JP2000124344A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部接続端子を裏面側に有し、耐湿性などの
信頼性の高い樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を
提供する。 【解決手段】 半導体チップ１を接着剤層２を挟んで搭
載するチップ搭載用基板１０と、半導体チップ１の電極
パッド１ａと上面側配線３ａとを接続する金属細線５
と、半導体チップ１などを封止するための封止樹脂９と
を備えている。チップ搭載用基板１０は、絶縁ベース基
板３，上面側配線３ａ，下面側配線３ｂ，スルーホール
内配線３ｃとを有する。チップ搭載用基板１０裏面側の
下面側配線３ｂのうちソルダーレジスト膜４の開口部に
露出するパッド領域３ｅが外部接続端子として機能す
る。チップ搭載用基板１０に形成された封止用貫通穴１
１Ａ内に封止樹脂９が充填されており、そのアンカー効
果によって封止樹脂９とチップ搭載用基板１０との接合
力を高め、耐湿性などの信頼性を向上させている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ搭載用基板
上に半導体チップを搭載して封止樹脂により封止すると
ともに、裏面側に外部接続端子を露出させた樹脂封止型
半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、半導体部品の高密度実装が要求され、それにともな
って半導体装置の小型，薄型化が進んでいる。このよう
な半導体装置の小型化，薄型化を実現するものとして、
半導体チップを封止した正方形又は長方形の封止樹脂の
側面にガル・ウイング形状のリード端子を多数配置した
ＱＦＰ（クワッド・フラットパック・パッケージ）があ
る。すなわち、このＱＦＰのリード端子をプリント配線
基板などの配線基板上の電極に接続することにより、半
導体装置の高密度実装が実現している。ところが、最近
では、半導体チップの高機能化（高ＬＳＩ化）の要請に
より、ＱＦＰの外形寸法を大きくすることなく、ＱＦＰ
の外部リード端子数を増やすこと，つまり外部リード端
子の狭ピッチ化が強く望まれている。この要望に応える
べく、現在、端子ピッチが０．３mmに狭ピッチ化された
いわゆる狭ピッチＱＦＰが一部実用化されているが、こ
の狭ピッチＱＦＰ中の半導体装置を取り扱う上で、外部
リード端子の曲がりによって生じる以下のような大きな
問題が生じている。
【０００３】（Ａ１）樹脂封止型半導体装置の製造歩留
まりが低い。
【０００４】（Ａ２）半導体装置を配線基板上に実装す
る際の歩留まりが低い。
【０００５】（Ａ３）半導体装置を実装した配線基板な
どの配線基板の品質の低下などを回避するために特別の
対策が必要になる。
【０００６】ここで、ＱＦＰの外部リード端子に関する
上述の不具合を解消しうる技術として、ＢＧＡ（ボール
・グリッド・アレイ）パッケージが開発されている。図
１２は、ＢＧＡパッケージの断面図の例を示す。
【０００７】この図において、半導体チップ１０１は接
着剤層１０２を挟んでチップ搭載用基板１１０の上面に
接着・搭載されている。チップ搭載用基板１１０は、絶
縁ベース基板１０３と、上面側配線１０３ａ，下面側配
線１０３ｂ及びスルーホール内配線１０３ｃからなる配
線と、ソルダーレジスト膜１０４とにより構成されてい
る。ただし、絶縁ベース基板１０３にはスルーホール１
０３ｄが形成されており、上記スルーホール内配線１０
３ｃは、このスルーホール１０３ｄの側面に形成されて
上面側，下面側配線１０３ａ，１０３ｂ間を接続してい
る。また、半導体チップ１０１の上面に形成された電極
パッド１０１ａとチップ搭載用基板１１０の上面側配線
１０３ａとは、金属細線１０５により互いに電気的に接
続されている。上記ソルダーレジスト膜１０４は、上面
側配線１０３ａのうち金属細線１０５がボンディングさ
れる場所以外の領域を被覆している。また、半導体チッ
プ１０１，金属細線１０５及びチップ搭載用基板１１０
は、封止樹脂１０９によりモールドされて保護されてい
る。
【０００８】一方、チップ搭載用基板１１０の下面側配
線１０３ｂも一部を除いて、ソルダーレジスト膜１０４
により被覆されている。そして、下面側配線１０３ｂの
うちソルダーレジスト膜１０４の開口領域の表面には半
田ボール１０６が形成されている。この半田ボール１０
６は、チップ搭載用基板１１０の裏面側に、アレイ状に
２次元的に配置される。そして、ＢＧＡパッケージ方式
で実装された樹脂封止型半導体装置をプリント配線基板
などのマザー・ボードに実装する場合の電気的接続は、
半田ボール１０６により行われる。すなわち、はんだボ
ールをマザーボードの電極に接触させた状態ではんだボ
ールを溶融させることにより、はんだボールの表面張力
を利用して、樹脂封止型半導体装置をマザーボード上に
セルフアラインさせて実装させることができる。
【０００９】なお、ＢＧＡ型半導体装置で、特に外形寸
法をチップとほとんど変わらない程度まで小型化したも
のは、ＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）と呼ばれ
ている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図１２に示すＢＧＡ型
の樹脂封止型半導体装置や樹脂封止型のＣＳＰによる
と、樹脂封止型半導体装置の裏面に２次元的に外部接続
端子を配列することができるので、ＱＦＰのような配線
ピッチの制限が緩和され、同じパッケージサイズで比較
すると外部リード端子数をＱＦＰよりも大幅に増大でき
る。
【００１１】しかるに、上記ＢＧＡタイプの樹脂封止型
半導体装置においても、以下のような問題があった。
【００１２】（Ｂ１）両面配線を有し半導体チップを接
着・支持する絶縁性ベース基板が必要である点と、従来
のＱＦＰの製造設備以外の新規製造設備の導入が不可欠
である（例えば、はんだボールの形成工程など）点で、
かえってＱＦＰに劣ることもあり得る。
【００１３】（Ｂ２）ＢＧＡパッケージ方式では、通
常、絶縁ベース基板を構成する材料としてガラス・エポ
キシ樹脂を使用する。このため、半導体チップの樹脂接
着・加熱硬化工程で熱膨張率差に起因する半導体チップ
に加わる歪み対策や、半導体チップの各電極パッドと絶
縁ベース基板上の配線とをワイヤ・ボンディングにより
電気的に接続する際に生じる基板の反り対策、半導体チ
ップを接着した面側のみを樹脂封止することによる基板
の反り対策、基板が多少反った状態で複数の半田ボール
の水平面の高さの均一性を確保する必要性などの製造技
術上解決すべき多くの課題がある。
【００１４】（Ｂ３）パッケージの信頼性、特に耐湿性
の保証も重要な検討課題である。例えばポリイミド樹脂
からなる絶縁ベース基板を用いた場合、ポリイミドは吸
湿しやすく、絶縁べ一ス基板側からの水の浸入を防止す
ることは困難である。従って、はんだボールをＩＲリフ
ローさせる工程やプリント配線基板上にはんだ実装する
際に、絶縁べ一ス基板内や接着剤層との界面付近にトラ
ップされた水に起因されるふくれや剥がれ、あるいは、
封止樹脂のクラックなどが発生しやすく、半導体チップ
と上面側配線との接続部が剥離して電気的接続不良を引
き起こすという問題があった。同様な接続不良現象は、
半導体チップ接着工程で接着剤層に含まれる溶剤分が除
去されないことによっても引き起こされる。さらに、絶
縁ベース基板をガラス・エポキシ樹脂によって構成した
場合にも、封止樹脂との界面の密着力が弱いと、高温高
温試験・プレッシャ・クッ力ー試験等の環境試験におい
て、樹脂封止型半導体装置の品質保証が困難になる。
【００１５】本発明は上記問題に鑑みなされたものであ
り、その目的は、はんだリフロー工程のふくれや剥が
れ、実装後の機械的、熱的、強度不足などに起因する電
気的接続不良を低減し、小型，薄型化されながら信頼性
の高い樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供
することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、絶縁基板，該絶縁基板の少なくとも上面に形
成された配線，及び該配線に接続される外部接続端子を
有し、上記外部接続端子を裏面側に露出させてなるチッ
プ搭載用基板と、上記チップ搭載用基板の上面に搭載さ
れ、電極パッドを有する半導体チップと、上記半導体チ
ップの電極パッドと上記チップ搭載用基板の配線とを電
気的に接続する接続部材と、上記半導体チップ及び接続
部材を上記チップ搭載用基板の上面側で封止するための
封止樹脂と、上記チップ搭載用基板に形成された貫通穴
及び貫通溝のうち少なくともいずれか一方を含む封止用
貫通部とを備えており、上記封止用貫通部には上記封止
樹脂が充填されている。
【００１７】これにより、封止用貫通部内に封止樹脂が
充填されていることから、封止樹脂とチップ搭載用基板
との密着力が向上するので、両者の間への水分や湿気の
侵入に対する耐性が向上し、はんだリフロー工程のふく
れや剥がれ、実装後の機械的、熱的、強度不足などに起
因する電気的接続不良を防止することができる。したが
って、小型，薄型化され信頼性の高い樹脂封止型半導体
装置を実現することができる。
【００１８】上記樹脂封止型半導体装置において、上記
絶縁基板に形成された配線用貫通穴をさらに備え、上記
配線を上記配線用貫通穴を経て上記ベース絶縁基板の上
面から下面まで延ばしておき、上記外部接続端子を上記
配線のうち上記絶縁基板の下面側に延びている領域の一
部とすることにより、従来の樹脂封止型半導体装置の構
造をそれほど変更することなく上述の作用効果を発揮す
ることができる。
【００１９】上記樹脂封止型半導体装置において、上記
絶縁基板の上面の配線の直下方に位置する上記絶縁基板
を除去して形成された端子用貫通穴をさらに備え、上記
外部接続端子はを上記端子用貫通穴内における上記配線
の裏面上に形成されて上記絶縁基板の下面よりも下方に
突出する金属ボールとすることにより、絶縁基板の下面
側配線や配線用貫通穴を形成する工程を省略できるの
で、コストの低減を図ることができる。
【００２０】上記樹脂封止型半導体装置において、上記
半導体チップを上記電極パッドが設けられた面を上方に
向けた状態で上記チップ搭載用基板の上面に固着するた
めの複数の点状の接着剤層をさらに備え、上記接続部材
を上記半導体チップの電極パッドと上記配線とを接続す
る金属細線であにより構成し、上記封止樹脂を上記半導
体チップとチップ搭載用基板との間にも介在してさせて
おき、上記封止用貫通部として、上記半導体チップの直
下方に位置するチップ搭載用基板を貫通する貫通穴を少
なくとも含ませることにより、耐湿信頼性の向上を図る
ことができるとともに、封止用貫通部の形成領域を半導
体チップの直下方にまで拡大できるので、空きスペース
が利用でき、その分、配線領域を広く確保することがで
きる。
【００２１】上記樹脂封止型半導体装置において、上記
半導体チップを上記電極パッドが設けられて面を下方に
向けた状態で上記チップ搭載用基板の上に搭載しておい
て、上記封止樹脂を上記半導体チップとチップ搭載用基
板との間にも介在させ、上記封止用貫通部として、上記
半導体チップの直下方に位置するチップ搭載用基板を貫
通する貫通穴を少なくとも含ませることにより、上述の
耐湿信頼性の向上及び小型化の推進と金属細線を不要と
することによる工程の簡素化とを実現することができ
る。
【００２２】上記樹脂封止型半導体装置において、上記
チップ搭載用基板の裏面に設けられ、実装強度を補強す
るための補強ランド部をさらに備え、上記封止用貫通部
を上記補強ランド部の周辺部に設けることにより、補強
ランドにより実装基板と樹脂封止型半導体装置との接合
強度が向上するとともに、特に大きな応力が作用する補
強ランドにおいて周辺の封止用貫通部に充填された封止
樹脂によってチップ搭載用基板−封止樹脂間の密着力が
強化される。したがって、機械的、熱的応力に対する耐
性が向上し、実装後の接続信頼性の高い樹脂封止型半導
体装置を提供することができる。
【００２３】上記樹脂封止型半導体装置において、上記
封止用貫通部の断面積を上記チップ搭載用基板の下面に
開口する部分では他の部分よりも拡大させておくことに
より、封止樹脂とチップ搭載用基板との結合力を大幅に
向上させることができる。
【００２４】上記樹脂封止型半導体装置において、上記
封止用貫通部を径が０．２〜２．０φの貫通穴としてお
くことにより、封止樹脂−チップ搭載用基板間の密着力
と配線の断線を回避した封止用貫通穴の形成領域の確保
とのバランスを保つことが容易となる。
【００２５】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、絶縁基板，該絶縁基板の少なくとも上面に形成され
た配線，及び該配線に接続される外部接続端子を有し、
上記外部接続端子を裏面側に露出させるとともに、封止
用貫通穴を有するチップ搭載用基板を用意する第１の工
程と、電極パッドを有する複数の半導体チップを上記チ
ップ搭載用基板の上面の上に搭載し、上記電極パッドと
上記配線とを接続部材により電気的に接続する第２の工
程と、封止金型のキャビティー凹部に上記半導体チップ
を入り込ませ、かつ、上記チップ搭載用基板の裏面と上
記封止金型の上記キャビティー凹部に対向する金型面と
の間に封止テープを介在させた状態で樹脂封止を行なう
第３の工程と、上記封止テープを除去し、上記チップ搭
載用基板及び封止樹脂を半導体チップごとに切断する第
４の工程とを備え、上記封止樹脂が充填された上記封止
用貫通穴の少なくとも一部を残存させてなる樹脂封止型
半導体装置を得る方法である。
【００２６】この方法により、第３の工程つまり樹脂封
止工程において、チップ搭載用基板の裏面と金型面との
間に封止テープが介在しているので、封止用貫通部の裏
面側に封止樹脂がはみ出るのを抑制することができ、上
述の構造を有する樹脂封止型半導体装置の製造が実質的
に可能になる。また、第３の工程において、チップ搭載
用基板のどの部分においても裏面側への封止樹脂のはみ
出しが抑制されることで、樹脂バリが発生することがな
く、樹脂バリの除去のための余分な工程が不要となる。
【００２７】上記樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、上記第３の工程では、上記複数の半導体チップを
共通に収納するためのキャビティー凹部を有する封止金
型を用いることにより、樹脂封止型半導体装置の生産性
を向上することができる。
【００２８】上記樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、上記第３の工程では、上記チップ搭載用基板上の
上記各半導体チップの境界部分を押圧する押圧ブロック
をキャビティー凹部に設けてなる封止金型を用いること
により、チップ搭載用基板の変形を抑制することがで
き、品質の高い樹脂封止型半導体装置の製造を図ること
ができる。
【００２９】上記樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、上記第３の工程では、上記キャビティー凹部に対
向する金型面のうちキャビティー凹部内の外縁付近の領
域に対向する領域に沿って形成された溝を有する封止金
型を用いることによっても、チップ搭載用基板の変形の
抑制により、上述の作用効果を発揮することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施形態の樹脂封止型半導体装置について、図面を参
照しながら説明する。
【００３１】図１（ａ），（ｂ）は、それぞれ本実施形
態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図及び裏面図（パ
ッド領域３ｅ側から見た平面図）である。
【００３２】図１（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置は、電極パッド１ａを
有する半導体チップ１と、半導体チップ１を搭載するた
めのチップ搭載用基板１０と、半導体チップ１とチップ
搭載用基板１０とを接着するための接着剤層２と、半導
体チップ１の電極パッド１ａと上面側配線３ａとを電気
的に接続するための接続部材である金属細線５と、半導
体チップ１，金属細線５及び搭載用基板１０を封止する
ための封止樹脂９とを備えている。チップ搭載用基板１
０は、上面に半導体チップ１を搭載するためのランド部
を有する絶縁ベース基板３と、絶縁ベース基板３の上面
に形成された上面側配線３ａと、絶縁ベース基板３の下
面に形成された下面側配線３ｂと、絶縁ベース基板３を
貫通する配線用貫通穴であるスルーホール３ｄの側面に
形成され、上面側配線３ａと下面側配線３ｂとを電気的
に接続するためのスルーホール内配線３ｃとによって構
成されている。また、チップ搭載用基板１０の両面の大
部分はソルダーレジスト膜４によって覆われており、チ
ップ搭載用基板１０の耐湿性の向上と、チップ搭載用基
板１０と封止樹脂９との密着性の向上とが図られてい
る。上記下面側配線３ｂのうちこのソルダーレジスト膜
４の開口部内で露出しているパッド領域３ｅが外部接続
端子として機能する。ソルダーレジスト膜４の厚さは例
えば３０μｍ程度と非常に薄く、パッド領域３ｅと実装
基板の接続に悪影響を与えない範囲である。ただし、チ
ップ搭載用基板１０の下面は、ソルダーレジスト膜４で
覆わなくてもよい。チップ搭載用基板１０の絶縁ベース
基板３を構成する材料としては、ガラスエポキシ樹脂，
ポリイミド樹脂などの耐熱性、電気特性に優れた樹脂材
料が好ましい。
【００３３】ここで、本実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の特徴は、上面側配線３ａと下面側配線３ｂとの
電気的接続のために設けられている配線用貫通穴として
のスルーホール３ｄとは別に、チップ搭載用基板１０の
上面から下面に達する封止用貫通穴１１Ａが設けられて
いる点である。すなわち、チップ搭載用基板１０におけ
る下面側配線３ｂ又は上面側配線３ａが形成されている
領域を避けた領域に、多数の封止用貫通穴１１Ａが設け
られている。そして、この封止用貫通穴１１Ａには、樹
脂成型時に溶融した封止樹脂が注入されており、この封
止用貫通穴１１Ａ内に埋め込まれた封止樹脂９のアンカ
ー効果によって封止樹脂９とチップ搭載用基板１０との
接合力を高めるように構成されている。
【００３４】本実施形態の樹脂封止型半導体装置による
と、チップ搭載用基板１０の上面側配線３ａと下面側配
線３ｂとの電気的接続を行なうためのするスルーホール
３ｄとは別に、チップ搭載用基板１０の上下面間を貫通
する封止用貫通穴１１Ａを設け、この封止用貫通穴１１
Ａ内に封止樹脂９を充填しているので、この封止用貫通
穴１１Ａ内の封止樹脂９のアンカー効果により、封止樹
脂９とチップ搭載用基板１０との接合力を増大させるこ
とができる。したがって、ＩＲリフロー工程や樹脂封止
型半導体装置をプリント配線基板にはんだ実装する際
に、絶縁ぺ一ス基板３とチップ接着剤層２との界面付近
にトラップされた水に起因されるふくれや剥がれ、ある
いは、封止樹脂９のクラックなどの発生を抑止し、半導
体チップ１と上面側配線３ａとの接続部が剥離して電気
的接続不良の発生を防止することができる。
【００３５】すなわち、従来のＢＧＡタイプの樹脂封止
型半導体装置において問題であった半導体チップを接着
した面側のみを樹脂封止することに起因する配線基板
（チップ搭載用基板１０）の反りの緩和や、樹脂封止型
半導体装置を実装基板上に実装する際の各半田ボールの
水平面の高さの均一性の確保、耐湿性の向上を図ること
ができる。また、樹脂封止型半導体装置をプリント配線
基板上に実装した後にも、半導体チップ１とチップ搭載
用基板１０とに加わる機械的、あるいは熱的繰り返しス
トレスによる影響によって封止樹脂９とソルダーレジス
ト膜４との界面に加わる応力に対する耐性が向上する。
【００３６】また、上述のように、温度変化に対する樹
脂封止型半導体装置全体の反りが従来に比べて非常に少
ないために、外部接続端子としてはんだボールを使用す
る必要性が少なく、このパッド領域３ｅを実装基板のは
んだクリームに直接接続されるランドグリッドアレーと
して使用することが可能になった。
【００３７】さらに、樹脂封止型半導体装置の大きさ、
配線の数、チップ搭載用基板１０の厚さ、要求特性など
に応じて、封止樹脂９とチップ搭載用基板１０との密着
力の増大効果と、配線に断線を生ぜしめない範囲で封止
用貫通穴を形成する領域を確保する必要性とのバランス
を考慮して、封止用貫通穴１１Ａの径をおおよそ０．２
〜２．０φの間で選択できるようにしている。この点
は、後に説明する第２の実施形態及びそれ以降の各実施
形態においても同様である。ただし、貫通穴の代わりに
溝を設けた場合には、その幅が上記形の寸法に相当す
る。
【００３８】なお、従来のＢＧＡタイプの樹脂封止型半
導体装置（図１２参照）においては、下面側配線１０３
ｂと上面側配線１０３ａとを電気的に接続するスルーホ
ール１０３ｄは存在するが、このスルーホール１０３ｄ
はソルダーレジスト膜１０４及びスルーホール内配線１
０３ｃで塞がれていて、導電安定性をはかると共に封止
樹脂が基板の外部端子部３ｂ側に流出するのを防止して
いる。本実施形態においても、スルーホール３はソルダ
ーレジスト膜４およびスルーホール内配線３ｃによって
覆われている。ただし、本実施形態では、ソルダーソル
ダーレジスト膜４をも貫通するスルーホール３ｄを形成
しておいて、このスルーホール３ｄに封止樹脂９を注入
しておくことも可能となる。
【００３９】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置について、図面を
参照しながら説明する。
【００４０】図２（ａ），（ｂ）は、それぞれ本実施形
態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図及び裏面図（パ
ッド領域３ｅ側から見た平面図）である。
【００４１】図２（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置は、電極パッド１ａを
有する半導体チップ１と、半導体チップ１を搭載するた
めのチップ搭載用基板１０と、半導体チップ１とチップ
搭載用基板１０とを接着するための接着剤層２と、半導
体チップ１の電極パッド１ａと上面側配線３ａとを電気
的に接続するための接続部材である金属細線５と、半導
体チップ１，金属細線５及び搭載用基板１０を封止する
ための封止樹脂９とを備えている。チップ搭載用基板１
０は、上面に半導体チップ１を搭載するためのランド部
を有する絶縁ベース基板３と、絶縁ベース基板３の上面
に形成された上面側配線３ａと、絶縁ベース基板３の下
面に形成された下面側配線３ｂと、絶縁ベース基板３を
貫通するスルーホール３ｄの側面に形成され、上面側配
線３ａと下面側配線３ｂとを電気的に接続するためのス
ルーホール内配線３ｃとによって構成されている。ま
た、チップ搭載用基板１０の両面の大部分はソルダーレ
ジスト膜４によって覆われており、チップ搭載用基板１
０の耐湿性の向上と、チップ搭載用基板１０と封止樹脂
９との密着性の向上とが図られている。上記下面側配線
３ｂのうちこのソルダーレジスト膜４の開口部内で露出
しているパッド領域３ｅが外部接続端子として機能す
る。ソルダーレジスト膜４の厚さは例えば３０μｍ程度
と非常に薄く、パッド領域３ｅと実装基板の接続に悪影
響を与えない範囲である。ただし、チップ搭載用基板１
０の下面は、ソルダーレジスト膜４で覆わなくてもよ
い。チップ搭載用基板１０の絶縁ベース基板３を構成す
る材料としては、ガラスエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂
などの耐熱性、電気特性に優れた樹脂材料が好ましい。
【００４２】ここで、本実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の特徴は、チップ搭載用基板１０の４つのコーナ
ー部付近には、補強ランド部１２が設けられており、こ
の補強ランド１２の近傍の領域に、チップ搭載用基板１
０の上面から下面に達する封止用貫通穴１１Ａが設けら
れている点である。すなわち、チップ搭載用基板１０に
おける下面側配線３ｂ又は上面側配線３ａが形成されて
いる領域を避けた補強ランド部１２の近傍の領域に封止
用貫通穴１１Ａが設けられ、この封止用貫通穴１１Ａに
は、樹脂成型時に溶融した封止樹脂９が注入されてお
り、この封止用貫通穴１１Ａ内に充填された封止樹脂９
のアンカー効果によって封止樹脂９とチップ搭載用基板
１０との接合力を高めるように構成されている。
【００４３】樹脂封止型半導体装置のコーナー部に設け
られている補強ランド部１２は、プリント配線基板等の
実装基板にはんだ等により接続されて、パッド領域３ｅ
と実装基板との間に種々の応力が加わったときに、パッ
ド領域３ｅにおける電気的接続が害されるのを保護する
働きをする。そのために、補強ランド部１２はパッド領
域３ｅより大寸法として耐応力機能を高くすることが一
般的であり、補強ランド部１２が形成されている領域の
近辺においては、チップ搭載用基板１０と封止樹脂９と
の間にも、上記実装基板とパッド領域３ｅ間の応力によ
る大きな応力が加わる。その結果、当該領域においてチ
ップ搭載用基板１０と封止樹脂９との界面より剥離等が
起こりやすく、電気的接続不良なども生じやすい。
【００４４】そこで、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置のごとく、封止用貫通穴１１Ａを補強ランド部１２の
近傍に設けることにより、封止用貫通穴１１Ａに注入さ
れた封止樹脂９のアンカー効果によって、補強ランド部
１２近辺におけるチップ搭載用基板１０の絶縁ベース基
板３と封止樹脂９との接合力を向上させることが可能と
なり、実装の信頼性の向上を図ることができる。
【００４５】なお、本実施形態においても、上述の第１
の実施形態と同様の効果を発揮できることはいうまでも
ない。
【００４６】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態の樹脂封止型半導体装置について、図面を参照
しながら説明する。
【００４７】図３（ａ），（ｂ）は、それぞれ本実施形
態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図及び裏面図（パ
ッド領域３ｅ側から見た平面図）である。
【００４８】図３（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置は、電極パッド１ａを
有する半導体チップ１と、半導体チップ１を搭載するた
めのチップ搭載用基板１０と、半導体チップ１とチップ
搭載用基板１０とを接着するための接着剤層２と、半導
体チップ１の電極パッド１ａと上面側配線３ａとを電気
的に接続するための接続部材である金属細線５と、半導
体チップ１，金属細線５及び搭載用基板１０を封止する
ための封止樹脂９とを備えている。チップ搭載用基板１
０は、上面に半導体チップ１を搭載するためのランド部
を有する絶縁ベース基板３と、絶縁ベース基板３の上面
に形成された上面側配線３ａと、絶縁ベース基板３の下
面に形成された下面側配線３ｂと、絶縁ベース基板３を
貫通するスルーホール３ｄの側面に形成され、上面側配
線３ａと下面側配線３ｂとを電気的に接続するためのス
ルーホール内配線３ｃとによって構成されている。ま
た、チップ搭載用基板１０の両面の大部分はソルダーレ
ジスト膜４によって覆われており、チップ搭載用基板１
０の耐湿性の向上と、チップ搭載用基板１０と封止樹脂
９との密着性の向上とが図られている。上記下面側配線
３ｂのうちこのソルダーレジスト膜４の開口部内で露出
しているパッド領域３ｅが外部接続端子として機能す
る。ソルダーレジスト膜４の厚さは例えば３０μｍ程度
と非常に薄く、パッド領域３ｅと実装基板の接続に悪影
響を与えない範囲である。ただし、チップ搭載用基板１
０の下面は、ソルダーレジスト膜４で覆わなくてもよ
い。チップ搭載用基板１０の絶縁ベース基板３を構成す
る材料としては、ガラスエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂
などの耐熱性、電気特性に優れた樹脂材料が好ましい。
【００４９】ここで、本実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の特徴は、チップ搭載用基板１０の側面に、チッ
プ搭載用基板１０の上面から下面に達する封止用溝１１
Ｂが設けられ、この封止用溝１１Ｂに樹脂成型時に注入
された封止樹脂９が充填されている点である。この封止
用溝１１Ｂ内に充填された封止樹脂９によるアンカー効
果によって封止樹脂９とチップ搭載用基板１０との接合
力を高めるように構成されている。この封止用溝１１Ｂ
は、樹脂封止前に各チップ搭載領域間の境界部に貫通穴
（境界線に対して直交する方向に延びる長穴が好まし
い）を形成しておいて、樹脂封止の終了後、境界線に沿
って半導体チップごとに被成形物を切断することにより
形成される。この封止用溝１１Ｂは、後述するように、
封止金型のキャビティー凹部に複数個の半導体チップを
収納して樹脂を注入する製造方法により容易に生形成す
ることができる。
【００５０】本実施形態の樹脂封止型半導体装置による
と、チップ搭載用基板１０の側面に封止用溝１１Ｂを設
けることにより、封止用溝１１Ｂに注入された封止樹脂
９のアンカー効果によって、上記第１の実施形態と同様
の効果を発揮することができる。
【００５１】特に、本実施形態では、チップ搭載用基板
１０の周辺部に封止用溝１１Ｂが設けられているので、
上面側配線３ａの高密度化に影響を与えず、多ピン化が
可能であるという利点がある。
【００５２】（第４の実施形態）次に、本発明の第４の
実施形態の樹脂封止型半導体装置について、図面を参照
しながら説明する。
【００５３】図４（ａ），（ｂ）は、それぞれ本実施形
態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図及び裏面図（パ
ッド領域３ｅ側から見た平面図）である。
【００５４】図４（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置は、電極パッド１ａを
有する半導体チップ１と、半導体チップ１を搭載するた
めのチップ搭載用基板１０と、半導体チップ１とチップ
搭載用基板１０とを接着するための接着剤層２と、半導
体チップ１の電極パッド１ａと上面側配線３ａとを電気
的に接続するための接続部材である金属細線５と、半導
体チップ１，金属細線５及び搭載用基板１０を封止する
ための封止樹脂９とを備えている。チップ搭載用基板１
０は、上面に半導体チップ１を搭載するためのランド部
を有する絶縁ベース基板３と、絶縁ベース基板３の上面
に形成された上面側配線３ａと、絶縁ベース基板３の下
面に形成された下面側配線３ｂと、絶縁ベース基板３を
貫通するスルーホール３ｄの側面に形成され、上面側配
線３ａと下面側配線３ｂとを電気的に接続するためのス
ルーホール内配線３ｃとによって構成されている。ま
た、チップ搭載用基板１０の両面の大部分はソルダーレ
ジスト膜４によって覆われており、チップ搭載用基板１
０の耐湿性の向上と、チップ搭載用基板１０と封止樹脂
９との密着性の向上とが図られている。上記下面側配線
３ｂのうちこのソルダーレジスト膜４の開口部内で露出
しているパッド領域３ｅが外部接続端子として機能す
る。ソルダーレジスト膜４の厚さは例えば３０μｍ程度
と非常に薄く、パッド領域３ｅと実装基板の接続に悪影
響を与えない範囲である。ただし、チップ搭載用基板１
０の下面は、ソルダーレジスト膜４で覆わなくてもよ
い。チップ搭載用基板１０の絶縁ベース基板３を構成す
る材料としては、ガラスエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂
などの耐熱性、電気特性に優れた樹脂材料が好ましい。
【００５５】ここで、本実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の特徴は、上面側配線３ａと下面側配線３ｂとを
電気的に接続するために設けられているスルーホール３
ｄとは別に、チップ搭載用基板１０の上面から下面に達
するザグリ付きの封止用貫通穴１１Ｃが設けられている
点である。すなわち、チップ搭載用基板１０における下
面側配線３ｂ又は上面側配線３ａが形成されている領域
を避けた領域に、裏面側のソルダーレジスト膜４の部分
に大径のザグリ部を有する封止用貫通穴１１Ｃが設けら
れている。この封止用貫通穴１１Ｃには、樹脂成型時に
溶融した封止樹脂が注入されており、この封止用貫通穴
１１Ｃ内に充填された封止樹脂９のアンカー効果によっ
て、封止樹脂９とチップ搭載用基板１０との接合力を高
めるように構成されている。
【００５６】本実施形態においても、上記第１の実施形
態と同様の効果を発揮することができる。
【００５７】特に、本実施形態では、ザグリ付きの封止
用貫通穴１１Ｃによるアンカー効果が第１の実施形態よ
りも大きいため、封止用貫通穴１１Ｃの数が少なくて済
み、チップ搭載用基板１０の設計に対する悪影響が小さ
いという利点がある。
【００５８】なお、図４（ａ），（ｂ）には、ザグリ付
き封止用貫通穴１１Ｃをランド間に配置した例を示して
いるが、脂封止型半導体装置の大きさ、配線の数、チッ
プ搭載用基板１０の厚さ、要求特性などに応じて、ザグ
リ付き封止用貫通穴１１Ｃを他の適した位置に配置する
ことができ、第１の実施形態よりも少ない数の封止用貫
通穴１１Ｃにより高い信頼性を得ることができる。
【００５９】（第５の実施形態）次に、本発明の第５の
実施形態の樹脂封止型半導体装置について、図面を参照
しながら説明する。
【００６０】図５（ａ），（ｂ）は、それぞれ本実施形
態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図及び裏面図（パ
ッド領域３ｅ側から見た平面図）である。
【００６１】図５（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置は、電極パッド１ａを
有する半導体チップ１と、半導体チップ１を搭載するた
めのチップ搭載用基板１０と、半導体チップ１とチップ
搭載用基板１０とを接着するための接着剤層２と、半導
体チップ１の電極パッド１ａと上面側配線３ａとを電気
的に接続するための接続部材である金属細線５と、半導
体チップ１，金属細線５及び搭載用基板１０を封止する
ための封止樹脂９とを備えている。チップ搭載用基板１
０は、上面に半導体チップ１を搭載するためのランド部
を有する絶縁ベース基板３と、絶縁ベース基板３の上面
に形成された上面側配線３ａと、絶縁ベース基板３の下
面に形成された下面側配線３ｂと、絶縁ベース基板３を
貫通するスルーホール３ｄの側面に形成され、上面側配
線３ａと下面側配線３ｂとを電気的に接続するためのス
ルーホール内配線３ｃとによって構成されている。ま
た、チップ搭載用基板１０の両面の大部分はソルダーレ
ジスト膜４によって覆われており、チップ搭載用基板１
０の耐湿性の向上と、チップ搭載用基板１０と封止樹脂
９との密着性の向上とが図られている。上記下面側配線
３ｂのうちこのソルダーレジスト膜４の開口部内で露出
しているパッド領域３ｅが外部接続端子として機能す
る。ソルダーレジスト膜４の厚さは例えば３０μｍ程度
と非常に薄く、パッド領域３ｅと実装基板の接続に悪影
響を与えない範囲である。ただし、チップ搭載用基板１
０の下面は、ソルダーレジスト膜４で覆わなくてもよ
い。チップ搭載用基板１０の絶縁ベース基板３を構成す
る材料としては、ガラスエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂
などの耐熱性、電気特性に優れた樹脂材料が好ましい。
【００６２】ここで、本実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の１つの特徴は、半導体チップ１が接着剤層２に
より４点で固定されているだけで、第１〜第４の実施形
態のごとく全面に接着剤層２が形成されているわけでは
ないことである。このような接着構造は、接着剤の量を
少なくし、接着剤層２中に残存する溶剤分を少なくする
という効果がある。したがって、チップ搭載用基板１０
の絶縁ベース基板３と半導体チップ１の間に封止樹脂９
の介在層９ａが形成されており、半導体チップ１に対す
る封止樹脂９の保持力を高める機能を果たしている。
【００６３】また、本実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置のもう１つの特徴は、チップ搭載用基板１０のうち
半導体チップ１の直下方に位置する領域に、チップ搭載
用基板１０の上面から下面に達する封止用貫通穴１１Ａ
が設けられている点である。このように、チップ搭載用
基板１０における下面側配線３ｂ又は上面側配線３ａが
形成されている領域を避けた領域に、多数の封止用貫通
穴１１Ａが設けられ、この封止用貫通穴１１Ａには、樹
脂成型時に溶融した封止樹脂が注入されており、この封
止用貫通穴１１Ａ内に充填された封止樹脂９のアンカー
効果によって封止樹脂９とチップ搭載用基板１０との接
合力を高めるように構成されている。
【００６４】本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置に
よると、上記第１の実施形態と同様の効果を発揮するこ
とができるに加えて、半導体チップ１の下方に封止樹脂
９の介在層９ａが設けられ、この介在層９ａと封止用貫
通穴１１Ａ内に埋め込まれた封止樹脂９との連続した構
造によって、きわめて強固な接合力が得られる。また、
半導体チップ１の直下方に封止用貫通穴１１Ａを形成す
ることで、配線３ａ，３Ｂ，３ｃと封止用貫通穴１１Ａ
との干渉を回避することも容易となる。
【００６５】（第６の実施形態）次に、本発明の第６の
実施形態の樹脂封止型半導体装置について、図面を参照
しながら説明する。
【００６６】図６（ａ），（ｂ）は、それぞれ本実施形
態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図及び裏面図（パ
ッド領域３ｅ側から見た平面図）である。
【００６７】図６（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置は、電極パッド１ａを
有する半導体チップ１と、半導体チップ１を搭載するた
めのチップ搭載用基板１０と、半導体チップ１とチップ
搭載用基板１０とを接着するための接着剤層２と、半導
体チップ１の電極パッド１ａと上面側配線３ａとを電気
的に接続するための接続部材である金属細線５と、半導
体チップ１，金属細線５及び搭載用基板１０を封止する
ための封止樹脂９とを備えている。チップ搭載用基板１
０は、上面に半導体チップ１を搭載するためのランド部
を有する絶縁ベース基板３と、絶縁ベース基板３の上面
に形成された上面側配線３ａと、絶縁ベース基板３の下
面に形成された下面側配線３ｂと、絶縁ベース基板３を
貫通するスルーホール３ｄの側面に形成され、上面側配
線３ａと下面側配線３ｂとを電気的に接続するためのス
ルーホール内配線３ｃとによって構成されている。ま
た、チップ搭載用基板１０の両面の大部分はソルダーレ
ジスト膜４によって覆われており、チップ搭載用基板１
０の耐湿性の向上と、チップ搭載用基板１０と封止樹脂
９との密着性の向上とが図られている。上記下面側配線
３ｂのうちこのソルダーレジスト膜４の開口部内で露出
しているパッド領域３ｅが外部接続端子として機能す
る。ソルダーレジスト膜４の厚さは例えば３０μｍ程度
と非常に薄く、パッド領域３ｅと実装基板の接続に悪影
響を与えない範囲である。ただし、チップ搭載用基板１
０の下面は、ソルダーレジスト膜４で覆わなくてもよ
い。チップ搭載用基板１０の絶縁ベース基板３を構成す
る材料としては、ガラスエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂
などの耐熱性、電気特性に優れた樹脂材料が好ましい。
【００６８】ここで、本実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の１つの特徴は、上記第２，第４及び第５の実施
形態の特徴部分を併せて備えている点である。すなわ
ち、第５の実施形態と同様に、半導体チップ１が接着剤
層２により４点で固定されているだけで、チップ搭載用
基板１０の絶縁ベース基板３と半導体チップ１の間に封
止樹脂９の介在層９ａが形成されているとともに、チッ
プ搭載用基板１０のうち半導体チップ１の直下方に位置
する領域に、第４の実施形態と同様のザグリ付き封止用
貫通穴１１Ｃが設けられている。さらに、第２の特徴
は、第２の実施形態と同様に半導体チップ１の４つのコ
ーナー部付近に補強ランド１２が設けられており、その
近傍にそれぞれ２つの変形した封止用貫通穴１１Ｄが設
けられている点である。ここで、補強ランド１２の近傍
の変形した封止用貫通穴１１Ｄは、横断面形状が円形で
はなく補強ランドのコーナー部を回るほぼＬ字状であ
る。ただし、変形封止用貫通穴１１Ｄの横断面形状は図
６（ｂ）に示す形状に限定されるものではなく、補強ラ
ンド１２の外形に沿った線状であればよい。
【００６９】例えば、補強ランド１２の近傍に設けられ
る変形した封止用貫通穴１１Ｄの他の横断面形状とし
て、図１０（ａ）〜（ｃ）に示す形状がある。すなわ
ち、図１０（ａ）に示すような補強ランド１２の各辺に
沿った一直線状のものや、図１０（ｂ）に示すような１
つのほぼＬ字状のものや、図１０（ｃ）に示すようなほ
ぼコ字状のものがある。これらは、半導体チップあるい
は樹脂封止型半導体装置の大きさ、パッド領域３ｅの
数、チップ搭載用基板１０の材質，厚みや、要求される
実装信頼性などにより選択することができる。また、２
つ以上の変形封止用貫通穴１１Ｄを設ける場合であって
も、それらの長さや形状が同じである必要はない。補強
ランド１２に沿ってこのような線状の変形した封止用貫
通穴１１Ｄを設けることにより、実装基板との接着後
に、樹脂封止型半導体装置に加わる機械的、熱的な各種
の応力をより効果的に緩和することができる。すなわ
ち、変形した封止用貫通穴１１Ｄ内の封止樹脂９の働き
によって、チップ搭載用基板１０の補強ランド１２に柔
軟性を与え，補強ランド１２の微少な変形を可能にする
ので、上記各種の応力が加わった際にも、補強ランド１
２部を実装基板の変形に追従して変位させることがで
き、実装信頼性を飛躍的に向上させることができる。
【００７０】本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置に
よると、上記第２，第４及び第５の実施形態における封
止用貫通穴１１Ａ，１１Ｃ又は封止用溝１１Ｂを適切に
組み合わせることによる実装信頼性の向上効果に加え
て、補強ランド１２の近傍に変形した線状の封止用貫通
穴１１Ｄを設けたことにより、特に、はんだリフロー工
程のふくれや剥れの防止効果が顕著になる。すなわち、
実装後の機械的，熱的な応力に対する強度不足などに起
因する電気的接続不良を低減し、実装信頼性の高い樹脂
封止型半導体装置を提供することができる。なお、本実
施形態における変形した封止用貫通穴１１Ｄは、補強ラ
ンド１２の周囲に設けるだけでなく、補強ランド１２か
ら離れた場所、例えば裏面の下面側配線３ｂが形成され
ている領域間の間隙をぬって設けることもできる。その
場合、封止樹脂９とチップ搭載用基板１０との接触面積
が増大するので、両者の密着力をより強固にすることが
できる。
【００７１】（第７の実施形態）次に、本発明の第７の
実施形態の樹脂封止型半導体装置について、図面を参照
しながら説明する。
【００７２】図７（ａ），（ｂ）は、それぞれ本実施形
態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図及び裏面図（パ
ッド領域３ｅ側から見た平面図）である。
【００７３】図７（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置は、電極パッド１ａを
有する半導体チップ１と、半導体チップ１を搭載するた
めのチップ搭載用基板１０と、半導体チップ１とチップ
搭載用基板１０とを接着するための接着剤層２と、半導
体チップ１の電極パッド１ａと上面側配線３ａとを電気
的に接続するための接続部材である金属細線５と、半導
体チップ１，金属細線５及び搭載用基板１０を封止する
ための封止樹脂９とを備えている。チップ搭載用基板１
０は、上面に半導体チップ１を搭載するためのランド部
を有する絶縁ベース基板３と、絶縁ベース基板３の上面
に形成された上面側配線３ａとによって構成されてい
る。チップ搭載用基板１０の絶縁ベース基板３を構成す
る材料としては、ガラスエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂
などの耐熱性、電気特性に優れた樹脂材料が好ましい。
【００７４】ここで、本実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の特徴は、上記各実施形態のような絶縁ベース基
板３の下面側配線３ｂと、スルーホール３ｄの側面に形
成されたスルーホール内配線３ｃと、ソルダーレジスト
膜４を備えておらず、チップ搭載用基板１０（上面側配
線３ａと絶縁ベース基板３）とを貫通する封止用貫通穴
１１Ｅを備えている点と、上面側配線３ａ下方の端子用
貫通穴３ｆ内に設けられた外部接続端子として機能する
はんだボール６とを備えている点である。
【００７５】本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置に
よると、チップ搭載用基板１０を貫通する封止用貫通穴
１１Ｅを備えていることにより、上述の第１の実施形態
と同様の効果を発揮することができる。また、絶縁ベー
ス基板３の裏面に下面側配線３ｂを形成するためのプリ
ント工程や、スルーホール３ｄを形成する工程、スルー
ホール内配線３ｃを形成するための工程を省くことがで
きる。そして、端子用貫通穴３ｆ内に上面側配線３ａに
直接接触する外部接続端子としてのはんだボール６が設
けられているので、このはんだボール６を実装に利用す
ることができる。すなわち、少ない工程数で高密度実装
の可能な樹脂封止型半導体装置を形成することができ
る。
【００７６】（第８の実施形態）次に、本発明の樹脂封
止型半導体装置の製造方法及び使用する金型構造に関す
る第８の実施形態について、図面を参照しながら説明す
る。図８（ａ）〜（ｆ）及び図９（ａ）〜（ｃ）は、本
実施形態における樹脂封止型半導体装置の製造工程を示
断面図である。
【００７７】まず、図８（ａ）に示す工程で、上記第１
〜第６の実施形態における樹脂封止型半導体装置中のい
ずれか１つのチップ搭載用基板１０を用意する。すなわ
ち、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性に
優れた絶縁ベース基板３を準備して、絶縁ベース基板３
の上面には上面側配線３ａを下面には下面側配線３ｂを
それぞれ形成し、スルーホール３ｄを形成した後、スル
ーホール３ｄの側面上にスルーホール内配線３ｃをメッ
キなどにより形成する。その後、ソルダーレジスト膜４
により基板の必要部分を被覆した後、上記第１〜第６の
実施形態における封止用貫通穴（１１Ａ，１１Ｃ，１１
Ｄあるいは封止用溝１１Ｂに分断される前の長穴状の封
止用貫通穴を含む）形成する。また、必要に応じて補強
ランド１２を形成しておく。このとき、チップ搭載用基
板１０は、前後左右に複数個の半導体チップ１を搭載す
るためのチップ搭載領域Ｒcpを有している。
【００７８】次に、図８（ｂ）に示す工程で、チップ搭
載用基板１０の各チップ搭載領域Ｒcpにそれぞれ半導体
チップ１を接着剤層１を挟んで接合する。この工程は、
いわゆるダイボンド工程である。
【００７９】次に、図８（ｃ）に示す工程で、半導体チ
ップ１上の電極１ａとチップ搭載用基板１０上の上面側
配線部３ａとを金属細線５により電気的に接合する。こ
の工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。
【００８０】次に、図８（ｄ）に示す工程で、上面側の
各チップ搭載領域Ｒcpに多数の半導体チップ１を搭載し
ているチップ搭載用基板１０の裏面全体に封止テープ１
３を貼り付ける。この封止テープ１３の主たる役割は、
樹脂封止工程において、封止用貫通穴を通ってチップ搭
載用基板１０の裏面側に封止樹脂９が回り込んで、下面
側配線３ｂやソルダーレジスト膜４上に樹脂バリが形成
するのを防止することにある。
【００８１】上記封止テープ１３は、ポリエチレンテレ
フタレート，ポリイミド，ポリカーポネートなどを主成
分とする樹脂をベースとしたフイルムが好ましいが、樹
脂封止後に容易に剥がすことができ、樹脂封止工程の際
の高温に耐性があるものであれば、他の樹脂材料により
構成してもよい。本実施形態では、ポリイミドを主成分
としたフイルムを用い、そのフィルム厚は５０（μｍ）
とした。
【００８２】次に、図８（ｅ）に示す工程で、下金型１
５ａと上金型１５ｂとに分割され、下金型１５ａにキャ
ビティー用凹部１４を有する封止金型１５を用意する。
そして、チップ搭載用基板１０の多数の半導体チップ１
が搭載されている側を下方に向けて、各半導体チップ１
が下金型１５ａの共通のキャビティ凹部１４に入り込む
ように、チップ搭載用基板１０を下金型１５ａに位置合
わせする。そして、この状態で、上金型１５ｂ−下金型
１５ａ間に型締め力を加えて、各キャビティー凹部１４
内に封止樹脂９を流し込んで樹脂封止を行なう。
【００８３】このとき、封止金型１５の締め付け圧力と
金型温度の影響により軟化した封止テープ１３がチップ
搭載用基板１０の厚みのばらつきを吸収し、パーチング
面にチップ搭載用基板１０を密着させ樹脂バリの発生を
少なくする。
【００８４】そして、封止金型１５の熱により軟化し、
チップ搭載用基板１０の裏面に密着した封止テープ１３
が封止樹脂９のはみ出しによる樹脂バリの発生を防止
し、封止用貫通穴の内側に少し入り込むので、封止用貫
通穴の裏面側には、封止樹脂９が入り込んだことによる
段差が形成されることになる。したがって、下面側配線
の下端部は封止用貫通穴内の封止樹脂９の裏面よりも下
方に突出した構造となるので、封止用貫通穴を有するチ
ップ搭載用基板１０の樹脂封止が実質的に可能になる。
なお、封止用貫通穴内の封止樹脂の下端部がどのような
形状であったとして、それが実装に影響しない範囲内で
あって、ソルダーレジスト膜４より突出しておらず、か
つ、樹脂バリがなければ差し支えない。
【００８５】次に、図８（ｆ）に示す工程で、チップ搭
載用基板１０の裏面に貼り付けた封止テープ１４をピー
ルオフ、またはケミカルエッチングにより除去した後、
チップ搭載用基板１０と封止樹脂９とを各チップ搭載領
域Ｒcpの境界部で切断して、各樹脂封止型半導体装置を
得る。
【００８６】本実施形態によると、チップ搭載用基板１
０の裏面に封止テープ１３を貼り付けた状態で樹脂封止
を行なうようにしているので、封止用貫通穴に封止樹脂
９を充填しながら、封止樹脂９が封止用貫通穴を通って
チップ搭載用基板１０の裏面側に回り込むのを防止する
ことができる。すなわち、チップ搭載用基板１０の裏面
に貼り付けられた封止テープ１３が、キャビティー凹部
１４に対向する上金型１５ｂの金型面で挟圧されて、封
止用貫通穴をふさぎ、食い込むのを利用している。この
ため、裏面側に樹脂バリが発生せず、チップ搭載用基板
１０に封止用貫通穴を設けることが実質的に可能になっ
た。
【００８７】なお、封止テープ１３を用いることによ
り、樹脂バリ除去のためのウォータージェット工程など
が不要となる。
【００８８】さらに、本実施形態のごとく、共通のキャ
ビティー凹部１４に複数の半導体チップ１を収納した状
態で樹脂封止を行なうことにより、各半導体チップごと
にキャビティー凹部を設けて樹脂封止を行なった後切断
金型を用いて切断する方法に比べ、カット時の応力で封
止樹脂９とチップ搭載用基板１０との間にダメージを生
ぜしめることによる密着不良がなくなった。また、封止
樹脂９の流入口であるランナーを各チップ搭載領域Ｒcp
間に配置する必要がないため、各チップ搭載領域間の間
隔をカッター刃の幅程度に狭く設計できる。その結果、
切断機による一度の切断でチップ搭載領域Ｒcp間を分離
することが可能で、樹脂封止型半導体装置の効率的で安
価な生産が可能になった。
【００８９】なお、本実施形態では、第１〜第６の実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置を前提として、下面側
配線３ｂ，スルーホール３ｄ，スルーホール内配線３ｃ
及びソルダーレジスト膜４が設けられたチップ搭載用基
板１０に半導体チップを搭載して樹脂封止する工程につ
いて説明したが、本実施形態の製造方法は、そのまま第
７の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置にも適用でき
る。
【００９０】−第８の実施形態の変形形態− 次に、上記第８の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の製造方法に関する変形形態について説明する。ただ
し、以下の各変形形態において、チップ搭載用基板１
０，半導体チップ１及び金属細線５などの被成形物を形
成する工程は、上記図８（ａ）〜（ｄ）に示す工程と同
様で、樹脂封止工程に用いる封止金型１５やそれに付随
する装置の構造が異なるものとする。
【００９１】−第１の変形形態− 図９（ａ）は、第１の変形形態に係る樹脂封止工程にお
ける封止金型及び被成形物の断面図である。
【００９２】図９（ａ）に示すように、本変形形態で使
用される封止金型１５の下金型１５ａには、各チップ搭
載領域Ｒcpごとにキャビティー凹部１４が設けられてい
る。また、上金型１５ｂの近傍には、封止テープ１３を
保持するための真空吸着装置１６が設けられている。ま
た、図示していないが封止テープ１３は供給ロール，巻
き取りロールによって供給，巻き取りが可能に構成さ
れ、かつ、供給ロールと巻き取りロールに加える回転力
の調整によって封止テープ１３に加わる張力を調整でき
るように構成されている。
【００９３】そして、樹脂封止工程では、真空吸着装置
１６により封止テープ１３を上金型１５ｂに密着させて
おいて、各キャビティー凹部１４に半導体チップ１を個
別に収納するように被成形物を封止金型にセットする。
そして、真空吸着装置１６により、封止テープ１３を真
空引きしながら、真空吸着装置１６を供給ロールと巻き
取りロールと直行する２方向に移動することにより展延
し均一に延ばし維持した状態でチップ搭載用基板１０と
ともに封止金型１５で挟圧しながら樹脂封止を行なう。
このように、真空吸着装置１６と供給ロール，巻き取り
ロールとによる封止テープ１３を展延し均一に延ばす作
用により、金型温度の影響による封止テープ１３のシワ
の発生を防止することができる。
【００９４】また、真空吸着装置１６の移動量のコント
ロールと、供給ロール，巻き取りロール間のテンション
調整により、封止テープ１３の伸び率を考慮して封止テ
ープ１３に適切な張力を与えることができる。その結
果、広い面積に安定して封止テープ１３の供給が可能に
なり、樹脂成形された樹脂封止型半導体装置の裏面には
樹脂バリの発生がない。このメカニズムは、樹脂封止の
際、封止テープ１３が熱収縮を起こし、縮まろうとする
作用に対して、真空吸着装置１６の真空吸引作用により
封止テープ１３の収縮を抑制し、封止テープ１３に延張
状態を与えることによって得られるものであり、かかる
作用により、封止テープ１３のシワの発生を防止し、封
止テープ１３面を平坦にするものである。
【００９５】なお、封止テープ１３は、下金型１５ａに
セットされたチップ搭載用基板１０に型締め時に密着さ
せても良く、この場合はロール供給が容易で生産性も向
上する。
【００９６】また、真空吸着装置１６を供給ロール，巻
き取りロールが設けられている方向にも追加して移動量
をコントロールすることにより、金型温度の影響による
封止テープ１３の供給，巻き取りロールの張力による影
響を抑制することもでき、封止テープ１３の効率的な利
用が可能になる。
【００９７】−第２の変形形態− 図９（ｂ）は、第２の変形形態に係る樹脂封止工程にお
ける封止金型及び被成形物の断面図である。
【００９８】図９（ｂ）に示すように、本変形形態で使
用される封止金型１５の下金型１５ａには、複数の半導
体チップ１（チップ搭載領域Ｒcp）を収納できる単一の
キャビティー凹部１４が設けられている。また、上金型
１５ｂの金型面においてキャビティー凹部１４の外縁部
付近の領域に対向する領域には、キャビティー凹部１４
の外縁に沿った閉ループの溝１７が設けられている。す
なわち、樹脂封止時に封止金型１５の型締め力がキャビ
ティー凹部１４の外縁部で特に大きく印加されたとき
に、封止テープ１３を溝１７に逃すことにより、チップ
搭載用基板１０の変形を防止するためである。また、第
１の変形形態と同様の真空吸着装置１６及び供給ロー
ル，巻き取りロールが設けられており、この真空吸着装
置１６などの使用方法は、第１の変形形態で説明したと
おりである。
【００９９】本変形形態の方法によると、下金型１５ａ
に形成されている共通のキャビティー凹部１４に複数の
半導体チップ１を収納して樹脂封止を行なうので、半導
体チップごとにキャビティー凹部を設ける第１の変形形
態に比べ、金型設計に際してエジェクターピン，エアー
ベント等を多数設ける必要がないとともに、金型構造が
簡案化される利点がある。すなわち、金型の設計，製造
が容易になり、製造時間の短縮や、一般に小型の半導体
装置ほど高くつく金型の製造コストの低減が達成でき
る。
【０１００】特に、第１の変形形態とは異なり、上金型
１５ｂの金型面におけるキャビティー凹部１４の外縁部
付近の領域に対向する領域に溝１７を設けているので、
以下のような効果を発揮することができる。
【０１０１】樹脂封止時に、キャビティー凹部１４を取
り囲む領域であるパーティング面に型締め力が加わる
と、封止テープ１３のキャビティー凹部１４に対向する
領域には、パーテング面で挟圧されている領域からの応
力とキャビティー凹部１４内に充填された封止樹脂から
の圧力とが作用するので、封止テープ１３とチップ搭載
用基板１０とはこの領域では密着しやすくなっている。
この状態で、封止テープ１３に上述の型締め力による横
方向の圧縮応力が生じると、封止テープ１３が変形しや
すくなり、その変形と共にチップ搭載用基板１０も変形
するおそれがある。そのとき、溝１７があると、封止テ
ープ１３が溝１７内入り込むことで溝１７の付近におけ
る応力が緩和されるので、チップ搭載用基板１０の変形
を防止することができる。
【０１０２】なお、本変形形態においても、封止テープ
１３を下金型１５ａにセットされた状態のチップ搭載用
基板１０の裏面に型締め時に密着させても良く、この場
合はロールによる封止テープ１３の供給が可能で生産性
も向上する。
【０１０３】また、上金型１５ｂの溝部１７にさらに真
空穴を設けることにより、展延した封止テープ１３を吸
着することが可能になるので、封止テープ１３のしわの
発生をより効果的に抑制することができる。
【０１０４】−第３の変形形態− 図９（ｃ）は、第３の変形形態に係る樹脂封止工程にお
ける封止金型及び被成形物の断面図である。
【０１０５】図９（ｃ）に示すように、本変形形態で使
用される封止金型１５の下金型１５ａには、複数の半導
体チップ１（チップ搭載領域Ｒcp）を収納できる単一の
キャビティー凹部１４が設けられている。また、各チッ
プ領域Ｒcp間の境界部を押圧する押圧ブロック２０と、
押圧ブロック２０内に設けられたエジェクターピン２１
とを備えている。なお、第１の変形形態と同様の真空吸
着装置１６及び供給ロール，巻き取りロールが設けられ
ていてもよい。その場合の真空吸着装置１６などの使用
方法は、第１の変形形態で説明したとおりである。
【０１０６】本変形形態の樹脂封止工程では、樹脂封止
時に、上金型１５ｂの金型面とチップ搭載用基板１０と
の間に封止テープ１３を介在させるとともに、押圧ブロ
ック２０により、キャビティー凹部１４内の各チップ搭
載領域Ｒcp間の境界部分を押圧ブロック２０によって押
圧する。また、樹脂封止の終了後には、押圧ブロック２
０内のエジェクターピン２１を上方に突き出すことによ
り、封止樹脂との接触による摩耗の少ないエジェクター
ピン２１を用いて型開きと離型とを行なうことができ
る。
【０１０７】本変形形態の樹脂封止方法によると、下金
型１５ａに形成されている共通のキャビティー凹部１４
に複数の半導体チップ１を収納して樹脂封止を行なうの
で、半導体チップごとにキャビティー凹部を設ける第１
の変形形態に比べ、金型設計に際してエアーベント等を
多数設ける必要がないとともに、金型構造が簡案化され
る利点がある。すなわち、金型の設計，製造が容易にな
り、製造時間の短縮や、一般に小型の半導体装置ほど高
くつく金型の製造コストの低減が達成できる。
【０１０８】また、第２の変形形態とは異なり、キャビ
ティー凹部１４内でチップ搭載用基板１０の各チップ搭
載領域Ｒcp間の境界部分（好ましくはコーナー部）を押
圧するための押圧ブロック２０を設けているので、以下
のような効果を発揮することができる。
【０１０９】樹脂封止時には、キャビティ凹部１４で形
成される樹脂圧入部に溶融した封止樹脂が圧入される
と、この封止樹脂の圧力によりキャビティー凹部１４に
対向する上金型１５ｂ面に封止テープ１３、チップ搭載
用基板１０等が押しつけられるとともに、押圧ブロック
２０によって各チップ搭載領域Ｒcp間の境界部分が押圧
される。したがって、封止テープ１３に作用する押圧力
が各チップ領域Ｒcp内で均一化されるので、チップ搭載
用基板１０の封止用貫通穴や保護膜４に封止テープ１３
が確実に入り込み、樹脂バリの発生防止作用が確実に得
られる。また、チップ搭載用基板１０の全面にほぼ均一
な圧力が加わることにより、チップ搭載用基板１０の変
形が阻止される結果、チップ搭載用基板１０の変形によ
ってキャビティー凹部１４に金属細線５が接触し発生す
る不良を防止することができる。言い換えると、この方
法により、薄型の樹脂封止型半導体装置の生産が実質的
に可能になった。
【０１１０】また、押圧ブロック２０の形状を被成形品
の大きさにより適切に選択することにより、封止樹脂９
の流動性に悪影響を与えることなく、しかも金型構造が
簡単で、上面側配線部３ａの裏面部分に樹脂バリのな
い、生産性の良い樹脂封止型半導体装置の提供を図るこ
とができる。
【０１１１】さらに、チップ搭載用基板１０において、
各チップ搭載領域Ｒcp間の押圧ブロック２０による押圧
部には封止樹脂が充填されないため、チップ搭載用基板
１０上の封止樹脂９の存在していない露出部を切断機の
認識用の位置決めの役割を果たすアライメントマークと
して使用することができ、次工程における切断精度が向
上する。また、アライメントのための穴加工等をチップ
搭載用基板１０に設ける必要がないために、樹脂封止型
半導体装置を効率的に精度良く生産することができる。
【０１１２】また、押圧ブロック２０内にエジェクター
ピン２１が設けられているので、封止樹脂９との接触に
よる摩耗の少ないエジェクターピンを利用して、型開き
や離型を行なうことができる。
【０１１３】この押圧ブロック２０の横断面形状は、封
止樹脂９の流動性に影響の少ない４角形とすることが好
ましい。その場合、各チップ搭載領域Ｒcpのコーナー部
に押圧ブロック２０の各辺を４５°傾けた状態で配置す
ることにより、押圧ブロック２０の形状の転写による面
取りを各樹脂封止型半導体装置のコーナー部に施すこと
ができるため、かけの少ない樹脂封止型半導体装置を低
コストで生産することができる利点がある。
【０１１４】本変形形態の製造方法により、キャビティ
ー凹部１４内でチップ搭載領域Ｒcp間を押圧することに
より半導体装置が効率よく搭載される配置ができるため
チップ搭載用基板１０あたりの半導体装置の数が大幅に
向上し生産性の良い樹脂封止が可能になった。
【０１１５】上記第８の実施形態の変形形態の製造方法
は、上記第７の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を
形成する差にも適用できる。また、多層のポリイミド基
板においても有効である。
【０１１６】（その他の実施形態）図１１は、上記各実
施形態に係る樹脂封止型半導体装置の代わりに、チップ
搭載用基板１０の上に半導体チップ１をフリップチップ
接続した変形形態の樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。すなわち、上記各実施形態で説明した構造を有する
チップ搭載用基板１０の上面側配線３ａと半導体チップ
１の電極パッド１ａとをバンプ２５により接続した構造
を示す。この場合にも、上記各実施形態における封止用
貫通穴１１Ａ，１１Ｃや封止用溝１１Ｂを設けて、封止
樹脂９をこれらに充填することによる各実施形態の効果
（耐湿性，実装後における機械的強度や耐熱応力性に優
れた樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【０１１７】上記第１〜第６の実施形態においては、封
止用貫通穴１１Ａ，１１Ｃ，１１Ｄを上面側配線３ａ及
び下面側配線３ｂを避けた領域に設けたが、封止用貫通
穴１１Ａ，１１Ｃ，１１Ｄが上面側配線３ａ又は下面側
配線３ｂの一端部を横切っていても、あるいは、各配線
３ａ又は３ｂ内に形成されていても、断線を生じない程
度であればかまわない。同様に、上記第７の実施形態に
おいては、封止用貫通穴１１Ｅを上面側配線３ａ内に形
成したが、封止用貫通穴１１Ｅが上面側配線３ａを避け
た領域に形成されていても、あるいは封止用貫通穴１１
Ｅが上面側配線３ａの一端部を横切っていてもかまわな
いものとする。
【０１１８】スルーホールは必ずしも必要でなく、側面
又は溝に形成されたスルーホール内配線により上面側配
線と下面側配線とが接続されていてもよい。
【０１１９】上記第４，第６，第７の実施形態における
ザグリ付き貫通穴１１Ｃ，１１Ｅの形状は各実施形態の
形状に限定されるものではなく、さら状あるいは球面状
のザグリ形状であってもよい。また、封止用溝１１Ｂの
下端部が拡大していてもよい。つまり、ザグリ付きの長
円形状の貫通穴を切断して形成される形状であってもよ
いものとする。
【０１２０】上記第７の実施形態におけるはんだボール
６に代えて、他の金属材料からなるボール部材を設けて
もよい。
【０１２１】また、上記第１〜第６の実施形態におい
て、ソルダーレジスト膜４をなくすことも可能である。
その場合、下面側配線部３ｂの実装接合部は封止樹脂９
の裏面から突出した構造となり、下面側配線部３ｂのス
タンドオフ高さを確保できるので、はんだボールを設け
なくても、実装基板上のはんだクリームによって下面側
配線３ｂと実装基板側の配線との電気的接続を行なうこ
とができるという利点がある。一方、本発明によって上
述のように耐湿性などが向上するので、ソルダーレジス
ト膜がなくても、樹脂封止型半導体装置の信頼性の悪化
を招くことがなくなった。
【０１２２】
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置による
と、チップ搭載用基板上に半導体チップを搭載して封止
樹脂により封止し、裏面側に外部接続端子を露出させた
樹脂封止型半導体装置において、チップ搭載用基板に封
止用貫通穴，封止用貫通溝などの封止用貫通部を設け、
この封止用貫通部内に封止樹脂を充填させるようにした
ので、封止樹脂とチップ搭載用基板との密着力を向上さ
せることにより、耐湿性などの信頼性の高い樹脂封止型
半導体装置の提供を図ることができる。
【０１２３】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
によると、チップ搭載用基板の裏面と封止金型の金型面
との間に封止テープを介在させた状態で樹脂封止を行な
うようにしたので、上述の樹脂封止型半導体装置の構造
を実質的に実現しうる製造方法の提供を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置のIa−Ia線における断面図及び裏面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置のIIa-IIa 線における断面図及び裏面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置のIIIa−IIIa線における断面図及び裏面図であ
る。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置のIVa-IVa 線における断面図及び裏面図である。
【図５】本発明の第５の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置のVa−Va線における断面図及び裏面図である。
【図６】本発明の第６の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置のVIa-VIa 線における断面図及び裏面図である。
【図７】本発明の第７の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置のVIIa−VIIa線における断面図及び裏面図であ
る。
【図８】本発明の第８の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明の第８の実施形態の各変形形態に係る樹
脂封止型半導体装置の製造工程のうち樹脂封止工程にお
ける封止金型及び被成形物の状態を示す断面図である。
【図１０】本発明の第６の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の補強ランドの構造例を示す部分裏面図であ
る。
【図１１】本発明の各実施形態の変形形態に係るフリッ
プチップ接続型の樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。
【図１２】従来の封止型半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ １ａ 電極パッド ２ 接着剤層 ３ 絶縁ベース基板（絶縁基板） ３ａ 上面側配線 ３ｂ 下面側配線 ３ｃ スルーホール内配線 ３ｄ スルーホール（配線用貫通穴） ３ｅ パッド領域（外部接続端子） ３ｆ 端子用貫通穴 ４ ソルダーレジスト膜 ５ 金属細線（接続部材） ６ はんだボール（外部接続端子） ９ 封止樹脂 １０ チップ搭載用基板 １１Ａ，１１Ｂ〜１１Ｅ 封止用貫通穴（封止用貫通
部） １１Ｂ 封止用溝（封止用貫通部） １２ 補強ランド部 １３ 封止テープ １４ キャビティー凹部 １５ 封止金型 １５ａ 下金型 １５ｂ 上金型 １６ 真空吸着装置 １７ 溝 ２０ 押圧ブロック ２１ エジェクターピン ２５ バンプ

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁基板，該絶縁基板の少なくとも上面
    に形成された配線，及び該配線に接続される外部接続端
    子を有し、上記外部接続端子を裏面側に露出させてなる
    チップ搭載用基板と、 上記チップ搭載用基板の上面に搭載され、電極パッドを
    有する半導体チップと、 上記半導体チップの電極パッドと上記チップ搭載用基板
    の配線とを電気的に接続する接続部材と、 上記半導体チップ及び接続部材を上記チップ搭載用基板
    の上面側で封止するための封止樹脂と、 上記チップ搭載用基板に形成された貫通穴及び貫通溝の
    うち少なくともいずれか一方を含む封止用貫通部とを備
    えるとともに、 上記封止用貫通部には上記封止樹脂が充填されているこ
    とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置
    において、 上記絶縁基板に形成された配線用貫通穴をさらに備え、 上記配線は、上記配線用貫通穴を経て上記ベース絶縁基
    板の上面から下面まで延びており、 上記外部接続端子は、上記配線のうち上記絶縁基板の下
    面側に延びている領域の一部であることを特徴とする樹
    脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置
    において、 上記絶縁基板の上面の配線の直下方に位置する上記絶縁
    基板を除去して形成された端子用貫通穴をさらに備え、 上記外部接続端子は、上記端子用貫通穴内における上記
    配線の裏面上に形成されて上記絶縁基板の下面よりも下
    方に突出する金属ボールであることを特徴とする樹脂封
    止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 請求項１〜３のうちいずれか１つに記載
    の樹脂封止型半導体装置において、 上記半導体チップを、上記電極パッドが設けられた面を
    上方に向けた状態で上記チップ搭載用基板の上面に固着
    するための複数の点状の接着剤層をさらに備え、 上記接続部材は、上記半導体チップの電極パッドと上記
    配線とを接続する金属細線であり、 上記封止樹脂は、上記半導体チップとチップ搭載用基板
    との間にも介在しており、 上記封止用貫通部は、上記半導体チップの直下方に位置
    するチップ搭載用基板を貫通する貫通穴を少なくとも含
    むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  5. 【請求項５】 請求項１〜３のうちいずれか１つに記載
    の樹脂封止型半導体装置において、 上記半導体チップは、上記電極パッドが設けられた面を
    下方に向けた状態で上記チップ搭載用基板の上に搭載さ
    れており、 上記封止樹脂は、上記半導体チップとチップ搭載用基板
    との間にも介在しており、 上記封止用貫通部は、上記半導体チップの直下方に位置
    するチップ搭載用基板を貫通する貫通穴を少なくとも含
    むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  6. 【請求項６】 請求項１，２，４又は５に記載の樹脂封
    止型半導体装置において、 上記チップ搭載用基板の裏面に設けられ、実装強度を補
    強するための補強ランド部をさらに備え、 上記封止用貫通部は、上記補強ランド部の周辺部に設け
    られていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６のうちいずれか１つに記載
    の樹脂封止型半導体装置において、 上記封止用貫通部の断面積は、上記チップ搭載用基板の
    下面に開口する部分では他の部分よりも拡大されている
    ことを特徴とする樹脂封止型装置。
  8. 【請求項８】 請求項１〜７のうちいずれか１つに記載
    の樹脂封止型半導体装置において、 上記封止用貫通部は、径が０．２〜２．０φの貫通穴で
    あることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  9. 【請求項９】 絶縁基板，該絶縁基板の少なくとも上面
    に形成された配線，及び該配線に接続される外部接続端
    子を有し、上記外部接続端子を裏面側に露出させるとと
    もに、封止用貫通穴を有するチップ搭載用基板を用意す
    る第１の工程と、 電極パッドを有する複数の半導体チップを上記チップ搭
    載用基板の上面の上に搭載し、上記電極パッドと上記配
    線とを接続部材により電気的に接続する第２の工程と、 封止金型のキャビティー凹部に上記半導体チップを入り
    込ませ、かつ、上記チップ搭載用基板の裏面と上記封止
    金型の上記キャビティー凹部に対向する金型面との間に
    封止テープを介在させた状態で樹脂封止を行なう第３の
    工程と、 上記封止テープを除去し、上記チップ搭載用基板及び封
    止樹脂を半導体チップごとに切断する第４の工程とを備
    え、 上記封止樹脂が充填された上記封止用貫通穴の少なくと
    も一部を残存させてなる樹脂封止型半導体装置を得るこ
    とを特徴とする樹脂封止型装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載の樹脂封止型半導体装
    置の製造方法において、 上記第３の工程では、上記複数の半導体チップを共通に
    収納するためのキャビティー凹部を有する封止金型を用
    いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の樹脂封止型半導体
    装置の製造方法において、 上記第３の工程では、上記チップ搭載用基板上の上記各
    半導体チップの境界部分を押圧する押圧ブロックをキャ
    ビティー凹部に設けてなる封止金型を用いることを特徴
    とする樹脂封止型半導体装置造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１０に記載の樹脂封止型半導体
    装置の製造方法において、 上記第３の工程では、上記キャビティー凹部に対向する
    金型面のうちキャビティー凹部内の外縁付近の領域に対
    向する領域に沿って形成された溝を有する封止金型を用
    いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
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