JP2000096031A - Ｃｓｐ基板用耐熱性接着剤組成物、それを用いた耐熱性接着シート及びｃｓｐ基板の製造方法 - Google Patents
Ｃｓｐ基板用耐熱性接着剤組成物、それを用いた耐熱性接着シート及びｃｓｐ基板の製造方法Info
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリイミド基材と銅箔との接着性に優れ、ま
た、耐熱性、耐ＰＣＴ性に優れたＣＳＰ基板用耐熱性接
着剤組成物、それを用いた耐熱性接着シート及び耐熱性
接着シートを用いたＣＳＰ基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１
００重量部及び熱硬化性樹脂１〜１５０重量部を含有す
るＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物。ポリイミド基材５
に接着剤を形成した接着シートであり、ポリイミド基材
の少なくとも片面に前記のＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組
成物をＢステージに形成した耐熱性接着シート９。工程
（１）前記の耐熱性接着シートにハンダボール穴となる
貫通穴を形成する工程、（２）耐熱性接着シートの片面
のＢステージ面４に銅箔を積層する工程、（３）銅箔の
不用部分をエッチング除去して回路７を形成する工程、
（４）回路表面に金めっきする工程を含むＣＳＰ基板の
製造方法。
た、耐熱性、耐ＰＣＴ性に優れたＣＳＰ基板用耐熱性接
着剤組成物、それを用いた耐熱性接着シート及び耐熱性
接着シートを用いたＣＳＰ基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１
００重量部及び熱硬化性樹脂１〜１５０重量部を含有す
るＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物。ポリイミド基材５
に接着剤を形成した接着シートであり、ポリイミド基材
の少なくとも片面に前記のＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組
成物をＢステージに形成した耐熱性接着シート９。工程
（１）前記の耐熱性接着シートにハンダボール穴となる
貫通穴を形成する工程、（２）耐熱性接着シートの片面
のＢステージ面４に銅箔を積層する工程、（３）銅箔の
不用部分をエッチング除去して回路７を形成する工程、
（４）回路表面に金めっきする工程を含むＣＳＰ基板の
製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＳＰ基板用耐熱
性接着剤組成物、それを用いた耐熱性接着シート及びＣ
ＳＰ基板の製造方法に関するものである。
性接着剤組成物、それを用いた耐熱性接着シート及びＣ
ＳＰ基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ実装技術として、ＬＳＩの実装面
積をチップ寸法に縮小できるＣＳＰ（チップ・サイズ・
パッケージ）が普及し始めている。ＣＳＰはパッケージ
内部の配線長が短く、インダクタンスが小さい。このた
めＬＳＩの高速化といった性能向上に有利であり、近年
の携帯電話やビデオカメラの他、パーソナルコンピュー
タのＤＲＡＭ等へ適用されている。ＣＳＰにはワイヤー
ボンディング型、セラミック型、スルー・ホール型、μ
ＢＧＡ型などの構造がある。ワイヤーボンディング型は
チップをワイヤボンディングによりポリイミド基板に接
続し、樹脂で封止する方式である。この方法は構造が簡
単で既存のＢＧＡ技術の延長上で作ることができ、１０
０ピン以下の小ピンＣＳＰの主流になるとみられてい
る。ワイヤボンディング型で使用されるＣＳＰ基板の製
造は例えば、銅箔と加熱接着可能な接着剤を塗布したポ
リイミド基材に、最初にハンダボール穴などの貫通穴を
あけておき、これに銅箔をプレスなどの方法により積層
し、回路加工、金めっきを行って作ることができる。ポ
リイミドと銅箔の接着剤には、従来、エポキシ樹脂、ポ
リアミック酸、ポリアミック酸とビスマレイミドの混合
物等が使用されてきた。一方、ポリアミドイミド樹脂
は、優れた電気的特性、耐熱性、機械的性質、耐磨耗性
を有していることから、主として電線被覆材料（耐熱性
エナメル線）に使用されている。
積をチップ寸法に縮小できるＣＳＰ（チップ・サイズ・
パッケージ）が普及し始めている。ＣＳＰはパッケージ
内部の配線長が短く、インダクタンスが小さい。このた
めＬＳＩの高速化といった性能向上に有利であり、近年
の携帯電話やビデオカメラの他、パーソナルコンピュー
タのＤＲＡＭ等へ適用されている。ＣＳＰにはワイヤー
ボンディング型、セラミック型、スルー・ホール型、μ
ＢＧＡ型などの構造がある。ワイヤーボンディング型は
チップをワイヤボンディングによりポリイミド基板に接
続し、樹脂で封止する方式である。この方法は構造が簡
単で既存のＢＧＡ技術の延長上で作ることができ、１０
０ピン以下の小ピンＣＳＰの主流になるとみられてい
る。ワイヤボンディング型で使用されるＣＳＰ基板の製
造は例えば、銅箔と加熱接着可能な接着剤を塗布したポ
リイミド基材に、最初にハンダボール穴などの貫通穴を
あけておき、これに銅箔をプレスなどの方法により積層
し、回路加工、金めっきを行って作ることができる。ポ
リイミドと銅箔の接着剤には、従来、エポキシ樹脂、ポ
リアミック酸、ポリアミック酸とビスマレイミドの混合
物等が使用されてきた。一方、ポリアミドイミド樹脂
は、優れた電気的特性、耐熱性、機械的性質、耐磨耗性
を有していることから、主として電線被覆材料（耐熱性
エナメル線）に使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＣＳＰの小型化やピン
数の増加に伴い、ＣＳＰ基板の回路は微細化が進み、よ
り銅箔との接着力が強い耐熱性の接着剤が要求されるよ
うになった。これまで接着剤に使用されてきたエポキシ
樹脂では耐熱性に乏しく、ワイヤボンディング性やハン
ダリフロー性が不十分であった。また、ポリアミック酸
やポリアミック酸とビスマレイミドの混合物は耐熱性に
は優れるものの硬化温度が３００℃〜４００℃と高く、
また、銅箔やモールド樹脂との接着力が不十分であっ
た。本発明は、ポリイミド基材と銅箔との接着性に優
れ、また、耐熱性、耐ＰＣＴ性に優れたＣＳＰ基板用耐
熱性接着剤組成物、それを用いた耐熱性接着シート及び
耐熱性接着シートを用いたＣＳＰ基板の製造方法を提供
することを課題とした。
数の増加に伴い、ＣＳＰ基板の回路は微細化が進み、よ
り銅箔との接着力が強い耐熱性の接着剤が要求されるよ
うになった。これまで接着剤に使用されてきたエポキシ
樹脂では耐熱性に乏しく、ワイヤボンディング性やハン
ダリフロー性が不十分であった。また、ポリアミック酸
やポリアミック酸とビスマレイミドの混合物は耐熱性に
は優れるものの硬化温度が３００℃〜４００℃と高く、
また、銅箔やモールド樹脂との接着力が不十分であっ
た。本発明は、ポリイミド基材と銅箔との接着性に優
れ、また、耐熱性、耐ＰＣＴ性に優れたＣＳＰ基板用耐
熱性接着剤組成物、それを用いた耐熱性接着シート及び
耐熱性接着シートを用いたＣＳＰ基板の製造方法を提供
することを課題とした。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、シロキサン変
性ポリアミドイミド樹脂１００重量部及び熱硬化性樹脂
１〜１５０重量部を含有するＣＳＰ基板用耐熱性接着剤
組成物である。そして、シロキサン変性ポリアミドイミ
ド樹脂が芳香族環を３個以上有するジアミン及びシロキ
サンジアミンの混合物と無水トリメリット酸を反応させ
て得られる一般式（１式）及び一般式（２式）で示され
るジイミドジカルボン酸を含む混合物と一般式（３式）
で示される芳香族ジイソシアネートを反応させて得られ
るシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂であり、熱硬化
性樹脂が２個以上のグリシジル基を持つエポキシ樹脂で
あると好ましく、また、シロキサン変性ポリアミドイミ
ド樹脂が、芳香族環を３個以上有するジアミンａ及びシ
ロキサンジアミンｂの混合物（ａ／ｂ＝９９．９／０．
１〜０／１００（モル比））と無水トリメリット酸とを
（ａ＋ｂ）の合計モルと無水トリメリット酸のモル比が
（ａ＋ｂ）の合計モル／無水トリメリット酸＝１／２．
０５〜１／２．２０で反応させて得られる一般式（１
式）及び一般式（２式）で示されるジイミドジカルボン
酸を含む混合物と一般式（３式）で示される芳香族ジイ
ソシアネートとを（ａ＋ｂ）の合計モルと芳香族ジイソ
シアネートのモル比が１／１．０５〜１／１．５０で反
応させて得られるシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂
であると好ましい。そして、熱硬化性樹脂が、２個以上
のグリシジル基を持つエポキシ樹脂とその硬化促進剤、
２個以上のグリシジル基を持つエポキシ樹脂と硬化剤、
２個以上のグリシジル基を持つエポキシ樹脂と硬化促進
剤と硬化剤を含有するものであると好ましい。
性ポリアミドイミド樹脂１００重量部及び熱硬化性樹脂
１〜１５０重量部を含有するＣＳＰ基板用耐熱性接着剤
組成物である。そして、シロキサン変性ポリアミドイミ
ド樹脂が芳香族環を３個以上有するジアミン及びシロキ
サンジアミンの混合物と無水トリメリット酸を反応させ
て得られる一般式（１式）及び一般式（２式）で示され
るジイミドジカルボン酸を含む混合物と一般式（３式）
で示される芳香族ジイソシアネートを反応させて得られ
るシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂であり、熱硬化
性樹脂が２個以上のグリシジル基を持つエポキシ樹脂で
あると好ましく、また、シロキサン変性ポリアミドイミ
ド樹脂が、芳香族環を３個以上有するジアミンａ及びシ
ロキサンジアミンｂの混合物（ａ／ｂ＝９９．９／０．
１〜０／１００（モル比））と無水トリメリット酸とを
（ａ＋ｂ）の合計モルと無水トリメリット酸のモル比が
（ａ＋ｂ）の合計モル／無水トリメリット酸＝１／２．
０５〜１／２．２０で反応させて得られる一般式（１
式）及び一般式（２式）で示されるジイミドジカルボン
酸を含む混合物と一般式（３式）で示される芳香族ジイ
ソシアネートとを（ａ＋ｂ）の合計モルと芳香族ジイソ
シアネートのモル比が１／１．０５〜１／１．５０で反
応させて得られるシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂
であると好ましい。そして、熱硬化性樹脂が、２個以上
のグリシジル基を持つエポキシ樹脂とその硬化促進剤、
２個以上のグリシジル基を持つエポキシ樹脂と硬化剤、
２個以上のグリシジル基を持つエポキシ樹脂と硬化促進
剤と硬化剤を含有するものであると好ましい。
【０００５】
【化４】
【０００６】
【化５】
【０００７】
【化６】
【０００８】本発明は、さらに、ポリイミド基材の少な
くとも片面に上記のＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物を
Ｂステージに形成した耐熱性接着シートであり、また、
ポリイミド基材の両面に接着剤を形成した接着シート
で、ポリイミド基材の片面に上記のＣＳＰ基板用耐熱性
接着剤組成物をＢステージに形成し、他面に接着剤を形
成した耐熱性接着シートである。そして、ポリイミド基
材の片面にＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物をＢステー
ジに形成し、他面にシロキサン変性ポリアミドイミド樹
脂を形成した耐熱性接着シートであると好ましい。ま
た、本発明は、以下の工程を含むＣＳＰ基板の製造方法
である。 （１）前記耐熱性接着シートにハンダボール穴となる貫
通穴を形成する工程、（２）耐熱性接着シートの片面の
Ｂステージ面に銅箔を積層する工程、（３）銅箔の不用
部分をエッチング除去して回路を形成する工程、（４）
回路表面に金めっきする工程
くとも片面に上記のＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物を
Ｂステージに形成した耐熱性接着シートであり、また、
ポリイミド基材の両面に接着剤を形成した接着シート
で、ポリイミド基材の片面に上記のＣＳＰ基板用耐熱性
接着剤組成物をＢステージに形成し、他面に接着剤を形
成した耐熱性接着シートである。そして、ポリイミド基
材の片面にＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物をＢステー
ジに形成し、他面にシロキサン変性ポリアミドイミド樹
脂を形成した耐熱性接着シートであると好ましい。ま
た、本発明は、以下の工程を含むＣＳＰ基板の製造方法
である。 （１）前記耐熱性接着シートにハンダボール穴となる貫
通穴を形成する工程、（２）耐熱性接着シートの片面の
Ｂステージ面に銅箔を積層する工程、（３）銅箔の不用
部分をエッチング除去して回路を形成する工程、（４）
回路表面に金めっきする工程
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明で使用するシロキサン変性
ポリアミドイミド樹脂は、芳香族環を３個以上有するジ
アミン及びシロキサンジアミンの混合物と無水トリメリ
ット酸を反応させて得られるジイミドジカルボン酸を含
む混合物と芳香族ジイソシアネートを反応させて得るこ
とが好ましい。この場合、芳香族環を３個以上有するジ
アミンａ及びシロキサンジアミンｂの混合物（ａ／ｂ＝
９９．９／０．１〜０／１００（モル比））と無水トリ
メリット酸とを（ａ＋ｂ）の合計モルと無水トリメリッ
ト酸のモル比が（ａ＋ｂ）の合計モル／無水トリメリッ
ト酸＝１／２．０５〜１／２．２０で反応させて得られ
るジイミドジカルボン酸を含む混合物と芳香族ジイソシ
アネートとを（ａ＋ｂ）の合計モルと芳香族ジイソシア
ネートのモル比が（ａ＋ｂ）の合計モル／芳香族ジイソ
シアネート＝１／１．０５〜１／１．５０で反応させて
得られるシロキサン変性ポリアミドイミドであるとさら
に好ましい。芳香族環を３個以上有するジアミンａとシ
ロキサンジアミンｂの混合比率は、ａ／ｂ＝９９．９／
０．１〜０／１００（モル比）であると好ましく、ａ／
ｂ＝９５／５〜３０／７０であると更に好ましく、ａ／
ｂ＝９０／１０〜４０／６０であるとより一層好まし
い。シロキサンジアミンｂの混合比率が多くなるとＴｇ
が低下する傾向にあり、少なくなるとワニスにしてシー
トを形成した場合のシート中に残存するワニス溶剤量が
多くなる。ジアミン／無水トリメリット酸のモル比は、
好ましくは１／２．０５〜１／２．２０であり、この範
囲を外れ、無水トリメリット酸が少なくなるとシロキサ
ン変性ポリアミドイミド樹脂の分子量が大きくならず、
フィルムの形成性、可撓性が低下してくるため好ましく
なく、無水トリメリット酸が多くても同様となるので好
ましくない。
ポリアミドイミド樹脂は、芳香族環を３個以上有するジ
アミン及びシロキサンジアミンの混合物と無水トリメリ
ット酸を反応させて得られるジイミドジカルボン酸を含
む混合物と芳香族ジイソシアネートを反応させて得るこ
とが好ましい。この場合、芳香族環を３個以上有するジ
アミンａ及びシロキサンジアミンｂの混合物（ａ／ｂ＝
９９．９／０．１〜０／１００（モル比））と無水トリ
メリット酸とを（ａ＋ｂ）の合計モルと無水トリメリッ
ト酸のモル比が（ａ＋ｂ）の合計モル／無水トリメリッ
ト酸＝１／２．０５〜１／２．２０で反応させて得られ
るジイミドジカルボン酸を含む混合物と芳香族ジイソシ
アネートとを（ａ＋ｂ）の合計モルと芳香族ジイソシア
ネートのモル比が（ａ＋ｂ）の合計モル／芳香族ジイソ
シアネート＝１／１．０５〜１／１．５０で反応させて
得られるシロキサン変性ポリアミドイミドであるとさら
に好ましい。芳香族環を３個以上有するジアミンａとシ
ロキサンジアミンｂの混合比率は、ａ／ｂ＝９９．９／
０．１〜０／１００（モル比）であると好ましく、ａ／
ｂ＝９５／５〜３０／７０であると更に好ましく、ａ／
ｂ＝９０／１０〜４０／６０であるとより一層好まし
い。シロキサンジアミンｂの混合比率が多くなるとＴｇ
が低下する傾向にあり、少なくなるとワニスにしてシー
トを形成した場合のシート中に残存するワニス溶剤量が
多くなる。ジアミン／無水トリメリット酸のモル比は、
好ましくは１／２．０５〜１／２．２０であり、この範
囲を外れ、無水トリメリット酸が少なくなるとシロキサ
ン変性ポリアミドイミド樹脂の分子量が大きくならず、
フィルムの形成性、可撓性が低下してくるため好ましく
なく、無水トリメリット酸が多くても同様となるので好
ましくない。
【００１０】本発明で用いる芳香族環を３個以上有する
ジアミンとしては、２，２−ビス［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン（以下、ＢＡＰＰと略
す）、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］
スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］スルホン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、４，４’
−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、
１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，
４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン等が例示で
き、単独でまたはこれらを組み合わせて用いることがで
きる。ＢＡＰＰは、ポリアミドイミド樹脂の特性のバラ
ンスとコスト的に他のジアミンより特に好ましい。
ジアミンとしては、２，２−ビス［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン（以下、ＢＡＰＰと略
す）、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］
スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］スルホン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、４，４’
−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、
１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，
４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン等が例示で
き、単独でまたはこれらを組み合わせて用いることがで
きる。ＢＡＰＰは、ポリアミドイミド樹脂の特性のバラ
ンスとコスト的に他のジアミンより特に好ましい。
【００１１】本発明で用いるシロキサンジアミンとして
は一般式（４式）で表されるものが用いられる。
は一般式（４式）で表されるものが用いられる。
【００１２】
【化７】
【００１３】このようなシロキサンジアミンとしては、
（５式）で示すものが挙げられる。これらの中でもジメ
チルシロキサン系両末端アミンであるアミノ変性シリコ
ーンオイルＸ−２２−１６１ＡＳ（アミン当量４５
０）、Ｘ−２２−１６１Ａ（アミン当量８４０）、Ｘ−
２２−１６１Ｂ（アミン当量１５００）、以上信越化学
工業株式会社製商品名、ＢＹ１６−８５３（アミン当量
６５０）、ＢＹ１６−８５３Ｂ（アミン当量２２００）
以上東レダウコーニングシリコーン株式会社製商品名な
どが市販品として挙げられ使用することができる。
（５式）で示すものが挙げられる。これらの中でもジメ
チルシロキサン系両末端アミンであるアミノ変性シリコ
ーンオイルＸ−２２−１６１ＡＳ（アミン当量４５
０）、Ｘ−２２−１６１Ａ（アミン当量８４０）、Ｘ−
２２−１６１Ｂ（アミン当量１５００）、以上信越化学
工業株式会社製商品名、ＢＹ１６−８５３（アミン当量
６５０）、ＢＹ１６−８５３Ｂ（アミン当量２２００）
以上東レダウコーニングシリコーン株式会社製商品名な
どが市販品として挙げられ使用することができる。
【００１４】
【化８】
【００１５】本発明で用いる芳香族ジイソシアネートと
して、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート
（以下ＭＤＩと略す）、２，４−トリレンジイソシアネ
ート、２，６−トリレンジイソシアネート、ナフタレン
−１，５−ジイソシアネート、２，４−トリレンダイマ
ー等が例示できる。これらは単独でまたは組み合わせて
用いることができる。本発明では、ジイミドジカルボン
酸と芳香族ジイソシアネートとをモル比１／１．０５〜
１／１．５０で反応させることが好ましく、芳香族ジイ
ソシアネートのモル比が１．０５未満であると、シロキ
サン変性ポリアミドイミド樹脂の分子量が大きくなら
ず、フィルムの形成性、可撓性が低下してくるため好ま
しくなく、芳香族ジイソシアネートのモル比が１．５０
を超えても同様となるので好ましくない。
して、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート
（以下ＭＤＩと略す）、２，４−トリレンジイソシアネ
ート、２，６−トリレンジイソシアネート、ナフタレン
−１，５−ジイソシアネート、２，４−トリレンダイマ
ー等が例示できる。これらは単独でまたは組み合わせて
用いることができる。本発明では、ジイミドジカルボン
酸と芳香族ジイソシアネートとをモル比１／１．０５〜
１／１．５０で反応させることが好ましく、芳香族ジイ
ソシアネートのモル比が１．０５未満であると、シロキ
サン変性ポリアミドイミド樹脂の分子量が大きくなら
ず、フィルムの形成性、可撓性が低下してくるため好ま
しくなく、芳香族ジイソシアネートのモル比が１．５０
を超えても同様となるので好ましくない。
【００１６】本発明で用いる熱硬化性樹脂として、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
ポリウレタン樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン−
ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂等が挙げられ、シ
ロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１００重量部に対し
熱硬化性樹脂１〜１５０重量部用いる。本発明では、シ
ロキサン変性ポリアミドイミド樹脂中のアミド基と反応
しうる有機基を有する熱硬化性樹脂が好ましく、グリシ
ジル基を有するエポキシ樹脂が好ましい。本発明では、
シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１００重量部に対
し熱硬化性樹脂１〜１５０重量部用いるが、１重量部未
満では、耐溶剤性に劣り、また１５０重量部を超えると
未反応の熱硬化性樹脂によりＴｇが低下し耐熱性が不十
分となったり、可撓性が低下するため好ましくない。そ
のためシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１００重量
部に対し熱硬化性樹脂３〜８０重量部が好ましく、更に
５〜５０重量部が特に好ましい。本発明では、熱硬化性
樹脂としてエポキシ樹脂を用いることが１８０℃以下の
温度で硬化が可能で、シロキサン変性ポリアミドイミド
樹脂のアミド基に対して反応して熱的、機械的、電気的
特性を向上させるため好ましく、２個以上のグリシジル
基を持つエポキシ樹脂とその硬化剤、２個以上のグリシ
ジル基を持つエポキシ樹脂とその硬化促進剤または２個
以上のグリシジル基を持つエポキシ樹脂と硬化剤、硬化
促進剤を用いることが好ましい。またグリシジル基は多
いほどよく、３個以上であればさらに好ましい。グリシ
ジル基の数により、配合量が異なり、グリシジル基が多
いほど配合量が少なくてもよい。
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
ポリウレタン樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン−
ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂等が挙げられ、シ
ロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１００重量部に対し
熱硬化性樹脂１〜１５０重量部用いる。本発明では、シ
ロキサン変性ポリアミドイミド樹脂中のアミド基と反応
しうる有機基を有する熱硬化性樹脂が好ましく、グリシ
ジル基を有するエポキシ樹脂が好ましい。本発明では、
シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１００重量部に対
し熱硬化性樹脂１〜１５０重量部用いるが、１重量部未
満では、耐溶剤性に劣り、また１５０重量部を超えると
未反応の熱硬化性樹脂によりＴｇが低下し耐熱性が不十
分となったり、可撓性が低下するため好ましくない。そ
のためシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１００重量
部に対し熱硬化性樹脂３〜８０重量部が好ましく、更に
５〜５０重量部が特に好ましい。本発明では、熱硬化性
樹脂としてエポキシ樹脂を用いることが１８０℃以下の
温度で硬化が可能で、シロキサン変性ポリアミドイミド
樹脂のアミド基に対して反応して熱的、機械的、電気的
特性を向上させるため好ましく、２個以上のグリシジル
基を持つエポキシ樹脂とその硬化剤、２個以上のグリシ
ジル基を持つエポキシ樹脂とその硬化促進剤または２個
以上のグリシジル基を持つエポキシ樹脂と硬化剤、硬化
促進剤を用いることが好ましい。またグリシジル基は多
いほどよく、３個以上であればさらに好ましい。グリシ
ジル基の数により、配合量が異なり、グリシジル基が多
いほど配合量が少なくてもよい。
【００１７】エポキシ樹脂としては、ビスフェノール
Ａ、ノボラック型フェノール樹脂、オルトクレゾールノ
ボラック型フェノール樹脂等の多価フェノール又は１，
４−ブタンジオール等の多価アルコールとエピクロルヒ
ドリンを反応させて得られるポリグリシジルエーテル、
フタル酸、ヘキサヒドロフタル酸等の多塩基酸とエピク
ロルヒドリンを反応させて得られるポリグリシジルエス
テル、アミン、アミド又は複素環式窒素塩基を有する化
合物のＮ−グリシジル誘導体、脂環式エポキシ樹脂など
が挙げられる。
Ａ、ノボラック型フェノール樹脂、オルトクレゾールノ
ボラック型フェノール樹脂等の多価フェノール又は１，
４−ブタンジオール等の多価アルコールとエピクロルヒ
ドリンを反応させて得られるポリグリシジルエーテル、
フタル酸、ヘキサヒドロフタル酸等の多塩基酸とエピク
ロルヒドリンを反応させて得られるポリグリシジルエス
テル、アミン、アミド又は複素環式窒素塩基を有する化
合物のＮ−グリシジル誘導体、脂環式エポキシ樹脂など
が挙げられる。
【００１８】エポキシ樹脂の硬化剤、硬化促進剤は、エ
ポキシ樹脂と反応するもの、または、硬化を促進させる
ものであれば制限なく、例えば、アミン類、イミダゾー
ル類、多官能フェノール類、酸無水物類等が使用でき
る。アミン類として、ジシアンジアミド、ジアミノジフ
ェニルメタン、グアニル尿素等が使用でき、多官能フェ
ノール類としては、ヒドロキノン、レゾルシノール、ビ
スフェノールＡ及びこれらのハロゲン化合物、さらにホ
ルムアルデヒドとの縮合物であるノボラック型フェノー
ル樹脂、レゾール型フェノール樹脂などが使用でき、酸
無水物類としては、無水フタル酸、ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、メチルハイミック酸等が使用で
きる。硬化促進剤としては、イミダゾール類としてアル
キル基置換イミダゾール、ベンゾイミダゾール等が使用
できる。
ポキシ樹脂と反応するもの、または、硬化を促進させる
ものであれば制限なく、例えば、アミン類、イミダゾー
ル類、多官能フェノール類、酸無水物類等が使用でき
る。アミン類として、ジシアンジアミド、ジアミノジフ
ェニルメタン、グアニル尿素等が使用でき、多官能フェ
ノール類としては、ヒドロキノン、レゾルシノール、ビ
スフェノールＡ及びこれらのハロゲン化合物、さらにホ
ルムアルデヒドとの縮合物であるノボラック型フェノー
ル樹脂、レゾール型フェノール樹脂などが使用でき、酸
無水物類としては、無水フタル酸、ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、メチルハイミック酸等が使用で
きる。硬化促進剤としては、イミダゾール類としてアル
キル基置換イミダゾール、ベンゾイミダゾール等が使用
できる。
【００１９】これらの硬化剤または硬化促進剤の必要な
量は、アミン類の場合は、アミンの活性水素の当量と、
エポキシ樹脂のエポキシ当量がほぼ等しくなる量が好ま
しい。硬化促進剤である、イミダゾールの場合は、単純
に活性水素との当量比とならず、経験的にエポキシ樹脂
１００重量部に対して、０．００１〜１０重量部必要と
なる。多官能フェノール類や酸無水物類の場合、エポキ
シ樹脂１当量に対して、フェノール性水酸基やカルボキ
シル基０．６〜１．２当量必要である。これらの硬化剤
または硬化促進剤の量は、少なければ未硬化のエポキシ
樹脂が残り、Ｔｇ（ガラス転移温度）が低くなり、多す
ぎると、未反応の硬化剤及び硬化促進剤が残り、絶縁性
が低下する。エポキシ樹脂のエポキシ当量は、シロキサ
ン変性ポリアミドイミド樹脂のアミド基とも反応するこ
とができるので考慮に入れることが好ましい。
量は、アミン類の場合は、アミンの活性水素の当量と、
エポキシ樹脂のエポキシ当量がほぼ等しくなる量が好ま
しい。硬化促進剤である、イミダゾールの場合は、単純
に活性水素との当量比とならず、経験的にエポキシ樹脂
１００重量部に対して、０．００１〜１０重量部必要と
なる。多官能フェノール類や酸無水物類の場合、エポキ
シ樹脂１当量に対して、フェノール性水酸基やカルボキ
シル基０．６〜１．２当量必要である。これらの硬化剤
または硬化促進剤の量は、少なければ未硬化のエポキシ
樹脂が残り、Ｔｇ（ガラス転移温度）が低くなり、多す
ぎると、未反応の硬化剤及び硬化促進剤が残り、絶縁性
が低下する。エポキシ樹脂のエポキシ当量は、シロキサ
ン変性ポリアミドイミド樹脂のアミド基とも反応するこ
とができるので考慮に入れることが好ましい。
【００２０】本発明では、ＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組
成物を有機溶媒中で混合、溶解、分散して得られるワニ
スをポリイミド基材に塗工、乾燥して耐熱性接着シート
を作製することができる。このような有機溶媒として
は、溶解性が得られるものであれば制限するものでな
く、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ
−ブチロラクトン、スルホラン、シクロヘキサノン等が
挙げられる。ワニスの塗工は、ブレードコータ、ロッド
コータ、ナイフコータ、スクイズコータ、リバースロー
ルコータ、トランスファーロールコータなどにより行う
ことができる。
成物を有機溶媒中で混合、溶解、分散して得られるワニ
スをポリイミド基材に塗工、乾燥して耐熱性接着シート
を作製することができる。このような有機溶媒として
は、溶解性が得られるものであれば制限するものでな
く、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ
−ブチロラクトン、スルホラン、シクロヘキサノン等が
挙げられる。ワニスの塗工は、ブレードコータ、ロッド
コータ、ナイフコータ、スクイズコータ、リバースロー
ルコータ、トランスファーロールコータなどにより行う
ことができる。
【００２１】耐熱性接着シートを得るためのＣＳＰ基板
用耐熱性接着剤組成物は、シロキサン変性ポリアミドイ
ミド樹脂１００重量部と熱硬化性樹脂１〜１５０重量部
とを含む樹脂組成物であって、ワニス溶剤の揮発速度が
速く、熱硬化性樹脂の硬化反応を促進しない１５０℃以
下の低温でも残存溶剤分を５重量％以下にすることが可
能であり、基材及び銅箔との密着性の良好な耐熱性接着
シートを得ることができる。これは耐熱性の高いポリア
ミドイミド樹脂をシロキサン変性しているためであり、
残存溶剤分を少なくすることができるため銅箔との積層
工程において溶剤揮発によるフクレの発生を防止した
り、はんだ耐熱性に優れたものとすることができる。
用耐熱性接着剤組成物は、シロキサン変性ポリアミドイ
ミド樹脂１００重量部と熱硬化性樹脂１〜１５０重量部
とを含む樹脂組成物であって、ワニス溶剤の揮発速度が
速く、熱硬化性樹脂の硬化反応を促進しない１５０℃以
下の低温でも残存溶剤分を５重量％以下にすることが可
能であり、基材及び銅箔との密着性の良好な耐熱性接着
シートを得ることができる。これは耐熱性の高いポリア
ミドイミド樹脂をシロキサン変性しているためであり、
残存溶剤分を少なくすることができるため銅箔との積層
工程において溶剤揮発によるフクレの発生を防止した
り、はんだ耐熱性に優れたものとすることができる。
【００２２】ポリイミドフィルムやポリイミドシート等
のポリイミド基材は市販のものをそのまま使用できる
が、ＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物との接着性をさら
に向上させるために密着向上処理を施すことが好まし
い。密着向上処理としては化学粗化処理、機械研磨処
理、プラズマ処理等がある。中でもプラズマ処理はポリ
イミド基材の表面を微細に粗化するとともにイオン化す
ることで良好な接着力が得られ好ましい。ＣＳＰ基材用
耐熱性接着剤組成物を、ポリイミド基材に形成する方法
として、予めフィルム化した後、積層して形成する方
法、ポリイミド基材表面に塗布する方法が例示され、塗
布する場合には、接着剤層の厚みは銅箔及びポリイミド
との接着力が得られれば良く、接着剤層の厚みが薄い方
が基材との応力が小さくなるため好ましい。具体的には
３０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下が好ましい。耐
熱性接着シートを作製するに際し、銅箔との接着を行う
面を形成するときは耐熱性接着剤組成物の硬化を抑制す
る条件でＢステージになるよう作製すればよく、シロキ
サン変性ポリアミドイミド樹脂を含むワニスは乾燥性に
優れるのでより低温で行うことができ優位である。本発
明の耐熱性接着シートは、ポリイミド基材の片面または
両面にＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物をＢステージに
形成した耐熱性接着シートであり、ポリイミド基材の片
面にＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物をＣステージに形
成し、他面にＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物をＢステ
ージに形成した耐熱性接着シートとしても良い。ポリイ
ミド基材の片面に接着剤層を設けると耐熱性接着シート
にそりが発生し、加工性が低下する傾向にあるのでポリ
イミド基材の両面に接着剤を形成したほうが好ましい。
そのため、ポリイミド基材の片面にＣＳＰ基板用耐熱性
接着剤組成物をＢステージに形成し、他面に耐熱性接着
剤、例えばポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリ
アミドイミド樹脂、エポキシ樹脂系などの熱硬化性接着
剤をそのまま、あるいはＣステージにして設けた耐熱性
接着シートとする。
のポリイミド基材は市販のものをそのまま使用できる
が、ＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物との接着性をさら
に向上させるために密着向上処理を施すことが好まし
い。密着向上処理としては化学粗化処理、機械研磨処
理、プラズマ処理等がある。中でもプラズマ処理はポリ
イミド基材の表面を微細に粗化するとともにイオン化す
ることで良好な接着力が得られ好ましい。ＣＳＰ基材用
耐熱性接着剤組成物を、ポリイミド基材に形成する方法
として、予めフィルム化した後、積層して形成する方
法、ポリイミド基材表面に塗布する方法が例示され、塗
布する場合には、接着剤層の厚みは銅箔及びポリイミド
との接着力が得られれば良く、接着剤層の厚みが薄い方
が基材との応力が小さくなるため好ましい。具体的には
３０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下が好ましい。耐
熱性接着シートを作製するに際し、銅箔との接着を行う
面を形成するときは耐熱性接着剤組成物の硬化を抑制す
る条件でＢステージになるよう作製すればよく、シロキ
サン変性ポリアミドイミド樹脂を含むワニスは乾燥性に
優れるのでより低温で行うことができ優位である。本発
明の耐熱性接着シートは、ポリイミド基材の片面または
両面にＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物をＢステージに
形成した耐熱性接着シートであり、ポリイミド基材の片
面にＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物をＣステージに形
成し、他面にＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物をＢステ
ージに形成した耐熱性接着シートとしても良い。ポリイ
ミド基材の片面に接着剤層を設けると耐熱性接着シート
にそりが発生し、加工性が低下する傾向にあるのでポリ
イミド基材の両面に接着剤を形成したほうが好ましい。
そのため、ポリイミド基材の片面にＣＳＰ基板用耐熱性
接着剤組成物をＢステージに形成し、他面に耐熱性接着
剤、例えばポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリ
アミドイミド樹脂、エポキシ樹脂系などの熱硬化性接着
剤をそのまま、あるいはＣステージにして設けた耐熱性
接着シートとする。
【００２３】本発明のＣＳＰ基板の製造方法は、以下の
工程を含み製造する。 （１）耐熱性接着シートにハンダボール穴となる貫通穴
を形成する工程、（２）耐熱性接着シートの片面のＢス
テージ面に銅箔を積層する工程、（３）銅箔の不用部分
をエッチング除去して回路を形成する工程、（４）回路
表面に金めっきする工程。ここで、耐熱性接着シートへ
の貫通穴の形成はドリル、パンチ又はレーザにより行う
ことができる。レーザとしては、エキシマレーザやＹＡ
Ｇレーザ、炭酸ガスレーザ等があるが、加工速度、加工
品質、加工費等の優れた炭酸ガスレーザが好適である。
このときのレーザ照射条件は、時間が短く、出力の大き
なパルス状の発振をするものが好ましく、例えば、１パ
ルス当たりの幅が１〜４０μｓで、パルス繰り返し周波
数が１５０〜１０，０００Ｈｚ、繰り返しパルス数が１
〜１０パルスの条件で、出力の大きさが、２〜５パルス
の範囲で穴加工できる出力のレーザ発振器が、発振、制
御が容易となり好ましく、この出力は、エネルギー密度
にして１５〜４０Ｊ／ｃｍ2である。 耐熱性接着シー
トの片面のＢステージ面に銅箔を積層する工程では、積
層にプレスが使用されると好ましく、プレス温度を１３
０〜２５０℃、プレス圧力を１ｋｇ/ｃｍ2〜５０ｋｇ/
ｃｍ2で行うことができる。銅箔は特に制限はないが銅
箔と耐熱性接着シートの間で密着性を出すために、銅箔
の表面を電気的あるいは化学的に粗化したものが好まし
い。例えば銅箔の表面を電気的に粗化したＴＳＣ銅箔や
ＳＬＰ銅箔、ＣＺ処理と呼ばれる化学的に粗化した銅箔
などを使用することができる。積層された銅箔に回路を
形成する工程では、不用部分をエッチング除去して形成
する。この工程は通常のフォトリソ工程をそのまま使用
することができる。つぎにこの回路及びハンダボール穴
部の銅表面に金めっきを行うことでＣＳＰ基板を作製す
ることができる。
工程を含み製造する。 （１）耐熱性接着シートにハンダボール穴となる貫通穴
を形成する工程、（２）耐熱性接着シートの片面のＢス
テージ面に銅箔を積層する工程、（３）銅箔の不用部分
をエッチング除去して回路を形成する工程、（４）回路
表面に金めっきする工程。ここで、耐熱性接着シートへ
の貫通穴の形成はドリル、パンチ又はレーザにより行う
ことができる。レーザとしては、エキシマレーザやＹＡ
Ｇレーザ、炭酸ガスレーザ等があるが、加工速度、加工
品質、加工費等の優れた炭酸ガスレーザが好適である。
このときのレーザ照射条件は、時間が短く、出力の大き
なパルス状の発振をするものが好ましく、例えば、１パ
ルス当たりの幅が１〜４０μｓで、パルス繰り返し周波
数が１５０〜１０，０００Ｈｚ、繰り返しパルス数が１
〜１０パルスの条件で、出力の大きさが、２〜５パルス
の範囲で穴加工できる出力のレーザ発振器が、発振、制
御が容易となり好ましく、この出力は、エネルギー密度
にして１５〜４０Ｊ／ｃｍ2である。 耐熱性接着シー
トの片面のＢステージ面に銅箔を積層する工程では、積
層にプレスが使用されると好ましく、プレス温度を１３
０〜２５０℃、プレス圧力を１ｋｇ/ｃｍ2〜５０ｋｇ/
ｃｍ2で行うことができる。銅箔は特に制限はないが銅
箔と耐熱性接着シートの間で密着性を出すために、銅箔
の表面を電気的あるいは化学的に粗化したものが好まし
い。例えば銅箔の表面を電気的に粗化したＴＳＣ銅箔や
ＳＬＰ銅箔、ＣＺ処理と呼ばれる化学的に粗化した銅箔
などを使用することができる。積層された銅箔に回路を
形成する工程では、不用部分をエッチング除去して形成
する。この工程は通常のフォトリソ工程をそのまま使用
することができる。つぎにこの回路及びハンダボール穴
部の銅表面に金めっきを行うことでＣＳＰ基板を作製す
ることができる。
【００２４】
【実施例】（シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂の合
成） （合成例１）環流冷却器を連結したコック付き２５ｍｌ
の水分定量受器、温度計、撹拌器を備えた１リットルの
セパラブルフラスコに芳香族環を３個以上有するジアミ
ンとしてＢＡＰＰ（２，２−ビス［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン）６５．７ｇ（０．１６
ｍｏｌ）、シロキサンジアミンとして反応性シリコンオ
イルＸ−２２−１６１ＡＳ（信越化学工業株式会社製商
品名、アミン当量４１６）３３．３ｇ（０．０４ｍｏ
ｌ）、ＴＭＡ（無水トリメリット酸）８０．７ｇ（０．
４２ｍｏｌ）を、非プロトン性極性溶媒としてＮＭＰ
（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）５６０ｇを仕込み、８
０℃で３０分間撹拌した。そして水と共沸可能な芳香族
炭化水素としてトルエン１００ｍｌを投入してから温度
を上げ約１６０℃で２時間環流させた。水分定量受器に
水が約７．２ｍｌ以上たまっていること、水の流出が見
られなくなっていることを確認し、水分定量受器にたま
っている流出液を除去しながら、約１９０℃まで温度を
上げて、トルエンを除去した。その後、溶液を室温に戻
し、芳香族ジイソシアネートとしてＭＤＩ（４，４’−
ジフェニルメタンジイソシアネート）６０．１ｇ（０．
２４ｍｏｌ）を投入し、１９０℃で２時間反応させた。
反応終了後、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂のＮ
ＭＰ溶液を得た。
成） （合成例１）環流冷却器を連結したコック付き２５ｍｌ
の水分定量受器、温度計、撹拌器を備えた１リットルの
セパラブルフラスコに芳香族環を３個以上有するジアミ
ンとしてＢＡＰＰ（２，２−ビス［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン）６５．７ｇ（０．１６
ｍｏｌ）、シロキサンジアミンとして反応性シリコンオ
イルＸ−２２−１６１ＡＳ（信越化学工業株式会社製商
品名、アミン当量４１６）３３．３ｇ（０．０４ｍｏ
ｌ）、ＴＭＡ（無水トリメリット酸）８０．７ｇ（０．
４２ｍｏｌ）を、非プロトン性極性溶媒としてＮＭＰ
（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）５６０ｇを仕込み、８
０℃で３０分間撹拌した。そして水と共沸可能な芳香族
炭化水素としてトルエン１００ｍｌを投入してから温度
を上げ約１６０℃で２時間環流させた。水分定量受器に
水が約７．２ｍｌ以上たまっていること、水の流出が見
られなくなっていることを確認し、水分定量受器にたま
っている流出液を除去しながら、約１９０℃まで温度を
上げて、トルエンを除去した。その後、溶液を室温に戻
し、芳香族ジイソシアネートとしてＭＤＩ（４，４’−
ジフェニルメタンジイソシアネート）６０．１ｇ（０．
２４ｍｏｌ）を投入し、１９０℃で２時間反応させた。
反応終了後、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂のＮ
ＭＰ溶液を得た。
【００２５】（合成例２）環流冷却器を連結したコック
付き２５ｍｌの水分定量受器、温度計、撹拌器を備えた
１リットルのセパラブルフラスコに芳香族環を３個以上
有するジアミンとしＢＡＰＰ（２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン）４１．１ｇ
（０．１０ｍｏｌ）、シロキサンジアミンとして反応性
シリコンオイルＸ−２２−１６１ＡＳ（信越化学工業株
式会社製商品名、アミン当量４１６）４１．６ｇ（０．
１０ｍｏｌ）、ＴＭＡ（無水トリメリット酸）８０．７
ｇ（０．４２ｍｏｌ）を、非プロトン性極性溶媒として
ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）５６０ｇを仕込
み、８０℃で３０分間撹拌した。そして水と共沸可能な
芳香族炭化水素としてトルエン１００ｍｌを投入してか
ら温度を上げ約１６０℃で２時間環流させた。水分定量
受器に水が約７．２ｍｌ以上たまっていること、水の流
出が見られなくなっていることを確認し、水分定量受器
にたまっている流出液を除去しながら、約１９０℃まで
温度を上げて、トルエンを除去した。その後、溶液を室
温に戻し、芳香族ジイソシアネートとしてＭＤＩ（４，
４’−ジフェニルメタンジイソシアネート）６０．１ｇ
（０．２４ｍｏｌ）を投入し、１９０℃で２時間反応さ
せた。反応終了後、シロキサン変性ポリアミドイミド樹
脂のＮＭＰ溶液を得た。
付き２５ｍｌの水分定量受器、温度計、撹拌器を備えた
１リットルのセパラブルフラスコに芳香族環を３個以上
有するジアミンとしＢＡＰＰ（２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン）４１．１ｇ
（０．１０ｍｏｌ）、シロキサンジアミンとして反応性
シリコンオイルＸ−２２−１６１ＡＳ（信越化学工業株
式会社製商品名、アミン当量４１６）４１．６ｇ（０．
１０ｍｏｌ）、ＴＭＡ（無水トリメリット酸）８０．７
ｇ（０．４２ｍｏｌ）を、非プロトン性極性溶媒として
ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）５６０ｇを仕込
み、８０℃で３０分間撹拌した。そして水と共沸可能な
芳香族炭化水素としてトルエン１００ｍｌを投入してか
ら温度を上げ約１６０℃で２時間環流させた。水分定量
受器に水が約７．２ｍｌ以上たまっていること、水の流
出が見られなくなっていることを確認し、水分定量受器
にたまっている流出液を除去しながら、約１９０℃まで
温度を上げて、トルエンを除去した。その後、溶液を室
温に戻し、芳香族ジイソシアネートとしてＭＤＩ（４，
４’−ジフェニルメタンジイソシアネート）６０．１ｇ
（０．２４ｍｏｌ）を投入し、１９０℃で２時間反応さ
せた。反応終了後、シロキサン変性ポリアミドイミド樹
脂のＮＭＰ溶液を得た。
【００２６】（ＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物ワニス
の調製） （調製例１）合成例２のシロキサン変性ポリアミドイミ
ド樹脂のＮＭＰ溶液１４１６ｇ（樹脂固形分３０重量
％）とエポキシ樹脂としてＥＳＣＮ１９５（住友化学工
業株式会社製商品名、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂）１５０ｇ（樹脂固形分５０重量％のジメチルアセ
トアミド溶液）、２−エチル−４−メチルイミダゾール
１．０ｇを配合し、樹脂が均一になるまで約１時間撹拌
した後、脱泡のため２４時間、室温で静置しＣＳＰ基板
用耐熱性接着剤組成物ワニスとした。
の調製） （調製例１）合成例２のシロキサン変性ポリアミドイミ
ド樹脂のＮＭＰ溶液１４１６ｇ（樹脂固形分３０重量
％）とエポキシ樹脂としてＥＳＣＮ１９５（住友化学工
業株式会社製商品名、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂）１５０ｇ（樹脂固形分５０重量％のジメチルアセ
トアミド溶液）、２−エチル−４−メチルイミダゾール
１．０ｇを配合し、樹脂が均一になるまで約１時間撹拌
した後、脱泡のため２４時間、室温で静置しＣＳＰ基板
用耐熱性接着剤組成物ワニスとした。
【００２７】（調製例２）合成例１のシロキサン変性ポ
リアミドイミド樹脂のＮＭＰ溶液１５８０ｇ（樹脂固形
分３０重量％）とエポキシ樹脂としてＥＳＣＮ１９５
（住友化学工業株式会社製商品名、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂）５０ｇ（樹脂固形分５０重量％のジ
メチルアセトアミド溶液）、２−エチル−４−メチルイ
ミダゾール０．７ｇを配合し、樹脂が均一になるまで約
１時間撹拌した後、脱泡のため２４時間、室温で静置し
ＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物ワニスとした。
リアミドイミド樹脂のＮＭＰ溶液１５８０ｇ（樹脂固形
分３０重量％）とエポキシ樹脂としてＥＳＣＮ１９５
（住友化学工業株式会社製商品名、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂）５０ｇ（樹脂固形分５０重量％のジ
メチルアセトアミド溶液）、２−エチル−４−メチルイ
ミダゾール０．７ｇを配合し、樹脂が均一になるまで約
１時間撹拌した後、脱泡のため２４時間、室温で静置し
ＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物ワニスとした。
【００２８】（耐熱性接着シートの作製） （耐熱性接着シートの作製例１）ポリイミド基材として
ポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ、厚み７５μ
ｍ、宇部興産株式会社製商品名）にプラズマ処理を行
い、このポリイミドフィルム上に合成例１のシロキサン
変性ポリアミドイミド樹脂のＮＭＰ溶液を乾燥後の膜厚
が１０μｍとなるように塗布し、１３０℃／１５０℃／
１８０℃の乾燥炉を通して乾燥させ、巻きとった。この
フィルムの反対面に上記調製例１のＣＳＰ基板用耐熱性
接着剤組成物ワニスを乾燥後の膜厚が１０μｍとなるよ
うに塗布し、１２０℃／１２０℃／１２０℃の乾燥炉を
通してＢステージとなるよう乾燥させ、巻き取り、図１
に示すポリイミド基材５、片面ＣＳＰ基板用耐熱性接着
剤４、他面に接着剤としてシロキサン変性ポリアミドイ
ミド樹脂６を形成した耐熱性接着シート９を作製した。
ポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ、厚み７５μ
ｍ、宇部興産株式会社製商品名）にプラズマ処理を行
い、このポリイミドフィルム上に合成例１のシロキサン
変性ポリアミドイミド樹脂のＮＭＰ溶液を乾燥後の膜厚
が１０μｍとなるように塗布し、１３０℃／１５０℃／
１８０℃の乾燥炉を通して乾燥させ、巻きとった。この
フィルムの反対面に上記調製例１のＣＳＰ基板用耐熱性
接着剤組成物ワニスを乾燥後の膜厚が１０μｍとなるよ
うに塗布し、１２０℃／１２０℃／１２０℃の乾燥炉を
通してＢステージとなるよう乾燥させ、巻き取り、図１
に示すポリイミド基材５、片面ＣＳＰ基板用耐熱性接着
剤４、他面に接着剤としてシロキサン変性ポリアミドイ
ミド樹脂６を形成した耐熱性接着シート９を作製した。
【００２９】（耐熱性接着シートの作製例２）ポリイミ
ド基材としてポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ、
厚み５０μｍ、宇部興産株式会社製商品名）にプラズマ
処理を行い、このポリイミドフィルム上に調製例２のＣ
ＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物ワニスを乾燥後の膜厚が
１０μｍとなるように塗布し、１３０℃／１５０℃／１
８０℃の乾燥炉を通して乾燥させ、巻きとった。このフ
ィルムの反対面に調製例１のＣＳＰ基板用耐熱性接着剤
組成物ワニスを乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように塗
布し、１２０℃／１２０℃／１２０℃の乾燥炉を通して
Ｂステージとなるよう乾燥させ、巻き取り、図１に示す
ポリイミド基材５、片面にＢステージのＣＳＰ基板用耐
熱性接着剤４、他面にＣＳＰ基板用耐熱性接着剤６を形
成した耐熱性接着シート９を作製した。
ド基材としてポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ、
厚み５０μｍ、宇部興産株式会社製商品名）にプラズマ
処理を行い、このポリイミドフィルム上に調製例２のＣ
ＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物ワニスを乾燥後の膜厚が
１０μｍとなるように塗布し、１３０℃／１５０℃／１
８０℃の乾燥炉を通して乾燥させ、巻きとった。このフ
ィルムの反対面に調製例１のＣＳＰ基板用耐熱性接着剤
組成物ワニスを乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように塗
布し、１２０℃／１２０℃／１２０℃の乾燥炉を通して
Ｂステージとなるよう乾燥させ、巻き取り、図１に示す
ポリイミド基材５、片面にＢステージのＣＳＰ基板用耐
熱性接着剤４、他面にＣＳＰ基板用耐熱性接着剤６を形
成した耐熱性接着シート９を作製した。
【００３０】（穴明け）耐熱性接着シート９の所定の位
置に、３００μｍの貫通穴をドリルにより形成した。 （積層プレス）穴あけの終わった耐熱性接着シート９’
のＢステージ４面と銅箔（ＳＬＰ−１８、厚み１８μ
ｍ、日本電解株式会社製商品名）を重ね、温度１８０
℃、製品圧力２０ｋｇ／ｃｍ2で１時間プレスを行っ
た。 （回路形成）通常用いられている方法のフォトリソ法に
よりライン／スペース=３０μｍ／３０μｍのパターン
を作製した（接着剤６側の貫通穴からエッチング液が浸
入しないように保護フィルムの貼り付け、感光性フィル
ムの貼り付け、マスクを用いて露光、現像、エッチン
グ、感光性フィルムの剥離）。 （金めっき）上記で回路形成した基板をアルカリ脱脂、
酸性脱脂した後、さらに過硫酸アンモニウム、硫酸によ
り銅箔回路の表面をソフトエッチング処理した。そし
て、酸洗（硫酸１０ｖｏｌ％、室温、１分）、水洗（室
温、１分）、活性化（ＳＡ−１００、日立化成工業株式
会社製商品名、室温、５分）、水洗（室温、１分）、置
換パラジウムめっき（ＳＡ−１００、日立化成工業株式
会社製商品名、めっき厚み：０．１μｍ、７０℃、５
分）、水洗（室温、１分）、無電解ニッケルめっき（Ｎ
ＩＰＳ−１００、日立化成工業株式会社製商品名、めっ
き厚み：５μｍ、８５℃、３０分）、水洗（室温、２
分）、置換金めっき（ＨＧＳ−５００、日立化成工業株
式会社製商品名、めっき厚み：０．０２μｍ、８５℃、
１０分）、水洗（室温、２分）、無電解金めっき（ＨＧ
Ｓ−２０００、日立化成工業株式会社製商品名、めっき
厚み：０．５μｍ、６５℃、６０分）、水洗（室温、５
分）、乾燥（８０℃、３０分）を行い、回路７の表面に
金めっきを施しＣＳＰ基板を得た。そして、半導体チッ
プ２を接着剤１０を介して接着し、常法によりモールド
樹脂１により封止した。
置に、３００μｍの貫通穴をドリルにより形成した。 （積層プレス）穴あけの終わった耐熱性接着シート９’
のＢステージ４面と銅箔（ＳＬＰ−１８、厚み１８μ
ｍ、日本電解株式会社製商品名）を重ね、温度１８０
℃、製品圧力２０ｋｇ／ｃｍ2で１時間プレスを行っ
た。 （回路形成）通常用いられている方法のフォトリソ法に
よりライン／スペース=３０μｍ／３０μｍのパターン
を作製した（接着剤６側の貫通穴からエッチング液が浸
入しないように保護フィルムの貼り付け、感光性フィル
ムの貼り付け、マスクを用いて露光、現像、エッチン
グ、感光性フィルムの剥離）。 （金めっき）上記で回路形成した基板をアルカリ脱脂、
酸性脱脂した後、さらに過硫酸アンモニウム、硫酸によ
り銅箔回路の表面をソフトエッチング処理した。そし
て、酸洗（硫酸１０ｖｏｌ％、室温、１分）、水洗（室
温、１分）、活性化（ＳＡ−１００、日立化成工業株式
会社製商品名、室温、５分）、水洗（室温、１分）、置
換パラジウムめっき（ＳＡ−１００、日立化成工業株式
会社製商品名、めっき厚み：０．１μｍ、７０℃、５
分）、水洗（室温、１分）、無電解ニッケルめっき（Ｎ
ＩＰＳ−１００、日立化成工業株式会社製商品名、めっ
き厚み：５μｍ、８５℃、３０分）、水洗（室温、２
分）、置換金めっき（ＨＧＳ−５００、日立化成工業株
式会社製商品名、めっき厚み：０．０２μｍ、８５℃、
１０分）、水洗（室温、２分）、無電解金めっき（ＨＧ
Ｓ−２０００、日立化成工業株式会社製商品名、めっき
厚み：０．５μｍ、６５℃、６０分）、水洗（室温、５
分）、乾燥（８０℃、３０分）を行い、回路７の表面に
金めっきを施しＣＳＰ基板を得た。そして、半導体チッ
プ２を接着剤１０を介して接着し、常法によりモールド
樹脂１により封止した。
【００３１】（評価）得られたＣＳＰ基板の銅箔（回
路）７と接着剤層４間の接着強度（引き剥がし強さ）を
測定した結果、耐熱性接着シートの作製例１、２のいず
れでも１．５ｋＮ／ｍであった。２６０℃、２８８℃及
び３００℃のはんだ浴に浸漬しはんだ耐熱性を測定した
結果、いずれの温度でも５分以上、ふくれ、剥がれ等の
異常が見られなかった。貫通穴には残さや接着剤の染み
だしが見られず良好であった。ＣＳＰ基板にチップを設
け、下記の条件でワイヤボンディングを行い評価したと
ころ、ワイヤボンディング性も良好であった。 ワイヤボンディング条件：超音波出力時間２０ｍｓ、超
音波出力０．３Ｗ、ボンド荷重５０ｇｆ、温度２２０
℃。 なお、ワイヤボンディング性の評価は、ワイヤボンディ
ングを行った後、試料のワイヤのプル強度を測定し、７
ｇ以上あるものを良好とし、７ｇ未満もしくはワイヤボ
ンディングができなかったものを不良として評価した。
また、ＣＳＰ基板を図１に示すようにモールド成形し、
モールド樹脂とＣＳＰ基板の接着剤層面４の接着強度を
測定した結果、１．２ｋＮ／ｍの接着強度が得られた。
なお、乾燥後の接着剤層中の残存溶剤量は３ｗｔ％（１
８０℃、６０分加熱後、耐熱性接着シート作製例１、２
のＣＳＰ基板用耐熱性接着剤４）であった。本発明のＣ
ＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物の硬化物のＴｇ（ガラス
転移温度）は２００℃であり、室温〜１８０℃の貯蔵弾
性率は１．０ＧＰａであった。貯蔵弾性率は、レオロジ
株式会社製の動的粘弾性測定装置レオスペクトラＤＶＥ
−４（商品名）により、引っ張りモード、周波数１０Ｈ
ｚ、５℃／分の昇温速度で測定した。上記のＣＳＰ基板
を用いて作製したＣＳＰは、ＩＲリフロー炉を用いた吸
湿リフロー試験のＪＥＤＥＣ（Joint Electron Device
Enginerring Council）のレベル２（８５℃、６０％で
１６８時間吸湿させた条件で）、２３０℃、５秒間、フ
クレ、剥がれ等の異常がなく、耐湿耐熱性に優れてい
る。
路）７と接着剤層４間の接着強度（引き剥がし強さ）を
測定した結果、耐熱性接着シートの作製例１、２のいず
れでも１．５ｋＮ／ｍであった。２６０℃、２８８℃及
び３００℃のはんだ浴に浸漬しはんだ耐熱性を測定した
結果、いずれの温度でも５分以上、ふくれ、剥がれ等の
異常が見られなかった。貫通穴には残さや接着剤の染み
だしが見られず良好であった。ＣＳＰ基板にチップを設
け、下記の条件でワイヤボンディングを行い評価したと
ころ、ワイヤボンディング性も良好であった。 ワイヤボンディング条件：超音波出力時間２０ｍｓ、超
音波出力０．３Ｗ、ボンド荷重５０ｇｆ、温度２２０
℃。 なお、ワイヤボンディング性の評価は、ワイヤボンディ
ングを行った後、試料のワイヤのプル強度を測定し、７
ｇ以上あるものを良好とし、７ｇ未満もしくはワイヤボ
ンディングができなかったものを不良として評価した。
また、ＣＳＰ基板を図１に示すようにモールド成形し、
モールド樹脂とＣＳＰ基板の接着剤層面４の接着強度を
測定した結果、１．２ｋＮ／ｍの接着強度が得られた。
なお、乾燥後の接着剤層中の残存溶剤量は３ｗｔ％（１
８０℃、６０分加熱後、耐熱性接着シート作製例１、２
のＣＳＰ基板用耐熱性接着剤４）であった。本発明のＣ
ＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物の硬化物のＴｇ（ガラス
転移温度）は２００℃であり、室温〜１８０℃の貯蔵弾
性率は１．０ＧＰａであった。貯蔵弾性率は、レオロジ
株式会社製の動的粘弾性測定装置レオスペクトラＤＶＥ
−４（商品名）により、引っ張りモード、周波数１０Ｈ
ｚ、５℃／分の昇温速度で測定した。上記のＣＳＰ基板
を用いて作製したＣＳＰは、ＩＲリフロー炉を用いた吸
湿リフロー試験のＪＥＤＥＣ（Joint Electron Device
Enginerring Council）のレベル２（８５℃、６０％で
１６８時間吸湿させた条件で）、２３０℃、５秒間、フ
クレ、剥がれ等の異常がなく、耐湿耐熱性に優れてい
る。
【００３２】（比較例）比較のため、ポリイミド基板と
してポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ、宇部興産
株式会社製商品名、厚み７５μｍ）の片面に合成例１の
ジアミンとしてＢＡＰＰのみを０．２０モル用いて他は
合成例１と同様にして合成したポリアミドイミド樹脂の
ＮＭＰ溶液を用い、ＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物ワ
ニスの調製例１と同様にＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成
物ワニスを作製し、乾燥後の膜厚が１０μｍとなるよう
に塗布し、１２０℃／１３０℃／１４０℃の乾燥炉を通
した後、銅箔（ＳＬＰ−１８、厚み１８μｍ、日本電解
株式会社名商品名）を重ね、温度１８０℃、製品圧力２
０ｋｇ／ｃｍ2で１時間プレスした。銅箔と接着剤面の
接着強度は、０．９ｋＮ／ｍであり、乾燥後の接着剤中
の残存溶剤量は１０ｗｔ（１８０℃、６０分加熱後）で
あった。銅箔の付いた耐熱性接着シートを２６０℃のは
んだ槽に浸漬して、１０〜２０秒間で銅箔にフクレが発
生した。同様に、ポリイミドフィルムの片面に合成例２
で得られたシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂のＮＭ
Ｐ溶液を用い、乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように塗
布し、１２０℃／１３０℃／１３０℃の乾燥炉を通した
後、銅箔（ＳＬＰ−１８、厚み１８μｍ、日本電解株式
会社名商品名）を重ね、温度１８０℃、製品圧力２０ｋ
ｇ／ｃｍ2で１時間プレスした。銅箔と接着剤面の接着
強度は、０．２ｋＮ／ｍであり、乾燥後の接着剤中の残
存溶剤量は１ｗｔ％（１８０℃、６０分加熱後）であっ
た。銅箔の付いた耐熱性接着シートを２６０℃のはんだ
槽に浸漬して、１分後銅箔にフクレやめくれが生じた。
してポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ、宇部興産
株式会社製商品名、厚み７５μｍ）の片面に合成例１の
ジアミンとしてＢＡＰＰのみを０．２０モル用いて他は
合成例１と同様にして合成したポリアミドイミド樹脂の
ＮＭＰ溶液を用い、ＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物ワ
ニスの調製例１と同様にＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成
物ワニスを作製し、乾燥後の膜厚が１０μｍとなるよう
に塗布し、１２０℃／１３０℃／１４０℃の乾燥炉を通
した後、銅箔（ＳＬＰ−１８、厚み１８μｍ、日本電解
株式会社名商品名）を重ね、温度１８０℃、製品圧力２
０ｋｇ／ｃｍ2で１時間プレスした。銅箔と接着剤面の
接着強度は、０．９ｋＮ／ｍであり、乾燥後の接着剤中
の残存溶剤量は１０ｗｔ（１８０℃、６０分加熱後）で
あった。銅箔の付いた耐熱性接着シートを２６０℃のは
んだ槽に浸漬して、１０〜２０秒間で銅箔にフクレが発
生した。同様に、ポリイミドフィルムの片面に合成例２
で得られたシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂のＮＭ
Ｐ溶液を用い、乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように塗
布し、１２０℃／１３０℃／１３０℃の乾燥炉を通した
後、銅箔（ＳＬＰ−１８、厚み１８μｍ、日本電解株式
会社名商品名）を重ね、温度１８０℃、製品圧力２０ｋ
ｇ／ｃｍ2で１時間プレスした。銅箔と接着剤面の接着
強度は、０．２ｋＮ／ｍであり、乾燥後の接着剤中の残
存溶剤量は１ｗｔ％（１８０℃、６０分加熱後）であっ
た。銅箔の付いた耐熱性接着シートを２６０℃のはんだ
槽に浸漬して、１分後銅箔にフクレやめくれが生じた。
【００３３】
【発明の効果】本発明のＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成
物、それを用いた耐熱性接着シートそしてそれらを用い
たＣＳＰ基板は、耐熱性、銅箔回路との接着性に優れ、
微細配線形成が施されたＣＳＰ基板を作製することがで
きる。また本発明のＣＳＰ基板の製造方法によって得ら
れたＣＳＰ基板は、吸湿リフロー性が良好で、モールド
樹脂との接着力に優れ、銅箔回路接着性にも優れること
から微細配線を要求されるＣＳＰ基板として最適であ
る。
物、それを用いた耐熱性接着シートそしてそれらを用い
たＣＳＰ基板は、耐熱性、銅箔回路との接着性に優れ、
微細配線形成が施されたＣＳＰ基板を作製することがで
きる。また本発明のＣＳＰ基板の製造方法によって得ら
れたＣＳＰ基板は、吸湿リフロー性が良好で、モールド
樹脂との接着力に優れ、銅箔回路接着性にも優れること
から微細配線を要求されるＣＳＰ基板として最適であ
る。
【図１】 ＣＳＰ基板を説明するための概略断面図
【符号の説明】 １．モールド樹脂 ２．半導体チップ ３．半導体チップ接続部剤（ワイア） ４．ＣＳＰ基板用耐熱性接着剤 ５．ポリイミド基材 ６．シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂またはＣＳＰ
基板用耐熱性接着剤 ７．回路（配線） ８．外部接続端子 ９．耐熱性接着シート １０．接着剤
基板用耐熱性接着剤 ７．回路（配線） ８．外部接続端子 ９．耐熱性接着シート １０．接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 七海 憲 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内 Ｆターム(参考） 4J002 CM041 CP171 GQ05 4J040 EC021 EC022 EF161 EF162 EH031 EH032 EK111 EK112 JA09 JB02 KA16 KA17 LA06 LA08 MA02 MA10 MB03 NA20 PA18
Claims (8)
- 【請求項１】 シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１
００重量部及び熱硬化性樹脂１〜１５０重量部を含有す
るＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物。 - 【請求項２】 シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂が
芳香族環を３個以上有するジアミン及びシロキサンジア
ミンの混合物と無水トリメリット酸を反応させて得られ
る一般式（１式）及び一般式（２式）で示されるジイミ
ドジカルボン酸を含む混合物と一般式（３式）で示され
る芳香族ジイソシアネートを反応させて得られるシロキ
サン変性ポリアミドイミド樹脂であり熱硬化性樹脂が２
個以上のグリシジル基を持つエポキシ樹脂である請求項
１に記載のＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物。 【化１】 【化２】 【化３】 - 【請求項３】 シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂
が、芳香族環を３個以上有するジアミンａ及びシロキサ
ンジアミンｂの混合物（ａ／ｂ＝９９．９／０．１〜０
／１００（モル比））と無水トリメリット酸とを（ａ＋
ｂ）の合計モルと無水トリメリット酸のモル比が（ａ＋
ｂ）の合計モル／無水トリメリット酸＝１／２．０５〜
１／２．２０で反応させて得られる一般式（１式）及び
一般式（２式）で示されるジイミドジカルボン酸を含む
混合物と一般式（３式）で示される芳香族ジイソシアネ
ートとを（ａ＋ｂ）の合計モルと芳香族ジイソシアネー
トのモル比が１／１．０５〜１／１．５０で反応させて
得られるシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂である請
求項１または請求項２に記載のＣＳＰ基板用耐熱性接着
剤組成物。 - 【請求項４】 熱硬化性樹脂が、２個以上のグリシジル
基を持つエポキシ樹脂とその硬化促進剤または硬化剤を
含有する請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のＣ
ＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物。 - 【請求項５】 ポリイミド基材の少なくとも片面に請求
項１ないし請求項４のいずれかに記載のＣＳＰ基板用耐
熱性接着剤組成物をＢステージに形成した耐熱性接着シ
ート。 - 【請求項６】 ポリイミド基材の両面に接着剤を形成し
た接着シートであり、ポリイミド基材の片面に請求項１
ないし請求項４のいずれかに記載のＣＳＰ基板用耐熱性
接着剤組成物をＢステージに形成し、他面に接着剤を形
成した耐熱性接着シート。 - 【請求項７】 ポリイミド基材の片面に請求項１ないし
請求項４のいずれかに記載のＣＳＰ基板用耐熱性接着剤
組成物をＢステージに形成し、他面にシロキサン変性ポ
リアミドイミド樹脂を形成した耐熱性接着シート。 - 【請求項８】 以下の工程を含むＣＳＰ基板の製造方
法。 （１）請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の耐熱
性接着シートにハンダボール穴となる貫通穴を形成する
工程、（２）耐熱性接着シートの片面のＢステージ面に
銅箔を積層する工程、（３）銅箔の不用部分をエッチン
グ除去して回路を形成する工程、（４）回路表面を金め
っきする工程。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27114998A JP3688133B2 (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | Ｃｓｐ基板用耐熱性接着シート及びそれを用いるｃｓｐ基板の製造方法 |
| DE69839896T DE69839896D1 (de) | 1997-10-29 | 1998-10-29 | Siloxanmodifizierte Polyamidharzzusammensetzungsklebefolie, CSP Leiterplatte und Folie und hergestelltes Halbleiterbauelement |
| EP98308849A EP0913429B1 (en) | 1997-10-29 | 1998-10-29 | Siloxane-modified polyamideimide resin composition adhesive film, adhesive sheet and semiconductor device |
| DE1998632944 DE69832944T2 (de) | 1997-10-29 | 1998-10-29 | Siloxanmodifizierte Polyamidharzzusammensetzung, Klebefilme, Klebefolie und Halbleiterbauelement |
| EP20040077745 EP1496094B1 (en) | 1997-10-29 | 1998-10-29 | An adhesive sheet based on a siloxane-modified polyamideimide resin composition, and a CSP board and a semiconductor device produced by using the sheet |
| US09/181,678 US6252010B1 (en) | 1997-10-29 | 1998-10-29 | Siloxane-modified polyamideimide resin composition, adhesive film, adhesive sheet and semiconductor device |
| US09/773,705 US6475629B1 (en) | 1997-10-29 | 2001-02-02 | Adhesive film formed of a siloxane-modified polyamideimide resin composition, adhesive sheet and semiconductor device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002265894A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 耐熱性接着シート、金属箔張り積層板及びエリアアレイ半導体パッケージ用配線基板 |
| JP2009018588A (ja) * | 2002-03-05 | 2009-01-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂付き金属箔、金属張積層板、これを用いたプリント配線板およびその製造方法 |
| JP2010531385A (ja) * | 2007-06-25 | 2010-09-24 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． | 高温スピンオン仮接合用組成物 |
| JP2017110128A (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | Dic株式会社 | 熱硬化性接着シート、物品及び物品の製造方法 |
| US9818714B2 (en) | 2011-09-02 | 2017-11-14 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate for chip packages and method of manufacturing chip package |
| KR101814818B1 (ko) * | 2011-11-29 | 2018-01-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 스마트 ｉｃ용 기판 |
-
1998
- 1998-09-25 JP JP27114998A patent/JP3688133B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP4656209B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2011-03-23 | 日立化成工業株式会社 | 樹脂付き金属箔、金属張積層板、これを用いたプリント配線板およびその製造方法 |
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| KR101814818B1 (ko) * | 2011-11-29 | 2018-01-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 스마트 ｉｃ용 기판 |
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