JP2009139972A - カセッテ型放射線画像検出器及び放射線画像検出システム - Google Patents

Abstract

【課題】画像データの送信ミスがなく、かつ早く転送でき、放射線画像の撮影の良否の確認を速く行なうことができる。
【解決手段】照射した放射線の強度に応じて２次元的に配列された複数の検出素子で画像データを生成して放射線画像の読み取りを行なう撮像パネルを有し、入射した放射線の画像データを出力するカセッテ型放射線画像検出器であって、画像データを記憶する記憶手段と、画像データから間引き画像データを作成する間引き画像データ作成手段と、間引き画像データを無線信号に変換して外部の信号受信機に転送する画像データ転送手段と、記憶手段に記憶された間引き前の画像データを、転送端子を介して接続された外部装置に転送する転送端子と、操作されたときに、記憶手段に記憶された間引き前の画像データを、転送端子を介して接続された外部装置に転送させる外部出力スイッチとを有する。
【選択図】図３

Description

この発明は、医療における放射線画像診断の産業分野に用いられ、特に診断目的に用いる放射線画像を得るためのカセッテ型放射線画像検出器及び放射線画像検出システムに関する。

従来、放射線画像を得る方法として、蛍光増感紙と放射線写真フィルムとを組み合わせた所謂スクリーンフイルムシステム（ＳＦシステム）が放射線画像形成に用いられている。このＳＦシステムでは、被写体を透過したＸ線等の放射線が蛍光増感紙に入射されると、蛍光増感紙に含まれる蛍光体が放射線のエネルギーを吸収して蛍光を発する。この発光により、蛍光増感紙に密着されるように重ね合わされた放射線写真フィルムが感光し、放射線写真フィルム上に放射線画像が形成される。

しかし、ＳＦシステムでは、撮影に用いる放射線写真フィルムと蛍光増感紙との感度領域を一致させて撮影を行う必要がある。また、放射線写真フィルムに対して化学的現像及び定着等の処理をしなければならず、放射線画像が得られるまでに時間を要してしまうとともに、使用した現像液や定着液が廃液となり環境上好ましいものではない。

また、ＳＦシステムはアナログ画像であり、デジタルネットワークシステムを利用する遠隔診断などを行うためには、ＳＦシステムによって得られた放射線画像の画像信号をデジタル信号に変換する作業等が必要となる。

このため、近年の放射線画像撮影システムにおいては、ＳＦシステムに代わってデジタル式Ｘ線画像診断装置であるコンピューテッドラジオグラフィ（ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ＦＰＤ）など、放射線画像のデジタル電気信号を取り出して放射線画像を得るシステムが登場している。このようなシステムでは、ＳＦシステムのように放射線フィルムを用いないので、現像処理などの煩雑なプロセスがなく、迅速に画像表示装置の画面上、例えば陰極管や液晶表示パネルなどの画面上に放射線画像を描くことができる。

また、医用画像診断分野では、コンピュータ断層撮影装置（ＣＴ）や核磁気共鳴断層撮影装置（ＭＲＩ）などデジタル放射線画像検出手段が近年多く用いられるようになっており、これらの画像とあわせてネットワーク上にのせることによって、遠隔診断などが簡便に行えるようになっている。

さらに、医療現場で用いられる放射線画像撮影システムは、「据置き型」と「カセッテ型」に分類できる。「据置き型」は、胸部や腹部などの撮影に主に用いられるもので、放射線画像検出器とその周辺機器が一体化しており、撮影室に常に設置した状態で撮影するものである。この場合、患者は放射線画像を撮影するとき、撮影室へ自ら足を運ぶこととなる。

一方「カセッテ型」の場合、例えばＳＦシステムでは蛍光増感紙と放射線フィルムが、平板状のカセッテと呼ばれる容器に収められて、身動きのできない重体な患者のベッドまでもっていって放射線画像撮影が行われる。即ち移動タイプの放射線発生装置とカセッテを、患者のベッドまで搬送し、患者が寝たままで放射線画像が撮影されるものである。例えば胸部撮影では、このカセッテ撮影が全体の胸部Ｘ線撮影の半数を占めると言われている。

ところで、デジタル放射線画像検出器であるＣＲはＳＦシステム同様にカセッテタイプの放射線画像検出器として使用できるが高価であり、またＳＦシステムほどの画質は得られていない。またＦＰＤにおいてはＳＦシステム同等以上の画質が得られるが、ＣＲ同様に高価であり、また軽量なカセッテタイプの放射線画像検出器を実現することが困難である。

このような放射線画像検出器は、コントローラ、またはＸ線源等がケーブル等の線で結ばれている。Ｘ線源はＸ線曝射の信号をコントローラを経由して放射線画像検出器に送り、読み出し開始のトリガとする。またコントローラは放射線画像検出器で読み取った信号を受け取り、これによりＸ線画像が得られ、放射線画像検出器とコントローラ、またはＸ線源等がケーブル等の線で結ばれているため、配線が邪魔で使い勝手が悪い。

また、配線を長くすることができないためコントローラが設置される近くでしか撮影することができないし、あるいは例えば病室等で撮影する場合にはコントローラを移動しなければならず使い勝手が悪い。

このため、この出願人は、無線で画像データを転送して配線が不要であり、またコントローラとは独立し、しかも離れた位置でも撮影可能で使い勝手がよいカセッテ型放射線画像検出器を提案した（例えば、特許文献１参照）。

特開２０００−３４７３３０号公報

ところで、放射線画像の撮影を行なう場合、撮影位置の確認などはなるべく早く行えると良い。また、再撮影などの場合、改めて放射線画像検出器のセッティングなどに時間を要するため、早く行なうには、撮影した画像データを無線などで転送することが考えられるが、大容量の画像データを転送するには時間がかかり、また、画像データの送信ミスなどがあると、診断に大きな影響を及ぼす等の問題がある。

この発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、画像データを早く転送でき、放射線画像の撮影の良否の確認を速く行なうことができるカセッテ型放射線画像検出器及び放射線画像検出システムを提供することを目的としている。

前記課題を解決し、かつ目的を達成するために、この発明は、以下のように構成した。

請求項１に記載の発明は、照射した放射線の強度に応じて２次元的に配列された複数の検出素子で画像データを生成して放射線画像の読み取りを行なう撮像パネルを有し、入射した放射線の画像データを出力するカセッテ型放射線画像検出器であって、
前記画像データを記憶する記憶手段と、
前記画像データから間引き画像データを作成する間引き画像データ作成手段と、
前記間引き画像データを無線信号に変換して外部の信号受信機に転送する画像データ転送手段と、
前記記憶手段に記憶された間引き前の画像データを、転送端子を介して接続された外部装置に転送する転送端子と、
操作されたときに、前記記憶手段に記憶された間引き前の画像データを、前記転送端子を介して接続された外部装置に転送させる外部出力スイッチとを有することを特徴とするカセッテ型放射線画像検出器である。

この請求項１に記載の発明によれば、外部出力スイッチが操作されたときに、記憶手段に記憶された間引き前の画像データを、転送端子を介して接続された外部装置に転送する。間引き画像は画像データ量が少ないので早く転送でき、かつ撮影した画像の良否確認のために使用するので画像データの転送ミスが多少あっても問題ない。全画像データは、信号線または着脱可能なメモリを介して転送するので、データに損失がない。

請求項２に記載の発明は、前記間引き画像データ作成手段で作成された間引き画像データを表示する表示部を備えることを特徴とする請求項１に記載のカセッテ型放射線画像検出器である。

この請求項２に記載の発明によれば、間引き画像データで、撮影がうまくいったかの確認を確実に行なうことができ、しかも間引き画像データは画像データ量が少ないので、表示部は小さくても良い。

請求項３に記載の発明は、前記撮影の位置が所定位置か否かを自動的に判別する撮影位置判別手段と、前記判別した撮影の位置が所定位置でない場合警告する報知手段とを備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のカセッテ型放射線画像検出器である。

この請求項３に記載の発明によれば、撮影ミスを容易に知らせることができる。

請求項４に記載の発明は、前記記憶手段に記憶された間引き前の前記画像データを保存可能なメモリが着脱可能なメモリ装填部を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のカセッテ型放射線画像検出器である。
この請求項４に記載の発明によれば、間引き前の画像データの全部をメモリに保存することができる。

請求項５に記載の発明は、前記画像データ転送手段は、赤外線を使用した無線信号で前記間引き画像データを転送することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のカセッテ型放射線画像検出器である。

この請求項５に記載の発明によれば、転送する無線が赤外線であり、間引き画像データの損失がないように効率よく転送することができる。

請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のカセッテ型放射線画像検出器と、前記カセッテ型放射線画像検出器で撮影するために放射線を照射するＸ線発生装置と、前記画像データ転送手段から転送された無線信号を受信する信号受信機と、を備えることを特徴とする放射線画像検出システムである。

この請求項６に記載の発明によれば、間引き画像データを無線信号に変換して外部の信号受信機に転送する。間引き画像は画像データ量が少ないので早く転送でき、かつ撮影した画像の良否確認のために使用するので画像データの転送ミスが多少あっても問題ない。全画像データは、信号線または着脱可能なメモリを介して転送するので、データに損失がない。

請求項７に記載の発明は、前記転送端子から転送された間引き前の画像データを受信する第２の転送端子と、前記信号受信機で受信された間引き画像データを表示する表示部を有し、前記カセッテ型放射線画像検出器に制御信号を送信するコントローラを備えることを特徴とする請求項６に記載の放射線画像検出システムである。

この請求項７に記載の発明によれば、コントローラは撮影時に、カセッテ型放射線画像検出器の近くにあるので、無線信号が正確に転送される。

請求項８に記載の発明は、前記カセッテ型放射線画像検出器は、前記コントローラに装着して前記記憶手段に記憶された間引き前の画像データを転送可能であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の放射線画像検出システムである。

この請求項８に記載の発明によれば、記憶手段に記憶された間引き前の画像データは、画像データの損失がないように、無線では転送しないで、簡単かつ確実に転送することができる。

請求項９に記載の発明は、前記Ｘ線発生装置に前記信号受信機を備えることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の放射線画像検出システムである。

この請求項９に記載の発明によれば、Ｘ線発生装置に信号受信機を備え、撮影時に撮影位置の確認を容易にでき、撮影ミス時に再撮影を容易に行なうことができる。

請求項１０に記載の発明は、前記Ｘ線発生装置のＸ線管球に前記受信機を備えることを特徴とする請求項９に記載の放射線画像検出システムである。

この請求項１０に記載の発明によれば、Ｘ線発生装置のＸ線管球に信号受信機を備え、撮影時に撮影位置の確認を容易にでき、撮影ミス時に再撮影を容易に行なうことができる。

請求項１１に記載の発明は、前記Ｘ線発生装置本体に前記信号受信機を備えることを特徴とする請求項９に記載の放射線画像検出システムである。

この請求項１１に記載の発明によれば、Ｘ線発生装置本体に信号受信機を備え、撮影時に撮影位置の確認を容易にでき、撮影ミス時に再撮影を容易に行なうことができる。

請求項１２に記載の発明は、前記信号受信機は、前記カセッテ型放射線画像検出器を用いて撮影する部屋に１個以上装備されることを特徴とする請求項６乃至請求項１１のいずれか１項に記載の放射線画像検出システムである。

この請求項１２に記載の発明によれば、信号受信機は、カセッテ型放射線画像検出器を用いて撮影する部屋に１個以上装備され、撮影室、病室等どこで撮影しても、すぐに画像を転送して放射線画像の撮影の良否の確認を速く行なうことができる。

前記したように、請求項１に記載の発明では、外部出力スイッチが操作されたときに、記憶手段に記憶された間引き前の画像データを、転送端子を介して接続された外部装置に転送する。間引き画像データを無線信号に変換して外部の信号受信機に転送することで、間引き画像は画像データ量が少ないので早く転送でき、かつ撮影した画像の良否確認のために使用するので画像データの転送ミスが多少あっても問題なく、全画像データは、信号線または着脱可能なメモリを介して転送するので、データに損失がない。

請求項２に記載の発明では、間引き画像データで、撮影がうまくいったかの確認を確実に行なうことができ、しかも間引き画像データは画像データ量が少ないので、表示部は小さくても良い。

請求項３に記載の発明では、撮影ミスを容易に知らせることができる。

請求項４に記載の発明では、間引き前の画像データの全部をメモリに保存することができる。

請求項５に記載の発明では、転送する無線が赤外線であり、間引き画像データの損失がないように効率よく転送することができる。

請求項６に記載の発明では、間引き画像データを無線信号に変換して外部の信号受信機に転送し、間引き画像は画像データ量が少ないので早く転送でき、かつ撮影した画像の良否確認のために使用するので画像データの転送ミスが多少あっても問題なく、全画像データは、信号線または着脱可能なメモリを介して転送するので、データに損失がない。

請求項７に記載の発明では、コントローラは撮影時に、カセッテ型放射線画像検出器の近くにあるので、無線信号が正確に転送される。

請求項８に記載の発明では、記憶手段に記憶された間引き前の画像データは、画像データの損失がないように、無線では転送しないで、簡単かつ確実に転送することができる。

請求項９に記載の発明では、Ｘ線発生装置に信号受信機を備え、撮影時に撮影位置の確認を容易にでき、撮影ミス時に再撮影を容易に行なうことができる。

請求項１０に記載の発明では、Ｘ線発生装置のＸ線管球に信号受信機を備え、撮影時に撮影位置の確認を容易にでき、撮影ミス時に再撮影を容易に行なうことができる。

請求項１１に記載の発明では、Ｘ線発生装置本体に信号受信機を備え、撮影時に撮影位置の確認を容易にでき、撮影ミス時に再撮影を容易に行なうことができる。

請求項１２に記載の発明では、信号受信機は、カセッテ型放射線画像検出器を用いて撮影する部屋に１個以上装備され、撮影室、病室等どこで撮影しても、すぐに画像を転送して放射線画像の撮影の良否の確認を速く行なうことができる。

カセッテ型放射線画像検出器の一部を破断した構造を示す斜視図である。 薄型のバッテリを内蔵したカセッテ型放射線画像検出器の一部を破断した構造を示す斜視図である。 カセッテ型放射線画像検出器の概略構成を示すブロック図である。 操作パネルの一例を示す図である。 撮像パネルの構成を示す図である。 撮像パネルの一部断面図を示す図である。 導電性高分子化合物の基本骨格を示す図である。 π共役系高分子化合物の具体例（その１）を示す図である。 π共役系高分子化合物の具体例（その２）を示す図である。 π共役系高分子化合物の具体例（その３）を示す図である。 π共役系以外の導電性高分子化合物の具体例を示す図である。 有機ＴＦＴの構造を示す図である。 有機ＴＦＴの具体例を示す図である。 撮像パネルからのグリッドの着脱状態を示す図である。 カセッテ型放射線画像検出器の着脱状態を示す図である。 カセッテ型放射線画像検出器の他の着脱状態を示す図である。 カセッテ型放射線画像検出器をカセッテ棚に装着する状態を示す図である。 カセッテ型放射線画像検出器を外部コントローラに装着する状態を示す図である。 放射線画像検出システムの実施の形態を示す図である。 放射線画像検出システムの他の実施の形態を示す図である。 放射線画像検出システムの他の実施の形態を示す図である。

次に、この発明のカセッテ型放射線画像検出器及び放射線画像検出システムの実施の一形態について図を用いて詳細に説明するが、この発明の構成はこの実施の形態の説明または図面に示したものに限られるものではない。

図１はカセッテ型放射線画像検出器の一部を破断した構造を示す斜視図、図２は薄型のバッテリを内蔵したカセッテ型放射線画像検出器の一部を破断した構造を示す斜視図である。

この実施の形態のカセッテ型放射線画像検出器１は、ベース板２にケース板３を取り付けて筐体４が構成され、カセッテとして携帯可能になっている。筐体４のケース板３には、グリッド６が取り付けられ、グリッド６により散乱放射線を除去する。さらに、筐体４のケース板３には、表示部８及び操作部９が配置されている。

また、筐体４の内部に、撮像パネル１０、記憶部１４及び電力供給手段を構成するバッテリ１６が内蔵されている。撮像パネル１０には、走査駆動回路１１、信号選択回路１２が含まれる。図１の実施の形態では、ブロック状のバッテリ１６が制御部１３に近接して配置され、筐体４の端部から引き出して交換可能になっている。

図２の実施の形態では、撮像パネル１０、記憶部１４、プレート状のバッテリ１６が積層構造であり、プレート状のバッテリ１６が薄型で筐体４の側部から引き出して交換可能になっている。図２の実施の形態では、バッテリ１６を積層構造とすることで、制御部１３の配置スペースが確保され、筐体４の幅方向に表示部８と操作部９とを並べて配置でき、その分カセッテ型放射線画像検出器１を小型にでき、あるいは撮像パネル１０を大型にすることができる。

操作部９には、電源スイッチ１９、切替スイッチ１７、操作パネル１８、外部出力スイッチ２０及び操作キー９ａが配置されている。

表示部８は、操作部９と近接して配置され、画像、操作情報及び警告等が表示される。

また、筐体４の側部には、コネクタ２１が設けられ、このコネクタ２１は電源供給端子２１ａと転送端子２１ｂとを有する。コネクタ２１には、コネクタ２２が接続可能であり、コネクタ２２は電源供給端子２２ａと転送端子２２ｂとを有する。コネクタ２１にコネクタ２２を接続することによって、電源供給端子２１ａと電源供給端子２２ａが接続され、転送端子２１ｂと転送端子２２ｂが接続され、外部より電力供給可能で、また情報の転送を行なうことができる。また、１本のケーブル２３を介してコントローラ２５とカセッテ型放射線画像検出器１とが連結し、ケーブル２３でコントローラ２５と接続したままでも使用可能である。このケーブル２３に画像データの全部を転送する着脱可能な信号線２０１が設けられている。

このカセッテ型放射線画像検出器１は、電源供給端子２１ａと電源供給端子２２ａを介して外部より電力供給してバッテリ１６に充電して使用するが、電力供給する状態で使用可能である。また、転送端子２１ｂと転送端子２２ｂは、画像データを転送し、また外部より少なくとも出力指令またはＩＤ情報を転送し、ケーブル２３でコントローラ２５と接続したままでも使用可能である。

また、この実施の形態のカセッテ型放射線画像検出器１は、コネクタ２１とコネクタ２２とを接続しないで、操作部９の切替スイッチ１７の操作により放射線検出と読取開始を行なうことができ、配線が不要である。このように、カセッテ型放射線画像検出器１は、コントローラ２５とは独立し、しかも離れた位置でも撮影可能で使い勝手がよい。

さらに、この実施の形態では、外部出力スイッチ２０の操作で、画像データの転送先から自動的に画像を外部出力機に出力させ、このように外部出力制御手段はスイッチにより構成される。

また、筐体４には、Ｘ線源とカセッテ間距離を計測する距離センサ２７が設けられているが、Ｘ線源側に設けてもよい。この距離センサ２７は、赤外線センサ、超音波センサ等が用いられる。また、この実施の形態のカセッテ型放射線画像検出器１には、人が乗る場合もあるので、外側の筐体４は丈夫な材料で作らなくてはならない。また、カセッテの筐体４内の撮像パネル１０が壊れないように、筐体４内に弾性部材等の振動・衝撃の吸収剤を設けるようにしてもよい。
図３はカセッテ型放射線画像検出器の概略構成を示すブロック図である。

この実施の形態のカセッテ型放射線画像検出器１は、撮像パネル１０が照射された放射線の強度に応じて画像データを生成して放射線画像の読み取りを行なう。

操作部９に配置されている電源スイッチ１９の投入で、バッテリ１６から電力を各所に供給し、撮影終了後は電源スイッチ１９を切って省電力する。また、電源スイッチ１９は、撮像パネル１０の放射線画像の読み取りが一定時間以上行なわれないときは自動的に電源が切れ、省電力する。

バッテリ１６から操作部９、撮像パネル１０、制御部１３、表示部８、記憶部１４及びデータ転送部２４に電力が供給される。バッテリ１６の充電電圧を電圧検出手段１５ｂにより検出し、この充電電圧情報を制御部１３に送る。

切替スイッチ１７は、切替手段１７ａを構成し、放射線検出手段１７ａ１と読取開始手段１７ａ２のうちどちらの手段かを切り替え、切替信号を制御部１３に送る。放射線検出手段１７ａ１が選択された場合には、放射線の検出後に自動的に読取を開始する。例えばスイッチである読取開始手段１７ａ２が選択された場合には、放射線照射後、スイッチを走査することにより読取が開始される。

操作パネル１８は、画像データの処理内容を設定し、この操作パネル１８により画像データの処理内容を設定する。操作パネル１８は、各種処理内容を設定することができるものであればどのようなものであってもよく、必ずしも平板状のパネルに限定されるものではない。また、操作パネル１８の操作方式としては、カーソル移動方式、キー入力方式等どのような方式のものであってもよい。また、画像データの処理内容は、コントローラなどの外部装置において設定しても良い。

この操作パネル１８の一例を図４に示す。カセッテ型放射線画像検出器１には、操作パネル１８と表示部８を構成する液晶パネル８０が設けられる。操作パネル１８には、例えば上下左右の４方向指定が可能なカーソルキー１８ａ，１８ｂが設けられている。カーソルキー１８ａは、画像データに対する画像処理の方法やパラメータ或いは付帯データの処理内容を設定するためのものであり、カーソルキー１８ｂは、画像データや付帯データの転送に関する処理内容を設定するためのものである。１つのカーソルキーを設け、カーソルキー１８ａ，１８ｂを兼用した構成としてもよい。なお、カーソル方式用ではなく、キー入力方式用のボタンを設けてもよい。液晶パネル８０には、操作パネル１８におけるキー操作の内容や、この操作の内容にしたがって処理された画像データに基づく画像が画像表示手段８ａを介して表示される。

外部出力スイッチ２０は、外部出力制御手段２０ａを構成し、外部出力制御手段２０ａからの指令を制御部１３に送る。制御部１３の制御手段１３ａは外部出力制御手段２０ａからの指令に基づき、データ転送部２４を介して画像データをコントローラ２５に送り、この後自動的に外部出力機１０１から画像を出力させる。

外部出力スイッチ２０を例えば所定のタイミングで押すと、対応する画像データはコントローラ２５に転送後、自動的に外部出力機１０１に画像を出力することができる。このように画像データがコントローラ２５に送られた後、自動的に画像を外部出力機１０１に出力させるから使用に便利であり、また改めて画像データをコントローラ２５から外部出力機１０１に出力する操作をする必要がない。

また、このカセッテ型放射線画像検出器１は、画像データを無線信号２００に変換して外部の信号受信機１００に転送する画像データ転送手段２４ａを有し、この画像データ転送手段２４ａは、画像データを波長１００ｎｍから１ｍｍの光信号に変換し、好ましくは、波長１μｍから１ｍｍの赤外線の光信号に変換して外部の信号受信機１００に転送する。このように画像データ転送手段２４ａにより画像データを無線信号２００に変換して外部の信号受信機１００に効率よく転送し、さらにコントローラ２５に転送される。このため、配線が不要であり、離れた位置でも撮影可能で使い勝手がよく、かつ画像データの損失がないように効率よく転送することができる。

さらに、表示部８には、画像データをコントローラ２５に転送したかどうかを表示する転送表示手段８ｂが設けられ、この転送表示手段８ｂに画像データをコントローラ２５に転送したかどうかを表示することで、転送の確認が容易で使用に便利である。記憶手段１４ａには、予め別のところで入力された（読み取られた）ＩＤ情報が記憶されており、 そのＩＤ情報に画像を出力する旨入力されているときは、画像データがコントローラ２５に転送後、外部出力機１０１から画像が出力される。また、画像を出力するかしないかの情報（命令情報）は、必ずしもカセッテがもっている必要はなく、コントローラ２５がもっていてもよい。

また、表示部８にはバッテリ１６の充電状態を表示する充電状態表示手段８ｃが設けられている。充電状態表示手段８ｃに充電状態を表示することで、充電状態を目視で容易に知ることができ、電力不足で使用不能になることが回避される。充電状態表示手段８ｃは、電圧検出手段１５ｂからの充電電圧値に基づきバッテリ１６の充電電圧が所定以下のときは警告するようにしてもよく、例えば電源電圧が不十分のときは、点滅やブザー等で警告することで、確実に充電不足を事前に知らせることができる。

記憶部１４には記憶手段１４ａが設けられ、この記憶手段１４ａには、撮像パネル１０の信号選択回路１２から読み取られた画像データが記憶される。

制御部１３は、制御手段１３ａ、画像処理手段１３ｂ、画像欠陥補正手段１３ｃ、間引き画像データ作成手段１３ｅ、撮影位置判別手段１３ｆ及び表示制御手段１３ｄを有する。制御手段１３ａは、撮像パネル１０、表示部８、記憶部１４及びデータ転送部２４等を制御する。

制御手段１３ａは、操作部９の例えば画像確認用の操作キー９ａが操作されたときに、制御手段１３ａにより記憶手段１４ａに記憶された画像データを読み出し、画像表示手段８ａに処理前あるいは処理後の放射線画像を表示する。このように画像データを読み出して画像表示手段８ａに放射線画像を表示するものとすれば、記憶手段１４ａにどのような放射線画像が記憶されているかを容易に確認することができる。また、画像表示手段８ａに表示された放射線画像を参照して、不要な放射線画像の画像データを記憶手段１４ａから消去することもできる。また、画像処理前と画像処理後の放射線画像をスイッチによって切り換えて表示することにより、簡単で容易に処理の効果を確認することもできる。

制御手段１３ａでは、記憶手段１４ａに記憶された画像データのデータ量を監視して、記憶手段１４ａに記憶された放射線画像の枚数や記憶可能な放射線画像の枚数及び記憶手段１４ａの空き容量が例えば１画面分の画像データのデータ量よりも少なくなったことを示す警告等を行なう。このように、制御手段１３ａは、記憶手段１４ａの記憶容量の残量チェック機能を有し、表示部８に記憶容量の残量を表示する記憶容量表示手段を構成する報知手段８ｄを有する。

報知手段８ｄは、記憶容量の残量がある一定量より減少した場合は警告を発するようにしてもよく、記憶手段１４ａに保存した画像データの保護機能を有する。この情報表示が報知手段８ｄに供給されることにより、報知手段８ｄの表示によって記憶手段１４ａの使用状態を容易に確認することができる。なお、図示せずも警告は音声等で行うものとしてもよい。

また、表示部８が小さい場合には、表示画素数が撮像パネル１０の画素数よりも少ない。このため、画像データを間引きしたり、所定画像数単位の画像データから平均値等の代表データを設定することでデータ量を削減して画像表示信号を生成し、この画像表示信号を表示部８に供給することで、表示画素数が少なくとも放射線画像全体を表示することができる。また、所望の領域の画像データに基づいて画像表示信号を生成し、この画像表示信号を表示部８に供給することで、表示画素数が少なくとも所望の領域の放射線画像を詳細に表示することができる。

画像処理手段１３ｂは、撮像パネル１０から得られる画像データに対して、操作パネル１８により設定された、またはあらかじめＩＤ情報などで入力された所定の処理を行なう。この画像処理手段１３ｂで行われる信号処理としては、階調処理、周波数処理、複数の画像の並べ替えを行う処理、信号圧縮処理、画素密度変換処理、ダイナミックレンジ圧縮処理等の各種画像処理、規格化条件を決定する処理等があり概略次のような内容の処理である。

この撮像パネル１０は、撮影後直ちに読み出して画像データを入手することができ、画像データに基づいて良否判定を行えば撮影後直ちに判定を行うことができ、再撮影を容易ならしめるという特有の利点が得られる。

画像処理手段１３ｂは、出力された画像データのヒストグラムの解析を行なうようにすれば、ヒストグラムには撮影状態が忠実に反映されるので、より正確な判定を行うことができる。

また、撮像パネル１０から出力された画像信号を記憶する画像メモリを備えたものにおいて、良否判定結果が撮影不良である場合に、画像メモリからその撮影不良の画像信号を消去するようにすれば、メモリの無駄遣いが回避できると共に撮影不良の画像信号が残っていることにより生じる種々のトラブルも回避できる。

また、撮影不良と判定された場合にはその旨を撮影者等に報知する報知手段８ｄ、例えば光や音声によりアラームを発する手段を設ければ、撮影不良であることを容易に、かつ見落とすことなく確実に知らせることができ、再撮影の便宜を図ることができる。

このようにして撮影の良否を判定したら、画像処理手段１３ｂは、撮影不良判定の場合に、撮影不良信号を表示部８の報知手段８ｄに向けて出力し、報知手段８ｄは撮影不良信号に基づき撮影者等に向けて撮影報知を行う。また、ヒストグラムの解析結果から素抜け部を認識して、この素抜け部の信号値が一定以上では警告する。素抜け部の信号値が高いということは、照射線量すなわち被曝線量が多いということであり、人体を撮影する上では大きな問題となる。この報知は、撮影者等に対して何らかの報知をして撮影不良であることを認識させることができるものであればどのようなものでも良く、典型的には音声を発する手段あるいは光を発するもしくは光を点滅させる手段等を用いることができる。

また、画像処理手段１３ｂは、ヒストグラムの解析結果を表示し、撮影不良の場合は撮影不良信号を報知手段８ｄに出力すると同時に記憶部１４の画像消去にも出力し、撮影不良信号に基づいて画像メモリに記憶されているその撮影不良の画像データを消去する。なお、画像処理や信号転送は、撮影良否判定において撮影良と判定された画像信号についてのみ行われる。

また、制御部１３には、画像欠陥補正手段１３ｃが備えられ、画像データの画像欠陥を検出して補正してもよい。

制御部１３は、画像データから間引き画像データを作成する間引き画像データ作成手段１３ｅを有し、この間引き画像データ作成手段１３ｅは、例えば画像データから一定画素ごとに間引くか、一定数の画素ごとにその（一定数の画素の）平均値をもって間引いたデータとする。

この間引き画像データは、画像データ転送手段２４ａによって無線信号２００に変換し、前記したように外部の信号受信機１００に転送する。この実施の形態では、間引き画像データを無線信号２００に変換して外部の信号受信機１００に転送することで、間引き画像は画像データ量が少ないので、早く転送でき、放射線画像の撮影の良否の確認を早く行うことができる。また、撮影した画像の良否確認のために使用するので、画像データの転送ミスが多少あっても問題ない。

画像データの間引き画像は、表示部８の画像表示手段８ａに表示され、画像表示手段８ａに間引き画像を表示することで、オペレータは間引き画像に基づき、撮影がうまくいったかの確認を確実に行なうことができる。しかも間引き画像は画像データ量が少ないので、表示部８は小さくても良い。

また、制御部１３は、撮影の位置が所定位置が否かを自動的に判別する撮影位置判別手段１３ｆを備えている。この撮影位置判別手段１３ｆは、放射線画像の撮影から得られた画像データの中から、放射線が照射された照射領域を検出するか、照射領域内からさらに撮影された被写体領域を検出し、これらの領域が撮像パネル１０内の所定領域に入っているかの判別処理を行い、領域がはみ出している場合には、表示部８の報知手段８ｄにより警告する。このように、撮影位置判別手段１３ｆで撮影位置の確認を極力早く行うことができ、しかも報知手段８ｄにより撮影ミスを容易に知らせることができる。

このように、間引き画像データは、画像データ転送手段２４ａによって無線信号２００に変換して転送されるが、全画像データは、その全部を信号線２０１により転送する。この信号線２０１のコネクタ２２とカセッテ型放射線画像検出器１のコネクタ２１とによって、信号線２０１はカセッテ型放射線画像検出器１に着脱可能である。全画像データは、画像データの損失がないように、無線では転送しないで、信号線２０１によって簡単かつ確実に転送することができる。

次に、撮像パネル１０の構成について説明する。図５は撮像パネル１０の構成を示しており、撮像パネル１０には照射された放射線の強度に応じて蓄積された電気エネルギーを読み出すための収集電極２２０が２次元配置されており、この収集電極２２０がコンデンサ２２１の一方の電極とされて、電気エネルギーがコンデンサ２２１に蓄えられる。ここで、１つの収集電極２２０は放射線画像の１画素に対応するものである。

画素間には走査線２２３−１〜２２３−ｍと信号線２２４−１〜２２４−ｎが例えば直交するように配設される。コンデンサ２２１−（１，１）には、シリコン積層構造あるいは有機半導体で構成されたトランジスタ２２２−（１，１）が接続されている。このトランジスタ２２２−（１，１）は、例えば電界効果トランジスタであり、ドレイン電極あるいはソース電極が収集電極２２０−（１，１）に接続されるとともに、ゲート電極は走査線２２３−１と接続される。ドレイン電極が収集電極２２０−（１，１）に接続されるときにはソース電極が信号線２２４−１と接続され、ソース電極が収集電極２２０−（１，１）に接続されるときにはドレイン電極が信号線２２４−１と接続される。また、他の画素の収集電極２２０やコンデンサ２２１及びトランジスタ２２２も同様に走査線２２３や信号線２２４が接続される。

図６は撮像パネル１０の一部断面図を示しており、放射線の照射面側には、入射された放射線の強度に応じて発光を行う第１層２１１が設けられている。ここで、第１層２１１には、例えば波長が１Ａ（１×１０^−１０ｍ）程度であって、人体や船舶そして航空機の部材等を透過する電磁波である所謂Ｘ線が照射される。このＸ線は、放射線発生器９０から出力されるものであり、放射線発生器９０は、一般に固定陽極あるいは回転陽極Ｘ線管が用いられる。また、Ｘ線管は、陽極の負荷電圧が１０ｋＶから３００ｋＶとされるとともに、医療用に用いられる場合は２０ｋＶから１５０ｋＶとされる。

第１層２１１は、蛍光体を主たる成分とするものであり、入射した放射線に基づいて、波長が３００ｎｍから８００ｎｍの電磁波、すなわち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波（光）を出力する。なお、第１層２１１は、一般的にシンチレータ層と呼ばれている。

この第１層２１１で用いられる蛍光体は、ＣａＷＯ_４、ＣａＷＯ_４４：Ｐｂ、ＭｇＷＯなどのタングステン酸塩系蛍光体、Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ、Ｌａ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ，Ｇｄ）_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ，Ｇｄ）_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ，Ｔｍなどのテルビウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体、ＹＰＯ_４：Ｔｂ、ＧｄＰＯ_４：Ｔｂ、ＬａＰＯ_４：Ｔｂなどのテルビウム賦活希土類燐酸塩系蛍光体、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ，Ｔｍ、ＬａＯＣｌ：Ｔｂ、ＬａＯＣｌ：Ｔｂ，Ｔｍ、ＧｄＯＢｒ：Ｔｂ、ＧｄＯＢｒ：Ｔｂ，Ｔｍ、ＧｄＯＣｌ：Ｔｂ、ＧｄＯＣｌ：ＴｂｌＴｍなどのテルビウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＬａＯＢｒ：Ｔｍ、ＬａＯＣｌ：Ｔｍなどのツリウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＬａＯＢｒ：Ｇｄ、ＬｕＯＣｌ：Ｇｄなどのガドリニウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＧｄＯＢｒ：Ｃｅ、ＧｄＯＣｌ：Ｃｅ、（Ｇｄ，Ｙ）ＯＢｒ：Ｃｅ、（Ｇｄ，Ｙ）ＯＣｌ：Ｃｅなどのセリウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＢａＳＯ_４：Ｐｂ、ＢａＳＯ_４：Ｅｕ^２＋、（Ｂａ，Ｓｒ）ＳＯ_４：Ｅｕ^２＋などの硫酸バリウム系蛍光体、Ｂａ_３（ＰＯ_４）_２：Ｅｕ^２＋、（Ｂａ_２ＰＯ_４）_２：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_３（ＰＯ_４）_２：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ_２ＰＯ_４）_２：Ｅｕ^２＋などの２価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属燐酸塩系蛍光体、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ^２＋、ＢａＦＢｒ：Ｅｕ^２＋、ＢａＦｃｌ：Ｅｕ^２＋、Ｔｂ、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ^２＋、Ｔｂ、ＢａＦ_２・ＢａＣｌ_２・ＫＣｌ：Ｅｕ^２＋などの２価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＮａＩ、ＫＩ：Ｔｌなどの沃化物系蛍光体、ＺｎＳ：Ａｇ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｇなどの硫化物系蛍光体、ＨｆＰ２Ｏ７：Ｃｕ、Ｈｆ_３（ＰＯ_４）_４などの燐酸ハフニウム系蛍光体、ＹＴａＯ_４、ＹＴａＯ_４：Ｔｍ、ＹＴａＯ_４：Ｎｂ、（Ｙ，Ｓｒ）ＴａＯ_４：Ｎｂ、ＬｕＴａＯ_４、ＬｕＴａＯ_４：Ｔｍ、ＬｕＴａＯ_４：Ｎｂ、（Ｌｕ，Ｓｒ）ＴａＯ_４：Ｎｂ、ＧｄＴａＯ_４：Ｔｍ、Ｍｇ_４Ｔａ_２Ｏ_９：Ｎｂ、Ｇｄ_２Ｏ_３・Ｔａ_２Ｏ_５・Ｂ_２Ｏ_３：Ｔｂなどのタンタル酸塩系蛍光体、他に、Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、（Ｌａ，Ｇｄ，Ｋｕ）_２Ｓｉ_２Ｏ_７：Ｅｕ、ＺｎＳｉＯ_４：Ｍｎ、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｅｕ、などを用いることができる。

特に、Ｘ線吸収及び発光効率が高いことよりセシウムアイオダイド（ＣｓＩ：Ｔｌ）やガドリニウムオキシサルファイド（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ）が好ましく、これらを用いることで、ノイズの低い高画質の画像を得ることができる。

また、セシウムアイオダイド（ＣｓＩ：Ｔｌ）については、柱状結晶構造のシンチレータ層を形成することが可能である。この場合、柱状結晶では光ガイド効果、すなわち結晶内での発光が柱状結晶の側面より外に放射されてしまうことを少なくできる効果を得られるので、鮮鋭性の低下を抑制することが可能であり、蛍光体層膜厚を厚くすることによりＸ線吸収が増加し粒状性を向上できる。

また、蛍光体粒子は、酸素Ｏ及び希土類元素のガドリニウムＧｄを含有する蛍光体粒子を用いることが好ましい。このような構成の蛍光体粒子は、放射線吸収率が高く、発光効率が高い（発光量が多い）ので粒状性の良い放射線画像を得ることができる。さらに、希土類元素をＭとしたとき、（Ｇｄ，Ｍ，Ｅｕ）_２Ｏ_３の一般式で示される蛍光体粒子を用いるものとすれば、この一般式で示される蛍光体粒子は特に発光効率が高いので、粒状性がさらに良い放射線画像を得ることができる。ここで希土類元素ＭとしてイットリウムＹ、ニオブＮｄ、テルビウムＴｂ、ジスプロシウムＤｙ、ホルミウムＨｏ、エルビウムＥｒ、ツリウムＴｍ、イッテルビウムＹｂ、ユーロビウムＥｕ、ランタンＬａ、ルテチウムＬｕ、サマリウムＳｍ、セリウムＣｅ、プラセオジムＰｒの少なくとも一つ以上の元素を含むものとする。これらの元素は放射線吸収率が高いので、粒状性がさらに良い放射線画像を得ることができる。特に、テルビウムＴｂ、ユーロビウムＥｕ、サマリウムＳｍ、セリウムＣｅの少なくとも一つ以上の元素を含むものが好ましい。さらに好ましくは、テルビウムＴｂまたはユーロビウムＥｕであり、特にユーロビウムＥｕが好ましい。

ただし、この発明に用いられる蛍光体はこれらに限定されるものではなく、放射線の照射によって可視又は紫外または赤外領域などの、受光素子が感度を持つ領域の電磁波を出力する蛍光体であれば良い。また、この発明で用いられる蛍光体粒子の直径は７μｍ以下、好ましくは４μｍ以下である。蛍光体粒子の直径が小さいほどシンチレータ層内での光の散乱を防ぐことが可能となり、高い鮮鋭度を得られるからである。そして、この蛍光体粒子は以下のようなバインダーに分散される。例えば、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体、スチレン−ブタジエン共重合体、各種合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラニン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等があげられる。中でもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースを使用することが好ましい。このような好ましいバインダーを用いることで、蛍光体の分散性を高め、蛍光体の充填率を高くすることが可能となり、粒状性の向上に寄与するからである。

上記バインダー中に分散される蛍光体の重量含有量は９０〜９９％である。またこの発明で用いられる第１層の厚さは、放射線画像の粒状性と鮮鋭性とのバランスから決定されるものであり、第１層が厚いと粒状性は良くなるが鮮鋭性は悪くなり、第１層が薄いと鮮鋭性は良くなるが粒状性は悪くなることから、例えば２０μｍから１ｍｍとする。また、良好な粒状性と鮮鋭性を得るために好ましくは５０μｍから３００μｍとする。

なお、この発明で用いられる蛍光体は一部を除き吸湿性であるので、環境の湿気に影響されないように封止することが好ましい。このため、例えば特開平１１−２２３８９０、特開平１１−２４９２４３、特開平１１−３４４５９８、特開２０００−１７１５９７に開示されている方法を用いることで、撮像パネル１０の全体を封止することができる。

次に、第１層２１１の放射線照射面側とは逆の面側に、第１層から出力された電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第２層２１２が形成される。この第２層２１２は、第１層２１１側から、隔膜２１２ａ、透明電極膜２１２ｂ、正孔伝導層２１２ｃ、電荷発生層２１２ｄ、電子伝導層２１２ｅ、導電層２１２ｆが設けられている。ここで、電荷発生層２１２ｄは、光電変換可能な即ち電磁波（光）によって電子や正孔を発生し得る有機化合物を含有するものであり、光電変換を円滑に行うために、いくつかの機能分離された層を有することが好ましく、例えば図６に示すように第２層が構成される。

隔膜２１２ａは、第１層２１１と他の層を分離するためのものであり、例えば０ｘｉ−ｎｉｔｒｉｄｅなどが用いられる。透明電極膜２１２ｂは、例えばインジウムチンオキジド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いて形成される。この透明電極膜２１２ｂの形成では、蒸着やスパッタリング等の方法を用いて薄膜を形成できる。また、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいは高いパターン精度を必要としない場合（１００μｍ以上程度）は、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この透明電極は透過率を１０％より大きくすることが望ましく、またシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。膜厚が薄い場合には透明電極がアイランド状になってしまうからであり、膜厚が厚い場合には透明電極の形成に時間を要してしまうからである電荷発生層２１２ｄでは、第１層２１１から出力された電磁波（光）によって電子と正孔を発生される。ここで発生した正孔は正孔伝導層２１２ｃに集められ、電子は電子伝導層２１２ｅに集められる。なお、本構造において、正孔伝導層２１２ｃと電子伝導層２１２ｅは必ずしも必須なものではない。

導電層２１２ｆは、例えばクロムなどで生成されている。また、一般の金属電極若しくは前記透明電極の中から選択可能であるが、良好な特性を得るためには仕事関数の小さい（４．５ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましい。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類全属などが挙げられる。この導電層２１２ｆは、これらの電極物質を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて生成できる。また、導電層２１２ｆのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲で選ばれる。膜厚が薄い場合には導電層がアイランド状になってしまうからであり、膜厚が厚い場合には導電層の形成に時間を要してしまうからである。

次に、上述の正孔伝導層２１２ｃ，電荷発生層２１２ｄそして電子伝導層２１２ｅについて詳述する。電荷発生層２１２ｄは、いわゆる有機ＥＬ素子の構成を適用することができ、前記有機ＥＬ素子はその構成材料が低分子系のものでも高分子系のもの（ライトエミッティングポリマーとも言う）でもよい。本発明の電荷発生層２１２ｄで用いる光電変換可能な材料としては、導電性高分子材料（π共役系高分子材料やシリコン系高分子材料など）や低分子系有機ＥＬ素子に使用される発光材料等が拳げられる。例えば導電性高分子材料としては、ポリ（２−メトキシ、５−（２’エチルヘキシロキシ）−ｐ−フェニレンビニレン）そしてポリ（３−アルキルチオフェン）、などがある。また「有機ＥＬ材料とディスプレイ（２００１年２月２８日株式会社シー・エム・シー発行）」の第１９０頁〜第２０３頁に記載されている化合物や、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第８１頁〜第９９頁に記載されている化合物などが挙げられる。前記低分子系有機ＥＬ素子に使用される発光材料としては、例えば、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第３６頁〜第５６頁に記載されている化合物や、「有機ＥＬ材料とディスプレイ（２００１年２月２８日株式会社シー・エム・シー発行）」の第１４８頁〜第１７２頁に記載されている化合物等が拳げられる。本発明において、光電変換可能な有機化合物として特に好ましいものは導電性高分子化合物であり、最も好ましいものはπ共役系高分子化合物である。ここで、図７は導電性高分子化合物の基本骨格、図８〜図１０はπ共役系高分子化合物の具体例、図１１はπ共役系以外の導電性高分子化合物の具体例を示している。なお、導電性高分子材料や低分子系有機ＥＬ素子は上述のものに限定されるものではない。

さらに、電荷発生層２１２ｄに変換効率や電極へのキャリア受け渡し効率を向上させるために添加剤を加えてもよい。また該添加剤を別の層として設けて正孔伝導層２１２ｃと電子伝導層２１２ｅを形成する。添加剤としては、有機ＥＬ素子で使用される正孔注入材料や正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料等を適用することができる。その具体例としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチォフェンオリゴマー、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、キノキサリン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体（例えばトリス（８−キノリノラート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、卜リス（５，７−ジクロロ−８−キノリトラート）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリラート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリラート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリラート）アルミニウム、ビス（８−キノリラート）亜鉛（Ｚｎｑ２）など）である。

また、第２層２１２において、π共役系高分子化合物を用いる正孔伝導層２１２ｃ、電荷発生層２１２ｄそして電子伝導層２１２ｅには、複数のπ共役高分子化合物間でのキャリア授受やキャリアトラップを行う目的で、フラーレンやカーボンナノチューブのような立体的なπ電子雲を有する化合物を添加することが好ましい。

これらの化合物は、例えばフラーレンＣ−６０，フラーレンＣ−７０，フラーレンＣ−７６，フラーレンＣ−７８，フラーレンＣ−８４，フラーレンＣ−２４０，フラーレンＣ−５４０，ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブ、多層ナノチューブ（Ｍｕｌｔｉ Ｗａｌｌｅｄ Ｎａｎｏｔｕｂｅ）、単層ナノチューブ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｗａｌｌｅｄ Ｎａｎｏｔｕｂｅ）である。さらに、フラーレンやカーボンナノチューブは溶剤への相溶性を付与する目的で置換基を導入してもよい。

第２層２１２の放射線照射面側とは逆の面側には、第２層２１２で得られた電気エネルギーの蓄積および蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を行う第３層２１３が形成されている。第３層２１３は、第２層２１２で生成された電気エネルギーを画素毎に蓄えるコンデンサ２２１と、蓄えられた電気エネルギーを信号として出力するためのスイッチング素子であるトランジスタ２２２を用いて構成されている。なお第３層は、スイッチング素子を用いるものに限られるものではなく、例えば蓄えられた電気エネルギーのエネルギーレベルに応じた信号を生成して出力する構成とすることもできる。

トランジスタ２２２は、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いるものとする。このＴＦＴは、液晶ディスプレイ等に使用されている無機半導体系のものでも、有機半導体を用いたものでも良く、好ましくはプラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴである。プラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴとしては、アモルファスシリコン系のものが知られているが、その他、米国Ａｌｉｅｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社が開発しているＦＳＡ（Ｆｌｕｉｄｉｃ Ｓｅｌｆ Ａｓｓｅｍｂｌｙ）技術、即ち、単結晶シリコンで作製した微小ＣＭＯＳ（Ｎａｎｏｂ１ｏｃｋｓ）をエンボス加工したプラスチックフィルム上に配列させることで、フレキシブルなプラスチックフィルム上にＴＦＴを形成するものとしても良い。さらに、Ｓｃｉｅｎｃｅ２８３，８２２（１９９９）やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，７７１４８８（１９９８）、Ｎａｔｕｒｅ，４０３，５２１（２０００）等の文献に記載されているような有機半導体を用いたＴＦＴであってもよい。

このように、この発明に用いられるスイッチング素子としては、上記ＦＳＡ技術で作製したＴＦＴ及び有機半導体を用いたＴＦＴが好ましく、特に好ましいものは有機半導体を用いたＴＦＴである。この有機半導体を用いてＴＦＴを構成すれば、シリコンを用いてＴＦＴを構成する場合のように真空蒸着装置等の設備が不要となり、印刷技術やインクジェット技術を活用してＴＦＴを形成できるので、製造コストが安価となる。さらに、加工温度を低くできることから熱に弱いプラスチック基板状にも形成できる。
また、有機半導体を用いたＴＦＴの内、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）が特に好ましく、具体的には図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）に示す構造の有機ＴＦＴが好ましい。図１２（Ａ）に示す有機ＴＦＴは、基板上にゲート電極，ゲート絶縁層，ソース・ドレイン電極，有機半導体層を順に形成したものである。図１２（Ｂ）に示す有機ＴＦＴは、基板上にゲート電極，ゲート絶縁層，有機半導体層，ソース・ドレイン電極を順に形成したものであり、図１２（Ｃ）に示す有機ＴＦＴは、有機半導体単結晶上にソース・ドレイン電極，ゲート絶縁層，ゲート電極を順に形成したものである。

有機半導体層を形成する化合物は、単結晶材科でもアモルファス材料でもよく、低分子でも高分子でもよいが、特に好ましいものとしては、ペンタセンやトリフェニレン、アントラセン等に代表される縮環系芳香族炭化水素化合物の単結晶や、前記π共役系高分子が挙げられる。

ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極は、金属でも導電性無機化合物でも導電性有機化合物でも何れでもよいが、作製の容易さの観点から導電性有機化合物であることが好ましく、その代表例としては、前記π共役系高分子化合物にルイス酸（塩化鉄、塩化アルミニウム、臭化アンチモシ等）やハロゲン（ヨウ素や臭素など）、スルホン酸塩（ポリスチレンスルホン酸のナトリウム塩（ＰＳＳ）、ｐ−トルエンスルホン酸カリウム等）などをドープしたものが拳げられ、具体的にはＰＥＤＯＴにＰＳＳを添加した導電性高分子が代表例として挙げられる。有機ＴＦＴとしては、図１３で示したものが挙げられる。

スイッチング素子であるトランジスタ２２２には、第２層２１２で生成された電気エネルギーを蓄積するとともに、コンデンサ２２１の一方の電極となる収集電極２２０が接続されている。このコンデンサ２２１には第２層２１２で生成された電気エネルギーが蓄積されるとともに、この蓄積された電気エネルギーはトランジスタ２２２を駆動することで読み出される。すなわちスイッチング素子を駆動することで放射線画像を画素毎の信号を生成することができる。なお図１９において、トランジスタ２２２は、ゲート電極２２２ａ、ソース電極（ドレイン電極）２２２ｂ、ドレイン電極（ソース電極）２２２ｃ、有機半導体層２２２ｄ、絶縁層２２２ｅで構成されている。

第４層２１４は、撮像パネル２１の基板である。この第４層２１４として好ましく用いられる基板は、プラスチックフィルムであり、プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネー卜（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が拳げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。

更にこれらのプラスチックフィルムには、トリオクチルホスフエートやジブチルフタレート等の可塑剤を添加してもよく、ベンゾトリアゾール系やベンゾフェノン系等の公知の紫外線吸収剤を添加してもよい。また、テトラエトキキシラン等の無機高分子の原料を添加し、化学触媒や熱、光等のエネルギーを付与することにより高分子量化する、いわゆる有機−無機ポリマーハイブリッド法を適用して作製した樹脂を原料として用いることもできる。

更に第４層２１４の第３層側面とは反対面側に、電源部３４例えばマンガン電池、ニッケル・カドミウム電池、水銀電池、鉛電池などの一時電池、充電可能な二次電池を設けるものとしても良い。この電池の形態としては、放射線画像検出器を薄型化できるように平板状の形態が好ましい。

また、撮像パネル１０では、信号線２２４−１〜２２４−ｎに、例えばドレイン電極が接続された初期化用のトランジスタ２３２−１〜２３２−ｎが設けられている。このトランジスタ２３２−１〜２３２−ｎのソース電極は設地されている。また、ゲート電極はリセット線２３１と接続される。

撮像パネル１０の走査線２２３−１〜２２３−ｍとリセット線２３１は、図５に示すように走査駆動回路１１と接続されている。走査駆動回路１１から走査線２２３−１〜２２３−ｍのうちの１つ走査線２２３−ｐ（ｐは１〜ｍいずれかの値）に読出信号ＲＳが供給されると、この走査線２２３−ｐに接続されたトランジスタ２２２−（ｐ，１）〜２２２−（ｐ，ｎ）がオン状態とされて、コンデンサ２２１−（ｐ，１）〜２２１−（ｐ，ｎ）に蓄積された電気エネルギーが信号線２２４−１〜２２４−ｎにそれぞれ読み出される。信号線２２４−１〜２２４−ｎは、信号選択回路１２の信号変換器２７１−１〜２７１−ｎに接続されており、信号変換器２７１−１〜２７１−ｎでは信号線２２４−１〜２２４−ｎ状に読み出された電気エネルギー量に比例する電圧信号ＳＶ−１〜ＳＶ−ｎを生成する。この信号変換器２７１−１〜２７１−ｎから出力された電圧信号ＳＶ−１〜ＳＶ−ｎはレジスタ２７２に供給される。

レジスタ２７２では、供給された電圧信号が順次選択されて、Ａ／Ｄ変換器２７３で（例えば、１２ビットないし１４ビットの）１つの走査線に対するディジタルの画像信号とされ、制御部１３は、走査線２２３−１〜２２３−ｍ各々に、走査駆動回路１１を介して読出信号ＲＳを供給して画像走査を行い、走査線毎のディジタル画像信号を取り込んで、放射線画像の画像信号の生成を行う。この画像信号は制御部１３に供給される。なお、走査駆動回路１１からリセット信号ＲＴをリセット線２３１に供給してトランジスタ２３２−１〜２３２−ｎをオン状態とするとともに、走査線２２３−１〜２２３−ｍに読出信号ＲＳを供給してトランジスタ２２２−（１，１）〜２２２−（ｍ，ｎ）をオン状態とすると、コンデンサ２２１−（１，１）〜２２１−（ｍ，ｎ）に蓄えられた電気エネルギーがトランジスタ２３２−１〜２３２−ｎを介して放出して、撮像パネル１０の初期化を行うことができる。

制御部１３には記憶部１４や操作部９が接続されており、操作部９からの操作信号ＰＳに基づいて撮像パネル１０の動作が制御される。操作部９は複数のスイッチが設けられており、操作部９からのスイッチ操作に応じた操作信号ＰＳに基づき、撮像パネル１０の初期化や放射線画像の画像信号の生成が行われる。また放射線画像の画像信号の生成は、放射線発生器９０から放射線照射終了信号がコネクタ２１を介して供給されたときに行うものとすることもできる。さらに、生成した画像信号を記憶部１４に記憶させる処理等も行う。

ここで、不揮発性メモリを用いて記憶部１４を着脱可能に構成すれば、カセッテ型放射線画像検出器１とコントローラ２５を接続しなくとも、記憶部１４をコントローラ２５に装着するだけで画像信号をコントローラ２５に供給できることから、更に放射線画像の撮影及び画像処理が容易となり、操作性を向上できる。なお、カセッテ型放射線画像検出器１を据置き型として用いる場合には、コネクタ２１を介して電力の供給や画像信号の読み出しを行うことで、記憶部１４やバッテリ１６、電力供給部１５を設けなくとも、放射線画像の画像信号を得られることは勿論である。

このように、上述の実施の形態では、基板となる第４層２１４を樹脂で構成したことにより、ガラス基板を用いた従来のカセッテ型放射線画像検出器１に比べて軽量化を図ることができる。また、第４層２１４を樹脂で構成したことにより、第４層２１４上に形成される第３層２１３は、分割されたシリコン積層構造の素子を用いたり有機半導体で形成される。このため、ガラス基板を用いた従来のカセッテ型放射線画像検出器のように、シリコンを主体とする薄膜トランジスタをガラス基板上に形成する高価で特殊な製造装置を用いる必要がないことから、カセッテ型放射線画像検出器１を安価に製造できる。

さらに第３層２１３の上に梼成される第２層２１２は、光導電性高分子有機化合物並びにフラーレン若しくはカーボンナノチューブからなるものであることから、シリコンを用いる光半導体の製造装置を用いる必要がなく、この点に於いてもカセッテ型放射線画像検出器１を安価に製造できる。

このカセッテ型放射線画像検出器１は、図１４に示すように、撮像パネル１０の裏側（放射線入射側とは反対側）に放射線吸収部材１０ａを配置する構造とすることができる。

また、このカセッテ型放射線画像検出器１は、図１５及び図１６に示すように、立位用ス タンド５０，５１に着脱可能にすることもできる。図１５の実施の形態の立位用スタンド５０は、支持台５０ａにケース５０ｂを取り付けて構成され、このケース５０ｂにカセッテ型放射線画像検出器１がセットされる。図１６の実施の形態の立位用スタンド５１は、支持台５１ａに治具５１ｂを取り付けて構成され、この治具５１ｂにカセッテ型放射線画像検出器１がセットされる。

このようにカセッテ型放射線画像検出器１は、立位用スタンド５０，５１にセットすることで駆動可能になるとともに、取り外してカセッテとして駆動可能であり、固定タイプで使用したり、取り外してカセッテとしても利用できる。

また、カセッテ型放射線画像検出器１は、立位用スタンド５０，５１にセットすることで電源を供給可能であり、立位用スタンド５０，５１にセットすることで固定タイプで使用することができたり、バッテリ１６を充電することができる。

また、カセッテ型放射線画像検出器１は、立位用スタンド５０，５１にセットすることで、画像データをコントローラに転送可能であり、固定タイプで使用することができたり、記憶部１４に保存されている画像データをコントローラに転送することができる。また、カセッテ型放射線画像検出器１は、立位用スタンド５０，５１にセットすることで、ＩＤ情報を入力可能になり、ＩＤ情報をカセッテに転送することもできる。

カセッテを立位用スタンドにセットして使用するときは、グリッドの移動及び撮像パネル１０の放射線画像の読み取り開始はＸ線源からの信号に同期させても良い。

また、カセッテ型放射線画像検出器１は、図１７に示すように、カセッテ棚７１に装着可能であり、このカセッテ棚７１は区切り板７１ａを有する。カセッテ棚７１には、スイッチ７１ｂ、電源供給端子７１ｃ、転送端子７１ｄが設けられている。カセッテ型放射線画像検出器１を棚におくと、電源供給端子７１ｃ、転送端子７１ｄがカセッテ型放射線画像検出器１側と接続され、自動的にデータなどのやりとりを外部と行ない、また外部より電力を供給することができる。また、自動的ではなくスイッチ７１ａがあり、スイッチ７１ａを操作することにより前記の操作が行われても良い。

カセッテ棚７１に挿入されたカセッテ型放射線画像検出器１は、電源と接続され、どのような被写体をどのような技法で撮影しても、常に一定のデジタル値に正規化される為画像処理やデータ保管が容易となり、またフィルムやＣＲＴモニタ上に最適な濃度或いは輝度とコントラストで再生することができる。

また、カセッテ型放射線画像検出器１は、図１８に示すように、外部コントローラ７２の装着部７２ａに装着可能である。外部コントローラ７２は、上部の傾斜面にカセッテ型放射線画像検出器１の情報を表示する表示スクリーン７２ｂ及び情報を表示させるための操作パネル７２ｃが配置されている。

また、カセッテ型放射線画像検出器１には、外部コントローラ７２への装填側に転送端子３００が備えられ、カセッテ型放射線画像検出器１を装着部７２ａへ装填して転送端子３００を外部コントローラ７２の転送端子３０１と接続する。このように、カセッテ型放射線画像検出器１には、画像データの全部を転送する着脱可能な転送端子３００が備えられ、カセッテ型放射線画像検出器１から全画像データが画像データの損失がないように、無線では転送しないで、転送端子３００と転送端子３０１とを接続して簡単かつ確実に転送することができる。

また、カセッテ型放射線画像検出器１には、メモリ装填部４００を備え、このメモリ装填部４００にメモリ４０１を装填し、このメモリ４０１に画像データの全部を保存することができる。このメモリ４０１を取り外して、外部コントローラ７２のメモリ装填部７２ｅに装填して転送するようにしてもよい。

図１９乃至図２１は放射線画像検出システムの実施の形態を示す。この実施の形態では、コントローラ５００に操作パネル５０１、表示部５０２、Ｘ線発生装置５０３が備えられている。前記したカセッテ型放射線画像検出器１を用い、Ｘ線発生装置５０３から被写体５０４に放射線を照射してカセッテ型放射線画像検出器１で撮影する。

カセッテ型放射線画像検出器１で得られる間引き画像データの無線信号を信号受信機１００で受信する。この信号受信機１００はＸ線発生装置５０３に備えられ、図１９の実施の形態では信号受信機１００がＸ線発生装置５０３のＸ線管球５０３ａに備えられ、図２０の実施の形態では、Ｘ線発生装置本体５０３ｂに備えられ、撮影時に撮影位置の確認を容易にでき、撮影ミス時に再撮影を容易に行なうことができる。

カセッテ型放射線画像検出器１から間引き画像データを無線信号に変換して外部の信号受信機１００に転送することで、間引き画像は画像データ量が少ないので、画像データの送信ミスがなく、速く転送でき、放射線画像の撮影の良否の確認を速く行なうことができる。

この信号受信機１００で受信された間引き画像を表示部５０２に表示し、この表示部５０２を有するコントローラ５００は撮影時に、カセッテ型放射線画像検出器１の近くにあるので、無線信号が正確に転送される。

また、コントローラ５００は、検出器装填部５１０を有し、この検出器装填部５１０にカセッテ型放射線画像検出器１を装填することで、画像データの全部を転送することができる。このように、間引き画像で確認した後に、全画像データは、画像データの損失がないように、無線では転送しないで、簡単かつ確実に転送することができる。

図２１の実施の形態では、信号受信機１００は、Ｘ線発生装置５０３に備えられるが、例えば他の検査装置５２０等にも備えられる。また、信号受信機１００は、撮影室、病室などの壁などに設けられていてもよい。

このように、カセッテ型放射線画像検出器１を用いて撮影する部屋に１個以上装備され、撮影室、病室等どこで撮影しても、すぐに画像を転送して放射線画像の撮影の良否の確認を速く行なうことができる。

この発明は、医療における放射線画像診断の産業分野に用いられ、特に診断目的に用いる放射線画像を得るためのカセッテ型放射線画像検出器及び放射線画像検出システムに適用でき、画像データを早く転送でき、放射線画像の撮影の良否の確認を速く行なうことができる。

１ カセッテ型放射線画像検出器
４ 筐体
６ グリッド
８ 表示部
９ 操作部
９ａ 操作キー
１０ 撮像パネル
１３ 制御部
１３ｅ 間引き画像データ作成手段
１４ 記憶部１４ａ 記憶手段
１６ バッテリ
１７ 切替スイッチ
１８ 操作パネル
１９ 電源スイッチ
２０ 外部出力スイッチ
２１，２２ コネクタ
２３ ケーブル
２４ａ 画像データ転送手段

Claims (12)

1. 照射した放射線の強度に応じて２次元的に配列された複数の検出素子で画像データを生成して放射線画像の読み取りを行なう撮像パネルを有し、入射した放射線の画像データを出力するカセッテ型放射線画像検出器であって、
   前記画像データを記憶する記憶手段と、
   前記画像データから間引き画像データを作成する間引き画像データ作成手段と、
   前記間引き画像データを無線信号に変換して外部の信号受信機に転送する画像データ転送手段と、
   前記記憶手段に記憶された間引き前の画像データを、転送端子を介して接続された外部装置に転送する転送端子と、
   操作されたときに、前記記憶手段に記憶された間引き前の画像データを、前記転送端子を介して接続された外部装置に転送させる外部出力スイッチとを有することを特徴とするカセッテ型放射線画像検出器。
2. 前記間引き画像データ作成手段で作成された間引き画像データを表示する表示部を備えることを特徴とする請求項１に記載のカセッテ型放射線画像検出器。
3. 前記撮影の位置が所定位置か否かを自動的に判別する撮影位置判別手段と、
   前記判別した撮影の位置が所定位置でない場合警告する報知手段とを備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のカセッテ型放射線画像検出器。
4. 前記記憶手段に記憶された間引き前の前記画像データを保存可能なメモリが着脱可能なメモリ装填部を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のカセッテ型放射線画像検出器。
5. 前記画像データ転送手段は、赤外線を使用した無線信号で前記間引き画像データを転送することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のカセッテ型放射線画像検出器。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のカセッテ型放射線画像検出器と、
   前記カセッテ型放射線画像検出器で撮影するために放射線を照射するＸ線発生装置と、
   前記画像データ転送手段から転送された無線信号を受信する信号受信機と、を備えることを特徴とする放射線画像検出システム。
7. 前記転送端子から転送された間引き前の画像データを受信する第２の転送端子と、
   前記信号受信機で受信された間引き画像データを表示する表示部を有し、
   前記カセッテ型放射線画像検出器に制御信号を送信するコントローラを備えることを特徴とする請求項６に記載の放射線画像検出システム。
8. 前記カセッテ型放射線画像検出器は、前記コントローラに装着して前記記憶手段に記憶された間引き前の画像データを転送可能であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の放射線画像検出システム。
9. 前記Ｘ線発生装置に前記信号受信機を備えることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の放射線画像検出システム。
10. 前記Ｘ線発生装置のＸ線管球に前記受信機を備えることを特徴とする請求項９に記載の放射線画像検出システム。
11. 前記Ｘ線発生装置本体に前記信号受信機を備えることを特徴とする請求項９に記載の放射線画像検出システム。
12. 前記信号受信機は、前記カセッテ型放射線画像検出器を用いて撮影する部屋に１個以上装備されることを特徴とする請求項６乃至請求項１１のいずれか１項に記載の放射線画像検出システム。