JP2000200806A - フラックス転写方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フラックスを半田バンプ表面の全体に薄く形
成できると共に、転写量の制御を精度よく行うことがで
きるフラックス転写方法を提供する。 【解決手段】 電子部品（１１）の半田バンプ（１２）
にフラックス（１３）を転写するフラックス転写方法に
おいて、溶融されたフラックス（１３）を半田バンプ
（１２）の表面に転写し、フラックス（１３）が転写さ
れた当該半田バンプ（１２）を柔軟な材質のフラックス
形成部材（１４）に押し当てて半田バンプ（１２）の表
面の全面にフラックス（１３）を均一の厚さに広げる。
成できると共に、転写量の制御を精度よく行うことがで
きるフラックス転写方法を提供する。 【解決手段】 電子部品（１１）の半田バンプ（１２）
にフラックス（１３）を転写するフラックス転写方法に
おいて、溶融されたフラックス（１３）を半田バンプ
（１２）の表面に転写し、フラックス（１３）が転写さ
れた当該半田バンプ（１２）を柔軟な材質のフラックス
形成部材（１４）に押し当てて半田バンプ（１２）の表
面の全面にフラックス（１３）を均一の厚さに広げる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフラックス転写方法
に関し、詳細には基板表面に半導体チップを実装する際
に用いる半田バンプにフラックスを転写する方法に関す
る。
に関し、詳細には基板表面に半導体チップを実装する際
に用いる半田バンプにフラックスを転写する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板上に半導体チップを半田バン
プによって実装する実装方法において半田バンプへのフ
ラックスを供給する方法が提案されている。このフラッ
クスを用いる方法において、フラックスは基板側電極を
十分カバーできるだけの量が必要であるが、あまり多す
ぎると半田の溶融時に短絡する危険があり、かつ後工程
で洗浄工程に時間を要してしまう。そして、半田バンプ
の形状を歪みのない表面状態、形状カーブを得るために
は表面の酸化膜をフラックスで除去する必要があるため
にできるだけ全表面をフラックスで覆う必要がある。
プによって実装する実装方法において半田バンプへのフ
ラックスを供給する方法が提案されている。このフラッ
クスを用いる方法において、フラックスは基板側電極を
十分カバーできるだけの量が必要であるが、あまり多す
ぎると半田の溶融時に短絡する危険があり、かつ後工程
で洗浄工程に時間を要してしまう。そして、半田バンプ
の形状を歪みのない表面状態、形状カーブを得るために
は表面の酸化膜をフラックスで除去する必要があるため
にできるだけ全表面をフラックスで覆う必要がある。
【０００３】これらの点を鑑みた方法が、特開平５−２
１８０４６号公報（以下従来例１と称す）及び特開平４
−１２２０３７号公報（以下従来例２と称す）に開示さ
れている。従来例１は、フラックスを薄い膜状に溶融し
て半田バンプを浸すことにより半田バンプにフラックス
を供給する方法である。また、従来例２は、半田フラッ
クスのスタンピングピンを用いて半導体チップ搭載領域
内に半田フラックスを転写する方法である。ここで従来
例１の方法を図面に従って以下説明する。
１８０４６号公報（以下従来例１と称す）及び特開平４
−１２２０３７号公報（以下従来例２と称す）に開示さ
れている。従来例１は、フラックスを薄い膜状に溶融し
て半田バンプを浸すことにより半田バンプにフラックス
を供給する方法である。また、従来例２は、半田フラッ
クスのスタンピングピンを用いて半導体チップ搭載領域
内に半田フラックスを転写する方法である。ここで従来
例１の方法を図面に従って以下説明する。
【０００４】図５は半田バンプの形成の様子を示す図で
あり、図６は従来例１によるフラックス転写の様子を示
す図である。図５において、半田バンプ５１をメッキ法
やワイヤバンピング法などにより形成し、その形状は中
央部に突起ができてしまうのでレベラー５２を用いて通
常レベリングして高さを揃える。そのために、半田バン
プ５１は先端の突起の潰れたような形状となる。このよ
うに形成された半田バンプにフラックスを転写する工程
の様子を図６に従って説明すると、図６の（ａ）に示す
ような半導体チップ６１上に形成された半田バンプ５１
の面を下向きにしてホールドした半導体チップ６１上の
半田バンプ５１を、図６の（ｂ）に示すように、溶融し
て均一な膜厚にしたフラックス６２に浸すと、フラック
ス６２が図６の（ｃ）に示すように、半田バンプ５１に
転写する。そして、半田バンプ５１と基板６３側の電極
と位置合わせを行った後、図６の（ｄ），（ｅ）に示す
ように、半導体チップ６１を基板６３上にマウントし
て、図６の（ｆ）に示すように、加熱溶融させてチップ
実装を完了する。
あり、図６は従来例１によるフラックス転写の様子を示
す図である。図５において、半田バンプ５１をメッキ法
やワイヤバンピング法などにより形成し、その形状は中
央部に突起ができてしまうのでレベラー５２を用いて通
常レベリングして高さを揃える。そのために、半田バン
プ５１は先端の突起の潰れたような形状となる。このよ
うに形成された半田バンプにフラックスを転写する工程
の様子を図６に従って説明すると、図６の（ａ）に示す
ような半導体チップ６１上に形成された半田バンプ５１
の面を下向きにしてホールドした半導体チップ６１上の
半田バンプ５１を、図６の（ｂ）に示すように、溶融し
て均一な膜厚にしたフラックス６２に浸すと、フラック
ス６２が図６の（ｃ）に示すように、半田バンプ５１に
転写する。そして、半田バンプ５１と基板６３側の電極
と位置合わせを行った後、図６の（ｄ），（ｅ）に示す
ように、半導体チップ６１を基板６３上にマウントし
て、図６の（ｆ）に示すように、加熱溶融させてチップ
実装を完了する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
１の方法によれば、図７に示すように、単に平板上に薄
く膜状にして転写するだけでは半田バンプ先端にのみ供
給されるにとどまり、半田バンプの表面全体を覆うこと
ができない。また、従来例２の方法によれば、図８に示
すように、転写量の制御が難しく、隣接する半田バンプ
間でつながって短絡してしまう危険もある。
１の方法によれば、図７に示すように、単に平板上に薄
く膜状にして転写するだけでは半田バンプ先端にのみ供
給されるにとどまり、半田バンプの表面全体を覆うこと
ができない。また、従来例２の方法によれば、図８に示
すように、転写量の制御が難しく、隣接する半田バンプ
間でつながって短絡してしまう危険もある。
【０００６】本発明は、前記問題点を解決するためのも
のであり、フラックスを半田バンプ表面の全体に薄く形
成できると共に、転写量の制御を精度よく行うことがで
きるフラックス転写方法を提供することを目的とする。
のであり、フラックスを半田バンプ表面の全体に薄く形
成できると共に、転写量の制御を精度よく行うことがで
きるフラックス転写方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は前記問題点を解
決するために、電子部品の半田バンプにフラックスを転
写するフラックス転写方法において、溶融されたフラッ
クスを半田バンプの表面に転写し、フラックスが転写さ
れた当該半田バンプを柔軟な材質のフラックス形成部材
に押し当てて半田バンプの表面の全面にフラックスを均
一の厚さに広げることに特徴がある。よって、半田バン
プの先端に転写されたフラックスをバンプ表面の全面に
薄く均一の厚さに形成することができる。
決するために、電子部品の半田バンプにフラックスを転
写するフラックス転写方法において、溶融されたフラッ
クスを半田バンプの表面に転写し、フラックスが転写さ
れた当該半田バンプを柔軟な材質のフラックス形成部材
に押し当てて半田バンプの表面の全面にフラックスを均
一の厚さに広げることに特徴がある。よって、半田バン
プの先端に転写されたフラックスをバンプ表面の全面に
薄く均一の厚さに形成することができる。
【０００８】また、別の発明として、電子部品の半田バ
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、柔軟な材質のフラックス形成部材の表面に溶融され
た均一の厚さのフラックス層を形成し、フラックス形成
部材の表面のフラックス層の上から半田バンプを押し当
ててフラックス層を半田バンプに転写することに特徴が
ある。よって、フラックスをバンプ表面の全面に薄く均
一の厚さに形成することができる。
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、柔軟な材質のフラックス形成部材の表面に溶融され
た均一の厚さのフラックス層を形成し、フラックス形成
部材の表面のフラックス層の上から半田バンプを押し当
ててフラックス層を半田バンプに転写することに特徴が
ある。よって、フラックスをバンプ表面の全面に薄く均
一の厚さに形成することができる。
【０００９】更に、別の発明として、電子部品の半田バ
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、柔軟な材質のフラックス形成部材の内部に溶融され
たフラックスを染み込ませ、半田バンプをフラックス形
成部材に押し当てて半田バンプの表面の全面にフラック
スを転写することに特徴がある。よって、一回の転写工
程でフラックスをバンプ表面の全面に薄く均一の厚さに
形成することができる。
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、柔軟な材質のフラックス形成部材の内部に溶融され
たフラックスを染み込ませ、半田バンプをフラックス形
成部材に押し当てて半田バンプの表面の全面にフラック
スを転写することに特徴がある。よって、一回の転写工
程でフラックスをバンプ表面の全面に薄く均一の厚さに
形成することができる。
【００１０】また、別の発明として、電子部品の半田バ
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、半田バンプの所望の形状に合わせた凹みが形成さ
れ、かつ該凹みの一部にフラックス供給用の微小な穴が
設けられているフラックス形成部材の凹みに半田バンプ
を凹みの内面と半田バンプの表面に隙間を形成可能とな
る所定の位置まで入れ、半田バンプの表面の全面にフラ
ックスを転写することに特徴がある。よって、よって、
一回の転写工程でフラックスをバンプ表面の全面に薄く
均一の厚さに形成することができる。
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、半田バンプの所望の形状に合わせた凹みが形成さ
れ、かつ該凹みの一部にフラックス供給用の微小な穴が
設けられているフラックス形成部材の凹みに半田バンプ
を凹みの内面と半田バンプの表面に隙間を形成可能とな
る所定の位置まで入れ、半田バンプの表面の全面にフラ
ックスを転写することに特徴がある。よって、よって、
一回の転写工程でフラックスをバンプ表面の全面に薄く
均一の厚さに形成することができる。
【００１１】更に、別の発明として、電子部品の半田バ
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、半田バンプの所望の形状に合わせた凹みが形成さ
れ、かつ該凹みの一部にフラックス供給用の微小な穴が
設けられているフラックス形成部材の凹みに半田バンプ
を凹みの内面と半田バンプの表面に隙間を形成可能とな
る所定の位置まで入れ、穴からフラックスを所定の量分
前記隙間内に供給し、半田バンプの表面の全面に前記フ
ラックスを転写することに特徴がある。よって、フラッ
クスの供給量を制御でき、フラックスの転写量を精度よ
く制御できる。
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、半田バンプの所望の形状に合わせた凹みが形成さ
れ、かつ該凹みの一部にフラックス供給用の微小な穴が
設けられているフラックス形成部材の凹みに半田バンプ
を凹みの内面と半田バンプの表面に隙間を形成可能とな
る所定の位置まで入れ、穴からフラックスを所定の量分
前記隙間内に供給し、半田バンプの表面の全面に前記フ
ラックスを転写することに特徴がある。よって、フラッ
クスの供給量を制御でき、フラックスの転写量を精度よ
く制御できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】電子部品の半田バンプにフラック
スを転写するフラックス転写方法において、溶融された
フラックスを半田バンプの表面に転写し、フラックスが
転写された当該半田バンプを柔軟な材質のフラックス形
成部材に押し当てて半田バンプの表面の全面にフラック
スを均一の厚さに広げる。
スを転写するフラックス転写方法において、溶融された
フラックスを半田バンプの表面に転写し、フラックスが
転写された当該半田バンプを柔軟な材質のフラックス形
成部材に押し当てて半田バンプの表面の全面にフラック
スを均一の厚さに広げる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は本発明の第１の実施例に係るフラックス
転写方法の工程の様子を示す図である。同図の（ａ）に
示すように、半導体チップ１１上に上述した半田バンプ
形成（図５参照）によって形成された半田バンプ１２に
先端のみ転写されたフラックス１３を、同図の（ｂ），
（ｃ）に示すように、半田バンプを押し当てても半田バ
ンプが潰れないような柔らかい材質、例えばゴム、スポ
ンジ等のフラックス形成部材１４に押し当てる。その結
果、同図の（ｄ）に示すように、フラックスを半田バン
プ１２の表面の全体に薄く形成される。
明する。図１は本発明の第１の実施例に係るフラックス
転写方法の工程の様子を示す図である。同図の（ａ）に
示すように、半導体チップ１１上に上述した半田バンプ
形成（図５参照）によって形成された半田バンプ１２に
先端のみ転写されたフラックス１３を、同図の（ｂ），
（ｃ）に示すように、半田バンプを押し当てても半田バ
ンプが潰れないような柔らかい材質、例えばゴム、スポ
ンジ等のフラックス形成部材１４に押し当てる。その結
果、同図の（ｄ）に示すように、フラックスを半田バン
プ１２の表面の全体に薄く形成される。
【００１４】図２は本発明の第２の実施例に係るフラッ
クス転写方法の工程の様子を示す図である。同図の
（ａ）に示すように、第１の実施例と同様な材質のフラ
ックス形成部材１４の表面に薄くフラックス１３を形成
しておく。そして、同図の（ｂ），（ｃ）に示すよう
に、半田バンプ１２をフラックス１３が薄く形成された
フラックス形成部材１４の上から、半田バンプ１２の表
面の全体にフラックス１３が転写される位置まで押し当
ててる。そして、当該位置まで押し当てたならば半田バ
ンプ１２及び半導体チップ１１を引き上げる。その結
果、図１の（ｄ）と同様にフラックスを半田バンプ１２
の表面の全体に薄く形成される。
クス転写方法の工程の様子を示す図である。同図の
（ａ）に示すように、第１の実施例と同様な材質のフラ
ックス形成部材１４の表面に薄くフラックス１３を形成
しておく。そして、同図の（ｂ），（ｃ）に示すよう
に、半田バンプ１２をフラックス１３が薄く形成された
フラックス形成部材１４の上から、半田バンプ１２の表
面の全体にフラックス１３が転写される位置まで押し当
ててる。そして、当該位置まで押し当てたならば半田バ
ンプ１２及び半導体チップ１１を引き上げる。その結
果、図１の（ｄ）と同様にフラックスを半田バンプ１２
の表面の全体に薄く形成される。
【００１５】図３は本発明の第３の実施例に係るフラッ
クス転写方法の工程の様子を示す図である。同図の
（ａ）に示すように、柔らかくかつ液体を染み込ませ可
能な材質のフラックス形成部材１４にフラックス１３を
予め染み込ませておき、同図の（ｂ）に示すように、フ
ラックス１３が染み込んでいるフラックス形成部材１４
の上から、半田バンプ１２の表面の全体にフラックス１
３が転写される位置まで押し当ててる。そして、当該位
置まで押し当てたならば半田バンプ１２及び半導体チッ
プ１１を引き上げる。その結果、図１の（ｄ）と同様に
フラックスを半田バンプ１２の表面の全体に薄く形成さ
れる。
クス転写方法の工程の様子を示す図である。同図の
（ａ）に示すように、柔らかくかつ液体を染み込ませ可
能な材質のフラックス形成部材１４にフラックス１３を
予め染み込ませておき、同図の（ｂ）に示すように、フ
ラックス１３が染み込んでいるフラックス形成部材１４
の上から、半田バンプ１２の表面の全体にフラックス１
３が転写される位置まで押し当ててる。そして、当該位
置まで押し当てたならば半田バンプ１２及び半導体チッ
プ１１を引き上げる。その結果、図１の（ｄ）と同様に
フラックスを半田バンプ１２の表面の全体に薄く形成さ
れる。
【００１６】図４は本発明の第４の実施例に係るフラッ
クス転写方法の工程の様子を示す図である。同図の
（ａ）に示すように、フラックス形成部材１５には半田
バンプの所望の形状に合わせた凹み１６を形成され、か
つ当該凹みの一部にフラックス供給用の微小な穴１７が
設けられている。また、凹み１６の逆側にはフラックス
１３の溜り１８を設けておく。同図の（ｂ）に示すよう
に、凹み１６の中に半田バンプ１２を入れるように位置
合わせを行って入れると、半田バンプ１２と凹み１６の
隙間に毛細管現象によってフラックス１３が溜り１８か
ら吸い上げられて半田バンプ１２と凹み１６の隙間に広
がる。そして、当該位置まで押し当てたならば半田バン
プ１２及び半導体チップ１１を引き上げる。その結果、
図１の（ｄ）と同様にフラックスを半田バンプ１２の表
面の全体に薄く形成される。この際に、フラックス１３
の溜り１８に圧力（正圧又は負圧）を加えてフラックス
１３の供給を制御することも可能であり、これにより転
写量の制御を精度よくできる。なお、本実施例における
フラックス形成部材１５は半田バンプの形状の整形工程
やレベリング工程を同時に行なえるように硬い材質から
形成されて連続生産に対応できる。
クス転写方法の工程の様子を示す図である。同図の
（ａ）に示すように、フラックス形成部材１５には半田
バンプの所望の形状に合わせた凹み１６を形成され、か
つ当該凹みの一部にフラックス供給用の微小な穴１７が
設けられている。また、凹み１６の逆側にはフラックス
１３の溜り１８を設けておく。同図の（ｂ）に示すよう
に、凹み１６の中に半田バンプ１２を入れるように位置
合わせを行って入れると、半田バンプ１２と凹み１６の
隙間に毛細管現象によってフラックス１３が溜り１８か
ら吸い上げられて半田バンプ１２と凹み１６の隙間に広
がる。そして、当該位置まで押し当てたならば半田バン
プ１２及び半導体チップ１１を引き上げる。その結果、
図１の（ｄ）と同様にフラックスを半田バンプ１２の表
面の全体に薄く形成される。この際に、フラックス１３
の溜り１８に圧力（正圧又は負圧）を加えてフラックス
１３の供給を制御することも可能であり、これにより転
写量の制御を精度よくできる。なお、本実施例における
フラックス形成部材１５は半田バンプの形状の整形工程
やレベリング工程を同時に行なえるように硬い材質から
形成されて連続生産に対応できる。
【００１７】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、特許請求の範囲内に記載であれば多種の変
形や置換可能であることは言うまでもない。
のではなく、特許請求の範囲内に記載であれば多種の変
形や置換可能であることは言うまでもない。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子部品の半田バンプにフラックスを転写するフラック
ス転写方法において、溶融されたフラックスを半田バン
プの表面に転写し、フラックスが転写された当該半田バ
ンプを柔軟な材質のフラックス形成部材に押し当てて半
田バンプの表面の全面にフラックスを均一の厚さに広げ
ることに特徴がある。よって、半田バンプの先端に転写
されたフラックスをバンプ表面の全面に薄く均一の厚さ
に形成することができる。
電子部品の半田バンプにフラックスを転写するフラック
ス転写方法において、溶融されたフラックスを半田バン
プの表面に転写し、フラックスが転写された当該半田バ
ンプを柔軟な材質のフラックス形成部材に押し当てて半
田バンプの表面の全面にフラックスを均一の厚さに広げ
ることに特徴がある。よって、半田バンプの先端に転写
されたフラックスをバンプ表面の全面に薄く均一の厚さ
に形成することができる。
【００１９】また、別の発明として、電子部品の半田バ
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、柔軟な材質のフラックス形成部材の表面に溶融され
た均一の厚さのフラックス層を形成し、フラックス形成
部材の表面のフラックス層の上から半田バンプを押し当
ててフラックス層を半田バンプに転写することに特徴が
ある。よって、フラックスをバンプ表面の全面に薄く均
一の厚さに形成することができる。
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、柔軟な材質のフラックス形成部材の表面に溶融され
た均一の厚さのフラックス層を形成し、フラックス形成
部材の表面のフラックス層の上から半田バンプを押し当
ててフラックス層を半田バンプに転写することに特徴が
ある。よって、フラックスをバンプ表面の全面に薄く均
一の厚さに形成することができる。
【００２０】更に、別の発明として、電子部品の半田バ
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、柔軟な材質のフラックス形成部材の内部に溶融され
たフラックスを染み込ませ、半田バンプをフラックス形
成部材に押し当てて半田バンプの表面の全面にフラック
スを転写することに特徴がある。よって、一回の転写工
程でフラックスをバンプ表面の全面に薄く均一の厚さに
形成することができる。
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、柔軟な材質のフラックス形成部材の内部に溶融され
たフラックスを染み込ませ、半田バンプをフラックス形
成部材に押し当てて半田バンプの表面の全面にフラック
スを転写することに特徴がある。よって、一回の転写工
程でフラックスをバンプ表面の全面に薄く均一の厚さに
形成することができる。
【００２１】また、別の発明として、電子部品の半田バ
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、半田バンプの所望の形状に合わせた凹みが形成さ
れ、かつ該凹みの一部にフラックス供給用の微小な穴が
設けられているフラックス形成部材の凹みに半田バンプ
を凹みの内面と半田バンプの表面に隙間を形成可能とな
る所定の位置まで入れ、半田バンプの表面の全面にフラ
ックスを転写することに特徴がある。よって、よって、
一回の転写工程でフラックスをバンプ表面の全面に薄く
均一の厚さに形成することができる。
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、半田バンプの所望の形状に合わせた凹みが形成さ
れ、かつ該凹みの一部にフラックス供給用の微小な穴が
設けられているフラックス形成部材の凹みに半田バンプ
を凹みの内面と半田バンプの表面に隙間を形成可能とな
る所定の位置まで入れ、半田バンプの表面の全面にフラ
ックスを転写することに特徴がある。よって、よって、
一回の転写工程でフラックスをバンプ表面の全面に薄く
均一の厚さに形成することができる。
【００２２】更に、別の発明として、電子部品の半田バ
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、半田バンプの所望の形状に合わせた凹みが形成さ
れ、かつ該凹みの一部にフラックス供給用の微小な穴が
設けられているフラックス形成部材の凹みに半田バンプ
を凹みの内面と半田バンプの表面に隙間を形成可能とな
る所定の位置まで入れ、穴からフラックスを所定の量分
前記隙間内に供給し、半田バンプの表面の全面に前記フ
ラックスを転写することに特徴がある。よって、フラッ
クスの供給量を制御でき、フラックスの転写量を精度よ
く制御できる。
ンプにフラックスを転写するフラックス転写方法におい
て、半田バンプの所望の形状に合わせた凹みが形成さ
れ、かつ該凹みの一部にフラックス供給用の微小な穴が
設けられているフラックス形成部材の凹みに半田バンプ
を凹みの内面と半田バンプの表面に隙間を形成可能とな
る所定の位置まで入れ、穴からフラックスを所定の量分
前記隙間内に供給し、半田バンプの表面の全面に前記フ
ラックスを転写することに特徴がある。よって、フラッ
クスの供給量を制御でき、フラックスの転写量を精度よ
く制御できる。
【図１】本発明の第１の実施例に係るフラックス転写方
法の工程の様子を示す図である。
法の工程の様子を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係るフラックス転写方
法の工程の様子を示す図である。
法の工程の様子を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施例に係るフラックス転写方
法の工程の様子を示す図である。
法の工程の様子を示す図である。
【図４】本発明の第４の実施例に係るフラックス転写方
法の工程の様子を示す図である。
法の工程の様子を示す図である。
【図５】半田バンプの形成の様子を示す図である。
【図６】従来におけるフラックス転写方法の工程の様子
を示す図である。
を示す図である。
【図７】従来の転写状況の様子を示す図である。
【図８】従来の別の転写状況の様子を示す図である。
１１ 半導体チップ １２ 半田バンプ １３ フラックス １４，１５ フラックス形成部材 １６ 凹み １７ 穴 １８ 溜り
Claims (5)
- 【請求項１】 電子部品の半田バンプにフラックスを転
写するフラックス転写方法において、 溶融されたフラックスを前記半田バンプの表面に転写
し、前記フラックスが転写された当該半田バンプを柔軟
な材質のフラックス形成部材に押し当てて前記半田バン
プの表面の全面に前記フラックスを均一の厚さに広げる
ことを特徴とするフラックス転写方法。 - 【請求項２】 電子部品の半田バンプにフラックスを転
写するフラックス転写方法において、 柔軟な材質のフラックス形成部材の表面に溶融された均
一の厚さのフラックス層を形成し、前記フラックス形成
部材の表面の前記フラックス層の上から前記半田バンプ
を押し当てて前記フラックス層を前記半田バンプに転写
することを特徴とするフラックス転写方法。 - 【請求項３】 電子部品の半田バンプにフラックスを転
写するフラックス転写方法において、 柔軟な材質のフラックス形成部材の内部に溶融されたフ
ラックスを染み込ませ、前記半田バンプを前記フラック
ス形成部材に押し当てて前記半田バンプの表面の全面に
前記フラックスを転写することを特徴とするフラックス
転写方法。 - 【請求項４】 電子部品の半田バンプにフラックスを転
写するフラックス転写方法において、 前記半田バンプの所望の形状に合わせた凹みが形成さ
れ、かつ該凹みの一部にフラックス供給用の微小な穴が
設けられているフラックス形成部材の前記凹みに前記半
田バンプを前記凹みの内面と前記半田バンプの表面に隙
間を形成可能となる所定の位置まで入れ、前記半田バン
プの表面の全面に前記フラックスを転写することを特徴
とするフラックス転写方法。 - 【請求項５】 電子部品の半田バンプにフラックスを転
写するフラックス転写方法において、 前記半田バンプの所望の形状に合わせた凹みが形成さ
れ、かつ該凹みの一部にフラックス供給用の微小な穴が
設けられているフラックス形成部材の前記凹みに前記半
田バンプを前記凹みの内面と前記半田バンプの表面に隙
間を形成可能となる所定の位置まで入れ、前記穴からフ
ラックスを所定の量分前記隙間内に供給し、前記半田バ
ンプの表面の全面に前記フラックスを転写することを特
徴とするフラックス転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP108399A JP3597402B2 (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | フラックス転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP108399A JP3597402B2 (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | フラックス転写方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200806A true JP2000200806A (ja) | 2000-07-18 |
| JP3597402B2 JP3597402B2 (ja) | 2004-12-08 |
Family
ID=11491619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP108399A Expired - Fee Related JP3597402B2 (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | フラックス転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3597402B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101053091B1 (ko) * | 2003-06-09 | 2011-08-01 | 파나소닉 주식회사 | 실장기판의 제조방법 |
-
1999
- 1999-01-06 JP JP108399A patent/JP3597402B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101053091B1 (ko) * | 2003-06-09 | 2011-08-01 | 파나소닉 주식회사 | 실장기판의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3597402B2 (ja) | 2004-12-08 |
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