JP2000077356A - 自己整列ケイ化の方法 - Google Patents
自己整列ケイ化の方法Info
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S438/976—Temporary protective layer
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＨＦエッチングを使用する自己整列ケイ化方
法を提供する。 【解決手段】 シリコン集積回路のための自己整列ケイ
化を行うことにより、たとえば、Ｔｉ、Ｃｏ、またはＮ
ｉのケイ化物（１５２、１５４、１５６）を形成し、フ
ィラメント（１５８）を除去するためにＨＦに基づいた
ケイ化物の最終エッチングを行う。超希釈ＨＦ溶液また
はＨＦ蒸気を使用することができる。
法を提供する。 【解決手段】 シリコン集積回路のための自己整列ケイ
化を行うことにより、たとえば、Ｔｉ、Ｃｏ、またはＮ
ｉのケイ化物（１５２、１５４、１５６）を形成し、フ
ィラメント（１５８）を除去するためにＨＦに基づいた
ケイ化物の最終エッチングを行う。超希釈ＨＦ溶液また
はＨＦ蒸気を使用することができる。
Description
【０００１】
【関連出願に対する相互参照】１９９６年６月２５日に
出願された同時係属米国特許出願第０８／６７０，３８
０号、１９９６年６月２５日に出願された同時係属米国
特許出願第０８／６７０，３８１号、および１９９８年
３月２０日に出願された同時係属米国特許出願第０９／
０４５，００９号は、関連した主題を開示しており、本
出願と譲り受け人が同じである。
出願された同時係属米国特許出願第０８／６７０，３８
０号、１９９６年６月２５日に出願された同時係属米国
特許出願第０８／６７０，３８１号、および１９９８年
３月２０日に出願された同時係属米国特許出願第０９／
０４５，００９号は、関連した主題を開示しており、本
出願と譲り受け人が同じである。
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は電子半導体デバイ
ス、更に詳しくは、このようなデバイスの製造方法に関
するものである。
ス、更に詳しくは、このようなデバイスの製造方法に関
するものである。
【０００３】
【従来の技術】高デバイス密度の半導体集積回路は、電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）に対する短いゲートと浅
いソース／ドレーン接合、バイポーラトランジスタに対
する面積の小さいエミッタのような最小サイズの構造、
およびデバイス相互間の狭い相互接続線を必要とする。
短いゲートと狭い相互接続線により、代表的なポリシリ
コンゲートと第一レベルの相互接続線に対する抵抗が高
くなり、これにより、ＲＣ時間遅延が増大し、回路動作
が遅くなる。
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）に対する短いゲートと浅
いソース／ドレーン接合、バイポーラトランジスタに対
する面積の小さいエミッタのような最小サイズの構造、
およびデバイス相互間の狭い相互接続線を必要とする。
短いゲートと狭い相互接続線により、代表的なポリシリ
コンゲートと第一レベルの相互接続線に対する抵抗が高
くなり、これにより、ＲＣ時間遅延が増大し、回路動作
が遅くなる。
【０００４】ポリシリコンゲートおよび相互接続線の抵
抗を小さくするための一つのアプローチは、ポリシリコ
ンの上の自己整列（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ）ケイ化
金属を使用することである。金属はチタン、コバルト、
ニッケルのような耐火性の金属とすることができる。ケ
イ化（ｓｉｌｉｃｉｄａｔｉｏｎ）プロセスはまず、金
属のブランケット膜を堆積した後、金属を酸化シリコン
のような下地絶縁体でなく、下地シリコンと反応させる
（窒素雰囲気を使用して窒化金属を同時に形成すること
によりシリコンの拡散を防止してもよい）。最後に、プ
ロセスは、ケイ化物（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）にならなかっ
た金属（と任意の窒化金属）を除去する。たとえば、米
国特許第４，８２１，０８５号はチタン金属を開示し、
窒素雰囲気の中に窒化チタンが形成される。
抗を小さくするための一つのアプローチは、ポリシリコ
ンの上の自己整列（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ）ケイ化
金属を使用することである。金属はチタン、コバルト、
ニッケルのような耐火性の金属とすることができる。ケ
イ化（ｓｉｌｉｃｉｄａｔｉｏｎ）プロセスはまず、金
属のブランケット膜を堆積した後、金属を酸化シリコン
のような下地絶縁体でなく、下地シリコンと反応させる
（窒素雰囲気を使用して窒化金属を同時に形成すること
によりシリコンの拡散を防止してもよい）。最後に、プ
ロセスは、ケイ化物（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）にならなかっ
た金属（と任意の窒化金属）を除去する。たとえば、米
国特許第４，８２１，０８５号はチタン金属を開示し、
窒素雰囲気の中に窒化チタンが形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この自己整列されたケ
イ化物プロセスはケイ化金属の除去に対して非常に高度
の選択性を必要とする。そうでなければ、ケイ化金属は
薄くなってしまい、ケイ化の利点が失われる。たとえ
ば、室温で標準の基本ＳＣ１溶液（１２．５％の水酸化
アンモニウム溶液、１２．５％の過酸化水素溶液、およ
び７５％の水）による窒化チタンのはぎ取りは、ほぼ
７．８対１のケイ化チタンに対する選択度をそなえてい
る。この低い選択度は既知のケイ化物プロセスの問題を
示す。
イ化物プロセスはケイ化金属の除去に対して非常に高度
の選択性を必要とする。そうでなければ、ケイ化金属は
薄くなってしまい、ケイ化の利点が失われる。たとえ
ば、室温で標準の基本ＳＣ１溶液（１２．５％の水酸化
アンモニウム溶液、１２．５％の過酸化水素溶液、およ
び７５％の水）による窒化チタンのはぎ取りは、ほぼ
７．８対１のケイ化チタンに対する選択度をそなえてい
る。この低い選択度は既知のケイ化物プロセスの問題を
示す。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＨＦエッチン
グを使用する自己整列ケイ化方法を提供する。
グを使用する自己整列ケイ化方法を提供する。
【０００７】好適実施例は、金属（たとえば、チタン、
コバルト、ニッケル）と窒化金属（たとえば、ＴｉＮ）
の酸性ストリップ（ｓｔｒｉｐ、はがし）、および絶縁
体上で成長したようなケイ化物フィラメントのＨＦによ
るエッチングを使用する。
コバルト、ニッケル）と窒化金属（たとえば、ＴｉＮ）
の酸性ストリップ（ｓｔｒｉｐ、はがし）、および絶縁
体上で成長したようなケイ化物フィラメントのＨＦによ
るエッチングを使用する。
【０００８】金属／窒化物とケイ化物のエッチングとの
間にケイ化物の相変換ステップを挿入してもよい。利点
には、金属／窒化物とケイ化物のフィラメント（ｆｉｌ
ａｍｅｎｔ、細糸状のもの）の選択的除去と、チタン、
コバルト、およびニッケルに対するケイ化物の制御の簡
単さが含まれる。
間にケイ化物の相変換ステップを挿入してもよい。利点
には、金属／窒化物とケイ化物のフィラメント（ｆｉｌ
ａｍｅｎｔ、細糸状のもの）の選択的除去と、チタン、
コバルト、およびニッケルに対するケイ化物の制御の簡
単さが含まれる。
【０００９】
【発明の実施の形態】概説 好適実施例の方法は、ＨＦ金属ケイ化物エッチングを、
チタン、コバルト、およびニッケルのような金属を使用
する自己整列ケイ化プロセスの間に生じる残留金属（お
よび窒化金属）のストリップ（はがし）と組み合わせ
る。チタンのケイ化に対しては、反応しなかったＴｉと
ＴｉＮとをＨＣｌのような過酸化酸ではいだ後、超希釈
ＨＦ溶液でケイ化チタンのフィラメントと重合体の残留
物をエッチングする。ケイ化反応の際にＣ４９相から低
抵抗率のＣ５４相に変換するための焼なましを、酸ステ
ップと超希釈ＨＦステップとの間に挿入してもよい。
チタン、コバルト、およびニッケルのような金属を使用
する自己整列ケイ化プロセスの間に生じる残留金属（お
よび窒化金属）のストリップ（はがし）と組み合わせ
る。チタンのケイ化に対しては、反応しなかったＴｉと
ＴｉＮとをＨＣｌのような過酸化酸ではいだ後、超希釈
ＨＦ溶液でケイ化チタンのフィラメントと重合体の残留
物をエッチングする。ケイ化反応の際にＣ４９相から低
抵抗率のＣ５４相に変換するための焼なましを、酸ステ
ップと超希釈ＨＦステップとの間に挿入してもよい。
【００１０】代案として、超希釈ＨＦ溶液の代わりに気
相ＨＦエッチングを使用してもよい。これは、コバルト
ケイ化物のようなケイ化物をエッチングする困難さの中
で利点を提供する。
相ＨＦエッチングを使用してもよい。これは、コバルト
ケイ化物のようなケイ化物をエッチングする困難さの中
で利点を提供する。
【００１１】第一の好適実施例 図１ａ−ｄは第一の好適実施例の自己整列ケイ化チタン
方法を横断立面図で示す。この方法には、以下のステッ
プが含まれる。
方法を横断立面図で示す。この方法には、以下のステッ
プが含まれる。
【００１２】（１）ゲート絶縁体の二酸化シリコン（ゲ
ート酸化物）１１４上にポリシリコンゲート１０４をそ
なえたシリコン基板１０２であって、ゲート１０４がソ
ース／ドレーン１３４の整列のための側壁酸化物１２４
をそなえ、またトランジスタ分離のためのフィールド酸
化物１２０をそなえたシリコン基板１０２から始める。
また、側壁酸化物１２６をそなえたポリシリコン相互接
続線１０６がフィールド酸化物１２０の上を走り得る。
代表的には、ポリシリコンゲートとフィールド酸化物は
各々、基板表面の約０．３μｍ上に伸びる。したがっ
て、ポリ相互接続線１０６の上面は基板表面の約０．６
μｍ上にある。ゲート酸化物１１４は厚さ約６ｎｍと
し、ソース／ドレーン１３４は深さ約０．１５μｍとす
ることができる。図１ａで、ゲート長さとポリ相互接続
線の幅はおおよそ０．５μｍである。
ート酸化物）１１４上にポリシリコンゲート１０４をそ
なえたシリコン基板１０２であって、ゲート１０４がソ
ース／ドレーン１３４の整列のための側壁酸化物１２４
をそなえ、またトランジスタ分離のためのフィールド酸
化物１２０をそなえたシリコン基板１０２から始める。
また、側壁酸化物１２６をそなえたポリシリコン相互接
続線１０６がフィールド酸化物１２０の上を走り得る。
代表的には、ポリシリコンゲートとフィールド酸化物は
各々、基板表面の約０．３μｍ上に伸びる。したがっ
て、ポリ相互接続線１０６の上面は基板表面の約０．６
μｍ上にある。ゲート酸化物１１４は厚さ約６ｎｍと
し、ソース／ドレーン１３４は深さ約０．１５μｍとす
ることができる。図１ａで、ゲート長さとポリ相互接続
線の幅はおおよそ０．５μｍである。
【００１３】（２）チタン１５０を約４０ｎｍの厚さに
スパッタ堆積する。傾斜した側壁酸化物１２４−１２６
およびフィールド酸化物１２０上のチタン１５０はきわ
めて重大なものではない。チタン１５０のこの部分はＴ
ｉＳｉ2を形成せず、後のステップではがされるからで
ある。図１ｂ参照。
スパッタ堆積する。傾斜した側壁酸化物１２４−１２６
およびフィールド酸化物１２０上のチタン１５０はきわ
めて重大なものではない。チタン１５０のこの部分はＴ
ｉＳｉ2を形成せず、後のステップではがされるからで
ある。図１ｂ参照。
【００１４】（３）チタンでコーティングされた基板を
窒素（と選択的な水素）の雰囲気に挿入し、温度をおお
よそ３０秒間おおよそ７５０°Ｃに上昇させることによ
り、チタン１５０の、シリコンに接する部分、すなわち
ゲート１０４、ポリ相互接続線１０６、およびソース／
ドレーン１３４、に対する次のようなケイ化プロセスを
駆動する。
窒素（と選択的な水素）の雰囲気に挿入し、温度をおお
よそ３０秒間おおよそ７５０°Ｃに上昇させることによ
り、チタン１５０の、シリコンに接する部分、すなわち
ゲート１０４、ポリ相互接続線１０６、およびソース／
ドレーン１３４、に対する次のようなケイ化プロセスを
駆動する。
【化１】Ｔｉ＋２Ｓｉ→ＴｉＳｉ2 シリコンはＴｉＳｉ2を通して拡散する。したがって、
ＴｉＳｉ2はゲート１０４、ポリ１０６、およびソース
／ドレーン１３４から成長する。（このＴｉＳｉ2は準
安定のＣ４９相であり、後の焼なましで安定なＣ５４相
に変換される。）雰囲気からチタン内に拡散する窒素と
の競合する反応はＴｉＳｉ2の成長を制限する。
ＴｉＳｉ2はゲート１０４、ポリ１０６、およびソース
／ドレーン１３４から成長する。（このＴｉＳｉ2は準
安定のＣ４９相であり、後の焼なましで安定なＣ５４相
に変換される。）雰囲気からチタン内に拡散する窒素と
の競合する反応はＴｉＳｉ2の成長を制限する。
【化２】Ｔｉ＋１／２Ｎ2→ＴｉＮ 酸化物１２０、１２４、および１２６上のチタンは、雰
囲気から拡散する窒素がチタンをＴｉＮに変換する前
に、接する酸化物をほんの少し減らすだけである。した
がって、ほんの少しの酸化チタンが形成されるだけであ
る。
囲気から拡散する窒素がチタンをＴｉＮに変換する前
に、接する酸化物をほんの少し減らすだけである。した
がって、ほんの少しの酸化チタンが形成されるだけであ
る。
【化３】Ｔｉ＋ＳｉＯ2→ＴｉＯ2＋Ｓｉ そして幾分かのチタンはＴｉ金属として反応しないまま
となる。図１ｃに示すように、ソース／ドレーン１３４
上にＴｉＳｉ2１５２が形成され、ゲート１０４とポリ
１０６上にＴｉＳｉ2１５４−１５６が形成され、そし
て酸化物１２０−１２４−１２６上にＴｉＮ１６０−１
６４−１６６が形成される。ＴｉＳｉ2１５２−１５４
−１５６の上表面には通常、拡散したシリコンが到来し
てケイ化物を形成する前に形成されるＴｉＮがいくらか
入っている。ＴｉＳｉ2はおおよそ８０ｎｍの厚さであ
り、ＴｉＮはおおよそ６０ｎｍの厚さである。
となる。図１ｃに示すように、ソース／ドレーン１３４
上にＴｉＳｉ2１５２が形成され、ゲート１０４とポリ
１０６上にＴｉＳｉ2１５４−１５６が形成され、そし
て酸化物１２０−１２４−１２６上にＴｉＮ１６０−１
６４−１６６が形成される。ＴｉＳｉ2１５２−１５４
−１５６の上表面には通常、拡散したシリコンが到来し
てケイ化物を形成する前に形成されるＴｉＮがいくらか
入っている。ＴｉＳｉ2はおおよそ８０ｎｍの厚さであ
り、ＴｉＮはおおよそ６０ｎｍの厚さである。
【００１５】（４）ケイ化物／窒化物の基板を５０°Ｃ
の標準のＳＣ２のようなＨＣｌとＨ 2Ｏ2の水溶液におお
よそ１０分間浸す。この溶液により、ＴｉおよびＴｉＮ
は約５ｎｍ／分ではがれるが、ＴｉＳｉ2は約０．０１
ｎｍ／分で除去されるだけである。したがって、１００
％のオーバエッチストリップではＴｉＮが６０ｎｍ除去
されるが、ＴｉＳｉ2は約０．１ｎｍ除去されるに過ぎ
ない。ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏの比は１：１：１００か
ら１：１：５の範囲にあり得て、ＴｉＮのＴｉＳｉ2に
対するエッチング選択度は１００対１より大きい。
の標準のＳＣ２のようなＨＣｌとＨ 2Ｏ2の水溶液におお
よそ１０分間浸す。この溶液により、ＴｉおよびＴｉＮ
は約５ｎｍ／分ではがれるが、ＴｉＳｉ2は約０．０１
ｎｍ／分で除去されるだけである。したがって、１００
％のオーバエッチストリップではＴｉＮが６０ｎｍ除去
されるが、ＴｉＳｉ2は約０．１ｎｍ除去されるに過ぎ
ない。ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏの比は１：１：１００か
ら１：１：５の範囲にあり得て、ＴｉＮのＴｉＳｉ2に
対するエッチング選択度は１００対１より大きい。
【００１６】次に、基板を消イオンされた水ですすいだ
後、おおよそ１分間２５°Ｃの０．２ＭのＨＦの水溶液
に浸す。これにより、ＴｉＳｉ2と重合体の残留物はお
およそ０．１−０．３ｎｍ／分でエッチングされ、Ｔｉ
Ｓｉ2のフィラメントが除去される。図１ｄ参照。実
際、このような超希釈ＨＦ溶液の場合、エッチングレー
トはほぼＨＦ濃度に比例するので、エッチングレートを
調整することにより、都合のよい浸せき時間を得ること
ができる。逆に、フィラメントエッチングに対してＨＦ
の代わりに希釈ＮＨ4ＯＨ溶液を使用することには、槽
からＮＨ3が蒸発するので、濃度（したがって、エッチ
ングレートの）制御が困難になるという問題がある。
後、おおよそ１分間２５°Ｃの０．２ＭのＨＦの水溶液
に浸す。これにより、ＴｉＳｉ2と重合体の残留物はお
およそ０．１−０．３ｎｍ／分でエッチングされ、Ｔｉ
Ｓｉ2のフィラメントが除去される。図１ｄ参照。実
際、このような超希釈ＨＦ溶液の場合、エッチングレー
トはほぼＨＦ濃度に比例するので、エッチングレートを
調整することにより、都合のよい浸せき時間を得ること
ができる。逆に、フィラメントエッチングに対してＨＦ
の代わりに希釈ＮＨ4ＯＨ溶液を使用することには、槽
からＮＨ3が蒸発するので、濃度（したがって、エッチ
ングレートの）制御が困難になるという問題がある。
【００１７】注意すべきことは、１００％のオーバエッ
チングでＴｉＮとケイ化物のフィラメントをはぐために
（ＴｉＮ対ＴｉＳｉ2のエッチングレート選択度が７．
８対１の）ＳＣ１を使用すると、おおよそ１５ｎｍのＴ
ｉＳｉ2、すなわち約２０％が除去され、これは過大で
あるということである。
チングでＴｉＮとケイ化物のフィラメントをはぐために
（ＴｉＮ対ＴｉＳｉ2のエッチングレート選択度が７．
８対１の）ＳＣ１を使用すると、おおよそ１５ｎｍのＴ
ｉＳｉ2、すなわち約２０％が除去され、これは過大で
あるということである。
【００１８】（５）最後に、ケイ化された基板をきれい
にすすいだ後、おおよそ９００°Ｃの成形ガス（窒素と
水素）の雰囲気中で１０秒間焼なましすることにより、
ＴｉＳｉ2を準安定なＣ４９相から安定なＣ５４相に変
換し、これにより抵抗率をおおよそ７５マイクロオーム
−ｃｍからおおよそ１５マイクロオーム−ｃｍに下げ
る。これにより、ケイ化が完了し、以後の金属レベルの
相互接続線を形成する工程、パッシベーション工程、ワ
イヤボンディング工程、およびパッケージング工程によ
り、集積回路が完成する。
にすすいだ後、おおよそ９００°Ｃの成形ガス（窒素と
水素）の雰囲気中で１０秒間焼なましすることにより、
ＴｉＳｉ2を準安定なＣ４９相から安定なＣ５４相に変
換し、これにより抵抗率をおおよそ７５マイクロオーム
−ｃｍからおおよそ１５マイクロオーム−ｃｍに下げ
る。これにより、ケイ化が完了し、以後の金属レベルの
相互接続線を形成する工程、パッシベーション工程、ワ
イヤボンディング工程、およびパッケージング工程によ
り、集積回路が完成する。
【００１９】単に０．１ＭのＨＣｌまたはＳＣ２溶液に
ＨＦを加えて０．２ＭのＨＦ溶液を得ることにより、金
属の酸ストリップとケイ化物フィラメントの超希釈ＨＦ
エッチングを組み合わせて、単一の浸せきとすることが
できる。
ＨＦを加えて０．２ＭのＨＦ溶液を得ることにより、金
属の酸ストリップとケイ化物フィラメントの超希釈ＨＦ
エッチングを組み合わせて、単一の浸せきとすることが
できる。
【００２０】第二の好適実施例 第二の好適実施例の方法は第一の好適実施例のステップ
（１）−（５）に従うが、ケイ化物のフィラメントと重
合体の残留物の超希釈ＨＦエッチングがステップ（５）
の相変換焼なましの後に移される。すなわち、ステップ
（４）では、ＴｉＮの酸ストリップだけが使用され、そ
の後、ステップ（５）の焼なましを適用することによ
り、ＴｉＳｉ2をより高抵抗率の準安定なＣ４９相から
より低抵抗率の安定なＣ５４相に変換する。最後に、１
分間２５°Ｃの０．２ＭのＨＦ水溶液に浸すことによっ
て、ケイ化物フィラメントと重合体の残留物をはがす。
注意すべきことは、ゲート、線、およびソース／ドレー
ンの上のＴｉＳｉ2１５２−１５４−１５６はだいたい
Ｃ５４相になるが、酸化物１２０、１２４、または１２
６上のＴｉＳｉ2の狭いフィラメント（たとえば、図１
ｄのフィラメント１５８）は狭すぎて、相変換焼なまし
の間にＣ５４相に変換できず、Ｃ４９相のままになる。
実際、Ｃ４９の粒子の直径は平均約０．１−０．２ｕｍ
となり得て、相変換時間（半分がＣ４９からＣ５４に変
換する時間）はおおよそｇ2／（ｗ−ｇ）によって決ま
る。ここで、ｇは粒子のサイズであり、ｗはフィラメン
トの幅である。したがって、狭いフィラメントの変換時
間は非常に長い。したがって、相変換の焼なましの後に
使用されるとき、Ｃ５４より早くＣ４９をエッチングす
るエッチング剤は特に有効である。
（１）−（５）に従うが、ケイ化物のフィラメントと重
合体の残留物の超希釈ＨＦエッチングがステップ（５）
の相変換焼なましの後に移される。すなわち、ステップ
（４）では、ＴｉＮの酸ストリップだけが使用され、そ
の後、ステップ（５）の焼なましを適用することによ
り、ＴｉＳｉ2をより高抵抗率の準安定なＣ４９相から
より低抵抗率の安定なＣ５４相に変換する。最後に、１
分間２５°Ｃの０．２ＭのＨＦ水溶液に浸すことによっ
て、ケイ化物フィラメントと重合体の残留物をはがす。
注意すべきことは、ゲート、線、およびソース／ドレー
ンの上のＴｉＳｉ2１５２−１５４−１５６はだいたい
Ｃ５４相になるが、酸化物１２０、１２４、または１２
６上のＴｉＳｉ2の狭いフィラメント（たとえば、図１
ｄのフィラメント１５８）は狭すぎて、相変換焼なまし
の間にＣ５４相に変換できず、Ｃ４９相のままになる。
実際、Ｃ４９の粒子の直径は平均約０．１−０．２ｕｍ
となり得て、相変換時間（半分がＣ４９からＣ５４に変
換する時間）はおおよそｇ2／（ｗ−ｇ）によって決ま
る。ここで、ｇは粒子のサイズであり、ｗはフィラメン
トの幅である。したがって、狭いフィラメントの変換時
間は非常に長い。したがって、相変換の焼なましの後に
使用されるとき、Ｃ５４より早くＣ４９をエッチングす
るエッチング剤は特に有効である。
【００２１】ＴｉＳｉ2のフィラメントのエッチングを
（ＴｉＮのストリップと同時ではなく）相変換の焼なま
しの後まで遅らせることにより、ステップ（４）のＴｉ
Ｎのはがしに対して非常に選択的なＨ2Ｏ2の使用と、そ
れによるゲート、線、およびソース／ドレーン上のＴｉ
Ｓｉ2の最小損失が可能になる。
（ＴｉＮのストリップと同時ではなく）相変換の焼なま
しの後まで遅らせることにより、ステップ（４）のＴｉ
Ｎのはがしに対して非常に選択的なＨ2Ｏ2の使用と、そ
れによるゲート、線、およびソース／ドレーン上のＴｉ
Ｓｉ2の最小損失が可能になる。
【００２２】コバルト好適実施例 もう一つの好適実施例は前記好適実施例のチタンの代わ
りにコバルトを使用し、類似のステップで進む。詳しく
述べると、図１ａのような構造をそなえたウェーハから
始めて、コバルトをスパッタ堆積することにより、図１
ｂの構造と似ているが、チタン１５０の代わりにコバル
トを使用した構造を得る。次に、窒素の雰囲気中で６０
０°Ｃでコバルトを下地のシリコンと反応させる。シリ
コンが拡散するのではなくて、ケイ化物を通ってコバル
トが拡散する。したがって、反応は、コバルト金属と相
互作用し、酸化物上でのケイ化物の成長を停止すること
ができる雰囲気を必要としない。反応は次の通りであ
る。
りにコバルトを使用し、類似のステップで進む。詳しく
述べると、図１ａのような構造をそなえたウェーハから
始めて、コバルトをスパッタ堆積することにより、図１
ｂの構造と似ているが、チタン１５０の代わりにコバル
トを使用した構造を得る。次に、窒素の雰囲気中で６０
０°Ｃでコバルトを下地のシリコンと反応させる。シリ
コンが拡散するのではなくて、ケイ化物を通ってコバル
トが拡散する。したがって、反応は、コバルト金属と相
互作用し、酸化物上でのケイ化物の成長を停止すること
ができる雰囲気を必要としない。反応は次の通りであ
る。
【化４】Ｃｏ＋２Ｓｉ→ＣｏＳｉ2 他のケイ化物Ｃｏ2ＳｉおよびＣｏＳｉは現れない。こ
れにより、図１ｃの構造と類似しているが、ＴｉＳｉ2
の代わりにＣｏＳｉ2、ＴｉＮの代わりにＣｏとなった
構造が得られる。
れにより、図１ｃの構造と類似しているが、ＴｉＳｉ2
の代わりにＣｏＳｉ2、ＴｉＮの代わりにＣｏとなった
構造が得られる。
【００２３】ケイ化物の形成後に、９０°Ｃで５対１の
比の硫酸とＨ2Ｏ2の水溶液（約１０対１から約２対１ま
での範囲の溶液も良好に動作する）に浸すことにより、
反応していないコバルトをはがす。Ｃｏ対ＣｏＳｉ2の
ストリップ選択度は１００００対１である。したがっ
て、Ｃｏの５０ｎｍをはがすことにより、最初の１００
ｎｍから約０．００５ｎｍのＣｏＳｉ2だけが除去され
る。
比の硫酸とＨ2Ｏ2の水溶液（約１０対１から約２対１ま
での範囲の溶液も良好に動作する）に浸すことにより、
反応していないコバルトをはがす。Ｃｏ対ＣｏＳｉ2の
ストリップ選択度は１００００対１である。したがっ
て、Ｃｏの５０ｎｍをはがすことにより、最初の１００
ｎｍから約０．００５ｎｍのＣｏＳｉ2だけが除去され
る。
【００２４】８００°Ｃでの焼なましを使用して、低抵
抗率のためＣｏＳｉ2の大きな粒子（狭い領域での単結
晶）を確実に形成してもよい。
抗率のためＣｏＳｉ2の大きな粒子（狭い領域での単結
晶）を確実に形成してもよい。
【００２５】最後に、超希釈（０．２Ｍ）または気相の
ＨＦでＣｏＳｉ2をエッチングすることにより、望まし
くないフィラメントを除去する。気相のＨＦによるエッ
チングで、ＨＦ溶液では除去が難しいケイ化物のフィラ
メントを除去することができる。詳しく述べると、ケイ
化基板上に７００トルの圧力で５秒間ＨＦ蒸気を流すこ
とによりケイ化物のフィラメントと反応させた後、消イ
オンされた水ですすぐ。ＣｏＳｉ2の厚さの約５％を除
去することにより、フィラメントの除去を確実にする。
ＨＦでＣｏＳｉ2をエッチングすることにより、望まし
くないフィラメントを除去する。気相のＨＦによるエッ
チングで、ＨＦ溶液では除去が難しいケイ化物のフィラ
メントを除去することができる。詳しく述べると、ケイ
化基板上に７００トルの圧力で５秒間ＨＦ蒸気を流すこ
とによりケイ化物のフィラメントと反応させた後、消イ
オンされた水ですすぐ。ＣｏＳｉ2の厚さの約５％を除
去することにより、フィラメントの除去を確実にする。
【００２６】実験的には、ＨＦ水溶液とＨＣｌとＨ2Ｏ2
のエッチングでは漏れ電流の測定値が低下しない状況
で、蒸気ＨＦの使用により、漏れ電流の測定値が低下し
た。実際には、次の表は実験結果を示し、フィラメント
のエッチング前後の漏れ電流の対数を示す。
のエッチングでは漏れ電流の測定値が低下しない状況
で、蒸気ＨＦの使用により、漏れ電流の測定値が低下し
た。実際には、次の表は実験結果を示し、フィラメント
のエッチング前後の漏れ電流の対数を示す。
【００２７】
【表１】 エッチングシステム エッチング前 エッチング後 ＨＣｌ＋Ｈ2Ｏ2溶液 −４．３ −４．３ ＨＦ溶液 −５．１ −５．１ 蒸気ＨＦ −５．０ −８．８
【００２８】ニッケルの好適実施例 もう一つの好適実施例では、前記好適実施例のコバルト
の代わりにニッケルを使用し、類似のステップで進む。
詳しく述べると、図１ａのような構造をそなえたウェー
ハで始め、ニッケルをスパッタ堆積することにより、図
１ｂの構造と同様であるが、チタン１５０の代わりにニ
ッケルをそなえた構造を形成する。次に、窒素またはア
ルゴンのような不活性雰囲気中で約４５０°Ｃでニッケ
ルを下地シリコンと反応させる。シリコンが拡散するの
ではなくて、ケイ化物を通ってニッケルが拡散する。し
たがって、反応は、ニッケルと相互作用し、酸化物上で
のケイ化物の成長を停止することができる雰囲気を必要
としない。反応は次の通りである。
の代わりにニッケルを使用し、類似のステップで進む。
詳しく述べると、図１ａのような構造をそなえたウェー
ハで始め、ニッケルをスパッタ堆積することにより、図
１ｂの構造と同様であるが、チタン１５０の代わりにニ
ッケルをそなえた構造を形成する。次に、窒素またはア
ルゴンのような不活性雰囲気中で約４５０°Ｃでニッケ
ルを下地シリコンと反応させる。シリコンが拡散するの
ではなくて、ケイ化物を通ってニッケルが拡散する。し
たがって、反応は、ニッケルと相互作用し、酸化物上で
のケイ化物の成長を停止することができる雰囲気を必要
としない。反応は次の通りである。
【化５】Ｎｉ＋Ｓｉ→ＮｉＳｉ
【００２９】Ｎｉ2Ｓｉは形成しない。反応は、図１ｃ
の構造と類似しているが、ＴｉＳｉ2の代わりにＮｉＳ
ｉ、ＴｉＮの代わりにＮｉとなった構造が得られる。
の構造と類似しているが、ＴｉＳｉ2の代わりにＮｉＳ
ｉ、ＴｉＮの代わりにＮｉとなった構造が得られる。
【００３０】ケイ化物の形成後に、９０°Ｃでオゾン処
理された硫酸（Ｈ2ＳＯ4にＯ3を泡立たせる）の水溶液
に浸すことにより、反応していないニッケルをはがす。
Ｎｉ対ＮｉＳｉのストリッブ選択度は高く（１００対
１）、Ｎｉを６０ｎｍはがすと、ＮｉＳｉの最初の１０
０ｎｍから除去されるのはＮｉＳｉの１ｎｍより少な
い。
理された硫酸（Ｈ2ＳＯ4にＯ3を泡立たせる）の水溶液
に浸すことにより、反応していないニッケルをはがす。
Ｎｉ対ＮｉＳｉのストリッブ選択度は高く（１００対
１）、Ｎｉを６０ｎｍはがすと、ＮｉＳｉの最初の１０
０ｎｍから除去されるのはＮｉＳｉの１ｎｍより少な
い。
【００３１】ＮｉＳｉは、低抵抗率のため粒子サイズを
大きくするために焼なましを必要としない。
大きくするために焼なましを必要としない。
【００３２】最後に、超希釈または気相のＨＦでケイ化
物をエッチングすることにより、望ましくないフィラメ
ントを除去する。エッチングは、０．２ＭのＨＦのよう
なな溶液に浸すか、またはウェーハの上にＨＦ蒸気を流
した後、消イオンされた水で浄化することによって行っ
てもよい。ケイ化物の厚さの約５％を除去することによ
り、フィラメントの除去を確実にする。
物をエッチングすることにより、望ましくないフィラメ
ントを除去する。エッチングは、０．２ＭのＨＦのよう
なな溶液に浸すか、またはウェーハの上にＨＦ蒸気を流
した後、消イオンされた水で浄化することによって行っ
てもよい。ケイ化物の厚さの約５％を除去することによ
り、フィラメントの除去を確実にする。
【００３３】変形と変更 好適実施例は、ケイ化物に対して選択的な金属／窒化物
のはがしの特徴の一つ以上を保持しつつ、多様に変える
ことができる。その後に、選択的に焼なましを続けた
後、フィラメントの除去を確実にするためにＨＦによる
ケイ化物のエッチングを行う。
のはがしの特徴の一つ以上を保持しつつ、多様に変える
ことができる。その後に、選択的に焼なましを続けた
後、フィラメントの除去を確実にするためにＨＦによる
ケイ化物のエッチングを行う。
【００３４】たとえば、超希釈ＨＦ溶液は０．００５Ｍ
から０．５Ｍの範囲とすることができる。これにより、
５０−５００ｎｍの代表的なケイ化物の厚さに対して１
０秒から１０分の範囲の浸せき時間が得られる。同様
に、気相のＨＦは５０トルから１０００トルの圧力範囲
で適用することができる。これにより、代表的なケイ化
物厚さ５０−５００ｎｍに対して５秒から５分の範囲の
露光時間が得られる。ＨＦ蒸気はウェットまたは無水と
することができる。超希釈ＨＦ溶液およびＨＦ蒸気の温
度は都合よく２０°Ｃから５０°Ｃの範囲にすることが
できる。
から０．５Ｍの範囲とすることができる。これにより、
５０−５００ｎｍの代表的なケイ化物の厚さに対して１
０秒から１０分の範囲の浸せき時間が得られる。同様
に、気相のＨＦは５０トルから１０００トルの圧力範囲
で適用することができる。これにより、代表的なケイ化
物厚さ５０−５００ｎｍに対して５秒から５分の範囲の
露光時間が得られる。ＨＦ蒸気はウェットまたは無水と
することができる。超希釈ＨＦ溶液およびＨＦ蒸気の温
度は都合よく２０°Ｃから５０°Ｃの範囲にすることが
できる。
【００３５】そして、自己整列ケイ化の構造を変更する
ことができる。たとえば、酸化シリコン領域は、窒化シ
リコン、酸窒化シリコン、または他の非反応領域に置き
換えるか、またはそれで補うことができる。
ことができる。たとえば、酸化シリコン領域は、窒化シ
リコン、酸窒化シリコン、または他の非反応領域に置き
換えるか、またはそれで補うことができる。
【００３６】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）自己整列ケイ化の方法であって、（ａ）シリコン
領域と非シリコン領域とを含むウェーハ表面上に金属層
を形成するステップと、（ｂ）ケイ化金属を形成するた
めに、前記金属層の第一の部分を前記シリコン領域と反
応させるステップと、（ｃ）第一のエッチング剤を使用
することにより、ケイ化金属を形成するためのステップ
（ｂ）で反応しなかった前記金属層の第二の部分を除去
し、これを少なくとも１０対１のケイ化金属に対する選
択度で行うステップと、（ｄ）ステップ（ｃ）の後に、
ＨＦを含む第二のエッチング剤を使用することにより、
前記ケイ化金属の部分を除去するステップと、を含む、
自己整列ケイ化の方法。
る。 （１）自己整列ケイ化の方法であって、（ａ）シリコン
領域と非シリコン領域とを含むウェーハ表面上に金属層
を形成するステップと、（ｂ）ケイ化金属を形成するた
めに、前記金属層の第一の部分を前記シリコン領域と反
応させるステップと、（ｃ）第一のエッチング剤を使用
することにより、ケイ化金属を形成するためのステップ
（ｂ）で反応しなかった前記金属層の第二の部分を除去
し、これを少なくとも１０対１のケイ化金属に対する選
択度で行うステップと、（ｄ）ステップ（ｃ）の後に、
ＨＦを含む第二のエッチング剤を使用することにより、
前記ケイ化金属の部分を除去するステップと、を含む、
自己整列ケイ化の方法。
【００３７】（２）第１項記載の自己整列ケイ化の方法
であって、（ａ）前記金属がチタンと、コバルトと、ニ
ッケルとで構成される群から選択される、自己整列ケイ
化の方法。
であって、（ａ）前記金属がチタンと、コバルトと、ニ
ッケルとで構成される群から選択される、自己整列ケイ
化の方法。
【００３８】（３）第１項記載の自己整列ケイ化の方法
であって、（ａ）前記金属がチタンであり、（ｂ）ステ
ップ（ｂ）の前記反応が窒素雰囲気中で行われ、（ｃ）
ステップ（ｃ）の前記除去によりＴｉＮが除去される、
自己整列ケイ化の方法。
であって、（ａ）前記金属がチタンであり、（ｂ）ステ
ップ（ｂ）の前記反応が窒素雰囲気中で行われ、（ｃ）
ステップ（ｃ）の前記除去によりＴｉＮが除去される、
自己整列ケイ化の方法。
【００３９】（４）第１項記載の自己整列ケイ化の方法
であって、（ａ）ステップ（ｃ）の前記第一のエッチン
グ剤がＨ2Ｏと、Ｈ2Ｏ2と、ＮＨ4ＯＨとの溶液であり、
ＮＨ4ＯＨ対Ｈ2Ｏ2の比が１：２００より小さい、自己
整列ケイ化の方法。 （５）第４項記載の自己整列ケイ化の方法であって、
（ａ）前記比が０に等しい、自己整列ケイ化の方法。
であって、（ａ）ステップ（ｃ）の前記第一のエッチン
グ剤がＨ2Ｏと、Ｈ2Ｏ2と、ＮＨ4ＯＨとの溶液であり、
ＮＨ4ＯＨ対Ｈ2Ｏ2の比が１：２００より小さい、自己
整列ケイ化の方法。 （５）第４項記載の自己整列ケイ化の方法であって、
（ａ）前記比が０に等しい、自己整列ケイ化の方法。
【００４０】（６）第１項記載の自己整列ケイ化の方法
であって、（ａ）ステップ（ｃ）の前記第一のエッチン
グ剤がＨ2ＳＯ4と、Ｈ2Ｏ2との溶液であり、Ｈ2ＳＯ4対
Ｈ2Ｏ2の比が１０：１から２：１の範囲にある、自己整
列ケイ化の方法。 （７）第１項記載の自己整列ケイ化の方法であって、
（ａ）ステップ（ｃ）の前記第一のエッチング剤が、オ
ゾンを泡立たせた硫酸である、自己整列ケイ化の方法。
であって、（ａ）ステップ（ｃ）の前記第一のエッチン
グ剤がＨ2ＳＯ4と、Ｈ2Ｏ2との溶液であり、Ｈ2ＳＯ4対
Ｈ2Ｏ2の比が１０：１から２：１の範囲にある、自己整
列ケイ化の方法。 （７）第１項記載の自己整列ケイ化の方法であって、
（ａ）ステップ（ｃ）の前記第一のエッチング剤が、オ
ゾンを泡立たせた硫酸である、自己整列ケイ化の方法。
【００４１】（８）第１項記載の自己整列ケイ化の方法
であって、（ａ）ステップ（ｃ）の前記第一のエッチン
グ剤がＨＣｌと、Ｈ2Ｏと、Ｈ2Ｏ 2との溶液であり、成
分比が１：１：１００から１：１：５の範囲にある、自
己整列ケイ化の方法。
であって、（ａ）ステップ（ｃ）の前記第一のエッチン
グ剤がＨＣｌと、Ｈ2Ｏと、Ｈ2Ｏ 2との溶液であり、成
分比が１：１：１００から１：１：５の範囲にある、自
己整列ケイ化の方法。
【００４２】（９）第１項記載の自己整列ケイ化の方法
であって、（ａ）ステップ（ｃ）の前記第二のエッチン
グ剤がＨ2Ｏと、Ｈ2Ｏ2と、ＮＨ4ＯＨとの溶液である、
自己整列ケイ化の方法。
であって、（ａ）ステップ（ｃ）の前記第二のエッチン
グ剤がＨ2Ｏと、Ｈ2Ｏ2と、ＮＨ4ＯＨとの溶液である、
自己整列ケイ化の方法。
【００４３】（１０）第１項記載の自己整列ケイ化の方
法であって、（ａ）第１項の前記ステップ（ｃ）と前記
ステップ（ｄ）との間に、前記ウェーハを焼なましする
ステップ、をも含む、自己整列ケイ化の方法。 （１１）第１項記載の自己整列ケイ化の方法であって、
（ａ）第１項の前記ステップ（ｄ）の後に、前記ウェー
ハを焼なましするステップ、をも含む、自己整列ケイ化
の方法。 （１２）第１項記載の自己整列ケイ化の方法であって、
（ａ）第１項の前記ステップ（ｃ）と前記ステップ
（ｄ）との間に、前記ウェーハを乾燥するステップ、を
も含む、自己整列ケイ化の方法。
法であって、（ａ）第１項の前記ステップ（ｃ）と前記
ステップ（ｄ）との間に、前記ウェーハを焼なましする
ステップ、をも含む、自己整列ケイ化の方法。 （１１）第１項記載の自己整列ケイ化の方法であって、
（ａ）第１項の前記ステップ（ｄ）の後に、前記ウェー
ハを焼なましするステップ、をも含む、自己整列ケイ化
の方法。 （１２）第１項記載の自己整列ケイ化の方法であって、
（ａ）第１項の前記ステップ（ｃ）と前記ステップ
（ｄ）との間に、前記ウェーハを乾燥するステップ、を
も含む、自己整列ケイ化の方法。
【００４４】フィラメントを除去するためにＨＦに基づ
いたケイ化物の最終エッチングを行う、シリコン集積回
路のための自己整列ケイ化（たとえば、Ｔｉ、Ｃｏ、ま
たはＮｉのケイ化物）。超希釈ＨＦ溶液またはＨＦ蒸気
を使用することができる。
いたケイ化物の最終エッチングを行う、シリコン集積回
路のための自己整列ケイ化（たとえば、Ｔｉ、Ｃｏ、ま
たはＮｉのケイ化物）。超希釈ＨＦ溶液またはＨＦ蒸気
を使用することができる。
【図１】第一の好適実施例の方法のステップを横断立面
図で示す図であって、ａはゲートとポリシリコン接続線
を示す図、ｂはチタンを示す図、ｃはソース／ドレーン
上のＴｉＳｉ2と、ゲートとポリシリコン上のＴｉＳｉ2
と、酸化物上のＴｉＮとを示す図、ｄはエッチングを示
す図である。
図で示す図であって、ａはゲートとポリシリコン接続線
を示す図、ｂはチタンを示す図、ｃはソース／ドレーン
上のＴｉＳｉ2と、ゲートとポリシリコン上のＴｉＳｉ2
と、酸化物上のＴｉＮとを示す図、ｄはエッチングを示
す図である。
１５０ チタン １５２ ＴｉＳｉ2 １５４ ＴｉＳｉ2 １５６ ＴｉＳｉ2 １５８ フィラメント
Claims (1)
- 【請求項１】 自己整列ケイ化の方法であって、 （ａ）シリコン領域と非シリコン領域とを含むウェーハ
表面上に金属層を形成するステップと、 （ｂ）ケイ化金属を形成するために、前記金属層の第一
の部分を前記シリコン領域と反応させるステップと、 （ｃ）第一のエッチング剤を使用することにより、ケイ
化金属を形成するためのステップ（ｂ）で反応しなかっ
た前記金属層の第二の部分を除去し、これを少なくとも
１０対１のケイ化金属に対する選択度で行うステップ
と、 （ｄ）ステップ（ｃ）の後に、ＨＦを含む第二のエッチ
ング剤を使用することにより、前記ケイ化金属の部分を
除去するステップと、 を含む、自己整列ケイ化の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US9066998P | 1998-06-25 | 1998-06-25 | |
| US090669 | 1998-06-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077356A true JP2000077356A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=22223767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11180723A Abandoned JP2000077356A (ja) | 1998-06-25 | 1999-06-25 | 自己整列ケイ化の方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6277743B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000077356A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6496416B1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-12-17 | Xilinx, Inc. | Low voltage non-volatile memory cell |
| US6882571B1 (en) | 2000-12-19 | 2005-04-19 | Xilinx, Inc. | Low voltage non-volatile memory cell |
| US6930920B1 (en) | 2002-10-29 | 2005-08-16 | Xilinx, Inc. | Low voltage non-volatile memory cell |
| JP4863093B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2012-01-25 | マイクロン テクノロジー， インク． | ケイ化ニッケルおよびケイ化コバルトをエッチングする方法ならびに導電線を形成する方法 |
| JP2015162654A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液、これを用いるエッチング方法および半導体基板製品の製造方法 |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| US6890854B2 (en) * | 2000-11-29 | 2005-05-10 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Inc. | Method and apparatus for performing nickel salicidation |
| KR100982420B1 (ko) * | 2003-09-30 | 2010-09-15 | 삼성전자주식회사 | 실리사이드 박막을 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US8158519B2 (en) * | 2008-10-20 | 2012-04-17 | Eon Silicon Solution Inc. | Method of manufacturing non-volatile memory cell using self-aligned metal silicide |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5043300A (en) * | 1990-04-16 | 1991-08-27 | Applied Materials, Inc. | Single anneal step process for forming titanium silicide on semiconductor wafer |
| US5635426A (en) * | 1993-08-26 | 1997-06-03 | Fujitsu Limited | Method of making a semiconductor device having a silicide local interconnect |
| US5728625A (en) * | 1996-04-04 | 1998-03-17 | Lucent Technologies Inc. | Process for device fabrication in which a thin layer of cobalt silicide is formed |
| CA2197400C (en) * | 1997-02-12 | 2004-08-24 | Universite De Sherbrooke | Fabrication of sub-micron silicide structures on silicon using resistless electron beam lithography |
| TW326551B (en) * | 1997-07-11 | 1998-02-11 | Holtek Microelectronics Inc | The manufacturing method for Ti-salicide in IC |
-
1999
- 1999-06-25 JP JP11180723A patent/JP2000077356A/ja not_active Abandoned
- 1999-06-25 US US09/344,649 patent/US6277743B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6496416B1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-12-17 | Xilinx, Inc. | Low voltage non-volatile memory cell |
| US6671205B2 (en) | 2000-12-19 | 2003-12-30 | Xilinx, Inc. | Low voltage non-volatile memory cell |
| US6882571B1 (en) | 2000-12-19 | 2005-04-19 | Xilinx, Inc. | Low voltage non-volatile memory cell |
| US6936527B1 (en) | 2000-12-19 | 2005-08-30 | Xilinx, Inc. | Low voltage non-volatile memory cell |
| US6930920B1 (en) | 2002-10-29 | 2005-08-16 | Xilinx, Inc. | Low voltage non-volatile memory cell |
| JP4863093B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2012-01-25 | マイクロン テクノロジー， インク． | ケイ化ニッケルおよびケイ化コバルトをエッチングする方法ならびに導電線を形成する方法 |
| JP2015162654A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液、これを用いるエッチング方法および半導体基板製品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6277743B1 (en) | 2001-08-21 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20081210 |