JP2000174404A

JP2000174404A - 回路基板接続材とその製造方法及び回路基板接続材を用いた多層回路基板の製造方法

Info

Publication number: JP2000174404A
Application number: JP34984298A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Tawara; 博田原; Hideo Hatanaka; 秀夫畠中; Masayoshi Koyama; 雅義小山
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-12-09
Filing date: 1998-12-09
Publication date: 2000-06-23
Anticipated expiration: 2018-12-09
Also published as: JP3431523B2

Abstract

(57)【要約】【課題】導電性樹脂組成物(4a,4b)を離型性フィルム(2)
の厚みよりも厚く凸状に出た状態に形成することによ
り、積層後の導電物質の充填量を増加させ、厚さ方向の
接続抵抗を小さくする。【解決手段】離型性フィルム(2)を両面に備えた多孔質
基材(1)の所望の位置にレーザー光の照射により貫通孔
(3)を設け、これに導電性樹脂組成物(4a,4b)をフィルム
(2)の厚みより厚く充填し、次に離型性フィルム(2)を取
り除き、回路材料の銅箔(5)を両面に重ね合わせて加熱
加圧プレスにより一体化する。銅箔(5)は所定の回路に
エッチングしてパターニングする。これにより、両面基
板や４層基板などの基板どうしを簡便に電気的機械的に
接続することができ、両面基板から容易にインナービア
構造を有する高多層な基板を作製することが可能とな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板どうしを
電気的機械的に接続する回路基板接続材とその製造方法
及び回路基板接続材を用いた多層回路基板の製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高密度化に伴
い、産業用にとどまらず民生用の分野においても回路基
板の高密度化が強く要求されるようになってきた。この
ような回路基板では、複数層の回路パターンの間をイン
ナービアホール接続する接続方法及び信頼度の高い構造
の新規開発が不可欠なものになってきており、回路基板
において高密度化を妨げる要因となっていたメッキスル
ーホールにかわって、導電性樹脂組成物によるインナー
ビアホール（ＩＶＨ：interstitial via hole）接続に
よる新規な構成の高密度の回路基板実装方法が提案され
ている（例えば、特開平６―２６８３４５号公報）。

【０００３】この回路基板の製造方法は、両面に離型性
を有する高分子フィルム(以下、離形性フィルムと称す
る)を備えた被圧縮性の多孔質のプリプレグに貫通孔を
あけ、その穴に導電性樹脂組成物を充填し、離形性フィ
ルムを剥離した後、プリプレグの両面に金属箔を貼り付
けて加熱圧接することで基板の両面を電気接続し、さら
に金属箔をエッチングによってパターニングして回路形
成するものである。

【０００４】以下、従来の回路基板の製造方法につい
て、図面を参照にしながら説明する。図８(a)〜(f)は、
従来の回路基板の製造方法を示す工程断面図である。図
８(a）において、５１は例えば芳香族ポリアミド繊維の
不織布に熱硬化性エポキシ樹脂を含浸させた内部に空孔
を有する複合材からなる５００mm角に加工した厚さ１０
０〜２００μmのプリプレグであり、５２はポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）の片面にＳｉ系の離型剤を
塗布した幅５５０ｍｍ、厚さ１２μmのロール状の離型
性フィルムである。

【０００５】まず、図８(a）に示す離型性フィルム５２
が接着されたプリプレグ５１の所定の箇所に図８（b）
に示すようにレーザー加工法などを利用して貫通孔５３
が形成される。

【０００６】次に、図８（c）に示すように、貫通孔５
３に導電性樹脂組成物５４が充填される。導電性樹脂組
成物５４を充填する方法としては、貫通孔５３を有する
プリプレグ５１を印刷機（図示せず）のテーブル上に設
置し、直接導電性樹脂組成物５４が離型性フィルム５２
の上から印刷され、貫通孔５３に充填される。この時、
上面の離型性フィルム５２は印刷マスクの役割とプリプ
レグ５１の表面の汚染防止の役割を果たしている。

【０００７】次に、図８（d）に示すように、プリプレ
グ５１の両面から離型性フィルム５２を剥離する。そし
て、図８（e）に示すように、プリプレグ５１の両面に
銅箔などの金属箔５５を貼り付け、この状態で熱プレス
で加熱加圧することにより、図８（f）に示すように、
プリプレグ５１と金属箔５５とが接着されるとともに、
プリプレグ５１が厚さｔ２まで圧縮（ｔ１＞ｔ２）さ
れ、両面の金属箔５５が導電性樹脂組成物５４によって
電気的に接続する。この時、プリプレグ５１の一構成成
分であるエポキシ樹脂及び導電性樹脂組成物５４は硬化
する。その後、両面の金属箔５５を選択的にエッチング
して、回路パターン（図示せず）を形成することによ
り、両面の回路基板が得られる。

【０００８】以上述べたように、回路基板の製造の中
で、プリプレグの両面に接着された離型性フィルムは、
レーザー加工等で貫通孔を形成し、導電性樹脂組成物印
刷時のマスクとして使用した後、剥離されることにな
る。

【０００９】回路基板のファインピッチ化においては、
より小径化の貫通孔による基板パターンが要求されてき
ており、この小径の貫通孔における接続抵抗の安定化を
確保することが重要となる。そのためには、この小径貫
通孔に対して、その内部にプリプレグの厚みに依存した
量の導電性樹脂組成物を充填する際の導電性樹脂組成物
の埋め込み性と、導電性樹脂組成物を印刷後、プリプレ
グから離型性フィルムを剥離した時に、この小径貫通孔
の上部に残存する導電性樹脂組成物の残存量の確保が重
要となる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、この貫通孔をより小さくした小径化の貫
通孔になると、上下層の接続抵抗及びバラツキが大きく
なってしまい、この小径貫通孔による導通が非常に不安
定になってしまうという問題が発生する。この原因とし
ては、プリプレグに導電性樹脂組成物を印刷時のマスク
として使用する離型性フィルムの表面から穴加工により
形成された小径の貫通孔であるため、従来までの開口径
が約２００μm程度の貫通孔と比較して、充填する方向
の厚みと貫通孔の開口径の大きさの関係より、小径貫通
孔に対する導電性樹脂組成物印刷時の埋め込み性が悪化
するためである。一方、離型性フィルムの厚みを増加さ
せることにより、離型性フィルムを剥離した後の導電性
樹脂組成物の残存量を増加させることができそうなもの
の、この方法では、離型性フィルムの厚みを増加するこ
とにより、印刷時の導電性樹脂組成物の充填方向の厚み
が貫通孔の開口径の大きさに対してより増加してしまう
ことになるため、離型性フィルムを剥離した時に、その
充填された導電性樹脂組成物の一部が除去され易くな
る。また、離型性フィルムの厚みを増加させる方法は、
このフィルムをプリプレグに均一に密着させることが困
難となるため、生産性の面からも好ましい方策ではな
い。その中で特にこの導電性樹脂組成物印刷時の導電性
樹脂組成物の埋め込み性の悪化は、貫通孔の小径化にお
いて避けられない問題であり、いかにして導電性樹脂組
成物の充填量を増加させ、接続抵抗値を小さくさせるこ
とが、小径貫通孔において大きな技術的課題であった。

【００１１】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、離型性フィルムの厚みを増加する方法ではなく、薄
い離型性フィルムにおいても、プリプレグから離型性フ
ィルムを剥離した時に、小径貫通孔の上部に残存する導
電性樹脂組成物の残存量を確保することができ、貫通孔
内部への導電性樹脂組成物の充填量を増加させ、その結
果、接続抵抗値を小さくさせることが可能な回路基板接
続材とその製造方法及び回路基板接続材を用いた多層回
路基板の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、離型性フィルムを両面に備えた多孔質基材
の所望の位置に貫通孔を有し、前記貫通孔に導電性樹脂
組成物が前記離型性フィルムの厚みより厚く充填されて
いることを特徴とする回路基板接続材であり、これによ
り、インナービアホール接続を可能にし、高信頼性及び
高品質の回路基板接続材を実現できる。

【００１３】本発明の第１番目の発明は、離型性フィル
ムを両面に備えた多孔質基材の所望の位置に貫通孔を有
し、前記貫通孔に導電性樹脂組成物が前記離型性フィル
ムの厚みより厚く充填されていることを特徴とする回路
基板接続材である。これにより、インナービアホール接
続を可能にし、高信頼性及び高品質の回路基板接続材を
実現できる。

【００１４】すなわち、被圧縮性を有し不織布と熱硬化
性樹脂の複合材からなる多孔質基材に穴あけ加工し、導
電性樹脂組成物が離型性フィルムの厚みより厚く充填さ
れた構造を有する回路基板接続材は安定に作製でき、フ
ァインピッチ化が容易で、高信頼性に優れたものとな
る。したがって、両面基板や４層基板を簡便に高多層な
基板にすることも可能となる。

【００１５】本発明の第２番目の発明は、離型性フィル
ムを両面に備えた多孔質基材の所望の位置に貫通孔を有
し、前記貫通孔に導電性樹脂組成物が前記離型性フィル
ムの厚みより厚く充填され、その後前記離型性フィルム
が剥離されて前記導電性樹脂組成物が前記多孔質基材の
両表面から前記離型性フィルムの厚みより厚く凸状に出
た状態に形成されていることを特徴とする回路基板接続
材である。これにより、回路基板接続材は所望の位置に
離型性フィルムがレーザービーム光により熱溶融された
後、自然冷却による凝固・収縮の表面張力により、開口
部周辺の熱溶融部分が球状で、かつ、自然凝固により離
型性フィルムの残存側になめらかな曲線形状を有する離
型性フィルムの厚みより厚く充填された構造を形成した
貫通孔を有し、貫通孔近傍の離型性フィルムのフィルム
厚を厚く形成した先端まで導電性樹脂組成物を充填して
いるため、離型性フィルムを剥離後、導電性樹脂組成物
が多孔質基材の両表面から、離型性フィルムの厚みより
厚く凸状に出た状態に形成されることにより、電気的接
続が容易になる。

【００１６】本発明の第３番目の発明は、離型性フィル
ムを両面に備えた多孔質基材の所望の位置に貫通孔を形
成し、前記貫通孔に導電性樹脂組成物が充填されてなる
回路基板接続材の製造方法であって、前記多孔質基材の
貫通孔形成時に、前記貫通孔近傍の前記離型性フィルム
のフィルム厚を厚くすることを特徴とする回路基板接続
材の製造方法である。これにより、貫通孔に導電性樹脂
組成物が前記離型性フィルムの厚みより厚く充填され、
その後離型性フィルムが剥離されて導電性樹脂組成物が
多孔質基材の両表面から離型性フィルムの厚みより厚く
凸状に出た状態に形成することができるため、電気的接
続が容易になる。

【００１７】本発明の第４番目の発明は、少なくとも２
層の回路パターンを有する回路基板と、少なくとも１層
の回路パターンを有する回路基板との間に、多孔質基材
の両表面から凸状に出た状態に形成されている回路基板
接続材を挟持し、加熱加圧することを特徴とする多層回
路基板の製造方法である。これにより、被圧縮性を有し
不織布と未硬化状態の熱硬化性樹脂の複合材からなる有
機質多孔質基材を使用しているので、多孔質基材が加熱
加圧によって圧縮される工程において、回路基板間の接
着が前記回路基板接続材中の熱硬化反応により強固に起
こり、かつ導電性樹脂組成物も圧縮される。その時に導
電物質間からバインダ成分が押し出され、導電物質どう
し及び導電物質と金属箔間の結合が強固になり、導電性
樹脂組成物中の導電物質が緻密化される。また、離型性
フィルムを剥離後、導電性樹脂組成物が有機質多孔質基
材の両表面から、離型性フィルムの厚みより厚い凸状に
出た状態を形成しているため、これにより積層後の導電
物質の充填量が増加し、接続抵抗が極めて小さくなる。

【００１８】加えて被圧縮性を有する多孔質基材を使用
することによって、貫通孔に充填された導電性樹脂組成
物の有機バインダ成分が多孔質基材側に浸透するため、
貫通孔中の導電性樹脂組成物の充填量が減少し、多孔質
基材とその両面に貼り付けられた金属箔との間に導電性
樹脂組成物が侵入することがなくなり、近接する回路パ
ターン間の短絡不良の発生を防止できる。さらに、被圧
縮性を有し、不織布と熱硬化性樹脂の複合材からなる多
孔質基材を使用することによって、回路基板どうしの接
続が可能であるだけでなく、最上層配線用の金属箔をも
加熱加圧によって、強固に接着することができる。

【００１９】本発明の第５番目の発明は、少なくとも２
層の回路パターンを有する回路基板の両面に、多孔質基
材の両表面から凸状に出た状態に形成されている回路基
板接続材を配置して前記回路基板を挟持し、さらに前記
回路基板接続材の最外層表面に金属箔を重ねた後、加熱
加圧し、前記金属箔を加工して回路パターンを形成する
ことを特徴とする多層回路基板の製造方法である。これ
により、第１番目の製造方法と同様に多層回路基板を合
理的に効率よく製造できる。

【００２０】本発明の好ましい例として、多孔質基材
が、耐熱性合成繊維製不織布に未硬化状態の熱硬化性樹
脂を含浸させた複合材を使用できる。これにより熱的に
も機械的強度にも優れる。

【００２１】

【発明の実施の形態】前記の発明においては、導電性樹
脂組成物は前記離型性フィルムの厚みより２０〜５０％
の範囲厚く充填されていることが好ましい。これにより
さらに接続抵抗値を小さくすることが可能となり、確実
な導通を取ることができる。

【００２２】また前記の発明においては、貫通孔の形成
手段はレーザー照射であって、レーザーの加工エネルギ
ーが１パルス当たり５〜３０ｍＪの範囲であり、レーザ
ーのエネルギー強度のパルス幅が３０〜５００μsecの
範囲で加工することが好ましい。これにより、多孔質基
材の貫通孔形成時に、離型性フィルムがレーザービーム
光により熱溶融された後、自然冷却による凝固・収縮で
の表面張力により、開口部周辺付近の熱溶融部が、球状
でかつ自然凝固により離型性フィルムの残存側に、貫通
孔近傍の離型性フィルムのフィルム厚を厚くする貫通孔
を形成することができる。すなわち、フィルムの開口部
周辺付近がフィルムの厚さより、例えば２０〜５０％の
範囲高く盛り上がる。これにより、積層後の導電物質の
充填量が増加し、接続抵抗が極めて小さくすることがで
きる。

【００２３】本発明の好ましい例として、耐熱性合成繊
維製不織布はアラミド繊維不織布からなり、未硬化状態
の熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である。これによりさら
に熱的にも機械的強度にも優れる。

【００２４】本発明の好ましい例として、耐熱性合成繊
維製不織布は紙からなり、未硬化状態の熱硬化性樹脂が
フェノール樹脂またはエポキシ樹脂である。これによ
り、さらに熱的にも機械的強度にも優れる。

【００２５】本発明の好ましい例として、導電性樹脂組
成物中の導電物質は、銀、ニッケル、銅及びこれらの合
金から選ばれる少なくとも一つの金属粉末である。これ
により電気的伝導性に優れる。

【００２６】本発明の好ましい例として、導電性樹脂組
成物中の樹脂成分は、多孔質基材の熱硬化性樹脂と実質
的に同一である。これにより導電性樹脂組成物と多孔質
基材との接着性に優れる。

【００２７】本発明の好ましい例として、少なくとも２
層の回路パターンを有する回路基板及び少なくとも１層
の回路パターンを有する回路基板は、銅箔配線と銅メッ
キスルーホールを有するガラスエポキシ回路基板であ
る。これにより従来のガラスエポキシ多層回路基板と組
み合わせて使用できる。

【００２８】本発明の好ましい例として、少なくとも２
層の回路パターンを有する回路基板及び少なくとも１層
の回路パターンを有する回路基板は、アラミド繊維不織
布と熱硬化性エポキシ樹脂よりなる回路基板である。こ
れにより多層化を容易に行うことができる。

【００２９】本発明の好ましい例として、貫通孔をレー
ザー光照射によって形成する。これによりドリルを用い
る場合に比べてファインピッチ化でき、さらに、加工時
の粉塵の発生も抑えることができる。

【００３０】本発明の好ましい例として、導電性樹脂組
成物が充填されている部分の直径は３０〜５００μｍの
範囲である。これにより、所望の直径の導電部を作成で
きる。より好ましい直径は、５０〜３００μmの範囲で
ある。

【００３１】本発明の好ましい例として、導電性樹脂組
成物が充填されている部分のピッチ（充填部と充填部と
の間隔の距離）は５０μm以上である。これにより充填
部どうしの絶縁を完全にとることができる。

【００３２】本発明の好ましい例として、レーザーで開
口された貫通孔の周辺部はなめらかな曲線である。これ
により貫通孔の開口周辺部がなめらかな形状であるた
め、離型性フィルムを剥離した時の導電性樹脂組成物の
残存量の確保と導電性樹脂組成物の充填量を増加するこ
とができ、接続抵抗の低下、さらに電気的接続の安定化
にも優れる。

【００３３】本発明の好ましい例として、レーザーで加
工した貫通孔の形状は、レーザー照射側の開口部に対し
て、他方レーザー排出側の開口部がより小さくなるよう
に形成している。これによりレーザー排出側の充填量を
より安定に確保できるため、ビア内の導電性樹脂組成物
の充填密度の増加及び導電性樹脂組成物の充填量を安定
にすることができ、接続抵抗の低下、さらに電気的接続
の安定化にも優れる。

【００３４】このように、被圧縮性を有し耐熱性有機質
補強材と未硬化な熱硬化性樹脂の複合材からなる多孔質
基材に穴加工し、導電性樹脂組成物が離型性フィルムの
厚みより厚く充填された構造を有する回路基板接続材と
して使用することによって、比較的安定に作製できる両
面基板や４層基板などの基板どうしを、簡便に電気的機
械的に接続することができる。これにより、両面基板か
ら容易にインナービア構造を有する多層基板が得られ
る。

【００３５】また、被圧縮性を有する多孔質基材とし
て、有機質の補強材と未硬化の熱硬化性樹脂の複合材を
使用することが可能である。これによって、多孔質基材
が加熱加圧によって圧縮される工程において、導電性樹
脂組成物も圧縮される。その時、導電物質間から有機バ
インダ成分が押し出されて硬化するため、導電物質どう
し及び導電物質と金属箔間の結合が強固になり、導電性
樹脂組成物中の導電物質が緻密化される。これにより、
極めて抵抗の低いビア接続が得られる。

【００３６】また、貫通孔近傍の離型性フィルムのフィ
ルム厚を厚く形成した先端まで導電性樹脂組成物を充填
しているため、離型性フィルムの剥離後、導電性樹脂組
成物が多孔質基材の表面から離型性フィルムの厚みより
厚く凸状に出た状態に形成するため、これにより積層後
の導電物質の充填量がアップし、接続抵抗が極めて小さ
くなる。

【００３７】加えて被圧縮性を有する多孔質基材を使用
することによって、貫通孔に充填された導電性樹脂組成
物の有機バインダ成分が多孔質基材側に浸透する。この
ため、貫通孔中の充填導電性樹脂組成物量が減少し、多
孔質基材とその両面に貼り付けられた金属箔との間に導
電性樹脂組成物が侵入することがない。よって、近接す
る回路パターン間の短絡不良の発生を防止できる。さら
に、被圧縮性を有し、補強材と未硬化の熱硬化性樹脂の
複合材からなる多孔質基材の加熱加圧による熱硬化反応
を利用することによって、回路基板どうしの機械的接続
が可能であるだけでなく、最上層配線用の金属箔配線間
も加熱加圧によって、強固に接着し、電気的接続も得ら
れる。

【００３８】また、本発明の回路基板接続材を用いるこ
とで、回路基板どうしの接続に適していることは既に記
載したが、回路基板とデバイスの電気的機械的接続にも
有効である。

【００３９】

【実施例】以下に、本発明の一実施例における回路基板
接続材と回路基板接続材を用いた多層回路基板の製造方
法について、より具体的に説明する。

【００４０】（Ａ）導電性樹脂組成物（ａ）フィラー本発明の導電性樹脂組成物は、金属フィラーと熱硬化性
樹脂及び硬化剤より構成される。まず、導体フィラーに
ついて説明する。導体フィラーは、本目的から言って導
体組成中に高濃度に含有される必要がある。その理由
は、前記したように導体フィラーどうしの接触確率を高
めることによって、接続ビアホールの低抵抗化及び熱あ
るいは機械的応力による基板歪みが加わった際にも導通
信頼性を保持する必要があるからである。導体フィラー
を高濃度に分散させるためには、導体フィラーの平均粒
径が０．２〜２０μmの範囲にあっても、その比表面積
が小さい程よく、その値は０．１〜１．５m²/gが適当で
あり、さらに望ましくは０．１〜１．０m²/gである。導
体フィラーとしては、銀、銅またはニッケルなどが挙げ
られるが、これら２種以上を併用することもできる。ま
た、導体フィラーの形状についても球状、フレーク状等
の上記特性を有するものであれば使用可能である。特に
銅粉末を導体フィラーとして用いることは、マイグレー
ションの抑制、経済的供給と価格の安定性の面から望ま
しい。しかし、銅粉末は一般に酸化されやすいため、本
発明の回路基板接続材のビアホール充填用として用いる
場合には、銅粉末の酸化が導電性を阻害することにな
る。そのため、加熱加圧による接着工程における雰囲気
は、酸素濃度が１．０％以下であることが必要である。

【００４１】（ｂ）エポキシ樹脂次に、特定性状のエポキシ樹脂について説明する。本発
明の回路基板接続材は上記したように、金属箔間で電気
的接続をさせるため、密閉構造で加圧加熱する。そのた
め、導電性樹脂組成物に溶剤などの揮発成分を含むこと
は内部でブリスタの発生につながり不都合である。した
がって、一液で無溶剤型の導体組成物を形成するため
に、エポキシ樹脂としては液状樹脂が基本的に必要であ
る。前記した導体フィラーを高濃度に分散するために
は、エポキシ樹脂の粘度が１５Ｐａ・ｓ以下が必要であ
る。それ以上の粘度のエポキシ樹脂を用いると導体組成
物をペースト化した際、導電性樹脂組成物の粘度が著し
く高くなる。その結果、導電性樹脂組成物の粘度が２，
０００Ｐａ・ｓ以上ではビアホール充填作業ができない
という不具合を生じる。

【００４２】一方、本組成物はビアホールに充填された
後加熱圧縮される時、揮発成分が揮散してビアホール充
填構造物中にボイドやブリスタが発生したり、あるいは
プリプレグの剥離を生じたりすることがないよう揮発分
の抑制が必要である。その揮発量はできるだけ少ない方
が望ましいが、２．０ｗｔ％以下だと上記のような不具
合は起こらない。

【００４３】使用し得るエポキシ樹脂としては、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキ
シ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、アミン型エポキシ樹脂等
２ヶ所以上のエポキシ基を含有した液状エポキシ樹脂が
あるが、揮発分を少なくするために液状エポキシ樹脂を
分子蒸留したものも使用され得る。

【００４４】硬化剤については一般的な硬化剤が使用可
能である。ジシアンジアミド、カルボン酸ヒドラジド等
のアミン系硬化剤、３−（３，４−ジクロロフェニル）
−１、１−ジメチル尿素等の尿素系硬化剤、無水フタル
酸、無水メチルナジック酸、無水ピロメリット酸、無水
ヘキサヒドロフタノール酸等の酸無水物系硬化剤、ジア
ミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン
酸等の芳香族アミン系（アミンアダクト）硬化剤が代表
的に用いられる。これらのうちでも、特に組成物の安定
性及び作業性の観点より、固形状の潜在性硬化剤粉末が
望ましい。

【００４５】（Ｂ）離型性フィルム離型性フィルムは、本発明の回路基板接続材に対し、穴
加工及び導電性樹脂組成物の充填時、さらには搬送時の
汚染防止フィルムである。そして、回路基板の接続時に
は剥離して使用する。そのため使用するまでは十分な接
着強度が必要であり、使用時には剥離しやすいことが大
切である。

【００４６】また、離型性フィルムの接着には、使用す
る多孔質基材の熱硬化性樹脂が硬化反応を起こさない程
度の温度で加熱して接着することが望ましい。かつその
際に熱収縮が起こらないフィルムであることが望まし
い。本発明では、上記観点から、片面にＳｉ系の離形剤
を塗布した厚さ例えば約２０μmのプラスチックフィル
ムを使用する。例えばポリエチレンテレフタレート（以
下ＰＥＴシートと称する）フィルム、ポリプロピレン
（ＰＰ）フィルムなどが使用できる。

【００４７】（Ｃ）プリプレグ本発明の回路基板接続材に使用する基材としては、現在
知られている積層基材が使える。一般に回路基板に使用
される基材は、無機質もしくは有機質の補強材と熱硬化
性樹脂の複合材料である。補強材は、回路基板そのもの
の強度を得るためと、基板に部品を実装する時の加熱に
よるそりを抑制するための働きがある。無機質の補強材
としては、例えば、ガラス繊維を編んだガラス織布及び
ガラス繊維を数ｍｍ〜数１０ｍｍ程度に裁断したものか
らなる不織布が用いられる。ガラスクロスは、直径５〜
１５μmのフィラメントを、数百本あわせた撚糸（ヤー
ン）を縦糸、横糸として織り込んだものである。通常プ
リント基板に使用されるガラスは、Ｅーガラスと呼ばれ
るＳｉＯ₂、ＣａＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃を主成分とした
ガラスが用いられる。また、ガラス不織布は、上記ガラ
ス繊維を裁断したものを抄紙し、水分散型のエポキシ樹
脂で接着させたガラス不織布ペーパーが代表的なもので
ある。また、寸法安定性を改良する意味で無機充填剤を
添加する場合がある。

【００４８】一方、有機質の補強材としては、紙もしく
は芳香族ポリアミド繊維（例えば、Ｅ.Ｉ.DuPont社製
商品名ケブラー）の繊維もしくは不織布（例えば、Ｅ.
Ｉ.DuPont社製商品名サーマウント）などが代表的な
ものである。Thermount(R)は、前記のパラ系アラミドで
ある。ケブラー繊維を6.7mm程度の長さで裁断し、さら
にフィルム状のメタ系アラミドを約１０〜１５ｗｔ％加
えて抄紙し、乾燥後、高温高圧下でカレンダー処理した
ものが用いられる（例えば米国特許第4,729,921号明細
書）。

【００４９】アラミドを利用した基板は、耐熱性に富
み、熱膨張係数が小さいことから、ＭＣＭ用基板として
注目されている（例えば、IEEE TRANSACTIONS OF COMPO
NENTS、HYBRIDS、AND MANUFACTURING TECHNOLOGY,VOL.1
3,NO.3、SEPTEMBER 1990,PP570-PP575）。

【００５０】プリプレグとは、上記補強材に熱硬化性樹
脂を含浸し、溶剤を除去させた未硬化樹脂と補強材の複
合材料をいう。通常ガラスエポキシプリプレグ、アラミ
ドエポキシプリプレグなどと表現され、前者はガラス織
布とエポキシ樹脂のプリプレグ、後者はアラミド補強材
とエポキシ樹脂によるプリプレグである。両面基板及び
多層基板作製時の加熱加圧による樹脂硬化する前までの
段階をプリプレグと表現する。

【００５１】（Ｄ）熱硬化性樹脂熱硬化性樹脂とは、その分子が熱によって溶融、成長反
応、架橋反応を行い、三次元的に編状構造をもつ不溶不
融の高分子のことである。プリント基板用熱硬化性樹脂
としては、耐熱性、耐溶剤性の面から、エポキシ、フェ
ノール、メラミン、ポリエステルなどが使用される。ま
た、副材料として、硬化剤、変性剤、充填剤などを加
え、種々の反応温度のものが得られる。

【００５２】もっとも一般的に利用される熱硬化性樹脂
は、エポキシ樹脂である。エポキシ樹脂は、熱硬化性樹
脂の中で最も汎用的に使用される樹脂で、機械的、電気
的化学的特性に優れたものである。最近では、高密度実
装、高耐熱への要求から一般的なエポキシ樹脂に対し、
種々の形で変性されることが多くなってきている。

【００５３】耐熱性を向上させる目的で、ノボラック型
のフェノールを反応させたノボラックエポキシ樹脂があ
る。また、耐熱性とともに難燃性を得るために難燃剤を
添加する場合もある。

【００５４】（Ｅ）銅箔本発明の金属箔に使用される導体は、通常、銅を箔状に
した状態のものを使用する。銅箔の厚さは、１８〜７０
μm厚みのものが汎用的であり、電解銅箔が一般的であ
る。本発明の回路基板接続材に使用する銅箔は、導電性
樹脂組成物によるビア接続を行う観点から、通常、電気
的接続面には、粗化された銅箔面がくるようにする。こ
れは、接続信頼性の面から、粗化度合いが粗い方が接続
抵抗、機械的強度、信頼性の面で良好だからである。

【００５５】また、本発明の回路基板接続材を用いた多
層基板作製時には、接続する回路基板の電気的接続部分
は、黒化処理された銅箔が使用できない。これは、黒化
処理された面は酸化銅層が形成されており、そのため電
気的に絶縁されるための接続が得られない。望ましく
は、接続される基板表面の接続される部分の銅箔表面
は、前記同様粗化された銅箔がよい。

【００５６】以下に、具体的実施例を説明する。（実施例１〜４）以下に、本発明の一実施例における回
路基板接続材と回路基板接続材の製造方法について、図
面を参照しながら説明する。

【００５７】まず、使用する回路基板接続材のプリプレ
グをプリプレグ１〜４に示す。（１）プリプレグ１無機質補強材としてのガラス織布を構成する繊維糸とし
て、フィラメント直径４．６μmのＥ−ガラスを１イン
チ当たり４．４の撚り数のものを用いた。熱硬化性樹脂
には、高ガラス転移点のエポキシ樹脂として、シェルエ
ポン(Shell EPSON 1151B60)、ガラス転移点１８０℃の
ものを用いた。この樹脂に希釈溶剤として、メチルエチ
ルケトン（ＭＥＫ）を使用して樹脂含浸を行った。使用
したプリプレグラインは、樹脂含浸及び溶剤除去のため
の乾燥が連続して行えるものである。乾燥後の樹脂量
は、ガラスクロスに対して、約３０wt%であった。乾燥
後のプリプレグ厚みは、１２０μmであった。

【００５８】（２）プリプレグ２同様に、無機質補強材としてガラス不織布を用いたもの
で、含浸樹脂は、プリプレグ１と同一のものである。使
用したガラス不織布は、前記と同じガラス繊維を裁断し
たものを抄紙し、水分散型のエポキシ樹脂で接着させた
ガラス不織布ペーパーとしたものである。また、寸法安
定性を改良する意味で、無機充填剤としてアルミナ粉末
を添加した。樹脂含浸量は、ガラス織布に対し約４０wt
%で、プリプレグ厚みは１４０μmである。

【００５９】（３）プリプレグ３有機質補強材として芳香族ポリアミドを用いたものでデ
ュポン（E.I.Dupont）社製サーマウント("THERMOUNT"：
商標名)を使用した。これは、単位面積当たりの重量
（目付または坪量）が７２g/m²、ペーパー密度が0.5g/c
cのものである。含浸樹脂はエポキシ樹脂（Dow DER 532
A80）で、ガラス転移点１４０℃である。プリプレグ１
と同様の方法で樹脂含浸、乾燥を行った。樹脂含浸量は
５２wt%、プリプレグ厚みが１５０μmであった。

【００６０】（４）プリプレグ４同様に、有機質補強材である紙を使用したものとして紙
フェノールプリプレグがある。紙には坪量７０g/m2のク
ラフト紙を使用し、熱硬化性樹脂として、アルキルフェ
ノール類を加えた変性樹脂を使用した。樹脂量はクラフ
ト紙に対し、４８wt%、プリプレグ厚みが１４５μmであ
った。

【００６１】（５）導電性樹脂組成物本発明の導電性樹脂組成物の組成は、金属フィラーとし
て、銀、銅、ニッケルの球形状ならびにフレーク形状の
ものを使用した。樹脂組成として、ビスフェノールＦ型
エポキシ樹脂（エピコート８０７油化シェルエポキシ
製）、硬化剤としてアミンアダクト型硬化剤（ＭＹ−２
４味の素製）を使用した。上記組成物を三本ロールに
て混練し、導電性樹脂組成物を得た。

【００６２】図１は、上記したプリプレグ１〜４を使用
した本発明の実施例における回路基板接続材の製造工程
の一例を示す工程断面図である。まず、図１(a)に示す
ように、両面にポリエステルの離型性フィルム２(厚み
約１９μm)を備えたプリプレグ３による多孔質基材１を
準備した。離型性フィルム２の接合方法は、上記プリプ
レグの両面に離型性フィルム２で挟み、さらに、ステン
レス鋼鈑で挟み、１３５℃の温度で、２．０kg/cm²の圧
力で加熱加圧したものである。この時、プリプレグは加
熱加圧により、プリプレグが圧縮され内部の空孔１ａが
減少する。これにより、離型性フィルム２を有するアラ
ミドエポキシシートが得られた。

【００６３】次に、図１(b)に示すように、アラミドエ
ポキシシート１(厚み約１００μm)の所定の箇所に炭酸
ガスレーザー加工により貫通孔３(穴径約１５０μm)を
形成した。この貫通孔３は、レーザー照射側の開口部に
対して、他方レーザー排出側の開口部がより小さくなる
ように形成されており、その開口部にはレーザーで開口
された貫通孔３の周辺部がなめらかな曲線部を有する離
型性フィルム２の厚みよりフィルム厚を厚くした貫通孔
近傍部３ａを形成した。

【００６４】この貫通孔３を形成するための炭酸ガスレ
ーザーを用いた加工方法は、レーザー照射であって、レ
ーザーの加工エネルギーが１パルス当たり５〜３０ｍＪ
の範囲であり、レーザーのエネルギー強度のパルス幅が
３０〜５００μsecの範囲でレーザー照射加工した。す
なわち、開口部の周囲においては離型性フィルム２を蒸
発させることなく、熱により熱溶融させ、かつ、開口部
中央付近においては離型性フィルム２を熱により蒸発さ
せた開口部３ａを形成させるレーザーパワー領域を有す
るレーザービーム光を用いた加工方法を採用した。これ
により、離型性フィルム２がレーザービーム光により熱
溶融された後、自然冷却による凝固・収縮での表面張力
により、開口部周辺付近の熱溶融部が球状で、かつ、自
然凝固により離型性フィルム２の残存側に離型性フィル
ム２の厚みよりフィルム厚を厚くした貫通孔近傍部３ａ
を形成した貫通孔３を形成させた。

【００６５】次に、図１(c)に示すように、離型性フィ
ルム２の厚みよりフィルム厚を厚くした貫通孔近傍部３
ａを形成した貫通孔３に導電性樹脂組成物４ａ及び離型
性フィルムの厚みより厚く凸状に出た状態（使用フィル
ム厚１９μｍに対し、約７μｍの凸状部）に形成した導
電性樹脂組成物４ｂを充填することで、本発明の回路基
板接続材が作製できた。導電性樹脂組成物４ａ及び離型
性フィルムの厚みより厚く凸状に出た状態に形成した導
電性樹脂組成物４ｂを充填する方法としては、離型性フ
ィルム２の厚みよりフィルム厚を厚くした貫通孔近傍部
３ａを形成した貫通孔３を有するアラミドエポキシシー
トを印刷機（図示せず）のテーブル上に設置し、直接導
電性樹脂組成物４ａ、４ｂを離型性フィルム２の上から
印刷した。この時、上面の離型性フィルムは、印刷マス
クの役割と、アラミドエポキシシートの表面の汚染防止
の役割を果たしている。

【００６６】次に図１(d)に示すように、導電性樹脂組
成物４ａ及び離型性フィルムの厚みより厚く凸状に出た
状態に形成した導電性樹脂組成物４ｂを充填した有機質
多孔質基材の両面から、離型性フィルム２を剥離するこ
とにより、導電性樹脂組成物がアラミドエポキシシート
１の両表面から離型性フィルムの厚さより厚い凸状に出
た状態を形成した回路基板接続材を得た。

【００６７】そして図１(e)に示すように、導電性樹脂
組成物が有機質多孔質基材の両両表面から離型性フィル
ムの厚さより厚い凸状に出た状態を形成したアラミドエ
ポキシシート１に、厚さ１８μｍの、片面を粗面化した
銅箔５を内側にして両面に配置した状態を示している。
これらを重ね合わせ、熱プレスにより真空中（減圧下）
にて、１７０℃の温度で１時間加熱、加圧（40kg/cm²）
して基材の硬化と銅箔との接着を行い、図１(f)に示す
ように、アラミドエポキシシート１と銅箔５とが接着さ
れるとともに、アラミドエポキシシート１が初期の厚さ
t1からt2まで圧縮される（t1＞t2）。これにともない、
凸状に出た状態に出ている導電性樹脂組成物４ｂもアラ
ミドエポキシシート１の厚さt2まで圧縮される。

【００６８】このとき、アラミドエポキシシート１の一
構成成分であるエポキシ樹脂及び導電性樹脂組成物４
ａ，４ｂは硬化する。４ｃは硬化後の導電性樹脂組成物
である。加熱加圧プレスにより導電性樹脂組成物の硬化
とともに、それを介して両面の銅箔がアラミドエポキシ
シート１の厚さ方向に電気的に接続される。図１(f)は
その断面図である。

【００６９】図２(a)(b)は本発明の実施例１〜４におけ
る回路基板接続材の製造方法を示す工程断面図のうち、
その特徴を示す部分拡大図であって、図２(a)は離型性
フィルム２の厚みよりフィルム厚を厚くした貫通孔近傍
部３ａを形成した貫通孔に導電性樹脂組成物４ａ，４ｂ
を充填した工程、図２(b)はプリプレグ（アラミドエポ
キシシート１）の両表面から離型性フィルム２を剥離す
ることにより、導電性樹脂組成物がアラミドエポキシシ
ート１の両表面から離型性フィルムの厚さより厚い凸状
に出た状態を形成した工程である。

【００７０】（実施例５〜８）前記実施例１〜４のよう
にして作製した回路基板接続材を使用して、以下に両面
回路基板の作成方法を説明する。

【００７１】図３(a)は、前記の回路基板接続材であ
る。図３(b)は、この回路基板接続材に導電性樹脂組成
物を充填した後、その両面にある離型性フィルム２を剥
離したものである。図３(c)は、厚さ１８μｍの片面を
粗化処理した銅箔を粗化処理面を内側にして両面に配置
し、これらを重ね合わせ、熱プレスにより真空中（減圧
下）にて１７０℃の温度で１時間加熱、加圧（40kg/c
m²）して基材の硬化と銅箔との接着を行った後の断面図
である。

【００７２】次に、両外層の配線６を形成するため、フ
ォトリソグラフィー法にて回路パターンを形成した。詳
細には、前記積層基板の両面にドライフィルムを熱ロー
ルにて貼り合わせ、パターンを紫外線露光して銅箔を残
す部分だけ硬化させた。次に、未硬化部分を現像処理で
取り除き、塩化銅溶液中でエッチングした。さらに、余
分なドライフィルムを剥離して配線パターン６を形成す
る方法により形成した。図３(d)に本実施例の両面回路
基板の完成図を示す。

【００７３】（実施例９）次に、本発明の回路基板接続
材を用いた多層基板の製造方法の例を示す。回路基板接
続材は実施例１〜４に示した材料および製造方法により
得られたものが使用できる。その製造手順を図４に示し
た。具体的には、実施例５〜８で得られた両面回路基板
の間に、実施例１〜４で得られた回路基板接続材を挟持
し、加熱、加圧することにより、多層（４層）の回路基
板を得た。

【００７４】図４(a)〜(c)はそれぞれ図１の(b),(d),
(f)に相当する工程断面図である。図４(d)は、図３で示
した製造方法により得られる両面回路基板の断面図を示
す。具体的には、硬化した導電性樹脂組成物で両面の銅
箔が電気的に接続された両面銅張基材（図４(c)）の銅
箔を一般的なフォトリソグラフ法を用いてエッチング
し、配線パターンを形成することにより、両面に配線パ
ターンを有する回路基板（図４(d)）が得られた。

【００７５】図４(e)は、図４(d)で示される２枚の両面
回路基板の間に、図４(b)で示される回路基板接続材を
配置した状態を示している。これらを重ね合わせ、加
熱、加圧することにより、前記接続材の硬化と銅箔の接
着とともに、接続材中の導電性樹脂組成物と銅箔とが電
気的接続された４層の回路基板を得た（図４(f)）。

【００７６】図５は、本発明の実施例１〜４で得られた
回路基板接続材と実施例５〜８で得られた両面回路基板
を用いて得られる多層基板（４層基板）の別の製造工程
の一例を示す工程断面図である。

【００７７】図５(a)〜(d)はそれぞれ図４の(a)〜(d)に
相当するものである。図５(e)は、図５(b)で示される２
枚の回路基板接続材の間に、図５(d)で示される両面回
路基板を配置するとともに、前記接続材の外側に銅箔を
配置した状態を示している。これらを重ね合わせ、加
熱、加圧することにより、前記接続材の硬化と銅箔の接
着とともに、接続材中の導電性樹脂組成物と銅箔とを電
気的に接続させた。

【００７８】次に最外層の銅箔５を一般的なフォトリソ
グラフ法を用いてエッチングし、配線パターンを形成す
ることにより、最外層を含め、計４層の回路基板（図５
(e)）が得られた。

【００７９】（実施例１０）次に、本発明の回路基板接
続材を用いたもう一つの多層基板の製造方法の例を示
す。実施例９と同様、回路基板接続材は実施例１〜４に
示した材料および製造方法により得られたものが使用で
きる。その製造手順を図５に示した。具体的には、実施
例５〜８で得られた両面回路基板の両面に、実施例１〜
４で得られた回路基板接続材を配置し、さらに前記回路
基板接続材の最外層表面に金属箔を重ねた後、加熱加圧
し、前記金属箔を加工して回路パターンを形成すること
により、多層（４層）の回路基板を得た。実施例９を含
め、本工程を繰り返すことにより、以下６層、８層等の
多層回路基板の製造が可能となる。

【００８０】（実施例１１〜１４）次に、本発明の回路
基板接続材を用いた実施例９〜１０とは別構造の多層基
板の製造方法の例を示す。組み合わせる回路基板とし
て、ガラスエポキシ基材による両面板を２枚用いた。本
ガラスエポキシ両面板の作製条件は、ガラス織布に前記
と同様ＦＲ−４相当の熱硬化性樹脂を含浸させたプリプ
レグ（厚み約１００μm）を４枚重ねた。さらに、厚み
３５μmの両面を粗化処理した銅箔を両面に重ね合わせ
た。熱プレスにより真空中にして１７０℃の温度で１時
間加熱加圧（４０kg/cm²）して基材の硬化と銅箔の接着
を行った。

【００８１】このようにして作製された基板の所定の位
置にドリル加工機にて穴径０．６mmの穴加工を行い、さ
らに銅メッキしてスルーホール内壁と上層部全面に銅メ
ッキ皮膜を形成した。この後、上層配線を形成するため
フォトリソグラフィー法にて回路パターンを形成する。

【００８２】以上のようにして作製されたガラスエポキ
シ両面基板と、同様にして作製した別パターンのガラス
エポキシ両面基板を用い、両面板の中間に前記実施例１
〜４の回路基板接続材の両面にある離型性フィルムを剥
離して位置合わせして積層し、熱プレスにより前記と同
様の条件下で加熱加圧した。

【００８３】図６に積層前の本実施例の断面構成図を示
す。２３はガラスエポキシ基材、２５はドリル加工穴、
２６は銅メッキスルーホール、２４は銅配線パターンで
ある。回路基板接続材２１を中間にし、前記両面基板で
挟持した構造を有している。

【００８４】この時、前記両面基板の電気的に接続すべ
き箇所には、接続のためのランドを有しており前記ラン
ド部分に前記回路基板接続材２１の導電性樹脂組成物２
２ａ、２２ｂが位置するようにした。したがって、前記
ドリル加工によって形成されたスルーホール部２６には
前記回路基板接続材２１の導電性樹脂組成物２２ａ、２
２ｂがこないような構造にする必要がある。以上のよう
にして作製された多層体は、配線層が４層存在する４層
基板であり、前記両面基板のスルーホール部分２６に
は、前記回路基板接続材２１のエポキシ樹脂が流入して
おり、完全に密閉された構造を有していた。

【００８５】（実施例１５〜１８）本発明の実施例にお
ける回路基板接続材について説明する。回路基板接続材
は、実施例１〜４と同様なものを用いた。

【００８６】図７は、本発明の一実施例における多層回
路基板の積層前の断面構成図であり、以下図面を参照に
しながら説明する。組み合わせる回路基板として、ガラ
スエポキシ基材による４層基板を用いた。本４層基板の
作製条件は、ガラス織布に前記と同様の熱硬化性樹脂を
含浸させたプリプレグ（厚み約１００μm）を４枚重
ね、さらに厚み３５μmの片面を粗化処理した銅箔を両
面に重ね合わせ、熱プレスにより真空中（減圧下）にて
１７０℃の温度で１時間加熱加圧（４０kg/cm²）して基
材の硬化と銅箔の接着を行った。銅箔の接着の後、フォ
トリソグラフィ−法で配線パターンの形成を行った。

【００８７】具体的には、ドライフィルムをラミネータ
を用いて両面に貼り合わせ、パターンを露光後、現像、
エッチング、ドライフィルム剥離を行う方法である。次
に、前記パターン形成した基板の銅箔表面を黒化処理
し、さらにその両面に前記プリプレグを２枚ずつ配置
し、片面粗化銅箔を粗化面を内側にして同様に両面に配
置して再度熱プレスにより積層した。

【００８８】本基材をドリル加工機で所望の位置に穴開
け加工を行った。穴径０．６mmの穴加工を行い、さらに
銅メッキしてスルーホール内壁と上層部全面に銅メッキ
皮膜を形成した。この後、上層配線を形成するためフォ
トリソグラフィー法にて回路パターンを形成した。

【００８９】以上のようにして作製されたガラスエポキ
シ４層基板を中間層として、前記回路基板接続材の両面
にある離型性フィルムを剥離し、前記４層基板の両面に
位置合わせして重ね合わせ、再度片面粗化銅箔を図７の
ように配して積層し、熱プレスにより前記と同様の条件
下で加熱加圧した。

【００９０】このようにして作製された多層基板の表層
銅箔を前記と同様、フォトリソグラフィー法でパターン
形成を行った。図７において、３１は前記ガラスエポキ
シ４層基板、３２はドリル加工穴、３３は銅メッキスル
ーホール、３４はフォトリソグラフィー法で作製した銅
配線パターンである。回路基板接続材３５，３６を前記
ガラスエポキシ４層基板３１の両面に配し、さらに片面
粗化銅箔３７，３８で挟持した構造を有している。

【００９１】この時、前記４層基板３１と回路基板接続
材３５，３６の電気的に接続すべき箇所には、接続のた
めのランド４１と導電性樹脂組成物３９ａ、３９ｂ及び
４０ａ、４０ｂを有しており、前記ランド部分４１に前
記回路基板接続材３５，３６の導電性樹脂組成物３９
ａ、３９ｂ及び４０ａ、４０ｂが位置するようにした。
したがって、前記ドリル加工によって形成されたスルー
ホール部３３には、前記回路基板接続材３５，３６の導
電性樹脂組成物３９ａ、３９ｂ及び４０ａ、４０ｂがこ
ないような構造にする必要がある。

【００９２】以上のようにして作製された多層体は、配
線層が６層存在する６層基板であり、前記両面基板のス
ルーホール部分３３には前記回路基板接続材３５，３６
のエポキシ樹脂が流入しており、完全に密閉された構造
を有している。

【００９３】またさらに、積層数の多い多層回路基板を
製造するには、前記の工程を必要な回数繰り返し行うこ
とで、より多層体を作製することができる。また、前記
中間接続体と前記回路基板接続材の所望の枚数用意し、
一括して積層を行うことでも、同様により多層配線を有
する基板が得られる。

【００９４】なお、本多層基板作製において、回路基板
接続材で挟持されたガラスエポキシ４層回路基板の代わ
りに、前記回路基板接続材より作製したアラミドエポキ
シ両面基板（実施例７）を使用した場合も、良好な性能
を示した。

【００９５】以上説明した多層回路基板の製造方法にお
いては、検査済みの回路基板と回路基板接続材を用いて
行うため、高い工程歩留まりが確保でき、コスト上昇が
抑えられた。

【００９６】また、以上説明した製造方法により製造さ
れた多層回路基板では、第１の回路基板と第２の回路基
板とが加熱加圧により圧縮する回路基板接続材を用いて
相互接続されており、高積層基板が比較的容易に作成す
ることができる。

【００９７】以上説明した通り、本発明の実施例によれ
ば、離型性フィルムを表面に有する被圧縮性を有し不織
布と熱硬化性樹脂の複合材からなる多孔質基材に穴加工
し、導電性樹脂組成物が前記離型性フィルムの厚みより
厚く充填された構造を有する回路基板接続材として使用
することによって、比較的安定に作製できる両面基板や
４層基板を簡便に、より高多層な基板にすることが可能
となるものである。

【００９８】本実施例の回路基板接続材は、多孔質基材
が加熱加圧によって圧縮され導電性樹脂組成物も圧縮さ
れるが、その時に導電物質間からバインダ成分が押し出
され、導電性物質どうし及び導電物質と金属箔間の結合
が強固になり、導電性樹脂組成物中の導電物質が緻密化
される。また、離型性フィルムを剥離後、導電性樹脂組
成物が有機質多孔質基材の表面から、離型性フィルムの
厚みより厚く凸状に出た状態を形成しているため、これ
により積層後の導電物質の充填量が増加し、接続抵抗が
小さくなる。

【００９９】さらに、被圧縮性を有し、不織布と熱硬化
性樹脂の複合材からなる多孔質基材を使用することによ
って、回路基板どうしの接続が可能であるだけでなく、
最上層配線用の金属箔をも加熱加圧によって、強固に接
着することができる。また、多層回路基板の作製では、
ドリル加工及びメッキ加工が不要となり、地球環境上有
利である。

【０１００】

【発明の効果】前記した通り、本発明によれば、離型性
フィルムを両面に備えた多孔質基材の所望の位置に貫通
孔を有し、前記貫通孔に導電性樹脂組成物が前記離型性
フィルムの厚みより厚く充填されていることにより、イ
ンナービアホール接続を可能にし、高信頼性及び高品質
の回路基板接続材を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１〜４における回路基板接続材
の製造方法を示す工程断面図であって、（a）は有機質
多孔質基材の両面に離型性フィルムを配置した工程、
（b）は所定の箇所に離型性フィルムの厚みよりフィル
ム厚を厚くした貫通孔近傍部を形成した工程、（c）は
離型性フィルムの厚みより厚く凸状に出た状態を形成し
た貫通孔に導電性樹脂組成物を充填させた工程、（d）
は貫通孔に導電性樹脂組成物が離型性フィルムの厚みよ
り厚く凸状に出た状態を形成させた工程、（e）はプリ
プレグの両面に銅箔などの金属箔を貼り付けた工程、
（f）は加熱加圧プレスした後の工程を示す。

【図２】本発明の実施例１〜４における回路基板接続材
の製造方法を示す工程断面図であって、（a）は、離型
性フィルムの厚みよりフィルム厚を厚くした貫通孔近傍
部を形成した貫通孔に導電性樹脂組成物を充填させた工
程の部分拡大図、（b）はプリプレグの両表面から離型
性フィルムを剥離した状態図を示す。

【図３】本発明の実施例５〜８における回路基板接続材
を用いた多層回路基板の工程断面図であって、（a）は
回路基板接続材、（b）は未硬化回路基板接続材に銅箔
を両面に重ね合わせた工程、（c）は銅箔を積層後、加
熱加圧プレスにより導電性樹脂組成物が硬化した後の工
程（d）はエッチングにより回路パターンが形成された
両面回路基板の完成した工程を示す。

【図４】本発明の実施例９における回路基板接続材を用
いた多層回路基板の断面図であり、(a)〜(c)はそれぞれ
図１の(b),(d),(f)に相当する工程断面図、(d)は、両面
回路基板の断面図、(e)は、図４(d)で示される２枚の両
面回路基板の間に、図４(b)で示される回路基板接続材
を配置した状態を示し、(f)は、得られた４層の回路基
板を示す。

【図５】本発明の実施例１０における回路基板接続材を
用いた多層回路基板の断面図であり、(a)〜(d)はそれぞ
れ図４の(a)〜(d)に相当する工程断面図、(e)は、図５
(b)で示される２枚の回路基板接続材の間に、図５(d)で
示される両面回路基板を配置するとともに、前記接続材
の外側に銅箔を配置した状態を示す断面図、(f)は、得
られた４層の回路基板を示す。

【図６】本発明の実施例１１〜１４における回路基板接
続材を用いた多層回路基板の断面図である。

【図７】本発明の実施例１５〜１８における回路基板接
続材を用いた多層回路基板の断面図である。

【図８】(a)〜(f)は従来の回路基板の製造方法を示す工
程断面図である。

【符号の説明】

１多孔質基材(アラミドエポキシシート）１ａ内部空孔２離型性フィルム３貫通孔３ａ貫通孔開口部４ａ導電性樹脂組成物４ｂ導電性樹脂組成物の離型性フィルムより厚い突
出部分４ｃ硬化した導電性樹脂組成物５銅箔６配線パターン２１回路基板接続材２２ａ導電性樹脂組成物２２ｂ導電性樹脂組成物の離型性フィルムより厚い突
出部分２３ガラスエポキシ基材２４銅配線パターン２５ドリル加工穴２６銅メッキスルーホール３１ガラスエポキシ４層基板３２ドリル加工穴３３銅メッキスルーホール３４銅配線パターン３５，３６回路基板接続材３７，３８銅箔３９ａ導電性樹脂組成物３９ｂ導電性樹脂組成物の離型性フィルムより厚い突
出部分４０ａ導電性樹脂組成物４０ｂ導電性樹脂組成物の離型性フィルムより厚い突
出部分４１ランド５１多孔質基材(アラミドエポキシシート）５１ａ内部空孔５２離型性フィルム５３貫通孔５４導電性樹脂組成物５５金属箔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小山雅義大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5E344 AA01 AA19 BB02 BB06 BB10 CD02 CD06 CD27 CD31 DD06 EE21 5E346 AA16 AA41 CC05 CC09 CC13 CC41 DD02 EE09 EE43 FF22 GG15 GG28 HH32

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】離型性フィルムを両面に備えた多孔質基
材の所望の位置に貫通孔を有し、前記貫通孔に導電性樹
脂組成物が前記離型性フィルムの厚みより厚く充填され
ていることを特徴とする回路基板接続材。
【請求項２】導電性樹脂組成物が前記離型性フィルム
の厚みより２０〜５０％の範囲厚く充填されている請求
項１に記載の回路基板接続材。
【請求項３】多孔質基材が、耐熱性合成繊維製不織布
に未硬化状態の熱硬化性樹脂を含浸させた複合材である
請求項１に記載の回路基板接続材。
【請求項４】耐熱性合成繊維製不織布がアラミド繊維
不織布からなり、かつ未硬化状態の熱硬化性樹脂がエポ
キシ樹脂からなる請求項３に記載の回路基板接続材。
【請求項５】耐熱性合成繊維製不織布が紙からなり、
未硬化状態の熱硬化性樹脂がフェノール樹脂またはエポ
キシ樹脂からなる請求項３に記載の回路基板接続材。
【請求項６】導電性樹脂組成物中の導電物質が、銀、
ニッケル、銅及びこれらの合金から選ばれる少なくとも
一つの金属粉末である請求項１に記載の回路基板接続
材。
【請求項７】導電性樹脂組成物中の樹脂成分が、有機
質多孔質基材の熱硬化性樹脂と実質的に同一である請求
項１に記載の回路基板接続材。
【請求項８】貫通孔がレーザー光照射によって形成さ
れている請求項１に記載の回路基板接続材。
【請求項９】導電性樹脂組成物が充填されている孔部
分の直径が３０〜５００μｍの範囲である請求項１に記
載の回路基板接続材。
【請求項１０】導電性樹脂組成物が充填されている部
分のピッチが５０μm以上である請求項１に記載の回路
基板接続材。
【請求項１１】レーザーで開口された貫通孔の周辺部
がなめらかな曲線である請求項１に記載の回路基板接続
材。
【請求項１２】貫通孔の一方の開口部が、他方の開口
部がより小さく形成されている請求項１に記載の回路基
板接続材。
【請求項１３】離型性フィルムを両面に備えた多孔質
基材の所望の位置に貫通孔を有し、前記貫通孔に導電性
樹脂組成物が前記離型性フィルムの厚みより厚く充填さ
れ、その後前記離型性フィルムが剥離されて前記導電性樹脂
組成物が前記多孔質基材の両表面から前記離型性フィル
ムの厚みより厚く凸状に出た状態に形成されていること
を特徴とする回路基板接続材。
【請求項１４】離型性フィルムを両面に備えた多孔質
基材の所望の位置に貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電
性樹脂組成物が充填されてなる回路基板接続材の製造方
法であって、前記多孔質基材の貫通孔形成時に、前記貫
通孔近傍の前記離型性フィルムのフィルム厚を厚くする
ことを特徴とする回路基板接続材の製造方法。
【請求項１５】導電性樹脂組成物を前記離型性フィル
ムの厚みより２０〜５０％の範囲厚く充填する請求項１
３または１４に記載の製造方法。
【請求項１６】貫通孔の形成手段がレーザー照射であ
って、レーザーの加工エネルギーが１パルス当たり５〜
３０ｍＪの範囲であり、レーザーのエネルギー強度のパ
ルス幅が３０〜５００μsecの範囲で加工する請求項１
３または１４に記載の製造方法。
【請求項１７】少なくとも２層の回路パターンを有す
る回路基板と、少なくとも１層の回路パターンを有する
回路基板との間に、請求項１３に記載の多孔質基材の両
表面から凸状に出た状態に形成されている回路基板接続
材を挟持し、加熱加圧することを特徴とする多層回路基
板の製造方法。
【請求項１８】少なくとも２層の回路パターンを有す
る回路基板の両面に、請求項１３に記載の多孔質基材の
両表面から凸状に出た状態に形成されている回路基板接
続材を配置して前記回路基板を挟持し、さらに前記回路
基板接続材の最外層表面に金属箔を重ねた後、加熱加圧
し、前記金属箔を加工して回路パターンを形成すること
を特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項１９】多孔質基材が、耐熱性合成繊維製不織
布に未硬化状態の熱硬化性樹脂を含浸させた複合材であ
る請求項１３，１４，１７または１８に記載の製造方
法。
【請求項２０】耐熱性合成繊維製不織布がアラミド繊
維不織布からなり、かつ未硬化状態の熱硬化性樹脂がエ
ポキシ樹脂からなる請求項７に記載の回路基板接続材。
【請求項２１】耐熱性合成繊維製不織布が紙からな
り、未硬化状態の熱硬化性樹脂がフェノール樹脂または
エポキシ樹脂からなる請求項１９に記載の製造方法。
【請求項２２】導電性樹脂組成物中の導電物質が、
銀、ニッケル、銅及びこれらの合金から選ばれる少なく
とも一つの金属粉末である請求項１３，１４，１７また
は１８に記載の製造方法。
【請求項２３】導電性樹脂組成物中の樹脂成分が、有
機質多孔質基材の熱硬化性樹脂と実質的に同一である請
求項１３，１４，１７または１８に記載の製造方法。
【請求項２４】少なくとも２層の回路パターンを有す
る回路基板及び少なくとも１層の回路パターンを有する
回路基板が、銅箔配線と銅メッキスルーホールを有する
ガラスエポキシ回路基板からなる請求項１７または１８
に記載の製造方法。
【請求項２５】少なくとも２層の回路パターンを有す
る回路基板及び少なくとも１層の回路パターンを有する
回路基板が、アラミド繊維不織布と熱硬化性エポキシ樹
脂回路基板からなる請求項１７または１８に記載の製造
方法。
【請求項２６】貫通孔をレーザー光照射によって形成
する請求項１７または１８に記載の製造方法。
【請求項２７】導電性樹脂組成物が充填されている孔
部分の直径が３０〜５００μｍの範囲である請求項１
３，１４，１７または１８に記載の製造方法。
【請求項２８】導電性樹脂組成物が充填されている孔
部分のピッチが５０μm以上である請求項１３，１４，
１７または１８に記載の製造方法。
【請求項２９】レーザーで開口された貫通孔の周辺部
がなめらかな曲線である請求項１３，１４，１７または
１８に記載の製造方法。
【請求項３０】レーザーで加工した貫通孔の形状とし
て、レーザー照射側の開口部に対して、他方レーザー排
出側の開口部がより小さくなるように形成している請求
項１３，１４，１７または１８に記載の製造方法。