JP2000106410A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 消費電力が高い仕様の半導体素子を用いてフ
リップチップ実装した場合、急激な半導体素子の温度上
昇により半導体素子が破壊し、半導体装置が動作しなく
なるといった不具合を解消する。 【解決手段】 半導体キャリア基板４の半導体素子実装
エリアにフリップチップで実装した半導体素子２を支持
し、半導体キャリア基板４の上面に複数の電極７と配線
１２を形成した半導体装置であって、半導体キャリア基
板４の上面の複数の電極７と配線１２以外の部分に、熱
伝導性が良好な金属をめっきした金属めっき放熱エリア
１と、半導体素子実装エリアから金属めっき放熱エリア
１に導く金属めっき放熱パターン３とを設けた。これに
より、動作時に発熱する半導体素子２からの熱をプリン
ト実装基板へ効率良く放散させることができ、熱抵抗の
低い半導体装置を実現できる。
リップチップ実装した場合、急激な半導体素子の温度上
昇により半導体素子が破壊し、半導体装置が動作しなく
なるといった不具合を解消する。 【解決手段】 半導体キャリア基板４の半導体素子実装
エリアにフリップチップで実装した半導体素子２を支持
し、半導体キャリア基板４の上面に複数の電極７と配線
１２を形成した半導体装置であって、半導体キャリア基
板４の上面の複数の電極７と配線１２以外の部分に、熱
伝導性が良好な金属をめっきした金属めっき放熱エリア
１と、半導体素子実装エリアから金属めっき放熱エリア
１に導く金属めっき放熱パターン３とを設けた。これに
より、動作時に発熱する半導体素子２からの熱をプリン
ト実装基板へ効率良く放散させることができ、熱抵抗の
低い半導体装置を実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、フリップチップ
で実装した半導体素子を支持する半導体キャリア基板に
関するもので、特に、動作時に発熱する前記半導体素子
からの放熱性の効果を向上させることに特徴を有する半
導体装置に関するものである。
で実装した半導体素子を支持する半導体キャリア基板に
関するもので、特に、動作時に発熱する前記半導体素子
からの放熱性の効果を向上させることに特徴を有する半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、図面を参照して従来の半導体装置
の構造を説明する。図６および図７は従来の半導体装置
の断面図および平面図である。図６に示す様に、電極パ
ッド５にバンプ６の形成された半導体素子２が、その主
面側を下にして、支持体であるセラミックを絶縁基体と
した多層回路基板よりなる半導体キャリア基板４に接合
されている。半導体素子２上に形成されたバンプ６と半
導体キャリア基板４上の複数の電極７とが半田或いは、
導電性接着剤８により接合されている。そして、接合さ
れた半導体素子２と半導体キャリア基板４との隙間には
エポキシ系の封止樹脂９が充填被覆されている。尚、半
導体キャリア基板４は、その裏面に外部端子１１を有
し、電極５と外部端子１１とは、半導体キャリア基板４
内に形成されたビア（図示せず）により、内部接続され
ているものである。また、図７に示す様に、半導体キャ
リア基板４上面には、半導体素子２がフリップチップ実
装されており、その周囲には、エポキシ系の封止樹脂７
が半導体素子２と半導体キャリア基板４との隙間に充填
されてフィレットが形成されおり、内層に接続するため
の金属配線１２が形成されているものである。製品状態
としては、半導体素子２裏面の露出側にエポキシ系のマ
ークインク１０で品番・密番等を捺印している半導体装
置である。
の構造を説明する。図６および図７は従来の半導体装置
の断面図および平面図である。図６に示す様に、電極パ
ッド５にバンプ６の形成された半導体素子２が、その主
面側を下にして、支持体であるセラミックを絶縁基体と
した多層回路基板よりなる半導体キャリア基板４に接合
されている。半導体素子２上に形成されたバンプ６と半
導体キャリア基板４上の複数の電極７とが半田或いは、
導電性接着剤８により接合されている。そして、接合さ
れた半導体素子２と半導体キャリア基板４との隙間には
エポキシ系の封止樹脂９が充填被覆されている。尚、半
導体キャリア基板４は、その裏面に外部端子１１を有
し、電極５と外部端子１１とは、半導体キャリア基板４
内に形成されたビア（図示せず）により、内部接続され
ているものである。また、図７に示す様に、半導体キャ
リア基板４上面には、半導体素子２がフリップチップ実
装されており、その周囲には、エポキシ系の封止樹脂７
が半導体素子２と半導体キャリア基板４との隙間に充填
されてフィレットが形成されおり、内層に接続するため
の金属配線１２が形成されているものである。製品状態
としては、半導体素子２裏面の露出側にエポキシ系のマ
ークインク１０で品番・密番等を捺印している半導体装
置である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の半導体装置の構造では、消費電力が高い仕様の半導体
素子を用いてフリップチップ実装した場合、急激な半導
体素子の温度上昇により半導体素子が破壊し、半導体装
置が動作しなくなるといった不具合が発生する。そのた
め、高放熱仕様の半導体装置の実現が必要不可欠であっ
た。また、放熱板等を取り付けると半導体素子の温度上
昇は小さく半導体装置の動作不良は発生しないが、半導
体装置の薄型化や軽量化の実現ができなくなるといった
技術的な課題が発生する。
の半導体装置の構造では、消費電力が高い仕様の半導体
素子を用いてフリップチップ実装した場合、急激な半導
体素子の温度上昇により半導体素子が破壊し、半導体装
置が動作しなくなるといった不具合が発生する。そのた
め、高放熱仕様の半導体装置の実現が必要不可欠であっ
た。また、放熱板等を取り付けると半導体素子の温度上
昇は小さく半導体装置の動作不良は発生しないが、半導
体装置の薄型化や軽量化の実現ができなくなるといった
技術的な課題が発生する。
【０００４】したがって、この発明の目的は、前記従来
の課題を解決するもので、半導体素子より発生する熱の
放熱特性を向上させることはもちろん、半導体装置の薄
型化、軽量化も実現、確保でき、また放熱板の取り付け
も可能にした半導体装置を提供することである。
の課題を解決するもので、半導体素子より発生する熱の
放熱特性を向上させることはもちろん、半導体装置の薄
型化、軽量化も実現、確保でき、また放熱板の取り付け
も可能にした半導体装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
にこの発明の請求項１記載の半導体装置は、半導体キャ
リア基板の半導体素子実装エリアにフリップチップで実
装した半導体素子を支持し、半導体キャリア基板の上面
に複数の電極と配線を形成した半導体装置であって、半
導体キャリア基板の上面の複数の電極と配線以外の部分
に、熱伝導性が良好な金属をめっきした金属めっき放熱
エリアと、半導体素子実装エリアから金属めっき放熱エ
リアに導く金属めっき放熱パターンとを設けたことを特
徴とする。
にこの発明の請求項１記載の半導体装置は、半導体キャ
リア基板の半導体素子実装エリアにフリップチップで実
装した半導体素子を支持し、半導体キャリア基板の上面
に複数の電極と配線を形成した半導体装置であって、半
導体キャリア基板の上面の複数の電極と配線以外の部分
に、熱伝導性が良好な金属をめっきした金属めっき放熱
エリアと、半導体素子実装エリアから金属めっき放熱エ
リアに導く金属めっき放熱パターンとを設けたことを特
徴とする。
【０００６】このように、半導体キャリア基板の上面の
複数の電極と配線以外の部分に、熱伝導性が良好な金属
をめっきした金属めっき放熱エリアと、半導体素子実装
エリアから金属めっき放熱エリアに導く金属めっき放熱
パターンとを設けたので、動作時に発熱する半導体素子
からの熱をプリント実装基板へ効率良く放散させること
ができ、熱抵抗の低い半導体装置を実現できる。
複数の電極と配線以外の部分に、熱伝導性が良好な金属
をめっきした金属めっき放熱エリアと、半導体素子実装
エリアから金属めっき放熱エリアに導く金属めっき放熱
パターンとを設けたので、動作時に発熱する半導体素子
からの熱をプリント実装基板へ効率良く放散させること
ができ、熱抵抗の低い半導体装置を実現できる。
【０００７】請求項２記載の半導体装置は、請求項１に
おいて、金属めっき放熱エリアに形成した金属めっき放
熱層の厚みは、半導体素子の厚みと同等以下である。こ
のように、金属めっき放熱エリアに形成した金属めっき
放熱層の厚みは、半導体素子の厚みと同等以下であるの
で、半導体装置の薄型化に寄与することができる。請求
項３記載の半導体装置は、請求項１において、金属めっ
き放熱エリアに形成した金属めっき放熱層の外周部を半
導体素子の上面レベルまで形成した。このように、金属
めっき放熱エリアに形成した金属めっき放熱層の外周部
を半導体素子の上面レベルまで形成したので、金属めっ
き放熱層の体積の増加によりさらに放熱性が向上する。
また、金属めっき放熱層の外周部と半導体素子の上面が
面一になっているので放熱板の取付けが可能になる。
おいて、金属めっき放熱エリアに形成した金属めっき放
熱層の厚みは、半導体素子の厚みと同等以下である。こ
のように、金属めっき放熱エリアに形成した金属めっき
放熱層の厚みは、半導体素子の厚みと同等以下であるの
で、半導体装置の薄型化に寄与することができる。請求
項３記載の半導体装置は、請求項１において、金属めっ
き放熱エリアに形成した金属めっき放熱層の外周部を半
導体素子の上面レベルまで形成した。このように、金属
めっき放熱エリアに形成した金属めっき放熱層の外周部
を半導体素子の上面レベルまで形成したので、金属めっ
き放熱層の体積の増加によりさらに放熱性が向上する。
また、金属めっき放熱層の外周部と半導体素子の上面が
面一になっているので放熱板の取付けが可能になる。
【０００８】請求項４記載の半導体装置は、請求項１，
２または３において、金属めっき放熱エリアに形成した
金属めっき放熱層の断面形状を、波形や凹凸形として表
面積を大きくした。このように、金属めっき放熱エリア
に形成した金属めっき放熱層の断面形状を、波形や凹凸
形として表面積を大きくしたので、放熱性の向上を図る
ことができる。
２または３において、金属めっき放熱エリアに形成した
金属めっき放熱層の断面形状を、波形や凹凸形として表
面積を大きくした。このように、金属めっき放熱エリア
に形成した金属めっき放熱層の断面形状を、波形や凹凸
形として表面積を大きくしたので、放熱性の向上を図る
ことができる。
【０００９】請求項５記載の半導体装置は、請求項３ま
たは４において、金属めっき放熱エリアに形成した金属
めっき放熱層の上面に接し、かつ半導体素子の裏面と接
触させて放熱板を取付けた。このように、金属めっき放
熱エリアに形成した金属めっき放熱層の上面に接し、か
つ半導体素子の裏面と接触させて放熱板を取付けたの
で、半導体素子裏面のみでなく、半導体素子と金属めっ
き放熱層とを接触させることにより、発熱する半導体素
子からの熱を効率良く放散させることができ、優れた放
熱効果を有する。
たは４において、金属めっき放熱エリアに形成した金属
めっき放熱層の上面に接し、かつ半導体素子の裏面と接
触させて放熱板を取付けた。このように、金属めっき放
熱エリアに形成した金属めっき放熱層の上面に接し、か
つ半導体素子の裏面と接触させて放熱板を取付けたの
で、半導体素子裏面のみでなく、半導体素子と金属めっ
き放熱層とを接触させることにより、発熱する半導体素
子からの熱を効率良く放散させることができ、優れた放
熱効果を有する。
【００１０】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施の形態を図
１および図２に基づいて説明する。図１はこの発明の第
１の実施の形態の半導体装置の断面図である。図１にお
いて、１は金属めっき放熱エリア、２は半導体素子、３
は金属めっき放熱パターン、４は半導体キャリア基板、
５は電極パッド、６はバンプ、７はキャリアの電極、８
は半田或いは導電性接着剤、９はエポキシ系封止樹脂、
１０はエポキシ系マークインク、１１は外部端子、１２
は金属配線である。
１および図２に基づいて説明する。図１はこの発明の第
１の実施の形態の半導体装置の断面図である。図１にお
いて、１は金属めっき放熱エリア、２は半導体素子、３
は金属めっき放熱パターン、４は半導体キャリア基板、
５は電極パッド、６はバンプ、７はキャリアの電極、８
は半田或いは導電性接着剤、９はエポキシ系封止樹脂、
１０はエポキシ系マークインク、１１は外部端子、１２
は金属配線である。
【００１１】この半導体装置は、半導体素子２と、半導
体素子２を支持しかつ半導体素子２からの熱放散性を向
上させた半導体キャリア基板４とを備えている。半導体
素子２は、電極パッド５にバンプ６が形成されている。
半導体キャリア基板４は、支持体であるセラミックを絶
縁基体とした多層回路基板より成り、その底面に格子状
に配列された外部端子１１を有し、上面に複数の電極７
と金属配線１２を有する。電極７と外部端子１１とは半
導体キャリア基板４内に形成されたビア（図示せず）に
より内部に接続されている。金属配線１２は内層に接続
するためのものである。また、半導体キャリア基板４の
上面の複数の電極７、配線１２以外の部分に、表面外周
部にＣｕ等の熱伝導性が良好な金属メッキ放熱エリア１
と、半導体素子２の実装領域内側から金属めっき放熱エ
リア１へ導くもう一つの金属めっき放熱パターン３とが
設けてある。金属めっき放熱エリア１に形成した金属め
っき放熱層の厚みは、半導体素子２の厚みと同等以下で
設計する。
体素子２を支持しかつ半導体素子２からの熱放散性を向
上させた半導体キャリア基板４とを備えている。半導体
素子２は、電極パッド５にバンプ６が形成されている。
半導体キャリア基板４は、支持体であるセラミックを絶
縁基体とした多層回路基板より成り、その底面に格子状
に配列された外部端子１１を有し、上面に複数の電極７
と金属配線１２を有する。電極７と外部端子１１とは半
導体キャリア基板４内に形成されたビア（図示せず）に
より内部に接続されている。金属配線１２は内層に接続
するためのものである。また、半導体キャリア基板４の
上面の複数の電極７、配線１２以外の部分に、表面外周
部にＣｕ等の熱伝導性が良好な金属メッキ放熱エリア１
と、半導体素子２の実装領域内側から金属めっき放熱エ
リア１へ導くもう一つの金属めっき放熱パターン３とが
設けてある。金属めっき放熱エリア１に形成した金属め
っき放熱層の厚みは、半導体素子２の厚みと同等以下で
設計する。
【００１２】製造時において、半導体素子２はその主面
側を下にして半導体キャリア基板４に接続される。すな
わち、半導体素子２上に形成されたバンプ６と半導体キ
ャリア基板４上の複数の電極７とが半田或いは導電性接
着剤８等により接続されている。そして、接続された半
導体素子２と半導体キャリア基板４との隙間にはエポキ
シ系の封止樹脂９が充填されている。製品状態として
は、半導体素子２の裏面の露出面にエポキシ系のマーク
インク１０で品番や密番等が捺印されている半導体装置
である。
側を下にして半導体キャリア基板４に接続される。すな
わち、半導体素子２上に形成されたバンプ６と半導体キ
ャリア基板４上の複数の電極７とが半田或いは導電性接
着剤８等により接続されている。そして、接続された半
導体素子２と半導体キャリア基板４との隙間にはエポキ
シ系の封止樹脂９が充填されている。製品状態として
は、半導体素子２の裏面の露出面にエポキシ系のマーク
インク１０で品番や密番等が捺印されている半導体装置
である。
【００１３】図２はこの発明の第１の実施の形態の半導
体装置の平面図である。図２に示すように、金属メッキ
放熱エリア１と金属メッキ放熱パターン３を設けた半導
体キャリア基板４上に、半導体素子２がフリップチップ
実装されており、半導体素子２の裏面が露出しているも
のである。以上のようにこの実施の形態によれば、フリ
ップチップで実装した半導体素子２を支持する半導体キ
ャリア基板４の上面に、熱伝導性が良好な金属めっき放
熱層を形成したことから、動作時に発熱する半導体素子
からの熱をプリント実装基板へ効率良く放散させること
ができ、熱抵抗の低い半導体装置を実現できる。
体装置の平面図である。図２に示すように、金属メッキ
放熱エリア１と金属メッキ放熱パターン３を設けた半導
体キャリア基板４上に、半導体素子２がフリップチップ
実装されており、半導体素子２の裏面が露出しているも
のである。以上のようにこの実施の形態によれば、フリ
ップチップで実装した半導体素子２を支持する半導体キ
ャリア基板４の上面に、熱伝導性が良好な金属めっき放
熱層を形成したことから、動作時に発熱する半導体素子
からの熱をプリント実装基板へ効率良く放散させること
ができ、熱抵抗の低い半導体装置を実現できる。
【００１４】また、このように、金属めっき放熱層の厚
みは、半導体素子２の厚みと同等以下であるので、半導
体装置の薄型化が実現できる。また、金属めっき放熱層
の表面を波形や凹凸状に形成することにより、表面積が
大きくなり、放熱性の向上を図ることができる。図３〜
図５はこの発明のそれぞれ別の実施の形態を示す。な
お、同様の部材には同一符号を付してその説明を省略す
る。
みは、半導体素子２の厚みと同等以下であるので、半導
体装置の薄型化が実現できる。また、金属めっき放熱層
の表面を波形や凹凸状に形成することにより、表面積が
大きくなり、放熱性の向上を図ることができる。図３〜
図５はこの発明のそれぞれ別の実施の形態を示す。な
お、同様の部材には同一符号を付してその説明を省略す
る。
【００１５】図３はこの発明の第２の実施の形態の半導
体装置を示す断面図である。この実施の形態では、金属
めっき放熱エリア１に形成された金属めっき放熱層の外
周部１ａを半導体素子２の上面レベルまで形成してあ
る。この場合、外周部１ａの層上面に凹凸が形成してあ
る。そして、金属めっき放熱エリア１を形成した半導体
キャリア基板４とフリップチップ実装された半導体素子
２との隙間にエポキシ系の封止樹脂９を塗布させ、金属
めっき放熱エリア１の外周部１ａの層上面と半導体素子
２の上面までエポキシ系封止樹脂９が充填被覆されてい
る。以上のようにこの実施の形態によれば、金属めっき
放熱層の体積の増加および外周部１ａの層上面の凹凸に
よりさらに放熱性が向上する。また、金属めっき放熱層
の外周部１ａと半導体素子２の上面が面一になっている
ので後述の放熱板の取付けが可能になる。
体装置を示す断面図である。この実施の形態では、金属
めっき放熱エリア１に形成された金属めっき放熱層の外
周部１ａを半導体素子２の上面レベルまで形成してあ
る。この場合、外周部１ａの層上面に凹凸が形成してあ
る。そして、金属めっき放熱エリア１を形成した半導体
キャリア基板４とフリップチップ実装された半導体素子
２との隙間にエポキシ系の封止樹脂９を塗布させ、金属
めっき放熱エリア１の外周部１ａの層上面と半導体素子
２の上面までエポキシ系封止樹脂９が充填被覆されてい
る。以上のようにこの実施の形態によれば、金属めっき
放熱層の体積の増加および外周部１ａの層上面の凹凸に
よりさらに放熱性が向上する。また、金属めっき放熱層
の外周部１ａと半導体素子２の上面が面一になっている
ので後述の放熱板の取付けが可能になる。
【００１６】図４はこの発明の第３の実施の形態の半導
体装置を示す断面図、図５はこの発明の第３の実施の形
態の半導体装置の変形例である。この実施の形態では、
図４に示すように、金属めっき放熱エリア１に形成され
た金属めっき放熱層の形状は第２の実施の形態と同様で
ある。また、金属めっき放熱エリア１の上面と半導体素
子２の上面とを熱伝導性が良好で且つ軽量化が図れる金
属等の放熱板１３で接触させ、その隙間には放熱用の接
着材１４を塗布して接合させている。なお、放熱板１３
を取り付ける場合は、放熱用の接着剤１４を用いること
から、金属めっき放熱層の上面部の形状は、凹凸形状で
も図５に示すようなフラット形状でも取り付け可能であ
る。また、放熱板１３の取り付けにより、半導体素子２
の裏面への捺印は、放熱板１３上面に捺印することがで
きるものである。以上のようにこの実施の形態によれ
ば、金属めっき放熱エリア１に形成した金属めっき放熱
層の上面に接し、かつ半導体素子２の裏面と接触させて
放熱板１３を取付けたので、半導体素子裏面のみでな
く、半導体素子２と金属めっき放熱層とを接触させるこ
とにより、発熱する半導体素子２からの熱を効率良く放
散させることができ、優れた放熱効果を有する。
体装置を示す断面図、図５はこの発明の第３の実施の形
態の半導体装置の変形例である。この実施の形態では、
図４に示すように、金属めっき放熱エリア１に形成され
た金属めっき放熱層の形状は第２の実施の形態と同様で
ある。また、金属めっき放熱エリア１の上面と半導体素
子２の上面とを熱伝導性が良好で且つ軽量化が図れる金
属等の放熱板１３で接触させ、その隙間には放熱用の接
着材１４を塗布して接合させている。なお、放熱板１３
を取り付ける場合は、放熱用の接着剤１４を用いること
から、金属めっき放熱層の上面部の形状は、凹凸形状で
も図５に示すようなフラット形状でも取り付け可能であ
る。また、放熱板１３の取り付けにより、半導体素子２
の裏面への捺印は、放熱板１３上面に捺印することがで
きるものである。以上のようにこの実施の形態によれ
ば、金属めっき放熱エリア１に形成した金属めっき放熱
層の上面に接し、かつ半導体素子２の裏面と接触させて
放熱板１３を取付けたので、半導体素子裏面のみでな
く、半導体素子２と金属めっき放熱層とを接触させるこ
とにより、発熱する半導体素子２からの熱を効率良く放
散させることができ、優れた放熱効果を有する。
【００１７】なお、図１において、金属めっき放熱エリ
ア１に形成した金属めっき放熱層の断面形状を、波形ま
たは凹凸形として表面積を大きくしてもよい。また、図
３および図４において、金属めっき放熱エリア１の外周
部１ａの層上面を凹凸形としたが波形にしてもよい。
ア１に形成した金属めっき放熱層の断面形状を、波形ま
たは凹凸形として表面積を大きくしてもよい。また、図
３および図４において、金属めっき放熱エリア１の外周
部１ａの層上面を凹凸形としたが波形にしてもよい。
【００１８】
【発明の効果】この発明の半導体装置によれば、半導体
キャリア基板の上面の複数の電極と配線以外の部分に、
熱伝導性が良好な金属をめっきした金属めっき放熱エリ
アと、半導体素子実装エリアから金属めっき放熱エリア
に導く金属めっき放熱パターンとを設けたので、動作時
に発熱する半導体素子からの熱をプリント実装基板へ効
率良く放散させることができ、熱抵抗の低い半導体装置
を実現できる。
キャリア基板の上面の複数の電極と配線以外の部分に、
熱伝導性が良好な金属をめっきした金属めっき放熱エリ
アと、半導体素子実装エリアから金属めっき放熱エリア
に導く金属めっき放熱パターンとを設けたので、動作時
に発熱する半導体素子からの熱をプリント実装基板へ効
率良く放散させることができ、熱抵抗の低い半導体装置
を実現できる。
【００１９】請求項２では、金属めっき放熱エリアに形
成した金属めっき放熱層の厚みは、半導体素子の厚みと
同等以下であるので、半導体装置の薄型化に寄与するこ
とができる。請求項３では、金属めっき放熱エリアに形
成した金属めっき放熱層の外周部を半導体素子の上面レ
ベルまで形成したので、金属めっき放熱層の体積の増加
によりさらに放熱性が向上する。また、金属めっき放熱
層の外周部と半導体素子の上面が面一になっているので
放熱板の取付けが可能になる。
成した金属めっき放熱層の厚みは、半導体素子の厚みと
同等以下であるので、半導体装置の薄型化に寄与するこ
とができる。請求項３では、金属めっき放熱エリアに形
成した金属めっき放熱層の外周部を半導体素子の上面レ
ベルまで形成したので、金属めっき放熱層の体積の増加
によりさらに放熱性が向上する。また、金属めっき放熱
層の外周部と半導体素子の上面が面一になっているので
放熱板の取付けが可能になる。
【００２０】請求項４では、金属めっき放熱エリアに形
成した金属めっき放熱層の断面形状を、波形や凹凸形と
して表面積を大きくしたので、放熱性の向上を図ること
ができる。請求項５では、金属めっき放熱エリアに形成
した金属めっき放熱層の上面に接し、かつ半導体素子の
裏面と接触させて放熱板を取付けたので、半導体素子裏
面のみでなく、半導体素子と金属めっき放熱層とを接触
させることにより、発熱する半導体素子からの熱を効率
良く放散させることができ、優れた放熱効果を有する。
成した金属めっき放熱層の断面形状を、波形や凹凸形と
して表面積を大きくしたので、放熱性の向上を図ること
ができる。請求項５では、金属めっき放熱エリアに形成
した金属めっき放熱層の上面に接し、かつ半導体素子の
裏面と接触させて放熱板を取付けたので、半導体素子裏
面のみでなく、半導体素子と金属めっき放熱層とを接触
させることにより、発熱する半導体素子からの熱を効率
良く放散させることができ、優れた放熱効果を有する。
【図１】この発明の第１の実施の形態の半導体装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態の半導体装置を示
す平面図である。
す平面図である。
【図３】この発明の第２の実施の形態の半導体装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】この発明の第３の実施の形態の半導体装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】この発明の第３の実施の形態の半導体装置の変
形例を示す断面図である。
形例を示す断面図である。
【図６】従来例の半導体装置を示す断面図である。
【図７】従来例の半導体装置を示す平面図である。
１ 金属めっき放熱エリア ２ 半導体素子 ３ 金属めっき放熱パターン ４ 半導体キャリア基板 ５ 電極パッド ６ バンプ ７ キャリアの電極 ８ 半田或いは導電性接着剤 ９ エポキシ系封止樹脂 １０ エポキシ系マークインク １１ 外部端子 １２ 金属配線 １３ 放熱板 １４ 放熱用の接着材
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体キャリア基板の半導体素子実装エ
リアにフリップチップで実装した半導体素子を支持し、
前記半導体キャリア基板の上面に複数の電極と配線を形
成した半導体装置であって、前記半導体キャリア基板の
上面の前記複数の電極と配線以外の部分に、熱伝導性が
良好な金属をめっきした金属めっき放熱エリアと、前記
半導体素子実装エリアから前記金属めっき放熱エリアに
導く金属めっき放熱パターンとを設けたことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】 金属めっき放熱エリアに形成した金属め
っき放熱層の厚みは、半導体素子の厚みと同等以下であ
る請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 金属めっき放熱エリアに形成した金属め
っき放熱層の外周部を半導体素子の上面レベルまで形成
した請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 金属めっき放熱エリアに形成した金属め
っき放熱層の断面形状を、波形または凹凸形として表面
積を大きくした請求項１，２または３記載の半導体装
置。 - 【請求項５】 金属めっき放熱エリアに形成した金属め
っき放熱層の上面に接し、かつ半導体素子の裏面と接触
させて放熱板を取付けた請求項３または４記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27341198A JP3519285B2 (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27341198A JP3519285B2 (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000106410A true JP2000106410A (ja) | 2000-04-11 |
| JP3519285B2 JP3519285B2 (ja) | 2004-04-12 |
Family
ID=17527525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27341198A Expired - Fee Related JP3519285B2 (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3519285B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020027148A (ko) * | 2000-10-05 | 2002-04-13 | 다카노 야스아키 | 반도체 장치 및 반도체 모듈 |
| WO2004015767A1 (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-19 | Infineon Technologies Ag | Heat dissipation device for integrated circuits |
| WO2008117434A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Fujitsu Limited | 半導体部品および半導体部品の製造方法 |
| CN100431161C (zh) * | 2000-10-16 | 2008-11-05 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发光二极管模块 |
| JP2010103244A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7728440B2 (en) | 2003-02-03 | 2010-06-01 | Nec Electronics Corporation | Warp-suppressed semiconductor device |
| JP2011222818A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Yokogawa Electric Corp | 半導体デバイスの冷却構造 |
| JP2012182376A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Stanley Electric Co Ltd | 波長変換部材および光源装置 |
-
1998
- 1998-09-28 JP JP27341198A patent/JP3519285B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020027148A (ko) * | 2000-10-05 | 2002-04-13 | 다카노 야스아키 | 반도체 장치 및 반도체 모듈 |
| CN100431161C (zh) * | 2000-10-16 | 2008-11-05 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发光二极管模块 |
| WO2004015767A1 (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-19 | Infineon Technologies Ag | Heat dissipation device for integrated circuits |
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| WO2008117434A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Fujitsu Limited | 半導体部品および半導体部品の製造方法 |
| US7999374B2 (en) | 2007-03-27 | 2011-08-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor component having adhesive squeeze-out prevention configuration and method of manufacturing the same |
| US8421219B2 (en) | 2007-03-27 | 2013-04-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor component having adhesive squeeze-out prevention configuration and method of manufacturing the same |
| JP2010103244A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8334591B2 (en) | 2008-10-22 | 2012-12-18 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2011222818A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Yokogawa Electric Corp | 半導体デバイスの冷却構造 |
| JP2012182376A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Stanley Electric Co Ltd | 波長変換部材および光源装置 |
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|---|---|
| JP3519285B2 (ja) | 2004-04-12 |
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