JP3126715B2 - シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ - Google Patents
シンチレータパネル及び放射線イメージセンサInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、医療用のＸ線撮
影等に用いられるシンチレータパネル及び放射線イメー
ジセンサに関するものである。
影等に用いられるシンチレータパネル及び放射線イメー
ジセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、医療、工業用のＸ線撮影では、Ｘ
線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果
の保存性の面から放射線検出器を用いた放射線イメージ
ングシステムが普及してきている。このような放射線イ
メージングシステムにおいては、放射線検出器により２
次元の放射線による画素データを電気信号として取得
し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示
している。
線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果
の保存性の面から放射線検出器を用いた放射線イメージ
ングシステムが普及してきている。このような放射線イ
メージングシステムにおいては、放射線検出器により２
次元の放射線による画素データを電気信号として取得
し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示
している。
【０００３】従来、代表的な放射線検出器として、アル
ミニウム、ガラス、溶融石英等の基板上にシンチレータ
を形成したシンチレータパネルと撮像素子とを貼り合わ
せた構造を有する放射線検出器が存在する。この放射線
検出器においては、基板側から入射する放射線をシンチ
レータで光に変換して撮像素子で検出している（特公平
７−２１５６０号公報参照）。
ミニウム、ガラス、溶融石英等の基板上にシンチレータ
を形成したシンチレータパネルと撮像素子とを貼り合わ
せた構造を有する放射線検出器が存在する。この放射線
検出器においては、基板側から入射する放射線をシンチ
レータで光に変換して撮像素子で検出している（特公平
７−２１５６０号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで放射線検出器
において鮮明な画像を得るためには、シンチレータパネ
ルの光出力を十分に大きくすることが必用になるが、上
述の放射線検出器においては光出力が十分でなかった。
において鮮明な画像を得るためには、シンチレータパネ
ルの光出力を十分に大きくすることが必用になるが、上
述の放射線検出器においては光出力が十分でなかった。
【０００５】この発明の課題は、光出力を増大させたシ
ンチレータパネル及び光出力を増大させたシンチレータ
パネルを用いた放射線イメージセンサを提供することで
ある。
ンチレータパネル及び光出力を増大させたシンチレータ
パネルを用いた放射線イメージセンサを提供することで
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のシンチ
レータパネルは、放射線を透過する基板と、基板上に設
けられた反射性金属薄膜と、反射性金属薄膜の全体を覆
う保護膜と、保護膜上に蒸着によって堆積されたシンチ
レータとを備え、反射性金属薄膜は放射線を透過すると
共に、シンチレータにおいて発光した光を反射し、保護
膜は、反射性金属薄膜をシンチレータから保護する機能
を有することを特徴とする。
レータパネルは、放射線を透過する基板と、基板上に設
けられた反射性金属薄膜と、反射性金属薄膜の全体を覆
う保護膜と、保護膜上に蒸着によって堆積されたシンチ
レータとを備え、反射性金属薄膜は放射線を透過すると
共に、シンチレータにおいて発光した光を反射し、保護
膜は、反射性金属薄膜をシンチレータから保護する機能
を有することを特徴とする。
【０００７】この請求項１記載のシンチレータパネルに
よれば、保護膜により反射性金属薄膜の全体が覆われて
いることから、シンチレータに僅かながら含まれる水分
に基づく変質等を防止でき反射性金属薄膜の反射膜とし
ての機能の減退を防止することができる。従って、増大
したシンチレータパネルの光出力を維持することができ
る。
よれば、保護膜により反射性金属薄膜の全体が覆われて
いることから、シンチレータに僅かながら含まれる水分
に基づく変質等を防止でき反射性金属薄膜の反射膜とし
ての機能の減退を防止することができる。従って、増大
したシンチレータパネルの光出力を維持することができ
る。
【０００８】請求項２に記載のシンチレータパネルは、
放射線を透過する基板と、基板上に設けられた反射性金
属薄膜と、反射性金属薄膜上に設けられた保護膜と、保
護膜の周縁部が露出するようにして保護膜上に蒸着によ
って堆積されたシンチレータとを備え、反射性金属薄膜
は放射線を透過すると共に、シンチレータにおいて発光
した光を反射し、保護膜は、反射性金属薄膜をシンチレ
ータから保護する機能を有することを特徴とする。
放射線を透過する基板と、基板上に設けられた反射性金
属薄膜と、反射性金属薄膜上に設けられた保護膜と、保
護膜の周縁部が露出するようにして保護膜上に蒸着によ
って堆積されたシンチレータとを備え、反射性金属薄膜
は放射線を透過すると共に、シンチレータにおいて発光
した光を反射し、保護膜は、反射性金属薄膜をシンチレ
ータから保護する機能を有することを特徴とする。
【０００９】この請求項２のシンチレータパネルによれ
ば、シンチレータと反射性金属薄膜が離間していること
から、シンチレータに僅かながら含まれる水分に基づく
変質等を防止でき反射性金属薄膜の反射膜としての機能
の減退を防止することができる。従って、増大したシン
チレータパネルの光出力を維持することができる。
ば、シンチレータと反射性金属薄膜が離間していること
から、シンチレータに僅かながら含まれる水分に基づく
変質等を防止でき反射性金属薄膜の反射膜としての機能
の減退を防止することができる。従って、増大したシン
チレータパネルの光出力を維持することができる。
【００１０】また、請求項３記載のシンチレータパネル
は、反射性金属薄膜がＡｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，
Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ及びＡｕからなる群の中の物質
を含む材料からなる膜であることを特徴とする。
は、反射性金属薄膜がＡｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，
Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ及びＡｕからなる群の中の物質
を含む材料からなる膜であることを特徴とする。
【００１１】また、請求項４記載のシンチレータパネル
は、保護膜がＬｉＦ，ＭｇＦ2，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ａ
ｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＳｉＮ及びポリイミドからなる群の中
の物質を含む材料からなる膜であることを特徴とする。
は、保護膜がＬｉＦ，ＭｇＦ2，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ａ
ｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＳｉＮ及びポリイミドからなる群の中
の物質を含む材料からなる膜であることを特徴とする。
【００１２】また、請求項５記載のシンチレータパネル
は、保護膜が前記Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔ
ｉ，Ｍｇ，Ｒｈ及びＰｔからなる群の中の物質を含む材
料からなる酸化膜であることを特徴とする。
は、保護膜が前記Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔ
ｉ，Ｍｇ，Ｒｈ及びＰｔからなる群の中の物質を含む材
料からなる酸化膜であることを特徴とする。
【００１３】また、請求項６記載のシンチレータパネル
は、保護膜が、例えばＳｉＮ等の無機膜及び例えばポリ
イミド等の有機膜により形成されていることを特徴とす
る。
は、保護膜が、例えばＳｉＮ等の無機膜及び例えばポリ
イミド等の有機膜により形成されていることを特徴とす
る。
【００１４】また、請求項７記載のシンチレータパネル
は、シンチレータが有機膜で被覆されていることを特徴
とする。この請求項７記載のシンチレータパネルによれ
ば、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。
は、シンチレータが有機膜で被覆されていることを特徴
とする。この請求項７記載のシンチレータパネルによれ
ば、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。
【００１５】また、請求項８記載のシンチレータパネル
は、有機膜が更に基板の表面の少なくとも一部を被覆し
ていることを特徴とする。この請求項８記載のシンチレ
ータパネルによれば、有機膜によりシンチレータのみを
被覆するものに比較してシンチレータの耐湿性を更に向
上させることができる。
は、有機膜が更に基板の表面の少なくとも一部を被覆し
ていることを特徴とする。この請求項８記載のシンチレ
ータパネルによれば、有機膜によりシンチレータのみを
被覆するものに比較してシンチレータの耐湿性を更に向
上させることができる。
【００１６】また、請求項９記載のシンチレータパネル
は、有機膜が更に基板の表面の全体を被覆していること
を特徴とする。この請求項９記載のシンチレータパネル
によれば、有機膜によりシンチレータ及び基板表面の少
なくとも一部を被覆するものに比較して耐湿性を更に向
上させることができる。
は、有機膜が更に基板の表面の全体を被覆していること
を特徴とする。この請求項９記載のシンチレータパネル
によれば、有機膜によりシンチレータ及び基板表面の少
なくとも一部を被覆するものに比較して耐湿性を更に向
上させることができる。
【００１７】また、請求項１０記載の放射線イメージセ
ンサは、請求項１〜請求項９の何れか一項に記載のシン
チレータパネルの前記シンチレータに対向して撮像素子
を配置したことを特徴とする。
ンサは、請求項１〜請求項９の何れか一項に記載のシン
チレータパネルの前記シンチレータに対向して撮像素子
を配置したことを特徴とする。
【００１８】この請求項１０記載の放射線イメージセン
サによれば、シンチレータパネルが増大した光出力を維
持することができるため、放射線イメージセンサの出力
を維持することができる。
サによれば、シンチレータパネルが増大した光出力を維
持することができるため、放射線イメージセンサの出力
を維持することができる。
【００１９】また、本発明に係るシンチレータパネル
は、一面が放射線入射面となっているガラス製の基板
と、基板の放射線入射面の反対面に設けられた反射膜
と、反射膜上に堆積され、基板及び反射膜を透過した放
射線が入射することにより発光するシンチレータと、放
射線入射面の少なくとも一部及びシンチレータを被覆す
る透明有機膜とを備え、反射膜は放射線を透過すると共
に、シンチレータにおいて発光した光を反射することを
特徴としても良い。
は、一面が放射線入射面となっているガラス製の基板
と、基板の放射線入射面の反対面に設けられた反射膜
と、反射膜上に堆積され、基板及び反射膜を透過した放
射線が入射することにより発光するシンチレータと、放
射線入射面の少なくとも一部及びシンチレータを被覆す
る透明有機膜とを備え、反射膜は放射線を透過すると共
に、シンチレータにおいて発光した光を反射することを
特徴としても良い。
【００２０】このような構成のシンチレータパネルによ
れば、ガラス製の基板を用いているため大面積化した場
合においても基板にある程度の剛性を持たせることがで
きることから、基板上にシンチレータを形成する際の基
板の撓みを抑制することができシンチレータパネルの性
能を高くすることができる。また、有機膜によりシンチ
レータのみならず放射線入射面の少なくとも一部を被覆
するため、シンチレータのみを被覆するものに比較して
シンチレータの耐湿性を更に向上させることができる。
れば、ガラス製の基板を用いているため大面積化した場
合においても基板にある程度の剛性を持たせることがで
きることから、基板上にシンチレータを形成する際の基
板の撓みを抑制することができシンチレータパネルの性
能を高くすることができる。また、有機膜によりシンチ
レータのみならず放射線入射面の少なくとも一部を被覆
するため、シンチレータのみを被覆するものに比較して
シンチレータの耐湿性を更に向上させることができる。
【００２１】また、本発明に係るシンチレータパネル
は、一面が放射線入射面となっているガラス製の基板
と、基板の放射線入射面の反対面に設けられた反射膜
と、反射膜上に堆積され、基板及び反射膜を透過した放
射線が入射することにより発光するシンチレータと、放
射線入射面の全体及びシンチレータを被覆する透明有機
膜とを備え、反射膜は放射線を透過すると共に、シンチ
レータにおいて発光した光を反射することを特徴として
も良い。
は、一面が放射線入射面となっているガラス製の基板
と、基板の放射線入射面の反対面に設けられた反射膜
と、反射膜上に堆積され、基板及び反射膜を透過した放
射線が入射することにより発光するシンチレータと、放
射線入射面の全体及びシンチレータを被覆する透明有機
膜とを備え、反射膜は放射線を透過すると共に、シンチ
レータにおいて発光した光を反射することを特徴として
も良い。
【００２２】このような構成のシンチレータパネルによ
れば、ガラス製の基板を用いているため大面積化した場
合においても基板にある程度の剛性を持たせることがで
きることから、基板上にシンチレータを形成する際の基
板の撓みを抑制することができシンチレータパネルの性
能を高くすることができる。また、有機膜によりシンチ
レータのみならず放射線入射面の全体を被覆するため、
有機膜により基板の放射線入射面の少なくとも一部及び
シンチレータを被覆するものに比較して耐湿性を更に向
上させることができる。
れば、ガラス製の基板を用いているため大面積化した場
合においても基板にある程度の剛性を持たせることがで
きることから、基板上にシンチレータを形成する際の基
板の撓みを抑制することができシンチレータパネルの性
能を高くすることができる。また、有機膜によりシンチ
レータのみならず放射線入射面の全体を被覆するため、
有機膜により基板の放射線入射面の少なくとも一部及び
シンチレータを被覆するものに比較して耐湿性を更に向
上させることができる。
【００２３】また、本発明に係る放射線イメージセンサ
は、上記のシンチレータパネルのシンチレータに対向し
て撮像素子を配置したことを特徴としても良い。
は、上記のシンチレータパネルのシンチレータに対向し
て撮像素子を配置したことを特徴としても良い。
【００２４】このような構成の放射線イメージセンサに
よれば、シンチレータパネルにガラス製の基板を用いて
いることから大面積化した放射線イメージセンサの性能
を高く保つことができる。
よれば、シンチレータパネルにガラス製の基板を用いて
いることから大面積化した放射線イメージセンサの性能
を高く保つことができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図１及び図２を参照して、
この発明の第１の実施の形態の説明を行う。図１はシン
チレータパネル１の断面図であり、図２は放射線イメー
ジセンサ２の断面図である。
この発明の第１の実施の形態の説明を行う。図１はシン
チレータパネル１の断面図であり、図２は放射線イメー
ジセンサ２の断面図である。
【００２６】図１に示すように、シンチレータパネル１
のアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）（グラッシーカーボ
ン又はガラス状カーボン）製の基板１０の一方の表面に
は、光反射膜（反射性金属薄膜）としてのＡｇ膜１２が
形成されている。このＡｇ膜１２の表面は、Ａｇ膜１２
を保護するためのＳｉＮ膜１４により覆われている。こ
のＳｉＮ膜１４の表面には、入射した放射線を可視光に
変換する柱状構造のシンチレータ１６が形成されてい
る。なお、シンチレータ１６には、ＴｌドープのＣｓＩ
が用いられている。このシンチレータ１６は、基板１０
と共にポリパラキシリレン膜１８で覆われている。
のアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）（グラッシーカーボ
ン又はガラス状カーボン）製の基板１０の一方の表面に
は、光反射膜（反射性金属薄膜）としてのＡｇ膜１２が
形成されている。このＡｇ膜１２の表面は、Ａｇ膜１２
を保護するためのＳｉＮ膜１４により覆われている。こ
のＳｉＮ膜１４の表面には、入射した放射線を可視光に
変換する柱状構造のシンチレータ１６が形成されてい
る。なお、シンチレータ１６には、ＴｌドープのＣｓＩ
が用いられている。このシンチレータ１６は、基板１０
と共にポリパラキシリレン膜１８で覆われている。
【００２７】また、放射線イメージセンサ２は、図２に
示すように、シンチレータパネル１のシンチレータ１６
の先端部側に撮像素子２０を貼り付けた構造を有してい
る。
示すように、シンチレータパネル１のシンチレータ１６
の先端部側に撮像素子２０を貼り付けた構造を有してい
る。
【００２８】次に、シンチレータパネル１の製造工程に
ついて説明する。まず、矩形又は円形のａ−Ｃ製の基板
１０（厚さ１ｍｍ）の一方の表面に光反射膜としてのＡ
ｇ膜１２を真空蒸着法により１５０ｎｍの厚さで形成す
る。次に、Ａｇ膜１２上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉ
Ｎ膜１４を２００ｎｍの厚さで形成してＡｇ膜１２の全
体を覆う。
ついて説明する。まず、矩形又は円形のａ−Ｃ製の基板
１０（厚さ１ｍｍ）の一方の表面に光反射膜としてのＡ
ｇ膜１２を真空蒸着法により１５０ｎｍの厚さで形成す
る。次に、Ａｇ膜１２上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉ
Ｎ膜１４を２００ｎｍの厚さで形成してＡｇ膜１２の全
体を覆う。
【００２９】次に、ＳｉＮ膜１４の表面にＴｌをドープ
したＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長（堆積）さ
せてシンチレータ１６を２５０μｍの厚さで形成する。
このシンチレータ１６を形成するＣｓＩは、吸湿性が高
く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して
潮解してしまうため、これを防止するためにＣＶＤ法に
よりポリパラキシリレン膜１８を形成する。即ち、シン
チレータ１６が形成された基板１０をＣＶＤ装置に入
れ、ポリパラキシリレン膜１８を１０μｍの厚さで成膜
する。これによりシンチレータ１６及び基板１０の表面
全体（シンチレータ等が形成されず露出している基板表
面全体）にポリパラキシリレン膜１８が形成される。
したＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長（堆積）さ
せてシンチレータ１６を２５０μｍの厚さで形成する。
このシンチレータ１６を形成するＣｓＩは、吸湿性が高
く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して
潮解してしまうため、これを防止するためにＣＶＤ法に
よりポリパラキシリレン膜１８を形成する。即ち、シン
チレータ１６が形成された基板１０をＣＶＤ装置に入
れ、ポリパラキシリレン膜１８を１０μｍの厚さで成膜
する。これによりシンチレータ１６及び基板１０の表面
全体（シンチレータ等が形成されず露出している基板表
面全体）にポリパラキシリレン膜１８が形成される。
【００３０】また、放射線イメージセンサ２は、完成し
たシンチレータパネル１のシンチレータ１６の先端部側
に撮像素子（ＣＣＤ）２０の受光部を対向させて貼り付
けることにより製造される（図２参照）。
たシンチレータパネル１のシンチレータ１６の先端部側
に撮像素子（ＣＣＤ）２０の受光部を対向させて貼り付
けることにより製造される（図２参照）。
【００３１】この実施の形態にかかる放射線イメージセ
ンサ２によれば、基板１０側から入射した放射線をシン
チレータ１６で光に変換して撮像素子２０により検出す
る。この放射線イメージセンサ２を構成するシンチレー
タパネル１には、反射性金属薄膜としてのＡｇ膜１２が
設けられていることから撮像素子２０の受光部に入射す
る光を増加させることができ放射線イメージセンサ２に
より検出された画像を鮮明なものとすることができる。
また、このＡｇ膜１２は、Ａｇ膜１２の保護膜として機
能するＳｉＮ膜１４により全体が覆われていることか
ら、Ａｇ膜１２の腐食等の変質により反射膜としての機
能が損なわれるのを防止することができる。
ンサ２によれば、基板１０側から入射した放射線をシン
チレータ１６で光に変換して撮像素子２０により検出す
る。この放射線イメージセンサ２を構成するシンチレー
タパネル１には、反射性金属薄膜としてのＡｇ膜１２が
設けられていることから撮像素子２０の受光部に入射す
る光を増加させることができ放射線イメージセンサ２に
より検出された画像を鮮明なものとすることができる。
また、このＡｇ膜１２は、Ａｇ膜１２の保護膜として機
能するＳｉＮ膜１４により全体が覆われていることか
ら、Ａｇ膜１２の腐食等の変質により反射膜としての機
能が損なわれるのを防止することができる。
【００３２】次に、この発明の第２の実施の形態の説明
を行う。なお、この第２の実施の形態の説明において
は、第１の実施の形態のシンチレータパネル１、放射線
イメージセンサ２の構成と同一の構成には、第１の実施
の形態の説明で用いたのと同一の符号を付して説明を行
う。
を行う。なお、この第２の実施の形態の説明において
は、第１の実施の形態のシンチレータパネル１、放射線
イメージセンサ２の構成と同一の構成には、第１の実施
の形態の説明で用いたのと同一の符号を付して説明を行
う。
【００３３】図３はシンチレータパネル３の断面図であ
る。図３に示すように、シンチレータパネル３のａ−Ｃ
製の基板１０の一方の表面には、反射膜としてのＡｌ膜
１３が形成されている。このＡｌ膜１３の表面は、Ａｌ
膜１３を保護するためのポリイミド膜２２により覆われ
ている。このポリイミド膜２２の表面には、入射した放
射線を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が
形成されている。なお、シンチレータ１６には、Ｔｌド
ープのＣｓＩが用いられている。このシンチレータ１６
は、基板１０と共にポリパラキシリレン膜１８で覆われ
ている。
る。図３に示すように、シンチレータパネル３のａ−Ｃ
製の基板１０の一方の表面には、反射膜としてのＡｌ膜
１３が形成されている。このＡｌ膜１３の表面は、Ａｌ
膜１３を保護するためのポリイミド膜２２により覆われ
ている。このポリイミド膜２２の表面には、入射した放
射線を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が
形成されている。なお、シンチレータ１６には、Ｔｌド
ープのＣｓＩが用いられている。このシンチレータ１６
は、基板１０と共にポリパラキシリレン膜１８で覆われ
ている。
【００３４】なお、このシンチレータパネル３は、シン
チレータ１６の先端部側に撮像素子を貼り付けることに
より放射線イメージセンサを構成する。
チレータ１６の先端部側に撮像素子を貼り付けることに
より放射線イメージセンサを構成する。
【００３５】次に、シンチレータパネル３の製造工程に
ついて説明する。まず、矩形又は円形のａ−Ｃ製の基板
１０（厚さ１ｍｍ）の一方の表面に光反射膜としてのＡ
ｌ膜１３を真空蒸着法により１５０ｎｍの厚さで形成す
る。次に、Ａｌ膜１３上にスピンコート処理を施すこと
によりポリイミド膜２２を１０００ｎｍの厚さで形成し
てＡｌ膜１３の全体を覆う。
ついて説明する。まず、矩形又は円形のａ−Ｃ製の基板
１０（厚さ１ｍｍ）の一方の表面に光反射膜としてのＡ
ｌ膜１３を真空蒸着法により１５０ｎｍの厚さで形成す
る。次に、Ａｌ膜１３上にスピンコート処理を施すこと
によりポリイミド膜２２を１０００ｎｍの厚さで形成し
てＡｌ膜１３の全体を覆う。
【００３６】次に、ポリイミド膜２２の表面にＴｌをド
ープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させて
シンチレータ１６を２５０μｍの厚さで形成する。この
シンチレータ１６を形成するＣｓＩは、吸湿性が高く露
出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解
してしまうため、これを防止するためにＣＶＤ法により
ポリパラキシリレン膜１８を形成する。即ち、シンチレ
ータ１６及び基板１０の表面全体にポリパラキシリレン
膜１８を形成する。
ープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させて
シンチレータ１６を２５０μｍの厚さで形成する。この
シンチレータ１６を形成するＣｓＩは、吸湿性が高く露
出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解
してしまうため、これを防止するためにＣＶＤ法により
ポリパラキシリレン膜１８を形成する。即ち、シンチレ
ータ１６及び基板１０の表面全体にポリパラキシリレン
膜１８を形成する。
【００３７】また、放射線イメージセンサは、完成した
シンチレータパネル３のシンチレータ１６の先端部側に
撮像素子（ＣＣＤ）２０の受光部を対向させて貼り付け
ることにより製造される。
シンチレータパネル３のシンチレータ１６の先端部側に
撮像素子（ＣＣＤ）２０の受光部を対向させて貼り付け
ることにより製造される。
【００３８】この実施の形態にかかるシンチレータパネ
ル３を用いた放射線イメージセンサによれば、基板１０
側から入射した放射線をシンチレータ１６で光に変換し
て撮像素子２０により検出する。この放射線イメージセ
ンサを構成するシンチレータパネル３には、反射性金属
薄膜としてのＡｌ膜１３が設けられていることから撮像
素子の受光部に入射する光を増加させることができ放射
線イメージセンサにより検出された画像を鮮明なものと
することができる。また、このＡｌ膜１３は、Ａｌ膜１
３の保護膜として機能するポリイミド膜２２により全体
が覆われていることから、Ａｌ膜１３の腐食等の変質に
より反射膜としての機能が損なわれるのを防止すること
ができる。
ル３を用いた放射線イメージセンサによれば、基板１０
側から入射した放射線をシンチレータ１６で光に変換し
て撮像素子２０により検出する。この放射線イメージセ
ンサを構成するシンチレータパネル３には、反射性金属
薄膜としてのＡｌ膜１３が設けられていることから撮像
素子の受光部に入射する光を増加させることができ放射
線イメージセンサにより検出された画像を鮮明なものと
することができる。また、このＡｌ膜１３は、Ａｌ膜１
３の保護膜として機能するポリイミド膜２２により全体
が覆われていることから、Ａｌ膜１３の腐食等の変質に
より反射膜としての機能が損なわれるのを防止すること
ができる。
【００３９】次に、この発明の第３の実施の形態の説明
を行う。なお、この第３の実施の形態の説明において
は、第１の実施の形態のシンチレータパネル１、放射線
イメージセンサ２の構成と同一の構成には、第１の実施
の形態の説明で用いたのと同一の符号を付して説明を行
う。
を行う。なお、この第３の実施の形態の説明において
は、第１の実施の形態のシンチレータパネル１、放射線
イメージセンサ２の構成と同一の構成には、第１の実施
の形態の説明で用いたのと同一の符号を付して説明を行
う。
【００４０】図４はシンチレータパネル４の断面図であ
る。図４に示すように、シンチレータパネル４のａ−Ｃ
製の基板１０の一方の表面には、光反射膜としてのＡｇ
膜１２が形成されている。このＡｇ膜１２の表面には、
Ａｇ膜１２を保護するためのＳｉＮ膜１４がＡｇ膜１２
の表面全体に形成されている。また、ＳｉＮ膜１４の表
面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状構造の
シンチレータ１６が形成されている。
る。図４に示すように、シンチレータパネル４のａ−Ｃ
製の基板１０の一方の表面には、光反射膜としてのＡｇ
膜１２が形成されている。このＡｇ膜１２の表面には、
Ａｇ膜１２を保護するためのＳｉＮ膜１４がＡｇ膜１２
の表面全体に形成されている。また、ＳｉＮ膜１４の表
面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状構造の
シンチレータ１６が形成されている。
【００４１】ここでシンチレータ１６は、ＳｉＮ膜１４
上の縁部を除いた位置に形成されて、外側に位置するシ
ンチレータ１６とＡｇ膜１２の縁部とを離間させてい
る。なお、シンチレータ１６には、ＴｌドープのＣｓＩ
が用いられている。このシンチレータ１６は、基板１０
と共にポリパラキシリレン膜１８で覆われている。
上の縁部を除いた位置に形成されて、外側に位置するシ
ンチレータ１６とＡｇ膜１２の縁部とを離間させてい
る。なお、シンチレータ１６には、ＴｌドープのＣｓＩ
が用いられている。このシンチレータ１６は、基板１０
と共にポリパラキシリレン膜１８で覆われている。
【００４２】なお、このシンチレータパネル４は、シン
チレータ１６の先端部側に撮像素子を貼り付けることに
より放射線イメージセンサを構成する。
チレータ１６の先端部側に撮像素子を貼り付けることに
より放射線イメージセンサを構成する。
【００４３】この実施の形態にかかるシンチレータパネ
ル４を用いた放射線イメージセンサによれば、基板１０
側から入射した放射線をシンチレータ１６で光に変換し
て撮像素子２０により検出する。この放射線イメージセ
ンサを構成するシンチレータパネル４には、反射性金属
薄膜としてのＡｇ膜１２が設けられていることから撮像
素子２０の受光部に入射する光を増加させることができ
放射線イメージセンサにより検出された画像を鮮明なも
のとすることができる。また、このＡｇ膜１２の縁部を
シンチレータ１６と離間させていることから、Ａｇ膜１
２の腐食等の変質により反射膜としての機能が損なわれ
るのを防止することができる。
ル４を用いた放射線イメージセンサによれば、基板１０
側から入射した放射線をシンチレータ１６で光に変換し
て撮像素子２０により検出する。この放射線イメージセ
ンサを構成するシンチレータパネル４には、反射性金属
薄膜としてのＡｇ膜１２が設けられていることから撮像
素子２０の受光部に入射する光を増加させることができ
放射線イメージセンサにより検出された画像を鮮明なも
のとすることができる。また、このＡｇ膜１２の縁部を
シンチレータ１６と離間させていることから、Ａｇ膜１
２の腐食等の変質により反射膜としての機能が損なわれ
るのを防止することができる。
【００４４】なお、この第３の実施にかかるシンチレー
タパネル４においては、ＳｉＮ膜１４がＡｇ膜１２の表
面全体に形成されているが、図５に示すシンチレータパ
ネル５のようにＡｇ膜１２の縁部を除く位置にＳｉＮ膜
１４を形成し、ＳｉＮ膜１４の縁部を除く位置にシンチ
レータ１６を形成するようにしてもよい。この場合にお
いても、Ａｇ膜１２の縁部がシンチレータ１６と離間し
ていることから、Ａｇ膜１２の腐食等の変質により反射
膜としての機能が損なわれるのを防止することができ
る。
タパネル４においては、ＳｉＮ膜１４がＡｇ膜１２の表
面全体に形成されているが、図５に示すシンチレータパ
ネル５のようにＡｇ膜１２の縁部を除く位置にＳｉＮ膜
１４を形成し、ＳｉＮ膜１４の縁部を除く位置にシンチ
レータ１６を形成するようにしてもよい。この場合にお
いても、Ａｇ膜１２の縁部がシンチレータ１６と離間し
ていることから、Ａｇ膜１２の腐食等の変質により反射
膜としての機能が損なわれるのを防止することができ
る。
【００４５】次に、この発明の第４の実施の形態の説明
を行う。なお、この第４の実施の形態の説明において
は、第１の実施の形態のシンチレータパネル１、放射線
イメージセンサ２の構成と同一の構成には、第１の実施
の形態の説明で用いたのと同一の符号を付して説明す
る。
を行う。なお、この第４の実施の形態の説明において
は、第１の実施の形態のシンチレータパネル１、放射線
イメージセンサ２の構成と同一の構成には、第１の実施
の形態の説明で用いたのと同一の符号を付して説明す
る。
【００４６】図６はシンチレータパネル６の断面図であ
る。図６に示すように、シンチレータパネル６のａ−Ｃ
製の基板１０の一方の表面には、Ａｌ膜２４ａ及びＡｌ
2Ｏ3膜（酸化膜）２４ｂにより構成されるＡｌ膜２４が
形成されている。このＡｌ膜２４の表面のＡｌ2Ｏ3膜２
４ｂ上に入射した放射線を可視光に変換する柱状構造の
シンチレータ１６が形成されている。なお、シンチレー
タ１６には、ＴｌドープのＣｓＩが用いられている。こ
のシンチレータ１６は、基板１０と共にポリパラキシリ
レン膜１８で覆われている。
る。図６に示すように、シンチレータパネル６のａ−Ｃ
製の基板１０の一方の表面には、Ａｌ膜２４ａ及びＡｌ
2Ｏ3膜（酸化膜）２４ｂにより構成されるＡｌ膜２４が
形成されている。このＡｌ膜２４の表面のＡｌ2Ｏ3膜２
４ｂ上に入射した放射線を可視光に変換する柱状構造の
シンチレータ１６が形成されている。なお、シンチレー
タ１６には、ＴｌドープのＣｓＩが用いられている。こ
のシンチレータ１６は、基板１０と共にポリパラキシリ
レン膜１８で覆われている。
【００４７】なお、このシンチレータパネル６は、シン
チレータ１６の先端部側に撮像素子を貼り付けることに
より放射線イメージセンサを構成する。
チレータ１６の先端部側に撮像素子を貼り付けることに
より放射線イメージセンサを構成する。
【００４８】次に、シンチレータパネル６の製造工程に
ついて説明する。まず、矩形又は円形のａ−Ｃ製の基板
１０（厚さ１ｍｍ）の一方の表面に光反射膜としてのＡ
ｌ膜２４を真空蒸着法により１５０ｎｍの厚さで形成す
る。引き続き、酸素ガスを導入しながらＡｌを蒸発させ
Ａｌ膜２４ａの表面全体にＡｌ2Ｏ3膜２４ｂを３０ｎｍ
の厚さで形成する。
ついて説明する。まず、矩形又は円形のａ−Ｃ製の基板
１０（厚さ１ｍｍ）の一方の表面に光反射膜としてのＡ
ｌ膜２４を真空蒸着法により１５０ｎｍの厚さで形成す
る。引き続き、酸素ガスを導入しながらＡｌを蒸発させ
Ａｌ膜２４ａの表面全体にＡｌ2Ｏ3膜２４ｂを３０ｎｍ
の厚さで形成する。
【００４９】次に、Ａｌ2Ｏ3膜２４ｂの表面にＴｌをド
ープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させて
シンチレータ１６を２５０μｍの厚さで形成する。この
シンチレータ１６を形成するＣｓＩは、吸湿性が高く露
出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解
してしまうため、これを防止するためにＣＶＤ法により
ポリパラキシリレン膜１８を形成する。即ち、シンチレ
ータ１６及び基板１０の表面全体にポリパラキシリレン
膜１８を形成する。
ープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させて
シンチレータ１６を２５０μｍの厚さで形成する。この
シンチレータ１６を形成するＣｓＩは、吸湿性が高く露
出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解
してしまうため、これを防止するためにＣＶＤ法により
ポリパラキシリレン膜１８を形成する。即ち、シンチレ
ータ１６及び基板１０の表面全体にポリパラキシリレン
膜１８を形成する。
【００５０】なお、このシンチレータパネル６は、シン
チレータ１６の先端部側に撮像素子を貼り付けることに
より放射線イメージセンサを構成する。
チレータ１６の先端部側に撮像素子を貼り付けることに
より放射線イメージセンサを構成する。
【００５１】この実施の形態にかかるシンチレータパネ
ル６を用いた放射線イメージセンサによれば、基板１０
側から入射した放射線をシンチレータ１６で光に変換し
て撮像素子２０により検出する。この放射線イメージセ
ンサを構成するシンチレータパネル６には、反射性金属
薄膜として機能するＡｌ膜２４ａが設けられていること
から撮像素子２０の受光部に入射する光を増加させるこ
とができ放射線イメージセンサにより検出された画像を
鮮明なものとすることができる。
ル６を用いた放射線イメージセンサによれば、基板１０
側から入射した放射線をシンチレータ１６で光に変換し
て撮像素子２０により検出する。この放射線イメージセ
ンサを構成するシンチレータパネル６には、反射性金属
薄膜として機能するＡｌ膜２４ａが設けられていること
から撮像素子２０の受光部に入射する光を増加させるこ
とができ放射線イメージセンサにより検出された画像を
鮮明なものとすることができる。
【００５２】また、このＡｌ膜２４ａは、Ａｌ膜２４ａ
の保護膜として機能するＡｌ2Ｏ3膜２４ｂにより全体が
覆われていることから、Ａｌ膜２４ａの腐食等の変質に
より反射膜としての機能が損なわれるのを防止すること
ができる。更に、このＡｌ膜２４の縁部をシンチレータ
１６と離間させていることから、Ａｌ膜２４ａの腐食等
の変質により反射膜としての機能が損なわれるのを防止
することができる。
の保護膜として機能するＡｌ2Ｏ3膜２４ｂにより全体が
覆われていることから、Ａｌ膜２４ａの腐食等の変質に
より反射膜としての機能が損なわれるのを防止すること
ができる。更に、このＡｌ膜２４の縁部をシンチレータ
１６と離間させていることから、Ａｌ膜２４ａの腐食等
の変質により反射膜としての機能が損なわれるのを防止
することができる。
【００５３】なお、この第４の実施の形態にかかるシン
チレータパネル６においては、Ａｌ 2Ｏ3膜２４ｂがＡｌ
膜２４ａの表面全体に形成されているが、図７に示すシ
ンチレータパネル７のようにＡｌ膜２４ａの縁部を除く
位置にＡｌ2Ｏ3膜２４ｂを形成するようにしてもよい。
この場合においても、Ａｌ膜２４の縁部がシンチレータ
１６と離間していることから、Ａｌ膜２４ａの腐食等の
変質により反射膜としての機能が損なわれるのを防止す
ることができる。
チレータパネル６においては、Ａｌ 2Ｏ3膜２４ｂがＡｌ
膜２４ａの表面全体に形成されているが、図７に示すシ
ンチレータパネル７のようにＡｌ膜２４ａの縁部を除く
位置にＡｌ2Ｏ3膜２４ｂを形成するようにしてもよい。
この場合においても、Ａｌ膜２４の縁部がシンチレータ
１６と離間していることから、Ａｌ膜２４ａの腐食等の
変質により反射膜としての機能が損なわれるのを防止す
ることができる。
【００５４】なお、上述の実施の形態においては、ａ−
Ｃ製の基板を用いているが放射線を透過する基板であれ
ばよいことから、グラファイト製の基板、Ａｌ製の基
板、Ｂｅ製の基板、ガラス製の基板等を用いてもよい。
Ｃ製の基板を用いているが放射線を透過する基板であれ
ばよいことから、グラファイト製の基板、Ａｌ製の基
板、Ｂｅ製の基板、ガラス製の基板等を用いてもよい。
【００５５】また、上述の実施の形態において、基板上
のＡｌ膜の酸化膜を保護膜として用いる場合には、酸化
膜上に更に保護膜としてのポリイミド膜を形成すること
が望ましい。この場合には、酸化膜及びポリイミド膜に
よりＡｌ膜の保護を完全なものとすることができる。
のＡｌ膜の酸化膜を保護膜として用いる場合には、酸化
膜上に更に保護膜としてのポリイミド膜を形成すること
が望ましい。この場合には、酸化膜及びポリイミド膜に
よりＡｌ膜の保護を完全なものとすることができる。
【００５６】また、上述の実施の形態においては、保護
膜として、ＳｉＮ膜又はポリイミド膜を用いているが、
これに限らずＬｉＦ，ＭｇＦ2，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔ
ｉＯ 2，ＭｇＯ，ＳｉＮの透明無機膜及びポリイミド等
の透明有機膜からなる群の中の物質を含む材料からなる
膜を用いてもよい。更に、図８に示すように無機膜及び
有機膜により形成される保護膜を用いてもよい。即ち、
図８に示すシンチレータパネルは、ａ−Ｃ製の基板１０
の一方の表面には、光反射膜としてのＡｇ膜１２が形成
されている。このＡｇ膜１２の表面は、Ａｇ膜１２を保
護するためのＳｉＮ膜（無機膜）１４により覆われてお
り、ＳｉＮ膜１４の表面がポリイミド膜（有機膜）２２
により覆われている。このポリイミド膜２２の表面に
は、柱状構造のシシンチレータ１６が形成されており、
このシンチレータ１６は、基板１０と共にポリパラキシ
リレン膜１８で覆われている。この図８に示すシンチレ
ータパネルのように無機膜及び有機膜により形成される
保護膜を用いる場合には、光反射膜を保護する効果を更
に高めることができる。
膜として、ＳｉＮ膜又はポリイミド膜を用いているが、
これに限らずＬｉＦ，ＭｇＦ2，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔ
ｉＯ 2，ＭｇＯ，ＳｉＮの透明無機膜及びポリイミド等
の透明有機膜からなる群の中の物質を含む材料からなる
膜を用いてもよい。更に、図８に示すように無機膜及び
有機膜により形成される保護膜を用いてもよい。即ち、
図８に示すシンチレータパネルは、ａ−Ｃ製の基板１０
の一方の表面には、光反射膜としてのＡｇ膜１２が形成
されている。このＡｇ膜１２の表面は、Ａｇ膜１２を保
護するためのＳｉＮ膜（無機膜）１４により覆われてお
り、ＳｉＮ膜１４の表面がポリイミド膜（有機膜）２２
により覆われている。このポリイミド膜２２の表面に
は、柱状構造のシシンチレータ１６が形成されており、
このシンチレータ１６は、基板１０と共にポリパラキシ
リレン膜１８で覆われている。この図８に示すシンチレ
ータパネルのように無機膜及び有機膜により形成される
保護膜を用いる場合には、光反射膜を保護する効果を更
に高めることができる。
【００５７】また、上述の各実施の形態においては、反
射性金属薄膜として、Ａｇ膜、Ａｌ膜を用いているが、
Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐ
ｔ及びＡｕからなる群の中の物質を含む材料からなる膜
を用いてもよい。更に、Ｃｒ膜上にＡｕ膜を形成する
等、反射性金属薄膜を２層以上形成するようにしても良
い。
射性金属薄膜として、Ａｇ膜、Ａｌ膜を用いているが、
Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐ
ｔ及びＡｕからなる群の中の物質を含む材料からなる膜
を用いてもよい。更に、Ｃｒ膜上にＡｕ膜を形成する
等、反射性金属薄膜を２層以上形成するようにしても良
い。
【００５８】また、上述の実施の形態において、反射性
金属薄膜としてＡｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，
Ｍｇ，Ｒｈ及びＰｔからなる群の中の物質を含む材料か
らなる膜を用いる場合には、その酸化膜を保護膜として
用いること可能である。
金属薄膜としてＡｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，
Ｍｇ，Ｒｈ及びＰｔからなる群の中の物質を含む材料か
らなる膜を用いる場合には、その酸化膜を保護膜として
用いること可能である。
【００５９】また、上述の実施の形態においては、ポリ
パラキシリレン膜１８によりシンチレータ１６及び基板
の表面全体（シンチレータが形成されている面と反対側
の面、即ち放射線入射面）を覆うことによりシンチレー
タの耐湿性をより完全なものとしているが、図９に示す
ようにポリパラキシリレン膜１８によりシンチレータ１
６の全面及び基板１０の表面の少なくとも一部を覆うこ
とによりシンチレータの耐湿性をシンチレータのみを覆
う場合に比較して高くすることができる。
パラキシリレン膜１８によりシンチレータ１６及び基板
の表面全体（シンチレータが形成されている面と反対側
の面、即ち放射線入射面）を覆うことによりシンチレー
タの耐湿性をより完全なものとしているが、図９に示す
ようにポリパラキシリレン膜１８によりシンチレータ１
６の全面及び基板１０の表面の少なくとも一部を覆うこ
とによりシンチレータの耐湿性をシンチレータのみを覆
う場合に比較して高くすることができる。
【００６０】次に、この発明の第５の実施の形態の説明
を行う。なお、この第５の実施の形態の説明において
は、第１、第２の実施の形態のシンチレータパネル１，
３、放射線イメージセンサ２の構成と同一の構成には、
第１、第２の実施の形態の説明で用いたのと同一の符号
を付して説明を行う。
を行う。なお、この第５の実施の形態の説明において
は、第１、第２の実施の形態のシンチレータパネル１，
３、放射線イメージセンサ２の構成と同一の構成には、
第１、第２の実施の形態の説明で用いたのと同一の符号
を付して説明を行う。
【００６１】図１０に示すように、シンチレータパネル
８は、平面形状を有するガラス製の基板２６を備えてお
り、その一方の表面には、真空蒸着法により１００ｎｍ
の厚さで形成された反射膜としてのＡｌ膜１３が形成さ
れている。このＡｌ膜１３の表面には、入射した放射線
を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が２５
０μｍの厚さで形成されている。このシンチレータ１６
には、蒸着法によって成長させたＴｌドープのＣｓＩが
用いられている。
８は、平面形状を有するガラス製の基板２６を備えてお
り、その一方の表面には、真空蒸着法により１００ｎｍ
の厚さで形成された反射膜としてのＡｌ膜１３が形成さ
れている。このＡｌ膜１３の表面には、入射した放射線
を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が２５
０μｍの厚さで形成されている。このシンチレータ１６
には、蒸着法によって成長させたＴｌドープのＣｓＩが
用いられている。
【００６２】また、シンチレータ１６は、その全面が基
板２６と共にＣＶＤ法により形成された１０μｍの厚さ
のポリパラキシリレン膜（透明有機膜）１８により覆わ
れている。
板２６と共にＣＶＤ法により形成された１０μｍの厚さ
のポリパラキシリレン膜（透明有機膜）１８により覆わ
れている。
【００６３】また、放射線イメージセンサは、図１１に
示すように、シンチレータパネル８のシンチレータ１６
の先端部側に撮像素子２０を対向させて貼り付けた構造
を有している。
示すように、シンチレータパネル８のシンチレータ１６
の先端部側に撮像素子２０を対向させて貼り付けた構造
を有している。
【００６４】この実施の形態にかかる放射線イメージセ
ンサによれば、基板２６側から入射した放射線をシンチ
レータ１６で光に変換して撮像素子２０により検出す
る。この放射線イメージセンサを構成するシンチレータ
パネル８には、反射膜としてのＡｌ膜１３が設けられて
いることから撮像素子２０の受光部に入射する光を増加
させることができ、放射線イメージセンサにより検出さ
れた画像を鮮明なものとすることができる。
ンサによれば、基板２６側から入射した放射線をシンチ
レータ１６で光に変換して撮像素子２０により検出す
る。この放射線イメージセンサを構成するシンチレータ
パネル８には、反射膜としてのＡｌ膜１３が設けられて
いることから撮像素子２０の受光部に入射する光を増加
させることができ、放射線イメージセンサにより検出さ
れた画像を鮮明なものとすることができる。
【００６５】また、シンチレータパネル８に用いられて
いる基板は、放射線の透過率を高くするため薄く形成す
ることが望まれるが、ガラス製の基板を用いることによ
り胸部用の放射線イメージセンサに用いられるシンチレ
ータパネルのように大面積化した場合においても、Ａｌ
製基板やａ−Ｃ製基板に比較して剛性を確保することが
できることから、ガラス製の基板上にシンチレータを形
成する場合の基板の撓みを防止することができる。従っ
て、シンチレータを基板上に形成することが容易になる
と共に製造されたシンチレータパネルの品質を保持する
ことができる。なお、この実施の形態のガラス基板に用
いられるガラスの種類としては、放射線を吸収する成分
の含有量が少ないことやコスト面からパイレックスガラ
スが好適である。
いる基板は、放射線の透過率を高くするため薄く形成す
ることが望まれるが、ガラス製の基板を用いることによ
り胸部用の放射線イメージセンサに用いられるシンチレ
ータパネルのように大面積化した場合においても、Ａｌ
製基板やａ−Ｃ製基板に比較して剛性を確保することが
できることから、ガラス製の基板上にシンチレータを形
成する場合の基板の撓みを防止することができる。従っ
て、シンチレータを基板上に形成することが容易になる
と共に製造されたシンチレータパネルの品質を保持する
ことができる。なお、この実施の形態のガラス基板に用
いられるガラスの種類としては、放射線を吸収する成分
の含有量が少ないことやコスト面からパイレックスガラ
スが好適である。
【００６６】次に、この発明の第６の実施の形態の説明
を行う。なお、この第６の実施の形態の説明において
は、第５の実施の形態のシンチレータパネル８、放射線
イメージセンサの構成と同一の構成には、第５の実施の
形態の説明で用いたのと同一の符号を付して説明する。
を行う。なお、この第６の実施の形態の説明において
は、第５の実施の形態のシンチレータパネル８、放射線
イメージセンサの構成と同一の構成には、第５の実施の
形態の説明で用いたのと同一の符号を付して説明する。
【００６７】図１２に示すように、シンチレータパネル
９は、平面形状を有するガラス製の基板２６を備えてお
り、その一方の表面には、真空蒸着法により１００ｎｍ
の厚さで形成された反射膜としてのＣｒ膜２８が形成さ
れている。このＣｒ膜２８の表面には、Ａｕ膜３０が形
成されており、このＡｕ膜３０の表面に柱状構造のシン
チレータ１６が２５０μｍの厚さで形成されている。こ
のシンチレータ１６には、蒸着法によって成長させたＴ
ｌドープのＣｓＩが用いられている。
９は、平面形状を有するガラス製の基板２６を備えてお
り、その一方の表面には、真空蒸着法により１００ｎｍ
の厚さで形成された反射膜としてのＣｒ膜２８が形成さ
れている。このＣｒ膜２８の表面には、Ａｕ膜３０が形
成されており、このＡｕ膜３０の表面に柱状構造のシン
チレータ１６が２５０μｍの厚さで形成されている。こ
のシンチレータ１６には、蒸着法によって成長させたＴ
ｌドープのＣｓＩが用いられている。
【００６８】また、シンチレータ１６は、その全面が基
板２６と共にＣＶＤ法により形成された１０μｍの厚さ
のポリパラキシリレン膜（透明有機膜）１８により覆わ
れている。なお、放射線イメージセンサは、シンチレー
タパネル９のシンチレータ１６の先端部側に撮像素子２
０を対向させて貼り付けた構造を有している。
板２６と共にＣＶＤ法により形成された１０μｍの厚さ
のポリパラキシリレン膜（透明有機膜）１８により覆わ
れている。なお、放射線イメージセンサは、シンチレー
タパネル９のシンチレータ１６の先端部側に撮像素子２
０を対向させて貼り付けた構造を有している。
【００６９】この実施の形態にかかるシンチレータパネ
ルの反射膜は、ガラス基板との密着性の良いＣｒ膜２８
及びＣｒとの結合性の良いＡｕ膜３０により構成されて
いることから、反射膜を安定性の高いものとすることが
できる。
ルの反射膜は、ガラス基板との密着性の良いＣｒ膜２８
及びＣｒとの結合性の良いＡｕ膜３０により構成されて
いることから、反射膜を安定性の高いものとすることが
できる。
【００７０】なお、上述の各実施の形態において、反射
性金属薄膜として、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔ
ｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ及びＡｕからなる群の中の物質を
含む材料からなる膜を用いてもよい。
性金属薄膜として、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔ
ｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ及びＡｕからなる群の中の物質を
含む材料からなる膜を用いてもよい。
【００７１】また、上述の各実施の形態においては、シ
ンチレータ１６としてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられている
が、これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、Ｌ
ｉＩ（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等を用いてもよい。
ンチレータ１６としてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられている
が、これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、Ｌ
ｉＩ（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等を用いてもよい。
【００７２】また、上述の実施の形態においては、ポリ
パラキシリレン膜１８によりシンチレータ１６及び基板
の表面全体（シンチレータが形成されている面と反対側
の面、即ち放射線入射面）を覆うことによりシンチレー
タの耐湿性をより完全なものとしているが、図１３に示
すようにポリパラキシリレン膜１８によりシンチレータ
１６及び基板の表面の少なくとも一部を覆うことにより
シンチレータの耐湿性をシンチレータのみを覆う場合に
比較して高くすることができる。
パラキシリレン膜１８によりシンチレータ１６及び基板
の表面全体（シンチレータが形成されている面と反対側
の面、即ち放射線入射面）を覆うことによりシンチレー
タの耐湿性をより完全なものとしているが、図１３に示
すようにポリパラキシリレン膜１８によりシンチレータ
１６及び基板の表面の少なくとも一部を覆うことにより
シンチレータの耐湿性をシンチレータのみを覆う場合に
比較して高くすることができる。
【００７３】また、上述の各実施の形態における、ポリ
パラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモ
ノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレ
ン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパ
ラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエ
チルパラキシリレン等を含む。
パラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモ
ノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレ
ン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパ
ラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエ
チルパラキシリレン等を含む。
【００７４】
【発明の効果】この発明のシンチレータパネルによれ
ば、シンチレータに僅かながら含まれる水分に基づく反
射性金属薄膜の変質等を防止でき、反射性金属薄膜の反
射膜としての機能の減退を防止することができる。従っ
て、増大したシンチレータパネルの光出力を維持するこ
とができる。また、ガラス製基板を用いる場合には、大
面積化した場合においてもシンチレータパネルの性能を
高く保つことができる。
ば、シンチレータに僅かながら含まれる水分に基づく反
射性金属薄膜の変質等を防止でき、反射性金属薄膜の反
射膜としての機能の減退を防止することができる。従っ
て、増大したシンチレータパネルの光出力を維持するこ
とができる。また、ガラス製基板を用いる場合には、大
面積化した場合においてもシンチレータパネルの性能を
高く保つことができる。
【００７５】また、この発明の放射線イメージセンサに
よれば、シンチレータパネルが増大した光出力を維持す
ることができるため放射線イメージセンサの出力を維持
することができる。また、シンチレータパネルにガラス
製基板を用いる場合には、大面積化した場合においても
放射線イメージセンサの性能を高く保つことができる。
よれば、シンチレータパネルが増大した光出力を維持す
ることができるため放射線イメージセンサの出力を維持
することができる。また、シンチレータパネルにガラス
製基板を用いる場合には、大面積化した場合においても
放射線イメージセンサの性能を高く保つことができる。
【図１】第１の実施の形態にかかるシンチレータパネル
の断面図である。
の断面図である。
【図２】第１の実施の形態にかかる放射線イメージセン
サの断面図である。
サの断面図である。
【図３】第２の実施の形態にかかるシンチレータパネル
の断面図である。
の断面図である。
【図４】第３の実施の形態にかかるシンチレータパネル
の断面図である。
の断面図である。
【図５】第３の実施の形態にかかるシンチレータパネル
の変形例の断面図である。
の変形例の断面図である。
【図６】第４の実施の形態にかかるシンチレータパネル
の断面図である。
の断面図である。
【図７】第４の実施の形態にかかるシンチレータパネル
の変形例の断面図である。
の変形例の断面図である。
【図８】実施の形態にかかるシンチレータパネルの変形
例の断面図である。
例の断面図である。
【図９】実施の形態にかかるシンチレータパネルの変形
例の断面図である。
例の断面図である。
【図１０】第５の実施の形態にかかるシンチレータパネ
ルの断面図である。
ルの断面図である。
【図１１】第５の実施の形態にかかる放射線イメージセ
ンサの断面図である。
ンサの断面図である。
【図１２】第６の実施の形態にかかるシンチレータパネ
ルの断面図である。
ルの断面図である。
【図１３】実施の形態にかかるシンチレータパネルの変
形例の断面図である。
形例の断面図である。
１，３〜９…シンチレータパネル、２…放射線イメージ
センサ、１０…基板、１２…Ａｇ膜、１３…Ａｌ膜、１
４…ＳｉＮ膜、１６…シンチレータ、１８…ポリパラキ
シリレン膜、２０…撮像素子、２２…ポリイミド膜、２
６…ガラス基板。
センサ、１０…基板、１２…Ａｇ膜、１３…Ａｌ膜、１
４…ＳｉＮ膜、１６…シンチレータ、１８…ポリパラキ
シリレン膜、２０…撮像素子、２２…ポリイミド膜、２
６…ガラス基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−269083（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−191087（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−60871（ＪＰ，Ａ) 国際公開98／36291（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01T 1/20
Claims (10)
- 【請求項１】 放射線を透過する基板と、 前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、 前記反射性金属薄膜の全体を覆う保護膜と、 前記保護膜上に蒸着によって堆積されたシンチレータ
と、 を備え、 前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シ
ンチレータにおいて発光した光を反射し、 前記保護膜は、前記反射性金属薄膜を前記シンチレータ
から保護する機能を有する、 ことを特徴とするシンチレータパネル。 - 【請求項２】 放射線を透過する基板と、 前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、 前記反射性金属薄膜上に設けられた保護膜と、 前記保護膜の周縁部が露出するようにして前記保護膜上
に蒸着によって堆積されたシンチレータと、 を備え、 前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シ
ンチレータにおいて発光した光を反射し、 前記保護膜は、前記反射性金属薄膜を前記シンチレータ
から保護する機能を有する、 ことを特徴とするシンチレータパネル。 - 【請求項３】 前記反射性金属薄膜は、Ａｌ，Ａｇ，Ｃ
ｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ及びＡｕから
なる群の中の物質を含む材料からなる膜であることを特
徴とする請求項１又は請求項２に記載のシンチレータパ
ネル。 - 【請求項４】 前記保護膜は、ＬｉＦ，ＭｇＦ2，Ｓｉ
Ｏ2，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＳｉＮ及びポリイミ
ドからなる群の中の物質を含む材料からなる膜であるこ
とを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか一項に記載
のシンチレータパネル。 - 【請求項５】 前記保護膜は、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ及びＰｔからなる群の中の
物質を含む材料からなる酸化膜であることを特徴とする
請求項１〜請求項３の何れか一項に記載のシンチレータ
パネル。 - 【請求項６】 前記保護膜は、無機膜及び有機膜により
形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３の
何れか一項に記載のシンチレータパネル。 - 【請求項７】 前記シンチレータは有機膜で被覆されて
いることを特徴とする請求項１〜請求項６の何れか一項
に記載のシンチレータパネル。 - 【請求項８】 前記有機膜は、更に前記基板の表面の少
なくとも一部を被覆していることを特徴とする請求項７
記載のシンチレータパネル。 - 【請求項９】 前記有機膜は、更に前記基板の表面の全
体を被覆していることを特徴とする請求項７記載のシン
チレータパネル。 - 【請求項１０】 請求項１〜請求項９の何れか一項に記
載のシンチレータパネルの前記シンチレータに対向して
撮像素子を配置したことを特徴とする放射線イメージセ
ンサ。
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|---|---|---|---|
| JP2000105204A JP3126715B2 (ja) | 1999-04-16 | 2000-04-06 | シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| JP11-109635 | 1999-04-16 | ||
| JP10963599 | 1999-04-16 | ||
| JP2000105204A JP3126715B2 (ja) | 1999-04-16 | 2000-04-06 | シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ |
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|---|---|
| JP2000356679A JP2000356679A (ja) | 2000-12-26 |
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ID=26449370
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| CN1161625C (zh) | 1999-04-09 | 2004-08-11 | 浜松光子学株式会社 | 闪烁体面板和射线图象传感器 |
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-
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- 2000-04-06 JP JP2000105204A patent/JP3126715B2/ja not_active Expired - Lifetime
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