JPH04242943A - バンプ電極の半田供給方法 - Google Patents

バンプ電極の半田供給方法

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JPH04242943A
JPH04242943A JP3000067A JP6791A JPH04242943A JP H04242943 A JPH04242943 A JP H04242943A JP 3000067 A JP3000067 A JP 3000067A JP 6791 A JP6791 A JP 6791A JP H04242943 A JPH04242943 A JP H04242943A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
bump electrode
semiconductor device
solder ball
template
Prior art date
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Pending
Application number
JP3000067A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Sekikawa
関川 博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH04242943A publication Critical patent/JPH04242943A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置を基板に実装
する際の半田付け方法に関し、特に半導体装置のバンプ
電極へ予備半田する半田供給方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半田供給方法としては、
溶融半田中へ半導体装置のバンプ電極を浸す浸漬法や、
図2に示すように、スクリーン印刷法で平板4に半田ペ
ースト5を印刷し、その半田ペースト5の上に半導体装
置1のバンプ電極1aを置き、リフローソルダリング法
により半田ペースト5を溶融し、バンプ電極1aに予備
半田付けする方法が一般的である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した溶融半田中へ
の半導体装置の浸漬方法では、半導体装置を半田中から
取出した際、バンプ電極に付着し残留した半田量は、溶
融半田の表面張力の影響により、バンプ電極毎に過不足
が生じやすい欠点がある。
【0004】また、スクリーン印刷された半田ペースト
をリフロー法により半導体装置のバンプ電極へ転写する
方法は、半田ペースト粘度,スクリーン形状等、種々の
印刷条件によって半田ペーストの抜け性が変わり、印刷
量が変動しやすいという問題がある。また、リフローソ
ルダリングを行ったとき印刷された半田ペーストが薄く
広がる性状を示すため、遊離した半田粒が生成したり、
隣接した半田間で半田ブリッジが生ずることにより、バ
ンプ電極毎の半田量がばらつきやすいという問題がある
【0005】本発明の目的は、上述の問題を解決したバ
ンプ電極の半田供給方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置の
バンプ電極と、これに対応するようにテンプレートに配
設した円錐状の凹部との間に所定の形状の半田球を介在
させ、この状態でリフローソルダリング法により前記バ
ンプ電極に溶融した前記半田球を転写することを特徴と
する。
【0007】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0008】図1は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。テンプレート2には半導体装置1のバンプ電極1a
に対応した位置に半田球3を配列するための円錐状凹部
2aが設けてある。このテンプレート2は非半田濡れ性
,良好な熱伝導性および剛性を有するアルミニウムやセ
ラミック材料等を用い、半田付け時の熱変形防止と均一
な熱伝導とをはかる。半田球3は半導体装置1を基板(
図示せず)に半田接続するために、予め必要な半田量か
ら算出された寸法に形成されたものを用意する。そして
、この半田球31をテンプレート2の円錐状凹部2aに
配列し、その上に半導体装置1のバンプ電極を11を配
置し、この状態のまま、リフローソルダリング法により
全体を加熱し、半田球31を溶融させると、半田球3は
バンプ電極1aに付着、転写され、バンプ電極に半田が
供給される。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体装
置のバンプ電極と半田球配列用テンプレートの円錐状凹
部との間に予め均一な寸法に形成された半田球を介在さ
せ、この半田球を円錐状凹部の中で溶融させるため、遊
離した半田粒が発生することもなく、バンプ電極に転写
された半田量のばらつきが小さく抑えられるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図2】従来例を示す断面図である。
【符号の説明】
1    半導体装置 1a    バンプ電極 2    テンプレート 2a    円錐状凹部 3    半田球 4    平板 5    半田ペースト

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  半導体装置のバンプ電極と、これに対
    応するようにテンプレートに配設した円錐状の凹部との
    間に所定の形状の半田球を介在させ、この状態でリフロ
    ーソルダリング法により前記バンプ電極に溶融した前記
    半田球を転写することを特徴とするバンプ電極の半田供
    給方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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