JP2011222818A - 半導体デバイスの冷却構造 - Google Patents
半導体デバイスの冷却構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011222818A JP2011222818A JP2010091445A JP2010091445A JP2011222818A JP 2011222818 A JP2011222818 A JP 2011222818A JP 2010091445 A JP2010091445 A JP 2010091445A JP 2010091445 A JP2010091445 A JP 2010091445A JP 2011222818 A JP2011222818 A JP 2011222818A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat transfer
- semiconductor device
- heat
- circuit board
- printed circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】プリント基板上に実装された半導体デバイスの冷却構造において、冷却流体が流れる水冷パイプを有し、第1の接触面と第2の接触面からの熱を冷却流体に伝える伝熱プレートと、プリント基板に設けられ、半導体デバイスの熱を伝える伝熱用パターンと、半導体デバイスの上面と伝熱プレートの第1の接触面との間隙に設けられた第1の伝熱材と、伝熱用パターンと伝熱プレートの第2の接触面との間隙に設けられた第2の伝熱材とを備える。
【選択図】 図1
Description
図3において、プリント基板1は、ガラスエポキシ等で構成され、銅などの金属で配線パターンが形成されている。半導体デバイス2は、IC(Integrated Circuit)等であり、動作時にかなりの熱を発する発熱体である。伝熱プレート3は、冷却水が流れる水冷パイプ3aを有しており、外部から入ってきた熱をこの冷却水に伝える。伝熱材4は、柔軟性のあるシリコン材料、または、伝熱性グリスであり、半導体デバイスの上面、すなわち、プリント基板1と接触する面とは反対側の面と伝熱プレート3との間隙に設けられる。また、伝熱材4は、半導体デバイスの上面および伝熱プレート3にそれぞれ接触している。
半導体デバイス2から発生した熱は、伝熱材4を介して伝熱プレート3へ伝えられる。伝熱プレート3は、半導体デバイス2からの熱を、水冷パイプ3aに流れる冷却水へ伝える。これにより、半導体デバイス2の冷却が行われる。
プリント基板上に実装された半導体デバイスの冷却構造において、
冷却流体が流れる水冷パイプを有し、第1の接触面と第2の接触面からの熱を前記冷却流体に伝える伝熱プレートと、
前記プリント基板に設けられ、前記半導体デバイスの熱を伝える伝熱用パターンと、
前記半導体デバイスの上面と前記伝熱プレートの前記第1の接触面との間隙に設けられた第1の伝熱材と、
前記伝熱用パターンと前記伝熱プレートの前記第2の接触面との間隙に設けられた第2の伝熱材と
を備えたことを特徴とするものである。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、
前記伝熱用パターンは、
前記プリント基板に設けられ、前記半導体デバイスの基板面と接触する第1の表層パターンと、
前記プリント基板に設けられ、前記第2の伝熱材と接触する第2の表層パターンと、
前記プリント基板の内層に設けられた内層パターンと、
前記第1の表層パターンと前記内層パターン、または、前記第2の表層パターンと前記内層パターンとを接続して熱を伝える伝熱部位と
を有することを特徴とするものである。
請求項3記載の発明は、請求項1または2記載の発明において、
前記第1の伝熱材または前記第2の伝熱材は、
シリコン材料または伝熱性グリスであることを特徴とするものである。
請求項4記載の発明は、請求項2記載の発明において、
前記伝熱部位は、
ピン状の金属部材または前記プリント基板に形成したスルーホールであることを特徴とするものである。
プリント基板上に実装された半導体デバイスの冷却構造において、冷却流体が流れる水冷パイプを有し、第1の接触面と第2の接触面からの熱を冷却流体に伝える伝熱プレートと、プリント基板に設けられ、半導体デバイスの熱を伝える伝熱用パターンと、半導体デバイスの上面と伝熱プレートの第1の接触面との間隙に設けられた第1の伝熱材と、伝熱用パターンと伝熱プレートの第2の接触面との間隙に設けられた第2の伝熱材とを備えたことにより、プリント基板へ伝わっていた半導体デバイスからの熱を伝熱プレート内の水冷パイプを流れる冷却流体に逃がすことができるので、半導体デバイスのプリント基板側への放熱量が大きい場合においても、半導体デバイスを冷却することができる。
[第1の実施例]
図1は、本発明の半導体デバイスの冷却構造の第1の実施例を示した構成図である。ここで、図3と同一のものは同一符号を付し、説明を省略する。図1において、図3に示す構成と異なる点は、プリント基板1の代わりにプリント基板11が設けられている点、プリント基板11に伝熱用パターン12が新たに設けられている点、伝熱プレート3の代わりに伝熱プレート13が設けられている点、および、伝熱材14が新たに設けられている点である。
半導体デバイス2から発生した熱は、伝熱材4を介して接触面13bから伝熱プレート13へ伝えられる。さらに、半導体デバイス2から発生した熱は、プリント基板11の伝熱用パターン12および伝熱材14を介して接触面13cから伝熱プレート13へ伝えられる。接触面13bおよび接触面13cから入ってきた半導体デバイス2からの熱は、水冷パイプ13aに流れる冷却水へ伝えられる。
図2は、本発明の半導体デバイスの冷却構造の第2の実施例を示した構成図である。ここで、図1と同一のものは同一符号を付し、説明を省略する。図2において、図1に示す構成と異なる点は、プリント基板11の代わりにプリント基板15が設けられている点である。
半導体デバイス2から発生した熱は、伝熱材4を介して接触面13bから伝熱プレート13へ伝えられる。さらに、半導体デバイス2から発生した熱は、プリント基板11の表層パターン16および伝熱部位19を介して内層パターン18へ伝えられる。そして、内層パターン18へ伝えられた熱は、伝熱部位19、表層パターン17および伝熱材14を介して接触面13cから伝熱プレート13へ伝えられる。接触面13bおよび接触面13cから入ってきた半導体デバイス2からの熱は、水冷パイプ13aに流れる冷却水へ伝えられる。
2 半導体デバイス
4 伝熱材(第1の伝熱材)
12 伝熱用パターン
13 伝熱プレート
13a 水冷パイプ
13b 接触面(第1の接触面)
13c 接触面(第2の接触面)
14 伝熱材(第2の伝熱材)
16 表層パターン(第1の表層パターン)
17 表層パターン(第2の表層パターン)
18 内層パターン
19 伝熱部位
Claims (4)
- プリント基板上に実装された半導体デバイスの冷却構造において、
冷却流体が流れる水冷パイプを有し、第1の接触面と第2の接触面からの熱を前記冷却流体に伝える伝熱プレートと、
前記プリント基板に設けられ、前記半導体デバイスの熱を伝える伝熱用パターンと、
前記半導体デバイスの上面と前記伝熱プレートの前記第1の接触面との間隙に設けられた第1の伝熱材と、
前記伝熱用パターンと前記伝熱プレートの前記第2の接触面との間隙に設けられた第2の伝熱材と
を備えたことを特徴とする半導体デバイスの冷却構造。 - 前記伝熱用パターンは、
前記プリント基板に設けられ、前記半導体デバイスの基板面と接触する第1の表層パターンと、
前記プリント基板に設けられ、前記第2の伝熱材と接触する第2の表層パターンと、
前記プリント基板の内層に設けられた内層パターンと、
前記第1の表層パターンと前記内層パターン、または、前記第2の表層パターンと前記内層パターンとを接続して熱を伝える伝熱部位と
を有することを特徴とする請求項1記載の半導体デバイスの冷却構造。 - 前記第1の伝熱材または前記第2の伝熱材は、
シリコン材料または伝熱性グリスであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体デバイスの冷却構造。 - 前記伝熱部位は、
ピン状の金属部材または前記プリント基板に形成したスルーホールであることを特徴とする請求項2記載の半導体デバイスの冷却構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010091445A JP2011222818A (ja) | 2010-04-12 | 2010-04-12 | 半導体デバイスの冷却構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010091445A JP2011222818A (ja) | 2010-04-12 | 2010-04-12 | 半導体デバイスの冷却構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011222818A true JP2011222818A (ja) | 2011-11-04 |
Family
ID=45039391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010091445A Pending JP2011222818A (ja) | 2010-04-12 | 2010-04-12 | 半導体デバイスの冷却構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011222818A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000106410A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-11 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置 |
JP2006080333A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2009043978A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2009188192A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | 回路装置 |
-
2010
- 2010-04-12 JP JP2010091445A patent/JP2011222818A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000106410A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-11 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置 |
JP2006080333A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2009043978A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2009188192A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | 回路装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8859908B2 (en) | Package carrier | |
TWI527168B (zh) | 冷卻裝置及使用該冷卻裝置之附冷卻裝置的功率模組 | |
US7274105B2 (en) | Thermal conductive electronics substrate and assembly | |
US8120917B2 (en) | Heat dissipation device | |
JP4279282B2 (ja) | 電子機器用冷却装置 | |
TWI402949B (ja) | ||
WO2012071795A9 (zh) | 带有绝缘微散热器的印刷电路板 | |
JP2014053603A5 (ja) | ||
TW201904365A (zh) | 內建縱向散熱陶瓷塊印刷電路板及具該電路板的電路組件 | |
CN110494018A (zh) | 一种光模块 | |
ATE535017T1 (de) | Hochleistungshalbleitergehäuse mit zweiseitiger kühlung | |
US20090039382A1 (en) | Light emitting diode package structure | |
TWI603441B (zh) | 功率模組及其製造方法 | |
US20080156520A1 (en) | Complex printed circuit board structure | |
JP2011185701A (ja) | 温度検出素子の実装構造 | |
US9420720B2 (en) | Liquid cooling apparatus | |
JP2010206122A (ja) | 放熱装置 | |
JP2009059760A (ja) | 電子回路基板の放熱構造体 | |
JP2011222818A (ja) | 半導体デバイスの冷却構造 | |
KR100756535B1 (ko) | 피씨비 생산 기법을 응용한 고효율 방열기 구조 및 이를이용한 방열기 일체형 열전소자 구조. | |
JP2007188934A (ja) | マルチチップモジュール | |
JP7245626B2 (ja) | 光モジュール | |
US20090213549A1 (en) | Heat sink assembly | |
JP2017130618A (ja) | 電子部品放熱構造 | |
JP2006135202A (ja) | 電子機器の放熱構造 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20121031 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130410 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140204 |