JP2000178647A - 磁束密度が高い高珪素鋼板の製造方法 - Google Patents
磁束密度が高い高珪素鋼板の製造方法Info
- Publication number
- JP2000178647A JP2000178647A JP10368488A JP36848898A JP2000178647A JP 2000178647 A JP2000178647 A JP 2000178647A JP 10368488 A JP10368488 A JP 10368488A JP 36848898 A JP36848898 A JP 36848898A JP 2000178647 A JP2000178647 A JP 2000178647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon steel
- steel sheet
- sheet
- cold rolling
- annealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁束密度が高い高珪素鋼板を安価に且つ安定
して製造することができる方法を提供する。 【解決手段】 浸珪処理の出発材料である珪素鋼板の冷
延条件を適正化して集合組織を制御することにより、磁
束密度の高い高珪素鋼板を安価に且つ安定して製造でき
ることを見い出しなされたもので、Ｓｉ：２．５〜３．
５ｗｔ％の珪素鋼を熱延し、この熱延板に対して１回以
上の非酸化性雰囲気中での中間焼鈍を挾む冷延を行い、
この冷延板をＳｉＣｌ4を含む非酸化性雰囲気中で浸珪
処理し、引き続きＳｉＣｌ4を含まない非酸化性雰囲気
中でＳｉを板厚方向に拡散させる拡散熱処理を施すこと
により、Ｓｉ含有量が４．０〜７．０ｗｔ％の高珪素鋼
板を製造する方法において、最終の中間焼鈍を９００〜
１１００℃の焼鈍温度で行い、さらに最終の冷延の圧延
率を５５〜８５％とすることを特徴とする。
して製造することができる方法を提供する。 【解決手段】 浸珪処理の出発材料である珪素鋼板の冷
延条件を適正化して集合組織を制御することにより、磁
束密度の高い高珪素鋼板を安価に且つ安定して製造でき
ることを見い出しなされたもので、Ｓｉ：２．５〜３．
５ｗｔ％の珪素鋼を熱延し、この熱延板に対して１回以
上の非酸化性雰囲気中での中間焼鈍を挾む冷延を行い、
この冷延板をＳｉＣｌ4を含む非酸化性雰囲気中で浸珪
処理し、引き続きＳｉＣｌ4を含まない非酸化性雰囲気
中でＳｉを板厚方向に拡散させる拡散熱処理を施すこと
により、Ｓｉ含有量が４．０〜７．０ｗｔ％の高珪素鋼
板を製造する方法において、最終の中間焼鈍を９００〜
１１００℃の焼鈍温度で行い、さらに最終の冷延の圧延
率を５５〜８５％とすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁束密度が高い高珪
素鋼板の製造方法に関する。
素鋼板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電磁誘導機器用の鉄心材料として用いら
れる珪素鋼板の軟磁気特性はＳｉの添加量の増加ととも
に向上し、特にＳｉ：６．５ｗｔ％付近で最高の透磁率
を示すことが知られている。また、高珪素鋼板と呼ばれ
るＳｉ含有量が約４．０ｗｔ％以上の珪素鋼板は電気抵
抗が高いため、特に高周波領域での磁気特性に優れてい
る。一方、鋼板のＳｉ含有量が３．５ｗｔ％を超えると
加工性が急激に劣化するため、従来は圧延により工業的
規模で高珪素鋼板を製造することは不可能とされてい
た。
れる珪素鋼板の軟磁気特性はＳｉの添加量の増加ととも
に向上し、特にＳｉ：６．５ｗｔ％付近で最高の透磁率
を示すことが知られている。また、高珪素鋼板と呼ばれ
るＳｉ含有量が約４．０ｗｔ％以上の珪素鋼板は電気抵
抗が高いため、特に高周波領域での磁気特性に優れてい
る。一方、鋼板のＳｉ含有量が３．５ｗｔ％を超えると
加工性が急激に劣化するため、従来は圧延により工業的
規模で高珪素鋼板を製造することは不可能とされてい
た。
【０００３】しかし近年において、圧延法（例えば、特
公平３−６５００１号等に示される製造技術）や浸珪法
（例えば、特公平５−４９７４５号等に示される製造技
術）による薄板製造技術が開発され、板厚が０．０５〜
０．５ｍｍ程度の高珪素鋼板の製造が可能となった。
公平３−６５００１号等に示される製造技術）や浸珪法
（例えば、特公平５−４９７４５号等に示される製造技
術）による薄板製造技術が開発され、板厚が０．０５〜
０．５ｍｍ程度の高珪素鋼板の製造が可能となった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】高珪素鋼板は優れた軟
磁気特性を有するが、飽和磁束密度が低く、これに伴っ
て実用磁束密度の指標とされるＢ8が低くなるという問
題がある。このような問題を解決するために、特公平５
−７２４５７号ではＳｉ含有量が１．０〜４．０ｗｔ％
の方向性珪素鋼板に浸珪処理（浸珪−拡散熱処理）を施
してＳｉ含有量が４．０〜７．０ｗｔ％の方向性高珪素
鋼板を得る方法が示されている。また、特開平４−５９
９２８号では、Ｓｉ含有量が４．５ｗｔ％以下の方向性
珪素鋼板を冷間圧延して０．１５ｍｍ以下の板厚にした
後に１次再結晶焼鈍を施し、引き続き浸珪処理を施して
Ｓｉ含有量が６．５ｗｔ％の方向性高珪素鋼板を得る方
法が示されている。
磁気特性を有するが、飽和磁束密度が低く、これに伴っ
て実用磁束密度の指標とされるＢ8が低くなるという問
題がある。このような問題を解決するために、特公平５
−７２４５７号ではＳｉ含有量が１．０〜４．０ｗｔ％
の方向性珪素鋼板に浸珪処理（浸珪−拡散熱処理）を施
してＳｉ含有量が４．０〜７．０ｗｔ％の方向性高珪素
鋼板を得る方法が示されている。また、特開平４−５９
９２８号では、Ｓｉ含有量が４．５ｗｔ％以下の方向性
珪素鋼板を冷間圧延して０．１５ｍｍ以下の板厚にした
後に１次再結晶焼鈍を施し、引き続き浸珪処理を施して
Ｓｉ含有量が６．５ｗｔ％の方向性高珪素鋼板を得る方
法が示されている。
【０００５】しかし、これらの従来技術のように方向性
珪素鋼板を浸珪処理の出発材料に用いた場合、方向性珪
素鋼板の煩雑な製造プロセスやグラス被膜の除去が必要
になり、製造コストが上昇してしまう。また、方向性珪
素鋼板の結晶粒は粗大であるため、これを圧延すると板
破断や結晶粒毎の変形の不均一に基づく凹凸が発生しや
すく、安定した製造が困難である。したがって本発明の
目的は、このような従来技術の課題を解消し、磁束密度
が高い高珪素鋼板を安価に且つ安定して製造することが
できる方法を提供することにある。
珪素鋼板を浸珪処理の出発材料に用いた場合、方向性珪
素鋼板の煩雑な製造プロセスやグラス被膜の除去が必要
になり、製造コストが上昇してしまう。また、方向性珪
素鋼板の結晶粒は粗大であるため、これを圧延すると板
破断や結晶粒毎の変形の不均一に基づく凹凸が発生しや
すく、安定した製造が困難である。したがって本発明の
目的は、このような従来技術の課題を解消し、磁束密度
が高い高珪素鋼板を安価に且つ安定して製造することが
できる方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記のような問題を解決
するために、本発明者らは浸珪法で製造する高珪素鋼板
の出発材料として、安価で加工性の良好な珪素鋼板を用
いることを前提に検討を行った。その結果、出発材料で
ある珪素鋼板の冷間圧延条件を適正化して集合組織を制
御することにより、磁束密度の高い高珪素鋼板を安価に
且つ安定して製造することができることを見い出した。
するために、本発明者らは浸珪法で製造する高珪素鋼板
の出発材料として、安価で加工性の良好な珪素鋼板を用
いることを前提に検討を行った。その結果、出発材料で
ある珪素鋼板の冷間圧延条件を適正化して集合組織を制
御することにより、磁束密度の高い高珪素鋼板を安価に
且つ安定して製造することができることを見い出した。
【０００７】本発明はこのような知見に基づきなされた
もので、その特徴とする構成は以下の通りである。 [1] Ｓｉ：２．５〜３．５ｗｔ％、Ａｌ≦０．０１ｗｔ
％を含有する珪素鋼を熱間圧延して熱延板とし、この熱
延板を酸洗した後、１回以上の非酸化性雰囲気中での中
間焼鈍を挾む冷間圧延を行って冷延板とし、次いで、こ
の冷延板をＳｉＣｌ4を含む非酸化性雰囲気中で浸珪処
理し、引き続きＳｉＣｌ4を含まない非酸化性雰囲気中
でＳｉを板厚方向に拡散させる拡散熱処理を施すことに
より、Ｓｉ含有量が４．０〜７．０ｗｔ％の高珪素鋼板
を製造する方法において、最終の中間焼鈍を９００〜１
１００℃の焼鈍温度で行い、さらに最終の冷間圧延の圧
延率を５５〜８５％とすることを特徴とする磁束密度が
高い高珪素鋼板の製造方法。
もので、その特徴とする構成は以下の通りである。 [1] Ｓｉ：２．５〜３．５ｗｔ％、Ａｌ≦０．０１ｗｔ
％を含有する珪素鋼を熱間圧延して熱延板とし、この熱
延板を酸洗した後、１回以上の非酸化性雰囲気中での中
間焼鈍を挾む冷間圧延を行って冷延板とし、次いで、こ
の冷延板をＳｉＣｌ4を含む非酸化性雰囲気中で浸珪処
理し、引き続きＳｉＣｌ4を含まない非酸化性雰囲気中
でＳｉを板厚方向に拡散させる拡散熱処理を施すことに
より、Ｓｉ含有量が４．０〜７．０ｗｔ％の高珪素鋼板
を製造する方法において、最終の中間焼鈍を９００〜１
１００℃の焼鈍温度で行い、さらに最終の冷間圧延の圧
延率を５５〜８５％とすることを特徴とする磁束密度が
高い高珪素鋼板の製造方法。
【０００８】[2] Ｓｉ：２．５〜３．５ｗｔ％、Ａｌ≦
０．０１ｗｔ％を含有する珪素鋼を熱間圧延して熱延板
とし、この熱延板を酸洗した後、１回以上の非酸化性雰
囲気中での中間焼鈍を挾む冷間圧延を行って冷延板と
し、次いで、この冷延板をＳｉＣｌ4を含む非酸化性雰
囲気中で浸珪処理し、引き続きＳｉＣｌ4を含まない非
酸化性雰囲気中でＳｉを板厚方向に拡散させる拡散熱処
理を施すことにより、Ｓｉ含有量が４．０〜７．０ｗｔ
％の高珪素鋼板を製造する方法において、最終の中間焼
鈍をＳｉＣｌ4を含む非酸化性雰囲気中において９００
〜１１００℃の焼鈍温度で０．１〜５分間行い、さらに
最終の冷間圧延の圧延率を５５〜８５％とすることを特
徴とする磁束密度が高い高珪素鋼板の製造方法。
０．０１ｗｔ％を含有する珪素鋼を熱間圧延して熱延板
とし、この熱延板を酸洗した後、１回以上の非酸化性雰
囲気中での中間焼鈍を挾む冷間圧延を行って冷延板と
し、次いで、この冷延板をＳｉＣｌ4を含む非酸化性雰
囲気中で浸珪処理し、引き続きＳｉＣｌ4を含まない非
酸化性雰囲気中でＳｉを板厚方向に拡散させる拡散熱処
理を施すことにより、Ｓｉ含有量が４．０〜７．０ｗｔ
％の高珪素鋼板を製造する方法において、最終の中間焼
鈍をＳｉＣｌ4を含む非酸化性雰囲気中において９００
〜１１００℃の焼鈍温度で０．１〜５分間行い、さらに
最終の冷間圧延の圧延率を５５〜８５％とすることを特
徴とする磁束密度が高い高珪素鋼板の製造方法。
【０００９】[3] 上記[1]または[2]の製造方法におい
て、中間焼鈍を２回以上行い、総ての中間焼鈍を９００
〜１１００℃の焼鈍温度で行うことを特徴とする磁束密
度が高い高珪素鋼板の製造方法。 [4] 上記[1]または[2]の製造方法において、中間焼鈍を
２回以上行い、総ての中間焼鈍を９００〜１１００℃の
焼鈍温度で行うとともに、総ての冷間圧延の圧延率を５
５〜８５％とすることを特徴とする磁束密度が高い高珪
素鋼板の製造方法。
て、中間焼鈍を２回以上行い、総ての中間焼鈍を９００
〜１１００℃の焼鈍温度で行うことを特徴とする磁束密
度が高い高珪素鋼板の製造方法。 [4] 上記[1]または[2]の製造方法において、中間焼鈍を
２回以上行い、総ての中間焼鈍を９００〜１１００℃の
焼鈍温度で行うとともに、総ての冷間圧延の圧延率を５
５〜８５％とすることを特徴とする磁束密度が高い高珪
素鋼板の製造方法。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細をその限定理
由とともに説明する。まず、鋼板の化学成分の限定理由
を説明する。本発明は珪素鋼板に浸珪−拡散熱処理を施
すことにより高珪素鋼板を製造する方法であり、浸珪処
理前の鋼板（出発材料）のＳｉ含有量が３．５ｗｔ％を
超えると冷間圧延性が著しく劣り、一方、２．５ｗｔ％
未満では２回以上の冷圧の中間焼鈍時に変態を生じてし
まう。このため浸珪処理前の鋼板のＳｉ含有量は２．５
〜３．５ｗｔ％とする。
由とともに説明する。まず、鋼板の化学成分の限定理由
を説明する。本発明は珪素鋼板に浸珪−拡散熱処理を施
すことにより高珪素鋼板を製造する方法であり、浸珪処
理前の鋼板（出発材料）のＳｉ含有量が３．５ｗｔ％を
超えると冷間圧延性が著しく劣り、一方、２．５ｗｔ％
未満では２回以上の冷圧の中間焼鈍時に変態を生じてし
まう。このため浸珪処理前の鋼板のＳｉ含有量は２．５
〜３．５ｗｔ％とする。
【００１１】Ｓｉは軟磁性を発現させるための元素であ
り、添加量が６．５ｗｔ％で最も優れた軟磁性を示す。
浸珪−拡散熱処理後のＳｉが４．０ｗｔ％未満では高珪
素鋼板として所望の軟磁気特性が得られない。一方、Ｓ
ｉが７．０ｗｔ％を超えると飽和磁束密度が著しく減少
する。このため浸珪−拡散熱処理後のＳｉ含有量は４．
０〜７．０ｗｔ％とする。
り、添加量が６．５ｗｔ％で最も優れた軟磁性を示す。
浸珪−拡散熱処理後のＳｉが４．０ｗｔ％未満では高珪
素鋼板として所望の軟磁気特性が得られない。一方、Ｓ
ｉが７．０ｗｔ％を超えると飽和磁束密度が著しく減少
する。このため浸珪−拡散熱処理後のＳｉ含有量は４．
０〜７．０ｗｔ％とする。
【００１２】本発明ではＳｉを４．０〜７．０ｗｔ％含
有する鋼板が得られるため、Ａｌを添加して軟磁気特性
の向上を図る必要はない。また、後述する中間焼鈍工程
は冷延板を再結晶及び粒成長させた組織に調整すること
を目的としているが、鋼中に微量に存在するＡｌは中間
焼鈍雰囲気に通常含まれる窒素と結合してＡｌＮを形成
し、再結晶及び粒成長を阻害する。さらに、鋼中に微量
に存在するＡｌは、浸珪−拡散熱処理中に偏析して軟磁
気特性を劣化させる。このためＡｌ含有量は０〜０．０
１ｗｔ％（但し、無添加の場合を含む）とする。
有する鋼板が得られるため、Ａｌを添加して軟磁気特性
の向上を図る必要はない。また、後述する中間焼鈍工程
は冷延板を再結晶及び粒成長させた組織に調整すること
を目的としているが、鋼中に微量に存在するＡｌは中間
焼鈍雰囲気に通常含まれる窒素と結合してＡｌＮを形成
し、再結晶及び粒成長を阻害する。さらに、鋼中に微量
に存在するＡｌは、浸珪−拡散熱処理中に偏析して軟磁
気特性を劣化させる。このためＡｌ含有量は０〜０．０
１ｗｔ％（但し、無添加の場合を含む）とする。
【００１３】次に、製造プロセスの条件について説明す
る。本発明では、上述した化学成分を有する鋼を精錬、
鋳造、熱間圧延の各工程を経て熱延板を得るが、これら
のプロセスに特別な制限はなく、製造コストを下げるた
めに鋳造は連続鋳造で行ってもよい。熱延板は酸洗した
後に１回以上の中間焼鈍を挾む冷間圧延を行って所望の
板厚の冷延板とする。次いで、ＳｉＣｌ4を含む非酸化
性雰囲気中で浸珪処理した後、ＳｉＣｌ4を含まない非
酸化性雰囲気中でＳｉを板厚方向に拡散させる拡散熱処
理を施し、Ｓｉ：４．０〜７．０ｗｔ％の高珪素鋼板を
製造する。
る。本発明では、上述した化学成分を有する鋼を精錬、
鋳造、熱間圧延の各工程を経て熱延板を得るが、これら
のプロセスに特別な制限はなく、製造コストを下げるた
めに鋳造は連続鋳造で行ってもよい。熱延板は酸洗した
後に１回以上の中間焼鈍を挾む冷間圧延を行って所望の
板厚の冷延板とする。次いで、ＳｉＣｌ4を含む非酸化
性雰囲気中で浸珪処理した後、ＳｉＣｌ4を含まない非
酸化性雰囲気中でＳｉを板厚方向に拡散させる拡散熱処
理を施し、Ｓｉ：４．０〜７．０ｗｔ％の高珪素鋼板を
製造する。
【００１４】上記中間焼鈍の目的は、再結晶及び粒成長
によって適切な粒径を持つ組織に調整し、その後の冷間
圧延時に結晶粒内部に歪みを蓄積させて、浸珪−拡散熱
処理中に結晶粒内部から（１１０）方位に近い方位の再
結晶粒を核発生させ、磁束密度特性を向上させることに
ある。
によって適切な粒径を持つ組織に調整し、その後の冷間
圧延時に結晶粒内部に歪みを蓄積させて、浸珪−拡散熱
処理中に結晶粒内部から（１１０）方位に近い方位の再
結晶粒を核発生させ、磁束密度特性を向上させることに
ある。
【００１５】ここで、最終の中間焼鈍（中間焼鈍が１回
の場合には当該中間焼鈍）の焼鈍温度が９００℃未満で
は十分な大きさの再結晶粒が得られない。この場合には
中間焼鈍された鋼板中の粒界面積が大きく、浸珪−拡散
熱処理中の再結晶時に粒界からの（１１１）粒の核発生
が多くなるため、最終製品の磁束密度はあまり向上しな
い。一方、最終の中間焼鈍温度が１１００℃を超える
と、再結晶粒径が板厚よりも大きくなってしまう。この
場合には、その後の冷間圧延時に変形に起因する表面の
凹凸が発生し、最終製品の占積率を下げてしまう。この
ため最終の中間焼鈍の焼鈍温度は９００〜１１００℃と
する。
の場合には当該中間焼鈍）の焼鈍温度が９００℃未満で
は十分な大きさの再結晶粒が得られない。この場合には
中間焼鈍された鋼板中の粒界面積が大きく、浸珪−拡散
熱処理中の再結晶時に粒界からの（１１１）粒の核発生
が多くなるため、最終製品の磁束密度はあまり向上しな
い。一方、最終の中間焼鈍温度が１１００℃を超える
と、再結晶粒径が板厚よりも大きくなってしまう。この
場合には、その後の冷間圧延時に変形に起因する表面の
凹凸が発生し、最終製品の占積率を下げてしまう。この
ため最終の中間焼鈍の焼鈍温度は９００〜１１００℃と
する。
【００１６】また、中間焼鈍はＡｒガス、窒素ガス等の
非酸化性雰囲気で行うことが必要である。中間焼鈍が酸
化性雰囲気中で行われると、鋼板表層の再結晶領域が細
粒となり、最終製品の磁束密度を低下させる。
非酸化性雰囲気で行うことが必要である。中間焼鈍が酸
化性雰囲気中で行われると、鋼板表層の再結晶領域が細
粒となり、最終製品の磁束密度を低下させる。
【００１７】また、最終の中間焼鈍（中間焼鈍が１回の
場合には当該中間焼鈍）をＳｉＣｌ4を含む非酸化性雰
囲気中において９００〜１１００℃の焼鈍温度で０．１
〜５分間行うことにより、最終製品の磁束密度はさらに
向上する。この場合には、中間焼鈍された鋼板の表層に
Ｓｉが浸透するため鋼板の表層が硬くなる。この結果、
次工程の冷間圧延時に、通常は主として表層に加わる剪
断応力が柔らかい板中央部にまで加わるため、結晶粒内
部から（１１０）方位に近い方位を持つ結晶粒の核発生
が多くなり、最終製品の磁束密度がより向上する。
場合には当該中間焼鈍）をＳｉＣｌ4を含む非酸化性雰
囲気中において９００〜１１００℃の焼鈍温度で０．１
〜５分間行うことにより、最終製品の磁束密度はさらに
向上する。この場合には、中間焼鈍された鋼板の表層に
Ｓｉが浸透するため鋼板の表層が硬くなる。この結果、
次工程の冷間圧延時に、通常は主として表層に加わる剪
断応力が柔らかい板中央部にまで加わるため、結晶粒内
部から（１１０）方位に近い方位を持つ結晶粒の核発生
が多くなり、最終製品の磁束密度がより向上する。
【００１８】この場合の焼鈍時間はＳｉを十分に浸透さ
せるために０．１分以上を必要とする。一方、必要以上
にＳｉを浸透させると、その後の冷間圧延性が劣化する
ため、焼鈍時間は５分以下とすることが必要である。ま
た、焼鈍温度は９００℃未満では再結晶粒径が小さく、
さらにＳｉの浸透が効果的に起こらないため下限を９０
０℃とする。また、焼鈍温度が１１００℃を超えると中
間焼鈍時の結晶粒径が大きくなり過ぎるため、焼鈍温度
は１１００℃を上限とする。また、焼鈍雰囲気中のＳｉ
Ｃｌ4濃度は、Ｓｉの浸透が効果的に起こる５ｍｏｌ％
以上とすることが望ましい。一方、経済性の観点からＳ
ｉＣｌ4濃度は２５ｍｏｌ％以下とすることが望まし
い。
せるために０．１分以上を必要とする。一方、必要以上
にＳｉを浸透させると、その後の冷間圧延性が劣化する
ため、焼鈍時間は５分以下とすることが必要である。ま
た、焼鈍温度は９００℃未満では再結晶粒径が小さく、
さらにＳｉの浸透が効果的に起こらないため下限を９０
０℃とする。また、焼鈍温度が１１００℃を超えると中
間焼鈍時の結晶粒径が大きくなり過ぎるため、焼鈍温度
は１１００℃を上限とする。また、焼鈍雰囲気中のＳｉ
Ｃｌ4濃度は、Ｓｉの浸透が効果的に起こる５ｍｏｌ％
以上とすることが望ましい。一方、経済性の観点からＳ
ｉＣｌ4濃度は２５ｍｏｌ％以下とすることが望まし
い。
【００１９】最終の中間焼鈍後に行われる冷間圧延（最
終の冷間圧延）の圧延率が低いと結晶粒内部への歪みの
導入量が少ないため、最終製品の磁束密度が効果的に向
上しない。一方、冷間圧延率が高すぎると結晶粒の回転
が起こり、結晶粒内部からも（１１１）粒が核発生しや
すくなる。このような観点から、最終の冷間圧延の圧延
率は５５〜８５％とする。また、最終の中間焼鈍前の冷
間圧延の圧延率に関しても、同様の観点から５５〜８５
％とすることが好ましい。
終の冷間圧延）の圧延率が低いと結晶粒内部への歪みの
導入量が少ないため、最終製品の磁束密度が効果的に向
上しない。一方、冷間圧延率が高すぎると結晶粒の回転
が起こり、結晶粒内部からも（１１１）粒が核発生しや
すくなる。このような観点から、最終の冷間圧延の圧延
率は５５〜８５％とする。また、最終の中間焼鈍前の冷
間圧延の圧延率に関しても、同様の観点から５５〜８５
％とすることが好ましい。
【００２０】本発明の効果は１回の中間焼鈍でも十分に
得られるが、２回以上の複数回の中間焼鈍を行うことに
よって、その効果はより顕著なものとなる。２回以上の
中間焼鈍を行う場合には、最終の中間焼鈍を９００〜１
１００℃の焼鈍温度で行い、さらに最終の冷間圧延率を
５５〜８５％にすることによって本発明の効果が得られ
るが、他の中間焼鈍や冷間圧延条件を同様に制御するこ
と、すなわち、総ての中間焼鈍を９００〜１１００℃の
焼鈍温度で行うこと、さらに好ましくは総ての中間焼鈍
を９００〜１１００℃の焼鈍温度で行うとともに、総て
の冷間圧延の圧延率を５５〜８５％とすることにより、
さらに顕著な効果が得られる。また、中間焼鈍をＳｉＣ
ｌ4を含む非酸化性雰囲気中で行う場合には、その後の
冷間圧延性を考慮して、最終の中間焼鈍に限定して行う
ことが望ましい。
得られるが、２回以上の複数回の中間焼鈍を行うことに
よって、その効果はより顕著なものとなる。２回以上の
中間焼鈍を行う場合には、最終の中間焼鈍を９００〜１
１００℃の焼鈍温度で行い、さらに最終の冷間圧延率を
５５〜８５％にすることによって本発明の効果が得られ
るが、他の中間焼鈍や冷間圧延条件を同様に制御するこ
と、すなわち、総ての中間焼鈍を９００〜１１００℃の
焼鈍温度で行うこと、さらに好ましくは総ての中間焼鈍
を９００〜１１００℃の焼鈍温度で行うとともに、総て
の冷間圧延の圧延率を５５〜８５％とすることにより、
さらに顕著な効果が得られる。また、中間焼鈍をＳｉＣ
ｌ4を含む非酸化性雰囲気中で行う場合には、その後の
冷間圧延性を考慮して、最終の中間焼鈍に限定して行う
ことが望ましい。
【００２１】上述のように１回以上の中間焼鈍を挟む冷
間圧延が施された鋼板には、浸珪−拡散熱処理が施され
る。この浸珪−拡散熱処理では、鋼板はＳｉＣｌ4が約
５〜３５ｍｏｌ％程度含まれる非酸化性雰囲気中で１０
２３〜１２００℃程度の処理温度で浸珪処理され、引き
続き１２００〜１２３０℃程度の処理温度で拡散熱処理
される。
間圧延が施された鋼板には、浸珪−拡散熱処理が施され
る。この浸珪−拡散熱処理では、鋼板はＳｉＣｌ4が約
５〜３５ｍｏｌ％程度含まれる非酸化性雰囲気中で１０
２３〜１２００℃程度の処理温度で浸珪処理され、引き
続き１２００〜１２３０℃程度の処理温度で拡散熱処理
される。
【００２２】
【実施例】［実施例１］表１の鋼種Ａの化学成分を有す
る珪素鋼を精錬、鋳造、熱間圧延して板厚２．５ｍｍの
熱延板を得た。この熱延板を酸洗し、板厚０．４ｍｍま
で１次冷間圧延した後、窒素雰囲気中で種々の焼鈍温度
で２分間の中間焼鈍を行い、さらに板厚０．１５ｍｍま
で２次冷間圧延した。次いで、この鋼板をＳｉＣｌ4を
含む窒素雰囲気中において１２００℃で浸珪処理した
後、引き続きＳｉＣｌ4を含まない窒素雰囲気中でＳｉ
を板厚方向に拡散させる拡散熱処理を行い、Ｓｉ：６．
５ｗｔ％であって、Ｓｉ濃度が板厚方向でほぼ均一な高
珪素鋼板を得た。
る珪素鋼を精錬、鋳造、熱間圧延して板厚２．５ｍｍの
熱延板を得た。この熱延板を酸洗し、板厚０．４ｍｍま
で１次冷間圧延した後、窒素雰囲気中で種々の焼鈍温度
で２分間の中間焼鈍を行い、さらに板厚０．１５ｍｍま
で２次冷間圧延した。次いで、この鋼板をＳｉＣｌ4を
含む窒素雰囲気中において１２００℃で浸珪処理した
後、引き続きＳｉＣｌ4を含まない窒素雰囲気中でＳｉ
を板厚方向に拡散させる拡散熱処理を行い、Ｓｉ：６．
５ｗｔ％であって、Ｓｉ濃度が板厚方向でほぼ均一な高
珪素鋼板を得た。
【００２３】このようにして得られた高珪素鋼板の表面
凹凸の目視検査結果とＢ8特性を図１に示す。なお、比
較のために中間焼鈍を行わなかった鋼板のＢ8は１．２
７５（Ｔ）であった。図１によれば、本発明の製造方法
により磁束密度が高く且つ表面に凹凸のない高珪素鋼板
が製造できることが判る。
凹凸の目視検査結果とＢ8特性を図１に示す。なお、比
較のために中間焼鈍を行わなかった鋼板のＢ8は１．２
７５（Ｔ）であった。図１によれば、本発明の製造方法
により磁束密度が高く且つ表面に凹凸のない高珪素鋼板
が製造できることが判る。
【００２４】［実施例２］表１の鋼種Ｂの化学成分を有
する珪素鋼を精錬、鋳造、熱間圧延して板厚３．５ｍ
ｍ、２．５ｍｍ、１．５ｍｍの各熱延板を得た。この熱
延板を酸洗し、各種中間板厚まで１次冷間圧延した後、
窒素雰囲気中において１０００℃で２分間の中間焼鈍を
行った。さらに、板厚０．１５ｍｍまで２次冷間圧延
し、次いでＳｉＣｌ4を含む窒素雰囲気中において１２
００℃で浸珪処理し、引き続きＳｉＣｌ4を含まない窒
素雰囲気中でＳｉを板厚方向に拡散させる拡散熱処理を
行い、Ｓｉ：６．５ｗｔ％であって、Ｓｉ濃度が板厚方
向でほぼ均一な高珪素鋼板を得た。
する珪素鋼を精錬、鋳造、熱間圧延して板厚３．５ｍ
ｍ、２．５ｍｍ、１．５ｍｍの各熱延板を得た。この熱
延板を酸洗し、各種中間板厚まで１次冷間圧延した後、
窒素雰囲気中において１０００℃で２分間の中間焼鈍を
行った。さらに、板厚０．１５ｍｍまで２次冷間圧延
し、次いでＳｉＣｌ4を含む窒素雰囲気中において１２
００℃で浸珪処理し、引き続きＳｉＣｌ4を含まない窒
素雰囲気中でＳｉを板厚方向に拡散させる拡散熱処理を
行い、Ｓｉ：６．５ｗｔ％であって、Ｓｉ濃度が板厚方
向でほぼ均一な高珪素鋼板を得た。
【００２５】このようにして得られた高珪素鋼板の１
次、２次冷間圧延率とＢ8特性を図２に示す。図２によ
れば、２次冷間圧延率（最終の冷間圧延率）が５５〜８
５％の場合に１．３５（Ｔ）以上の高いＢ8が得られて
いる。また、２次冷間圧延率が５５〜８５％で且つ１次
冷間圧延率が５５〜８５％の場合にさらに高い１．４０
（Ｔ）以上のＢ8が得られている。
次、２次冷間圧延率とＢ8特性を図２に示す。図２によ
れば、２次冷間圧延率（最終の冷間圧延率）が５５〜８
５％の場合に１．３５（Ｔ）以上の高いＢ8が得られて
いる。また、２次冷間圧延率が５５〜８５％で且つ１次
冷間圧延率が５５〜８５％の場合にさらに高い１．４０
（Ｔ）以上のＢ8が得られている。
【００２６】［実施例３］表１の鋼種Ｃの化学成分を有
する珪素鋼を精錬、鋳造、熱間圧延して板厚３．５ｍｍ
の熱延板を得た。この熱延板を酸洗した後、表２に示す
条件で冷間圧延及び中間焼鈍を施し、板厚０．０３ｍｍ
の冷延板とした。この際、中間焼鈍は全て窒素雰囲気中
で２分間行った。次いで、ＳｉＣｌ4を含む窒素雰囲気
中において１２００℃で浸珪処理した後、ＳｉＣｌ4を
含まない窒素雰囲気中でＳｉを板厚方向に拡散させる拡
散熱処理を行い、Ｓｉ：６．５ｗｔ％であって、Ｓｉ濃
度が板厚方向でほぼ均一な高珪素鋼板を得た。
する珪素鋼を精錬、鋳造、熱間圧延して板厚３．５ｍｍ
の熱延板を得た。この熱延板を酸洗した後、表２に示す
条件で冷間圧延及び中間焼鈍を施し、板厚０．０３ｍｍ
の冷延板とした。この際、中間焼鈍は全て窒素雰囲気中
で２分間行った。次いで、ＳｉＣｌ4を含む窒素雰囲気
中において１２００℃で浸珪処理した後、ＳｉＣｌ4を
含まない窒素雰囲気中でＳｉを板厚方向に拡散させる拡
散熱処理を行い、Ｓｉ：６．５ｗｔ％であって、Ｓｉ濃
度が板厚方向でほぼ均一な高珪素鋼板を得た。
【００２７】このようにして得られた高珪素鋼板のＢ8
特性を表２に示す。表２によれば、中間焼鈍回数が１回
の場合でも本発明による製造方法（Ｎｏ．３）ではＢ8
が向上するが、上記［実施例２］にあるような１．４０
（Ｔ）以上のＢ8は得られていない。これは１次冷間圧
延率が８５％を超えているためであると考えられる。ま
た、中間焼鈍を２回行った場合には、最終（第２回目）
の中間焼鈍温度を９００〜１１００℃、最終の冷間圧延
の圧延率を５５〜８５％の範囲とすることによりＢ8が
向上している（Ｎｏ．５〜Ｎｏ．９）。
特性を表２に示す。表２によれば、中間焼鈍回数が１回
の場合でも本発明による製造方法（Ｎｏ．３）ではＢ8
が向上するが、上記［実施例２］にあるような１．４０
（Ｔ）以上のＢ8は得られていない。これは１次冷間圧
延率が８５％を超えているためであると考えられる。ま
た、中間焼鈍を２回行った場合には、最終（第２回目）
の中間焼鈍温度を９００〜１１００℃、最終の冷間圧延
の圧延率を５５〜８５％の範囲とすることによりＢ8が
向上している（Ｎｏ．５〜Ｎｏ．９）。
【００２８】また、最終の中間焼鈍の焼鈍温度を９００
〜１１００℃、最終の冷間圧延の圧延率を５５〜８５％
の範囲とし、且つ第１回中間焼鈍の焼鈍温度を９００〜
１１００℃とすることにより、さらにＢ8特性が向上す
ることが判る（Ｎｏ．６，Ｎｏ．７）。さらに、全ての
中間焼鈍の焼鈍温度を９００〜１１００℃とし、且つ全
ての冷間圧延の圧延率を５５〜８５％とすることによ
り、Ｂ8特性が最も顕著に向上することが判る（Ｎｏ．
８）。
〜１１００℃、最終の冷間圧延の圧延率を５５〜８５％
の範囲とし、且つ第１回中間焼鈍の焼鈍温度を９００〜
１１００℃とすることにより、さらにＢ8特性が向上す
ることが判る（Ｎｏ．６，Ｎｏ．７）。さらに、全ての
中間焼鈍の焼鈍温度を９００〜１１００℃とし、且つ全
ての冷間圧延の圧延率を５５〜８５％とすることによ
り、Ｂ8特性が最も顕著に向上することが判る（Ｎｏ．
８）。
【００２９】［実施例４］表１の鋼種Ｄの化学成分を有
する珪素鋼を精錬、鋳造、熱間圧延して板厚２．５ｍｍ
の熱延板を得た。この熱延板を酸洗した後、板厚０．４
ｍｍまで１次冷間圧延し、次いで、ＳｉＣｌ4を１０ｍ
ｏｌ％含む雰囲気中（残部は実質的に窒素ガス）とＳｉ
Ｃｌ4を含まない窒素雰囲気中でそれぞれ時間を変えて
１０５０℃の中間焼鈍を行った。さらに、板厚０．１５
ｍｍまで冷間圧延した後、ＳｉＣｌ4を含む窒素雰囲気
中において１２００℃で浸珪処理し、引き続きＳｉＣｌ
4を含まない窒素雰囲気中でＳｉを板厚方向に拡散させ
る拡散熱処理を行い、Ｓｉ：６．５ｗｔ％であって、Ｓ
ｉ濃度が板厚方向でほぼ均一な高珪素鋼板を得た。な
お、ＳｉＣｌ4を含む雰囲気で８分間中間焼鈍した鋼板
は、次工程の冷間圧延中にクラックが発生し、冷間圧延
が不可能であった。
する珪素鋼を精錬、鋳造、熱間圧延して板厚２．５ｍｍ
の熱延板を得た。この熱延板を酸洗した後、板厚０．４
ｍｍまで１次冷間圧延し、次いで、ＳｉＣｌ4を１０ｍ
ｏｌ％含む雰囲気中（残部は実質的に窒素ガス）とＳｉ
Ｃｌ4を含まない窒素雰囲気中でそれぞれ時間を変えて
１０５０℃の中間焼鈍を行った。さらに、板厚０．１５
ｍｍまで冷間圧延した後、ＳｉＣｌ4を含む窒素雰囲気
中において１２００℃で浸珪処理し、引き続きＳｉＣｌ
4を含まない窒素雰囲気中でＳｉを板厚方向に拡散させ
る拡散熱処理を行い、Ｓｉ：６．５ｗｔ％であって、Ｓ
ｉ濃度が板厚方向でほぼ均一な高珪素鋼板を得た。な
お、ＳｉＣｌ4を含む雰囲気で８分間中間焼鈍した鋼板
は、次工程の冷間圧延中にクラックが発生し、冷間圧延
が不可能であった。
【００３０】このようにして得られた高珪素鋼板の中間
焼鈍時間とＢ8特性との関係を図３に示す。これによれ
ば、ＳｉＣｌ4を含まない雰囲気で中間焼鈍を行った場
合でも１．４０（Ｔ）以上の高いＢ8が得られるが、中
間焼鈍をＳｉＣｌ4を含む窒素雰囲気中で０．１〜５分
間行うことにより、１．４５（Ｔ）以上のさらに高いＢ
8特性を有する高珪素鋼板が得られることが判る。
焼鈍時間とＢ8特性との関係を図３に示す。これによれ
ば、ＳｉＣｌ4を含まない雰囲気で中間焼鈍を行った場
合でも１．４０（Ｔ）以上の高いＢ8が得られるが、中
間焼鈍をＳｉＣｌ4を含む窒素雰囲気中で０．１〜５分
間行うことにより、１．４５（Ｔ）以上のさらに高いＢ
8特性を有する高珪素鋼板が得られることが判る。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば磁束
密度が高い高珪素鋼板を安価でかつ安定して製造するこ
とができる。
密度が高い高珪素鋼板を安価でかつ安定して製造するこ
とができる。
【図１】最終の中間焼鈍の焼鈍温度が最終製品のＢ8特
性に及ぼす影響を示すグラフ
性に及ぼす影響を示すグラフ
【図２】１次冷間圧延率および２次冷間圧延率が最終製
品のＢ8特性に及ぼす影響を示すグラフ
品のＢ8特性に及ぼす影響を示すグラフ
【図３】最終の中間焼鈍の雰囲気が最終製品のＢ8特性
に及ぼす影響を示すグラフ
に及ぼす影響を示すグラフ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠井 勝司 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内 Ｆターム(参考） 4K033 AA02 HA06 JA01 NA03
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｓｉ：２．５〜３．５ｗｔ％、Ａｌ≦
０．０１ｗｔ％を含有する珪素鋼を熱間圧延して熱延板
とし、この熱延板を酸洗した後、１回以上の非酸化性雰
囲気中での中間焼鈍を挾む冷間圧延を行って冷延板と
し、次いで、この冷延板をＳｉＣｌ4を含む非酸化性雰
囲気中で浸珪処理し、引き続きＳｉＣｌ4を含まない非
酸化性雰囲気中でＳｉを板厚方向に拡散させる拡散熱処
理を施すことにより、Ｓｉ含有量が４．０〜７．０ｗｔ
％の高珪素鋼板を製造する方法において、 最終の中間焼鈍を９００〜１１００℃の焼鈍温度で行
い、さらに最終の冷間圧延の圧延率を５５〜８５％とす
ることを特徴とする磁束密度が高い高珪素鋼板の製造方
法。 - 【請求項２】 Ｓｉ：２．５〜３．５ｗｔ％、Ａｌ≦
０．０１ｗｔ％を含有する珪素鋼を熱間圧延して熱延板
とし、この熱延板を酸洗した後、１回以上の非酸化性雰
囲気中での中間焼鈍を挾む冷間圧延を行って冷延板と
し、次いで、この冷延板をＳｉＣｌ4を含む非酸化性雰
囲気中で浸珪処理し、引き続きＳｉＣｌ4を含まない非
酸化性雰囲気中でＳｉを板厚方向に拡散させる拡散熱処
理を施すことにより、Ｓｉ含有量が４．０〜７．０ｗｔ
％の高珪素鋼板を製造する方法において、 最終の中間焼鈍をＳｉＣｌ4を含む非酸化性雰囲気中に
おいて９００〜１１００℃の焼鈍温度で０．１〜５分間
行い、さらに最終の冷間圧延の圧延率を５５〜８５％と
することを特徴とする磁束密度が高い高珪素鋼板の製造
方法。 - 【請求項３】 中間焼鈍を２回以上行い、総ての中間焼
鈍を９００〜１１００℃の焼鈍温度で行うことを特徴と
する請求項１または２に記載の磁束密度が高い高珪素鋼
板の製造方法。 - 【請求項４】 中間焼鈍を２回以上行い、総ての中間焼
鈍を９００〜１１００℃の焼鈍温度で行うとともに、総
ての冷間圧延の圧延率を５５〜８５％とすることを特徴
とする請求項１または２に記載の磁束密度が高い高珪素
鋼板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36848898A JP4258050B2 (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | 高珪素鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36848898A JP4258050B2 (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | 高珪素鋼板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000178647A true JP2000178647A (ja) | 2000-06-27 |
| JP4258050B2 JP4258050B2 (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=18491954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36848898A Expired - Fee Related JP4258050B2 (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | 高珪素鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4258050B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006503189A (ja) * | 2002-11-11 | 2006-01-26 | ポスコ | 浸珪拡散被覆組成物及びこれを利用した高珪素電気鋼板の製造方法 |
| JP2009203520A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Jfe Steel Corp | 無方向性電磁鋼板の製造方法 |
| WO2013111751A1 (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 電磁鋼板 |
| WO2016089076A1 (ko) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 주식회사 포스코 | 자기적 성질이 우수한 고규소 강판 및 그 제조방법 |
| JP2019183232A (ja) * | 2018-04-11 | 2019-10-24 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 電磁鋼板およびその製造方法 |
| US11530462B2 (en) | 2017-12-26 | 2022-12-20 | Posco Holdings Inc. | Grain-oriented electrical steel sheet and manufacturing method therefor |
-
1998
- 1998-12-09 JP JP36848898A patent/JP4258050B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006503189A (ja) * | 2002-11-11 | 2006-01-26 | ポスコ | 浸珪拡散被覆組成物及びこれを利用した高珪素電気鋼板の製造方法 |
| JP2009203520A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Jfe Steel Corp | 無方向性電磁鋼板の製造方法 |
| WO2013111751A1 (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 電磁鋼板 |
| JP2013155397A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Jfe Steel Corp | 電磁鋼板 |
| CN104053804A (zh) * | 2012-01-27 | 2014-09-17 | 杰富意钢铁株式会社 | 电磁钢板 |
| CN104053804B (zh) * | 2012-01-27 | 2016-05-11 | 杰富意钢铁株式会社 | 电磁钢板 |
| US10584406B2 (en) | 2012-01-27 | 2020-03-10 | Jfe Steel Corporation | Electrical steel sheet |
| WO2016089076A1 (ko) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 주식회사 포스코 | 자기적 성질이 우수한 고규소 강판 및 그 제조방법 |
| US11530462B2 (en) | 2017-12-26 | 2022-12-20 | Posco Holdings Inc. | Grain-oriented electrical steel sheet and manufacturing method therefor |
| JP2019183232A (ja) * | 2018-04-11 | 2019-10-24 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 電磁鋼板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4258050B2 (ja) | 2009-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09118964A (ja) | 高い体積抵抗率を有する粒子方向性珪素鋼およびその製造法 | |
| JPH0762436A (ja) | 極めて低い鉄損をもつ一方向性電磁鋼板の製造方法 | |
| CN114514332B (zh) | 无取向性电磁钢板及其制造方法 | |
| JPH0713262B2 (ja) | 軟磁気特性の優れた珪素鉄板の製造方法 | |
| JPH10298653A (ja) | 極めて低い鉄損をもつ一方向性電磁鋼板の製造方法 | |
| JPH10152724A (ja) | 極めて低い鉄損をもつ一方向性電磁鋼板の製造方法 | |
| JP7110642B2 (ja) | 一方向性電磁鋼板の製造方法 | |
| EP0076109A2 (en) | Method of producing grain-oriented silicon steel sheets having excellent magnetic properties | |
| JP2000178647A (ja) | 磁束密度が高い高珪素鋼板の製造方法 | |
| JPH0565537A (ja) | 高い透磁率を有する高珪素鋼板の製造方法 | |
| JPH0978129A (ja) | 全方位の磁気特性が極めて優れた無方向性電磁鋼板の製造方法 | |
| JP2560579B2 (ja) | 高透磁率を有する高珪素鋼板の製造方法 | |
| JP2514447B2 (ja) | 磁気特性および表面性状の優れた無方向性電磁鋼板の製造方法 | |
| JP2853552B2 (ja) | 磁気特性の優れた無方向性電磁鋼板とその製造方法 | |
| JP2001049351A (ja) | 磁束密度の高い一方向性電磁鋼板の製造方法 | |
| JPH08134660A (ja) | 極めて低い鉄損を有する一方向性電磁鋼板 | |
| JP2000178699A (ja) | 磁束密度が高く加工性に優れた高珪素鋼板 | |
| JP3148096B2 (ja) | 鉄損の低い鏡面方向性電磁鋼板の製造方法 | |
| JPH11323438A (ja) | 磁気特性に優れる方向性電磁鋼板の製造方法 | |
| JPH0657332A (ja) | 磁束密度が高くかつ鉄損が低い無方向性電磁鋼板の製造方法 | |
| JPS6148761B2 (ja) | ||
| JPH086136B2 (ja) | 方向性高珪素鋼板の製造法 | |
| JP3148094B2 (ja) | 鉄損の低い鏡面方向性電磁鋼板の製造方法 | |
| JPH09157748A (ja) | 低鉄損、高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法 | |
| JPH0762437A (ja) | 極めて低い鉄損をもつ一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070515 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070713 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090113 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090126 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |