JPS6148761B2 - - Google Patents
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- JPS6148761B2 JPS6148761B2 JP56122732A JP12273281A JPS6148761B2 JP S6148761 B2 JPS6148761 B2 JP S6148761B2 JP 56122732 A JP56122732 A JP 56122732A JP 12273281 A JP12273281 A JP 12273281A JP S6148761 B2 JPS6148761 B2 JP S6148761B2
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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-
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Description
本発明は鉄損が低くかつ磁束密度のよい高級グ
レード無方向性電磁鋼板の製造法に関する。 無方向性電磁鋼板の高級グレードは一般に大型
回転機等の重電機器材料として広く使用され、
JISC2550ではS9グレードとして位置づけられて
いる。近年に至り電気業界より更に鉄損の低い素
材の要求が強くこれにこたえるべく鉄鋼メーカー
での研究開発も進められておりS9相当以上の高
級グレードの製造法についても二、三の提案がな
されている。 ところで、これまでの提案に、特開昭53−
66816号公報記載の方法がある。これは熱間圧延
後、中間焼鈍をはさんで２回の冷間圧延を行な
う、いわゆる２回冷間圧延法において、Ｓを
0.005％以下、Ｏを0.0025％以下と微量に制限し
て微細介在物の生成を抑えて粒成長を阻害しない
ようにする一方、中間焼鈍を比較的長い時間、即
ち900〜1050℃で２〜15分間行つて平均粒径が
0.07mm以上の大きな結晶粒とし、該結晶粒を大き
くした中間板厚材を圧下率45〜70％にて冷間圧延
後、最終仕上焼鈍を930〜1050℃で２〜15分間と
十分時間をかけて行ない磁束密度に好ましい結晶
方位を形成させ磁気特性の改善を図つたものであ
る。 しかし、これでは中間焼鈍、最終仕上焼鈍とも
２〜15分間と比較的長い時間を要するので、鋼中
のSi、Alは選択酸化を受け易く内部酸化を惹起さ
れる機会が増え、磁気特性を劣化する恐れがあ
る。また前記各焼鈍の時間が比較的に長いことは
生産性の点および省エネルギーの点からも好まし
くない。 他に特公昭56−22931号公報記載の方法があ
る。これも中間焼鈍をはさんで２回の冷間圧延を
行う製造法であるが、その技術思想はＯを0.0025
％以下、Ｓを0.005％以下の微量として酸化物、
硫化物よりなる介在物を少なくしたときには再結
晶挙動が著るしく変わり、鉄損が低くて磁速密度
も良好な無方向性電磁鋼板が製造されると云うと
ころにある。しかしこれでもその実施例に記載さ
れている如く、仕上焼鈍によつて磁束密度にとつ
て好ましい結晶方位を発現するために、1000℃で
５分間の仕上焼鈍を必要としている。この場合、
仕上焼鈍の雰囲気は例えばDry N2、あるいは
Dry（N2とH2）と云えども実際の焼鈍炉にはスス
の発生、雰囲気ガスの若干の漏洩等があり、この
ため焼鈍時間が長くなると内部酸化を受ける機会
が増え磁気特性を劣化することがある。 このようなことから、S9グレード以上のS7、
S8級の高級グレードの無方向性電磁鋼板は安定
して製造することは難しく、必ずしも満足に製造
されていないのが実状である。 本発明はS9グレードより鉄損が低いS8相当、
S7相当で磁速密度もよい高級グレードの無方向
性電磁鋼板を安定して製造する方法を提供するも
のである。 S9の規格値は板厚0.5mmの場合鉄損Ｗ15/50が
2.90W/Kg以下、磁束密度はB50が1.58Tesla以上
と規定されており、S8相当、S7相当品としては
次のものが想定される。 Ｗ15/50 B50 S8相当品 2.70W/Kg以下 1.58Tesla以上 S7 〃 2.50 〃 1.57 〃 本発明による製品における磁束密度B50は、
1.67Tesla以上、即ち想定される規格値よりも
0.1Tesla（＝1000gauss）だけ良いものを目標と
する。 ところで本発明者らは高級グレードの無方向性
電磁鋼板を安定して、かつ能率よく製造するため
に種々検討を行つた。その結果、中間焼鈍をはさ
んで２回の冷間圧延を行う２回冷間圧延法にて無
方向性電磁鋼板を製造する場合、Ｃ、Ｓ、Ｎをと
もに低減した珪素鋼熱延板を素材として、最終冷
間圧延前の中間ゲージを比較的薄く、中間焼鈍を
高温短時間、仕上焼鈍を高温で短時間とすること
により鉄損が低く磁束密度のよいS7、S8相当品
が製造されることを知見した。 この知見に基づき、本発明はSi：2.50％以上、
Al：0.5％以上、Si＋Al：3.0〜5.0％、Mn：0.1〜
1.0％を含む電磁鋼板用熱延板を、中間に連続焼
鈍をはさんで２回の冷間圧延を行つて最終板厚と
し、仕上焼鈍により無方向性電磁鋼板を製造する
方法において、熱延板に含まれるＣは0.005％以
下、Ｓは0.005％以下、Ｎは0.0040％以下であり
中間焼鈍を、最終冷延圧下率を35〜45％の範囲と
する中間冷延板に対して、非酸化性、非脱炭性雰
囲気で950〜1100℃の温度に20秒以上120秒未満で
行ない、仕上焼鈍は400〜800℃間を昇温速度10
℃/sec、以上で昇温し、非酸化性、非脱炭性雰囲
気で950〜1100℃で３〜60秒間の短時間焼鈍を行
うことを特徴とする。 以下本発明を更に詳述する。 本発明者らの調査によれば鉄損を下げるため例
えば仕上焼鈍温度を上げると磁束密度が劣化する
傾向があるのは、磁性に好ましくない結晶方位が
成長しやすいこと及び高温焼鈍での雰囲気からの
Si、Alの選択酸化等による内部酸化層や窒化層が
形成されることによることが明らかとなつた。こ
の好ましくない結晶方位と内部酸化の双方を改善
するための仕上焼鈍条件は、昇温速度を比較的早
くした高温短時間処理がよくこの焼鈍条件に合せ
た冷延の圧下率は35〜45％とし、かつ素材の熱延
板成分中Ｃ、Ｓ、Ｎを或限度以下に低くしておく
ことが重要である。 次に本発明における素材成分の限定理由につい
て述べる。 Ｃは0.005％を超えると炭化物を析出して磁性
に有害となるので0.005％以下とする。好ましく
は、0.0030％以下である。従来の製造法によれば
板厚を薄手にして雰囲気を弱酸化性とした焼鈍に
より脱炭処理を行うことが通常広く行われてい
る。これでは鋼板中のSi、Alが選択酸化をうけて
内部酸化層を形成するので高級グレードの無方向
性電磁鋼板の如きSi、Al含有量の高い鋼種では磁
気特性の劣化をひきおこし問題である。従つて本
発明では溶鋼の段階で真空処理によつて、Ｃは
0.005％以下、好ましくは0.0030％以下まで脱炭
しておく。 Siは鋼の電気抵抗を増し鉄損を低減させるので
高級グレードの無方向性電磁鋼板製造を目的とす
るこの発明では2.50％以上含有させる必要があ
る。冷間圧延時のワレ等の問題があるので上限は
Si＋Alで5.0％とする。 Alは磁気特性に有害なＮを固定し結晶成長に
対し有害とならない形態とするためと、AlはSiと
同様鋼の電気抵抗を増し鉄損を低減するので0.5
％以上含有させる。Si＋Alについての下限は電気
抵抗を増して鉄損の低減を図るために3.0％とす
る。 Mnは加工性の点から0.1％以上必要である。一
方1.0％を超えると磁性を劣化させるので0.1〜1.0
％の範囲とする。 ＳとＮは微細な析出物となつて磁性を損うの
で、Ｓは0.005％以下、Ｎは0.0040％以下とす
る。好ましくは、Ｓは0.0030％以下、Ｎは0.0025
％以下である。 中間焼鈍及び仕上焼鈍を短時間処理とするため
にはＣ、Ｓ、Ｎを上記限界以下とすることが重要
でこれをこえると結晶粒の成長が少く短時間処理
では磁気特性を満足させることが出来なくなる。 次に本発明の処理方法について並びにその方法
中で特に限定されるべき条件の限定理由について
以下に説明する。 本発明においては出発素材は前記成分組成の熱
延板でありその前の工程、即ち溶製、溶鋼の真空
処理、鋳造、加熱、熱間圧延については特に規定
するものではないが若干説明する。溶製は特に
Ｓ、Ｎを出来るだけ低くする条件で行うのがよ
い。溶鋼は真空装置で脱炭処理によりＣを充分下
げ、しかる後合金元素を添加して成分調整と、介
在物の浮上分離をはかり、その後連続鋳造によつ
てスラブとする。このスラブを例えば1150℃に加
熱し、熱間圧延によつて1.5〜3.0mmの熱延板とす
る。熱間圧延前の加熱温度は1200℃を超えると
Ｓ、Ｎが固溶した状態となりやすく熱処理の段階
で結晶粒の成長を阻害するので注意を要する。 熱延板厚みは続いて施される２回の冷間圧延に
適した厚みとして1.5〜3.0mm程度が好ましい。し
かし厚みが厚いほど熱延板の曲げ特性が劣化する
ので作業性、歩留等を考慮して熱延板厚が選定さ
れる。 熱延板は酸洗され冷間圧延によつて中間ゲージ
迄圧延される。このとき、酸洗に先立つて熱延板
焼鈍を施すことも出来る。熱延板焼鈍の効果は鉄
損及び磁束密度を向上させるが一方、熱延板の
疵、耳ワレ等の僅かな切かきに対しワレ、破断が
進行しやすくなる性質となるので注意を要する。 中間ゲージは第２回の冷延圧下率が35〜45％と
なる厚みがえらばれる。中間焼鈍前の冷間圧延で
の圧下率は製品板厚にもよるが通常50〜80％とな
るが特に規制しない。 中間焼鈍は鋼板表面に酸化層等の有害な層を形
成させないように、非酸化性、非脱炭性雰囲気と
する必要がある。雰囲気としては通常乾燥窒素又
は乾燥窒素水素混合雰囲気が用いられる。中間焼
鈍の条件としては950℃以上1100℃以下の温度で
20秒以上120秒未満の高温短時間処理とする必要
がある。950℃未満では充分なる磁気特性が得ら
れない。1100℃超では製品の磁気特性の内、磁束
密度が劣化する。均熱時間が20秒未満では充分な
る磁気特性が得られない。一方、120秒以上では
内部酸化の恐れがあること、および生産性が低下
する。950〜1100℃で20秒以上120秒未満の高温短
時間の中間焼鈍と最終冷延圧下率35〜45％との組
合せと、それに続く高温短時間の仕上焼鈍で優れ
た磁気特性を発現させるために中間焼鈍と最終冷
延圧下率との組合せは重要であり、このために中
間焼鈍は前記の如くしている。最終冷延圧下率は
35％未満及び45％超では仕上焼鈍を短時間とする
組合せにおいて磁気特性が不良となるので35〜45
％の範囲とする。 仕上焼鈍は鋼板の表面に内部酸化層、窒化層を
作らないことが重要であり、このために雰囲気条
件として非酸化性、非脱炭性雰囲気とするほか、
高温焼鈍の時間を３〜60秒に規制する。焼鈍温度
は950℃未満では磁気特性が不良であり、1100℃
超では磁気特性の内、磁束密度が不良となるので
950℃〜1100℃とする。950℃〜1100℃で３〜60秒
間の仕上焼鈍で良好な結果が得られる。又、加熱
速度は磁束密度の点かから重要であり400℃から
800℃間の平均昇温速度が10℃/sec未満では磁束
密度B50の値が低くなるので10℃/sec以上とす
る。好ましくは30℃/sec以上である。尚仕上焼鈍
の加熱サイクルを前段を850〜950℃、後段を1000
〜1100℃とする２段階均熱法も本発明の条件内で
採用することが可能である。 実施例 １ 転炉で溶製しDH真空脱ガス装置により真空処
理を施して脱炭後、合金添加・成分調整を行つた
溶鋼を連続鋳造でスラブとし、このスラブを1150
℃に加熱後熱間圧延により板厚2.3mmに圧延し
た。 この熱延板の成分はＣ：0.0024％、Si：3.17
％、Mn：0.21％、Ｓ：0.003％、Al：0.83％、
Ｎ：0.0021％であつた。この熱延板を酸洗後、冷
間圧延により0.85mmと1.2mmに圧延し、ドライN2
雰囲気中1000℃に120秒間の中間焼鈍を施した
後、最終冷間圧延で最終板厚0.5mmに迄圧延し
た。このときの冷延の圧下率は、夫々41％と58％
であつた。0.5mm厚みの冷延板をドライ（N270％
＋H230％）雰囲気中で400〜800℃間の昇温率33
℃/secで1075℃に20秒間保持する仕上焼鈍を行い
磁性を測定しその結果を第１表に示す。
レード無方向性電磁鋼板の製造法に関する。 無方向性電磁鋼板の高級グレードは一般に大型
回転機等の重電機器材料として広く使用され、
JISC2550ではS9グレードとして位置づけられて
いる。近年に至り電気業界より更に鉄損の低い素
材の要求が強くこれにこたえるべく鉄鋼メーカー
での研究開発も進められておりS9相当以上の高
級グレードの製造法についても二、三の提案がな
されている。 ところで、これまでの提案に、特開昭53−
66816号公報記載の方法がある。これは熱間圧延
後、中間焼鈍をはさんで２回の冷間圧延を行な
う、いわゆる２回冷間圧延法において、Ｓを
0.005％以下、Ｏを0.0025％以下と微量に制限し
て微細介在物の生成を抑えて粒成長を阻害しない
ようにする一方、中間焼鈍を比較的長い時間、即
ち900〜1050℃で２〜15分間行つて平均粒径が
0.07mm以上の大きな結晶粒とし、該結晶粒を大き
くした中間板厚材を圧下率45〜70％にて冷間圧延
後、最終仕上焼鈍を930〜1050℃で２〜15分間と
十分時間をかけて行ない磁束密度に好ましい結晶
方位を形成させ磁気特性の改善を図つたものであ
る。 しかし、これでは中間焼鈍、最終仕上焼鈍とも
２〜15分間と比較的長い時間を要するので、鋼中
のSi、Alは選択酸化を受け易く内部酸化を惹起さ
れる機会が増え、磁気特性を劣化する恐れがあ
る。また前記各焼鈍の時間が比較的に長いことは
生産性の点および省エネルギーの点からも好まし
くない。 他に特公昭56−22931号公報記載の方法があ
る。これも中間焼鈍をはさんで２回の冷間圧延を
行う製造法であるが、その技術思想はＯを0.0025
％以下、Ｓを0.005％以下の微量として酸化物、
硫化物よりなる介在物を少なくしたときには再結
晶挙動が著るしく変わり、鉄損が低くて磁速密度
も良好な無方向性電磁鋼板が製造されると云うと
ころにある。しかしこれでもその実施例に記載さ
れている如く、仕上焼鈍によつて磁束密度にとつ
て好ましい結晶方位を発現するために、1000℃で
５分間の仕上焼鈍を必要としている。この場合、
仕上焼鈍の雰囲気は例えばDry N2、あるいは
Dry（N2とH2）と云えども実際の焼鈍炉にはスス
の発生、雰囲気ガスの若干の漏洩等があり、この
ため焼鈍時間が長くなると内部酸化を受ける機会
が増え磁気特性を劣化することがある。 このようなことから、S9グレード以上のS7、
S8級の高級グレードの無方向性電磁鋼板は安定
して製造することは難しく、必ずしも満足に製造
されていないのが実状である。 本発明はS9グレードより鉄損が低いS8相当、
S7相当で磁速密度もよい高級グレードの無方向
性電磁鋼板を安定して製造する方法を提供するも
のである。 S9の規格値は板厚0.5mmの場合鉄損Ｗ15/50が
2.90W/Kg以下、磁束密度はB50が1.58Tesla以上
と規定されており、S8相当、S7相当品としては
次のものが想定される。 Ｗ15/50 B50 S8相当品 2.70W/Kg以下 1.58Tesla以上 S7 〃 2.50 〃 1.57 〃 本発明による製品における磁束密度B50は、
1.67Tesla以上、即ち想定される規格値よりも
0.1Tesla（＝1000gauss）だけ良いものを目標と
する。 ところで本発明者らは高級グレードの無方向性
電磁鋼板を安定して、かつ能率よく製造するため
に種々検討を行つた。その結果、中間焼鈍をはさ
んで２回の冷間圧延を行う２回冷間圧延法にて無
方向性電磁鋼板を製造する場合、Ｃ、Ｓ、Ｎをと
もに低減した珪素鋼熱延板を素材として、最終冷
間圧延前の中間ゲージを比較的薄く、中間焼鈍を
高温短時間、仕上焼鈍を高温で短時間とすること
により鉄損が低く磁束密度のよいS7、S8相当品
が製造されることを知見した。 この知見に基づき、本発明はSi：2.50％以上、
Al：0.5％以上、Si＋Al：3.0〜5.0％、Mn：0.1〜
1.0％を含む電磁鋼板用熱延板を、中間に連続焼
鈍をはさんで２回の冷間圧延を行つて最終板厚と
し、仕上焼鈍により無方向性電磁鋼板を製造する
方法において、熱延板に含まれるＣは0.005％以
下、Ｓは0.005％以下、Ｎは0.0040％以下であり
中間焼鈍を、最終冷延圧下率を35〜45％の範囲と
する中間冷延板に対して、非酸化性、非脱炭性雰
囲気で950〜1100℃の温度に20秒以上120秒未満で
行ない、仕上焼鈍は400〜800℃間を昇温速度10
℃/sec、以上で昇温し、非酸化性、非脱炭性雰囲
気で950〜1100℃で３〜60秒間の短時間焼鈍を行
うことを特徴とする。 以下本発明を更に詳述する。 本発明者らの調査によれば鉄損を下げるため例
えば仕上焼鈍温度を上げると磁束密度が劣化する
傾向があるのは、磁性に好ましくない結晶方位が
成長しやすいこと及び高温焼鈍での雰囲気からの
Si、Alの選択酸化等による内部酸化層や窒化層が
形成されることによることが明らかとなつた。こ
の好ましくない結晶方位と内部酸化の双方を改善
するための仕上焼鈍条件は、昇温速度を比較的早
くした高温短時間処理がよくこの焼鈍条件に合せ
た冷延の圧下率は35〜45％とし、かつ素材の熱延
板成分中Ｃ、Ｓ、Ｎを或限度以下に低くしておく
ことが重要である。 次に本発明における素材成分の限定理由につい
て述べる。 Ｃは0.005％を超えると炭化物を析出して磁性
に有害となるので0.005％以下とする。好ましく
は、0.0030％以下である。従来の製造法によれば
板厚を薄手にして雰囲気を弱酸化性とした焼鈍に
より脱炭処理を行うことが通常広く行われてい
る。これでは鋼板中のSi、Alが選択酸化をうけて
内部酸化層を形成するので高級グレードの無方向
性電磁鋼板の如きSi、Al含有量の高い鋼種では磁
気特性の劣化をひきおこし問題である。従つて本
発明では溶鋼の段階で真空処理によつて、Ｃは
0.005％以下、好ましくは0.0030％以下まで脱炭
しておく。 Siは鋼の電気抵抗を増し鉄損を低減させるので
高級グレードの無方向性電磁鋼板製造を目的とす
るこの発明では2.50％以上含有させる必要があ
る。冷間圧延時のワレ等の問題があるので上限は
Si＋Alで5.0％とする。 Alは磁気特性に有害なＮを固定し結晶成長に
対し有害とならない形態とするためと、AlはSiと
同様鋼の電気抵抗を増し鉄損を低減するので0.5
％以上含有させる。Si＋Alについての下限は電気
抵抗を増して鉄損の低減を図るために3.0％とす
る。 Mnは加工性の点から0.1％以上必要である。一
方1.0％を超えると磁性を劣化させるので0.1〜1.0
％の範囲とする。 ＳとＮは微細な析出物となつて磁性を損うの
で、Ｓは0.005％以下、Ｎは0.0040％以下とす
る。好ましくは、Ｓは0.0030％以下、Ｎは0.0025
％以下である。 中間焼鈍及び仕上焼鈍を短時間処理とするため
にはＣ、Ｓ、Ｎを上記限界以下とすることが重要
でこれをこえると結晶粒の成長が少く短時間処理
では磁気特性を満足させることが出来なくなる。 次に本発明の処理方法について並びにその方法
中で特に限定されるべき条件の限定理由について
以下に説明する。 本発明においては出発素材は前記成分組成の熱
延板でありその前の工程、即ち溶製、溶鋼の真空
処理、鋳造、加熱、熱間圧延については特に規定
するものではないが若干説明する。溶製は特に
Ｓ、Ｎを出来るだけ低くする条件で行うのがよ
い。溶鋼は真空装置で脱炭処理によりＣを充分下
げ、しかる後合金元素を添加して成分調整と、介
在物の浮上分離をはかり、その後連続鋳造によつ
てスラブとする。このスラブを例えば1150℃に加
熱し、熱間圧延によつて1.5〜3.0mmの熱延板とす
る。熱間圧延前の加熱温度は1200℃を超えると
Ｓ、Ｎが固溶した状態となりやすく熱処理の段階
で結晶粒の成長を阻害するので注意を要する。 熱延板厚みは続いて施される２回の冷間圧延に
適した厚みとして1.5〜3.0mm程度が好ましい。し
かし厚みが厚いほど熱延板の曲げ特性が劣化する
ので作業性、歩留等を考慮して熱延板厚が選定さ
れる。 熱延板は酸洗され冷間圧延によつて中間ゲージ
迄圧延される。このとき、酸洗に先立つて熱延板
焼鈍を施すことも出来る。熱延板焼鈍の効果は鉄
損及び磁束密度を向上させるが一方、熱延板の
疵、耳ワレ等の僅かな切かきに対しワレ、破断が
進行しやすくなる性質となるので注意を要する。 中間ゲージは第２回の冷延圧下率が35〜45％と
なる厚みがえらばれる。中間焼鈍前の冷間圧延で
の圧下率は製品板厚にもよるが通常50〜80％とな
るが特に規制しない。 中間焼鈍は鋼板表面に酸化層等の有害な層を形
成させないように、非酸化性、非脱炭性雰囲気と
する必要がある。雰囲気としては通常乾燥窒素又
は乾燥窒素水素混合雰囲気が用いられる。中間焼
鈍の条件としては950℃以上1100℃以下の温度で
20秒以上120秒未満の高温短時間処理とする必要
がある。950℃未満では充分なる磁気特性が得ら
れない。1100℃超では製品の磁気特性の内、磁束
密度が劣化する。均熱時間が20秒未満では充分な
る磁気特性が得られない。一方、120秒以上では
内部酸化の恐れがあること、および生産性が低下
する。950〜1100℃で20秒以上120秒未満の高温短
時間の中間焼鈍と最終冷延圧下率35〜45％との組
合せと、それに続く高温短時間の仕上焼鈍で優れ
た磁気特性を発現させるために中間焼鈍と最終冷
延圧下率との組合せは重要であり、このために中
間焼鈍は前記の如くしている。最終冷延圧下率は
35％未満及び45％超では仕上焼鈍を短時間とする
組合せにおいて磁気特性が不良となるので35〜45
％の範囲とする。 仕上焼鈍は鋼板の表面に内部酸化層、窒化層を
作らないことが重要であり、このために雰囲気条
件として非酸化性、非脱炭性雰囲気とするほか、
高温焼鈍の時間を３〜60秒に規制する。焼鈍温度
は950℃未満では磁気特性が不良であり、1100℃
超では磁気特性の内、磁束密度が不良となるので
950℃〜1100℃とする。950℃〜1100℃で３〜60秒
間の仕上焼鈍で良好な結果が得られる。又、加熱
速度は磁束密度の点かから重要であり400℃から
800℃間の平均昇温速度が10℃/sec未満では磁束
密度B50の値が低くなるので10℃/sec以上とす
る。好ましくは30℃/sec以上である。尚仕上焼鈍
の加熱サイクルを前段を850〜950℃、後段を1000
〜1100℃とする２段階均熱法も本発明の条件内で
採用することが可能である。 実施例 １ 転炉で溶製しDH真空脱ガス装置により真空処
理を施して脱炭後、合金添加・成分調整を行つた
溶鋼を連続鋳造でスラブとし、このスラブを1150
℃に加熱後熱間圧延により板厚2.3mmに圧延し
た。 この熱延板の成分はＣ：0.0024％、Si：3.17
％、Mn：0.21％、Ｓ：0.003％、Al：0.83％、
Ｎ：0.0021％であつた。この熱延板を酸洗後、冷
間圧延により0.85mmと1.2mmに圧延し、ドライN2
雰囲気中1000℃に120秒間の中間焼鈍を施した
後、最終冷間圧延で最終板厚0.5mmに迄圧延し
た。このときの冷延の圧下率は、夫々41％と58％
であつた。0.5mm厚みの冷延板をドライ（N270％
＋H230％）雰囲気中で400〜800℃間の昇温率33
℃/secで1075℃に20秒間保持する仕上焼鈍を行い
磁性を測定しその結果を第１表に示す。
【表】
この結果からわかるように本発明によると高磁
場の鉄損Ｗ15/50、低磁場の鉄損Ｗ10/50とも比較
法にくらべて優れかつ磁束密度も良好である。 実施例 ２ 転炉で溶製しDH真空脱ガス装置により真空処
理を施し脱炭後、合金添加、成分調整を行つた溶
鋼を連続鋳造でスラブとなし、このスラブを1150
℃に加熱後熱間圧延により板厚2.0mmに圧延し
た。 この熱延板の成分はＣ：0.0026％、Si：3.02
％、Mn：0.18％、Ｓ：0.002％、Al：1.31％、
Ｎ：0.0018％であつた。この熱延板を酸洗し冷間
圧延により0.80mmに圧延しドライN2雰囲気で1050
℃×60秒間の中間焼鈍を施した後、最終板厚0.5
mmに冷間圧延した。この最終冷間圧延の圧下率は
38％であつた。0.5mmの冷延板をドライな（N270
％＋H230％）雰囲気で400〜800℃間の昇温率33
℃/secで1075℃に10秒間保持する仕上焼鈍と同様
の昇温率18℃/secで950℃に90秒間保持する仕上
焼鈍とを行い磁気測定を行つてその結果を第２表
に示す。
場の鉄損Ｗ15/50、低磁場の鉄損Ｗ10/50とも比較
法にくらべて優れかつ磁束密度も良好である。 実施例 ２ 転炉で溶製しDH真空脱ガス装置により真空処
理を施し脱炭後、合金添加、成分調整を行つた溶
鋼を連続鋳造でスラブとなし、このスラブを1150
℃に加熱後熱間圧延により板厚2.0mmに圧延し
た。 この熱延板の成分はＣ：0.0026％、Si：3.02
％、Mn：0.18％、Ｓ：0.002％、Al：1.31％、
Ｎ：0.0018％であつた。この熱延板を酸洗し冷間
圧延により0.80mmに圧延しドライN2雰囲気で1050
℃×60秒間の中間焼鈍を施した後、最終板厚0.5
mmに冷間圧延した。この最終冷間圧延の圧下率は
38％であつた。0.5mmの冷延板をドライな（N270
％＋H230％）雰囲気で400〜800℃間の昇温率33
℃/secで1075℃に10秒間保持する仕上焼鈍と同様
の昇温率18℃/secで950℃に90秒間保持する仕上
焼鈍とを行い磁気測定を行つてその結果を第２表
に示す。
【表】
これから本発明によると高磁場、低磁場の鉄損
にすぐれ、また磁束密度も良好な高級グレードの
無方向性電磁鋼板が製造されることがわかる。 実施例 ３ 転炉で溶製しDH真空脱ガス装置により真空処
理を施し脱炭と合金添加・成分調整を行つて溶鋼
を連続鋳造でスラブとなしこのスラブを1100℃に
加熱後熱間圧延により板厚1.8mmに圧延した。 この熱延板の成分はＣ：0.0028％、Si：3.22
％、Mn：0.18％、Ｓ：0.002％、Al：0.75％、
Ｎ：0.0014％であつた。 この熱延板を980℃で90秒間ドライN2雰囲気中
で焼鈍し酸洗後冷間圧延して0.6mm板厚とし、次
いでドライN270％＋H230％雰囲気で1050℃×40
秒間の中間焼鈍を行つた後、冷間圧延で最終板厚
0.35mmに迄圧延した。この最終冷間圧延の圧下率
は42％であつた。0.35mmの冷延板をドライな
（N270％＋H230％）雰囲気で400〜800℃間の平均
昇温率38℃/secで昇温し1075℃×10秒間の仕上焼
鈍を行つた。磁気測定の結果は次の通りであつ
た。 Ｗ10/50 Ｗ15/50 B50 0.87W/Kg 1.98W/Kg 1.705Tesla この結果からもわかるように、本発明は熱延板
焼鈍を施した場合にも鉄損、磁束密度ともすぐれ
たものが製造される。 本発明は以上のように中間焼鈍を高温短時間と
し、また仕上焼鈍も高温短時間であり、ともに非
酸化性、非脱炭性雰囲気であるので、生産能率が
高く、内部酸化は生ぜず磁気特性がすぐれかつ安
定した高級な無方向性電磁鋼板が製造される。
にすぐれ、また磁束密度も良好な高級グレードの
無方向性電磁鋼板が製造されることがわかる。 実施例 ３ 転炉で溶製しDH真空脱ガス装置により真空処
理を施し脱炭と合金添加・成分調整を行つて溶鋼
を連続鋳造でスラブとなしこのスラブを1100℃に
加熱後熱間圧延により板厚1.8mmに圧延した。 この熱延板の成分はＣ：0.0028％、Si：3.22
％、Mn：0.18％、Ｓ：0.002％、Al：0.75％、
Ｎ：0.0014％であつた。 この熱延板を980℃で90秒間ドライN2雰囲気中
で焼鈍し酸洗後冷間圧延して0.6mm板厚とし、次
いでドライN270％＋H230％雰囲気で1050℃×40
秒間の中間焼鈍を行つた後、冷間圧延で最終板厚
0.35mmに迄圧延した。この最終冷間圧延の圧下率
は42％であつた。0.35mmの冷延板をドライな
（N270％＋H230％）雰囲気で400〜800℃間の平均
昇温率38℃/secで昇温し1075℃×10秒間の仕上焼
鈍を行つた。磁気測定の結果は次の通りであつ
た。 Ｗ10/50 Ｗ15/50 B50 0.87W/Kg 1.98W/Kg 1.705Tesla この結果からもわかるように、本発明は熱延板
焼鈍を施した場合にも鉄損、磁束密度ともすぐれ
たものが製造される。 本発明は以上のように中間焼鈍を高温短時間と
し、また仕上焼鈍も高温短時間であり、ともに非
酸化性、非脱炭性雰囲気であるので、生産能率が
高く、内部酸化は生ぜず磁気特性がすぐれかつ安
定した高級な無方向性電磁鋼板が製造される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Si：2.50％以上、Al：0.5％以上、Si＋Al：
3.0〜5.0％、Mn：0.1〜1.0％を含む無方向性電磁
鋼板用熱延板を、中間焼鈍をはさんで２回の冷間
圧延を行つて最終板厚とし、次いで仕上焼鈍する
無方向性電磁鋼板の製造法において、熱延板に含
まれるＣは0.005％以下、Ｓは0.005％以下、Ｎは
0.0040％以下であり、中間焼鈍を最終冷延圧下率
35〜45％の範囲とする中間冷延板に対して非酸化
非脱炭性雰囲気中で950〜1100℃の温度に20秒以
上120秒未満均熱する高温短時間中間焼鈍を施
し、仕上焼鈍を非酸化性非脱炭性雰囲気中で950
〜1100℃の温度に３〜60秒均熱することを特徴と
する磁性の優れた無方向性電磁鋼板の製造法。 ２ 仕上焼鈍は400℃から800℃まで平均昇温速度
10℃/sec以上で昇温する特許請求の範囲第１項記
載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56122732A JPS5823411A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | 磁性の優れた無方向性電磁鋼板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56122732A JPS5823411A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | 磁性の優れた無方向性電磁鋼板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823411A JPS5823411A (ja) | 1983-02-12 |
| JPS6148761B2 true JPS6148761B2 (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=14843209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56122732A Granted JPS5823411A (ja) | 1981-08-05 | 1981-08-05 | 磁性の優れた無方向性電磁鋼板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823411A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231120A (ja) * | 1985-04-06 | 1986-10-15 | Nippon Steel Corp | 磁気特性の優れた無方向性電磁鋼板の製造方法 |
| JPS61253067A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-10 | カネボウ株式会社 | アルブミンを吸着させた複合材料 |
| JPS6216769A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-24 | カネボウ株式会社 | アルブミンを吸着させた複合材料 |
| CN104438328B (zh) * | 2014-11-27 | 2016-08-24 | 武汉钢铁(集团)公司 | 一种提高无取向硅钢磁性能的热轧方法 |
-
1981
- 1981-08-05 JP JP56122732A patent/JPS5823411A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5823411A (ja) | 1983-02-12 |
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