KR19990007128A - 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 방법 및 장치 - Google Patents

정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 방법 및 장치 Download PDF

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히로아키 이시무라
다케시 츠바키
다카시 사토
겐지 나카타
히로요시 히라노
모토히코 요시가와
마사미치 사카구치
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가나이 쪼도무
가부시키가이샤 히다치 세사쿠쇼
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Abstract

진공실 내에 배치한 시료대에 정전흡착전압을 인가하여 시료대에 얹어 놓은 시료를 정전흡착유지하고 이 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시킴에 있어서, 시료대로부터 시료를 제거하기 위한 밀어올림핀을 시료대로부터 상대적으로 미리 정한 높이만큼 밀어 올리는 제 1 스텝과, 이 제 1 스텝의 종료후, 미리 정한 시간 동안 밀어올림핀의 밀어 올리기를 정지시키는 제 2 스텝을 반복하여, 시료의 반발력에 의하여 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시킨다.

Description

정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 방법 및 장치
본 발명은 플라즈마 에칭장치, CVD(Chemical Vapor Deposition)장치, 스패터장치 또는 이온 인프라 장치 등의 반도체 처리장치의 진공처리실 내에서 정전흡착된 피처리시료를 시료대로부터 이탈시키는 방법 및 장치에 관한 것으로서, 특히 시료를 수평방향으로 어긋나게 하는 일없이 확실하게 시료대로부터 이탈시킬 수 있는 시료의 이탈방법 및 장치에 관한 것이다.
종래, 정전흡착유지된 시료의 이탈에 있어서는, 예를 들어 일본국 특개 평6-252253호 공보에 기재된 바와 같이 스프링의 탄성력을 이용하여 상기 시료를 밀어 올려 이탈을 행하는 정전 척이 있다.
플라즈마를 이용한 반도체의 표면처리 프로세스에 있어서는 시료대 위에는 피처리시료 이외의 물건을 배치하지 않고 시료를 유지하기 위하여, 예를 들어 플라즈마를 이용한 에칭장치는 상기 종래 기술과 같은 정전흡착에 의한 유지를 이용할 수 있다. 이와 같은 장치에 있어서 흡착력이 소멸하는 데 요하는 시간은 시료의 종류, 처리조건 등에 따라 변화하기 때문에 확실하게 흡착력을 소멸시키기 위해서는 어느 정도의 시간을 요하고 스루풋을 저하시킨다는 문제가 있었다. 더욱이, 흡착력이 높은 상태에서 다음에 처리하는 시료인 웨이퍼와의 교환을 위하여 급격하게 이 웨이퍼를 밀어올림핀에 의하여 시료대로부터 이탈시키면, 경우에 따라서는 웨이퍼에 수평방향의 어긋남이나 웨이퍼에 갈라짐이 발생하여, 정상적인 웨이퍼의 반송을 행할 수 없을 가능성이 있다.
본 발명의 목적은 프로세스 처리후의 시료의 반송을 신속하면서도 확실하게 행할 수 있는 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 방법 및 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 다른 목적은 시료를 시료대에 대하여 수평방향으로 어긋나게 하는 일없이 이탈시킬 수 있는 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 방법 및 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또다른 목적은 시료를 갈라짐없이 시료대로부터 이탈시킬 수 있는 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 방법 및 장치를 제공하는 데에 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 특징으로 하는 바는, 진공실 내에 배치한 시료대에 정전흡착전압을 인가하여 상기 시료대에 얹어 놓은 시료를 정전흡착유지하고 상기 정전흡착된 시료를 상기 시료대로부터 이탈시키는 방법에 있어서, 상기 시료대로부터 상기 시료를 제거하기 위한 밀어올림핀을 상기 시료대로부터 상대적으로 미리 정한 높이만큼 밀어 올리는 제 1 스텝과, 해당 제 1 스텝의 종료후, 미리 정한 시간에 밀어올림핀의 밀어 올리기를 정지시키는 제 2 스텝을 반복하여, 상기 시료의 반발력에 의하여 정전기에 의해 흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 데에 있다.
본 발명의 적절한 실시태양에 의하면, 밀어올림핀에 대하여 시료대를 미리 정한 길이만큼 하강시키는 제 1 스텝과, 미리 정한 시간에 상기 시료대의 하강을 정지시키는 제 2 스텝을 반복하여 상기 시료대를 하강시킴으로써 상기 밀어올림핀을 상대적으로 상승시킨다.
또, 본 발명의 적절한 실시태양에 의하면, 밀어올림핀을 미리 정한 높이까지 밀어 올린 후 미리 정한 시간을 밀어 올리기를 정지하고, 다음에 시료대를 미리 정한 길이만큼 하강시킨 후 미리 정한 시간에 하강을 정지하는 스텝을 반복한다.
또, 본 발명의 특징으로 하는 바는 진공실 내에 배치한 시료대에 정전흡착전압을 인가하여 상기 시료대에 얹어 놓은 시료를 정전흡착유지하고, 상기 정전흡착된 시료를 밀어올림핀에 의해 정전흡착된 시료를 상기 시료대로부터 이탈시키는 장치에 있어서, 상기 시료대에 대하여 상기 밀어올림핀을 상대적으로 밀어 올려 구동하는 구동부와, 상기 시료대로부터 상기 시료를 제거하기 위한 밀어올림핀을 상기 시료대로부터 상대적으로 미리 정한 높이만큼 밀어 올린 후 미리 정한 시간을 상기 밀어올림핀의 밀어 올리기를 정지시키는 동작을 반복하여 상기 시료대로부터 정전흡착된 상기 시료를 실질적으로 해제하는 위치까지 밀어 올리도록 상기 구동부를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 시료의 반발력에 의하여 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 장치.
본 발명의 적절한 실시태양에 의하면, 상기 제어부는 밀어올림핀에 대하여 시료대를 미리 정한 길이만큼 하강시키고, 미리 정한 시간을 상기 시료대의 하강을 정지시키는 동작을 반복하여 상기 시료대를 하강시킴으로써 상기 밀어올림핀을 상대적으로 상승시킨다.
또, 본 발명이 적절한 실시태양에 의하면, 상기 제어부는 밀어올림핀을 미리 정한 높이로 밀어 올린 후 미리 정한 시간을 밀어 올리기를 정지하고, 시료대를 미리 정한 길이만큼 하강시킨 후 미리 정한 시간에 하강을 정지하는 동작을 반복한다.
또한, 본 발명의 특징으로 하는 바는, 진공처리실 내에 배치한 시료대에 정전흡착을 이용하여 유지된 시료를 밀어올림핀에 의해 상기 시료대로부터 이탈시키는 방법에 있어서, 상기 시료대로부터의 정전흡착의 영향을 실질적으로 해제하기 위하여 필요한 상기 밀어올림핀의 상기 시료대에 대한 상대적인 밀어 올리기 높이를 복수로 분할하고, 해당 분할한 높이만큼 상기 밀어올림핀을 밀어 올리는 제 1 스텝과, 해당 제 1 스텝의 종료후, 미리 정한 시간만큼 상기 밀어올림핀의 상기 시료대에 대한 상대적인 이동을 정지하는 제 2 스텝과, 상기 제 1 스텝과 상기 제 2 스텝을 반복하고 상기 시료대로부터 정전흡착된 상기 시료를 실질적으로 해제하는 위치까지 밀어 올리는 것을 특징으로 하는 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 방법에 있다.
또한, 본 발명의 특징으로 하는 바는 진공처리실 내에 배치한 시료대에 정전흡착을 이용하여 유지된 시료를 밀어올림핀에 의하여 상기 시료대로부터 이탈시키는 장치에 있어서, 상기 시료대에 대하여 상기 밀어올림핀을 상대적으로 밀어 올려 구동하는 구동부와, 상기 시료대로부터의 정전흡착의 영향을 실질적으로 해제하기 위하여 필요한 상기 밀어올림핀의 상기 시료대에 대한 상대적인 밀어 올리기 높이를 복수로 분할하고, 해당 분할한 높이만큼 상기 밀어올림핀을 밀어 올린 후 미리 정한 시간만큼 상기 밀어올림핀의 상기 시료대에 대한 상대적인 이동을 정지하는 동작을 반복하고 상기 시료대로부터 정전흡착된 상기 시료를 실질적으로 해제하는 위치까지 밀어 올리도록 상기 구동부를 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 장치에 있다.
상기와 같이 구성하면, 시료를 시료가 가지는 반발력을 이용하여 서서히 무리없이 시료대로부터 이탈시킬 수 있기 때문에 시료를 수평방향으로 어긋나게 하는 일없이 확실하게 시료대로부터 이탈시킬 수 있다. 따라서, 프로세스처리 종료후의 시료의 반송을 신속하면서도 확실하게 행할 수 있다는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예를 나타내는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 생성부 및 시료대부의 상세를 나타낸 도,
도 2는 본 발명에 의하여 웨이퍼의 이탈을 행한 실시예를 모식적으로 나타낸 도,
도 3은 본 발명을 이용한 플라즈마 처리장치에 의한 에칭처리의 흐름도의 일례를 나타낸 도.
이하, 본 발명의 일 실시예를 도 1 내지 도 3에 의해 설명한다.
도 1은 플라즈마 처리장치의 플라즈마 생성부 및 시료대의 상세를 나타낸 도면이며, 도 2는 본 발명에 의한 시료이탈의 기구를 모식적으로 나타낸 도면, 도 3은 에칭처리의 흐름의 일례를 나타낸 도면이다.
본 실시예는 플라즈마를 생성하는 수단으로서 마이크로파와 자계를 이용한 예를 나타나 있다. 부호 1은 마이크로파를 발생하는 마그네트론, 부호 2는 마이크로파를 전파하는 직사각형의 도파관, 부호 3은 원형직사각형변환 도파관, 부호 4는 원통공동부, 부호 5는 자장을 발생하는 솔레노이드 코일, 부호 6은 마이크로파 투과창(예를 들어 석영제의 평판), 부호 7은 진공용기, 부호 8은 시료인 웨이퍼를 배치하는 시료대, 부호 9는 시료대를 상하로 이동시키는 구동기구, 부호 10은 플라즈마처리, 예를 들어 에칭시에 시료대에 고주파바이어스전압을 인가하기 위한 고주파전원, 부호 11은 시료대에 배치되는 웨이퍼를 정전흡착시키기 위한 정전흡착용 전원이다.
진공용기(7)의 내면에는 석영, 세라믹 등의 내플라즈마성 재료로 형성된 원통형상의 절연물 커버(12)가 설치되어 있다. 또, 진공용기(7)의 내부에는 전극인 시료대(8)의 근방에 접지전위의 부재인 어스전극(13)을 배치한다. 어스전극(13)은 접지전위로 되어 있는 버퍼실(14)에 전기적으로 접속되어 진공용기(7)의 안쪽에 설치되고, 절연물 커버(12)에 의하여 전기적으로 절연된 진공용기(7)와 플라즈마(15)의 전기도통성을 확보하는 기능을 가진다.
에칭처리시에는 진공펌프(22) 및 터보분자펌프(23)에 의하여 감압된 진공용기(7)의 내부에 가스도입경로(16)를 거쳐 샤워 플레이트(17)의 가스분출구(17a)로부터 프로세스 가스를 도입한다. 진공용기(7) 내부의 압력은 배리어블 밸브(24)에 의하여 조압되고, 마그네트론(1)으로부터 2.45GHz의 마이크로파를 발진시킨다.
마그네트론(1)으로부터 발진된 도파관(2), 원형직사각형변환 도파관(3) 및 마이크로파 투과창(6)을 거쳐 입사한 마이크로파와, 원통공동부(4) 및 진공용기(7)의 바깥쪽에 감아 장치된 3단의 솔레노이드 코일(5)에 의한 자계의 작용에 의하여 프로세스 가스 중의 전자는 효율적으로 에너지를 부여받고, 전자 사이클로트론 공명(Electron Cyclotron Resonance, 이하「ECR」이라 함)에 의한 고밀도인 플라즈마(15)가 생성된다. 플라즈마가 생성된 후에 정전흡착전원(11)으로부터 웨이퍼(19)를 시료대(8)에 흡착시키기 위한 직류전압을 출력한다. 플라즈마(15)를 거쳐 어스전극(13), 정전흡착전원(11) 및 시료대(8)의 사이에서 구성되는 전기회로에 있어서 시료대(8)와 웨이퍼 및 웨이퍼 자체가 용량성분을 가지기 위해, 정전흡착전원으로부터 출력된 직류전압은 시료대(8)와 웨이퍼(19) 사이에 차지되고, 이에 의해 웨이퍼가 시료대(8)에 흡착된다.
웨이퍼가 시료대(8)에 흡착된 후에 다시 고주파전원(10)으로부터 고주파바이어스전압을 출력하여 프로세스처리를 개시한다.
그 후, 프로세스 처리의 종료에 따라 정전흡착된 웨이퍼(19)를 정전흡착 해제처리에 의해 시료대(8)로부터 떼어 내진 것을 확인후, 밀어올림핀(18)을 상승하여 웨이퍼(19)를 밀어 올리고 웨이퍼(19)를 시료대(8)로부터 이탈시킨다. 여기에서, 상기의 정전흡착 해제처리는 시료대(8)에 정전흡착시와는 반대의 전압을 공급함으로써 행한다.
그런데, 시료대(8)에 역전압을 인가하여 상기의 정전흡착 해제처리를 행할 경우, 다수회의 에칭처리를 행하면 에칭처리시에 발생하는 반응생성물의 시료대(8)에 대한 퇴적 등에 의하여 흡착 해제처리에 필요한 최적의 전압치 등의 파라미터가 변동하게 된다. 이 때문에, 상기의 정전 해제처리가 완전하지 않을 때 또는 과잉한 정전흡착처리에 의한 재흡착 유지가 발생하는 등의 이유로 웨이퍼(19)의 이탈을 할 수 없는 경우가 있다. 이 경우에는 정전흡착 해제처리를 실시한 후, 웨이퍼(19)를 이탈시킬 때에 도 2(a) 내지 (d)와 같은 이탈방법을 이용한다.
즉, 먼저 밀어올림핀(18)을 파라미터에 의해 설정한 높이만큼 상승시킨다. 다음에, 또 파라미터에 의해 설정한 시간만큼 밀어올림핀(18)의 밀어 올리기를 정지한다. 이 정지시간 동안 웨이퍼(19)의 반발력에 의하여 웨이퍼(19)의 주변부가 벗겨진다. 또, 다음에, 1스텝만큼 밀어올림핀(18)을 상승시킨 후 마찬가지로 밀어올림핀(18)을 정지시켜 웨이퍼(19)의 반발력에 의하여 다시 웨이퍼(19)의 주변부를 벗긴다. 이상의 스텝을 반복하여 밀어올림핀(18)에 의해 웨이퍼(19)를 미세한 높이만큼 밀어올려 웨이퍼(19)의 반발력을 이탈에 이용함으로써 웨이퍼(19)가 수평방향으로 어긋나는 일없이 확실하게 이탈을 행할 수 있다.
여기에 있어서, 1번의 스텝으로 밀어올림핀(18)을 밀어 올리는 높이는 시료대(8)에 정전흡착된 웨이퍼(19)를 확실히 제거하기에 충분한 높이는 아니다. 이 높이를 몇 개로 분할한 높이이다. 그리고, 복수의 스텝에 의해 최종적으로는 밀어올림핀(18)을 밀어 올리는 높이는 시료대(8)에 정전흡착된 웨이퍼(19)를 확실하게 제거할 수 있는 높이에 도달하도록 한다. 또한, 이 높이의 분할은 모두가 균등해도 되고 또한 불균등해도 된다. 예를 들어, 초기시점에서는 작고 서서히 커지도록 해도 되고, 또한 이 반대로 초기시점에서는 크고 서서히 작아지도록 해도 된다. 이것은 웨이퍼(19)의 종류, 처리조건의 상위, 정전흡착의 성능 등에 따라 결정할 수 있다.
어차피 시료대(8)에 정전흡착된 웨이퍼(19)를 시료대(8)로부터 단번에 제거하는 것이 아니라, 이것을 복수회로 나누어 웨이퍼(19)의 반발력을 이용하여 웨이퍼(19)에 작용하는 정전흡착력을 서서히 약하게 하면서 시료대(8)에 정전흡착된 웨이퍼(19)를 시료대(8)로부터 제거한다.
물론, 1번의 스텝으로 밀어올림핀(18)을 밀어 올리는 높이는 이 밀어 올리기에 의하여 웨이퍼(19)에 어긋남이나 갈라짐이 발생하지 않는 높이로 한다.
실시예의 경우, 로봇 핸드 등의 반송장치에 의해 시료(19)는 진공실(7) 내로 반입, 반출된다. 이 때문에, 시료(19)는 최종적으로는 시료대(8)의 시료탑재면, 즉 시료대(8)의 표면에서 10mm 또는 15mm 정도 밀어 올려진다. 그러나, 시료(19)는 3mm 전후에서 정전흡착력으로부터 해제된다. 그래서, 실시예의 경우, 이 3mm를 6등분하여 0.5mm씩 6회로 나누어 서서히 시료대(8)를 이탈한다. 즉, 1스텝으로 0.5mm만 밀어올림핀(18)을 밀어 올리고, 그리고 미리 정한 시간 동안 밀어올림핀(18)을 정지한다. 이 정지시간은 3초 내지 10초 동안이 바람직하며, 본 실시예의 경우 이 시간을 5초로 설정하였다.
밀어올림핀(18)을 1스텝으로 0.5mm만 밀어 올리는 것에 있어서도 그 밀어 올리기 속도가 지나치게 빠르면 시료(19)에 갈라짐을 생기게 한다. 그래서, 실시예에서는 밀어올림핀(18)의 밀어 올리기 속도를 0.5초로 0.5mm만 밀어 올리도록 설계되어 있다.
이들 에칭처리의 흐름을 나타낸 것이 도 3이다.
이하, 이 도 3에 관하여 설명한다. 스텝 S1에서는 시료(19), 즉 웨이퍼(19)를 시료대(8)에 흡착후 에칭처리를 개시한다. 스텝 S2에서 에칭처리의 종료를 확인후 스텝 S3의 처리를 실행한다. 스텝 S3에서는 정전흡착을 해제한다. 구체적으로는 웨이퍼(19)의 정전흡착시와는 반대의 전압을 시료대(8)에 인가한다.
다음에, 스텝 S4에서 정전흡착의 해제가 완전히 행하여졌는지 여부를 판정한다. 이것은 구체적으로는 스텝핑 모터에 의하여 밀어올림핀(18)을 밀어 올리고 이 때의 스텝핑 모터에 가해지는 토오크를 검출함으로써 행하여도 좋다. 즉, 이 때에 스텝핑 모터에 미리 정한 값 이상의 토오크가 걸리면 정전흡착의 해제가 완료되지 않는 것을 확인할 수 있다. 또, 스텝핑 모터의 토오크가 미리 정한 값 이상이면 정전흡착의 해제가 완료되고 있는 것을 확인할 수 있다. 또한, 이 스텝핑 모터의 토오크는 스텝핑 모터의 부하전류 또는 부하전압 등을 검지함으로써 검지할 수 있다.
웨이퍼(19)를 시료대(8)에 정전흡착하는 것에 있어서는 시료대(8)의 표면과 웨이퍼(19)의 이면과의 사이의 미묘한 간극에 전열가스를 공급한다. 웨이퍼(19)에 대한 정전흡착력이 해제되어 있는 경우, 이 전열가스의 공급압력은 에칭시의 압력보다 낮아진다. 이 특성을 이용하여 정전흡착의 해제를 확인하도록 해도 된다.
어차피, 스텝 4에서 정전흡착이 해제되어 있는 경우에는 스텝 S5로 처리를 옮긴다. 스텝 S5에서는 스텝 모터에 의해 밀어올림핀(18)을 시료대(8)의 표면으로부터 웨이퍼(19)를 반송하는 데 필요한 높이까지 미리 정한 속도로 밀어 올린다. 그리고, 스텝 S6으로 처리를 옮겨 이 스텝 S6에 의해 웨이퍼(19)를 반송한다.
스텝 S4에서 정전흡착이 해제되어 있지 않은 경우, 처리를 스텝 S7로 옮긴다. 스텝 S7에서는 파라미터에 의하여 미리 정한 속도로 미리 정한 높이만큼 밀어올림핀(18)을 밀어 올린. 구체예에 의해 말하면 이것은 상기한 대로이다. 즉, 속도는 0.5초에 0.5mm, 높이는 0.5mm이다. 다음에, 스텝 S8에서 미리 파라미터에 의하여 설정한 시간만큼 밀어올림핀(18)을 정지한다. 이 시간은 예를 들어 상기한 5초이다. 스텝 S8의 처리가 종료하면 스텝 S9에서 스텝 S7, 8의 처리를 미리 정한 회수만큼 반복하였는지 여부를 판정한다. 구체예에 의해 말하면 이것은 6회이다. 스텝 S9에서 스텝 S7, S8의 실행회수가 소정 회수에 도달하고 있지 않으면 처리를 스텝 S7로 되돌린다. 그리고, 스텝 S9에서 스텝 S7, S8의 실행회수가 소정 회수에 도달하여 있으면 처리를 스텝 S10으로 옮겨 웨이퍼(19)를 최종의 높이, 구체적으로는 10mm 또는 15mm의 높이까지 밀어 올리고 처리를 스텝 S6으로 옮긴다. 그리고, 스텝 S6에서 웨이퍼(19)를 로봇 핸드로 외부에 반송하여 일련의 처리를 종료한다.
이상, 실시예에 있어서는 시료대(8)의 표면에서 밀어올림핀(18)이 상승한다고 설명하였다. 그러나, 이것은 밀어올림핀(18)에 대하여 시료대(8)가 하강하도록 해도 된다. 이 경우, 시료대(8)를 스텝핑 모터 등의 구동장치에 의해 상하구동 가능하게 구성한다. 또한, 밀어올림핀(18)의 상승은 밀어올림핀(18)의 상승과 시료대(8)의 하강을 조합하여도 좋다. 요컨대, 밀어올림핀(18)의 상승은 상대적인 것이며, 결과적으로 시료대(8)의 표면으로부터 밀어올림핀(18)이 상승하는 구성이면 된다.
또, 도 3에 나타낸 스텝 S7에서의 밀어올림핀(18)의 상승속도, 높이, 스텝 S8에서의 정지시간, 스텝 S9에서의 반복회수는 미리 설정되어 있다고 설명하였다. 그러나, 이들 값은 웨이퍼(19)의 종류, 처리조건의 상위, 정전흡착의 성능 등에 의하여 변화한다. 따라서, 이들 값은 제어장치에 대하여 임의로 설정 가능하게 하는 것이 유효하다. 이 때, 임의의 하나를 고정적으로 설정해 두고 이것에 의거하여 다른 것을 결정하도록 해도 좋다.
이상 실시예는 마이크로파를 이용한 ECR 플라즈마를 이용한 반도체 처리장치에 이용한 경우에 관하여 설명하였다. 그러나, 이 방법은 마이크로파를 이용한 ECR 플라즈마를 이용한 반도체 처리장치뿐만 아니라, RF 플라즈마 등 다른 방식의 플라즈마를 이용한 정전흡착방식의 처리장치에도 응용 가능한 것은 물론이다.
이상의 설명으로부터 명백한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 시료를 수평방향으로 어긋나게 하는 일없이 확실하게 시료대로부터 이탈시킬 수 있으므로 프로세스처리 종료후의 시료의 반송을 신속하면서도 확실하게 행할 수 있다는 효과가 있다.

Claims (8)

  1. 진공실 내에 배치한 시료대에 정전흡착전압을 인가하여 상기 시료대에 얹어 놓은 시료를 정전흡착유지하고 상기 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 방법에 있어서,
    상기 시료대로부터 상기 시료를 제거하기 위한 밀어올림핀을 상기 시료대로부터 상대적으로 미리 정한 높이만큼 밀어 올리는 제 1 스텝과,
    해당 제 1 스텝의 종료후, 미리 정한 시간 동안 밀어올림핀의 밀어 올리기를 정지시키는 제 2 스텝을 반복하여,
    상기 시료의 반발력에 의하여 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    밀어올림핀에 대하여 시료대를 미리 정한 길이만큼 하강시키는 제 1 스텝과, 미리 정한 시간 동안 상기 시료대의 하강을 정지시키는 제 2 스텝을 반복하여 상기시료대를 하강시킴으로써 상기 밀어올림핀을 상대적으로 상승시키는 것을 특징으로 하는 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    밀어올림핀을 미리 정한 높이로 밀어 올린 후 미리 정한 시간 동안 밀어 올리기를 정지하고, 시료대를 미리 정한 길이만큼 하강시킨 후 미리 정한 시간 동안 하강을 정지하는 스텝을 반복하는 것을 특징으로 하는 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 방법.
  4. 진공실 내에 배치한 시료대에 정전흡착전압을 인가하여 상기 시료대에 얹어 놓은 시료를 정전흡착유지하고 상기 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 장치에 있어서,
    상기 시료대에 대하여 상기 밀어올림핀을 상대적으로 밀어올려 구동하는 구동부와,
    상기 시료대로부터 상기 시료를 제거하기 위한 밀어올림핀을 상기 시료대로부터 상대적으로 미리 정한 높이만큼 밀어 올린 후 미리 정한 시간 동안 밀어올림핀의 밀어 올리기를 정지시키는 동작을 반복하여 상기 시료대로부터 정전흡착된 상기 시료를 실질적으로 해제하는 위치까지 밀어 올리도록 상기 구동부를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 시료의 반발력에 의하여 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제어부는 밀어올림핀에 대하여 시료대를 미리 정한 길이만큼 하강시키고, 미리 정한 시간 동안 상기 시료대의 하강을 정지시키는 동작을 반복하여 상기 시료대를 하강시킴으로써 상기 밀어올림핀을 상대적으로 상승시키는 것을 특징으로 하는 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제어부는 밀어올림핀을 미리 정한 높이로 밀어 올린 후 미리 정한 시간 동안 밀어 올리기를 정지하고 시료대를 미리 정한 길이만큼 하강시킨 후 미리 정한 시간 동안 하강을 정지하는 동작을 반복하는 것을 특징으로 하는 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 장치.
  7. 진공처리실 내에 배치한 시료대에 정전흡착을 이용하여 유지된 시료를 밀어올림핀에 의해 상기 시료대로부터 이탈시키는 방법에 있어서,
    상기 시료대로부터의 정전흡착의 영향을 실질적으로 해제하기 위하여 필요한 상기 밀어올림핀의 상기 시료대에 대한 상대적인 밀어 올리기 높이를 복수로 분할하고 해당 분할한 높이만큼 상기 밀어올림핀을 밀어 올리는 제 1 스텝과,
    해당 제 1 스텝의 종료후, 미리 정한 시간만큼 상기 밀어올림핀의 상기 시료대에 대한 상대적인 이동을 정지하는 제 2 스텝과,
    상기 제 1 스텝과 상기 제 2 스텝을 반복하여 상기 시료대로부터 정전흡착된 상기 시료를 실질적으로 해제하는 위치까지 밀어 올리는 것을 특징으로 하는 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 방법.
  8. 진공처리실 내에 배치한 시료대에 정전흡착을 이용하여 유지된 시료를 밀어올림핀에 의해 상기 시료대로부터 이탈시키는 장치에 있어서,
    상기 시료대에 대하여 상기 밀어올림핀을 상대적으로 밀어올려 구동하는 구동부와,
    상기 시료대로부터의 정전흡착의 영향을 실질적으로 해제하기 위하여 필요한 상기 밀어올림핀의 상기 시료대에 대한 상대적인 밀어 올리기 높이를 복수로 분할하고 해당 분할한 높이만큼 상기 밀어올림핀을 밀어 올린 후 미리 정한 시간만큼 상기 밀어올림핀의 상기 시료대에 대한 상대적인 이동을 정지하는 동작을 반복하여, 상기 시료대로부터 정전흡착된 상기 시료를 실질적으로 해제하는 위치까지 밀어 올리도록 상기 구동부를 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 정전흡착된 시료를 시료대로부터 이탈시키는 장치.
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