JP2000068651A - 充填されたブラインドビアホールを有するビルドアッププリント配線板の製造方法 - Google Patents
充填されたブラインドビアホールを有するビルドアッププリント配線板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部が充填されたブラインドビアホールを有
するビルドアッププリント配線板を短時間で製造する方
法を提供する。 【解決手段】 ブラインドビアホールに対して、下記成
分（イ）及び（ロ）を含有する硫酸銅めっき浴を使用
し、かつ、正電解時間１〜５０ｍｓｅｃ及び逆電解時間
0.２〜５ｍｓｅｃの周期で電流の方向を逆転させなが
ら、電気銅めっきを行なう。 （イ）１分子当たり少なくとも５個のエーテル酸素原子
を含むポリエーテル。 （ロ）分子内に、以下の式で示される化合物。 Ｒ1 −Ｓ−（ＣＨ2 Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ （式中、Ｒ1 は、水素原子、−（Ｓ）n −（ＣＨ2 Ｏ）
n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、又は−ＣＳ−（Ｓ）n −（ＣＨ2
Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍを示し、Ｒ2 は、炭素原子３〜
８個を含むアルキレン基を示し、Ｍは、水素原子又はア
ルカリ金属を示し、そしてｎは、０又は１を示す）
するビルドアッププリント配線板を短時間で製造する方
法を提供する。 【解決手段】 ブラインドビアホールに対して、下記成
分（イ）及び（ロ）を含有する硫酸銅めっき浴を使用
し、かつ、正電解時間１〜５０ｍｓｅｃ及び逆電解時間
0.２〜５ｍｓｅｃの周期で電流の方向を逆転させなが
ら、電気銅めっきを行なう。 （イ）１分子当たり少なくとも５個のエーテル酸素原子
を含むポリエーテル。 （ロ）分子内に、以下の式で示される化合物。 Ｒ1 −Ｓ−（ＣＨ2 Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ （式中、Ｒ1 は、水素原子、−（Ｓ）n −（ＣＨ2 Ｏ）
n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、又は−ＣＳ−（Ｓ）n −（ＣＨ2
Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍを示し、Ｒ2 は、炭素原子３〜
８個を含むアルキレン基を示し、Ｍは、水素原子又はア
ルカリ金属を示し、そしてｎは、０又は１を示す）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、内部が充填された
ブラインドビアホールを有するビルドアッププリント配
線板を短時間で製造する方法に関する。
ブラインドビアホールを有するビルドアッププリント配
線板を短時間で製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】パーソナルコンピュータをはじめとする
最近の電子機器の高性能化、小型化に対応するため、プ
リント配線板の高密度化、薄型化が強く求められてい
る。そのような要求に対応する手法の一つとして、一層
ごとにパターンを形成し、逐次積層を行なうビルドアッ
プ工法を用いて製造される多層プリント配線板が最近使
用されるようになった。このようなビルドアッププリン
ト配線板では、隣接する層間の電気的接続を行なうた
め、ブラインドビアホールと呼ばれる、直径１００μ
ｍ、深さ１００μｍ程度の穴を開け、その内壁面に銅め
っきを行なうことが一般的である。しかしながら、ブラ
インドビアホールの内壁面のみを銅めっきする従来工法
では、ブラインドビアホール内部の空間は絶縁樹脂の充
填によって埋められるが、粘性のある樹脂を直径が小さ
く、一端が閉じている貫通していない穴に完全に充填す
ることは困難である。樹脂の充填に際し、閉塞端側で空
間が残り易く、プリント配線板をはんだ付けする際の加
熱で残された空間内の気体が急激に膨張し、プリント配
線板を変形させたり、破壊する恐れがある。従って、従
来工法では樹脂の充填が比較的容易な直径の大きいブラ
インドビアホールを採用せざるをえず、そのため、ビル
ドアッププリント配線板の小型化に対する大きな障害と
なっていた。
最近の電子機器の高性能化、小型化に対応するため、プ
リント配線板の高密度化、薄型化が強く求められてい
る。そのような要求に対応する手法の一つとして、一層
ごとにパターンを形成し、逐次積層を行なうビルドアッ
プ工法を用いて製造される多層プリント配線板が最近使
用されるようになった。このようなビルドアッププリン
ト配線板では、隣接する層間の電気的接続を行なうた
め、ブラインドビアホールと呼ばれる、直径１００μ
ｍ、深さ１００μｍ程度の穴を開け、その内壁面に銅め
っきを行なうことが一般的である。しかしながら、ブラ
インドビアホールの内壁面のみを銅めっきする従来工法
では、ブラインドビアホール内部の空間は絶縁樹脂の充
填によって埋められるが、粘性のある樹脂を直径が小さ
く、一端が閉じている貫通していない穴に完全に充填す
ることは困難である。樹脂の充填に際し、閉塞端側で空
間が残り易く、プリント配線板をはんだ付けする際の加
熱で残された空間内の気体が急激に膨張し、プリント配
線板を変形させたり、破壊する恐れがある。従って、従
来工法では樹脂の充填が比較的容易な直径の大きいブラ
インドビアホールを採用せざるをえず、そのため、ビル
ドアッププリント配線板の小型化に対する大きな障害と
なっていた。
【０００３】また、従来方法では、ブラインドビアホー
ルの開口端側では、絶縁樹脂が充填されているため、ブ
ラインドビアホール上にブラインドビアホールを重ねて
上層と接続する形式（Via on Via）を採用することが出
来ない。このため、ビルドアッププリント配線板の面積
効率が減少するとともに、設計自由度も低下する。この
問題点を解消する方法として考案されたのが、ビアフィ
リング（Via-filling)と呼ばれる、ブラインドビアホー
ル全体を導電体で充填し、ビルドアッププリント配線板
の隣接する層間の電気的接続を行なう方法である。ビア
フィリングを用いると、プリント配線板の有効面積が増
加するとともに、従来工法によるブラインドビアホール
内壁面のみのめっきと比べてより直径の小さいブライン
ドビアホールで充分な電気的接続を得られるため、プリ
ント配線板の小型、高密度化に有効である。
ルの開口端側では、絶縁樹脂が充填されているため、ブ
ラインドビアホール上にブラインドビアホールを重ねて
上層と接続する形式（Via on Via）を採用することが出
来ない。このため、ビルドアッププリント配線板の面積
効率が減少するとともに、設計自由度も低下する。この
問題点を解消する方法として考案されたのが、ビアフィ
リング（Via-filling)と呼ばれる、ブラインドビアホー
ル全体を導電体で充填し、ビルドアッププリント配線板
の隣接する層間の電気的接続を行なう方法である。ビア
フィリングを用いると、プリント配線板の有効面積が増
加するとともに、従来工法によるブラインドビアホール
内壁面のみのめっきと比べてより直径の小さいブライン
ドビアホールで充分な電気的接続を得られるため、プリ
ント配線板の小型、高密度化に有効である。
【０００４】現在考案され、発表されているビアフィリ
ング方法としては、以下の方法が知られている。 １．導電性ペーストを、印刷法によりブラインドビアホ
ールに充填する方法。 ２．ブラインドビアホールの閉塞端側の導体層のみを活
性化して、無電解銅めっきを選択的に積み上げる方法。 しかしながら、導電性ペーストは、銅と有機物との混合
体であるため、金属銅と比較して導電率が低く、小径の
ブラインドビアホールでは充分な電気的接続が困難であ
り、そのため、プリント配線板の小型、高密度化に対し
て有効な方法ではない。また、印刷法による充填では、
粘性のあるペーストを直径が小さい貫通していない穴に
充填することが必要となるが、空間を残さず完全に充填
することは困難である。
ング方法としては、以下の方法が知られている。 １．導電性ペーストを、印刷法によりブラインドビアホ
ールに充填する方法。 ２．ブラインドビアホールの閉塞端側の導体層のみを活
性化して、無電解銅めっきを選択的に積み上げる方法。 しかしながら、導電性ペーストは、銅と有機物との混合
体であるため、金属銅と比較して導電率が低く、小径の
ブラインドビアホールでは充分な電気的接続が困難であ
り、そのため、プリント配線板の小型、高密度化に対し
て有効な方法ではない。また、印刷法による充填では、
粘性のあるペーストを直径が小さい貫通していない穴に
充填することが必要となるが、空間を残さず完全に充填
することは困難である。
【０００５】一方、無電解銅めっきを用いる方法では、
ブラインドビアホール充填物が導電性の高い金属銅析出
物である点で導電性ペースト法より優れているが、めっ
き皮膜の析出速度が遅いため、生産性に大きな問題があ
った。一般的な高速型無電解銅めっき浴の場合、めっき
皮膜の析出速度は、３μｍ／ｈｒ程度がであるが、これ
を用いて直径１００μｍ、深さ１００μｍの典型的なブ
ラインドビアホールの内部を銅めっきで充填する場合、
３０時間以上を要し、非常に生産性が悪い。これに対し
て、電気銅めっきはめっき皮膜の析出速度は、１０〜５
０μｍ／ｈｒと速いため、無電解銅めっきに対して、大
幅な時間短縮が可能となるので、ブラインドビアホール
への電気銅めっきの応用が期待されている。
ブラインドビアホール充填物が導電性の高い金属銅析出
物である点で導電性ペースト法より優れているが、めっ
き皮膜の析出速度が遅いため、生産性に大きな問題があ
った。一般的な高速型無電解銅めっき浴の場合、めっき
皮膜の析出速度は、３μｍ／ｈｒ程度がであるが、これ
を用いて直径１００μｍ、深さ１００μｍの典型的なブ
ラインドビアホールの内部を銅めっきで充填する場合、
３０時間以上を要し、非常に生産性が悪い。これに対し
て、電気銅めっきはめっき皮膜の析出速度は、１０〜５
０μｍ／ｈｒと速いため、無電解銅めっきに対して、大
幅な時間短縮が可能となるので、ブラインドビアホール
への電気銅めっきの応用が期待されている。
【０００６】しかしながら、電気銅めっきの場合、ブラ
インドビアホールの閉塞端面のみにめっきを析出させて
積み上げる方法では、電気的に独立して閉塞端部のみへ
のめっきは非常に困難であり、それあえて実施しようと
すると、非常に煩雑で付加的な工程が必要となる。従っ
て、ブラインドビアホール内面の全てを薄い無電解銅皮
膜又はダイレクトプレーティング法で導電化し、ブライ
ンドビアホール内面の全てに銅めっきを析出させる方法
が選択されることになるが、従来硫酸銅めっきでは、ブ
ラインドビアホール内部のめっき析出速度は非常に遅
く、硫酸銅めっきによるブラインドビアホール充填は不
可能と考えられていた。ブラインドビアホール内面の全
てに銅めっきを析出させる場合、空隙を残すことなくブ
ラインドビアホール内部を銅めっきで充填するために
は、ブラインドビアホール内の閉塞端面付近での析出速
度が、開口端部での析出速度より速くなることが必要で
ある。開口端部での析出速度が、閉塞端面の析出速度を
上回る場合には、ブラインドビアホール内部の銅めっき
充填が完了する以前に開口端部側が閉塞されてしまい、
内部に空隙を残すことになる。このような銅析出物中の
空隙は、プリント配線板に搭載部品をはんだ付けする
際、高温に曝されると、空隙に閉じ込められた内容物
（めっき液または水素ガス）が急激に膨張し、プリント
配線板を変形させたり、破壊する恐れがある。従って、
ブラインドビアホール内部を充填する場合には、内部に
空隙を残さないようにする必要がある。
インドビアホールの閉塞端面のみにめっきを析出させて
積み上げる方法では、電気的に独立して閉塞端部のみへ
のめっきは非常に困難であり、それあえて実施しようと
すると、非常に煩雑で付加的な工程が必要となる。従っ
て、ブラインドビアホール内面の全てを薄い無電解銅皮
膜又はダイレクトプレーティング法で導電化し、ブライ
ンドビアホール内面の全てに銅めっきを析出させる方法
が選択されることになるが、従来硫酸銅めっきでは、ブ
ラインドビアホール内部のめっき析出速度は非常に遅
く、硫酸銅めっきによるブラインドビアホール充填は不
可能と考えられていた。ブラインドビアホール内面の全
てに銅めっきを析出させる場合、空隙を残すことなくブ
ラインドビアホール内部を銅めっきで充填するために
は、ブラインドビアホール内の閉塞端面付近での析出速
度が、開口端部での析出速度より速くなることが必要で
ある。開口端部での析出速度が、閉塞端面の析出速度を
上回る場合には、ブラインドビアホール内部の銅めっき
充填が完了する以前に開口端部側が閉塞されてしまい、
内部に空隙を残すことになる。このような銅析出物中の
空隙は、プリント配線板に搭載部品をはんだ付けする
際、高温に曝されると、空隙に閉じ込められた内容物
（めっき液または水素ガス）が急激に膨張し、プリント
配線板を変形させたり、破壊する恐れがある。従って、
ブラインドビアホール内部を充填する場合には、内部に
空隙を残さないようにする必要がある。
【０００７】通常、プリント配線板の製造には硫酸銅め
っき浴が用いられ、電解条件としては直流電解が一般的
である。しかしながら、直流電解法でめっきした場合、
ブラインドビアホール閉塞端面付近には電流が集中しに
くく、またブラインドビアホールの開口端部に比べて閉
塞端面付近の方が銅イオンの供給が不充分になりやす
い。従って、めっきの析出速度は、開口端部の方が速く
なる。そのため、ブラインドビアホール内部の銅めっき
充填が、完了する以前に開口端部が閉塞されてしまい、
内部に空隙を残すことになるため、電気めっき法で良好
な品質の金属銅充填ブラインドビアホールを得ることが
不可能とされていた。
っき浴が用いられ、電解条件としては直流電解が一般的
である。しかしながら、直流電解法でめっきした場合、
ブラインドビアホール閉塞端面付近には電流が集中しに
くく、またブラインドビアホールの開口端部に比べて閉
塞端面付近の方が銅イオンの供給が不充分になりやす
い。従って、めっきの析出速度は、開口端部の方が速く
なる。そのため、ブラインドビアホール内部の銅めっき
充填が、完了する以前に開口端部が閉塞されてしまい、
内部に空隙を残すことになるため、電気めっき法で良好
な品質の金属銅充填ブラインドビアホールを得ることが
不可能とされていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、ブ
ラインドビアホール内部に空隙を残すことなく、導電性
に優れた金属銅を短時間で充填するための方法を提供す
ることを目的とする。
ラインドビアホール内部に空隙を残すことなく、導電性
に優れた金属銅を短時間で充填するための方法を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
達成するため鋭意検討した結果、特定の成分を含有する
硫酸銅めっき浴を使用し、かつ特定の電解条件で電気銅
めっきを行なうことにより、上記目的が達成出来ること
を見出し、本発明に到達したものである。即ち、本発明
は、充填されたブラインドビアホールを有するビルドア
ッププリント配線板の製造方法又はブラインドビアホー
ルを充填する方法であって、前記ブラインドビアホール
に対して、下記成分（イ）及び（ロ）を含有する硫酸銅
めっき浴を使用し、かつ、正電解時間１〜５０ｍｓｅｃ
及び逆電解時間0.２〜５ｍｓｅｃの周期で電流の方向を
逆転させながら、電気銅めっきを行なうことを特徴とす
る方法に関するものである。 （イ）１分子当たり少なくとも５個のエーテル酸素原子
を含むポリエーテル。 （ロ）分子内に、以下の式で示される化合物。
達成するため鋭意検討した結果、特定の成分を含有する
硫酸銅めっき浴を使用し、かつ特定の電解条件で電気銅
めっきを行なうことにより、上記目的が達成出来ること
を見出し、本発明に到達したものである。即ち、本発明
は、充填されたブラインドビアホールを有するビルドア
ッププリント配線板の製造方法又はブラインドビアホー
ルを充填する方法であって、前記ブラインドビアホール
に対して、下記成分（イ）及び（ロ）を含有する硫酸銅
めっき浴を使用し、かつ、正電解時間１〜５０ｍｓｅｃ
及び逆電解時間0.２〜５ｍｓｅｃの周期で電流の方向を
逆転させながら、電気銅めっきを行なうことを特徴とす
る方法に関するものである。 （イ）１分子当たり少なくとも５個のエーテル酸素原子
を含むポリエーテル。 （ロ）分子内に、以下の式で示される化合物。
【００１０】 Ｒ1 −Ｓ−（ＣＨ2 Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ （式中、Ｒ1 は、水素原子、−（Ｓ）n −（ＣＨ2 Ｏ）
n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、又は−ＣＳ−（Ｓ）n −（ＣＨ2
Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍを示し、Ｒ2 は、炭素原子３〜
８個を含むアルキレン基を示し、Ｍは、水素原子又はア
ルカリ金属を示し、そしてｎは、０又は１を示す）
n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、又は−ＣＳ−（Ｓ）n −（ＣＨ2
Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍを示し、Ｒ2 は、炭素原子３〜
８個を含むアルキレン基を示し、Ｍは、水素原子又はア
ルカリ金属を示し、そしてｎは、０又は１を示す）
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。ビルドアッププリント配線板は、回路配線をエポ
キシ樹脂のような絶縁材料によって積層状態に組み上げ
た回路板である。ビルドアッププリント配線板を製造す
るのに使用されるプリント基板としては、通常、例え
ば、ガラスエポキシ積層板が使用されており、樹脂を塗
布することにより絶縁層が形成され、銅めっきにより導
体層が逐次積層される。ビルドアッププリント配線板に
設けられるブラインドビアホールは、下層との電気的接
続を行うために形成されるものであり、プリント基板上
の樹脂層又はその上に積層される導電性層に開けられ
る。ブラインドビアホールは、一般に、一端が閉塞端面
となっている微小径（例えば、50〜200 μm ）のホール
であり、ここを通して、信号層間の電気的接続がなされ
る。
する。ビルドアッププリント配線板は、回路配線をエポ
キシ樹脂のような絶縁材料によって積層状態に組み上げ
た回路板である。ビルドアッププリント配線板を製造す
るのに使用されるプリント基板としては、通常、例え
ば、ガラスエポキシ積層板が使用されており、樹脂を塗
布することにより絶縁層が形成され、銅めっきにより導
体層が逐次積層される。ビルドアッププリント配線板に
設けられるブラインドビアホールは、下層との電気的接
続を行うために形成されるものであり、プリント基板上
の樹脂層又はその上に積層される導電性層に開けられ
る。ブラインドビアホールは、一般に、一端が閉塞端面
となっている微小径（例えば、50〜200 μm ）のホール
であり、ここを通して、信号層間の電気的接続がなされ
る。
【００１２】ブラインドビアホールの形成方法は公知で
あり、例えば、ドリルや、炭酸ガスレーザー、エキシマ
レーザー等の物理的な形成手段や、フォト法等の光学的
な形成方法等によって好適に行うことができる。このよ
うに形成されたブラインドビアホールを充填するのに使
用される電気銅めっきには、硫酸銅めっき浴が使用され
る。この硫酸銅めっき浴は、必須成分として、成分
（イ）及び（ロ）を含有することを除いては、従来より
採用されている硫酸銅めっき浴の条件が、特に制限なく
使用することが出来る。具体的には、硫酸銅めっき浴
は、基本組成として、硫酸、硫酸銅及び水溶性塩素化合
物を含有する。
あり、例えば、ドリルや、炭酸ガスレーザー、エキシマ
レーザー等の物理的な形成手段や、フォト法等の光学的
な形成方法等によって好適に行うことができる。このよ
うに形成されたブラインドビアホールを充填するのに使
用される電気銅めっきには、硫酸銅めっき浴が使用され
る。この硫酸銅めっき浴は、必須成分として、成分
（イ）及び（ロ）を含有することを除いては、従来より
採用されている硫酸銅めっき浴の条件が、特に制限なく
使用することが出来る。具体的には、硫酸銅めっき浴
は、基本組成として、硫酸、硫酸銅及び水溶性塩素化合
物を含有する。
【００１３】本発明においては、硫酸濃度は、例えば、
３０〜４００ｇ／Ｌ、好ましくは、１７０〜２１０ｇ／
Ｌであることが適当である。硫酸濃度が、例えば３０ｇ
／Ｌ未満であると、めっき浴の導電性が低下するため、
めっき浴に通電することが困難になり易い。一方、硫酸
濃度が、４００ｇ／Ｌを越えると、めっき浴中の硫酸銅
の溶解を妨げ、甚だしくは硫酸銅が沈澱し易い。本発明
においては、硫酸銅濃度は、例えば、２０〜２５０ｇ／
Ｌ、好ましくは、６０〜１８０ｇ／Ｌであることが適当
である。硫酸銅濃度が、例えば２０ｇ／Ｌ未満である
と、被めっき物への銅イオン供給が不充分となり、正常
なめっき皮膜を析出させることが困難となり易い。一
方、硫酸銅は、２５０ｇ／Ｌを越えて溶解させることは
困難である。
３０〜４００ｇ／Ｌ、好ましくは、１７０〜２１０ｇ／
Ｌであることが適当である。硫酸濃度が、例えば３０ｇ
／Ｌ未満であると、めっき浴の導電性が低下するため、
めっき浴に通電することが困難になり易い。一方、硫酸
濃度が、４００ｇ／Ｌを越えると、めっき浴中の硫酸銅
の溶解を妨げ、甚だしくは硫酸銅が沈澱し易い。本発明
においては、硫酸銅濃度は、例えば、２０〜２５０ｇ／
Ｌ、好ましくは、６０〜１８０ｇ／Ｌであることが適当
である。硫酸銅濃度が、例えば２０ｇ／Ｌ未満である
と、被めっき物への銅イオン供給が不充分となり、正常
なめっき皮膜を析出させることが困難となり易い。一
方、硫酸銅は、２５０ｇ／Ｌを越えて溶解させることは
困難である。
【００１４】水溶性塩素化合物は、従来より硫酸銅めっ
きに用いられているものであれば特に制限なく使用する
ことが出来る。これらの化合物としては、例えば、塩
酸、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化アンモニウム
等を挙げることが出来る。水溶性塩素化合物は１種類の
みを使用しても、２種類以上の混合物として使用しても
よい。水溶性塩素化合物の濃度は、塩素イオン濃度とし
て、例えば、１０〜２００ｍｇ／Ｌ、好ましくは、３０
〜８０ｍｇ／Ｌであることが適当である。塩素イオン濃
度が、例えば１０ｍｇ／Ｌ未満であると、水溶性塩素化
合物としての作用である析出物の平滑化が充分に行なわ
れず析出物が樹状又は粉末状になりやすい。一方、この
濃度が、２００ｍｇ／Ｌを越えると、陽極の不働態化を
招来し易く、通電が困難となり易い。
きに用いられているものであれば特に制限なく使用する
ことが出来る。これらの化合物としては、例えば、塩
酸、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化アンモニウム
等を挙げることが出来る。水溶性塩素化合物は１種類の
みを使用しても、２種類以上の混合物として使用しても
よい。水溶性塩素化合物の濃度は、塩素イオン濃度とし
て、例えば、１０〜２００ｍｇ／Ｌ、好ましくは、３０
〜８０ｍｇ／Ｌであることが適当である。塩素イオン濃
度が、例えば１０ｍｇ／Ｌ未満であると、水溶性塩素化
合物としての作用である析出物の平滑化が充分に行なわ
れず析出物が樹状又は粉末状になりやすい。一方、この
濃度が、２００ｍｇ／Ｌを越えると、陽極の不働態化を
招来し易く、通電が困難となり易い。
【００１５】本発明で使用される成分（イ）は、めっき
浴中で湿潤剤として作用する物質であり、１分子当た
り、少なくとも５個、好ましくは、少なくとも２０個の
エーテル酸素を含む。本発明で使用される成分（イ）
は、１種類のみを使用しても、２種類以上を混合物を使
用してもよい。好ましくは、成分（イ）は、少なくとも
５個、好ましくは、５０〜６０個のエーテル酸素を有す
るポリアルキレングリコールが好適に挙げられる。本発
明で使用される成分（イ）としては、好ましくは、以下
（１）〜（３）の構造を有する化合物が挙げられる。 （１） HO -(CH2 - CH2 - O)a - H （但し、式中、ａ＝
５〜５００） （２） HO -(CH2 - CH(CH3)- O) b - H （但し、式中、
ｂ＝５〜２００） （３） HO -(CH2 - CH2 - O)a (CH2 - CH(CH3)- O) b
(CH2 - CH2 - O) a -H （但し、ａ＋ｃ＝５〜２５０、ｂ＝１〜１００） 本発明で使用される成分（イ）は、例えば、0.０５〜１
０ｇ／Ｌ、好ましくは、0.１〜２ｇ／Ｌの範囲で使用す
ることが適当である。めっき浴中の濃度が、0.０５ｇ／
Ｌ未満では、湿潤効果が不充分なため、めっき皮膜に多
数のピンホールを生じ易く、正常なめっき皮膜を析出さ
せることが困難になる。一方、成分（イ）の濃度が、１
０ｇ／Ｌを越えると、それに見合う効果の向上はほとん
ど得られないので、経済的面から好ましくない。
浴中で湿潤剤として作用する物質であり、１分子当た
り、少なくとも５個、好ましくは、少なくとも２０個の
エーテル酸素を含む。本発明で使用される成分（イ）
は、１種類のみを使用しても、２種類以上を混合物を使
用してもよい。好ましくは、成分（イ）は、少なくとも
５個、好ましくは、５０〜６０個のエーテル酸素を有す
るポリアルキレングリコールが好適に挙げられる。本発
明で使用される成分（イ）としては、好ましくは、以下
（１）〜（３）の構造を有する化合物が挙げられる。 （１） HO -(CH2 - CH2 - O)a - H （但し、式中、ａ＝
５〜５００） （２） HO -(CH2 - CH(CH3)- O) b - H （但し、式中、
ｂ＝５〜２００） （３） HO -(CH2 - CH2 - O)a (CH2 - CH(CH3)- O) b
(CH2 - CH2 - O) a -H （但し、ａ＋ｃ＝５〜２５０、ｂ＝１〜１００） 本発明で使用される成分（イ）は、例えば、0.０５〜１
０ｇ／Ｌ、好ましくは、0.１〜２ｇ／Ｌの範囲で使用す
ることが適当である。めっき浴中の濃度が、0.０５ｇ／
Ｌ未満では、湿潤効果が不充分なため、めっき皮膜に多
数のピンホールを生じ易く、正常なめっき皮膜を析出さ
せることが困難になる。一方、成分（イ）の濃度が、１
０ｇ／Ｌを越えると、それに見合う効果の向上はほとん
ど得られないので、経済的面から好ましくない。
【００１６】本発明で使用される成分（ロ）は、めっき
浴中でプラスに帯電する物質であり、電解中に被めっき
物表面に吸着し、逆電解を行なうと、被めっき物表面か
ら離脱する。被めっき物表面に吸着した場合、銅めっき
皮膜の成長を助ける作用をもつ物質である。本発明で使
用される成分（ロ）は、次式で示される化合物である。 Ｒ1 −Ｓ−（ＣＨ2 Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ （式中、Ｒ1 は、水素原子、−（Ｓ）n −（ＣＨ2 Ｏ）
n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、又は−ＣＳ−（Ｓ）n −（ＣＨ2
Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍを示し、Ｒ2 は、炭素原子３〜
８個を含むアルキレン基を示し、Ｍは、水素原子又はア
ルカリ金属を示し、そしてｎは、０又は１を示す） Ｒ1 としては、例えば、水素原子や、−Ｓ−（ＣＨ
2 Ｏ）−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、−ＣＨ2 Ｏ−Ｒ2 −ＳＯ
3 Ｍ、−Ｓ−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、−Ｃ
Ｓ−Ｓ−（ＣＨ2 Ｏ）−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、−ＣＳ−ＣＨ
2 Ｏ−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、−ＣＳ−Ｓ−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、
−ＣＳ−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ等が挙げられる。
浴中でプラスに帯電する物質であり、電解中に被めっき
物表面に吸着し、逆電解を行なうと、被めっき物表面か
ら離脱する。被めっき物表面に吸着した場合、銅めっき
皮膜の成長を助ける作用をもつ物質である。本発明で使
用される成分（ロ）は、次式で示される化合物である。 Ｒ1 −Ｓ−（ＣＨ2 Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ （式中、Ｒ1 は、水素原子、−（Ｓ）n −（ＣＨ2 Ｏ）
n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、又は−ＣＳ−（Ｓ）n −（ＣＨ2
Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍを示し、Ｒ2 は、炭素原子３〜
８個を含むアルキレン基を示し、Ｍは、水素原子又はア
ルカリ金属を示し、そしてｎは、０又は１を示す） Ｒ1 としては、例えば、水素原子や、−Ｓ−（ＣＨ
2 Ｏ）−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、−ＣＨ2 Ｏ−Ｒ2 −ＳＯ
3 Ｍ、−Ｓ−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、−Ｃ
Ｓ−Ｓ−（ＣＨ2 Ｏ）−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、−ＣＳ−ＣＨ
2 Ｏ−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、−ＣＳ−Ｓ−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、
−ＣＳ−Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ等が挙げられる。
【００１７】ここで、Ｒ2 としては、プロピレンや、ブ
チレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチ
レン等の直鎖又は分岐鎖からなるアルキレン基が挙げら
れる。Ｍとしては、例えば、水素原子又は、ナトリウム
や、カリウム等が挙げられる。このような成分（ロ）と
しては、好ましくは、以下の化合物（４）〜（９）が挙
げられる。 （４）Ｍ-SO3-(CH2)a -S-(CH2)b -SO3- Ｍ （ここで、ａ及びｂ＝３〜８、Ｍは、水素又はアルカリ
金属元素） （５）Ｍ-SO3-(CH2)a -O-CH2-S-CH2-O-(CH2)b -SO3- Ｍ （ここで、ａ及びｂ＝３〜８、Ｍは、水素又はアルカリ
金属元素） （６）Ｍ-SO3-(CH2)a -S-S-(CH2)b -SO3- Ｍ （ここで、ａ及びｂ＝３〜８、Ｍは、水素又はアルカリ
金属元素） （７）Ｍ-SO3-(CH2)a -O-CH2-S-S-CH2-O-(CH2)b -SO3-
Ｍ （ここで、ａ及びｂ＝３〜８、Ｍは水素又はアルカリ金
属元素） （８）Ｍ-SO3-(CH2)a -S-CS-S-(CH2) b -SO3- Ｍ （ここで、ａ及びｂ＝３〜８、Ｍは、水素又はアルカリ
金属元素） （９）Ｍ-SO3-(CH2)a -O-CH2-S-CS-S-CH2-O-(CH2) b -S
O3- Ｍ （ここで、ａ及びｂ＝３〜８、Ｍは水素又はアルカリ金
属元素） 成分（ロ）として、特に好ましい化合物としては、以下
の化合物が好適に挙げられる。
チレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチ
レン等の直鎖又は分岐鎖からなるアルキレン基が挙げら
れる。Ｍとしては、例えば、水素原子又は、ナトリウム
や、カリウム等が挙げられる。このような成分（ロ）と
しては、好ましくは、以下の化合物（４）〜（９）が挙
げられる。 （４）Ｍ-SO3-(CH2)a -S-(CH2)b -SO3- Ｍ （ここで、ａ及びｂ＝３〜８、Ｍは、水素又はアルカリ
金属元素） （５）Ｍ-SO3-(CH2)a -O-CH2-S-CH2-O-(CH2)b -SO3- Ｍ （ここで、ａ及びｂ＝３〜８、Ｍは、水素又はアルカリ
金属元素） （６）Ｍ-SO3-(CH2)a -S-S-(CH2)b -SO3- Ｍ （ここで、ａ及びｂ＝３〜８、Ｍは、水素又はアルカリ
金属元素） （７）Ｍ-SO3-(CH2)a -O-CH2-S-S-CH2-O-(CH2)b -SO3-
Ｍ （ここで、ａ及びｂ＝３〜８、Ｍは水素又はアルカリ金
属元素） （８）Ｍ-SO3-(CH2)a -S-CS-S-(CH2) b -SO3- Ｍ （ここで、ａ及びｂ＝３〜８、Ｍは、水素又はアルカリ
金属元素） （９）Ｍ-SO3-(CH2)a -O-CH2-S-CS-S-CH2-O-(CH2) b -S
O3- Ｍ （ここで、ａ及びｂ＝３〜８、Ｍは水素又はアルカリ金
属元素） 成分（ロ）として、特に好ましい化合物としては、以下
の化合物が好適に挙げられる。
【００１８】Na-SO3-(CH2)3-S-S-(CH2)3-SO3-Na H-S-(CH2)3-SO3-Na 本発明で使用される成分（ロ）は、１種類のみを単独で
使用しても、２種類以上の混合物として使用してもよ
い。本発明で使用される成分（ロ）は、例えば、0.１〜
１００ｍｇ／Ｌ、好ましくは、0.５〜１０ｍｇ／Ｌの範
囲で使用することが適当である。めっき浴中の濃度が、
0.１ｍｇ／Ｌ未満では、銅めっき皮膜の成長を助ける効
果が充分には得られない。一方、この濃度が、１００ｍ
ｇ／Ｌを越えると、それに見合う効果の向上はほとんど
得られない。本発明では、電気銅めっきは、短い周期で
電流の方向を逆転しながら行なう。このような電気銅め
っき方法は、例えば、ＰＰＲ（Pulse Periodic Revers
e) 電解法としてそれ自身は知られているが、本発明の
ようなブラインドビアホールを充填するために使用する
ことについては全く知られていない。
使用しても、２種類以上の混合物として使用してもよ
い。本発明で使用される成分（ロ）は、例えば、0.１〜
１００ｍｇ／Ｌ、好ましくは、0.５〜１０ｍｇ／Ｌの範
囲で使用することが適当である。めっき浴中の濃度が、
0.１ｍｇ／Ｌ未満では、銅めっき皮膜の成長を助ける効
果が充分には得られない。一方、この濃度が、１００ｍ
ｇ／Ｌを越えると、それに見合う効果の向上はほとんど
得られない。本発明では、電気銅めっきは、短い周期で
電流の方向を逆転しながら行なう。このような電気銅め
っき方法は、例えば、ＰＰＲ（Pulse Periodic Revers
e) 電解法としてそれ自身は知られているが、本発明の
ようなブラインドビアホールを充填するために使用する
ことについては全く知られていない。
【００１９】短周期で、電流方向を逆転することによ
り、成分（ロ）は、電解によって被めっき物のブライン
ドビアホール内面に吸着し、次の逆電解の間に、電流の
集中しやすいブラインドビアホール開口端部付近に限っ
て成分（ロ）が離脱する。従って、電流の方向の逆転を
繰り返すことにより、ブラインドビアホール閉塞端面付
近では、成分（ロ）の吸着量が多く、開口端部付近では
成分（ロ）の吸着量が少なくなる。その結果、成分
（ロ）の銅めっき皮膜の成長を助ける作用は、ブライン
ドビアホール閉塞端面付近で強く作用することになり、
ブラインドビアホール閉塞端面付近での銅めっき皮膜の
析出速度が、開口端部での析出速度より速くなり、その
結果、ブラインドビアホール内部に空隙を残さず銅析出
物で充填することが可能となる。
り、成分（ロ）は、電解によって被めっき物のブライン
ドビアホール内面に吸着し、次の逆電解の間に、電流の
集中しやすいブラインドビアホール開口端部付近に限っ
て成分（ロ）が離脱する。従って、電流の方向の逆転を
繰り返すことにより、ブラインドビアホール閉塞端面付
近では、成分（ロ）の吸着量が多く、開口端部付近では
成分（ロ）の吸着量が少なくなる。その結果、成分
（ロ）の銅めっき皮膜の成長を助ける作用は、ブライン
ドビアホール閉塞端面付近で強く作用することになり、
ブラインドビアホール閉塞端面付近での銅めっき皮膜の
析出速度が、開口端部での析出速度より速くなり、その
結果、ブラインドビアホール内部に空隙を残さず銅析出
物で充填することが可能となる。
【００２０】本発明に使用される電気銅めっき条件は、
正電解（めっきを析出させる電解）と、逆電解を短い周
期で繰り返す方法であり、電解の周期は、正電解時間１
〜５０ｍｓｅｃ、好ましくは、１０〜２０ｍｓｅｃ、逆
電解時間0.２〜５ｍｓｅｃ、好ましくは、0.５〜１ｍｓ
ｅｃの範囲を使用することが適当である。正電解時間が
１ｍｓｅｃより短い場合、正常な銅めっきの析出が開始
する前に電解を中止してしまうことになるので好ましく
ない。一方、正電解時間が５０ｍｓｅｃより長い場合
は、ブラインドビアホールの開口端部付近に成分（ロ）
の吸着が増え、ブラインドビアホール閉塞端面付近での
銅めっき皮膜の析出速度を、開口端部での析出速度より
速くすることが出来なくなる。一方、逆電解時間が0.２
ｍｓｅｃより短い場合、ブラインドビアホールの開口端
部付近に吸着した成分（ロ）を離脱させることが出来な
くなるため、ブラインドビアホール閉塞端面付近での銅
めっき皮膜の析出速度を、開口端部での析出速度より速
くすることが出来なくなる。また、逆電解時間が５ｍｓ
ｅｃより長い場合、一度析出した銅めっき皮膜を溶解さ
せてしまうため、銅めっきによるブラインドビアホール
の充填に要する時間が長くなり、効果的でない。
正電解（めっきを析出させる電解）と、逆電解を短い周
期で繰り返す方法であり、電解の周期は、正電解時間１
〜５０ｍｓｅｃ、好ましくは、１０〜２０ｍｓｅｃ、逆
電解時間0.２〜５ｍｓｅｃ、好ましくは、0.５〜１ｍｓ
ｅｃの範囲を使用することが適当である。正電解時間が
１ｍｓｅｃより短い場合、正常な銅めっきの析出が開始
する前に電解を中止してしまうことになるので好ましく
ない。一方、正電解時間が５０ｍｓｅｃより長い場合
は、ブラインドビアホールの開口端部付近に成分（ロ）
の吸着が増え、ブラインドビアホール閉塞端面付近での
銅めっき皮膜の析出速度を、開口端部での析出速度より
速くすることが出来なくなる。一方、逆電解時間が0.２
ｍｓｅｃより短い場合、ブラインドビアホールの開口端
部付近に吸着した成分（ロ）を離脱させることが出来な
くなるため、ブラインドビアホール閉塞端面付近での銅
めっき皮膜の析出速度を、開口端部での析出速度より速
くすることが出来なくなる。また、逆電解時間が５ｍｓ
ｅｃより長い場合、一度析出した銅めっき皮膜を溶解さ
せてしまうため、銅めっきによるブラインドビアホール
の充填に要する時間が長くなり、効果的でない。
【００２１】なお、正電解と、逆電解との途中に電気を
流さない休止時間があっても構わない。正電解電流密度
は、好ましくは、0.１〜２０Ａ／ｄｍ2 、更に好ましく
は、0.５〜５Ａ／ｄｍ2 であることが適当である。ま
た、逆電解電流密度は、好ましくは、0.１〜２００Ａ／
ｄｍ2 、更に好ましくは、１〜２５Ａ／ｄｍ2 であるこ
とが適当である。正電解時間の方が逆電解時間より長い
ことが好ましい。電解時の電流密度比率は、正電解１に
対して、逆電解１〜１０、好ましくは、２〜５であるこ
とが好ましい。電解時の電流密度比率が、正電解１に対
し、逆電解が１より小さいと、ブラインドビアホールの
開口端部付近に吸着した成分（ロ）を充分に離脱させる
ことが出来なくなるため、ブラインドビアホール閉塞端
面付近での銅めっき皮膜の析出速度を、開口端部での析
出速度より速くすることが出来なくなり易い。一方、電
解時の電流密度比率が、正電解１に対し、逆電解が１０
越えると、一度析出した銅めっき皮膜を溶解させてしま
うため、銅めっきによるブラインドビアホールの充填に
要する時間が長くなり過ぎる傾向がある。
流さない休止時間があっても構わない。正電解電流密度
は、好ましくは、0.１〜２０Ａ／ｄｍ2 、更に好ましく
は、0.５〜５Ａ／ｄｍ2 であることが適当である。ま
た、逆電解電流密度は、好ましくは、0.１〜２００Ａ／
ｄｍ2 、更に好ましくは、１〜２５Ａ／ｄｍ2 であるこ
とが適当である。正電解時間の方が逆電解時間より長い
ことが好ましい。電解時の電流密度比率は、正電解１に
対して、逆電解１〜１０、好ましくは、２〜５であるこ
とが好ましい。電解時の電流密度比率が、正電解１に対
し、逆電解が１より小さいと、ブラインドビアホールの
開口端部付近に吸着した成分（ロ）を充分に離脱させる
ことが出来なくなるため、ブラインドビアホール閉塞端
面付近での銅めっき皮膜の析出速度を、開口端部での析
出速度より速くすることが出来なくなり易い。一方、電
解時の電流密度比率が、正電解１に対し、逆電解が１０
越えると、一度析出した銅めっき皮膜を溶解させてしま
うため、銅めっきによるブラインドビアホールの充填に
要する時間が長くなり過ぎる傾向がある。
【００２２】なお、本発明において電気めっきを行なう
ためには、電気めっきに先立ってブラインドビアホール
内面を導電化する必要があるが、この導電化処理には、
無電解めっきや、導電性微粒子吸着処理、気相めっき法
等の各種の方法を特に制限されることなく、各種用いる
ことが出来る。本発明では、電気銅めっきは、めっき温
度（液温）として、例えば、１０〜４０℃、好ましく
は、２０〜３０℃で行なうことが適当である。めっき温
度が１０℃より低い場合、めっき浴の導電性が低下する
ため、電解時の電流密度を高くすることが出来ず、めっ
き皮膜の成長速度が遅くなり、生産性が低下する。一
方、めっき温度が４０℃より高い場合、成分（イ）及び
（ロ）が分解する恐れがある。
ためには、電気めっきに先立ってブラインドビアホール
内面を導電化する必要があるが、この導電化処理には、
無電解めっきや、導電性微粒子吸着処理、気相めっき法
等の各種の方法を特に制限されることなく、各種用いる
ことが出来る。本発明では、電気銅めっきは、めっき温
度（液温）として、例えば、１０〜４０℃、好ましく
は、２０〜３０℃で行なうことが適当である。めっき温
度が１０℃より低い場合、めっき浴の導電性が低下する
ため、電解時の電流密度を高くすることが出来ず、めっ
き皮膜の成長速度が遅くなり、生産性が低下する。一
方、めっき温度が４０℃より高い場合、成分（イ）及び
（ロ）が分解する恐れがある。
【００２３】本発明で使用される電気銅めっきでは、陽
極は、従来より硫酸銅めっきに用いられているものが特
に制限なく使用される。このような陽極としては、例え
ば、、溶解性陽極や、不溶性陽極等が挙げられる。本発
明で使用される電気銅めっきでは、撹拌を行なうことは
差し支えなく、被めっき物表面への銅イオン及び添加剤
の供給を均一化するために撹拌を行なうことが好まし
い。更に、あけ替え濾過、循環濾過を行なうことも出
来、特に濾過器でめっき液を循環濾過することが好まし
く、これによりめっき液の温度を均一化し、且つめっき
液中のゴミ、沈澱物等を除去することが出来る。
極は、従来より硫酸銅めっきに用いられているものが特
に制限なく使用される。このような陽極としては、例え
ば、、溶解性陽極や、不溶性陽極等が挙げられる。本発
明で使用される電気銅めっきでは、撹拌を行なうことは
差し支えなく、被めっき物表面への銅イオン及び添加剤
の供給を均一化するために撹拌を行なうことが好まし
い。更に、あけ替え濾過、循環濾過を行なうことも出
来、特に濾過器でめっき液を循環濾過することが好まし
く、これによりめっき液の温度を均一化し、且つめっき
液中のゴミ、沈澱物等を除去することが出来る。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、特定
の成分（イ）及び（ロ）を配合した電気銅めっき浴を使
用して、短周期で正電解及び逆電解の電流の方向を逆転
しながら、電気銅めっきを行なうため、短時間に、内部
に空隙を残すことなくブラインドビアホール内部を導電
性とすることができる。
の成分（イ）及び（ロ）を配合した電気銅めっき浴を使
用して、短周期で正電解及び逆電解の電流の方向を逆転
しながら、電気銅めっきを行なうため、短時間に、内部
に空隙を残すことなくブラインドビアホール内部を導電
性とすることができる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明について、実施例及び比較例を
参照しながら、更に、具体的に説明する。但し、本発明
の範囲は、これらの実施例及び比較例によって何ら限定
されるものではない。実施例１ めっき液： 硫酸 １８０ｇ／Ｌ 硫酸銅 １５０ｇ／Ｌ 塩素イオン ６０ｍｇ／Ｌ HO-(CH2-CH2-O) a (CH2-CH(CH3)-O) b (CH2-CH2-O) a -H （但し、ａ＋ｃ＝25、ｂ＝30） 0.３５ｇ／Ｌ Na-SO3-(CH2)3-S-S-(CH2)3-SO3-Na 5 ｍｇ／Ｌ 電解条件： 正電解時間 １０ｍｓｅｃ 逆電解時間 0.５ｍｓｅｃ 正電解電流密度 1.４Ａ／ｄｍ2 逆電解電流密度 7.０Ａ／ｄｍ2 電流密度比 正電解：逆電解＝１：５ めっき時間 ９０分比較例１ めっき液： 硫酸 １８０ｇ／Ｌ 硫酸銅 １５０ｇ／Ｌ 塩素イオン ６０ｍｇ／Ｌ HO-(CH2-CH2-O) a (CH2-CH(CH3)-O) b (CH2-CH2-O) a -H （但し、ａ＋ｃ＝25、ｂ＝30） 0.３５ｇ／Ｌ Na-SO3-(CH2)3-S-S-(CH2)3-SO3-Na 5 ｍｇ／Ｌ 電解条件（直流）： 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 めっき時間 １２０分比較例２ めっき液： 硫酸 １８０ｇ／Ｌ 硫酸銅 １５０ｇ／Ｌ 塩素イオン ６０ｍｇ／Ｌ HO-(CH2-CH2-O) a (CH2-CH(CH3)-O) b (CH2-CH2-O) a -H （但し、ａ＋ｃ＝25、ｂ＝30） 0.３５ｇ／Ｌ 電解条件： 正電解時間 １０ｍｓｅｃ 逆電解時間 0.５ｍｓｅｃ 正電解電流密度 1.４Ａ／ｄｍ2 逆電解電流密度 7.０Ａ／ｄｍ2 電流密度比 正電解：逆電解＝１：５ めっき時間 １２０分
参照しながら、更に、具体的に説明する。但し、本発明
の範囲は、これらの実施例及び比較例によって何ら限定
されるものではない。実施例１ めっき液： 硫酸 １８０ｇ／Ｌ 硫酸銅 １５０ｇ／Ｌ 塩素イオン ６０ｍｇ／Ｌ HO-(CH2-CH2-O) a (CH2-CH(CH3)-O) b (CH2-CH2-O) a -H （但し、ａ＋ｃ＝25、ｂ＝30） 0.３５ｇ／Ｌ Na-SO3-(CH2)3-S-S-(CH2)3-SO3-Na 5 ｍｇ／Ｌ 電解条件： 正電解時間 １０ｍｓｅｃ 逆電解時間 0.５ｍｓｅｃ 正電解電流密度 1.４Ａ／ｄｍ2 逆電解電流密度 7.０Ａ／ｄｍ2 電流密度比 正電解：逆電解＝１：５ めっき時間 ９０分比較例１ めっき液： 硫酸 １８０ｇ／Ｌ 硫酸銅 １５０ｇ／Ｌ 塩素イオン ６０ｍｇ／Ｌ HO-(CH2-CH2-O) a (CH2-CH(CH3)-O) b (CH2-CH2-O) a -H （但し、ａ＋ｃ＝25、ｂ＝30） 0.３５ｇ／Ｌ Na-SO3-(CH2)3-S-S-(CH2)3-SO3-Na 5 ｍｇ／Ｌ 電解条件（直流）： 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 めっき時間 １２０分比較例２ めっき液： 硫酸 １８０ｇ／Ｌ 硫酸銅 １５０ｇ／Ｌ 塩素イオン ６０ｍｇ／Ｌ HO-(CH2-CH2-O) a (CH2-CH(CH3)-O) b (CH2-CH2-O) a -H （但し、ａ＋ｃ＝25、ｂ＝30） 0.３５ｇ／Ｌ 電解条件： 正電解時間 １０ｍｓｅｃ 逆電解時間 0.５ｍｓｅｃ 正電解電流密度 1.４Ａ／ｄｍ2 逆電解電流密度 7.０Ａ／ｄｍ2 電流密度比 正電解：逆電解＝１：５ めっき時間 １２０分
【００２６】銅めっきによるブラインドビアホールの充
填状態は、以下のようにして、評価した。銅箔を表面に
有するプリント配線基板上に、公知のビルドアップ工法
用エポキシ樹脂を厚さ８０μｍで塗布して硬化させ、表
面に厚さ１０μｍの銅箔を接着し、これに炭酸ガスレー
ザーを用いて銅箔及びエポキシ樹脂層に穴を開け、直径
約８０μｍ、深さ約８０μｍのブラインドビアホールを
形成し、これに公知の方法により無電解銅めっき皮膜を
２μｍ形成したものを評価用試料とした。これに、実施
例及び比較例の電気めっき方法を用いてめっきを行なっ
た後、評価用試料を切断し、ブラインドビアホールの断
面観察を行なった。実施例１では、直径８０μｍ、深さ
８０μｍのブラインドビアホールが空隙を残すことな
く、完全に銅めっき析出物で充填されていることが確認
された（図１）。
填状態は、以下のようにして、評価した。銅箔を表面に
有するプリント配線基板上に、公知のビルドアップ工法
用エポキシ樹脂を厚さ８０μｍで塗布して硬化させ、表
面に厚さ１０μｍの銅箔を接着し、これに炭酸ガスレー
ザーを用いて銅箔及びエポキシ樹脂層に穴を開け、直径
約８０μｍ、深さ約８０μｍのブラインドビアホールを
形成し、これに公知の方法により無電解銅めっき皮膜を
２μｍ形成したものを評価用試料とした。これに、実施
例及び比較例の電気めっき方法を用いてめっきを行なっ
た後、評価用試料を切断し、ブラインドビアホールの断
面観察を行なった。実施例１では、直径８０μｍ、深さ
８０μｍのブラインドビアホールが空隙を残すことな
く、完全に銅めっき析出物で充填されていることが確認
された（図１）。
【００２７】直流電解を用いた比較例１では、ブライン
ドビアホールの開口端部は銅めっきで塞がれていたが、
ブラインドビアホール内部の銅めっき膜厚は薄く、ブラ
インドビアホール内の大部分は空洞であった（図２）。
成分（ロ）を使用しない電気銅めっき浴を使用して、実
施例１と同様にして行なった比較例２では、電気銅めっ
き処理を長時間行なったにもかかわらず、ブラインドビ
アホール内部の銅析出は不充分であった（図３）。
ドビアホールの開口端部は銅めっきで塞がれていたが、
ブラインドビアホール内部の銅めっき膜厚は薄く、ブラ
インドビアホール内の大部分は空洞であった（図２）。
成分（ロ）を使用しない電気銅めっき浴を使用して、実
施例１と同様にして行なった比較例２では、電気銅めっ
き処理を長時間行なったにもかかわらず、ブラインドビ
アホール内部の銅析出は不充分であった（図３）。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、ブラインドビアホール
の全体を極めて短期間に銅金属によって充填することが
できる。
の全体を極めて短期間に銅金属によって充填することが
できる。
【図１】 実施例１で得られたブラインドビアホールの
断面状態の顕微鏡写真。
断面状態の顕微鏡写真。
【図２】 比較例１で得られたブラインドビアホールの
断面状態の顕微鏡写真。
断面状態の顕微鏡写真。
【図３】 比較例２で得られたブラインドビアホールの
断面状態の顕微鏡写真。
断面状態の顕微鏡写真。
フロントページの続き (72)発明者 日下 大 埼玉県大宮市吉野町２−269−４ 日本リ ーロナール株式会社技術研究所内 Ｆターム(参考） 4K024 AA09 AB01 BB11 BC10 CA02 CA08 GA16 5E346 AA43 CC57 EE31 FF07 FF14 GG17 HH33
Claims (2)
- 【請求項１】 充填されたブラインドビアホールを有す
るビルドアッププリント配線板の製造方法であって、前
記ブラインドビアホールに対して、下記成分（イ）及び
（ロ）を含有する硫酸銅めっき浴を使用し、かつ、正電
解時間１〜５０ｍｓｅｃ及び逆電解時間0.２〜５ｍｓｅ
ｃの周期で電流の方向を逆転させながら、電気銅めっき
を行なうことを特徴とする方法。 （イ）１分子当たり少なくとも５個のエーテル酸素原子
を含むポリエーテル。 （ロ）分子内に、以下の式で示される化合物。 Ｒ1 −Ｓ−（ＣＨ2 Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ （式中、Ｒ1 は、水素原子、−（Ｓ）n −（ＣＨ2 Ｏ）
n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、又は−ＣＳ−（Ｓ）n −（ＣＨ2
Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍを示し、 Ｒ2 は、炭素原子３〜８個を含むアルキレン基を示し、 Ｍは、水素原子又はアルカリ金属を示し、そしてｎは、
０又は１を示す） - 【請求項２】 ビルドアッププリント配線板におけるブ
ラインドビアホールを充填する方法であって、前記ブラ
インドビアホールに対して、下記成分（イ）及び（ロ）
を含有する硫酸銅めっき浴を使用し、かつ、正電解時間
１〜５０ｍｓｅｃ及び逆電解時間0.２〜５ｍｓｅｃの周
期で電流の方向を逆転させながら、電気銅めっきを行な
うことを特徴とする方法。 （イ）１分子当たり少なくとも５個のエーテル酸素原子
を含むポリエーテル。 （ロ）分子内に、以下の式で示される化合物。 Ｒ1 −Ｓ−（ＣＨ2 Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ （式中、Ｒ1 は、水素原子、−（Ｓ）n −（ＣＨ2 Ｏ）
n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍ、又は−ＣＳ−（Ｓ）n −（ＣＨ2
Ｏ）n −Ｒ2 −ＳＯ3 Ｍを示し、 Ｒ2 は、炭素原子３〜８個を含むアルキレン基を示し、 Ｍは、水素原子又はアルカリ金属を示し、そしてｎは、
０又は１を示す）
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