JP2003041400A - プリント配線基板の製造装置および製造方法 - Google Patents
プリント配線基板の製造装置および製造方法Info
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- JP2003041400A JP2003041400A JP2001233928A JP2001233928A JP2003041400A JP 2003041400 A JP2003041400 A JP 2003041400A JP 2001233928 A JP2001233928 A JP 2001233928A JP 2001233928 A JP2001233928 A JP 2001233928A JP 2003041400 A JP2003041400 A JP 2003041400A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 めっき浴中の添加剤を効率よく再生し、プリ
ント配線基板の孔へのめっき層の充填を所望の充填形状
で行うことを可能とするプリント配線基板の製造装置を
提供すること。 【解決手段】 添加剤を含む電解めっき浴を収容する電
解めっき槽と、この電解めっき槽内においてプリント配
線基板の電解めっき処理に供された電解めっき浴を再生
処理するめっき浴電解再生槽とを具備し、前記めっき浴
電解再生槽中のめっき浴中には、陰極としてのダミー基
板と、陽極としての不溶性電極が浸漬され、前記陽極お
よび陰極間に再生電流を流すことにより、前記ダミー基
板を電解めっき処理するとともに、前記電解めっき浴中
の添加剤を再生することを特徴とする。
ント配線基板の孔へのめっき層の充填を所望の充填形状
で行うことを可能とするプリント配線基板の製造装置を
提供すること。 【解決手段】 添加剤を含む電解めっき浴を収容する電
解めっき槽と、この電解めっき槽内においてプリント配
線基板の電解めっき処理に供された電解めっき浴を再生
処理するめっき浴電解再生槽とを具備し、前記めっき浴
電解再生槽中のめっき浴中には、陰極としてのダミー基
板と、陽極としての不溶性電極が浸漬され、前記陽極お
よび陰極間に再生電流を流すことにより、前記ダミー基
板を電解めっき処理するとともに、前記電解めっき浴中
の添加剤を再生することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
の製造装置および製造方法に係り、特に、めっき液中の
添加剤の再生を可能とするプリント配線基板の製造装置
および製造方法に関する。
の製造装置および製造方法に係り、特に、めっき液中の
添加剤の再生を可能とするプリント配線基板の製造装置
および製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線基板は、通常、図２（ａ）
に示す構造に対し、図２（ｂ）に示すように、電解めっ
き処理処理を施すことにより製造される。即ち、まず、
図２（ａ）に示すように、絶縁基板２１上に下層導体層
２２を形成し、この下層導体層２２上に樹脂絶縁層２３
を形成し、この樹脂絶縁層２３にレーザにより下層導体
層２２に達する孔を形成し、この孔の内面を含む樹脂絶
縁層２３上に、下層導体層２２に接続するように無電解
めっき層２４を形成する。
に示す構造に対し、図２（ｂ）に示すように、電解めっ
き処理処理を施すことにより製造される。即ち、まず、
図２（ａ）に示すように、絶縁基板２１上に下層導体層
２２を形成し、この下層導体層２２上に樹脂絶縁層２３
を形成し、この樹脂絶縁層２３にレーザにより下層導体
層２２に達する孔を形成し、この孔の内面を含む樹脂絶
縁層２３上に、下層導体層２２に接続するように無電解
めっき層２４を形成する。
【０００３】次いで、図２（ｂ）に示すように、無電解
めっき層２４上に電解めっき処理を施し、孔を充填する
ように電解めっき層２５を形成する。電解めっき層２５
の形成は、孔を十分に充填して、平坦な面を形成するよ
うに行われるが、そのため、通常、電解めっき浴中にレ
ベリング剤と呼ばれる添加剤が添加される。銅の電解め
っきを行う場合、レベリング剤としては、通常、ビス
（３−スルホプロピル）ジサルファイド（ＳＰＳ）が用
いられる。
めっき層２４上に電解めっき処理を施し、孔を充填する
ように電解めっき層２５を形成する。電解めっき層２５
の形成は、孔を十分に充填して、平坦な面を形成するよ
うに行われるが、そのため、通常、電解めっき浴中にレ
ベリング剤と呼ばれる添加剤が添加される。銅の電解め
っきを行う場合、レベリング剤としては、通常、ビス
（３−スルホプロピル）ジサルファイド（ＳＰＳ）が用
いられる。
【０００４】しかし、ＳＰＳを含む銅めっき浴を用いて
電解めっきを行うと、めっき操作停止中において、ＳＰ
Ｓの還元が進行し、下記の式（１）により、２量体が１
量体に変化するという現象が生ずる。また、この変化
は、めっき操作停止中に限らず、めっき操作中において
も生ずることが確認されている。
電解めっきを行うと、めっき操作停止中において、ＳＰ
Ｓの還元が進行し、下記の式（１）により、２量体が１
量体に変化するという現象が生ずる。また、この変化
は、めっき操作停止中に限らず、めっき操作中において
も生ずることが確認されている。
【０００５】
ＲＳ−ＳＲ＋２ｅ＋２Ｈ＋ → ２Ｈ−ＳＲ ・・・（１）
上記式（１）において、ＲＳ−ＳＲは２量体（ＣＨ３−
ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓ−Ｓ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ３）
を、Ｈ−ＳＲは１量体（ＣＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓ−
Ｈ）を示す。
ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓ−Ｓ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ３）
を、Ｈ−ＳＲは１量体（ＣＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓ−
Ｈ）を示す。
【０００６】このように、上記式（１）の反応によりめ
っき浴中にＳＰＳの１量体の濃度が増加すると、レベリ
ング剤が有効に作用せず、所望の充填形状が得られない
という問題が生ずる。
っき浴中にＳＰＳの１量体の濃度が増加すると、レベリ
ング剤が有効に作用せず、所望の充填形状が得られない
という問題が生ずる。
【０００７】このような場合、めっき浴を新しいものに
更新したり、活性炭でろ過し、添加剤濃度を調整したり
する必要があった。しかし、めっき浴の更新には、コス
トがかかり、活性炭によるろ過および添加剤濃度の調整
には、時間と手間がかかるため、より低コストで、簡単
な方法による問題の解決が望まれている。
更新したり、活性炭でろ過し、添加剤濃度を調整したり
する必要があった。しかし、めっき浴の更新には、コス
トがかかり、活性炭によるろ過および添加剤濃度の調整
には、時間と手間がかかるため、より低コストで、簡単
な方法による問題の解決が望まれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情の下になされ、めっき浴中の添加剤を効率よく再生
し、プリント配線基板の孔へのめっき層の充填を所望の
充填形状で行うことを可能とするプリント配線基板の製
造装置を提供することを目的とする。
事情の下になされ、めっき浴中の添加剤を効率よく再生
し、プリント配線基板の孔へのめっき層の充填を所望の
充填形状で行うことを可能とするプリント配線基板の製
造装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、添加剤を含む電解めっき浴を収容する電
解めっき槽と、この電解めっき槽内においてプリント配
線基板の電解めっき処理に供された電解めっき浴を再生
処理するめっき浴電解再生槽とを具備し、前記めっき浴
電解再生槽中のめっき浴中には、陰極としてのダミー基
板と、陽極としての不溶性電極が浸漬され、前記陽極お
よび陰極間に再生電流を流すことにより、前記ダミー基
板を電解めっき処理するとともに、前記電解めっき浴中
の添加剤を再生することを特徴とするプリント配線基板
の製造装置を提供する。
め、本発明は、添加剤を含む電解めっき浴を収容する電
解めっき槽と、この電解めっき槽内においてプリント配
線基板の電解めっき処理に供された電解めっき浴を再生
処理するめっき浴電解再生槽とを具備し、前記めっき浴
電解再生槽中のめっき浴中には、陰極としてのダミー基
板と、陽極としての不溶性電極が浸漬され、前記陽極お
よび陰極間に再生電流を流すことにより、前記ダミー基
板を電解めっき処理するとともに、前記電解めっき浴中
の添加剤を再生することを特徴とするプリント配線基板
の製造装置を提供する。
【００１０】以上のように構成されるプリント配線基板
の製造装置によると、電解めっき浴中のＳＰＳの１量体
を効果的に２量体に変化させ、電解めっき浴中の添加剤
を再生することが出来るため、所望の充填形状の電解メ
ッキ層を有するプリント配線基板を製造することが可能
である。
の製造装置によると、電解めっき浴中のＳＰＳの１量体
を効果的に２量体に変化させ、電解めっき浴中の添加剤
を再生することが出来るため、所望の充填形状の電解メ
ッキ層を有するプリント配線基板を製造することが可能
である。
【００１１】本発明のプリント配線基板の製造装置で
は、電解めっき槽からめっき浴電解再生槽へ電解めっき
浴を送る流路、およびめっき浴電解再生槽で再生処理さ
れためっき浴をめっき浴電解再生槽から電解めっき槽へ
送る流路を更に具備する構成とすることができる。この
ような構成により、めっき浴は、電解めっき槽とめっき
浴電解再生槽との間を循環使用され、クローズドシステ
ムによる電解めっき処理と再生処理を連続して行うこと
が可能である。
は、電解めっき槽からめっき浴電解再生槽へ電解めっき
浴を送る流路、およびめっき浴電解再生槽で再生処理さ
れためっき浴をめっき浴電解再生槽から電解めっき槽へ
送る流路を更に具備する構成とすることができる。この
ような構成により、めっき浴は、電解めっき槽とめっき
浴電解再生槽との間を循環使用され、クローズドシステ
ムによる電解めっき処理と再生処理を連続して行うこと
が可能である。
【００１２】本発明のプリント配線基板の製造装置にお
いて、めっき浴は、０．７〜１．０ｐｐｍのビス（３−
スルホプロピル）ジサルファイドを含む銅めっき浴とす
ることが出来る。この場合、再生処理により、電解めっ
き処理に供された電解めっき浴中のビス（３−スルホプ
ロピル）ジサルファイドは、１量体から２量体へと効果
的に再生される。２量体であるビス（３−スルホプロピ
ル）ジサルファイドは、レベリング剤として元どおり効
果的に作用する。
いて、めっき浴は、０．７〜１．０ｐｐｍのビス（３−
スルホプロピル）ジサルファイドを含む銅めっき浴とす
ることが出来る。この場合、再生処理により、電解めっ
き処理に供された電解めっき浴中のビス（３−スルホプ
ロピル）ジサルファイドは、１量体から２量体へと効果
的に再生される。２量体であるビス（３−スルホプロピ
ル）ジサルファイドは、レベリング剤として元どおり効
果的に作用する。
【００１３】本発明のプリント配線基板の製造装置にお
いて、電解めっき槽における電解めっきは、直流電解
法、パルス電解法、またはＰＲ法により行うことが出来
る。これらの方法の中で、ＰＲ法は、プリント配線基板
の孔へのめっき層の充填のレベリングに効果的な方法で
ある。
いて、電解めっき槽における電解めっきは、直流電解
法、パルス電解法、またはＰＲ法により行うことが出来
る。これらの方法の中で、ＰＲ法は、プリント配線基板
の孔へのめっき層の充填のレベリングに効果的な方法で
ある。
【００１４】電解めっき槽内のめっき浴には、陽極とし
ての可溶性電極が浸漬され、陰極としての被めっき体と
の間に０．０９Ａ／リットル以上のめっき電流を流すこ
とが出来る。この場合、めっき浴電解再生槽における陰
極と陽極との間には、めっき電流の１／１０〜１／２０
の再生電流を流すことが望ましい。
ての可溶性電極が浸漬され、陰極としての被めっき体と
の間に０．０９Ａ／リットル以上のめっき電流を流すこ
とが出来る。この場合、めっき浴電解再生槽における陰
極と陽極との間には、めっき電流の１／１０〜１／２０
の再生電流を流すことが望ましい。
【００１５】また、本発明は、以上説明したプリント配
線基板の製造装置により製造されたプリント配線基板を
提供する。更に、本発明は、以上説明したプリント配線
基板の製造装置を用いて行われる配線基板の製造方法を
提供する。
線基板の製造装置により製造されたプリント配線基板を
提供する。更に、本発明は、以上説明したプリント配線
基板の製造装置を用いて行われる配線基板の製造方法を
提供する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００１７】図１は、本発明の一実施形態に係るプリン
ト配線基板の製造装置を概略的に示す図である。図１に
おいて、電解めっき槽１に隣接して、電解再生槽２が配
置されている。電解めっき槽１と電解再生槽２とは、ポ
ンプ３を介してめっき浴輸送配管４により接続されてお
り、更に、ポンプ５を介してめっき浴リサイクル配管６
により接続されることにより、クローズドシステムが構
成されている。
ト配線基板の製造装置を概略的に示す図である。図１に
おいて、電解めっき槽１に隣接して、電解再生槽２が配
置されている。電解めっき槽１と電解再生槽２とは、ポ
ンプ３を介してめっき浴輸送配管４により接続されてお
り、更に、ポンプ５を介してめっき浴リサイクル配管６
により接続されることにより、クローズドシステムが構
成されている。
【００１８】電解めっき槽１内には、銅めっき浴７が収
容されているとともに、その中に陽極としての可溶性電
極８および陰極としての被電解めっき試料（プリント配
線基板）９が浸漬されている。可溶性電極８としては、
リン銅ボールを含むものとすることが出来る。銅めっき
浴７としては、例えば、以下の組成を有するものを用い
ることが出来る。
容されているとともに、その中に陽極としての可溶性電
極８および陰極としての被電解めっき試料（プリント配
線基板）９が浸漬されている。可溶性電極８としては、
リン銅ボールを含むものとすることが出来る。銅めっき
浴７としては、例えば、以下の組成を有するものを用い
ることが出来る。
【００１９】
硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）：１００〜２５０ｇ／リットル
硫酸（Ｈ２ＳＯ４） ：１０〜１００ｇ／リットル
塩素イオン ：１〜１００ｍｇ／リットル
ＳＰＳ（レベリング剤） ：０．７〜１．０ｐｐｍ
（ビス（３−スルホプロピル）ジサルファイド）電解め
っき槽１における電解めっきは、可溶性電極８と被電解
めっき試料９との間に直流電流を印加する直流電解法、
可溶性電極８と被電解めっき試料９との間にパルス電流
を印加するパルス電解法、周期的に電流の向きを逆転さ
せるＰＲ（Ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌ Ｒｅｖｅｒｓｅ）法
等、任意の電解法により行うことが出来る。なお、プリ
ント配線基板の製造における孔への所望の充填形状を得
るためには、レベリング効果に優れたＰＲ法が好まし
い。
っき槽１における電解めっきは、可溶性電極８と被電解
めっき試料９との間に直流電流を印加する直流電解法、
可溶性電極８と被電解めっき試料９との間にパルス電流
を印加するパルス電解法、周期的に電流の向きを逆転さ
せるＰＲ（Ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌ Ｒｅｖｅｒｓｅ）法
等、任意の電解法により行うことが出来る。なお、プリ
ント配線基板の製造における孔への所望の充填形状を得
るためには、レベリング効果に優れたＰＲ法が好まし
い。
【００２０】なお、銅めっきの場合、めっき電流は、
０．０９Ａ／リットル以上であるのが望ましい。
０．０９Ａ／リットル以上であるのが望ましい。
【００２１】以上のように、電解めっき槽１内でプリン
ト配線基板９への電解めっきが行われ、装置が停止（例
えば７２時間）すると、上述したように、レベリング剤
としてのＳＰＳが２量体から１量体に変化し、めっき浴
中７の１量体の濃度が増加して、電解めっき処理に供す
るには不適切なものとなる。
ト配線基板９への電解めっきが行われ、装置が停止（例
えば７２時間）すると、上述したように、レベリング剤
としてのＳＰＳが２量体から１量体に変化し、めっき浴
中７の１量体の濃度が増加して、電解めっき処理に供す
るには不適切なものとなる。
【００２２】次に、このような１量体の濃度が増加した
めっき浴を、電解めっき槽１からポンプ３によりめっき
浴輸送配管４を通して電解再生槽２内に輸送する。電解
再生槽２内に輸送されためっき浴１０中には、陽極とし
ての不溶性電極１１とダミー試料１２が浸漬されてい
る。不溶性電極１１としては、例えばＴｉやＰｔからな
るものとすることが出来る。ダミー試料１２としては、
例えば銅板を用いることが出来る。
めっき浴を、電解めっき槽１からポンプ３によりめっき
浴輸送配管４を通して電解再生槽２内に輸送する。電解
再生槽２内に輸送されためっき浴１０中には、陽極とし
ての不溶性電極１１とダミー試料１２が浸漬されてい
る。不溶性電極１１としては、例えばＴｉやＰｔからな
るものとすることが出来る。ダミー試料１２としては、
例えば銅板を用いることが出来る。
【００２３】このような電解再生槽２において、不溶性
電極１１とダミー試料１２との間に再生電流を流すこと
により、めっき浴１０中の添加剤、例えばレベリング剤
の再生を行うことが出来る。再生電流は、電解めっき槽
１における電解めっきのためのめっき電流の１／１０な
いし1／２０であるのが好ましい。再生電流がめっき電
流の１／２０未満では、再生に長時間を要するため好ま
しくなく、１／１０を超えると、有効レベリング剤を酸
化分解するので好ましくない。
電極１１とダミー試料１２との間に再生電流を流すこと
により、めっき浴１０中の添加剤、例えばレベリング剤
の再生を行うことが出来る。再生電流は、電解めっき槽
１における電解めっきのためのめっき電流の１／１０な
いし1／２０であるのが好ましい。再生電流がめっき電
流の１／２０未満では、再生に長時間を要するため好ま
しくなく、１／１０を超えると、有効レベリング剤を酸
化分解するので好ましくない。
【００２４】不溶性電極１１とダミー試料１２との間に
再生電流を流すと、ダミー試料１２に対し、めっき処理
が施されるとともに、めっき浴１０内のダミー試料１２
の近傍において、下記式（２）により表される反応が生
ずるものと考えられる。
再生電流を流すと、ダミー試料１２に対し、めっき処理
が施されるとともに、めっき浴１０内のダミー試料１２
の近傍において、下記式（２）により表される反応が生
ずるものと考えられる。
【００２５】
４Ｈ−ＳＲ＋２Ｃｕ２＋ → ２Ｃｕ−ＳＲ＋ＲＳ＋４Ｈ…（２）
上記式（２）により生成したＣｕ−ＳＲは、下記式
（３）により表される反応によりＨ−ＳＲとなり、Ｈ−
ＳＲは、上記式（２）の反応により２量体となるものと
考えられる。
（３）により表される反応によりＨ−ＳＲとなり、Ｈ−
ＳＲは、上記式（２）の反応により２量体となるものと
考えられる。
【００２６】
Ｃｕ−ＳＲ＋ｅ＋Ｈ＋ → Ｃｕ＋Ｈ−ＳＲ…（３）
以上のようにして、電解めっき槽１内で１量体に変化し
たＳＰＳは、電解再生槽２内で２量体に戻され、再生さ
れる。このように、めっき浴内の１量体の濃度は減少
し、めっき浴内の１量体と２量体の濃度バランスを適正
な値に保持することが出来る。
たＳＰＳは、電解再生槽２内で２量体に戻され、再生さ
れる。このように、めっき浴内の１量体の濃度は減少
し、めっき浴内の１量体と２量体の濃度バランスを適正
な値に保持することが出来る。
【００２７】なお、以上のように、電解めっき槽１の休
止中に限らず、電解めっき槽１が稼働中の場合において
も、電解めっき槽１内の銅めっき浴７において、上記式
（１）の反応が進行し、可溶性電極８の近傍において２
量体が１量体に変化してしまう。従って、本発明のプリ
ント配線基板の製造装置によると、稼働中に生じたＳＰ
Ｓの２量体から１量体への変化に対しても、同様に適用
可能である。
止中に限らず、電解めっき槽１が稼働中の場合において
も、電解めっき槽１内の銅めっき浴７において、上記式
（１）の反応が進行し、可溶性電極８の近傍において２
量体が１量体に変化してしまう。従って、本発明のプリ
ント配線基板の製造装置によると、稼働中に生じたＳＰ
Ｓの２量体から１量体への変化に対しても、同様に適用
可能である。
【００２８】即ち、電解めっき槽１の稼働中、電解めっ
き処理を行いつつ、電解めっき槽１内のめっき浴７をポ
ンプ３により配管４を通して、電解再生槽２に輸送し、
電解再生槽２内ではそのまま再生処理を行うとともに、
引き続き、再生槽２内のめっき浴１０をポンプ５により
配管６を通して、電解めっき槽１にリサイクルすること
が出来る。これらの操作は、連続しておこなうことが出
来る。
き処理を行いつつ、電解めっき槽１内のめっき浴７をポ
ンプ３により配管４を通して、電解再生槽２に輸送し、
電解再生槽２内ではそのまま再生処理を行うとともに、
引き続き、再生槽２内のめっき浴１０をポンプ５により
配管６を通して、電解めっき槽１にリサイクルすること
が出来る。これらの操作は、連続しておこなうことが出
来る。
【００２９】或いは、電解めっき槽１内における電解め
っき処理の終了後、電解めっき槽１内のめっき浴７をポ
ンプ３により配管４を通して、電解再生槽２に輸送し、
再生槽２内での再生処理の終了後、再生槽２内のめっき
浴１０をポンプ５により配管６を通して、電解めっき槽
１にリサイクルしてもよい。この場合には、電解めっき
槽１と電解再生槽２との間に設けられるポンプおよび配
管は１系列でもよく、再生のための輸送とリサイクルの
ための輸送を、輸送の方向を切り替えて行うことも可能
である。
っき処理の終了後、電解めっき槽１内のめっき浴７をポ
ンプ３により配管４を通して、電解再生槽２に輸送し、
再生槽２内での再生処理の終了後、再生槽２内のめっき
浴１０をポンプ５により配管６を通して、電解めっき槽
１にリサイクルしてもよい。この場合には、電解めっき
槽１と電解再生槽２との間に設けられるポンプおよび配
管は１系列でもよく、再生のための輸送とリサイクルの
ための輸送を、輸送の方向を切り替えて行うことも可能
である。
【００３０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よると、電解めっき浴中のＳＰＳの１量体を効果的に２
量体に変化させ、電解めっき浴中の添加剤、例えばレベ
リング剤を再生することが出来るため、所望の充填形状
の電解メッキ層を有するプリント配線基板を効率よく製
造することが可能である。
よると、電解めっき浴中のＳＰＳの１量体を効果的に２
量体に変化させ、電解めっき浴中の添加剤、例えばレベ
リング剤を再生することが出来るため、所望の充填形状
の電解メッキ層を有するプリント配線基板を効率よく製
造することが可能である。
【図１】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板の
製造装置を概略的に示す図。
製造装置を概略的に示す図。
【図２】電解めっき処理処理が施される前後のプリント
配線基板を示す断面図。
配線基板を示す断面図。
１・・・電解めっき槽
２・・・電解再生槽
３，５・・・ポンプ
４・・・めっき浴輸送配管
６・・・めっき浴リサイクル配管
７，１０・・・銅めっき浴
８・・・可溶性電極
９・・・被電解めっき試料
１１・・・不溶性電極
１２・・・ダミー試料。
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フロントページの続き
(72)発明者 長谷川 竹志
東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印
刷株式会社内
(72)発明者 雨宮 広泰
東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印
刷株式会社内
(72)発明者 鈴木 龍雄
東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印
刷株式会社内
(72)発明者 皆木 健一
東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印
刷株式会社内
(72)発明者 濱崎 将史
東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印
刷株式会社内
(72)発明者 清田 優
埼玉県さいたま市吉野町２丁目269番地の
４ 日本リーロナール内
(72)発明者 土田 秀樹
埼玉県さいたま市吉野町２丁目269番地の
４ 日本リーロナール内
(72)発明者 林 慎二朗
埼玉県さいたま市吉野町２丁目269番地の
４ 日本リーロナール内
(72)発明者 渡邊 昭博
東京都中央区東日本橋２丁目28番５号 メ
ルテックス株式会社内
Ｆターム(参考） 4K024 AA09 BB11 CA02 CA05 CA07
CA08 DA10
5E343 AA02 AA12 BB15 BB24 BB71
DD46 DD48 FF16 GG08
Claims (7)
- 【請求項１】添加剤を含む電解めっき浴を収容する電解
めっき槽と、この電解めっき槽内においてプリント配線
基板の電解めっき処理に供された電解めっき浴を再生処
理するめっき浴電解再生槽とを具備し、前記めっき浴電
解再生槽中のめっき浴中には、陰極としてのダミー基板
と、陽極としての不溶性電極が浸漬され、前記陽極およ
び陰極間に再生電流を流すことにより、前記ダミー基板
を電解めっき処理するとともに、前記電解めっき浴中の
添加剤を再生することを特徴とするプリント配線基板の
製造装置。 - 【請求項２】前記電解めっき槽から前記めっき浴電解再
生槽へ電解めっき浴を送る流路、および前記めっき浴電
解再生槽で再生処理されためっき浴を前記めっき浴電解
再生槽から前記電解めっき槽へ送る流路を更に具備し、
前記めっき浴は、前記電解めっき槽と前記めっき浴電解
再生槽との間を循環使用されることを特徴とする請求項
１に記載のプリント配線基板の製造装置。 - 【請求項３】前記めっき浴はビス（３−スルホプロピ
ル）ジサルファイドを含む銅めっき浴であり、前記再生
処理により、前記電解めっき処理に供された電解めっき
浴中のビス（３−スルホプロピル）ジサルファイドの１
量体から２量体への変化を生じさせることを特徴とする
請求項１または２に記載のプリント配線基板の製造装
置。 - 【請求項４】前記電解めっき槽内のめっき浴に、陽極と
しての可溶性電極が浸漬され、陰極としての被めっき体
との間に０．０９Ａ／リットル以上のめっき電流を流す
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかの項に記
載のプリント配線基板の製造装置。 - 【請求項５】前記めっき浴電解再生槽における陰極と陽
極との間には、前記めっき電流の１／１０〜１／２０の
再生電流を流すことを特徴とする請求項４に記載のプリ
ント配線基板の製造装置。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれかのプリント配線基
板の製造装置により製造されたことを特徴とするプリン
ト配線基板。 - 【請求項７】請求項１〜５のいずれかのプリント配線基
板の製造装置を用いて行われることを特徴とするプリン
ト配線基板の製造方法。
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| JP2001233928A JP4806498B2 (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | プリント配線基板の製造装置および製造方法 |
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-
2001
- 2001-08-01 JP JP2001233928A patent/JP4806498B2/ja not_active Expired - Fee Related
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