JP2002044522A - 撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム - Google Patents
撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の撮像素子を並べて１つの画像を形成す
る撮像装置において、各光電変換素子から１画素信号を
得るときのみならず複数の光電変換素子から１画素信号
を得るときにも、画素重心が等間隔に並ぶことが可能と
なった撮像装置を提供する。 【解決手段】 撮像素子１０１Ａ、１０１Ｂ間の間隙１
０３に隣接する光電変換素子の光電変換部１０４とその
光電変換素子に隣接する光電変換素子の光電変換部３０
１を調整することにより、１の光電変換部より得た１画
素信号の重心１０６、１０７、３０２が等間隔に並ぶよ
うにすると共に、複数の光電変換部より得た１画素信号
の重心１１０、１１２も等間隔に並ぶようにする。
る撮像装置において、各光電変換素子から１画素信号を
得るときのみならず複数の光電変換素子から１画素信号
を得るときにも、画素重心が等間隔に並ぶことが可能と
なった撮像装置を提供する。 【解決手段】 撮像素子１０１Ａ、１０１Ｂ間の間隙１
０３に隣接する光電変換素子の光電変換部１０４とその
光電変換素子に隣接する光電変換素子の光電変換部３０
１を調整することにより、１の光電変換部より得た１画
素信号の重心１０６、１０７、３０２が等間隔に並ぶよ
うにすると共に、複数の光電変換部より得た１画素信号
の重心１１０、１１２も等間隔に並ぶようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は撮像装置に関し、特
に、放射線撮像装置、放射線撮像装置システムに関す
る。本発明は、更に特には、Ｘ線やガンマ線等の高エネ
ルギー放射線を使って画像を読み取る大面積放射線撮像
装置とそのシステムに関する。
に、放射線撮像装置、放射線撮像装置システムに関す
る。本発明は、更に特には、Ｘ線やガンマ線等の高エネ
ルギー放射線を使って画像を読み取る大面積放射線撮像
装置とそのシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】医療のさまざまな分野でディジタル化が
進んでいる。Ｘ線診断の分野でも、画像のディジタル化
のため２次元の撮像装置が開発されてきている。乳房撮
影用、胸部撮影用には最大４３ｃｍの大板の画像撮像装
置が作られている。また、１枚の画像を形成するため
に、複数の撮像素子をタイル状に並べた画像撮像装置が
使用されている。
進んでいる。Ｘ線診断の分野でも、画像のディジタル化
のため２次元の撮像装置が開発されてきている。乳房撮
影用、胸部撮影用には最大４３ｃｍの大板の画像撮像装
置が作られている。また、１枚の画像を形成するため
に、複数の撮像素子をタイル状に並べた画像撮像装置が
使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
撮像素子をタイル状に並べた撮像装置は、撮像素子と撮
像素子の間に隙間が生じ、画像の歪みが生じることにな
る。
撮像素子をタイル状に並べた撮像装置は、撮像素子と撮
像素子の間に隙間が生じ、画像の歪みが生じることにな
る。
【０００４】また、複数の撮像素子を用いて画像を形成
することによる撮像素子毎のオフセットによる画像の劣
化も生じる。
することによる撮像素子毎のオフセットによる画像の劣
化も生じる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による撮像装置
は、それぞれが複数の光電変換部を含む複数の撮像素子
を並べて複数の撮像素子に跨る画像を撮像する撮像装置
において、複数の光電変換部の信号を加算して１画素信
号を得るための加算手段を備え、前記加算手段は、加算
後の前記１画素信号が複数の撮像素子に跨る範囲で等間
隔に並ぶように加算することを特徴とする。
は、それぞれが複数の光電変換部を含む複数の撮像素子
を並べて複数の撮像素子に跨る画像を撮像する撮像装置
において、複数の光電変換部の信号を加算して１画素信
号を得るための加算手段を備え、前記加算手段は、加算
後の前記１画素信号が複数の撮像素子に跨る範囲で等間
隔に並ぶように加算することを特徴とする。
【０００６】また、本発明による撮像装置は、それぞれ
が複数の光電変換部を含む複数の撮像素子を並べて複数
の撮像素子に跨る画像を撮像する撮像装置において、複
数の光電変換部の信号を加算して１画素信号を得るため
の加算手段を備え、各光電変換部は、加算後の前記１画
素信号が複数の撮像素子に跨る範囲で等間隔に並ぶよう
に配置されていることを特徴とする。
が複数の光電変換部を含む複数の撮像素子を並べて複数
の撮像素子に跨る画像を撮像する撮像装置において、複
数の光電変換部の信号を加算して１画素信号を得るため
の加算手段を備え、各光電変換部は、加算後の前記１画
素信号が複数の撮像素子に跨る範囲で等間隔に並ぶよう
に配置されていることを特徴とする。
【０００７】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、各光電変換部の重心は、複数の撮像素
子に跨る範囲で等間隔に並ぶことを特徴とする。
像装置において、各光電変換部の重心は、複数の撮像素
子に跨る範囲で等間隔に並ぶことを特徴とする。
【０００８】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記加算手段は、複数の光電変換部で
発生した信号を電圧レベルで加算する電圧加算手段を含
むことを特徴とする。
像装置において、前記加算手段は、複数の光電変換部で
発生した信号を電圧レベルで加算する電圧加算手段を含
むことを特徴とする。
【０００９】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記電圧加算手段は、１の撮像素子の
光電変換部で発生した信号を加算する電圧加算手段であ
ることを特徴とする。
像装置において、前記電圧加算手段は、１の撮像素子の
光電変換部で発生した信号を加算する電圧加算手段であ
ることを特徴とする。
【００１０】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記電圧加算手段は、複数の撮像素子
の光電変換素子で発生した信号を加算する電圧加算手段
であることを特徴とする。
像装置において、前記電圧加算手段は、複数の撮像素子
の光電変換素子で発生した信号を加算する電圧加算手段
であることを特徴とする。
【００１１】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記加算手段は、複数の光電変換部で
発生した信号を電荷レベルで加算する電荷加算手段を含
むことを特徴とする。
像装置において、前記加算手段は、複数の光電変換部で
発生した信号を電荷レベルで加算する電荷加算手段を含
むことを特徴とする。
【００１２】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記電荷加算手段は、複数の撮像素子
の光電変換素子で発生した信号を加算する電荷加算手段
であることを特徴とする。
像装置において、前記電荷加算手段は、複数の撮像素子
の光電変換素子で発生した信号を加算する電荷加算手段
であることを特徴とする。
【００１３】更に、本発明による撮像装置は、複数の撮
像素子を並べて複数の撮像素子に跨る画像を撮像する撮
像装置において、各撮像素子は複数の光電変換素子を備
え、各光電変換素子は光電変換部を備え、複数の撮像素
子に跨った範囲で光電変換部の重心が等間隔に並び、各
撮像素子内で所定の規則に従って選ばれた複数画素領域
であって複数の光電変換部より成る複数画素領域の各々
において取られた複数の光電変換部の重心が、複数の撮
像素子に跨った範囲で等間隔に並ぶことを特徴とする。
像素子を並べて複数の撮像素子に跨る画像を撮像する撮
像装置において、各撮像素子は複数の光電変換素子を備
え、各光電変換素子は光電変換部を備え、複数の撮像素
子に跨った範囲で光電変換部の重心が等間隔に並び、各
撮像素子内で所定の規則に従って選ばれた複数画素領域
であって複数の光電変換部より成る複数画素領域の各々
において取られた複数の光電変換部の重心が、複数の撮
像素子に跨った範囲で等間隔に並ぶことを特徴とする。
【００１４】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、各撮像素子の撮像素子間の境界に隣接
する光電変換素子の光電変換部の面積と、各撮像素子の
撮像素子間の境界に隣接する光電変換素子に隣接する光
電変換素子の光電変換部の面積が等しいことを特徴とす
る。
像装置において、各撮像素子の撮像素子間の境界に隣接
する光電変換素子の光電変換部の面積と、各撮像素子の
撮像素子間の境界に隣接する光電変換素子に隣接する光
電変換素子の光電変換部の面積が等しいことを特徴とす
る。
【００１５】更に、各撮像素子の撮像素子間の境界に隣
接する光電変換素子が、「（撮像素子１の端辺の画素＋
撮像素子２の端辺画素）＜他の多数画素の間隔」と成る
ように構成され、撮像素子１の端辺の画素と撮像素子２
の端辺画素との加算画素重心が、他の１画素の画素重心
と等間隔に並ぶことを特徴とする。
接する光電変換素子が、「（撮像素子１の端辺の画素＋
撮像素子２の端辺画素）＜他の多数画素の間隔」と成る
ように構成され、撮像素子１の端辺の画素と撮像素子２
の端辺画素との加算画素重心が、他の１画素の画素重心
と等間隔に並ぶことを特徴とする。
【００１６】更に、本発明による撮像装置は、それぞれ
が複数の光電変換部を含む複数の撮像領域を有し、複数
の撮像領域に跨る画像を撮像する撮像装置において、各
撮像領域に含まれる複数の光電変換部は、面積の異なる
光電変換部を含み、複数の光電変換部の信号を加算して
１画素信号を得るための加算手段を備え、前記加算手段
は、加算後の前記１画素信号が複数の撮像領域に跨る範
囲で等間隔に並ぶように加算することを特徴とする。
が複数の光電変換部を含む複数の撮像領域を有し、複数
の撮像領域に跨る画像を撮像する撮像装置において、各
撮像領域に含まれる複数の光電変換部は、面積の異なる
光電変換部を含み、複数の光電変換部の信号を加算して
１画素信号を得るための加算手段を備え、前記加算手段
は、加算後の前記１画素信号が複数の撮像領域に跨る範
囲で等間隔に並ぶように加算することを特徴とする。
【００１７】更に、本発明による撮像装置は、それぞれ
が複数の光電変換部を含む複数の撮像領域を有し、複数
の撮像領域に跨る画像を撮像する撮像装置において、各
撮像領域に含まれる複数の光電変換部は、面積の異なる
光電変換部を含み、各光電変換部は、加算後の前記１画
素信号が複数の撮像領域に跨る範囲で等間隔に並ぶよう
に配置されていることを特徴とする。
が複数の光電変換部を含む複数の撮像領域を有し、複数
の撮像領域に跨る画像を撮像する撮像装置において、各
撮像領域に含まれる複数の光電変換部は、面積の異なる
光電変換部を含み、各光電変換部は、加算後の前記１画
素信号が複数の撮像領域に跨る範囲で等間隔に並ぶよう
に配置されていることを特徴とする。
【００１８】更に、本発明による撮像装置は、それぞれ
が複数の光電変換部を含む複数の撮像領域と、それぞれ
の撮像領域毎に信号を出力する複数の出力部とを有し、
複数の撮像領域に跨る画像を撮像する撮像装置におい
て、複数の撮像領域に跨る複数の光電変換部の信号を加
算した第１の１画素信号と、各光電変換部から得られる
第２の画素信号とで画像を得るように処理を行う画像処
理手段を有することを特徴とする。
が複数の光電変換部を含む複数の撮像領域と、それぞれ
の撮像領域毎に信号を出力する複数の出力部とを有し、
複数の撮像領域に跨る画像を撮像する撮像装置におい
て、複数の撮像領域に跨る複数の光電変換部の信号を加
算した第１の１画素信号と、各光電変換部から得られる
第２の画素信号とで画像を得るように処理を行う画像処
理手段を有することを特徴とする。
【００１９】更に、本発明による撮像装置は、上記の撮
像装置において、前記第１の１画素信号と前記第２の１
画素信号は、複数の撮像領域に跨る範囲で等間隔に並ぶ
ことを特徴とする。
像装置において、前記第１の１画素信号と前記第２の１
画素信号は、複数の撮像領域に跨る範囲で等間隔に並ぶ
ことを特徴とする。
【００２０】更に、本発明による撮像装置は、それぞれ
が複数の光電変換部を含む複数の撮像領域と、それぞれ
の撮像領域毎に信号を出力する複数の出力部とを有し、
複数の撮像領域に跨る画像を撮像する撮像装置におい
て、複数の光電変換部の信号を加算して１画素信号を得
る場合に、複数の撮像領域に跨る複数の光電変換部の信
号を加算して１画素信号を得るための加算手段を有する
ことを特徴とする。
が複数の光電変換部を含む複数の撮像領域と、それぞれ
の撮像領域毎に信号を出力する複数の出力部とを有し、
複数の撮像領域に跨る画像を撮像する撮像装置におい
て、複数の光電変換部の信号を加算して１画素信号を得
る場合に、複数の撮像領域に跨る複数の光電変換部の信
号を加算して１画素信号を得るための加算手段を有する
ことを特徴とする。
【００２１】本発明による放射線撮像装置は、上記の撮
像装置と、シンチレータ板と、ファイバーオプティック
プレートを備えることを特徴とする。
像装置と、シンチレータ板と、ファイバーオプティック
プレートを備えることを特徴とする。
【００２２】本発明による放射線撮像システムは、上記
の放射線撮像装置と、前記放射線撮像装置からの信号を
処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号
を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの
信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段か
らの信号を伝送するための伝送処理手段と、前記放射線
を発生させるための放射線源とを具備することを特徴と
する。
の放射線撮像装置と、前記放射線撮像装置からの信号を
処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号
を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの
信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段か
らの信号を伝送するための伝送処理手段と、前記放射線
を発生させるための放射線源とを具備することを特徴と
する。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。
施形態について詳細に説明する。
【００２４】［実施形態１］図１は１３８ｍｍ□の撮像
素子１０１Ａ〜１０１Ｉを９枚タイル状に張り合わせて
形成した４１４ｍｍ□の大面積Ｘ線撮像装置の撮像素子
部分を示す。
素子１０１Ａ〜１０１Ｉを９枚タイル状に張り合わせて
形成した４１４ｍｍ□の大面積Ｘ線撮像装置の撮像素子
部分を示す。
【００２５】図２は図１のＡ−Ａ’断面を示す。ユウロ
ピウム、テルビウム等を付活性体として用いたＧｄ2Ｏ2
ＳやＣｓＩなどのシンチレータからなるシンチレータ板
２０１をＦＯＰ（ファイバーオプティックプレート）２
０２の上に設置する。Ｘ線２０３はシンチレータに当た
り、可視光に変換される。この可視光を撮像素子１０１
Ａ〜１０１Ｉで検出する。シンチレータは、その発光波
長が撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉの感度に適合するよう
に選択するのが好ましい。２０４は、撮像素子１０１Ａ
〜１０１Ｉの電源、クロック等を供給し、又、撮像素子
から信号を取り出して処理する回路を有する外部処理基
板である。２０５は、各撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉと
外部処理基板とを電気的に接続するＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）である。
ピウム、テルビウム等を付活性体として用いたＧｄ2Ｏ2
ＳやＣｓＩなどのシンチレータからなるシンチレータ板
２０１をＦＯＰ（ファイバーオプティックプレート）２
０２の上に設置する。Ｘ線２０３はシンチレータに当た
り、可視光に変換される。この可視光を撮像素子１０１
Ａ〜１０１Ｉで検出する。シンチレータは、その発光波
長が撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉの感度に適合するよう
に選択するのが好ましい。２０４は、撮像素子１０１Ａ
〜１０１Ｉの電源、クロック等を供給し、又、撮像素子
から信号を取り出して処理する回路を有する外部処理基
板である。２０５は、各撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉと
外部処理基板とを電気的に接続するＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）である。
【００２６】撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉのクロック等
や電源の入力、画素からの信号の出力は撮像素子端部に
設けた電極パッドに接続したＴＡＢ２０５を通して、撮
像素子１０１Ａ〜１０１Ｉの裏側に配置した外部処理基
板２０４との間で行う。
や電源の入力、画素からの信号の出力は撮像素子端部に
設けた電極パッドに接続したＴＡＢ２０５を通して、撮
像素子１０１Ａ〜１０１Ｉの裏側に配置した外部処理基
板２０４との間で行う。
【００２７】図３は現在主流の８インチウエハ３００か
ら一個の撮像素子を取り出す場合を示す。８インチウエ
ハ３００はＮ型ウエハであり、これを用い、ＣＭＯＳプ
ロセスによって１３８ｍｍ□のＣＭＯＳ型撮像素子１０
１Ａ〜１０１Ｉの各々を１枚取りで作成する。
ら一個の撮像素子を取り出す場合を示す。８インチウエ
ハ３００はＮ型ウエハであり、これを用い、ＣＭＯＳプ
ロセスによって１３８ｍｍ□のＣＭＯＳ型撮像素子１０
１Ａ〜１０１Ｉの各々を１枚取りで作成する。
【００２８】図４にＣＭＯＳ型撮像素子１０１Ａ〜１０
１Ｉの各画素を構成する画素部の構成図を示す。４０１
は光電変換をするフォトダイオード（光電変換部）、４
０２は電荷を蓄積するフローティングディフュージョ
ン、４０３はフォトダイオード４０１が生成した電荷を
フローティングディフュージョン４０２に転送する転送
ＭＯＳトランジスタ（転送スイッチ）、４０４はフロー
ティングディフュージョンに蓄積された電荷を放電する
ためのリセットＭＯＳトランジスタ（リセットスイッ
チ）、４０５は行選択をするための行選択ＭＯＳトラン
ジスタ（行選択スイッチ）、４０６はソースフォロワー
として機能する増幅ＭＯＳトランジスタ（画素アンプ）
である。
１Ｉの各画素を構成する画素部の構成図を示す。４０１
は光電変換をするフォトダイオード（光電変換部）、４
０２は電荷を蓄積するフローティングディフュージョ
ン、４０３はフォトダイオード４０１が生成した電荷を
フローティングディフュージョン４０２に転送する転送
ＭＯＳトランジスタ（転送スイッチ）、４０４はフロー
ティングディフュージョンに蓄積された電荷を放電する
ためのリセットＭＯＳトランジスタ（リセットスイッ
チ）、４０５は行選択をするための行選択ＭＯＳトラン
ジスタ（行選択スイッチ）、４０６はソースフォロワー
として機能する増幅ＭＯＳトランジスタ（画素アンプ）
である。
【００２９】図５に３×３画素での全体回路の概略図を
示す。
示す。
【００３０】転送スイッチ４０３のゲートは垂直走査回
路の一種である垂直シフトレジスタ５０１からのΦＴＸ
５０２に接続され、リセットスイッチ４０４のゲートは
垂直走査回路５０１からのΦＲＥＳ５０３に接続され、
行選択スイッチ４０５のゲートは垂直走査回路５０１か
らのΦＳＥＬ５０４に接続されている。
路の一種である垂直シフトレジスタ５０１からのΦＴＸ
５０２に接続され、リセットスイッチ４０４のゲートは
垂直走査回路５０１からのΦＲＥＳ５０３に接続され、
行選択スイッチ４０５のゲートは垂直走査回路５０１か
らのΦＳＥＬ５０４に接続されている。
【００３１】光電変換はフォトダイオード４０１でおこ
なわれ、光量電荷の蓄積期間中は、転送スイッチ４０３
はオフ状態であり、画素アンプを構成するソースフォロ
ア４０６のゲートにはこのフォトダイオードで光電変換
された電荷は転送されない。該画素アンプを構成するソ
ースフォロア４０６のゲートは、蓄積開始前にリセット
スイッチ４０４がオンし、適当な電圧に初期化されてい
る。これがノイズ成分を含んだ基準信号となる。このノ
イズ信号は、行選択スイッチ４０５がオンにされると負
荷電流源と画素アンプ４０６で構成されるソースフォロ
ワー回路が動作状態になり、さらに転送スイッチ４０３
をオンさせることでリセット時の電荷が該画素アンプを
構成するソースフォロア４０６のゲートに転送され、読
み出し可能となる。そして、行選択ＭＯＳ４０５により
選択された行のノイズ信号出力が垂直出力線（信号出力
線）５０５上に発生し、図示されない記憶素子に蓄積さ
れる。次にリセットスイッチ４０４をオフし、行選択ス
イッチ４０５がオンにされると、負荷電流源と画素アン
プ４０６で構成されるソースフォロワー回路が動作状態
になり、ここで転送スイッチ４０３をオンさせることで
該フォトダイオードに蓄積されていた電荷は、該画素ア
ンプを構成するソースフォロア４０６のゲートに転送さ
れる。ここで、行選択ＭＯＳ４０５により選択された行
のフォトダイオード蓄積信号出力が垂直出力線（信号出
力線）５０５上に発生する。
なわれ、光量電荷の蓄積期間中は、転送スイッチ４０３
はオフ状態であり、画素アンプを構成するソースフォロ
ア４０６のゲートにはこのフォトダイオードで光電変換
された電荷は転送されない。該画素アンプを構成するソ
ースフォロア４０６のゲートは、蓄積開始前にリセット
スイッチ４０４がオンし、適当な電圧に初期化されてい
る。これがノイズ成分を含んだ基準信号となる。このノ
イズ信号は、行選択スイッチ４０５がオンにされると負
荷電流源と画素アンプ４０６で構成されるソースフォロ
ワー回路が動作状態になり、さらに転送スイッチ４０３
をオンさせることでリセット時の電荷が該画素アンプを
構成するソースフォロア４０６のゲートに転送され、読
み出し可能となる。そして、行選択ＭＯＳ４０５により
選択された行のノイズ信号出力が垂直出力線（信号出力
線）５０５上に発生し、図示されない記憶素子に蓄積さ
れる。次にリセットスイッチ４０４をオフし、行選択ス
イッチ４０５がオンにされると、負荷電流源と画素アン
プ４０６で構成されるソースフォロワー回路が動作状態
になり、ここで転送スイッチ４０３をオンさせることで
該フォトダイオードに蓄積されていた電荷は、該画素ア
ンプを構成するソースフォロア４０６のゲートに転送さ
れる。ここで、行選択ＭＯＳ４０５により選択された行
のフォトダイオード蓄積信号出力が垂直出力線（信号出
力線）５０５上に発生する。
【００３２】このフォトダイオードの蓄積信号にはノイ
ズ信号が混在しており、前記、ノイズ信号と図示されな
い撮像素子内の引き算回路で引き算されて、撮像信号が
得られる。
ズ信号が混在しており、前記、ノイズ信号と図示されな
い撮像素子内の引き算回路で引き算されて、撮像信号が
得られる。
【００３３】この出力は列選択スイッチ（マルチプレク
サ）５０６を水平走査回路の一種である水平シフトレジ
スタ５０７によって駆動することにより水平出力線を介
して順次出力部アンプ５０８へ読み出される。
サ）５０６を水平走査回路の一種である水平シフトレジ
スタ５０７によって駆動することにより水平出力線を介
して順次出力部アンプ５０８へ読み出される。
【００３４】図６は垂直シフトレジスタ５０１の単位ブ
ロック（一行を選択し駆動するための単位）６０１を、
撮像素子の基板上に配置した例を示す。この例では、図
６は垂直シフトレジスタ５０１の単位ブロック６０１
は、１画素複数画素領域（１セル）６０３に１画素回路
６０２と共に配置されているが、本実施形態はこれに限
られるものではない。１画素回路６０２は図４に示すも
のである。垂直シフトレジスタは転送信号ΦＴＸ、リセ
ット信号ΦＲＥＳ、行選択信号ΦＳＥＬを作り出すため
にスタティック型シフトレジスタ６０４と転送ゲート６
０５で構成した簡単な回路を示す。これらはクロック信
号線（不図示）からの信号により駆動する。シフトレジ
スタの回路構成はこの限りではなく、画素加算や間引き
読み出し等のさまざまな駆動のさせ方により、任意の回
路構成をとることができる。
ロック（一行を選択し駆動するための単位）６０１を、
撮像素子の基板上に配置した例を示す。この例では、図
６は垂直シフトレジスタ５０１の単位ブロック６０１
は、１画素複数画素領域（１セル）６０３に１画素回路
６０２と共に配置されているが、本実施形態はこれに限
られるものではない。１画素回路６０２は図４に示すも
のである。垂直シフトレジスタは転送信号ΦＴＸ、リセ
ット信号ΦＲＥＳ、行選択信号ΦＳＥＬを作り出すため
にスタティック型シフトレジスタ６０４と転送ゲート６
０５で構成した簡単な回路を示す。これらはクロック信
号線（不図示）からの信号により駆動する。シフトレジ
スタの回路構成はこの限りではなく、画素加算や間引き
読み出し等のさまざまな駆動のさせ方により、任意の回
路構成をとることができる。
【００３５】なお、走査回路として、シフトレジスタで
はなく、ｎ対２nデコーダを使用することもできる。デ
コーダの入力に順次インクリメントするカウンタの出力
を接続することにより、シフトレジスタと同様に順次走
査することが可能となり、一方、デコーダの入力に画像
を得たい複数画素領域のアドレスを入力することによ
り、ランダム走査による任意の複数画素領域の画像を得
ることができる。
はなく、ｎ対２nデコーダを使用することもできる。デ
コーダの入力に順次インクリメントするカウンタの出力
を接続することにより、シフトレジスタと同様に順次走
査することが可能となり、一方、デコーダの入力に画像
を得たい複数画素領域のアドレスを入力することによ
り、ランダム走査による任意の複数画素領域の画像を得
ることができる。
【００３６】図７に本実施形態による撮像装置の図１に
符号１０で示す位置の拡大図を示す。
符号１０で示す位置の拡大図を示す。
【００３７】図７を参照すると、撮像素子１０１Ａと撮
像素子１０１Ｂは、隣接して配置されている。撮像素子
１０１Ａ、１０１Ｂは、複数の光電変換素子より形成さ
れ、各光電変換素子は光電変換部を有する。撮像素子１
０１Ａと撮像素子１０１Ｂとを並べたときに、間隙１０
３が必然的に生じるが、間隙１０３に接する光電変換素
子の光電変換部１０４の位置と幅を調整することによ
り、間隙１０３に接しない（内部の）光電変換素子の光
電変換部１０５の重心１０６と間隙に接する光電変換素
子の光電変換部１０４の重心１０７は撮像素子１０１
Ａ、１０１Ｂに跨って等間隔に並んでいる。こうするこ
とにより、撮像素子１０１Ａと撮像素子１０１Ｂとの境
界において、画像が歪むことが防止される。
像素子１０１Ｂは、隣接して配置されている。撮像素子
１０１Ａ、１０１Ｂは、複数の光電変換素子より形成さ
れ、各光電変換素子は光電変換部を有する。撮像素子１
０１Ａと撮像素子１０１Ｂとを並べたときに、間隙１０
３が必然的に生じるが、間隙１０３に接する光電変換素
子の光電変換部１０４の位置と幅を調整することによ
り、間隙１０３に接しない（内部の）光電変換素子の光
電変換部１０５の重心１０６と間隙に接する光電変換素
子の光電変換部１０４の重心１０７は撮像素子１０１
Ａ、１０１Ｂに跨って等間隔に並んでいる。こうするこ
とにより、撮像素子１０１Ａと撮像素子１０１Ｂとの境
界において、画像が歪むことが防止される。
【００３８】また、複数の光電変換素子から得られる信
号を集めて１画素信号を得る場合にも、電圧加算をする
ことにより、画像の歪みが生じない。つまり、図７に示
すように、複数画素領域１０８内の４つの光電変換素子
の光電変換部で発生する電圧を加算することにより複数
画素領域１０８についての画素信号を得ると、複数画素
領域１０８についての１画素信号の位置は符号１１０に
示す位置（複数画素領域１０８内の４つの光電変換素子
の光電変換部の重心の平均位置と一致した位置）とな
り、また、複数画素領域１０９内の４つの光電変換素子
の光電変換部で発生する電圧を加算することにより複数
画素領域１０９についての１画素信号を得ても、複数画
素領域１０９についての１画素信号の位置は符号１１２
に示す位置（複数画素領域１０９内の４つの光電変換素
子の光電変換部の重心の平均位置と一致した位置）とな
る。従って、画素重心１１０、１１２は等間隔に並ぶ。
号を集めて１画素信号を得る場合にも、電圧加算をする
ことにより、画像の歪みが生じない。つまり、図７に示
すように、複数画素領域１０８内の４つの光電変換素子
の光電変換部で発生する電圧を加算することにより複数
画素領域１０８についての画素信号を得ると、複数画素
領域１０８についての１画素信号の位置は符号１１０に
示す位置（複数画素領域１０８内の４つの光電変換素子
の光電変換部の重心の平均位置と一致した位置）とな
り、また、複数画素領域１０９内の４つの光電変換素子
の光電変換部で発生する電圧を加算することにより複数
画素領域１０９についての１画素信号を得ても、複数画
素領域１０９についての１画素信号の位置は符号１１２
に示す位置（複数画素領域１０９内の４つの光電変換素
子の光電変換部の重心の平均位置と一致した位置）とな
る。従って、画素重心１１０、１１２は等間隔に並ぶ。
【００３９】図８に、４画素で発生した電圧を加算する
場合の回路構成例を示す。
場合の回路構成例を示す。
【００４０】また、各画素で発生した電圧をアンプ５０
８から読み出した後に、４画素の電圧を加算しても良
い。複数画素領域毎に読み出す場合には、アンプ５０８
の後段に図９に示すように３画素分のラッチと加算器を
設けるのみで４画素加算ができる。また、１行毎に読み
出す場合には、３画素分のラッチのうちの中央のラッチ
を（１ライン−１画素）メモリとすればよい。また、ア
ンプ５０８の出力をＡ／Ｄ変換して、所定の書込アドレ
スに従ってメモリに書き込んだ後で、所定の順序の読出
アドレスに従って読み出してからデジタル加算するよう
にしても良い。Ａ／Ｄ変換以降は、パーソナルコンピュ
ータなどの情報処理装置で行うことも可能である。
８から読み出した後に、４画素の電圧を加算しても良
い。複数画素領域毎に読み出す場合には、アンプ５０８
の後段に図９に示すように３画素分のラッチと加算器を
設けるのみで４画素加算ができる。また、１行毎に読み
出す場合には、３画素分のラッチのうちの中央のラッチ
を（１ライン−１画素）メモリとすればよい。また、ア
ンプ５０８の出力をＡ／Ｄ変換して、所定の書込アドレ
スに従ってメモリに書き込んだ後で、所定の順序の読出
アドレスに従って読み出してからデジタル加算するよう
にしても良い。Ａ／Ｄ変換以降は、パーソナルコンピュ
ータなどの情報処理装置で行うことも可能である。
【００４１】［実施形態２］実施形態２の基本的構成は
実施形態１と同様である。
実施形態１と同様である。
【００４２】図１０に本実施形態による撮像装置の図１
に符号１０で示す位置の拡大図を示す。
に符号１０で示す位置の拡大図を示す。
【００４３】本実施形態においては、画素信号を加算す
る複数画素領域を符号２０８、２０９に示すようにす
る。複数画素領域２０８についての１画素信号の位置
は、電荷加算の場合にも電圧加算の場合にも、符号２１
０に示す位置（複数画素領域２０８内の４つの光電変換
素子の光電変換部の重心の平均位置と一致した位置）と
なる。複数画素領域２０９についての１画素信号の位置
も、電荷加算の場合にも電圧加算の場合にも、符号２１
１に示す位置（複数画素領域２０９内の４つの光電変換
素子の光電変換部の重心の平均位置と一致した位置）と
なる。
る複数画素領域を符号２０８、２０９に示すようにす
る。複数画素領域２０８についての１画素信号の位置
は、電荷加算の場合にも電圧加算の場合にも、符号２１
０に示す位置（複数画素領域２０８内の４つの光電変換
素子の光電変換部の重心の平均位置と一致した位置）と
なる。複数画素領域２０９についての１画素信号の位置
も、電荷加算の場合にも電圧加算の場合にも、符号２１
１に示す位置（複数画素領域２０９内の４つの光電変換
素子の光電変換部の重心の平均位置と一致した位置）と
なる。
【００４４】図１１に４画素で発生した電荷を加算する
場合の回路構成図を示す。この回路構成では、フォトダ
イオードに蓄積された電荷を転送スイッチをＯＮにする
ことによりフローティングディフュージョンに転送した
後にスイッチ７０１、７０２、７０３をＯＮにして４画
素間で平均化し、その後に行選択スイッチをＯＮにする
ことにより、電荷加算により画素信号を加算した場合に
も、電圧加算による画素信号を加算した場合にも、各複
数画素領域についての画素重心２１０、２１１が等間隔
に並ぶ。
場合の回路構成図を示す。この回路構成では、フォトダ
イオードに蓄積された電荷を転送スイッチをＯＮにする
ことによりフローティングディフュージョンに転送した
後にスイッチ７０１、７０２、７０３をＯＮにして４画
素間で平均化し、その後に行選択スイッチをＯＮにする
ことにより、電荷加算により画素信号を加算した場合に
も、電圧加算による画素信号を加算した場合にも、各複
数画素領域についての画素重心２１０、２１１が等間隔
に並ぶ。
【００４５】［実施形態３］実施形態３の基本的構成は
実施形態１と同様である。
実施形態１と同様である。
【００４６】図１２に本実施形態による撮像装置の図１
に符号１０で示す位置の拡大図を示す。
に符号１０で示す位置の拡大図を示す。
【００４７】図１２の例では、間隙１０３に隣接する光
電変換素子の光電変換部１０４の位置と幅のみならず、
間隙１０３に隣接する光電変換素子に隣接する光電変換
素子の光電変換部３０１の位置と幅も調整する。この例
では、光電変換部３０１の幅を光電変換部１０４の幅と
等しくすることにより、光電変換部１０４と光電変換部
３０１の面積を等しくしているが、光電変換部３０１の
光電変換部１０４の高さに対する相対的な高さを調整す
ることにより、或いは、光電変換部３０１の光電変換部
１０４の幅と高さに対する相対的な幅と高さを調整する
ことにより、光電変換部１０４と光電変換部３０１の面
積を等しくしても良い。すなわち、光電変換部３０１が
光電変換部１０４と面積が等しくなるならば、寸法の調
整箇所は問わない。
電変換素子の光電変換部１０４の位置と幅のみならず、
間隙１０３に隣接する光電変換素子に隣接する光電変換
素子の光電変換部３０１の位置と幅も調整する。この例
では、光電変換部３０１の幅を光電変換部１０４の幅と
等しくすることにより、光電変換部１０４と光電変換部
３０１の面積を等しくしているが、光電変換部３０１の
光電変換部１０４の高さに対する相対的な高さを調整す
ることにより、或いは、光電変換部３０１の光電変換部
１０４の幅と高さに対する相対的な幅と高さを調整する
ことにより、光電変換部１０４と光電変換部３０１の面
積を等しくしても良い。すなわち、光電変換部３０１が
光電変換部１０４と面積が等しくなるならば、寸法の調
整箇所は問わない。
【００４８】また、光電変換部１０４の重心位置１０７
と光電変換部３０１の重心位置３０２と光電変換部１０
５の重心位置１０６が等間隔で並ぶように光電変換部１
０４の位置と光電変換部３０１の位置を調整する。
と光電変換部３０１の重心位置３０２と光電変換部１０
５の重心位置１０６が等間隔で並ぶように光電変換部１
０４の位置と光電変換部３０１の位置を調整する。
【００４９】すなわち、本実施形態では、光電変換部１
０４の位置と大きさと光電変換部３０１の位置と大きさ
を、重心位置１０６、１０７、３０２が等間隔で並び、
且つ、光電変換部１０４と光電変換部３０１の面積が等
しくなるように調整する。
０４の位置と大きさと光電変換部３０１の位置と大きさ
を、重心位置１０６、１０７、３０２が等間隔で並び、
且つ、光電変換部１０４と光電変換部３０１の面積が等
しくなるように調整する。
【００５０】また、複数の光電変換素子から得られる信
号を集めて１画素信号を得る場合には、図１３に示すよ
うに、複数画素領域１０８内についての１画素信号、複
数画素領域３０３についての１画素信号を得るようにす
る。複数画素領域３０３は、間隙１０３に隣接する２つ
の光電変換素子とその間隙に隣接するその２つの光電変
換素子に隣接する２つの光電変換素子より成る複数画素
領域である。このように複数画素領域を設定することに
より、電荷加算の場合においても電圧加算の場合におい
ても、複数画素領域１０８についての１画素信号の位置
１１０と複数画素領域３０３についての１画素信号の位
置１１２は等間隔で並ぶようになる。
号を集めて１画素信号を得る場合には、図１３に示すよ
うに、複数画素領域１０８内についての１画素信号、複
数画素領域３０３についての１画素信号を得るようにす
る。複数画素領域３０３は、間隙１０３に隣接する２つ
の光電変換素子とその間隙に隣接するその２つの光電変
換素子に隣接する２つの光電変換素子より成る複数画素
領域である。このように複数画素領域を設定することに
より、電荷加算の場合においても電圧加算の場合におい
ても、複数画素領域１０８についての１画素信号の位置
１１０と複数画素領域３０３についての１画素信号の位
置１１２は等間隔で並ぶようになる。
【００５１】［実施形態４］実施形態４は、図１４に示
すように、実施形態３において、走査回路３０４を光電
変換部３０１と光電変換部１０４との間に配置したもの
である。走査回路３０４は、複数画素領域１０（図１）
においては、垂直走査回路であるが、複数画素領域１１
（図１）においては、水平走査回路である。
すように、実施形態３において、走査回路３０４を光電
変換部３０１と光電変換部１０４との間に配置したもの
である。走査回路３０４は、複数画素領域１０（図１）
においては、垂直走査回路であるが、複数画素領域１１
（図１）においては、水平走査回路である。
【００５２】本実施形態によれば、幅を狭くした光電変
換部３０１と光電変換部１０４との間にできた空きスペ
ースに走査回路を配置することにより、各光電変換素子
から１画素信号を得る場合にも複数の光電変換素子から
１画素信号を得る場合にも、画素重心が等間隔で並ぶと
いう条件を崩さないで、走査回路を撮像素子に配置する
ことができる。
換部３０１と光電変換部１０４との間にできた空きスペ
ースに走査回路を配置することにより、各光電変換素子
から１画素信号を得る場合にも複数の光電変換素子から
１画素信号を得る場合にも、画素重心が等間隔で並ぶと
いう条件を崩さないで、走査回路を撮像素子に配置する
ことができる。
【００５３】［実施形態５］実施形態５は、図１５に示
すように、実施形態３において、走査回路３０４を光電
変換部３０１と光電変換部１０４との間に配置したもの
である。走査回路３０４は、複数画素領域１０（図１）
においては、垂直走査回路であるが、複数画素領域１１
（図１）においては、水平走査回路である。
すように、実施形態３において、走査回路３０４を光電
変換部３０１と光電変換部１０４との間に配置したもの
である。走査回路３０４は、複数画素領域１０（図１）
においては、垂直走査回路であるが、複数画素領域１１
（図１）においては、水平走査回路である。
【００５４】本実施形態によれば、幅を狭くした光電変
換部３０１と光電変換部１０４との間にできた空きスペ
ースに走査回路を配置することにより、各光電変換素子
から１画素信号を得る場合に画素重心が等間隔で並ぶと
いう条件を崩さないで、走査回路を撮像素子に配置する
ことができる。また、撮像素子１０１Ａと１０１Ｂの貼
り合わせの間隙に隣接対向する画素１０４を加算する事
で、加算画素重心１１３と、他の光電変換素子の１画素
重心３０２，１０６の間隔は一致させることが可能とな
る。
換部３０１と光電変換部１０４との間にできた空きスペ
ースに走査回路を配置することにより、各光電変換素子
から１画素信号を得る場合に画素重心が等間隔で並ぶと
いう条件を崩さないで、走査回路を撮像素子に配置する
ことができる。また、撮像素子１０１Ａと１０１Ｂの貼
り合わせの間隙に隣接対向する画素１０４を加算する事
で、加算画素重心１１３と、他の光電変換素子の１画素
重心３０２，１０６の間隔は一致させることが可能とな
る。
【００５５】実施形態５の基本的構成は以下の通りであ
る。
る。
【００５６】図１４に本実施形態による撮像装置の図１
に符号１０で示す位置の拡大図を示す。
に符号１０で示す位置の拡大図を示す。
【００５７】図１４の例では、間隙１０３に隣接する光
電変換素子の光電変換部１０４の位置と幅のみならず、
間隙１０３に隣接する光電変換素子に隣接する光電変換
素子の光電変換部３０１の位置と幅も調整する。光電変
換部３０１の光電変換部１０４の相対的位置を調整する
ことにより、光電変換素子１０４の加算重心１１３と他
の光電変換素子３０２，１０６の重心が等間隔になるよ
うにしている。
電変換素子の光電変換部１０４の位置と幅のみならず、
間隙１０３に隣接する光電変換素子に隣接する光電変換
素子の光電変換部３０１の位置と幅も調整する。光電変
換部３０１の光電変換部１０４の相対的位置を調整する
ことにより、光電変換素子１０４の加算重心１１３と他
の光電変換素子３０２，１０６の重心が等間隔になるよ
うにしている。
【００５８】また、光電変換部１０４の加算重心位置１
０７と光電変換部３０１の重心位置３０２と光電変換部
１０５の重心位置１０６が等間隔で並ぶように光電変換
部１０４の位置と光電変換部３０１の位置を調整する。
０７と光電変換部３０１の重心位置３０２と光電変換部
１０５の重心位置１０６が等間隔で並ぶように光電変換
部１０４の位置と光電変換部３０１の位置を調整する。
【００５９】すなわち、本実施形態では、光電変換部１
０４の位置と大きさと光電変換部３０１の位置と大きさ
を、貼り合わせ対向の画素加算重心位置１１３、走査回
路の隣接光電変換素子重心３０２、および、その他の光
電変換素子重心１０６が等間隔で並ぶように調整する。
０４の位置と大きさと光電変換部３０１の位置と大きさ
を、貼り合わせ対向の画素加算重心位置１１３、走査回
路の隣接光電変換素子重心３０２、および、その他の光
電変換素子重心１０６が等間隔で並ぶように調整する。
【００６０】このように貼り合わせ間隙部分に複数画素
領域３０５を設定することにより、電荷加算の場合にお
いても電圧加算の場合においても、複数画素領域３０５
についての１画素信号の位置１１３と１画素３０１，１
０５についての重心位置３０２，１０６は等間隔で並ぶ
ようになり、画像の歪みがなくなる。また、複数画素領
域の複数の光電変換部の信号を加算したことにより、撮
像素子毎のオフセットの影響も少なくなる。
領域３０５を設定することにより、電荷加算の場合にお
いても電圧加算の場合においても、複数画素領域３０５
についての１画素信号の位置１１３と１画素３０１，１
０５についての重心位置３０２，１０６は等間隔で並ぶ
ようになり、画像の歪みがなくなる。また、複数画素領
域の複数の光電変換部の信号を加算したことにより、撮
像素子毎のオフセットの影響も少なくなる。
【００６１】以上のように、本実施形態では、複数画素
領域に含まれる部分では、複数の光電変換部の信号を加
算して１画素信号を得、それ以外の領域では、各光電変
換部から１画素信号を得、そして、加算によって得られ
た１画素信号と、各光電変換部からの１画素信号とを用
いて、不図示の画像処理回路によって画像が得られるよ
うに処理を行う。
領域に含まれる部分では、複数の光電変換部の信号を加
算して１画素信号を得、それ以外の領域では、各光電変
換部から１画素信号を得、そして、加算によって得られ
た１画素信号と、各光電変換部からの１画素信号とを用
いて、不図示の画像処理回路によって画像が得られるよ
うに処理を行う。
【００６２】以上の実施形態１乃至５では、加算手段と
してアナログ信号の状態で加算する例を示したが、アナ
ログ・ディジタル変換回路によって、ディジタル信号に
変換された後に加算するものであってもよい。
してアナログ信号の状態で加算する例を示したが、アナ
ログ・ディジタル変換回路によって、ディジタル信号に
変換された後に加算するものであってもよい。
【００６３】［実施形態６］図１６は本発明による放射
線撮像装置のＸ線診断システムへの応用例を示したもの
である。
線撮像装置のＸ線診断システムへの応用例を示したもの
である。
【００６４】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、シンチレータ２０１、ＦＯＰ２０２、撮像素子１
０１Ａ、外部処理基板２０４を備える放射線撮像装置６
０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１
の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して
シンチレータは発光し、これを撮像素子が光電変換し
て、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換さ
れイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御
室のディスプレイ６０８０で観察できる。
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、シンチレータ２０１、ＦＯＰ２０２、撮像素子１
０１Ａ、外部処理基板２０４を備える放射線撮像装置６
０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１
の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して
シンチレータは発光し、これを撮像素子が光電変換し
て、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換さ
れイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御
室のディスプレイ６０８０で観察できる。
【００６５】また、この情報は電話回線６０９０等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の撮像素子をタイル状に並べて構成する撮像装置に
おいて、撮像素子間の境界において、各光電変換素子か
ら１画素信号を得る場合のみならず、複数の光電変換素
子から１画素信号を得る場合でも、等間隔に並んだ画素
信号を得ることができるので、撮像素子間の境界におい
ても、撮像装置から得られる画像が歪むことがない。
複数の撮像素子をタイル状に並べて構成する撮像装置に
おいて、撮像素子間の境界において、各光電変換素子か
ら１画素信号を得る場合のみならず、複数の光電変換素
子から１画素信号を得る場合でも、等間隔に並んだ画素
信号を得ることができるので、撮像素子間の境界におい
ても、撮像装置から得られる画像が歪むことがない。
【図１】本発明の実施形態による撮像装置の平面図であ
る。
る。
【図２】図１の線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図３】本発明の実施形態による撮像素子とその基とな
るウエハを示す平面図である。
るウエハを示す平面図である。
【図４】本発明の実施形態による撮像素子内の１画素回
路の回路図である。
路の回路図である。
【図５】本発明の実施形態による撮像素子の回路図であ
る。
る。
【図６】本発明の実施形態による１画素複数画素領域
（セル）の構成を示す概念的平面図である。
（セル）の構成を示す概念的平面図である。
【図７】本発明の実施形態１による複数画素領域の選び
方を示す平面図である。
方を示す平面図である。
【図８】本発明の実施形態による４画素で発生した電圧
を加算する場合の回路構成例を示す図である。
を加算する場合の回路構成例を示す図である。
【図９】本発明の実施形態による４画素で発生した電圧
を加算する場合の他の回路構成例を示す図である。
を加算する場合の他の回路構成例を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態２による複数画素領域の選
び方を示す平面図である。
び方を示す平面図である。
【図１１】本発明の実施形態による４画素で発生した電
荷を加算する場合の回路構成例を示す図である。
荷を加算する場合の回路構成例を示す図である。
【図１２】本発明の実施形態３による光電変換部のレイ
アウトを示す平面図である。
アウトを示す平面図である。
【図１３】本発明の実施形態３による複数画素領域の選
び方を示す平面図である。
び方を示す平面図である。
【図１４】本発明の実施形態４による光電変換部及び走
査回路のレイアウトを示す平面図である。
査回路のレイアウトを示す平面図である。
【図１５】本発明の実施形態５による光電変換部及び走
査回路のレイアウトを示す平面図である。
査回路のレイアウトを示す平面図である。
【図１６】本発明の実施形態５による放射線撮影システ
ムの構成を示す概念図である。
ムの構成を示す概念図である。
１０１Ａ〜１０１Ｉ 撮像素子 １０３ 間隙 １０４、１０５、３０１、３０５ 光電変換部 １０８、１０９、２０８、２０９、３０３ 複数画素領
域 ２０１ シンチレータ板 ２０２ ＦＯＰ（ファイバーオプティックプレート） ２０４ 外部処理基板 ２０５ ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ） ３０４ 走査回路
域 ２０１ シンチレータ板 ２０２ ＦＯＰ（ファイバーオプティックプレート） ２０４ 外部処理基板 ２０５ ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ） ３０４ 走査回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０６Ｔ 1/00 ４６０ Ｇ０６Ｔ 1/00 ４６０Ａ Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｚ 5/225 5/225 Ｃ Ｄ 5/232 5/232 Ｚ 5/335 5/335 Ｐ (72)発明者 海部 紀之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 光地 哲伸 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE27 FF02 FF04 GG15 GG19 GG20 JJ05 KK06 KK27 KK32 LL12 5B047 AA17 AB02 BA02 BB04 BC01 CA23 DA10 5C022 AA08 AB51 AC42 5C024 AX11 AX16 BX04 CX38 DX04 GX03 GX09 GX16 GY39 GZ26 GZ27 GZ28 GZ29 GZ30 GZ31 GZ49 HX17 HX28 HX32 HX33 HX40 HX41 HX44 HX55 HX60 5C051 AA01 BA02 DA06 DA09 DB01 DC02 DE17
Claims (17)
- 【請求項１】 それぞれが複数の光電変換部を含む複数
の撮像素子を並べて複数の撮像素子に跨る画像を撮像す
る撮像装置において、 複数の光電変換部の信号を加算して１画素信号を得るた
めの加算手段を備え、 前記加算手段は、加算後の前記１画素信号が複数の撮像
素子に跨る範囲で等間隔に並ぶように加算することを特
徴とする撮像装置。 - 【請求項２】 それぞれが複数の光電変換部を含む複数
の撮像素子を並べて複数の撮像素子に跨る画像を撮像す
る撮像装置において、 複数の光電変換部の信号を加算して１画素信号を得るた
めの加算手段を備え、 各光電変換部は、加算後の前記１画素信号が複数の撮像
素子に跨る範囲で等間隔に並ぶように配置されているこ
とを特徴とする撮像装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の撮像装置におい
て、各光電変換部の重心は、複数の撮像素子に跨る範囲
で等間隔に並ぶことを特徴とする撮像装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
撮像装置において、前記加算手段は、複数の光電変換部
で発生した信号を電圧レベルで加算する電圧加算手段を
含むことを特徴とする撮像装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の撮像装置において、 前記電圧加算手段は、１の撮像素子の光電変換部で発生
した信号を加算する電圧加算手段であることを特徴とす
る撮像装置。 - 【請求項６】 請求項４に記載の撮像装置において、 前記電圧加算手段は、複数の撮像素子の光電変換素子で
発生した信号を加算する電圧加算手段であることを特徴
とする撮像装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
撮像装置において、前記加算手段は、複数の光電変換部
で発生した信号を電荷レベルで加算する電荷加算手段を
含むことを特徴とする撮像装置。 - 【請求項８】 請求項７に記載の撮像装置において、前
記電荷加算手段は、複数の撮像素子の光電変換素子で発
生した信号を加算する電荷加算手段であることを特徴と
する撮像装置。 - 【請求項９】 複数の撮像素子を並べて複数の撮像素子
に跨る画像を撮像する撮像装置において、 各撮像素子は複数の光電変換素子を備え、各光電変換素
子は光電変換部を備え、 複数の撮像素子に跨った範囲で光電変換部の重心が等間
隔に並び、 各撮像素子内で所定の規則に従って選ばれた複数画素領
域であって複数の光電変換部より成る複数画素領域の各
々において取られた複数の光電変換部の重心が、複数の
撮像素子に跨った範囲で等間隔に並ぶことを特徴とする
撮像装置。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の撮像装置において、 各撮像素子の撮像素子間の境界に隣接する光電変換素子
の光電変換部の面積と、各撮像素子の撮像素子間の境界
に隣接する光電変換素子に隣接する光電変換素子の光電
変換部の面積が等しいことを特徴とする撮像装置。 - 【請求項１１】 それぞれが複数の光電変換部を含む複
数の撮像領域を有し、複数の撮像領域に跨る画像を撮像
する撮像装置において、 各撮像領域に含まれる複数の光電変換部は、面積の異な
る光電変換部を含み、 複数の光電変換部の信号を加算して１画素信号を得るた
めの加算手段を備え、 前記加算手段は、加算後の前記１画素信号が複数の撮像
領域に跨る範囲で等間隔に並ぶように加算することを特
徴とする撮像装置。 - 【請求項１２】 それぞれが複数の光電変換部を含む複
数の撮像領域を有し、複数の撮像領域に跨る画像を撮像
する撮像装置において、 各撮像領域に含まれる複数の光電変換部は、面積の異な
る光電変換部を含み、 各光電変換部は、加算後の前記１画素信号が複数の撮像
領域に跨る範囲で等間隔に並ぶように配置されているこ
とを特徴とする撮像装置。 - 【請求項１３】 それぞれが複数の光電変換部を含む複
数の撮像領域と、それぞれの撮像領域毎に信号を出力す
る複数の出力部とを有し、複数の撮像領域に跨る画像を
撮像する撮像装置において、複数の撮像領域に跨る複数
の光電変換部の信号を加算した第１の１画素信号と、各
光電変換部から得られる第２の画素信号とで画像を得る
ように処理を行う画像処理手段を有することを特徴とす
る撮像装置。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の撮像装置におい
て、前記第１の１画素信号と前記第２の１画素信号は、
複数の撮像領域に跨る範囲で等間隔に並ぶことを特徴と
する撮像装置。 - 【請求項１５】 それぞれが複数の光電変換部を含む複
数の撮像領域と、 それぞれの撮像領域毎に信号を出力する複数の出力部と
を有し、 複数の撮像領域に跨る画像を撮像する撮像装置におい
て、 複数の光電変換部の信号を加算して１画素信号を得る場
合に、 複数の撮像領域に跨る複数の光電変換部の信号を加算し
て１画素信号を得るための加算手段を有することを特徴
とする撮像装置。 - 【請求項１６】 請求項１乃至１５のいずれか１項に記
載の撮像装置と、シンチレータ板と、ファイバーオプテ
ィックプレートを備えることを特徴とする放射線撮像装
置。 - 【請求項１７】 請求項１６に記載の放射線撮像装置
と、 前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段
と、 前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段
と、 前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段
と、 前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理
手段と、 前記放射線を発生させるための放射線源とを具備するこ
とを特徴とする放射線撮像システム。
Priority Applications (8)
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|---|---|---|---|
| JP2000227333A JP3715873B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
| EP01306425A EP1176808A3 (en) | 2000-07-27 | 2001-07-26 | Image sensing apparatus |
| US09/912,341 US7071980B2 (en) | 2000-07-27 | 2001-07-26 | Image sensing apparatus |
| EP20100181875 EP2290952A3 (en) | 2000-07-27 | 2001-07-26 | Image sensing apparatus |
| US11/289,614 US7639295B2 (en) | 2000-07-27 | 2005-11-30 | Image sensing apparatus |
| US11/289,699 US7630010B2 (en) | 2000-07-27 | 2005-11-30 | Image sensing apparatus having an adding circuit to provide a one-pixel signal from a plurality of photoelectric conversion sections |
| US12/427,437 US7920195B2 (en) | 2000-07-27 | 2009-04-21 | Image sensing apparatus having an effective pixel area |
| US13/043,312 US8531568B2 (en) | 2000-07-27 | 2011-03-08 | Image sensing apparatus with shielding for unit blocks of a common processing circuit of plural pixels |
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|---|---|
| JP2002044522A true JP2002044522A (ja) | 2002-02-08 |
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|---|---|---|---|
| JP2000227333A Expired - Fee Related JP3715873B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
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Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
| JP2008546313A (ja) * | 2005-06-01 | 2008-12-18 | イーストマン コダック カンパニー | 選択的ビニング機構を備えたｃｍｏｓイメージセンサの画素 |
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| JPWO2017183481A1 (ja) * | 2016-04-22 | 2019-02-21 | ソニー株式会社 | Ｘ線検出装置、および検出方法 |
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| JPH066686A (ja) * | 1992-06-17 | 1994-01-14 | Ricoh Co Ltd | 撮像装置 |
| JPH08313640A (ja) * | 1995-05-17 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 二次元放射線画像検出器 |
| JPH09298287A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-11-18 | Canon Inc | 光電変換装置及びｘ線撮像装置 |
-
2000
- 2000-07-27 JP JP2000227333A patent/JP3715873B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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