TW393701B - Method and apparatus of removing a sample adsorbed by static electricity from the sample stage - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 230000003068 static effect Effects 0.000 title claims description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 title claims description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 10
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 6
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 241000237858 Gastropoda Species 0.000 description 2
- 241000643898 Plutonium Species 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Description
經濟部中央標準局負工消费合作社印It A7 . B7 * 五、發明説明(1 ) (發明之背景) 、 本發明有關於在等離子蝕刻裝置,CVD ( Chemical Vapor Deposition)裝置,濺射裝置,或離子注入裝置等之 半導體處理裝置之真空處理室內而自試件台而脫離被靜電 吸附之處理試件之方法及裝置,特別是將試件不挪移於水 平方向之下確實地使之由試件台而予以脫離之試件之脫離 方法及裝置。 以往在於被靜電吸附之試件之脫離上,例如日本專利 公報特開平6 _ 2 5 2 2 5 3號所揭示使用彈簧之彈性力 而推上上述試件以資實施脫離之靜電夾具。 又使用等離子之半導體之表面處理過程乃,在試件台 上不配設被處理試件以外之物件地保持試件起見,例如使 用等離子之蝕刻裝置係,可使用如上述先前技術之藉由靜 電吸附之保持。在此種裝置中,消減吸著力所要t時間係 由試件之種類,處理條件等而改變,因此爲了確實地消減 吸著力乃須要某一程度之時間,因而有使製品通過率降低 之問題。並且在吸著力高之狀態下爲了與下一處理之試件 之晶圓而藉由頂上梢來急激地頂舉此晶圓使之脫離試件台 時,有時在晶圓上發生水平方向之偏移,或在晶圓上發生 裂損,有無法實施正常之晶圓之移送之可能性。 發明之槪說 本發明之目的乃提供一種迅速且確實的實施過程處理 後之試件之移送之由試件台而令靜電吸附之試件脫離之方 m Km 1^1 Jk— It· ^^^1 a— (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
JI 本纸張尺度逍用中國國家揲準(CNS ) A4規格(210X297公漦) -4- 經濟部中央標率扃属工消费合作社印家 A7 B7五、發明説明(2 ) 法及裝置。 、 本發明之目的乃提供一種,使試件對於試件台而不致 於挪移於水平方向地可以使它脫離之自試件台將靜電吸附 之試件予以脫離之方法及裝置。 ^ 本發明之再一目的乃提供一種使試件不會裂損地從試 件台予以脫離之自試件台將靜電吸附之試件予以脫離之方 法及裝置。 爲了達成上述目的,本發明之特徵爲主要係,配置於 真空室內之試件台上,以靜電吸附保持該載置於施加了靜 電吸附電壓之試件台上之試件,而欲由試件台脫離該被靜 電吸附之試件之方法中反複地實施,令該用於由試件台去 除試件用之頂上梢,從試件台相對地頂上預先規定之高度 之第1步驟;及該第1步驟之終了後,以預先規定之時間 之間,令該頂上梢之頂上動作靜止之第2步驟,而藉由試 件之反力,使該被靜電吸附之試件脫離試件台者。 依本發明之合宜之實施形態時即反複,對於頂上梢而 使試件台下降預先規定之長度之第1步驟,及預先規定之 時間內使上述試件台之下降靜止之第2步驟,而使該試件 台下降,以資相對的使上述頂上梢上昇者》 又,依本發明之合宜之實施形態乃反複實施,將頂上 梢頂上至預先規定之高度;而後預先規定之時間之間停止 該頂上動作;而使試件台下降預先規定之長度:而後預先 規定之時間之間停止之步驟者。 又,本發明之特徵乃主要係,配置於真空室內之試件 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度逍用中國國家橾率(CNS > A4洗格(210X297公釐) -5- 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印策 A7 _B7五、發明説明(3 ) 台上,以靜電吸附保持該載置於施加了靜電吸附電壓之試 件台上之試件,而欲由試件台脫離該被靜電吸附之試件之 裝置中,具備: 對於該試件台而相對地將上述頂上梢頂上驅動之驅動 部; 及反複地實施令該用於自上述試件台去除上述試件之 頂上梢,由上述試件台而頂上預先規定之高度,而後預先 規定之時間之間令上述頂上梢之頂上動作靜止之動作,以 資由上述試件台將該靜電吸附之上述試件頂上到實質的釋 放之位置爲止地予以實施頂上動作地控制上述驅動部之控 制部, 而藉由上述試件之反力使該被靜電吸附之試件脫離試 件台之裝置者。 依本發明之合宜之實施形態乃上述控制部係,反複實 施對於頂上梢而使試件台下降預先規定之長度,而預先規 定之時間之間,令上述試件台之下降之動作,而令該試件 台下降,由而令上述頂上梢相對的上昇者。 又依本發明之合宜之實施形態乃上述控制部係反複實 施,將頂上梢頂上預先規定之高度,而後預先規定之時間 之間停止頂上動作,令試件台下降預先規定之長度,而後 預先規定之時間之間停止下降之動作者》 再者本發明之特徵乃主要係,藉由頂上梢將利用靜電 吸附而保持於配置於真空處理室內之試件台上之試件予以 脫離之方法中, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中β國家揲準(CNS > A4规格(210X297公釐) -6- 經濟部中央標率局貞工消费合作社印* A7 B7五、發明説明(4 ) 由:複數的分割爲了實質的解除由上述試件台之靜電 吸附之影響所需要之上述頂上梢之對於上述試件台之相對 的頂上高度,而以該分割之高度份地頂上上述頂上梢之第 1步驟, 及該第1步驟之完成後預先規定之時間地停止上述頂 上梢之對於上述試件台之相對的移動之第2步驟, 及反複上述第1步驟及上述第2步驟,使自上述試件 台將上述被靜電吸附之上述試件頂上至實質上可解除影響 之位置者。 又,本發明之特徵乃主要係,藉由頂上梢,將利用靜 電吸附而保持於配置於真空處理室內之試件台上之試件予 以脫離之裝置中,具備有:對於上述試件台而相對的將上 述頂上梢頂上驅軌之驅動部,及 複數的分割爲了實質的解除,由上述試件台之靜電吸 附之影響所需要之上述頂上梢之對於上述試件台之相對的 頂上高度,而將上述頂上梢頂上該分割之高度份量, 而後預先規定之時間地停止上述頂上梢之對於上述試 件台之相對的移動,反複實施上述頂上及停止之動作,以 資自上述試件台將被靜電吸附之試件頂上到實質上解除之 位置地控制上述驅動部之控制部而構成者。 如上述地予以構成時,利用試件所具有之反力而使試 件慢慢地毫不勉強地從試件台使之脫離,因此不致於使試 件挪移於水平方向地確實地從試件台予脫離,因此具有迅 速且確實地實施過程處理完成後之試件之移送之顯著之實 (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家揉率(CNS ) A4规格(210X297公釐) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印掣 A7 _B7 _五、發明説明(5 ) 用效果。_ .· (實施形態之說明) 下面參照圖1〜圖3說明本發明之一實施例。 第1圖表示等離子處理裝匱之等離子產生部及試件台 之詳細圖。第2圖乃模式的表示依本發明之試件脫離機構 圖。第3圖係表示蝕刻處理之流程之一例圖。 本實施例乃揭示產生等離子之手段而利用微波及磁場 之例子。 標號1乃產生微波之磁控管,2乃傳播微波之矩形之 波導管,3乃圓形矩形變換波導管。4乃圓筒空洞部,5 乃產生磁場之電蝸管線圈,6乃微波透過窗(例如石英製 平板),7乃真空容器,8乃配置試件(晶圓)之試件台 ,9乃使試件台上下移動之驅動機構,1 0乃等離子處理 ,例如在蝕刻時對試件台施加高頻偏壓電壓用之高頻電源 ,11乃爲了靜電吸附配置於試件台之晶圓用之靜電吸附 用電源》 真空容器7之內面,設置有由石英,陶瓷等之耐等離 子性之材料所形成之圓筒狀之絕緣物蓋1 2。又,真空容 器7之內部配設用做電極之於試件台8之近傍之接地電位 之構件之接極電極1 3。接地電極1 3乃電氣的連接於位 於接地電位之緩衝室1 4,而與安裝於真空容器7之內側 ,而以絕緣物所製之蓋12而所電氣絕緣之真空容器7具 有與等離子15之電氣導通性之作用》 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家揲率(CNS M4规格(210X297公t ) -8 - 經濟部中央梯率局貝工消费合作社印掣 A7 _ B7 _五、發明説明(6 ) 當蝕刻處理時,對於由真空泵2 2及輪機分子泵2 3 所減壓之真空容器7之內部,而介著氣體導入經路1 6而 由噴射板1 7之氣體出口 1 7 a而導入處理氣體,真空容 器7內部之壓力乃藉由可調閥2 4而調壓,由磁控管1而 振盪2.45GHz之微波。 由磁控管1所振盪、介著波導管2,圓形矩形變換波 導管3及微波透過窓6而入射之微波,以及繞捲於圓筒空 洞部4及真空容器7之外側之三段之電螺管線圈5之磁場 之作用,過程氣體中之電子乃有效的被賦予能源,產生由 電子漩渦共鳴(Electron Cyclotron Resonance,下面簡稱「 ECR」)所產生之高密度等離子1 5,等離子被產生後 ,由靜電吸附電源1 1輸出將晶圓1 9吸附於試件台8用 之直流電壓。由介著等而以接地電極1 3,靜電吸附電源 1 1及試件台8之間所構成之電路中,試件台8與晶圓及 晶圓本身乃會帶容量成分,因此由靜電吸附電源所輸出之 真流電壓乃充電電荷於試件台8與晶圓1 9之間,於是@ 圓乃被吸附於試件台8。 晶圓8之被吸附於試件台8之後,又由高頻電源]^ 0 輸出高頻偏壓電壓而開始過程處理。 而後,隨著過程處理之終了,確認藉由靜電吸附 處理而令被靜電吸附之晶圓19從試件台8卸下之@$ 頂上梢18上昇,推上晶圓19,使晶圓19從試件台8 脫離。本例中上述靜電吸附之解除處理乃對於試件台8# 給與靜電吸附相反之電壓來實施。 本紙張尺度逋用中國國家橾率(CNS > Λ4規格(210X297公釐)~~_g_ ' -- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) iMN--,7--:--.~f — I----"y1裝------訂 經濟部中夹揉隼扃工消费合作社印策 A7 B7五、發明説明(7 ) 惟,對於試件台8施加逆電壓以資實施上述靜電吸附 解除處理時,如果已實施了多數回之蝕刻處理時,由於在 蝕刻處理時所產生之反應生成物堆積於試件台8等原因, 吸附解除處理上所必要之最適宜之電壓値等參數乃變動, 由而引起上述之靜電解除處理不完全,或由於過剩之靜電 吸附處理而發生再吸附保持等等理由而會發生晶圓1 9不 能脫離之情形,此時即實施靜電吸附解除處理之後,爲了 使晶圓19脫離,而靜用圖2 (a)〜(d)之脫離方法 〇 首先令頂上梢1 8上昇到以參數所設定之高度,接著 ,以參數所設定之時間,靜止頂上梢1 8之舉起,在此靜 止時間之間,由晶圓1 9之反力而晶圓1 9之周邊部會剝 離。又接著使頂上梢1 8上昇1步,而後同樣地使頂上梢 1 8靜止,藉由晶圓1 9之反力再剝開晶圓1 9之周邊部 。反複上述之步驟,藉由頂上梢1 8將晶圓1 9舉起微細 之高度,將晶圓1 9之反力利用於脫離,使晶圓1 9不偏 移於水平方向地可以確實地予以脫離。 本案中,以一次之步驟舉起頂上梢1 8之高度並非確 實的足夠於卸下被靜電吸附於試件台8之晶圓19之高度 。而是將該高度分割爲複數個之高度。並且以複數之步驟 而最終的將頂上梢18舉起之高度乃會達到確實地可卸下 被靜電吸附於試件台之晶圓1 8之高度。又此高度之分割 乃全部均等地予以分割亦可,或不均等之分割亦可以。例 如初期時點小逐漸增大,或相反地初期時點大,逐漸變小 本紙張尺i逋用中國國家標率(CNS ) A4规格(210X297公釐)_ 1〇· J--TI i I i —^ 裝— —---—訂—-----^1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中失標準局員工消费合作社印製 A7 ____B7 五、發明説明(8 ) 均可。這是由晶圓1 9之種類,處理條件之不同,靜電吸 附之性能來做決定。 總之並非從試件台19一下子地卸下該被靜電吸附之 晶圓19,而是分爲複數次,利用晶圓19之反力,逐漸 地減低作用於晶圓19之靜電吸附力而由試件台8卸下被 靜電吸附於試件台8之晶圓19。 當然以一次之步驟而舉起頂上梢18之高度乃設定於 由此舉起而不會發生晶圓19之挪移以及損傷之髙度。 本實施例乃藉由機器人手等之移送裝置而將試件1 9 搬入•出於真空室7內。因此晶1 9乃最終的被舉高至由 試件台8之試件搭載面,換言之由試件台8之表面1 Om m乃至1 5mm程度。惟試件1 9乃3mm前後就可以使 靜電吸附力解除》於是本實施例乃將此3mm予以6等分 ,每次0 . 5mm分6次逐漸地使試件8脫離。即每1步 驟令頂上梢1 8舉起0 . 5mm,而令頂上梢1 8靜止預 先規定之時間,該靜止(停止)時間以3秒鐘〜1 0秒鐘 爲宜,本實施例即採用5秒鐘。 當頂上梢18以1步驟間舉起0.5mm時就該舉起 速度太快時試件1 9有裂損之可能,因此本實施例中,頂 上梢18之舉起度乃設定爲0.5秒中上昇0.5mm之 速度。 第3圖乃表示上述蝕刻處理之流程圖。 下面說明第3圖。在步驟Si、使試件19即晶片19 吸附於試件台8後,開始蝕刻處理。在步驟2確認蝕刻處 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)一_11 _ J— 1 Γ II »Γ - n ^ n - HI— - —訂 I I - - - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印簟 A7 B7五、發明説明(9 ) 理之後,實施步驟S 3之處理,在步驟S 3即解除靜電吸 附。具體的說,對於試件台8施加與晶圓1 9之靜電吸附 時相反之電壓。 接著於步驟S 4即鑑別靜電吸附是否完全解除。這是 具體的說,以步進馬達而舉起頂上梢1 8,檢測出此時作 用於步進馬達之扭矩也可以,即此時如在步進馬達有預先 規定値以上之扭矩時,即可確認靜電吸附之解除不完了之 情形》又步進馬達之扭矩在預先規定之値以下即可確認靜 電吸附已完成解除。又步進馬達之扭矩乃由檢測步進馬達 之負載電流,或檢測負載電壓亦可檢測。 將晶圓1 9靜電吸附於試件台8中,對於試件台8之 表面與晶圓19之背面之間之微少之間隙中供給傳熱氣體 ,如果解除對於晶圓1 9之靜電吸附力時,該傳熱氣體之 供給力乃變爲低於蝕刻時之壓力,利用此特性來確認靜電 吸附之解除完成亦可以。 不管如何,在步驟4而確認靜電吸附之被解除時即移 至步驟S 5,在步驟S 5即以步進馬達使頂上梢1 8以預 先設定之速度使晶圓18由試件台8之表面舉高到可供搬 送所須之高度》並且移至步驟S 6在步驟S 6實施晶圓 1 9之移送。 在步驟S 4未能解除靜電吸附時,即將處理移至步驟 S 7。 在步驟S 7中,以參數預先設定(規定)之速度而使 頂上梢1 8舉起預先規定之高度。具體例乃如前面所述, (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉率(CNS } A4规格(210X297公釐) -12- 經濟部中央樣率局負工消费合作社印製 A7 __B7五、發明説明(10 ) 即速度0 . 5秒內舉高〇 . 5mm,高度爲0 . 5ιτιπι, 接著於步驟S 8而使頂上梢1 8停止參數所規定之時間, 此時間乃如前述之5秒鐘,步驟S 8之處理終了之後,在 步驟S 9判斷是否於步驟S7,S 8中反複實施了規定之 次數,具體例乃應實施6次。如果在步驟S 9而步驟S 7 ,S 8之實施次數未達規定之次數即將處理回至步驟S 7 ,而在步驟S 9確認步驟S7,S8之實施次數已達規定 次數時即移至步驟S 1 〇,使晶圓1 9舉起到最終之高度 ,(具體的該10mm或15mm之高度)將處理移至步 驟s 6。 而在步驟s 6中以機器人手將晶圓1 9搬送於外部而 完成一連串之處理。 以上之實施例中,以自試件台8之表面使頂上梢1 8 上昇爲例做說明,惟,對於頂上梢1 8而使試件台8下降 之構成亦可採用。此時即以步進馬達等之驅動裝置使試件 台8可以上下驅動而構成。又6.18之上昇亦可採頂上 梢1 8之上昇及試件台8之下降之組合亦可,總之頂上梢 1 8之上昇乃相對的情形,結果而言,自試件台8表面頂 上梢18乃上昇者即可以。 再者,於圖3所示之步驟S 7而頂上梢1 8之上昇速 度,高度,乃在步驟S 8之靜止時間,步驟S 9之反複次 數乃以預先予以設定爲例做說明。惟這些値乃由晶圓1 9 之種類,處理條件之不同,靜電吸附之性能等而會變化。 所以使這些値對於控制裝置而使之隨意地可以設定爲有效 TI;--L----「‘裝------訂------^ - 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家;»率(CNS } A4规格(210X297公釐) -13- 鯉濟部中央標率局真工消费合作社印裝 A7 B7五、發明説明(11 ) ,此時將其中之一設定爲固定’而依據它而設定其他値亦 可以。 上述之實施例乃利用於利用微波之E C R等離子之半 導體處理裝置時爲例予以說明’惟本方法當然不但可使用 、於利用微波之E CR等離子之半導體處理裝置,使用RF 等離子等其他方式之等離子之靜電吸附方式之處理裝置亦 可適用。由前面所說明即可明瞭,依本發明時可以令試件 不致於挪移於水平方向之下,確實地從試件台脫離,因此 具有迅速確實地實施過程處理完成後之試件之搬送之效果 也。 圖式之簡單說明 第1圖表示本發明之一實施例之等離子處理裝置之等 離子產生部及試件台部之詳細之圖。 第2圖係模式的表示晶圓之脫離之實施例之圖。 第3圖係表示使用本發明之等離子處理裝置之蝕刻處 理之流程之一例圖。 主要元件對照表 1 :磁控管 2 :波導管 3:圓形矩形變換波導管 4 :圓筒空調部 5 :電蝸管線圈 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)"―_ _ 一 i HJ ^^^1 Lf— an— 1^1 _^.'f、m ·1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
A
經濟部中央揉準局貝工消费合作社印I A7 B7五、發明説明(12 ) 6 :彼波透過窗 7 :真空容器 8 :試件台 9:驅動機構 10:離子處理 1 1 :靜電吸附用電源 12:絕緣物蓋 13:接極電極 14:緩衝室 1 5 :離子 16:氣體導入經路 17:噴灑板 18:頂上梢 1 9 :晶圓 -TIJ-----jr 裝-- (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂
JA 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公羞) -15-
Claims (1)
- 經濟部中央標率局貝工消費合作社印裝 $lti 〇S94i B8 C8 ______D8 六、申請專利範圍 1 ·—種自試件台將靜電吸附之試件予以脫離之方法, 主要係’配置於真空室內之試件台上,以靜電吸附保持該 載置於施加了靜電吸附電壓之試件台上之試件,而欲由試 件台脫離該被靜電吸附之試件之方法中,其特徵爲:反複 地實施,令該用於由試件台去除試件用之頂上梢,從試件 台相對地頂上預先規定之高度之第1步驟;及該第1步驟 之終了後,以預先規定之時間之間,令該頂上梢之頂上動 作靜止之第2步驟,而藉由試件之反力,使該被靜電吸附 之試件脫離試件台者》 2·如申請專利範圍第1項所述之自試件台將靜電吸 附之試件予以脫離之方’法,其中反複,對於頂上梢而使試 件台下降預先規定之長度之第1步驟,及預先規定之時間 內使上述試件台之下降靜止之第2步驟,而使該試件台下 降,以資相對的使上述頂上梢上昇者》 3·如申請專利範圍第1項所述之自試件台將靜電吸 附之試件予以脫離之方法,其中反複實施,將頂上梢頂上 之預先規定之高度;而後預先規定之時間之間停止該頂上 動作;而使試件台下降預先規定之長度:而後預先規定之 時間之間停止之步驟者。 4·一種自試件台將靜電吸附之試件予以脫離之裝置 9 主要係,配置於真空室內之試件台上,以靜電吸附保 持該載置於施加了靜電吸附電壓之試件台上之試件,而欲 由試件台脫離該被靜電吸附之試件之裝置中,其特徵爲, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) /U洗格(210X 297公釐1 二16· ^ it m ^^^1 m ( ^^^1 ^^^1 · \ \ - / (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---- Η-ΐιιί :----II 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 393701_g_六、申請專利範園 具備: 對於該試件台而相對地將上述頂上梢頂上驅動之驅動 部; 及反複地實施令該用於自上述試件台去除上述試件之 頂上梢,由上述試件台而頂上預先規定之高度,而後預先 規定之時間之間令上述頂上梢之頂上動作靜止之動作,以 資由上述試件台將該靜電吸附之上述試件頂上到實質的釋 放之位置爲止地予以實施頂上動作地控制上述驅動部之控 制部, 而藉由上述試件之反力使該被靜電吸附之試件脫離試 件台之裝置者。 5·如申請專利範圍第4項所述之自試件台將靜電吸 附之試件予以脫離之裝置,其中,上述控制部係,反複實 施對於頂上梢而使試件台下降預先規定之長度,而預先規 定之時間之間,令上述試件台之下降之動作,而令該試件 台下降,由而令上述頂上梢相對的上昇者。 6·如申請專利範圍第4項所述之自試件台將靜電吸 附之試件予以脫離之裝置,其中,上述控制部係反複實施 ,將頂上梢頂上預先規定之高度,而後預先規定之時間之 間停止頂上動作,令試件台下降預先規定之長度,而後預 先規定之時間之間停止下降之動作者。 7·—種自試件台將靜電吸附之試件予以脫離之方法 主要係,藉由頂上梢將利用靜電吸附而保持於配置於 1ΗΙ 1^1 —til -r^i ·1_1 ·ϋι — JH. 1 .*., -- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、π d,^ 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS > A'4規格(2丨0 X 297公釐) -17- 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 393701 έ«8 C8 D8 0六、申請專利範圍 真空處理室內之試件台上之試件予以脫離之方法,甚特徵 局 · 由:複數的分割爲了實質的解除由上述試件台之靜電 吸附之影響所需要之上述頂上梢之對於上述試件台之相對 的頂上高度,而以該分割之高度份地頂上上述頂上梢之第 1步驟, 及該第1步驟之完成後預先規定之時間地停止上述頂 上梢之對於上述試件台之相對的移動之第2步驟, 及反複上述第1步驟及上述第2步驟,使自上述試件 台將上述被靜電吸附之上述試件頂上至實質上可解除影響 之位置者。 8·—種自試件台將靜電吸附之試件予以脫離之裝置 > 主要係,藉由頂上梢,將利用靜電吸附而保持於配置 於真空處理室內之試件台上之試件予以脫離之裝置,其特 徵爲:具備有:對於上述試件台而相對的將上述頂上梢頂 上驅動之驅動部,及 複數的分割爲了實質的解除,由上述試件台之靜電吸 附之影響所需要之上述頂上梢之對於上述試件台之相對的 頂上髙度,而將上述頂上梢頂上該分割之高度份量, 而後預先規定之時間地停止上述頂上梢之對於上述試 件台之相對的移動,反複實施上述頂上及停止之動作,以 資自上述試件台將被靜電吸附之試件頂上到實質上解除之 位置地控制上述驅動部之控制部而構成者。 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)-18 - -T-- H —. *----T V' 裝-- . vi (請先閱讀背面之注^項再填寫本頁) 訂 v-i
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16372097A JP3725967B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 静電吸着した試料を離脱する方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW393701B true TW393701B (en) | 2000-06-11 |
Family
ID=15779384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087109949A TW393701B (en) | 1997-06-20 | 1998-09-19 | Method and apparatus of removing a sample adsorbed by static electricity from the sample stage |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0886298A2 (zh) |
JP (1) | JP3725967B2 (zh) |
KR (1) | KR19990007128A (zh) |
CN (1) | CN1203443A (zh) |
TW (1) | TW393701B (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6074953A (en) * | 1998-08-28 | 2000-06-13 | Micron Technology, Inc. | Dual-source plasma etchers, dual-source plasma etching methods, and methods of forming planar coil dual-source plasma etchers |
US6305677B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-10-23 | Lam Research Corporation | Perimeter wafer lifting |
JP4316445B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2009-08-19 | シャープ株式会社 | 基板搬送装置および基板搬送方法、並びにそれらの利用 |
CN100343963C (zh) * | 2004-09-03 | 2007-10-17 | 财团法人工业技术研究院 | 多针顶出装置 |
JP2009164620A (ja) * | 2009-02-13 | 2009-07-23 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置 |
US8313612B2 (en) * | 2009-03-24 | 2012-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking |
CN102002680B (zh) * | 2009-08-31 | 2012-11-21 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 承载盘以及具有该承载盘的顶出治具 |
CN103779165B (zh) * | 2012-10-19 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体设备及工件位置检测方法 |
CN108220874A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-29 | 德淮半导体有限公司 | 预处理装置及物理气相沉积设备 |
CN108962794B (zh) * | 2018-07-20 | 2020-08-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种升针方法及应用其的顶针升降装置 |
JP7111816B2 (ja) * | 2018-07-30 | 2022-08-02 | アルバックテクノ株式会社 | 基板リフト装置及び基板搬送方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01227454A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 静電チャック |
JP3230821B2 (ja) * | 1991-01-28 | 2001-11-19 | 株式会社東芝 | プッシャーピン付き静電チャック |
JPH05129421A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-05-25 | Fujitsu Ltd | 静電チヤツク |
JP3264391B2 (ja) * | 1993-05-17 | 2002-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着体の離脱装置 |
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JP2869384B2 (ja) * | 1995-06-30 | 1999-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
JP3005461B2 (ja) * | 1995-11-24 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | 静電チャック |
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-
1997
- 1997-06-20 JP JP16372097A patent/JP3725967B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-19 EP EP98304846A patent/EP0886298A2/en not_active Withdrawn
- 1998-06-19 KR KR1019980023056A patent/KR19990007128A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-06-19 CN CN98114940A patent/CN1203443A/zh active Pending
- 1998-09-19 TW TW087109949A patent/TW393701B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1116994A (ja) | 1999-01-22 |
KR19990007128A (ko) | 1999-01-25 |
JP3725967B2 (ja) | 2005-12-14 |
EP0886298A2 (en) | 1998-12-23 |
CN1203443A (zh) | 1998-12-30 |
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