JP2000173373A - 真空バルブ用接点材料、及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた裁断特性と大電流遮断特性を兼備した
接点材料及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ５０ｖｏｌ％以下のＣｕと残部がＴｉＣ
からなる真空バルブ用接点材料の、ＴｉＣの最大粒径を
１０μｍ以下とすることにより、過大な裁断電流値の発
生を抑制できる。この接点材料は、ＴｉＣ粉末７５〜９
０ｖｏｌ％とＣｕ１０〜２５ｖｏｌ％とを混合した後、
成形し、Ｃｕを溶浸して製造する。また、接点材料の被
アーク面を５０ｖｏｌ％以上のＴｉＣとし、被アーク面
の裏側の面に向かって、Ｃｕの割合を段階的に増加させ
る。これにより、優れた低裁断特性及び大電流遮断特性
が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、真空バルブ用接
点材料に関し、特に、低電流裁断特性及び大電流遮断特
性を兼備した接点材料及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】真空遮断器は、優れた遮断性能を有する
反面、電流遮断時の急激な電流変化（電流裁断現象）に
より発生するサージが系統や負荷に及ぼす影響が問題で
あった。特に、モーターなどの高サージインピーダンス
の負荷に用いる場合、大きなサージが発生するため、サ
ージ保護装置を併用する場合が多かった。しかし、この
ようなサージ保護装置は、油を含むのが一般的で、真空
遮断器の持つ環境調和及び不燃構造といった利点を阻害
するものとなっていた。

【０００３】そこで、近年電流遮断瞬時の電流の落差
（裁断電流値）が小さい低サージ型真空遮断器が発明さ
れ、７．２ｋＶクラスの分野において使用されるように
なってきた。

【０００４】このような遮断器には、Ａｇ−ＷＣ−Ｃ
ｏ、あるいは、Ａｇ／Ｃｕ−ＷＣ−ＣｏのようなＡｇを
主成分とする導電性金属と高融点炭化物のＷＣとを組み
合わせた接点材料が用いられている。

【０００５】このうちＡｇ−ＷＣ−Ｃｏの電流裁断特性
は非常に優れているが、導電成分の蒸気圧が高すぎるた
め、遮断能力は十分とはいえず、高々２０ｋＡ級の遮断
器への適用のみにとどまっている。

【０００６】また、Ａｇ／Ｃｕ−ＷＣ−Ｃｏは、Ａｇ−
ＷＣ−Ｃｏに比べて幾分高い遮断特性を有するが、３
１．５ｋＡ及び４０ｋＡといったさらに大きな遮断電流
値の定格に適用するにはやはり遮断性能が不十分なた
め、非常に大きな接点を用いざるを得ない。

【０００７】そこで、Ａｇ系導電成分に比べ蒸気圧の低
いＣｕを用いたＣｕ−ＴｉＣ接点材料が開発されてき
た。この接点材料では、裁断特性面で不利な蒸気圧の低
いＣｕを用いながらも、熱電子放出特性の優れたＴｉＣ
を耐アーク成分としてＷＣの替わりに用いることで、低
裁断化を図っている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】Ｃｕ−ＴｉＣは、Ａｇ
−ＷＣに比べ優れた裁断特性と遮断特性を有している
が、その裁断特性が最適な組成領域の接点材料を実現す
るためには解決が必要な製造上の問題がある。

【０００９】金属炭化物接点の場合、低裁断特性は、炭
化物５０〜６０ｖｏｌ％の範囲で最も良好となる。この
炭化物の量は、溶浸前の炭化物スケルトンの空隙量で制
御するのが一般的である。目標の空隙量を、成形圧力の
調整により達成しようとした場合、非常に高い圧力を要
するので、従来Ａｇ−ＷＣ−Ｃｏ接点では、ＷＣの焼結
助材として有効な成分であるＣｏのスケルトンヘの添加
により、１〜２ｔｏｎの比較的低い圧力で成形しても焼
結時にスケルトンの空隙が低減し、所定の空隙量にする
ことが可能であった。

【００１０】しかし、Ｃｕ−ＴｉＣは導電成分にＣｕを
用いているため、このようなＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉといった
焼結助材はＣｕの固溶により導電率を低減させてしま
う。本発明は、第１に、上記の問題に鑑みなされたもの
であり、最適組成のＣｕ−ＴｉＣを実現することによ
り、優れた裁断特性を有する接点材料を提供することを
第１の目的とする。

【００１１】本発明のもう一つの目的は、Ｃｕ−ＴｉＣ
接点の遮断能力の向上である。Ｃｕ−ＴｉＣの遮断能力
はＡｇ−ＷＣより優れているが、汎用の真空バルブ用接
点であるＣｕ−Ｃｒにはまだ及ばない。接点材料の遮断
能力は、遮断瞬時の接点表面の温度が低く、熱電子放出
量や蒸気発生量が少ないほど良好である。従って、Ｃｕ
−ＴｉＣの場合、ＴｉＣの量をある程度減少させた方が
遮断性能は高まるが、同時に裁断特性は低下してしま
う。

【００１２】本発明は、第２に、上記に鑑みなされたも
ので、接点材料組織形態を最適化することにより、優れ
た裁断特性と同時に遮断特性を兼備させることを、第２
の目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】第１の目的を達成するた
めに、焼結助材を用いずに、スケルトンの相対密度の必
要な値に到達するには、成形時に密度を高める必要があ
る。そこで、本発明では、原料ＴｉＣ粉の粒度分布の調
整により、この目的が達成できることを見出した。

【００１４】すなわち、請求項１の真空バルブ用接点材
料は、５０ｖｏｌ％以下のＣｕと残部がＴｉＣからなる
真空バルブ用接点材料において、ＴｉＣの最大粒径が１
０μｍ以下であることを要旨とする。

【００１５】これにより、過大な裁断電流値の発生を抑
制することが可能となる。請求項２の真空バルブ用接点
材料では、５０ｖｏｌ％以下のＣｕと残部がＴｉＣから
なる真空バルブ用接点材料において、ＴｉＣ粒子の５〜
３０ｖｏｌ％の粒径が０．８μｍ以下で、残りのＴｉＣ
粒子の粒径が平均０．８〜１０・０μｍであることを要
旨とする。

【００１６】これにより、比較的低い圧力でスケルトン
の密度が溶浸後の接点組成を最適組成とするのに適切な
範囲の値とすることが可能となる。このような接点材料
を得るために、請求項３の真空バルブ用接点の製造方法
は、粒径が平均０．４〜０．９μｍで最大粒径が５μｍ
以下の粒度分布を有する粉末１０〜５０％と、粒径が平
均１．０〜３．０μｍで最大粒径が１０μｍ以下である
粉末５０〜９０％を混合した粉末を成形し、この成形体
にＣｕを溶浸して製造することを要旨とする。

【００１７】このような割合とすることにより、粗い粉
末の間に細かい粉末が充填され、粉末の充填密度及び成
形密度が高まる。請求項４の真空バルブ用接点の製造方
法は、ＴｉＣ粉末７５〜９０ｖｏｌ％とＣｕ１０〜２５
ｖｏｌ％とを混合した後、成形し、Ｃｕを溶浸して製造
することを要旨とする。

【００１８】このＣｕの混合によりその後溶浸されるＣ
ｕとＴｉＣとの濡れ性が改善され、空孔の少ない健全な
溶浸体が得られる。一方、第２の目的の達成のために、
請求項５の真空バルブ用接点材料は、被アーク面が５０
ｖｏｌ％以下のＣｕと５０ｖｏｌ％以上のＴｉＣを有す
る真空バルブ用接点材料において、接点の厚さ方向にＣ
ｕとＴｉＣの比が変化し、被アーク面の裏側の面に向か
って、Ｃｕの割合が段階的に増加することを要旨とす
る。

【００１９】このように、接点表面のＴｉＣ量を５０ｖ
ｏｌ％以上とすることにより、優れた低裁断特性を発揮
させると同時に、接点内部に向かってＴｉＣの割合を減
らすことにより、遮断時に発生する熱を熱伝導によって
接点表面から拡散し易くし、優れた大電流遮断特性を発
揮させることが可能となる。

【００２０】請求項６の真空バルブ用接点材料が示すよ
うに、接点表面のエロージョンを抑制するには、ＴｉＣ
量を５０ｖｏｌ％以上である領域が１ｍｍ以上必要であ
る。また、請求項７の真空バルブ用接点材料が示すよう
に、熱伝導の観点から裏面はＣｕであることが望まし
い。

【００２１】また、少なくとも被アーク面は、請求項８
の真空バルブ用接点材料が示すように、ＴｉＣ粒子の５
〜３０ｖｏｌ％の粒径が０．８μｍ以下で、残りのＴｉ
Ｃ粒子の粒径が平均０．８〜１０．０μｍであることが
望ましい。

【００２２】これにより、大電流遮断特性と同時により
一層優れた低裁断特性が得られる。上記のような接点材
料を製造するために、請求項９の真空バルブ用接点材料
の製造方法においては、異なる成形圧力で成形したＴｉ
Ｃ粉末成形体を積層して成形体よりわずかに大きい型に
入れ、重ねた方向に再度成形圧力をかけることにより一
体化した後、Ｃｕを溶浸して製造することを要旨とす
る。

【００２３】この製造方法の溶浸工程において、請求項
１０のように、Ｃｕを溶浸する際、成形体の空隙の体積
より５ｖｏｌ％以上過剰のＣｕを溶浸して、成形体表面
を覆うＣｕを残すことにより、被アーク面の裏面側に配
するＣｕの層を形成することにより、裏面をＣｕとした
接点の製造が可能となる。

【００２４】さらに、請求項１１に記したように、混合
工程において、ＴｉＣ粉末に１０〜２５ｖｏｌ％のＣｕ
粉末を添加しておくことにより、ＣｕのＴｉＣに対する
濡れ性が改善され、接点の健金性を高めることが可能と
なる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。なお、以下の図におい
て、同符号は同一部分または対応部分を示す。まず、図
１及び図２を用いて、本発明の実施形態に係る真空バル
ブ用接点材料が適用される真空バルブの構成例を説明す
る。

【００２６】１において１は遮断室であり、遮断室１
は、絶縁材料によりほぼ円筒状に形成された絶縁容器２
と、その両端に封止金属３ａ，３ｂを介して設けた金属
製の蓋体４ａ，４ｂとで真空気密に構成されている。

【００２７】遮断室１内には、電極棒５，６の対向する
端部に取り付けられた電極７，８が配設され、図面上部
の電極７は固定電極、下部の電極８は可動電極となって
いる。可動電極８と電極棒６との間にはベローズ９が取
り付けられ、遮断室１内を真空気密に保持しながら、電
極棒６を軸方向に移動可能としている。

【００２８】ベローズ９の上部には、金属製のアークシ
ールド１０が設けられ、アーク生成物の蒸着膜等がベロ
ーズ９に付着するのを防止している。また、遮断室１内
には、固定電極７及び可動電極８を覆うように、アーク
シールド１１が設けられ、アーク生成物の蒸着膜等が絶
縁容器２に付着するのを防止している。

【００２９】可動電極８は、図２に示すように、電極棒
６に、ろう付け層１２によりろう付けされ（あるいはか
しめにより）接続されている。電極７、８の接触部に
は、本発明により製造される接点材料が配設されてい
る。図２には、第１、第２、及び第３の層１５，１６，
１７からなる接点１３ｂがろう付け層１４により可動電
極８にろう付けされ接続されたものが示されている。

【００３０】次に本発明の実施形態に係る真空バルブ用
接点材料及びその製造方法を図３及び図４を用いて順に
説明する。図３に、各実施例及び比較例の製造方法につ
いて示す。最大粒径１０μｍのＴｉＣと平均粒径４０μ
ｍのＣｕとを体積比で８４対１６の混合比で混ぜ、６ｔ
ｏｎで成形し、１１５０℃で３０分間の熱処理で成形体
の空隙の１．０５倍の体積のＣｕを溶かして溶浸する製
造プロセスを本実施形態の第１の基本プロセスとする。

【００３１】この第１の基本プロセスの成形圧を変化さ
せ、空隙率の異なる数種類のＴｉＣ−Ｃｕ混合粉末の成
形体を作成し、これらを積層して成形体よりわずかに大
きい径を有する型に入れ、重ねた方向に再度成形圧力を
加えることにより一体化した後、Ｃｕを溶浸して表面か
ら裏面に段階的にＴｉＣ含有量が低下する接点を製造す
るプロセスを第２の基本プロセスとする。

【００３２】これらの基本プロセスの製造パラメータを
変化させて、種々の接点を製造し、成形時に成形体のク
ラックの有無を調べ、クラック無しあるいはわずかな成
形体のみＣｕを溶浸し、材料組成、ガス含有量を調べ、
後述の方法に従い、遮断特性及び裁断特性を評価した。

【００３３】図４に示す各実施例及び比較例で製造した
接点材料の材料的特性及び電気的特性のデータを得た方
法及び評価条件について述べる。本発明の製造方法で製
造される接点材料は、大電流遮断特性、裁断特性及び大
電流通電特性の兼備を目的としているので、これらのう
ち大電流遮断特性、裁断特性を下記に示す電気的特性評
価により行った。また、通電特性については接点材料の
導電率を渦電流測定方式の導電率計により測定し評価し
た。 １）大電流遮断特性：遮断試験をＪＥＣ規格の５号試験
により行い、これにより遮断特性を評価し、合格、不合
格を図４に示した。 ２）電流裁断特性：各接点を取り付けて１０-5Ｐａ以下
に排気した組み立て式バルブを作成し、この装置を０．
８ｍ／秒の開極速度で開極させ小電流を遮断した時の裁
断電流値を測定した。遮断電流値は２０Ａ（実効値）、
５０Ｈｚとした。開極位相はランダムに行い、５００回
遮断したときの裁断電流値を電極数３組につき測定し、
その平均値及び最大値を図４に示した。なお、数値は、
実施例２の裁断電流値の平均値及び最大値を１．０とし
たときの相対値で示した。

【００３４】［実施例１〜３及び比較例１〜２］第１の
基本プロセスのＣｕ配合量を６〜３０ｖｏｌ％の範囲で
変化させ、６ｔｏｎで成形して、４０〜６０ｖｏｌ％の
Ｃｕを含有する接点を作成して調べた。Ｃｕ含有量が４
０ｖｏｌ％の比較例１は、成形体にクラックが幾分生じ
た。Ｃｕ含有量が４５〜５０ｖｏｌ％の実施例２〜３で
はクラックが全く発生せず、遮断性能、裁断特性及び通
電性能も良好である。しかし、Ｃｕ含有量が６０ｖｏｌ
％の比較例２では、裁断特性が不十分となっている。

【００３５】［実施例４〜５及び比較例３］第１の基本
プロセスのＴｉＣの最大粒径を５〜１５μｍの範囲で変
化させて調べた。ＴｉＣの最大粒径が１５μｍの比較例
３では、最大裁断電流値が著しく高いが、ＴｉＣの最大
粒径が１０μｍ以下の実施例４〜５では遮断性能及び裁
断特性はともに良好である。

【００３６】［実施例６〜７及び比較例４〜５］粒径が
平均０．５μｍで最大粒径が５μｍのＴｉＣ粉末５〜６
０ｖｏｌ％と、粒径が平均２．０μｍで最大粒径が１０
μｍのＴｉＣ粉末４０〜９５ｖｏｌ％を配合した混合粉
末を用いて、ＴｉＣ粒子の３〜３５ｖｏｌ％の粒径が
０．８μｍ以下で、残りのＴｉＣ粒子の粒径が平均２．
０μｍである混合粉末を作成し、この混合粉末８４ｖｏ
ｌ％とＣｕ１６ｖｏｌ％とを混合した後溶浸後のＣｕの
含有量が４５ｖｏｌ％となるように成形圧力を２〜８ｔ
ｏｎの範囲で調整し、Ｃｕを溶浸して接点を製造し調べ
た。

【００３７】粒径が０．８μｍ以下のＴｉＣの割合が３
ｖｏｌ％の比較例４では、微細なＴｉｃ粒子が少ないた
め、平均裁断電流値が高いが、この割合が５〜３０ｖｏ
ｌ％の実施例６〜７では平均裁断電流値が低く良好で、
遮断性能も良好である。一方粒径が０．８μｍ以下のＴ
ｉＣの割合が３５ｖｏｌ％の比較例５では、接点中のガ
ス含有量が高く、遮断特性が不合格となっている。また
粉末の成形性も悪いため成形に８ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力
が必要である。

【００３８】［実施例８〜９及び比較例６］３つの層か
ら成る接点を製造する第２の基本プロセスにおいて、第
２層のＴｉＣ含有率を４０ｖｏｌ％、厚さを１ｍｍ、第
３層のＴｉＣの含有率を３５％、厚さを１ｍｍとし、被
アーク面となる厚さ１．５ｍｍの第１層のＴｉＣ含有率
を４５〜６０ｖｏｌ％の間で変化させて調べた。

【００３９】第１層のＴｉＣ含有量が５０ｖｏｌ％以上
の実施例８〜９では、遮断特性、裁断特性ともに優れて
いるが、ＴｉＣ量が５０ｖｏｌ％より少ない比較例６で
は、裁断特性が不十分である。

【００４０】［実施例１０〜１１及び比較例７］２つの
層から成る接点を製造する第２の基本プロセスにおい
て、第２層のＴｉＣ含有率を４０ｖｏｌ％、被アーク面
となる第１層のＴｉＣ含有率を５５ｖｏｌ％（即ち、第
２層のＴｉＣ含有率を、第１層のＴｉＣ含有率の２／３
以下）とし、第１層と第２層の厚さの合計を２．５ｍｍ
とし、第１層の厚さを０．５ｍｍから１．５ｍｍの間で
変化させて調べた。

【００４１】第１層の厚さが１ｍｍ以上の実施例１０〜
１１では、遮断特性、裁断特性ともに優れているが、
０．５ｍｍの比較例７では、遮断特性が不十分である。
これは、被アーク面からの熱の放散が不十分なため、接
点の溶融、変形及びエロージョンが激しいためである。

【００４２】［実施例１２〜１３及び比較例８］２つの
層から成る接点を製造する第２の基本プロセスにおい
て、第１層のＴｉＣ含有率を５５ｖｏｌ％、厚さを１．
５ｍｍとし、厚さ１ｍｍの第２層のＴｉＣの含有率を３
７〜４５ｖｏｌ％の間で変化させて調べた。

【００４３】第２層のＴｉＣ含有量が第１層の３／４
（４２ｖｏｌ％）以下の実施例１２〜１３では、遮断特
性、裁断特性ともに優れているが、ＴｉＣ量が第１層の
３／４（４２ｖｏｌ％）より多い比較例８では、遮断特
性が不十分である。

【００４４】［実施例１４〜１５］２つの層からなる接
点を製造する基本プロセスにおいて、Ｃｕを溶浸した後
ＴｉＣ含有量の少ない第２層のＴｉＣスケルトン側の成
形体表面からはみだしたＣｕを用いて第３層の純Ｃｕ層
を形成した接点を製造し、第１層のＴｉＣ含有率を５５
ｖｏｌ％、厚さを１．５ｍｍとし、第２層のＴｉＣの含
有率を４０ｖｏｌ％、厚さ１ｍｍとし、第３層を厚さ１
ｍｍの純Ｃｕとした。比較のため、実施例１５として、
この接点と第１、第２層の組成が同じで、第３層のＴｉ
Ｃの含有率を３５％とした接点を実施例８と同じ方法で
製造した。

【００４５】実施例１４〜１５は、遮断特性、裁断特性
ともに優れているが、第３層が純Ｃｕの実施例１４の方
が、第３層のＴｉＣ量が３５ｖｏｌ％の実施例１５よ
り、遮断特性がより優れている。

【００４６】［実施例１６］３つの層から成る接点を製
造する第２の基本プロセスにおいて、単層の実施例６及
び７と同様に、粒径が平均０．５μｍで最大粒径が５μ
ｍのＴｉＣ粉末２０ｖｏｌ％と、粒径が平均２．０μｍ
で最大粒径が１０μｍのＴｉＣ粉末８０％を配合した混
合粉末を用いて、ＴｉＣ粒子の１２ｖｏｌ％の粒径が
０．８μｍ以下で、残りのＴｉＣ粒子の粒径が平均２．
０μｍである混合粉末を作成し、この混合粉末８４ｖｏ
ｌ％とＣｕ１６ｖｏｌ％とを混合した後３ｔｏｎで成形
して第１層の成形体を形成し、これに、実施例１１と同
様の方法で第２層の成形体を形成し、Ｃｕを溶浸して接
点を製造した。

【００４７】各層は、第１層のＴｉＣ含有率を５５ｖｏ
ｌ％、厚さを１．５ｍｍとし、第２層のＴｉＣの含有率
を４０ｖｏｌ％、厚さ１ｍｍとし、第３層を厚さ１ｍｍ
の純Ｃｕとした。第１層のＴｉＣが微細粒子を多く含ん
でいるため、平均裁断電流値が低く良好で、また、成形
時の成形圧力が３ｔｏｎと低く抑えられている。

【００４８】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、優れた
裁断特性と大電流遮断特性を兼備した接点材料及びその
製造方法が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態に係わる真空バルブ用接点
材料が適用される真空バルブの一例を示す縦断面図。

【図２】 本発明の実施例８に係わる真空バルブ用接点
材料の構成を示す断面図。

【図３】 本発明の各実施例及び比較例の製造方法及び
クラックの有無を示す表図。

【図４】 本発明の各実施例及び比較例の材料的特性及
び電気的特性を示す表図。

【符号の説明】

１…遮断室 ２…絶縁容器 ３ａ，３ｂ…封止金具 ４ａ，４ｂ…蓋体 ５，６…導電棒 ７，８…電極 ９…ベローズ １０，１１…アークシールド １２…ろうづけ層 １３ａ，１３ｂ…接点 １４…ろうづけ層 １５…第１の層 １６…第２の層 １７…第３の層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 敦史 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中工場内 (72)発明者 草野 貴史 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中工場内 (72)発明者 西村 隆宣 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中工場内 Ｆターム(参考） 5G026 BA01 BB02 BB13 BB18 BC03 BC06 BC08 5G050 AA07 AA13 AA48 BA01 CA06 DA03 EA01 EA20 FA01 5G051 RA02 RA03

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】５０ｖｏｌ％以下のＣｕと残部がＴｉＣか
   らなる真空バルブ用接点材料において、ＴｉＣの最大粒
   径が１０μｍ以下であることを特徴とする真空バルブ用
   接点材料。
2. 【請求項２】請求項１に記載の真空バルブ用接点材料に
   おいて、ＴｉＣ粒子の５〜３０ｖｏｌ％の粒径が０．８
   μｍ以下で、残りのＴｉＣ粒子の粒径が平均０．８〜１
   ０．０μｍであることを特徴とする真空バルブ用接点材
   料。
3. 【請求項３】請求項２に記載の真空バルブ用接点材料
   を、粒径が平均０．４〜０．９μｍで最大粒径が５μｍ
   以下の粒度分布を有する粉末１０〜５０ｖｏｌ％と、粒
   径が平均１．０〜３．０μｍで最大粒径が１０μｍ以下
   である粉末５０〜９０ｖｏｌ％とを混合した粉末を成形
   し、この成形体にＣｕを溶浸して製造することを特徴と
   する真空バルブ用接点材料の製造方法。
4. 【請求項４】請求項１に記載の真空バルブ用接点材料
   を、ＴｉＣ粉末７５〜９０ｖｏｌ％とＣｕ１０〜２５ｖ
   ｏｌ％とを混合した後、成形し、Ｃｕを溶浸して製造す
   ることを特徴とする真空バルブ用接点材料の製造方法。
5. 【請求項５】被アーク面が５０ｖｏｌ％以下のＣｕと５
   ０ｖｏｌ％以上のＴｉＣを有する真空バルブ用接点材料
   において、接点の厚さ方向にＣｕとＴｉＣの比が変化
   し、被アーク面の裏側の面に向かって、Ｃｕの割合が段
   階的に増加することを特徴とする真空バルブ用接点材
   料。
6. 【請求項６】請求項５に記載の真空バルブ用接点材料に
   おいて、被アーク面と同じＣｕ／ＴｉＣ比の部分の厚さ
   が１ｍｍ以上であり、この部分より被アーク面の裏面側
   に位置する部分のＴｉＣのｖｏｌ％が被アーク面の２／
   ３以下（ゼロを含む）であることを特徴とする真空バル
   ブ用接点材料。
7. 【請求項７】請求項５または請求項６の真空バルブ用接
   点材料において、被アーク面と同じＣｕ／ＴｉＣ比の部
   分の厚さが１ｍｍ以上であり、この部分より厚さ方向に
   内部側に位置する部分のＴｉＣのｖｏｌ％が被アーク面
   の３／４以下（ゼロを含む）で、被アーク面の裏面側が
   Ｃｕであることを特微とする真空バルブ用接点材料。
8. 【請求項８】請求項５乃至請求項７のいずれかに記載の
   真空バルブ用接点材料において、被アーク面のＴｉＣ粒
   子の５〜３０ｖｏｌ％の粒径が０．８μｍ以下で、残り
   のＴｉＣ粒子の粒径が平均０．８〜１０．０μｍである
   ことを特徴とする真空バルブ用接点材料。
9. 【請求項９】請求項５乃至請求項８のいずれかに記載の
   真空バルブ用接点材料を製造する際に、異なる成形圧力
   で成形したＴｉＣ粉末成形体を積層して成形体よりわず
   かに大きい型に入れ、重ねた方向に再度成形圧力をかけ
   ることにより一体化した後、Ｃｕを溶浸して製造するこ
   とを特徴とする真空バルブ用接点材料の製造方法。
10. 【請求項１０】請求項９に記載の真空バルブ用接点材料
    の製造方法において、Ｃｕを溶浸する際、成形体の空隙
    の体積より５ｖｏｌ％以上過剰のＣｕを溶浸して、成形
    体表面を覆うＣｕを残すことにより、被アーク面の裏面
    側に配するＣｕの層を形成することを特徴とする真空バ
    ルブ用接点材料の製造方法。
11. 【請求項１１】請求項９または請求項１０の真空バルブ
    用接点材料の製造方法において、ＴｉＣ粉末に１０〜２
    ５ｖｏｌ％のＣｕ粉末を添加しておくことを特徴とする
    真空バルブ用接点材料の製造方法。