-x，Ｍ^II _x）Ｆ₂・ａＢａＸ₂：ｙＥｕ，ｚ
Ａ［ただし、Ｍ ^IIはベリリウム、マグネシウム、カルシ
ウム、ストロンチウム、亜鉛、及びカドミウムのうちの
少なくとも一種、Ｘは、塩素、臭素、及び沃素のうちの
少なくとも一種、Ａは砒素及び硅素のうちの少なくとも
一種であり、ａ、ｘ、ｙ、及びｚはそれぞれ０．５≦ａ
≦１．２５、０≦ｘ≦１、１０^-6≦ｙ≦２×１０^-1、及
び０＜ｚ≦５×１０^-1である］の組成式で表わされる蛍
光体、特開昭５８−６９２８１号公報に記載されている
Ｍ^IIIＯＸ：ｘＣｅ［ただし、Ｍ^IIIはＰｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、及びＢｉかあなる群より選ばれる少なくとも一種の
三価金属であり、ＸはＣｌ及びＢｒのうちのいずれか一
方或いはその両方であり、ｘは０＜ｘ＜０．１である］
の組成式で表わされる蛍光体、特開昭５８−２０６６７
８号公報に記載されているＢａ_1-xＭ_X/2Ｌ _X/2ＦＸ：ｙ
Ｅｕ²⁺［ただし、ＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓ
からなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属
を表わし；Ｌは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、
Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＴｌからなる群より
選ばれる少なくとも一種の三価金属を表わし；Ｘは、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一
種のハロゲンを表わし；そして、ｘは１０^-2≦ｘ≦０．
５、ｙは０＜ｙ≦０．１である］の組成式で表わされる
蛍光体、特開昭５９−２７９８０号公報に記載されてい
るＢａＦＸ・ｘＡ：ｙＥｕ²⁺［ただし、Ｘは、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハ
ロゲンであり；Ａは、テトラフルオロホウ酸化合物の焼
成物であり；そして、ｘは１０^-6≦ｘ≦０．１、ｙは０
＜ｙ≦０．１である］の組成式で表わされる蛍光体、特
開昭５９−４７２８９号公報に記載されているＢａＦＸ
・ｘＡ：ｙＥｕ²⁺［ただし、Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩ
からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであ
り；Ａは、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロチタ
ン酸及びヘキサフルオロジルコニウム酸の一価もしくは
二価金属の塩からなるヘキサフルオロ化合物群より選ば
れる少なくとも一種の化合物の焼成物であり；そして、
ｘは１０^-6≦ｘ≦０．１、ｙは０＜ｙ≦０．１である］
の組成式で表わされる蛍光体、

【００４５】特開昭５９−５６４７９号公報に記載され
ているＢａＦＸ・ｘＮａＸ′：ａＥｕ ²⁺［ただし、Ｘ及
びＸ′は、それぞれＣｌ、Ｂｒ、及びＩのうちの少なく
とも一種であり、ｘ及びａはそれぞれ０＜ｘ≦２、及び
０＜ａ≦０．２である］の組成式で表わされる蛍光体、
特開昭５９−５６４８０号公報に記載されているＭ^IIＦ
Ｘ・ｘＮａＸ′：ｙＥｕ²⁺：ｚＡ［ただし、Ｍ^IIは、Ｂ
ａ、Ｓｒ、及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも
一種のアルカリ土類金属であり；Ｘ及びＸ′は、それぞ
れＣｌ、Ｂｒ、及びＩからなる群より選ばれる少なくと
も一種のハロゲンであり；ＡはＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｃｏ、及びＮｉより選ばれる少なくとも一種の遷移金属
であり；そしてｘは０＜ｘ≦２、ｙは０＜ｙ≦０．２、
及びｚは０＜ｚ≦１０^-2である］の組成式で表わされる
蛍光体、特開昭５９−７５２００号公報に記載されてい
るＭ^IIＦＸ・ａＭ^IＸ′・ｂＭ′^IIＸ″₂・ｃＭ^IIIＸ₃・
ｘＡ：ｙＥｕ²⁺［ただし、Ｍ^IIはＢａＳｒ、及びＣａか
らなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金
属であり；Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓから
なる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であ
り；Ｍ′^IIはＢｅ及びＭｇからなる群より選ばれる少な
くとも一種の二価金属であり；Ｍ^IIIはＡｌ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、及びＴｌからなる群より選ばれる少なくとも一種の
三価金属であり；Ａは金属酸化物であり；ＸはＣｌ、Ｂ
ｒ、及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハ
ロゲンであり；Ｘ′、Ｘ″、及びＸは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハ
ロゲンであり；そして、ａは０≦ａ≦２、ｂは０≦ｂ≦
１０^-2、ｃは０≦ｃ≦１０^-2、かつａ＋ｂ＋ｃ≧１０^-6
であり；ｘは０＜ｘ≦０．５、ｙは０＜ｙ≦０．２であ
る］の組成式で表わされる蛍光体、特開昭６０−８４３
８１号公報に記載されているＭ^IIＸ₂・ａＭ^IIＸ′₂：ｘ
Ｅｕ²⁺［ただし、Ｍ^IIはＢａ、Ｓｒ及びＣａからなる群
より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であ
り；Ｘ及びＸ′はＣｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ば
れる少なくとも一種のハロゲンであって、かつＸ≠Ｘ′
であり；そしてａは０≦ａ≦１０．０、ｘは０＜ｘ≦
０．２である］の組成式で表わされる蛍光体、特開昭６
０−１０１１７３号公報に記載されているＭ^IIＦＸ・ａ
Ｍ^IＸ′：ｘＥｕ²⁺［ただし、Ｍ^IIはＢａ、Ｓｒ及びＣ
ａからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土
類金属であり；Ｍ^IはＲｂ及びＣｓからなる群より選ば
れる少なくとも一種のアルカリ金属であり；ＸはＣｌ、
Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハ
ロゲンであり；Ｘ′はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群
より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そして
ａ及びｘはそれぞれ０≦ａ≦４．０及び０＜ｘ≦０．２
である］の組成式で表わされる蛍光体、特公平５−８７
５４号公報に記載されているＭ^IＸ：ｘＢｉ［ただし、
Ｍ^IはＲｂ及びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも
一種のアルカリ金属であり；ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩから
なる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；
そしてｘは０＜ｘ≦０．２の範囲の数値である］の組成
式で表わされる蛍光体、等が挙げられる。

【００４６】蛍光体層において、上記特開昭６０−８４
３８１号公報に記載されているＭ^IIＸ₂・ａＭ^IIＸ′₂：
ｘＥｕ⁺蛍光体には、以下に示すような添加物がＭ^IIＸ₂
・ａＭ^IIＸ′₂１モル当り以下の割合で含まれていても
よい。特開昭６０−１６６３７９号公報に記載されてい
るｂＭ^IＸ″（ただし、Ｍ^IはＲｂ及びＣｓからなる群よ
り選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｘ″
はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なく
とも一種のハロゲンであり、そしてｂは０＜ｂ≦１０．
０である）；特開昭６０−２２１４８３号公報に記載さ
れているｂＫＸ″・ｃＭｇＸ₂・ｄＭ^IIIＸ₃（ただし、
Ｍ^IIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より
選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ″、Ｘ及
びＸ′はいずれもＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より
選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてｂ、
ｃ及びｄはそれぞれ、０≦ｂ≦２．０、０≦ｃ≦２．
０、０≦ｄ≦２．０であってかつ２×１０^-5≦ｂ＋ｃ＋
ｄである）；特開昭６０−２２８５９２号公報に記載さ
れているｙＢ（ただし、ｙは２×１０^-4≦ｙ≦２×１０
^-1である）；特開昭６０−２２８５９３号公報に記載さ
れているｂＡ（ただし、ＡはＳｉＯ₂及びＰ₂Ｏ₅からな
る群よりも選ばれる少なくとも一種の酸化物であり、そ
してｂは１０^-4≦ｂ≦２×１０^-1である）；特開昭６１
−１２０８８３号公報に記載されているｂＳｉＯ（ただ
し、ｂは０＜ｂ≦３×１０^-2である）；特開昭６１−１
２０８８５号公報に記載されているｂＳｎＸ″₂（ただ
し、Ｘ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれ
る少なくとも一種のハロゲンであり、そしてｂは０＜ｂ
≦１０^-3である）；特公平４−６０５１２号公報に記載
されているｂＣｓＸ″・ｃＳｎＸ₂（ただし、Ｘ″及び
ＸはそれぞれＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ば
れる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてｂ及びｃ
はそれぞれ、０＜ｂ≦１０．０及び１０^-6≦ｃ≦２×１
０^-2である）；及び特公平５−２７６７４号公報に記載
されているｂＣｓＸ″・ｙＬｎ³⁺（ただし、Ｘ″はＦ、
Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一
種のハロゲンであり、ＬｎはＳｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ
及びＬｕからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土
類元素であり、そしてｂ及びｙはそれぞれ、０＜ｂ≦１
０．０及び１０^-6≦ｙ≦１．８×１０^-1である）。

【００４７】蛍光体層において、輝尽性蛍光体として
は、高輝度の輝尽発光を示す点から、二価ユーロピウム
賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体、及び希土
類元素賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体が特に好
ましい。ただし、輝尽性蛍光体は、上述の蛍光体に限ら
れるものではなく、放射線を照射したのちに励起光を照
射した場合に、輝尽発光を示す蛍光体であればいかなる
ものであってもよい。

【００４８】蛍光体層は、微粒子状の輝尽性蛍光体を結
合剤（合成樹脂）とともに適当な溶剤に溶解或いは分散
して塗布液を調製し、この塗布液を支持体表面或いは支
持体表面側の隣接させる層上に通常の塗布手段を用いて
塗布、必要により乾燥することにより形成することがで
きる。また、この塗布液には、塗布液中における輝尽性
蛍光体の分散性を向上させるために分散剤、或いは、形
成後の蛍光体層中における結合剤と蛍光体との間の結合
力を向上させるために可塑剤等の種々の添加剤を添加し
てもよい。

【００４９】蛍光体層において、結合剤として具体的に
は、ゼラチン等の蛋白質、デキストラン等のポリサッカ
ライド、又はアラビアゴムのような天然高分子物質；及
び、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセ
ルロース、エチルセルロース、塩化ビニリデン・塩化ビ
ニルコポリマー、ポリアルキル（メタ）アクリレート、
塩化ビニル・酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタン、セ
ルロースアセテートブチレート、ポリビニルアルコー
ル、線状ポリエステル等のような合成高分子物質等によ
り代表される結合剤が挙げられる。このような結合剤の
なかで特に好ましいものは、ニトロセルロース、線状ポ
リステル、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ニトロ
セルロールと線状ポリエステルとの混合物及びニトロセ
ルロースとポリアルキル（メタ）アクリレートとの混合
物である。なお、これらの結合剤は架橋剤によって架橋
されたものであってもよい。

【００５０】蛍光体層において、輝尽性蛍光体と結合剤
との混合比（輝尽性蛍光体：結合剤）は、目的とする放
射線像変換パネルの特性、蛍光体の種類等によって異な
るが、一般に１：１〜１：１００（重量比）が好まし
く、１：８〜１：４０（重量比）がより好ましい。

【００５１】蛍光体層において、溶剤として具体的に
は、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−
ブタノール等低級アルコール；メチレンクロライド、エ
チレンクロライド等の塩素原子含有炭化水素；アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の
ケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等の低級
脂肪酸と低級アルコールとのエステル；ジオキサン、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル等のエーテル；そして、それら
の混合物が挙げられる。

【００５２】蛍光体層において、分散剤として具体的に
は、フタル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面
活性剤等が挙げられる。蛍光体層において、可塑剤とし
て具体的には、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジル、
燐酸ジフェニル等の燐酸エステル；フタル酸ジエチル、
フタル酸ジメトキシエチル等のフタル酸エステル；グリ
コール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸ブチルフ
タリルブチル等のグリコール酸エステル；そして、トリ
エチレングラコールとアジピン酸とのポリエステル、ジ
エチレングリコールとコハク酸とのポリエステル等のポ
リエチレングリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエステ
ル等が挙げられる。

【００５３】蛍光体層において、塗布手段としては、た
とえば、ドクターブレード、ロールコーター、ナイフコ
ーター等が挙げられる。塗布により形成された塗膜を徐
々に加熱することにより乾燥させることが好適である。

【００５４】蛍光体層は、輝尽性蛍光体を真空蒸着等に
より支持体表面或いは支持体表面側の隣接させる層上に
蒸着させて形成することもできる。

【００５５】蛍光体層は、必ずしも上記のように支持体
表面側の隣接させる層上に、塗布液を直接塗布して形成
する必要はなく、たとえば、別にガラス板、金属板、プ
ラスチックシート等のシート上に塗布液を塗布し乾燥す
ることにより蛍光体層を形成した後、これを支持体表面
側の隣接させる層上に押圧するか、或いは接着剤を用い
る等して蛍光体層と隣接する層とを接合してもよい。

【００５６】蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変
換パネルの特性、蛍光体の種類、結合剤と蛍光体との混
合比等によって異なるが、通常は２０μｍ〜１０００μ
ｍが好ましく、５０〜５００μｍがより好ましい。

【００５７】保護層について説明する。保護層は、蛍光
体層を物理的及び化学的に保護する目的で設けられても
よいが、その性質上から、透明な保護層が好ましい。透
明保護層は、たとえば、酢酸セルロース、ニトロセルロ
ース等のセルロース誘導体；或いはポリメチルメタクリ
レート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル・
酢酸ビニルコポリマー等の合成高分子物質のような透明
な高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶液を蛍
光体層の表面に塗布する方法により形成することができ
る。また、透明保護層は、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド等
から別に形成した透明な薄膜を蛍光体層の表面に適当な
接着剤を用いて接着する等の方法によっても形成するこ
とができる。保護層の層厚は、約３〜２０μｍが好まし
い。

【００５８】バック導電層について説明する。バック導
電層は、導電性を示す層であることが好ましいが、その
表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_B）が下記式（４−Ａ）を
満たし、且つ該バック導電層の表面電気抵抗率（ｌｏｇ
ＳＲ_B）と、該中間導電層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳ
Ｒ_M）との関係が、下記式（４−Ｂ）を満たすことが好
適である。

【００５９】 ｌｏｇＳＲ_B≧１１ 式（４−Ａ） ｌｏｇＳＲ_B≧ｌｏｇＳＲ_M 式（４−Ｂ）

【００６０】バック導電層は、その表面電気抵抗率は、
上述のように中間導電層の表面電気抵抗率よりも高いこ
とが必要である。また、バック導電層の表面電気抵抗率
は、１１以上が好ましく、１４以上がより好ましい。

【００６１】バック導電層は、導電性物質を含む層であ
ることが好ましく、実質的に導電性物質のみから構成さ
れていてもよいし、あるいは微粒子状の導電性物質が結
合剤中に分散された構成であってもよい。

【００６２】バック導電層において、導電性物質として
は、金属、金属酸化物、カーボンブラックが挙げられ
る。バック導電層において、金属として具体例には、ア
ルミニウム、銅、ニッケル等が挙げられる。金属として
は、加工性等の点からアルミニウムが好ましい。バック
導電層において、金属酸化物として具体的には、Ｚｎ
Ｏ、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂及びＩＴＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃とＳｎＯ₂
との混晶）が挙げられる。また、金属酸化物は、導電性
を高める目的で、各種のドーパントを適当量含有してい
てもよく、その代表的な例としては、アンチモン含有二
酸化スズ（ＳｎＯ₂／Ｓｂ）が挙げられる。

【００６３】バック導電層において、導電性物質は、上
記金属酸化物を除いては、上記物質に限定されるもので
はなく、金属、金属酸化物、カーボンブラックから選ば
れるものであって、導電性を有し、層として形成した場
合に帯電防止機能を生じうる限りいかなるものであって
もよい。

【００６４】バック導電層において、導電性物質の含有
量は、導電性物質の種類によっても異なるが、結合剤を
用いてバック層を形成する場合、通常は結合剤の量に対
して０．５〜１００重量％である。また、導電性物質
は、１種単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよ
い。

【００６５】バック導電層は、微粒子状の導電性物質を
結合剤（合成樹脂）とともに適当な溶剤に溶解或いは分
散して塗布液を調製し、この塗布液を支持体裏面或いは
支持体裏面側の隣接させる層上に通常の塗布手段を用い
て塗布することにより形成することができる。バック導
電層において、結合剤としては、良好な帯電防止効果を
得るために、導電性物質がバック導電層中に均一に分散
していることがよい観点から、ポリプロピレン、ポリエ
チレン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレ
ンテレフタレート等の合成樹脂が好ましい。これらの中
でも、特に好ましいものは、ポリプロピレン、ポリエス
テル及びポリエチレンテレフタレートである。

【００６６】バック導電層は、導電性物質として金属を
用いる場合には、支持体裏面或いは支持体裏面側の隣接
させる層上に、薄い金属シートを直接に接着剤等を用い
て形成してもよいし、また適当な合成樹脂フイルムに予
めこの金属シートをラミネートして形成したものを同様
な手段で形成してもよい。

【００６７】バック導電層は、導電性物質として金属、
金属酸化物を用いる場合、支持体裏面或いは支持体裏面
側の隣接させる層上に、真空蒸着等により直接蒸着させ
て形成することもできるし、金属或いは金属酸化物を適
当な合成樹脂フイルム上に真空蒸着等により蒸着させ
て、この金属或いは金属酸化物の蒸着フイルムを接着剤
等を用いて形成してもよい。

【００６８】バック導電層の層厚は、一般に１〜５０μ
ｍが好ましく、５〜３０μｍがより好ましい。

【００６９】バック保護層について説明する。バック保
護層は、放射線像変換パネルの防傷性を高める目的で設
けられるものであり、従来公知の如何なる構成であって
もよい。その具体例としては、特開昭５９−７７４００
号公報に記載の摩擦低減層等が挙げられる。該摩擦低減
層は摩擦係数の比較的小さなプラスチックフイルムから
なる層である。

【００７０】縁貼り層について説明する。縁貼り層は、
導電性物質を含有する高分子物質を含む層であることが
好ましく、放射線像変換パネルの少なくとも一辺の端部
（側面部）に設けることができる。但し、縁貼り層は、
導電性を示す層であることが好ましいが、その表面電気
抵抗率は、上述のように中間導電層の表面電気抵抗率よ
りも高いことが必要である。

【００７１】本発明の放射線像変換パネルは、特開昭５
５−１６３５００号公報、特開昭５７−９６３００号公
報等の記載に従って着色剤によって着色されていてもよ
く、この着色によって画像の鮮鋭度を向上させることが
できる。また本発明の放射線像変換パネルは、特開昭５
５−１４６４４７号公報に記載されているように、同様
の目的でその蛍光体層中に白色粉体が分散されていても
よい。

【００７２】本発明の放射線像変化パネルの層構成は、
特に制限はないが、その１例として、図１、２を示す。
図１及び２は、本発明に係る放射線像変換パネルの態様
を概略的に示す拡大断面図である。HYPERLINK \l "fig
1"図１に示す放射線像変換パネルは、支持体１１上に中
間導電層１２、蛍光体層１３及び保護層１４がこの順に
積層され、さらに支持体１１の蛍光体層１３が設けられ
ている側とは反対側にバック保護層１５が設けられてい
る。図２に示す放射線像変換パネルは、支持体１１上に
中間導電層１２、蛍光体層１３及び保護層１４がこの順
に積層され、さらに支持体１１の蛍光体層１３が設けら
れている側とは反対側に、バック導電層１６、及びバッ
ク保護層１５がこの順序で積層されている。さらに図２
に示す放射線パネルの両端には、縁貼り層１７ａ、１７
ｂが設けられている。

【００７３】

【実施例】次に本発明の実施例及び比較例を記載する。
ただし、これらの各例は本発明を制限するものではな
い。

【００７４】（放射線像変換パネルの製造例） −中間導電層の形成− 下記組成１で示される化合物をメチルエチルケトン溶剤
に、プロペラミキサーを用いて分散、溶解することによ
り分散液１（粘度５Ｐａ・ｓ、２０℃）を得た。なお、
下記組成１におけるＸは、表１における各実施例、比較
例の値とする。

【００７５】 ・組成１ 導電性物質（ＺｎＯウィスカー：松下アムテック（株）製、パナテトラＡ−１ −１） ・・ Ｘｇ 酸化カドニウム（Ｇｄ₂Ｏ₃）の微細粒子 ・・ ３５ｇ 結合剤（軟質アクリル樹脂（２０％トルエン溶液）） ・・１８０ｇ 可塑剤（フタル酸エステル） ・・ ４ｇ 着色剤（群青） ・・ ０．５ｇ

【００７６】支持体である硫酸バリウム練り込みポリエ
チレンテレフタレート（ＩＣＩ、メリネックス＃３３
５、厚み２５０μｍ）上に、得られた塗布液１を、ドク
ターブレードを用いて均一に塗布、乾燥することにより
中間導電層（層厚２０μｍ）を形成した。

【００７７】−バック導電層の形成− 下記組成２で示される化合物をメチルエチルケトン／ト
ルエン混合溶剤に、プロペラミキサーを用いて分散、溶
解することにより分散液２を得た。なお、下記組成２に
おけるＹは、表１における各実施例、比較例の値とす
る。

【００７８】 ・組成２ 導電性物質（カーボンブラック） ・・ Ｙｇ 結合剤（ポリエステル） ・・ ５５ｇ

【００７９】中間導電層が形成された支持体の裏面（中
間導電層が設けている側とは反対側）上に、得られた塗
布液２を、ドクターブレードを用いて均一に塗布、乾燥
することによりバック導電層（層厚１８μｍ）を形成し
た。

【００８０】−蛍光体層の形成− 下記組成３で示される化合物をメチルエチルケトン溶剤
に、プロペラミキサーを用いて分散、溶解することによ
り分散液３（粘度３０Ｐａ・ｓ、２５℃）を得た。な
お、得られた塗布液３の結合剤と蛍光体との重量比（結
合剤／蛍光体）は、１／２０であった。

【００８１】 ・組成３ 輝尽性蛍光体（ＢａＦＢｒ_0.85Ｉ_0.15：Ｅｕ²⁺） ・・２００ｇ 結合剤（ポリウレタンエラストマー） ・・ ７．１ｇ 架橋剤（ポリイソシアネート（固形分１００％） ・・ ０．９ｇ 黄変防止剤（エポキシ樹脂） ・・ ２ｇ 着色剤（群青） ・・ ０．００４ｇ

【００８２】仮支持体であるシリコーン系離型剤が塗布
されているポリエチレンテレフタレートシート上に、得
られた塗布液３を塗布、乾燥（２５℃から１００℃に昇
温）した後、仮支持体から剥離し、蛍光体シートを得
た。

【００８３】得られた蛍光体シートを、中間導電層とバ
ック導電層を形成した支持体の中間導電層上に重ね合わ
せ、ロール（ロール圧力５００Ｋｇｗ／ｃｍ²、ロール
温度７０℃）を用いて、蛍光体シートを融着させて蛍光
体層（層厚２１０μｍ）を形成した。

【００８４】−保護層の形成− 蛍光体層上に、透明ポリエチレンテレフタレートフイル
ムを、ポリエステル系接着剤を用い、貼り合わせて保護
層（層厚９μｍ）を形成した。

【００８５】−バック保護層− バック導電層上に、配向ポリプロピレンフイルムを、ポ
リエステル系接着剤を用い、貼り合わせてバック保護層
（層厚２０μｍ）を形成した。

【００８６】−縁貼り層の形成− 以上のようにして得られた放射線像変換パネルの各側面
に、シリコーン系ポリマーと架橋剤とをメチルエチルケ
トン溶剤に溶解させた塗布液を、塗布、乾燥（室温）し
て、縁貼り層（２５μｍ）を形成した。

【００８７】以上のようにして放射線像変換パネルを得
た。

【００８８】［実施例１〜４、比較例１〜４］上記放射
線像変換パネルの製造例において、中間導電層を形成す
る組成１の導電性物質（Ａ−１−１）の量（Ｘ）、及び
バック導電層を形成する組成２の導電性物質（カーボン
ブラック）の量（Ｙ）を、表１に示す量にそれぞれ変え
た以外は、上記放射線像変換パネルの製造例と同様にし
て、実施例１〜４、比較例１〜４の放射線像変換パネル
を得た。

【００８９】［評価］得られた実施例１〜４、比較例１
〜４の放射線像変換パネルについて、表面電気抵抗試験
（中間導電層、バック導電層）、白ポツ発生試験、密着
抵抗力試験を行い評価した。得られた結果を表１に示
す。以下に試験方法を説明する。

【００９０】−表面電気抵抗試験− 各放射線像変換パネルの中間導電層、及びバック導電層
と同様の単体の層をそれぞれ得て、それらを１１０ｍｍ
×１１０ｍｍのサイズに裁断してそれぞれの中間導電
層、及びバック導電層の試験片を用意した。円電極（Ｐ
−６０１型、川口電気製作所（株）製）と絶縁計（ＥＶ
−４０型超絶縁計、川口電気製作所（株）製）とを組合
せ、この円電極の上に試験片を載せて電圧を印加し、試
験片表面の電気抵抗（ＳＲ）を測定した。この測定によ
り得られた値の対数（ｌｏｇＳＲ）を、それぞれ中間導
電層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_M）及びバック導電
層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_B）とした。尚、測定
は、温度２３℃、湿度５３％ＲＨの条件で行なった。

【００９１】−白ポツ発生試験− 放射線像変換パネル（６ツサイズ）を、読取装置（ＦＣ
Ｒ９０００）を用いて、温度２５℃湿度２０％ＲＨの環
境下で１００回使用した後、放射線像変換パネルにＸ線
（１０ｍＲ）を均一に照射して、画像を読み取った。得
られた画像において、スタチック放電に起因して発生し
た電気ノイズによると思われる白点状の画像エラーの個
数を計測した。このＸ線照射から画像エラーの個数の測
定までを１０回繰り返し、白点状の画像エラーの個数を
平均して白ポツ発生率として評価した。

【００９２】−密着抵抗力試験− 放射線像変換パネル（６ツサイズ）を、図３に示すスタ
チック試験機を用いて、温度２５℃湿度２０％ＲＨの環
境下で１００回往復させた後、アースされた金属板の上
に３０分間置いて、放射線像変換パネルを金属板の上を
滑らせる方向（水平方向）に引いて動き始める力を測定
した。用いたスタチック試験機を概略的に説明する。図
３は、スタチック試験機の概略図である。図３におい
て、スタチック試験機は搬送手段３１、３１′と、電位
計測手段３２とから構成されている。搬送手段３１，３
１′はウレタンゴム製のロール３３ａ、３３ｂと、この
ロールによって張られているエンドレスベルト３４及び
フェノール樹脂製の補助ロール３５ａ、３５ｂ、３５
ｃ、３５ｄとからなる。なお、搬送手段３１′には、ロ
ール３３ａ、３３ｂ、エンドレスベルト３４及び補助ロ
ール３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄは図示していな
い。また、電位計測手段３２は検知部３６と、この検知
部に接続された電圧計３７及び記録計３８とからなる。
搬送手段３１、３１′に放射線像変換パネル３９を送り
込み、左右方向（図の矢印方向）に繰返し搬送される。
この左右の往復１回を、１回としてカウントする。

【００９３】

【表1】

【００９４】表１から、帯電による、スタッチクノイズ
に起因する白ポツ発生、スタチック密着を防止すること
ができることがわかる。また、中間導電層の表面電気抵
抗率が７〜１４の範囲内にあっても、中間導電層以外の
層（ここではバック導電層）の表面電気抵抗率よりも高
いと、スタチック密着による密着抵抗が高くなることが
わかる。

【００９５】

【発明の効果】以上により、本発明は、帯電防止性能に
優れた放射線像変換パネルを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る放射線像変換パネルの構成例を
示す断面図である。

【図２】 本発明に係る放射線像変換パネルの別の態様
を示す断面図である。

【図３】 放射線像変換パネルの密着抵抗力試験の際に
用いたスタチック試験機を概略的に示す図である。

【符号の簡単な説明】

１１ 支持体 １２ 中間導電層 １３ 蛍光体層 １４ 保護層 １５ バック保護層 １６ バック導電層 １７ａ、１７ｂ 縁貼り層 ３１、３１′ 搬送手段 ３３ａ、３３ｂ ロール ３４ エンドレスベルト ３５ａ、３５ｂ、３６ｃ ３５ｄ 補助ロール ３９ 放射線像変換パネル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G083 AA03 CC07 CC08 DD11 DD16 DD17 EE09 4F100 AA02 AA17 AA25 AA37 AH02H AK07 AK25 AK41 AK42 AR00B AR00C AT00A BA03 BA04 BA07 BA10A BA10C BA10D CA04 CA13 GB90 JG01B JG01D JG03 JG04B JG04D JN13C YY00B YY00D

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体表面に、少なくとも中間導電層
   と、輝尽性蛍光体を含む蛍光体層とを順次設けてなる放
   射線像変換パネルであって、中間導電層の表面電気抵抗
   率（ｌｏｇＳＲ_M）が下記式（１−A）を満たし、且つ中
   間導電層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_M）と、中間導
   電層以外の層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_E）との関
   係が、下記式（１−Ｂ）を満たすことを特徴とする放射
   線像変換パネル。 １４≧ｌｏｇＳＲ_M≧７ 式（１−Ａ） ｌｏｇＳＲ_E≧ｌｏｇＳＲ_M 式（１−Ｂ）
2. 【請求項２】 さらに、支持体裏面にバック導電層を設
   けてなり、バック導電層の表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ
   _B）が下記式（４−Ａ）を満たし、且つバック導電層の
   表面電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_B）と、中間導電層の表面
   電気抵抗率（ｌｏｇＳＲ_M）との関係が、下記式（４−
   Ｂ）を満たすことを特徴とする請求項１に記載の放射線
   像変換パネル。 ｌｏｇＳＲ_B≧１１ 式（４−Ａ） ｌｏｇＳＲ_B≧ｌｏｇＳＲ_M 式（４−Ｂ）