JP2001183464A - シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ - Google Patents
シンチレータパネル及び放射線イメージセンサInfo
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- JP2001183464A JP2001183464A JP2000296911A JP2000296911A JP2001183464A JP 2001183464 A JP2001183464 A JP 2001183464A JP 2000296911 A JP2000296911 A JP 2000296911A JP 2000296911 A JP2000296911 A JP 2000296911A JP 2001183464 A JP2001183464 A JP 2001183464A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光出力を増大させたシンチレータパネルを提
供する。 【解決手段】 本発明に係るシンチレータパネルは、一
面が放射線入射面となっているガラス製の基板２６と、
基板２６の放射線入射面の反対面に設けられたＡｌ膜１
３と、Ａｌ膜１３上に堆積され、基板２６及びＡｌ膜１
３を透過した放射線が入射することにより発光するシン
チレータ１６と、放射線入射面の少なくとも一部及びシ
ンチレータ１６を被覆する透明有機膜１８とを備え、Ａ
ｌ膜１３は放射線を透過すると共に、シンチレータ１６
において発光した光を反射する。
供する。 【解決手段】 本発明に係るシンチレータパネルは、一
面が放射線入射面となっているガラス製の基板２６と、
基板２６の放射線入射面の反対面に設けられたＡｌ膜１
３と、Ａｌ膜１３上に堆積され、基板２６及びＡｌ膜１
３を透過した放射線が入射することにより発光するシン
チレータ１６と、放射線入射面の少なくとも一部及びシ
ンチレータ１６を被覆する透明有機膜１８とを備え、Ａ
ｌ膜１３は放射線を透過すると共に、シンチレータ１６
において発光した光を反射する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、医療用のＸ線撮
影等に用いられるシンチレータパネル及び放射線イメー
ジセンサに関するものである。
影等に用いられるシンチレータパネル及び放射線イメー
ジセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、医療、工業用のＸ線撮影では、Ｘ
線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果
の保存性の面から放射線検出器を用いた放射線イメージ
ングシステムが普及してきている。このような放射線イ
メージングシステムにおいては、放射線検出器により２
次元の放射線による画素データを電気信号として取得
し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示
している。
線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果
の保存性の面から放射線検出器を用いた放射線イメージ
ングシステムが普及してきている。このような放射線イ
メージングシステムにおいては、放射線検出器により２
次元の放射線による画素データを電気信号として取得
し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示
している。
【０００３】従来、代表的な放射線検出器として、アル
ミニウム、ガラス、溶融石英等の基板上にシンチレータ
を形成したシンチレータパネルと撮像素子とを貼り合わ
せた構造を有する放射線検出器が存在する。この放射線
検出器においては、基板側から入射する放射線をシンチ
レータで光に変換して撮像素子で検出している（特公平
７−２１５６０号公報参照）。
ミニウム、ガラス、溶融石英等の基板上にシンチレータ
を形成したシンチレータパネルと撮像素子とを貼り合わ
せた構造を有する放射線検出器が存在する。この放射線
検出器においては、基板側から入射する放射線をシンチ
レータで光に変換して撮像素子で検出している（特公平
７−２１５６０号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで放射線検出器
において鮮明な画像を得るためには、シンチレータパネ
ルの光出力を十分に大きくすることが必要になるが、上
述の放射線検出器においては光出力が十分でなかった。
において鮮明な画像を得るためには、シンチレータパネ
ルの光出力を十分に大きくすることが必要になるが、上
述の放射線検出器においては光出力が十分でなかった。
【０００５】そこで、本発明は上記課題を解決し、光出
力を増大させたシンチレータパネル及び光出力を増大さ
せたシンチレータパネルを用いた放射線イメージセンサ
を提供することを目的とする。
力を増大させたシンチレータパネル及び光出力を増大さ
せたシンチレータパネルを用いた放射線イメージセンサ
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載されたシ
ンチレータパネルは、一面が放射線入射面となっている
ガラス製の基板と、基板の放射線入射面の反対面に設け
られた反射膜と、反射膜上に堆積され、基板及び反射膜
を透過した放射線が入射することにより発光するシンチ
レータと、放射線入射面の少なくとも一部及びシンチレ
ータを被覆する透明有機膜とを備え、反射膜は放射線を
透過すると共に、シンチレータにおいて発光した光を反
射することを特徴とする。
ンチレータパネルは、一面が放射線入射面となっている
ガラス製の基板と、基板の放射線入射面の反対面に設け
られた反射膜と、反射膜上に堆積され、基板及び反射膜
を透過した放射線が入射することにより発光するシンチ
レータと、放射線入射面の少なくとも一部及びシンチレ
ータを被覆する透明有機膜とを備え、反射膜は放射線を
透過すると共に、シンチレータにおいて発光した光を反
射することを特徴とする。
【０００７】このようにガラス製の基板を用いているた
め、大面積化した場合においても基板にある程度の剛性
を持たせることができることから、基板上にシンチレー
タを形成する際の基板の撓みを抑制することができシン
チレータパネルの性能を高くすることができる。また、
有機膜によりシンチレータのみならず放射線入射面の少
なくとも一部を被覆するため、シンチレータのみを被覆
するものに比較してシンチレータの耐湿性を更に向上さ
せることができる。
め、大面積化した場合においても基板にある程度の剛性
を持たせることができることから、基板上にシンチレー
タを形成する際の基板の撓みを抑制することができシン
チレータパネルの性能を高くすることができる。また、
有機膜によりシンチレータのみならず放射線入射面の少
なくとも一部を被覆するため、シンチレータのみを被覆
するものに比較してシンチレータの耐湿性を更に向上さ
せることができる。
【０００８】請求項２に記載されたシンチレータパネル
は、一面が放射線入射面となっているガラス製の基板
と、基板の放射線入射面の反対面に設けられた反射膜
と、反射膜上に堆積され、基板及び反射膜を透過した放
射線が入射することにより発光するシンチレータと、放
射線入射面の全体及びシンチレータを被覆する透明有機
膜とを備え、反射膜は放射線を透過すると共に、シンチ
レータにおいて発光した光を反射することを特徴とす
る。
は、一面が放射線入射面となっているガラス製の基板
と、基板の放射線入射面の反対面に設けられた反射膜
と、反射膜上に堆積され、基板及び反射膜を透過した放
射線が入射することにより発光するシンチレータと、放
射線入射面の全体及びシンチレータを被覆する透明有機
膜とを備え、反射膜は放射線を透過すると共に、シンチ
レータにおいて発光した光を反射することを特徴とす
る。
【０００９】このようにガラス製の基板を用いているた
め、大面積化した場合においても基板にある程度の剛性
を持たせることができることから、基板上にシンチレー
タを形成する際の基板の撓みを抑制することができシン
チレータパネルの性能を高くすることができる。また、
有機膜によりシンチレータのみならず放射線入射面の全
体を被覆するため、有機膜により基板の放射線入射面の
少なくとも一部及びシンチレータを被覆するものに比較
して耐湿性を更に向上させることができる。
め、大面積化した場合においても基板にある程度の剛性
を持たせることができることから、基板上にシンチレー
タを形成する際の基板の撓みを抑制することができシン
チレータパネルの性能を高くすることができる。また、
有機膜によりシンチレータのみならず放射線入射面の全
体を被覆するため、有機膜により基板の放射線入射面の
少なくとも一部及びシンチレータを被覆するものに比較
して耐湿性を更に向上させることができる。
【００１０】請求項３に記載された放射線イメージセン
サは、上記シンチレータパネルの前記シンチレータに対
向して撮像素子を配置したことを特徴とする。
サは、上記シンチレータパネルの前記シンチレータに対
向して撮像素子を配置したことを特徴とする。
【００１１】このようにシンチレータパネルにガラス製
の基板を用いていることから大面積化した放射線イメー
ジセンサの性能を高く保つことができる。
の基板を用いていることから大面積化した放射線イメー
ジセンサの性能を高く保つことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明に係るシ
ンチレータパネル及び放射線イメージセンサの好適な実
施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明にお
いては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省
略する。
ンチレータパネル及び放射線イメージセンサの好適な実
施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明にお
いては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省
略する。
【００１３】第１実施形態に係る放射線イメージセンサ
は、シンチレータパネルに撮像素子を貼り合わせて構成
されている。最初に、シンチレータパネルについて説明
する。図１に示すように、シンチレータパネル８は、平
面形状を有するガラス製の基板２６を備えており、その
一方の表面には、真空蒸着法により１００ｎｍの厚さで
形成された反射膜としてのＡｌ膜１３が形成されてい
る。このＡｌ膜１３の表面には、入射した放射線を可視
光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が２５０μｍ
の厚さで形成されている。このシンチレータ１６には、
蒸着法によって成長させたＴｌドープのＣｓＩが用いら
れている。
は、シンチレータパネルに撮像素子を貼り合わせて構成
されている。最初に、シンチレータパネルについて説明
する。図１に示すように、シンチレータパネル８は、平
面形状を有するガラス製の基板２６を備えており、その
一方の表面には、真空蒸着法により１００ｎｍの厚さで
形成された反射膜としてのＡｌ膜１３が形成されてい
る。このＡｌ膜１３の表面には、入射した放射線を可視
光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が２５０μｍ
の厚さで形成されている。このシンチレータ１６には、
蒸着法によって成長させたＴｌドープのＣｓＩが用いら
れている。
【００１４】また、シンチレータ１６は、その全面が基
板２６と共にＣＶＤ法により形成された１０μｍの厚さ
のポリパラキシリレン膜（透明有機膜）１８により覆わ
れている。
板２６と共にＣＶＤ法により形成された１０μｍの厚さ
のポリパラキシリレン膜（透明有機膜）１８により覆わ
れている。
【００１５】放射線イメージセンサは、図２に示すよう
に、シンチレータパネル８のシンチレータ１６の先端部
側に撮像素子２０を対向させて貼り付けた構造を有して
いる。
に、シンチレータパネル８のシンチレータ１６の先端部
側に撮像素子２０を対向させて貼り付けた構造を有して
いる。
【００１６】本実施形態に係る放射線イメージセンサに
よれば、基板２６側から入射した放射線をシンチレータ
１６で光に変換して撮像素子２０により検出する。この
放射線イメージセンサを構成するシンチレータパネル８
には、反射膜としてのＡｌ膜１３が設けられていること
から撮像素子２０の受光部に入射する光を増加させるこ
とができ、放射線イメージセンサにより検出された画像
を鮮明なものとすることができる。
よれば、基板２６側から入射した放射線をシンチレータ
１６で光に変換して撮像素子２０により検出する。この
放射線イメージセンサを構成するシンチレータパネル８
には、反射膜としてのＡｌ膜１３が設けられていること
から撮像素子２０の受光部に入射する光を増加させるこ
とができ、放射線イメージセンサにより検出された画像
を鮮明なものとすることができる。
【００１７】また、シンチレータパネル８に用いられて
いる基板は、放射線の透過率を高くするため薄く形成す
ることが望まれるが、ガラス製の基板を用いることによ
り胸部用の放射線イメージセンサに用いられるシンチレ
ータパネルのように大面積化した場合においても、Ａｌ
製基板やａ−Ｃ製基板に比較して剛性を確保することが
できることから、ガラス製の基板上にシンチレータを形
成する場合の基板の撓みを防止することができる。従っ
て、シンチレータを基板上に形成することが容易になる
と共に製造されたシンチレータパネルの品質を保持する
ことができる。なお、この実施の形態のガラス基板に用
いられるガラスの種類としては、放射線を吸収する成分
の含有量が少ないことやコスト面からパイレックス（登
録商標）ガラスが好適である。
いる基板は、放射線の透過率を高くするため薄く形成す
ることが望まれるが、ガラス製の基板を用いることによ
り胸部用の放射線イメージセンサに用いられるシンチレ
ータパネルのように大面積化した場合においても、Ａｌ
製基板やａ−Ｃ製基板に比較して剛性を確保することが
できることから、ガラス製の基板上にシンチレータを形
成する場合の基板の撓みを防止することができる。従っ
て、シンチレータを基板上に形成することが容易になる
と共に製造されたシンチレータパネルの品質を保持する
ことができる。なお、この実施の形態のガラス基板に用
いられるガラスの種類としては、放射線を吸収する成分
の含有量が少ないことやコスト面からパイレックス（登
録商標）ガラスが好適である。
【００１８】次に、本発明の第２実施形態に係るシンチ
レータパネルの説明を行う。なお、図３に示すように、
シンチレータパネル９は、平面形状を有するガラス製の
基板２６を備えており、その一方の表面には、真空蒸着
法により１００ｎｍの厚さで形成された反射膜としての
Ｃｒ膜２８が形成されている。このＣｒ膜２８の表面に
は、Ａｕ膜３０が形成されており、このＡｕ膜３０の表
面に柱状構造のシンチレータ１６が２５０μｍの厚さで
形成されている。このシンチレータ１６には、蒸着法に
よって成長させたＴｌドープのＣｓＩが用いられてい
る。
レータパネルの説明を行う。なお、図３に示すように、
シンチレータパネル９は、平面形状を有するガラス製の
基板２６を備えており、その一方の表面には、真空蒸着
法により１００ｎｍの厚さで形成された反射膜としての
Ｃｒ膜２８が形成されている。このＣｒ膜２８の表面に
は、Ａｕ膜３０が形成されており、このＡｕ膜３０の表
面に柱状構造のシンチレータ１６が２５０μｍの厚さで
形成されている。このシンチレータ１６には、蒸着法に
よって成長させたＴｌドープのＣｓＩが用いられてい
る。
【００１９】また、シンチレータ１６は、その全面が基
板２６と共にＣＶＤ法により形成された１０μｍの厚さ
のポリパラキシリレン膜（透明有機膜）１８により覆わ
れている。なお、放射線イメージセンサは、シンチレー
タパネル９のシンチレータ１６の先端部側に撮像素子２
０を対向させて貼り付けた構造を有している。
板２６と共にＣＶＤ法により形成された１０μｍの厚さ
のポリパラキシリレン膜（透明有機膜）１８により覆わ
れている。なお、放射線イメージセンサは、シンチレー
タパネル９のシンチレータ１６の先端部側に撮像素子２
０を対向させて貼り付けた構造を有している。
【００２０】本実施形態に係るシンチレータパネル９の
反射膜は、ガラス基板２６との密着性の良いＣｒ膜２８
及びＣｒとの結合性の良いＡｕ膜３０により構成されて
いることから、反射膜を安定性の高いものとすることが
できる。
反射膜は、ガラス基板２６との密着性の良いＣｒ膜２８
及びＣｒとの結合性の良いＡｕ膜３０により構成されて
いることから、反射膜を安定性の高いものとすることが
できる。
【００２１】なお、上記の各実施形態において、反射性
金属薄膜として、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔ
ｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ及びＡｕからなる群の中の物質を
含む材料からなる膜を用いてもよい。
金属薄膜として、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔ
ｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ及びＡｕからなる群の中の物質を
含む材料からなる膜を用いてもよい。
【００２２】また、上記の各実施形態においては、シン
チレータ１６としてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられている
が、これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、Ｌ
ｉＩ（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等を用いてもよい。
チレータ１６としてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられている
が、これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、Ｌ
ｉＩ（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等を用いてもよい。
【００２３】また、上記の実施形態においては、ポリパ
ラキシリレン膜１８によりシンチレータ１６及び基板の
表面全体（シンチレータが形成されている面と反対側の
面、即ち放射線入射面）を覆うことによりシンチレータ
の耐湿性をより完全なものとしているが、図４に示すよ
うにポリパラキシリレン膜１８によりシンチレータ１６
及び基板の表面の少なくとも一部を覆うことによりシン
チレータの耐湿性をシンチレータのみを覆う場合に比較
して高くすることができる。
ラキシリレン膜１８によりシンチレータ１６及び基板の
表面全体（シンチレータが形成されている面と反対側の
面、即ち放射線入射面）を覆うことによりシンチレータ
の耐湿性をより完全なものとしているが、図４に示すよ
うにポリパラキシリレン膜１８によりシンチレータ１６
及び基板の表面の少なくとも一部を覆うことによりシン
チレータの耐湿性をシンチレータのみを覆う場合に比較
して高くすることができる。
【００２４】また、上記の各実施形態における、ポリパ
ラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモノ
クロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、
ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキ
シリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチル
パラキシリレン等を含む。
ラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモノ
クロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、
ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキ
シリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチル
パラキシリレン等を含む。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、ガラス製基板を用いる
ことにより、基板を大面積化した場合においてもシンチ
レータパネル、及び放射線イメージセンサの性能を高く
保つことができる。
ことにより、基板を大面積化した場合においてもシンチ
レータパネル、及び放射線イメージセンサの性能を高く
保つことができる。
【図１】第１実施形態におけるシンチレータパネルの断
面図である。
面図である。
【図２】第１実施形態に係る放射線イメージセンサの断
面図である。
面図である。
【図３】第２実施形態に係るシンチレータパネルの断面
図である。
図である。
【図４】実施形態に係るシンチレータパネルの変形例の
断面図である。
断面図である。
８，９…シンチレータパネル、２…放射線イメージセン
サ、１３…Ａｌ膜、１４…ＳｉＮ膜、１６…シンチレー
タ、１８…ポリパラキシリレン膜、２０…撮像素子、２
６…ガラス基板。
サ、１３…Ａｌ膜、１４…ＳｉＮ膜、１６…シンチレー
タ、１８…ポリパラキシリレン膜、２０…撮像素子、２
６…ガラス基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/321 Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ
Claims (3)
- 【請求項１】 一面が放射線入射面となっているガラス
製の基板と、 前記基板の前記放射線入射面の反対面に設けられた反射
膜と、 前記反射膜上に堆積され、前記基板及び前記反射膜を透
過した放射線が入射することにより発光するシンチレー
タと、 前記放射線入射面の少なくとも一部及び前記シンチレー
タを被覆する透明有機膜と、 を備え、 前記反射膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレー
タにおいて発光した光を反射することを特徴とするシン
チレータパネル。 - 【請求項２】 一面が放射線入射面となっているガラス
製の基板と、 前記基板の前記放射線入射面の反対面に設けられた反射
膜と、 前記反射膜上に堆積され、前記基板及び前記反射膜を透
過した放射線が入射することにより発光するシンチレー
タと、 前記放射線入射面の全体及び前記シンチレータを被覆す
る透明有機膜と、 を備え、 前記反射膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレー
タにおいて発光した光を反射することを特徴とするシン
チレータパネル。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載のシンチレ
ータパネルの前記シンチレータに対向して撮像素子を配
置したことを特徴とする放射線イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000296911A JP2001183464A (ja) | 1999-04-16 | 2000-09-28 | シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-109635 | 1999-04-16 | ||
| JP10963599 | 1999-04-16 | ||
| JP2000296911A JP2001183464A (ja) | 1999-04-16 | 2000-09-28 | シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000105204A Division JP3126715B2 (ja) | 1999-04-16 | 2000-04-06 | シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001183464A true JP2001183464A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=26449371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000296911A Pending JP2001183464A (ja) | 1999-04-16 | 2000-09-28 | シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001183464A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060181A (ja) * | 2001-08-16 | 2003-02-28 | Konica Corp | 放射線画像検出器 |
| JP2003075593A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Toshiba Corp | 放射線シンチレータならびに画像検出器およびその製造方法 |
| JP2004325445A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-18 | Canon Inc | シンチレーターパネル、放射線検出装置、及び放射線検出システム |
| US7408177B2 (en) | 1998-06-18 | 2008-08-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| JP2008209124A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | シンチレータパネル |
| JP2010185882A (ja) * | 2010-05-20 | 2010-08-26 | Konica Minolta Holdings Inc | 可搬型放射線画像検出器 |
| JP2011128165A (ja) * | 2011-02-10 | 2011-06-30 | Konica Minolta Holdings Inc | 可搬型放射線画像検出器 |
| JP2013257335A (ja) * | 2013-07-31 | 2013-12-26 | Konica Minolta Inc | カセッテ型放射線画像検出器 |
| WO2022137845A1 (ja) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法 |
-
2000
- 2000-09-28 JP JP2000296911A patent/JP2001183464A/ja active Pending
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