JP2000156487A - 二次元画像検出器およびその製造方法 - Google Patents
二次元画像検出器およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクティブマトリクス基板と対向基板とを信
頼性よく接続することができる二次元画像検出器および
その製造方法の提供。 【解決手段】 画素配列層を含むアクティブマトリクス
基板と、電極部および半導体層を含む対向基板とを備
え、該アクティブマトリクス基板の画素配列層と、該対
向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置され
るとともに、該両基板は導電性材料によって電気的に接
続されてなり、アクティブマトリクス基板と対向基板と
の少なくとも一方側の接続面には各画素電極に対応した
突起が形成されているとともに、該接続面周辺部には該
両基板間を外部から遮断する封止手段が形成されている
ことを特徴とする。
頼性よく接続することができる二次元画像検出器および
その製造方法の提供。 【解決手段】 画素配列層を含むアクティブマトリクス
基板と、電極部および半導体層を含む対向基板とを備
え、該アクティブマトリクス基板の画素配列層と、該対
向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置され
るとともに、該両基板は導電性材料によって電気的に接
続されてなり、アクティブマトリクス基板と対向基板と
の少なくとも一方側の接続面には各画素電極に対応した
突起が形成されているとともに、該接続面周辺部には該
両基板間を外部から遮断する封止手段が形成されている
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線などの放射
線、可視光、赤外光などの画像を検出できる二次元画像
検出器と、その製造方法に関するものである。
線、可視光、赤外光などの画像を検出できる二次元画像
検出器と、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、放射線の二次元画像検出器と
して、Ｘ線を感知して電荷（電子−正孔）を発生する半
導体センサーを二次元状に配置し、これらのセンサーに
それぞれ電気スイッチを設けて、各行毎に電気スイッチ
を順次オンにして各列毎にセンサーの電荷を読み出すも
のが知られている。このような二次元画像検出器は、例
えば、文献「D.L.Lee,et al.,"A New Digital Detector
for Projection Radiography",SPIE,2432,pp.237-249,
1995」、「L.S.Jeromin,et al.,"Application ofa-Si A
ctive-Matrix Technology in a X-Ray Detector Pane
l",SID 97 DIGEST,pp.91-94,1997」、および特開平６−
３４２０９８号公報などに具体的な構造や原理が記載さ
れている。
して、Ｘ線を感知して電荷（電子−正孔）を発生する半
導体センサーを二次元状に配置し、これらのセンサーに
それぞれ電気スイッチを設けて、各行毎に電気スイッチ
を順次オンにして各列毎にセンサーの電荷を読み出すも
のが知られている。このような二次元画像検出器は、例
えば、文献「D.L.Lee,et al.,"A New Digital Detector
for Projection Radiography",SPIE,2432,pp.237-249,
1995」、「L.S.Jeromin,et al.,"Application ofa-Si A
ctive-Matrix Technology in a X-Ray Detector Pane
l",SID 97 DIGEST,pp.91-94,1997」、および特開平６−
３４２０９８号公報などに具体的な構造や原理が記載さ
れている。
【０００３】以下、前記従来の放射線二次元画像検出器
の構成と原理について説明する。
の構成と原理について説明する。
【０００４】図１１は、前記従来の放射線二次元画像検
出器の構造を模式的に示した図であり、また、図１２
は、その放射線二次元画像検出器の１画素当たりの構成
断面を模式的に示した図である。
出器の構造を模式的に示した図であり、また、図１２
は、その放射線二次元画像検出器の１画素当たりの構成
断面を模式的に示した図である。
【０００５】このような放射線二次元画像検出器は、図
１１および図１２に示すように、ガラス基板５１上にＸ
Ｙマトリクス状の電極配線（ゲート電極５２とソース電
極５３）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４、電荷蓄積
容量（Ｃｓ）５５などが形成されたアクティブマトリク
ス基板を備えている。また、このアクティブマトリクス
基板上には、そのほぼ全面に、光導電膜５６、誘電体層
５７および上部電極５８が形成されている。
１１および図１２に示すように、ガラス基板５１上にＸ
Ｙマトリクス状の電極配線（ゲート電極５２とソース電
極５３）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４、電荷蓄積
容量（Ｃｓ）５５などが形成されたアクティブマトリク
ス基板を備えている。また、このアクティブマトリクス
基板上には、そのほぼ全面に、光導電膜５６、誘電体層
５７および上部電極５８が形成されている。
【０００６】前記電荷蓄積容量５５は、Ｃｓ電極５９
と、前記薄膜トランジスタ５４のドレイン電極に接続さ
れた画素電極６０とが、絶縁層６１を介して対向してい
る構成である。
と、前記薄膜トランジスタ５４のドレイン電極に接続さ
れた画素電極６０とが、絶縁層６１を介して対向してい
る構成である。
【０００７】前記光導電膜５６は、Ｘ線などの放射線が
照射されることで電荷（電子−正孔）が発生する半導体
材料が用いられるが、前記文献によれば、暗抵抗が高
く、Ｘ線照射に対して良好な光導電特性を示すアモルフ
ァスセレニウム（ａ−Ｓｅ）が用いられている。この光
導電膜（ａ−Ｓｅ）５６は、真空蒸着法によって３００
〜６００μｍの厚みで形成されている。
照射されることで電荷（電子−正孔）が発生する半導体
材料が用いられるが、前記文献によれば、暗抵抗が高
く、Ｘ線照射に対して良好な光導電特性を示すアモルフ
ァスセレニウム（ａ−Ｓｅ）が用いられている。この光
導電膜（ａ−Ｓｅ）５６は、真空蒸着法によって３００
〜６００μｍの厚みで形成されている。
【０００８】また、前記アクティブマトリクス基板は、
液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマ
トリクス基板を流用することが可能である。例えば、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣＤ）に用
いられるアクティブマトリクス基板は、アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によっ
て形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、ＸＹマト
リクス電極、電荷蓄積容量（Ｃｓ）を備えた構造になっ
ている。したがって、若干の設計変更を行うだけで、放
射線二次元検出器用のアクティブマトリクス基板として
利用することが容易である。
液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマ
トリクス基板を流用することが可能である。例えば、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣＤ）に用
いられるアクティブマトリクス基板は、アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によっ
て形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、ＸＹマト
リクス電極、電荷蓄積容量（Ｃｓ）を備えた構造になっ
ている。したがって、若干の設計変更を行うだけで、放
射線二次元検出器用のアクティブマトリクス基板として
利用することが容易である。
【０００９】次に、前記構造の放射線二次元画像検出器
の動作原理について説明する。
の動作原理について説明する。
【００１０】前記ａ−Ｓｅ膜などの光導電膜５６に放射
線が照射されると、光導電膜５６内に電荷（電子−正
孔）が発生する。図１１および図１２に示すように、光
導電膜５６と電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５とは電気的に直
列に接続された構造になっているので、上部電極５８と
Ｃｓ電極５９間との間に電圧を印加しておくと、光導電
膜５６で発生した電荷（電子−正孔）がそれぞれ＋電極
側と−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量（Ｃ
ｓ）５５に電荷が蓄積される仕組みになっている。な
お、光導電膜５６と電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５との間に
は、薄い絶縁層からなる電子阻止層６２が形成されてお
り、これが一方側からの電荷の注入を阻止する阻止型フ
ォトダイオードの役割を果たしている。
線が照射されると、光導電膜５６内に電荷（電子−正
孔）が発生する。図１１および図１２に示すように、光
導電膜５６と電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５とは電気的に直
列に接続された構造になっているので、上部電極５８と
Ｃｓ電極５９間との間に電圧を印加しておくと、光導電
膜５６で発生した電荷（電子−正孔）がそれぞれ＋電極
側と−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量（Ｃ
ｓ）５５に電荷が蓄積される仕組みになっている。な
お、光導電膜５６と電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５との間に
は、薄い絶縁層からなる電子阻止層６２が形成されてお
り、これが一方側からの電荷の注入を阻止する阻止型フ
ォトダイオードの役割を果たしている。
【００１１】前記の作用で、電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５
に蓄積された電荷は、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、
…、Ｇｎの入力信号によって薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）５４をオープン状態にすることでソース電極Ｓ１、
Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎより外部に取り出すことが可能で
ある。電極配線（ゲート電極５２とソース電極５３）、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４、および電荷蓄積容量
（Ｃｓ）５５などは、すべてＸＹマトリクス状に設けら
れているため、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｎ
に入力する信号を線順次に走査することで、二次元的に
Ｘ線の画像情報を得ることが可能となる。
に蓄積された電荷は、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、
…、Ｇｎの入力信号によって薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）５４をオープン状態にすることでソース電極Ｓ１、
Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎより外部に取り出すことが可能で
ある。電極配線（ゲート電極５２とソース電極５３）、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４、および電荷蓄積容量
（Ｃｓ）５５などは、すべてＸＹマトリクス状に設けら
れているため、ゲート電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｎ
に入力する信号を線順次に走査することで、二次元的に
Ｘ線の画像情報を得ることが可能となる。
【００１２】なお、前記二次元画像検出器は、使用する
光導電膜５６がＸ線などの放射線に対する光導電性だけ
でなく、可視光や赤外光に対しても光導電性を示す場合
は、可視光や赤外光の二次元画像検出器としても作用す
る。
光導電膜５６がＸ線などの放射線に対する光導電性だけ
でなく、可視光や赤外光に対しても光導電性を示す場合
は、可視光や赤外光の二次元画像検出器としても作用す
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来の
放射線二次元検出器では、光導電膜５６としてａ−Ｓｅ
を用いており、このａ−Ｓｅは、アモルファス材料特有
の光電流の分散型伝導特性を有していることから応答性
が悪く、また、ａ−ＳｅのＸ線に対する感度（Ｓ／Ｎ
比）が十分でないため、長時間Ｘ線を照射して電荷蓄積
容量（Ｃｓ）５５を十分に充電してからでないと情報を
読み出すことができないといった欠点を持ち合わせてい
る。
放射線二次元検出器では、光導電膜５６としてａ−Ｓｅ
を用いており、このａ−Ｓｅは、アモルファス材料特有
の光電流の分散型伝導特性を有していることから応答性
が悪く、また、ａ−ＳｅのＸ線に対する感度（Ｓ／Ｎ
比）が十分でないため、長時間Ｘ線を照射して電荷蓄積
容量（Ｃｓ）５５を十分に充電してからでないと情報を
読み出すことができないといった欠点を持ち合わせてい
る。
【００１４】また、Ｘ線の照射時に漏れ電流が原因で電
荷が電荷蓄積容量に蓄積することの防止、およびリーク
電流（暗電流）の低減や高電圧保護の目的で、光導電膜
（ａ−Ｓｅ）５６と上部電極５８との間に誘電体層５７
が設けられているが、この誘電体層５７に残留する電荷
を１フレーム毎に除去するシーケンスを付加する必要が
あるため、前記放射線二次元検出器は静止画の撮影にし
か利用することができないといった問題を生じていた。
荷が電荷蓄積容量に蓄積することの防止、およびリーク
電流（暗電流）の低減や高電圧保護の目的で、光導電膜
（ａ−Ｓｅ）５６と上部電極５８との間に誘電体層５７
が設けられているが、この誘電体層５７に残留する電荷
を１フレーム毎に除去するシーケンスを付加する必要が
あるため、前記放射線二次元検出器は静止画の撮影にし
か利用することができないといった問題を生じていた。
【００１５】これに対し、動画に対応した画像データを
得るためには、ａ−Ｓｅの代わりに、結晶（もしくは多
結晶）材料で、かつＸ線に対する感度（Ｓ／Ｎ比）の優
れた光導電膜５６を利用する必要がある。光導電膜５６
の感度が向上すれば、短時間のＸ線照射でも電荷蓄積容
量（Ｃｓ）５５を十分に充電できるようになり、また、
光導電膜５６に高電圧を印加する必要がなくなるため、
誘電体層５７自身も不要となる。
得るためには、ａ−Ｓｅの代わりに、結晶（もしくは多
結晶）材料で、かつＸ線に対する感度（Ｓ／Ｎ比）の優
れた光導電膜５６を利用する必要がある。光導電膜５６
の感度が向上すれば、短時間のＸ線照射でも電荷蓄積容
量（Ｃｓ）５５を十分に充電できるようになり、また、
光導電膜５６に高電圧を印加する必要がなくなるため、
誘電体層５７自身も不要となる。
【００１６】このような、Ｘ線に対する感度が優れた光
導電材料としては、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどが知ら
れている。一般に、Ｘ線の光電吸収は吸収物質の実効原
子番号の５乗に比例するため、例えば、Ｓｅの原子番号
が３４、ＣｄＴｅの実効原子番号が５０とすると、約
６．９倍の感度の向上が期待できる。ところが、前記放
射線二次元検出器の光導電膜として、ａ−Ｓｅの代わり
にＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを利用しようとすると、以下
のような問題が生じる。
導電材料としては、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどが知ら
れている。一般に、Ｘ線の光電吸収は吸収物質の実効原
子番号の５乗に比例するため、例えば、Ｓｅの原子番号
が３４、ＣｄＴｅの実効原子番号が５０とすると、約
６．９倍の感度の向上が期待できる。ところが、前記放
射線二次元検出器の光導電膜として、ａ−Ｓｅの代わり
にＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを利用しようとすると、以下
のような問題が生じる。
【００１７】従来のａ−Ｓｅの場合、成膜方法としては
真空蒸着法を用いることができ、この時の成膜温度は常
温で可能なため、上述のアクティブマトリクス基板上へ
の成膜が容易であった。これに対して、ＣｄＴｅやＣｄ
ＺｎＴｅの場合は、ＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ法による成膜
法が知られており、特に大面積基板への成膜を考慮する
とＭＯＣＶＤが適した方法と考えられる。
真空蒸着法を用いることができ、この時の成膜温度は常
温で可能なため、上述のアクティブマトリクス基板上へ
の成膜が容易であった。これに対して、ＣｄＴｅやＣｄ
ＺｎＴｅの場合は、ＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ法による成膜
法が知られており、特に大面積基板への成膜を考慮する
とＭＯＣＶＤが適した方法と考えられる。
【００１８】しかしながら、ＭＯＣＶＤ法でＣｄＴｅや
ＣｄＺｎＴｅを成膜する場合、原料である有機カドミウ
ム（ＤＭＣｄ）の熱分解温度が約３００℃、有機テルル
（ＤＥＴｅやＤｉＰＴｅ）の熱分解温度が各々約４００
℃、約３５０℃であるため、成膜には約４００℃の高温
が要求される。
ＣｄＺｎＴｅを成膜する場合、原料である有機カドミウ
ム（ＤＭＣｄ）の熱分解温度が約３００℃、有機テルル
（ＤＥＴｅやＤｉＰＴｅ）の熱分解温度が各々約４００
℃、約３５０℃であるため、成膜には約４００℃の高温
が要求される。
【００１９】一般に、アクティブマトリクス基板に形成
されている前述の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４は、
半導体層としてａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜を用いている
が、半導体特性を向上させるために３００〜３５０℃程
度の成膜温度で水素（Ｈ2）を付加しながら成膜されて
いる。このようにして形成されるＴＦＴ素子の耐熱温度
は約３００℃であり、ＴＦＴ素子をこれ以上の高温に曝
すとａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜から水素が抜け出し半導体
特性が劣化してしまう。
されている前述の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４は、
半導体層としてａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜を用いている
が、半導体特性を向上させるために３００〜３５０℃程
度の成膜温度で水素（Ｈ2）を付加しながら成膜されて
いる。このようにして形成されるＴＦＴ素子の耐熱温度
は約３００℃であり、ＴＦＴ素子をこれ以上の高温に曝
すとａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜から水素が抜け出し半導体
特性が劣化してしまう。
【００２０】したがって、上述のアクティブマトリクス
基板上に、ＭＯＣＶＤ法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴ
ｅを成膜することは、成膜温度の観点から事実上困難で
あった。
基板上に、ＭＯＣＶＤ法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴ
ｅを成膜することは、成膜温度の観点から事実上困難で
あった。
【００２１】このような問題点を解決する手段として
は、アクティブマトリクス基板と対向基板とを各々独立
に作成してから両基板を貼り合わせるという手法が本発
明者らにより現在検討されている。このときの両基板を
貼り合わせる材料としては、アクティブマトリクス基板
側の画素電極と対向基板側の光導電層とを電気的に接続
し、また物理的に接続し、さらには隣接する画素電極と
の絶縁性が保たれているものであることが望ましい。具
体的には、絶縁性の樹脂中に導電粒子が分散された異方
導電性材料やパターニングや電着などの処理によって画
素電極上にのみ選択的に配置することが可能な導電性材
料などが挙げられる。
は、アクティブマトリクス基板と対向基板とを各々独立
に作成してから両基板を貼り合わせるという手法が本発
明者らにより現在検討されている。このときの両基板を
貼り合わせる材料としては、アクティブマトリクス基板
側の画素電極と対向基板側の光導電層とを電気的に接続
し、また物理的に接続し、さらには隣接する画素電極と
の絶縁性が保たれているものであることが望ましい。具
体的には、絶縁性の樹脂中に導電粒子が分散された異方
導電性材料やパターニングや電着などの処理によって画
素電極上にのみ選択的に配置することが可能な導電性材
料などが挙げられる。
【００２２】なお、上述した異方導電性材料としては、
接着剤（バインダー）に導電粒子を分散させたものが代
表的である。このときの使用できる導電粒子としては、
Ｎｉなどの金属粒子、Ｎｉなどの金属粒子にＡｕメッキ
を施した金属粒子、カーボン粒子、プラスチック粒子に
Ａｕ／Ｎｉメッキを施した金属膜被膜プラスチック粒
子、ＩＴＯなどの透明導電粒子、Ｎｉ粒子をポリウレタ
ンに混合させた導電粒子複合プラスチックなどがあり、
また、使用できる接着剤としては、熱硬化型、熱可塑
型、光硬化型のものなどがある。
接着剤（バインダー）に導電粒子を分散させたものが代
表的である。このときの使用できる導電粒子としては、
Ｎｉなどの金属粒子、Ｎｉなどの金属粒子にＡｕメッキ
を施した金属粒子、カーボン粒子、プラスチック粒子に
Ａｕ／Ｎｉメッキを施した金属膜被膜プラスチック粒
子、ＩＴＯなどの透明導電粒子、Ｎｉ粒子をポリウレタ
ンに混合させた導電粒子複合プラスチックなどがあり、
また、使用できる接着剤としては、熱硬化型、熱可塑
型、光硬化型のものなどがある。
【００２３】また、画素電極上にのみ選択的に配置する
ことが可能な導電性材料としては、導電粒子や粉末を分
散させた感光性樹脂、電着可能な導電性高分子などを挙
げることができる。
ことが可能な導電性材料としては、導電粒子や粉末を分
散させた感光性樹脂、電着可能な導電性高分子などを挙
げることができる。
【００２４】ここで、アクティブマトリクス基板と対向
基板とを各々独立に作成してから両者を貼り合わせるた
めには、上述した何れの材料を用いた場合であっても、
基板を貼り合わせる際にプレス装置を用いて基板全面に
対する熱圧着処理を行う必要があり、このときに、基板
全面に対するプレス圧および加熱を均一にすることが重
要となる。
基板とを各々独立に作成してから両者を貼り合わせるた
めには、上述した何れの材料を用いた場合であっても、
基板を貼り合わせる際にプレス装置を用いて基板全面に
対する熱圧着処理を行う必要があり、このときに、基板
全面に対するプレス圧および加熱を均一にすることが重
要となる。
【００２５】このようなプレス法としては、剛体を用い
た加圧プレス方式が一般的であるが、この方式の場合
は、大面積基板の貼り合わせに対してあまり適当である
とはいえない。これは、例えば基板の貼り合わせに用い
る材料が１０ｋｇｆ／ｃｍ2のプレス圧を要する場合に
は、４０ｃｍ×５０ｃｍの基板同士を貼り合わせる場合
に、基板全体で２００００ｋｇｆもの圧力となってしま
い、大規模なプレス装置が必要となってしまう。そし
て、大面積基板になればなる程基板全面に対する均一な
プレスが困難となってしまうからである。
た加圧プレス方式が一般的であるが、この方式の場合
は、大面積基板の貼り合わせに対してあまり適当である
とはいえない。これは、例えば基板の貼り合わせに用い
る材料が１０ｋｇｆ／ｃｍ2のプレス圧を要する場合に
は、４０ｃｍ×５０ｃｍの基板同士を貼り合わせる場合
に、基板全体で２００００ｋｇｆもの圧力となってしま
い、大規模なプレス装置が必要となってしまう。そし
て、大面積基板になればなる程基板全面に対する均一な
プレスが困難となってしまうからである。
【００２６】これに対して、減圧プレス方式は互いに貼
り合わされる一対の基板の間隙を減圧（真空）すること
で外部の大気圧により両基板をプレスする方法であるた
め、プレス圧の均一性という面では優れているものの、
この方式の場合もまた、両基板間隙を減圧（真空）状態
にするための空間を必要とするため、上述したような基
板間全域に異方導電性材料を介在して貼り合わせる場合
などには、基板間隙に空間が存在しないために適用する
ことができないという問題を有している。さらに、この
方式は、大気圧を利用したプレス法であることから、そ
れ以上のプレス圧を得ることができないという問題も有
している。
り合わされる一対の基板の間隙を減圧（真空）すること
で外部の大気圧により両基板をプレスする方法であるた
め、プレス圧の均一性という面では優れているものの、
この方式の場合もまた、両基板間隙を減圧（真空）状態
にするための空間を必要とするため、上述したような基
板間全域に異方導電性材料を介在して貼り合わせる場合
などには、基板間隙に空間が存在しないために適用する
ことができないという問題を有している。さらに、この
方式は、大気圧を利用したプレス法であることから、そ
れ以上のプレス圧を得ることができないという問題も有
している。
【００２７】本発明は、上述したような問題点を解決す
るためのものであり、その目的とするところは、アクテ
ィブマトリクス基板と対向基板とを信頼性よく接続する
ことができる二次元画像検出器およびその製造方法を提
供することにある。
るためのものであり、その目的とするところは、アクテ
ィブマトリクス基板と対向基板とを信頼性よく接続する
ことができる二次元画像検出器およびその製造方法を提
供することにある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明の二次元画像検出
器は、格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設
けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素
子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電
荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層の
ほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画素配列
層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導
体層とを備えてなる二次元画像検出器において、前記画
素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極
部および半導体層を含む対向基板とを備えており、前記
アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基
板の半導体層とが対向するように両基板が配置されると
ともに、該両基板は導電性材料によって接着かつ電気的
に接続されてなり、前記アクティブマトリクス基板と対
向基板の少なくとも一方側の接続面には各画素電極に対
応した突起が形成されているとともに、該接続面周辺部
には該両基板間を外部から遮断する封止手段が形成され
ていることを特徴としている。
器は、格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設
けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素
子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電
荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層の
ほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画素配列
層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導
体層とを備えてなる二次元画像検出器において、前記画
素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極
部および半導体層を含む対向基板とを備えており、前記
アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基
板の半導体層とが対向するように両基板が配置されると
ともに、該両基板は導電性材料によって接着かつ電気的
に接続されてなり、前記アクティブマトリクス基板と対
向基板の少なくとも一方側の接続面には各画素電極に対
応した突起が形成されているとともに、該接続面周辺部
には該両基板間を外部から遮断する封止手段が形成され
ていることを特徴としている。
【００２９】本発明によれば、前記アクティブマトリク
ス基板と対向基板とを貼り合わせる際に、各画素電極に
対応した突起間の溝部分に生じる空間が外部に対して密
閉されているため、基板貼り合わせ面内空間と外部との
圧力差により、貼り合わせ装置内部と同等の圧力を基板
全面に加えることが可能となる。
ス基板と対向基板とを貼り合わせる際に、各画素電極に
対応した突起間の溝部分に生じる空間が外部に対して密
閉されているため、基板貼り合わせ面内空間と外部との
圧力差により、貼り合わせ装置内部と同等の圧力を基板
全面に加えることが可能となる。
【００３０】また、基板貼り合わせ面内空間を構造的に
密閉していることから、二次元画像検出器の製造工程に
おいて、特別な追加プロセスを行う必要もない。
密閉していることから、二次元画像検出器の製造工程に
おいて、特別な追加プロセスを行う必要もない。
【００３１】さらに、基板接続面周辺部には該両基板間
を外部から遮断する封止手段が形成されているため、基
板貼り合わせ面内空間の保護および貼り合わせ強度の向
上といった効果も併せて実現することが可能となる。
を外部から遮断する封止手段が形成されているため、基
板貼り合わせ面内空間の保護および貼り合わせ強度の向
上といった効果も併せて実現することが可能となる。
【００３２】なお、前記封止手段をアクティブマトリク
ス基板の周辺部に形成されたシール剤などからなる封止
樹脂で形成することにより、シール剤をパターン塗布す
るだけで容易に外壁を形成することが可能であり、この
とき、前記封止手段を前記画素電極に対応して形成され
た突起と同じ材料で構成する外壁とすることにより、突
起形成時に同時に外壁を形成することが可能となる。
ス基板の周辺部に形成されたシール剤などからなる封止
樹脂で形成することにより、シール剤をパターン塗布す
るだけで容易に外壁を形成することが可能であり、この
とき、前記封止手段を前記画素電極に対応して形成され
た突起と同じ材料で構成する外壁とすることにより、突
起形成時に同時に外壁を形成することが可能となる。
【００３３】また、本発明の二次元画像検出器は、格子
状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複
数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して
前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量
とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に
対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電
極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備
えてなる二次元画像検出器において、前記画素配列層を
含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および半
導体層を含む対向基板とを備えており、前記アクティブ
マトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導体
層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該
両基板は導電性材料によって接着かつ電気的に接続され
てなり、前記導電性材料は各画素電極に対応して選択的
にパターン配置されているとともに、前記アクティブマ
トリクス基板と対向基板との接続面周辺部には該両基板
間を外部から遮断する封止手段が形成されていることを
特徴としている。
状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複
数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して
前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量
とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に
対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電
極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備
えてなる二次元画像検出器において、前記画素配列層を
含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および半
導体層を含む対向基板とを備えており、前記アクティブ
マトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導体
層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該
両基板は導電性材料によって接着かつ電気的に接続され
てなり、前記導電性材料は各画素電極に対応して選択的
にパターン配置されているとともに、前記アクティブマ
トリクス基板と対向基板との接続面周辺部には該両基板
間を外部から遮断する封止手段が形成されていることを
特徴としている。
【００３４】本発明によれば、前記アクティブマトリク
ス基板と対向基板とを貼り合わせる際に、各画素電極に
対応して選択的にパターン配置された導電性材料の隣接
する導電性材料間に生じる空間が外部に対して密閉され
ているため、基板貼り合わせ面内空間と外部との圧力差
により、貼り合わせ装置内部と同等の圧力を基板全面に
加えることが可能となる。
ス基板と対向基板とを貼り合わせる際に、各画素電極に
対応して選択的にパターン配置された導電性材料の隣接
する導電性材料間に生じる空間が外部に対して密閉され
ているため、基板貼り合わせ面内空間と外部との圧力差
により、貼り合わせ装置内部と同等の圧力を基板全面に
加えることが可能となる。
【００３５】また、基板貼り合わせ面内空間を構造的に
密閉していることから、二次元画像検出器の製造工程に
おいて、特別な追加プロセスを行う必要もない。
密閉していることから、二次元画像検出器の製造工程に
おいて、特別な追加プロセスを行う必要もない。
【００３６】さらに、基板接続面周辺部には該両基板間
を外部から遮断する封止手段が形成されているため、基
板貼り合わせ面内空間の保護および貼り合わせ強度の向
上といった効果も併せて実現することが可能となる。
を外部から遮断する封止手段が形成されているため、基
板貼り合わせ面内空間の保護および貼り合わせ強度の向
上といった効果も併せて実現することが可能となる。
【００３７】なお、前記封止手段をアクティブマトリク
ス基板の周辺部に形成されたシール剤などからなる封止
樹脂で形成することにより、シール剤をパターン塗布す
るだけで容易に外壁を形成することが可能であり、この
とき、前記封止手段を前記画素電極に対応して選択的に
パターン配置された導電性材料と同じ材料で構成する外
壁とすることにより、導電性材料形成時に同時に外壁を
形成することが可能となる。
ス基板の周辺部に形成されたシール剤などからなる封止
樹脂で形成することにより、シール剤をパターン塗布す
るだけで容易に外壁を形成することが可能であり、この
とき、前記封止手段を前記画素電極に対応して選択的に
パターン配置された導電性材料と同じ材料で構成する外
壁とすることにより、導電性材料形成時に同時に外壁を
形成することが可能となる。
【００３８】本発明の二次元画像検出器の製造方法は、
格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられ
た複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介
して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積
容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全
面に対向して形成される電極部と、前記画素配列層およ
び電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層と
を備えてなる二次元画像検出器の製造方法において、前
記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板を作製す
る工程と、前記電極部および半導体層を含む対向基板を
作製する工程と、前記アクティブマトリクス基板と対向
基板の少なくとも一方側の接続面に導電性材料を配置す
る工程と、前記導電性材料を配置した基板の接続面に、
他方側の基板の接続面が対向するように配置する工程
と、前記対向配置した両基板をオートクレーブ装置を用
いた加圧プレスにより圧着しながら加熱処理を施して前
記導電性材料により接着かつ電気的に接続する工程と、
を含むことを特徴としている。
格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられ
た複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介
して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積
容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全
面に対向して形成される電極部と、前記画素配列層およ
び電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層と
を備えてなる二次元画像検出器の製造方法において、前
記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板を作製す
る工程と、前記電極部および半導体層を含む対向基板を
作製する工程と、前記アクティブマトリクス基板と対向
基板の少なくとも一方側の接続面に導電性材料を配置す
る工程と、前記導電性材料を配置した基板の接続面に、
他方側の基板の接続面が対向するように配置する工程
と、前記対向配置した両基板をオートクレーブ装置を用
いた加圧プレスにより圧着しながら加熱処理を施して前
記導電性材料により接着かつ電気的に接続する工程と、
を含むことを特徴としている。
【００３９】本発明によれば、アクティブマトリクス基
板と対向基板とを貼り合わせる際に基板サイズに関係な
く基板全面に対して均一な加圧プレスが可能となり、ま
た、該両基板を接続するための導電性材料の種類に応じ
たプレス圧の調整が容易に可能となり、さらには、加圧
雰囲気下で熱媒体の密度が大きいために加熱処理時に昇
温速度が速く製造時間を短縮することが可能となる。
板と対向基板とを貼り合わせる際に基板サイズに関係な
く基板全面に対して均一な加圧プレスが可能となり、ま
た、該両基板を接続するための導電性材料の種類に応じ
たプレス圧の調整が容易に可能となり、さらには、加圧
雰囲気下で熱媒体の密度が大きいために加熱処理時に昇
温速度が速く製造時間を短縮することが可能となる。
【００４０】このとき、アクティブマトリクス基板と対
向基板の少なくとも一方側の接続面に導電性材料を配置
する工程において、該導電性材料はフィルム形状を有す
るとともに、加熱ローラーを用いて該導電性材料と基板
との貼り合わせ面に生じる間隙を脱気しながら配置する
ことにより、この導電性材料と基板との間への気泡の混
入を未然に防ぐことが可能となる。
向基板の少なくとも一方側の接続面に導電性材料を配置
する工程において、該導電性材料はフィルム形状を有す
るとともに、加熱ローラーを用いて該導電性材料と基板
との貼り合わせ面に生じる間隙を脱気しながら配置する
ことにより、この導電性材料と基板との間への気泡の混
入を未然に防ぐことが可能となる。
【００４１】また、対向配置した両基板を前記導電性材
料により接着かつ電気的に接続する工程において、該対
向配置した両基板を予め仮圧着し、その際に脱気処理を
施すことにより、この両基板間への気泡の混入を未然に
防ぎ、アクティブマトリクス基板と対向基板との接続不
良の発生を低減させることが可能となる。
料により接着かつ電気的に接続する工程において、該対
向配置した両基板を予め仮圧着し、その際に脱気処理を
施すことにより、この両基板間への気泡の混入を未然に
防ぎ、アクティブマトリクス基板と対向基板との接続不
良の発生を低減させることが可能となる。
【００４２】さらに、前記対向配置した両基板を前記導
電性材料により接着かつ電気的に接続する工程におい
て、前記オートクレーブ装置による加圧加熱処理の際
に、該両基板の貼り合わせ面に生じる間隙を脱気しなが
ら接続することにより、この両基板間への気泡の混入を
未然に防ぐとともに、基板貼り合わせ面内空間と外部の
圧力差を保つことが可能となる。
電性材料により接着かつ電気的に接続する工程におい
て、前記オートクレーブ装置による加圧加熱処理の際
に、該両基板の貼り合わせ面に生じる間隙を脱気しなが
ら接続することにより、この両基板間への気泡の混入を
未然に防ぐとともに、基板貼り合わせ面内空間と外部の
圧力差を保つことが可能となる。
【００４３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て 図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本実施
の形態で述べる導電性材料は、全て接着性を有するもの
とする。
て 図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本実施
の形態で述べる導電性材料は、全て接着性を有するもの
とする。
【００４４】（実施の形態１）図１（ａ）および図１
（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る二次元画像検出
器を示したものであり、図１（ａ）は、該二次元画像検
出器の全体構成の概略を示す断面図であり、図１（ｂ）
は、その二次元画像検出器の部分構成を示す拡大断面図
である。
（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る二次元画像検出
器を示したものであり、図１（ａ）は、該二次元画像検
出器の全体構成の概略を示す断面図であり、図１（ｂ）
は、その二次元画像検出器の部分構成を示す拡大断面図
である。
【００４５】本実施の形態１における二次元画像検出器
は、図１（ａ）に示すように、画素電極３が形成された
アクティブマトリクス基板１と、対向電極４が形成され
た対向基板２とが、接着性を有する導電性材料５を介し
て電気的に接続されることにより貼り合わされた構成と
なっている。
は、図１（ａ）に示すように、画素電極３が形成された
アクティブマトリクス基板１と、対向電極４が形成され
た対向基板２とが、接着性を有する導電性材料５を介し
て電気的に接続されることにより貼り合わされた構成と
なっている。
【００４６】このアクティブマトリクス基板１は、液晶
表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマトリ
クス基板と同じプロセスで形成することが可能である。
具体的に説明すれば（図示せず）、ガラス基板上に、Ｘ
Ｙマトリクス状の電極配線（ゲート電極とソース電
極）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、電荷蓄積容量（Ｃ
ｓ）などにより画素配列層が構成されている。
表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマトリ
クス基板と同じプロセスで形成することが可能である。
具体的に説明すれば（図示せず）、ガラス基板上に、Ｘ
Ｙマトリクス状の電極配線（ゲート電極とソース電
極）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、電荷蓄積容量（Ｃ
ｓ）などにより画素配列層が構成されている。
【００４７】このガラス基板には、無アルカリガラス基
板（例えばコーニング社製＃７０５９や＃１７３７）を
用い、その上にＴａなどの金属膜からなるゲート電極を
形成する。ゲート電極は、Ｔａなどをスパッタ蒸着で約
３０００Å成膜した後、所望の形状にパターニングして
得られる。この際、同時に電荷蓄積容量（Ｃｓ電極）も
形成する。次に、ＳｉＮｘやＳｉＯｘからなる絶縁膜
を、ＣＶＤ法で約３５００Å成膜して形成する。この絶
縁膜は、前記薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート絶縁
膜および電荷蓄積容量（Ｃｓ）の電極間の誘電層として
作用する。なお、絶縁膜として、ＳｉＮｘやＳｉＯｘだ
けでなく、ゲート電極とＣｓ電極とを陽極酸化した陽極
酸化膜を併用してもよい。
板（例えばコーニング社製＃７０５９や＃１７３７）を
用い、その上にＴａなどの金属膜からなるゲート電極を
形成する。ゲート電極は、Ｔａなどをスパッタ蒸着で約
３０００Å成膜した後、所望の形状にパターニングして
得られる。この際、同時に電荷蓄積容量（Ｃｓ電極）も
形成する。次に、ＳｉＮｘやＳｉＯｘからなる絶縁膜
を、ＣＶＤ法で約３５００Å成膜して形成する。この絶
縁膜は、前記薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート絶縁
膜および電荷蓄積容量（Ｃｓ）の電極間の誘電層として
作用する。なお、絶縁膜として、ＳｉＮｘやＳｉＯｘだ
けでなく、ゲート電極とＣｓ電極とを陽極酸化した陽極
酸化膜を併用してもよい。
【００４８】次に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャ
ネル部となるａ−Ｓｉ膜（ｉ層）と、ソース・ドレイン
電極とのコンタクトを図るａ−Ｓｉ膜（ｎ+層）とを、
ＣＶＤ法で各々約１０００Å、約４００Å成膜した後、
所望の形状にパターニングする。次に、ＴａやＡｌなど
の金属膜からなるソース電極とドレイン電極（画素電極
にも兼用）を形成する。このソース電極と画素電極と
は、前記金属膜をスパッタ蒸着で約３０００Å成膜した
後、所望の形状にパターニングすることで得られる。
ネル部となるａ−Ｓｉ膜（ｉ層）と、ソース・ドレイン
電極とのコンタクトを図るａ−Ｓｉ膜（ｎ+層）とを、
ＣＶＤ法で各々約１０００Å、約４００Å成膜した後、
所望の形状にパターニングする。次に、ＴａやＡｌなど
の金属膜からなるソース電極とドレイン電極（画素電極
にも兼用）を形成する。このソース電極と画素電極と
は、前記金属膜をスパッタ蒸着で約３０００Å成膜した
後、所望の形状にパターニングすることで得られる。
【００４９】その後、画素電極の開口部以外の領域を絶
縁保護する目的で、絶縁保護膜を形成する。この絶縁保
護膜は、ＳｉＮｘやＳｉＯｘからなる絶縁膜をＣＶＤ法
で約３０００Å成膜した後、所望の形状にパターニング
することで得られる。なお、この絶縁保護膜には、無機
の絶縁膜の他に、アクリルやポリイミドなどの有機膜を
使用することも可能である。このようにして、アクティ
ブマトリクス基板１が形成される。
縁保護する目的で、絶縁保護膜を形成する。この絶縁保
護膜は、ＳｉＮｘやＳｉＯｘからなる絶縁膜をＣＶＤ法
で約３０００Å成膜した後、所望の形状にパターニング
することで得られる。なお、この絶縁保護膜には、無機
の絶縁膜の他に、アクリルやポリイミドなどの有機膜を
使用することも可能である。このようにして、アクティ
ブマトリクス基板１が形成される。
【００５０】なお、ここでは、前記アクティブマトリク
ス基板１のＴＦＴ素子として、ａ−Ｓｉを用いた逆スタ
ガ構造のＴＦＴ５を用いたが、これに限定されるもので
はなく、ｐ−Ｓｉを用いても良いし、スタガ構造にして
も良い。また、前記アクティブマトリクス基板１は、液
晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマト
リクス基板と同じプロセスで形成することが可能であ
る。
ス基板１のＴＦＴ素子として、ａ−Ｓｉを用いた逆スタ
ガ構造のＴＦＴ５を用いたが、これに限定されるもので
はなく、ｐ−Ｓｉを用いても良いし、スタガ構造にして
も良い。また、前記アクティブマトリクス基板１は、液
晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマト
リクス基板と同じプロセスで形成することが可能であ
る。
【００５１】一方、対向基板２は、Ｘ線や可視光に対し
て透過性を有する基板を支持基板としている。具体的に
説明すれば（図示せず）、この対向基板２は、厚みが約
０．７ｍｍ〜１．１ｍｍのガラス基板からなる支持基板
の一方側全面に、Ｔｉ、Ａｇなどの金属によって上部電
極が形成されている。ただし、本装置を可視光に対する
画像検出器として用いる場合には、可視光に対して透明
なＩＴＯ電極を用いる必要がある。また、この上部電極
上のほぼ全面にはＺｎＴｅが形成されている。
て透過性を有する基板を支持基板としている。具体的に
説明すれば（図示せず）、この対向基板２は、厚みが約
０．７ｍｍ〜１．１ｍｍのガラス基板からなる支持基板
の一方側全面に、Ｔｉ、Ａｇなどの金属によって上部電
極が形成されている。ただし、本装置を可視光に対する
画像検出器として用いる場合には、可視光に対して透明
なＩＴＯ電極を用いる必要がある。また、この上部電極
上のほぼ全面にはＺｎＴｅが形成されている。
【００５２】そして、この上部電極上に、ＭＯＣＶＤ法
を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅの多結晶膜を約０．５
ｍｍの厚みで形成する。ＭＯＣＶＤ法は大面積基板への
成膜に適しており、原料である有機カドミウム（ジメチ
ルカドミウム［ＤＭＣｄ］）、有機テルル（ジエチルテ
ルル［ＤＥＴｅ］やジイソプロピルテルル［ＤｉＰＴ
ｅ］）、有機亜鉛（ジエチル亜鉛［ＤＥＺｎ］やジイソ
プロピル亜鉛［ＤｉＰＺｎ］やジメチル亜鉛［ＤＭＺ
ｎ］）を用いて４００〜５００℃の成膜温度で成膜が可
能である。
を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅの多結晶膜を約０．５
ｍｍの厚みで形成する。ＭＯＣＶＤ法は大面積基板への
成膜に適しており、原料である有機カドミウム（ジメチ
ルカドミウム［ＤＭＣｄ］）、有機テルル（ジエチルテ
ルル［ＤＥＴｅ］やジイソプロピルテルル［ＤｉＰＴ
ｅ］）、有機亜鉛（ジエチル亜鉛［ＤＥＺｎ］やジイソ
プロピル亜鉛［ＤｉＰＺｎ］やジメチル亜鉛［ＤＭＺ
ｎ］）を用いて４００〜５００℃の成膜温度で成膜が可
能である。
【００５３】なお、ＭＯＣＶＤ法以外にも、スクリーン
印刷・焼成法、近接昇華法、電析法、スプレー法などと
いった他の成膜方法によっても成膜することが可能であ
る。
印刷・焼成法、近接昇華法、電析法、スプレー法などと
いった他の成膜方法によっても成膜することが可能であ
る。
【００５４】さらに、その上にＣｄＳを成膜後、Ａｕ、
Ｃｕ、ＩＴＯなどの金属膜をスパッタ蒸着で成膜し、両
者をアクティブマトリクス基板に形成された画素電極と
対応するようにパターン形成する。本実施の形態１で
は、画素電極３および対向電極４ともに電極部分は一辺
が１００μｍの正方形であり、１５０μｍピッチで配列
させた。
Ｃｕ、ＩＴＯなどの金属膜をスパッタ蒸着で成膜し、両
者をアクティブマトリクス基板に形成された画素電極と
対応するようにパターン形成する。本実施の形態１で
は、画素電極３および対向電極４ともに電極部分は一辺
が１００μｍの正方形であり、１５０μｍピッチで配列
させた。
【００５５】このような電極構造は、ＺｎＴｅ／ＣｄＴ
ｅ／ＣｄＳのＰＩＮ接合構造からなるフォトダイオード
を形成しており、Ｘ線を照射しないときの暗電流の低減
に寄与している。なお、この阻止型フォトダイオードの
構造としては、前記ＰＩＮ構造の他にも、ＭＩＳ構造、
ヘテロ接合構造、ショットキー接合構造などのフォトダ
イオードを形成することも、もちろん可能である。
ｅ／ＣｄＳのＰＩＮ接合構造からなるフォトダイオード
を形成しており、Ｘ線を照射しないときの暗電流の低減
に寄与している。なお、この阻止型フォトダイオードの
構造としては、前記ＰＩＮ構造の他にも、ＭＩＳ構造、
ヘテロ接合構造、ショットキー接合構造などのフォトダ
イオードを形成することも、もちろん可能である。
【００５６】なお、本実施の形態１では、対向基板２を
形成する際にガラス基板を支持基板としているが、半導
体基板（光導電体基板）自体を支持基板としても構わな
い。
形成する際にガラス基板を支持基板としているが、半導
体基板（光導電体基板）自体を支持基板としても構わな
い。
【００５７】以上のようにして作製されたアクティブマ
トリクス基板１および対向基板２は、画素電極３および
対向電極４が画素毎に各々対向するようにして配置され
ており、これら両基板の間隙には、図１にも示すよう
に、異方導電性接着剤５が存在している。このときの異
方導電性接着剤５は、導電粒子６により対向電極４と画
素電極３とを電気的に接続する役割を果たしており、ま
た、前記両基板１、２同士を熱圧着により接着して固定
する役割も果たしている。
トリクス基板１および対向基板２は、画素電極３および
対向電極４が画素毎に各々対向するようにして配置され
ており、これら両基板の間隙には、図１にも示すよう
に、異方導電性接着剤５が存在している。このときの異
方導電性接着剤５は、導電粒子６により対向電極４と画
素電極３とを電気的に接続する役割を果たしており、ま
た、前記両基板１、２同士を熱圧着により接着して固定
する役割も果たしている。
【００５８】この異方導電性接着剤５としては、フィル
ムタイプとペーストタイプとがあるが、本実施の形態１
ではフィルム状の異方導電性接着剤（Ａｎｉｓｏｔｒｏ
ｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ：以下、ＡＣ
Ｆ）を用いた。
ムタイプとペーストタイプとがあるが、本実施の形態１
ではフィルム状の異方導電性接着剤（Ａｎｉｓｏｔｒｏ
ｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ：以下、ＡＣ
Ｆ）を用いた。
【００５９】以下に、前記異方導電性接着剤５を用い
て、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とを貼り
合わせる際の具体的なプレス方法について説明する。な
お、本実施の形態１では、基板貼り合わせ時のプレス方
法としてオートクレーブ法を用いる。また、本実施の形
態１では、フィルム状の異方導電性接着剤（ＡＣＦ）５
の膜厚、導電粒子６の直径がともに１０μｍであり、フ
ィルムの樹脂部分が８０℃前後で軟化、１５０℃前後で
硬化するものを用いた。
て、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とを貼り
合わせる際の具体的なプレス方法について説明する。な
お、本実施の形態１では、基板貼り合わせ時のプレス方
法としてオートクレーブ法を用いる。また、本実施の形
態１では、フィルム状の異方導電性接着剤（ＡＣＦ）５
の膜厚、導電粒子６の直径がともに１０μｍであり、フ
ィルムの樹脂部分が８０℃前後で軟化、１５０℃前後で
硬化するものを用いた。
【００６０】なお、この基板貼り合わせ時に問題となる
ものとしては気泡の巻込みがある。気泡は加圧により縮
小、分散あるいは消滅するものであるが、あまりに巨大
な気泡が混入している場合には、加圧により縮小しても
画素サイズに対して無視できない大きさのものが残って
しまう場合があり、このような場合には上下基板間の接
続不良の原因ともなりうる。したがって、加圧処理以前
に気泡の巻込みをある程度抑えておく必要がある。
ものとしては気泡の巻込みがある。気泡は加圧により縮
小、分散あるいは消滅するものであるが、あまりに巨大
な気泡が混入している場合には、加圧により縮小しても
画素サイズに対して無視できない大きさのものが残って
しまう場合があり、このような場合には上下基板間の接
続不良の原因ともなりうる。したがって、加圧処理以前
に気泡の巻込みをある程度抑えておく必要がある。
【００６１】ここで、図２（ａ）〜（ｃ）は、本実施の
形態１における前記両基板の貼り合わせプロセスを示す
図面であり、この図面をもとに異方導電性接着剤５を用
いたアクティブマトリクス基板１と対向基板２とを貼り
合わせる際の具体的な方法について説明する。
形態１における前記両基板の貼り合わせプロセスを示す
図面であり、この図面をもとに異方導電性接着剤５を用
いたアクティブマトリクス基板１と対向基板２とを貼り
合わせる際の具体的な方法について説明する。
【００６２】先ず、図２（ａ）に示すように、アクティ
ブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせに際
し、アクティブマトリクス基板１（もしくは対向基板２
のどちらか一方の基板）上に異方導電性接着剤５である
ＡＣＦを対向配置させ、これを８０℃に設定されたゴム
製の加熱ローラー装置８に、１ｃｍ／ｓｅｃの速度で通
して予め支持フィルム７上に形成されているＡＣＦをア
クティブマトリクス基板１上に転写する。
ブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせに際
し、アクティブマトリクス基板１（もしくは対向基板２
のどちらか一方の基板）上に異方導電性接着剤５である
ＡＣＦを対向配置させ、これを８０℃に設定されたゴム
製の加熱ローラー装置８に、１ｃｍ／ｓｅｃの速度で通
して予め支持フィルム７上に形成されているＡＣＦをア
クティブマトリクス基板１上に転写する。
【００６３】次に、図２（ｂ）に示すように、ＡＣＦが
転写されたアクティブマトリクス基板１と対向基板２と
を対向配置させ、これを８０℃に設定されたゴム製の加
熱ローラー装置８に、１ｃｍ／ｓｅｃの速度で通してア
クティブマトリクス基板１と対向基板２とを仮圧着す
る。
転写されたアクティブマトリクス基板１と対向基板２と
を対向配置させ、これを８０℃に設定されたゴム製の加
熱ローラー装置８に、１ｃｍ／ｓｅｃの速度で通してア
クティブマトリクス基板１と対向基板２とを仮圧着す
る。
【００６４】そして、図２（ｃ）に示すように、仮接続
された前記両基板をオートクレーブ装置を用いて、１８
０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ2で約１０分間の処理を行う。
このときのオートクレーブ処理による基板温度および装
置内圧力のプロファイルの詳細については図３に示すと
おりである。
された前記両基板をオートクレーブ装置を用いて、１８
０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ2で約１０分間の処理を行う。
このときのオートクレーブ処理による基板温度および装
置内圧力のプロファイルの詳細については図３に示すと
おりである。
【００６５】このようなプロセスでは、ＡＣＦ転写にロ
ーラー加熱装置を用いているため、手間を要する転写工
程を比較的容易かつ短時間で処理することが可能となっ
ている。また、上下基板仮圧着の際に、ローラーにより
基板端部から順次圧着しているため、貼り合わせ面への
気泡の巻込みを抑えることも可能となっている。
ーラー加熱装置を用いているため、手間を要する転写工
程を比較的容易かつ短時間で処理することが可能となっ
ている。また、上下基板仮圧着の際に、ローラーにより
基板端部から順次圧着しているため、貼り合わせ面への
気泡の巻込みを抑えることも可能となっている。
【００６６】なお、特に大面積の基板に対するＡＣＦの
転写および両基板仮接続の方法としては、加熱ローラー
以外にも他のプレス方法を用いることができる。この具
体的な方法について図４（ａ）〜（ｅ）を用いて説明す
る。
転写および両基板仮接続の方法としては、加熱ローラー
以外にも他のプレス方法を用いることができる。この具
体的な方法について図４（ａ）〜（ｅ）を用いて説明す
る。
【００６７】先ず、図４（ａ）に示すように、アクティ
ブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせに際
し、アクティブマトリクス基板１上に異方導電性接着剤
５であるＡＣＦを対向配置させ、この状態でアクティブ
マトリクス基板１とＡＣＦ５との間の脱気処理を施す。
ブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせに際
し、アクティブマトリクス基板１上に異方導電性接着剤
５であるＡＣＦを対向配置させ、この状態でアクティブ
マトリクス基板１とＡＣＦ５との間の脱気処理を施す。
【００６８】次に、図４（ｂ）に示すように、アクティ
ブマトリクス基板１とＡＣＦ５との間の脱気処理を施し
ながら脱気装置のシート上からＡＣＦ５に対して熱プレ
ス処理（８０℃、５−１０ｋｇｆ／ｃｍ2）を施し、Ａ
ＣＦ５をアクティブマトリクス基板１上に転写する。
ブマトリクス基板１とＡＣＦ５との間の脱気処理を施し
ながら脱気装置のシート上からＡＣＦ５に対して熱プレ
ス処理（８０℃、５−１０ｋｇｆ／ｃｍ2）を施し、Ａ
ＣＦ５をアクティブマトリクス基板１上に転写する。
【００６９】次に、図４（ｃ）に示すように、ＡＣＦ５
を転写したアクティブマトリクス基板１と対向基板２と
を貼り合わせ位置に対向配置させ、この状態でアクティ
ブマトリクス基板１と対向基板２との間の脱気処理を施
す。
を転写したアクティブマトリクス基板１と対向基板２と
を貼り合わせ位置に対向配置させ、この状態でアクティ
ブマトリクス基板１と対向基板２との間の脱気処理を施
す。
【００７０】次に、図４（ｄ）に示すように、アクティ
ブマトリクス基板１と対向基板２との間の脱気処理を施
しながら脱気装置のシート上から対向基板２に対して熱
プレス処理（８０℃、５−１０ｋｇｆ／ｃｍ2）を施
し、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との仮圧
着を行う。
ブマトリクス基板１と対向基板２との間の脱気処理を施
しながら脱気装置のシート上から対向基板２に対して熱
プレス処理（８０℃、５−１０ｋｇｆ／ｃｍ2）を施
し、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との仮圧
着を行う。
【００７１】そして、図４（ｅ）に示すように、仮接続
された前記両基板をオートクレーブ装置を用いて、１８
０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ2で約１０分間の処理を行う。
された前記両基板をオートクレーブ装置を用いて、１８
０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ2で約１０分間の処理を行う。
【００７２】上述したような基板貼り合わせプロセスで
は、ＡＣＦをアクティブマトリクス基板上に転写する際
に脱気処理を施した上に、さらに対向基板２の仮圧着時
にも同様に脱気処理を施しているため、オートクレーブ
装置加圧処理による本圧着前に気泡の巻込みをより確実
に抑制することが可能となっている。
は、ＡＣＦをアクティブマトリクス基板上に転写する際
に脱気処理を施した上に、さらに対向基板２の仮圧着時
にも同様に脱気処理を施しているため、オートクレーブ
装置加圧処理による本圧着前に気泡の巻込みをより確実
に抑制することが可能となっている。
【００７３】なお、本実施の形態１では、ＡＣＦ５をア
クティブマトリクス基板１上に転写した例について説明
したが、対向基板２上にＡＣＦ５を転写しても一向に構
わない。また、熱プレス以外に加熱ローラーを使用して
もよい。
クティブマトリクス基板１上に転写した例について説明
したが、対向基板２上にＡＣＦ５を転写しても一向に構
わない。また、熱プレス以外に加熱ローラーを使用して
もよい。
【００７４】このように、本実施の形態１に係る二次元
画像検出器は、格子状の電極配線と各格子毎に設けられ
た複数の薄膜トランジスタと複数の画素電極とが具備さ
れたアクティブマトリクス基板と、光導電性を有する半
導体がほぼ全面に具備された対向基板とを導電性材料で
接続する際に、オートクレーブ方式を用いた加圧プレス
により熱圧着していることを特徴としており、これによ
り、対象となる貼り合わせ基板のサイズに拘わらず均一
な加圧が可能となっている。また、装置の性能によって
も異なるが、１ｋｇｆ／ｃｍ2〜数百ｋｇｆ／ｃｍ2程度
の範囲で加圧力の調整を行うことが可能となっている。
さらに、チャンバ内の気体を脱気しながら加熱している
ことから、熱分布の均一性もよく、複数組の貼り合わせ
基板を一度に加熱、加圧処理する場合であっても基板間
の温度分布を非常に狭くすることが可能となっている。
画像検出器は、格子状の電極配線と各格子毎に設けられ
た複数の薄膜トランジスタと複数の画素電極とが具備さ
れたアクティブマトリクス基板と、光導電性を有する半
導体がほぼ全面に具備された対向基板とを導電性材料で
接続する際に、オートクレーブ方式を用いた加圧プレス
により熱圧着していることを特徴としており、これによ
り、対象となる貼り合わせ基板のサイズに拘わらず均一
な加圧が可能となっている。また、装置の性能によって
も異なるが、１ｋｇｆ／ｃｍ2〜数百ｋｇｆ／ｃｍ2程度
の範囲で加圧力の調整を行うことが可能となっている。
さらに、チャンバ内の気体を脱気しながら加熱している
ことから、熱分布の均一性もよく、複数組の貼り合わせ
基板を一度に加熱、加圧処理する場合であっても基板間
の温度分布を非常に狭くすることが可能となっている。
【００７５】（実施の形態２）本発明に係る二次元画像
検出器は、図１に示した構造のものに限定されるもので
はなく、上述した実施の形態１で示した二次元画像検出
器の他の構成について以下に説明する。
検出器は、図１に示した構造のものに限定されるもので
はなく、上述した実施の形態１で示した二次元画像検出
器の他の構成について以下に説明する。
【００７６】なお、本実施の形態２に係る二次元画像検
出器の構成は、図１に示した実施の形態１に係る二次元
画像検出器の構成と類似しているため、図１で用いた部
材と同一の機能を有する部材については同一の部材番号
を付記し、その説明を省略する。
出器の構成は、図１に示した実施の形態１に係る二次元
画像検出器の構成と類似しているため、図１で用いた部
材と同一の機能を有する部材については同一の部材番号
を付記し、その説明を省略する。
【００７７】本実施の形態２における二次元画像検出器
は、本実施の形態１に係る二次元画像検出器と同様に、
アクティブマトリクス基板１と対向基板２とが異方導電
性接着剤５により電気的に接続されて貼り合わされた構
成となっている。
は、本実施の形態１に係る二次元画像検出器と同様に、
アクティブマトリクス基板１と対向基板２とが異方導電
性接着剤５により電気的に接続されて貼り合わされた構
成となっている。
【００７８】ここで、本実施の形態２における二次元画
像検出器は、以下の理由により、少なくとも一方側の基
板電極上に突起電極（バンプ）を設けていることを特徴
としている。
像検出器は、以下の理由により、少なくとも一方側の基
板電極上に突起電極（バンプ）を設けていることを特徴
としている。
【００７９】この点に関し、異方導電性接着剤５中には
導電粒子６が分散されており、この導電粒子６が上下の
基板（アクティブマトリクス基板１および対向基板２）
それぞれに形成された電極と接触することにより導通が
得られる仕組みとなっている。この各基板に形成された
電極間の導通を確実にするためには、両基板間のギャッ
プを導電粒子６の直径と同等あるいはそれ以下に押し込
む必要があり、かつ同一基板上の隣接電極間においてリ
ークを発生させないようにする必要がある。
導電粒子６が分散されており、この導電粒子６が上下の
基板（アクティブマトリクス基板１および対向基板２）
それぞれに形成された電極と接触することにより導通が
得られる仕組みとなっている。この各基板に形成された
電極間の導通を確実にするためには、両基板間のギャッ
プを導電粒子６の直径と同等あるいはそれ以下に押し込
む必要があり、かつ同一基板上の隣接電極間においてリ
ークを発生させないようにする必要がある。
【００８０】しかしながら、上下の基板がほぼ均一な平
面であり、かつ導電粒子６の直径が異方導電性接着剤５
の膜厚以下である場合には、両基板間のギャップを異方
導電性接着剤５の膜厚以下にすることが不可能であるた
め、上下の基板に形成された電極間の確実な電気的接続
は得られない。上述した実施の形態１で用いたＡＣＦ５
は、膜厚と導電粒子６の直径とが等しくなるように製造
されているが、このような場合であっても、導電粒子６
の直径にある程度の分布が生じることは避けられないこ
とから、直径の小さい導電粒子６による接続不良が発生
してしまう恐れがある。また、このような場合、仮に導
通が得られたとしても、上下の基板間のギャップを異方
導電性接着剤３の膜厚以下に押し込むことができないこ
とから、導電粒子６と電極との接触面積が小さく、製品
としての信頼性に問題が発生してしまうことが考えられ
る。
面であり、かつ導電粒子６の直径が異方導電性接着剤５
の膜厚以下である場合には、両基板間のギャップを異方
導電性接着剤５の膜厚以下にすることが不可能であるた
め、上下の基板に形成された電極間の確実な電気的接続
は得られない。上述した実施の形態１で用いたＡＣＦ５
は、膜厚と導電粒子６の直径とが等しくなるように製造
されているが、このような場合であっても、導電粒子６
の直径にある程度の分布が生じることは避けられないこ
とから、直径の小さい導電粒子６による接続不良が発生
してしまう恐れがある。また、このような場合、仮に導
通が得られたとしても、上下の基板間のギャップを異方
導電性接着剤３の膜厚以下に押し込むことができないこ
とから、導電粒子６と電極との接触面積が小さく、製品
としての信頼性に問題が発生してしまうことが考えられ
る。
【００８１】このような問題点を解決するために、本実
施の形態２における二次元画像検出器では、図５（ａ）
および図５（ｂ）に示すように、少なくとも一方側の基
板電極上に突起電極（バンプ）９を設けた構成としてい
る。このような構成では、基板上に隣接形成される突起
電極９間の溝１０に異方導電性接着剤５が逃れる空間が
生じることから、上下の基板間のギャップを異方導電性
接着剤５の膜厚以下、さらには導電粒子６の直径以下に
押し込むことが可能となっており、これにより、導電粒
子６による上下の基板間の電気的な接続を確実にするこ
とが可能となっている。
施の形態２における二次元画像検出器では、図５（ａ）
および図５（ｂ）に示すように、少なくとも一方側の基
板電極上に突起電極（バンプ）９を設けた構成としてい
る。このような構成では、基板上に隣接形成される突起
電極９間の溝１０に異方導電性接着剤５が逃れる空間が
生じることから、上下の基板間のギャップを異方導電性
接着剤５の膜厚以下、さらには導電粒子６の直径以下に
押し込むことが可能となっており、これにより、導電粒
子６による上下の基板間の電気的な接続を確実にするこ
とが可能となっている。
【００８２】また、少なくとも突起電極間溝１０の部分
の空間が異方導電性接着剤５により満たされるまでは、
この溝部分１０には圧力が加わらないため、この溝部分
１０に存在する導電粒子６は偏平することはない。した
がって、同一基板上の隣接電極間におけるリークが発生
する恐れも低減される。
の空間が異方導電性接着剤５により満たされるまでは、
この溝部分１０には圧力が加わらないため、この溝部分
１０に存在する導電粒子６は偏平することはない。した
がって、同一基板上の隣接電極間におけるリークが発生
する恐れも低減される。
【００８３】なお、オートクレーブ法により異方導電性
接着剤５を用いて突起電極９が形成された基板の貼り合
わせを行う際には、突起電極９間に生じる溝１０を貼り
合わせ面の外部に対して密閉しておく必要がある。これ
は、仮に突起電極９間に生じる溝１０の部分の空間が外
部に対して密閉されていない場合には、外部と同様にこ
の空間自体も加圧されることになるため、上下の基板圧
着時に溝１０部分の空間への異方導電性接着剤５の流入
が阻害されてしまうからであり、このような場合には、
本来得られるべき突起電極９による効果は得られなくな
ってしまう。
接着剤５を用いて突起電極９が形成された基板の貼り合
わせを行う際には、突起電極９間に生じる溝１０を貼り
合わせ面の外部に対して密閉しておく必要がある。これ
は、仮に突起電極９間に生じる溝１０の部分の空間が外
部に対して密閉されていない場合には、外部と同様にこ
の空間自体も加圧されることになるため、上下の基板圧
着時に溝１０部分の空間への異方導電性接着剤５の流入
が阻害されてしまうからであり、このような場合には、
本来得られるべき突起電極９による効果は得られなくな
ってしまう。
【００８４】また、上述した突起電極９の形成方法とし
ては、メッキ法、スタッドバンプ法、エッチング法、サ
ンドブラスト法などがあり、数μｍから数十μｍの高さ
を有するＡｕ、Ｃｕ、Ｉｎ、ハンダなどの金属、或いは
それらの金属を積層して突起電極９を形成することがで
きる。また、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどの半導体層の
表面側接続部分に、エッチング法やサンドブラスト法に
より数μｍから数十μｍの深さの溝を形成して、突起電
極９を形成することも可能である。なお、本実施の形態
２では、図５（ｂ）にも示すように、製造プロセスの簡
易さを考慮して突起電極９を対向基板２上に形成した。
ては、メッキ法、スタッドバンプ法、エッチング法、サ
ンドブラスト法などがあり、数μｍから数十μｍの高さ
を有するＡｕ、Ｃｕ、Ｉｎ、ハンダなどの金属、或いは
それらの金属を積層して突起電極９を形成することがで
きる。また、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどの半導体層の
表面側接続部分に、エッチング法やサンドブラスト法に
より数μｍから数十μｍの深さの溝を形成して、突起電
極９を形成することも可能である。なお、本実施の形態
２では、図５（ｂ）にも示すように、製造プロセスの簡
易さを考慮して突起電極９を対向基板２上に形成した。
【００８５】ここで、上述したような基板上の突起電極
９間に生じる溝１０を貼り合わせ面の外部に対して密閉
する方法について、図５を用いて以下に説明する。
９間に生じる溝１０を貼り合わせ面の外部に対して密閉
する方法について、図５を用いて以下に説明する。
【００８６】本実施の形態２における二次元画像検出器
では、図５（ａ）（ｂ）に示すように、基板の貼り合わ
せ面の周辺約１ｃｍにシール剤１１を配置して外壁を形
成し、これにより貼り合わせ面の内部を密閉した。具体
的には、上述したシール剤１１としてＡＣＦ５の接着剤
成分と同じエポキシ系樹脂を使用し、オートクレーブ装
置による加圧加熱時にＡＣＦ５と同時に硬化させた。ま
た、熱硬化前の軟化状態時にある程度の加圧力に耐えら
れるように、シール剤１１の幅は約１ｃｍと大きめに形
成した。さらに、シール剤１１の高さは約１２μｍと
し、突起電極９のバンプの高さである１０μｍよりもや
や高くしておくことで、基板の貼り合わせ面内を外部に
対して密閉し易くした。
では、図５（ａ）（ｂ）に示すように、基板の貼り合わ
せ面の周辺約１ｃｍにシール剤１１を配置して外壁を形
成し、これにより貼り合わせ面の内部を密閉した。具体
的には、上述したシール剤１１としてＡＣＦ５の接着剤
成分と同じエポキシ系樹脂を使用し、オートクレーブ装
置による加圧加熱時にＡＣＦ５と同時に硬化させた。ま
た、熱硬化前の軟化状態時にある程度の加圧力に耐えら
れるように、シール剤１１の幅は約１ｃｍと大きめに形
成した。さらに、シール剤１１の高さは約１２μｍと
し、突起電極９のバンプの高さである１０μｍよりもや
や高くしておくことで、基板の貼り合わせ面内を外部に
対して密閉し易くした。
【００８７】なお、本実施の形態２に係る二次元画像検
出器では、基板の貼り合わせ面内を外部に対して密閉す
るための外壁を形成するシール剤１１として、エポキシ
系樹脂を使用したが、これ以外にも、シリコーン樹脂な
どの耐熱性や気密性に優れた樹脂材料を使用することが
可能である。また、本実施の形態２では、基板の貼り合
わせ面内を外部に対して密閉するための外壁としてシー
ル剤１１を形成したが、外壁の形成方法としてはこれに
限定されるものではなく、例えば図６（ａ）および図６
（ｂ）に示すように、突起電極９を形成する際に、貼り
合わせ基板周辺部に同時に外壁１２を形成することも可
能である。さらに、エッチング法やサンドブラスト法に
より突起電極９を形成する場合には、貼り合わせ基板の
周辺部に溝が生じない領域を設けることにより、貼り合
わせ面を容易に外部から遮蔽することが可能である。な
お、この図６（ａ）（ｂ）の基本的な構成については図
５（ａ）（ｂ）と同様であるため説明は省略する。
出器では、基板の貼り合わせ面内を外部に対して密閉す
るための外壁を形成するシール剤１１として、エポキシ
系樹脂を使用したが、これ以外にも、シリコーン樹脂な
どの耐熱性や気密性に優れた樹脂材料を使用することが
可能である。また、本実施の形態２では、基板の貼り合
わせ面内を外部に対して密閉するための外壁としてシー
ル剤１１を形成したが、外壁の形成方法としてはこれに
限定されるものではなく、例えば図６（ａ）および図６
（ｂ）に示すように、突起電極９を形成する際に、貼り
合わせ基板周辺部に同時に外壁１２を形成することも可
能である。さらに、エッチング法やサンドブラスト法に
より突起電極９を形成する場合には、貼り合わせ基板の
周辺部に溝が生じない領域を設けることにより、貼り合
わせ面を容易に外部から遮蔽することが可能である。な
お、この図６（ａ）（ｂ）の基本的な構成については図
５（ａ）（ｂ）と同様であるため説明は省略する。
【００８８】（実施の形態３）本発明に係る二次元画像
検出器は、図１乃至図６に示した構造のものに限定され
るものではなく、上述した実施の形態１および実施の形
態２で示した二次元画像検出器の他の構成について以下
に説明する。
検出器は、図１乃至図６に示した構造のものに限定され
るものではなく、上述した実施の形態１および実施の形
態２で示した二次元画像検出器の他の構成について以下
に説明する。
【００８９】なお、本実施の形態３に係る二次元画像検
出器の構成は、図１に示した実施の形態１に係る二次元
画像検出器の構成と類似しているため、図１で用いた部
材と同一の機能を有する部材については同一の部材番号
を付記し、その説明を省略する。
出器の構成は、図１に示した実施の形態１に係る二次元
画像検出器の構成と類似しているため、図１で用いた部
材と同一の機能を有する部材については同一の部材番号
を付記し、その説明を省略する。
【００９０】本実施の形態３における二次元画像検出器
は、本実施の形態１および実施の形態２に係る二次元画
像検出器と同様に、アクティブマトリクス基板１と対向
基板２とが接着かつ電気的に接続されて貼り合わされた
構成となっている。
は、本実施の形態１および実施の形態２に係る二次元画
像検出器と同様に、アクティブマトリクス基板１と対向
基板２とが接着かつ電気的に接続されて貼り合わされた
構成となっている。
【００９１】ここで、本実施の形態３における二次元画
像検出器は、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すよう
に、画素電極を有するアクティブマトリクス基板１と光
導電層を有する対向基板２とを接着かつ電気的に接続す
る導電性材料として、感光性樹脂にカーボン微粒子を分
散させて導電性を付与した材料１３を用い、露光、現像
処理を施して画素電極３上に選択的にパターン形成して
いることを特徴としている。
像検出器は、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すよう
に、画素電極を有するアクティブマトリクス基板１と光
導電層を有する対向基板２とを接着かつ電気的に接続す
る導電性材料として、感光性樹脂にカーボン微粒子を分
散させて導電性を付与した材料１３を用い、露光、現像
処理を施して画素電極３上に選択的にパターン形成して
いることを特徴としている。
【００９２】なお、本実施の形態３においても、アクテ
ィブマトリクス基板１の画素電極３上に導電性材料１３
を選択的にパターン配置していることから、上述した実
施の形態２と同様に、隣接する電極間には導電性材料１
３が存在しない空間（非接続領域）１４が形成されるた
め、オートクレーブ処理による十分な加圧力を得るため
には、基板貼り合わせ面の周辺部には外壁（シール剤）
１１を設けておく必要がある。
ィブマトリクス基板１の画素電極３上に導電性材料１３
を選択的にパターン配置していることから、上述した実
施の形態２と同様に、隣接する電極間には導電性材料１
３が存在しない空間（非接続領域）１４が形成されるた
め、オートクレーブ処理による十分な加圧力を得るため
には、基板貼り合わせ面の周辺部には外壁（シール剤）
１１を設けておく必要がある。
【００９３】また、本実施の形態３で用いる導電性を有
する感光性樹脂１３は、膜厚が８μｍであり、そのため
外壁のシール剤１１の膜厚を１０μｍ程度として基板貼
り合わせ面内の密閉度を向上させた。その他のオートク
レーブ装置を用いた具体的な基板の貼り合わせ方法など
については、上述した実施の形態２と同様である。
する感光性樹脂１３は、膜厚が８μｍであり、そのため
外壁のシール剤１１の膜厚を１０μｍ程度として基板貼
り合わせ面内の密閉度を向上させた。その他のオートク
レーブ装置を用いた具体的な基板の貼り合わせ方法など
については、上述した実施の形態２と同様である。
【００９４】このように、本実施の形態３では、導電性
を有する感光性樹脂１３をパターニングによりアクティ
ブマトリクス基板１の画素電極３上に配置した例につい
て説明したが、この導電性材料を電極上に選択的に配置
する方法はこれに限定されるものではなく、他に電着法
やスクリーン印刷法などの手法も可能である。また、本
実施の形態３では、基板の貼り合わせ面内を外部に対し
て密閉するための外壁を形成するシール剤１１として、
エポキシ系樹脂を使用したが、これ以外にも、シリコー
ン樹脂などの耐熱性や気密性に優れた樹脂材料を使用す
ることが可能である。さらに、本実施の形態２では、基
板の貼り合わせ面内を外部に対して密閉するための外壁
としてシール剤１１を形成したが、外壁の形成方法とし
てはこれに限定されるものではなく、例えば図８（ａ）
および図８（ｂ）に示すように、導電性材料１３を画素
電極３上に選択的に形成する際に、同じ材料１３を用い
て貼り合わせ基板周辺部に同時に外壁１２を形成するこ
とも可能である。ただし、この導電性材料１３を電着法
により画素電極３上に選択的に配置するような場合に
は、基板貼り合わせ面の外壁形成部分にも予め電極を形
成しておく必要がある。なお、この図８（ａ）（ｂ）の
基本的な構成については図７（ａ）（ｂ）と同様である
ため説明は省略する。
を有する感光性樹脂１３をパターニングによりアクティ
ブマトリクス基板１の画素電極３上に配置した例につい
て説明したが、この導電性材料を電極上に選択的に配置
する方法はこれに限定されるものではなく、他に電着法
やスクリーン印刷法などの手法も可能である。また、本
実施の形態３では、基板の貼り合わせ面内を外部に対し
て密閉するための外壁を形成するシール剤１１として、
エポキシ系樹脂を使用したが、これ以外にも、シリコー
ン樹脂などの耐熱性や気密性に優れた樹脂材料を使用す
ることが可能である。さらに、本実施の形態２では、基
板の貼り合わせ面内を外部に対して密閉するための外壁
としてシール剤１１を形成したが、外壁の形成方法とし
てはこれに限定されるものではなく、例えば図８（ａ）
および図８（ｂ）に示すように、導電性材料１３を画素
電極３上に選択的に形成する際に、同じ材料１３を用い
て貼り合わせ基板周辺部に同時に外壁１２を形成するこ
とも可能である。ただし、この導電性材料１３を電着法
により画素電極３上に選択的に配置するような場合に
は、基板貼り合わせ面の外壁形成部分にも予め電極を形
成しておく必要がある。なお、この図８（ａ）（ｂ）の
基本的な構成については図７（ａ）（ｂ）と同様である
ため説明は省略する。
【００９５】（実施の形態４）本発明に係る二次元画像
検出器は、図１乃至図８に示した構造のものに限定され
るものではなく、上述した実施の形態１乃至実施の形態
３で示した二次元画像検出器の他の構成について以下に
説明する。
検出器は、図１乃至図８に示した構造のものに限定され
るものではなく、上述した実施の形態１乃至実施の形態
３で示した二次元画像検出器の他の構成について以下に
説明する。
【００９６】なお、本実施の形態４に係る二次元画像検
出器の構成は、図１に示した実施の形態１に係る二次元
画像検出器の構成と類似しているため、図１で用いた部
材と同一の機能を有する部材については同一の部材番号
を付記し、その説明を省略する。
出器の構成は、図１に示した実施の形態１に係る二次元
画像検出器の構成と類似しているため、図１で用いた部
材と同一の機能を有する部材については同一の部材番号
を付記し、その説明を省略する。
【００９７】本実施の形態４における二次元画像検出器
は、本実施の形態１乃至実施の形態３に係る二次元画像
検出器と同様に、アクティブマトリクス基板１と対向基
板２とが接着かつ電気的に接続されて貼り合わされた構
成となっている。
は、本実施の形態１乃至実施の形態３に係る二次元画像
検出器と同様に、アクティブマトリクス基板１と対向基
板２とが接着かつ電気的に接続されて貼り合わされた構
成となっている。
【００９８】ここで、本実施の形態４における二次元画
像検出器は、実施の形態２と同様に、画素電極３を有す
るアクティブマトリクス基板１と光導電層を有する対向
基板２とを接着かつ電気的に接続する導電性材料とし
て、異方導電性接着剤であるＡＣＦ５を用い、一方側の
基板電極上に突起電極（バンプ）９を設けていることを
特徴としている。
像検出器は、実施の形態２と同様に、画素電極３を有す
るアクティブマトリクス基板１と光導電層を有する対向
基板２とを接着かつ電気的に接続する導電性材料とし
て、異方導電性接着剤であるＡＣＦ５を用い、一方側の
基板電極上に突起電極（バンプ）９を設けていることを
特徴としている。
【００９９】このとき、異方導電性接着剤であるＡＣＦ
５を用いた基板の貼り合わせ時に突起電極９により空間
が生じる場合に、基板貼り合わせ面内に生じる空間１０
を密閉する手段として、上述した実施の形態２では、基
板貼り合わせ面周辺部に外壁を設けることにより空間１
０を密閉していたが、本実施の形態４では、外壁を設け
ずに両基板の貼り合わせを行った。具体的には、オート
クレーブ処理時にのみ基板貼り合わせ面内部を密閉する
手法を用い、貼り合わせ基板を脱気処理することにより
基板貼り合わせ面内部を密閉しながらオートクレーブに
よる本圧着を行った。
５を用いた基板の貼り合わせ時に突起電極９により空間
が生じる場合に、基板貼り合わせ面内に生じる空間１０
を密閉する手段として、上述した実施の形態２では、基
板貼り合わせ面周辺部に外壁を設けることにより空間１
０を密閉していたが、本実施の形態４では、外壁を設け
ずに両基板の貼り合わせを行った。具体的には、オート
クレーブ処理時にのみ基板貼り合わせ面内部を密閉する
手法を用い、貼り合わせ基板を脱気処理することにより
基板貼り合わせ面内部を密閉しながらオートクレーブに
よる本圧着を行った。
【０１００】このオートクレーブによる圧着処理までの
仮圧着に至る工程は、上述した実施の形態１乃至実施の
形態３と同様である。また、オートクレーブ装置による
基板貼り合わせの際の貼り合わせ面内の空間を密閉する
目的で行う脱気処理の方法としては、貼り合わせ基板全
体をテフロン（登録商標）などのフィルムシートで覆っ
た状態にして脱気を行った。なお、貼り合わせ基板周辺
部のみを外枠で囲い、貼り合わせ面内部の脱気を行って
も構わない。
仮圧着に至る工程は、上述した実施の形態１乃至実施の
形態３と同様である。また、オートクレーブ装置による
基板貼り合わせの際の貼り合わせ面内の空間を密閉する
目的で行う脱気処理の方法としては、貼り合わせ基板全
体をテフロン（登録商標）などのフィルムシートで覆っ
た状態にして脱気を行った。なお、貼り合わせ基板周辺
部のみを外枠で囲い、貼り合わせ面内部の脱気を行って
も構わない。
【０１０１】このような本実施の形態４に係るアクティ
ブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせプロセ
スを図９（ａ）および図９（ｂ）に示す。また、基板貼
り合わせ面内部を密閉する目的は、オートクレーブ処理
の際に上下の貼り合わせ基板間に生じる隙間を外部から
遮断することにより隙間部分と装置内部雰囲気との圧力
差が保たれ、オートクレーブ装置内部圧と同等の圧力を
貼り合わせ基板全面に加えるためである。したがって、
貼り合わせ面内に外壁を設けるなどの構造的な処置を施
さなくても、上述したように基板貼り合わせ時に限り補
助的に貼り合わせ面内部を密閉しておけば得られる効果
としては十分である。これにより、密閉を目的とした基
板への構造付加が不要である分だけ本実施形態４では二
次元画像検出器の製造工程を簡略化することが可能とな
っている。
ブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせプロセ
スを図９（ａ）および図９（ｂ）に示す。また、基板貼
り合わせ面内部を密閉する目的は、オートクレーブ処理
の際に上下の貼り合わせ基板間に生じる隙間を外部から
遮断することにより隙間部分と装置内部雰囲気との圧力
差が保たれ、オートクレーブ装置内部圧と同等の圧力を
貼り合わせ基板全面に加えるためである。したがって、
貼り合わせ面内に外壁を設けるなどの構造的な処置を施
さなくても、上述したように基板貼り合わせ時に限り補
助的に貼り合わせ面内部を密閉しておけば得られる効果
としては十分である。これにより、密閉を目的とした基
板への構造付加が不要である分だけ本実施形態４では二
次元画像検出器の製造工程を簡略化することが可能とな
っている。
【０１０２】また、上述した実施の形態３に示すよう
に、電極上に選択的に導電性材料を配置することにより
導電性材料間に空間を形成するような場合においても、
例えば図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、
上述した手法と同様に基板面に外壁を設けることなく貼
り合わせ面内部を密閉することが可能である。なお、こ
の図１０（ａ）（ｂ）の基本的な構成についても図９
（ａ）（ｂ）と同様であるため説明は省略する。
に、電極上に選択的に導電性材料を配置することにより
導電性材料間に空間を形成するような場合においても、
例えば図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、
上述した手法と同様に基板面に外壁を設けることなく貼
り合わせ面内部を密閉することが可能である。なお、こ
の図１０（ａ）（ｂ）の基本的な構成についても図９
（ａ）（ｂ）と同様であるため説明は省略する。
【０１０３】また、オートクレーブ処理時に貼り合わせ
面内部に対して継続的に脱気処理を施さなくても、最初
にある程度の脱気を行っておくだけである程度の密閉効
果を得ることが可能である。
面内部に対して継続的に脱気処理を施さなくても、最初
にある程度の脱気を行っておくだけである程度の密閉効
果を得ることが可能である。
【０１０４】
【発明の効果】本発明によれば、前記アクティブマトリ
クス基板と対向基板とを貼り合わせる際に、各画素電極
に対応した突起または各画素電極に対応して選択的にパ
ターン配置された導電性材料の間隔部分に生じる空間が
外部に対して密閉されているため、基板貼り合わせ面内
空間と外部との圧力差により、貼り合わせ装置内部と同
等の圧力を基板全面に加えることが可能となっている。
クス基板と対向基板とを貼り合わせる際に、各画素電極
に対応した突起または各画素電極に対応して選択的にパ
ターン配置された導電性材料の間隔部分に生じる空間が
外部に対して密閉されているため、基板貼り合わせ面内
空間と外部との圧力差により、貼り合わせ装置内部と同
等の圧力を基板全面に加えることが可能となっている。
【０１０５】さらに、基板接続面周辺部には該両基板間
を外部から遮断する封止手段が形成されているため、基
板貼り合わせ面内空間の保護および貼り合わせ強度の向
上といった効果も併せて実現することが可能となってい
る。
を外部から遮断する封止手段が形成されているため、基
板貼り合わせ面内空間の保護および貼り合わせ強度の向
上といった効果も併せて実現することが可能となってい
る。
【０１０６】また、本発明によれば、アクティブマトリ
クス基板と対向基板とを貼り合わせる際に基板サイズに
関係なく基板全面に対して均一な加圧プレスが可能とな
り、また、該両基板を接続するための導電性材料の種類
に応じたプレス圧の調整が容易に可能となり、さらに
は、加圧雰囲気下で熱媒体の密度が大きいために加熱処
理時に昇温速度が速く製造時間を短縮することが可能と
なっている。
クス基板と対向基板とを貼り合わせる際に基板サイズに
関係なく基板全面に対して均一な加圧プレスが可能とな
り、また、該両基板を接続するための導電性材料の種類
に応じたプレス圧の調整が容易に可能となり、さらに
は、加圧雰囲気下で熱媒体の密度が大きいために加熱処
理時に昇温速度が速く製造時間を短縮することが可能と
なっている。
【０１０７】さらに、アクティブマトリクス基板、対向
基板および導電性材料のそれぞれの貼り合わせ面に生じ
る間隙を脱気しながら接続していることにより、この両
基板間への気泡の混入を未然に防ぐことが可能となり、
アクティブマトリクス基板と対向基板とを信頼性よく接
続することが可能となっている。
基板および導電性材料のそれぞれの貼り合わせ面に生じ
る間隙を脱気しながら接続していることにより、この両
基板間への気泡の混入を未然に防ぐことが可能となり、
アクティブマトリクス基板と対向基板とを信頼性よく接
続することが可能となっている。
【図１】図１（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態１に
係る二次元画像検出器の構成の概略を示す断面図であ
る。
係る二次元画像検出器の構成の概略を示す断面図であ
る。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１
に係る二次元画像検出器の基板貼り合わせプロセスの概
略を示す断面図である。
に係る二次元画像検出器の基板貼り合わせプロセスの概
略を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１に係る二次元画
像検出器の基板貼り合わせ時におけるオートクレーブ圧
力および温度条件を示す図面である。
像検出器の基板貼り合わせ時におけるオートクレーブ圧
力および温度条件を示す図面である。
【図４】図４（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態１
に係る二次元画像検出器の基板貼り合わせプロセスの概
略を示す断面図である。
に係る二次元画像検出器の基板貼り合わせプロセスの概
略を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態２に
係る二次元画像検出器の構成の概略を示す平面図および
断面図である。
係る二次元画像検出器の構成の概略を示す平面図および
断面図である。
【図６】図６（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態２に
係る二次元画像検出器の構成の概略を示す平面図および
断面図である。
係る二次元画像検出器の構成の概略を示す平面図および
断面図である。
【図７】図７（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態３に
係る二次元画像検出器の構成の概略を示す平面図および
断面図である。
係る二次元画像検出器の構成の概略を示す平面図および
断面図である。
【図８】図８（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態３に
係る二次元画像検出器の構成の概略を示す平面図および
断面図である。
係る二次元画像検出器の構成の概略を示す平面図および
断面図である。
【図９】図９（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態４に
係る二次元画像検出器の製造装置を示す断面図である。
係る二次元画像検出器の製造装置を示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態
４に係る二次元画像検出器の製造装置を示す断面図であ
る。
４に係る二次元画像検出器の製造装置を示す断面図であ
る。
【図１１】図１１は、従来の二次元画像検出器の構成の
概略を模式的に示した斜視図である。
概略を模式的に示した斜視図である。
【図１２】図１２は、従来の二次元画像検出器の１画素
当たりの構成の概略を模式的に示した断面図である。
当たりの構成の概略を模式的に示した断面図である。
１ アクティブマトリクス基板 ２ 対向基板 ３ 画素電極 ４ 対向電極 ５ 異方導電性接着剤（ＡＣＦ） ６ 導電粒子 ７ ＡＣＦ支持フィルム ８ 加熱ローラー ９ 突起電極 １０ 突起電極間溝（空間） １１ シール剤 １２ 外壁 １３ 感光性樹脂 １４ 非接触領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G065 AB01 AB02 AB04 BA02 BA09 BA34 CA12 DA20 2G088 FF02 GG21 JJ05 JJ10 JJ31 JJ33 JJ37 4M118 AA08 AA10 AB01 BA05 CA05 CA06 CB05 CB14 FB09 FB13 FB16 GA10 HA24 HA31
Claims (10)
- 【請求項１】 格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極
を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、 前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部
と、 前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性
を有する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器にお
いて、 前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、 前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えてお
り、 前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対
向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置され
るとともに、該両基板は導電性材料によって接着かつ電
気的に接続されており、 前記アクティブマトリクス基板と対向基板の少なくとも
一方側の接続面には各画素電極に対応した突起が形成さ
れているとともに、該接続面周辺部には該両基板間を外
部から遮断する封止手段が形成されていることを特徴と
する二次元画像検出器。 - 【請求項２】 前記封止手段は、前記画素電極に対応し
て形成された突起と同じ材料で構成された外壁であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の二次元画像検出器。 - 【請求項３】 格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極
を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、 前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部
と、 前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性
を有する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器にお
いて、 前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、 前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えてお
り、 前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対
向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置され
るとともに、該両基板は導電性材料によって接着かつ電
気的に接続されており、 前記導電性材料は各画素電極に対応して選択的にパター
ン配置されているとともに、前記アクティブマトリクス
基板と対向基板との接続面周辺部には該両基板間を外部
から遮断する封止手段が形成されていることを特徴とす
る二次元画像検出器。 - 【請求項４】 前記封止手段は、前記画素電極に対応し
て配置された導電性材料と同じ材料で構成された外壁で
あることを特徴とする請求項３に記載の二次元画像検出
器。 - 【請求項５】 前記封止手段は、前記アクティブマトリ
クス基板の周辺部に形成された封止樹脂であることを特
徴とする請求項１乃至４に記載の二次元画像検出器。 - 【請求項６】 格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッ
チング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極
を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、 前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部
と、 前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性
を有する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器の製
造方法において、 前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板を作製
する工程と、 前記電極部および半導体層を含む対向基板を作製する工
程と、 前記アクティブマトリクス基板と対向基板の少なくとも
一方側の接続面に導電性材料を配置する工程と、 前記導電性材料を配置した基板の接続面に、他方側の基
板の接続面が対向するように配置する工程と、 前記対向配置した両基板をオートクレーブ装置を用いた
加圧プレスにより圧着しながら加熱処理を施して前記導
電性材料により接着かつ電気的に接続する工程と、を含
むことを特徴とする二次元画像検出器の製造方法。 - 【請求項７】 前記アクティブマトリクス基板と対向基
板の少なくとも一方側の接続面に導電性材料を配置する
工程において、該導電性材料はフィルム形状を有すると
ともに、加熱ローラーを用いて該導電性材料と基板との
貼り合わせ面に生じる間隙を脱気しながら配置すること
を特徴とする請求項６に記載の二次元画像検出器の製造
方法。 - 【請求項８】 前記対向配置した両基板を前記導電性材
料により接着かつ電気的に接続する工程において、該対
向配置した両基板を予め仮圧着しておくことを特徴とす
る請求項６に記載の二次元画像検出器の製造方法。 - 【請求項９】 前記対向配置した両基板を仮圧着する際
に、脱気処理を施すことを特徴とする請求項８に記載の
二次元画像検出器の製造方法。 - 【請求項１０】 前記対向配置した両基板を前記導電性
材料により接着かつ電気的に接続する工程において、前
記オートクレーブ装置による加圧加熱処理の際に、該両
基板の貼り合わせ面に生じる間隙を脱気しながら接続す
ることを特徴とする請求項６に記載の二次元画像検出器
の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP32919198A JP3430040B2 (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | 二次元画像検出器およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP32919198A JP3430040B2 (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | 二次元画像検出器およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001208853A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-08-03 | General Electric Co <Ge> | イメージャのエンドキャップ及びシールの方法 |
| EP1207559A2 (en) * | 2000-10-26 | 2002-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, methods of producing apparatus, and radiographic imaging system |
| WO2005031872A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2006115099A1 (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Shimadzu Corporation | 二次元画像検出器およびその製造方法 |
| WO2011002129A1 (ko) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 서울옵토디바이스주식회사 | 스펙트럼 검출기 |
| US10163969B2 (en) | 2013-10-02 | 2018-12-25 | Rayence Co., Ltd. | X-ray sensor and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3485513B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2004-01-13 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001210813A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Sharp Corp | 二次元画像検出器およびその製造方法 |
| JP2001313384A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Shimadzu Corp | 放射線検出器 |
| JP3678162B2 (ja) * | 2001-04-12 | 2005-08-03 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出装置 |
| JP4468609B2 (ja) * | 2001-05-21 | 2010-05-26 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
| US7170062B2 (en) * | 2002-03-29 | 2007-01-30 | Oy Ajat Ltd. | Conductive adhesive bonded semiconductor substrates for radiation imaging devices |
| US6909100B2 (en) * | 2002-07-25 | 2005-06-21 | Ii-Vi Incorporated | Radiation detector assembly |
| US6881975B2 (en) * | 2002-12-17 | 2005-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2005012049A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Shimadzu Corp | 放射線検出器およびそれを備えた放射線撮像装置 |
| WO2005114749A1 (en) | 2004-05-21 | 2005-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7439516B2 (en) * | 2004-10-01 | 2008-10-21 | General Electric Company | Module assembly for multiple die back-illuminated diode |
| US7700901B2 (en) * | 2006-02-10 | 2010-04-20 | Radiant Glass Industries, Llc | Heated glass panels |
| US7362491B2 (en) * | 2006-02-10 | 2008-04-22 | Radiant Glass Industries, Llc | Heated glass panels and methods for making electrical contact with electro-conductive films |
| US20080305580A1 (en) * | 2007-06-07 | 2008-12-11 | Berger Alexander J | Bonding of structures together including, but not limited to, bonding a semiconductor wafer to a carrier |
| US8071953B2 (en) * | 2008-04-29 | 2011-12-06 | Redlen Technologies, Inc. | ACF attachment for radiation detector |
| EP2439749A4 (en) * | 2009-06-02 | 2013-12-04 | Konica Minolta Med & Graphic | METHOD FOR MANUFACTURING SCINTILLATOR PANEL, SCINTILLATOR PANEL, AND RADIOLOGICAL IMAGE DETECTOR |
| US20140374608A1 (en) * | 2013-06-19 | 2014-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection apparatus and method of manufacturing the same |
| CN113544546B (zh) * | 2019-03-29 | 2023-11-10 | 深圳帧观德芯科技有限公司 | 半导体x射线检测器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06342098A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-12-13 | E I Du Pont De Nemours & Co | ソリッド・ステート・デバイスを用いたｘ線イメージ捕獲エレメントおよび方法 |
| JPH08255979A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-01 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用多層基板の製造方法 |
| JPH08322826A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｘ線撮像装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2034118A1 (en) * | 1990-02-09 | 1991-08-10 | Nang Tri Tran | Solid state radiation detector |
| JP3649907B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2005-05-18 | シャープ株式会社 | 二次元画像検出器およびその製造方法 |
| US6020590A (en) * | 1998-01-22 | 2000-02-01 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Large area imager with UV blocking layer |
| JP3976915B2 (ja) * | 1998-02-09 | 2007-09-19 | シャープ株式会社 | 二次元画像検出器およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-11-19 JP JP32919198A patent/JP3430040B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-10 US US09/437,470 patent/US6392217B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06342098A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-12-13 | E I Du Pont De Nemours & Co | ソリッド・ステート・デバイスを用いたｘ線イメージ捕獲エレメントおよび方法 |
| JPH08255979A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-01 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用多層基板の製造方法 |
| JPH08322826A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｘ線撮像装置 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001208853A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-08-03 | General Electric Co <Ge> | イメージャのエンドキャップ及びシールの方法 |
| EP1207559A3 (en) * | 2000-10-26 | 2005-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, methods of producing apparatus, and radiographic imaging system |
| EP1207559A2 (en) * | 2000-10-26 | 2002-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, methods of producing apparatus, and radiographic imaging system |
| US6825473B2 (en) | 2000-10-26 | 2004-11-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, methods of producing apparatus, and radiographic imaging system |
| JP4494745B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2010-06-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP2005101315A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置 |
| CN100440520C (zh) * | 2003-09-25 | 2008-12-03 | 浜松光子学株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| US7696595B2 (en) | 2003-09-25 | 2010-04-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2005031872A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2006115099A1 (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Shimadzu Corporation | 二次元画像検出器およびその製造方法 |
| WO2011002129A1 (ko) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 서울옵토디바이스주식회사 | 스펙트럼 검출기 |
| US9012924B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-04-21 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Spectrum detector including a photodector having a concavo-convex patten |
| US10163969B2 (en) | 2013-10-02 | 2018-12-25 | Rayence Co., Ltd. | X-ray sensor and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US6392217B1 (en) | 2002-05-21 |
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