JP2000124376A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JP2000124376A JP2000124376A JP11311601A JP31160199A JP2000124376A JP 2000124376 A JP2000124376 A JP 2000124376A JP 11311601 A JP11311601 A JP 11311601A JP 31160199 A JP31160199 A JP 31160199A JP 2000124376 A JP2000124376 A JP 2000124376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- groove
- etching
- width
- inner lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
Abstract
(57)【要約】
【目的】 所定の強度を確保し、かつねじれ等のないイ
ンナリードを備えたリードフレームを得ること。 【構成】 ２回又はそれ以上のエッチング若しくはプレ
ス加工又はこれらの組合せによって形成したインナリー
ド３を備えたリードフレーム。２回又はそれ以上のエッ
チング若しくはプレス加工又はこれらの組合せによって
インナリード３を形成するリードフレームの製造方法。
ンナリードを備えたリードフレームを得ること。 【構成】 ２回又はそれ以上のエッチング若しくはプレ
ス加工又はこれらの組合せによって形成したインナリー
ド３を備えたリードフレーム。２回又はそれ以上のエッ
チング若しくはプレス加工又はこれらの組合せによって
インナリード３を形成するリードフレームの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用のリード
フレーム及びその製造方法に関するものである。
フレーム及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を搭載するダイパッドと、半
導体素子の電極を外部に取出すためのインナリードを備
えたリードフレームは、半導体装置に広く使用されてい
る。このようなリードフレームのダイパッドに搭載され
た半導体素子は、図１４に示すように、半導体素子２１
の電極２２と、各電極２２に対応したインナリード３と
がそれぞれワイヤ２３で接続されるが、最近では半導体
素子２１の電極２２が著しく増加しており、したがっ
て、電極２２のピッチも大へん狭くなっている（通常１
００〜１８０μｍ程度）。
導体素子の電極を外部に取出すためのインナリードを備
えたリードフレームは、半導体装置に広く使用されてい
る。このようなリードフレームのダイパッドに搭載され
た半導体素子は、図１４に示すように、半導体素子２１
の電極２２と、各電極２２に対応したインナリード３と
がそれぞれワイヤ２３で接続されるが、最近では半導体
素子２１の電極２２が著しく増加しており、したがっ
て、電極２２のピッチも大へん狭くなっている（通常１
００〜１８０μｍ程度）。
【０００３】一方、リードフレームのインナリード３
は、例えばヨンニ・アロイからなるリードフレーム素材
をエッチング又はプレス加工により成形しており、図１
５に示すように、インナリード３の幅ｗは通常８０〜１
５０μｍ程度、厚さｔは１００〜３００μｍ程度で、ピ
ッチｐは通常１５０〜２５０μｍ程度、間隔ｇは通常７
０〜１７０μｍ程度である。
は、例えばヨンニ・アロイからなるリードフレーム素材
をエッチング又はプレス加工により成形しており、図１
５に示すように、インナリード３の幅ｗは通常８０〜１
５０μｍ程度、厚さｔは１００〜３００μｍ程度で、ピ
ッチｐは通常１５０〜２５０μｍ程度、間隔ｇは通常７
０〜１７０μｍ程度である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】インナリード３の製造
にあたっては、リードフレーム素材の各インナリード３
の間隔（図１５のｇ）に相当する部分をエッチングによ
り除去し、又はプレス加工により打抜いているが、エッ
チングによる場合は、リードフレーム素材の板厚ｔが厚
いため時間がかかり、このため図１６に示すようにイン
ナリード３の両側面が大きく円弧状に除去されてつづみ
状に形成され、断面積が小さくなる。その結果、厚さ方
向の強度を確保することが困難で、ワイヤ２３をボンデ
イングする際つぶれたり変形したりすることがある。
にあたっては、リードフレーム素材の各インナリード３
の間隔（図１５のｇ）に相当する部分をエッチングによ
り除去し、又はプレス加工により打抜いているが、エッ
チングによる場合は、リードフレーム素材の板厚ｔが厚
いため時間がかかり、このため図１６に示すようにイン
ナリード３の両側面が大きく円弧状に除去されてつづみ
状に形成され、断面積が小さくなる。その結果、厚さ方
向の強度を確保することが困難で、ワイヤ２３をボンデ
イングする際つぶれたり変形したりすることがある。
【０００５】また、プレス加工によりインナリード３を
形成する場合は、インナリード３の幅ｗに対して板厚ｔ
が大きいため、下ぬきプレスで上から打抜くと図１７に
示すようにインナリード３に下方が開くねじれが生じ、
上ぬきプレスで下から打抜くと図１８に示すように上方
が狭くなるねじれが生じる。このためワイヤ２３の全面
がインナリード３に接触しないことがあり、接続不良の
原因になっていた。
形成する場合は、インナリード３の幅ｗに対して板厚ｔ
が大きいため、下ぬきプレスで上から打抜くと図１７に
示すようにインナリード３に下方が開くねじれが生じ、
上ぬきプレスで下から打抜くと図１８に示すように上方
が狭くなるねじれが生じる。このためワイヤ２３の全面
がインナリード３に接触しないことがあり、接続不良の
原因になっていた。
【０００６】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたもので、所定の強度を確保し、しかも加工によっ
てねじれ等を生ずるおそれのないインナリードを備えた
リードフレーム及びその製造方法を得ることを目的とし
たものである。
されたもので、所定の強度を確保し、しかも加工によっ
てねじれ等を生ずるおそれのないインナリードを備えた
リードフレーム及びその製造方法を得ることを目的とし
たものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明に係るリ
ードフームは、インナリードを２回又はそれ以上のホト
リゾグラフィ技術によるエッチング若しくはプレス加工
またはこれらの組合せによって形成したものである。
ードフームは、インナリードを２回又はそれ以上のホト
リゾグラフィ技術によるエッチング若しくはプレス加工
またはこれらの組合せによって形成したものである。
【０００８】また、本発明に係るリードフレームの製造
方法は、２回又はそれ以上のホトリゾグラフィ技術によ
るエッチング若しくはプレス加工又はこれらの組合せに
よって前記インナリードを形成するようにしたものであ
る。
方法は、２回又はそれ以上のホトリゾグラフィ技術によ
るエッチング若しくはプレス加工又はこれらの組合せに
よって前記インナリードを形成するようにしたものであ
る。
【０００９】さらに、リードフレーム素材の両面からエ
ッチングにより底部が互いに重なり合うように溝を形成
し、あるいは、リードフレーム素材の一方の面にエッチ
ングにより溝を形成し、ついでエッチング又はプレス加
工により溝の底部から他方の面に達するスリットを形成
し、また、リードフレーム素材の両面からエッチングに
より底部が互いに干渉しないように溝を形成し、ついで
これら両溝の底部間をエッチング又はプレス加工による
スリットで連結し、さらには、リードフレーム素材の一
方の面からプレス加工により厚さのほぼ２分の１の深さ
の溝を形成し、ついでエッチング又はプレス加工により
前記溝の底部から他方の面に達するスリットを形成した
ものである。
ッチングにより底部が互いに重なり合うように溝を形成
し、あるいは、リードフレーム素材の一方の面にエッチ
ングにより溝を形成し、ついでエッチング又はプレス加
工により溝の底部から他方の面に達するスリットを形成
し、また、リードフレーム素材の両面からエッチングに
より底部が互いに干渉しないように溝を形成し、ついで
これら両溝の底部間をエッチング又はプレス加工による
スリットで連結し、さらには、リードフレーム素材の一
方の面からプレス加工により厚さのほぼ２分の１の深さ
の溝を形成し、ついでエッチング又はプレス加工により
前記溝の底部から他方の面に達するスリットを形成した
ものである。
【００１０】
【実施例】図１〜図１３はそれぞれ本発明に係るリード
フレームの製造方法の実施例の説明図である。なお、以
下において、１はリードフレーム素材、２はレジスト、
３はインナリードで、それぞれ断面で示してある。
フレームの製造方法の実施例の説明図である。なお、以
下において、１はリードフレーム素材、２はレジスト、
３はインナリードで、それぞれ断面で示してある。
【００１１】図１の実施例は、先ず、リードフレーム素
材１の両面にレジスト２を塗布し、上面に開口部の幅が
インナリード３の間隔ｇにほぼ整合する大きさで、厚さ
ｔの２分の１より若干深い位置までホトリゾグラフィ技
術によりハーフエッチングして断面円弧状あるいは半楕
円状の溝４を形成する。ついで、この溝４にレジスト２
を塗布し、下面から溝４と同じ大きさで溝４に連続する
ようにエッチングして溝４ａを形成し、レジスト２を除
去する。
材１の両面にレジスト２を塗布し、上面に開口部の幅が
インナリード３の間隔ｇにほぼ整合する大きさで、厚さ
ｔの２分の１より若干深い位置までホトリゾグラフィ技
術によりハーフエッチングして断面円弧状あるいは半楕
円状の溝４を形成する。ついで、この溝４にレジスト２
を塗布し、下面から溝４と同じ大きさで溝４に連続する
ようにエッチングして溝４ａを形成し、レジスト２を除
去する。
【００１２】このような作業をインナリード３の幅ｗを
隔てて同時に行なうことによりリードフレーム素材１に
多数のスリットが設けられ、両側面の中央部が僅かに側
方に突出し、その幅が所定の幅ｗとほぼ等しい断面形状
のインナリード３ａが得られる。
隔てて同時に行なうことによりリードフレーム素材１に
多数のスリットが設けられ、両側面の中央部が僅かに側
方に突出し、その幅が所定の幅ｗとほぼ等しい断面形状
のインナリード３ａが得られる。
【００１３】図２の実施例は、製造工程は図１の実施例
の場合と同様であるが、本実施例においては、両面にレ
ジスト２が塗布されたリードフレーム素材１の上面に、
厚さｔのほぼ３分の２に達する溝５をハーフエッチング
により形成すると共に、下面から断面形状が溝５より小
さく、かつ溝５に連続する溝５ａをハーフエッチングに
より形成したもので、これにより両側面の下方が僅かに
両側に突出し、上面の幅が所定の幅ｗとほぼ等しく、下
面の幅がこれより僅かに広い断面形状のインナリード３
ｂを得ることができる。
の場合と同様であるが、本実施例においては、両面にレ
ジスト２が塗布されたリードフレーム素材１の上面に、
厚さｔのほぼ３分の２に達する溝５をハーフエッチング
により形成すると共に、下面から断面形状が溝５より小
さく、かつ溝５に連続する溝５ａをハーフエッチングに
より形成したもので、これにより両側面の下方が僅かに
両側に突出し、上面の幅が所定の幅ｗとほぼ等しく、下
面の幅がこれより僅かに広い断面形状のインナリード３
ｂを得ることができる。
【００１４】図３の実施例は図２の実施例と反対に、ハ
ーフエッチングにより上面には小さい溝６を、また下面
にはこの溝６と連続する大きい溝６ａを形成したもの
で、両側面の上方が僅かに両側に突出し、下面の幅が所
定の幅ｗとほぼ等しく、上面の幅がこれより僅かに広い
断面形状のインナリード３ｃが得られる。
ーフエッチングにより上面には小さい溝６を、また下面
にはこの溝６と連続する大きい溝６ａを形成したもの
で、両側面の上方が僅かに両側に突出し、下面の幅が所
定の幅ｗとほぼ等しく、上面の幅がこれより僅かに広い
断面形状のインナリード３ｃが得られる。
【００１５】図４，図５の実施例は、先ず、図１の実施
例と同様に、開口部の幅がインナリード３の間隔ｇとほ
ぼ等しく、深さが厚さｔのほぼ２分の１に達する溝７を
ハーフエッチングにより形成する。そして、図４の実施
例においては、溝７の開口部の幅より狭い幅のポンチを
用い、プレスにより上方から溝７の底部を打抜いてスリ
ット７ａを形成したものであり、図５の実施例は下方か
ら溝７の底部に向ってポンチで打抜き、スリット７ａを
形成したものである。これにより、いずれも上面の幅が
所定の幅ｗとほぼ等しく、下面の幅がこれより僅かに広
い断面形状のインナリード３ｄ，３ｅが得られる。
例と同様に、開口部の幅がインナリード３の間隔ｇとほ
ぼ等しく、深さが厚さｔのほぼ２分の１に達する溝７を
ハーフエッチングにより形成する。そして、図４の実施
例においては、溝７の開口部の幅より狭い幅のポンチを
用い、プレスにより上方から溝７の底部を打抜いてスリ
ット７ａを形成したものであり、図５の実施例は下方か
ら溝７の底部に向ってポンチで打抜き、スリット７ａを
形成したものである。これにより、いずれも上面の幅が
所定の幅ｗとほぼ等しく、下面の幅がこれより僅かに広
い断面形状のインナリード３ｄ，３ｅが得られる。
【００１６】図６，図７の実施例は、図４，図５の実施
例とほぼ同じであるが、上面に、開口部の幅がインナリ
ード３の間隔ｇより広い溝８をリードフレーム素材１の
厚さｔのほぼ３分の２の深さにハーフエッチングで形成
する。そして、図６の実施例は上記インナード３の間隔
ｇより狭い幅のポンチで、プレスにより上方から溝８の
底部を打抜いてスリット８ａを形成したものであり、図
７の実施例は同じポンチにより下方から溝８の底部に向
って打抜き、スリット８ａを形成したものである。
例とほぼ同じであるが、上面に、開口部の幅がインナリ
ード３の間隔ｇより広い溝８をリードフレーム素材１の
厚さｔのほぼ３分の２の深さにハーフエッチングで形成
する。そして、図６の実施例は上記インナード３の間隔
ｇより狭い幅のポンチで、プレスにより上方から溝８の
底部を打抜いてスリット８ａを形成したものであり、図
７の実施例は同じポンチにより下方から溝８の底部に向
って打抜き、スリット８ａを形成したものである。
【００１７】図６，図７の実施例によれば、いずれも上
面の幅が所定の幅ｗよりやや狭く、下面の幅が所定の幅
ｗよりやや広いほぼ凸字状の断面形状で、断面積が所定
の断面積とほぼ等しいインナリード３ｆ，３ｇが得られ
る。
面の幅が所定の幅ｗよりやや狭く、下面の幅が所定の幅
ｗよりやや広いほぼ凸字状の断面形状で、断面積が所定
の断面積とほぼ等しいインナリード３ｆ，３ｇが得られ
る。
【００１８】図８の実施例は、レジスト２が塗布された
リードフレーム素材１の両面から、開口部の幅がインナ
リード３の間隔ｇとほぼ等しい溝９，９ａを、厚さｔの
それぞれ３分の１程度にハーフエッチングし、両溝９，
９ａの間をその開口部の幅より狭い幅のポンチで打抜い
てスリット９ｂを形成したもので、上下面の幅が所定の
幅ｗとほぼ等しく、両側面の中央部が外側に僅かに突出
した断面形状のインナリード３ｈが得られる。
リードフレーム素材１の両面から、開口部の幅がインナ
リード３の間隔ｇとほぼ等しい溝９，９ａを、厚さｔの
それぞれ３分の１程度にハーフエッチングし、両溝９，
９ａの間をその開口部の幅より狭い幅のポンチで打抜い
てスリット９ｂを形成したもので、上下面の幅が所定の
幅ｗとほぼ等しく、両側面の中央部が外側に僅かに突出
した断面形状のインナリード３ｈが得られる。
【００１９】また、図９，図１０の実施例は、リードフ
レーム素材１の上面に、開口部の幅がインナリード３の
間隔より広く、深さが厚さｔの２分の１程度の溝１０を
ハーフエッチングで形成すると共に、下面に溝１０より
狭い幅及び深さの溝１０ａをハーフエッチングで形成す
る。そして、図９の実施例では両溝１０，１０ａの間を
溝１０ａの開口部の幅より狭い幅のポンチで下から打抜
いてスリット１０ｂを形成し、図１０の実施例では同じ
ポンチで上から打抜いてスリット１０ｂを形成したもの
である。
レーム素材１の上面に、開口部の幅がインナリード３の
間隔より広く、深さが厚さｔの２分の１程度の溝１０を
ハーフエッチングで形成すると共に、下面に溝１０より
狭い幅及び深さの溝１０ａをハーフエッチングで形成す
る。そして、図９の実施例では両溝１０，１０ａの間を
溝１０ａの開口部の幅より狭い幅のポンチで下から打抜
いてスリット１０ｂを形成し、図１０の実施例では同じ
ポンチで上から打抜いてスリット１０ｂを形成したもの
である。
【００２０】いずれの場合も、上面の幅が所定の幅ｗよ
り僅かに狭く、下面の幅が所定の幅ｗより僅かに広く両
側面が僅かに突出した断面形状で、断面積が所定の断面
積とほぼ等しいインナリード３ｉ，３ｊが得られる。
り僅かに狭く、下面の幅が所定の幅ｗより僅かに広く両
側面が僅かに突出した断面形状で、断面積が所定の断面
積とほぼ等しいインナリード３ｉ，３ｊが得られる。
【００２１】図１１の実施例は、最初にリードフレーム
素材１の上面からインナリード３の間隔ｇとほぼ等しい
幅のポンチにより、厚さｔのほぼ２分の１の深さの溝１
１をプレス加工により形成する。ついで、同じ形状のポ
ンチにより溝１１の底部を下方から打抜いてスリット１
１ａを形成したもので、上下面の幅が所定の幅ｗとほぼ
等しく、断面形状が長方形のインナリード３ｋが得られ
る。なお、ポンチにより溝１１の底部を上方から打抜い
てもよい。
素材１の上面からインナリード３の間隔ｇとほぼ等しい
幅のポンチにより、厚さｔのほぼ２分の１の深さの溝１
１をプレス加工により形成する。ついで、同じ形状のポ
ンチにより溝１１の底部を下方から打抜いてスリット１
１ａを形成したもので、上下面の幅が所定の幅ｗとほぼ
等しく、断面形状が長方形のインナリード３ｋが得られ
る。なお、ポンチにより溝１１の底部を上方から打抜い
てもよい。
【００２２】図１２，図１３の実施例は、リードフレー
ム素材１の上面からプレス加工により溝１１を形成する
までの工程は図１１の実施例と同じであるが、図１２の
実施例は溝１１の底部を溝１１より狭い幅のポンチによ
り上方から打抜いてスリット１１ｂを形成したもの、図
１３の実施例はこれより若干幅の広いポンチで下方から
打抜いてスリット１１ｂを形成したもので、いずれも上
面の幅が所定の幅ｗとほぼ等しく、下面の幅がこれより
若干広い断面形状のインナリード３ｍ，３ｎを得ること
ができる。
ム素材１の上面からプレス加工により溝１１を形成する
までの工程は図１１の実施例と同じであるが、図１２の
実施例は溝１１の底部を溝１１より狭い幅のポンチによ
り上方から打抜いてスリット１１ｂを形成したもの、図
１３の実施例はこれより若干幅の広いポンチで下方から
打抜いてスリット１１ｂを形成したもので、いずれも上
面の幅が所定の幅ｗとほぼ等しく、下面の幅がこれより
若干広い断面形状のインナリード３ｍ，３ｎを得ること
ができる。
【００２３】以上詳述したように、本発明はリードフレ
ーム素材を２回又はそれ以上のエッチング若しくはプレ
ス加工又はエッチングとプレス加工との組合せにより加
工してインナリードを製造することを特徴とするもの
で、これにより所定の幅及び断面積とほぼ等しい幅及び
断面積を有するインナリードを得ることができる。
ーム素材を２回又はそれ以上のエッチング若しくはプレ
ス加工又はエッチングとプレス加工との組合せにより加
工してインナリードを製造することを特徴とするもの
で、これにより所定の幅及び断面積とほぼ等しい幅及び
断面積を有するインナリードを得ることができる。
【００２４】なお、図１〜図１３により本発明の各種の
実施例について説明したが、本発明はこれに限定するも
のではなく、例えば図４〜図１０のスリット７ａ，８
ａ，９ｂ，１０ｂをエッチングで形成するなど、エッチ
ング若しくはプレス加工又はこれらを適宜組合せること
により、所望のインナリードを製造することができる。
実施例について説明したが、本発明はこれに限定するも
のではなく、例えば図４〜図１０のスリット７ａ，８
ａ，９ｂ，１０ｂをエッチングで形成するなど、エッチ
ング若しくはプレス加工又はこれらを適宜組合せること
により、所望のインナリードを製造することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上の発明から明らかなように、本発明
は、インナリードを２回又はそれ以上のエッチング若し
くはプレス加工又はこれらの組合せにより形成して所定
の幅及び断面積が得られるようにしたので、厚さ方向の
強度を確保することができ、したがってワイヤをボンデ
イングする際に、つぶれたり変形したりすることのない
リードフレームを得ることができる。
は、インナリードを２回又はそれ以上のエッチング若し
くはプレス加工又はこれらの組合せにより形成して所定
の幅及び断面積が得られるようにしたので、厚さ方向の
強度を確保することができ、したがってワイヤをボンデ
イングする際に、つぶれたり変形したりすることのない
リードフレームを得ることができる。
【００２６】また、インナリードの加工に際してインナ
リードがねじれたり変形したりすることがないので、ワ
イヤを確実に接続することができ、接続不良などを生ず
るおそれがない。
リードがねじれたり変形したりすることがないので、ワ
イヤを確実に接続することができ、接続不良などを生ず
るおそれがない。
【図１】本発明に係るリードフレームの製造方法の実施
例の説明図である。
例の説明図である。
【図２】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図３】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図４】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図５】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図６】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図７】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図８】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図９】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図１０】本発明に係るリードフレームの製造方法の他
の実施例の説明図である。
の実施例の説明図である。
【図１１】本発明に係るリードフレームの製造方法の他
の実施例の説明図である。
の実施例の説明図である。
【図１２】本発明に係るリードフレームの製造方法の他
の実施例の説明図である。
の実施例の説明図である。
【図１３】本発明に係るリードフレームの製造方法の他
の実施例の説明図である。
の実施例の説明図である。
【図１４】半導体素子とインナリードとの接続状態を示
す模式図である。
す模式図である。
【図１５】インナリードの寸法を説明するための模式図
である。
である。
【図１６】エッチングにより製造した従来のインナリー
ドの断面図である。
ドの断面図である。
【図１７】プレス加工により製造した従来のインナリー
ドの断面図である。
ドの断面図である。
【図１８】プレス加工により製造した従来のインナリー
ドの断面図である。
ドの断面図である。
１ リードフレーム素材 ２ レジスト ３〜３ｎ インナリード
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１１月１５日（１９９９．１１．
１５）
１５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 リードフレームの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るリードフレ
ームの製造方法は、複数のリードを有するリードフレー
ムの製造方法であって、リードフレーム素材の厚さ方向
において第１の方向のみからホトリソグラフィー技術に
よるエッチング加工を行い、前記リードフレーム素材の
除去すべき部位の途中まで溝を形成する第１の工程と、
前記第１の工程にて残されたリードフレーム素材の除去
すべき部位をプレス加工により除去する第２の工程と、
を有しており、前記第１の工程により形成された溝の深
さと、前記第２の工程により除去されたリードフレーム
素材の厚さとは異なることを特徴とする。
ームの製造方法は、複数のリードを有するリードフレー
ムの製造方法であって、リードフレーム素材の厚さ方向
において第１の方向のみからホトリソグラフィー技術に
よるエッチング加工を行い、前記リードフレーム素材の
除去すべき部位の途中まで溝を形成する第１の工程と、
前記第１の工程にて残されたリードフレーム素材の除去
すべき部位をプレス加工により除去する第２の工程と、
を有しており、前記第１の工程により形成された溝の深
さと、前記第２の工程により除去されたリードフレーム
素材の厚さとは異なることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】さらに、前記第１の工程により形成された
前記溝の深さは前記第２の工程により除去されたリード
フレーム素材の厚さに比して大であることを特徴とす
る。
前記溝の深さは前記第２の工程により除去されたリード
フレーム素材の厚さに比して大であることを特徴とす
る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】また、前記第２の工程は前記第１の方向と
同一の方向から行われることを特徴とする
同一の方向から行われることを特徴とする
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子が搭載されるダイパッドと、
ワイヤにより前記半導体素子の電極とそれぞれ接続され
る多数のインナリードとを有し、 前記インナリードを２回又はそれ以上のホトリゾグラフ
ィ技術によるエッチング若しくはプレス加工又はこれら
の組合せによって形成したことを特徴とするリードフレ
ーム。 - 【請求項２】 半導体素子が搭載されるダイパッドと、
ワイヤにより前記半導体素子の電極とそれぞれ接続され
る多数のインナリードとからなるリードフレームをリー
ドフレーム素材から製造する工程において、 ２回又はそれ以上のホトリゾグラフィ技術によるエッチ
ング若しくはプレス加工またはこれらの組合せによって
前記インナリードを形成することを特徴とするリードフ
レームの製造方法。 - 【請求項３】 リードフレーム素材の両面からそれぞれ
エッチングにより底部が互いに重なり合うように溝を形
成することを特徴とする請求項２記載のリードフレーム
の製造方法。 - 【請求項４】 リードフレーム素材の一方の面にエッチ
ングにより溝を形成し、ついでエッチングまたはプレス
加工により前記溝の底部から他方の面に達するスリット
を形成することを特徴とする請求項２記載のリードフレ
ームの製造方法。 - 【請求項５】 リードフレーム素材の両面からエッチン
グにより底部が互いに干渉しないように溝を形成し、つ
いでこれら両溝の底部間をエッチング又はプレス加工に
よるスリットで連結することを特徴とする請求項２記載
のリードフレームの製造方法。 - 【請求項６】 リードフレーム素材の一方の面からプレ
ス加工により厚さのほぼ２分の１の深さの溝を形成し、
ついでエッチング又はプレス加工により前記溝の底部か
ら他方の面に達するスリットを形成することを特徴とす
る請求項２記載のリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31160199A JP3235606B2 (ja) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | リードフレーム及びその製造方法、並びに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31160199A JP3235606B2 (ja) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | リードフレーム及びその製造方法、並びに半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3071132A Division JP3018542B2 (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124376A true JP2000124376A (ja) | 2000-04-28 |
| JP3235606B2 JP3235606B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=18019223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31160199A Expired - Fee Related JP3235606B2 (ja) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | リードフレーム及びその製造方法、並びに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3235606B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006123308A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Brother Ind Ltd | 薄板状部品の積層構造及びその製造方法 |
| JP2009050883A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Kyushu Institute Of Technology | 微細穴の加工方法 |
| KR100975977B1 (ko) | 2008-03-25 | 2010-08-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 다열 리드형 리드프레임 및 그 제조방법 |
| KR100983303B1 (ko) | 2003-05-03 | 2010-09-20 | 삼성테크윈 주식회사 | 리이드 프레임 및, 리이드 프레임의 제조 방법 |
| JP2013239740A (ja) * | 2013-08-02 | 2013-11-28 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US9088262B2 (en) | 2011-03-03 | 2015-07-21 | Seiko Epson Corporation | Vibrating device, method for manufacturing vibrating device, and electronic apparatus |
| CN108290199A (zh) * | 2016-02-01 | 2018-07-17 | 宝马股份公司 | 用于加工和/或制造构件的方法和设备以及这样的构件 |
-
1999
- 1999-11-01 JP JP31160199A patent/JP3235606B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100983303B1 (ko) | 2003-05-03 | 2010-09-20 | 삼성테크윈 주식회사 | 리이드 프레임 및, 리이드 프레임의 제조 방법 |
| JP2006123308A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Brother Ind Ltd | 薄板状部品の積層構造及びその製造方法 |
| JP2009050883A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Kyushu Institute Of Technology | 微細穴の加工方法 |
| KR100975977B1 (ko) | 2008-03-25 | 2010-08-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 다열 리드형 리드프레임 및 그 제조방법 |
| US9088262B2 (en) | 2011-03-03 | 2015-07-21 | Seiko Epson Corporation | Vibrating device, method for manufacturing vibrating device, and electronic apparatus |
| JP2013239740A (ja) * | 2013-08-02 | 2013-11-28 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| CN108290199A (zh) * | 2016-02-01 | 2018-07-17 | 宝马股份公司 | 用于加工和/或制造构件的方法和设备以及这样的构件 |
| US11247257B2 (en) | 2016-02-01 | 2022-02-15 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Method and device for machining and/or producing a component and such a component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3235606B2 (ja) | 2001-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3018542B2 (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| EP0701280B1 (en) | Lead frame and process of producing it | |
| JP2951308B1 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP3235606B2 (ja) | リードフレーム及びその製造方法、並びに半導体装置 | |
| JPH03296254A (ja) | リードフレーム | |
| JPS5933982B2 (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH02105448A (ja) | リードフレーム | |
| JPH11307707A (ja) | リードフレームの製造方法及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6248053A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPS63308359A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH0620106B2 (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH0314263A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP2001210774A (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 | |
| JP4111499B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPS63308358A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH02210854A (ja) | 半導体装置に用いるリードフレームの製造方法 | |
| JPH03230556A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH0821658B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH02159752A (ja) | リードフレーム | |
| JPH0766350A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH03280563A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| WO2023113824A1 (en) | Semiconductor device and method of forming components for semiconductor device | |
| JPH10209361A (ja) | 多連リードフレーム | |
| JPH03200358A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JPH11169961A (ja) | リードフレームの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010828 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080928 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080928 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090928 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |