JP2000200616A - 燃料電池に使用するのに適した固体高分子電解質用材料 - Google Patents

燃料電池に使用するのに適した固体高分子電解質用材料

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Abstract

(57)【要約】 【課題】固体高分子電解質に適した含フッ素ポリマー材
料を提供する。 【解決手段】スルホン酸型官能基を有する少なくとも2
種の含フッ素ポリマー鎖セグメントC及びDを有する含
フッ素多元セグメント化ポリマーを含み、含フッ素ポリ
マー鎖セグメントCの当量数が、含フッ素ポリマー鎖セ
グメントDの当量数よりも小さいことを特徴とする固体
高分子電解質用材料。

Description

【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体高分子電解質
に適した含フッ素ポリマー材料に関し、それを用いた固
体高分子電解質膜、さらにはこれらの材料を用いて構成
された燃料電池に関するものである。
【従来の技術及びその課題】燃料電池は、電池に供給さ
れる燃料の酸化により化学的エネルギーを直接電気的エ
ネルギーに変換する電気化学的装置である。燃料電池
は、一般的には電解質に隣接し且つ接触している2個の
ガス拡散電極から成っている。燃料電池は、燃料を正電
極に供給し且つ酸化体(オキシダント)を負電極に供給
する手段を包含する。両電極間には固体または液体電解
質が配置され、電解質は正および負の電極間にイオン種
を輸送する。燃料電池には、電解質としてプロトン交換
ポリマーフィルムを用いる型のものがある。この場合に
は、電解質はポリマーフィルムのポリマー主鎖に化学的
に結合した複数の酸官能基である。これらのプロトン交
換ポリマーフィルムは、例えばスルホン化ポリスチレン
であってもよく、更に好ましくはデュポン社製のナフィ
オン(Nafion)イオン交換ポリマーフィルムのような実質
的にフッ素化したスルホン酸ポリマーであってもよい。
「固体高分子電解質」という用語は、しばしばこれらの
イオン交換ポリマーフィルム構造体を記載するのに用い
られる。プロトン交換ポリマーフィルム燃料電池は公知
であり、例えば米国特許第3134697号明細書に記
載されている。初期の固体高分子電解質プロトン交換ポ
リマーフィルム燃料電池は作動可能ではあるが、ポリマ
ーフィルム自体が化学的に不安定であるために、寿命が
限定されていた。しかしながら、引き続くデュポン社製
のNafionのようなペルフルオロ化したイオン交換活性を
有するポリマー材料の開発によって、良好な操作特性と
数千時間の寿命を有する上記型の燃料電池が可能となっ
た。Nafion(ペルフルオロスルホン酸ポリマーフィル
ム)を用いる固体高分子電解質燃料電池は、一般的には
約80℃の温度で作動する。ポリマーフィルム自体が実
質的にガス不透過性であるので、(液体電解質燃料電池
を用いる場合に一般的である)ガスの混合を防止するた
めの多孔質支持マトリックスを必要としない。適当な外
部支持体を用いれば、実際の操作において燃料ガスと酸
化体ガスとの間に100psi以上の圧差を実現するこ
とができる。これらの特徴は極めて望ましいものであ
り、これらの燃料電池を酸化体として空気とともに操作
して、空気の圧を増加させて酸素の分圧を高くして燃料
ガスの圧縮の必要をなくすことが可能になる。例えば、
水素/空気燃料電池は燃料側で1気圧で操作し、電池の
酸化体側では4気圧以上の空気で操作することができ
る。実際には、電極は一般的には加圧/加熱法によって
活性プロトン交換ポリマーフィルムに物理的に結合して
いる(例えば米国特許第4272353号明細書)。当
業界の現状では、米国特許第3282875号明細書に
記載のようなデュポン社製ペルフルオロスルホン酸ポリ
マーフィルムが、当量数が約1100〜1200のフィルムとし
て用いられる。当量数は、1当量の塩基を中和するポリ
マーの重量を意味する。ポリマーフィルムのイオン伝導
度はポリマーフィルムの当量数に反比例すると考えられ
る。当業界の現状において用いられているよりも低い当
量数を有するNafionイオン交換ポリマーフィルムのポリ
マーもあるが(欧州特許出願第0122049号明細
書)、当量数が約950未満のポリマーフィルムの物理
的安定性は、「Dual Cohesive Energy Densitites of P
erfluoro-sulphonic Acid(Nafion) Membrane」、Polyme
r、第21巻、432−435頁、4月、1980年に
記載のように低く、それによって電池ユニットの組立時
などのハンドリングが困難となったり、又組み立て時や
運転時に膜がクリープし、電圧低下やショートなどを起
こし、信頼性を損なってしまう。プロトン交換固体高分
子電解質の当量数を減少させて、燃料電池におけるイオ
ン移動の抵抗力損失を減少させるとともに、受容可能な
物性を保持することが極めて求められている。固体高分
子電解質膜について、これらの問題を解決する試みが種
々なされている。例えば、特公表昭62−500759
号公報には、前述のポリマー側鎖にスルホン酸基を有す
るNafionイオン交換ポリマーの構造を改良し、つまり、
スルホン酸基を有する側鎖構造をより短鎖のものにし、
より低い当量数(1000未満)において、高温(11
0℃より高い)での貯蔵弾性率を改善したことが記載さ
れている。これは、Nafionイオン交換ポリマーのガラス
転移点又は軟化点(約110℃)を高くし、高温での機
械的特性を改良したものである。しかしながら、Nafion
イオン交換ポリマーを含めたこれらのスルホン酸基含有
ポリマーは本来、非晶性であるか、結晶部分があっても
結晶化度が極端に低いものであり、室温及び高温での機
械的物性もまた不充分なものである。また、さらに上記
公報のスルホン酸基を有する側鎖が短鎖のスルホン酸基
含有ポリマーの合成は大変困難であり、生産性、コスト
面で問題がある。また、特開平6−231778号公報
には、イオン交換容量の異なる2種以上のスルホン酸基
を有するパーフルオロカーボン重合体のブレンド物を固
体高分子電解質型燃料電池に用い、高イオン交換容量重
合体で高い機械的強度の発現に寄与することが記載され
ている。しかし、これらの組成物は、スルホン酸基含有
モノマー単位の多いパーフルオロカーボン重合体とスル
ホン酸基含有モノマー単位の少ないパーフルオロカーボ
ン重合体との単なるブレンド物であり、ブレンド前のそ
れぞれの重合体の中間的な機械的強度となること、また
さらに機械的強度に寄与する低イオン交換容量(スルホ
ン酸基の少ない)の重合体自体機械的特性がそれほど優
れたものではなく、ブレンド物としたときも充分な機械
的強度を与えることができない。またさらに、均一なブ
レンドがなされ難いため、プロトン移動性の低下も招
く。特開平6−231781号公報には、異なる含水率
を有する2種以上のスルホン酸基含有パーフルオロカー
ボン重合体の積層体からなる固体高分子電解質燃料電池
について記載する。つまり、積層体の含水率の低い(ス
ルホン酸基含有モノマー単位の少ない)パーフルオロカ
ーボン重合体で高い機械的強度の発現に寄与することを
狙っているが、その含水率の低い重合体自体の機械的強
度が不充分であり、薄膜で積層するため積層体膜への機
械的強度を十分改善するには至らない。また、積層体膜
中に含水率の高い部分と低い部分が存在し、低い部分で
プロトン移動性が低下してしまい、全体としてのプロト
ン移動性が悪くなる。本発明は、従来の上記のような問
題点に鑑みてなされたものである。従って、本発明の目
的はスルホン酸基を有する含フッ素重合体を用いてなる
燃料電池において、それに必要充分な水素イオン伝導性
(イオン交換基濃度)と、組立加工時、使用時に必要充
分な機械的特性、耐久性を兼ね備えた固体高分子電解質
用材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】本発明者らは、イオン伝
導性を与え得るスルホン酸型官能基を含有する含フッ素
ポリマー鎖セグメントと、機械的特性の向上に寄与でき
る含フッ素ポリマー鎖セグメントを含む含フッ素セグメ
ント化ポリマーが、イオン伝導性を低下させずに、機械
的特性をより効果的に改善できることを見出した。それ
によって、上記の含フッ素セグメント化ポリマーが固体
高分子電解質用材料、またそれから得られる固体高分子
電解質膜として好ましく用いることができ、さらには燃
料電池用として適した材料となり得るものである。本発
明の固体高分子電解質用材料は、重合体を構成する単量
体組成が異なった2種以上の含フッ素ポリマー鎖セグメ
ントを有する含フッ素多元セグメント化ポリマーを含む
ものであって、その中の少なくとも1つの含フッ素ポリ
マー鎖セグメントにイオン伝導性機能を付与するスルホ
ン酸型官能基を有するセグメント化ポリマーを含むもの
である。
【発明の実施の形態】本発明において、「スルホン酸型
官能基」とは、SO3M(Mは水素原子、アルカリ金属
塩、アルカリ土類金属塩、アンモニア、1級アミン、2
級アミンまたは3級アミンにプロトンが付加したアンモ
ニウムカチオンを示す)を示す)、SO2Cl、SO2
を意味する。好ましいスルホン酸型官能基はSO3H、
SO2Cl、SO2Fである。Rfは炭素数1〜40の2
価の含フッ素アルキレン基または炭素数1〜40のエー
テル結合を有する2価の含フッ素アルキレン基を示し、
好ましくはフッ素原子、水素原子、フッ素以外のハロゲ
ン原子のみから構成される2価の含フッ素アルキレン
基、エーテル結合を有する2価の含フッ素アルキレン基
であり、より好ましくは水素を含まないハロゲン原子の
みから構成される2価の含フッ素アルキレン基、エーテ
ル結合を有する2価の含フッ素アルキレン基であり、特
にフッ素原子のみから構成されるものが好ましい。炭素
数1〜40の2価の含フッ素アルキレン基としては、−
(CF2m−;−(CF2CF(CF3))m1−;−(C
F(CF3)CF2m1−;−(CF2CFCl)m2−;
−(CF2CH2m2−;−(CF2m3−(CF2
m4−;−(CF2CF(CFCl2))m1−;〔式中、m
は1〜40の整数、m1は1〜13の整数、m2は1〜
20の整数、m3≧1、m4≧1 かつ 1≦m3+m
4≦40〕が例示される。炭素数1〜40のエーテル結
合を有する2価の含フッ素アルキレン基としては、−
(CF2CF2O)m2−;−(CF2CF(CF3)O)m1
−;−(CF2CF2CF2O)m1−;−(CF2CF2
2O)m1−;−CF2O(CF2CF(CF3)O)
m1−;−CF2O(CF2CF2O)m5−−(CF2CF
(CFCl2)O)m1−;〔式中、m1およびm2は前
記に同じ。m5は1〜19の整数〕が例示される。つま
り、本発明の固体高分子電解質に用いられる含フッ素多
元セグメント化ポリマーは、イオン伝導性機能を有する
スルホン酸型官能基含有する含フッ素ポリマー鎖セグメ
ント(セグメントA)と、ポリマー全体に機械的強度、
耐久性を与え得る含フッ素ポリマー鎖セグメント(セグ
メントB)を含む含フッ素セグメント化ポリマーであ
り、ポリマー全体に機械的強度を向上させるためには、
含フッ素ポリマー鎖セグメントBは、結晶性を有するポ
リマー鎖、または非晶性であってもガラス転移点が高い
ポリマー鎖が好ましく、具体的には、結晶融点またはガ
ラス転移点が100℃以上、特に好ましくは200℃以
上の含フッ素ポリマー鎖セグメント(セグメントB)を
有するものが好ましい。あるいは、イオン伝導性機能が
より高いスルホン酸型官能基の含量の高い(当量数の小
さい)含フッ素ポリマー鎖セグメント(セグメントC)
と、機械的強度、耐久性がより高い含フッ素ポリマー鎖
セグメント(セグメントD)を含む含フッ素セグメント
化ポリマーである。この場合も、含フッ素ポリマー鎖セ
グメントDは結晶性を有するポリマー鎖または非晶性で
あってもガラス転移点が高いポリマー鎖が好ましく、具
体的には、結晶融点またはガラス転移点が100℃以
上、特に好ましくは200℃以上のポリマー鎖セグメン
トである。本発明の固体高分子電解質用材料に用いられ
る含フッ素多元セグメント化ポリマーとは、1分子中に
スルホン酸型官能基を有する含フッ素ポリマー鎖セグメ
ント(A)と、スルホン酸型官能基を有さない含フッ素
ポリマー鎖セグメント(B)とをブロックやグラフトの
形態で結合した含フッ素ポリマー;または、1分子中に
より高いスルホン酸型官能基含量を有する含フッ素ポリ
マー鎖セグメント(C)と、より低いスルホン酸型官能
基含量を有する含フッ素ポリマー鎖セグメント(D)と
をブロックやグラフトの形態で結合した含フッ素ポリマ
ーであることが重要である。本発明において、上記のセ
グメントAとセグメントB;あるいはセグメントCとセ
グメントDとをブロックやグラフトなどの形態でつな
ぎ、含フッ素多元セグメント化ポリマーとする方法につ
いては、公知の種々の方法が採用できるが、なかでも特
公昭58−4728号公報などに示されたブロック型の
含フッ素多元セグメント化ポリマーの製法や、特開昭6
2−34324号公報に示されたグラフト型の含フッ素
多元セグメント化ポリマーの製法などが好ましく採用で
きる。とりわけ、セグメント化率(ブロック化率)も高
く、均質で規則的なセグメント化ポリマーが得られるこ
とから、特公昭58−4728号公報、高分子論文集
(Vol.49、No.10、1992)記載のいわゆ
るヨウ素移動重合法で合成されたブロック型の含フッ素
多元セグメント化ポリマーが好ましい。一方、スルホン
酸型官能基を含有する含フッ素ポリマー(Aセグメント
と同等の単独ポリマー)と上記スルホン酸型官能基を含
有する含フッ素ポリマーより優れた機械的物性を有する
含フッ素ポリマー(Bセグメントと同等の単独ポリマ
ー)との単なるブレンド混合物を用いたものは、混合す
るそれぞれの重合体の種類、混合性、相溶性などによっ
て異なるが、一般に、機械的特性が充分に改善されなか
ったり、イオン伝導性が低下したりする。これに対し、
本発明のようにスルホン酸型官能基を含有する含フッ素
ポリマー鎖セグメント(A)と含フッ素ポリマー鎖セグ
メント(B)をブロック、グラフトなどで結合させ、;
あるいはセグメント(C)とセグメント(D)をブロッ
ク、グラフトなどで結合させ、多元セグメント化ポリマ
ーとすることによって、前述のAセグメントと同等ポリ
マーと、Bセグメントと同等ポリマーとの単なるブレン
ド混合物に比べて、機械的特性、高温時の機械的特性、
耐熱性などが大幅に向上し、固体高分子電解質用材料と
して用い、燃料電池としたときも、耐熱性、耐久性、耐
クリープ性が効果的に改善され、信頼性が向上する。ま
たさらに、1つの分子中にイオン伝導性のセグメントA
(またはセグメントC)と、機械的特性を与え得るセグ
メントB(またはセグメントD)とを有し、より均質組
成のポリマー分子からなるため、各セグメントのブレン
ド物に比べイオン伝導性においても良好なものが得られ
る。本発明の固体高分子電解質に用いるのに好ましい含
フッ素多元セグメント化ポリマーの第一の形態は、 (セグメントA):スルホン酸型官能基を有する含フッ
素ポリマー鎖セグメント (セグメントB):スルホン酸型官能基を有さないポリ
マー鎖セグメントを含むものである。本発明の固体高分
子電解質に用いるのに好ましい含フッ素多元セグメント
化ポリマーの第二の形態は、 (セグメントC):スルホン酸型官能基の含量がより高
い含フッ素ポリマー鎖セグメント;および (セグメントD):スルホン酸型官能基の含量がより低
いポリマー鎖セグメントを含むものである。本発明の固
体高分子電解質に用いる含フッ素多元セグメント化ポリ
マー中のセグメントAは、固体高分子電解質として用い
るのに必要なイオン伝導性を付与するためのスルホン酸
型官能基を有しており、具体的には、(a)スルホン酸
型官能基を有する含フッ素単量体単位;および(b)該
(a)成分と共重合可能なスルホン酸型官能基を有さな
い含フッ素エチレン性単量体の少なくとも1種の単量体
単位を含む共ポリマー鎖である。本発明の固体高分子電
解質に用いる含フッ素多元セグメント化ポリマー中のセ
グメントC及びDは、固体高分子電解質として用いるの
に必要なイオン伝導性を付与するためのスルホン酸型官
能基を有しており、具体的には、(c)スルホン酸型官能
基を有する前記含フッ素エチレン性単量体単位と(d) 該
(c)成分と共重合可能であり、且つ、スルホン酸型の官
能基を有さない含フッ素エチレン性単量体のうち少なく
とも1種の単量体単位を含む共ポリマー鎖である。セグ
メントA、C及びDを構成するスルホン酸型官能基を有
する含フッ素エチレン性単量体(a)または(c)は、具体的
には式(1) CX2=CX1−(O)n−Rf−SO2Y (1) 〔式中、X及びX1は同じかまたは異なり、いずれも水
素原子またはフッ素原子を示す。Yは、F、Cl、OY
1(Y1は水素原子、アルカリ金属、炭素数1〜5のアル
キル基)を示す。Rfは炭素数1〜40の2価の含フッ
素アルキレン基または炭素数1〜40のエーテル結合を
有する2価の含フッ素アルキレン基を示す。nは0また
は1を示す。〕で表される単量体が好ましく、中でも、
式(2) CF2=CFO−Rf−SO2Y (2) 〔式中、Y及びRfは式(1)と同じ〕で表される単量
体が好ましい。該単量体は、具体的には CF2=CFOCF2CF2SO3H、 CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2SO
3H、 CF2=CFOCF2CF2CF2SO3H、 CF2=CFOCF2CF2CH2SO3H、 CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2CF2
3H、 CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2CH2
3H などが好ましい具体例として挙げられる。セグメント
A、C、Dを構成する単量体単位(b)または(d)
は、(a)または(c)以外の単量体単位でよいが、実
質的には官能基を含まない含フッ素エチレン性単量体か
ら選ばれるものであり、具体的には、テトラフルオロエ
チレン(TFE)、ヘキサフルオロプロピレン(HF
P)、クロロトリフルオロエチレン(CTFE)、ビニ
リデンフルオライド(VdF)、フッ化ビニル、パーフ
ルオロ(アルキルビニルエーテル)(PAVE)類、ヘ
キサフルオロイソブテン、 CH2=CF−(CF2n−X、CH2=CH−(C
2n−X (式中、XはH、ClまたはFから選ばれる。nはとも
に1〜5の整数を示す。)等が挙げられる。また、前記
含フッ素エチレン性単量体に加えて、耐アルカリ性、耐
熱性、耐久性を低下させない範囲でフッ素を有さないエ
チレン性単量体を共重合してもよい。その場合、フッ素
を有さないエチレン性単量体は、耐熱性を低下させない
ためにも炭素数5以下のエチレン性単量体から選ばれる
ことが好ましく、具体的にはエチレン、プロピレン、1
−ブテン、2−ブテンなどが挙げられる。これらの中で
もイオン伝導性、耐酸性、耐アルカリ性、耐熱性、耐久
性の面で式(2)で示されるスルホン酸型官能基を有す
る単量体単位とパーハロオレフィン単位を含む共重合体
鎖、特に式(2)で示されるスルホン酸型官能基を有す
る単量体単位とテトラフルオロオレフィン単位からなる
共重合体鎖であることが好ましい。セグメントA中のス
ルホン酸型官能基の含量、つまりセグメントAのみのポ
リマー鎖に対するスルホン酸型官能基含有含フッ素単位
の含有量は、固体高分子電解質として目標にするイオン
伝導性や機械的物性によって種々選択されるが、通常5
モル%〜80モル%、好ましくは7モル%〜70モル
%、さらに好ましくは10〜50モル%である。セグメ
ントAおよびセグメントBを含む本発明の含フッ素多元
セグメント化ポリマー中のセグメントBは、固体高分子
電解質に必要な機械的物性を付与する能力を持つポリマ
ー鎖であれば基本的に限定されず、セグメントAの種類
や目標に応じて選択すればよい。前述のように、結晶性
を有するか、非晶質であってもガラス転移点の高いポリ
マー鎖であることが好ましく、具体的には100℃以
上、特に200℃以上のポリマー鎖であることが好まし
い。セグメントBを構成し得る単量体のうち含フッ素単
量体としては、例えばTFE、CTFE、PAVE、H
FP、CF2=CF−(CF2p−X、(式中、pは1
〜10の整数であり、XはFまたはClを示す。)、パ
ーフルオロ−2−ブテンなどのパーハロオレフィン類;
VdF、フッ化ビニル、トリフルオロエチレン、 CH2=CX1−(CF2q−X2 (式中、X1およびX2は各々HまたはFを示し、qは1
〜10の整数を示す)、CH2=C(CF32などの部
分フッ素化オレフィン類の1種または2種以上が挙げら
れる。また、これらと共重合可能な単量体、例えばエチ
レン、プロピレン、塩化ビニル、ビニルエーテル類、カ
ルボン酸ビニルエステル類、アクリル類の1種または2
種以上も共重合成分として使用できる。これらのうち、
耐酸性、耐アルカリ性、耐熱性、耐久性の点から、主成
分に用いる単量体としては含フッ素オレフィン単独また
は含フッ素オレフィン同士の組合せ、エチレンとTFE
の組合わせ、エチレンとCTFEの組合わせが好まし
く、特にパーハロオレフィン同士の組合せが好ましい。
具体的には、 (1)VdF/TFE(0〜100/100〜0)、特
にVdF/TFE(70〜99/30〜1)、PTFE
またはPVdF; (2)エチレン/TFE/HFP(6〜43/40〜8
1/10〜30)、3,3,3−トリフルオロプロピレ
ン−1,2−トリフルオロメチル−3,3,3−トリフ
ルオロプロピレン−1/PAVE(40〜60/60〜
40); (3)TFE/CF2=CF−Rf(Rfは前記に同
じ。CF2=CF−Rfが15モル%未満); (4)VdF/TFE/CTFE(50〜99/30〜
0/20〜1); (5)VdF/TFE/CTFE(50〜99/30〜
0/20〜1); (6)エチレン/TFE(30〜60/70〜40); (7)ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTF
E); (8)エチレン/CTFE(30〜60/70〜4
0); 等が挙げられる。なかでも、テトラフルオロエチレン8
5モル%〜100モル%と、式(1): CF2=CF−Rfa (3) 〔式中、RfaはCF3またはORfb(Rfbは炭素数1
〜5のパーフルオロアルキル基を示す。)〕で表される
モノマー15〜0モル%を含むポリマー鎖であるものが
特に好ましく、前述のセグメントAと組み合わせてセグ
メント化ポリマーとすることによって、イオン伝導性と
耐酸性、耐アルカリ性、耐熱性、耐久性及び機械的物性
を兼ね備えた固体高分子電解質に適した材料となり得
る。セグメントC及びセグメントDを含む含フッ素多元
セグメント化ポリマーにおいて、セグメントC中のスル
ホン酸型官能基の含量、つまりセグメントCのみのポリ
マー鎖に対するスルホン酸型官能基含有含フッ素単位の
含有量は、固体高分子電解質として目標にするイオン伝
導性や機械的物性によって種々選択されるが、通常10
モル%〜60モル%、好ましくは13モル%〜50モル
%、さらに好ましくは20〜40モル%である。セグメ
ントD中のスルホン酸型官能基の含量、つまりセグメン
トDのみのポリマー鎖に対するスルホン酸型官能基含有
含フッ素単位の含有量は、固体高分子電解質として目標
にするイオン伝導性や機械的物性によって種々選択され
るが、通常0.1モル%〜20モル%、好ましくは1モ
ル%〜13モル%、さらに好ましくは1〜10モル%で
ある。但し、セグメントD中のスルホン酸型官能基の含
量は、セグメントC中のスルホン酸型官能基の含量を超
えることがないようにする。セグメントA及びセグメン
トBを含む含フッ素セグメント化ポリマー中のスルホン
酸型官能基の含量は、10〜60モル%、好ましくは1
3〜50モル%、さらに好ましくは20〜40モル%で
ある。含フッ素セグメント化ポリマー中のスルホン酸含
有量が少なすぎると、イオン伝導性が不充分となり、多
すぎると水による膨潤が過剰になったり機械物性が低下
したりする。これらのセグメントAとセグメントB、あ
るいはセグメントCとセグメントDとを結合させ、セグ
メント化ポリマーとする方法は、グラフト重合体とする
か、ブロック重合体とするかによって種々選択できる。
中でもヨウ素移動重合法を利用することによって効率よ
く且つブロック化率よくA−B、B−A−B、A−B−
A;あるいはC−D、D−C−D、C−D−Cなどのブ
ロックタイプのセグメント化ポリマーとすることができ
る。B−A−B(D−C−D)のブロックタイプのセグ
メント化ポリマーの製造例を示す。 (セグメントA、C)例えば、実質的に無酸素下で、水
媒体中でヨウ素化合物、好ましくはジヨウ素化合物の存
在下に前記セグメントAを構成する単量体((a)及び
(b))を加圧下で攪拌しながらラジカル開始剤の存在下
乳化重合を行う方法が挙げられる。セグメントAを構成
する単量体((a)及び(b))に代えて、セグメントCを構
成する単量体((c)及び(d))を用いることに、同様にし
てセグメントCを合成することができる。用いるジヨウ
素化合物の代表例としては、例えば1,3−ジヨードパ
ーフルオロプロパン、1,4−ジヨードパーフルオロブ
タン、1,3−ジヨード−2−クロロパーフルオロプロ
パン、1,5−ジヨード−2,4−ジクロロパーフルオ
ロペンタン、1,6−ジヨードパーフルオロヘキサン、
1,8−ジヨードパーフルオロオクタン、1,12−ジ
ヨードパーフルオロドデカンおよび1,16−ジヨード
パーフルオロヘキサデカン、ジヨードメタン、1,2−
ジヨードエタンである。これらの化合物は単独で使用し
てもよく、相互に組み合わせて使用することもできる。
なかでも1,4−ジヨードパーフルオロブタンが好まし
い。ジヨウ素化合物の量は、セグメントA、C全重量に
対して0.01〜1重量%である。本発明におけるセグ
メントA、Cの製造で使用するラジカル重合開始剤は、
従来からフッ素系エラストマーの重合に使用されている
ものと同じものであってよい。これらの開始剤には有機
及び無機の過酸化物並びにアゾ化合物がある。典型的な
開始剤として、過硫酸塩類、過酸化カーボネート類、過
酸化エステル類などがあり、好ましい開始剤として過硫
酸アンモニウム(APS)が挙げられる。APSは単独
で使用してもよく、またサルファイト類、亜硫酸塩類の
ような還元剤と組み合わせて使用することもできる。乳
化重合に使用される乳化剤としては、広範囲なものが使
用可能であるが、重合中に起こる乳化剤分子への連鎖移
動反応を抑制する観点から、フルオロカーボン鎖または
フルオロポリエーテル鎖を有するカルボン酸の塩類が望
ましい。乳化剤の使用量は、添加された水の約0.05
〜15重量%が望ましく、特に0.2〜10重量%が望
ましい。このようにして得られるセグメントA、Cの重
合体の末端部分(例えば両末端)はヨウ素原子を有して
おり、次のセグメントB、Dのポリマー鎖と重合を行う
場合の開始点となる。 (セグメントB、Dのブロック重合)セグメントB、D
のブロック共重合は、上記のセグメントA、Cの乳化重
合に引き続き、単量体をセグメントB、D用に代えて行
うことによって達成され、B−A−B、D−C−Dブロ
ック型の各セグメント化ポリマーを得ることができる。
かくして得られるセグメント化ポリマーの分子量は、セ
グメントAで5000〜1000000、特に2000
0〜500000のものが好ましく、セグメントB(両
末端の合計)で1000〜1200000、特に300
0〜600000のものが好ましく、セグメントCで1
000〜1000000、特に10000〜50000
0のものが好ましく、セグメントD(両末端の合計)で
1000〜1200000、特に3000〜60000
0のものが好ましく利用できる。低すぎる分子量は機械
的特性が不十分となり、高すぎる分子量はフィルムや膜
などへの成形性が低下する。また、本発明のセグメント
AとセグメントBを有するセグメント化ポリマー中のセ
グメントAとセグメントB(両末端合計)の存在比率
は、固体高分子電解質として目標とするイオン伝導性、
機械的物性などにより適宜選択され、また各セグメント
の組成によっても異なるが、セグメントA:セグメント
B=5:95〜98:2(重量%)の範囲から好ましく
選ばれ、なかでも、セグメントA:セグメントB=2
0:80〜95:5(重量%)、特に30:70〜9
0:10(重量%)であることが好ましい。セグメント
Bの比率が小さすぎると機械的特性の改善効果が乏しく
なり、大きすぎるとイオン伝導性が不充分となりやす
い。また、本発明のセグメントCとセグメントDを有す
るセグメント化ポリマー中のセグメントCとセグメント
D(両末端合計)の存在比率は、固体高分子電解質とし
て目標とするイオン伝導性、機械的物性などにより適宜
選択され、また各セグメントの組成によっても異なる
が、セグメントC:セグメントD=5:95〜98:2
(重量%)の範囲から好ましく選ばれ、なかでも、セグ
メントC:セグメントD=20:80〜95:5(重量
%)、特に30:70〜90:10(重量%)であるこ
とが好ましい。セグメントB、Dの比率が小さすぎると
機械的特性の改善効果が乏しくなり、大きすぎるとイオ
ン伝導性が不充分となりやすい。以上のように、種々の
スルホン酸型官能基を有する含フッ素セグメント化ポリ
マーを得ることができるが、燃料電池などに利用する固
体高分子電解質として利用するためには、いわゆる公知
の中和滴定法で測定される当量数で400〜1600
(セグメント化ポリマー全体に対して)のものから選択
される。特に有用なのはセグメント化ポリマー全体に対
し500〜1200の当量数のものであり、なかでも7
00〜1100の当量数としたものが特に好ましい。な
かでも、セグメントC及びDを有する含フッ素セグメン
ト化ポリマーにおいて、ポリマー全体に機械的物性を付
与するためには、含フッ素ポリマー鎖セグメントDの当
量数は、1000以上、好ましくは1300以上、より
好ましくは1500以上である。大きすぎる当量数は、
イオン伝導性が不充分となり、小さすぎる当量数は、セ
グメント化ポリマーの水和が過剰となり、膨潤も過剰と
なり、ガス透過性も過剰となる。またさらに機械的物性
自体も低下する傾向となる。本明細書において、セグメ
ントA1、セグメントB1、セグメントC1及びセグメン
トD1は、各々セグメントA、セグメントB、セグメン
トC及びセグメントDに包含される。含フッ素ポリマー
鎖セグメントA1と含フッ素ポリマー鎖セグメントB1
含む含フッ素多元セグメント化ポリマーは、新規物質で
あり、含フッ素ポリマー鎖セグメントAと含フッ素ポリ
マー鎖セグメントBを含む前記含フッ素多元セグメント
化ポリマーに包含される。スルホン酸型官能基を有する
含フッ素ポリマー鎖セグメントA1と、スルホン酸型官
能基を含まない含フッ素ポリマー鎖セグメントB1を含
む含フッ素多元セグメント化ポリマーにおいて;セグメ
ントA1は、(e) 式(1) CX2=CX1−(O)n−Rf−SO2Y (1) 〔式中、X、X1、Y、n及びRfは前記に同じ。〕で
表される少なくとも1種のの構造単位を1〜50モル%
と、(f) スルホン酸型官能基を含まない少なくとも1種
のエチレン性単量体の構造単位を99〜50モル%を含
む分子量5000〜750000の共重合体である。セ
グメントB1は少なくとも1種の含フッ素エチレン性単
量体単位を含む分子量3000〜1200000の含フ
ッ素ポリマー鎖である。スルホン酸型官能基を有する含
フッ素エチレン性単量体(e)は、好ましくは式(2): CF2=CFO−Rf−SO2Y (2) 〔式中、Y及びRfは式(1)と同じ〕で表される化合
物である。スルホン酸型官能基を含まないエチレン性単
量体(f)は、好ましくは含フッ素エチレン性単量体から
選ばれるものであり、特に好ましくはテトラフルオロエ
チレンである。セグメントB1は、好ましくはテトラフ
ルオロエチレン85〜100モル%と、式(3): CF2=CF−Rfa (3) 〔式中、RfaはCF3またはORfb(Rfbは炭素数1
〜5のパーフルオロアルキル基を示す。)〕で表される
モノマー15〜0モル%からなるポリマー鎖である。少
なくとも2種のスルホン酸型官能基を有する含フッ素ポ
リマー鎖セグメントC1及びD1を含有する含フッ素多元
セグメント化ポリマーにおいて、セグメントC1は、(g)
式(1) CX2=CX1−(O)n−Rf−SO2Y (1) 〔式中、X、X1、Y、n及びRfは前記に同じ。〕の
スルホン酸型官能基を有する少なくとも1種の含フッ素
エチレン性単量体の構造単位を13〜50モル%と、
(h) スルホン酸型官能基を含まない少なくとも1種のエ
チレン性単量体の構造単位を87〜50モル%含む分子
量5000〜750000の共重合体である。セグメン
トD1は、(i) 式(1) CX2=CX1−(O)n−Rf−SO2Y (1) 〔式中、X、X1、Y、n及びRfは前記に同じ。〕で
表されるスルホン酸型官能基を有する少なくとも1種の
含フッ素エチレン性単量体構造単位を0.1モル%以
上、13モル%未満と、(j) スルホン酸型官能基を含ま
ない少なくとも1種のエチレン性単量体構造単位を87
モル%を超えて99.9モル%まで含む分子量3000
〜1200000の含フッ素ポリマー鎖である含フッ素
多元セグメント化ポリマーである。スルホン酸型官能基
を有する含フッ素エチレン性単量体(g)は、好ましくは
式(2) CF2=CFO−Rf−SO2Y (2) 〔式中、Y及びRfは式(1)と同じ〕で表される化合
物である。スルホン酸型官能基を含まないエチレン性単
量体(h)は、好ましくは含フッ素エチレン性単量体を少
なくとも1種含有し、好ましくはテトラフルオロエチレ
ンである。スルホン酸型官能基を有する含フッ素エチレ
ン性単量体(i)は、好ましくは式(2) CF2=CFO−Rf−SO2Y (2) 〔式中、Y及びRfは式(1)と同じ〕で表される化合
物である。スルホン酸型官能基を含まないエチレン性単
量体(j)は、好ましくは含フッ素エチレン性単量体を少
なくとも1種を含有し、より好ましくはテトラフルオロ
エチレンである。本発明の含フッ素多元セグメント化ポ
リマーを用い、常法に従って、固体高分子電解質膜を製
造することができる。固体高分子電解質膜において、含
フッ素多元セグメント化ポリマーに含まれるスルホン酸
型官能基は、好ましくはプロトン化されたスルホン酸基
(SO3H)であり、110℃以上の温度で弾性率が1
×108dyn/cm2以上であるのが好ましく、150
℃以上の温度で弾性率が1×108dyn/cm2以上で
あるのがより好ましく、110℃以上の温度で弾性率が
3×108dyn/cm2以上であるのがさらに好まし
い。本発明の固体高分子電解質膜において、含フッ素多
元セグメント化ポリマー全体に対する当量数は、160
0以下、好ましくは1100以下、より好ましくは10
00以下、さらに好ましくは900以下、特に800以
下である。固体高分子電解質膜の厚みは、乾燥重量で3
0〜500μm程度であり、好ましくは40〜400μ
m、特に好ましくは50〜300μmである。本発明の
固体高分子電解質用材料あるいは固体高分子電解質膜を
用い、燃料電池を得ることができる。固体高分子電解質
用材料あるいは固体高分子電解質膜以外の燃料電池の構
成要素としては、特に限定されず、公知のものが広く使
用可能であり、たとえばガス拡散電極には、白金触媒微
粒子を担持させた導電性のカーボンブラック粉末をPT
FE、FEPなどの疎水性樹脂結着剤で保持させた多孔
質体のシートが挙げられる。
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例を用いてよ
り詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定され
ない。 合成例1(セグメントAまたはCに相当するスルホン酸
フルオライド基を有する含フッ素ポリマー鎖の合成) 攪拌機、温度計、圧力計を備えた500mlのステンレス
製のオートクレーブに純水225g、式(4) CF3CF2CF2OCF(CF3)COONH4 (4) で示される乳化剤25g、式(5) CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2SO2F (5) で示されるスルホン酸フルオライド基を有する単量体
(PFSFと略す)5.0gと、ジヨウ素化合物I−
(CF24−Iの0.1gを仕込み、系内を窒素ガスで
充分に置換したのち、攪拌しながら60℃に内温を保
ち、テトラフルオロエチレンのガスを内圧が1.5kgf
/cm2Gとなるように仕込んだ。次いで、過硫酸アンモニ
ウム(APS)の0.1%水溶液5.0mlを窒素圧で圧
入して反応を開始した。重合反応の進行に伴って圧力が
低下するので、1.0kgf/cm2Gまで低下した時点で、
テトラフルオロエチレンガスで1.5kgf/cm2Gまで再
加圧し、降圧、昇圧を繰り返した。テトラフルオロエチ
レンガスの供給を続けながら、重合開始からテトラフル
オロエチレンガスが1.5g消費されるごとに前記スル
ホン酸フルオライド基を有する単量体(PFSF)の
2.5gを計9回(計22.5g)圧入して重合を継続
し、テトラフルオロエチレンが15g消費された時点で
供給を止めてオートクレーブを冷却し、未反応モノマー
を放出し、固形分濃度13.6%の水性分散体293g
を得た。この水性分散体の1gを取り、凍結させ凝析を
行い解凍後、凝析物を水洗、真空乾燥して白色の重合体
を得た。この乾燥後の白色重合体は、パーフルオロベン
ゼン、HCFC−225などのフッ素系溶剤に完全に溶
解した。19F−NMR分析の結果、この重合体のモノマ
ー単位組成は、TFE/PFSF=74.5/25.5
モル%であった。DSC分析により、結晶融点は観測さ
れなかった。 実施例1(セグメントBのブロック共重合(B−A−B
型)) 合成例1で用いたのと同様の500mlオートクレーブ
に合成例1で得たスルホン酸フルオライド基を有する含
フッ素重合体の水性分散体(13.6%濃度のもの)1
20gと純水120gを仕込み、系内を窒素ガスで充分
に置換したのち、攪拌を行いながら60℃に内温を保っ
た。あらかじめボンベ中で混合調整したテトラフルオロ
エチレン/パーフルオロプロピルビニルエーテル(PP
VEと略す)(97/3モル%)のモノマー混合ガスを
内圧が7.5kgf/cm2Gになるように圧入した。次い
で、過硫酸アンモニウム(APS)の0.1%水溶液3
mlを窒素圧で圧入して反応を開始した。重合反応の進行
に伴って圧力が低下するので、7.0kgf/cm2Gまで低
下した時点で、上記のモノマー混合ガスで7.5kgf/
cm2Gまで再加圧し、降圧、昇圧を繰り返し、テトラフル
オロエチレン/PPVEモノマー混合ガスを供給した。
重合開始より、モノマー混合ガスが7.0g消費した時
点で供給を止め、オートクレーブを冷却し、未反応モノ
マーを放出し、固形分濃度9.5%の水性分散体245
gを得た。ポリマー得量の増加により計算された重合体
全体に対するセグメントBの比率、すなわち{(後重合
で得られたポリマー得量)−(仕込んだポリマー量)}
÷(後重合で得られたポリマー得量)×100=30%
であった。得られた水性分散体を凍結凝析し、析出した
ポリマーを水洗、乾燥して白色重合体を得た。得られた
重合体は、パーフルオロベンゼン、HCFC−225な
どのフッ素系溶剤に不溶性となった。19F−NMR分析
により、このセグメント化ポリマー全体のモノマー単位
組成は、TFE/PFSF/PPVE=85.1/1
3.9/1.0モル%であった。DSC分析によって、
後重合によって付加されたセグメントBに由来する結晶
融点が303℃に観測された。 実施例2(セグメントBのブロック共重合(B−A−B
型)) 実施例1と同様に500mlオートクレーブに合成例1
で得た水性分散体(13.6%濃度のもの)120gと
水120gを仕込み、系内を窒素ガスで充分に置換した
のち、攪拌を行いながら60℃に内温を保った。あらか
じめボンベ中で混合調整したテトラフルオロエチレン/
パーフルオロ(プロピルビニルエーテル)(97/3モ
ル%)のモノマー混合ガスを内圧が6.0kgf/cm2Gと
なるように圧入した。次いで、過硫酸アンモニウム(A
PS)の0.1%水溶液1.5mlを窒素圧で圧入して反
応を開始した。重合反応の進行に伴って圧力が低下する
ので、5.5kgf/cm2Gまで低下した時点で、上記のモ
ノマー混合ガスで6.0kgf/cm2Gまで再加圧し、降
圧、昇圧を繰り返し、テトラフルオロエチレン/PPV
Eモノマー混合ガスを供給した。重合開始より、モノマ
ー混合ガスが3.3g消費した時点で供給を止め、オー
トクレーブを冷却し、未反応モノマーを放出し、固形分
濃度7.9%の水性分散体249gを得た。ポリマー得
量の増加により計算された重合体全体に対するセグメン
トBの比率、すなわち{(後重合で得られたポリマー得
量)−(仕込んだポリマー量)}÷(後重合で得られた
ポリマー得量)×100=17%であった。得られた水
性分散体を凍結凝析し、析出したポリマーを水洗、乾燥
して白色重合体を得た。得られた重合体は、パーフルオ
ロベンゼン、HCFC−225などのフッ素系溶剤に不
溶性となった。19F−NMR分析により、このセグメン
ト化ポリマー全体のモノマー単位組成は、TFE/PF
SF/PPVE=81.8/17.7/0.5モル%で
あった。DSC分析によって、後重合によってセグメン
トBに由来する結晶融点が301℃に観測された。 実施例3(当量数、含水率及び動的粘弾性の測定) 実施例1で得たスルホン酸フルオライド基(−SO
2F)を有する含フッ素セグメント化ポリマーを用い
て、以下に示す通り加水分解しスルホン酸基(−SO 3
H基)に変換した後、当量数、含水率及び動的粘弾性を
測定した。結果を表1に示す。 (1) −SO2F基の加水分解 実施例1で得た白色固体を25%NaOH水溶液に完全
に浸し、90℃で8時間放置した。次いで固体を6N−
HCl水に室温で4時間浸漬させた後、110℃で6時
間乾燥させた。 (2) 当量数の測定 当量数は、塩基1当量(例えば水酸化ナトリウム1当
量)を完全に中和させるのに必要なポリマーの重量
(g)を表している。上記加水分解、乾燥後の含フッ素
セグメント化ポリマーの所定量を用い、過剰のNaOH
水溶液でポリマー中のSO3H基を完全に中和させた後
の過剰分のNaOHの量を0.1N−HCl水で滴定
し、中和に関与したNaOHの当量数を算出し(逆滴
定)、さらに当量数を算出した。さらに、実施例1のポ
リマーを用いて以下のようにフィルムを作成し、含水率
及び得られた含水フィルムの動的粘弾性を測定した。 (3) フィルムの作成 実施例1で得た−SO2F基を有する含フッ素セグメン
ト化ポリマーを100mmφの金型に入れ、350℃に
設定したプレス機にセットし、予熱20分間行ったの
ち、70kg/cm2で1分間圧縮成形を行い、厚さ0.2
mmのフィルムを得た。得られた−SO2F基を有する
フィルムを前述の(1)と同様の操作を行い加水分解、
乾燥を行った。 (4) 含水率の測定 (3)で得た乾燥フィルムを沸騰した純水中に浸し、3
0分間放置した。フィルム表面に付着した水滴を拭い、
重量(W1)を測定した後、110℃で16時間乾燥
し、重量(W2)を測定した。含水率を、ΔW=100
×(W1−W2)/W2(%)より算出した。 (5) 動的粘弾性の測定による引張弾性率の算出 (3)で得たフィルムを(4)と同様な方法で含水させ
た。含水操作後直ちに、約35×5mmの短冊状に切断
し、レオメトリック社製の粘弾性測定装置RSA−2に
セットし、周波数1Hzにて各温度で引張弾性率を測定
した。結果を表1及び図2に示した。 実施例4(当量数、含水率の測定) 実施例2で得たスルホン酸フルオライド基(−SO2
基)を有する含フッ素セグメント化ポリマーを用いた以
外は実施例3と同様にして加水分解当量数の測定、フィ
ルム作成、及び含水率の測定を行った。結果を表1に示
した。 比較例1 Nafion(登録商標)117メンブラン(デュポン社製)
(乾燥状態で7mil:約170μmのフィルム)を用
いて、実施例3と同様に当量数、含水率及び動的粘弾性
の測定を行った。結果を表1及び図2に示す。
【表1】 実施例5(セグメントDのブロック共重合;D−C−D
型) 実施例1と同様に500mlオートクレーブに合成例1
で得た水性分散体(13.6%濃度のもの)120gと
純水120gを仕込み、系内を窒素ガスで充分に置換し
たのち、攪拌を行いながら60℃に内温を保った。テト
ラフルオロエチレンガスを内圧1.5kgf/cm2Gとなる
ように圧入した。次いで、過硫酸アンモニウム(AP
S)の0.1%水溶液1.5mlを窒素圧で圧入して反応
を開始した。重合反応の進行に伴って圧力が低下するの
で、1.0kgf/cm2Gまで低下した時点で、上記のモノ
マー混合ガスで1.5kgf/cm2Gまで再加圧し、降圧、
昇圧を繰り返した。テトラフルオロエチレンガスの供給
を続けながら、重合開始よりテトラフルオロエチレンガ
スが1.2g消費されるごとに前記スルホン酸フルオラ
イド基を有する単量体(PFSF)の0.5gを計9回
(計4.5g)圧入して重合を継続し、テトラフルオロ
エチレンが12g消費された時点で供給を止めてオート
クレーブを冷却し、未反応モノマーを放出し、固形分濃
度13.0%の水性分散体257gを得た。ポリマー得
量の増加により計算された重合体全体に対するセグメン
トDの比率、すなわち{(後重合で得られたポリマー得
量)−(仕込んだポリマー量)}÷(後重合で得られた
ポリマー得量)×100=51.1%であった。得られ
た水性分散体を実施例1と同様に凍結凝析、水洗、乾燥
して白色固体を分離した。得られた白色固体は、パーフ
ルオロベンゼン、HCFC−225などのフッ素系溶剤
に不溶性となった。19F−NMR分析により、このセグ
メント化ポリマー全体のモノマー単位組成は、TFE/
PFSF=85/15モル%であった。上記ポリマー組
成と使用した合成例1のポリマー組成から算出されるセ
グメントDのモノマー単位組成は、TFE/PFSF=
92/8モル%であった。DSC分析によって、後重合
によってセグメントDに由来する結晶融点が285℃に
観測された。上記乾燥ポリマーを加水分解したものの当
量数は、1040であった。
【図面の簡単な説明】
【図1】セグメント化ポリマー鎖Aとセグメント化ポリ
マー鎖Bを合せ持つポリマーを示す概念図である。
【図2】実施例3及び比較例1のポリマーの温度と弾性
率の関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 義人 大阪府摂津市西一津屋1番1号 ダイキン 工業株式会社淀川製作所内 (72)発明者 中村 隆之 大阪府摂津市西一津屋1番1号 ダイキン 工業株式会社淀川製作所内 (72)発明者 清水 哲男 大阪府摂津市西一津屋1番1号 ダイキン 工業株式会社淀川製作所内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】スルホン酸型官能基を有する少なくとも2
    種の含フッ素ポリマー鎖セグメントC及びDを有する含
    フッ素多元セグメント化ポリマーを含み、含フッ素ポリ
    マー鎖セグメントCの当量数が、含フッ素ポリマー鎖セ
    グメントDの当量数よりも小さいことを特徴とする固体
    高分子電解質用材料。
  2. 【請求項2】前記含フッ素ポリマー鎖セグメントDの結
    晶融点またはガラス転移点が100℃以上である請求項
    1に記載の固体高分子電解質用材料。
  3. 【請求項3】スルホン酸型官能基を有する前記含フッ素
    ポリマー鎖セグメントC及びDが、(c)スルホン酸型官
    能基を有する含フッ素エチレン性単量体単位と(d) 該
    (c)成分と共重合可能であり、且つ、スルホン酸型の官
    能基を有さない含フッ素エチレン性単量体のうち少なく
    とも1種の単量体単位を含む共重合体である請求項1ま
    たは2に記載の固体高分子電解質用材料。
  4. 【請求項4】スルホン酸型官能基を有する前記含フッ素
    エチレン性単量体(c)が、式(1) CX2=CX1−(O)n−Rf−SO2Y (1) 〔式中、X及びX1は同じかまたは異なり、いずれも水
    素原子またはフッ素原子を示す。Yは、F、Clまたは
    OY1(Y1は水素原子、アルカリ金属、炭素数1〜5の
    アルキル基)を示す。Rfは炭素数1〜40の2価の含
    フッ素アルキレン基または炭素数1〜40のエーテル結
    合を有する2価の含フッ素アルキレン基を示す。nは0
    または1を示す。〕で表される請求項3に記載の固体高
    分子電解質用材料。
  5. 【請求項5】含フッ素ポリマー鎖セグメントDの当量数
    が、1000以上である含フッ素多元セグメント化ポリ
    マーである請求項1〜4のいずれかに記載の固体高分子
    電解質用材料。
  6. 【請求項6】含フッ素多元セグメント化ポリマー全体の
    当量数が、400〜1600である請求項1〜5のいず
    れかに記載の固体高分子電解質用材料。
  7. 【請求項7】請求項1〜6のいずれかに記載の含フッ素
    多元セグメント化ポリマーを含む固体高分子電解質膜。
  8. 【請求項8】含フッ素多元セグメント化ポリマーに含ま
    れるスルホン酸型官能基がプロトン化されたスルホン酸
    基(SO3H)であって、110℃以上の温度で弾性率
    が1×108dyn/cm2以上である請求項7に記載の
    固体高分子電解質膜。
  9. 【請求項9】含フッ素多元セグメント化ポリマー全体に
    対する当量数が、1600以下である請求項8に記載の
    固体高分子電解質膜。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002021619A1 (fr) * 2000-09-01 2002-03-14 Hitachi, Ltd. Pile a combustible electrolytique a polymere solide
WO2006080259A1 (ja) * 2005-01-27 2006-08-03 Kureha Corporation フッ化ビニリデン系コア/シェル型重合体およびその非水系電気化学素子における利用
KR100660573B1 (ko) 2005-01-14 2006-12-22 한국과학기술연구원 연료전지용 비대칭 고분자 전해질 복합막, 그 제조 방법,연료전지용 불균일 고분자 전해질 복합막 및 그 제조 방법

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4792640B2 (ja) * 2000-02-15 2011-10-12 旭硝子株式会社 ブロックポリマー、重合体の製造方法及びブロックポリマーを含む液状組成物
JP5028711B2 (ja) * 2000-02-15 2012-09-19 旭硝子株式会社 固体高分子型燃料電池
US6780935B2 (en) * 2000-02-15 2004-08-24 Atofina Chemicals, Inc. Fluoropolymer resins containing ionic or ionizable groups and products containing the same
DE60143635D1 (de) 2000-02-15 2011-01-27 Asahi Glass Co Ltd Blockpolymer, Verfahren zur Herstellung von Polymer und Festpolymerelektrolytbrennstoffzelle
WO2001060876A1 (fr) * 2000-02-16 2001-08-23 Daikin Industries, Ltd. Procede de production d'un fluoroionomere, procede de purification et de concentration dudit fluoroionomere, et procede de formation d'un film
JP4810717B2 (ja) * 2000-03-24 2011-11-09 ダイキン工業株式会社 スルホン酸型官能基を有するフッ素系ポリマーの製造方法
JP4759782B2 (ja) * 2000-02-16 2011-08-31 ダイキン工業株式会社 フッ素系アイオノマーの精製・濃縮方法
JP4779184B2 (ja) * 2000-02-16 2011-09-28 ダイキン工業株式会社 フッ素系アイオノマー共重合体の製造法
DE60135080D1 (de) 2000-12-26 2008-09-11 Asahi Glass Co Ltd Festpolymer-Elektrolyt Material, flüssige Zusammensetzung, Festpolymer Brennstoffzelle und Fluorpolymer
ITMI20010383A1 (it) * 2001-02-26 2002-08-26 Ausimont Spa Membrane idrofiliche porose
JPWO2002096983A1 (ja) 2001-05-31 2004-09-09 旭化成株式会社 フッ素系イオン交換膜
JP4604453B2 (ja) * 2002-06-17 2011-01-05 ダイキン工業株式会社 含フッ素ポリマー分散体及び含フッ素ポリマー分散体製造方法
AU2003268729A1 (en) 2002-10-03 2004-05-04 Daikin Industries, Ltd. Fluorine-containing polymer solid electrolyte having fluorine-containing ether chain
TW200416257A (en) 2002-10-15 2004-09-01 Sumitomo Chemical Co Block copolymer and application thereof
JP4374980B2 (ja) 2002-12-25 2009-12-02 ダイキン工業株式会社 含フッ素エーテル鎖を含む含フッ素ポリマーからなる固体電解質
CN100389518C (zh) 2003-01-20 2008-05-21 旭硝子株式会社 固体高分子型燃料电池用电解质材料的制造方法及固体高分子型燃料电池用膜电极接合体
US7285349B2 (en) * 2003-10-30 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Polymer electrolyte membrane and method of making
US7071271B2 (en) * 2003-10-30 2006-07-04 3M Innovative Properties Company Aqueous emulsion polymerization of functionalized fluoromonomers
US7179847B2 (en) 2003-11-13 2007-02-20 3M Innovative Properties Company Polymer electrolytes crosslinked by e-beam
US7074841B2 (en) 2003-11-13 2006-07-11 Yandrasits Michael A Polymer electrolyte membranes crosslinked by nitrile trimerization
US7259208B2 (en) 2003-11-13 2007-08-21 3M Innovative Properties Company Reinforced polymer electrolyte membrane
US7265162B2 (en) 2003-11-13 2007-09-04 3M Innovative Properties Company Bromine, chlorine or iodine functional polymer electrolytes crosslinked by e-beam
US7060756B2 (en) 2003-11-24 2006-06-13 3M Innovative Properties Company Polymer electrolyte with aromatic sulfone crosslinking
US7112614B2 (en) 2003-12-08 2006-09-26 3M Innovative Properties Company Crosslinked polymer
US7060738B2 (en) 2003-12-11 2006-06-13 3M Innovative Properties Company Polymer electrolytes crosslinked by ultraviolet radiation
US7173067B2 (en) 2003-12-17 2007-02-06 3M Innovative Properties Company Polymer electrolyte membranes crosslinked by direct fluorination
JP4506403B2 (ja) 2004-10-15 2010-07-21 ダイキン工業株式会社 イオン伝導体
JP5261937B2 (ja) * 2004-10-27 2013-08-14 旭硝子株式会社 電解質膜の製造方法
US7579116B2 (en) * 2005-04-01 2009-08-25 Gm Global Technology Operations, Inc. Fluoride ion scavenger for fuel cell components
TWI326691B (en) * 2005-07-22 2010-07-01 Kraton Polymers Res Bv Sulfonated block copolymers, method for making same, and various uses for such block copolymers
JP2008202025A (ja) * 2007-01-22 2008-09-04 Honda Motor Co Ltd プロトン伝導性高分子
JP4776683B2 (ja) 2007-01-23 2011-09-21 株式会社クラレ 高分子電解質膜及びその製法、並びに膜−電極接合体及び固体高分子型燃料電池
JP2008270177A (ja) * 2007-03-23 2008-11-06 Honda Motor Co Ltd プロトン伝導体
JP4734279B2 (ja) * 2007-04-18 2011-07-27 三井化学株式会社 高分子電解質膜、およびその製造方法
US8440365B2 (en) 2008-01-08 2013-05-14 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Electrolyte, production process therefor, electrolyte membrane, production process therefor, catalyst layer and fuel cell
JP5474762B2 (ja) * 2008-03-19 2014-04-16 旭化成イーマテリアルズ株式会社 高分子電解質及びその製造方法
US8436054B2 (en) * 2008-12-23 2013-05-07 E I Du Pont De Nemours And Company Fluorinated ionomer produced by aqueous polymerization using dispersed particulate of fluorinated ionomer produced in situ
EP2479212B1 (en) 2009-09-18 2023-06-07 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Electrolyte emulsion and process for producing same
US9023554B2 (en) 2009-12-11 2015-05-05 Shandong Huaxia Shenzhou New Material Co., Ltd. Perfluorinated ion exchange resin, preparation method and use thereof
JP5486693B2 (ja) 2009-12-15 2014-05-07 シャンドン・フアシャ・シェンゾウ・ニュー・マテリアル・カンパニー・リミテッド 高交換容量過フッ化イオン交換樹脂、その調製方法、及び使用
WO2011075877A1 (zh) * 2009-12-25 2011-06-30 山东东岳神舟新材料有限公司 一种全氟离子交换树脂及其制备方法和用途
JP5607435B2 (ja) * 2010-06-18 2014-10-15 旭化成イーマテリアルズ株式会社 電解質膜並びにその製造方法、電極触媒層並びにその製造方法、膜電極接合体、及び、固体高分子電解質型燃料電池
JP6763300B2 (ja) * 2014-07-04 2020-09-30 Agc株式会社 電解質材料、液状組成物、固体高分子形燃料電池用膜電極接合体および含フッ素分岐ポリマー
KR20160024137A (ko) 2014-08-25 2016-03-04 (주)엘켐텍 고분자 전해질 막, 수전해 장치, 연료 전지 및 이를 포함하는 연료 전지 시스템
WO2017170055A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 旭硝子株式会社 ペルフルオロブロックポリマー、液状組成物、固体高分子電解質膜、および固体高分子形燃料電池用膜電極接合体
EP3431532A1 (en) 2017-07-18 2019-01-23 Solvay Specialty Polymers Italy S.p.A. Membranes comprising fluorinated polymers and use thereof
EP3431170A1 (en) 2017-07-18 2019-01-23 Solvay Specialty Polymers Italy S.p.A. Membranes comprising fluorinated polymers and use thereof
WO2019055799A1 (en) * 2017-09-14 2019-03-21 3M Innovative Properties Company FLUORINATED COPOLYMER AND COMPOSITIONS AND ARTICLES USING THE SAME
US11767379B2 (en) * 2018-03-01 2023-09-26 Daikin Industries, Ltd. Method for manufacturing fluoropolymer
KR102284133B1 (ko) * 2019-11-26 2021-07-29 연세대학교 산학협력단 고분자 조성물 및 이를 포함하는 전극

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3282875A (en) * 1964-07-22 1966-11-01 Du Pont Fluorocarbon vinyl ether polymers
US3692569A (en) * 1970-02-12 1972-09-19 Du Pont Surface-activated fluorocarbon objects
US4330654A (en) * 1980-06-11 1982-05-18 The Dow Chemical Company Novel polymers having acid functionality
DE3271961D1 (en) * 1981-01-16 1986-08-21 Du Pont Sacrificial reinforcement in cation exchange membrane
US4477321A (en) 1981-01-16 1984-10-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Sacrificial reinforcements in cation exchange membrane
EP0539695B1 (en) * 1991-09-05 1997-07-23 Canon Kabushiki Kaisha TV conference system and terminal equipment for use in the same
US5399184A (en) 1992-05-01 1995-03-21 Chlorine Engineers Corp., Ltd. Method for fabricating gas diffusion electrode assembly for fuel cells
JP3492385B2 (ja) * 1992-07-01 2004-02-03 クロリンエンジニアズ株式会社 燃料電池用ガス拡散電極の製造方法
WO1993026057A1 (fr) * 1992-06-16 1993-12-23 Centre National De La Recherche Scientifique Materiau a conduction ionique, comportant comme solvant un copolymere bloc
JPH06260184A (ja) 1993-03-03 1994-09-16 Asahi Glass Co Ltd 固体高分子電解質型燃料電池
JPH06342665A (ja) * 1993-03-18 1994-12-13 Asahi Chem Ind Co Ltd プロトン交換膜型燃料電池用イオン交換膜
US5635039A (en) * 1993-07-13 1997-06-03 Lynntech, Inc. Membrane with internal passages to permit fluid flow and an electrochemical cell containing the same
US5422411A (en) * 1993-09-21 1995-06-06 Ballard Power Systems Inc. Trifluorostyrene and substituted trifluorostyrene copolymeric compositions and ion-exchange membranes formed therefrom
US5599638A (en) * 1993-10-12 1997-02-04 California Institute Of Technology Aqueous liquid feed organic fuel cell using solid polymer electrolyte membrane
US5547551A (en) * 1995-03-15 1996-08-20 W. L. Gore & Associates, Inc. Ultra-thin integral composite membrane
US6248469B1 (en) * 1997-08-29 2001-06-19 Foster-Miller, Inc. Composite solid polymer electrolyte membranes
JPH11111310A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Aisin Seiki Co Ltd 燃料電池用の固体高分子電解質膜およびその製造方法
JPH11204121A (ja) 1998-01-19 1999-07-30 Aisin Seiki Co Ltd 固体高分子電解質型燃料電池
US6495209B1 (en) * 1998-02-20 2002-12-17 Lynntech, Inc. Process of making a composite membrane

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002021619A1 (fr) * 2000-09-01 2002-03-14 Hitachi, Ltd. Pile a combustible electrolytique a polymere solide
KR100660573B1 (ko) 2005-01-14 2006-12-22 한국과학기술연구원 연료전지용 비대칭 고분자 전해질 복합막, 그 제조 방법,연료전지용 불균일 고분자 전해질 복합막 및 그 제조 방법
WO2006080259A1 (ja) * 2005-01-27 2006-08-03 Kureha Corporation フッ化ビニリデン系コア/シェル型重合体およびその非水系電気化学素子における利用
US7851084B2 (en) 2005-01-27 2010-12-14 Kureha Corporation Vinylidene fluoride based core-shell type polymer and use thereof in nonaqueous electrochemical device

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