JP2010185882A - 可搬型放射線画像検出器 - Google Patents

Abstract

【課題】安価でかつ軽量で高画質のデジタル放射線画像が得られる放射線画像検出器を提供する。
【解決手段】入射した放射線の強度に応じて光を出力する第１の構成要素２１１と、第１の構成要素から出力された光を電気エネルギーに変換して、得られた電気エネルギーに基づく信号を出力する第２の構成要素２１２と、第１の構成要素と第２の構成要素を保持する支持体２１４と、第１の構成要素、第２の構成要素、及び支持体を収納する筐体とを有する可搬型放射線画像検出器であって、放射線の入射方向から、支持体２１４、第２の構成要素２１２、第１の構成要素２１１の順に設置する。第１の構成要素２１１はセシウムアイオダイドあるいはガドリニウムオキシサルファイドを用いて形成する。第２の構成要素２１２は、光導電性高分子有機化合物にフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成すると共に、有機半導体を用いて形成する。
【選択図】図４

Description

この発明は、医療における放射線画像診断の産業分野に関する。特に診断目的に用いる放射線画像を得るための可搬型放射線画像検出器に関する。

従来、放射線画像を得る方法として、蛍光増感紙と放射線写真フィルムとを組み合わせた所謂スクリーンフィルムシステム（ＳＦシステム）が放射線画像形成に用いられている。このＳＦシステムでは、被写体を透過したＸ線等の放射線が蛍光増感紙に入射されると、蛍光増感紙に含まれる蛍光体が放射線のエネルギーを吸収して蛍光を発する。この発光により、蛍光増感紙に密着されるように重ね合わされた放射線写真フィルムが感光し、放射線写真フィルム上に放射線画像が形成される。

しかし、ＳＦシステムでは、撮影に用いる放射線写真フィルムと蛍光増感紙との感度領域を一致させて撮影を行う必要がある。また、放射線写真フィルムに対して化学的現像及び定着等の処理をしなければならず、放射線画像が得られるまでに時間を要してしまうとともに、使用した現像液や定着液が廃液となり環境上好ましいものではない。

また、ＳＦシステムはアナログ画像であり、デジタルネットワークシステムを利用する遠隔診断などを行うためには、ＳＦシステムによって得られた放射線画像の画像信号をデジタル信号に変換する作業等が必要となる。

このため、近年の放射線画像撮影システムにおいては、ＳＦシステムに代わってデジタル式Ｘ線画像診断装置であるコンピューテッドラジオグラフィ（ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ＦＰＤ）など、放射線画像のデジタル電気信号を取り出して放射線画像を得るシステムが登場している。このようなシステムでは、ＳＦシステムのように放射線フィルムを用いないので、現像処理などの煩雑なプロセスがなく、迅速に画像表示装置の画面上、例えば陰極管や液晶表示パネルなどの画面上に放射線画像を描くことができる。

また、医用画像診断分野では、コンピュータ断層撮影装置（ＣＴ）や核磁気共鳴断層撮影装置（ＭＲＩ）などデジタル放射線画像検出手段が近年多く用いられるようになっており、これらの画像とあわせてネットワーク上にのせることによって、遠隔診断などが簡便に行えるようになっている。

さらに、医療現場で用いられる放射線画像撮影システムは、「据置き型」と「カセッテ型」に分類できる。「据置き型」は、胸部や腹部などの撮影に主に用いられるもので、放射線画像検出器とその周辺機器が一体化しており、撮影室に常に設置した状態で撮影するものである。この場合、患者は放射線画像を撮影するとき、撮影室へ自ら足を運ぶこととなる。

一方「カセッテ型」の場合、例えばＳＦシステムでは蛍光増感紙と放射線フィルムが、平板状のカセッテと呼ばれる容器に収められて、身動きのできない重篤な患者のベッドまでもっていって放射線画像撮影が行われる。即ち移動タイプの放射線発生装置とカセッテを、患者のベッドまで搬送し、患者が寝たままで放射線画像が撮影されるものである。例えば胸部撮影では、このカセッテ撮影が全体の胸部Ｘ線撮影の半数を占めると言われている。

ところで、デジタル放射線画像検出器であるＣＲはＳＦシステム同様にカセッテタイプの放射線画像検出器として使用できるが高価であり、またＳＦシステムほどの画質は得られていない。またＦＰＤにおいてはＳＦシステム同等以上の画質が得られるが、ＣＲ同様に高価であり、また軽量なカセッテタイプの放射線画像検出器を実現することが困難である。

さらに、従来のカセッテタイプの放射線画像検出器では、図１７に示すように、放射線の入射側から、放射線の強度に応じて光（電磁波）を出力するシンチレータ，シンチレータから出力された光を電気エネルギーに変換して信号として出力する変換部,ガラスで構成された支持体が順に配置されている。ここで、放射線が入射されてシンチレータの表面側（放射線の入射面側）で発光が生じると、光が変換部に達するまでに散乱を生じて画像のぼけや感度の低下を招いてしまう。また、ガラスで構成された支持体側から放射線を入射すると、支持体によって放射線が減衰されてしまうのでシンチレータでの発光量が少なくなり、良好な放射線画像を得ることができない。

そこで、この発明においては、安価かつ軽量で高画質のデジタル放射線画像が得られる可搬型放射線画像検出器を提供するものである。

この発明に係る放射線画像検出器は、入射した放射線の強度に応じて光を出力する第１の構成要素と、第１の構成要素から出力された光を電気エネルギーに変換して、得られた電気エネルギーに基づく信号を出力する第２の構成要素と、第１の構成要素と第２の構成要素を保持する支持体と、第１の構成要素、第２の構成要素、及び支持体を収納する筐体とを有する可搬型放射線画像検出器であって、放射線の入射方向から、支持体、第２の構成要素、第１の構成要素の順に設置したものである。

この発明においては、支持体上に第２の構成要素が形成され、第２の構成要素上に第１の構成要素が形成される。第１の構成要素は、例えばセシウムアイオダイド（ＣｓＩ：Ｔｌ）あるいはガドリニウムオキシサルファイド（Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ）を用いて形成されて、入射した放射線の強度に応じた光が出力される。第２の構成要素は、光電変換可能な導電性高分子有機化合物に、フラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成された光電変換手段と、有機半導体を用いて形成された信号出力手段を有しており、第１の構成要素から出力された光が光電変換手段によって電気エネルギーに変換されると共に、この得られた電気エネルギーに基づく信号が信号出力手段から出力される。ここで、放射線は、支持体側から入射される。

また、放射線画像検出器は可搬構造とされて、例えばシート状の電池等で構成された電力供給手段が設けられると共に、この電力供給手段から、放射線画像検出器を駆動するために必要な電力の供給が行われる。さらに、画像信号を記憶する記憶手段が設けられる。

この発明によれば、放射線の強度に応じて光を出力する第１の構成要素と、第１の構成要素から出力された光を電気エネルギーに変換して、該電気エネルギーに基づいた信号を出力する第２の構成要素とが支持体上に配置されて、放射線が支持体側から入射される。このため、第１の構成要素から散乱の少ない光が第２の構成要素に供給されることとなり、画質と感度を向上させることができる。

また、第２の構成要素を第１の構成要素の両面に配置することや、第１の構成要素と第２の構成要素を支持体の両面に配置することで、感度を高めることができると共に、画質を良好なものにできる。

さらに第２の構成要素と新たな第２の構成要素を用いるときには、各第２の構成要素における信号出力手段が、放射線の入射方向に対して重なりを生じないように配設されるので、入射した放射線が示す情報を欠落なく読み出すことが可能となり、信頼性の高い画像情報を得ることができる。

また、第１の構成要素は、セシウムアイオダイド（ＣｓＩ：Ｔｌ）あるいはガドリニウムオキシサルファイド（Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ）が用いられるので、高画質の放射線画像を得ることができる。また、第２の構成要素は、光導変換可能な有機化合物を用いて形成されるとともに、有機半導体を用いて形成されるので、検出器を安価に製造できる。

また、第１の構成要素、第２の構成要素、支持体、電力供給手段および記憶手段が一体化して可搬構造とされているので、放射線画像の撮影を簡単に行うことができる。さらに、入射した放射線に基づいて画像信号を生成するために電力供給を行う電力供給手段や画像信号を記憶する記憶手段が設けられるので、画像信号の読み取りや信号処理等を行う周辺装置と接続しなくとも、放射線画像の画像信号を得ることができる。また記憶手段は着脱可能とされているので、周辺装置への画像信号の供給を簡単かつ容易に行うことができる。

放射線画像検出器を用いたシステムの一例を示す図である。 放射線画像検出器の構造の一例を示す図である。 放射線画像検出器の回路構成を示す図である。 撮像パネルの一部断面概略図である。 第２の構成要素の詳細の一部を示す図である。 導電性高分子化合物の基本骨格を示す図である。 π共役系高分子化合物の具体例（その１）を示す図である。 π共役系高分子化合物の具体例（その２）を示す図である。 π共役系高分子化合物の具体例（その３）を示す図である。 π共役系以外の導電性高分子化合物の具体例を示す図である。 有機ＴＦＴの構造を示す図である。 有機ＴＦＴの具体例を示す図である。 撮像パネルの他の構成の一部概略図（その１）を示す図である。 撮像パネルの他の構成の一部概略図（その２）を示す図である。 フィルファクタを説明するための図である。 フィルファクタを考慮した構成を示す図である。 従来の構成を示す図である。

次に、この発明の実施の一形態について図を用いて詳細に説明する。図１は、放射線画像検出器を用いたシステムの一例を示す図である。図１において、放射線発生器１０から放射された放射線は、被写体（医療施設では例えば患者）１５を通して放射線画像検出器２０に入射される。放射線画像検出器２０では、入射された放射線の強度に基づいて画像信号ＤFEを生成する。この生成された画像信号ＤFEは、放射線画像検出器２０に接続されている画像処理部５１によって読み出される。あるいは放射線画像検出器２０に装着された例えば半導体メモリカード等の携帯可能な記録媒体に蓄積されたのち、この記録媒体が放射線画像検出器２０から取り外されて画像処理部５１に装着されることにより、画像処理部５１に供給される。

画像処理部５１では、放射線画像検出器２０で生成された画像信号ＤFEに対してシェーディング補正やゲイン補正、階調補正、エッジ強調処理、ダイナミックレンジ圧縮処理などを施して、診断等に適した画像信号となるように処理を行う。また画像処理部５１には、陰極管や液晶表示素子あるいはプロジェクタ等を用いて構成された画像表示部５２が接続されており、この画像処理部５１では、画像処理中の画像信号や画像処理完了後の画像信号に基づく画像が表示される。

また、画像処理部５１では、画像の拡大や縮小を行うとともに画像信号の蓄積や転送を容易とするために画像信号の圧縮や伸長処理も行う。このため、画像表示部５２に表示されている画像を拡大したり縮小することで、撮影部位の確認や処理状態を容易に行うことができる。また、表示された画像や表示された画像の領域を指定させて、指定された画像や指定された領域に対して適切な画像処理を自動的に行うことも可能となる。

また、画像処理部５１には、キーボード、マウス、ポインターなどを用いて構成された情報入力部５３が接続されており、この情報入力部５３によって患者情報などを入力し、付加情報を画像信号に付け加えることができる。また画像処理の指定や画像信号の保存や読み出し、ネットワークを介した画像信号の送受信を行う際の指示等も情報入力部５３から行われる。

画像処理部５１には、さらに画像出力部５４や画像保存部５５及びコンピュータ支援画像自動診断部(ＣＡＤ)５６が接続されている。

画像出力部５４では、記録紙やフィルム等に放射線画像を表示させて出力する。例えば、銀塩写真フィルムを用いるものとして、画像信号に基づき露光を行う。この露光された銀塩写真フィルムの現像処理を行うことで放射線画像を銀画像として描き出して出力する。また、記録紙に放射線画像を印刷して出力する場合には、画像信号に基づいてインクに圧力をかけて細いノズルの先端からインクを記録紙に吹き付けて印刷するインクジェットプリンタ、画像信号に基づいてインクを溶融あるいは昇華させて記録紙に画像を転写するサーマルプリンタ、画像信号に基づきレーザ光で感光体上を走査して、感光体上に付着したトナーを紙に転写してから熱と圧力で定着させることにより記録紙に画像を形成するレーザプリンタ等を用いて画像出力部５４を構成する。

画像保存部５５では、放射線画像の画像信号を必要に応じて適宜読み出すことができるように保存する。この画像保存部５５は、例えば磁気的、ホログラム素子、穿孔、色素分布変化等を利用して画像信号を保存する。

ＣＡＤ５６は、撮影された放射線画像のコンピュータ処理やコンピュータ解析を行い、診断に必要な情報を医師に提供することで病変の見落としがないように診断支援を行う。またコンピュータ処理やコンピュータ解析結果に基づいて、診断を自動的に行う。

放射線画像の画像信号は、上述の画像出力部５４や画像保存部５５及びＣＡＤ５６だけでなく、いわゆるＬＡＮやインターネット及びＰＡＣＳ(医療画像ネットワーク)等のネットワーク６０を介して、病院施設内のほかの部署あるいは遠隔地にも送付することができる。また、このネットワークを介して、ＣＴ６１やＭＲＩ６２から得られた画像信号あるいはＣＲや他のＦＰＤ６３から得られた画像信号、及びその他の検査情報等も送付可能とされており、放射線画像検出器２０で得られた放射線画像と比較検討するため、ネットワーク６０を介して送付されてきた画像信号や検査情報等を画像表示部５２で表示したり画像出力部５４から出力させることも行われる。また、送付されてきた画像信号や検査情報等を画像保存部５５に保存させることもできる。また、放射線画像検出器２０で得られた放射線画像の画像信号等を外部画像保存装置６４に保存させるものとしたり、外部画像表示装置６５の画面上に、放射線画像検出器２０で得られた放射線画像を表示することも行われる。

次に、放射線画像検出器２０の構造の一例を図２に示す。可搬型放射線画像検出器である放射線画像検出器２０には、撮像パネル２１、放射線画像検出器２０の動作を制御する制御回路３０、書き換え可能な読み出し専用メモリ（例えばフラッシュメモリ）等を用いて撮像パネル２１から出力された画像信号を記憶するメモリ部３１、放射線画像検出器２０の動作を切り換えるための操作部３２、放射線画像の撮影準備の完了やメモリ部３１に所定量の画像信号が書き込まれたことを示す表示部３３、撮像パネル２１を駆動して画像信号を得るために必要とされる電力を供給する電源部３４、放射線画像検出器２０と画像処理部５１間で通信を行うための通信用のコネクタ３５、及びこれらを収納する筐体４０が設けられている。また、撮像パネル２１は、入射された放射線の強度に応じて蓄積された電気エネルギーを読み出す走査駆動回路２５や、蓄積された電気エネルギーを画像信号として出力する信号選択回路２７を有している。なお、筐体４０の内部や走査駆動回路２５、信号選択回路２７、制御回路３０、メモリ部３１等は、図示しない放射線遮蔽部材で覆われており、筐体４０の内部で放射線の散乱を生じたり、各回路に放射線が入射されることが防止される。

また筐体４０としては、外部からの衝撃に耐えかつ重量ができるだけ軽い素材、すなわちアルミニウムあるいはその合金を素材で外形を構成することは好ましい態様である。筐体４０の放射線入射面側は、放射線を透過し易い非金属例えばカーボン繊維などを用いて構成する。また、放射線入射面とは逆である背面側においては、放射線が放射線画像検出器２０を透過してしまうことを防ぐ目的、あるいは放射線画像検出器２０を構成する素材が放射線を吸収することで生ずる２次放射線からの影響を防ぐために、放射線を効果的に吸収する材料、例えば鉛板などを用いることは好ましい実施態様である。

図３は撮像パネル２１の構成を示しており、撮像パネル２１には入射された放射線の強度に応じて蓄積された電気エネルギーを読み出すための収集電極２２０が２次元配置されており、この収集電極２２０がコンデンサ２２１の一方の電極とされて、電気エネルギーがコンデンサ２２１に蓄えられる。ここで、１つの収集電極２２０は放射線画像の１画素に対応するものである。

画素間には走査線２２３-1〜２２３-mと信号線２２４-1〜２２４-nが例えば直交するように配設される。コンデンサ２２１-(1,1)には、シリコン積層構造あるいは有機半導体で構成されたトランジスタ２２２-(1,1)が接続されている。このトランジスタ２２２-(1,1)は、例えば電界効果トランジスタであり、ドレイン電極あるいはソース電極が収集電極２２０-(1,1)に接続されるとともに、ゲート電極は走査線２２３-1と接続される。ドレイン電極が収集電極２２０-(1,1)に接続されるときにはソース電極が信号線２２４-1と接続され、ソース電極が収集電極２２０-(1,1)に接続されるときにはドレイン電極が信号線２２４-1と接続される。また、他の画素の収集電極２２０やコンデンサ２２１及びトランジスタ２２２も同様に走査線２２３や信号線２２４が接続される。

図４は、撮像パネル２１の一部断面概略図を示しており、放射線の入射側に樹脂で形成された支持体２１４を設ける。また、支持体２１４の放射線入射面側とは逆面側に、光を電気エネルギーに変換して、この電気エネルギーに基づいた信号を出力する第２の構成要素２１２を設け、第２の構成要素２１２の支持体面側とは逆面側に、放射線の強度に応じた光（電磁波）を出力する第１の構成要素２１１を設ける。

放射線が撮像パネル２１に入射されると、この放射線は支持体２１４と第２の構成要素２１２を貫通して第１の構成要素２１１に入る。第１の構成要素２１１は、放射線の強度に応じた光（電磁波）を出力する。この光が第２の構成要素２１２で電気エネルギーに変換されると共に、この電気エネルギーに基づいた信号が出力される。

このように、放射線を支持体２１４側から入射させることで、放射線の強度に応じて第１の構成要素から出力されて第２の構成要素に供給される光は、散乱が少ないものとなり、ぼけの少ない良好な画質と感度の放射線画像を得ることができる。

次に、第１の構成要素２１１、第２の構成要素２１２、支持体２１４の順に各構成要素を詳細に説明する。第１の構成要素２１１には、例えば波長が１Å（１×１０^-10ｍ）程度であって、人体や船舶そして航空機の部材等を透過する電磁波である所謂Ｘ線が支持体２１４，第２の構成要素２１２を貫通して入射される。このＸ線は、放射線発生器１０から出力されるものであり、放射線発生器１０は、一般に固定陽極あるいは回転陽極Ｘ線管が用いられる。また、Ｘ線管は、陽極の負荷電圧が１０ｋＶから３００ｋＶとされるとともに、医療用に用いられる場合は２０ｋＶから１５０ｋＶとされる。

第１の構成要素２１１は、蛍光体を主たる成分とするものであり、入射した放射線に基づいて、波長が３００ｎｍから８００ｎｍの電磁波、すなわち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる光（電磁波）を出力する。なお、第１の構成要素２１１は、一般的にシンチレータと呼ばれている。

この第１の構成要素２１１で用いられる蛍光体は、ＣａＷＯ₄、ＣａＷＯ₄：Ｐｂ、ＭｇＷＯなどのタングステン酸塩系蛍光体、Ｙ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ、Ｌａ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ，Ｇｄ）₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ，Ｇｄ）₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ，Ｔｍなどのテルビウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体、ＹＰＯ₄：Ｔｂ、ＧｄＰＯ₄：Ｔｂ、ＬａＰＯ₄：Ｔｂなどのテルビウム賦活希土類燐酸塩系蛍光体、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ，Ｔｍ、ＬａＯＣｌ：Ｔｂ、ＬａＯＣｌ：Ｔｂ，Ｔｍ、ＧｄＯＢｒ：Ｔｂ、ＧｄＯＢｒ：Ｔｂ，Ｔｍ、ＧｄＯＣｌ：Ｔｂ、ＧｄＯＣｌ：Ｔｂ，Ｔｍなどのテルビウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＬａＯＢｒ：Ｔｍ、ＬａＯＣｌ：Ｔｍなどのツリウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＬａＯＢｒ：Ｇｄ、ＬｕＯＣｌ：Ｇｄなどのガドリニウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＧｄＯＢｒ：Ｃｅ、ＧｄＯＣｌ：Ｃｅ、（Ｇｄ，Ｙ）ＯＢｒ：Ｃｅ、（Ｇｄ，Ｙ）ＯＣｌ：Ｃｅなどのセリウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＢａＳＯ₄：Ｐｂ、ＢａＳＯ₄：Ｅｕ²⁺、（Ｂａ，Ｓｒ）ＳＯ₄：Ｅｕ²⁺などの硫酸バリウム系蛍光体、Ｂａ₃（ＰＯ₄）₂：Ｅｕ²⁺、（Ｂａ₂ＰＯ₄）₂：Ｅｕ²⁺、Ｓｒ₃（ＰＯ₄）₂：Ｅｕ²⁺、（Ｓｒ₂ＰＯ₄）₂：Ｅｕ²⁺などの２価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属燐酸塩系蛍光体、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ²⁺、ＢａＦＢｒ：Ｅｕ²⁺、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ²⁺，Ｔｂ、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ²⁺，Ｔｂ、ＢａＦ₂・ＢａＣｌ₂・ＫＣｌ：Ｅｕ²⁺、（Ｂａ，Ｍｇ）Ｆ₂・ＢａＣｌ₂・ＫＣｌ：Ｅｕ²⁺などの２価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＮａＩ、ＫＩ：Ｔｌなどの沃化物系蛍光体、ＺｎＳ：Ａｇ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｇなどの硫化物系蛍光体、ＨｆＰ₂Ｏ₇、ＨｆＰ₂Ｏ₇：Ｃｕ、Ｈｆ₃（ＰＯ₄）₄などの燐酸ハフニウム系蛍光体、ＹＴａＯ₄、ＹＴａＯ₄：Ｔｍ、ＹＴａＯ₄：Ｎｂ、（Ｙ，Ｓｒ）ＴａＯ₄：Ｎｂ、ＬｕＴａＯ₄、ＬｕＴａＯ₄：Ｔｍ、ＬｕＴａＯ₄：Ｎｂ、（Ｌｕ，Ｓｒ）ＴａＯ₄：Ｎｂ、ＧｄＴａＯ₄：Ｔｍ、Ｍｇ₄Ｔａ₂Ｏ₉：Ｎｂ、Ｇｄ₂Ｏ₃・Ｔａ₂Ｏ₅・Ｂ₂Ｏ₃：Ｔｂなどのタンタル酸塩系蛍光体、他に、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ³⁺、（Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ）₂Ｓｉ₂Ｏ₇：Ｅｕ、ＺｎＳｉＯ₄：Ｍｎ、Ｓｒ₂Ｐ₂Ｏ₇：Ｅｕ、などを用いることができる。

特に、Ｘ線吸収及び発光効率が高いことよりセシウムアイオダイド（ＣｓＩ：Ｔｌ）やガドリニウムオキシサルファイド（Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ）が好ましく、これらを用いることで、ノイズの低い高画質の画像を得ることができる。

また、セシウムアイオダイド（ＣｓＩ：Ｔｌ）については、柱状結晶構造のシンチレータ層を形成することが可能である。この場合、柱状結晶では光ガイド効果、すなわち結晶内での発光が柱状結晶の側面より外に放射されてしまうことを少なくできる効果を得られるので、鮮鋭性の低下を抑制することが可能であり、蛍光体層膜厚を厚くすることによりＸ線吸収が増加し粒状性を向上できる。

ただし、本発明に用いられる蛍光体はこれらに限定されるものではなく、放射線が入射されることによって可視又は紫外または赤外領域などの、受光素子が感度を持つ領域の光（電磁波）を出力する蛍光体であれば良い。また、本発明で用いられる蛍光体粒子の直径は７μｍ以下、好ましくは４μｍ以下である。蛍光体粒子の直径が小さいほどシンチレータ層内での光の散乱を防ぐことが可能となり、高い鮮鋭度を得られるからである。そして、この蛍光体粒子は以下のようなバインダーに分散される。例えば、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体、スチレン−ブタジエン共重合体、各種合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラニン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等があげられる。中でもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースを使用することが好ましい。このような好ましいバインダーを用いることで、蛍光体の分散性を高め、蛍光体の充填率を高くすることが可能となり、粒状性の向上に寄与するからである。

上記バインダー中に分散される蛍光体の重量含有量は９０〜９９％である。また本発明で用いられる第１の構成要素の厚さは、放射線画像の粒状性と鮮鋭性とのバランスから決定されるものであり、第１の構成要素が厚いと粒状性は良くなるが鮮鋭性は悪くなり、第１の構成要素が薄いと鮮鋭性は良くなるが粒状性は悪くなることから、例えば２０μｍから１ｍｍとする。また、良好な粒状性と鮮鋭性を得るために好ましくは５０μｍから３００μｍとする。

なお、本発明で用いられる蛍光体は一部を除き吸湿性であるので、環境の湿気に影響されないように封止することが好ましい。このため、例えば特開平１１−２２３８９０、特開平１１−２４９２４３、特開平１１−３４４５９８、特開２０００−１７１５９７に開示されている方法を用いることで、撮像パネル２１の全体を封止することができる。

次に、第１の構成要素２１１の放射線入射面側には、第１の構成要素で発生された光（電磁波）を電気エネルギーに変換して、この電気エネルギーに基づいた信号を出力する第２の構成要素２１２が形成される。

図５は、第２の構成要素の詳細の一例を示しており、第２の構成要素２１２は、第１の構成要素２１１側から、隔膜２１２ａ、透明電極膜２１２ｂ、正孔伝導層２１２ｃ、電荷発生層２１２ｄ、電子伝導層２１２ｅ、導電層２１２ｆが設けられている。ここで、電荷発生層２１２ｄは、光電変換可能な即ち電磁波（光）によって電子や正孔を発生し得る有機化合物を含有するものであり、光電変換を円滑に行うために、いくつかの機能分離された層を有することが好ましい。

隔膜２１２ａは、第１の構成要素２１１と他の層を分離するためのものであり、例えばOxi-nitrideなどが用いられる。透明電極膜２１２ｂは、例えばインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ₂、ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いて形成される。この透明電極膜２１２ｂの形成では、蒸着やスパッタリング等の方法を用いて薄膜を形成できる。また、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいは高いパターン精度を必要としない場合（１００μｍ以上程度）は、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この透明電極は透過率を１０％より大きくすることが望ましく、またシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。膜厚が薄い場合には透明電極がアイランド状になってしまうからであり、膜厚が厚い場合には透明電極の形成に時間を要してしまうからである。

電荷発生層２１２ｄでは、第１の構成要素２１１から出力された電磁波（光）によって電子と正孔を発生される。ここで発生した正孔は正孔伝導層２１２ｃに集められ、電子は電子伝導層２１２ｅに集められる。なお、本構造において、正孔伝導層２１２ｃと電子伝導層２１２ｅは必ずしも必須なものではない。

導電層２１２ｆは、例えばクロムなどで生成されている。また、一般の金属電極若しくは前記透明電極の中から選択可能であるが、良好な特性を得るためには仕事関数の小さい（４．５ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましい。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類全属などが挙げられる。この導電層２１２ｆは、これらの電極物質を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて生成できる。また、導電層２１２ｆのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲で選ばれる。膜厚が薄い場合には導電層がアイランド状になってしまうからであり、膜厚が厚い場合には導電層の形成に時間を要してしまうからである。

次に、上述の正孔伝導層２１２ｃ，電荷発生層２１２ｄそして電子伝導層２１２ｅについて詳述する。電荷発生層２１２ｄは、いわゆる有機ＥＬ素子の構成を適用することができ、前記有機ＥＬ素子はその構成材料が低分子系のものでも高分子系のもの（ライトエミッティングポリマーとも言う）でもよい。本発明の電荷発生層２１２ｄで用いる光電変換可能な材料としては、導電性高分子材料（π共役系高分子材料やシリコン系高分子材料など）や低分子系有機ＥＬ素子に使用される発光材料等が挙げられる。例えば導電性高分子材料としては、ポリ（２−メトキシ、５−（２’エチルヘキシロキシ）−ｐ−フェニレンビニレン）そしてポリ（３−アルキルチオフェン）、などがある。また「有機ＥＬ材料とディスプレイ（２００１年２月２８日株式会社シー・エム・シー発行）」の第１９０頁〜第２０３頁に記載されている化合物や、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第８１頁〜第９９頁に記載されている化合物などが挙げられる。前記低分子系有機ＥＬ素子に使用される発光材料としては、例えば、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第３６頁〜第５６頁に記載されている化合物や、「有機ＥＬ材料とディスプレイ（２００１年２月２８日株式会社シー・エム・シー発行）」の第１４８頁〜第１７２頁に記載されている化合物等が挙げられる。本発明において、光電変換可能な有機化合物として特に好ましいものは導電性高分子化合物であり、最も好ましいものはπ共役系高分子化合物である。ここで、図６は導電性高分子化合物の基本骨格、図７〜図９はπ共役系高分子化合物の具体例、図１０はπ共役系以外の導電性高分子化合物の具体例を示している。なお、導電性高分子材料や低分子系有機ＥＬ素子は上述のものに限定されるものではない。

さらに、電荷発生層２１２ｄに変換効率や電極へのキャリア受け渡し効率を向上させるために添加剤を加えてもよい。また該添加剤を別の層として設けて正孔伝導層２１２ｃと電子伝導層２１２ｅを形成する。添加剤としては、有機ＥＬ素子で使用される正孔注入材料や正孔輸送材料，電子輸送材料，電子注入材料等を適用することができる。その具体例としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、キノキサリン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体（例えばトリス（８−キノリノラート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリトラート）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリラート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリラート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリラート）アルミニウム、ビス（８−キノリラート）亜鉛（Ｚｎｑ２）など）である。

また、第２の構成要素２１２において、π共役系高分子化合物を用いる正孔伝導層２１２ｃ，電荷発生層２１２ｄそして電子伝導層２１２ｅには、複数のπ共役高分子化合物間でのキャリア授受やキャリアトラップを行う目的で、フラーレンやカーボンナノチューブのような立体的なπ電子雲を有する化合物を添加することが好ましい。

これらの化合物は、例えばフラーレンＣ−６０，フラーレンＣ−７０，フラーレンＣ−７６，フラーレンＣ−７８，フラーレンＣ−８４，フラーレンＣ−２４０，フラーレンＣ−５４０，ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブ、多層ナノチューブ（Multi Walled Nanotube）、単層ナノチューブ（Single Walled Nanotube）である。さらに、フラーレンやカーボンナノチューブは溶剤への相溶性を付与する目的で置換基を導入してもよい。

さらに、第２の構成要素２１２では、電荷発生層２１２ｄで生成された電気エネルギーを画素毎に蓄えるコンデンサ２２１と、蓄えられた電気エネルギーを信号として出力するためのスイッチング素子であるトランジスタ２２２が、放射線の入射面側に形成されている。なお、第２の構成要素２１２では、例えば蓄えられた電気エネルギーのエネルギーレベルに応じた信号を生成して出力する素子を設けることもできる。

トランジスタ２２２は、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いるものとする。このＴＦＴは、液晶ディスプレイ等に使用されている無機半導体系のものでも、有機半導体を用いたものでも良く、好ましくはプラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴである。プラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴとしては、アモルファスシリコン系のものが知られているが、その他、米国Alien Technology社が開発しているＦＳＡ（Fluidic Self Assembly）技術、即ち、単結晶シリコンで作製した微小ＣＭＯＳ（Nanoblocks）をエンボス加工したプラスチックフィルム上に配列させることで、フレキシブルなプラスチックフィルム上にＴＦＴを形成するものとしても良い。さらに、Science283,822(1999)やAppl.Phys.Lett,771488(1998)、Nature,403,521(2000)等の文献に記載されているような有機半導体を用いたＴＦＴであってもよい。

このように、本発明に用いられるスイッチング素子としては、上記ＦＳＡ技術で作製したＴＦＴ及び有機半導体を用いたＴＦＴが好ましく、特に好ましいものは有機半導体を用いたＴＦＴである。この有機半導体を用いてＴＦＴを構成すれば、シリコンを用いてＴＦＴを構成する場合のように真空蒸着装置等の設備が不要となり、印刷技術やインクジェット技術を活用してＴＦＴを形成できるので、製造コストが安価となる。さらに、加工温度を低くできることから熱に弱いプラスチック基板上にも形成できる。

また、有機半導体を用いたＴＦＴの内、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）が特に好ましく、具体的には図１１Ａ〜図１１Ｃに示す構造の有機ＴＦＴが好ましい。図１１Ａに示す有機ＴＦＴは、基板上にゲート電極，ゲート絶縁層，ソース・ドレイン電極，有機半導体層を順に形成したものである。図１１Ｂに示す有機ＴＦＴは、基板上にゲート電極，ゲート絶縁層，有機半導体層，ソース・ドレイン電極を順に形成したものであり、図１１Ｃに示す有機ＴＦＴは、有機半導体単結晶上にソース・ドレイン電極，ゲート絶縁層，ゲート電極を順に形成したものである。

有機半導体層を形成する化合物は、単結晶材科でもアモルファス材料でもよく、低分子でも高分子でもよいが、特に好ましいものとしては、ペンタセンやトリフェニレン、アントラセン等に代表される縮環系芳香族炭化水素化合物の単結晶や、前記π共役系高分子が挙げられる。

ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極は、金属でも導電性無機化合物でも導電性有機化合物でも何れでもよいが、作製の容易さの観点から導電性有機化合物であることが好ましく、その代表例としては、前記π共役系高分子化合物にルイス酸（塩化鉄、塩化アルミニウム、臭化アンチモン等）やハロゲン（ヨウ素や臭素など）、スルホン酸塩（ポリスチレンスルホン酸のナトリウム塩（ＰＳＳ）、ｐ−トルエンスルホン酸カリウム等）などをドープしたものが挙げられ、具体的にはＰＥＤＯＴにＰＳＳを添加した導電性高分子が代表例として挙げられる。有機ＴＦＴの具体例としては、図１２で示したものが挙げられる。

スイッチング素子であるトランジスタ２２２には、図３及び図５に示すように、第２の構成要素２１２で生成された電気エネルギーを蓄積するとともに、コンデンサ２２１の一方の電極となる収集電極２２０が接続されている。このコンデンサ２２１には第２の構成要素２１２で生成された電気エネルギーが蓄積されるとともに、この蓄積された電気エネルギーはトランジスタ２２２を駆動することで読み出される。すなわちスイッチング素子を駆動することで放射線画像を画素毎の信号を生成することができる。なお図５において、トランジスタ２２２は、ゲート電極２２２ａ、ソース電極（ドレイン電極）２２２ｂ、ドレイン電極（ソース電極）２２２ｃ、有機半導体層２２２ｄ、絶縁層２２２ｅで構成されている。

支持体２１４は、撮像パネル２１の基板である。この支持体２１４として好ましく用いられる基板は、プラスチックフィルムであり、プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。

更にこれらのプラスチックフィルムには、トリオクチルホスフェートやジブチルフタレート等の可塑剤を添加してもよく、ベンゾトリアゾール系やベンゾフェノン系等の公知の紫外線吸収剤を添加してもよい。また、テトラエトキシシラン等の無機高分子の原料を添加し、化学触媒や熱、光等のエネルギーを付与することにより高分子量化する、いわゆる有機−無機ポリマーハイブリッド法を適用して作製した樹脂を原料として用いることもできる。

更に支持体２１４の第３の構成要素側の面とは反対面側に、電源部３４例えばマンガン電池、ニッケル・カドミウム電池、水銀電池、鉛電池などの一次電池、充電可能な二次電池を設けるものとしても良い。この電池の形態としては、放射線画像検出器を薄型化できるように平板状の形態が好ましい。

また、撮像パネル２１では、信号線２２４-1〜２２４-nに、例えばドレイン電極が接続された初期化用のトランジスタ２３２-1〜２３２-nが設けられている。このトランジスタ２３２-1〜２３２-nのソース電極は接地されている。また、ゲート電極はリセット線２３１と接続される。

撮像パネル２１の走査線２２３-1〜２２３-mとリセット線２３１は、図３に示すように走査駆動回路２５と接続されている。走査駆動回路２５から走査線２２３-1〜２２３-mのうちの１つ走査線２２３-p（pは1〜mのいずれかの値）に読出信号ＲＳが供給されると、この走査線２２３-pに接続されたトランジスタ２２２-(p,1)〜２２２-(p,n)がオン状態とされて、コンデンサ２２１-(p,1)〜２２１-(p,n)に蓄積された電気エネルギーが信号線２２４-1〜２２４-nにそれぞれ読み出される。信号線２２４-1〜２２４-nは、信号選択回路２７の信号変換器２７１-1〜２７１-nに接続されており、信号変換器２７１-1〜２７１-nでは信号線２２４-1〜２２４-n上に読み出された電気エネルギー量に比例する電圧信号ＳＶ-1〜ＳＶ-nを生成する。この信号変換器２７１-1〜２７１-nから出力された電圧信号ＳＶ-1〜ＳＶ-nはレジスタ２７２に供給される。

レジスタ２７２では、供給された電圧信号が順次選択されて、Ａ／Ｄ変換器２７３で（例えば、１２ビットないし１４ビットの）１つの走査線に対するデジタルの画像信号とされ、制御回路３０は、走査線２２３-1〜２２３-m各々に、走査駆動回路２５を介して読出信号ＲＳを供給して画像走査を行い、走査線毎のデジタル画像信号を取り込んで、放射線画像の画像信号の生成を行う。この画像信号は制御回路３０に供給される。なお、走査駆動回路２５からリセット信号ＲＴをリセット線２３１に供給してトランジスタ２３２-1〜２３２-nをオン状態とするとともに、走査線２２３-1〜２２３-mに読出信号ＲＳを供給してトランジスタ２２２-(1,1)〜２２２-(m,n)をオン状態とすると、コンデンサ２２１-(1,1)〜２２１-(m,n)に蓄えられた電気エネルギーがトランジスタ２３２-1〜２３２-nを介して放出して、撮像パネル２１の初期化を行うことができる。

ところで、上述の撮像パネル２１では、第１の構成要素２１１で放射線の強度に応じて出力された光のうち、第２の構成要素２１２に向かう光が電気エネルギーに変換されものであり、出力された光を有効に活用することができない。そこで、出力された光を有効に活用できる撮像パネルの構成を図１３に示す。

撮像パネル７１は、第１の構成要素２１１の放射線入射面側に第２の構成要素２１２を設けると共に、第１の構成要素２１１の放射線入射面側とは逆面側にも新たな第２の構成要素２１２-2を設けるものとする。このように、第１の構成要素２１１の両面に第２の構成要素２１２，２１２-2を設けることにより、第１の構成要素２１１で放射線の強度に応じて出力された光が有効に活用されて、感度を高めることができる。さらに、第２の構成要素２１２-2の第１の構成要素２１１側とは逆面側に新たな支持体２１４-2を設けるものとすれば、放射線入射側の支持体２１４の厚さを薄くしても撮像パネル２１の機械的強度を確保することが可能となる。このため、支持体２１４の厚さを薄くして感度を高めることができると共に、放射線画像の画質を向上させることができる。また、支持体２１４-2は樹脂だけでなくガラスを用いることもできる。ここで、支持体２１４-2としてガラスを用いる場合、支持体２１４が設けられているため薄いガラスを用いても機械的強度を確保できる。

また、図１４に示すように、樹脂で構成された支持体２１４の放射線入射面側に新たな第２の構成要素２１２-3を設けると共に、第２の構成要素２１２-3の放射線入射面側に新たな第１の構成要素２１１-2を設けることで、撮像パネル８１を構成するものとしても良い。この場合、放射線の強度に応じて第１の構成要素２１１-2から光が出力されると共に、この光に基づいて第２の構成要素２１２-3から信号が出力されるので、感度を高くすることができると共に画質を向上させることができる。ここで、第１の構成要素２１１，２１１-2は、同じ素材を用いるものとしても良く異なる素材を用いるものとしても良い。例えば、異なる素材を用いるものとした場合、放射線入射側の第１の構成要素２１１-2は、柱状結晶のセシウムアイドダイト、第１の構成要素２１１はガドリニウムオキシサルファイドなどを用いるものとする。また、同一素材を用いるときには、放射線入射側の第１の構成要素２１１-2の厚さを他方の第１の構成要素２１１よりも薄くすることが好ましい。

ところで、第２の構成要素は、図１５に示すように、光電変換が行われないスイッチング素子部分（面積ＭＡ）と光電変換が行われる光電変換部分（面積ＭＢ）を有している。なお、光電変換可能部分と光電変換を行わないスイッチング素子部分との面積比率はフィルファクタ（Fill Factor）ＦＣと呼ばれており、式（１）に基づいて算出される。
ＦＣ(%)＝［ＭＢ／（ＭＡ＋ＭＢ）］×１００ ・・・（１）

ここで、２つの第２の構成要素を用いる場合には、図１６に示すように光電変換が行われない部分の重なりが生じないように２つの構成要素を設けるものとすると、一方の第２の構成要素におけるスイッチング素子部分の情報は、他方の第２の構成要素で得られることとなり、見かけ上のフィルファクタＦＣを１００％とすることができる。このため、入射した放射線が示す情報を欠落なく読み出すことが可能となり、信頼性の高い放射線画像情報を得られる。

図３に示すように、制御回路３０にはメモリ部３１や操作部３２が接続されており、操作部３２からの操作信号ＰＳに基づいて放射線画像検出器２０の動作が制御される。操作部３２は複数のスイッチが設けられており、操作部３２からのスイッチ操作に応じた操作信号ＰＳに基づき、撮像パネル２１の初期化や放射線画像の画像信号の生成が行われる。また放射線画像の画像信号の生成は、放射線発生器１０から放射線照射終了信号がコネクタ３５を介して供給されたときに行うものとすることもできる。さらに、生成した画像信号をメモリ部３１に記憶させる処理等も行う。

ここで、図２に示すように、放射線画像検出器２０に電源部３４を設けるとともに放射線画像の画像信号を記憶するメモリ部３１を設け、コネクタ３５を介して放射線画像検出器２０を着脱自在にすれば、放射線画像検出器２０を持ち運びできるシステムを構築できる。さらに、不揮発性メモリを用いてメモリ部３１を着脱可能に構成すれば、放射線画像検出器２０と画像処理部５１を接続しなくとも、メモリ部３１を画像処理部５１に装着するだけで画像信号を画像処理部５１に供給できることから、更に放射線画像の撮影及び画像処理が容易となり、操作性を向上できる。なお、放射線画像検出器２０を据置き型として用いる場合には、コネクタ３５を介して電力の供給や画像信号の読み出しを行うことで、メモリ部３１や電源部３４を設けなくとも、放射線画像の画像信号を得られることは勿論である。また、メモリ部３１や電源部３４を図１３，１４に示すように撮像パネルの側面に設けるものとすれば、放射線画像検出を薄型化できる。

また、上述のように支持体２１４を樹脂で構成したことにより、ガラス基板を用いた従来の放射線画像検出器に比べて軽量化を図ることができる。また、支持体２１４を樹脂で構成したことにより、第２の構成要素２１２の一部を、分割されたシリコン積層構造の素子を用いたり有機半導体で形成できる。このため、ガラス基板を用いた従来の放射線画像検出器のように、シリコンを主体とする薄膜トランジスタをガラス基板上に形成する高価で特殊な製造装置を用いる必要がないことから、放射線画像検出器を安価に製造できる。

さらに第２の構成要素において、光を電気エネルギーに変換する部分は、光導電性高分子有機化合物並びにフラーレン若しくはカーボンナノチューブからなるものであることから、シリコンを用いる光半導体の製造装置を用いる必要がなく、この点に於いても放射線画像検出器を安価に製造できる。

１０ 放射線発生器
２０ 放射線画像検出器
２１，７１，８１ 撮像パネル
２５ 走査駆動回路
２７ 信号選択回路
３０ 制御回路
３１ メモリ部
３２ 操作部
３３ 表示部
３４ 電源部
３５ コネクタ
４０ 筐体
５１ 画像処理部
５２ 画像表示部
５３ 情報入力部
５４ 画像出力部
５５ 画像保存部
５６ コンピュータ支援画像自動診断部(ＣＡＤ)
２１１，２１１-b 第１の構成要素
２１２，２１２-2，２１２-3 第２の構成要素
２１２ａ 隔膜
２１２ｂ 透明電極膜
２１２ｃ 正孔伝導層
２１２ｄ 電荷発生層
２１２ｅ 電子伝導層
２１２ｆ 導電層
２１４，２１４-a 支持体
２２０ 収集電極
２２１ コンデンサ
２２２，２３２ トランジスタ
２２３ 走査線
２２４ 信号線
２３１ リセット線
２７１ 信号変換器
２７２ レジスタ
２７３ Ａ／Ｄ変換器

Claims (7)

1. 入射した放射線の強度に応じて光を出力する第１の構成要素と、
   前記第１の構成要素から出力された光を電気エネルギーに変換して、得られた前記電気エネルギーに基づく信号を出力する第２の構成要素と、
   前記第１の構成要素と前記第２の構成要素を保持する支持体と、
   前記第１の構成要素、前記第２の構成要素、及び前記支持体を収納する筐体と
   を有する可搬型放射線画像検出器であって、
   前記放射線の入射方向から、前記支持体、前記第２の構成要素、前記第１の構成要素の順に設置した
   ことを特徴とする可搬型放射線画像検出器。
2. 前記第１の構成要素の次に、新たな前記第２の構成要素と新たな前記支持体を順に設置した
   ことを特徴とする請求項１に記載の可搬型放射線画像検出器。
3. 前記支持体の前記放射線の入射側に新たな前記第２の構成要素を設置し、前記新たな第２の構成要素の前記放射線の入射側に新たな前記第１の構成要素を設置した
   ことを特徴とする請求項１に記載の可搬型放射線画像検出器。
4. 前記第２の構成要素は、前記第１の構成要素から出力された光を電気エネルギーに変換する光電変換手段と、
   前記光電変換手段で得られた前記電気エネルギーに基づく信号を出力する信号出力手段を有し、
   前記放射線の入射方向に対して、前記第２の構成要素の前記信号出力手段と新たな前記第２の構成要素の前記信号出力手段が、重なりを生じないように前記第２の構成要素と新たな前記第２の構成要素を設置した
   ことを特徴とする請求項２あるいは請求項３に記載の可搬型放射線画像検出器。
5. 前記第２の構成要素は、光電変換可能な光導電性高分子有機化合物にフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成した
   ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の可搬型放射線画像検出器。
6. 前記第２の構成要素は、有機半導体を用いて形成した
   ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の可搬型放射線画像検出器。
7. 前記第１の構成要素は、セシウムアイオダイド（ＣｓＩ：Ｔｌ）あるいはガドリニウムオキシサルファイド（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ）を用いて形成した
   ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の可搬型放射線画像検出器。

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