JP2760208B2 - 高い磁束密度を有する珪素鋼板の製造方法 - Google Patents
高い磁束密度を有する珪素鋼板の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高い磁束密度を有す
る珪素鋼板の製造方法に関する。
る珪素鋼板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】珪素鋼板は優れた軟磁気特性を有するた
め、従来から電力用の磁心や回転機用の材料として大量
に使用されてきた。近年、省エネルギーや省資源の観点
から変圧器、回転機などの電気機器の効率化、小型化が
強く要求され、これに伴いその鉄心用材料である珪素鋼
板にもより優れた磁気特性が要求されるようになってき
た。この珪素鋼板の磁気特性はＳｉ添加量の増加ととも
に向上し、特に６．５ｗｔ％付近で最高の透磁率を示
し、さらに電気抵抗も高くなることから鉄損も小さくな
ることが知られている。上記のような用途のうち、主に
トランス用の鉄心用材料には、トランスの小型化のため
に高い磁束密度を有することが要望されており、これに
は方向性珪素鋼板のような特性が適している。
め、従来から電力用の磁心や回転機用の材料として大量
に使用されてきた。近年、省エネルギーや省資源の観点
から変圧器、回転機などの電気機器の効率化、小型化が
強く要求され、これに伴いその鉄心用材料である珪素鋼
板にもより優れた磁気特性が要求されるようになってき
た。この珪素鋼板の磁気特性はＳｉ添加量の増加ととも
に向上し、特に６．５ｗｔ％付近で最高の透磁率を示
し、さらに電気抵抗も高くなることから鉄損も小さくな
ることが知られている。上記のような用途のうち、主に
トランス用の鉄心用材料には、トランスの小型化のため
に高い磁束密度を有することが要望されており、これに
は方向性珪素鋼板のような特性が適している。
【０００３】方向性珪素鋼板の製造方法に関する従来の
技樹としては、ＡｌＮ、ＭｎＳなどをインヒビターとし
て利用し、最終の高温焼鈍過程で｛１１０｝〈００１〉
方位を二次再結晶させて、磁化容易軸である〈００１〉
軸を圧延方向に高度に集積させる方法が知られている。
この方法による最大Ｓｉ含有量は、３．５％程度である
（以下、この技術をインヒビター法という）。この種の
鋼板の製造に当っては、冷間圧延−焼鈍を組み合わせ
て、最終の焼鈍段階での二次再結晶過程を通じて（１１
０）〈００１〉方位の発達を図っている。
技樹としては、ＡｌＮ、ＭｎＳなどをインヒビターとし
て利用し、最終の高温焼鈍過程で｛１１０｝〈００１〉
方位を二次再結晶させて、磁化容易軸である〈００１〉
軸を圧延方向に高度に集積させる方法が知られている。
この方法による最大Ｓｉ含有量は、３．５％程度である
（以下、この技術をインヒビター法という）。この種の
鋼板の製造に当っては、冷間圧延−焼鈍を組み合わせ
て、最終の焼鈍段階での二次再結晶過程を通じて（１１
０）〈００１〉方位の発達を図っている。
【０００４】一方、鋼中のＳｉ含有量が４．０ｗｔ％よ
りも多くなると延性が急激に低下するために、通常の冷
間圧延ができず、工業的規模での高Ｓｉ鋼板の製造は非
常に困難になる。
りも多くなると延性が急激に低下するために、通常の冷
間圧延ができず、工業的規模での高Ｓｉ鋼板の製造は非
常に困難になる。
【０００５】近年、高珪素鉄合金をベースとした鉄心材
料に関する以下に示すようないくつかの提案がなされて
いる。 （１） 特開昭６１−１６６９２３号、特開昭６２−１
０３３２１号では、６． ５％Ｓｉ−Ｆｅ合金の
熱間圧延板の組織調整により、冷間圧延による６．
５％Ｓｉ鋼板の薄板製造法が提案されている。 （２） 特公昭５９−５３６９４号、特公昭６０−３２
７５号では、溶解した高Ｓｉ−Ｆｅ合金を超急冷凝固
（通常、冷却速度は１０5℃／ｓｅｃ以上）させて、直
接薄帯を得る方法が提案されている。 （３） 特公昭３８−２６２６３号、特開昭６２−２２
７０７８号では、Ｓｉの拡散浸透処理法による高珪素鋼
板の製造方法が提案されている。珪素−鉄合金では、Ｓ
ｉ含有量が少ないほど加工性が向上するので、Ｓｉ含有
量の少ない状態で冷間圧延し、その後、滲珪処理によっ
て鋼板中のＳｉ含有量を増加させ、最終的にＳｉ含有量
を４．０〜７．０ｗｔ％に調整し高珪素鋼板を得るもの
である。 これまでの高珪素鋼板の製造に関する提案によれば、そ
の磁束密度は６．５％Ｓｉで、Ｂ8＝１．１０〜１．２
５（Ｔ）程度である。
料に関する以下に示すようないくつかの提案がなされて
いる。 （１） 特開昭６１−１６６９２３号、特開昭６２−１
０３３２１号では、６． ５％Ｓｉ−Ｆｅ合金の
熱間圧延板の組織調整により、冷間圧延による６．
５％Ｓｉ鋼板の薄板製造法が提案されている。 （２） 特公昭５９−５３６９４号、特公昭６０−３２
７５号では、溶解した高Ｓｉ−Ｆｅ合金を超急冷凝固
（通常、冷却速度は１０5℃／ｓｅｃ以上）させて、直
接薄帯を得る方法が提案されている。 （３） 特公昭３８−２６２６３号、特開昭６２−２２
７０７８号では、Ｓｉの拡散浸透処理法による高珪素鋼
板の製造方法が提案されている。珪素−鉄合金では、Ｓ
ｉ含有量が少ないほど加工性が向上するので、Ｓｉ含有
量の少ない状態で冷間圧延し、その後、滲珪処理によっ
て鋼板中のＳｉ含有量を増加させ、最終的にＳｉ含有量
を４．０〜７．０ｗｔ％に調整し高珪素鋼板を得るもの
である。 これまでの高珪素鋼板の製造に関する提案によれば、そ
の磁束密度は６．５％Ｓｉで、Ｂ8＝１．１０〜１．２
５（Ｔ）程度である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】６．５％Ｓｉ鋼板は、
３％Ｓｉ方向性珪素鋼板に比べて飽和磁束密度が１．８
Ｔと低いことに加えて、高温でもα単相であるため上記
のインヒビター法を適用した（１１０）〈００１〉方位
への集積が難しく、高い磁束密度を有する６．５％Ｓｉ
鋼板を安定して製造することは困難である。商用周波数
で使用する電気機器の設計磁束密度は、１．０Ｔ以上に
設定されることから、上記（１）〜（３）の従来技術に
よる高Ｓｉ鋼板の磁気特性のままでは、６．５％Ｓｉ鋼
板のほうが３％Ｓｉ方向性珪素鋼板よりも１．０Ｔ以上
の鉄損は高くなるため、商用周波数用途では１．０Ｔ以
上の高磁束密度域での使用は制限される。
３％Ｓｉ方向性珪素鋼板に比べて飽和磁束密度が１．８
Ｔと低いことに加えて、高温でもα単相であるため上記
のインヒビター法を適用した（１１０）〈００１〉方位
への集積が難しく、高い磁束密度を有する６．５％Ｓｉ
鋼板を安定して製造することは困難である。商用周波数
で使用する電気機器の設計磁束密度は、１．０Ｔ以上に
設定されることから、上記（１）〜（３）の従来技術に
よる高Ｓｉ鋼板の磁気特性のままでは、６．５％Ｓｉ鋼
板のほうが３％Ｓｉ方向性珪素鋼板よりも１．０Ｔ以上
の鉄損は高くなるため、商用周波数用途では１．０Ｔ以
上の高磁束密度域での使用は制限される。
【０００７】従来、高珪素鋼板の製造方法として、所謂
Ｓｉ拡散浸透処理法が知られている。このＳｉ拡散浸透
処理方法としては、例えば、ＳｉＣｌ4を含有する無酸
化ガス雰囲気中で鋼板の表面にＳｉを蒸着させ、次い
で、ＳｉＣｌ4を含有しない無酸化ガス雰囲気中で鋼板
を拡散処理し、蒸着させたＳｉを鋼板中に拡散させ、か
くして、Ｓｉを均質に含有させた高珪素鋼板を得るもの
である。このようなＳｉ拡散浸透処理方法では、Ｓｉの
拡散浸透過程で磁束密度を支配する組織（結晶粒径、集
合組織）が決定されてしまう。したがって、磁束密度を
向上させるには、Ｓｉの拡散浸透処理条件の最適化だけ
では限界がある。
Ｓｉ拡散浸透処理法が知られている。このＳｉ拡散浸透
処理方法としては、例えば、ＳｉＣｌ4を含有する無酸
化ガス雰囲気中で鋼板の表面にＳｉを蒸着させ、次い
で、ＳｉＣｌ4を含有しない無酸化ガス雰囲気中で鋼板
を拡散処理し、蒸着させたＳｉを鋼板中に拡散させ、か
くして、Ｓｉを均質に含有させた高珪素鋼板を得るもの
である。このようなＳｉ拡散浸透処理方法では、Ｓｉの
拡散浸透過程で磁束密度を支配する組織（結晶粒径、集
合組織）が決定されてしまう。したがって、磁束密度を
向上させるには、Ｓｉの拡散浸透処理条件の最適化だけ
では限界がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上のような問題に鑑
み、本発明者らは高珪素鋼板の磁束密度を向上させるべ
く、Ｓｉ拡散浸透処理前の素材鋼板の製造方法について
検討を行い、この素材鋼板を特定の条件で圧延および熱
処理することにより、Ｓｉ拡散浸透処理後に高い磁束密
度が得られることを見出した。また、さらに検討を進め
た結果、高珪素鋼スラブから圧延だけで高珪素鋼板を製
造する方法においても、その圧延および熱処理条件の適
正化により高い磁束密度が得られることが判明した。本
発明は、このような知見に基づきなされたもので、その
特徴とするところは以下の通りである。
み、本発明者らは高珪素鋼板の磁束密度を向上させるべ
く、Ｓｉ拡散浸透処理前の素材鋼板の製造方法について
検討を行い、この素材鋼板を特定の条件で圧延および熱
処理することにより、Ｓｉ拡散浸透処理後に高い磁束密
度が得られることを見出した。また、さらに検討を進め
た結果、高珪素鋼スラブから圧延だけで高珪素鋼板を製
造する方法においても、その圧延および熱処理条件の適
正化により高い磁束密度が得られることが判明した。本
発明は、このような知見に基づきなされたもので、その
特徴とするところは以下の通りである。
【０００９】（１） Ｓｉ：３．０〜７．０ｗｔ％、残
部Ｆｅおよび不可避的不純物からなる珪素鋼板の製造方
法において、素材を熱間圧延し、その後の冷間圧延にお
いて圧延率を８５〜９２％として所定板厚とし、その
後、無酸化性ガス雰囲気中において５００℃／ｈｒ以下
の加熱速度で徐加熱焼鈍し、次いで、８００〜１２００
℃の温度範囲で最終焼鈍することを特徴とする高い磁束
密度を有する珪素鋼板の製造方法。
部Ｆｅおよび不可避的不純物からなる珪素鋼板の製造方
法において、素材を熱間圧延し、その後の冷間圧延にお
いて圧延率を８５〜９２％として所定板厚とし、その
後、無酸化性ガス雰囲気中において５００℃／ｈｒ以下
の加熱速度で徐加熱焼鈍し、次いで、８００〜１２００
℃の温度範囲で最終焼鈍することを特徴とする高い磁束
密度を有する珪素鋼板の製造方法。
【００１０】（２） Ｓｉ：３．０〜７．０ｗｔ％、残
部Ｆｅおよび不可避的不純物からなる珪素鋼板の製造方
法において、素材を熱間圧延し、その後の冷間圧延にお
いて圧延率を８５〜９２％として所定板厚とし、その
後、無酸化性ガス雰囲気中において５００〜８００℃の
温度で０．５時間以上の箱焼鈍を行い、次いで、８００
〜１２００℃の温度範囲で最終焼鈍することを特徴とす
る高い磁束密度を有する珪素鋼板の製造方法。
部Ｆｅおよび不可避的不純物からなる珪素鋼板の製造方
法において、素材を熱間圧延し、その後の冷間圧延にお
いて圧延率を８５〜９２％として所定板厚とし、その
後、無酸化性ガス雰囲気中において５００〜８００℃の
温度で０．５時間以上の箱焼鈍を行い、次いで、８００
〜１２００℃の温度範囲で最終焼鈍することを特徴とす
る高い磁束密度を有する珪素鋼板の製造方法。
【００１１】（３） Ｓｉ：３．０〜７．０ｗｔ％、残
部Ｆｅおよび不可避的不純物からなる珪素鋼板をＳｉの
拡散浸透処理により製造する方法において、素材を熱間
圧延し、その後の冷間圧延において圧延率を８５〜９２
％として所定板厚とし、その後、無酸化性ガス雰囲気中
において５００℃／ｈｒ以下の加熱速度で徐加熱焼鈍
し、次いで、Ｓｉの拡散浸透処理を施し、Ｓｉを鋼板中
に拡散させることを特徴とする高い磁束密度を有する珪
素鋼板の製造方法。
部Ｆｅおよび不可避的不純物からなる珪素鋼板をＳｉの
拡散浸透処理により製造する方法において、素材を熱間
圧延し、その後の冷間圧延において圧延率を８５〜９２
％として所定板厚とし、その後、無酸化性ガス雰囲気中
において５００℃／ｈｒ以下の加熱速度で徐加熱焼鈍
し、次いで、Ｓｉの拡散浸透処理を施し、Ｓｉを鋼板中
に拡散させることを特徴とする高い磁束密度を有する珪
素鋼板の製造方法。
【００１２】（４） Ｓｉ：３．０〜７．０ｗｔ％、残
部Ｆｅおよび不可避的不純物からなる珪素鋼板をＳｉの
拡散浸透処理により製造する方法において、素材を熱間
圧延し、その後の冷間圧延において圧下率を８５〜９２
％として所定板厚とし、その後、無酸化性ガス雰囲気中
において５００〜８００℃の温度で０．５時間以上の箱
焼鈍を行い、次いで、Ｓｉの拡散浸透処理を施し、Ｓｉ
を鋼板中に拡散させることを特徴とする高い磁束密度を
有する珪素鋼板の製造方法。
部Ｆｅおよび不可避的不純物からなる珪素鋼板をＳｉの
拡散浸透処理により製造する方法において、素材を熱間
圧延し、その後の冷間圧延において圧下率を８５〜９２
％として所定板厚とし、その後、無酸化性ガス雰囲気中
において５００〜８００℃の温度で０．５時間以上の箱
焼鈍を行い、次いで、Ｓｉの拡散浸透処理を施し、Ｓｉ
を鋼板中に拡散させることを特徴とする高い磁束密度を
有する珪素鋼板の製造方法。
【００１３】
【作用】以下、本発明の詳細とその限定理由について説
明する。まず、鋼の化学組成の限定理由を説明する。 Ｓｉ：Ｓｉ濃度の調整は溶解−造塊の段階で行っても、
また、Ｓｉの拡散浸透処理で行ってもよく、最終的に
３．０〜７．０ｗｔ％の範囲に調整する。Ｓｉは電気抵
抗を高めて渦電流損失を低減させる効果があるが、３．
０ｗｔ％未満ではその効果が十分に現われない。一方、
７．０ｗｔ％を超えると、飽和磁束密度が低下し且つコ
スト高となる。したがって、Ｓｉは３．０〜７．０ｗｔ
％の範囲に限定する。
明する。まず、鋼の化学組成の限定理由を説明する。 Ｓｉ：Ｓｉ濃度の調整は溶解−造塊の段階で行っても、
また、Ｓｉの拡散浸透処理で行ってもよく、最終的に
３．０〜７．０ｗｔ％の範囲に調整する。Ｓｉは電気抵
抗を高めて渦電流損失を低減させる効果があるが、３．
０ｗｔ％未満ではその効果が十分に現われない。一方、
７．０ｗｔ％を超えると、飽和磁束密度が低下し且つコ
スト高となる。したがって、Ｓｉは３．０〜７．０ｗｔ
％の範囲に限定する。
【００１４】また、Ａｌ、Ｍｎについては、以下のよう
な範囲とすることが好ましい。 Ａｌ：特に限定されるものではないが、Ｓｉ拡散浸透処
理によりＳｉの富化処理を行う場合、Ａｌが０．０１ｗ
ｔ％を超えると、Ｓｉの拡散浸透処理中にＡｌＮやＡｌ
2Ｏ3が鋼板中に析出し、これらの析出物が鋼板の磁気特
性を劣化させる。したがって、Ｓｉ拡散浸透処理を行う
場合にはＡｌの含有量は０．０１ｗｔ％以下とすること
が望ましい。
な範囲とすることが好ましい。 Ａｌ：特に限定されるものではないが、Ｓｉ拡散浸透処
理によりＳｉの富化処理を行う場合、Ａｌが０．０１ｗ
ｔ％を超えると、Ｓｉの拡散浸透処理中にＡｌＮやＡｌ
2Ｏ3が鋼板中に析出し、これらの析出物が鋼板の磁気特
性を劣化させる。したがって、Ｓｉ拡散浸透処理を行う
場合にはＡｌの含有量は０．０１ｗｔ％以下とすること
が望ましい。
【００１５】Ｍｎ： Ｍｎは熱間圧延時の展延性を改善
するため添加することができる。この効果は、０．０１
ｗｔ％以上添加することにより認められる。また、Ｍｎ
を０．１〜０．５ｗｔ％程度添加すると透磁率が向上す
る。したがって、Ｍｎは０．０１〜０．５ｗｔ％、望ま
しくは０．１〜０．５ｗｔ％の範囲で添加するのが好ま
しい。
するため添加することができる。この効果は、０．０１
ｗｔ％以上添加することにより認められる。また、Ｍｎ
を０．１〜０．５ｗｔ％程度添加すると透磁率が向上す
る。したがって、Ｍｎは０．０１〜０．５ｗｔ％、望ま
しくは０．１〜０．５ｗｔ％の範囲で添加するのが好ま
しい。
【００１６】次に、製造方法について説明する。本発明
法では、高珪素鋼スラブから圧延だけで高珪素鋼板を製
造する場合と、素材鋼板をＳｉ拡散浸透処理して高珪素
鋼板を製造する場合とがあるが、以下に述べる冷間圧延
後の徐加熱焼鈍または箱焼鈍までの処理条件は、いずれ
の製造方式の場合にも妥当する。
法では、高珪素鋼スラブから圧延だけで高珪素鋼板を製
造する場合と、素材鋼板をＳｉ拡散浸透処理して高珪素
鋼板を製造する場合とがあるが、以下に述べる冷間圧延
後の徐加熱焼鈍または箱焼鈍までの処理条件は、いずれ
の製造方式の場合にも妥当する。
【００１７】熱間圧延工程におけるスラブ加熱温度は１
１００℃〜１２５０℃の範囲が好ましい。スラブ加熱温
度が１１００℃未満では、圧延時の仕上温度を確保する
ことが難しくなり、一方、加熱温度が１２５０℃を超え
ると、表面スケールの溶融が生じてしまう。熱延仕上温
度は、表面歪の残留を防止するという観点から７５０℃
以上が望ましい。熱延巻取温度は、酸洗性との兼ね合い
で５５０℃〜６５０℃が適当であり、５５０℃未満では
熱延仕上温度との関連から操業上困難を伴い、一方、６
５０℃を超えると、表面酸化膜が厚く生成するという問
題がある。また、熱延後は熱延板焼鈍を行ってもよい。
この熱延板焼鈍温度は７５０〜１０５０℃程度が好まし
く、通常は８００〜１０００℃で５分以内の連続焼鈍を
行うが、８００〜１０００℃で箱焼鈍を行ってもよい。
１００℃〜１２５０℃の範囲が好ましい。スラブ加熱温
度が１１００℃未満では、圧延時の仕上温度を確保する
ことが難しくなり、一方、加熱温度が１２５０℃を超え
ると、表面スケールの溶融が生じてしまう。熱延仕上温
度は、表面歪の残留を防止するという観点から７５０℃
以上が望ましい。熱延巻取温度は、酸洗性との兼ね合い
で５５０℃〜６５０℃が適当であり、５５０℃未満では
熱延仕上温度との関連から操業上困難を伴い、一方、６
５０℃を超えると、表面酸化膜が厚く生成するという問
題がある。また、熱延後は熱延板焼鈍を行ってもよい。
この熱延板焼鈍温度は７５０〜１０５０℃程度が好まし
く、通常は８００〜１０００℃で５分以内の連続焼鈍を
行うが、８００〜１０００℃で箱焼鈍を行ってもよい。
【００１８】次いで、冷間圧延とそれに続く熱処理（最
終焼鈍またはＳｉ拡散浸透処理）が行われるが、この冷
間圧延の圧延率と続く熱処理の加熱過程での徐加熱焼鈍
が、本発明における最も重要な要件となる。すなわち、
冷間圧延の圧延率を８５〜９２％の範囲とし、その後、
無酸化性ガス雰囲気中で５００℃／ｈｒ以下の加熱速度
で徐加熱焼鈍を行うものであり、これにより最終製品の
磁気特性を向上させることができる。このように圧延率
８５〜９２％の冷間圧延後に５００℃／ｈｒ以下の加熱
速度で徐加熱焼鈍を行った場合に磁気特性が向上する理
由は、強圧延によって形成された強い（１００）〈０Ｖ
Ｗ〉圧延集合組織が、再結晶−粒成長する過程で優先成
長を助長するためと考えられる。
終焼鈍またはＳｉ拡散浸透処理）が行われるが、この冷
間圧延の圧延率と続く熱処理の加熱過程での徐加熱焼鈍
が、本発明における最も重要な要件となる。すなわち、
冷間圧延の圧延率を８５〜９２％の範囲とし、その後、
無酸化性ガス雰囲気中で５００℃／ｈｒ以下の加熱速度
で徐加熱焼鈍を行うものであり、これにより最終製品の
磁気特性を向上させることができる。このように圧延率
８５〜９２％の冷間圧延後に５００℃／ｈｒ以下の加熱
速度で徐加熱焼鈍を行った場合に磁気特性が向上する理
由は、強圧延によって形成された強い（１００）〈０Ｖ
Ｗ〉圧延集合組織が、再結晶−粒成長する過程で優先成
長を助長するためと考えられる。
【００１９】冷間圧延の圧延率が８５％未満では、（１
００）面の増加が顕著ではなく、磁束密度の向上が少な
い。一方、９２％超えでは、（１００）の増大とともに
（１１２）、（１１１）も増大するため磁束密度の低下
を招く。また、徐加熱焼鈍の加熱速度が５００℃／ｈｒ
を超えると、優先成長が起こりにくくなって、ランダム
化する傾向があり、このため５００℃／ｈｒ以下とする
必要がある。この徐加熱焼鈍を行う温度範囲は３００〜
１２００℃である。
００）面の増加が顕著ではなく、磁束密度の向上が少な
い。一方、９２％超えでは、（１００）の増大とともに
（１１２）、（１１１）も増大するため磁束密度の低下
を招く。また、徐加熱焼鈍の加熱速度が５００℃／ｈｒ
を超えると、優先成長が起こりにくくなって、ランダム
化する傾向があり、このため５００℃／ｈｒ以下とする
必要がある。この徐加熱焼鈍を行う温度範囲は３００〜
１２００℃である。
【００２０】この徐加熱焼鈍では、加熱（昇熱）後、所
定の温度（例えば、５００℃〜８００℃）で適当な時間
均熱（箱焼鈍等）してもよいし、徐加熱（昇温）した
後、そのまま次の熱処理（最終焼鈍またはＳｉ拡散浸透
処理）を行ってもよい。また、この徐加熱焼鈍に代え
て、図１、図２に示すような熱処理パターンで５００℃
〜８００℃×０．５時間以上の箱焼鈍を実施してもよ
く、このような箱焼鈍でも徐加熱焼鈍と同様の効果が得
られる。この場合、焼鈍時間が０．５時間以下では圧延
歪の開放が不十分であり、上記の効果が充分に発揮でき
ない。
定の温度（例えば、５００℃〜８００℃）で適当な時間
均熱（箱焼鈍等）してもよいし、徐加熱（昇温）した
後、そのまま次の熱処理（最終焼鈍またはＳｉ拡散浸透
処理）を行ってもよい。また、この徐加熱焼鈍に代え
て、図１、図２に示すような熱処理パターンで５００℃
〜８００℃×０．５時間以上の箱焼鈍を実施してもよ
く、このような箱焼鈍でも徐加熱焼鈍と同様の効果が得
られる。この場合、焼鈍時間が０．５時間以下では圧延
歪の開放が不十分であり、上記の効果が充分に発揮でき
ない。
【００２１】以上のような徐加熱焼鈍または箱焼鈍に引
き続き、最終焼鈍またはＳｉ拡散浸透処理が行われる。
徐加熱焼鈍を実施した場合には、加熱状態にある鋼板を
引き続き熱処理（最終焼鈍またはＳｉ拡散浸透処理）す
る。一方、箱焼鈍を実施した場合には、例えば図１、図
２に示すような熱処理パターンで熱処理（最終焼鈍また
はＳｉ拡散浸透処理）が行われる。
き続き、最終焼鈍またはＳｉ拡散浸透処理が行われる。
徐加熱焼鈍を実施した場合には、加熱状態にある鋼板を
引き続き熱処理（最終焼鈍またはＳｉ拡散浸透処理）す
る。一方、箱焼鈍を実施した場合には、例えば図１、図
２に示すような熱処理パターンで熱処理（最終焼鈍また
はＳｉ拡散浸透処理）が行われる。
【００２２】最終焼鈍は、通常８００℃〜１２００℃の
範囲で行う。この焼鈍はそれぞれのＳｉ濃度に応じて所
望の磁気特性を得ることが目的であり、その方法は特に
限定されない。また、Ｓｉ拡散浸透処理は、鋼板中のＳ
ｉ量を所望の濃度まで高めることが目的であり、その方
法も特に限定されない。
範囲で行う。この焼鈍はそれぞれのＳｉ濃度に応じて所
望の磁気特性を得ることが目的であり、その方法は特に
限定されない。また、Ｓｉ拡散浸透処理は、鋼板中のＳ
ｉ量を所望の濃度まで高めることが目的であり、その方
法も特に限定されない。
【００２３】
〔実施例１〕表１に示す成分のインゴットを、連続式熱
間圧延機により仕上温度９００℃でそれぞれ４．４ｍ
ｍ、３．７ｍｍ、３．３ｍｍ、２．８ｍｍ、２．０ｍ
ｍ、１．５ｍｍ、１．０ｍｍ、０．７ｍｍ厚まで熱間圧
延し、この熱延板を酸洗後、０．３５ｍｍ厚まで冷間圧
延した。次いで、それぞれの冷延コイルを無酸化性ガス
雰囲気中において加熱速度４００℃／ｈｒで加熱（徐加
熱焼鈍）し、そのまま８００℃×２時間の焼鈍を施し
た。各コイルから長さ１００ｍｍ×幅３０ｍｍの試料を
コイル長手方向に沿って切り出し、５０Ｈｚの単板磁気
測定を行った。図３〜図５は上記各試料の磁束密度Ｂ8
を冷間圧延率との関係で示したもので、いずれも、圧延
率が８５〜９２％の範囲で磁束密度が高くなっている。
間圧延機により仕上温度９００℃でそれぞれ４．４ｍ
ｍ、３．７ｍｍ、３．３ｍｍ、２．８ｍｍ、２．０ｍ
ｍ、１．５ｍｍ、１．０ｍｍ、０．７ｍｍ厚まで熱間圧
延し、この熱延板を酸洗後、０．３５ｍｍ厚まで冷間圧
延した。次いで、それぞれの冷延コイルを無酸化性ガス
雰囲気中において加熱速度４００℃／ｈｒで加熱（徐加
熱焼鈍）し、そのまま８００℃×２時間の焼鈍を施し
た。各コイルから長さ１００ｍｍ×幅３０ｍｍの試料を
コイル長手方向に沿って切り出し、５０Ｈｚの単板磁気
測定を行った。図３〜図５は上記各試料の磁束密度Ｂ8
を冷間圧延率との関係で示したもので、いずれも、圧延
率が８５〜９２％の範囲で磁束密度が高くなっている。
【００２４】
【表１】
【００２５】〔実施例２〕３％Ｓｉ−Ｆｅ合金のインゴ
ットを、連続式熱間圧延機により仕上温度８５０℃でそ
れぞれ４．４ｍｍ、３．７ｍｍ、３．３ｍｍ、２．８ｍ
ｍ、２．０ｍｍ、１．５ｍｍ、１．０ｍｍ、０．７ｍｍ
厚まで熱間圧延し、これらの熱延板を酸洗後、０．３５
ｍｍ厚まで冷間圧延した。次いで、それぞれの冷延コイ
ルを無酸化性ガス雰囲気中において加熱速度４００℃／
ｈｒで加熱して８００℃×２時間の熱処理（徐加熱焼
鈍）を施し、その後、Ｓｉの拡散浸透処理を施し、６．
５％Ｓｉ鋼板とした。各コイルから長さ１００ｍｍ×幅
３０ｍｍの試料をコイル長手方向に沿って切り出し、５
０Ｈｚの単板磁気測定を行った。図６は、これら各試料
の磁束密度Ｂ1を冷間圧延率との関係で示したものであ
る。
ットを、連続式熱間圧延機により仕上温度８５０℃でそ
れぞれ４．４ｍｍ、３．７ｍｍ、３．３ｍｍ、２．８ｍ
ｍ、２．０ｍｍ、１．５ｍｍ、１．０ｍｍ、０．７ｍｍ
厚まで熱間圧延し、これらの熱延板を酸洗後、０．３５
ｍｍ厚まで冷間圧延した。次いで、それぞれの冷延コイ
ルを無酸化性ガス雰囲気中において加熱速度４００℃／
ｈｒで加熱して８００℃×２時間の熱処理（徐加熱焼
鈍）を施し、その後、Ｓｉの拡散浸透処理を施し、６．
５％Ｓｉ鋼板とした。各コイルから長さ１００ｍｍ×幅
３０ｍｍの試料をコイル長手方向に沿って切り出し、５
０Ｈｚの単板磁気測定を行った。図６は、これら各試料
の磁束密度Ｂ1を冷間圧延率との関係で示したものであ
る。
【００２６】また、上記と同様に徐加熱焼鈍した冷延コ
イルを、Ｓｉの拡散浸透処理することなく１２００℃×
１５分で最終焼鈍した。これらコイルから長さ１００ｍ
ｍ×幅３０ｍｍの試料をコイル長手方向に沿って切り出
し、単板磁気測定を行った。図７は、これら各試料の磁
束密度Ｂ20、Ｂ25、Ｂ50を冷間圧延率との関係で示した
ものである。図６および図７のいずれにおいても、冷間
圧延率が８５〜９２％の範囲において高い磁束密度が得
られている。
イルを、Ｓｉの拡散浸透処理することなく１２００℃×
１５分で最終焼鈍した。これらコイルから長さ１００ｍ
ｍ×幅３０ｍｍの試料をコイル長手方向に沿って切り出
し、単板磁気測定を行った。図７は、これら各試料の磁
束密度Ｂ20、Ｂ25、Ｂ50を冷間圧延率との関係で示した
ものである。図６および図７のいずれにおいても、冷間
圧延率が８５〜９２％の範囲において高い磁束密度が得
られている。
【００２７】〔実施例３〕３％Ｓｉ−Ｆｅ合金のインゴ
ットを３．７ｍｍ厚まで熱間圧延し、酸洗後、０．３５
ｍｍ厚まで冷間圧延し、次いで、無酸化性ガス雰囲気中
において８００℃までを、それぞれ６０℃／ｈｒ、１２
０℃／ｈｒ、２００℃／ｈｒ、４００℃／ｈｒ、２００
０℃／ｈｒの加熱速度で加熱し、この加熱された鋼板に
引き続きＳｉの拡散浸透処理を施して６．５％Ｓｉ鋼板
とした。これらのコイルから長さ１００ｍｍ×幅３０ｍ
ｍの試料をコイル長手方向に沿って切り出し、５０Ｈｚ
の単板磁気測定を行った。図８は、上記各試料の磁束密
度Ｂ1を加熱速度との関係で示したもので、加熱速度が
５００℃／ｈｒ以下において高い磁束密度が得られるこ
とが判る。
ットを３．７ｍｍ厚まで熱間圧延し、酸洗後、０．３５
ｍｍ厚まで冷間圧延し、次いで、無酸化性ガス雰囲気中
において８００℃までを、それぞれ６０℃／ｈｒ、１２
０℃／ｈｒ、２００℃／ｈｒ、４００℃／ｈｒ、２００
０℃／ｈｒの加熱速度で加熱し、この加熱された鋼板に
引き続きＳｉの拡散浸透処理を施して６．５％Ｓｉ鋼板
とした。これらのコイルから長さ１００ｍｍ×幅３０ｍ
ｍの試料をコイル長手方向に沿って切り出し、５０Ｈｚ
の単板磁気測定を行った。図８は、上記各試料の磁束密
度Ｂ1を加熱速度との関係で示したもので、加熱速度が
５００℃／ｈｒ以下において高い磁束密度が得られるこ
とが判る。
【００２８】〔実施例４〕３％Ｓｉ−Ｆｅ合金のインゴ
ットを３．７ｍｍ厚と２．０ｍｍ厚にそれぞれ熱間圧延
し、酸洗後、これらの熱延コイルを０．３５ｍｍ厚まで
冷間圧延し、次いで、無酸化性ガス雰囲気中においてそ
れぞれ５００℃、６００℃、７００℃、８００℃の温度
で２時間の箱焼鈍を行い、次いで、それぞれのコイルに
Ｓｉの拡散浸透処理を施して６．５％Ｓｉ鋼板とした。
これらのコイルから長さ１００ｍｍ×幅３０ｍｍの試料
をコイル長手方向に沿って切り出し、５０Ｈｚの単板磁
気測定を行った。また、上記と同様の冷延コイルを無酸
化性ガス雰囲気中で８００℃×２時間の箱焼鈍後、Ｓｉ
拡散浸透処理を行わずに無酸化性ガス雰囲気中で１２０
０℃の最終焼鈍を施した。これらのコイルからも長さ１
００ｍｍ×幅３０ｍｍの試料をコイル長手方向に沿って
切り出し、５０Ｈｚの単板磁気測定を行った。
ットを３．７ｍｍ厚と２．０ｍｍ厚にそれぞれ熱間圧延
し、酸洗後、これらの熱延コイルを０．３５ｍｍ厚まで
冷間圧延し、次いで、無酸化性ガス雰囲気中においてそ
れぞれ５００℃、６００℃、７００℃、８００℃の温度
で２時間の箱焼鈍を行い、次いで、それぞれのコイルに
Ｓｉの拡散浸透処理を施して６．５％Ｓｉ鋼板とした。
これらのコイルから長さ１００ｍｍ×幅３０ｍｍの試料
をコイル長手方向に沿って切り出し、５０Ｈｚの単板磁
気測定を行った。また、上記と同様の冷延コイルを無酸
化性ガス雰囲気中で８００℃×２時間の箱焼鈍後、Ｓｉ
拡散浸透処理を行わずに無酸化性ガス雰囲気中で１２０
０℃の最終焼鈍を施した。これらのコイルからも長さ１
００ｍｍ×幅３０ｍｍの試料をコイル長手方向に沿って
切り出し、５０Ｈｚの単板磁気測定を行った。
【００２９】図９は、Ｓｉ拡散浸透処理材（６．５％Ｓ
ｉ）の磁束密度Ｂ1と箱焼鈍による前焼鈍温度との関係
で示したもの、また、図１０は、Ｓｉ拡散浸透処理を行
わずに無酸化性ガス雰囲気中で最終焼鈍を行った鋼板の
磁束密度Ｂ1と箱焼鈍による前焼鈍温度との関係で示し
たものである。これらによれば、いずれの場合でも圧延
率が９０％の鋼板は磁束密度が向上していることが判
る。
ｉ）の磁束密度Ｂ1と箱焼鈍による前焼鈍温度との関係
で示したもの、また、図１０は、Ｓｉ拡散浸透処理を行
わずに無酸化性ガス雰囲気中で最終焼鈍を行った鋼板の
磁束密度Ｂ1と箱焼鈍による前焼鈍温度との関係で示し
たものである。これらによれば、いずれの場合でも圧延
率が９０％の鋼板は磁束密度が向上していることが判
る。
【図１】本発明のヒートパターンの一例を示す説明図
【図２】本発明のヒートパターンの他の例を示す説明図
【図３】実施例における冷間圧延率が磁束密度Ｂ8に及
ぼす影響を示すグラフ
ぼす影響を示すグラフ
【図４】実施例における冷間圧延率が磁束密度Ｂ8に及
ぼす影響を示すグラフ
ぼす影響を示すグラフ
【図５】実施例における冷間圧延率が磁束密度Ｂ8に及
ぼす影響を示すグラフ
ぼす影響を示すグラフ
【図６】実施例における冷間圧延率が磁束密度Ｂ1に及
ぼす影響を示すグラフ
ぼす影響を示すグラフ
【図７】実施例における冷間圧延率が磁束密度Ｂ20、Ｂ
25、Ｂ50に及ぼす影響を示すグラフ
25、Ｂ50に及ぼす影響を示すグラフ
【図８】実施例における加熱速度が磁束密度Ｂ1に及ぼ
す影響を示すグラフ
す影響を示すグラフ
【図９】実施例における箱焼鈍温度が磁束密度Ｂ1に及
ぼす影響を示すグラフ
ぼす影響を示すグラフ
【図１０】実施例における箱焼鈍温度が磁束密度Ｂ1に
及ぼす影響を示すグラフ
及ぼす影響を示すグラフ
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｓｉ：３．０〜７．０ｗｔ％、残部Ｆｅ
および不可避的不純物からなる珪素鋼板の製造方法にお
いて、素材を熱間圧延し、その後の冷間圧延において圧
延率を８５〜９２％として所定板厚とし、その後、無酸
化性ガス雰囲気中において５００℃／ｈｒ以下の加熱速
度で徐加熱焼鈍し、次いで、８００〜１２００℃の温度
範囲で最終焼鈍することを特徴とする高い磁束密度を有
する珪素鋼板の製造方法。 - 【請求項２】 Ｓｉ：３．０〜７．０ｗｔ％、残部Ｆｅ
および不可避的不純物からなる珪素鋼板の製造方法にお
いて、素材を熱間圧延し、その後の冷間圧延において圧
延率を８５〜９２％として所定板厚とし、その後、無酸
化性ガス雰囲気中において５００〜８００℃の温度で
０．５時間以上の箱焼鈍を行い、次いで、８００〜１２
００℃の温度範囲で最終焼鈍することを特徴とする高い
磁束密度を有する珪素鋼板の製造方法。 - 【請求項３】 Ｓｉ：３．０〜７．０ｗｔ％、残部Ｆｅ
および不可避的不純物からなる珪素鋼板をＳｉの拡散浸
透処理により製造する方法において、素材を熱間圧延
し、その後の冷間圧延において圧延率を８５〜９２％と
して所定板厚とし、その後、無酸化性ガス雰囲気中にお
いて５００℃／ｈｒ以下の加熱速度で徐加熱焼鈍し、次
いで、Ｓｉの拡散浸透処理を施し、Ｓｉを鋼板中に拡散
させることを特徴とする高い磁束密度を有する珪素鋼板
の製造方法。 - 【請求項４】 Ｓｉ：３．０〜７．０ｗｔ％、残部Ｆｅ
および不可避的不純物からなる珪素鋼板をＳｉの拡散浸
透処理により製造する方法において、素材を熱間圧延
し、その後の冷間圧延において圧下率を８５〜９２％と
して所定板厚とし、その後、無酸化性ガス雰囲気中にお
いて５００〜８００℃の温度で０．５時間以上の箱焼鈍
を行い、次いで、Ｓｉの拡散浸透処理を施し、Ｓｉを鋼
板中に拡散させることを特徴とする高い磁束密度を有す
る珪素鋼板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4105538A JP2760208B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 高い磁束密度を有する珪素鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4105538A JP2760208B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 高い磁束密度を有する珪素鋼板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05279742A JPH05279742A (ja) | 1993-10-26 |
| JP2760208B2 true JP2760208B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=14410368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4105538A Expired - Fee Related JP2760208B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 高い磁束密度を有する珪素鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2760208B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001100455A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Toshiba Tec Corp | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| KR101505300B1 (ko) * | 2013-06-27 | 2015-03-23 | 현대제철 주식회사 | 방향성 전기강판 제조 방법 |
| JP6819646B2 (ja) * | 2018-04-11 | 2021-01-27 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 電磁鋼板およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP4105538A patent/JP2760208B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05279742A (ja) | 1993-10-26 |
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