JP2000188386A - 二次元画像検出器の製造方法 - Google Patents
二次元画像検出器の製造方法Info
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 対向基板とアクティブマトリクス基板とを異
方性導電性接着剤で貼り合わせた構造の二次元画像検出
器において、対向基板に形成する突起電極の表面高さを
均一にする製造方法を提供する。 【解決手段】 光導電性を有する半導体層１３がほぼ全
面に形成された対向基板２の貼り合わせ面のほぼ全面に
開口部１７を有するマスク１８を形成する。次に、この
マスク１８上に研削粒子１９を吹き付けて、半導体層１
３まで削り込むようにして溝２０を形成する。その後、
マスク１８を除去することで、表面高さが均一な突起電
極２１を得ることができる。
方性導電性接着剤で貼り合わせた構造の二次元画像検出
器において、対向基板に形成する突起電極の表面高さを
均一にする製造方法を提供する。 【解決手段】 光導電性を有する半導体層１３がほぼ全
面に形成された対向基板２の貼り合わせ面のほぼ全面に
開口部１７を有するマスク１８を形成する。次に、この
マスク１８上に研削粒子１９を吹き付けて、半導体層１
３まで削り込むようにして溝２０を形成する。その後、
マスク１８を除去することで、表面高さが均一な突起電
極２１を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線等の放射線、
可視光、赤外光等の画像を検出できる二次元画像検出器
と、その製造方法に関するものである。
可視光、赤外光等の画像を検出できる二次元画像検出器
と、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、放射線の二次元画像検出器と
して、Ｘ線を感知して電荷（電子−正孔）を発生する半
導体センサを二次元状に配置し、これらセンサにそれぞ
れ電気スイッチを設けて、各行毎に電気スイッチを順次
オンにして各列毎にセンサの電荷を読み出すものが知ら
れている。このような二次元画像検出器は、例えば、文
献「D.L.Lee,et al.,"A New Digital Detector for Pro
jection Radiography",SPIE,2432,pp.237-249,1995」、
「L.S.Jeromin,et al.,"Application of a-Si Active-M
atrix Technology in a X-Ray Detector Panel",SID 97
DIGEST,pp.91-94,1997」、および特開平６−３４２０
９８号公報等に具体的な構造や原理が記載されている。
して、Ｘ線を感知して電荷（電子−正孔）を発生する半
導体センサを二次元状に配置し、これらセンサにそれぞ
れ電気スイッチを設けて、各行毎に電気スイッチを順次
オンにして各列毎にセンサの電荷を読み出すものが知ら
れている。このような二次元画像検出器は、例えば、文
献「D.L.Lee,et al.,"A New Digital Detector for Pro
jection Radiography",SPIE,2432,pp.237-249,1995」、
「L.S.Jeromin,et al.,"Application of a-Si Active-M
atrix Technology in a X-Ray Detector Panel",SID 97
DIGEST,pp.91-94,1997」、および特開平６−３４２０
９８号公報等に具体的な構造や原理が記載されている。
【０００３】以下、上記従来の放射線二次元画像検出器
の構成と原理について説明する。
の構成と原理について説明する。
【０００４】図１０は、上記放射線二次元画像検出器の
構造を模式的に示した図である。また図１１は、１画素
当たりの構成断面を模式的に示した図である。
構造を模式的に示した図である。また図１１は、１画素
当たりの構成断面を模式的に示した図である。
【０００５】上記放射線二次元画像検出器は、図１０お
よび図１１に示すように、ガラス基板５１上にＸＹマト
リクス状の電極配線（ゲート電極５２とソース電極５
３）、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）５４、電荷蓄積容量
（Ｃｓ）５５等が形成されたアクティブマトリクス基板
を備えている。また、上記アクティブマトリクス基板上
には、そのほぼ全面に光導電膜５６、誘電体層５７およ
び上部電極５８が形成されている。
よび図１１に示すように、ガラス基板５１上にＸＹマト
リクス状の電極配線（ゲート電極５２とソース電極５
３）、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）５４、電荷蓄積容量
（Ｃｓ）５５等が形成されたアクティブマトリクス基板
を備えている。また、上記アクティブマトリクス基板上
には、そのほぼ全面に光導電膜５６、誘電体層５７およ
び上部電極５８が形成されている。
【０００６】上記電荷蓄積容量５５は、Ｃｓ電極５９
と、上記ＴＦＴ５４のドレイン電極に接続された画素電
極６０とが、絶縁膜６１を介して対向している構成であ
る。
と、上記ＴＦＴ５４のドレイン電極に接続された画素電
極６０とが、絶縁膜６１を介して対向している構成であ
る。
【０００７】上記光導電膜５６は、Ｘ線等の放射線が照
射されることで電荷（電子−正孔）が発生する半導体材
料が用いられるが、上記文献によれば、暗抵抗が高く、
Ｘ線照射に対して良好な光導電特性を示すアモルファス
セレニウム（ａ−Ｓｅ）が用いられている。上記光導電
膜は、真空蒸着法によって３００〜６００μｍの厚みで
形成されている。
射されることで電荷（電子−正孔）が発生する半導体材
料が用いられるが、上記文献によれば、暗抵抗が高く、
Ｘ線照射に対して良好な光導電特性を示すアモルファス
セレニウム（ａ−Ｓｅ）が用いられている。上記光導電
膜は、真空蒸着法によって３００〜６００μｍの厚みで
形成されている。
【０００８】また、上記アクティブマトリクス基板は、
液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマ
トリクス基板を流用することが可能である。例えば、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣＤ）に用
いられるアクティブマトリクス基板は、アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によっ
て形成されたＴＦＴや、ＸＹマトリクス電極、電荷蓄積
容量を備えた構造になっている。したがって、若干の設
計変更を行うだけで、放射線二次元検出器用のアクティ
ブマトリクス基板として利用することが容易である。
液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマ
トリクス基板を流用することが可能である。例えば、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣＤ）に用
いられるアクティブマトリクス基板は、アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によっ
て形成されたＴＦＴや、ＸＹマトリクス電極、電荷蓄積
容量を備えた構造になっている。したがって、若干の設
計変更を行うだけで、放射線二次元検出器用のアクティ
ブマトリクス基板として利用することが容易である。
【０００９】次に、上記構造の放射線二次元画像検出器
の動作原理について説明する。
の動作原理について説明する。
【００１０】上記光導電膜５６に放射線が照射される
と、光導電膜５６内に電荷（電子−正孔）が発生する。
図１０および図１１に示すように、光導電膜５６と電荷
蓄積容量５５は電気的に直列に接続された構造になって
いるので、上部電極５８とＣｓ電極５９との間に電圧を
印加しておくと、光導電膜５６で発生した電荷（電子−
正孔）がそれぞれ＋電極側と−電極側に移動し、その結
果、電荷蓄積容量５５に電荷が蓄積される。なお、光導
電膜５６と電荷蓄積容量５５の間には、薄い絶縁層から
なる電子阻止層６２が形成されており、これが一方側か
らの電荷の注入を阻止する阻止型フォトダイオードの役
割を果たしている。
と、光導電膜５６内に電荷（電子−正孔）が発生する。
図１０および図１１に示すように、光導電膜５６と電荷
蓄積容量５５は電気的に直列に接続された構造になって
いるので、上部電極５８とＣｓ電極５９との間に電圧を
印加しておくと、光導電膜５６で発生した電荷（電子−
正孔）がそれぞれ＋電極側と−電極側に移動し、その結
果、電荷蓄積容量５５に電荷が蓄積される。なお、光導
電膜５６と電荷蓄積容量５５の間には、薄い絶縁層から
なる電子阻止層６２が形成されており、これが一方側か
らの電荷の注入を阻止する阻止型フォトダイオードの役
割を果たしている。
【００１１】上記の作用で、電荷蓄積容量５５に蓄積さ
れた電荷は、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｎの
入力信号によってＴＦＴ５４をオープン状態にすること
でソース電極Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎより外部に取
り出すことが可能である。ゲート電極５２とソース電極
５３、ＴＦＴ５４および電荷蓄積容量５５等は、すべて
ＸＹマトリクス状に設けられているため、ゲート電極Ｇ
１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｎに入力する信号を線順次に走
査することで、二次元的にＸ線の画像情報を得ることが
可能となる。
れた電荷は、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｎの
入力信号によってＴＦＴ５４をオープン状態にすること
でソース電極Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎより外部に取
り出すことが可能である。ゲート電極５２とソース電極
５３、ＴＦＴ５４および電荷蓄積容量５５等は、すべて
ＸＹマトリクス状に設けられているため、ゲート電極Ｇ
１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｎに入力する信号を線順次に走
査することで、二次元的にＸ線の画像情報を得ることが
可能となる。
【００１２】なお、上記二次元画像検出器は、使用する
光導電膜５６がＸ線等の放射線に対する光導電性だけで
なく、可視光や赤外光に対しても光導電性を示す場合
は、可視光や赤外光の二次元画像検出器としても作用す
る。
光導電膜５６がＸ線等の放射線に対する光導電性だけで
なく、可視光や赤外光に対しても光導電性を示す場合
は、可視光や赤外光の二次元画像検出器としても作用す
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
構成では、光導電膜５６としてａ−Ｓｅを用いている。
しかし、該ａ−ＳｅのＸ線に対する感度（Ｓ／Ｎ比）が
十分でないため、長時間Ｘ線を照射して電荷蓄積容量５
５を十分に充電してからでないと情報を読み出すことが
できない。
構成では、光導電膜５６としてａ−Ｓｅを用いている。
しかし、該ａ−ＳｅのＸ線に対する感度（Ｓ／Ｎ比）が
十分でないため、長時間Ｘ線を照射して電荷蓄積容量５
５を十分に充電してからでないと情報を読み出すことが
できない。
【００１４】また、リーク電流（暗電流）の低減や高電
圧保護の目的で光導電膜５６と上部電極５８の間に誘電
体層５７が設けられているが、この誘電体層５７に残留
する電荷を１フレーム毎に除去するシーケンスを付加す
る必要があるため、上記放射線二次元検出器は、静止画
の撮影にしか利用することができないといった問題を生
じていた。
圧保護の目的で光導電膜５６と上部電極５８の間に誘電
体層５７が設けられているが、この誘電体層５７に残留
する電荷を１フレーム毎に除去するシーケンスを付加す
る必要があるため、上記放射線二次元検出器は、静止画
の撮影にしか利用することができないといった問題を生
じていた。
【００１５】これに対し、動画に対応した画像データを
得るためには、ａ−Ｓｅの代わりに、Ｘ線に対する感度
（Ｓ／Ｎ比）の優れた光導電膜５６を利用する必要があ
る。光導電膜５６の感度が向上すれば、短時間のＸ線照
射でも電荷蓄積容量５５を十分に充電できるようにな
り、また、光導電膜５６に高電圧を印加する必要がなく
なるため、誘電体層５７も不要となる。
得るためには、ａ−Ｓｅの代わりに、Ｘ線に対する感度
（Ｓ／Ｎ比）の優れた光導電膜５６を利用する必要があ
る。光導電膜５６の感度が向上すれば、短時間のＸ線照
射でも電荷蓄積容量５５を十分に充電できるようにな
り、また、光導電膜５６に高電圧を印加する必要がなく
なるため、誘電体層５７も不要となる。
【００１６】このような、Ｘ線に対する感度が優れた光
導電材料としては、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ等が知られ
ている。一般に、Ｘ線の光電吸収は吸収物質の実効原子
番号の５乗に比例するため、例えば、Ｓｅの原子番号が
３４、ＣｄＴｅの実効原子番号を５０とすると、約６．
９倍の感度の向上が期待できる。ところが、上記放射線
二次元検出器の光導電膜５６として、ａ−Ｓｅの代わり
にＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを利用しようとすると、以下
のような問題が生じる。
導電材料としては、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ等が知られ
ている。一般に、Ｘ線の光電吸収は吸収物質の実効原子
番号の５乗に比例するため、例えば、Ｓｅの原子番号が
３４、ＣｄＴｅの実効原子番号を５０とすると、約６．
９倍の感度の向上が期待できる。ところが、上記放射線
二次元検出器の光導電膜５６として、ａ−Ｓｅの代わり
にＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを利用しようとすると、以下
のような問題が生じる。
【００１７】従来のａ−Ｓｅの場合、成膜方法として真
空蒸着法を用いることができ、この時の成膜温度は常温
で可能なため、上述のアクティブマトリクス基板上への
成膜が容易であった。一方、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ
は、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法やＭＯＣＶＤ
（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法によ
る成膜法が知られており、特に大面積基板への成膜を考
慮するとＭＯＣＶＤが適した方法と考えられる。
空蒸着法を用いることができ、この時の成膜温度は常温
で可能なため、上述のアクティブマトリクス基板上への
成膜が容易であった。一方、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ
は、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法やＭＯＣＶＤ
（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法によ
る成膜法が知られており、特に大面積基板への成膜を考
慮するとＭＯＣＶＤが適した方法と考えられる。
【００１８】しかしながら、ＭＯＣＶＤ法でＣｄＴｅや
ＣｄＺｎＴｅを成膜する場合、原料である有機カドミウ
ム（ＤＭＣｄ）の熱分解温度が約３００℃、有機テルル
（ＤＥＴｅやＤｉＰＴｅ）の熱分解温度が各々約４００
℃、約３５０℃であるため、成膜には約４００℃の高温
が要求される。
ＣｄＺｎＴｅを成膜する場合、原料である有機カドミウ
ム（ＤＭＣｄ）の熱分解温度が約３００℃、有機テルル
（ＤＥＴｅやＤｉＰＴｅ）の熱分解温度が各々約４００
℃、約３５０℃であるため、成膜には約４００℃の高温
が要求される。
【００１９】一般に、アクティブマトリクス基板に形成
されている前述のＴＦＴ５４は、半導体層としてａ−Ｓ
ｉ膜やｐ−Ｓｉ膜を用いているが、半導体特性を向上さ
せるために３００〜３５０℃程度の成膜温度で水素（Ｈ
２）を付加しながら成膜されている。このようにして形
成されるＴＦＴ素子の耐熱温度は約３００℃であり、Ｔ
ＦＴ素子をこれ以上の高温に曝すとａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓ
ｉ膜から水素が抜け出し半導体特性が劣化する。
されている前述のＴＦＴ５４は、半導体層としてａ−Ｓ
ｉ膜やｐ−Ｓｉ膜を用いているが、半導体特性を向上さ
せるために３００〜３５０℃程度の成膜温度で水素（Ｈ
２）を付加しながら成膜されている。このようにして形
成されるＴＦＴ素子の耐熱温度は約３００℃であり、Ｔ
ＦＴ素子をこれ以上の高温に曝すとａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓ
ｉ膜から水素が抜け出し半導体特性が劣化する。
【００２０】したがって、上述のアクティブマトリクス
基板上にＭＯＣＶＤ法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ
を成膜することは、成膜温度の観点から事実上困難であ
った。
基板上にＭＯＣＶＤ法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ
を成膜することは、成膜温度の観点から事実上困難であ
った。
【００２１】そこで、アクティブマトリクス基板と、光
導電層(半導体層)を予め別々の基板に形成し、その後、
両基板を貼り合せることにより、これらの問題を解決す
る方法が考えられる。この際、隣り合う画素同士のクロ
ストークを防ぐために、以下の二つの貼り合わせの方法
が考えられる。第一の方法としては、貼り合せた両基板
間のみ導通し、基板面方向には絶縁性を示す異方導電性
材料を用いて両者を貼り合せることが考えられる。ま
た、第二の方法としては、画素毎に独立して設けられた
導電性材料を用いて両基板を貼り合わせることが考えら
れる。
導電層(半導体層)を予め別々の基板に形成し、その後、
両基板を貼り合せることにより、これらの問題を解決す
る方法が考えられる。この際、隣り合う画素同士のクロ
ストークを防ぐために、以下の二つの貼り合わせの方法
が考えられる。第一の方法としては、貼り合せた両基板
間のみ導通し、基板面方向には絶縁性を示す異方導電性
材料を用いて両者を貼り合せることが考えられる。ま
た、第二の方法としては、画素毎に独立して設けられた
導電性材料を用いて両基板を貼り合わせることが考えら
れる。
【００２２】これらの方法によって、従来、半導体の成
膜温度とアクティブマトリクス基板の耐熱性の関係で、
アクティブマトリクス基板上に直接成膜できなかったＣ
ｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ等の半導体材料を、上記二次元画
像検出器に使用することが可能になる。
膜温度とアクティブマトリクス基板の耐熱性の関係で、
アクティブマトリクス基板上に直接成膜できなかったＣ
ｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ等の半導体材料を、上記二次元画
像検出器に使用することが可能になる。
【００２３】しかしながら、これらの方法には、以下の
ような問題点が発生する。
ような問題点が発生する。
【００２４】まず、第一の方法で発生する問題点につい
て説明する。
て説明する。
【００２５】第一の方法で用いる異方導電材料として
は、絶縁性の接着剤（バインダー樹脂）に導電粒子を分
散させた、いわゆる異方導電性接着剤が適当である。異
方導電性接着剤に用いる導電粒子としては、Ｎｉ（ニッ
ケル）などの金属粒子にＡｕ（金）メッキを施した金属
粒子、カーボン粒子、プラスチック粒子にＡｕ／Ｎｉメ
ッキを施した金属膜被覆プラスチック粒子、ＩＴＯなど
の透明導電粒子およびＮｉ粒子をポリウレタンに混合さ
せた導電粒子複合プラスチック等を使用することができ
る。また、接着剤としては、熱硬化型、光硬化型および
熱可塑型のものを使用することができる。
は、絶縁性の接着剤（バインダー樹脂）に導電粒子を分
散させた、いわゆる異方導電性接着剤が適当である。異
方導電性接着剤に用いる導電粒子としては、Ｎｉ（ニッ
ケル）などの金属粒子にＡｕ（金）メッキを施した金属
粒子、カーボン粒子、プラスチック粒子にＡｕ／Ｎｉメ
ッキを施した金属膜被覆プラスチック粒子、ＩＴＯなど
の透明導電粒子およびＮｉ粒子をポリウレタンに混合さ
せた導電粒子複合プラスチック等を使用することができ
る。また、接着剤としては、熱硬化型、光硬化型および
熱可塑型のものを使用することができる。
【００２６】図１２（ａ）ないし（ｃ）は、通常用いら
れる異方導電性接着剤の異方導電原理を示す模式図であ
る。まず、図１２（ａ）に示すように、貼り合せられる
両基板の一方（ここでは、アクティブマトリクス基板６
３）に異方導電性接着剤６４を塗布し、図１２（ｂ）に
示すように、これに他方の基板（ここでは、対向基板６
５）を貼り合わせて加圧および加熱して両基板を接着す
る。この時、上記両基板に一方または両方に、突起形状
を有する電極（突起電極６６）を形成しておき、図１２
（ｃ）に示すように、突起電極６６の領域に存在する導
電粒子６７のみ上下の電極に接触するようにする。これ
により、上下の基板における電極の導通を得ることがで
きる。また、突起電極６６の存在しない領域（すなわち
凹部に相当する領域）は、両基板を貼り合わせる際にま
き込んだ気泡や、基板間のギャップを導電粒子６７の径
以下に狭めた際に発生する余分な異方導電性接着剤６４
の逃げ場として作用する。
れる異方導電性接着剤の異方導電原理を示す模式図であ
る。まず、図１２（ａ）に示すように、貼り合せられる
両基板の一方（ここでは、アクティブマトリクス基板６
３）に異方導電性接着剤６４を塗布し、図１２（ｂ）に
示すように、これに他方の基板（ここでは、対向基板６
５）を貼り合わせて加圧および加熱して両基板を接着す
る。この時、上記両基板に一方または両方に、突起形状
を有する電極（突起電極６６）を形成しておき、図１２
（ｃ）に示すように、突起電極６６の領域に存在する導
電粒子６７のみ上下の電極に接触するようにする。これ
により、上下の基板における電極の導通を得ることがで
きる。また、突起電極６６の存在しない領域（すなわち
凹部に相当する領域）は、両基板を貼り合わせる際にま
き込んだ気泡や、基板間のギャップを導電粒子６７の径
以下に狭めた際に発生する余分な異方導電性接着剤６４
の逃げ場として作用する。
【００２７】すなわち、異方導電性接着剤６４を用いて
歩留まり良く両基板を接続しようとした場合、少なくと
も一方の基板に突起電極６６を形成しておくことが望ま
しい。
歩留まり良く両基板を接続しようとした場合、少なくと
も一方の基板に突起電極６６を形成しておくことが望ま
しい。
【００２８】ところで、上記二次元画像検出器の場合、
貼り合わされる両基板（すなわち、アクティブマトリク
ス基板６３、および光導電膜（半導体層）５６を具備し
た対向基板６５）のどちらか一方に突起電極６６を形成
しようとした場合、光導電膜（半導体層）５６を具備し
た対向基板６５側に突起電極６６を形成する方が現実的
である。なぜなら、アクティブマトリクス基板６３は、
前述したように、それ自身が微細加工プロセスの繰り返
しによって形成されたものであり、その基板上に更に突
起電極形成プロセスを付加することは、歩留まりの観点
でリスクが大きくなるためである。
貼り合わされる両基板（すなわち、アクティブマトリク
ス基板６３、および光導電膜（半導体層）５６を具備し
た対向基板６５）のどちらか一方に突起電極６６を形成
しようとした場合、光導電膜（半導体層）５６を具備し
た対向基板６５側に突起電極６６を形成する方が現実的
である。なぜなら、アクティブマトリクス基板６３は、
前述したように、それ自身が微細加工プロセスの繰り返
しによって形成されたものであり、その基板上に更に突
起電極形成プロセスを付加することは、歩留まりの観点
でリスクが大きくなるためである。
【００２９】そこで、光導電膜（半導体層）５６を具備
した対向基板６５側に突起電極を形成しようとした場
合、その形成方法としては、メッキ法を用いて光導電膜
（半導体層）表面の所定の場所に高さ５〜２０μｍを有
するＮｉ等の金属突起を形成する方法が考えられる。
した対向基板６５側に突起電極を形成しようとした場
合、その形成方法としては、メッキ法を用いて光導電膜
（半導体層）表面の所定の場所に高さ５〜２０μｍを有
するＮｉ等の金属突起を形成する方法が考えられる。
【００３０】ところが、メッキ法の場合、メッキ液の濃
度分布や温度分布の均一性を制御しなければ、析出され
る金属の厚みにバラツキが生じてしまうといった問題が
生じる。例えば、本出願人等の実験によると、無電解メ
ッキでＮｉを析出させる場合、約５％／１℃の割合で析
出厚みがばらつくことが確認されている。
度分布や温度分布の均一性を制御しなければ、析出され
る金属の厚みにバラツキが生じてしまうといった問題が
生じる。例えば、本出願人等の実験によると、無電解メ
ッキでＮｉを析出させる場合、約５％／１℃の割合で析
出厚みがばらつくことが確認されている。
【００３１】上記二次元画像検出器の場合、用途にもよ
るが、例えば４０ｃｍ×５０ｃｍ程度の大面積が必要で
あり、このような大面積基板に対してメッキ法を適用し
ようとした場合、面内でのメッキ液の濃度分布や温度分
布の均一性を厳密に制御することは困難である。この結
果、メッキ法によって対向基板側に突起電極を形成した
場合、面内でメッキ厚み（すなわち突起電極の高さ）に
バラツキが生じ、アクティブマトリクス基板と対向基板
を異方導電性接着剤で貼り合せると、突起電極の高さバ
ラツキに応じて上下の導通が得られる領域と得られない
領域が生じてしまうといった問題が発生する。
るが、例えば４０ｃｍ×５０ｃｍ程度の大面積が必要で
あり、このような大面積基板に対してメッキ法を適用し
ようとした場合、面内でのメッキ液の濃度分布や温度分
布の均一性を厳密に制御することは困難である。この結
果、メッキ法によって対向基板側に突起電極を形成した
場合、面内でメッキ厚み（すなわち突起電極の高さ）に
バラツキが生じ、アクティブマトリクス基板と対向基板
を異方導電性接着剤で貼り合せると、突起電極の高さバ
ラツキに応じて上下の導通が得られる領域と得られない
領域が生じてしまうといった問題が発生する。
【００３２】次に、第一の方法および第二の方法に共通
する問題点について説明する。
する問題点について説明する。
【００３３】アクティブマトリクス基板と、光導電層
(半導体層)を予め別々の基板に形成し、その後、両基板
を貼り合せる際、両基板の接続材料として、第一の方法
の異方導電性材料を用いる場合、および第二の方法の画
素毎に独立して設けられた導電性材料を用いる場合の両
方とも、光導電層（半導体層）の表面に、接続電極およ
び電荷阻止層を設ける場合がある。これらの場合には、
隣接画素とのクロストークを防ぐ為に、画素単位に分離
独立していることが必要である。したがって、アクティ
ブマトリクス基板の画素配列と同じように、接続電極お
よび電荷阻止層も画素単位にパターニングする必要がで
てきて、プロセスの増加およびコストの上昇を招くこと
になる。
(半導体層)を予め別々の基板に形成し、その後、両基板
を貼り合せる際、両基板の接続材料として、第一の方法
の異方導電性材料を用いる場合、および第二の方法の画
素毎に独立して設けられた導電性材料を用いる場合の両
方とも、光導電層（半導体層）の表面に、接続電極およ
び電荷阻止層を設ける場合がある。これらの場合には、
隣接画素とのクロストークを防ぐ為に、画素単位に分離
独立していることが必要である。したがって、アクティ
ブマトリクス基板の画素配列と同じように、接続電極お
よび電荷阻止層も画素単位にパターニングする必要がで
てきて、プロセスの増加およびコストの上昇を招くこと
になる。
【００３４】そこで、本発明は、上記問題点を解決する
ためになされたもので、その第一の目的は、同一基板上
に形成された複数の突起電極の表面高さが均一な突起電
極を具備した二次元画像検出器の製造方法を提供するも
のであり、また、第二の目的は、二次元画像検出器を構
成する半導体層の接続面に、画素を形成する二次元画像
検出器の製造方法を提供するものである。
ためになされたもので、その第一の目的は、同一基板上
に形成された複数の突起電極の表面高さが均一な突起電
極を具備した二次元画像検出器の製造方法を提供するも
のであり、また、第二の目的は、二次元画像検出器を構
成する半導体層の接続面に、画素を形成する二次元画像
検出器の製造方法を提供するものである。
【００３５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
二次元画像検出器の製造方法は、格子状に配列された電
極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング
素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接
続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配
列層とを含むアクティブマトリクス基板と、前記画素配
列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画
素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有す
る半導体層とを含む対向基板と、前記アクティブマトリ
クス基板の画素配列層と前記対向基板の半導体層とが対
向して両基板が配置されるように、前記両基板を導電性
材料で電気的に接続された二次元画像検出器の製造方法
であって、前記対向基板の接続面にサンドブラスト法に
よって複数の突起電極を形成することを特徴としてい
る。
二次元画像検出器の製造方法は、格子状に配列された電
極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング
素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接
続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配
列層とを含むアクティブマトリクス基板と、前記画素配
列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画
素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有す
る半導体層とを含む対向基板と、前記アクティブマトリ
クス基板の画素配列層と前記対向基板の半導体層とが対
向して両基板が配置されるように、前記両基板を導電性
材料で電気的に接続された二次元画像検出器の製造方法
であって、前記対向基板の接続面にサンドブラスト法に
よって複数の突起電極を形成することを特徴としてい
る。
【００３６】サンドブラスト法は、加工前の基板表面の
平坦性を保ったまま、所定のパターンの溝を形成するこ
とができるため、従来のメッキ法で得られる突起電極に
比べて、表面高さが均一な複数の突起電極を同一基板上
に容易に形成することが可能である。このような表面高
さが均一な複数の突起電極を有する対向基板を、アクテ
ィブマトリクス基板と異方導電性接着剤で接続すること
により、大面積かつ高密度の接続箇所を有する場合で
も、接続不良が発生し難い二次元画像検出器を得ること
が可能になる。
平坦性を保ったまま、所定のパターンの溝を形成するこ
とができるため、従来のメッキ法で得られる突起電極に
比べて、表面高さが均一な複数の突起電極を同一基板上
に容易に形成することが可能である。このような表面高
さが均一な複数の突起電極を有する対向基板を、アクテ
ィブマトリクス基板と異方導電性接着剤で接続すること
により、大面積かつ高密度の接続箇所を有する場合で
も、接続不良が発生し難い二次元画像検出器を得ること
が可能になる。
【００３７】なお、同様の原理で表面高さが均一な複数
の突起電極を形成する方法としては、エッチング法によ
り基板表面に溝を形成する方法もある。しかし、エッチ
ング法は、基板表面にキャリア阻止層や接続電極が存在
する場合、その膜毎にエッチング液やエッチングガスを
変える必要があるためプロセスが複雑になる。これに対
して、サンドブラスト法で溝を形成する場合は、セラミ
ック粒子を基板面に衝突させることで物理的に溝を掘っ
ていくため、例え基板表面にキャリア阻止層や接続電極
が存在したとしても、１工程でそれらの膜を貫通して溝
を形成することが容易であり、プロセス的にもコスト的
にも有利である。
の突起電極を形成する方法としては、エッチング法によ
り基板表面に溝を形成する方法もある。しかし、エッチ
ング法は、基板表面にキャリア阻止層や接続電極が存在
する場合、その膜毎にエッチング液やエッチングガスを
変える必要があるためプロセスが複雑になる。これに対
して、サンドブラスト法で溝を形成する場合は、セラミ
ック粒子を基板面に衝突させることで物理的に溝を掘っ
ていくため、例え基板表面にキャリア阻止層や接続電極
が存在したとしても、１工程でそれらの膜を貫通して溝
を形成することが容易であり、プロセス的にもコスト的
にも有利である。
【００３８】本発明の請求項２記載の二次元画像検出器
の製造方法は、格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極
を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層とを含むアク
ティブマトリクス基板と、前記画素配列層のほぼ全面に
対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電
極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを含
む対向基板と、前記アクティブマトリクス基板の画素配
列層と前記対向基板の半導体層とが対向して両基板が配
置されるように、前記両基板を導電性材料で電気的に接
続された二次元画像検出器の製造方法であって、前記対
向基板の接続面にサンドブラスト法によって複数の画素
を形成することを特徴としている。
の製造方法は、格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極
を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層とを含むアク
ティブマトリクス基板と、前記画素配列層のほぼ全面に
対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電
極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを含
む対向基板と、前記アクティブマトリクス基板の画素配
列層と前記対向基板の半導体層とが対向して両基板が配
置されるように、前記両基板を導電性材料で電気的に接
続された二次元画像検出器の製造方法であって、前記対
向基板の接続面にサンドブラスト法によって複数の画素
を形成することを特徴としている。
【００３９】サンドブラスト法で画素を形成する場合
は、セラミック粒子を基板面に衝突させる装置が有れば
良く、エッチング装置を必要としない。その上、基板表
面にキャリア阻止層および接続電極が存在したとして
も、１工程でそれらの膜を貫通して溝を形成することが
容易であり、プロセス的にもコスト的にも有利である。
は、セラミック粒子を基板面に衝突させる装置が有れば
良く、エッチング装置を必要としない。その上、基板表
面にキャリア阻止層および接続電極が存在したとして
も、１工程でそれらの膜を貫通して溝を形成することが
容易であり、プロセス的にもコスト的にも有利である。
【００４０】本発明の請求項３記載の二次元画像検出器
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記導電性材料が、一方向にの
み導電性を有する異方導電性材料であることを特徴とし
ている。
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記導電性材料が、一方向にの
み導電性を有する異方導電性材料であることを特徴とし
ている。
【００４１】したがって、サンドブラストによって突起
電極が形成された基板に対して、異方導電性材料を用い
れば、突起電極の存在しない領域（すなわち凹部に相当
する領域）に接着剤の逃げ場が確保され、アクティブマ
トリクス基板と対向基板の間での接続不良が発生せず、
接続部で隣接画素間のクロストークが発生しない二次元
画像検出器を製造することができる。
電極が形成された基板に対して、異方導電性材料を用い
れば、突起電極の存在しない領域（すなわち凹部に相当
する領域）に接着剤の逃げ場が確保され、アクティブマ
トリクス基板と対向基板の間での接続不良が発生せず、
接続部で隣接画素間のクロストークが発生しない二次元
画像検出器を製造することができる。
【００４２】本発明の請求項４記載の二次元画像検出器
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記導電性材料が、画素単位に
パターニングされていることを特徴としている。
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記導電性材料が、画素単位に
パターニングされていることを特徴としている。
【００４３】したがって、導電性材料の導電性に異方性
が無くても、接続部で隣接画素間のクロストークが発生
しない。
が無くても、接続部で隣接画素間のクロストークが発生
しない。
【００４４】本発明の請求項５記載の二次元画像検出器
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記対向基板の半導体層表面の
略全面に接続電極を形成する工程と、前記接続電極上に
所定の開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
前記マスクによって被覆された前記接続電極と前記半導
体層表面をサンドブラスト加工し、前記マスクの開口パ
ターンに位置する前記接続電極を除去すると共に前記半
導体層に溝を形成する工程と、前記マスクを剥離する工
程とを含む工程によって前記対向基板の接続面に複数の
突起電極または画素を形成することを特徴としている。
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記対向基板の半導体層表面の
略全面に接続電極を形成する工程と、前記接続電極上に
所定の開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
前記マスクによって被覆された前記接続電極と前記半導
体層表面をサンドブラスト加工し、前記マスクの開口パ
ターンに位置する前記接続電極を除去すると共に前記半
導体層に溝を形成する工程と、前記マスクを剥離する工
程とを含む工程によって前記対向基板の接続面に複数の
突起電極または画素を形成することを特徴としている。
【００４５】したがって、同一基板上に高さが均一な複
数の突起電極を容易に形成することが可能であるといっ
た効果の他に、半導体層表面に形成されている接続電極
のパターニングと、突起形状（格子状の溝）の形成を同
一工程で行うことが可能であるといった効果もあり、プ
ロセス的およびコスト的に有効である。また、同様に、
画素形成についてもプロセス的およびコスト的に有効で
ある。
数の突起電極を容易に形成することが可能であるといっ
た効果の他に、半導体層表面に形成されている接続電極
のパターニングと、突起形状（格子状の溝）の形成を同
一工程で行うことが可能であるといった効果もあり、プ
ロセス的およびコスト的に有効である。また、同様に、
画素形成についてもプロセス的およびコスト的に有効で
ある。
【００４６】本発明の請求項６記載の二次元画像検出器
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記対向基板の半導体層表面の
略全面にキャリア阻止層を形成する工程と、前記キャリ
ア阻止層上に所定の開口パターンを有するマスクを形成
する工程と、前記マスクによって被覆された前記キャリ
ア阻止層と前記半導体層表面をサンドブラスト加工し、
前記マスクの開口パターンに位置する前記キャリア阻止
層を除去すると共に前記半導体層に溝を形成する工程
と、前記マスクを剥離する工程とを含む工程によって前
記対向基板の接続面に複数の突起電極または画素を形成
することを特徴としている。
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記対向基板の半導体層表面の
略全面にキャリア阻止層を形成する工程と、前記キャリ
ア阻止層上に所定の開口パターンを有するマスクを形成
する工程と、前記マスクによって被覆された前記キャリ
ア阻止層と前記半導体層表面をサンドブラスト加工し、
前記マスクの開口パターンに位置する前記キャリア阻止
層を除去すると共に前記半導体層に溝を形成する工程
と、前記マスクを剥離する工程とを含む工程によって前
記対向基板の接続面に複数の突起電極または画素を形成
することを特徴としている。
【００４７】したがって、同一基板上に高さが均一な複
数の突起電極を容易に形成することが可能であるといっ
た効果の他に、半導体表面に形成されているキャリア阻
止層のパターニングと、突起形状（格子状の溝）の形成
を同一工程で行うことが可能であるといった効果もあ
り、プロセス的およびコスト的に有効である。また、同
様に、画素形成についてもプロセス的およびコスト的に
有効である。
数の突起電極を容易に形成することが可能であるといっ
た効果の他に、半導体表面に形成されているキャリア阻
止層のパターニングと、突起形状（格子状の溝）の形成
を同一工程で行うことが可能であるといった効果もあ
り、プロセス的およびコスト的に有効である。また、同
様に、画素形成についてもプロセス的およびコスト的に
有効である。
【００４８】本発明の請求項７記載の二次元画像検出器
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記対向基板の半導体層表面の
略全面にキャリア阻止層と接続電極を形成する工程と、
前記接続電極上に所定の開口パターンを有するマスクを
形成する工程と、前記マスクによって被覆された前記接
続電極と前記半導体層表面をサンドブラスト加工し、前
記マスクの開口パターンに位置する前記接続電極と前記
キャリア阻止層とを除去すると共に前記半導体層に溝を
形成する工程と、前記マスクを剥離する工程とを含む工
程によって前記対向基板の接続面に複数の突起電極また
は画素を形成することを特徴としている。
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記対向基板の半導体層表面の
略全面にキャリア阻止層と接続電極を形成する工程と、
前記接続電極上に所定の開口パターンを有するマスクを
形成する工程と、前記マスクによって被覆された前記接
続電極と前記半導体層表面をサンドブラスト加工し、前
記マスクの開口パターンに位置する前記接続電極と前記
キャリア阻止層とを除去すると共に前記半導体層に溝を
形成する工程と、前記マスクを剥離する工程とを含む工
程によって前記対向基板の接続面に複数の突起電極また
は画素を形成することを特徴としている。
【００４９】したがって、同一基板上に高さが均一な突
起電極を容易に形成することが可能であるといった効果
の他に、半導体表面に形成されているキャリア阻止層と
接続電極のパターニングと、突起形状（格子状の溝）の
形成を同一工程で行うことが可能であるといった効果も
あり、プロセス的およびコスト的に有効である。また、
同様に、画素形成についてもプロセス的およびコスト的
に有効である。
起電極を容易に形成することが可能であるといった効果
の他に、半導体表面に形成されているキャリア阻止層と
接続電極のパターニングと、突起形状（格子状の溝）の
形成を同一工程で行うことが可能であるといった効果も
あり、プロセス的およびコスト的に有効である。また、
同様に、画素形成についてもプロセス的およびコスト的
に有効である。
【００５０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。
に説明する。
【００５１】（実施の形態１）図１は、本発明の二次元
画像検出器の構成断面図である。アクティブマトリクス
基板１と対向基板２が異方導電性材料である異方導電性
接着剤３で貼り付けることによって構成されている。な
お、ここでの異方導電性材料とは、導電特性に異方性を
有する材料の総称である。また、本実施の形態の場合、
全体の面積は４０ｃｍ×５０ｃｍとし、１５０μｍピッ
チで画素がマトリクス状に配列された構成の二次元画像
検出器とした。
画像検出器の構成断面図である。アクティブマトリクス
基板１と対向基板２が異方導電性材料である異方導電性
接着剤３で貼り付けることによって構成されている。な
お、ここでの異方導電性材料とは、導電特性に異方性を
有する材料の総称である。また、本実施の形態の場合、
全体の面積は４０ｃｍ×５０ｃｍとし、１５０μｍピッ
チで画素がマトリクス状に配列された構成の二次元画像
検出器とした。
【００５２】図２は、上記アクティブマトリクス基板１
の１画素当りの構成断面図の模式図である。アクティブ
マトリクス基板１は、液晶表示装置を製造する過程で形
成されるアクティブマトリクス基板と同じプロセスで形
成することが可能である。具体的に説明すれば、ガラス
基板４上にＸＹマトリクス状の電極配線（ゲート電極５
とソース電極６）、スイッチング素子としての薄膜トラ
ンジスタ（図示せず）（ＴＦＴ）、電荷蓄積容量（Ｃ
ｓ）等が形成されている。ガラス基板４には、無アルカ
リガラス基板（例えばコーニング社製＃７０５９や＃１
７３７）を用い、その上にＡｌ（アルミニウム）、Ｔａ
（タンタル）等の金属膜からなるゲート電極５を形成す
る。ゲート電極５はスパッタ蒸着で約３０００Å成膜し
た後、所望の形状にパターニングする。この際、同時に
蓄積容量電極７（Ｃｓ電極）も形成しておく。
の１画素当りの構成断面図の模式図である。アクティブ
マトリクス基板１は、液晶表示装置を製造する過程で形
成されるアクティブマトリクス基板と同じプロセスで形
成することが可能である。具体的に説明すれば、ガラス
基板４上にＸＹマトリクス状の電極配線（ゲート電極５
とソース電極６）、スイッチング素子としての薄膜トラ
ンジスタ（図示せず）（ＴＦＴ）、電荷蓄積容量（Ｃ
ｓ）等が形成されている。ガラス基板４には、無アルカ
リガラス基板（例えばコーニング社製＃７０５９や＃１
７３７）を用い、その上にＡｌ（アルミニウム）、Ｔａ
（タンタル）等の金属膜からなるゲート電極５を形成す
る。ゲート電極５はスパッタ蒸着で約３０００Å成膜し
た後、所望の形状にパターニングする。この際、同時に
蓄積容量電極７（Ｃｓ電極）も形成しておく。
【００５３】次に、ＳｉＮｘやＳｉＯｘからなる絶縁膜
８をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で約３５
００Å成膜して形成する。該絶縁膜８は、ゲート絶縁膜
あるいは、電荷蓄積容量（Ｃｓ）として作用する。なお
絶縁膜８として、ＳｉＮｘやＳｉＯｘだけでなく、ゲー
ト電極５とＣｓ電極７を陽極酸化した陽極酸化膜を併用
する場合もある。
８をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で約３５
００Å成膜して形成する。該絶縁膜８は、ゲート絶縁膜
あるいは、電荷蓄積容量（Ｃｓ）として作用する。なお
絶縁膜８として、ＳｉＮｘやＳｉＯｘだけでなく、ゲー
ト電極５とＣｓ電極７を陽極酸化した陽極酸化膜を併用
する場合もある。
【００５４】次に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャ
ネル部となるａ−Ｓｉ膜（ｉ層）９と、ソース・ドレイ
ン電極とのコンタクトを図るａ−Ｓｉ膜（ｎ＋層）を、
ＣＶＤ法で各々約１０００Å、約４００Å成膜した後、
所望の形状にパターニングする。
ネル部となるａ−Ｓｉ膜（ｉ層）９と、ソース・ドレイ
ン電極とのコンタクトを図るａ−Ｓｉ膜（ｎ＋層）を、
ＣＶＤ法で各々約１０００Å、約４００Å成膜した後、
所望の形状にパターニングする。
【００５５】次に、ＴａやＡｌ等の金属膜からなるソー
ス電極６とドレイン電極（画素電極１０にも兼用）を形
成する。なお、画素電極１０とドレイン電極を別々に形
成しても良く、画素電極１０にＩＴＯ（Indium Thin Ox
ide）などの透明電極を使用することも可能である。ソ
ース電極６と画素電極１０は、スパッタ蒸着で約３００
０Å成膜した後、所望の形状にパターニングする。
ス電極６とドレイン電極（画素電極１０にも兼用）を形
成する。なお、画素電極１０とドレイン電極を別々に形
成しても良く、画素電極１０にＩＴＯ（Indium Thin Ox
ide）などの透明電極を使用することも可能である。ソ
ース電極６と画素電極１０は、スパッタ蒸着で約３００
０Å成膜した後、所望の形状にパターニングする。
【００５６】更にその後、画素電極１０の開口部以外の
領域を絶縁保護する目的で絶縁保護膜１１を形成する。
絶縁保護膜１１は、ＳｉＮｘやＳｉＯｘの絶縁膜をＣＶ
Ｄ法で約６０００Å成膜した後、所望の形状にパターニ
ングする。絶縁保護膜１１には、無機の絶縁膜の他に、
アクリルやポリイミド等の有機膜を使用することも可能
である。このようにして、アクティブマトリクス基板１
が形成される。
領域を絶縁保護する目的で絶縁保護膜１１を形成する。
絶縁保護膜１１は、ＳｉＮｘやＳｉＯｘの絶縁膜をＣＶ
Ｄ法で約６０００Å成膜した後、所望の形状にパターニ
ングする。絶縁保護膜１１には、無機の絶縁膜の他に、
アクリルやポリイミド等の有機膜を使用することも可能
である。このようにして、アクティブマトリクス基板１
が形成される。
【００５７】なお、ここでは、ＴＦＴ素子として、ａ−
Ｓｉを用いた逆スタガ構造のＴＦＴを用いたが、これに
限定されるものではなく、ｐ−Ｓｉを用いても良いし、
スタガ構造にしても良い。
Ｓｉを用いた逆スタガ構造のＴＦＴを用いたが、これに
限定されるものではなく、ｐ−Ｓｉを用いても良いし、
スタガ構造にしても良い。
【００５８】また、図３は、上記対向基板２の構成断面
図である。該対向基板２は、支持基板１２と、該支持基
板１２上に成膜されている半導体層１３によって主に構
成されている。また、図４は、上記対向基板２の製造方
法を示す図である。具体的には、支持基板１２として
は、Ｘ線に対して透過性を有する基板を用いる必要があ
り、ガラス、セラミック、シリコン基板等を用いること
ができる。なお、ここでは、Ｘ線と可視光の両者に対し
て透過性の優れた、厚みが０．７〜１．１ｍｍのガラス
基板を用いている。このような基板であれば、４０〜１
００ｋｅＶのＸ線をほとんど透過する。
図である。該対向基板２は、支持基板１２と、該支持基
板１２上に成膜されている半導体層１３によって主に構
成されている。また、図４は、上記対向基板２の製造方
法を示す図である。具体的には、支持基板１２として
は、Ｘ線に対して透過性を有する基板を用いる必要があ
り、ガラス、セラミック、シリコン基板等を用いること
ができる。なお、ここでは、Ｘ線と可視光の両者に対し
て透過性の優れた、厚みが０．７〜１．１ｍｍのガラス
基板を用いている。このような基板であれば、４０〜１
００ｋｅＶのＸ線をほとんど透過する。
【００５９】まず、図４（ａ）では、上記支持基板１２
の一方面のほぼ全面に、Ａｕ（金）、ＩＴＯ等の導電膜
によって上部電極１４を形成する。但し、可視光に対す
る画像検出器に用いる場合は、可視光に対して透明なＩ
ＴＯ電極を用いる必要がある。次に、この上部電極１４
上にＭＯＣＶＤ法を用いて、半導体層１３としてＣｄＴ
ｅやＣｄＺｎＴｅの多結晶膜を約０．５ｍｍの厚みで形
成する。ＭＯＣＶＤ法は大面積基板への成膜に適してお
り、原料である有機カドミウム（ジメチルカドミウム
［ＤＭＣｄ］）、有機テルル（ジエチルテルル［ＤＥＴ
ｅ］やジイソプロピルテルル［ＤｉＰＴｅ］）、有機亜
鉛（ジエチル亜鉛［ＤＥＺｎ］やジイソプロピル亜鉛
［ＤｉＰＺｎ］やジメチル亜鉛［ＤＭＺｎ］）を用いて
４００〜５００℃の成膜温度で成膜が可能である。尚、
ＭＯＣＶＤ法の他には、近接昇華法、ペースト焼成法等
を用いて、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅの多結晶膜を形成す
ることが可能である。更にその上に、同様の成膜方法で
ＣｄＳを約１μｍ成膜する。ＣｄＳは、上記ＣｄＴｅや
ＣｄＺｎＴｅとヘテロ接合を形成し、一方のキャリアの
進入を阻止するキャリア阻止層１５として作用する。言
い換えれば阻止型フォトダイオードとして作用する。な
お、キャリア阻止層１５としては、上述のヘテロ接合型
に限らず、ＰＩＮ接合型、ＭＩＳ接合型、ショットキー
接合型を用いることができ、これらの場合は上記ＣｄＳ
の代わりに、ｐ型やｎ型にドーピングされた半導体層や
薄い誘電体層など、それぞれの接合方式に応じた適当な
材料でキャリア阻止層１５を形成すると良い。また更に
その上に、Ｃｒ（クロム）やＡｕ、ＩＴＯ等の導電膜か
らなる接続電極１６をスパッタ蒸着で約２０００Å成膜
する。
の一方面のほぼ全面に、Ａｕ（金）、ＩＴＯ等の導電膜
によって上部電極１４を形成する。但し、可視光に対す
る画像検出器に用いる場合は、可視光に対して透明なＩ
ＴＯ電極を用いる必要がある。次に、この上部電極１４
上にＭＯＣＶＤ法を用いて、半導体層１３としてＣｄＴ
ｅやＣｄＺｎＴｅの多結晶膜を約０．５ｍｍの厚みで形
成する。ＭＯＣＶＤ法は大面積基板への成膜に適してお
り、原料である有機カドミウム（ジメチルカドミウム
［ＤＭＣｄ］）、有機テルル（ジエチルテルル［ＤＥＴ
ｅ］やジイソプロピルテルル［ＤｉＰＴｅ］）、有機亜
鉛（ジエチル亜鉛［ＤＥＺｎ］やジイソプロピル亜鉛
［ＤｉＰＺｎ］やジメチル亜鉛［ＤＭＺｎ］）を用いて
４００〜５００℃の成膜温度で成膜が可能である。尚、
ＭＯＣＶＤ法の他には、近接昇華法、ペースト焼成法等
を用いて、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅの多結晶膜を形成す
ることが可能である。更にその上に、同様の成膜方法で
ＣｄＳを約１μｍ成膜する。ＣｄＳは、上記ＣｄＴｅや
ＣｄＺｎＴｅとヘテロ接合を形成し、一方のキャリアの
進入を阻止するキャリア阻止層１５として作用する。言
い換えれば阻止型フォトダイオードとして作用する。な
お、キャリア阻止層１５としては、上述のヘテロ接合型
に限らず、ＰＩＮ接合型、ＭＩＳ接合型、ショットキー
接合型を用いることができ、これらの場合は上記ＣｄＳ
の代わりに、ｐ型やｎ型にドーピングされた半導体層や
薄い誘電体層など、それぞれの接合方式に応じた適当な
材料でキャリア阻止層１５を形成すると良い。また更に
その上に、Ｃｒ（クロム）やＡｕ、ＩＴＯ等の導電膜か
らなる接続電極１６をスパッタ蒸着で約２０００Å成膜
する。
【００６０】次に、図４（ｂ）では、上記対向基板２の
表面（後にアクティブマトリクス基板１と接続する面）
に、開口部１７を有するマスク１８を形成する。マスク
材料には適度な弾力性を有するフォトレジストを用い、
フォトリソグラフィ技術によってパターニングを行う。
この時、後にアクティブマトリクス基板１を対向基板２
と接続する際、アクティブマトリクス基板１上の画素電
極１０に対向する場所のレジストを残し、他の格子状の
領域を開口させるようにする。また、格子のピッチは画
素ピッチに合わせて１５０μｍに設定する。
表面（後にアクティブマトリクス基板１と接続する面）
に、開口部１７を有するマスク１８を形成する。マスク
材料には適度な弾力性を有するフォトレジストを用い、
フォトリソグラフィ技術によってパターニングを行う。
この時、後にアクティブマトリクス基板１を対向基板２
と接続する際、アクティブマトリクス基板１上の画素電
極１０に対向する場所のレジストを残し、他の格子状の
領域を開口させるようにする。また、格子のピッチは画
素ピッチに合わせて１５０μｍに設定する。
【００６１】次に、図４（ｃ）では、開口部１７を有す
るマスク１８が形成された上記の対向基板２に研削粒子
１９を吹き付ける、いわゆるサンドブラスト加工を施
す。研削粒子１９には、５〜２０μｍの径を有するセラ
ミック粒子を用いる。この結果、マスク１８が存在する
部分は弾力性を有するレジストによって基板表面が保護
され、開口部１７の基板表面のみ削られるので、基板表
面にレジスト開口パターンに応じた格子状の溝２０が形
成される。この時、サンドブラスト加工によって、対向
基板２上に形成されている接続電極１６やキャリア阻止
層１５を貫通し、半導体層１３まで削り込むように溝２
０を形成しておくことが重要である。溝２０の深さは、
後に説明する異方導電性接着剤の塗布厚みや導電粒子径
によって決定されるものであるが、通常５〜２０μｍが
相応しい。また、溝２０の幅は２０〜５０μｍに設定す
ると良い。
るマスク１８が形成された上記の対向基板２に研削粒子
１９を吹き付ける、いわゆるサンドブラスト加工を施
す。研削粒子１９には、５〜２０μｍの径を有するセラ
ミック粒子を用いる。この結果、マスク１８が存在する
部分は弾力性を有するレジストによって基板表面が保護
され、開口部１７の基板表面のみ削られるので、基板表
面にレジスト開口パターンに応じた格子状の溝２０が形
成される。この時、サンドブラスト加工によって、対向
基板２上に形成されている接続電極１６やキャリア阻止
層１５を貫通し、半導体層１３まで削り込むように溝２
０を形成しておくことが重要である。溝２０の深さは、
後に説明する異方導電性接着剤の塗布厚みや導電粒子径
によって決定されるものであるが、通常５〜２０μｍが
相応しい。また、溝２０の幅は２０〜５０μｍに設定す
ると良い。
【００６２】最後に、図４（ｄ）で、上記マスク１８
を、有機溶剤やアルカリ剥離液を用いて除去すること
で、表面に格子状の溝２０が形成された対向基板２が完
成する。そして、マスク１８によって研削されずに残っ
た部分が突起形状を有する電極（突起電極２１）とな
る。
を、有機溶剤やアルカリ剥離液を用いて除去すること
で、表面に格子状の溝２０が形成された対向基板２が完
成する。そして、マスク１８によって研削されずに残っ
た部分が突起形状を有する電極（突起電極２１）とな
る。
【００６３】なお、表１は、深さ２０μｍの格子状の溝
を得るためのサンドブラスト加工条件の一例である。ま
た、図５は、表１に示した加工条件で形成した格子状突
起部分を上面から見た拡大写真である。
を得るためのサンドブラスト加工条件の一例である。ま
た、図５は、表１に示した加工条件で形成した格子状突
起部分を上面から見た拡大写真である。
【００６４】
【表１】 上記の工程によって形成された両基板（アクティブマト
リクス基板１と対向基板２）を、図１に示すように、画
素電極１０と接続電極１６が各々対向するように向かい
合わせ、その間隙に異方導電性接着剤３を充填し圧着す
ることで本発明の二次元画像検出器が構成される。圧着
の方法としては、油圧プレス、ローラープレス、オート
クレーブプレス等が適用できるが、大面積で均一なプレ
スを実現するためには、高圧ガスを用いたオートクレー
ブプレスが有効である。
リクス基板１と対向基板２）を、図１に示すように、画
素電極１０と接続電極１６が各々対向するように向かい
合わせ、その間隙に異方導電性接着剤３を充填し圧着す
ることで本発明の二次元画像検出器が構成される。圧着
の方法としては、油圧プレス、ローラープレス、オート
クレーブプレス等が適用できるが、大面積で均一なプレ
スを実現するためには、高圧ガスを用いたオートクレー
ブプレスが有効である。
【００６５】ここで、異方導電性接着剤３としては、絶
縁性の接着剤（バインダー樹脂）２２に導電粒子２３を
分散させたものを用いる。使用できる導電粒子２３とし
ては、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｇ（銀）などの金属粒子、
Ｎｉなどの金属粒子にＡｕメッキを施した金属粒子、カ
ーボン粒子、プラスチック粒子にＡｕ／Ｎｉメッキを施
した金属膜被覆プラスチック粒子、ＩＴＯなどの透明導
電粒子、Ｎｉ粒子をポリウレタンに混合させた導電粒子
複合プラスチック等がある。また使用できる絶縁性の接
着剤２２としては、熱硬化型、熱可塑型、光硬化型のも
のがあり、用途に応じて使い分けると良い。本実施の形
態においては、導電粒子２３に直径１０μｍの金属膜被
覆プラスチック粒子を用い、絶縁性の接着剤２２に１０
１４Ωｃｍ以上の比抵抗を有するエポキシ系の熱硬化型
接着剤を用いた。
縁性の接着剤（バインダー樹脂）２２に導電粒子２３を
分散させたものを用いる。使用できる導電粒子２３とし
ては、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｇ（銀）などの金属粒子、
Ｎｉなどの金属粒子にＡｕメッキを施した金属粒子、カ
ーボン粒子、プラスチック粒子にＡｕ／Ｎｉメッキを施
した金属膜被覆プラスチック粒子、ＩＴＯなどの透明導
電粒子、Ｎｉ粒子をポリウレタンに混合させた導電粒子
複合プラスチック等がある。また使用できる絶縁性の接
着剤２２としては、熱硬化型、熱可塑型、光硬化型のも
のがあり、用途に応じて使い分けると良い。本実施の形
態においては、導電粒子２３に直径１０μｍの金属膜被
覆プラスチック粒子を用い、絶縁性の接着剤２２に１０
１４Ωｃｍ以上の比抵抗を有するエポキシ系の熱硬化型
接着剤を用いた。
【００６６】また、異方導電性接着剤３は、その形状に
よってペーストタイプとフィルムタイプがある。ペース
トタイプの接着剤は、大面積基板に対してスクリーン印
刷法等で簡便に接着剤を塗布することが可能である。ま
た、フィルムタイプの接着剤は、フィルム自身の厚みの
均一性に優れているため、大面積基板を貼り合わせる際
にも均一に接着剤の厚みを容易に実現できる。どちらの
タイプを用いてもかまわない。
よってペーストタイプとフィルムタイプがある。ペース
トタイプの接着剤は、大面積基板に対してスクリーン印
刷法等で簡便に接着剤を塗布することが可能である。ま
た、フィルムタイプの接着剤は、フィルム自身の厚みの
均一性に優れているため、大面積基板を貼り合わせる際
にも均一に接着剤の厚みを容易に実現できる。どちらの
タイプを用いてもかまわない。
【００６７】よって、アクティブマトリクス基板１と対
向基板２との貼り合わせ時において、対向基板２上に突
起電極２１が形成できているため、突起電極２１の領域
に存在する導電粒子２３のみ画素電極１０と接続電極１
６に接触し、そこで画素電極１０と接続電極１６の導通
を得ることができる。また、突起電極２１の存在しない
領域（すなわち凹部に相当する領域）は、両基板を貼り
合せる際にまき込んだ気泡や、基板間のギャップを導電
粒子径以下に狭めた際に発生する余分な接着剤の逃げ場
として作用する。
向基板２との貼り合わせ時において、対向基板２上に突
起電極２１が形成できているため、突起電極２１の領域
に存在する導電粒子２３のみ画素電極１０と接続電極１
６に接触し、そこで画素電極１０と接続電極１６の導通
を得ることができる。また、突起電極２１の存在しない
領域（すなわち凹部に相当する領域）は、両基板を貼り
合せる際にまき込んだ気泡や、基板間のギャップを導電
粒子径以下に狭めた際に発生する余分な接着剤の逃げ場
として作用する。
【００６８】更に本発明の場合、上述の如く、突起電極
２１がサンドブラスト法によって形成されているため、
加工前の基板表面の平坦性を保ったまま、所定のパター
ンの溝２０を形成している。したがって、従来のメッキ
法で得られる突起電極に比べて、表面高さが均一な複数
の突起電極２１を同一基板上に容易に形成することが可
能である。このような表面高さが均一な複数の突起電極
２１を有する対向基板２を、アクティブマトリクス基板
１と異方導電性接着剤３で接続すると、突起電極２１と
画素電極１０のギャップを面内の全ての領域で均一に揃
えることが可能になり、この結果、大面積かつ高密度の
接続箇所を有する場合でも、接続不良が発生し難い二次
元画像検出器を得ることが可能になる。
２１がサンドブラスト法によって形成されているため、
加工前の基板表面の平坦性を保ったまま、所定のパター
ンの溝２０を形成している。したがって、従来のメッキ
法で得られる突起電極に比べて、表面高さが均一な複数
の突起電極２１を同一基板上に容易に形成することが可
能である。このような表面高さが均一な複数の突起電極
２１を有する対向基板２を、アクティブマトリクス基板
１と異方導電性接着剤３で接続すると、突起電極２１と
画素電極１０のギャップを面内の全ての領域で均一に揃
えることが可能になり、この結果、大面積かつ高密度の
接続箇所を有する場合でも、接続不良が発生し難い二次
元画像検出器を得ることが可能になる。
【００６９】なお、同様の原理で表面高さが均一な複数
の突起電極２１を形成する方法としては、エッチング法
により基板表面に溝２０を形成する方法もある。しか
し、エッチング法は、基板表面にキャリア阻止層１５や
接続電極１６が存在する場合、その膜毎にエッチング液
やエッチングガスを変える必要があるためプロセスが複
雑になる。これに対して、サンドブラスト法で溝２０を
形成する場合は、研削粒子１９を基板面に衝突させるこ
とで物理的に溝２０を掘っていくため、例え基板表面に
キャリア阻止層１５や接続電極１６が存在したとして
も、１工程でそれらの膜を貫通して溝２０を形成するこ
とが容易であり、プロセス的にもコスト的にも有利であ
る。
の突起電極２１を形成する方法としては、エッチング法
により基板表面に溝２０を形成する方法もある。しか
し、エッチング法は、基板表面にキャリア阻止層１５や
接続電極１６が存在する場合、その膜毎にエッチング液
やエッチングガスを変える必要があるためプロセスが複
雑になる。これに対して、サンドブラスト法で溝２０を
形成する場合は、研削粒子１９を基板面に衝突させるこ
とで物理的に溝２０を掘っていくため、例え基板表面に
キャリア阻止層１５や接続電極１６が存在したとして
も、１工程でそれらの膜を貫通して溝２０を形成するこ
とが容易であり、プロセス的にもコスト的にも有利であ
る。
【００７０】また、このように対向基板２上に形成され
たキャリア阻止層１５や接続電極１６が、サンドブラス
ト加工によって画素毎に分離独立されるため、隣接画素
同士のキャリアのクロストークを防ぐことも可能とな
る。
たキャリア阻止層１５や接続電極１６が、サンドブラス
ト加工によって画素毎に分離独立されるため、隣接画素
同士のキャリアのクロストークを防ぐことも可能とな
る。
【００７１】（実施の形態２）図６は、他の構造を有す
る対向基板２の構成断面図である。本実施の形態１では
半導体層１３を形成した後、キャリア阻止層１５と接続
電極１６を形成した構造の対向基板２を用いたが、本実
施の形態２では半導体材料として充分暗抵抗が高くＳ／
Ｎ比の優れた材料を用いる場合を示し、図６のように図
３に示すキャリア阻止層１５を省くことも可能である。
その他の構成は、本実施の形態１の図３と同様である。
この場合も図４に示した方法と同様のプロセスで対向基
板２を形成することができる。
る対向基板２の構成断面図である。本実施の形態１では
半導体層１３を形成した後、キャリア阻止層１５と接続
電極１６を形成した構造の対向基板２を用いたが、本実
施の形態２では半導体材料として充分暗抵抗が高くＳ／
Ｎ比の優れた材料を用いる場合を示し、図６のように図
３に示すキャリア阻止層１５を省くことも可能である。
その他の構成は、本実施の形態１の図３と同様である。
この場合も図４に示した方法と同様のプロセスで対向基
板２を形成することができる。
【００７２】（実施の形態３）図７は、他の構造を有す
る対向基板２の構成断面図である。本実施の形態１では
半導体層１３を形成した後、キャリア阻止層１５と接続
電極１６を形成した構造の対向基板２を用いたが、本実
施の形態３ではキャリア阻止層１５として、Ｐ型やＮ型
にドープされた低抵抗半導体材料を用いる場合を示し、
図７のように図３に示す接続電極１６を省くことも可能
である。その他の構成は、本実施の形態１の図３と同様
である。この場合も図４に示した方法と同様のプロセス
で対向基板２を形成することができる。
る対向基板２の構成断面図である。本実施の形態１では
半導体層１３を形成した後、キャリア阻止層１５と接続
電極１６を形成した構造の対向基板２を用いたが、本実
施の形態３ではキャリア阻止層１５として、Ｐ型やＮ型
にドープされた低抵抗半導体材料を用いる場合を示し、
図７のように図３に示す接続電極１６を省くことも可能
である。その他の構成は、本実施の形態１の図３と同様
である。この場合も図４に示した方法と同様のプロセス
で対向基板２を形成することができる。
【００７３】（実施の形態４）図８は、他の構造を有す
る対向基板２の構成断面図である。本実施の形態１で
は、ガラス基板等の支持基板１２上に半導体層１３を形
成した構造の対向基板２を用いたが、図８に示すように
Ｘ線に対して光導電性を有する半導体基板２４を直接支
持基板として用いることも可能である。
る対向基板２の構成断面図である。本実施の形態１で
は、ガラス基板等の支持基板１２上に半導体層１３を形
成した構造の対向基板２を用いたが、図８に示すように
Ｘ線に対して光導電性を有する半導体基板２４を直接支
持基板として用いることも可能である。
【００７４】例えば、半導体基板２４として、ＣｄＴｅ
もしくはＣｄＺｎＴｅといった化合物半導体を用いる。
該半導体基板２４の厚みは約０．５ｍｍである。これら
半導体基板２４はブリッジマン法やグラディエントフリ
ーズ法、トラベルヒーティング法等によって、容易に結
晶基板を形成することが可能である。該半導体基板２４
の一方面のほぼ全面に、Ａｌ等のＸ線を透過しやすい金
属によって上部電極１４を形成する。また他方の面に
は、実施の形態１と同様にキャリア阻止層１５と、接続
電極１６を略全面に形成した後、図４に示した方法と同
様のプロセスで対向基板２を形成することができる。
もしくはＣｄＺｎＴｅといった化合物半導体を用いる。
該半導体基板２４の厚みは約０．５ｍｍである。これら
半導体基板２４はブリッジマン法やグラディエントフリ
ーズ法、トラベルヒーティング法等によって、容易に結
晶基板を形成することが可能である。該半導体基板２４
の一方面のほぼ全面に、Ａｌ等のＸ線を透過しやすい金
属によって上部電極１４を形成する。また他方の面に
は、実施の形態１と同様にキャリア阻止層１５と、接続
電極１６を略全面に形成した後、図４に示した方法と同
様のプロセスで対向基板２を形成することができる。
【００７５】（実施の形態５）図９は、本発明の他の構
造の二次元画像検出器の構成を示す断面図である。ここ
では、アクティブマトリクス基板１と対向基板２の接続
に、図１に示す異方導電性接着剤３ではなく、画素毎に
パターニングされた導電性接続材２５を用いることによ
り構成されている。その他の構成は、本実施の形態１の
図１と同様である。
造の二次元画像検出器の構成を示す断面図である。ここ
では、アクティブマトリクス基板１と対向基板２の接続
に、図１に示す異方導電性接着剤３ではなく、画素毎に
パターニングされた導電性接続材２５を用いることによ
り構成されている。その他の構成は、本実施の形態１の
図１と同様である。
【００７６】導電性接続材２５としては、感光性樹脂に
導電性の顔料が分散されたものを用いて、フォトリソグ
ラフィー技術によって画素毎にパターニングできるもの
が相応しい。例えば、アクリル系の感光性樹脂にカーボ
ン微粒子を分散させたものを用いることができる。ま
た、これ以外にも導電性接着ペーストを印刷によってパ
ターン配置する方法なども適用できる。
導電性の顔料が分散されたものを用いて、フォトリソグ
ラフィー技術によって画素毎にパターニングできるもの
が相応しい。例えば、アクリル系の感光性樹脂にカーボ
ン微粒子を分散させたものを用いることができる。ま
た、これ以外にも導電性接着ペーストを印刷によってパ
ターン配置する方法なども適用できる。
【００７７】図９に示す二次元画像検出器は、例えば、
以下のようにして構成することができる。
以下のようにして構成することができる。
【００７８】まず、アクティブマトリクス基板１と対向
基板２は、本実施の形態１〜４と同様にして作製する。
次に、アクティブマトリクス基板１上の画素領域全体
に、アクリル系の感光性樹脂にカーボン微粒子を分散さ
せた感光性導電性樹脂を、膜厚が均一になるように塗布
する。
基板２は、本実施の形態１〜４と同様にして作製する。
次に、アクティブマトリクス基板１上の画素領域全体
に、アクリル系の感光性樹脂にカーボン微粒子を分散さ
せた感光性導電性樹脂を、膜厚が均一になるように塗布
する。
【００７９】その後、画素電極のパターンに対応したフ
ォトマスクを介して、感光性導電性樹脂を露光して、現
像液による現像処理により露光パターンに基づいて不要
部分の感光性導電性樹脂が基板から取り除かれる。以上
により、画素電極のパターンに対応した導電性接続材２
５を形成することができる。この導電性接続材２５の形
状は、円柱状などの任意の形状を作製することができ
る。
ォトマスクを介して、感光性導電性樹脂を露光して、現
像液による現像処理により露光パターンに基づいて不要
部分の感光性導電性樹脂が基板から取り除かれる。以上
により、画素電極のパターンに対応した導電性接続材２
５を形成することができる。この導電性接続材２５の形
状は、円柱状などの任意の形状を作製することができ
る。
【００８０】そして、導電性接続材２５が形成されたア
クティブマトリクス基板１と対向基板２とを接着性のシ
ール材（図示せず）を介して、画素電極１０と接続電極
１６が各々対応するように向かい合わせて貼り合わせる
ことにより、図９に示す二次元画像検出器を構成するこ
とができる。
クティブマトリクス基板１と対向基板２とを接着性のシ
ール材（図示せず）を介して、画素電極１０と接続電極
１６が各々対応するように向かい合わせて貼り合わせる
ことにより、図９に示す二次元画像検出器を構成するこ
とができる。
【００８１】本実施の形態５においては、接続材料に異
方導電性接着剤を用いていないが、対向基板の接続面が
実施の形態１〜４と同様にサンドブラスト法で画素が形
成（格子状に分離）されているので、接続電極およびキ
ャリア阻止層で隣接画素間でのクロストークが発生しな
いといった効果が生ずる。
方導電性接着剤を用いていないが、対向基板の接続面が
実施の形態１〜４と同様にサンドブラスト法で画素が形
成（格子状に分離）されているので、接続電極およびキ
ャリア阻止層で隣接画素間でのクロストークが発生しな
いといった効果が生ずる。
【００８２】したがって、サンドブラスト法による対向
基板接続面の加工は、単に突起電極を形成する目的だけ
でなく、単に画素の形成を行う目的の場合でも有効であ
る。
基板接続面の加工は、単に突起電極を形成する目的だけ
でなく、単に画素の形成を行う目的の場合でも有効であ
る。
【００８３】なお、上記実施の形態１〜５では、Ｘ線
（放射線）に感度を有する半導体材料として、ＣｄＴｅ
やＣｄＺｎＴｅを用いた例を示したがこれに限定される
ものではなく、従来の技術で用いられているａ―Ｓｅ等
の他の半導体を用いても構わず、アクティブマトリクス
基板と対向基板を別々に作製し、異方導電性接着剤また
は画素毎にパターニングされた導電性接続材で両者を接
続する構造の二次元画像検出器全てに適用することが可
能である。
（放射線）に感度を有する半導体材料として、ＣｄＴｅ
やＣｄＺｎＴｅを用いた例を示したがこれに限定される
ものではなく、従来の技術で用いられているａ―Ｓｅ等
の他の半導体を用いても構わず、アクティブマトリクス
基板と対向基板を別々に作製し、異方導電性接着剤また
は画素毎にパターニングされた導電性接続材で両者を接
続する構造の二次元画像検出器全てに適用することが可
能である。
【００８４】また、上記実施の形態１〜５では、主にＸ
線（放射線）に対する二次元画像検出器の場合について
説明してきたが、使用する半導体（光導電体）がＸ線等
の放射線に対する光導電性だけでなく、可視光や赤外光
に対しても光導電性を示す場合は、可視光や赤外光の二
次元画像検出器として使用することも可能である。但
し、この時は、半導体（光導電体）からみて光入射側に
配置される上部電極材料としては、ＩＴＯ等の可視光や
赤外光を透過する透明電極を用いる必要がある。また、
半導体（光導電体）の厚みも、可視光、赤外光の吸収効
率に応じて最適化する必要がある。
線（放射線）に対する二次元画像検出器の場合について
説明してきたが、使用する半導体（光導電体）がＸ線等
の放射線に対する光導電性だけでなく、可視光や赤外光
に対しても光導電性を示す場合は、可視光や赤外光の二
次元画像検出器として使用することも可能である。但
し、この時は、半導体（光導電体）からみて光入射側に
配置される上部電極材料としては、ＩＴＯ等の可視光や
赤外光を透過する透明電極を用いる必要がある。また、
半導体（光導電体）の厚みも、可視光、赤外光の吸収効
率に応じて最適化する必要がある。
【００８５】
【発明の効果】本発明の請求項１記載の二次元画像検出
器の製造方法は、格子状に配列された電極配線と、各格
子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイ
ッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電
極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層とを含むア
クティブマトリクス基板と、前記画素配列層のほぼ全面
に対向して形成される電極部と、前記画素配列層および
電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを
含む対向基板と、前記アクティブマトリクス基板の画素
配列層と前記対向基板の半導体層とが対向して両基板が
配置されるように、前記両基板を導電性材料で電気的に
接続された二次元画像検出器の製造方法であって、前記
対向基板の接続面にサンドブラスト法によって複数の突
起電極を形成することを特徴としている。
器の製造方法は、格子状に配列された電極配線と、各格
子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイ
ッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電
極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層とを含むア
クティブマトリクス基板と、前記画素配列層のほぼ全面
に対向して形成される電極部と、前記画素配列層および
電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを
含む対向基板と、前記アクティブマトリクス基板の画素
配列層と前記対向基板の半導体層とが対向して両基板が
配置されるように、前記両基板を導電性材料で電気的に
接続された二次元画像検出器の製造方法であって、前記
対向基板の接続面にサンドブラスト法によって複数の突
起電極を形成することを特徴としている。
【００８６】サンドブラスト法は、加工前の基板表面の
平坦性を保ったまま、所定のパターンの溝を形成するこ
とができるため、従来のメッキ法で得られる突起電極に
比べて、表面高さが均一な複数の突起電極を同一基板上
に容易に形成することが可能である。このような表面高
さが均一な複数の突起電極を有する対向基板を、アクテ
ィブマトリクス基板と異方導電性接着剤で接続すること
により、大面積かつ高密度の接続箇所を有する場合で
も、接続不良が発生し難い二次元画像検出器を得ること
が可能になる。
平坦性を保ったまま、所定のパターンの溝を形成するこ
とができるため、従来のメッキ法で得られる突起電極に
比べて、表面高さが均一な複数の突起電極を同一基板上
に容易に形成することが可能である。このような表面高
さが均一な複数の突起電極を有する対向基板を、アクテ
ィブマトリクス基板と異方導電性接着剤で接続すること
により、大面積かつ高密度の接続箇所を有する場合で
も、接続不良が発生し難い二次元画像検出器を得ること
が可能になる。
【００８７】なお、同様の原理で表面高さが均一な複数
の突起電極を形成する方法としては、エッチング法によ
り基板表面に溝を形成する方法もある。しかし、エッチ
ング法は、基板表面にキャリア阻止層や接続電極が存在
する場合、その膜毎にエッチング液やエッチングガスを
変える必要があるためプロセスが複雑になる。これに対
して、サンドブラスト法で溝を形成する場合は、セラミ
ック粒子を基板面に衝突させることで物理的に溝を掘っ
ていくため、例え基板表面にキャリア阻止層や接続電極
が存在したとしても、１工程でそれらの膜を貫通して溝
を形成することが容易であり、プロセス的にもコスト的
にも有利である。
の突起電極を形成する方法としては、エッチング法によ
り基板表面に溝を形成する方法もある。しかし、エッチ
ング法は、基板表面にキャリア阻止層や接続電極が存在
する場合、その膜毎にエッチング液やエッチングガスを
変える必要があるためプロセスが複雑になる。これに対
して、サンドブラスト法で溝を形成する場合は、セラミ
ック粒子を基板面に衝突させることで物理的に溝を掘っ
ていくため、例え基板表面にキャリア阻止層や接続電極
が存在したとしても、１工程でそれらの膜を貫通して溝
を形成することが容易であり、プロセス的にもコスト的
にも有利である。
【００８８】本発明の請求項２記載の二次元画像検出器
の製造方法は、格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極
を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層とを含むアク
ティブマトリクス基板と、前記画素配列層のほぼ全面に
対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電
極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを含
む対向基板と、前記アクティブマトリクス基板の画素配
列層と前記対向基板の半導体層とが対向して両基板が配
置されるように、前記両基板を導電性材料で電気的に接
続された二次元画像検出器の製造方法であって、前記対
向基板の接続面にサンドブラスト法によって複数の画素
を形成することを特徴としている。
の製造方法は、格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極
を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層とを含むアク
ティブマトリクス基板と、前記画素配列層のほぼ全面に
対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電
極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを含
む対向基板と、前記アクティブマトリクス基板の画素配
列層と前記対向基板の半導体層とが対向して両基板が配
置されるように、前記両基板を導電性材料で電気的に接
続された二次元画像検出器の製造方法であって、前記対
向基板の接続面にサンドブラスト法によって複数の画素
を形成することを特徴としている。
【００８９】サンドブラスト法で画素を形成する場合
は、セラミック粒子を基板面に衝突させる装置が有れば
良く、エッチング装置を必要としない。その上、基板表
面にキャリア阻止層および接続電極が存在したとして
も、１工程でそれらの膜を貫通して溝を形成することが
容易であり、プロセス的にもコスト的にも有利である。
は、セラミック粒子を基板面に衝突させる装置が有れば
良く、エッチング装置を必要としない。その上、基板表
面にキャリア阻止層および接続電極が存在したとして
も、１工程でそれらの膜を貫通して溝を形成することが
容易であり、プロセス的にもコスト的にも有利である。
【００９０】本発明の請求項３記載の二次元画像検出器
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記導電性材料が、一方向にの
み導電性を有する異方導電性材料であることを特徴とし
ている。
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記導電性材料が、一方向にの
み導電性を有する異方導電性材料であることを特徴とし
ている。
【００９１】したがって、サンドブラストによって突起
電極が形成された基板に対して、異方導電性材料を用い
れば、突起電極の存在しない領域（すなわち凹部に相当
する領域）に接着剤の逃げ場が確保され、アクティブマ
トリクス基板と対向基板の間での接続不良が発生せず、
接続部で隣接画素間のクロストークが発生しない二次元
画像検出器を製造することができる。
電極が形成された基板に対して、異方導電性材料を用い
れば、突起電極の存在しない領域（すなわち凹部に相当
する領域）に接着剤の逃げ場が確保され、アクティブマ
トリクス基板と対向基板の間での接続不良が発生せず、
接続部で隣接画素間のクロストークが発生しない二次元
画像検出器を製造することができる。
【００９２】本発明の請求項４記載の二次元画像検出器
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記導電性材料が、画素単位に
パターニングされていることを特徴としている。
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記導電性材料が、画素単位に
パターニングされていることを特徴としている。
【００９３】したがって、導電性材料の導電性に異方性
が無くても、接続部で隣接画素間のクロストークが発生
しない。
が無くても、接続部で隣接画素間のクロストークが発生
しない。
【００９４】本発明の請求項５記載の二次元画像検出器
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記対向基板の半導体層表面の
略全面に接続電極を形成する工程と、前記接続電極上に
所定の開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
前記マスクによって被覆された前記接続電極と前記半導
体層表面をサンドブラスト加工し、前記マスクの開口パ
ターンに位置する前記接続電極を除去すると共に前記半
導体層に溝を形成する工程と、前記マスクを剥離する工
程とを含む工程によって前記対向基板の接続面に複数の
突起電極または画素を形成することを特徴としている。
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記対向基板の半導体層表面の
略全面に接続電極を形成する工程と、前記接続電極上に
所定の開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
前記マスクによって被覆された前記接続電極と前記半導
体層表面をサンドブラスト加工し、前記マスクの開口パ
ターンに位置する前記接続電極を除去すると共に前記半
導体層に溝を形成する工程と、前記マスクを剥離する工
程とを含む工程によって前記対向基板の接続面に複数の
突起電極または画素を形成することを特徴としている。
【００９５】したがって、同一基板上に高さが均一な複
数の突起電極を容易に形成することが可能であるといっ
た効果の他に、半導体層表面に形成されている接続電極
のパターニングと、突起形状（格子状の溝）の形成を同
一工程で行うことが可能であるといった効果もあり、プ
ロセス的およびコスト的に有効である。また、同様に、
画素形成についてもプロセス的およびコスト的に有効で
ある。
数の突起電極を容易に形成することが可能であるといっ
た効果の他に、半導体層表面に形成されている接続電極
のパターニングと、突起形状（格子状の溝）の形成を同
一工程で行うことが可能であるといった効果もあり、プ
ロセス的およびコスト的に有効である。また、同様に、
画素形成についてもプロセス的およびコスト的に有効で
ある。
【００９６】本発明の請求項６記載の二次元画像検出器
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記対向基板の半導体層表面の
略全面にキャリア阻止層を形成する工程と、前記キャリ
ア阻止層上に所定の開口パターンを有するマスクを形成
する工程と、前記マスクによって被覆された前記キャリ
ア阻止層と前記半導体層表面をサンドブラスト加工し、
前記マスクの開口パターンに位置する前記キャリア阻止
層を除去すると共に前記半導体層に溝を形成する工程
と、前記マスクを剥離する工程とを含む工程によって前
記対向基板の接続面に複数の突起電極または画素を形成
することを特徴としている。
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記対向基板の半導体層表面の
略全面にキャリア阻止層を形成する工程と、前記キャリ
ア阻止層上に所定の開口パターンを有するマスクを形成
する工程と、前記マスクによって被覆された前記キャリ
ア阻止層と前記半導体層表面をサンドブラスト加工し、
前記マスクの開口パターンに位置する前記キャリア阻止
層を除去すると共に前記半導体層に溝を形成する工程
と、前記マスクを剥離する工程とを含む工程によって前
記対向基板の接続面に複数の突起電極または画素を形成
することを特徴としている。
【００９７】したがって、同一基板上に高さが均一な複
数の突起電極を容易に形成することが可能であるといっ
た効果の他に、半導体表面に形成されているキャリア阻
止層のパターニングと、突起形状（格子状の溝）の形成
を同一工程で行うことが可能であるといった効果もあ
り、プロセス的およびコスト的に有効である。また、同
様に、画素形成についてもプロセス的およびコスト的に
有効である。
数の突起電極を容易に形成することが可能であるといっ
た効果の他に、半導体表面に形成されているキャリア阻
止層のパターニングと、突起形状（格子状の溝）の形成
を同一工程で行うことが可能であるといった効果もあ
り、プロセス的およびコスト的に有効である。また、同
様に、画素形成についてもプロセス的およびコスト的に
有効である。
【００９８】本発明の請求項７記載の二次元画像検出器
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記対向基板の半導体層表面の
略全面にキャリア阻止層と接続電極を形成する工程と、
前記接続電極上に所定の開口パターンを有するマスクを
形成する工程と、前記マスクによって被覆された前記接
続電極と前記半導体層表面をサンドブラスト加工し、前
記マスクの開口パターンに位置する前記接続電極と前記
キャリア阻止層とを除去すると共に前記半導体層に溝を
形成する工程と、前記マスクを剥離する工程とを含む工
程によって前記対向基板の接続面に複数の突起電極また
は画素を形成することを特徴としている。
の製造方法は、請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、前記対向基板の半導体層表面の
略全面にキャリア阻止層と接続電極を形成する工程と、
前記接続電極上に所定の開口パターンを有するマスクを
形成する工程と、前記マスクによって被覆された前記接
続電極と前記半導体層表面をサンドブラスト加工し、前
記マスクの開口パターンに位置する前記接続電極と前記
キャリア阻止層とを除去すると共に前記半導体層に溝を
形成する工程と、前記マスクを剥離する工程とを含む工
程によって前記対向基板の接続面に複数の突起電極また
は画素を形成することを特徴としている。
【００９９】したがって、同一基板上に高さが均一な突
起電極を容易に形成することが可能であるといった効果
の他に、半導体表面に形成されているキャリア阻止層と
接続電極のパターニングと、突起形状（格子状の溝）の
形成を同一工程で行うことが可能であるといった効果も
あり、プロセス的およびコスト的に有効である。また、
同様に、画素形成についてもプロセス的およびコスト的
に有効である。
起電極を容易に形成することが可能であるといった効果
の他に、半導体表面に形成されているキャリア阻止層と
接続電極のパターニングと、突起形状（格子状の溝）の
形成を同一工程で行うことが可能であるといった効果も
あり、プロセス的およびコスト的に有効である。また、
同様に、画素形成についてもプロセス的およびコスト的
に有効である。
【図１】本発明の実施の形態１に関する二次元画像検出
器の断面図である。
器の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に関するアクティブマト
リクス基板の１画素当りの構成を示す断面図である。
リクス基板の１画素当りの構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に関する対向基板の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に関する対向基板の製造
方法を示す説明図である。
方法を示す説明図である。
【図５】本発明のサンドブラスト加工によって形成した
格子状突起部分を上面から見た拡大写真による説明図で
ある。
格子状突起部分を上面から見た拡大写真による説明図で
ある。
【図６】本発明の実施の形態２に関する対向基板の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態３に関する対向基板の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態４に関する対向基板の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】本発明の他の二次元画像検出器の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図１０】従来の二次元画像検出器の構成を示す斜視図
である。
である。
【図１１】図１０に示す従来の二次元画像検出器の１画
素当たりの構成を示す断面図である。
素当たりの構成を示す断面図である。
【図１２】図１２（ａ）ないし（ｃ）は、異方導電性接
着剤を用いた基板の貼り合わせ工程、および異方導電性
接着剤の異方導電原理を示す説明図である。
着剤を用いた基板の貼り合わせ工程、および異方導電性
接着剤の異方導電原理を示す説明図である。
１ アクティブマトリクス基板 ２ 対向基板 ３ 異方導電性接着剤 ４ ガラス基板 ５ ゲート電極 ６ ソース電極 ７ 蓄積容量電極（Ｃｓ電極） ８ 絶縁膜 ９ ａ−Ｓｉ膜（ｉ層） １０ 画素電極 １１ 絶縁保護膜 １２ 支持基板 １３ 半導体層 １４ 上部電極 １５ キャリア阻止層 １６ 接続電極 １７ 開口部 １８ マスク １９ 研削粒子 ２０ 溝 ２１ 突起電極 ２２ 接着剤 ２３ 導電粒子 ２４ 半導体基板 ２５ 導電性接続材
Claims (7)
- 【請求項１】 格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極
を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層とを含むアク
ティブマトリクス基板と、 前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部
と、前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導
電性を有する半導体層とを含む対向基板と、 前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と前記対向
基板の半導体層とが対向して両基板が配置されるよう
に、前記両基板を導電性材料で電気的に接続された二次
元画像検出器の製造方法であって、 前記対向基板の接続面にサンドブラスト法によって複数
の突起電極を形成することを特徴とする二次元画像検出
器の製造方法。 - 【請求項２】 格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極
を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層とを含むアク
ティブマトリクス基板と、 前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部
と、前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導
電性を有する半導体層とを含む対向基板と、 前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と前記対向
基板の半導体層とが対向して両基板が配置されるよう
に、前記両基板を導電性材料で電気的に接続された二次
元画像検出器の製造方法であって、 前記対向基板の接続面にサンドブラスト法によって複数
の画素を形成することを特徴とする二次元画像検出器の
製造方法。 - 【請求項３】 前記導電性材料が、一方向にのみ導電性
を有する異方導電性材料であることを特徴とする請求項
１または２記載の二次元画像検出器の製造方法。 - 【請求項４】 前記導電性材料が、画素単位にパターニ
ングされていることを特徴とする請求項１または２記載
の二次元画像検出器の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、 前記対向基板の半導体層表面の略全面に接続電極を形成
する工程と、 前記接続電極上に所定の開口パターンを有するマスクを
形成する工程と、 前記マスクによって被覆された前記接続電極と前記半導
体層表面をサンドブラスト加工し、前記マスクの開口パ
ターンに位置する前記接続電極を除去すると共に前記半
導体層に溝を形成する工程と、 前記マスクを剥離する工程とを含む工程によって前記対
向基板の接続面に複数の突起電極または画素を形成する
ことを特徴とする二次元画像検出器の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、 前記対向基板の半導体層表面の略全面にキャリア阻止層
を形成する工程と、 前記キャリア阻止層上に所定の開口パターンを有するマ
スクを形成する工程と、 前記マスクによって被覆された前記キャリア阻止層と前
記半導体層表面をサンドブラスト加工し、前記マスクの
開口パターンに位置する前記キャリア阻止層を除去する
と共に前記半導体層に溝を形成する工程と、 前記マスクを剥離する工程とを含む工程によって前記対
向基板の接続面に複数の突起電極または画素を形成する
ことを特徴とする二次元画像検出器の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１または２記載の二次元画像検出
器の製造方法であって、 前記対向基板の半導体層表面の略全面にキャリア阻止層
と接続電極を形成する工程と、 前記接続電極上に所定の開口パターンを有するマスクを
形成する工程と、 前記マスクによって被覆された前記接続電極と前記半導
体層表面をサンドブラスト加工し、前記マスクの開口パ
ターンに位置する前記接続電極と前記キャリア阻止層と
を除去すると共に前記半導体層に溝を形成する工程と、 前記マスクを剥離する工程とを含む工程によって前記対
向基板の接続面に複数の突起電極または画素を形成する
ことを特徴とする二次元画像検出器の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15888199A JP3432770B2 (ja) | 1998-09-29 | 1999-06-07 | 二次元画像検出器の製造方法 |
| US09/397,147 US6340812B1 (en) | 1998-09-29 | 1999-09-16 | Two-dimensional image detector with electrodes on counter substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27486798 | 1998-09-29 | ||
| JP10-274867 | 1998-09-29 | ||
| JP15888199A JP3432770B2 (ja) | 1998-09-29 | 1999-06-07 | 二次元画像検出器の製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003016740A Division JP2003234461A (ja) | 1998-09-29 | 2003-01-24 | 二次元画像検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000188386A true JP2000188386A (ja) | 2000-07-04 |
| JP3432770B2 JP3432770B2 (ja) | 2003-08-04 |
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ID=26485867
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15888199A Expired - Fee Related JP3432770B2 (ja) | 1998-09-29 | 1999-06-07 | 二次元画像検出器の製造方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3432770B2 (ja) |
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| JP2003060181A (ja) * | 2001-08-16 | 2003-02-28 | Konica Corp | 放射線画像検出器 |
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| WO2006115099A1 (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Shimadzu Corporation | 二次元画像検出器およびその製造方法 |
| JP2010185882A (ja) * | 2010-05-20 | 2010-08-26 | Konica Minolta Holdings Inc | 可搬型放射線画像検出器 |
| JP2011128165A (ja) * | 2011-02-10 | 2011-06-30 | Konica Minolta Holdings Inc | 可搬型放射線画像検出器 |
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| KR100527087B1 (ko) | 2001-12-22 | 2005-11-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 엑스레이 디텍터의 제조방법 |
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-
1999
- 1999-06-07 JP JP15888199A patent/JP3432770B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-16 US US09/397,147 patent/US6340812B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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