JPH08313640A

JPH08313640A - 二次元放射線画像検出器

Info

Publication number: JPH08313640A
Application number: JP7118139A
Authority: JP
Inventors: Keiji Umetani; 啓二梅谷; Takeshi Ueda; 健植田; Tetsuo Minemura; 哲郎峯村; Kazutaka Tsuji; 和隆辻; Koichi Koike; 功一小池
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Medical Corp
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Healthcare Manufacturing Ltd
Priority date: 1995-05-17
Filing date: 1995-05-17
Publication date: 1996-11-29
Also published as: US5880470A

Abstract

(57)【要約】【目的】空間解像度、感度が向上する二次元放射線画
像検出器を提供する。【構成】検出器は、第一素子基板１１と第二素子基板
１２の二枚からなり、各素子基板上の複数の受光素子に
上に、放射線を可視光に変換する蛍光体膜５１が形成さ
れ、放射線の内、６１は、第一素子基板１１の蛍光体膜
で可視光に変換され、６２は、第一素子基板の蛍光体膜
がない領域に入射し第一素子基板を透過し、第二素子基
板１２の蛍光体膜で可視光に変換され検出される。第一
素子基板の蛍光体膜がない領域は、第二素子基板では、
蛍光体膜が形成されており検出器に入射する放射線は、
第一素子基板及び第二素子基板に分けて検出される。二
層の素子基板により検出された二枚の画像から、空間解
像度が画素の縦横の配列方向に対して一様な一枚の画像
を合成する。【効果】画素面積が従来の約二倍で受光部面積が増大
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高解像度な大面積のプ
レート状の二次元放射線画像検出器に係り、とくに放射
線画像による医学診断装置だけでなく、非破壊検査など
の放射線を用いる装置に適用できる二次元放射線画像検
出器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来技術のプレート状の放射線画像検出
器として、特開昭６１−６２２８３号公報に記載の「放
射線／電気変換装置」、及び特公平６−１６７７５号公
報に記載の「放射線診断装置」がある。これらの装置で
は、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンからなる
光検出器がプレート上に二次元的に配列されており、こ
のプレートと同じ面積を有する蛍光体をプレートに密着
させた構造である。蛍光体が放射線を吸収し蛍光に変換
して、これを二次元的に配列された光検出器が検出し、
放射線の画像を電気信号に変換する。また、プレート状
で放射線ディジタル画像を撮影する装置として、ＵＳ
Ｐ．Ｎｏ．５、２６２、６４９に記載の、「シン−フィ
ルム、フラットパネル、ピクセレイテッドディテクタ
ーアレイフォーリアル−タイムディジタルイメ
ージングアンドドジメトリフォーアイオナイジ
ングラジエイション」（Ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ，Ｆｌａ
ｔＰａｎｅｌ，ＰｉｘｅｌａｔｅｄＤｅｔｅｃｔｏｒ
ＡｒｒｅｙｆｏｒＲｅａｌ−ｔｉｍｅＤｉｇｉ
ｔａｌＩｍａｇｉｎｇａｎｄＤｏｓｉｍｅｔｒｙ
ｏｆＩｏｎｉｚｉｎｇＲａｄｉａｔｉｏｎ）があ
る。さらに、プレート状の放射線画像検出器として、Ｕ
ＳＰ．Ｎｏ．５、１８７、３６９に記載の、「ハイセ
ンシティビティ、ハイレゾルーション、ソリッドス
テートエックスレイイメージングデバイスウイ
ズバリアレイヤ」（ＨｉｇｈＳｅｎｓｉｔｉｖｉ
ｔｙ，ＨｉｇｈＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎ，Ｓｏｌｉｄ
ＳｔａｔｅＸ−ｒａｙＩｍａｇｉｎｇＤｅｖｉｃ
ｅｗｉｔｈＢａｒｒｉｅｒＬａｙｅｒ）がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の装置は、一枚の
基板上に光検出器を二次元的に配列し、この上に蛍光体
層を形成した構造である。このため、素子基板上での高
密度の実装が必要であり、光検出器部分の開口効率が低
下するという問題や、配線パターンの設計において大き
な制約が生じるという問題があった。本発明の目的は、
上記従来の問題点を解決し、一枚のみの基板上に画像検
出器を形成するという制約を受けず、開口効率の大幅な
向上による感度の増大を達成でき、また、配線パターン
に対する制限を緩和することにより、画像検出器の設計
における自由度が拡大でき、さらなる大面積化の達成を
可能とする二次元放射線画像検出器を提供することにあ
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の二次元放射線画
像検出器は、放射線を可視光に変換する変換素子と、可
視光を検出し信号を蓄積する受光素子とが二次元的に配
列された一枚の素子基板を形成し、二枚の素子基板を重
ね合わせ一組とした構成により一個の二次元放射線画像
検出器とすることに特徴がある。

【０００５】二次元放射線画像検出器を構成する一枚の
素子基板について、受光素子の素子基板上での二次元的
な配列において、配列の一方向の受光素子の中心間隔が
受光素子の幅に概ね等しくするが、上記一方向と直角な
方向の受光素子の中心間隔は、受光素子の幅の概ね二倍
とする。

【０００６】また、二次元放射線画像検出器は、放射線
を可視光に変換する変換素子と、可視光を検出し信号を
蓄積する受光素子と、受光素子に蓄積された信号を読み
出すスイッチング素子とが、それぞれ素子基板上に形成
された構造とする。受光素子とスイッチング素子とを一
組として検出画素を構成し、この検出画素が素子基板上
に二次元的に配列された構造を有する二次元放射線画像
検出器とする。ここで、受光素子とスイッチング素子と
が交互に並ぶ方向について、検出画素の面積の概ね半分
の領域を、受光素子とスイッチング素子を制御するスイ
ッチング制御用の並列配線によりなる構造とする。

【０００７】さらに本発明の二次元放射線画像検出器
は、放射線を可視光に変換する複数の変換素子と、可視
光を検出し信号を蓄積する複数の受光素子とが素子基板
上に形成され、素子基板をＮ枚（Ｎは２より大なる整
数）枚を重ね合わせ二次元放射線画像検出器であり、ｎ
（１≦ｎ＜Ｎ）枚目の素子基板の受光素子部分以外を透
過した放射線を、（ｎ＋１）枚目の素子基板の受光素子
により検出することに特徴がある。

【０００８】

【作用】一枚の素子基板上に、放射線を可視光に変換す
る変換素子と、可視光を検出し信号を蓄積する受光素子
と、受光素子に蓄積された信号を読み出すスイッチング
素子とが二次元的に配置される構成では、さらに受光素
子に含まれる光検出部の可視光に対する開口効率を増大
することは、実装密度が高まるために限界がある。この
ため、素子基板を二枚にして実装密度を緩和すれば、受
光素子の開口効率を大幅に増加することができる。この
場合は、一枚目の素子基板の受光素子部分で放射線を検
出し、この部分以外に入射する放射線は一枚目の素子基
板を透過する。透過した放射線は、二枚目の素子基板の
受光素子部分により検出される。

【０００９】本発明では、素子基板を二枚使用するの
で、変換素子、受光素子、スイッチング素子、及びこれ
らの間の配線からなる一画素の大きさは、素子基板が一
枚の場合に比べて、二倍の面積となる。このため、一画
素の面積の半分を、受光素子と配線とが占有できる面積
とすることができる。そして、受光素子の上にそれぞれ
変換素子が形成されており、変換素子が放射線を可視光
に変換し、この可視光を受光素子が検出し信号として蓄
積する。

【００１０】一枚目の素子基板において、受光素子と配
線とが占める領域により、入射する放射線の半分を検出
する。そして、一枚目の素子基板の受光素子と配線とが
占める領域以外に入射した放射線は、この領域の素子基
板を透過して、二枚目の素子基板に入射する。このと
き、二枚目の素子基板において、受光素子と配線とが占
める領域は、一枚目の素子基板では受光素子と配線とが
占める領域以外の領域に対応する。このため、一枚目の
素子基板を透過した放射線は、二枚目の素子基板の受光
素子と配線とが占める領域で検出される。このようにし
て、二枚の素子基板で構成される画像検出器に入射する
放射線は、各素子基板により、半分ずつに分けられて検
出される。

【００１１】変換素子、受光素子、スイッチング素子及
びこれらの間の配線からなる一画素は、受光素子とその
上に形成された変換素子からなる部分と、スイッチング
素子からなる部分に分かれ、これらは概ね一画素の半分
ずつの領域を占める。このため一画素の形状は、スイッ
チング素子と受光素子が交互に並ぶ方向の長さと、この
方向と直角な素子基板上でスイッチング素子又は受光素
子が順に並ぶ方向の長さとの比が、概ね２：１となる矩
形の形状である。一枚目の素子基板に対して、二枚目の
素子基板は、スイッチング素子と受光素子が交互に並ぶ
方向について、この方向の画素の長さの半分の長さだけ
ずれている。このため、一枚目の素子基板の画素の中
で、スイッチング素子からなる部分に相当する位置は、
二枚目の素子基板では、受光素子とその上に形成された
変換素子からなる部分となる。

【００１２】各素子基板の受光素子及びその上に形成さ
れた変換素子により検出された放射線の強度に対応する
信号は、受光素子に蓄積される。蓄積された信号は、ス
イッチング素子により信号読み出しを制御することによ
り、素子基板の外部へ出力される。出力信号として読み
出した信号は、アナログ・デジタル変換器によりデジタ
ル信号に変換されて、メモリに記録される。ここで、素
子基板上でスイッチング素子又は受光素子が順に並ぶ方
向については、各素子基板ごとに受光素子が順に並んで
いるため、放射線が検出される位置と基板から出力され
る信号とが、連続的に対応している。しかし、前記の方
向と直角な素子基板上でスイッチング素子と受光素子が
交互に並ぶ方向については、放射線が検出される位置が
一画素ごとに、一枚目と二枚目の素子基板の間で入れ替
わっている。このため、メモリに記録された二枚の素子
基板からの二枚の画像データをもとにして、素子基板上
でスイッチング素子と受光素子が交互に並ぶ方向につい
て、二枚の画像データの画素を交互に並べ換える操作に
より一枚の画像を合成する。

【００１３】各素子基板では、スイッチング素子又は受
光素子が順に並ぶ方向については、受光素子の中心間隔
が、一画素のスイッチング素子又は受光素子が順に並ぶ
方向の長さと等しい。しかし、この方向と直角なスイッ
チング素子と受光素子が交互に並ぶ方向については、受
光素子の中心間隔が、一画素のスイッチング素子又は受
光素子が順に並ぶ方向の長さの約二倍である。このた
め、各素子基板から出力された画像データでは、サンプ
リングピッチが直交する二方向で異なっている。そし
て、二枚の素子基板からの二枚の画像データを合成する
ことにより、サンプリングピッチが直交する二方向につ
いて等しい一枚の画像が得られる。

【００１４】本発明の二次元放射線画像検出器では、検
出器を構成する各画素ごとに、独立した構造のシンチレ
ータ素子を直接に画素上に形成することにより、従来技
術（ＵＳＰ．Ｎｏ．５、１８７、３６９）よりも、画像
の高解像度化が可能となる。さらに、従来技術の装置
（ＵＳＰ．Ｎｏ．５、２６２、６４９）と同等な構成で
ありながら、受光素子からの信号読み出しの時定数を、
画素間ピッチ、画像検出器の寸法、撮影速度、画像のシ
グナル対ノイズ比等をもとに最適化できる。

【００１５】

【実施例】

（第一の実施例）本発明の装置の第一の実施例を図１に
おいて説明する。図１において、放射線（Ｘ線）画像検
出器は、第一素子基板１１と第二素子基板１２との二枚
一組の構成からなる。各素子基板上の複数の受光素子が
位置する部分には、それぞれＸ線を可視光に変換する変
換素子である蛍光体膜５１が、複数の受光素子のそれぞ
れの上部に形成されている。図１において、画素の境界
は１３、１４で示されている。検出器に入射するＸ線の
内で、Ｘ線６１は、第一素子基板１１の蛍光体膜で可視
光に変換され、第一素子基板により検出される。また、
検出器に入射するＸ線の内で、Ｘ線６２は、第一素子基
板の蛍光体膜が形成されていない領域に入射するため、
第一素子基板を透過し、第二素子基板１２の蛍光体膜で
可視光に変換され、第二素子基板により検出される。こ
こで、第一素子基板の蛍光体膜が形成されていない領域
は、第二素子基板において、蛍光体膜が形成されている
領域に対応するため、画像検出器に入射するＸ線は、第
一素子基板及び第二素子基板に分かれるが、全て検出さ
れる。

【００１６】素子基板上での画像検出器としての構成を
図２に示す。図２において、素子基板１０上には、受光
素子である受光部２１とスイッチング素子であるトラン
ジスタ２０との組合せが二次元的に配列される。受光部
２１は、図３に示すダイオードとコンデンサによる等価
回路により表される受光ダイオードであり、バイアス電
源３５から、配線３６と電極２７と電圧印加用配線２６
により、逆バイアスの電圧が印加されている。Ｘ線は、
蛍光体膜により可視光に変換され、この可視光を受光部
が検出し、Ｘ線強度に比例した電荷として蓄積する。こ
のため、画像検出器に入射するＸ線の二次元的な強度分
布が、画像検出器上の各受光部の蓄積電荷量として、画
像検出器上の蓄積電荷量の二次元的な分布に置き換えら
れて蓄積される。

【００１７】蓄積された電荷信号は、スイッチング素子
であるトランジスタ２０を駆動素子３３により駆動する
ことにより順次に読み出される。図２において、点線で
表した画素の境界１５に示すように、画素は図２で左右
方向に長い矩形であり、左右方向にトランジスタを駆動
するスイッチング用の並列配線２４があり、これと直交
する上下方向に信号用配線２２がある。また、受光部に
逆バイアス電圧を印加する電圧印加用配線２６も、図２
で上下方向に配線されている。

【００１８】信号の読み出しにおいて、まず駆動素子か
ら配線３４と電極２５とスイッチング用並列配線２４に
より、図２の最上段のトランジスタのゲートにオン電圧
を印加し、スイッチングのオン状態とする。このとき、
最上段のトランジスタ以外のゲートはオフ電圧を印加
し、スイッチングのオフ状態とする。この結果、最上段
の各列の受光部に蓄積された電荷信号は、各列の信号用
配線２２と電極２３と配線３２を経由して、同時に出力
素子３１により読み出される。次には、最上段のトラン
ジスタのスイッチングをオフ状態とし、図２の上から第
二段目のトランジスタのスイッチングをオン状態とし
て、同様に第二段目の各列の受光部に蓄積された電荷信
号が、同時に出力素子３１により読み出される。この操
作を各段ごとに順次に繰り返し、素子基板上の全ての受
光部に蓄積された信号電荷が読み出される。出力素子に
より各列から同時に並列に読み出された電荷信号は、図
４において、出力素子により直列的な時系列信号に変換
されて出力される。この信号は、アナログ・デジタル変
換器４１によりデジタル信号に変換されて、撮影制御・
画像収集手段４２にデジタル信号として記録される。

【００１９】図２において、点線で示す画素の境界１５
は、受光素子である受光部２１とスイッチング素子であ
るトランジスタ２０との組合せを一単位とした画素の境
界を表している。画素の寸法は、列方向に対して段方向
が約二倍の長さを持つ矩形であり、矩形領域の半分の領
域が受光部２１とスイッチング用の並列配線２４とから
なっている。このため、図２の段方向の受光部の幅を基
準にすると、各受光部の中心の間隔は、段方向について
は受光部の段方向幅の約二倍であり、列方向については
受光部の段方向幅に概ね一致する。図２の段方向につい
て、素子基板の断面構造を図６に示す。

【００２０】図６においては、素子基板１１と１２の上
に形成された二枚で一組の構造の画像検出器の断面を表
している。両端矢印幅で示す受光素子の領域幅１６は、
図２の段方向について、一画素内での複数の受光素子の
幅を表し、両端矢印幅で示すスイッチング素子の領域幅
１７は、一画素内でのスイッチング素子の幅を表す。両
者の幅の長さは概ね等しく、これらの和が図２の段方向
についての一画素の幅に相当している。そして、複数の
受光素子の領域幅１６と概ね等しい幅で、蛍光体膜５１
が受光部２１の上に形成されており、入射するＸ線６１
及び６２を蛍光体が吸収してそのエネルギーを可視光に
変換しこの可視光を受光部が検出する。

【００２１】素子基板１１及び１２上に形成される複数
の受光素子及びスイッチング素子の位置は、図２の列方
向について両端矢印幅で示す複数の受光素子の領域幅１
６だけ、図６に示すように、素子基板１１と１２との間
でずれた構造である。このため、Ｘ線６１は、第一素子
基板１１上に形成された蛍光体膜５１により吸収され、
Ｘ線６２は第一素子基板の蛍光体膜がない領域に入射す
るため、第一素子基板を透過して第二素子基板１２上に
形成された蛍光体膜５１により吸収される。

【００２２】素子基板上に形成される複数の受光素子及
びスイッチング素子は、アモルファスシリコン又は多結
晶シリコンの材料からなり、薄膜形成のプロセスによ
り、図６に示すような受光部２１としての受光ダイオー
ドや、トランジスタ２０が基板上に形成される。素子基
板は、ガラス又は石英の薄板である。これらの薄膜素子
を形成した後に、平坦化膜２９を形成し、薄膜素子によ
る凹凸を均して平らな表面を形成する。

【００２３】薄膜形成プロセスにより形成された受光ダ
イオードやトランジスタなどの素子間の配線も、薄膜形
成プロセスにより素子基板上に形成する。これらの配線
は、信号用配線２２、電極２３と２５と２７、スイッチ
ング用の並列配線２４、電圧印加用配線２６などであ
り、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンの材料
や、導電性金属などの材料から形成される。図６におい
て、Ｘ線６１は、第一素子基板上の蛍光体膜により吸収
され、信号に変換されるが、Ｘ線６２は、第一素子基板
を透過して、第二素子基板上の蛍光体膜により吸収され
る。ここで、Ｘ線６２の内で第一素子基板を透過する割
合を、表１により説明する。

【００２４】

【表１】

【００２５】素子基板上に形成される素子や配線の厚さ
は、数μｍ以下の厚さであり、これらによるＸ線の吸収
は、Ｘ線のエネルギーが２０ｋｅＶ以上の場合には無視
できる。また、平坦化膜の厚さも同程度であり無視でき
る。このため、Ｘ線の吸収は、主に第一素子基板である
ガラス又は石英の板の厚さに依存する。表１では、素子
基板を密度が２.６である石英として、０.５〜３ｍｍの
厚さに対して、２０〜６０ｋｅＶのエネルギーのＸ線が
透過する割合を示した。表１からガラス厚さ２ｍｍ以上
でＸ線エネルギー２０ｋｅＶにおいてガラス厚さ２ｍｍ
以上の場合を除き、Ｘ線透過率が５０％以上である。こ
のため、実質的にガラスによるＸ線の吸収は小さく、画
像検出器に入射するＸ線６２の内の大部分が、第一素子
基板を透過し、これを第二素子基板上の蛍光体膜が吸収
されて信号に変換される。

【００２６】図６において、第一素子基板１１であるガ
ラス又は石英の板の厚さが、第二素子基板１２と同じ厚
さであるが、第一素子基板の厚さを第二素子基板に比べ
て薄くした構造も可能である。この場合は、第一素子基
板でのＸ線６２の透過率が増し、第二素子基板の蛍光体
膜でのＸ線吸収量が増加し感度が向上する。

【００２７】素子基板の厚さを薄くし過ぎると、素子基
板としての強度の維持が難しくなる。このため、図７に
示すように、第一素子基板の構造を二層構造として、従
来の第一素子基板１１を非常に薄くした部分と、これの
強度を保つための支持基板１８とから構成する。ここ
で、支持基板１８は、素子基板１１を構成するガラス又
は石英と異なり、樹脂などのＸ線の吸収率が小さい材料
で構成する。樹脂としては、特に、構成元素の平均原子
番号及び材料の密度が、ガラス又は石英よりも小さい材
料とする。樹脂としては、炭素原子を主鎖とするカーボ
ン樹脂が好ましい。

【００２８】また、支持基板１８は、図７に示すよう
に、二枚目の素子基板で蛍光体膜が形成されている領域
に対応する支持基板の領域を、溝の構造とすることがで
きる。これにより、素子基板の中でＸ線が透過する部分
が薄くなり、Ｘ線の透過率がさらに向上すると共に、基
板としての強度を維持できる。

【００２９】図６における平坦化膜２９上には、蛍光体
膜５１とこれを支える蛍光体支持材５２からなる構造を
形成。図８、図９、図１０により、蛍光体膜部分の形成
方法を示す。まず、図８に示すように蛍光体支持材５２
は、図６の各受光素子の領域幅１６と概ね等しい幅の溝
５３を有している。なお、蛍光体支持材の帯状凸部分に
相当する部分の幅は、概ねスイッチング素子の領域幅１
７と等しい。この溝の中に、図９に示すように、蛍光体
を詰め込んで、蛍光体膜を形成する。また、溝の内側に
光に対する反射率が高い金属被膜などを形成しておけ
ば、蛍光体膜からの光の取り出し効率が向上する。さら
に、図１０に示すように、蛍光体膜以外の蛍光体支持材
の帯状凸部分に相当する部分の表面には、可視光に対し
て不透明であり、また可視光に対する反射率が小さい不
透明膜５４を形成する。この膜により、蛍光体で発生し
た可視光の、素子基板に平行な方向での拡散を抑制し、
画像検出器としての空間解像度を向上させる。

【００３０】図１０に示す構造の蛍光体膜構造が形成さ
れた後に、図６に示すように蛍光体膜５１の表面が、平
坦化膜２９の表面に接するように固定して二次元放射線
画像検出器が形成される。このとき、図１０の蛍光体膜
構造を平坦化膜に固定するさいに、蛍光体膜部分が受光
部２１の上に位置するように固定する。この構成では、
素子基板の面積に対して、蛍光体膜部分の面積が概ね半
分となる。

【００３１】なお、蛍光体膜から出る可視光の素子基板
に平行な方向での拡散をさらに抑制し、画像検出器とし
ての空間解像度を向上させるために、図８の溝に対して
直角方向に仕切りを設ける。図１１に示すように、各受
光素子ごとに対応する位置に四角形の穴５６を持つ構造
の蛍光体支持材５５を用いる。これにより、蛍光体で埋
める仕切られた区画の面積を、受光部の面積と概ね一致
させて、感度の低下がなくさらに空間解像度を向上させ
ることができる。

【００３２】次に、第一及び第二素子基板上の受光部か
ら読み出された信号の処理内容を説明する。画像検出器
では、第一及び第二素子基板は重なり合った構造である
が、説明のために図４では、二枚を並べた構造に置き換
えてある。各素子基板はそれぞれ横３画素で縦４画素の
１２画素構成であり、それらの合成画像は二倍の画素数
の画像であり、図５の右端の画像で示す横６画素で縦４
画素の２４画素構成の合成画像７０となる。

【００３３】図４において、第一及び第二素子基板上の
受光素子に蓄積された電荷信号を、出力素子により各列
から同時に並列に読み出す。これらの信号は出力素子に
より直列的な時系列信号に変換されて出力される。そし
て、アナログ・デジタル変換器４１によりデジタル信号
に変換されて、撮影制御・画像収集手段４２にデジタル
信号として記録される。このとき、撮影制御・画像収集
手段４２には、第一及び第二素子基板上の受光素子に蓄
積されていた電荷信号が、各素子基板上の受光素子の位
置に対応して配列された画像信号として記録されてい
る。

【００３４】第一素子基板からの画像信号は、図５の左
上の第一素子基板画像７１として、左から偶数列の画像
領域８１に画像信号が記録され、左から奇数列には空白
領域８３として画像信号は存在しない。また逆に、第二
素子基板からの画像信号は、図５の左下の第二素子基板
画像７２として、左から奇数列の画像領域８２に画像信
号が記録され、左から偶数列には空白領域８４として画
像信号は存在しない。このため、空白領域を互いの対応
する画像領域での画像信号に置き換えることにより、合
成画像７０が得られる。この処理は、撮影制御・画像収
集手段４２により実行され、合成画像は画像表示素子４
３によりモニタ等で表示される。

【００３５】なお、第二素子基板により検出するＸ線
は、第一素子基板を透過したＸ線であるため、Ｘ線の強
度が低下している。このため、第一素子基板１１から出
力される画像信号に比べて、第二素子基板１２から出力
される画像信号は、信号レベルが低い。図５における第
一素子基板画像７１と第二素子基板画像７２とから、合
成画像７０を作り出す撮影制御・画像収集手段４２での
画像処理において、二枚の画像信号レベルを調整してか
ら合成画像を作成する。この場合は、例えば、第一素子
基板画像７１の画像信号レベルの平均値を算出し、これ
と第二素子基板画像７２の画像信号レベルの平均値が一
致するように、第二素子基板画像の画像信号レベルを調
整する。

【００３６】図４において、点線で示す画素の境界１５
により表される画素の寸法は、列方向に対して段方向が
約二倍の長さを持つ矩形である。このため、素子基板で
の画像領域８１又は８２において、各画素に対応する画
像領域の中心間隔が、列方向に対して段方向が約二倍の
長さである。しかし、合成画像７０においては、素子基
板空白領域８３又は８４が、画像信号が存在する画像領
域で置き替わる。このため、合成画像７０においては、
各画素に対応する画像領域の中心間隔が、列方向と段方
向とで概ね等しくなる。この結果として、合成画像にお
いては、列方向と段方向とについて、両方向での空間解
像度が等しい画像となる。

【００３７】本発明によれば、図１４に示す一枚の素子
基板の上に列方向と段方向との長さが等しい画素を配列
した構造の、一枚のみの素子基板からなる従来の装置で
得られる画像のように、列方向と段方向とでの解像度が
等しいだけでなく、蛍光体膜が画素ごとに分離している
ため空間解像度自体が高くなり、さらに、受光部の面積
を大幅に増大して感度を高くした放射線画像検出器を実
現できる。

【００３８】図４においては簡略化して、一枚の素子基
板が１２画素から構成される場合を示したが、実際の画
像検出器では、１００万画素以上の非常に大規模な画素
構成である。大規模な画素構成に対しては、素子基板か
らの信号読み出しの高速化のために、複数個の出力素子
とアナログ・デジタル変換器（ＡＤＣ）の組み合わせを
使う。図４では画素が四段三列の構成であるが、例え
ば、これを四段九列とした場合で説明する。

【００３９】この場合には、隣合う三列ずつを一組とし
て三組に分ける。そして、三列からなるそれぞれの三組
に対して、三個の出力素子とＡＤＣを対応させ、三個の
ＡＤＣからの信号を並列に、撮影制御・画像収集素子に
入力する。この結果、図４の四段三列の画素構成に対し
て、四段九列とした場合でも信号の読み出し時間は同じ
にすることができる。そして、さらに大規模な画素構成
に対しても、同様に複数の出力素子とＡＤＣを対応させ
ることに、短時間での信号読み出しが可能となる。

【００４０】（第二の実施例）本発明の装置の第二の実
施例を図１２において説明する。図１２に示す実施例で
はスイッチング用の並列配線２４と素子基板の端部の電
極２５とを結ぶため、スイッチング用の並列配線と直交
するスイッチング伝達用配線２８を有している。スイッ
チング伝達用配線２８は信号用配線２２と平行であり、
信号用配線２２のための電極２３が並ぶ素子基板の端部
の辺と、同一な辺にスイッチング伝達用配線２８のため
の電極２５が並んでいる。さらに、同一の辺に、電圧印
加用配線２６のための電極２７が並んでいる。本実施例
では、素子基板内の配線と基板外の出力・駆動素子３７
やバイアス電源３５などと接続するための電極を、素子
基板の一辺に限定しており、他の三辺は電気的な接続に
使う必要がない。

【００４１】本実施例の装置の構成を簡略に描くと、図
１３の左に示す構成となる。つまり、素子基板１０の部
分と、素子基板の一辺に接続した出力・駆動・電源素子
３０とから構成される。この場合は、出力・駆動・電源
素子が接続した素子基板の一辺以外は空いているため、
図１３の右に示すように、複数の画像検出器を用い、素
子基板の空いている辺を互いに組み合わせて、即ち単位
単位二次元放射線画像検出器を互いに組み合わせ、非常
に大面積の画像検出器とすることができる。例えば、図
１３の左の一台の検出器において、素子基板の上下方向
を１５ｃｍとし、左右方向を１０ｃｍとすると、図の右
側のように８枚組み合わせると、３０ｃｍ×４０ｃｍの
大面積の放射線画像検出器を構成することが可能とな
る。

【００４２】本実施例では、図１２でスイッチング用の
並列配線２４を、信号用配線２２と平行にスイッチング
伝達用配線２８により、素子基板端部の辺の電極２５に
導き、さらに、電圧印加用配線２６のための電極２７も
同じ素子基板の辺に配置した。この結果、本実施例は、
素子基板の四辺の内で三辺が外の素子基板と組み合わさ
た素子基板が少なくとも一枚存在するように５個以上の
所定のサイズの画像検出器ユニット（単位二次元放射線
画像検出器）を組み合わせることができる。このため、
非常に大面積の二次元放射線画像検出器を形成すことが
でき、用途に応じて素子基板寸法が異なる画像検出器を
製作することが不要となる。本実施例によれば、一つの
寸法の素子基板からなる画像検出器の組み合わせによ
り、検出器としての面積が異なる大きさを要求される多
くの用途に対応できる。

【００４３】本発明の特長は、大面積の放射線画像検出
器が実現できることであり、これに伴って、検出器を構
成する画素の数を増大できる。例えば、素子基板寸法が
縦２０ｃｍ×横１０ｃｍであり、画素の寸法が縦１００
μｍ×横２００μｍの場合は、縦２０００画素×横５０
０画素の１００万画素の検出器基板となる。これを二枚
組み合わせた画像検出器では、縦２０ｃｍ×横１０ｃｍ
の合成画像において、画素の寸法が１００μｍ角であ
り、画素数が縦２０００画素×横１０００画素の２００
万画素となる。さらに、この画像検出器を８台組み合わ
せた検出器では、合成画像において画素の寸法が１００
μｍ角で面積が４０ｃｍ角であり、画素数が４０００×
４０００画素の１６００万画素となり、医学診断用のＸ
線フィルムと同等な大面積と高解像度を達成できる。さ
らに画像信号をデジタル信号として直接に保存できると
いう特長を有している。これらの実施例においては、二
枚の素子基板がそれぞれ独立した画像検出器として働い
ている。

【００４４】（第三の実施例）次に、変換素子である蛍
光体膜を一枚の板とした構造の実施例を、図１５により
説明する。図１５においては、図６における第一素子基
板１１が裏返しとなった構造である。そして、一枚の構
造の蛍光体膜５１を第一及び第二素子基板の複数の受光
素子が、それぞれ蛍光体膜の異なる側面を向いた構造と
なっている。このため、第一及び第二素子基板が共に、
第一素子の基板１１を透過して蛍光体膜５１で吸収され
たＸ線の信号を検出する。

【００４５】本実施例によれば、第一素子基板を透過し
たＸ線の信号を二枚の素子基板での変換素子で検出する
ため、素子基板からの出力信号の強度レベルが、二枚の
素子基板の間で差がない。このため、二枚の画像の合成
において、画像信号レベルを二枚の素子基板の間で合わ
せる処理が不要となり、画像合成が容易となる。

【００４６】以上の実施例では、二枚の素子基板により
二枚の画像を検出し、一枚の画像を合成する例について
説明した。本発明においては、素子基板の枚数が二枚だ
けに限定されるものではない。例えば、素子基板上の複
数の受光素子やスイッチング素子の構成を表す図１２に
おいて、一画素の寸法を図１２の縦方向に対して横方向
の寸法を３倍とすることができる。この場合、複数の受
光素子とスイッチング用並列配線とからなる領域の面積
を、一画素の面積の１／３とする。そして、このような
素子基板を三枚使って、各基板を画素の寸法が長い方向
について、画素の１／３の長さだけ互いにずらして組み
合わせた構造とすることができる。この場合は、三枚目
の素子基板は、一枚目及び二枚目の素子基板を透過した
Ｘ線成分を検出する。各素子基板から合計三枚の画像が
得られ、これらを合成して一枚の画像を合成する。

【００４７】本実施例では、一画素の面積の１／３の領
域が複数の受光素子とスイッチング用並列配線からな
り、残りの２／３の面積の領域がスイッチング素子と各
配線から構成される。このため、スイッチング素子と各
配線のための面積が大きくなるため、スイッチング素子
の素子基板上への形成プロセスや、配線のパターンの自
由度が大きくなり、画像検出器の製作の難易度を低下さ
せることができる。

【００４８】（第四の実施例）さらに、第三の実施例の
方法を、素子基板の数が四枚又は、四枚以上の数の場合
にも拡張できる。即ち、図１２において、一画素の寸法
を図１２の縦方向に対して横方向の寸法をＮ倍（Ｎは整
数である）とすることができ、複数の受光素子とスイッ
チング用並列配線とからなる領域の面積を、一画素の面
積の１／Ｎとして、このような素子基板をＮ枚使って、
各基板を画素の寸法が長い方向について、画素の１／Ｎ
の長さだけ互いにずらして重ね合わせた構造とすること
ができる。この場合、Ｎ枚目の素子基板は、一枚目から
（Ｎ−１）枚目の素子基板を透過したＸ線成分を検出す
るが、各素子基板から得られる合計Ｎ枚の画像を合成し
て一枚の画像を得ることができる。この結果、第三の実
施例と同様に、スイッチング素子と各配線のための面積
をより大きくでき、スイッチング素子の素子基板上での
形成プロセスや、配線のパターンの自由度がより大きく
でき、二次元放射線画像検出器の製作をより容易にでき
ることになる。

【００４９】以上の実施例では、放射線としてＸ線を例
にしたが、本発明では、その他の放射線として、α線、
β線、γ線などや、各種の加速器や原子炉で生成される
粒子線などによる画像の検出にも適用できる。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、一枚の素子基板の上に
列方向と段方向との長さが等しい画素を配列した構造
の、一枚のみの素子基板からなる従来の装置で得られる
画像のように、列方向と段方向とでの解像度が等しい画
像が、二枚の素子基板から構成される画像検出器によっ
て得られる。また、蛍光体膜が画素ごとに分離している
ため空間解像度自体を高くすることができる。さらに、
受光部の面積を大幅に増大させて感度を高くした大サイ
ズの二次元放射線画像検出器を実現できる。

【００５１】また、本発明は、５個以上の単位画像検出
器を組み合わせて、非常に大面積の画像検出器を構成す
ことができる。このため、用途に応じて素子基板寸法が
異なる画像検出器を製作することが不要となり、一つの
寸法の素子基板からなる画像検出器の組み合わせによ
り、多くの用途に対応できるような大面積であり、さら
に面積が異なる二次元画放射線像検出器を作成できると
いう特長を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施例の検出器での二枚の素子
基板の配置を示す斜視図。

【図２】本発明の第一の実施例の検出器での素子基板上
の素子、配線を示す図。

【図３】本発明の第一の実施例の検出器における受光部
の等価回路を示す図。

【図４】本発明の第一の実施例の検出器の全体構成を示
す図。

【図５】撮影制御・画像処理における画像合成の方法を
示す図。

【図６】本発明の第一の実施例の検出器の断面図。

【図７】本発明の第一の実施例の検出器の断面図。

【図８】蛍光体支持材の構造を示す斜視図。

【図９】蛍光体支持材および蛍光体膜の構造を示す斜視
図。

【図１０】放射線を可視光に変換する変換素子の構造を
示す斜視図。

【図１１】蛍光体支持材の構造を示す斜視図。

【図１２】本発明の第二の実施例の検出器での素子基板
上の素子、配線を示す図。

【図１３】本発明の第二の実施例において単位画像検出
器を複数個組み合わせた大面積の放射線画像検出器の構
成を示す図。

【図１４】従来の検出器の素子基板上の素子、配線を示
す図。

【図１５】本発明の第三の実施例の検出器の断面図。

【符号の説明】

１０…素子基板、１１…第一素子基板、１２…第二素子
基板、１３、１４、１５…画素の境界、１６…受光素子
の領域幅、１７…スイッチング素子の領域幅、１８…支
持基板、２０…トランジスタ、２１…受光部、２２…信
号用配線、２３、２５、２７…電極、２４…スイッチン
グ用の並列配線、２６…電圧印加用配線、２８…スイッ
チング伝達用配線、２９…平坦化膜、３０…出力・駆動
・電源素子、３１…出力素子、３２、３４、３６…配
線、３３…駆動素子、３５…バイアス電源、３７…出力
・駆動素子、４１…アナログ・デジタル変換器、４２…
撮影制御・画像収集手段、４３…画像表示手段、５１…
蛍光体膜、５２、５５…蛍光体支持材、５３…溝、５４
…不透明膜、５６…四角形の穴、６１…入射Ｘ線、６２
…入射Ｘ線、７０…合成画像、７１…第一素子基板で得
た画像、７２…第二素子基板で得た画像、８１…第一素
子基板の画像領域、８２…第二素子の基板画像領域、８
３…第一素子基板の空白領域、８４…第二素子基板の空
白領域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者峯村哲郎茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者辻和隆東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者小池功一東京都千代田区内神田一丁目１番14号株式会社日立メディコ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】放射線を可視光に変換する複数の変換素子
と、前記可視光を検出し信号を蓄積する複数の受光素子
とが、素子基板上に形成された二次元放射線画像検出器
であり、前記素子基板上に前記複数の受光素子が二次元
的に配列され、この配列の一方向の前記受光素子の中心
間隔が前記受光素子の幅に概ね等しく、前記一方向と直
角な方向の前記受光素子の中心間隔が前記受光素子の幅
の概ね二倍であり、前記素子基板を二枚を重ね合わせ、
一枚目の前記素子基板の前記受光素子部分以外を透過し
た放射線を、二枚目の前記素子基板の前記受光素子によ
り検出することを特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項２】放射線を可視光に変換する複数の変換素子
と、前記可視光を検出し信号を蓄積する複数の受光素子
とが素子基板上に形成された二次元放射線画像検出器で
あり、前記素子基板の面積に対して、前記変換素子であ
る蛍光体膜部分の面積が概ね半分であり、前記素子基板
を二枚を重ね合わせ、一枚目の前記素子基板の前記受光
素子部分以外を透過した放射線を、二枚目の前記素子基
板の前記受光素子により検出することを特徴とする二次
元放射線画像検出器。
【請求項３】放射線を可視光に変換する複数の変換素子
と、前記可視光を検出し信号を蓄積する複数の受光素子
と、複数の受光素子に蓄積された信号を読み出す複数の
スイッチング素子とが素子基板上に形成され、前記受光
素子と前記スイッチング素子とにより一組の検出画素が
構成され、前記素子基板上に前記検出画素が二次元的に
配列された二次元放射線画像検出器であり、前記受光素
子と前記スイッチング素子とが交互に並ぶ方向につい
て、前記素子基板上で前記検出画素の面積の概ね半分の
領域が、前記スイッチング素子を制御するスイッチング
制御用の並列配線及び前記受光素子により構成され、前
記素子基板を二枚を重ね合わせ、一枚目の前記素子基板
の前記受光素子部分以外を透過した放射線を、二枚目の
前記素子基板の前記受光素子により検出することを特徴
とする二次元放射線画像検出器。
【請求項４】放射線を可視光に変換する複数の変換素子
と、前記可視光を検出し信号を蓄積する複数の受光素子
とが素子基板上に形成され、前記素子基板を二枚を重ね
合わせ二次元放射線画像検出器であり、一枚目の前記素
子基板の前記受光素子部分以外を透過した放射線を、二
枚目の前記素子基板の前記受光素子により検出すること
を特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項５】請求項１から４に記載のいずれかの二次元
放射線画像検出器において、前記二枚の素子基板の前記
受光素子で検出して得たそれぞれの二枚の画像から、画
素数が二倍の一枚の画像を合成することを特徴とする二
次元放射線画像検出器。
【請求項６】請求項１から４に記載のいずれかの二次元
放射線画像検出器において、前記二枚の素子基板のそれ
ぞれを、互いに前記受光素子の幅に相当する間隔分だけ
一方向にずらして配置することを特徴とする二次元放射
線画像検出器。
【請求項７】請求項１から４に記載のいずれかの二次元
放射線画像検出器において、前記受光素子が、アモルフ
ァスシリコン又は多結晶シリコンからなる受光ダイオー
ドであることを特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項８】請求項１から４に記載のいずれかの二次元
放射線画像検出器において、前記受光素子に蓄積された
信号を読み出す複数のスイッチング素子が、アモルファ
スシリコン又は多結晶シリコンからなるトランジスタで
あることを特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項９】請求項１から４に記載のいずれかの二次元
放射線画像検出器において、前記スイッチング素子を並
列に制御するスイッチング制御用の並列配線が前記素子
基板上に配置され、前記並列配線が前記受光素子の中心
間隔が前記受光素子の幅の概ね二倍である方向に配線さ
れていることを特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項１０】請求項９に記載の二次元放射線画像検出
器において、前記受光素子の中心間隔が前記受光素子の
幅の概ね二倍である方向について、前記方向の前記受光
素子に蓄積された信号を同時に読み出すことを特徴とす
る二次元放射線画像検出器。
【請求項１１】請求項１から４に記載のいずれかの二次
元放射線画像検出器において、前記素子基板上に配置さ
れているスイッチング並列制御用の配線と、前記素子基
板の端部とを結ぶスイッチング伝達用の配線とが前記素
子基板上に配置されており、前記スイッチング並列制御
用の配線と前記スイッチング伝達用の配線とが直交する
ことを特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項１２】請求項１から４に記載のいずれかの二次
元放射線画像検出器において、前記受光素子に蓄積され
た信号を前記スイッチング素子を経て読み出す信号用配
線が前記素子基板上に配置されており、前記信号用配線
が前記受光素子の中心間隔が前記受光素子の幅に概ね等
し方向に配線されていることを特徴とする二次元放射線
画像検出器。
【請求項１３】請求項１２に記載の二次元放射線画像検
出器において、スイッチング伝達用の配線と、前記信号
用配線とが前記素子基板上で、それぞれが平行に配線さ
れていることを特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項１４】請求項１から４に記載のいずれかの二次
元放射線画像検出器において、前記受光素子に信号を蓄
積するために、前記受光素子に電圧を印加する電圧印加
用配線が前記素子基板上に配置されており、前記電圧印
加用配線が前記受光素子の中心間隔が前記受光素子の幅
に概ね等し方向に配線されていることを特徴とする二次
元放射線画像検出器。
【請求項１５】請求項１から４に記載のいずれかの二次
元放射線画像検出器において、前記素子基板外部との電
気的接続のための電極が、前記素子基板の端の辺に沿っ
て前記素子基板上に配置されており、前記素子基板の一
辺に沿った部分の電極に、スイッチング伝達用の配線
と、信号用配線と、電圧印加用配線とが接続されている
ことを特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項１６】請求項１から４に記載のいずれかの二次
元放射線画像検出器において、前記二枚の素子基板を重
ね合わせて一組とした単位二次元放射線画像検出器の５
組以上を、前記素子基板の辺を合わせて平面上で繋ぎ合
わせ、二次元放射線画像検出器全体の面積を５倍以上と
することを特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項１７】請求項１６に記載の二次元放射線画像検
出器において、５組以上の単位二次元放射線画像検出器
の繋ぎ合わせで、前記二次元放射線検出器の矩形の前記
素子基板の四辺の中の三辺で、他の単位二次元放射線画
像検出器と繋ぎ合っている前記単位二次元放射線画像検
出器が存在することを特徴とする二次元放射線画像検出
器。
【請求項１８】請求項１５又は請求項１６に記載のいず
れかの二次元放射線画像検出器において、前記二枚の素
子基板を重ね合わせて一組とした単位二次元放射線画像
検出器の５組以上の繋ぎ合わせで、前記単位二次元放射
線画像検出器の矩形の前記素子基板の四辺の中で、電気
的接続のための電極が前記素子基板上に配置された辺
は、他の前記単位二次元放射線画像画像検出器と繋ぎ合
わないことを特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項１９】請求項１から４に記載のいずれかの二次
元放射線画像検出器において、前記変換素子が、前記受
光素子の中心間隔が前記受光素子の幅に概ね等い方向に
おいて、幅が前記受光素子の幅に概ね等い帯状であるこ
とを特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項２０】請求項１９に記載の二次元放射線画像検
出器において、前記変換素子を構成する蛍光体基板に溝
が形成されており、前記変換素子が前記溝に蛍光体を詰
めた構造であることを特徴とする二次元放射線画像検出
器。
【請求項２１】請求項１９に記載の二次元放射線画像検
出器において、前記変換素子を構成する蛍光体基板に溝
が形成されており、前記変換素子が前記溝の内側に光に
対する反射率が高い金属被膜を形成したことを特徴とす
る二次元放射線画像検出器。
【請求項２２】請求項１９に記載の二次元放射線画像検
出器において、前記変換素子を構成する蛍光体基板に溝
が形成されており、前記変換素子が前記溝以外の面に遮
光性の膜を形成したことを特徴とする二次元放射線画像
検出器。
【請求項２３】請求項１から４に記載のいずれかの二次
元放射線画像検出器において、前記変換素子が、前記受
光素子の中心の間隔が前記受光素子の幅に概ね等い方向
に、幅が複数の前記受光素子の幅に概ね等い帯状であ
り、かつ、帯の中に帯と直角な方向に仕切りを、前記受
光素子の幅に概ね等い間隔で形成したことを特徴とする
二次元放射線画像検出器。
【請求項２４】請求項２３に記載の二次元放射線画像検
出器において、前記変換素子が溝を仕切って作られた各
窪みの内部に蛍光体を詰めたことを特徴とする二次元放
射線画像検出器。
【請求項２５】請求項２３に記載の二次元放射線画像検
出器において、前記帯の中を仕切りで囲んだ仕切り内部
の面積が、前記受光素子の面積と概ね等しいことを特徴
とする二次元放射線画像検出器。
【請求項２６】請求項１から４に記載のいずれかの二次
元放射線画像検出器において、一枚目の前記素子基板の
厚さが、二枚目の前記素子基板の厚さよりも薄いことを
特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項２７】請求項１から４に記載のいずれかの二次
元放射線画像検出器において、前記素子基板がガラス又
は石英からなることを特徴とする二次元放射線画像検出
器。
【請求項２８】請求項１から４に記載のいずれかの二次
元放射線画像検出器において、一枚目の前記素子基板
が、二層構造からなり、第一層上に、前記受光素子と、
前記受光素子に蓄積された信号を読み出す複数のスイッ
チング素子と、信号用配線と、スイッチング並列制御用
の配線と、電圧印加用配線とを形成した後に、第二層目
を前記第一層の裏面に貼り付けた構造であることを特徴
とする二次元放射線画像検出器。
【請求項２９】請求項２８に記載の二次元放射線画像検
出器において、前記第一層が、ガラス又は石英からなる
ことを特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項３０】請求項２８に記載の二次元放射線画像検
出器において、前記第一層目を構成する材料の元素の平
均原子番号よりも、前記第二層目を構成する材料の元素
の平均原子番号が小であることを特徴とする二次元放射
線画像検出器。
【請求項３１】請求項２８に記載の二次元放射線画像検
出器において、前記第二層目に溝が形成されており、前
記溝の位置と、二枚目の前記素子基板の前記変換素子と
の位置が一致することを特徴とする二次元放射線画像検
出器。
【請求項３２】放射線を可視光に変換する複数の変換素
子と、前記可視光を検出し信号を蓄積する複数の受光素
子とが、素子基板上に形成された二次元放射線画像検出
器であり、前記素子基板上に前記複数の受光素子が二次
元的に配列され、この配列の一方向の前記受光素子の中
心間隔が前記受光素子の幅に概ね等しく、前記一方向と
直角な方向の前記受光素子の中心間隔が前記受光素子の
幅の概ね二倍であることを特徴とする二次元放射線画像
検出器。
【請求項３３】放射線を可視光に変換する複数の変換素
子と、前記可視光を検出し信号を蓄積する複数の受光素
子とが素子基板上に形成された二次元放射線画像検出器
であり、前記素子基板の面積に対して、前記変換素子で
ある蛍光体膜部分の面積が概ね半分であることを特徴と
する二次元放射線画像検出器。
【請求項３４】放射線を可視光に変換する複数の変換素
子と、前記可視光を検出し信号を蓄積する複数の受光素
子と、複数の受光素子に蓄積された信号を読み出す複数
のスイッチング素子とが素子基板上に形成され、前記受
光素子と前記スイッチング素子とにより一組の検出画素
が構成され、前記素子基板上に前記検出画素が二次元的
に配列された二次元放射線画像検出器であり、前記受光
素子と前記スイッチング素子とが交互に並ぶ方向につい
て、前記素子基板上で前記検出画素の面積の概ね半分の
領域が、前記スイッチング素子を制御するスイッチング
制御用の並列配線及び前記受光素子により構成されるこ
とを特徴とする二次元放射線画像検出器。
【請求項３５】放射線を可視光に変換する複数の変換素
子と、前記可視光を検出し信号を蓄積する複数の受光素
子とが素子基板上に形成され、前記素子基板をＮ枚（Ｎ
は２より大なる整数）枚を重ね合わせ二次元放射線画像
検出器であり、ｎ（１≦ｎ＜Ｎ）枚目の前記素子基板の
前記受光素子部分以外を透過した放射線を、（ｎ＋１）
枚目の前記素子基板の前記受光素子により検出すること
を特徴とする二次元放射線画像検出器。