JP2000124743A5 - - Google Patents

Description

図４の電流源回路２０Ａは、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ２０と、抵抗素子Ｒ２０とが直列接続された回路構成をしている。トランジスタＱ２０のベースに制御電圧Ｖ_CSを印加すると、トランジスタＱ２０のコレクタからエミッタに電流Ｉ₂₀が流れ、抵抗素子Ｒ２０において電圧降下Ｖ２０＝Ｉ₂₀×Ｒ₂₀が発生する。Ｒ₂₀は抵抗器Ｒ２０の抵抗値である。
トランジスタＱ２０を流れる電流Ｉ₂₀は、差動増幅回路１０の１対のトランジスタＱ１１，Ｑ１２それぞれのコレクタからエミッタ（ノードＮ１０）に流れ、さらに、ノードＮ１０を介して電流源回路２０Ａ内のトランジスタＱ２０のコレクタからエミッタに流れ、抵抗素子Ｒ２０を介して接地電位に流れ込む。このように、トランジスタＱ２０のコレクタを負荷としての差動増幅回路１０のトランジスタＱ１１，Ｑ１２のエミッタが共通接続されたノードＮ１０に接続すれば、トランジスタＱ２０と抵抗素子Ｒ２０とは差動増幅回路１０の定電流源回路として動作する。

しかしながら、上述したように、最近、抵抗素子Ｒ２２がポリ（多結晶）シリコンで実現されることが多くなった。ポリシリコンは負の温度係数を示すから、温度が上昇すると抵抗素子Ｒ２２の抵抗値が低下して、トランジスタＱ３２を流れる電流Ｉ₃₂が増大する。トランジスタＱ３２を流れる電流Ｉ₃₂が増大するとポリシリコン製の抵抗素子Ｒ２２の値が一層低下し、トランジスタＱ３２を流れる電流Ｉ₃₂が益々増加し、抵抗素子Ｒ２２の抵抗値をさらに低下させる。この動作を反復していくと、トランジスタＱ３２を流れる電流Ｉ₃₂は過大になる。
電流源回路２０Ｂはカレントミラー型定電流源回路であるから、トランジスタＱ３３を流れる電流Ｉ ₃₃ は、トランジスタＱ３２を流れる電流Ｉ₃₃に等しく、トランジスタＱ３２に流れる電流Ｉ₃₂の増加は、トランジスタＱ３３に流れる電流Ｉ₃₃の増加となる。
その結果、電流源回路２０Ｂを通して差動増幅回路１０のノードＮ１０に過大な電流が流れ、図４に図解した電流源回路２０Ａと同様、差動増幅回路１０および電流源回路２０Ｂが破壊するという熱暴走が起こる可能性がある。