JP2000156310A

JP2000156310A - 六方晶フェライト磁石

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Publication number: JP2000156310A
Application number: JP11076975A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Taguchi; 仁田口; Kiyoyuki Masuzawa; 清幸増澤; Yoshihiko Minachi; 良彦皆地; Kazumasa Iida; 和昌飯田
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1998-06-25
Filing date: 1999-03-19
Publication date: 2000-06-06
Anticipated expiration: 2019-03-19
Also published as: JP3183869B2

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｍ型フェライトの飽和磁化と磁気異方性とを
同時に高めることにより、従来のＭ型六方晶フェライト
磁石では達成不可能であった高い残留磁束密度と高い保
磁力とを有する六方晶フェライト磁石を実現する。【解決手段】Ｓｒ、ＢａおよびＣａから選択される少
なくとも１種の元素をＡとし、＋３価または＋４価を取
りうるイオン半径が１．００オングストローム以上の元
素をＲとし、Ａ，ＲおよびＦｅを含有し、積層欠陥を有
する結晶粒子の数をｎとし、全体の結晶粒子の数をＮと
したときに、ｎ／Ｎが０．３５以下である六方晶フェラ
イト磁石とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車用モータ等
の永久磁石材料として好適に使用される六方晶フェライ
ト、特にマグネトプランバイト型構造を有する六方晶フ
ェライトに関する。

【０００２】

【従来の技術】酸化物永久磁石材料には、マグネトプラ
ンバイト型（Ｍ型）の六方晶系のＳｒフェライトまたは
Ｂａフェライトが主に用いられており、これらの焼結磁
石やボンディッド磁石が製造されている。

【０００３】磁石特性のうち特に重要なものは、残留磁
束密度（Ｂｒ）および固有保磁力（ＨcJ）である。

【０００４】Ｂｒは、磁石の密度およびその配向度と、
その結晶構造で決まる飽和磁化（４πＩｓ）とで決定さ
れ、Ｂｒ＝４πＩｓ×配向度×密度で表わされる。Ｍ型のＳｒフェライトやＢａフェライト
の４πＩｓは約４．６５kGである。密度と配向度とは、
最も高い値が得られる焼結磁石の場合でもそれぞれ９８
％程度が限界である。したがって、これらの磁石のＢｒ
は４．４６kG程度が限界であり、４．５kG以上の高いＢ
ｒを得ることは、従来、実質的に不可能であった。

【０００５】本発明者らは、特開平９−１１５７１５号
公報において、Ｍ型フェライトに例えばＬａとＺｎとを
適量含有させることにより、４πＩｓを最高約２００G
高めることが可能であり、これによって４．５kG以上の
Ｂｒが得られることを見出した。しかしこの場合、後述
する異方性磁場（Ｈ_A）が低下するため、４．５kG以上
のＢｒと３．５kOe以上のＨcJとを同時に得ることは困
難であった。

【０００６】ＨcJは、異方性磁場｛Ｈ_A（＝２Ｋ₁／Ｉ
ｓ）｝と単磁区粒子比率（ｆｃ）との積（Ｈ_A×ｆｃ）
に比例する。ここで、Ｋ₁は結晶磁気異方性定数であ
り、Ｉｓと同様に結晶構造で決まる定数である。Ｍ型Ｂ
ａフェライトの場合、Ｋ₁＝３．３×１０⁶erg/cm³であ
り、Ｍ型Ｓｒフェライトの場合、Ｋ₁＝３．５×１０⁶er
g/cm ³である。このように、Ｍ型Ｓｒフェライトは最大
のＫ₁をもつことが知られているが、Ｋ₁をこれ以上向上
させることは困難であった。

【０００７】また、粒子の形状で決まる反磁場係数をＮ
とすると、下式１に示すように、Ｎが大きいほど粒子に
は大きな反磁場がかかり、ＨcJを劣化させる。ＨcJ∝（２Ｋ₁／Is−ＮIs）・・・（式１）

【０００８】一般的に、粒子のアスペクト比が大きくな
る（扁平化する）と、Ｎは大きくなり、ＨcJは劣化す
る。

【０００９】一方、フェライト粒子が単磁区状態となれ
ば、磁化を反転させるためには異方性磁場に逆らって磁
化を回転させる必要があるから、最大のＨcJが期待され
る。フェライト粒子を単磁区粒子化するためには、フェ
ライト粒子の大きさを下記の臨界径（ｄｃ）以下にする
ことが必要である。

【００１０】ｄｃ＝２（ｋ・Ｔｃ・Ｋ₁／ａ）^1/2／Ｉｓ²

【００１１】ここで、ｋはボルツマン定数、Ｔｃはキュ
リー温度、ａは鉄イオン間距離である。Ｍ型Ｓｒフェラ
イトの場合、ｄｃは約１μmであるから、例えば焼結磁
石を作製する場合は、焼結体の結晶粒径を１μm以下に
制御することが必要になる。高いＢｒを得るための高密
度化かつ高配向度と同時に、このように微細な結晶粒を
実現することは従来困難であったが、本発明者らは特開
平６−５３０６４号公報において、新しい製造方法を提
案し、従来にない高特性が得られることを示した。しか
し、この方法においても、Ｂｒが４．４kGのときにはＨ
cJが４．０kOe程度となり、４．４kG以上の高いＢｒを
維持してかつ４．５kOe以上の高いＨcJを同時に得るこ
とは困難であった。

【００１２】また、焼結体の結晶粒径を１μm以下に制
御するためには、焼結段階での粒成長を考慮すると、成
形段階での粒子サイズを好ましくは０．５μm以下にす
る必要がある。このような微細な粒子を用いると、成形
時間の増加や成形時のクラックの増加などにより、一般
的に生産性が低下するという問題がある。このため、高
特性化と高生産性とを両立させることは非常に困難であ
った。

【００１３】一方、高いＨcJを得るためには、Ａｌ₂Ｏ₃
やＣｒ₂Ｏ₃の添加が有効であることが従来から知られて
いた。この場合、Ａｌ³⁺やＣｒ³⁺はＭ型構造中の「上向
き」スピンをもつＦｅ³⁺を置換してＨ_Aを増加させると
共に、粒成長を抑制する効果があるため、４．５kOe以
上の高いＨcJが得られる。しかし、Ｉｓが低下すると共
に焼結密度も低下しやすくなるため、Ｂｒは著しく低下
する。このため、ＨcJが４．５kOeとなる組成では最高
でも４．２kG程度のＢｒしか得られなかった。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｍ型
フェライトの飽和磁化と磁気異方性とを同時に高めるこ
とにより、従来のＭ型六方晶フェライト磁石では達成不
可能であった高い残留磁束密度と高い保磁力とを有する
六方晶フェライト磁石を実現することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１８）のいずれかの構成により達成される。（１）Ｓｒ、ＢａおよびＣａから選択される少なくと
も１種の元素をＡとし、＋３価または＋４価を取りうる
イオン半径が１．００オングストローム以上の元素をＲ
とし、Ａ，ＲおよびＦｅを含有し、積層欠陥を有する結
晶粒子の数をｎとし、全体の結晶粒子の数をＮとしたと
きに、ｎ／Ｎが０．３５以下である六方晶フェライト磁
石。（２）さらにイオン半径が０．９０オングストローム
以下の元素をＭとして含有する上記（１）の六方晶フェ
ライト磁石。（３）前記Ｒを０．０５〜１０原子％含有する上記
（１）または（２）の六方晶フェライト磁石。（４）Ａ，Ｒ，ＦｅおよびＭそれぞれの金属元素の総
計の構成比率が、全金属元素量に対し、Ａ：１〜１３原子％、Ｒ：０．０５〜１０原子％、Ｆｅ：８０〜９５原子％、Ｍ：０．１〜５原子％である上記（２）または（３）の六方晶フェライト磁
石。（５）前記積層欠陥部分は、結晶粒子中の他の部分よ
り元素Ｍを多く含む上記（２）〜（４）のいずれかの六
方晶フェライト磁石。（６）前記Ｒは、Ｌａ，Ｐｒ，ＮｄおよびＣｅのいず
れか１種または２種以上である上記（１）〜（５）のい
ずれかの六方晶フェライト磁石。（７）前記Ｍは、２価のイオンとなる元素である上記
（２）〜（６）のいずれかの六方晶フェライト磁石。（８）前記Ｍは、Ｃｏ，ＮｉおよびＺｎのいずれか１
種または２種以上である上記（２）〜（７）のいずれか
の六方晶フェライト磁石。（９）マグネトプランバイト型フェライトである上記
（１）〜（８）のいずれかの六方晶フェライト磁石。（１０）Ｓｒ、ＢａおよびＣａから選択される少なく
とも１種の元素をＡとし、＋３価または＋４価を取りう
るイオン半径が１．００オングストローム以上の元素を
Ｒとし、Ａ，ＲおよびＦｅを含有し、Ｒが結晶粒子の中
心よりも結晶粒界近傍に多く存在する六方晶フェライト
磁石。（１１）さらにイオン半径が０．９０オングストロー
ム以下の元素をＭとして含有する上記（１０）の六方晶
フェライト磁石。（１２）前記元素Ｍは、結晶粒子の中心より粒界近傍
に多く存在する上記（１１）の六方晶フェライト磁石。（１３）前記Ｒを０．０５〜１０原子％含有する上記
（１０）〜（１２）のいずれかの六方晶フェライト磁
石。（１４）Ａ，Ｒ，ＦｅおよびＭそれぞれの金属元素の
総計の構成比率が、全金属元素量に対し、Ａ：１〜１３原子％、Ｒ：０．０５〜１０原子％、Ｆｅ：８０〜９５原子％、Ｍ：０．１〜５原子％である上記（１１）〜（１３）のいずれかの六方晶フェ
ライト磁石。（１５）前記Ｒは、Ｌａ，Ｐｒ，ＮｄおよびＣｅのい
ずれか１種または２種以上である上記（１０）〜（１
４）のいずれかの六方晶フェライト磁石。（１６）前記Ｍは、２価のイオンとなる元素である上
記（１１）〜（１５）のいずれかの六方晶フェライト磁
石。（１７）前記Ｍは、Ｃｏ，ＮｉおよびＺｎのいずれか
１種または２種以上である上記（１１）〜（１６）のい
ずれかの六方晶フェライト磁石。（１８）マグネトプランバイト型フェライトである上
記（１０）〜（１７）のいずれかの六方晶フェライト磁
石。

【００１６】

【作用】六方晶フェライト磁石の特性のうち、ＨcJは単
磁区粒子理論から予想される値よりも通常はかなり小さ
い。この原因のひとつとして、上記のように粒子サイズ
が単磁区臨界径より大きいことが挙げられるが、これだ
けでは説明できない場合が多い。

【００１７】本発明者らは、焼結体をＴＥＭにより注意
深く観察した結果、図２５に示すように、結晶粒子１の
中にｃ軸と直交するような面に積層欠陥２を有するもの
があることを突き止めた。なお、図中、矢印ｃは、ｃ軸
方向を示している。

【００１８】ここで、例えば特願平９−５６８５６（国
際公開ＷＯ９８／３８６５４）、特開平１０−１４９９
１０号公報に記載されているように、Ｓｒ²⁺をＬａ
³⁺で、Ｆｅ³⁺をＣｏ²⁺で置換したＭ型Ｓｒフェライト組
成の場合、結晶構造に依存する基本的な磁気特性である
飽和磁化と、結晶磁気異方性定数（Ｋ１）が共に増加し
て高特性が得られる。しかし、本発明者らはこのように
価数やイオン半径の異なる元素で置換した組成の六方晶
フェライト磁石を従来の製造法で作製すると、積層欠陥
を特に生じやすくなることを初めて見いだした。さら
に、このような積層欠陥によって、高い結晶磁気異方性
が、磁石特性である保磁力に十分に反映されない場合が
あることを見いだした。

【００１９】本発明者らは、特願平９−２７３９３６号
において、これに記載されている製造方法（後添加法）
により優れた磁気特性が得られ、この方法によって作製
されたフェライト磁石は、２つのキュリー温度を有する
ことを見出すに至ったが、さらに研究を重ねた結果、こ
のときに積層欠陥が非常に少なくなっていることを見出
し本発明に至った。

【００２０】さらに、積層欠陥を少なくする方法として
は、Ｒを余剰にする手法が有効である。また、特願平９
−２７３９３２号に記載されているように、六方晶フェ
ライトを焼成する際の雰囲気を、酸素過剰雰囲気、具体
的には酸素分圧を０．２atm超として製造する方法も有
効である。

【００２１】マグネトプランバイト構造のような六方晶
フェライトは、酸素イオン（Ｏ^2-）が、ＡＢＡＢ・・・
のように積み重なって六方最密充填されており、酸素イ
オンの一部が、Ｓｒ²⁺，Ｂａ²⁺およびＣａ²⁺等で置換さ
れる構造になっている。また、鉄イオン（Ｆｅ³⁺）等の
大きさの小さいイオンは、Ｏ^2-やＳｒ²⁺で形成される層
の隙間に位置する。一般的に、積層欠陥とは、このＡＢ
ＡＢ・・・のような積み重なりの順序が一部乱れた面欠
陥のことであるが、本明細書における積層欠陥をさらに
詳しく説明すると次のようになる。

【００２２】図１に示されるように、Ｍ型六方晶フェラ
イトは、Ｓ層／Ｒ層／Ｓ* 層／Ｒ*層のように、Ｓ層と
Ｒ層とが交互に積層する構造を有している。ここで、Ｓ
* ，Ｒ* は、Ｓ，Ｒをｃ軸を中心に１８０度回転させた
ものである。下記実験例（ＴＥＭ−ＥＤＳ解析）から、
積層欠陥はＳ層（スピネル層）部分が異常に成長した部
分である可能性が高まった。これは、例えば、Journal
of Solid State Chemistry vol.26 , P1〜6 (1978)に記
載されているように"Intergrowth Layer"と呼ばれてい
るものである。

【００２３】ＲやＭを含有させた六方晶フェライトは積
層欠陥が多く、この積層欠陥を減少させることにより、
高特性が得られることは本発明者らにより初めて見出さ
れたことである。なお、欠陥をゼロにすることが理想で
あるが、実際には、積層欠陥を有する結晶粒子の数をｎ
とし、全体の結晶粒子の数をＮとしたときに、ｎ／Ｎ＝
０．０５〜０．３５の範囲においても、高い特性が得ら
れることを見出した。

【００２４】以上のような積層欠陥が存在すると、フェ
ライト磁石としての磁気特性が劣化する原因は次のよう
に推察される。第一に、積層欠陥が非磁性層の場合は、
結晶粒子（グレイン）を磁気的に分断すると考えられ
る。これは、粒子が扁平化することと実効的に同じこと
であり、反磁場係数（Ｎ）が増加し、上記式１に従って
HcJは劣化する。第二に、積層欠陥が軟磁性を示すスピ
ネル層とすると、軟磁性層が閉磁路を構成して、実効的
な結晶磁気異方性が低下することが考えられる。

【００２５】また、本発明者らは、先の特願平９−２７
３９３６号において、これに記載されている製造方法
（後添加法）により優れた磁気特性が得られ、この方法
によって作製されたフェライト磁石は、２つのキュリー
温度を有することを見出すに至ったが、このとき後添加
した元素のうち、特にＬａ等の元素Ｒの濃度が結晶粒の
中心部分で低く、粒界近傍や、三重点で比較的高いこと
を初めて見出した。

【００２６】さらに、このときＣｏ等の元素Ｍの分布
は、少量だと解析が困難になり、不明確な場合もあるも
のの、元素Ｒと同様になっていることを見いだした。

【００２７】このように、ＬａなどのRや、Ｃｏなどの
Ｍを、結晶粒子中心近傍よりも粒界近傍に高濃度に存在
させる構造とすることにより、優れた磁気特性を有する
フェライト磁石が得られる原因は次のように推察され
る。第一に、ＬａおよびＣｏを含有したＳｒフェライト
は、結晶磁気異方性が大きいことが知られている。従っ
て、このような元素が粒界近傍に高濃度に存在すると、
粒界近傍に異方性の大きい磁性相が存在することになる
と考えられる。このような構造は、逆磁区の生成が抑制
されることなどにより、高い保磁力が得られやすいこと
が知られている。第二に、結晶粒子中心でＲやＣｏの濃
度が低いため、上記の積層欠陥が少なくなる。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明の六方晶フェライト磁石
は、Ｓｒ、ＢａおよびＣａから選択される少なくとも１
種の元素をＡとし、＋３価または＋４価を取りうるイオ
ン半径が１．００オングストローム以上の元素をＲと
し、Ａ，ＲおよびＦｅを含有し、ｃ軸と交差する方向に
形成される積層欠陥を有する結晶粒子の数をｎとし、全
体の結晶粒子の数をＮとしたときに、ｎ／Ｎが０．３５
以下、特にｎ／Ｎ＝０．０５〜０．３５である。このよ
うに、積層欠陥を有する結晶粒子を全体の結晶粒子に対
してある値以下に規制することにより、優れた磁気特性
が得られる。

【００２９】積層欠陥はＴＥＭ等により比較的容易に識
別することができるが、この場合、全体の結晶粒子の数
を測定することは現実的でない。このため、例えば、Ｔ
ＥＭ（透過型電子顕微鏡）で異方性焼結磁石のｃ軸に平
行な面（ａ面）を観察したときのある視野内の結晶数を
計測し、この結晶粒の全数をＮとしたとき、その結晶粒
中に見出される欠陥を有する結晶粒の数をｎとし、上記
数として推定する。ここで、観察するＴＥＭの倍率とし
ては１０００〜１０００００倍、特に１００００〜２０
０００倍が好ましく、観察する視野としては、２視野以
上が好ましく、特に２〜１０視野とし、Ｎを２０〜５０
０程度とする。なお、結晶粒中に存在する欠陥は、通常
１つまたは２つ程度であるが、３つ以上である場合もあ
る。

【００３０】本発明の六方晶フェライト磁石は、Ｓｒ、
ＢａおよびＣａから選択される少なくとも１種の元素を
Ａとし、＋３価または＋４価を取りうるイオン半径が
１．００Å以上の元素をＲとし、Ａ，ＲおよびＦｅを含
有し、Ｒが結晶粒子の中心よりも結晶粒界近傍に多く存
在する。このような構造とすることにより優れた磁気特
性が得られる。

【００３１】このような構造は、例えばチタン酸バリウ
ムのような誘電材料にみられるような「コアシェル構
造」に似ているとも言える。そして、このような構造
は、ＴＥＭ−ＥＤＳにより解析することで、識別するこ
とができる。

【００３２】ここで、六方晶フェライトを形成するため
には、Ｒのイオンが酸素イオン（Ｏ ^2-）と近い大きさと
なる必要があり、具体的には、１．００〜１．６０オン
グストローム程度である必要がある。また、Ｍは酸素イ
オン（Ｏ^2-）よりも小さく、鉄イオン（Ｆｅ³⁺）に近い
必要があり、具体的には、０．５０〜０．９０オングス
トローム程度である必要がある。

【００３３】本発明の六方晶フェライト磁石は、上記
Ａ，ＲおよびＦｅを含有していればよく、他の添加物等
は特に限定されるものではないが、好ましくはＳｒ、Ｂ
ａおよびＣａから選択される少なくとも１種の元素をＡ
とし、＋３価または＋４価を取りうるイオン半径が１．
００オングストローム以上、特に１．００〜１．６０オ
ングストロームの元素をＲとし、イオン半径が０．９０
オングストローム以下、特に０．５０〜０．９０オング
ストロームの元素をＭとしたとき、Ａ，Ｒ，Ｆｅおよび
Ｍを含有する。

【００３４】また、好ましくはＡ，Ｒ，ＦｅおよびＭそ
れぞれの金属元素の総計の構成比率が、全金属元素量に
対し、Ａ：１〜１３原子％、Ｒ：０．０５〜１０原子％、Ｆｅ：８０〜９５原子％、Ｍ：０．１〜５原子％である。

【００３５】また、より好ましくは、Ａ：３〜１１原子％、Ｒ：０．２〜６原子％、Ｆｅ：８３〜９４原子％、Ｍ：０．３〜４原子％であり、さらに好ましくは、Ａ：３〜９原子％、Ｒ：０．５〜４原子％、Ｆｅ：８６〜９３原子％、Ｍ：０．５〜３原子％である。

【００３６】上記各構成元素において、Ａは、Ｓｒ、Ｂ
ａおよびＣａから選択される少なくとも１種の元素であ
る。Ａが小さすぎると、Ｍ型フェライトが生成しない
か、α−Ｆｅ₂Ｏ₃等の非磁性相が多くなってくる。Ａ
が大きすぎるとＭ型フェライトが生成しないか、ＳｒＦ
ｅＯ_3-x等の非磁性相が多くなってくる。Ａ中のＳｒの
比率は、好ましくは５１原子％以上、より好ましくは７
０原子％以上、さらに好ましくは１００原子％である。
Ａ中のＳｒの比率が低すぎると、飽和磁化向上と保磁力
の著しい向上とを共に得ることができなくなってくる。

【００３７】Ｒは、Ｌａ、Ｎｄ、ＰｒまたはＣｅである
ことが好ましい。Ｒが小さすぎると、Ｍの固溶量が少な
くなり、本発明の効果が得られ難くなる。Ｒが大きすぎ
ると、オルソフェライト等の非磁性の異相が多くなって
くる。Ｒ中においてＬａの占める割合は、好ましくは４
０原子％以上、より好ましくは７０原子％以上であり、
飽和磁化向上のためにはＲとしてＬａだけを用いること
が最も好ましい。これは、六方晶Ｍ型フェライトに対す
る固溶限界量を比較すると、Ｌａが最も多いためであ
る。したがって、Ｒ中のＬａの割合が低すぎるとＲの固
溶量を多くすることができず、その結果、元素Ｍの固溶
量も多くすることができなくなり、本発明の効果が小さ
くなってしまう。

【００３８】元素Ｍは、Ｃｏ、ＮｉまたはＺｎであるこ
とが好ましい。Ｍが小さすぎると、本発明の効果が得難
くなり、Ｍが大きすぎると、ＢｒやＨcJが逆に低下し本
発明の効果を得難くなる。Ｍ中のＣｏの比率は、好まし
くは１０原子％以上、より好ましくは２０原子％以上で
ある。Ｃｏの比率が低すぎると、保磁力向上が不十分と
なってくる。

【００３９】ここで、ＲとＭの含有量と、欠陥を有する
結晶粒子の数とは相関関係があり、ＲおよびＭの量が増
加すると欠陥を有する結晶粒子の数も増加する傾向にあ
る。ただし、Ｒを化学量論組成より多く存在させた場合
にも欠陥を有する結晶粒子は減少する。

【００４０】また、好ましくは上記の六方晶マグネトプ
ランバイト型フェライトは、Ａ_1-xＲ_x（Ｆｅ_12-yＭ_y）_zＯ₁₉ ・・・（式２）と表したとき、０．０４≦ｘ≦０．９、特に０．０４≦ｘ≦０．６、０．０４≦ｙ≦０．５、０．８≦ｘ／ｙ≦５、０．７≦ｚ≦１．２である。

【００４１】また、より好ましくは０．０４≦ｘ≦０．５、０．０４≦ｙ≦０．５、０．８≦ｘ／ｙ≦５、０．７≦ｚ≦１．２であり、さらに好ましくは０．１≦ｘ≦０．４、０．１≦ｙ≦０．４、０．８≦ｚ≦１．１であり、特に好ましくは０．９≦ｚ≦１．０５である。

【００４２】上記式２において、ｘが小さすぎると、す
なわち元素Ｒの量が少なすぎると、六方晶フェライトに
対する元素Ｍの固溶量を多くできなくなり、飽和磁化向
上効果および／または異方性磁場向上効果が不十分とな
ってくる。ｘが大きすぎると六方晶フェライト中に元素
Ｒが置換固溶できなくなり、例えば元素Ｒを含むオルソ
フェライトが生成して飽和磁化が低くなってくる。ｙが
小さすぎると飽和磁化向上効果および／または異方性磁
場向上効果が不十分となってくる。ｙが大きすぎると六
方晶フェライト中に元素Ｍが置換固溶できなくなってく
る。また、元素Ｍが置換固溶できる範囲であっても、異
方性定数（Ｋ₁）や異方性磁場（Ｈ_A）の劣化が大きくな
ってしまう。ｚが小さすぎるとＳｒおよび元素Ｒを含む
非磁性相が増えるため、飽和磁化が低くなってしまう。
ｚが大きすぎるとα−Ｆｅ₂Ｏ₃相または元素Ｍを含む非
磁性スピネルフェライト相が増えるため、飽和磁化が低
くなってしまう。なお、上記式は不純物が含まれていな
いものとして規定されている。

【００４３】上記式２において、ｘ／ｙが小さすぎても
大きすぎても元素Ｒと元素Ｍとの価数の平衡がとれなく
なり、Ｗ型フェライト等の異相が生成しやすくなる。元
素Ｍは２価であるから、元素Ｒが３価イオンである場
合、理想的にはｘ／ｙ＝１である。なお、ｘ／ｙが１超
の領域で許容範囲が大きい理由は、ｙが小さくてもＦｅ
³⁺→Ｆｅ²⁺の還元によって価数の平衡がとれるためであ
る。

【００４４】組成を表わす上記式２において、酸素
（Ｏ）の原子数は１９となっているが、これは、Ｒがす
べて３価であって、かつｘ＝ｙ、ｚ＝１のときの化学量
論組成比を示したものである。Ｒの種類やｘ、ｙ、ｚの
値によって、酸素の原子数は異なってくる。また、例え
ば焼成雰囲気が還元性雰囲気の場合は、酸素の欠損（ベ
イカンシー）ができる可能性がある。さらに、ＦｅはＭ
型フェライト中においては通常３価で存在するが、これ
が２価などに変化する可能性もある。また、Ｃｏ等のＭ
で示される元素も価数が変化する可能性があり、これら
により金属元素の対する酸素の比率は変化する。本明細
書では、Ｒの種類やｘ、ｙ、ｚの値によらず酸素の原子
数を１９と表示してあるが、実際の酸素の原子数は化学
量論組成比から多少偏倚していてもよい。

【００４５】フェライトの組成は、蛍光Ｘ線定量分析な
どにより測定することができる。また、上記の主相の存
在はＸ線回折や電子回折等から確認される。

【００４６】磁石粉末には、Ｂ₂Ｏ₃が含まれていてもよ
い。Ｂ₂Ｏ₃を含むことにより仮焼温度および焼結温度を
低くすることができるので、生産上有利である。Ｂ₂Ｏ₃
の含有量は、磁石粉末全体の０．５重量％以下であるこ
とが好ましい。Ｂ₂Ｏ₃含有量が多すぎると、飽和磁化が
低くなってしまう。

【００４７】磁石粉末中には、Ｎａ、ＫおよびＲｂの少
なくとも１種が含まれていてもよい。これらをそれぞれ
Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂ＯおよびＲｂ₂Ｏに換算したとき、これら
の含有量の合計は、磁石粉末全体の３重量％以下である
ことが好ましい。これらの含有量が多すぎると、飽和磁
化が低くなってしまう。これらの元素をＭ^Iで表わした
とき、フェライト中においてＭ^Iは例えばＳｒ_1.3-2aＲ_aＭ^I _a-0.3Ｆｅ_11.7Ｍ_0.3Ｏ₁₉ の形で含有される。なお、この場合、０．３＜ａ≦０．
５であることが好ましい。ａが大きすぎると、飽和磁化
が低くなってしまう他、焼成時に元素Ｍ^Iが多量に蒸発
してしまうという問題が生じる。

【００４８】また、これらの不純物の他、例えばＳｉ，
Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃ
ｕ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，
Ａｓ，Ｗ，Ｍｏ等を酸化物の形で、それぞれ酸化シリコ
ン１重量％以下、酸化アルミニウム５重量％以下、酸化
ガリウム５重量％以下、酸化インジウム３重量％以下、
酸化リチウム１重量％以下、酸化マグネシウム３重量％
以下、酸化マンガン３重量％以下、酸化ニッケル３重量
％以下、酸化クロム５重量％以下、酸化銅３重量％以
下、酸化チタン３重量％以下、酸化ジルコニウム３重量
％以下、酸化ゲルマニウム３重量％以下、酸化スズ３重
量％以下、酸化バナジウム３重量％以下、酸化ニオブ３
重量％以下、酸化タンタル３重量％以下、酸化アンチモ
ン３重量％以下、酸化砒素３重量％以下、酸化タングス
テン３重量％以下、酸化モリブデン３重量％以下程度含
有されていてもよい。

【００４９】また、本発明の六方晶フェライト磁石は、
好ましくは少なくとも２つの異なるキュリー温度Ｔｃ
１，Ｔｃ２を有し、この２つの異なるキュリー温度Ｔｃ
１，Ｔｃ２は４００〜４７０℃であり、かつこれらＴｃ
１，Ｔｃ２の差の絶対値が５℃以上である。このように
２つの異なるキュリー温度を有することで、角形性Ｈk
／ＨcJが著しく改善される。

【００５０】キュリー温度は、磁石の磁化（σ）−温度
（Ｔ）曲線における変化点から求めることができる。よ
り具体的には、常法に従い、σ−Ｔ曲線の変化点での低
温側曲線の接線と温度軸との交点の温度により求められ
る。２つの異なるキュリー点Ｔｃ１，Ｔｃ２は、その差
の絶対値が５℃以上、好ましくは１０℃以上である。ま
た、その上限は特に規制されるものではないが４６５℃
程度である。これらのキュリー温度は４００〜４７０
℃、好ましくは４３０〜４６０℃の範囲である。この２
つのキュリー温度は、本発明のフェライト結晶の組織構
造が、後述する製造工程などにより磁気的に異なるＭ型
フェライトの２相構造を有するためであると考えられ
る。ただし、通常のＸ線回折法ではＭ相の単相が検出さ
れる。

【００５１】角形性Ｈk ／ＨcJは、好ましくは９０％以
上、特に９２％以上であることが好ましい。なお、最高
では９５％に及ぶ。また、本発明の磁石は、好ましくは
配向度Ｉｒ／Ｉｓが９６．５％以上、より好ましくは９
７％以上であることが好ましい。なお、最高では９８％
程度に及ぶ。配向度を向上させることにより、高いＢｒ
が得られる。また、成形体では、磁気的配向度の値が成
形体密度にも影響されるため、成形体の表面に対しＸ線
回折による測定を行い、現れたピークの面指数と強度と
から求められる成形体の結晶学的な配向度（Ｘ線配向
度）が重要である。この成形体のＸ線配向度は、焼結体
の磁気的配向度の値をかなりの程度支配する。好ましく
はＸ線配向度としてΣＩ（００Ｌ）／ΣＩ（ｈｋＬ）を
用いる。（００Ｌ）は、（００４）や（００６）等のｃ
面を総称する表示であり、ΣＩ（００Ｌ）は（００Ｌ）
面のすべてのピーク強度の合計である。また、（ｈｋ
Ｌ）は、検出されたすべてのピークを表し、ΣＩ（ｈｋ
Ｌ）はそれらの強度の合計である。したがってΣＩ（０
０Ｌ）／ΣＩ（ｈｋＬ）は、ｃ面配向の程度を表す。こ
の、ΣＩ（００Ｌ）／ΣＩ（ｈｋＬ）は好ましくは０．
８５以上、より好ましくは０．９以上が好ましく、その
上限としては１．０程度である。

【００５２】次に、フェライト焼結磁石を製造する方法
を説明する。上記フェライト焼結磁石は、原料粉末とし
て、通常、Ａ（Ａは、Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）、Ｒ（Ｒは、
＋３価または＋４価を取りうるイオン半径が１．００オ
ングストローム以上の元素：好ましくはＬａ，Ｐｒ，Ｎ
ｄまたはＣｅのいずれか）、Ｍ（Ｍは、イオン半径が
０．９０オングストローム以下の元素：好ましくはＣ
ｏ，ＮｉまたはＺｎ）を含有する化合物の粉末を用い、
これらの原料粉末の少なくとも１種または２種以上と、
Ｆｅを含有する酸化物の粉末の混合物を仮焼する。そし
て、仮焼後、さらに前記Ａ（Ａは、Ｓｒ，Ｂａ，Ｃ
ａ）、Ｒ（Ｒは、＋３価または＋４価を取りうるイオン
半径が１．００オングストローム以上の元素：好ましく
はＬａ，Ｐｒ，ＮｄまたはＣｅのいずれか）、Ｍ（Ｍ
は、イオン半径が０．９０オングストローム以下の元
素：好ましくはＣｏ，ＮｉまたはＺｎ）を含有する化合
物の粉末のうち、少なくとも１種または２種以上を添加
混合し、焼成して製造される。前記Ａ（Ａは、Ｓｒ，Ｂ
ａ，Ｃａ）、Ｒ（Ｒは、＋３価または＋４価を取りうる
イオン半径が１．００オングストローム以上の元素：好
ましくはＬａ，Ｐｒ，ＮｄまたはＣｅのいずれか）、Ｍ
（Ｍは、イオン半径が０．９０オングストローム以下の
元素：好ましくはＣｏ，ＮｉまたはＺｎ）を含有する化
合物の粉末としては、酸化物、または焼成により酸化物
となる化合物、例えば炭酸塩、水酸化物、硝酸塩等のい
ずれであってもよい。原料粉末の平均粒径は特に限定さ
れないが、特に酸化鉄は微細粉末が好ましく、一次粒子
の平均粒径が１μm以下、特に０．５μm以下であること
が好ましい。なお、上記の原料粉末の他、必要に応じて
Ｂ₂Ｏ₃等や、他の化合物、例えばＳｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉ
ｎ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ａｓ，Ｗ，Ｍ
ｏ等を含む化合物を添加物あるいは不可避成分等の不純
物として含有していてもよい。

【００５３】仮焼は、空気中において例えば１０００〜
１３５０℃で１秒間〜１０時間、特に１秒間〜３時間程
度行えばよい。

【００５４】このようにして得られた仮焼体は、実質的
にマグネトプランバイト型のフェライト構造をもち、そ
の一次粒子の平均粒径は、好ましくは２μm以下、より
好ましくは１μm以下、さらに好ましくは０．１〜１μ
m、最も好ましくは０．１〜０．５μmである。平均粒径
は走査型電子顕微鏡により測定すればよい。

【００５５】次いで、仮焼体を粉砕した後、あるいは粉
砕時に前記Ａ（Ａは、Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）、Ｒ（Ｒは、
＋３価または＋４価を取りうるイオン半径が１．００オ
ングストローム以上の元素：好ましくはＬａ，Ｐｒ，Ｎ
ｄまたはＣｅのいずれか）、Ｍ（Ｍは、イオン半径が
０．９０オングストローム以下の元素：好ましくはＣ
ｏ，ＮｉまたはＺｎ）を含有する化合物の粉末の少なく
とも１種または２種以上を混合し、成形し、焼結するこ
とにより製造する。具体的には、以下の手順で製造する
ことが好ましい。化合物の粉末の添加量は、仮焼体の１
〜１００体積％、より好ましくは５〜７０体積％、特に
１０〜５０体積％が好ましい。

【００５６】前記化合物の添加時期は仮焼後、焼成前で
あれば特に規制されるものではないが、好ましくは次に
説明する粉砕時に添加することが好ましい。添加される
原料粉末の種類や量は任意であり、同じ原料を仮焼前後
で分けて添加してもよい。ただし、全量の３０％以上、
特に５０％以上は仮焼後に行う後工程で添加することが
好ましい。なお、添加される化合物の平均粒径は、通常
０．１〜２μm 程度とする。

【００５７】本発明では、酸化物磁性体粒子と、分散媒
としての水と、分散剤とを含む成形用スラリーを用いて
湿式成形を行うが、分散剤の効果をより高くするために
は、湿式成形工程の前に湿式粉砕工程を設けることが好
ましい。また、酸化物磁性体粒子として仮焼体粒子を用
いる場合、仮焼体粒子は一般に顆粒状であるので、仮焼
体粒子の粗粉砕ないし解砕のために、湿式粉砕工程の前
に乾式粗粉砕工程を設けることが好ましい。なお、共沈
法や水熱合成法などにより酸化物磁性体粒子を製造した
場合には、通常、乾式粗粉砕工程は設けず、湿式粉砕工
程も必須ではないが、配向度をより高くするためには湿
式粉砕工程を設けることが好ましい。以下では、仮焼体
粒子を酸化物磁性体粒子として用い、乾式粗粉砕工程お
よび湿式粉砕工程を設ける場合について説明する。

【００５８】乾式粗粉砕工程では、通常、ＢＥＴ比表面
積が２〜１０倍程度となるまで粉砕する。粉砕後の平均
粒径は、０．１〜１μm 程度、ＢＥＴ比表面積は４〜１
０m²/g程度であることが好ましく、粒径のＣＶは８０％
以下、特に１０〜７０％に維持することが好ましい。粉
砕手段は特に限定されず、例えば乾式振動ミル、乾式ア
トライター（媒体撹拌型ミル）、乾式ボールミル等が使
用できるが、特に乾式振動ミルを用いることが好まし
い。粉砕時間は、粉砕手段に応じて適宜決定すればよ
い。なお、乾式粉砕工程時に、前記原料粉末の一部を添
加することが好ましい。

【００５９】乾式粗粉砕には、仮焼体粒子に結晶歪を導
入して保磁力ＨcBを小さくする効果もある。保磁力の低
下により粒子の凝集が抑制され、分散性が向上し、配向
度も向上する。粒子の結晶歪は、後の焼結工程において
解放され、永久磁石とすることができる。

【００６０】なお、乾式粗粉砕の際には、通常、ＳｉＯ
₂と、焼成によりＣａＯとなるＣａＣＯ₃とが添加され
る。ＳｉＯ₂およびＣａＣＯ₃は、一部を仮焼前に添加
してもよく、その場合には特性向上が認められる。

【００６１】乾式粗粉砕の後、粉砕された粒子と水とを
含む粉砕用スラリーを調製し、これを用いて湿式粉砕を
行う。粉砕用スラリー中の仮焼体粒子の含有量は、１０
〜７０重量％程度であることが好ましい。湿式粉砕に用
いる粉砕手段は特に限定されないが、通常、ボールミ
ル、アトライター、振動ミル等を用いることが好まし
い。粉砕時間は、粉砕手段に応じて適宜決定すればよ
い。

【００６２】湿式粉砕後、粉砕用スラリーを濃縮して成
形用スラリーを調製する。濃縮は、遠心分離などによっ
て行えばよい。成形用スラリー中の仮焼体粒子の含有量
は、６０〜９０重量％程度であることが好ましい。

【００６３】湿式成形工程では、成形用スラリーを用い
て磁場中成形を行う。成形圧力は０．１〜０．５ton/cm
²程度、印加磁場は５〜１５kOe 程度とすればよい。

【００６４】成型用のスラリーに非水系の分散媒を用い
ると、高配向度が得られ好ましいが、本発明では好まし
くは水系分散媒に分散剤が添加された成形用スラリーを
用いる。本発明で好ましく用いる分散剤は、水酸基およ
びカルボキシル基を有する有機化合物であるか、その中
和塩であるか、そのラクトンであるか、ヒロドキシメチ
ルカルボニル基を有する有機化合物であるか、酸として
解離し得るエノール型水酸基を有する有機化合物である
か、その中和塩であることが好ましい。

【００６５】なお、非水系の分散媒を用いる場合には、
例えば特開平６−５３０６４号公報に記載されているよ
うに、トルエンやキシレンのような有機溶媒に、例えば
オレイン酸のような界面活性剤を添加して、分散媒とす
る。このような分散媒を用いることにより、分散しにく
いサブミクロンサイズのフェライト粒子を用いた場合で
も最高で９８％程度の高い磁気的配向度を得ることが可
能である。

【００６６】上記各有機化合物は、炭素数が３〜２０、
好ましくは４〜１２であり、かつ、酸素原子と二重結合
した炭素原子以外の炭素原子の５０％以上に水酸基が結
合しているものである。炭素数が２以下であると、本発
明の効果が実現しない。また、炭素数が３以上であって
も、酸素原子と二重結合した炭素原子以外の炭素原子へ
の水酸基の結合比率が５０％未満であれば、やはり本発
明の効果は実現しない。なお、水酸基の結合比率は、上
記有機化合物について限定されるものであり、分散剤そ
のものについて限定されるものではない。例えば、分散
剤として、水酸基およびカルボキシル基を有する有機化
合物（ヒドロキシカルボン酸）のラクトンを用いると
き、水酸基の結合比率の限定は、ラクトンではなくヒド
ロキシカルボン酸自体に適用される。

【００６７】上記有機化合物の基本骨格は、鎖式であっ
ても環式であってもよく、また、飽和であっても不飽和
結合を含んでいてもよい。

【００６８】分散剤としては、具体的にはヒドロキシカ
ルボン酸またはその中和塩もしくはそのラクトンが好ま
しく、特に、グルコン酸（Ｃ＝６；ＯＨ＝５；ＣＯＯＨ
＝１）またはその中和塩もしくはそのラクトン、ラクト
ビオン酸（Ｃ＝１２；ＯＨ＝８；ＣＯＯＨ＝１）、酒石
酸（Ｃ＝４；ＯＨ＝２；ＣＯＯＨ＝２）またはこれらの
中和塩、グルコヘプトン酸γ−ラクトン（Ｃ＝７；ＯＨ
＝５）が好ましい。そして、これらのうちでは、配向度
向上効果が高く、しかも安価であることから、グルコン
酸またはその中和塩もしくはそのラクトンが好ましい。

【００６９】ヒドロキシメチルカルボニル基を有する有
機化合物としては、ソルボースが好ましい。

【００７０】酸として解離し得るエノール型水酸基を有
する有機化合物としては、アスコルビン酸が好ましい。

【００７１】なお、本発明では、クエン酸またはその中
和塩も分散剤として使用可能である。クエン酸は水酸基
およびカルボキシル基を有するが、酸素原子と二重結合
した炭素原子以外の炭素原子の５０％以上に水酸基が結
合しているという条件は満足しない。しかし、配向度向
上効果は認められる。

【００７２】上記した好ましい分散剤の一部について、
構造を以下に示す。

【００７３】

【化１】

【００７４】また、本出願人による特願平１０−１５９
９２７号に記載されているような分散剤を用いてもよ
い。すなわち、この分散剤は、カルボキシル基を有する
糖類またはその誘導体であるか、これらの塩である有機
化合物である。そして、この分散剤は、炭素数が２１以
上とされる。

【００７５】なお、分散剤の分子量が大きくなるほどス
ラリーの粘度が高くなるため、スラリーの粘度が高すぎ
る場合には、例えば、分散剤を酵素などにより加水分解
する方法により粘度を低下させてもよい。

【００７６】上記分散剤において基本骨格を構成する糖
類は、セルロースやでんぷんなどの多糖類のほか、これ
らの還元誘導体、酸化誘導体、脱水誘導体などを包含
し、さらに広範囲の誘導体、例えばアミノ糖やチオ糖な
どをも包含する化合物である。

【００７７】カルボキシル基を有する糖類としては、Ｏ
Ｈ基の少なくとも一部が、カルボキシル基を有する有機
化合物との間でエーテル結合を形成しているものが好ま
しい。このような化合物としては、糖類とグリコール酸
とのエーテルが好ましく、具体的には、カルボキシメチ
ルセルロースまたはカルボキシメチルでんぷんが好まし
い。これらの化合物において、カルボキシメチル基の置
換度、すなわちエーテル化度は最大で３となるが、エー
テル化度は０．４以上であることが好ましい。エーテル
化度が小さすぎると、水に溶けにくくなる。なお、カル
ボキシメチルセルロースは、通常、ナトリウム塩の形で
合成され、本発明ではこのナトリウム塩も分散剤として
用いることができるが、磁気特性に与える悪影響が少な
いことから、好ましくはアンモニウム塩を用いる。ま
た、酸化でんぷんも分子内にカルボキシル基を有する糖
類であり、本発明において好ましく用いられる分散剤で
ある。

【００７８】磁場配向による配向度は、スラリーのｐＨ
の影響を受ける。具体的には、ｐＨが低すぎると配向度
は低下し、これにより焼結後の残留磁束密度が影響を受
ける。分散剤として水溶液中で酸としての性質を示す化
合物、例えばヒドロキシカルボン酸などを用いた場合に
は、スラリーのｐＨが低くなってしまう。したがって、
例えば、分散剤と共に塩基性化合物を添加するなどし
て、スラリーのｐＨを調整することが好ましい。上記塩
基性化合物としては、アンモニアや水酸化ナトリウムが
好ましい。アンモニアは、アンモニア水として添加すれ
ばよい。なお、ヒドロキシカルボン酸のナトリウム塩を
用いることにより、ｐＨ低下を防ぐこともできる。

【００７９】六方晶フェライト磁石のように副成分とし
てＳｉＯ₂およびＣａＣＯ₃を添加する場合、分散剤と
してヒドロキシカルボン酸やそのラクトンを用いると、
主として成形用スラリー調製の際にスラリーの上澄みと
共にＳｉＯ₂およびＣａＣＯ ₃が流出してしまい、ＨcJ
が低下するなど所望の性能が得られなくなる。また、上
記塩基性化合物を添加するなどしてｐＨを高くしたとき
には、ＳｉＯ₂およびＣａＣＯ₃の流出量がより多くな
る。これに対し、ヒドロキシカルボン酸のカルシウム塩
を分散剤として用いれば、ＳｉＯ₂およびＣａＣＯ₃の
流出が抑えられる。ただし、上記塩基性化合物を添加し
たり、分散剤としてナトリウム塩を用いたりしたとき
に、ＳｉＯ₂およびＣａＣＯ₃を目標組成に対し過剰に
添加すれば、磁石中のＳｉＯ₂量およびＣａＯ量の不足
を防ぐことができる。なお、アスコルビン酸を用いた場
合には、ＳｉＯ₂およびＣａＣＯ₃の流出はほとんど認
められない。

【００８０】上記理由により、スラリーのpHは、好まし
くは７以上、より好ましくは８〜１１である。

【００８１】分散剤として用いる中和塩の種類は特に限
定されず、カルシウム塩やナトリウム塩等のいずれであ
ってもよいが、上記理由から、好ましくはカルシウム塩
を用いる。分散剤にナトリウム塩を用いたり、アンモニ
ア水を添加した場合には、副成分の流出のほか、成形体
や焼結体にクラックが発生しやすくなるという問題が生
じる。

【００８２】なお、分散剤は２種以上を併用してもよ
い。

【００８３】分散剤の添加量は、酸化物磁性体粒子であ
る仮焼体粒子に対し、好ましくは０．０５〜３．０重量
％、より好ましくは０．１０〜２．０重量％である。分
散剤が少なすぎると配向度の向上が不十分となる。一
方、分散剤が多すぎると、成形体や焼結体にクラックが
発生しやすくなる。

【００８４】なお、分散剤が水溶液中でイオン化し得る
もの、例えば酸や金属塩などであるときには、分散剤の
添加量はイオン換算値とする。すなわち、水素イオンや
金属イオンを除く有機成分に換算して添加量を求める。
また、分散剤が水和物である場合には、結晶水を除外し
て添加量を求める。例えば、分散剤がグルコン酸カルシ
ウム一水和物である場合の添加量は、グルコン酸イオン
に換算して求める。

【００８５】また、分散剤がラクトンからなるとき、あ
るいはラクトンを含むときには、ラクトンがすべて開環
してヒドロキシカルボン酸になるものとして、ヒドロキ
シカルボン酸イオン換算で添加量を求める。

【００８６】分散剤の添加時期は特に限定されず、乾式
粗粉砕時に添加してもよく、湿式粉砕時の粉砕用スラリ
ー調製の際に添加してもよく、一部を乾式粗粉砕の際に
添加し、残部を湿式粉砕の際に添加してもよい。あるい
は、湿式粉砕後に撹拌などによって添加してもよい。い
ずれの場合でも、成形用スラリー中に分散剤が存在する
ことになるので、本発明の効果は実現する。ただし、粉
砕時に、特に乾式粗粉砕時に添加するほうが、配向度向
上効果は高くなる。乾式粗粉砕に用いる振動ミル等で
は、湿式粉砕に用いるボールミル等に比べて粒子に大き
なエネルギーが与えられ、また、粒子の温度が上昇する
ため、化学反応が進行しやすい状態になると考えられ
る。したがって、乾式粗粉砕時に分散剤を添加すれば、
粒子表面への分散剤の吸着量がより多くなり、この結
果、より高い配向度が得られるものと考えられる。実際
に、成形用スラリー中における分散剤の残留量（吸着量
にほぼ等しいと考えられる）を測定すると、分散剤を乾
式粗粉砕時に添加した場合のほうが、湿式粉砕時に添加
した場合よりも添加量に対する残留量の比率が高くな
る。なお、分散剤を複数回に分けて添加する場合には、
合計添加量が前記した好ましい範囲となるように各回の
添加量を設定すればよい。

【００８７】成形工程後、成形体を大気中または窒素中
において１００〜５００℃の温度で熱処理して、添加し
た分散剤を十分に分解除去する。次いで焼結工程におい
て、成形体を例えば大気中で好ましくは１１５０〜１２
５０℃、より好ましくは１１６０〜１２２０℃の温度で
０．５〜３時間程度焼結して、異方性六方晶フェライト
磁石を得る。

【００８８】本発明の磁石の平均結晶粒径は、好ましく
は２μm以下、より好ましくは１μm以下、さらに好まし
くは０．５〜１．０μmであるが、本発明では平均結晶
粒径が１μmを超えていても、十分に高い保磁力が得ら
れる。結晶粒径は走査型電子顕微鏡によって測定するこ
とができる。なお、比抵抗は１０⁰Ωm 程度以上であ
る。

【００８９】なお、前記成形体をクラッシャー等を用い
て解砕し、ふるい等により平均粒径が１００〜７００μ
m程度となるように分級して磁場配向顆粒を得、これを
乾式磁場成形した後、焼結することにより焼結磁石を得
てもよい。

【００９０】なお、前記の仮焼体のスラリーを用いた粉
砕後、これを乾燥し、その後焼成を行って磁石粉末を得
てもよい。

【００９１】本発明の六方晶フェライト磁石を使用する
ことにより、一般に次に述べるような効果が得られ、優
れた応用製品を得ることができる。すなわち、従来のフ
ェライト製品と同一形状であれば、磁石から発生する磁
束密度を増やすことができるため、モータであれば高ト
ルク化等を実現でき、スピーカーやヘッドホーンであれ
ば磁気回路の強化により、リニアリティーのよい音質が
得られるなど応用製品の高性能化に寄与できる。また、
従来と同じ機能でよいとすれば、磁石の大きさ（厚み）
を小さく（薄く）でき、小型軽量化（薄型化）に寄与で
きる。また、従来は界磁用の磁石を巻線式の電磁石とし
ていたようなモータにおいても、これを六方晶フェライ
ト磁石で置き換えることが可能となり、軽量化、生産工
程の短縮、低価格化に寄与できる。さらに、保磁力（Ｈ
cJ）の温度特性に優れているため、従来は六方晶フェラ
イト磁石の低温減磁（永久減磁）の危険のあった低温環
境でも使用可能となり、特に寒冷地、上空域などで使用
される製品の信頼性を著しく高めることができる。

【００９２】本発明の六方晶フェライト磁石は所定の形
状に加工され、下記に示すような幅広い用途に使用され
る。

【００９３】例えば、フュエールポンプ用、パワーウイ
ンド用、ＡＢＳ用、ファン用、ワイパ用、パワーステア
リング用、アクティブサスペンション用、スタータ用、
ドアロック用、電動ミラー用等の自動車用モータ；ＦＤ
Ｄスピンドル用、ＶＴＲキャプスタン用、ＶＴＲ回転ヘ
ッド用、ＶＴＲリール用、ＶＴＲローディング用、ＶＴ
Ｒカメラキャプスタン用、ＶＴＲカメラ回転ヘッド用、
ＶＴＲカメラズーム用、ＶＴＲカメラフォーカス用、ラ
ジカセ等キャプスタン用、ＣＤ，ＬＤ，ＭＤスピンドル
用、ＣＤ，ＬＤ，ＭＤローディング用、ＣＤ，ＬＤ光ピ
ックアップ用等のＯＡ、ＡＶ機器用モータ；エアコンコ
ンプレッサー用、冷蔵庫コンプレッサー用、電動工具駆
動用、扇風機用、電子レンジファン用、電子レンジプレ
ート回転用、ミキサ駆動用、ドライヤーファン用、シェ
ーバー駆動用、電動歯ブラシ用等の家電機器用モータ；
ロボット軸、関節駆動用、ロボット主駆動用、工作機器
テーブル駆動用、工作機器ベルト駆動用等のＦＡ機器用
モータ；その他、オートバイ用発電器、スピーカ・ヘッ
ドホン用マグネット、マグネトロン管、ＭＲＩ用磁場発
生装置、ＣＤ−ＲＯＭ用クランパ、ディストリビュータ
用センサ、ＡＢＳ用センサ、燃料・オイルレベルセン
サ、マグネットラッチ等に好適に使用される。

【００９４】

【実施例】＜実験例＞原料としては、次のものを用い
た。Ｆｅ₂Ｏ₃粉末（一次粒子径０．３μm）、１０００．０ｇ（不純物としてＭｎ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｃｌを含む）ＳｒＣＯ₃粉末（一次粒子径２μm）、１３０．３ｇ（不純物としてＢａ，Ｃａを含む）酸化コバルト１７．５６ｇＬａ₂Ｏ₃ ３５．６７ｇ

【００９５】また添加物として、ＳｉＯ₂粉末（一次粒子径０．０１μm）２．３０ｇＣａＣＯ₃粉末（一次粒子径１μm）１．７２ｇを用いた。

【００９６】上記出発原料および添加物を湿式アトライ
ターで粉砕後、乾燥・整粒し、これを空気中において１
２５０℃で３時間焼成し、顆粒状の仮焼体を得た。得ら
れた仮焼体の磁気特性を試料振動式磁力計（ＶＳＭ）で
測定した結果、飽和磁化σｓは６８ emu／g 、保磁力Ｈ
cJは４．６kOe であった。

【００９７】得られた仮焼体（１１０g ）に対し、Ｓｉ
Ｏ₂（０．４４g ）、ＣａＣＯ₃（１．３８g ）を、それ
ぞれ所定量混合し、さらにグルコン酸カルシウム（１．
１３g ）を添加し、バッチの振動ロッドミルにより２０
分間乾式粗粉砕した。このとき、粉砕による歪みが導入
され、仮焼体粒子のＨcJは、１．７kOe に低下してい
た。

【００９８】この操作を２回行い、得られた粗粉砕材を
２１０ｇ採取し、分散媒として水を４００cc加えて混合
し、粉砕用スラリーを調整した。仮焼体の比表面積が７
m²/gとなるまで粉砕を行なった。粉砕用スラリーの固形
分濃度は３４重量％であった。

【００９９】この湿式粉砕用スラリーを用いて、ボール
ミル中で湿式粉砕を４０時間行った。湿式粉砕後の比表
面積は、８．５m²／g （平均粒径０．５μm ）であっ
た。湿式粉砕後のスラリーのpHは、９〜１０であった。

【０１００】湿式粉砕後、粉砕用スラリーを遠心分離し
て、スラリー中の仮焼体粒子の濃度が約７８％となるよ
うに調整し、成形用スラリーとした。この成形用スラリ
ーから水を除去しながら圧縮成形を行った。この成形
は、圧縮方向に約１３kOe の磁場を印加しながら行っ
た。得られた成形体は、直径３０mm、高さ１８mmの円柱
状であった。成形圧力は０．４ton/cm²とした。

【０１０１】次に、成形体を１００〜３６０℃で熱処理
してグルコン酸を十分に除去した後、空気中において、
昇温速度を５℃／分間とし、１２２０℃で１時間保持す
ることにより焼成を行い、焼結体を得た。得られた焼結
体を高分解能ＴＥＭで観察し、積層欠陥部分と、それ以
外の部分との組成分析をＥＤＳ分析により行った。各１
０点を測定した平均値を以下に示す。積層欠陥部分（wt%）積層欠陥以外の部分（wt%）Ｆｅ₂Ｏ₃ 84.5 84.2 ＳｒＯ 8.5 9.8 Ｌａ₂Ｏ₃ 3.4 3.7 ＣｏＯ 2.6 0.9 ＳｉＯ₂ 0.8 1.0 ＣａＯ 0.2 0.4

【０１０２】この場合、ＥＤＳによる分析領域（スポッ
トサイズ）は、積層欠陥の幅よりも広いため、積層欠陥
部分の組成は、その他の部分の影響を受けているが、明
確な傾向として、積層欠陥部分にＣｏが多く存在してい
ることが確認された。さらに、積層欠陥部分を高分解能
ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で注意深く観察した。本発
明の六方晶フェライト磁石の一般的な結晶構造を図１
に、積層欠陥部分の高分解能ＴＥＭ写真を図２に示す。
図１に示されるように、Ｍ型六方晶フェライトは、Ｓ層
／Ｒ層／Ｓ* 層／Ｒ* 層のように、Ｓ層とＲ層とが交互
に積層する構造を有している。ここで、Ｓ* ，Ｒ* は、
Ｓ，Ｒをｃ軸を中心に１８０度回転させたものである。
しかしながら、図２から、積層欠陥は、この周期が乱れ
ている部分であることがわかった。なお、図中Ｃで示す
領域は格子定数Ｃに対応する長さ（単位胞または単位格
子）を表している。ここで、Ｃｏなどの２価のイオンは
スピネル層にはいるものと考えられるから、積層欠陥
が、スピネル層の"IntergrowthLayer"であると考えれ
ば、積層欠陥部分のＣｏ濃度が高いことを説明できるこ
とがわかった。

【０１０３】実施例１〔焼結磁石：サンプル１（水系後
添加）〕原料としては、次のものを用いた。Ｆｅ₂Ｏ₃粉末（一次粒子径０．３μm）、１０００．０ｇ（不純物としてＭｎ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｃｌを含む）ＳｒＣＯ₃粉末（一次粒子径２μm）、１６１．２ｇ（不純物としてＢａ，Ｃａを含む）

【０１０４】また添加物として、ＳｉＯ₂粉末（一次粒子径０．０１μm）２．３０ｇＣａＣＯ₃粉末（一次粒子径１μm）１．７２ｇを用いた。

【０１０５】上記出発原料および添加物を湿式アトライ
ターで粉砕後、乾燥・整粒し、これを空気中において１
２５０℃で３時間焼成し、顆粒状の仮焼体を得た。

【０１０６】得られた仮焼体（８７．２６ｇ）に対し、
ＳｉＯ₂（０．４４g ）、ＣａＣＯ₃（１．３８g ）、炭
酸ランタン〔Ｌａ₂（ＣＯ₃）₃・８Ｈ₂Ｏ〕（６．１２g
）、酸化コバルト（ＣｏＯ）（１．６３g ）を、それ
ぞれ混合し、さらにグルコン酸カルシウム（１．１３g
）を添加し、バッチの振動ロッドミルにより２０分間
乾式粗粉砕した。このとき、粉砕による歪みが導入さ
れ、仮焼体粒子のＨcJは、１．７kOe に低下していた。

【０１０７】この操作を２回行い、得られた粗粉砕材１
７７ｇを採取し、これに原料として使用したのと同じ酸
化鉄（α−Ｆｅ₂Ｏ₃）３７．２５ｇ加え、分散媒として
水を４００cc加えて混合し、粉砕用スラリーを調整し
た。仮焼体の比表面積が７m²/gとなるまで粉砕を行なっ
た。粉砕用スラリーの固形分濃度は３４重量％であっ
た。

【０１０８】この湿式粉砕用スラリーを用いて、ボール
ミル中で湿式粉砕を４０時間行った。湿式粉砕後の比表
面積は、８．５m²／g （平均粒径０．５μm ）であっ
た。湿式粉砕後のスラリーのpHは、９．５であった。

【０１０９】湿式粉砕後、粉砕用スラリーを遠心分離し
て、スラリー中の仮焼体粒子の濃度が７８％となるよう
に調整し、成形用スラリーとした。この成形用スラリー
から水を除去しながら圧縮成形を行った。この成形は、
圧縮方向に約１３kOe の磁場を印加しながら行った。得
られた成形体は、直径３０mm、高さ１８mmの円柱状であ
った。成形圧力は０．４ton/cm²とした。

【０１１０】次に、成形体を１００〜３００℃で熱処理
してグルコン酸を十分に除去した後、空気中において、
昇温速度を５℃／分間とし、１２２０℃で１時間保持す
ることにより焼成を行い、焼結体を得た。得られた焼結
体の組成は、Ｓｒ_0.8Ｌａ_0.2（Ｆｅ_11.8Ｃｏ_0.2）Ｏ₁₉ であった。得られた焼結体のａ面の組織をＴＥＭ（透過
型電子顕微鏡）で観察した。このときの倍率は１０００
０倍、視野は２視野観察した。その結果、全体の結晶粒
子の数Ｎ（Ｎ＝８０）に対する積層欠陥を有する結晶の
数ｎの割合ｎ／Ｎは、９／８０であった。得られた試料
のＴＥＭ写真を図３，４に示す。また、これらの拡大写
真を、それぞれ図５（上半分）、６（下半分）、および
図７（上半分）、８（下半分）に示す。また、ＴＥＭ観
察と同時にＥＤＳによる成分分析を行った結果、Ｌａは
粒子内の中心部で殆ど存在せず、粒界近傍や、三重点部
分に多く存在していた。結果を図９〜図１１に示す。こ
こで、図９は粒界部、図１０は結晶粒内部、図１１は三
重点における分析結果を表している。さらに、観察され
た任意の粒子１，３について、粒界→粒子内部→粒界と
連続的にＬａ₂Ｏ₃およびＣｏＯの分析を行った。結果
を図１２，１３および図１４，１５に示す。これらの測
定結果からも、Ｌａ、およびＣｏも粒子内部より粒界近
傍に高濃度で存在することが確認された。なお、各試料
をＸ線回折により解析したところ、いずれもＭ型フェラ
イト単相であった。

【０１１１】さらに、得られた焼結体の上下面を加工し
た後、残留磁束密度（Ｂｒ）、保磁力（ＨcJおよびＨc
b）および最大エネルギー積[(BH)max]、飽和磁化（４π
Ｉｓ）、磁気的配向度（Ｉｒ／Ｉｓ）、角型性（Ｈk ／
ＨcJ）を測定した。結果を表１に示す。

【０１１２】次いでサンプルを直径５mm×高さ６．５mm
に加工した。ＶＳＭによりｃ軸方向の磁化の温度依存性
を測定することによりキュリー温度Ｔｃを求めた。その
結果本発明サンプルNo. １のキュリー温度Ｔｃは、４４
０℃と４５６℃の２段になっていることがわかった。

【０１１３】

【表１】

【０１１４】なお、表１において、＊は比較サンプルを
表す。

【０１１５】実施例２実施例１の方法で作製した成形体を、酸素濃度を１％、
２０％、５０％として焼成し、実施例１と同様にして磁
気特性、およびキュリー温度、Ｂｒの温度係数を測定し
た。結果を表２に示す。

【０１１６】

【表２】

【０１１７】表２から明らかなように、酸素濃度の増加
に従い、得られた焼結体の磁気特性が向上していること
がわかる。

【０１１８】さらに、焼成雰囲気Ｏ₂：１％、と２０％
で得られた焼結体をＴＥＭで観察した。結果を図１６お
よび１７に示す。図１６，１７から明らかなように、酸
素濃度が少ないと欠陥が増加することがわかる。

【０１１９】比較例１〔焼結磁石：サンプル２（溶剤系
前添加）〕原料としては、次のものを用いた。Ｆｅ₂Ｏ₃粉末（一次粒子径０．３μm）、１０００．０ｇ（不純物としてＭｎ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｃｌを含む）ＳｒＣＯ₃粉末（一次粒子径２μm）、１３０．３ｇ（不純物としてＢａ，Ｃａを含む）酸化コバルト１７．５６ｇＬａ₂Ｏ₃ ３５．６７ｇ

【０１２０】また添加物として、ＳｉＯ₂粉末（一次粒子径０．０１μm）２．３０ｇＣａＣＯ₃粉末（一次粒子径１μm）１．７２ｇを用いた。

【０１２１】上記出発原料および添加物を湿式アトライ
ターで粉砕後、乾燥・整粒し、これを空気中において１
２５０℃で３時間焼成し、顆粒状の仮焼体を得た。得ら
れた仮焼体の磁気特性を試料振動式磁力計（ＶＳＭ）で
測定した結果、飽和磁化σｓは６８ emu／g 、保磁力Ｈ
cJは４．６kOe であった。

【０１２２】得られた仮焼体（１１０g ）に対し、Ｓｉ
Ｏ₂（０．４４g ）、ＣａＣＯ₃（１．３８g ）を、それ
ぞれ所定量混合し、バッチの振動ロッドミルにより２０
分間乾式粗粉砕した。このとき、粉砕による歪みが導入
され、仮焼体粒子のＨcJは、１．７kOe に低下してい
た。

【０１２３】次いで、非水系溶媒としてキシレンを用
い、界面活性剤としてオレイン酸を用いて、ボールミル
中で仮焼体粉末を４０時間湿式粉砕した。オレイン酸
は、仮焼体粉末に対して、１．３重量％添加した。スラ
リー中の仮焼体粉末は、３３重量％とした。粉砕は、比
表面積が８〜９m²／g となるまで行った。

【０１２４】湿式粉砕後、粉砕用スラリーを遠心分離し
て、スラリー中のフェライト粒子の濃度が約８５％とな
るように調整し、成形用スラリーとした。この成形用ス
ラリーから溶剤を除去しながら圧縮成形を行った。この
成形は、圧縮方向に約１３kOe の磁場を印加しながら行
った。得られた成形体は、直径３０mm、高さ１８mmの円
柱状であった。成形圧力は０．４ton/cm²とした。

【０１２５】次に、成形体を１００〜３６０℃で熱処理
してオレイン酸を十分に除去した後、空気中において、
昇温速度を５℃／分間とし、１２２０℃で１時間保持す
ることにより焼成を行い、焼結体を得た。得られた焼結
体の組成は、Ｓｒ_0.8Ｌａ_0.2（Ｆｅ_11.8Ｃｏ_0.2）Ｏ₁₉ であった。得られた焼結体を上記サンプル１と同様にし
てＴＥＭで観察した。その結果、全体の結晶粒子の数Ｎ
（Ｎ＝１２０）に対する積層欠陥を有する結晶の数ｎの
割合ｎ／Ｎは、５０／１２０であった。得られた試料の
ＴＥＭ写真を図１８，１９に示す。また、ＴＥＭ観察と
同時にＥＤＳによる成分分析を行った結果、上記実施例
と異なり、Ｌａ濃度は、結晶粒子内、粒界近傍、三重点
部で殆ど変化はなかった。結果を図２０〜図２２に示
す。ここで、図２０は粒界部、図２１は結晶粒内部、図
２２は三重点における分析結果を表している。これによ
り、実施例の後添加方式だと結晶粒内のＬａ量が少なく
なることがわかった。なお、各試料をＸ線回折により解
析したところ、いずれもＭ型フェライト単相であった。

【０１２６】さらに、得られた焼結体の上下面を加工し
た後、残留磁束密度（Ｂｒ）、保磁力（ＨcJおよびＨc
b）および最大エネルギー積[(BH)max]、飽和磁化（４π
Ｉｓ）、磁気的配向度（Ｉｒ／Ｉｓ）、角型性（Ｈk ／
ＨcJ）を測定した。結果を表１に示す。

【０１２７】次いでサンプルを直径５mm×高さ６．５mm
に加工した。ＶＳＭによりｃ軸方向の磁化の温度依存性
を測定することによりキュリー温度Ｔｃを求めた。その
結果比較サンプルNo. ２のキュリー温度Ｔｃは、４４４
℃の１段になっていることがわかった。

【０１２８】比較例２〔焼結磁石：（サンプル３：Ｚｎ
含有溶剤系前添加）〕比較例１においてＣｏの代わりにＺｎを含有するよう原
料粉末を替え、かつ最終組成が、Ｓｒ_0.8Ｒ_0.3（Ｆｅ_11.7Ｚｎ_0.3）Ｏ₁₉ （Ｒ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ）となるように調
整した他は、比較例１と同様にして焼結体を得た。得ら
れた焼結体を上記サンプル１と同様にしてＴＥＭで観察
した。その結果、全体の結晶粒子の数Ｎに対する積層欠
陥を有する結晶の数ｎの割合ｎ／Ｎは、０．６〜０．８
であった。さらに、１個の結晶粒子中に、３個以上の積
層欠陥を含む結晶も多く観察された。次に、ＴＥＭ−Ｅ
ＤＳにより積層欠陥部分と、それ以外の部分との組成分
析を行った。各１０点を測定した平均値を以下に示す。

【０１２９】積層欠陥部分（wt%）積層欠陥以外の部分（wt%）Ｆｅ₂Ｏ₃ 83.99 84.65 ＳｒＯ 6.49 7.22 Ｌａ₂Ｏ₃ 5.22 6.13 ＺｎＯ 4.30 2.00

【０１３０】これより、積層欠陥部分にＺｎが多く存在
していることがわかった。これらのサンプルのＴＥＭ写
真を図２３，２４に示す。

【０１３１】比較例３焼結体の組成を、Ｓｒ１−ｘＬａｘＦｅ１２−ｘＣｏｘ
Ｏ１９（ｘ＝０，０．１，０．２，０．３，０．４，０．６）
となるよう、比較例１と同様にして焼結体を作製して、
ＴＥＭにより観察した。その結果、積層欠陥の割合は、
以下の表３に示すように、ＬａとＣｏの比率が増える
（ｘが増加する）に従って、積層欠陥の割合が増加する
ことがわかった。また、これらの積層欠陥部分では、Ｃ
ｏ濃度が高いことがわかった。

【０１３２】

【表３】

【０１３３】さらに、比較例１と同様にして焼結体の磁
気特性を測定した。結果を表４に示す。焼結体の磁気特
性（特にＨcJ）は、ｘ＝０〜０．３の範囲ではｘの増加
とともに向上するが、ｘが０．４以上では逆に劣化し
た。このことは、ＬａとＣｏを含有させることによる特
性向上効果に、積層欠陥の割合が増加することによる特
性劣化効果が掛け合わされた結果と考えられる。従っ
て、積層欠陥の割合を低く抑えることにより、ＬａとＣ
ｏの効果をさらに高めることができると考えられる。

【０１３４】

【表４】

【０１３５】比較例４焼結体の組成が、Ｓｒ_0.7Ｌａ_0.3Ｆｅ_11.7Ｎｉ_0.3Ｏ₁₉ Ｓｒ_0.8Ｌａ_0.2Ｆｅ_11.8Ｍｎ_0.2Ｏ₁₉ Ｓｒ_0.8Ｌａ_0.2Ｆｅ_11.8Ｃｕ_0.2Ｏ₁₉ ＳｒＦｅ_11.7Ｃｏ_0.3Ｏ₁₉ ＳｒＦｅ_11.6Ｔｉ_0.2Ｏ₁₉ となるようにした以外は、比較例１と同様にして焼結体
を作製し、ＴＥＭ−ＥＤＳで解析した。その結果、Ｓｒ
_0.8Ｌａ_0.2Ｆｅ_11.8Ｍｎ_0.2Ｏ₁₉以外の試料には同様の
欠陥の存在が確認され、欠陥部分には焼結体の元素Ｍが
高濃度に存在することが確認された。以上の実施例か
ら、本発明の効果が明らかである。

【０１３６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、Ｍ型フェ
ライトの飽和磁化と磁気異方性とを同時に高めることに
より、従来のＭ型六方晶フェライト磁石では達成不可能
であった高い残留磁束密度と高い保磁力とを有する六方
晶フェライト磁石を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の六方晶フェライト磁石の結晶構造を示
した図である。

【図２】実験例で得られた欠陥部分のＴＥＭ写真であ
る。

【図３】本発明の焼結磁石サンプル１のａ面の組織をＴ
ＥＭにより撮影した第１の図面代用写真である。

【図４】本発明の焼結磁石サンプル１のａ面の組織をＴ
ＥＭにより撮影した第２の図面代用写真である。

【図５】図３の拡大写真（上半分）である。

【図６】図３の拡大写真（下半分）である。

【図７】図４の拡大写真（上半分）である。

【図８】図５の拡大写真（下半分）である。

【図９】本発明の焼結磁石サンプル１のＥＤＳによる粒
界部における成分分析結果を示した図である。

【図１０】本発明の焼結磁石サンプル１のＥＤＳによる
結晶粒内部における成分分析結果を示した図である。

【図１１】本発明の焼結磁石サンプル１のＥＤＳによる
三重点部における成分分析結果を示した図である。

【図１２】任意の粒子１について、粒界→粒子内部→粒
界と連続的にＬａ₂Ｏ₃およびＣｏＯの分析を行った様
子を示すＴＥＭ写真である。

【図１３】任意の粒子１について、粒界→粒子内部→粒
界と連続的にＬａ₂Ｏ₃およびＣｏＯの分析を行った結
果を示すグラフである。

【図１４】任意の粒子３について、粒界→粒子内部→粒
界と連続的にＬａ₂Ｏ₃およびＣｏＯの分析を行った様
子を示すＴＥＭ写真である。

【図１５】任意の粒子３について、粒界→粒子内部→粒
界と連続的にＬａ₂Ｏ₃およびＣｏＯの分析を行った結
果を示すグラフである。

【図１６】実施例２の焼成雰囲気Ｏ₂：１％で得られた
焼結体のＴＥＭ写真である。

【図１７】実施例２の焼成雰囲気Ｏ₂：２０％で得られ
た焼結体のＴＥＭ写真である。

【図１８】比較例の焼結磁石サンプル１のａ面の組織を
ＴＥＭにより撮影した第２の図面代用写真である。

【図１９】比較例の焼結磁石サンプル１のａ面の組織を
ＴＥＭにより撮影した第２の図面代用写真である。

【図２０】比較例の焼結磁石サンプル１のＥＤＳによる
粒界部における成分分析結果を示した図である。

【図２１】比較例の焼結磁石サンプル１のＥＤＳによる
結晶粒内部における成分分析結果を示した図である。

【図２２】比較例の焼結磁石サンプル１のＥＤＳによる
三重点部における成分分析結果を示した図である。

【図２３】比較例２で得られたサンプルのＴＥＭ写真で
ある。

【図２４】比較例２で得られたサンプルのＴＥＭ写真で
ある。

【図２５】結晶粒と積層欠陥の様子を示した概念図であ
る。

【符号の説明】

１結晶粒子２積層欠陥

【手続補正書】

【提出日】平成１１年１０月４日（１９９９．１０．
４）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１１１】さらに、得られた焼結体の上下面を加工し
た後、残留磁束密度（Ｂｒ）、保磁力（ＨcJ）および最
大エネルギー積[(BH)max]、飽和磁化（４πＩｓ）、磁
気的配向度（Ｉｒ／Ｉｓ）、角型性（Ｈk ／ＨcJ）を測
定した。結果を表１に示す。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１１３】

【表１】

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１１６

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１１６】

【表２】

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１２６

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１２６】さらに、得られた焼結体の上下面を加工し
た後、残留磁束密度（Ｂｒ）、保磁力（ＨcJ）および最
大エネルギー積[(BH)max]、飽和磁化（４πＩｓ）、磁
気的配向度（Ｉｒ／Ｉｓ）、角型性（Ｈk ／ＨcJ）を測
定した。結果を表１に示す。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１３２

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１３２】

【表３】

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１３４

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１３４】

【表４】

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図２】実験例で得られた欠陥部分のＴＥＭ写真であ
る。

【図５】図３の拡大写真（上半分）である。

【図６】図３の拡大写真（下半分）である。

【図７】図４の拡大写真（上半分）である。

【図８】図４の拡大写真（下半分）である。

【図１８】比較例１の焼結磁石サンプル２のａ面の組織
をＴＥＭにより撮影した第１の図面代用写真である。

【図１９】比較例１の焼結磁石サンプル２のａ面の組織
をＴＥＭにより撮影した第２の図面代用写真である。

【図２０】比較例１の焼結磁石サンプル２のＥＤＳによ
る粒界部における成分分析結果を示した図である。

【図２１】比較例１の焼結磁石サンプル２のＥＤＳによ
る結晶粒内部における成分分析結果を示した図である。

【図２２】比較例１の焼結磁石サンプル２のＥＤＳによ
る三重点部における成分分析結果を示した図である。

【図２３】比較例２で得られたサンプル３のＴＥＭ写真
である。

【図２４】比較例２で得られたサンプル３のＴＥＭ写真
である。

【符号の説明】１結晶粒子２積層欠陥

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者皆地良彦東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者飯田和昌東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内Ｆターム(参考） 5E040 AB04 AB09 BD01 CA01 NN02 NN06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｓｒ、ＢａおよびＣａから選択される少
なくとも１種の元素をＡとし、＋３価または＋４価を取りうるイオン半径が１．００オ
ングストローム以上の元素をＲとし、Ａ，ＲおよびＦｅを含有し、積層欠陥を有する結晶粒子の数をｎとし、全体の結晶粒
子の数をＮとしたときに、ｎ／Ｎが０．３５以下である六方晶フェライト磁石。
【請求項２】さらにイオン半径が０．９０オングスト
ローム以下の元素をＭとして含有する請求項１の六方晶
フェライト磁石。
【請求項３】前記Ｒを０．０５〜１０原子％含有する
請求項１または２の六方晶フェライト磁石。
【請求項４】Ａ，Ｒ，ＦｅおよびＭそれぞれの金属元
素の総計の構成比率が、全金属元素量に対し、Ａ：１〜１３原子％、Ｒ：０．０５〜１０原子％、Ｆｅ：８０〜９５原子％、Ｍ：０．１〜５原子％である請求項２または３の六方晶フェライト磁石。
【請求項５】前記積層欠陥部分は、結晶粒子中の他の
部分より元素Ｍを多く含む請求項２〜４のいずれかの六
方晶フェライト磁石。
【請求項６】前記Ｒは、Ｌａ，Ｐｒ，ＮｄおよびＣｅ
のいずれか１種または２種以上である請求項１〜５のい
ずれかの六方晶フェライト磁石。
【請求項７】前記Ｍは、２価のイオンとなる元素であ
る請求項２〜６のいずれかの六方晶フェライト磁石。
【請求項８】前記Ｍは、Ｃｏ，ＮｉおよびＺｎのいず
れか１種または２種以上である請求項２〜７のいずれか
の六方晶フェライト磁石。
【請求項９】マグネトプランバイト型フェライトであ
る請求項１〜８のいずれかの六方晶フェライト磁石。
【請求項１０】Ｓｒ、ＢａおよびＣａから選択される
少なくとも１種の元素をＡとし、＋３価または＋４価を取りうるイオン半径が１．００オ
ングストローム以上の元素をＲとし、Ａ，ＲおよびＦｅを含有し、Ｒが結晶粒子の中心よりも結晶粒界近傍に多く存在する
六方晶フェライト磁石。
【請求項１１】さらにイオン半径が０．９０オングス
トローム以下の元素をＭとして含有する請求項１０の六
方晶フェライト磁石。
【請求項１２】前記元素Ｍは、結晶粒子の中心より粒
界近傍に多く存在する請求項１１の六方晶フェライト磁
石。
【請求項１３】前記Ｒを０．０５〜１０原子％含有す
る請求項１０〜１２のいずれかの六方晶フェライト磁
石。
【請求項１４】Ａ，Ｒ，ＦｅおよびＭそれぞれの金属
元素の総計の構成比率が、全金属元素量に対し、Ａ：１〜１３原子％、Ｒ：０．０５〜１０原子％、Ｆｅ：８０〜９５原子％、Ｍ：０．１〜５原子％である請求項１１〜１３のいずれかの六方晶フェライト
磁石。
【請求項１５】前記Ｒは、Ｌａ，Ｐｒ，ＮｄおよびＣ
ｅのいずれか１種または２種以上である請求項１０〜１
４のいずれかの六方晶フェライト磁石。
【請求項１６】前記Ｍは、２価のイオンとなる元素で
ある請求項１１〜１５のいずれかの六方晶フェライト磁
石。
【請求項１７】前記Ｍは、Ｃｏ，ＮｉおよびＺｎのい
ずれか１種または２種以上である請求項１１〜１６のい
ずれかの六方晶フェライト磁石。
【請求項１８】マグネトプランバイト型フェライトで
ある請求項１０〜１７のいずれかの六方晶フェライト磁
石。