KR20170032436A - 프로세스 챔버들에서 기판 슬라이딩을 감소시키기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

프로세스 챔버들에서 기판 슬라이딩을 감소시키기 위한 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 개시된다. 몇몇 실시예들에서, 기판을 프로세싱하기 위한 장치는, 전기적 절연 코팅(electrically insulating coating)을 포함하는 기판 지지 표면을 갖는 기판 지지부; 기판 지지 표면 아래에 배치된 제 1 포지션과 기판 지지 표면 위에 배치된 제 2 포지션 사이에서 이동하도록 구성된 복수의 리프트 핀들을 포함하는 기판 리프트 메커니즘; 및 복수의 리프트 핀들이 기판 지지 표면의 평면에 도달하기 전에 기판 지지부와 기판 리프트 메커니즘 사이에 전기적 연결을 선택적으로 제공하도록 구성된 커넥터를 포함한다.

Description

프로세스 챔버들에서 기판 슬라이딩을 감소시키기 위한 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR REDUCING SUBSTRATE SLIDING IN PROCESS CHAMBERS}
[0001] 본 개시물의 실시예들은 일반적으로, 기판 프로세싱 시스템에 관한 것이며, 더 구체적으로, 후면 산화물 층(back oxide layer)을 갖는 기판들을 프로세싱하기 위한 장치 및 방법들에 관한 것이다.
[0002] 반도체 웨이퍼들과 같은 기판들의 프로세싱에서, 기판은 기판 프로세싱 시스템의 프로세스 챔버의 기판 지지부 상에 위치된다. 종종, 기판을 위한 지지부는, 수행되는 프로세스들 동안 기판을 적절한 포지션에 홀딩하기 위한, 가열기 페데스탈과 같은 지지 부재이다. 전형적으로, 기판은 지지 부재 상에 위치되며, 일반적으로, 기판이 균일하게 프로세싱되기 위해 지지 부재에 대해 중앙에 위치된다(centered). 그런 다음에, 플라즈마 프로세스들 또는 다른 프로세스들과 같은 하나 또는 그 초과의 프로세스들이 기판 상에서 수행된다. 하나 또는 그 초과의 프로세스들의 완료 이후, 그런 다음에 기판은, 예컨대, 기판 지지부의 평면에 대해 수직인 방향으로 변위 가능할 수 있는 리프트 핀들을 사용하여 기판 지지부로부터 제거된다. 리프트 핀들은, 프로세스 챔버로부터 기판의 후속 제거(subsequent removal)를 위해, 기판 지지부로부터 기판을 리프팅하도록 기판에 대해서 이동한다.
[0003] 본 발명자들은, 몇몇 프로세스들에서, 프로세스의 완료 이후에 기판을 리프팅하려고 시도할 때 기판이 기판 지지부 상에서 바람직하지 않게 이동할 수 있다는 것을 관찰하였다. 특히, 본 발명자들은, (약 10kÅ 또는 그 초과의 두께와 같이) 두꺼운 후면 산화물 층을 갖고 후면 산화물 층이 기판 지지부와 접촉하고 있는 상태로 기판 지지부 상에 배치된 기판 상에서 수행되는 몇몇 프로세스들의 완료 이후에 기판을 리프팅하려고 시도함에 따라, 기판이 바람직하지 않게 이동할 수 있다는 것을 관찰하였다.
[0004] 따라서, 본 발명자들은, 프로세스 챔버에서 기판들을 프로세싱하기 위한 개선된 방법들 및 장치의 실시예들을 제공하였다.
[0005] 기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 개시된다. 몇몇 실시예들에서, 기판을 프로세싱하기 위한 장치는, 전기적 절연 코팅(electrically insulating coating)을 포함하는 기판 지지 표면을 갖는 기판 지지부; 기판 지지 표면 아래에 배치된 제 1 포지션과 기판 지지 표면 위에 배치된 제 2 포지션 사이에서 이동하도록 구성된 복수의 리프트 핀들을 포함하는 기판 리프트 메커니즘; 및 복수의 리프트 핀들이 기판 지지 표면의 평면에 도달하기 전에 기판 지지부와 기판 리프트 메커니즘 사이에 전기적 연결을 선택적으로 제공하도록 구성된 커넥터를 포함한다.
[0006] 몇몇 실시예들에서, 기판을 프로세싱하기 위한 장치는, 기판의 제 2 표면 상에서 프로세스가 수행되는 동안 기판의 제 1 표면의 적어도 일부분을 지지하고 그와 접촉하는 기판 지지부 - 프로세스가 수행되는 동안 기판 지지부는 전기적으로 격리됨 -; 프로세스가 수행되는 동안 기판으로부터 떨어져 있고, 후속하여 기판의 제 1 표면과 접촉하는 기판 리프트 메커니즘; 및 기판의 제 1 표면과 기판 리프트 메커니즘 사이의 전위차가 제거되도록, 프로세스가 종료된 이후 기판 리프트 메커니즘이 기판의 제 1 표면과 접촉하기 전의 시간에 기판 지지부와 기판 리프트 메커니즘 사이에 전기적 연결을 제공하는 커넥터를 포함한다.
[0007] 몇몇 실시예들에서, 기판을 프로세싱하기 위한 장치는, 프로세스 챔버; 프로세스 챔버 내에 배치된 기판 지지부 - 기판 지지부는 전기적 절연 코팅을 포함하는 기판 지지 표면을 가짐 -; 기판 지지 표면 아래에 배치된 제 1 포지션과 기판 지지 표면 위에 배치된 제 2 포지션 사이에서 이동하도록 구성된 복수의 리프트 핀들을 포함하는 기판 리프트 메커니즘; 복수의 리프트 핀들이 기판 지지 표면의 평면에 도달하기 전에 기판 지지부와 기판 리프트 메커니즘 사이에 전기적 연결을 선택적으로 제공하도록 구성된 커넥터; 및 프로세스 챔버 내에서 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 전력 소스를 포함한다.
[0008] 몇몇 실시예들에서, 기판을 프로세싱하기 위한 장치는, 기판의 제 2 표면 상에서 수행되는 프로세스가 종료된 이후의 시간에 기판 리프트 메커니즘과 기판의 제 1 표면 사이에 전기적 연결을 제공하는 커넥터를 포함하며, 기판의 제 1 표면의 적어도 일부분은 프로세스가 수행되는 동안 기판 지지부에 의해 지지되고 기판 지지부와 접촉하며, 기판 지지부는 프로세스가 수행되는 동안 전기적으로 격리되며, 프로세스가 수행되는 동안 기판 리프트 메커니즘은 기판으로부터 이격되어 있다.
[0009] 몇몇 실시예들에서, 기판을 프로세싱하는 방법은, 기판 지지부 상에 배치된 기판 상에서 프로세스를 수행하는 단계 - 프로세스가 수행되는 동안 기판 지지부는 전기적으로 격리됨 -; 프로세스가 종료된 이후, 기판 지지부와 기판 리프트 메커니즘 사이의 전위차를 감소시키거나 제거하기 위해 기판 지지부와 기판 리프트 메커니즘을 전기적으로 커플링하는 단계; 및 후속하여 기판과 기판 리프트 메커니즘을 접촉시키는 단계를 포함한다.
[0010] 본 개시물의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 이하에서 설명된다.
[0011] 첨부된 도면들에 도시된 본 개시물의 예시적 실시예들을 참조하여, 앞서 간략히 요약되고 이하에서 더 상세하게 논의되는 본 개시물의 실시예들이 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시물의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시물이, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0012] 도 1은, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른 기판 리프트 메커니즘 및 기판 지지부의 예를 도시한다.
[0013] 도 2a 및 2b는, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 예를 예시한다.
[0014] 도 3은, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른 방법의 예를 예시하는 흐름도이다.
[0015] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내기 위해, 동일한 참조번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 도시된 것은 아니며, 명료함을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은, 추가적인 언급 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다.
[0016] 본 개시물의 실시예들은, 프로세싱의 완료 이후에 기판과 기판 리프트 메커니즘 사이의 전압차들에 기인한, 기판 지지부 상에서의 기판 이동을 유리하게 방지하는 장치 및 방법들에 관한 것이다. 본 개시물의 범위를 제한하지 않으면서, 본 개시물의 실시예들은, 프로세스 챔버에서 프로세스, 예컨대, 플라즈마 프로세스의 완료 이후, 두꺼운 후면 산화물 층(예컨대, 약 10kÅ 또는 그보다 더 두꺼운 두께를 갖는 후면 산화물)을 갖는, 반도체 웨이퍼들과 같은 기판들의 시프팅(shifting)의 문제를 다루는 데에 유용할 수 있다.
[0017] 본 발명자들은, 기판 지지부 상에서 중앙에 위치된 기판이 프로세스 내내 그리고 프로세스의 완료 직후에 중앙에 위치된 채로 남아있을 수 있다는 것을 관찰하였다. 본 발명자들은, 플라즈마 프로세스의 완료 이후 리프트 핀들이 기판과 접촉할 때 때때로 기판이 바람직하지 않게 측방향으로 시프팅하지만, 비-플라즈마(non-plasma) 프로세스가 완료된 후에는 리프트 핀들에 의해 터치될 때 시프팅하지 않는 것을 추가로 관찰하였다. 본 발명자들은 또한, 그러한 시프트가, 두꺼운 후면 산화물 웨이퍼가 플라즈마 프로세싱되었을 때는 일어나지 않음을 관찰하였다. 따라서, 본 발명자들은, 기판의 두꺼운 후면 산화물 층, 플라즈마 프로세스 및 리프트 핀들과의 접촉의 조합이 기판의 포지션의 시프트를 야기한다고 결론지었다.
[0018] 더 구체적으로, 본 발명자들은, DC 플라즈마의 자가-바이어스(self-bias)가, 플라즈마 프로세스 동안 기판에 인가될 때, 두꺼운 후면 산화물 층의 유전 분극(dielectric polarization)을 초래하는 전기장을 제공한다고 믿는다. 즉, 두꺼운 후면 산화물 층 내에서 양전하들(positive charges)이 전기장으로 향하는 방향으로 변위되고, 두꺼운 후면 산화물 층 내에서 음전하들(negative charges)이 전기장으로부터 멀어지는 방향으로 변위된다. 기판과 접촉한 기판 지지부의 표면이, DYLYN® 다이아몬드-형 탄소(DLC) 코팅 등과 같은 전기적 절연 코팅으로 코팅되었기 때문에, 두꺼운 후면 산화물 층은, 플라즈마 프로세스의 종료 시에, 양극화된 상태를 유지한다. 그러한 코팅들은, 기판과 기판 지지부 사이의 열 미스매치들(thermal mismatches)을 방지하고 기판에서의 응력(stress)을 감소시키는 데에 사용될 수 있다. 본 발명자들이 언급한(noted) 전기적 절연 코팅은, 두꺼운 후면 산화물 층에 축적된(built up) 전하들이 기판 지지부를 통해 소산(dissipating)되는 것을 방지한다. 두꺼운 후면 산화물 층에서의 전하 축적은 이론적으로, 리프트 핀이 기판과 접촉하기 전에 대기함으로써 기판의 미세-균열들(micro-cracks)을 통해 소산될 수 있지만, 낭비되는 시간은 제조 프로세스에 요구되는 것보다 훨씬 더 길다.
[0019] 전하 축적의 결과로서, 기판이 리프트 핀들에 의해 접촉될 때, 기판이 정전기적으로(electrostatically) 반발되어(repelled) 중앙에 위치된 포지션으로부터 멀어지게 슬라이딩하도록 야기하는 전위차가, 프로세스의 완료 이후, 두꺼운 후면 산화물 층에 걸쳐서 남아있다.
[0020] 몇몇 실시예들에서, 상기 언급된 문제는, 기판 지지부의 기판 지지 표면으로부터 전기적 절연 코팅을 제거하는 것에 의해 다루어질 수 있다. 예컨대, 상기 설명된 바와 같이, 기판 지지부의 기판 지지 표면은, 기판과 기판 지지부 사이의 열 미스매치들을 방지하기 위해, DYLYN®과 같은 코팅으로 코팅될 수 있으며, 코팅은 기판 지지 표면으로부터 제거된다. 기판 지지 표면으로부터 전기적 절연 코팅을 제거함으로써, 기판은 도체인 기판 지지부와 직접 접촉한다; 따라서 두꺼운 후면 산화물 층의 표면 상에서의 임의의 전하 축적이 소산된다. 다른 예로서, 기판 지지부의 기판 지지 표면은 상기-설명된 DYLYN® 코팅 및 티타늄 코팅 양자 모두로 코팅될 수 있으며, 이러한 코팅들 양자 모두가 기판 지지부의 기판 지지 표면으로부터 제거되어, 두꺼운 후면 산화물 층의 표면 상에서의 전하 축적을 더 감소시킨다.
[0021] 본 발명자들은, 전기적 절연 코팅이 제거된 기판 지지 표면 상에 배치된 기판 상에서 플라즈마 프로세스가 수행될 때, 리프트 들핀과의 접촉 시 기판의 슬라이딩의 실질적인 감소가 있음을 알아냈다(determine). 본 발명자들은 추가로, 반도체 웨이퍼의 예의 경우, 기판 지지부로부터의 전기적 절연 코팅의 제거가, 프로세스가 수행된 이후, 기판 응력에 상당히 불리하게 영향을 미치지 않는다는 것을 알아냈다.
[0022] 본 발명자들은, 접지 루프(grounding loop)와 같은 커넥터를 통합하는 것에 의해, 리프트 핀들 및 기판 지지부의 전위를 동일하게(equalized) 하고 그리고 따라서, 기판 상에서의 프로세스의 완료 이후 및 리프트 핀들이 기판과 접촉하기 전의 시간에, 리프트 핀들 및 두꺼운 후면 산화물 층의 전위를 동일하게 하는 방식으로, 프로세스-이후(post-process) 기판 슬라이딩의 문제를 추가로 다루었다. 전위차를 제거함으로써, 리프트 핀들과의 접촉 시 기판의 슬라이딩이 추가로 감소되었다.
[0023] 도 1은, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지부의 비-제한적인(non-limiting) 예(100)를 예시한다. 기판 지지부(102)는 기판 지지 표면(104)을 갖는다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부는 또한, 저항성 가열기와 같은 가열기(110)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 전기적 절연 코팅, 예컨대, 상기 설명된 바와 같은 DYLYN® 코팅을 갖는 기존의 기판 지지부는 전기적 절연 코팅이 제거될 수 있다. 기판(120)은, 기판 지지부(102)의 기판 지지 표면(104)과 접촉하는, 두꺼운(예컨대, 약 10kÅ 초과) 후면 산화물 층(122)과 같은 유전체 후면 코팅(dielectric backside coating)을 가질 수 있다.
[0024] 기판 리프트 메커니즘(105)은, 예컨대, 복수의 리프트 핀들(106)을 포함하고, 복수의 리프트 핀들 각각은, 각각의 리프트 핀들의 베이스에서, 후프 링(hoop ring; 108)에 부착된다. 기판 지지부는, 리프트 핀들(106)이 내부로 진입할 수 있는 복수의 대응하는 개구부들(103)을 갖는다. 기판 리프트 메커니즘(105)은, 기판(120)이 기판 지지부(102) 상에 배치될 때 기판(120) 및 기판 지지부(102)로부터 이격되어 배치되는 제 1 포지션과, (예컨대, 기판 이송 로봇으로의 또는 기판 이송 로봇으로부터의 기판의 이송을 용이하게 하도록) 기판 지지부(102)에 대해 이격되어 기판(120)을 지지하기 위해 기판(120)의 제 1 표면과 접촉하는 제 2 포지션 사이에서 이동 가능하다.
[0025] 접지 스트립(strip)(130)과 같은 커넥터는, 예컨대, 기판 지지부(102)의 바닥부에 전기적으로 커플링되고, 기판 리프트 메커니즘(105)과 기판 지지부(102)의 상대 운동에 의해, 기판 리프트 메커니즘(105)이 기판(120)의 제 2 표면과 접촉하기 전에 기판 리프트 메커니즘(105)의 정상부 표면(예컨대, 후프 링(108))과 전기적으로 접촉하게 된다. 다른 예에서, 커넥터는 기판 리프트 메커니즘(105)의 정상부 표면(예컨대, 후프 링(108)의 정상부 표면)에 전기적으로 커플링되고, 기판 리프트 메커니즘과 기판 지지부의 상대 운동에 의해, 기판 지지부의 바닥부 표면과 전기적으로 접촉하게 된다. 기판 지지부와 기판 리프트 메커니즘 사이에 전기적 연결을 제공함으로써, 커넥터는 기판 지지부와 기판 리프트 메커니즘 사이의 임의의 전위차를 감소시키거나 제거하고, 이는, 기판 리프트 메커니즘이 기판의 제 2 표면과 접촉할 때, 기판 지지부의 중앙으로부터의 기판의 임의의 슬라이딩을 최소화한다.
[0026] 몇몇 실시예들에서, 접지 스트립(130)은 재료의 가요성 부재, 예컨대, 얇은 후프, 또는 링(예컨대, 접지 루프, 예를 들어, 링을 형성하는 가요성 금속 밴드)일 수 있다. 가요성 접지 스트립(130)은, 기판과 접촉하고 기판을 기판 지지부(102)의 기판 지지 표면으로부터 제거하도록 기판 리프트 메커니즘(105)의 리프트 핀들을 이동시킬 때 기판 지지부(102)와 기판 리프트 메커니즘(105)의 서로에 대한 연속된(continued) 이동을 용이하게 위해, 예컨대, 탄성 변형에 의해 이동할 수 있다.
[0027] 도 2a 및 2b는, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른, 기판 지지부(202)를 갖는 프로세스 챔버(200)의 비-제한적인 예를 도시한다. 기판 지지부(202)는 이하에서, 물리 기상 증착(PVD) 프로세스 챔버에서 사용되는 것으로 설명되지만, 기판 지지부(202)는, 플라즈마 프로세싱 또는 다른 조건들이 기판 지지부의 리프트 핀들과 기판 사이에 전압 전위차를 초래하는 다른 프로세스 챔버들에서 유리하도록 사용될 수 있다.
[0028] 기판 지지부(202)는 프로세스 챔버(200)의 프로세싱 용적 내에 배치되고, 전도성 재료로 형성된다. 접지 스트립(230)과 같은 커넥터는, 예컨대, 기판 지지부(202)의 바닥부에 전기적으로 커플링된다. 기판 리프트 메커니즘은, 예컨대, 리프트 핀들(206)을 포함하고, 리프트 핀들 각각은, 각각의 리프트 핀들의 베이스에서, 후프 링(208)에 부착된다. 이하에서 논의되는 세부 사항들에 부가하여, 기판 지지부(202), 접지 스트립(230), 및 기판 리프트 메커니즘 중 하나 또는 그 초과는, 도 1과 관련하여 상기 설명된 기판 지지부(102), 접지 스트립(130), 및 기판 리프트 메커니즘(105)과 유사할 수 있다.
[0029] 기판 지지부(202) 및 기판 리프트 메커니즘은 각각, 챔버 벽들(204) 내에 그리고 덮개 조립체(210) 아래에 포함된다. 덮개 조립체(210)는 기판 지지부(202) 상에 배치된 기판 상에 스퍼터 증착될(sputter deposited) 재료의 타겟(target)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, DC 전력 공급부(212)와 같은 플라즈마 전력 소스는, 프로세스 챔버 내에서, 가스 공급부(도시되지 않음)를 통해 챔버에 공급되는 하나 또는 그 초과의 가스들로부터 플라즈마를 생성하기 위해, 전력을 제공한다. 몇몇 실시예들에서, 플라즈마 전력 소스는 덮개 조립체(210)를 통해 타겟에 커플링된다. 자석(214)은, 프로세싱, 예컨대, 활용의 타겟 균일도, 스퍼터 레이트, 타겟 수명, 등을 증진시키기 위해, 타겟 근처에 플라즈마를 한정하는 데에 사용된다. 대안적으로 또는 조합하여, 플라즈마를 생성하기 위해 전력을 제공하도록, RF 전력 공급부가 DC 전력 공급부(212) 대신에 또는 그와 함께 사용될 수 있다.
[0030] 도 2a는, 기판 지지부(202)의 기판 지지 표면 정상에 배치되고 기판 지지 표면과 접촉하는 제 2 표면을 갖는, 반도체 웨이퍼와 같은 기판(220)의 제 1 표면 상에서의 프로세스의 완료 시의 프로세스 챔버(200)를 도시한다. 기판(220)은 또한, 예컨대, 예로서 적어도 10kÅ의 두께를 갖는 두꺼운 후면 산화물 층(222)을 포함한다. 예컨대, 프로세스는, 물리 기상 증착(PVD) 프로세스, 화학 기상 증착(CVD) 프로세스, 반응성 이온 에칭(RIE) 또는 다른 에칭 프로세스, 또는 다른 플라즈마 프로세스와 같은 플라즈마 프로세스이다.
[0031] 기판(220)의 제 1 표면 상에서의 프로세스의 완료 이후, 예컨대, 기판 지지부가 하방으로 병진운동(translating)하거나, 기판 리프트 메커니즘이 상방으로 병진운동하거나, 또는 기판 지지부는 하방으로 병진운동하고 기판 리프트 메커니즘은 상방으로 병진운동하는 것에 의해, 기판 지지부 및 기판 리프트 메커니즘이 서로에 대해 이동한다. 기판 리프트 메커니즘과 기판 지지부의 상대 운동은, 예컨대, 기판 이송 로봇을 사용하는 것에 의해 기판이 프로세스 챔버로부터 이송될 수 있도록, 기판을 기판 지지부로부터 기판 리프트 메커니즘으로 이송하기 위해 수행된다.
[0032] 도 2b는, 커넥터(230)가 기판 리프트 메커니즘과 접촉하기 된 이후 그리고 기판 리프트 메커니즘이 기판과 접촉한 이후의 도 2a의 프로세스 챔버(200)의 예를 도시한다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 기판은 실질적으로 기판 지지부의 중앙에 남아있는 것으로 밝혀졌다.
[0033] 도 3은, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른, 기판을 프로세싱하는 방법(300)의 예를 예시한다. 방법(300)은 도 1 또는 도 2a-b에서 설명된 기판 지지부와 유사한 기판 지지부를 갖는 프로세스 챔버, 또는 상기 교시들(teachings)에 따른 다른 적합한 프로세스 챔버 및 기판 지지부에서 수행될 수 있다.
[0034] 방법(300)은 일반적으로, 기판이 기판 지지부에 의해 지지되는 동안 기판 상에서 프로세스가 수행되는 302에서 시작한다. 기판 지지부는 프로세스가 수행되는 동안 전기적으로 격리된다. 다음에, 304에서, 프로세스가 종료된 이후, 기판과 기판 리프트 메커니즘 사이의 임의의 전위차를 감소시키거나 제거하기 위해 기판 지지부와 기판 리프트 메커니즘이 전기적으로 커플링된다. 예컨대, 기판 지지부 또는 기판 리프트 메커니즘 중 적어도 하나는, 기판 지지부 또는 기판 리프트 메커니즘 중 하나에 전기적으로 커플링된 커넥터가, 기판 지지부 또는 기판 리프트 메커니즘 중 다른 하나와 전기적으로 접촉하게 될 때까지, 기판 지지부 또는 기판 리프트 메커니즘 중 적어도 다른 하나에 대해서 이동된다. 그런 다음에, 306에서, 기판을 기판 지지부로부터 리프팅하기 위해, 예컨대, 기판 지지부 또는 기판 리프트 메커니즘 중 적어도 하나의 추가적인 상대 운동에 의해서, 기판이 기판 리프트 메커니즘과 접촉하게 된다.
[0035] 전술한 내용은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시물의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 본 개시물의 기본 범위를 벗어나지 않고 안출될 수 있다.

Claims (15)

  1. 기판을 프로세싱하기 위한 장치로서,
    전기적 절연 코팅(electrically insulating coating)을 포함하는 기판 지지 표면을 갖는 기판 지지부;
    상기 기판 지지 표면 아래에 배치된 제 1 포지션과 상기 기판 지지 표면 위에 배치된 제 2 포지션 사이에서 이동하도록 구성된 복수의 리프트 핀들(lift pins)을 포함하는 기판 리프트 메커니즘(substrate lift mechanism); 및
    상기 복수의 리프트 핀들이 상기 기판 지지 표면의 평면에 도달하기 전에 상기 기판 지지부와 상기 기판 리프트 메커니즘 사이에 전기적 연결을 선택적으로 제공하도록 구성된 커넥터를 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 커넥터는 상기 기판 지지부 또는 상기 기판 리프트 메커니즘 중 하나에 전기적으로 커플링되고, 상기 기판 지지부 또는 상기 기판 리프트 메커니즘 중 다른 하나와 전기적으로 접촉하도록 이동 가능한,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 커넥터는 상기 기판 리프트 메커니즘에 커플링되고, 상기 기판 리프트 메커니즘에 대한 상기 기판 지지부의 상대 운동에 의해, 상기 기판 지지부와 전기적으로 접촉하도록 이동하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 리프트 메커니즘은, 상기 복수의 리프트 핀들을 지지하고 그와 전기적으로 접촉하는 후프 링(hoop ring)을 포함하고, 상기 커넥터는 상기 기판 지지부와 상기 후프 링 사이에 전기적 연결을 제공하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 리프트 메커니즘은 상기 기판 지지부에 대해 이동 가능하며, 상기 기판 지지부와 상기 기판 리프트 메커니즘을 서로에 대해서 이동시킴으로써, 상기 기판 지지 표면 상에 배치된 기판과 접촉하게 될 수 있는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커넥터는 접지 루프(grounding loop)인,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 가열기(heater)를 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는, 상기 기판 지지 표면 상에 배치된 기판이 전도체와 전기적으로 접촉하도록 하는 포지션에서 상기 기판 지지 표면과 전기적으로 접촉하는 전도체를 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    프로세스 챔버 - 상기 기판 지지부는 상기 프로세스 챔버 내에 배치됨 -; 및
    상기 프로세스 챔버 내에서 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 전력 소스를 더 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    스퍼터 증착될(sputter deposited) 재료를 포함하는 타겟(target); 및
    프로세싱 동안 상기 타겟 근처에 상기 플라즈마를 한정하도록 상기 타겟 근처에 배치된 자석을 더 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 플라즈마 전력 소스는 상기 타겟에 커플링되고, DC 전력 공급부 또는 RF 전력 공급부 중 적어도 하나를 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  12. 기판을 프로세싱하는 방법으로서,
    기판 지지부 상에 배치된 기판 상에서 프로세스를 수행하는 단계 - 상기 기판 지지부는 상기 프로세스가 수행되는 동안 전기적으로 격리됨(electrically isolated) -;
    상기 프로세스가 종료된 이후, 상기 기판 지지부와 기판 리프트 메커니즘 사이의 전위차를 감소시키거나 제거하기 위해 상기 기판 지지부와 상기 기판 리프트 메커니즘을 전기적으로 커플링하는 단계; 및
    후속하여 상기 기판과 상기 기판 리프트 메커니즘을 접촉시키는 단계를 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 프로세스가 수행되는 동안 전하가 상기 기판의 제 1 표면의 적어도 일부분에 축적되도록, 산화물 층(oxide layer)이, 상기 기판 지지부와 접촉하는 상기 기판의 제 1 표면의 적어도 일부분 상에 배치되는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 프로세스는 플라즈마 프로세스를 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  15. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 프로세스는 물리 기상 증착(PVD) 프로세스, 화학 기상 증착(CVD) 프로세스, 또는 에칭 프로세스인,
    기판을 프로세싱하는 방법.
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