JP2000132864A - 情報記録媒体及び情報記録装置 - Google Patents

情報記録媒体及び情報記録装置

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JP2000132864A JP10303617A JP30361798A JP2000132864A JP 2000132864 A JP2000132864 A JP 2000132864A JP 10303617 A JP10303617 A JP 10303617A JP 30361798 A JP30361798 A JP 30361798A JP 2000132864 A JP2000132864 A JP 2000132864A
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真 宮本
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Yumiko Anzai
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Hisae Sasaki
寿枝 佐々木
Tetsuya Nishida
哲也 西田
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元康 寺尾
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来より良好な記録・再生・書き換え・保存
特性を保持すること。 【解決手段】 情報記録媒体において、基板上に、光の
照射によって生じる原子配列変化により情報が記録され
る情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ前記記録膜
の界面に少なくとも１層の界面層が積層された構造を持
つ。 【効果】良好な記録・再生・書き換え・保存特性を持
つ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクに用い
られる情報記録媒体とこれに記録する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情
報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜
材料の相転移（相変化とも呼ばれる）やフォトダークニ
ングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用す
るものは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚の
ディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造の情
報記録媒体が得られるという長所を持つ。
【０００３】通常、これら情報記録媒体は基板上に保護
層、 ＧｅＳｂＴｅ系等の記録膜、ＺｎＳ−ＳｉＯ２系
保護層、反射層という構成からなり、反射率は結晶状態
の方が非晶質状態より高い。これにより、記録膜におけ
る吸収率は非晶質状態の方が大きくなる。この状態でオ
ーバーライトを行うと、非晶質状態の記録マーク部は結
晶状態部よりも昇温しやすいので、新しく記録したマー
クがより大きくなってしまい、再生信号に歪みが生じ
る。
【０００４】これを防ぐために、記録膜における結晶状
態の吸収率を非晶質状態の吸収率より大きくする試みが
なされてきた。例えば、文献１（山田他３名、信学技報
MR92-71,CPM92-148(1992-12)P.37）には１０ｎｍの非常
に薄いＡｕ反射層を設けることにより吸収率を逆転させ
ている。さらに、文献２（岡田他６名、信学技報MR93-5
3,CPM93-105(1993-12)P.1）には反射層に６５ｎｍのＳ
ｉを用いることにより吸収率を逆転させている。
【０００５】また、この種の保護層では、高密度化を行
なった場合、室温や装置内温度で１０年以上保存してお
いた場合、記録マークの劣化が問題となることが加速試
験よりわかっている。
【０００６】なお、本明細書では、結晶−非晶質間の相
変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、
結晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変
化」という用語を使用する。記録膜の流動は、記録時の
レーザ照射により、記録膜が流動し、保護層や中間層の
熱膨張による変形により、記録膜が少しずつ押されて生
じる。マークエッジ記録とは、記録マークのエッジ部分
を信号の“１”に、マーク間およびマーク内を信号の
“０”に対応させた記録方式のことをいう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の情報記録用媒体
はいずれも、マークエッジ記録を用いた高密度の書き換
え可能な相転移型の情報記録用媒体として用いる場合、
多数回書き換え時のジッター上昇、保存時の記録マーク
の劣化、反射率レベルの変動が生じるという問題を有し
ている。
【０００８】そこで、この発明の目的は、記録感度や製
膜性も良好かつ、書き換え、多数回の書き換えを行って
も良好な記録・再生特性を保持し、保存寿命も長く、従
来より反射率レベルの変動が少ない情報記録用媒体を提
供することに有る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】（１）情報記録媒体にお
いて、基板上に、光の照射によって生じる原子配列変化
により情報が記録される情報記録用薄膜を記録層として
備え、かつ前記記録膜の界面に少なくとも１層の界面層
が積層された構造を持つことを特徴とする。
【００１０】（２）（１）に記載の情報記録媒体におい
て、前記界面層の全原子数の１０原子％以上がＮからな
ることを特徴とする。
【００１１】（３）（１）〜（２）のいずれか１つに記
載の情報記録媒体において、前記基板と反対側に少なく
とも１層の界面層が積層された構造を持つことを特徴と
する。
【００１２】（４）（１）〜（３）のいずれか１つに記
載の情報記録媒体において、前記基板と前記記録層との
間に１層の保護層が積層された構造を持つことを特徴と
する。
【００１３】（５）（１）〜（４）のいずれか１つに記
載の情報記録媒体において、前記記録膜の基板と反対側
に吸収率制御層が積層された構造を持つことを特徴とす
る。
【００１４】（６）（１）〜（５）のいずれか１つに記
載の情報記録媒体において、前記情報記録媒体のトラッ
クピッチＤtpおよび記録を行うレーザ波長λ、レンズの
開口数ＮＡが、 ０．５λ／ＮＡ≦Ｄtp≦０．６λ／ＮＡ の関係を持つことを特徴とする。
【００１５】（７）（１）〜（６）のいずれか１つに記
載の情報記録媒体において、前記界面層の全組成が， ＮsＺt を満たし、０．１０≦s≦０．６６，かつｓ＋ｔ＝１を
満たす範囲にあり，かつ、Ｚが、Ｈ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，
Ｒｂ，Ｃｓ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，
Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉ
ｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃ
ｄ，Ｈｇ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ、Ｔｌ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇ
ｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｏ，Ｓ，Ｓ
ｅ，Ｔｅ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒのいずれか１つ以上からな
り、かつ前記記録膜が， Ｇｅx-wＳｂyＴｅzＭw を満たし、０．１５≦x≦０．４６，かつ０．１０≦y≦
０．２９，かつ０．５０≦z≦０．６０，ｗ≦０．１
０，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たす範囲にあり，かつ，ＭがＮ
ａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ，Ｌ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｂｒ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｉ，Ｃｓ，Ｂ
ａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈｇ，Ｔ
ｌ、Ｐｂ，Ｔｈ、Ｕ、Ａｇ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｔｉ，Ｂｉのいずれか１つからなり、 ｘ＋ｗ−２３
≦ｓ／５≦ｘ＋ｗ−１９ かつ、２２≦ｘ＋ｗ≦３６、かつ１０≦ｓの範囲にある
ことを特徴とする。
【００１６】（８）（５）〜（７）のいずれか１つに記
載の情報記録媒体において、前記吸収率制御層の膜厚が
１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とす
る。
【００１７】（９）（５）〜（８）のいずれか１つに記
載の情報記録媒体において、前記吸収率制御層のｎ（屈
折率）が１．２以上６以下、かつｋ（消衰係数）が０．
３以上３．０以下の材料からなることを特徴とする。
【００１８】（１０）（５）〜（９）のいずれか１つに
記載の情報記録媒体において、前記記録膜の上に記録を
行った場合、非晶質状態の反射率が結晶状態の反射率よ
り低く、非晶質状態上に最短マークを記録した場合の記
録開始パワーが結晶状態上に同条件で最短マークを記録
した場合の記録開始パワーが同じまたはより小さくなる
ことを特徴とする。
【００１９】（１１）（５）〜（１０）のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において、前記界面層の全原子数
の５０％以上の成分が吸収率制御層の成分と同じ成分か
らなることを特徴とする。
【００２０】（１２）（５）〜（１１）のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において、前記吸収率制御層の上
に少なくとも１層のＣｕ合金、Ａｌ合金、Ａｕ合金のい
ずれか１つからなる反射層が積層された構造を持つこと
を特徴とする。
【００２１】（１３）（５）〜（１２）のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において、前記記録膜と吸収率制
御層の間に少なくとも１層の中間層が積層された構造を
持つことを特徴とする。
【００２２】（１４）（５）に記載の情報記録媒体に記
録を行うレーザと、対物レンズとを有する情報記録装置
において、上記情報記録媒体のトラックピッチＤtpおよ
び上記記録レーザの波長λ、上記対物レンズの開口数Ｎ
Ａが、 ０．５λ／ＮＡ≦Ｄtp≦０．６λ／ＮＡ の関係を持つことを特徴とする。
【００２３】（１５）前記界面層が（ＺｎＳ）30（Ｔａ
Ｎ）70からなることを特徴とする。（ＺｎＳ）30（Ｔａ
Ｎ）70のＴａＮに代わる材料としては、Ｃｒ−Ｎ，Ｈｆ
−Ｎ，Ｎｂ−Ｎを用いると同様の結果が得られた。次い
で、Ｍｏ-Ｎ,Ｔｉ-Ｎ，Ｖ-Ｎ，Ｗ-Ｎ，Ｙ-Ｎ，Ｚｒ-
Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ｚｎ−Ｎも良好な
特性が得られた。この中でＭｏ-Ｎ,Ｔｉ-Ｎ，Ｖ-Ｎ，Ｗ
-Ｎ，Ｙ-Ｎ，Ｚｒ-Ｎは融点が高く、書き換え時の反射
率変動が少なかった。また、Ａｌ−Ｎは熱伝導率が高
く、書き換え回数が大きかった。Ｓｉ−Ｎはターゲット
価格が安価なため、製作コストが安かった。
【００２４】（ＺｎＳ）30（ＴａＮ）70のＺｎＳに代わ
る材料としては，ＺｎＳに３０ｍｏｌ％以下のＳｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5を混合した材料を
用いても良い。次いで、ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3，Ｃ
ｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，Ｐｂ
Ｏ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，Ｗ
Ｏ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯ な
どの酸化物を混合した材料でもよい。混合量は３０ｍｏ
ｌ％以下であれば、寿命特性に影響なかった。
【００２５】また、ＺｎＳの一部または全部をＡｇ−
Ｓ，Ｃｏ−Ｓ，Ｍｏ−Ｓ，Ｎｉ−Ｓ等の硫化物で置き換
えても同様の結果が得られた。
【００２６】上記界面層の（ＺｎＳ）30（ＴａＮ）70の
ＴａＮに代わる材料として，Ａｌ−Ｂ，Ｃａ−Ｂ，Ｃｏ
−Ｂ，Ｃｒ−Ｂ，Ｃｕ−Ｂ，Ｆｅ−Ｂ，Ｈｆ−Ｂ，Ｌａ
−Ｂ，Ｍｏ−Ｂ，Ｎｂ−Ｂ，Ｎｉ−Ｂ，Ｔａ−Ｂ，Ｔｉ
−Ｂ，Ｖ−Ｂ，Ｗ−Ｂ，Ｙ−Ｂ，Ｔｂ−Ｂ，Ｚｒ−Ｂ等
を用いると、窒化物に比べてノイズは大きくなったが、
保存寿命を長くする効果が見られた。界面層中の窒化物
を硼化物に変えた際は、 界面層中の硼素量をｓとした
場合に、ｓと保存寿命との間に上記の関係が生じた。
【００２７】上記界面層の（ＺｎＳ）30（ＴａＮ）70の
ＴａＮに代わる材料として，Ａｌ−Ｃ，Ｂ−Ｃ、Ｃａ−
Ｃ，Ｃｒ−Ｃ，Ｈｆ−Ｃ，Ｍｏ−Ｃ，Ｎｂ−Ｃ，Ｓｉ−
Ｃ，Ｔａ−Ｃ，Ｖ−Ｃ，Ｗ−Ｃ，Ｚｒ−Ｃ等を用いる
と、窒化物に比べて製膜時間が長くなったが、保存寿命
を長くする効果が見られた。 界面層中の窒化物を炭化
物に変えた際は、 界面層中の炭素量をｓとした場合
に、ｓと保存寿命との間に上記の関係が生じた。
【００２８】上記界面層の（ＺｎＳ）30（ＴａＮ）70の
ＴａＮに代わる材料として，Ｃａ−Ｓｉ，Ｃｏ−Ｓｉ，
Ｃｒ−Ｓｉ，Ｈｆ−Ｓｉ，Ｍｏ−Ｓｉ，Ｎｂ−Ｓｉ，Ｎ
ｉ−Ｓｉ，Ｐｄ−Ｓｉ，Ｐｔ−Ｓｉ，Ｔａ−Ｓｉ，Ｖ−
Ｓｉ，Ｗ−Ｓｉ，Ｚｒ−Ｓｉ等を用いると、窒化物に比
べて書き換え回数が少なくなったが、保存寿命を長くす
る効果が見られた。 界面層中の窒化物を珪化物に変え
た際は、 界面層中の珪素量をｓとした場合に、ｓと保
存寿命との間に上記の関係が生じた。
【００２９】上記界面層の代わりの材料は，各界面層全
原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以
外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が
５割以上減る等，書き換え特性の劣化が見られた。
【００３０】（１６）前記吸収率制御層の膜厚は５ｎｍ
以上、５０ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上、４０ｎ
ｍ以下であればより好ましい。
【００３１】前記吸収率制御層のｎは１．２以上、６以
下が好ましく、１．８以上、５．５以下であればより好
ましい。前記吸収率制御層のｋは０．３以上、３．０以
下が好ましく、０．５以上、２以下であればより好まし
い。
【００３２】前記吸収率制御層は、Ｃｒ−（Ｃｒ2Ｏ3）
からなることを特徴とする。吸収率制御層全成分に対す
るＣｒ量は１５ｍｏｌ％以上が好ましい。また、Ｃｒの
みの場合は、 Ｃｒ40（Ｃｒ2Ｏ3）60より熱伝導率が大
きく記録感度が少し低下する。従って、２２ｍｏｌ％以
上、４３ｍｏｌ％以下であればより好ましい。
【００３３】前記吸収率制御層Ｃｒ−（Ｃｒ2Ｏ3）膜中
のＣｒに代わる材料としては，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｓｂ，
Ｍｎ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｇｅ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｐｄ，Ｂ
ｅ，Ｔａを用いると同様の結果が得られた。この中で、
Ｒｅ，Ｗが融点が高く、より好ましかった。また、Ｐ
ｄ，Ｐｔは他の層との反応性が低く、書き換え可能回数
がさらに大きくなり、より好ましかった。Ｎｉ，Ｃｏを
用いると、他に比べ安価なターゲットを使用できるた
め、全体の製作費用を下げることができる。 Ｃｒ，Ｍ
ｏは耐食性が強く、寿命試験の結果が他に比べて良好だ
った。Ｔｉも次いで耐食性が強く良好な特性が得られ
た。また、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｓｍ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃ
ａ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｉｒ，Ｈｆ等も使用可であった。
【００３４】前記吸収率制御層Ｃｒ−（Ｃｒ2Ｏ3）膜中
のＣｒ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，
Ａｌ2Ｏ3，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＣｏＯ，ＣａＯ，ＣｅＯ
2，Ｃｕ2Ｏ，ＣｕＯ，ＣｄＯ，Ｄｙ2Ｏ3，ＦｅＯ，Ｆｅ
2Ｏ3，Ｆｅ3Ｏ4，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＨｆＯ2，Ｉｎ
2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＭｏＯ2，ＭｏＯ3，
ＮｂＯ，ＮｂＯ2，ＮｉＯ，ＰｂＯ，ＰｄＯ，ＳｎＯ，
ＳｎＯ2，Ｓｃ2Ｏ3，ＳｒＯ，ＴｈＯ2，ＴｉＯ2，Ｔｉ2
Ｏ3，ＴｉＯ，Ｔａ2Ｏ5，ＴｅＯ2，ＶＯ，Ｖ2Ｏ3，ＶＯ
2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｙ2Ｏ3，ＺｒＯ2，などの酸化物，Ｚ
ｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，Ｇｅ
Ｓ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3，ＳｒＳ，ＭｇＳ，Ｃ
ｒＳ，ＣｅＳ，ＴａＳ4，などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓ
ｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓ
ｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ
2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，Ｃａ
Ｆ2，ＴｉＦ3，ＮｉＦ3，ＦｅＦ2，ＦｅＦ3などの弗化
物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ， Ｃｒ
Ｂ， ＨｆＢ2， ＴｉＢ2，ＷＢ，などのホウ素化物，
Ｃ，Ｃｒ3Ｃ2， Ｃｒ23Ｃ6， Ｃｒ7Ｃ3，Ｆｅ3Ｃ，Ｍｏ
2Ｃ， ＷＣ，Ｗ2Ｃ， ＨｆＣ， ＴａＣ，ＣａＣ2，など
の炭化物または、上記の材料に近い組成のものを用いて
もよい。また、これらの混合材料でもよい。この他に、
Ｉｎ−Ｓｂ，Ｇａ−Ａｓ，Ｉｎ−Ｐ，Ｇａ−Ｓｂ，Ｉｎ
−Ａｓ等も使用できた。
【００３５】これらの中では、ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｙ2
Ｏ3−ＺｒＯ2，等酸化物を用いると他に比べ安価なター
ゲットを使用できるため、全体の製作費用を下げること
ができる。酸化物の中でも、 ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｙ2
Ｏ3−ＺｒＯ2は反応性が低く、書き換え可能回数がさら
に大きくなり、好ましかった。ＢｅＯは融点が高く好ま
しい。Ａｌ2Ｏ3は熱伝導率が高いため、反射層および／
または反射層がない構造のディスクにした場合、他に比
べて書き換え特性の劣化が少ない。Ｃｒ2Ｏ3は融点が高
い上、熱伝導率も高く好ましかった。
【００３６】また、硫化物，Ｓｅ化物を用いるとスパッ
タレートが大きくでき、製膜時間が短縮できる。炭化物
を用いると、吸収率制御層の硬度が増し、多数回書き換
え時の記録膜流動を抑制する働きも持つ。
【００３７】金属元素および／または誘電体とも融点が
記録膜の融点（約６００℃）より高いと、１万回書き換
え時のジッター上昇が小さくできる。両者の融点が６０
０℃以上の場合，３％以下に抑制できよりこのましい。
【００３８】また，吸収率制御層中の不純物元素が吸収
率制御層成分の２原子％を超えると１０回書き換え後の
前エッジまたは後エッジのジッターが１５％を超えるこ
とがわかった。さらに不純物元素が５原子％を超えると
ジッターが１８％以上になることがわかった。したがっ
て、吸収率制御層中の不純物元素が吸収率制御層成分の
５原子％以下が書き換え特性の劣化を少なく出来，好ま
しい。２原子％以下であるとさらに好ましかった。
【００３９】前記吸収率制御層をＴａ−Ｎとすることを
特徴とする。前記吸収率制御層全成分に対するＴａ量は
３７原子％以上が好ましい。また、Ｔａのみの場合は、
Ｔａ−Ｎより熱伝導率が大きく記録感度が少し低下す
る。従って、４５ｍｏｌ％以上、５６ｍｏｌ％以下であ
ればより好ましい。
【００４０】上記Ｔａ−Ｎに代わる材料としては，Ａｌ
Ｎ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｃｒ2Ｎ，ＧｅＮ，ＨｆＮ，Ｓｉ3Ｎ
4，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）、Ｓｉ
−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＴｉＮ，ＺｒＮ，な
どの窒化物に変えても同様の特性が得られた。これら窒
化物に対して５０ｍｏｌ％以下のＺｎＳを添加すると接
着力が大きくなった。
【００４１】（１７） 前記保護層が（ＺｎＳ）80（Ｓ
ｉＯ2）20からなることを特徴とする。前記保護層の
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20 に代わる材料としては，Ｚ
ｎＳとＳｉＯ2の混合比を変えたものが好ましい。ま
た、ＺｎＳ，Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，Ｓ
ｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｃｅ
Ｏ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，
ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，Ｗ
Ｏ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，
ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ
3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉ
Ｎ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2
Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3な
どの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，Ｚｎ
Ｓｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳ
ｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化
物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるい
はＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記
の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2、ＺｎＳ−Ａｌ2Ｏ3，などこれらの混合材料
の層やこれらの多重層でもよい。この中で、ＺｎＳはｎ
が大きく変調度を大きく保つことができるため、これを
６０ｍｏｌ％以上含む混合物の場合、ＺｎＳのｎが大き
い点と酸化物の化学安定性の良い点が組み合わされる。
ＺｎＳはさらにスパッタレートが大きく、ＺｎＳが８
０ｍｏｌ％以上を占めると製膜時間が短くできる。この
他の硫化物、セレン化物でもこれに近い特性が得られ
た。
【００４２】これら化合物における元素比は，例えば酸
化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または
金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，
Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：
２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとる
かその比に近いことが好ましいが，その比から外れてい
ても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている
場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3から
Ａｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率
がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素
量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上
ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以
上低下した。
【００４３】前記保護層および保護層の代わりの材料
は，各保護層全原子数の９０％以上であることが好まし
い。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，
書き換え回数が１／２以下になる等，書き換え特性の劣
化が見られた。
【００４４】前記保護層の合計膜厚は６０〜１４０ｎｍ
が記録時の変調度を４３％以上と大きくすることができ
好ましく、７０〜１２０ｎｍがより好ましい。
【００４５】前記保護層が２層以上からなり、記録膜側
の保護層材料がＣｒ2Ｏ3からなることを特徴とする。前
記記録膜側の保護層材料のＣｒ2Ｏ3に代わる材料として
は，ＣｏＯまたはＧｅＯ2，ＮｉＯ、これらとＣｒ2Ｏ3
の混合物が好ましい。次いで、Ｃｒ2Ｏ3にＳｉＯ2，Ｔ
ａ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3を混合した混合物
が結晶化特性が良好である。これら酸化物は消衰係数ｋ
が小さく、下部界面層における吸収が非常に小さい。そ
のため、変調度が大きくなるという利点がある。
【００４６】また，ＡｌＮ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｃｒ2Ｎ，
ＧｅＮ，ＨｆＮ，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例
えばＡｌＳｉＮ2）、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系
材料，ＴａＮ，ＴｉＮ，ＺｒＮ，などの窒化物は接着力
が大きくなり、外部衝撃による情報記録媒体の劣化が小
さく、より好ましい。窒素が含まれた記録膜組成または
それに近い組成の材料でも接着力が向上する。
【００４７】その他、ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3， ＣｅＯ2，Ｃ
ｕ2Ｏ， ＣｕＯ，ＣｄＯ，Ｄｙ2Ｏ3，ＦｅＯ，Ｆｅ
2Ｏ3，Ｆｅ3Ｏ4，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＨｆＯ2，Ｉｎ
2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＭｏＯ2，ＭｏＯ3，
ＮｂＯ，ＮｂＯ2， ＰｂＯ，ＰｄＯ，ＳｎＯ，Ｓｎ
Ｏ2，Ｓｃ2Ｏ3，ＳｒＯ，ＴｈＯ2，ＴｉＯ2，Ｔｉ
2Ｏ3，ＴｉＯ， ＴｅＯ2，ＶＯ，Ｖ2Ｏ3，ＶＯ2，Ｗ
Ｏ2，ＷＯ3，などの酸化物， Ｃ，Ｃｒ3Ｃ2，Ｃｒ
23Ｃ6， Ｃｒ7Ｃ3，Ｆｅ3Ｃ，Ｍｏ2Ｃ， ＷＣ，Ｗ2Ｃ，
ＨｆＣ， ＴａＣ，ＣａＣ2，などの炭化物または、上
記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これ
らの混合材料でもよい。
【００４８】前記記録膜側の保護層膜厚を２〜２５ｎｍ
とすると記録・再生特性がより良くなり，好ましい。
【００４９】（１８）前記中間層がＺｎＳ−ＳｉＯ2に
よりなることを特徴とする。前記中間層のＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ
−Ｎ系材料，ＺｎＳ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ
2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，Ｇｅ
Ｏ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ
2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，
ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，Ａｌ
Ｎ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料
（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ
3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，Ｐ
ｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓ
ｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，
ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ
3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの
弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，
Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよ
い。また、ＺｎＳ −ＳｉＯ2、ＺｎＳ−Ａｌ2Ｏ3，など
これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。この
中で、ＺｎＳはｎが大きく変調度を大きく保つことがで
きるため、これを６０ｍｏｌ％以上含む混合物の場合、
ＺｎＳのｎが大きい点と酸化物の化学安定性の良い点が
組み合わされる。 ＺｎＳはさらにスパッタレートが大
きく、ＺｎＳが８０ｍｏｌ％以上を占めると製膜時間が
短くできる。この他の硫化物、セレン化物でもこれに近
い特性が得られた。
【００５０】これら化合物における元素比は，例えば酸
化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または
金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，
Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：
２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとる
かその比に近いことが好ましいが，その比から外れてい
ても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている
場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3から
Ａｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率
がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素
量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上
ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以
上低下した。
【００５１】前記中間層および中間層の代わりの材料
は，各保護層全原子数の９０％以上であることが好まし
い。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，
書き換え回数が１／２以下になる等，書き換え特性の劣
化が見られた。
【００５２】（１９）前記反射層がＡｌ−Ｔｉからなる
ことを特徴とする。前記反射層のＡｌ−Ｔｉの代わりの
反射層の材料としては、Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ，Ａｌ−
Ｃｒ等Ａｌ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｌも
使用可能である。
【００５３】これより、Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の
含有量は０．５原子％以上４原子％以下の範囲にする
と、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレート
が良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではよ
り良好になることがわかった。上記以外のＡｌ合金でも
同様の特性が得られた。
【００５４】次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ， Ｎｉ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，
Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、
またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ
合金，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら
同志の合金よりなる層を用いてもよい。このように、反
射層は、金属元素、半金属元素、これらの合金、混合物
からなる。
【００５５】この中で、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ合金、
Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大きいも
のは、ディスクが急冷されやすく書き換え特性が良好で
ある。Ａｇ，Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。こ
の場合の主成分となるＣｕ，Ａｕ，Ａｇ等以外の元素の
含有量はＡｌ合金同様に、０．５原子％以上４原子％以
下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビッ
トエラーレートが良くなり、１原子％以上２原子％以下
の範囲ではより良くなった。
【００５６】前記反射層の材料は，反射層全原子数の９
５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物
が５原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下に
なる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００５７】前記反射層の膜厚は５ｎｍ以上、２００ｎ
ｍ以下が好ましい。
【００５８】（２０）前記基板が、表面に直接、トラッ
キング用の溝を有するポリカ−ボネ−ト基板からなるこ
とを特徴とする。前記基板の代わりに、ポリオレフィ
ン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面
に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。
【００５９】また、トラッキング用の溝を有する基板と
は、基板表面全てまたは一部に、記録・再生波長をλと
したとき、λ／１０ｎ‘（ｎ’は基板材料の屈折率）以
上の深さの溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形
成されていても、途中分割されていてもよい。溝深さが
約λ／６ｎ‘の時、クロストークが小さくなり好ましい
ことが分かった。さらに溝深さが約λ／３ｎ‘より深い
時、基板形成時の歩留まりは悪くなるが、クロスイレー
スが小さくなり好ましいことが分かった。
【００６０】また、その溝幅は場所により異なっていて
もよい。溝部の存在しない、サンプルサーボフォーマッ
トの基板、他のトラッキング方式、その他のフォーマッ
トによる基板等でも良い。溝部とランド部の両方に記録
・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちら
か一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。ディ
スクサイズも１２ｃｍに限らず，１３ｃｍ，８ｃｍ、
３．５‘，２．５‘等，他のサイズでも良い。ディスク
厚さも０．６ｍｍに限らず，１．２ｍｍ，０．８ｍｍ
等，他の厚さでも良い。
【００６１】本実施例では、まったく同様の方法によ
り、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、
前記第１および第２のディスク部材の反射層７，７’同
士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わり
に別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを
用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材または
保護用の基板の紫外線波長領域における透過率が大きい
場合，紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うことも
できる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。反
射層７がない構造のディスク部材の場合、最も上に積層
された層の上に接着剤層を設け貼り合わせしてもよい。
【００６２】本実施例では、２つのディスク部材を作製
し、接着剤層８を介して、前記第１および第２のディス
ク部材の反射層７，７’同士を貼り合わせているが、貼
り合わせ前に前記第１および第２のディスク部材の反射
層７，７’上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布
し，硬化後に貼り合わせを行うと，エラーレートがより
低くできる。
【００６３】本実施例では、２つのディスク部材を作製
し、接着剤層８を介して、前記第１および第２のディス
ク部材の反射層７同士を貼り合わせているが、貼り合わ
せを行わずに、前記第１のディスク部材の反射層７上に
紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ以上塗布してもよい。
【００６４】反射層７がない構造のディスク部材の場
合、最も上に積層された層の上に紫外線硬化樹脂を塗布
してもよい。
【００６５】（２１）前記各層の膜厚，材料については
それぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生
特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲を組み合
わせることにより，さらに効果が上がる。
【００６６】（２２）前記記録膜の組成が、Ａｇ3.5Ｇ
ｅ21Ｓｂ22Ｔｅ53.5からなることを特徴とする。
【００６７】前記記録膜の組成として、良好な特性を示
すＧｅ量の範囲は1５原子％以上、３６原子％以下で、
より良好な特性を示す範囲は1８原子％以上、２８原子
％以下である。
【００６８】前記記録膜の組成として、良好な特性を示
すＳｂ量の範囲は１０原子％以上、２９原子％以下で、
より良好な特性を示す範囲は１５原子％以上、２６原子
％以下である。
【００６９】前記記録膜の組成として、良好な特性を示
すＴｅ量の範囲は５０原子％以上、６０原子％以下で、
より良好な特性を示す範囲は５２原子％以上、５８原子
％以下である。
【００７０】前記記録膜の組成として、良好な特性を示
すＡg量の範囲は１０原子％以下で、より良好な特性を
示す範囲は６原子％以下である。
【００７１】以上より、記録膜組成をＧｅx-wＳｂyＴｅ
zＭw（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）であらわしたとき、０．1５≦x
≦０．４６、０．１０≦ｙ≦０．２９、０．５０≦ｚ≦
０．６０、０≦ｗ≦０．１０の範囲で良好な特性を示
し、さらに０．1８≦x≦０．３４、０．１５≦ｙ≦０．
２６、０．５２≦ｚ≦０．５８、０≦ｗ≦０．０６でよ
り良好な特性を示す。
【００７２】Ａｇの代わりに記録膜へ添加する元素とし
ては、Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ，Ｌ，Ｃａ，Ｓ
ｃ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｂｒ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｉ，Ｃ
ｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈ
ｇ，Ｔｌ、Ｐｂ，Ｔｈ、Ｕ、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｔｉ，Ｂｉのいずれかのうちの少なくとも一つで置き換
えても、多数回書き換え時のジッター上昇が起きにくい
ことがわかった。
【００７３】これらのなかで特に、Ａｇを添加すると、
Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅに比べ記録感度も１割向上し、 Ｃｒ，
Ｗ，Ｍｏのいずれかのうち少なくとも１つを添加すると
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅに比べて、多数回の書き換えを行った
場合にジッターが５％以上増加する書き換え回数が３倍
以上に向上し、Ｐｔ，Ｃｏ，Ｐｄのいずれかのうち少な
くとも１つを添加すると、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅに比べ結晶化
温度が５０℃以上高くなる効果がみられた。
【００７４】また，前記記録膜中の不純物元素が記録膜
成分の２原子％を超えると１０回書き換え後の前エッジ
または後エッジのジッターが１５％を超えることがわか
った。さらに不純物元素が５原子％を超えるとジッター
が１８％以上になることがわかった。したがって、記録
膜中の不純物元素が記録膜成分の５原子％以下が書き換
え特性の劣化を少なく出来，好ましい。２原子％以下で
あるとさらに好ましかった。
【００７５】前記記録膜の膜厚は6ｎｍ以上、２５ｎｍ
以下が好ましく、7ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であればよ
り好ましい。
【００７６】記録膜作製に少し時間がかかるが、記録膜
作成初期または終期にスパッタリングガスに窒素を混入
する、記録膜組成に窒素をわずか混入したターゲットを
使用するなど、記録膜と他の層との界面付近に窒素が含
まれると接着量が上がり、特性が向上することがわかっ
た。
【００７７】
【発明の実施の形態】以下、この発明を実施例によって
詳細に説明する。
【００７８】（１）実施例１ （本発明の情報記録媒体の構成、製法）図１は、この発
明の第１実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図
を示す。この媒体は次のようにして製作された。
【００７９】まず、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで
表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基
板１上に、膜厚約８５ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20膜および膜厚１０ｎｍのＣｒ2Ｏ3膜よりなる保護層２
を積層後、Ａｇ3.5Ｇｅ21Ｓｂ22Ｔｅ53.5記録膜３を膜
厚約１０ｎｍ 、（ＺｎＳ）30（ＴａＮ）70膜よりなる
界面層４を膜厚約１０ｎｍ 、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20膜よりなる中間層５を膜厚約１４５ｎｍ 、Ｃｒ
27（Ｃｒ2Ｏ3）73膜からなる吸収率制御層６を膜厚約３
０ｎｍ、Ａｌ98Ｔｉ2 膜からなる反射層７を膜厚約８５
ｎｍ に順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・
スパッタリング装置により行った。こうして第１のディ
スク部材を得た。
【００８０】他方、全く同様の方法により、第１のディ
スク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。
第２のディスク部材は、ポリカーボネイト基板１‘上
に、膜厚約８５ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜お
よび膜厚約１０ｎｍのＣｒ2Ｏ3膜よりなる保護層２‘を
積層後、膜厚約１０ｎｍ、Ａｇ3.5Ｇｅ21Ｓｂ22Ｔｅ
53.5記録膜３’を膜厚約１０ｎｍ 、（ＺｎＳ）30（Ｔ
ａＮ）70膜よりなる界面層４’を膜厚約１０ｎｍ 、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層５‘を膜
厚約１４５ｎｍ 、Ｃｒ27（Ｃｒ2Ｏ3）73膜からなる吸
収率制御層６’を膜厚約３０ｎｍ、Ａｌ98Ｔｉ2 膜から
なる反射層７‘を膜厚約８５ｎｍ に順次形成した。
【００８１】その後，前記第１のディスク部材および第
２のディスク部材をそれぞれの反射層７、７’同士を接
着剤層８を介して貼り合わせ、図１に示すディスク状情
報記録媒体を得た。
【００８２】（従来例の情報記録媒体の構成、製法）界
面層の効果を明らかにするため、界面層を持たない構造
のディスク状情報記録媒体を作製した。図２にこの媒体
の断面構造図を示した。この媒体は次のようにして製作
された。
【００８３】まず、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで
表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基
板１上に、膜厚約８５ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20膜および膜厚約１０ｎｍのＣｒ2Ｏ3膜よりなる保護層
２、Ａｇ3.5Ｇｅ21Ｓｂ22Ｔｅ53.5記録膜３を膜厚約１
０ｎｍ 、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層
５を膜厚約１５５ｎｍ 、Ｃｒ27（Ｃｒ2Ｏ3）73膜から
なる吸収率制御層６を膜厚約３０ｎｍ、Ａｌ98Ｔｉ2 膜
からなる反射層７を膜厚約８５ｎｍ に順次形成した。
従来例の情報記録媒体においては、界面層の膜厚分を中
間層の膜厚を増やすことによって、結晶状態の反射率を
本発明の情報記録媒体と同じにした。積層膜の形成はマ
グネトロン・スパッタリング装置により行った。こうし
て第１のディスク部材を得た。同様に作成した２つのデ
ィスク部材を貼り合わせて図２に示すディスク状情報記
録媒体を得た。
【００８４】（初期結晶化）前記のようにして製作した
媒体の記録膜３、３’に次のようにして初期結晶化を行
った。なお、記録膜３’についてもまったく同様である
から、以下の説明では記録膜３についてのみ述べること
とする。
【００８５】媒体を記録トラック上の点の線速度が８m/
sであるように回転させ、スポット形状が媒体の半径方
向に長い長円形の半導体レーザ（波長約８１０ｎｍ）の
レーザ光パワーを８００ｍＷにして基板１を通して記録
膜３に照射した。スポットの移動は、媒体の半径方向の
スポット長の１／4ずつずらした。こうして、初期結晶
化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが３回繰り
返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。
この初期結晶化は高速で行える利点がある。
【００８６】（記録・消去・再生）次に、図１１に示し
た情報記録再生装置により、情報の記録再生を行なっ
た。以上のようにしてディスク９の初期結晶化が完了し
た記録膜３の記録領域にトラッキングと自動焦点合わせ
を行いながら、記録用レーザ光のパワーを中間パワーレ
ベルＰｅ（４．５ｍＷ）と高パワーレベルＰｈ（１１ｍ
Ｗ）との間で変化させて情報の記録を行った。なお、記
録再生を行なう際のモーター１０の制御方法としては、
記録再生を行なうゾーン毎にディスクの回転数を変化さ
せるＺＣＬＶ（Zone Constant Linear Velocity）方式
を採用している。ディスク線速度は約８.３ｍ/ｓであ
る。
【００８７】記録装置外部からの情報は８ビットを１単
位として、８−１６変調器に伝送される。ディスク９上
に情報を記録する際には、情報８ビットを１６ビットに
変換する変調方式、いわゆる８−１６変調方式を用い記
録が行われた。この変調方式では媒体上に、８ビットの
情報に対応させた３Ｔ〜１４Ｔのマーク長の情報の記録
を行なっている。図中の８−１６変調器１６はこの変調
を行なっている。なお、ここでＴとは情報記録時のクロ
ックの周期を表しており、ここでは１７．１ｎｓとし
た。
【００８８】８−１６変調器１６により変換された３Ｔ
〜１４Ｔのデジタル信号は記録波形発生回路１５に転送
され、以下に示した、記録波形が生成される。
【００８９】記録波形発生回路１５により生成された記
録波形は、レーザ駆動回路１４に転送され、レーザー駆
動回路１４はこの記録波形をもとに、光ヘッド１２内の
半導体レーザを発光させる。
【００９０】本記録装置に搭載された光ヘッド１２に
は、情報記録用のエネルギービームとして光波長６６０
ｎｍの半導体レーザが使用されている。また、このレー
ザー光をレンズＮＡ０.６の対物レンズにより上記光デ
ィスク９の記録層上に絞り込み、上記記録波形に対応し
たエネルギーのレーザービームを照射することにより、
情報の記録を行なった。
【００９１】また、本記録装置はグルーブとランド（グ
ルーブ間の領域）の両方に情報を記録する方式（いわゆ
るランドグルーブ記録方式）に対応している。本記録装
置ではＬ／Ｇサーボ回路１１により、ランドとグルーブ
に対するトラッキングを任意に選択することができる。
トラッキング方法の異なるディスクの場合は、Ｌ／Ｇサ
ーボ回路の代わりに、トラッキング方法に適したサーボ
回路が用いられる。
【００９２】記録された情報の再生も上記光ヘッド１２
を用いて行なった。レーザービームを記録されたマーク
上に照射し、マークとマーク以外の部分からの反射光を
検出することにより、再生信号を得る。この再生信号の
振幅をプリアンプ回路１３により増大させ、８−１６復
調器１７に転送する。８−１６復調器１７では１６ビッ
ト毎に８ビットの情報に変換する。以上の動作により、
記録されたマークの再生が完了する。
【００９３】また、上記記録波形発生回路１５内におい
て、３Ｔ〜１４Ｔの信号を時系列的に交互に「０」と
「１」に対応させ、「０」の場合には中間パワーレベル
のレーザーパワーを照射し、「１」の場合には高パワー
レベルのパルスを含む一連の高パワーパルス列を照射す
るようにしている。この際、記録用レーザ光により記録
領域に形成される非晶質またはそれに近い部分が記録点
となる。この媒体の反射率は結晶状態の方が高く、記録
され非晶質状態になった領域の反射率が低くなってい
る。
【００９４】この際、記録マークを形成するための、高
パワーレベルを１１.０ｍＷ、中間パワーレベルを４.０
ｍＷ、クーリングパワーレベルを３．０ｍＷとした。記
録用レーザ光の高レベルと中間レベルとのパワ−比は
１：０.３〜１：０.６の範囲が特に好ましい。また、こ
の他に短時間ずつ他のパワーレベルにしてもよい。図３
に示したように，１つの記録マークの形成中にウインド
ウ幅の半分（Ｔｗ／２）ずつ中間パワーレベルより低い
ボトムパワーレベルＰｂまでパワーを繰り返し下げ，か
つクーリングパワーレベルＰｃを記録パルスの最後に持
つ波形を生成する手段を持った装置で記録・再生を行う
と，再生信号波形の特に低いジッター値およびエラーレ
ートが得られた。クーリングパワーレベルは中間パワー
レベルより低く、ボトムパワーレベルより高いか同じレ
ベルである。この波形では、第１パルス幅Ｔｐが記録マ
ークとそのマークの直前に設けられたスペースの長さの
組み合わせによって変化する特徴とクーリングパルス幅
Ｔｃ（記録パルスの最後にＰｃレベルまで下げる時間
幅）が記録マークとそのマークの後続スペース長の組み
合わせにより決定する特徴を持つ。マーク直前のスペー
ス長が短く、マークが長いほどＴｐは長くなり、マーク
の直前のスペース長が長く、マークが短いほどＴｐは長
くなる。ただし、媒体の構造によっては６Ｔｗマークの
記録用記録波形のＴｐを特に長くした場合、ジッター低
減効果が大きかった。また、後続のスペース長が長く、
マークが長いほど、Ｔｃは短くなり、後続のスペース長
が短く、マークが短いほど、Ｔｃは長くなる。このよう
に、上記記録波形発生回路１５は、マーク部を形成する
ための高パワーレベルを含む一連の高パワーパルス列を
形成する際に、マーク部の前後のスペース部の長さに応
じて、マルチパルス波形の先頭パルス幅と最後尾のパル
ス幅を変化させる方式（適応型記録波形制御）に対応し
たマルチパルス波形テーブルを有しており、これにより
マーク間に発生するマーク間熱干渉の影響を極力排除で
きるマルチパルス記録波形を発生している。
【００９５】図３では３Ｔｗ，４Ｔｗ，６Ｔｗ，１１Ｔ
ｗの記録波形しか示していないが，５Ｔｗは６Ｔｗの記
録波形の一連の高いパワーレベルのパルス列のうち、Ｔ
ｗ／２の高いパワーレベルＰｈと直後のＴｗ／２のボト
ムパワーレベルＰｂをそれぞれ一つづつ削減したもので
ある。また、７Ｔｗ〜１０Ｔｗ用記録波形は６Ｔｗ用記
録波形の最後尾の高いパワーレベルのパルスの直前に、
Ｔｗ／２の高いパワーレベルＰｈとＴｗ／２のボトム
パワーレベルＰｂを、それぞれ、１組づつ追加したもの
である。したがって、５組追加したものが１１Ｔｗであ
る。３Ｔｗに対応する最短記録マーク長を０．４２μm
とした。記録すべき部分を通り過ぎると、レーザ光パワ
ーを再生（読み出し）用レーザ光の低パワーレベルＰｒ
（１．０ｍＷ）に下げるようにした。記録信号には、情
報信号の始端部 、終端部に例えば、４Ｔマークと４Ｔ
スペースの繰り返しといったダミーデータが含まれてい
る。始端部にはＶＦＯも含まれている。
【００９６】このような記録方法では、既に情報が記録
されている部分に対して消去することなく、重ね書きに
よって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換え
られる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによる
オーバーライトが可能である。
【００９７】しかし、書き換え時の最初のディスク１回
転または複数回転で、前記のパワー変調した記録用レー
ザ光の中間パワーレベル（４．５ｍＷ）またはそれに近
いパワーの連続光を照射して、記録されている情報を一
たん消去し、その後、次の１回転でボトムパワーレベル
（１．２ｍＷ）と高パワーレベル（１１ｍＷ）の間で、
または中間パワーレベル（４．５ｍＷ）と高パワーレベ
ル（１１ｍＷ）との間で、情報信号に従ってパワー変調
したレーザ光を照射して記録するようにしてもよい。こ
のように、情報を消去してから記録するようにすれば、
前に書かれていた情報の消え残りが少ない。従って、線
速度を２倍に上げた場合の書き換えも、容易になる。
【００９８】これらの方法は、この発明の媒体に用いら
れる記録膜ばかりでなく他の媒体の記録膜にも有効であ
る。
【００９９】（界面層の効果）本実施例記載の界面層を
持つディスクＡ（図１）および界面層を持たない従来デ
ィスクＢ（図２）における、保存寿命（再生保存寿命：
Ａ−Ｒ、オーバーライト保存寿命：Ａ−ＯＷ）について
比べたところ、次のようになった（図４）。寿命試験は
９０℃一定に保つ、加速試験を行った。ジッターとは記
録マークのエッジ部の位置を再生した際、再生信号がウ
インドウ幅（Ｔｗ）に対してどの程度ゆらいでいるかを
示す指標である。ジッター値が大きくなるとエッジ部の
検出位置がウインドウ幅をほぼ占めるため、記録信号を
正確に再生できなくなる。そこでジッターは小さい方が
好ましい。ジッター測定におけるウインド幅（Ｔｗ）は
１７．１ｎｓ、最短記録信号は３Ｔｗ、最長記録信号は
１１Ｔｗでこれらをランダムに記録している。これらの
測定には再生等化回路を使用した。
【０１００】まず、再生寿命は、始めにＥＦＭ信号を記
録してジッターを測定しておき、上記加速試験環境に保
ち、室温に取り出し、再生した際のジッター変化を測定
した。オーバーライト寿命は、始めにＥＦＭ信号を１０
回書き換えた場合のジッターを測定した。次に上記加速
試験環境に保った後、同じトラックに１回オーバーライ
トした場合のジッター値を測定した。
【０１０１】 加速試験 ディスクＡ ディスクＢ 時間 ジッタ− Ａ−ＯＷジッタ− Ａ−Ｒジッタ− Ａ−ＯＷジッタ− （Ｈ） （％） （％） （％） （％） ０ １３ １３ １３ １３ １０ １３ １３ １３ １４ ３０ １３ １３ １４ １５ ５０ １３ １３ １５ １７ ８０ １３ １３ １５ ２０ １００ １３ １３ １６ ２５ １５０ １３ １３ １７ ３８ ２００ １３ １３ ２０ − ３００ １４ １４ ２２ − このように、界面層を設けることにより加速試験環境下
においてもジッター上昇が防止でき、保存寿命が大幅に
向上したことがわかった。
【０１０２】（界面層材料）本実施例で界面層４、４’
に用いた（ＺｎＳ）30（ＴａＮ）70の組成比を変化さ
せ、加速寿命試験を行ったところ次のようになった。Ａ
−Ｒ，Ａ−ＯＷのジッター上昇が２％以内の加速試験時
間を示した。
【０１０３】 界面層組成 Ａ−Ｒ（Ｈ） Ａ−ＯＷ（Ｈ） （ＺｎＳ） − １０ （ＺｎＳ）90（ＴａＮ）10 − ４０ （ＺｎＳ）80（ＴａＮ）20 − １００ （ＺｎＳ）70（ＴａＮ）30 − １５０ （ＺｎＳ）50（ＴａＮ）50 − ２００ （ＺｎＳ）40（ＴａＮ）60 ３００以上 ３００ （ＺｎＳ）30（ＴａＮ）70 ３００以上 ３００以上 （ＺｎＳ）20（ＴａＮ）80 ３００ ３００以上 （ＺｎＳ）10（ＴａＮ）90 ２００ − （ＴａＮ） １００ − これより、界面層成分に対するＮ量（ｓ）を適量にする
とＡ−ＯＷジッターおよびＡ−Ｒジッタを低減でき、保
存寿命が向上することがわかった。これより、界面層全
成分に対するＮ量は１０原子％以上が好ましい。また、
１５原子％以上、５０原子％以下だとより好ましい。Ｎ
量については、ラザフォード後方散乱分析法によって測
定した。
【０１０４】本実施例で界面層４、４’に用いた（Ｚｎ
Ｓ）30（ＴａＮ）70のＴａＮに代わる材料としては，Ｃ
ｒ−Ｎ，Ｈｆ−Ｎ，Ｎｂ−Ｎを用いると同様の結果が得
られた。
【０１０５】次いで、Ｍｏ-Ｎ,Ｔｉ-Ｎ，Ｖ-Ｎ，Ｗ-
Ｎ，Ｙ-Ｎ，Ｚｒ-Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，
Ｚｎ−Ｎも良好な特性が得られた。この中でＭｏ-Ｎ,Ｔ
ｉ-Ｎ，Ｖ-Ｎ，Ｗ-Ｎ，Ｙ-Ｎ，Ｚｒ-Ｎは融点が高く、
書き換え時の反射率変動が少なかった。また、Ａｌ−Ｎ
は熱伝導率が高く、書き換え回数が大きかった。Ｓｉ−
Ｎはターゲット価格が安価なため、製作コストが安かっ
た。
【０１０６】本実施例で界面層４、４’に用いた（Ｚｎ
Ｓ）30（ＴａＮ）70のＺｎＳに代わる材料としては，Ｚ
ｎＳに３０ｍｏｌ％以下のＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ
3，Ｔａ2Ｏ5を混合した材料を用いても良い。次いで、
ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2
Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，Ｂ
ｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，
ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯ などの酸化物を混合した材
料でもよい。混合量は３０ｍｏｌ％以下であれば、寿命
特性に影響なかった。
【０１０７】また、ＺｎＳの一部または全部をＡｇ−
Ｓ，Ｃｏ−Ｓ，Ｍｏ−Ｓ，Ｎｉ−Ｓ等の硫化物で置き換
えても同様の結果が得られた。
【０１０８】本実施例で界面層４、４’に用いた（Ｚｎ
Ｓ）30（ＴａＮ）70のＴａＮに代わる材料として，Ａｌ
−Ｂ，Ｃａ−Ｂ，Ｃｏ−Ｂ，Ｃｒ−Ｂ，Ｃｕ−Ｂ，Ｆｅ
−Ｂ，Ｈｆ−Ｂ，Ｌａ−Ｂ，Ｍｏ−Ｂ，Ｎｂ−Ｂ，Ｎｉ
−Ｂ，Ｔａ−Ｂ，Ｔｉ−Ｂ，Ｖ−Ｂ，Ｗ−Ｂ，Ｙ−Ｂ，
Ｔｂ−Ｂ，Ｚｒ−Ｂ等を用いると、窒化物に比べてノイ
ズは大きくなったが、保存寿命を長くする効果が見られ
た。界面層中の窒化物を硼化物に変えた際は、 界面層
中の硼素量をｓとした場合に、ｓと保存寿命との間に上
記の関係が生じた。
【０１０９】本実施例で界面層４、４’に用いた（Ｚｎ
Ｓ）30（ＴａＮ）70のＴａＮに代わる材料として，Ａｌ
−Ｃ，Ｂ−Ｃ、Ｃａ−Ｃ，Ｃｒ−Ｃ，Ｈｆ−Ｃ，Ｍｏ−
Ｃ，Ｎｂ−Ｃ，Ｓｉ−Ｃ，Ｔａ−Ｃ，Ｖ−Ｃ，Ｗ−Ｃ，
Ｚｒ−Ｃ等を用いると、窒化物に比べて製膜時間が長く
なったが、保存寿命を長くする効果が見られた。界面層
中の窒化物を炭化物に変えた際は、 界面層中の炭素量
をｓとした場合に、ｓと保存寿命との間に上記の関係が
生じた。
【０１１０】本実施例で界面層４、４’に用いた（Ｚｎ
Ｓ）30（ＴａＮ）70のＴａＮに代わる材料として，Ｃａ
−Ｓｉ，Ｃｏ−Ｓｉ，Ｃｒ−Ｓｉ，Ｈｆ−Ｓｉ，Ｍｏ−
Ｓｉ，Ｎｂ−Ｓｉ，Ｎｉ−Ｓｉ，Ｐｄ−Ｓｉ，Ｐｔ−Ｓ
ｉ，Ｔａ−Ｓｉ，Ｖ−Ｓｉ，Ｗ−Ｓｉ，Ｚｒ−Ｓｉ等を
用いると、窒化物に比べて書き換え回数が少なくなった
が、保存寿命を長くする効果が見られた。 界面層中の
窒化物を珪化物に変えた際は、 界面層中の珪素量をｓ
とした場合に、ｓと保存寿命との間に上記の関係が生じ
た。
【０１１１】界面層４、および界面層４の代わりの材料
は，各界面層全原子数の９０％以上であることが好まし
い。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，
書き換え回数が５割以上減る等，書き換え特性の劣化が
見られた。
【０１１２】（吸収率制御層）本実施例の情報記録媒体
では、記録・消去を繰り返した時に、実施例２に記載の
吸収率制御層を持たない情報記録媒体に比べてジッター
（σ／Ｔｗ）が４％以上小さくなった。ジッターが低減
できた原因は、吸収率制御層により吸収率制御が出来、
高線速における記録時にも消え残りが低減できているた
めである。
【０１１３】また、記録マークを透過型電子顕微鏡によ
り観察し、長いマーク（非晶質状態）上に書き換えを行
った場合と長いスペース（結晶状態）上に書き換えを行
った場合のマークサイズ（マークの面積）を比較した。
本実施例の情報記録媒体の場合、前者が後者よりほとん
ど同じであることがわかった。吸収率制御が強くなされ
ている場合は、前者が後者よりわずか小さくなった。一
方、実施例２に記載の情報記録媒体では、前者が後者よ
り大きかった。
【０１１４】情報記録媒体に情報を記録する場合、一般
に１つの情報記録媒体において１箇所あたりへの記録回
数は約１０万回程度必要と言われている。そのため、本
実施例においても初回記録から１０万回書き換え後まで
の記録・再生特性を調べた。
【０１１５】また、吸収率制御層の効果は他の記録方式
においても有効だが、特にマークエッジ記録においてエ
ッジ部分を正確に記録しジッター低減をはかる効果が大
きい。マークエッジ記録とは、記録マークのエッジ部分
を信号の“１”に、マーク間およびマーク内を信号の
“０”に対応させた記録方式のことをいう。さらに、線
速度が６ｍ／ｓより速いところで効果が顕著である。
【０１１６】（吸収率制御層膜厚）本実施例で吸収率制
御層６、６’に用いた膜の膜厚を変化させ、１０回書き
換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のよ
うになった。
【０１１７】吸収率制御層膜厚（ｎｍ）に対し、１０回
書き換え後の前エッジおよび後エッジのジッター値の２
乗平均の値（％）と変調度（％）を示した。ジッターに
ついては以後特に明記しない場合は、前エッジおよび後
エッジのジッター値の２乗平均値を示す。
【０１１８】変調度（Ｍｏｄ）の計算は次の式に従って
行った。
【０１１９】 ＭＯＤ（％）＝１００×（Ｉｃ−Ｉａ）／Ｉｃ ここで、 ＩｃはＥＦＭ信号記録時の結晶（消去）状態
の反射率の一番高いレベル， ＩａはＥＦＭ信号記録時
の非晶質（記録）状態の反射率の一番低いレベルであ
る。
【０１２０】 Ｍｏｄ（％）＝１００×（Ｉｃ−Ｉａ）／Ｉｃ 吸収率制御層膜厚（ｎｍ） １０回書き換え後のジッター（％） 変調度（％ ） ２ ２５ − ５ ２０ − １０ １５ ５３ ２０ １３ ５１ ４０ １３ ４７ ５０ − ４３ ６０ − ４０ これより、吸収率制御層膜厚を薄くすると１０回書き換
え後のジッターが増加し、また厚くすると、変調度が増
加することがわかった。薄くしたときのジッター増加の
原因は、Ａｃを結晶状態での記録膜における吸収率、Ａ
ａを非晶質状態での記録膜における吸収率と定義した
時、吸収率比（Ａｃ／Ａａ）が小さくなることから吸収
率制御が足りなくなり、消え残りが生じるためと考えら
れる。吸収率比（Ａｃ／Ａａ）は実測できないため、光
学計算により求めた。これより、吸収率制御層膜厚は５
ｎｍ以上、５０ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上、４
０ｎｍ以下であればより好ましい。
【０１２１】本実施例で吸収率制御層６、６’に用いた
膜の材料を変え、光学定数を変化させた場合について、
ｎ，ｋの入力値を変化させて光学計算した。まず、ｋを
１．５に保ち、ｎを変化させ、吸収率比（Ａｃ／Ａａ）
を求めたところ次のようになった。
【０１２２】 ｎ Ａｃ／Ａａ ０．８ ０．９５ １．２ １．０ １．８ １．０５ ２．０ １．１１ ３．０ １．１３ ４．５ １．１２ ５．５ １．０７ ６．０ １．００ ６．５ ０．９ これより、吸収率制御層のｎを変化させると吸収率比
（Ａｃ／Ａａ）が変わることがわかった。これより、吸
収率制御層のｎは１．２以上、６以下が好ましく、１．
８以上、５．５以下であればより好ましい。
【０１２３】次に、ｎを３．０に保ち、ｋを変化させ、
吸収率比（Ａｃ／Ａａ）を求めたところ次のようになっ
た。
【０１２４】 ｋ Ａｃ／Ａａ ０ ０．９７ ０．１ ０．９８ ０．３ １．０１ ０．５ １．０５ ０．８ １．１ １．０ １．１１ １．５ １．１３ １．８ １．１１ ２．０ １．０８ ３．０ １．０１ ４．０ ０．９５ これより、吸収率制御層のｋを変化させると吸収率比
（Ａｃ／Ａａ）が変わることがわかった。これより、吸
収率制御層のｋは０．３以上、３．０以下が好ましく、
０．５以上、２以下であればより好ましい。
【０１２５】本実施例で吸収率制御層６、６’に用いた
Ｃｒ−（Ｃｒ2Ｏ3）の組成比を変化させ、１０回書き換
え後のジッター（σ／Ｔｗ）および記録感度を測定した
ところ次のようになった。記録感度はＣｒ60（Ｃｒ
2Ｏ3）40の場合を基準とし、良くなった場合を＋、悪く
なった場合を−、変わらない場合を０で示した。
【０１２６】 吸収率制御層組成 ジッター（％） 記録感度（％） （Ｃｒ2Ｏ3） ２１ 未測定 Ｃｒ10（Ｃｒ2Ｏ3）90 １８ 未測定 Ｃｒ15（Ｃｒ2Ｏ3）85 １５ 未測定 Ｃｒ22（Ｃｒ2Ｏ3）78 １３ ＋１０ Ｃｒ27（Ｃｒ2Ｏ3）73 １３ ＋５ Ｃｒ30（Ｃｒ2Ｏ3）70 １３ ＋５ Ｃｒ40（Ｃｒ2Ｏ3）60 １３ ０ Ｃｒ43（Ｃｒ2Ｏ3）57 − ０ Ｃｒ67（Ｃｒ2Ｏ3）33 − −５ これより、吸収率制御層成分に対するＣｒ量を多くする
と１０回書き換え後のジッターが低減できることがわか
った。ジッターが低減する原因は、吸収率比（Ａｃ／Ａ
ａ）が大きく、消え残りが生じにくいためと考えられ
る。これより、吸収率制御層全成分に対するＣｒ量は１
５ｍｏｌ％以上が好ましい。また、Ｃｒのみの場合は、
Ｃｒ40（Ｃｒ2Ｏ3）60より熱伝導率が大きく記録感度
が少し低下する。従って、２２ｍｏｌ％以上、４３ｍｏ
ｌ％以下であればより好ましい。金属元素と誘電体の組
み合わせにおいて、ＣｒとＣｒ2Ｏ3の組み合わせのよう
に、誘電体中の構成金属元素と金属元素が同じ場合は、
不純物元素が少なくノイズが低かった。組成比について
は、ラザフォード後方散乱分析法によってＣｒとＯの比
を測定し、ＣｒとＣｒ2Ｏ3の比を算出した。
【０１２７】本実施例で吸収率制御層６、６’に用いた
Ｃｒ−（Ｃｒ2Ｏ3）膜中のＣｒに代わる材料としては，
Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｓｂ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｇｅ，Ｐ
ｔ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｐｄ，Ｂｅ，Ｔａを用いると同様の結
果が得られた。この中で、Ｒｅ，Ｗが融点が高く、より
好ましかった。また、Ｐｄ，Ｐｔは他の層との反応性が
低く、書き換え可能回数がさらに大きくなり、より好ま
しかった。Ｎｉ，Ｃｏを用いると、他に比べ安価なター
ゲットを使用できるため、全体の製作費用を下げること
ができる。 Ｃｒ，Ｍｏは耐食性が強く、寿命試験の結
果が他に比べて良好だった。Ｔｉも次いで耐食性が強く
良好な特性が得られた。また、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｓｍ，Ｃ
ｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃａ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｉｒ，Ｈｆ等も使
用可であった。
【０１２８】本実施例で吸収率制御層６、６’に用いた
Ｃｒ−（Ｃｒ2Ｏ3）膜中のＣｒ2Ｏ3に代わる材料として
は，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，
ＣｏＯ，ＣａＯ，ＣｅＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＣｕＯ，ＣｄＯ，
Ｄｙ2Ｏ3，ＦｅＯ，Ｆｅ2Ｏ3，Ｆｅ3Ｏ4，ＧｅＯ，Ｇｅ
Ｏ2，ＨｆＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＭｎＯ，
ＭｏＯ2，ＭｏＯ3，ＮｂＯ，ＮｂＯ2，ＮｉＯ，Ｐｂ
Ｏ，ＰｄＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，Ｓｃ2Ｏ3，ＳｒＯ，Ｔ
ｈＯ2，ＴｉＯ2，Ｔｉ2Ｏ3，ＴｉＯ，Ｔａ2Ｏ5，ＴｅＯ
2，ＶＯ，Ｖ2Ｏ3，ＶＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｙ2Ｏ3，Ｚｒ
Ｏ2，などの酸化物，ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2
Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3，
ＳｒＳ，ＭｇＳ，ＣｒＳ，ＣｅＳ，ＴａＳ4，などの硫
化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，
Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，Ｓｎ
Ｓｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ
3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2，ＴｉＦ3，ＮｉＦ3，ＦｅＦ2，Ｆ
ｅＦ3などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ
4Ｃ，Ｂ， ＣｒＢ， ＨｆＢ2， ＴｉＢ2，ＷＢ，などの
ホウ素化物，Ｃ，Ｃｒ3Ｃ2， Ｃｒ23Ｃ6， Ｃｒ7Ｃ3，
Ｆｅ3Ｃ，Ｍｏ2Ｃ， ＷＣ，Ｗ2Ｃ， ＨｆＣ， ＴａＣ，
ＣａＣ2，などの炭化物または、上記の材料に近い組成
のものを用いてもよい。また、これらの混合材料でもよ
い。この他に、Ｉｎ−Ｓｂ，Ｇａ−Ａｓ，Ｉｎ−Ｐ，Ｇ
ａ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ａｓ等も使用できた。
【０１２９】これらの中では、ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｙ2
Ｏ3−ＺｒＯ2，等酸化物を用いると他に比べ安価なター
ゲットを使用できるため、全体の製作費用を下げること
ができる。酸化物の中でも、 ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｙ2
Ｏ3−ＺｒＯ2は反応性が低く、書き換え可能回数がさら
に大きくなり、好ましかった。ＢｅＯは融点が高く好ま
しい。Ａｌ2Ｏ3は熱伝導率が高いため、反射層および／
または反射層がない構造のディスクにした場合、他に比
べて書き換え特性の劣化が少ない。Ｃｒ2Ｏ3は融点が高
い上、熱伝導率も高く好ましかった。
【０１３０】また、硫化物，Ｓｅ化物を用いるとスパッ
タレートが大きくでき、製膜時間が短縮できる。炭化物
を用いると、吸収率制御層の硬度が増し、多数回書き換
え時の記録膜流動を抑制する働きも持つ。
【０１３１】金属元素および／または誘電体とも融点が
記録膜の融点（約６００℃）より高いと、１万回書き換
え時のジッター上昇が小さくできる。両者の融点が６０
０℃以上の場合，３％以下に抑制できよりこのましい。
【０１３２】また，吸収率制御層中の不純物元素が吸収
率制御層成分の２原子％を超えると１０回書き換え後の
前エッジまたは後エッジのジッターが１５％を超えるこ
とがわかった。さらに不純物元素が５原子％を超えると
ジッターが１８％以上になることがわかった。したがっ
て、吸収率制御層中の不純物元素が吸収率制御層成分の
５原子％以下が書き換え特性の劣化を少なく出来，好ま
しい。２原子％以下であるとさらに好ましかった。
【０１３３】さらに、本実施例で吸収率制御層６、６’
に用いたＣｒ−（Ｃｒ2Ｏ3）をＴａ−Ｎに置き換えた場
合に組成比を変化させ、１０回書き換え後のジッター
（σ／Ｔｗ）および記録感度を測定したところ次のよう
になった。窒化物を用いると吸収率制御層に接した層と
の接着力が増し、外部衝撃に対して強くなる。記録感度
はＴａ56Ｎ44の場合を基準とし、良くなった場合を＋、
悪くなった場合を−、変わらない場合を０で示した。
【０１３４】 吸収率制御層組成 ジッター（％） 記録感度（％） Ｔａ37Ｎ63 １８ 未測定 Ｔａ40Ｎ60 １７ 未測定 Ｔａ45Ｎ55 １３ ＋１０ Ｔａ50Ｎ50 １３ ＋５ Ｔａ56Ｎ44 未測定 ０ Ｔａ77Ｎ23 未測定 −５ Ｔａ 未測定 −５ これより、吸収率制御層成分に対するＴａ量を多くする
と１０回書き換え後のジッターが低減できることがわか
った。ジッターが低減する原因は、吸収率比（Ａｃ／Ａ
ａ）が大きく、消え残りが生じにくいためと考えられ
る。これより、吸収率制御層全成分に対するＴａ量は３
７原子％以上が好ましい。また、Ｔａのみの場合は、
Ｔａ−Ｎより熱伝導率が大きく記録感度が少し低下す
る。従って、Ｔａは４５ｍｏｌ％以上、５６ｍｏｌ％以
下であればより好ましい。Ｔａ−Ｎ膜は、ＴａＮターゲ
ットをＡｒとＮ2の混合ガスでスパッタすることにより
製膜できる。この際のＮ2量比とスパッタパワーによっ
て、Ｔａ−Ｎ膜中のＮ量を制御できる。また、ＴａＮタ
ーゲットの代わりに、ＴａターゲットをＡｒとＮ2の混
合ガスでスパッタすることによっても製膜できる。
【０１３５】上記Ｔａ−Ｎに代わる材料としては，Ａｌ
Ｎ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｃｒ2Ｎ，ＧｅＮ，ＨｆＮ，Ｓｉ3Ｎ
4，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）、Ｓｉ
−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＴｉＮ，ＺｒＮ，な
どの窒化物に変えても同様の特性が得られた。これら窒
化物に対して５０ｍｏｌ％以下のＺｎＳを添加すると接
着力が大きくなった。
【０１３６】（吸収率制御層の光学定数測定）上記ディ
スク部材を中間層と吸収率制御層の間で剥がし、記録・
再生を行う波長における反射率を調べた。すなわち，接
着剤層８上にＡｌ98Ｔｉ2 膜からなる反射層７を膜厚約
８５ｎｍ、Ｃｒ27（Ｃｒ2Ｏ3）73膜からなる吸収率制御
層６を膜厚約３０ｎｍが積層された状態となっている。
【０１３７】次に、スパッタ装置にて逆スパッタ（Ａｒ
ガスエッチング）を行い、Ｃｒ−Ｃｒ2Ｏ3膜が薄くなっ
た状態での反射率を測定した。エッチングされた膜厚
は、エッチング時に一部をマスクしておき、エッチング
後にマスクを取り除いて段差計で測定した。この操作を
２回繰り返したところ吸収率制御層膜厚と反射率は次の
ような値が得られた。
【０１３８】 一方、反射層のｎ、ｋについては反射層が表面になるよ
うに剥がし、波長可変のエリプソにて求めた。
【０１３９】こうして得られた、反射率と反射層のｎ，
ｋより、吸収率制御層膜厚の異なる構造の反射率を占め
るｎ，ｋを計算により求めた結果、ｎは２．８、ｋは
０．８であることがわかった。
【０１４０】（保護層）本実施例では、保護層２を（Ｚ
ｎＳ）80（ＳｉＯ2）20により形成している。
【０１４１】保護層２の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20 に
代わる材料としては，ＺｎＳとＳｉＯ2の混合比を変え
たものが好ましい。また、ＺｎＳ，Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓ
ｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2
Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，
ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ
2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，
ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，Ａｌ
Ｎ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料
（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ
3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，Ｐ
ｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓ
ｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，
ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ
3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの
弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，
Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよ
い。また、ＺｎＳ −ＳｉＯ2、ＺｎＳ−Ａｌ2Ｏ3，など
これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。この
中で、ＺｎＳはｎが大きく変調度を大きく保つことがで
きるため、これを６０ｍｏｌ％以上含む混合物の場合、
ＺｎＳのｎが大きい点と酸化物の化学安定性の良い点が
組み合わされる。 ＺｎＳはさらにスパッタレートが大
きく、ＺｎＳが８０ｍｏｌ％以上を占めると製膜時間が
短くできる。この他の硫化物、セレン化物でもこれに近
い特性が得られた。
【０１４２】これら化合物における元素比は，例えば酸
化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または
金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，
Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：
２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとる
かその比に近いことが好ましいが，その比から外れてい
ても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている
場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3から
Ａｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率
がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素
量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上
ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以
上低下した。
【０１４３】保護層２および保護層２の代わりの材料
は，各保護層全原子数の９０％以上であることが好まし
い。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，
書き換え回数が１／２以下になる等，書き換え特性の劣
化が見られた。
【０１４４】本実施例で用いた保護層の膜厚を変化さ
せ、変調度および１０回書き換え後のジッター（σ／Ｔ
ｗ）を測定したところ次のようになった。変調度（Ｍｏ
ｄ）の計算式は以下の通りである。
【０１４５】 Ｍｏｄ（％）＝１００×（Ｉｃ−Ｉａ）／Ｉｃ Ｉｃ：ＥＦＭ信号記録時の結晶（消去）状態の反射率レ
ベル Ｉａ：ＥＦＭ信号記録時の非晶質（記録）状態の反射率
レベル 保護層膜厚（ｎｍ） 変調度（％） ジッター（％） ４０ ４１ − ６０ ４４ − ７０ ４８ １５ ９０ ５１ １４ １２０ ５０ １５ １４０ − １８ １６０ − ２２ 保護層の合計膜厚は６０〜１４０ｎｍが記録時の変調度
を４３％以上と大きくすることができ好ましく、７０〜
１２０ｎｍがより好ましい。
【０１４６】保護層を２層以上にし、記録膜側の保護層
材料をＣｒ2Ｏ3にすると、結晶化速度が早くなった。３
Ｔ信号を１０回記録した後にＤＣ光で消去した時の消去
比を調べたところ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2層の場合に比べて
約２倍の線速度である１６ｍ／ｓにおいても消去比が２
５ｄＢ以上と良好であることがわかった。
【０１４７】記録膜側の保護層材料のＣｒ2Ｏ3に代わる
材料としては， ＣｏＯまたはＧｅＯ2，ＮｉＯ、これら
とＣｒ2Ｏ3の混合物が好ましい。次いで、Ｃｒ2Ｏ3にＳ
ｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3を混合し
た混合物が結晶化特性が良好である。これら酸化物は消
衰係数ｋが小さく、下部界面層における吸収が非常に小
さい。そのため、変調度が大きくなるという利点があ
る。
【０１４８】また，ＡｌＮ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｃｒ2Ｎ，
ＧｅＮ，ＨｆＮ，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例
えばＡｌＳｉＮ2）、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系
材料，ＴａＮ，ＴｉＮ，ＺｒＮ，などの窒化物は接着力
が大きくなり、外部衝撃による情報記録媒体の劣化が小
さく、より好ましい。窒素が含まれた記録膜組成または
それに近い組成の材料でも接着力が向上する。
【０１４９】その他、ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3， ＣｅＯ2，Ｃ
ｕ2Ｏ， ＣｕＯ，ＣｄＯ，Ｄｙ2Ｏ3，ＦｅＯ，Ｆｅ
2Ｏ3，Ｆｅ3Ｏ4，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＨｆＯ2，Ｉｎ
2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3,MgO,MnO,MoO2，ＭｏＯ3，ＮｂＯ，Ｎｂ
Ｏ2， ＰｂＯ，ＰｄＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，Ｓｃ2Ｏ3，
ＳｒＯ，ＴｈＯ2，ＴｉＯ2，Ｔｉ2Ｏ3，ＴｉＯ， Ｔｅ
Ｏ2，ＶＯ，Ｖ2Ｏ3，ＶＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，などの酸化
物， Ｃ，Ｃｒ3Ｃ2，Ｃｒ23Ｃ6， Ｃｒ7Ｃ3，Ｆｅ3Ｃ，
Ｍｏ2Ｃ， ＷＣ，Ｗ2Ｃ， ＨｆＣ， ＴａＣ，ＣａＣ2，
などの炭化物または、上記の材料に近い組成のものを用
いてもよい。また、これらの混合材料でもよい。
【０１５０】記録膜側の保護層を設けた場合は、Ｚｎ，
Ｓ等の記録膜中への拡散が防止でき、消え残りが増加す
るのを抑制できる。さらに、記録感度を低下させないた
めには、２５ｎｍ以下とすることが好ましく、以下では
より好ましかった。均一な膜形成ができるのは約２ｎｍ
以上であり、５ｎｍ以上がさらに良好であった。これよ
り，記録膜側の保護層膜厚を２〜２５ｎｍとすると記録
・再生特性がより良くなり，好ましい。
【０１５１】（中間層）本実施例では、中間層５をＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2により形成している。
【０１５２】中間層５のＺｎＳ−ＳｉＯ2に代わる材料
としては，Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，Ｚｎ
Ｓ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｃ
ｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，Ｐｂ
Ｏ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，Ｗ
Ｏ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，
ＭｇＯ などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ
4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉ
Ｎ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2
Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3な
どの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，Ｚｎ
Ｓｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳ
ｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化
物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるい
はＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記
の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2、ＺｎＳ−Ａｌ2Ｏ3，などこれらの混合材料
の層やこれらの多重層でもよい。この中で、ＺｎＳはｎ
が大きく変調度を大きく保つことができるため、これを
６０ｍｏｌ％以上含む混合物の場合、ＺｎＳのｎが大き
い点と酸化物の化学安定性の良い点が組み合わされる。
ＺｎＳはさらにスパッタレートが大きく、ＺｎＳが８
０ｍｏｌ％以上を占めると製膜時間が短くできる。この
他の硫化物、セレン化物でもこれに近い特性が得られ
た。
【０１５３】これら化合物における元素比は，例えば酸
化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または
金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，
Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：
２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとる
かその比に近いことが好ましいが，その比から外れてい
ても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている
場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3から
Ａｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率
がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素
量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上
ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以
上低下した。
【０１５４】中間層５および中間層５の代わりの材料
は，各保護層全原子数の９０％以上であることが好まし
い。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，
書き換え回数が１／２以下になる等，書き換え特性の劣
化が見られた。
【０１５５】（反射層）本実施例で反射層７に用いたＡ
ｌ−Ｔｉの代わりの反射層の材料としては、Ａｌ-Ａ
ｇ，Ａｌ-Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ等Ａｌ合金を主成分とする
ものが好ましい。Ａｌも使用可能である。
【０１５６】これより、Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の
含有量は０．５原子％以上４原子％以下の範囲にする
と、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレート
が良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではよ
り良好になることがわかった。上記以外のＡｌ合金でも
同様の特性が得られた。
【０１５７】次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ， Ｎｉ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，
Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、
またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ
合金，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら
同志の合金よりなる層を用いてもよい。このように、反
射層は、金属元素、半金属元素、これらの合金、混合物
からなる。
【０１５８】この中で、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ合金、
Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大きいも
のは、ディスクが急冷されやすく書き換え特性が良好で
ある。Ａｇ，Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。こ
の場合の主成分となるＣｕ，Ａｕ，Ａｇ等以外の元素の
含有量はＡｌ合金同様に、０．５原子％以上４原子％以
下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビッ
トエラーレートが良くなり、１原子％以上２原子％以下
の範囲ではより良くなった。
【０１５９】反射層の材料は，反射層全原子数の９５％
以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５
原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる
等、書き換え特性の劣化が見られた。
【０１６０】反射層膜厚が３０ｎｍより薄い場合、強度
が弱く、熱拡散が小さく記録膜流動が起きやすいため，
１０万回書き換え後のジッターが１５％より大きくな
る。４０ｎｍでは１５％まで低下できる。また、反射層
膜厚が２００ｎｍより厚い場合、それぞれの反射層を作
製する時間が長くなり、２行程以上に分ける、またはス
パッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間
が倍増した。また、反射層の膜厚が５ｎｍ以下だと均一
に製膜することが難しかった。
【０１６１】これより、反射層の膜厚は５ｎｍ以上、２
００ｎｍ以下が好ましい。
【０１６２】（基板）本実施例では、表面に直接、トラ
ッキング用の溝を有するポリカ−ボネ−ト基板１を用い
ているが、その代わりに、ポリオレフィン、エポキシ、
アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学
強化ガラスなどを用いてもよい。
【０１６３】また、トラッキング用の溝を有する基板と
は、基板表面全てまたは一部に、記録・再生波長をλと
したとき、λ／１０ｎ‘（ｎ’は基板材料の屈折率）以
上の深さの溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形
成されていても、途中分割されていてもよい。溝深さが
約λ／６ｎ‘の時、クロストークが小さくなり好ましい
ことが分かった。さらに溝深さが約λ／３ｎ‘より深い
時、基板形成時の歩留まりは悪くなるが、クロスイレー
スが小さくなり好ましいことが分かった。
【０１６４】また、その溝幅は場所により異なっていて
もよい。溝部の存在しない、サンプルサーボフォーマッ
トの基板、他のトラッキング方式、その他のフォーマッ
トによる基板等でも良い。溝部とランド部の両方に記録
・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちら
か一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。ディ
スクサイズも１２ｃｍに限らず，１３ｃｍ，８ｃｍ、
３．５‘，２．５‘等，他のサイズでも良い。ディスク
厚さも０．６ｍｍに限らず，１．２ｍｍ，０．８ｍｍ
等，他の厚さでも良い。
【０１６５】本実施例では、まったく同様の方法によ
り、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、
前記第１および第２のディスク部材の反射層７，７’同
士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わり
に別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを
用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材または
保護用の基板の紫外線波長領域における透過率が大きい
場合，紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うことも
できる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。反
射層７がない構造のディスク部材の場合、最も上に積層
された層の上に接着剤層を設け貼り合わせしてもよい。
【０１６６】本実施例では、２つのディスク部材を作製
し、接着剤層８を介して、前記第１および第２のディス
ク部材の反射層７，７’同士を貼り合わせているが、貼
り合わせ前に前記第１および第２のディスク部材の反射
層７，７’上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布
し，硬化後に貼り合わせを行うと，エラーレートがより
低くできる。
【０１６７】本実施例では、２つのディスク部材を作製
し、接着剤層８を介して、前記第１および第２のディス
ク部材の反射層７同士を貼り合わせているが、貼り合わ
せを行わずに、前記第１のディスク部材の反射層７上に
紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ以上塗布してもよい。
【０１６８】反射層７がない構造のディスク部材の場
合、最も上に積層された層の上に紫外線硬化樹脂を塗布
してもよい。
【０１６９】（各層の膜厚，材料）各層の膜厚，材料に
ついてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記
録・再生特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲
を組み合わせることにより，さらに効果が上がる。
【０１７０】（２）実施例２ （構成、製法）吸収率制御層を持たない構造のディスク
状情報記録媒体を作製した。図６にこの媒体の断面構造
図を示した。この媒体は次のようにして製作された。
【０１７１】図６は、この発明の第２実施例のディスク
状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のよ
うにして製作された。
【０１７２】まず、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで
表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基
板１上に、膜厚約８５ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20膜および膜厚１０ｎｍのＣｒ2Ｏ3膜よりなる保護層２
を積層後、Ａｇ3.5Ｇｅ21Ｓｂ22Ｔｅ53.5記録膜３を膜
厚約１０ｎｍ 、（ＺｎＳ）30（ＴａＮ）70膜よりなる
界面層４を膜厚約１０ｎｍ 、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20膜よりなる中間層５を膜厚約３０ｎｍ、Ａｌ98Ｔｉ2
膜からなる反射層７を膜厚約８５ｎｍ に順次形成し
た。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置
により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【０１７３】他方、全く同様の方法により、第１のディ
スク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。
その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク
部材をそれぞれの反射層７、７’同士を接着剤層８を介
して貼り合わせ、図６に示すディスク状情報記録媒体を
得た。
【０１７４】（従来例の情報記録媒体の構成、製法）界
面層の効果を明らかにするため、界面層を持たない従来
構造のディスク状情報記録媒体を作製した。図７に従来
媒体の断面構造図を示した。この媒体は次のようにして
製作された。
【０１７５】まず、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで
表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基
板１上に、膜厚約８５ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20膜および膜厚１０ｎｍのＣｒ2Ｏ3膜よりなる保護層２
を積層後、Ａｇ3.5Ｇｅ21Ｓｂ22Ｔｅ53.5記録膜３を膜
厚約１０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる
中間層５を膜厚約４０ｎｍ、Ａｌ98Ｔｉ2 膜からなる反
射層７を膜厚約８５ｎｍ に順次形成した。従来例の情
報記録媒体においては、界面層の膜厚分を中間層の膜厚
を増やすことによって、結晶状態の反射率を本発明の情
報記録媒体と同じにした。積層膜の形成はマグネトロン
・スパッタリング装置により行った。こうして第１のデ
ィスク部材を得た。
【０１７６】他方、全く同様の方法により、第１のディ
スク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。
その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク
部材をそれぞれの反射層７、７’同士を接着剤層８を介
して貼り合わせ、図７に示すディスク状情報記録媒体を
得た。
【０１７７】（記録・再生特性）初期結晶化、記録・消
去・再生等については、実施例１と同様の方法で行っ
た。
【０１７８】本実施例の吸収率制御層を持たない構造の
情報記録媒体では、記録・消去を繰り返した時に、書き
換えを行うと実施例１に記載の情報記録媒体に比べてジ
ッターが約４％高かった。これより、吸収率制御層がな
いと書き換え時のジッターが増加することがわかった。
このジッター増加の原因は、吸収率比（Ａｃ／Ａａ）が
約０．９と小さいことから吸収率制御が足りなく、消え
残りが生じるためと考えられる。次に、本実施例記載の
界面層を持つディスクＣ（図６）および界面層を持たな
い従来ディスクＤ（図７）における、保存寿命（再生保
存寿命：Ａ−Ｒ、オーバーライト保存寿命：Ａ−ＯＷ）
について比べたところ、次のようになった。寿命試験は
９０℃一定に保つ、加速試験を行った。
【０１７９】 加速試験 ディスクＣ ディスクＤ 時間 −Ｒジッタ− Ａ−ＯＷジッタ− Ａ−Ｒジッタ− Ａ−ＯＷジッタ− （Ｈ） （％） （％） （％） （％） ０ １７ １７ １７ １７ １０ １７ １７ １７ １８ ３０ １７ １７ １８ １９ ５０ １７ １７ １９ ２０ ８０ １７ １７ １９ ２３ １００ １７ １７ ２０ ２７ １５０ １７ １７ ２２ ３９ ２００ １８ １７ ２６ − ３００ １９ １８ ２８ − このように、界面層を設けることにより加速試験環境下
においてもジッター上昇が防止でき、保存寿命が大幅に
向上したことがわかった。
【０１８０】本実施例に記載していない事項は実施例１
と同様である。
【０１８１】（３）実施例３ （構成、製法）まず、基板以外は実施例1および実施例
２と同様にして、以下の情報記録媒体を作成した。本実
施例の基板には、トラックピッチが０．５０μｍから
０．７０μｍまで０．０１μｍずつ変えた溝が形成され
ている。なお、トラックピッチＤtpの値はランド幅とグ
ルーブ幅の平均値をいう。また、Ｄtpは図８に示したよ
うに、記録トラックの中心と半径方向に隣の記録トラッ
クの中心の間の距離と同じである。また情報記録媒体を
記録再生する際には、図１２（ａ）の平面図と図１２
（ｂ）の断面図に示されるように、記録トラックの中心
を情報記録媒体上に集光されたレーザ光のスポットの中
心が通るようにトラッキングされる。
【０１８２】基板以外は図１と同様の構造である吸収率
制御層を持つディスクＡ‘および基板以外は図６と同様
の構造である吸収率制御層を持たないディスクＣ’につ
いて、クロスイレーズを比較した。測定は方法に図５に
示した手順で行った。最初に、図５（ａ）に示したよう
に、両脇のトラックＡ、Ｃが未記録の状態でトラックＢ
に記録した３Ｔ信号のジッター測定を行った。次に図５
（ｂ）に示したように、両脇のトラックＡ，Ｃに１１Ｔ
信号を記録した。最後に、トラックＡ，Ｃの信号をＤＣ
光にて消去し、（図５（ｃ））その後トラックＢの記録
信号のジッターを測定した。また、ランドとグルーブを
入れ替えた場合についても測定し、両者の平均値を取っ
た。このようにして、クロスイレーズによるジッター増
加量を測定した結果、各トラックピッチサイズにおけ
る、ディスクＡ‘，Ｃ’の測定結果は次のようになっ
た。
【０１８３】 トラックピッチ 吸収率制御層があるディスクＡ‘ 吸収率制御層がない （μｍ） のジッター増加量 ディスクＣ‘のジッター 増加量 （％） （％） ０．５１ ６ 未測定 ０．５２ ４ 未測定 ０．５３ ２ 未測定 ０．５４ １ 未測定 ０．５５ ０ 未測定 ０．５６ ０ 未測定 ０．５９ ０ 未測定 ０．６２ ０ ７ ０．６３ ０ ４ ０．６４ ０ ２ ０．６５ ０ １ ０．６６ ０ ０ ０．６７ ０ ０ これより、吸収率制御層を設けることによりクロスイレ
ーズによるジッター増加が押さえられることがわかっ
た。これは、記録膜の吸収率がＡｃ＞Ａａとなるため、
記録部（非晶質部）の吸収が消去部（結晶部）より小さ
いことを意味し、当該トラックＢに記録されていたマー
クが隣接トラックＡ，Ｃに記録した場合に当該トラック
の記録部では熱を吸収しにくいため、記録部が消去され
にくい効果による。このため０．５５μｍまでトラック
ピッチを詰めても、クロスイレーズによるジッター増加
が小さい。また、０．６６μｍ以上では吸収率制御層を
設けなくてもクロスイレーズによるジッター増加は見ら
れない。
【０１８４】本測定は波長６６０ｎｍ，ＮＡ０．６のレ
ーザを持つ評価装置を用いた場合の値である。波長が６
３５ｎｍの場合には、０．５３μｍまでトラックピッチ
を詰めても、クロスイレーズによるジッター増加が小さ
い。また、０．６４μｍ以上では吸収率制御層を設けな
くてもクロスイレーズによるジッター増加は見ら上れな
い。これより、吸収率制御層の効果がみられる範囲は、
トラックピッチＤtpが０．５λ／ＮＡ≦Ｄtp≦０．６λ
／ＮＡの場合である。なお、λは記録を行うレーザ波長
（ｎｍ），ＮＡはレンズの開口数である。
【０１８５】さらに、吸収率制御層を持つディスクＡお
よび実施例２に記載の吸収率制御層を持たない従来ディ
スクＢについて、マーク長依存性を調べたところ、最短
マーク長が０．３９μｍ以上０．４５μｍ以下の場合
に、吸収率制御層の効果が見られた。
【０１８６】記録再生波長依存性については、６００ｎ
ｍ以上６６０ｎｍ以下が変調度が大きくなり、書き換え
特性が良好で好ましい。６００ｎｍより短い波長でも波
長比に応じて膜厚補正を行えば本実施例の媒体も使用で
きる。
【０１８７】本実施例に記載していない事項は実施例１
〜２と同様である。
【０１８８】（４）実施例４ 実施例１の記録膜４、４’の組成を以下のように変えた
以外は実施例１と同様にして、以下の記録膜組成を持つ
情報記録媒体を作成した。初期結晶化、記録・消去・再
生等については、実施例１と同様の方法で行った。
【０１８９】（記録膜組成）本実施例で記録膜４、４’
に用いた記録膜の組成を三角図におけるＧｅＴｅとＳｂ
2Ｔｅ3を結んだ線上で変化させ、１０回書き換え後のジ
ッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになっ
た。
【０１９０】 Ｇｅ量（ｘ−ｗ） 前エッジのジッター(%) 後エッジのジッター（%） １０ １７ − １５ １５ − １８ １３ １３ ２１ １３ １３ ２８ １３ １３ ３６ − １５ ３８ − １９ これより、Ｇｅ量を増加させると前エッジのジッターが
減少し、後エッジのジッターが増加することがわかっ
た。従って、ジッターが良好な特性を示すＧｅ量の範囲
は1５原子％以上、３６原子％以下で、より良好な特性
を示す範囲は1８原子％以上、２８原子％以下である。
【０１９１】次に、記録膜の組成をＴｅ量を一定にし、
ＴｅとＳｂ量を変化させ、１０回書き換え後のジッター
（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。
【０１９２】 記録膜組成 前エッジのジッター（%） 後エッジのジッター（%） Ａｇ3.5Ｇｅ36Ｓｂ7Ｔｅ53.5 − １９ Ａｇ3.5Ｇｅ33Ｓｂ10Ｔｅ53.5 − １５ Ａｇ3.5Ｇｅ28Ｓｂ15Ｔｅ53.5 １３ １３ Ａｇ3.5Ｇｅ21Ｓｂ22Ｔｅ53.5 １３ １３ Ａｇ3.5Ｇｅ17Ｓｂ26Ｔｅ53.5 １３ １３ Ａｇ3.5Ｇｅ14Ｓｂ29Ｔｅ53.5 １５ − Ａｇ3.5Ｇｅ8Ｓｂ35Ｔｅ53.5 １８ − これより、Ｓｂ量を増加させると前エッジのジッターが
増加し、後エッジのジッターが減少することがわかっ
た。従って、ジッターが良好な特性を示すＳｂ量の範囲
は１０原子％以上、２９原子％以下で、より良好な特性
を示す範囲は１５原子％以上、２６原子％以下である。
【０１９３】本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜
の組成をＳｂ量を一定にし、ＴｅとＧｅ量を変化させ、
１０回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したと
ころ次のようになった。
【０１９４】 記録膜組成 後エッジのジッター（％） Ａｇ3Ｇｅ13Ｓｂ22Ｔｅ62 ２０ Ａｇ3Ｇｅ15Ｓｂ22Ｔｅ60 １５ Ａｇ3Ｇｅ17Ｓｂ22Ｔｅ58 １３ Ａｇ3.5Ｇｅ21Ｓｂ22Ｔｅ53.5 １３ Ａｇ3.5Ｇｅ22.5Ｓｂ22Ｔｅ52 １３ Ａｇ4Ｇｅ24Ｓｂ22Ｔｅ50 １５ Ａｇ4Ｇｅ26Ｓｂ22Ｔｅ48 １８ これより、Ｔｅ量を増加させても、減少させても後エッ
ジのジッターが増加することがわかった。従って、ジッ
ターが良好な特性を示すＴｅ量の範囲は５０原子％以
上、６０原子％以下で、より良好な特性を示す範囲は５
２原子％以上、５８原子％以下である。
【０１９５】本実施例で記録膜にＡｇを添加しＡｇ-Ｇ
ｅ-Ｓｂ-Ｔｅ記録膜にしたところ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅに
比べて、多数回の書き換えを行った場合に前エッジのジ
ッターが５％以上増加する書き換え回数が２倍に向上す
ることがわかった。そこで記録膜４、４’に用いた記録
膜の組成をＳｂ，Ｔｅ量を一定にし、ＧｅとＡｇ量を変
化させ、５回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定
したところ次のようになった。また、ジッターが５％以
上増加する書き換え回数を調べた。
【０１９６】 記録膜組成 ジッター（％） 書き換え回数 Ｇｅ24.5Ｓｂ22Ｔｅ53.5 １３ １倍 Ａｇ2Ｇｅ22.5Ｓｂ22Ｔｅ53.5 １３ １．５倍 Ａｇ3.5Ｇｅ21Ｓｂ22Ｔｅ53.5 １３ ２倍 Ａｇ6Ｇｅ18.5Ｓｂ22Ｔｅ53.5 １３ ２倍 Ａｇ10Ｇｅ14.5Ｓｂ22Ｔｅ53.5 １５ − Ａｇ15Ｇｅ9.5Ｓｂ22Ｔｅ53.5 １８ − これより、Ａｇを少量添加すると書き換え可能回数が向
上する。しかし、Ａｇ量を増加させるにつれて、ジッタ
ーが増加することがわかった。従って、消去比が良好な
特性を示すＡg量の範囲は１０原子％以下で、より良好
な特性を示す範囲は６原子％以下である。
【０１９７】以上より、記録膜組成をＧｅx-wＳｂyＴｅ
zＭw（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）であらわしたとき、０．1５≦x
≦０．４６、０．１０≦ｙ≦０．２９、０．５０≦ｚ≦
０．６０、０≦ｗ≦０．１０の範囲で良好な特性を示
し、さらに０．1８≦x≦０．３４、０．１５≦ｙ≦０．
２６、０．５２≦ｚ≦０．５８、０≦ｗ≦０．０６でよ
り良好な特性を示す。
【０１９８】Ａｇの代わりに記録膜へ添加する元素とし
ては、Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ，Ｌ，Ｃａ，Ｓ
ｃ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｂｒ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｉ，Ｃ
ｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈ
ｇ，Ｔｌ、Ｐｂ，Ｔｈ、Ｕ、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｔｉ，Ｂｉのいずれかのうちの少なくとも一つで置き換
えても、多数回書き換え時のジッター上昇が起きにくい
ことがわかった。
【０１９９】これらのなかで特に、Ａｇを添加すると、
Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅに比べ記録感度も１割向上し、 Ｃｒ，
Ｗ，Ｍｏのいずれかのうち少なくとも１つを添加すると
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅに比べて、多数回の書き換えを行った
場合にジッターが５％以上増加する書き換え回数が３倍
以上に向上し、Ｐｔ，Ｃｏ，Ｐｄのいずれかのうち少な
くとも１つを添加すると、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅに比べ結晶化
温度が５０℃以上高くなる効果がみられた。
【０２００】また，記録膜中の不純物元素が記録膜成分
の２原子％を超えると１０回書き換え後の前エッジまた
は後エッジのジッターが１５％を超えることがわかっ
た。さらに不純物元素が５原子％を超えるとジッターが
１８％以上になることがわかった。したがって、記録膜
中の不純物元素が記録膜成分の５原子％以下が書き換え
特性の劣化を少なく出来，好ましい。２原子％以下であ
るとさらに好ましかった。
【０２０１】本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜
の膜厚を変化させ、１０回書き換え後および１０万回書
き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次の
ようになった。記録膜膜厚（ｎｍ）に対し、１０回書き
換え後については前エッジまたは後エッジのジッターの
悪い方の値（％）を、１０万回書き換え後については前
エッジのジッター値（％）を示した。
【０２０２】 記録膜膜厚 １０回書き換え後のジッター １０万回書き換え後のジッター ４ ２３ − ６ １８ − ７ １５ １５ １０ １４ １４ ２０ １５ １５ ２５ − ２０ ３５ − ２５ これより、記録膜膜厚を薄くすると記録膜流動や偏析に
よる、１０回書き換え後のジッターが増加し、また厚く
すると、１０万回書き換え後のジッターが増加すること
がわかった。これより、記録膜膜厚は6ｎｍ以上、２５
ｎｍ以下が好ましく、7ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であれ
ばより好ましい。
【０２０３】記録膜作製に少し時間がかかるが、記録膜
作成初期または終期にスパッタリングガスに窒素を混入
する、記録膜組成に窒素をわずか混入したターゲットを
使用するなど、記録膜と他の層との界面付近に窒素が含
まれると接着量が上がり、特性が向上することがわかっ
た。
【０２０４】（界面層組成および記録膜組成）実施例１
の記録膜４、４’の組成および、界面層５、５‘の組成
をそれぞれ変えた以外は実施例１と同様にして、情報記
録媒体を作成した。初期結晶化、記録・消去・再生等に
ついては、実施例１と同様の方法で行った。
【０２０５】これらの情報記録媒体の保存寿命を加速試
験により調べた結果、 記録膜中のＧｅ量（ｘ−ｗ）、
Ａｇ量（ｗ）、と界面層中の窒素量（ｓ）と保存寿命の
関係を調べた。 Ａ−Ｒ，Ａ−ＯＷのジッター上昇が２
％以内の加速試験時間を示した。
【０２０６】 ｘ＋ｗ−２１ ｓ／５ Ａ−Ｒ（Ｈ） Ａ−ＯＷ（Ｈ） ２ ４ １００ ３００ ４ ４ ３００ ３００ ６ ４ ３００ １５０ ５ ７ ２００ ３００ ６ ７ ３００ ３００以上 ７ ７ ３００以上 ３００以上 ８ ７ ３００以上 ３００ ９ ７ ３００ １５０ ８ １０ ２００ ３００ １０ １０ ３００ ３００ １２ １０ ３００ １００ これより、記録膜組成および界面層組成の関係が、ｘ＋
ｗ−２３≦ｓ／５≦ｘ＋ｗ−１９ かつ、２２≦ｘ＋ｗ≦３６の関係にあると保存寿命が１
００時間以上と良好になることがわかった。また、ｘ＋
ｗ−２２≦ｓ／５≦ｘ＋ｗ−２０の場合、保存寿命が３
００時間以上とより良好になった。
【０２０７】保護層の組成をＣｒ2Ｏ3から、窒化物に変
えた場合は、記録膜側にある保護層中の窒素量と界面層
中の窒素量の合計がｓに対応した。
【０２０８】また、界面層中の窒化物を硼化物に変えた
際は、 界面層中の硼素量をｓとした場合に、記録膜中
のＧｅ量（ｘ−ｗ）、Ａｇ量（ｗ）との間に上記の関係
が生じた。
【０２０９】界面層中の窒化物を炭化物に変えた際は、
界面層中の炭素量をｓとした場合に、記録膜中のＧｅ
量（ｘ−ｗ）、Ａｇ量（ｗ）との間に上記の関係が生じ
た。
【０２１０】界面層中の窒化物を珪化物に変えた際は、
界面層中の珪素量をｓとした場合に、記録膜中のＧｅ
量（ｘ−ｗ）、Ａｇ量（ｗ）との間に上記の関係が生じ
た。
【０２１１】本実施例に記載していない事項は実施例１
〜３と同様である。
【０２１２】（５）実施例５ （構成、製法）吸収率制御層を持たない構造のディスク
状情報記録媒体を作製した。図９にこの媒体の断面構造
図を示した。この媒体は次のようにして製作された。
【０２１３】図９は、この発明の第２実施例のディスク
状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のよ
うにして製作された。
【０２１４】まず、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで
表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基
板１上に、膜厚約８ｎｍのＡｇ3.5Ｇｅ21Ｓｂ22Ｔｅ
53.5記録膜３、（ＺｎＳ）30（ＴａＮ）70膜よりなる界
面層４を膜厚約９０ｎｍ、順次形成した。積層膜の形成
はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こ
うして第１のディスク部材を得た。
【０２１５】他方、全く同様の方法により、第１のディ
スク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。
【０２１６】その後，前記第１のディスク部材および第
２のディスク部材をそれぞれの界面層４、４’同士を接
着剤層８を介して貼り合わせ、図９に示すディスク状情
報記録媒体を得た。
【０２１７】（従来例の情報記録媒体の構成、製法）界
面層の効果を明らかにするため、界面層を持たない従来
構造のディスク状情報記録媒体を作製した。図１０に従
来媒体の断面構造図を示した。この媒体は次のようにし
て製作された。
【０２１８】まず、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで
表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基
板１上に、膜厚約８ｎｍのＡｇ3.5Ｇｅ21Ｓｂ22Ｔｅ
53.5記録膜３を形成した。積層膜の形成はマグネトロン
・スパッタリング装置により行った。こうして第１のデ
ィスク部材を得た。
【０２１９】他方、全く同様の方法により、第１のディ
スク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。
【０２２０】その後，前記第１のディスク部材および第
２のディスク部材をそれぞれの記録膜３、３’同士を接
着剤層８を介して貼り合わせ、図１０に示すディスク状
情報記録媒体を得た。
【０２２１】（記録・再生特性）初期結晶化、記録・消
去・再生等については、実施例１と同様の方法で行っ
た。
【０２２２】本実施例の構造の情報記録媒体では、記録
・消去を繰り返した時のＣ／Ｎ（信号波対搬送波）を調
べたところ、４０ｄＢであった。本実施例の構造の情報
記録媒体は、実施例１および実施例２に記載の情報記録
媒体に比べて記録再生特性が悪かったが、約１００回の
オーバーライトは可能であった。
【０２２３】次に、本実施例記載の界面層を持つディス
クＥ（図９）および界面層を持たない従来ディスクＦ
（図１０）における、保存寿命（再生保存寿命：Ａ−
Ｒ、オーバーライト保存寿命：Ａ−ＯＷ）について、Ｃ
／Ｎの変化で比べたところ、次のようになった。寿命試
験は９０℃一定に保つ、加速試験を行った。
【０２２４】 加速試験 ディスクＥ ディスクＦ 時間 Ａ−ＲのＣ／Ｎ Ａ−ＯＷのＣ／Ｎ Ａ−ＲのＣ／Ｎ Ａ−ＯＷのＣ／Ｎ （Ｈ） （ｄＢ） （ｄＢ） (ｄＢ） （ｄＢ） ０ ４０ ４０ ３８ ３８ １ ４０ ４０ ３８ ３８ ３ ４０ ４０ ３８ ３７ ５ ４０ ４０ ３７ ３６ ８ ４０ ４０ ３５ ３４ １０ ３９ ４０ ３２ ３０ このように、界面層を設けることにより加速試験環境下
においてもＣ／Ｎ低下が防止でき、保存寿命が大幅に向
上したことがわかった。
【０２２５】また、図９の構造のディスクに保護層を設
けると、記録膜を保護できるため書き換え時のジッター
が小さくなり、かつ光学的な干渉により信号が大きくで
きるため、Ｃ／Ｎが５ｄＢ以上向上した。これにに反射
層を設けると、記録時の熱冷却が早くなるため、オーバ
ーライト回数が１桁以上向上した。さらに、中間層を設
けると、光学的な干渉をより有効に使用することがで
き、Ｃ／Ｎが約２ｄＢさらに向上した。このように、積
層数が少なくすると作製時間が短縮できるが、記録再生
特性は制限される。一方各層を増やすことによって作製
時間は長くなるものの、記録再生特性は大幅に向上でき
る。
【０２２６】本実施例に記載していない事項は実施例１
〜４と同様である。
【０２２７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の情報記
録媒体すなわち、基板上に、光の照射によって生じる原
子配列変化により情報が記録される情報記録用薄膜を記
録層として備え、かつ前記記録膜の界面に少なくとも１
層の界面層が積層された構造を持つことを特徴とする情
報記録媒体によれば、従来の界面層を持たない情報記録
媒体に比べて保存時のジッター（σ／Ｔｗ）増加を小さ
くすることが可能となる。これは上記界面層を持つこと
により、記録膜の劣化を抑制できるためである。
【０２２８】界面層は全原子数の１０原子％以上がＮか
らなることを特徴とする材料からなり、保存寿命を長く
する働きがある。
【０２２９】さらに、吸収率制御層を有すると記録膜の
吸収率をＡｃ＞Ａａとすることができ、消え残りが低減
できる。
【０２３０】保護層は記録膜と基板の間に設けられ、記
録膜を保護する効果、Ｃ／Ｎを大きくする効果をもつ。
反射層は書き換え可能回数を増加する効果がある。中間
層は、さらにＣ／Ｎを向上する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の情報記録媒体の構造断面図
を示した。
【図２】従来構造の情報記録媒体の構造断面図を示し
た。
【図３】本発明の情報記録媒体の記録・再生特性評価に
用いた記録波形を示した。
【図４】本発明の情報記録媒体と従来構造の情報記録媒
体の保存寿命特性を示した。
【図５】本発明の実施例１に記載のクロスイレーズ測定
手順を示した。
【図６】本発明の実施例２の情報記録媒体の構造断面図
を示した。
【図７】本発明の実施例２に対する従来構造の情報記録
媒体の構造断面図を示した。
【図８】本発明の実施例３に記載のトラックピッチを示
した。
【図９】本発明の実施例４の情報記録媒体の構造断面図
を示した。
【図１０】本発明の実施例４に対する従来構造の情報記
録媒体の構造断面図を示した。
【図１１】本発明の情報記録媒体を記録再生する装置の
構成を示した。
【図１２】本発明の情報記録媒体を記録再生する装置の
レーザ光付近の拡大図を示した。
【符号の説明】
１，１‘： 基板 ２，２‘： 保護層 ３，３‘： 記録膜 ４，４‘： 界面層 ５，５‘： 中間層 ６，６‘： 吸収率制御層 ７，７‘： 反射層 ８： 接着剤層 ９：光ディスク １０：モーター １１：Ｌ／Ｇサーボ回路 １２：光ヘッド １３：プリアンプ １４：レーザ駆動回路 １５：記録波形発生回路 １６：８−１６変調器 １７：８−１６復調器 １８：レーザ光 １９：光スポット ２０：トラック中心 Ｔ： ウインド幅（Ｔｗ） Ｐｃ： クーリングパルスパワーレベル Ｐｅ： 中間パワーレベル Ｐｈ： 高パワーレベル Ｐｐ： プリヒートパワーレベル Ｐ１： パワーが０のレベル Ｔｃ： クーリングパルス幅 Ｔｐ： 第１パルス幅。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｈ ５６１ ５６１Ｎ 7/007 7/007 7/135 7/135 Ｚ (72)発明者 宮本 真 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 安藤 圭吉 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 牛山 純子 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 安齋 由美子 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 佐々木 寿枝 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 西田 哲也 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 寺尾 元康 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JC02 JC17 JC18 LA16 LB01 LB11 LC21 WB11 WC05 WC06 WD16 5D090 AA01 BB05 CC06 CC14 DD02 DD05 EE05 GG22 KK06 LL01 5D119 AA13 BA01 BB04 DA01 JA43

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】光の照射によって生じる原子配列変化によ
    り情報が記録される記録層と、前記記録層の界面に積層
    された少なくとも１層の界面層とを有することを特徴と
    する情報記録媒体。
  2. 【請求項２】前記界面層の全原子数の１０原子％以上が
    Ｎからなることを特徴とする請求項１に記載の情報記録
    媒体。
  3. 【請求項３】前記記録層に対して上記界面層の存在する
    側と反対側に少なくとも１層の他の界面層を有すること
    を特徴とする請求項１〜２のいずれか１項に記載の情報
    記録媒体。
  4. 【請求項４】前記記録層が設けられた基板と、該基板と
    前記記録層との間に１層の保護層とをさらに有すること
    を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の情報
    記録媒体。
  5. 【請求項５】前記記録膜に対して光入射側と反対側に吸
    収率制御層をさらに有することを特徴とする請求項１〜
    ４のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  6. 【請求項６】前記情報記録媒体のトラックピッチＤtpお
    よび記録を行うレーザ波長λ、レンズの開口数ＮＡが、 ０．５λ／ＮＡ≦Ｄtp≦０．６λ／ＮＡ の関係を持つことを特徴とする請求項１〜５のいずれか
    １項に記載の情報記録媒体。
  7. 【請求項７】前記界面層の全組成が， ＮsＺt を満たし、０．１０≦s≦０．６６，かつｓ＋ｔ＝１を
    満たす範囲にあり，かつ、Ｚが、Ｈ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，
    Ｒｂ，Ｃｓ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，
    Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，
    Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉ
    ｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃ
    ｄ，Ｈｇ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ、Ｔｌ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇ
    ｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｏ，Ｓ，Ｓ
    ｅ，Ｔｅ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒのいずれか１つ以上からな
    り、かつ前記記録膜が， Ｇｅx-wＳｂyＴｅzＭw を満たし、０．１５≦x≦０．４６，かつ０．１０≦y≦
    ０．２９，かつ０．５０≦z≦０．６０，ｗ≦０．１
    ０，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たす範囲にあり，かつ，ＭがＮ
    ａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ，Ｌ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｚ
    ｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｂｒ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，
    Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｉ，Ｃｓ，Ｂ
    ａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈｇ，Ｔ
    ｌ、Ｐｂ，Ｔｈ、Ｕ、Ａｇ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃ
    ｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，
    Ｔｉ，Ｂｉのいずれか１つからなり、 ｘ＋ｗ−２３
    ≦ｓ／５≦ｘ＋ｗ−１９ かつ、２２≦ｘ＋ｗ≦３６、かつ１０≦ｓ の範囲にあることを特徴とする請求項１〜７のいずれか
    １項に記載の情報記録媒体。
  8. 【請求項８】前記吸収率制御層の膜厚が１０ｎｍ以上５
    ０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項５〜７
    のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  9. 【請求項９】前記吸収率制御層のｎ（屈折率）が１．２
    以上６以下、かつｋ（消衰係数）が０．３以上３．０以
    下の材料からなることを特徴とする請求項５〜８のいず
    れか１項に記載の情報記録媒体。
  10. 【請求項１０】前記記録膜の上に記録を行った場合、非
    晶質状態の反射率が結晶状態の反射率より低く、非晶質
    状態上に最短マークを記録した場合の記録開始パワーが
    結晶状態上に同条件で最短マークを記録した場合の記録
    開始パワーと同じまたはより小さくなることを特徴とす
    る請求項５〜９のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  11. 【請求項１１】前記界面層の全原子数の５０％以上の成
    分が吸収率制御層の成分と同じ成分からなることを特徴
    とする請求項５〜１０のいずれか１項に記載の情報記録
    媒体。
  12. 【請求項１２】前記吸収率制御層の上に少なくとも１層
    のＣｕ合金、Ａｌ合金、Ａｕ合金のいずれか１つからな
    る反射層が積層された構造を持つことを特徴とする請求
    項５〜１１のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  13. 【請求項１３】前記記録膜と吸収率制御層の間に少なく
    とも１層の中間層が積層された構造を持つことを特徴と
    する請求項５〜１２のいずれか１項に記載の情報記録媒
    体。
  14. 【請求項１４】請求項５に記載の情報記録媒体に記録を
    行うレーザと、対物レンズとを有し、上記情報記録媒体
    のトラックピッチＤtpおよび上記記録レーザの波長λ、
    上記対物レンズの開口数ＮＡが、 ０．５λ／ＮＡ≦Ｄtp≦０．６λ／ＮＡ の関係を持つことを特徴とする情報記録装置。
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