JP2000100915A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP2000100915A JP2000100915A JP27210998A JP27210998A JP2000100915A JP 2000100915 A JP2000100915 A JP 2000100915A JP 27210998 A JP27210998 A JP 27210998A JP 27210998 A JP27210998 A JP 27210998A JP 2000100915 A JP2000100915 A JP 2000100915A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】複雑な機構を設けることなく半導体ウェハー上
の電荷を安定に除電することにある。 【解決手段】半導体製造装置の金属リフトピンと昇降駆
動源との間を金属バネで接続する。 【効果】半導体ウェハーの電荷を、安定かつ容易に除電
を行うことが可能となった。それによって半導体ウェハ
ーの割れ・飛びはねによる搬送エラーを防止することが
できた。
の電荷を安定に除電することにある。 【解決手段】半導体製造装置の金属リフトピンと昇降駆
動源との間を金属バネで接続する。 【効果】半導体ウェハーの電荷を、安定かつ容易に除電
を行うことが可能となった。それによって半導体ウェハ
ーの割れ・飛びはねによる搬送エラーを防止することが
できた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁膜との間に発
生させた静電吸着力により半導体ウェハーを支持する静
電吸着ステージを有する、半導体製造装置の構造に関す
る。
生させた静電吸着力により半導体ウェハーを支持する静
電吸着ステージを有する、半導体製造装置の構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】以下、図５を用いて従来の半導体製造装
置の構造について説明する。図５に示すように、静電吸
着力により半導体ウェハー１を支持する静電吸着ステー
ジ２を有する半導体製造装置において、半導体ウェハー
１を突き上げる複数の金属リフトピン３と、金属リフト
ピン３の昇降をつかさどる昇降駆動源４とが動作時以外
は接触しない構造となっていた。またカソード電極７お
よび絶縁リング６は、静電吸着ステージ２と組み合わせ
ることによって、プラズマを発生させるための電極を形
成するものである。
置の構造について説明する。図５に示すように、静電吸
着力により半導体ウェハー１を支持する静電吸着ステー
ジ２を有する半導体製造装置において、半導体ウェハー
１を突き上げる複数の金属リフトピン３と、金属リフト
ピン３の昇降をつかさどる昇降駆動源４とが動作時以外
は接触しない構造となっていた。またカソード電極７お
よび絶縁リング６は、静電吸着ステージ２と組み合わせ
ることによって、プラズマを発生させるための電極を形
成するものである。
【０００３】次にプラズマ処理（例えばエッチング）終
了後の半導体ウェハーの除電・搬送方法については、ま
ず除電シーケンスとして、図６に示すように、静電吸着
ステージ２上に支持された半導体ウェハー１にチャージ
した電荷８の除電をするため、昇降駆動源４の駆動によ
り金属リフトピン３を上昇させ、半導体ウェハー１の裏
面と接触させることで、金属リフトピン→昇降駆動源の
経路により除電を行っていた。ここで金属リフトピン３
の上昇量については静電吸着ステージ２の表面から、
０．３ミリ→０．６ミリ→１．０ミリと各段階が約１０
秒設定の３段階で突き出すように昇降駆動源４を制御す
る方法を用いていた。
了後の半導体ウェハーの除電・搬送方法については、ま
ず除電シーケンスとして、図６に示すように、静電吸着
ステージ２上に支持された半導体ウェハー１にチャージ
した電荷８の除電をするため、昇降駆動源４の駆動によ
り金属リフトピン３を上昇させ、半導体ウェハー１の裏
面と接触させることで、金属リフトピン→昇降駆動源の
経路により除電を行っていた。ここで金属リフトピン３
の上昇量については静電吸着ステージ２の表面から、
０．３ミリ→０．６ミリ→１．０ミリと各段階が約１０
秒設定の３段階で突き出すように昇降駆動源４を制御す
る方法を用いていた。
【０００４】そして除電終了時点においては、図７に示
すように、半導体ウェハー１は、金属リフトピン３の突
き上げによって、静電吸着ステージ２からわずかに浮い
た状態となっている。この後引き続いて搬送シーケンス
に入り、図８に示すように金属リフトピン３をさらに上
昇させ、半導体ウェハー１を静電吸着ステージ２から完
全に離脱させた後に搬送するという方法をとっていた。
すように、半導体ウェハー１は、金属リフトピン３の突
き上げによって、静電吸着ステージ２からわずかに浮い
た状態となっている。この後引き続いて搬送シーケンス
に入り、図８に示すように金属リフトピン３をさらに上
昇させ、半導体ウェハー１を静電吸着ステージ２から完
全に離脱させた後に搬送するという方法をとっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図５に示
すような従来の構造および方法では、除電シーケンスに
おいて、あまりにシビアな昇降駆動源４の制御が必要で
あったため、半導体ウェハー１の裏面へ金属リフトピン
３を安定して接触させることができないという問題を有
していた。即ち、金属リフトピン３の上昇量が多すぎる
場合、金属リフトピン３の突き上げにより、静電吸着ス
テージ２に吸着されている半導体ウェハー１そのものが
割れてしまうことで搬送エラーを起こしていた。また逆
に、金属リフトピン３の上昇量が少なかった場合は、半
導体ウェハー１上の電荷８の除電が不完全なまま搬送シ
ーケンスに入ることになる。従って、搬送シーケンスに
入って金属リフトピン３がさらに上昇した時、半導体ウ
ェハー１が静電吸着ステージ２から急に引き剥がされる
様な形で飛ばされ、搬送エラーにつながっていた。
すような従来の構造および方法では、除電シーケンスに
おいて、あまりにシビアな昇降駆動源４の制御が必要で
あったため、半導体ウェハー１の裏面へ金属リフトピン
３を安定して接触させることができないという問題を有
していた。即ち、金属リフトピン３の上昇量が多すぎる
場合、金属リフトピン３の突き上げにより、静電吸着ス
テージ２に吸着されている半導体ウェハー１そのものが
割れてしまうことで搬送エラーを起こしていた。また逆
に、金属リフトピン３の上昇量が少なかった場合は、半
導体ウェハー１上の電荷８の除電が不完全なまま搬送シ
ーケンスに入ることになる。従って、搬送シーケンスに
入って金属リフトピン３がさらに上昇した時、半導体ウ
ェハー１が静電吸着ステージ２から急に引き剥がされる
様な形で飛ばされ、搬送エラーにつながっていた。
【０００６】次に図９に示すように、プラズマ処理時
（例えばエッチング）に生成する反応生成物９は、半導
体製造装置の使用とともに、金属リフトピン３の表面、
および昇降駆動源４の表面に付着してしまうという問題
を有していた。この場合、金属リフトピン３と昇降駆動
源４の間が絶縁された状態となり、半導体ウェハー１上
の電荷８の除電が阻害されてしまう。従って除電が不完
全なままで搬送シーケンスに入ることになり、この場合
もまた、搬送シーケンスに入って金属リフトピン３がさ
らに上昇した時、半導体ウェハー１が静電吸着ステージ
２から急に引き剥がされる様な形で飛ばされ、最終的に
搬送エラーを起こしていた。
（例えばエッチング）に生成する反応生成物９は、半導
体製造装置の使用とともに、金属リフトピン３の表面、
および昇降駆動源４の表面に付着してしまうという問題
を有していた。この場合、金属リフトピン３と昇降駆動
源４の間が絶縁された状態となり、半導体ウェハー１上
の電荷８の除電が阻害されてしまう。従って除電が不完
全なままで搬送シーケンスに入ることになり、この場合
もまた、搬送シーケンスに入って金属リフトピン３がさ
らに上昇した時、半導体ウェハー１が静電吸着ステージ
２から急に引き剥がされる様な形で飛ばされ、最終的に
搬送エラーを起こしていた。
【０００７】この対策として、金属リフトピン３、及び
昇降駆動源４表面に付着した反応生成物９を定期的に除
去する必要があった。しかし昇降駆動源４の表面に付着
した反応生成物９の除去には、半導体製造装置の大がか
りな分解が必要で、これには非常に多くの手間と時間を
要し半導体製造装置の稼働率を落とすという欠点につな
がっていた。
昇降駆動源４表面に付着した反応生成物９を定期的に除
去する必要があった。しかし昇降駆動源４の表面に付着
した反応生成物９の除去には、半導体製造装置の大がか
りな分解が必要で、これには非常に多くの手間と時間を
要し半導体製造装置の稼働率を落とすという欠点につな
がっていた。
【０００８】また除電シーケンス自体に約３０秒も必要
であったため、これが律速となって半導体製造装置の処
理能力を落とすという問題も有していた。
であったため、これが律速となって半導体製造装置の処
理能力を落とすという問題も有していた。
【０００９】そこで本発明の目的は、複雑な機構を設け
ることなく半導体装置上の電荷を安定に除電することに
ある。
ることなく半導体装置上の電荷を安定に除電することに
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は半導体ウェハーを絶縁膜との間に発生させ
た静電吸着力によって支持し、かつ搬送時に前記半導体
ウェハーを昇降する複数の金属リフトピンを有する半導
体製造装置において、金属リフトピンが昇降駆動源と金
属バネで接続されている事を特徴とする。
め、本発明は半導体ウェハーを絶縁膜との間に発生させ
た静電吸着力によって支持し、かつ搬送時に前記半導体
ウェハーを昇降する複数の金属リフトピンを有する半導
体製造装置において、金属リフトピンが昇降駆動源と金
属バネで接続されている事を特徴とする。
【００１１】
【作用】以上説明した本発明の半導体製造装置によれ
ば、半導体ウェハーを絶縁膜との間に発生させた静電吸
着力によって支持し、かつ搬送時に前記半導体ウェハー
を昇降する複数の金属リフトピンを有する半導体製造装
置において、金属リフトピンが昇降駆動源と金属バネで
接続されていることで、（１）昇降駆動源のシビアな制
御がなくとも、半導体ウェハー裏面へ金属リフトピンを
安定に接触させることができる。（２）除電は金属リフ
トピン→金属バネ→昇降駆動源の経路で確実に行われる
ため、反応生成物付着の影響を受けない。ことにより安
定した除電を容易に行うことができ、それによって半導
体ウェハーの割れ・飛び跳ねによる搬送エラーを防止す
ることができる。
ば、半導体ウェハーを絶縁膜との間に発生させた静電吸
着力によって支持し、かつ搬送時に前記半導体ウェハー
を昇降する複数の金属リフトピンを有する半導体製造装
置において、金属リフトピンが昇降駆動源と金属バネで
接続されていることで、（１）昇降駆動源のシビアな制
御がなくとも、半導体ウェハー裏面へ金属リフトピンを
安定に接触させることができる。（２）除電は金属リフ
トピン→金属バネ→昇降駆動源の経路で確実に行われる
ため、反応生成物付着の影響を受けない。ことにより安
定した除電を容易に行うことができ、それによって半導
体ウェハーの割れ・飛び跳ねによる搬送エラーを防止す
ることができる。
【００１２】さらに、昇降駆動源表面に付着した反応生
成物の定期的な除去作業も不要となる。ただし金属リフ
トピン表面に付着した反応生成物の除去のみが必要とな
るが、これはプラズマ処理（例えばエッチング）室のク
リーニング時に合わせて簡単に実施できるため、半導体
製造装置の大がかりな分解は必要なく、半導体製造装置
の稼働率を向上することができる。また安定かつ確実な
除電を行うことが出来るようになることで、除電シーケ
ンスも約１５秒と従来の半分に短縮でき半導体製造装置
の処理能力を向上することができる。
成物の定期的な除去作業も不要となる。ただし金属リフ
トピン表面に付着した反応生成物の除去のみが必要とな
るが、これはプラズマ処理（例えばエッチング）室のク
リーニング時に合わせて簡単に実施できるため、半導体
製造装置の大がかりな分解は必要なく、半導体製造装置
の稼働率を向上することができる。また安定かつ確実な
除電を行うことが出来るようになることで、除電シーケ
ンスも約１５秒と従来の半分に短縮でき半導体製造装置
の処理能力を向上することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の半導体製造装置の一実施
例について図１から図４に基づいて説明する。
例について図１から図４に基づいて説明する。
【００１４】図１は本発明の半導体製造装置の構成を示
すものである。プラズマ処理（例えばエッチング）終了
後、静電吸着ステージ２上に支持された半導体ウェハー
１にチャージした電荷の除電は、金属リフトピン３を昇
降駆動源４の駆動により上昇、半導体ウェハー１の裏面
に接触させることで行う。この時の金属リフトピン３の
突き上げ量の設定については、あまり多く突き出すよう
にしてしまうと、半導体ウェハー１が金属リフトピン３
の突き上げにより割れてしまうため、静電吸着ステージ
２の表面から約１．０ミリ程度突き出すくらいの設定に
しておく。
すものである。プラズマ処理（例えばエッチング）終了
後、静電吸着ステージ２上に支持された半導体ウェハー
１にチャージした電荷の除電は、金属リフトピン３を昇
降駆動源４の駆動により上昇、半導体ウェハー１の裏面
に接触させることで行う。この時の金属リフトピン３の
突き上げ量の設定については、あまり多く突き出すよう
にしてしまうと、半導体ウェハー１が金属リフトピン３
の突き上げにより割れてしまうため、静電吸着ステージ
２の表面から約１．０ミリ程度突き出すくらいの設定に
しておく。
【００１５】さらに金属リフトピン３の上昇速度も速す
ぎるとやはり半導体ウェハー１が割れてしまうため、ゆ
っくりとした速度で上昇させる必要がある。さらにまた
金属ばね５についても、ばね定数があまりに大きいばね
を用いた場合、（１）最初の金属リフトピン２の突き上
げ時点で半導体ウェハー１の割れにつながる。（２）も
しくは除電途中において、半導体ウェハー１の飛び跳ね
を引き起こし搬送エラーにつながる。といった不具合が
発生してしまう。従ってこうした不具合の発生しないよ
うな適当なばね定数のものを選定する。適当なばね定数
の金属ばね５を用い、さらに金属リフトピン３の上昇速
度も半導体ウェハーが割れないような適当な速度で金属
リフトピン３を上昇させた場合は、図２に示すように、
半導体ウェハー１は強い吸着力で静電吸着ステージ２上
に固定されている為、まず金属バネ５のほうが縮むこと
になる。従って、金属リフトピン３の突き上げ量に多少
のバラツキがあったとしても、確実に半導体ウェハー１
の裏面へ金属リフトピン３を安定して接触させることが
できる。そして半導体ウェハー１上にチャージした電荷
８は、金属リフトピン３が半導体ウェハー１の裏面へ接
触した時点から始まり、金属リフトピン３→金属バネ５
→昇降駆動源４の導電部を経路にして確実に行なわれ
る。
ぎるとやはり半導体ウェハー１が割れてしまうため、ゆ
っくりとした速度で上昇させる必要がある。さらにまた
金属ばね５についても、ばね定数があまりに大きいばね
を用いた場合、（１）最初の金属リフトピン２の突き上
げ時点で半導体ウェハー１の割れにつながる。（２）も
しくは除電途中において、半導体ウェハー１の飛び跳ね
を引き起こし搬送エラーにつながる。といった不具合が
発生してしまう。従ってこうした不具合の発生しないよ
うな適当なばね定数のものを選定する。適当なばね定数
の金属ばね５を用い、さらに金属リフトピン３の上昇速
度も半導体ウェハーが割れないような適当な速度で金属
リフトピン３を上昇させた場合は、図２に示すように、
半導体ウェハー１は強い吸着力で静電吸着ステージ２上
に固定されている為、まず金属バネ５のほうが縮むこと
になる。従って、金属リフトピン３の突き上げ量に多少
のバラツキがあったとしても、確実に半導体ウェハー１
の裏面へ金属リフトピン３を安定して接触させることが
できる。そして半導体ウェハー１上にチャージした電荷
８は、金属リフトピン３が半導体ウェハー１の裏面へ接
触した時点から始まり、金属リフトピン３→金属バネ５
→昇降駆動源４の導電部を経路にして確実に行なわれ
る。
【００１６】次に、図３に示すように、半導体ウェハー
１上にチャージした電荷８の除電が進むとともに吸着力
は弱くなるため、縮んだ金属バネ３の力よりも吸着力が
弱くなった時点で金属バネ３が伸び、静電吸着ステージ
２から半導体ウェハー１が僅かに浮いた状態になる。除
電シーケンスはこの状態で終了となる。
１上にチャージした電荷８の除電が進むとともに吸着力
は弱くなるため、縮んだ金属バネ３の力よりも吸着力が
弱くなった時点で金属バネ３が伸び、静電吸着ステージ
２から半導体ウェハー１が僅かに浮いた状態になる。除
電シーケンスはこの状態で終了となる。
【００１７】続いて搬送シーケンスに入るが、搬送シー
ケンスは、図４に示すように、金属リフトピン３をさら
に上昇させ、半導体ウェハー１を静電吸着ステージ２か
ら完全に離脱させた後に搬送することで終了となる。
ケンスは、図４に示すように、金属リフトピン３をさら
に上昇させ、半導体ウェハー１を静電吸着ステージ２か
ら完全に離脱させた後に搬送することで終了となる。
【００１８】このようにすることで半導体ウェハーの安
定かつ確実な電荷の除電と割れ・飛び跳ねによる搬送エ
ラーを防止することができる。さらにまたこのような金
属バネの縮みを利用することでシビアな昇降駆動源の制
御を省略することができる。
定かつ確実な電荷の除電と割れ・飛び跳ねによる搬送エ
ラーを防止することができる。さらにまたこのような金
属バネの縮みを利用することでシビアな昇降駆動源の制
御を省略することができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明の半導体製造装置によれば、半導
体ウェハーを絶縁膜との間に発生させた静電吸着力によ
って支持し、かつ搬送時に前記半導体ウェハーを昇降す
る複数の金属リフトピンを有する半導体製造装置におい
て、金属リフトピンが昇降駆動源と金属バネで接続され
ていることで、昇降駆動源のシビアな制御がなくとも、
半導体ウェハー裏面へ金属リフトピンを安定に接触させ
ることができるという効果を有する。
体ウェハーを絶縁膜との間に発生させた静電吸着力によ
って支持し、かつ搬送時に前記半導体ウェハーを昇降す
る複数の金属リフトピンを有する半導体製造装置におい
て、金属リフトピンが昇降駆動源と金属バネで接続され
ていることで、昇降駆動源のシビアな制御がなくとも、
半導体ウェハー裏面へ金属リフトピンを安定に接触させ
ることができるという効果を有する。
【００２０】除電は金属リフトピン→金属バネ→昇降駆
動源の経路で確実に行われるため、反応生成物付着の影
響を受けにくい。従って安定した除電を容易に行うこと
ができ、それによって半導体ウェハーの割れ・飛びはね
による搬送エラーを防止することができるという効果を
有する。さらに、昇降駆動源表面に付着した反応生成物
の定期的な除去作業も不要となる。ただし金属リフトピ
ン表面に付着した反応生成物の除去のみが必要である
が、これは反応室のクリーニング時に合わせて簡単に実
施できるため、半導体製造装置の大がかりな分解は必要
なく、半導体製造装置の稼働率を向上することができる
という効果を有する。また安定かつ確実な除電を行うこ
とが出来るようになることで、除電シーケンスも約１５
秒と従来の半分に短縮でき、半導体製造装置の処理能力
を向上することができるという効果を有するものであ
る。
動源の経路で確実に行われるため、反応生成物付着の影
響を受けにくい。従って安定した除電を容易に行うこと
ができ、それによって半導体ウェハーの割れ・飛びはね
による搬送エラーを防止することができるという効果を
有する。さらに、昇降駆動源表面に付着した反応生成物
の定期的な除去作業も不要となる。ただし金属リフトピ
ン表面に付着した反応生成物の除去のみが必要である
が、これは反応室のクリーニング時に合わせて簡単に実
施できるため、半導体製造装置の大がかりな分解は必要
なく、半導体製造装置の稼働率を向上することができる
という効果を有する。また安定かつ確実な除電を行うこ
とが出来るようになることで、除電シーケンスも約１５
秒と従来の半分に短縮でき、半導体製造装置の処理能力
を向上することができるという効果を有するものであ
る。
【図１】本発明の半導体製造装置の一実施例を示す断面
図。
図。
【図２】本発明の除電・搬送シーケンスの過程を示す断
面図。
面図。
【図３】本発明の除電・搬送シーケンスの過程を示す断
面図。
面図。
【図４】本発明の除電・搬送シーケンスの過程を示す断
面図。
面図。
【図５】従来の半導体製造装置の実施例を示す断面図。
【図６】従来の除電・搬送シーケンスの過程を示す断面
図。
図。
【図７】従来の除電・搬送シーケンスの過程を示す断面
図。
図。
【図８】従来の除電・搬送シーケンスの過程を示す断面
図。
図。
【図９】従来の半導体製造装置の問題点を示す断面図。
【符号の説明】 １ 半導体ウェハー ２ 静電吸着ステージ ３ 金属リフトピン ４ 昇降駆動源 ５ 金属バネ ６ 絶縁リング ７ カソード電極 ８ 電荷 ９ 反応生成物
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハーを絶縁膜との間に発生さ
せた静電吸着力により支持する静電吸着ステージを有
し、かつ搬送時に前記半導体ウェハーを昇降する複数の
金属リフトピンを有する半導体製造装置において、金属
リフトピンが昇降駆動源と金属バネで接続されているこ
とを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27210998A JP2000100915A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27210998A JP2000100915A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000100915A true JP2000100915A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17509216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27210998A Withdrawn JP2000100915A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000100915A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040040681A (ko) * | 2002-11-07 | 2004-05-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치의 웨이퍼 지지대 |
| CN100358092C (zh) * | 2004-06-14 | 2007-12-26 | 中华映管股份有限公司 | 支撑顶针的下拉机构 |
| CN100362645C (zh) * | 2005-12-07 | 2008-01-16 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 顶针装置 |
| JP2009246229A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 基板支持装置 |
| JP2010087342A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Toray Eng Co Ltd | リフトピン |
| CN101944498B (zh) * | 2009-07-10 | 2012-09-05 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种基片处理设备及其顶针升降装置 |
| CN103576464A (zh) * | 2012-07-20 | 2014-02-12 | 上海微电子装备有限公司 | 一种推顶机构及具有该推顶机构的光刻装置 |
| CN104124129A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子处理装置及其去夹持装置和方法 |
| CN109003921A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-14 | 德淮半导体有限公司 | 工艺设备及其工作方法 |
| CN111834281A (zh) * | 2019-04-16 | 2020-10-27 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
-
1998
- 1998-09-25 JP JP27210998A patent/JP2000100915A/ja not_active Withdrawn
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